特許 7417666 形成方法、物品の製造方法、プログラム、システム、およびリソグラフィ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-10

(45)【発行日】2024-01-18

(54)【発明の名称】形成方法、物品の製造方法、プログラム、システム、およびリソグラフィ装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240111BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 501

G03F7/20 521

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2022093816

(22)【出願日】2022-06-09

(62)【分割の表示】P 2021017736の分割

【原出願日】2018-12-06

(65)【公開番号】P2022111342

(43)【公開日】2022-07-29

【審査請求日】2022-06-29

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003281

【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】本間 英晃

(72)【発明者】

【氏名】張 劬

(72)【発明者】

【氏名】木島 渉

(72)【発明者】

【氏名】根谷 尚稔

【審査官】今井 彰

(56)【参考文献】

【文献】特開２００９－１４７３４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－０９２１３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０８６７０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００４－２９４７７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－１０９６４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－０３２９５６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ ７／２０－７／２４、９／００－９／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板上の層に第１装置で第１パターンの潜像を形成し、前記第１パターンの潜像が形成される領域とは異なる前記層の領域に、第２装置で第２パターンの潜像を形成する形成方法であって、
前記第１装置において、前記基板に形成されたマークの位置を計測し、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成する第１工程と、
前記第２装置において、前記マークの位置を計測し、前記第２パターンの潜像を前記基板上に形成する第２工程と、
を含み、
前記第１工程では、前記第１工程での計測結果を用いずに、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成し、
前記第２工程では、前記第１工程で前記マークの位置を計測した第１計測結果に基づく情報と前記第２工程で前記マークの位置を計測した第２計測結果に基づく情報を用いて決定された位置に前記第２パターンの潜像を形成する、ことを特徴とする形成方法。

【請求項2】

前記第２工程では、前記第１装置と前記第２装置との特性の差に起因する前記第１パターンの潜像と前記第２パターンの潜像との位置関係のずれが補正されるように、前記第１計測結果に基づく情報および前記第２計測結果に基づく情報を用いて、前記第２装置において前記基板上に形成される前記第２パターンの潜像の位置を補正する、ことを特徴とする請求項１に記載の形成方法。

【請求項3】

前記第２工程では、前記第１工程で計測された前記マークの位置と、前記第２工程で計測された前記マークの位置との差分に基づいて、前記第２装置において前記基板上に形成される前記第２パターンの潜像の位置を決定する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の形成方法。

【請求項4】

前記第２工程では、前記第２パターンの潜像を形成すべき目標位置を前記差分により補正して得られた位置に基づいて、前記第２装置において前記第２パターンの潜像を前記基板上に形成する、ことを特徴とする請求項３に記載の形成方法。

【請求項5】

前記第１工程での計測結果を前記第１装置から前記第２装置に転送する工程を更に含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の形成方法。

【請求項6】

基板上の層に第１装置で第１パターンの潜像を形成し、前記第１パターンの潜像が形成される領域とは異なる前記層の領域に、第２装置で第２パターンの潜像を形成する形成工程であり、前記第１装置において、前記基板に形成されたマークの位置を計測し、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成する第１工程と、前記第２装置において、前記マークの位置を計測し、前記第２パターンの潜像を前記基板上に形成する第２工程と、を含み、前記第１工程では、前記第１工程での計測結果を用いずに、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成し、前記第２工程では、前記第１工程で前記マークの位置を計測した第１計測結果に基づく情報と前記第２工程で前記マークの位置を計測した第２計測結果に基づく情報を用いて決定された位置に前記第２パターンの潜像を形成する形成工程と、
パターンの潜像が形成された前記基板を現像する現像工程と、を含み、
前記現像工程で現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

【請求項7】

請求項１乃至５のいずれか１項に記載の形成方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。

【請求項8】

基板上の層に第１パターンの潜像を形成し、前記第１パターンの潜像が形成される領域とは異なる前記層の領域に、第２パターンの潜像を形成するシステムであって、
前記基板上に形成されたマークの位置を計測する第１計測部と、前記基板上に前記第１パターンの潜像を形成する第１形成部と、を有する第１装置と、
前記マークの位置を計測する第２計測部と、前記基板上に第２パターンの潜像を形成する第２形成部と、を有する第２装置と、
を含み、
前記第１形成部は、前記第１計測部での計測結果を用いずに、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成し、
前記第２形成部は、前記第１計測部で前記マークの位置を計測して得られた情報と前記第２計測部で前記マークの位置を計測して得られた情報とに基づいて決定された位置に前記第２パターンの潜像を形成する、ことを特徴とするシステム。

【請求項9】

基板上の層に第１パターンの潜像を形成するリソグラフィ装置であり、前記第１パターンの潜像が形成される領域とは異なる前記層の領域に、前記リソグラフィ装置とは別のリソグラフィ装置によって第２パターンの潜像が形成される前に、前記第１パターンの潜像を形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板上に形成されたマークの位置を計測する計測部と、
前記第１パターンの潜像を形成する形成部と、
前記計測部で得られた前記マークの位置を示す情報を前記別のリソグラフィ装置に出力する制御部と、
を含み、
前記形成部は、前記計測部での計測結果を用いずに、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成する、ことを特徴とするリソグラフィ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、形成方法、物品の製造方法、プログラム、システム、およびリソグラフィ装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、特に液晶表示デバイスにおいては基板サイズが大型化しており、基板を無駄なく利用することが求められている。そのため、１枚の基板に複数の異なるサイズのデバイスを複数の装置を用いて形成する、いわゆるＭＭＧ（Multi Model on Glass）と呼ばれる技術が提案されている（特許文献１参照）。このようなＭＭＧ技術では、複数の装置によって基板上の１つの層に形成された複数のパターン全体での寸法と位置とが、パターンの形成精度の評価指標として用いられうる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００５－０９２１３７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ＭＭＧ技術に用いられる複数の装置では、パターンの形成特性に個体差が生じていることがある。この場合、複数の装置によりそれぞれ形成された複数のパターンの位置関係が目標値（設計値）に対してずれてしまい、基板上にパターンを精度よく形成することが困難になりうる。

【0005】

そこで、本発明は、パターンの形成精度を向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記目的を達成するために、本発明の一側面としての形成方法は、基板上の層に第１装置で第１パターンの潜像を形成し、前記第１パターンの潜像が形成される領域とは異なる前記層の領域に、第２装置で第２パターンの潜像を形成する形成方法であって、前記第１装置において、前記基板に形成されたマークの位置を計測し、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成する第１工程と、前記第２装置において、前記マークの位置を計測し、前記第２パターンの潜像を前記基板上に形成する第２工程と、を含み、前記第１工程では、前記第１工程での計測結果を用いずに、前記第１パターンの潜像を前記基板上に形成し、前記第２工程では、前記第１工程で前記マークの位置を計測した第１計測結果に基づく情報と前記第２工程で前記マークの位置を計測した第２計測結果に基づく情報を用いて決定された位置に前記第２パターンの潜像を形成する、ことを特徴とする。

【0007】

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、例えば、パターンの形成精度を向上させるために有利な技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】形成システムの全体構成を示す概略図である。

【図2】第１露光装置の構成例を示す図である。

【図3】基板上に形成された第１パターンＰ１、第２パターンＰ２、およびマークＡＭを示す図である。

【図4】従来例１に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。

【図5】従来例２に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。

【図6】従来例３に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。

【図7】基板上へのパターン形成処理を示すフローチャートである。

【図8】マークＡＭ、第１パターンＰ１および第２パターンＰ２が基板上に形成される様子を経時的に示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

【0011】

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の形成システム１００（形成装置）について説明する。本実施形態の形成システム１００は、複数のリソグラフィ装置を用いて、基板上の１つの層（同一層）における互いに異なる位置にパターンをそれぞれ形成する、いわゆるＭＭＧ（Multi Model on Glass）技術を実行するシステムである。リソグラフィ装置としては、例えば、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを形成する描画装置などが挙げられる。

【0012】

また、本発明に係るＭＭＧ技術が適用される「基板上の１つの層」は、例えば、パターンが未だ形成されていないベア基板上に最初に形成される層（いわゆる第１層）でありうるが、それに限られず、第２層以降であってもよい。本実施形態では、複数の露光装置１０を有する形成システム１００を用いて、基板上の１つのレジスト層（感光剤）にパターン（潜在パターン）を形成する例について説明する。ここで、基板Ｗとしては、例えば、ガラスプレートや半導体ウェハなどが適用されうるが、本実施形態では、基板Ｗとしてガラスプレートを用いる例について説明する。また、以下では、「基板上の１つの層」を単に「基板上」と称することがある。

【0013】

図１は、第１実施形態の形成システム１００の全体構成を示す概略図である。形成システム１００は、第１露光装置１０（第１装置）と、第２露光装置２０（第２装置）と、搬送部３０と、主制御部４０とを含みうる。搬送部３０は、第１露光装置１０および第２露光装置２０に基板Ｗを搬送する。主制御部４０は、例えばＣＰＵやメモリを有するコンピュータで構成され、形成システム１００の全体を統括的に制御するとともに、第１露光装置１０と第２露光装置２０との間でのデータや情報の転送を制御しうる。

【0014】

第１露光装置１０は、例えば、パターン形成部１１（第１形成部）と、マーク形成部１２と、マーク計測部１３（第１計測部）と、制御部１４とを含みうる。パターン形成部１１は、マスクＭのパターンを基板上に転写することにより基板上に第１パターンＰ１を形成する。例えば、パターン形成部１１は、第１パターンＰ１を形成すべき目標位置座標を示す第１情報（例えば設計データ）に基づいて、基板上の第１領域に第１パターンＰ１を形成する。マーク形成部１２は、アライメントマークを形成すべき目標位置座標を示す情報（例えば設計データ）に基づいて、基板上にアライメントマークを形成する。マーク計測部１３は、マーク形成部１２によって形成されたアライメントマークの位置を計測する。制御部１４は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、装置座標系に従ってパターン形成部１１、マーク形成部１２およびマーク計測部１３を制御する（即ち、第１露光装置１０による各処理を制御する）。本実施形態では、制御部１４は、主制御部４０と別体として設けられているが、主制御部４０の構成要素として設けられてもよい。

【0015】

第２露光装置２０は、例えば、パターン形成部２１（第２形成部）と、マーク計測部２３（第２計測部）と、制御部２４とを含みうる。本実施形態の第２露光装置２０では、マーク形成部が設けてられていないが、マーク形成部が設けられてもよい。パターン形成部２１は、マスクＭのパターンを基板上に転写することにより基板上に第２パターンＰ２を形成する。例えば、パターン形成部２１は、第２パターンＰ２を形成すべき目標位置座標を示す第２情報（例えば設計データ）に基づいて、第１パターンＰ１が形成された第１領域とは異なる基板上の第２領域に第２パターンＰ２を形成する。マーク計測部２３は、第１露光装置１０のマーク形成部１２によって形成されたマークＡＭの位置を計測する。制御部２４は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、装置座標系に従ってパターン形成部２１およびマーク計測部２３を制御する（即ち、第２露光装置２０による各処理を制御する）。本実施形態では、制御部２４は、主制御部４０と別体として設けられているが、主制御部４０の構成要素として設けられてもよい。

【0016】

次に、第１露光装置１０の具体的な構成例について説明する。図２は、第１露光装置１０の構成例を示す図である。ここで、第２露光装置２０は、第１露光装置１０と比べ、マーク形成部１２が設けられていない点で異なるが、それ以外の構成は同様でありうる。つまり、第２露光装置２０のパターン形成部２１およびマーク計測部１３は、第１露光装置１０のパターン形成部１１およびマーク形成部２３とそれぞれ同様に構成されうる。

【0017】

第１露光装置１０は、パターン形成部１１として、照明光学系１１ｂと、マスクステージ１１ｃと、投影光学系１１ｄと、基板ステージ１１ｅとを含みうる。照明光学系１１ｂは、光源１１ａからの光を用いてマスクＭを照明する。マスクステージ１１ｃは、マスクＭを保持して移動可能に構成される。投影光学系１１ｄは、マスクＭに形成されたパターンを基板Ｗに投影する。基板ステージ１１ｅは、基板Ｗを保持して移動可能に構成される。このように構成された第１露光装置１０では、マスクＭと基板Ｗとが投影光学系１１ｄを介して光学的に共役な位置（投影光学系１１ｄの物体面および像面）にそれぞれ配置され、投影光学系１１ｄによりマスクＭのパターンが基板上に投影される。これにより、基板上のレジスト層に潜在パターンを形成することができる。

【0018】

また、図２に示す第１露光装置１０には、上述したマーク形成部１２とマーク計測部１３とが設けられる。マーク形成部１２は、ＭＦ（Mark Former）とも呼ばれ、荷電粒子線などのエネルギを基板上に照射することにより基板上にアライメントマークを形成する。以下では、マーク形成部１２によって基板上に形成されたアライメントマークを「マークＡＭ」と呼ぶことがある。マーク計測部１３は、マーク形成部１２によって基板上に形成されたマークＡＭを検出することでマークＡＭの位置を計測する。例えば、マーク計測部１３は、イメージセンサと光学素子とを有するスコープ（オフアクシススコープ）を含み、基板Ｗの位置（ＸＹ方向）と当該スコープの視野内でのマークＡＭの位置とに基づいて、マークＡＭの位置を計測することができる。

【0019】

［パターン形成精度について］
次に、形成システム１００（第１露光装置１０、第２露光装置２０）による基板上への第１パターンＰ１、第２パターンＰ２、およびマークＡＭの形成について説明する。図３は、形成システム１００によって基板上に形成された第１パターンＰ１、第２パターンＰ２、およびマークＡＭを示す図である。

【0020】

第１パターンＰ１は、第１露光装置１０のパターン形成部１１により、基板上の第１領域に形成されうる。第２パターンＰ２は、第２露光装置２０のパターン形成部２１により、第１パターンＰ１が形成される第１領域とは異なる基板上の第２領域に形成されうる。図３に示す例では、第１パターンＰ１および第２パターンＰ２が同じ寸法（サイズ）で１個ずつ基板上に形成されているが、それに限られず、互いに異なる寸法および個数であってもよい。

【0021】

また、マークＡＭは、第１露光装置１０のマーク形成部１２により、第１パターンＰ１および第２パターンＰ２が形成される領域（第１領域、第２領域）とは異なる領域における複数個所に形成されうる。図３に示す例では、３個のマークＡＭ１～ＡＭ３が、同一直線上に配置されないように、基板Ｗの角付近に形成されている。このように３個のマークＡＭ１～ＡＭ３を基板上に形成すると、３個のマークＡＭ１～ＡＭ３の位置の計測結果に基づいて、Ｘ方向シフト、Ｙ方向シフト、回転、Ｘ方向倍率、Ｙ方向倍率を求めることができる。

【0022】

ここで、形成システム１００（ＭＭＧ技術）によるパターンの形成精度は、基板上に形成されたパターン全体の寸法と位置とに基づいて評価されうる。基板上に形成されたパターン全体の寸法は、例えば、基板上に形成されたパターン全体における対角線の長さを表す第１指標ＴＰ（Total Pitch）によって規定されうる。本実施形態では、第１露光装置１０によって基板上に形成された第１パターンＰ１の右下の端点ＥＰ１と、第２露光装置２０によって基板上に形成された第２パターンＰ２の左上の端点ＥＰ２とを結ぶ直線の長さが、第１指標ＴＰとして決定されうる。一方、基板上に形成されたパターン全体の位置は、例えば、基板上に形成されたパターン全体における中心点の位置を示す第２指標ＣＳ（Center Shift）によって規定されうる。本実施形態では、端点ＥＰ１と端点ＥＰ２とを結ぶ直線の中心点が、第２指標ＣＳとして決定されうる。

【0023】

［従来のパターン形成での課題］
複数の装置（第１露光装置１０、第２露光装置２０）を有する形成システム１００では、上述した第１指標ＴＰおよび第２指標ＣＳがそれぞれ許容範囲（所望の範囲）に収まるように、基板上にパターンを形成することが求められる。従来の方法では、第１露光装置１０および第２露光装置２０のそれぞれにおいて、基板上に形成されたマークＡＭの位置を計測し、その計測結果に基づいてパターン（第１パターンＰ１、第２パターンＰ２）を基板上に形成していた。しかしながら、マーク形成部１２によるマークＡＭの形成精度は不十分であり、基板上の目標位置座標（設計位置）にマークＡＭが形成されないことがある。そのため、マークＡＭの位置の計測結果に基づいて基板上にパターンを形成すると、以下の従来例に示すように、マークＡＭの形成精度に応じて、基板上にパターンを精度よく形成することが困難になりうる。

【0024】

従来例１
図４は、従来例１に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。従来例１では、図４（ａ）に示すように、３個のマークＡＭ１～ＡＭ３が、目標位置座標Ｔ_ＡＭから一方向にシフトして基板上に形成された例を示している。この場合において、第１露光装置１０では、マークＡＭ１～ＡＭ３の位置の計測結果に基づいて、マークＡＭ１～ＡＭ３と第１パターンＰ１とが目標位置関係（例えば、設計データでの位置関係）になるように、第１パターンＰ１を形成する（図４（ｂ））。また、第２露光装置２０では、マークＡＭ１～ＡＭ３の位置の計測結果に基づいて、マークＡＭ１～ＡＭ３と第２パターンＰ２とが目標位置関係になるように、第２パターンＰ２を形成する（図４（ｃ））。この例では、マークＡＭ１～ＡＭ３の目標位置座標Ｔ_ＡＭからのシフトに依存して、第１パターンＰ１および第２パターンＰ２が目標位置座標Ｔ_Ｐ１、Ｔ_Ｐ２からシフトして基板上に形成されることとなる。つまり、この例では、パターン全体の寸法としての第１指標ＴＰは許容範囲に収めることができるが、パターン全体の位置としての第２指標ＣＳを許容範囲に収めることができなくなる。

【0025】

従来例２
図５は、従来例２に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。従来例２では、図５（ａ）に示すように、＋Ｙ方向側のマークＡＭ１～ＡＭ２が、目標位置座標Ｔ_ＡＭから＋Ｙ方向にシフトして基板上に形成され、－Ｙ方向側のマークＡＭ３が、目標位置座標Ｔ_ＡＭから－Ｙ方向にシフトして基板上に形成された例を示している。この場合において、第１露光装置１０では、マークＡＭ１～ＡＭ３の位置の計測結果に基づいて、マークＡＭ１～ＡＭ３と第１パターンＰ１とが目標位置関係になるように第１パターンＰ１を形成する（図５（ｂ））。また、第２露光装置２０では、マークＡＭ１～ＡＭ３の位置の計測結果に基づいて、マークＡＭ１～ＡＭ３と第２パターンＰ２とが目標位置関係になるように、第２パターンＰ２を形成する（図５（ｃ））。この例では、マークＡＭ１～ＡＭ３の目標位置座標Ｔ_ＡＭからのシフトに依存して、第１パターンＰ１および第２パターンＰ２が、その±Ｙ方向の倍率が変更されて基板上に形成されることとなる。つまり、この例では、パターン全体の位置としての第２指標ＣＳを許容範囲に収めることができるが、パターン全体の寸法としての第１指標を許容範囲に収めることができなくなる。

【0026】

従来例３
図６は、従来例３に係るパターン形成精度の低下を説明するための模式図である。従来例３では、図６（ａ）に示すように、３個のマークＡＭ１～ＡＭ３が、目標位置座標Ｔ_ＡＭから一方向にシフトして基板上に形成された例を示している。この場合において、第１露光装置１０では、マークＡＭ１～ＡＭ３の位置の計測結果を用いずに、第１パターンＰ１を形成すべき目標位置座標を示す情報（設計データ）に基づいて、第１露光装置１０の座標系のもとで第１パターンＰ１を形成する（図６（ｂ））。一方、第２露光装置２０では、マークＡＭ１～ＡＭ３の位置の計測結果に基づいて、マークＡＭ１～ＡＭ３と第２パターンＰ２とが目標位置関係になるように、第２パターンＰ２を形成する（図６（ｃ））。この例では、第１パターンＰ１は、マークＡＭ１～ＡＭ３のシフトに依存せずに基板上に形成されるが、第２パターンＰ２は、マークＡＭ１～ＡＭ３のシフトに依存し、目標位置座標Ｔ_Ｐ１からシフトして基板上に形成されることとなる。つまり、この例では、第１パターンＰ１と第２パターンＰ２との位置関係が目標位置関係からズレてしまい、パターン全体の寸法としての第１指標ＴＰ、およびパターン全体の位置としての第２指標ＣＳを許容範囲に収めることができなくなる。

【0027】

［本実施形態のパターン形成処理］
本実施形態では、上述した従来のパターン形成での課題を解決するため、第１パターンＰ１および第２パターンＰ２の双方とも、目標位置座標を示す情報（例えば設計データ）に基づいて、各露光装置の座標系のもとで基板上に形成される。具体的には、第１露光装置１０は、第１パターンＰ１を形成すべき目標位置座標を示す情報に基づいて、第１露光装置１０の座標系における目標位置座標で基板上に第１パターンＰ１を形成する。同様に、第２露光装置２０は、第２パターンＰ２を形成すべき目標位置座標を示す情報に基づいて、第２露光装置２０の座標系における目標位置座標で基板上に第２パターンＰ２を形成する。

【0028】

ところで、形成システム１００に用いられる複数の露光装置（第１露光装置１０、第２露光装置２０）では、装置固有の特性に個体差が生じていることがある。特性とは、例えば、装置座標系の誤差、基板ステージ上に搬送された基板の置き誤差など、装置固有に生じる誤差のことである。このように、第１露光装置１０と第２露光装置２０とに特性の個体差が生じていると、第１露光装置１０で形成された第１パターンＰ１と第２露光装置２０で形成された第２パターンＰ２との位置関係が目標位置関係からずれてしまう。その結果、パターン全体の寸法としての第１指標ＴＰ、およびパターン全体の位置としての第２指標ＣＳが不十分になりうる（特に、第１指標ＴＰが不十分になりうる）。

【0029】

そこで、本実施形態の形成システム１００では、第１露光装置１０の座標系のもとでマーク計測部１３により計測されたマークＡＭの位置と、第２露光装置２０の座標系のもとでマーク計測部２３により計測されたマークＡＭの位置との差分を求める。そして、当該差分に基づいて、第２露光装置２０の座標系のもとで基板上に形成される第２パターンＰ２の位置を決定（補正）する。具体的には、第１露光装置１０と第２露光装置２０とでのパターンの形成特性の個体差に起因する第１パターンＰ１と第２パターンＰ２との位置関係のずれが補正されるように、基板上に形成される第２パターンＰ２の位置を決定しうる。これにより、第１指標ＴＰおよび第２指標ＣＳのそれぞれが許容範囲に収まるように、第１パターンおよび第２パターンを基板上に形成することができる。

【0030】

以下に、本実施形態の形成システム１００における基板上へのパターン形成処理（ＭＭＧ技術）について、図７～図８を参照しながら説明する。図７は、本実施形態に係る基板上へのパターン形成処理を示すフローチャートである。図７に示すフローチャートの各工程は、主制御部４０による制御のもとで実行されうる。また、図８は、マークＡＭ、第１パターンＰ１および第２パターンＰ２が基板上に形成される様子を経時的に示す模式図である。

【0031】

Ｓ１１では、搬送部３０により基板Ｗを第１露光装置１０に搬送する。
Ｓ１２では、マークＡＭを形成すべき目標位置座標を示す情報（例えば設計データ）に基づいて、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のマーク形成部１２により基板上にマークＡＭを形成する（マーク形成工程）。即ち、第１露光装置１０の座標系における当該目標位置座標にマークＡＭを形成する。ここで、上述したように、マーク形成部１２によるマークＡＭの形成精度は不十分であるため、マークＡＭは、目標位置座標に形成されず、目標位置座標からシフトした位置に形成されうる。本実施形態では、３個のマークＡＭが基板上に形成され、当該３個のマークＡＭには、Ｘ方向のシフト成分（配列ずれ成分の一例）とＹ方向の倍率成分（形状変化成分の一例）とを含む形成誤差が生じているものとする。

【0032】

Ｓ１３では、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のマーク計測部１３により、Ｓ１２の工程で基板上に形成されたマークＡＭの位置を計測する（第１計測工程）。これにより、第１露光装置１０の座標系におけるマークＡＭの位置座標を示すマーク座標情報Ｃ１を得ることができる。このマーク座標情報Ｃ１は、マーク計測部１３で計測誤差が生じていないと仮定すると、第１露光装置１０で固有に生じる誤差成分ＣＭ１と、マーク形成部１２によるマークＡＭの形成誤差成分ＣＭＸとを有する。誤差成分ＣＭ１は、例えば、第１露光装置１０における装置座標系の誤差、基板ステージ上への基板Ｗの置き誤差などを含み、Ｘ方向シフト、Ｙ方向シフト、回転（θ方向）、Ｘ方向倍率およびＹ方向倍率の複数要素で表されうる。また、マークＡＭの形成誤差成分ＣＭＸも、誤差成分ＣＭ１と同様に複数要素で表されうるが、本実施形態ではＸ方向シフトおよびＹ方向倍率から成る。

【0033】

Ｓ１４では、第１パターンＰ１を形成すべき目標位置座標を示す第１情報（例えば設計データ）に基づいて、第１露光装置１０の座標系のもとで、第１露光装置１０のパターン形成部１１により基板上に第１パターンＰ１を形成する（第１形成工程）。即ち、Ｓ１３の工程で得られたマーク座標情報Ｃ１（マーク計測部１３での計測結果）を用いずに、第１露光装置１０の座標系における当該目標位置座標に第１パターンＰ１を形成する。本工程によれば、図８（ａ）に示すように、第１情報の目標位置座標に対し、第１露光装置１０における固有の誤差成分ＣＭ１は生じるが、マーク形成部１２によるマークＡＭの形成誤差成分ＣＭＸに依存せずに第１パターンＰ１を基板上に形成することができる。

【0034】

Ｓ１５では、搬送部３０により第１露光装置１０から第２露光装置２０に基板Ｗを搬送するとともに、Ｓ１３の工程で第１露光装置１０により得られたマーク座標情報Ｃ１を第２露光装置２０に転送（通知）する。本実施形態では、マーク座標情報Ｃ１の転送が、第２露光装置２０への基板Ｗの搬送時に行われているが、それに限られず、Ｓ１３とＳ１７との間に行われればよい。

【0035】

Ｓ１６では、第２露光装置２０の座標系のもとで、第２露光装置２０のマーク計測部２３により、Ｓ１２の工程で第１露光装置１０のマーク形成部１２により基板上に形成されたマークＡＭの位置を計測する（第２計測工程）。これにより、第２露光装置２０の座標系におけるマークＡＭの位置座標を示すマーク座標情報Ｃ２を得ることができる。このマーク座標情報Ｃ２は、マーク計測部２３で計測誤差が生じていないと仮定すると、第２露光装置２０で固有に生じる誤差成分ＣＭ２と、マーク形成部１２によるマークＡＭの形成誤差成分ＣＭＸとを有する。誤差成分ＣＭ２は、例えば、第２露光装置２０における装置座標系の誤差、基板ステージ上への基板Ｗの置き誤差などを含み、Ｘ方向シフト、Ｙ方向シフト、回転（θ方向）、Ｘ方向倍率およびＹ方向倍率の複数要素で表されうる。

【0036】

Ｓ１７では、第２露光装置２０の座標系のもとで第２パターンＰ２を基板上に形成する際に用いる補正値ＣＶを求める。補正値ＣＶは、第１露光装置１０と第２露光装置２０との特性の個体差、即ち、第１露光装置１０で固有に生じる誤差と第２露光装置２０で固有に生じる誤差との差を補正（低減）するためのものであり、以下の式（１）によって求められうる。式（１）では、Ｓ１３の工程で第１露光装置１０により得られたマーク座標情報Ｃ１と、Ｓ１６の工程で第２露光装置２０により得られたマーク座標情報Ｃ２との差分が、補正値ＣＶとして求められうる。マーク座標情報Ｃ１およびマーク座標情報Ｃ２には、マークＡＭの形成誤差成分ＣＭＸが共通に含まれる。そのため、結果として、補正値ＣＶは、第１露光装置１０で固有に生じる誤差成分ＣＭ１と第２露光装置２０で固有に生じる誤差成分ＣＭ２との差分となる。
ＣＶ＝Ｃ２－Ｃ１
＝（ＣＭ２＋ＣＭＸ）－（ＣＭ１＋ＣＭＸ）
＝ＣＭ２－ＣＭ１ ・・・（１）

【0037】

Ｓ１８では、第２パターンＰ２を形成すべき目標位置座標を示す第２情報（例えば設計データ）に基づいて、第２露光装置２０の座標系のもとで、第２露光装置２０のパターン形成部２１により基板上に第２パターンＰ２を形成する（第２形成工程）。このとき、Ｓ１７の工程で求めた補正値ＣＶに基づいて、第２露光装置２０の座標系のもとで基板上に形成される第２パターンＰ２の位置を決定する。具体的には、補正値ＣＶによって第２情報の目標位置座標を補正し、それにより得られた位置座標に基づいて第２パターンＰ２を基板上に形成する。このように基板上に形成された第２パターンＰ２の誤差は、図８（ｂ）に示すように、第２露光装置２０における固有の誤差成分ＣＭ２から補正値ＣＶを差し引いた誤差成分ＣＭ１のみとなる。即ち、第１パターンＰ１と第２パターンＰ２とで同様の誤差成分ＣＭ１とし、第１露光装置１０と第２露光装置２０との特性の個体差を補正（低減）することができる。その結果、パターン全体の寸法としての第１指標ＴＰ、およびパターン全体の位置としての第２指標ＣＳをそれぞれ許容範囲に収めることができる。また、Ｓ１９では、搬送部３０により基板Ｗを第２露光装置２０から搬出する。

【0038】

上述したように、本実施形態の形成システム１００は、第１露光装置１０で得られたマーク座標情報Ｃ１と第２露光装置２０で得られたマーク座標情報Ｃ２との差分に基づいて、第２露光装置２０により基板上に形成される第２パターンＰ２の位置を決定する。これにより、第１露光装置１０と第２露光装置２０との特性の個体差を補正（低減）し、ＭＭＧ技術によるパターンの形成精度を向上させることができる。

【0039】

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像（加工）する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

【0040】

＜その他の実施例＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

【0041】

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

【符号の説明】

【0042】

１０：第１露光装置、１１：パターン形成部、１２：マーク形成部、１３：マーク計測部、２０：第２露光装置、２１：パターン形成部、２３：マーク計測部、３０：搬送部、４０：主制御部、１００：形成システム

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】