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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-12
(45)【発行日】2024-01-22
(54)【発明の名称】硫化カルボニル分解装置および硫化カルボニル検知装置
(51)【国際特許分類】
B01J 23/58 20060101AFI20240115BHJP
B01J 23/02 20060101ALI20240115BHJP
G01N 31/10 20060101ALI20240115BHJP
G01N 31/00 20060101ALI20240115BHJP
【ＦＩ】
B01J23/58 A
B01J23/02 A
G01N31/10
G01N31/00 V
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2019237876
(22)【出願日】2019-12-27
(65)【公開番号】P2021053619
(43)【公開日】2021-04-08
【審査請求日】2022-09-29
(31)【優先権主張番号】P 2019175335
(32)【優先日】2019-09-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000190301
【氏名又は名称】新コスモス電機株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100104433
【弁理士】
【氏名又は名称】宮園 博一
(74)【代理人】
【識別番号】100155608
【弁理士】
【氏名又は名称】大日方 崇
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 達也
【審査官】森坂 英昭
(56)【参考文献】
【文献】特表２００５－５０４６３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表昭６２－５００９９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２２４５７２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１２２８９２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２００２／０１２１０９３（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－００３５３４（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ０１Ｊ ２１／００ － ３８／７４
Ｇ０１Ｎ ３１／１０
Ｇ０１Ｎ ３１／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
硫化カルボニルが少なくとも加水分解を含む触媒反応するための触媒を有する触媒部と、触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を備え、
前記触媒は、アルカリ土類金属シリケートとして、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、前記触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲で含むことにより、前記アルカリ土類金属シリケートを主成分として含む、硫化カルボニル分解装置。
【請求項2】
前記触媒は、白金およびパラジウムのうちの少なくとも一方と、アルミナとをさらに含む、請求項１に記載の硫化カルボニル分解装置。
【請求項3】
前記触媒は、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムを、前記触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む、請求項１に記載の硫化カルボニル分解装置。
【請求項4】
前記触媒は、３０質量％以下のアルミナを、前記触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む、請求項１に記載の硫化カルボニル分解装置。
【請求項5】
前記加熱機構は、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、前記触媒部を加熱するように構成されている、請求項１～４のいずれか１項に記載の硫化カルボニル分解装置。
【請求項6】
前記触媒は、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムを、前記触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む、請求項１に記載の硫化カルボニル分解装置。
【請求項7】
硫化カルボニルが少なくとも加水分解を含む触媒反応するための硫化カルボニル分解部と、前記硫化カルボニル分解部により前記硫化カルボニルが触媒反応することにより発生した被検知ガス中の成分を検知するガス検知部と、を備え、
前記硫化カルボニル分解部は、
前記硫化カルボニルが少なくとも加水分解を含む触媒反応するための触媒を有する触媒部と、
触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を含み、
前記触媒は、アルカリ土類金属シリケートとして、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、前記触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲で含むことにより、前記アルカリ土類金属シリケートを主成分として含む、硫化カルボニル検知装置。
【請求項8】
前記ガス検知部は、電気化学式のガス検知部を含む、請求項７に記載の硫化カルボニル検知装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は、硫化カルボニル分解装置および硫化カルボニル検知装置に関し、特に、触媒により硫化カルボニルを触媒反応させる硫化カルボニル分解装置および硫化カルボニル検知装置に関する。
【背景技術】
【0002】
硫化カルボニルは、半導体デバイスの微細加工におけるパターンエッチングされた構造の側壁上に保護膜が形成されることであるパッシベーションによるボーイングと呼ばれる形状異常を抑制する効果があるドライエッチングガスとして注目されている。一方で、硫化カルボニルは、毒性の観点から、許容濃度の規制が布かれている。米国では、ＡＣＧＩＨ（American Conference of Governmental Industrial Hygienists：アメリカ合衆国産業衛生専門官会議）において、硫化カルボニルの時間加重平均許容濃度（ＴＬＶ－ＴＷＡ）５ｐｐｍの規制が布かれている。
【0003】
このことから、半導体デバイス製造工程からの漏洩を適切に検知する必要がある。
【0004】
従来、触媒により硫化カルボニルを触媒反応させる硫化カルボニル検知装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【0005】
上記特許文献１には、硫化カルボニルの濃度を測定する硫化カルボニル測定装置（硫化カルボニル検知装置）が開示されている。この硫化カルボニル測定装置は、硫化カルボニルを触媒反応させるための触媒である活性アルミナと、硫化カルボニルを触媒反応させることにより発生した硫化水素の濃度を測定する電気化学式センサとを備えている。この硫化カルボニル測定装置は、硫化カルボニルの濃度を直接測定するのではなく、硫化カルボニルを触媒反応（加水分解）させて発生した硫化水素の濃度を、硫化カルボニルの濃度に換算して、硫化カルボニルの濃度を間接的に測定するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１７－３５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
ここで、上記特許文献１には明記されていないが、半導体工場では、フッ素系冷媒として、ガルデン、フロリナート、ノベックなどの揮発成分が良く利用されているとともに、洗浄剤として、アルコール類などの揮発成分が良く利用されている。このため、上記特許文献１に記載されたような硫化カルボニル測定装置を半導体工場において用いる場合、フッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下において、硫化カルボニルの触媒反応を安定して行う必要があるという問題点がある。
【0008】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、硫化カルボニルの触媒反応を安定して行うことが可能な硫化カルボニル分解装置および硫化カルボニル検知装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するために、鋭意検討した結果、本願発明者は、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒が、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分の被毒に強いという新たな知見を得た。すなわち、この発明の第１の局面による硫化カルボニル分解装置は、硫化カルボニルが少なくとも加水分解を含む触媒反応するための触媒を有する触媒部と、触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を備え、触媒は、アルカリ土類金属シリケートとして、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲で含むことにより、アルカリ土類金属シリケートを主成分として含む。
【0010】
この発明の第１の局面による硫化カルボニル分解装置では、上記のように、触媒を、アルカリ土類金属シリケートを含むように構成する。これにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒により、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、フッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分による被毒を抑制しつつ、硫化カルボニルの触媒反応を引き起こすことができる。その結果、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、硫化カルボニルの触媒反応を安定して行うことが可能な硫化カルボニル分解装置を提供することができる。
【0012】
この場合、好ましくは、触媒は、白金およびパラジウムのうちの少なくとも一方と、アルミナとをさらに含む。このように構成すれば、白金およびパラジウムのうちの少なくとも一方と、アルミナとにより触媒反応を促進することができるので、白金およびパラジウムのうちの少なくとも一方と、アルミナとを含む触媒により、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0014】
この場合、好ましくは、触媒は、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムを、触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。このように構成すれば、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムにより、触媒反応を促進させることができるので、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムを含む触媒により、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0015】
上記触媒が５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを含む構成において、好ましくは、触媒は、３０質量％以下のアルミナを、触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。このように構成すれば、３０質量％以下のアルミナにより、触媒反応を促進させることができるので、３０質量％以下のアルミナを含む触媒により、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0016】
上記第１の局面による硫化カルボニル分解装置において、好ましくは、加熱機構は、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、触媒部を加熱するように構成されている。このように構成すれば、加熱機構の加熱温度を１４０℃以上とすることにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒により、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。また、加熱機構の加熱温度を５００℃以下とすることにより、干渉ガスの影響により、硫化カルボニルの触媒反応効果が低下し過ぎることを抑制することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0017】
上記第１の局面による硫化カルボニル分解装置において、好ましくは、触媒は、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムを、触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲でさらに含む。このように構成すれば、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムにより、触媒反応を促進させることができるので、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムを含む触媒により、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0018】
この発明の第２の局面による硫化カルボニル検知装置は、硫化カルボニルが少なくとも加水分解を含む触媒反応するための硫化カルボニル分解部と、硫化カルボニル分解部により硫化カルボニルが触媒反応することにより発生した被検知ガス中の成分を検知するガス検知部と、を備え、硫化カルボニル分解部は、硫化カルボニルが少なくとも加水分解を含む触媒反応するための触媒を有する触媒部と、触媒反応を引き起こすための加熱機構と、を含み、触媒は、アルカリ土類金属シリケートとして、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、触媒の構成成分の質量％の合計が１００質量％を超えない範囲で含むことにより、アルカリ土類金属シリケートを主成分として含む。
【0019】
この発明の第２の局面による硫化カルボニル検知装置では、上記のように、触媒を、アルカリ土類金属シリケートを含むように構成する。これにより、第１の局面による硫化カルボニル分解装置と同様に、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、硫化カルボニルの触媒反応を安定して行うことが可能な硫化カルボニル検知装置を提供することができる。
【0020】
上記第２の局面による硫化カルボニル検知装置において、好ましくは、ガス検知部は、電気化学式のガス検知部を含む。このように構成すれば、電気化学式のガス検知部により、硫化カルボニル分解部により硫化カルボニルが触媒反応されることにより発生した被検知ガス中の成分を好適に検知することができる。
【発明の効果】
【0021】
本発明によれば、上記のように、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、硫化カルボニルの触媒反応を安定して行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】一実施形態による硫化カルボニル検知装置を示した模式図である。
【図2】実施例１による実験結果（ＣＯＳ調整濃度と指示値との関係）を示したグラフである。
【図3】実施例２による実験結果（Ａｌ２Ｏ３含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図4】実施例３による実験結果（Ｐｔ／Ａｌ２Ｏ３含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図5】実施例４による実験結果（Ｐｄ／Ａｌ２Ｏ３含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図6】実施例５による実験結果（Ｐｔ:Ｐｄ（１：１）／Ａｌ２Ｏ３含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図7】実施例６による実験結果（Ｐｔ:Ｐｄ（２：１）／Ａｌ２Ｏ３含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図8】実施例７による実験結果（Ｐｔ:Ｐｄ（１：２）／Ａｌ２Ｏ３含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図9】実施例８による実験結果（触媒温度と指示値との関係）を示したグラフである。
【図10】実施例９による実験結果（触媒温度と指示値との関係）を示したグラフである。
【図11】実施例１０による実験結果（雑ガス干渉性）を示したグラフである。
【図12】実施例１１による実験結果（雑ガス共存応答性）を示したグラフである。
【図13】実施例１２による実験結果（雑ガス飽和蒸気暴露）を示したグラフである。
【図14】実施例１３による実験結果（触媒かさ密度に対する圧力損失）を示したグラフである。
【図15】実施例１４による実験結果（Ｐｔ含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図16】実施例１５による実験結果（Ｐｄ含有率と指示値との関係）を示したグラフである。
【図17】実施例１６による実験結果（雑ガス干渉性）を示したグラフである。
【図18】実施例１７による実験結果（雑ガス干渉性）を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【0024】
まず、図１を参照して、一実施形態による硫化カルボニル検知装置１００の構成について説明する。
【0025】
（硫化カルボニル検知装置の全体構成）
図１に示すように、硫化カルボニル検知装置１００は、硫化カルボニル（化学組成：ＣＯＳ）を触媒反応させるとともに、硫化カルボニルが触媒反応されることにより発生した被検知ガス中の成分を検知する装置である。硫化カルボニル検知装置１００は、たとえば、分析試料中の硫化カルボニルの検知用、雰囲気中の硫化カルボニルの検知用などに用いることができる。
図１に示すように、硫化カルボニル検知装置１００は、硫化カルボニル（化学組成：ＣＯＳ）を触媒反応させるとともに、硫化カルボニルが触媒反応されることにより発生した被検知ガス中の成分を検知する装置である。硫化カルボニル検知装置１００は、たとえば、分析試料中の硫化カルボニルの検知用、雰囲気中の硫化カルボニルの検知用などに用いることができる。
【0026】
硫化カルボニル検知装置１００は、流量制御部１０と、ポンプ２０と、硫化カルボニル分解部３０と、ガス検知部４０とを備えている。流量制御部１０と、硫化カルボニル分解部３０と、ガス検知部４０と、ポンプ２０とは、被検知ガスＧ（分析試料のガス、雰囲気中のガスなど）の流れ方向の上流側から下流側に向かって、ガス流路５０により、この順に流体的に接続されている。なお、各構成の接続順は、硫化カルボニル分解部３０と、ガス検知部４０とがこの順に接続されていれば、特に限られない。また、硫化カルボニル分解部３０は、特許請求の範囲の「硫化カルボニル分解装置」の一例である。
【0027】
流量制御部１０は、たとえばマスフローコントローラであり、被検知ガスＧの流量を制御するように構成されている。硫化カルボニル検知装置１００は、流量制御部１０による被検知ガスＧの流量の制御により、定流量の被検知ガスＧが流れるように構成されている。被検知ガスＧの流量は、特に限られないが、たとえば、５００ｍｌ／ｍ程度とすることができる。ポンプ２０は、被検知ガスＧがガス流路５０を介して硫化カルボニル分解部３０による圧力損失を生じた場合、ガス検知部４０の内蔵ポンプを補助するための駆動源である。
【0028】
硫化カルボニル分解部３０は、被検知ガスＧ中の硫化カルボニルを少なくとも加水分解を含む触媒反応させるように構成されている。具体的には、硫化カルボニル分解部３０は、触媒筒３１と、加熱機構３２とを含んでいる。触媒筒３１は、筒本体３１ａと、触媒３１ｂとを有している。筒本体３１ａは、たとえば、アルミナ管、石英管などである。筒本体３１ａは、中空の円筒形状を有している。筒本体３１ａには、触媒３１ｂが充填されている。触媒３１ｂは、被検知ガスＧ中の硫化カルボニルが少なくとも加水分解を含む触媒反応するために設けられている。触媒反応は、たとえば、以下の式（１）に示す硫化カルボニルの加水分解反応、以下の式（２）に示す、硫化カルボニルの加水分解により生成された硫化水素（化学組成：Ｈ２Ｓ）の酸化反応などを含み得る。なお、触媒筒３１は、特許請求の範囲の「触媒部」の一例である。
ＣＯＳ＋Ｈ２Ｏ→Ｈ２Ｓ＋ＣＯ２ ・・・（１）
Ｈ２Ｓ＋３／２Ｏ２→ＳＯ２＋Ｈ２Ｏ ・・・（２）
ＣＯＳ＋Ｈ２Ｏ→Ｈ２Ｓ＋ＣＯ２ ・・・（１）
Ｈ２Ｓ＋３／２Ｏ２→ＳＯ２＋Ｈ２Ｏ ・・・（２）
【0029】
ここで、本実施形態では、触媒３１ｂは、塩基性触媒であるアルカリ土類金属シリケートを含んでいる。触媒３１ｂは、硫化カルボニルの触媒反応を促進する観点から、塩基性を示す材料であることが好ましい。たとえば、触媒３１ｂは、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物、希土類酸化物、酸化トリウム（ＩＶ）（化学組成：ＴｈＯ２）、ジルコニア（化学組成：ＺｒＯ２）、酸化亜鉛（化学組成：ＺｎＯ）、セピオライト（化学組成：Ｍｇ４Ｓｉ１２Ｏ３０（ＯＨ）４（ＯＨ２）４・８Ｈ２Ｏ）、ハイドロタルサイト（化学組成：Ｍｇ６Ａｌ２ＣＯ３（ＯＨ）１６・４Ｈ２Ｏ）、クリソタイル（化学組成：Ｍｇ３（Ｓｉ２Ｏ５）（ＯＨ）４）などを含んでいても良い。また、両性を示す材料として、酸化鉄を含んでいても良い。具体的には、マグネタイト（化学組成：Ｆｅ２+Ｆｅ３+
２Ｏ４），ヘマタイト（化学組成：Ｆｅ２Ｏ３，α-Ｆｅ２Ｏ３），マグへマイト（化学組成：Ｆｅ２Ｏ３，γ-Ｆｅ２Ｏ３）を挙げることができる。
【0030】
好ましくは、触媒３１ｂは、アルカリ土類金属シリケートとして、シリカ（化学組成：ＳｉＯ２）と、マグネシウム（化学組成：Ｍｇ）と、カルシウム（化学組成：Ｃａ）とを含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、アルミナ（化学組成：Ａｌ２Ｏ３）を含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、白金（化学組成：Ｐｔ）およびパラジウム（化学組成：Ｐｄ）のうちの少なくとも一方を含んでいる。
【0031】
より好ましくは、触媒３１ｂは、４０質量％以上のシリカと、１０質量％以上５０質量％以下のマグネシア（化学組成：ＭｇＯ）およびカルシア（化学組成：ＣａＯ）とを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシア（化学組成：ＭｇＯ）およびカルシア（化学組成：ＣａＯ）とを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。より好ましくは、触媒３１ｂは、３０質量％以下のアルミナを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。また、好ましくは、触媒３１ｂは、アルミナを含むことなく、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムを、合計が１００質量％を超えない範囲で含んでいる。なお、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒３１ｂによる硫化カルボニルの分解実験については、後述する。
【0032】
また、触媒３１ｂは、無機繊維からなる綿状に形成されている。触媒３１ｂは、２μｍ以上４μｍ以下の平均繊維径を有している。綿状の触媒３１ｂは、触媒筒３１の筒本体３１ａに充填されている。充填された触媒３１ｂのかさ密度は、特に限られないが、圧力損失を低減する観点から、たとえば、７０ｋｇ／ｍ３以上２５０ｋｇ／ｍ３以下とすることができる。綿状の触媒３１ｂは、触媒筒３１の筒本体３１ａに充填層を形成するように設けられている。触媒３１ｂの充填層は、両端に配置された触媒３１ｂの保持部材３１ｃにより、触媒筒３１の筒本体３１ａの内部に保持されている。保持部材３１ｃは、たとえば、石英ウールである。なお、保持部材３１ｃは、触媒３１ｂを保持するための部材で、加熱機構３２の温度に耐えうる材料であれば限定されることは無い。
【0033】
加熱機構３２は、触媒反応を引き起こすために触媒筒３１を加熱するように構成されている。具体的には、加熱機構３２は、加熱部３２ａと、断熱部３２ｂとを含んでいる。加熱部３２ａは、触媒筒３１の筒本体３１ａを介して、触媒３１ｂを加熱するように構成されている。加熱部３２ａは、たとえば、電熱線である。電熱線である加熱部３２ａは、たとえば、触媒筒３１の筒本体３１ａを隔てて触媒３１ｂを取り囲むように、コイル状に形成されている。なお、電熱線の形状は、加熱機構３２の温度を一定に保つことができれば限定されることは無い。加熱部３２ａは、触媒３１ｂの充填層の一方端部から他方端部に亘って、触媒３１ｂの充填層と対向するように設けられている。すなわち、加熱部３２ａは、触媒３１ｂの充填層の一方端部から他方端部に亘って、触媒３１ｂを加熱するように構成されている。断熱部３２ｂは、断熱材料により構成されており、加熱部３２ａと触媒筒３１の触媒３１ｂとを取り囲むように設けられている。断熱部３２ｂの断熱材料は、たとえば、生体溶解性繊維断熱材料である。
【0034】
加熱機構３２は、好ましくは、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、加熱部３２ａにより触媒筒３１を加熱するように構成されている。より好ましくは、加熱機構３２は、２６０℃以上５００℃以下の温度範囲において、加熱部３２ａにより触媒筒３１を加熱するように構成されている。より好ましくは、加熱機構３２は、２８０℃以上４００℃以下の温度範囲において、加熱部３２ａにより触媒筒３１を加熱するように構成されている。また、加熱機構３２は、略一定の温度になるように、加熱部３２ａにより触媒筒３１を加熱するように構成されている。触媒筒３１が略一定の温度になるような加熱は、特に限られないが、たとえば、図示しない温度検知部による温度の検知結果に基づいて、ＰＩＤ制御などのフィードバック制御により加熱機構３２の加熱部３２ａを制御することにより行い得る。
【0035】
ガス検知部４０は、硫化カルボニル分解部３０により硫化カルボニルが触媒反応されることにより発生した被検知ガスＧ中の成分（硫化水素、硫黄酸化物など）を検知するように構成されている。ガス検知部４０は、電気化学式のガス検知部（電気化学式のセンサ）を含んでいる。具体的には、ガス検知部４０は、硫化水素、硫黄酸化物などの検知に好適な定電位電解式のガス検知部（定電位電解式のセンサ）を含んでいる。硫化カルボニル検知装置１００は、ガス検知部４０により硫化カルボニルが触媒反応されることにより発生した被検知ガスＧ中の成分（硫化水素、硫黄酸化物など）を検知することにより、硫化カルボニルを間接的に検知するように構成されている。なお、ガス検知部４０は、被検知ガスＧを流すためのポンプを内蔵するように構成されている。
【0036】
（本実施形態の効果）
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
【0037】
本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂを、アルカリ土類金属シリケートを含むように構成する。これにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒３１ｂにより、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、フッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分による被毒を抑制しつつ、硫化カルボニルの触媒反応を引き起こすことができる。その結果、半導体工場で良く利用されるフッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、硫化カルボニルの触媒反応を安定して行うことができる。
【0038】
また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂは、アルカリ土類金属シリケートとして、シリカと、マグネシウムと、カルシウムとを含む。これにより、シリカと、マグネシウムと、カルシウムとを含む触媒３１ｂにより、フッ素系冷媒や洗浄剤などの揮発成分が存在する環境下においても、硫化カルボニルの触媒反応を安定して引き起こすことができる。
【0039】
また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂを、白金およびパラジウムのうちの少なくとも一方と、アルミナとを含むように構成する。これにより、白金およびパラジウムのうちの少なくとも一方と、アルミナとにより触媒反応を促進することができるので、白金およびパラジウムのうちの少なくとも一方と、アルミナとを含む触媒３１ｂにより、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0040】
また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂを、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを、合計が１００質量％を超えない範囲で含むように構成する。これにより、５０質量％以上のシリカと、１０質量％以上３０質量％以下のマグネシアおよびカルシアとを含むことにより、触媒３１ｂを塩基性触媒として用いることができるので、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0041】
また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂを、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムを、合計が１００質量％を超えない範囲で含むように構成する。これにより、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムにより、触媒反応を促進させることができるので、１質量％以下の白金、２質量％以下のパラジウム、または、２質量％以下の白金およびパラジウムを含む触媒３１ｂにより、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0042】
また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂを、３０質量％以下のアルミナを、合計が１００質量％を超えない範囲で含むように構成する。これにより、３０質量％以下のアルミナにより、触媒反応を促進させることができるので、３０質量％以下のアルミナを含む触媒３１ｂにより、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0043】
また、本実施形態では、上記のように、加熱機構３２を、１４０℃以上５００℃以下の温度範囲において、触媒３１ｂ部を加熱するように構成する。これにより、加熱機構３２の加熱温度を１４０℃以上とすることにより、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒３１ｂにより、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。また、加熱機構３２の加熱温度を５００℃以下とすることにより、干渉ガスの影響により、硫化カルボニルの触媒反応効果が低下し過ぎることを抑制することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0044】
また、本実施形態では、上記のように、触媒３１ｂを、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムを、合計が１００質量％を超えない範囲で含むように構成する。これにより、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムにより、触媒反応を促進させることができるので、１１質量％以下の白金、または、１０質量％以下のパラジウムを含む触媒３１ｂにより、硫化カルボニルの触媒反応効果を好適に発揮することができる。なお、この点は、本願発明者による後述する実験において確認済みである。
【0045】
【0046】
（実施例１）
図２に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１）により、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、１５ｐｐｍおよび２０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧの検知を行い、指示値（検知量に応じたガス検知部の出力値に対応する値）を得た。
図２に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１）により、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、１５ｐｐｍおよび２０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧの検知を行い、指示値（検知量に応じたガス検知部の出力値に対応する値）を得た。
【0047】
実施例１の硫化カルボニル検知装置として、図１に示す硫化カルボニル検知装置１００を用いた。実施例１の硫化カルボニル検知装置では、筒本体３１ａとして、外筒と内筒とを有する管を用いた。外筒としては、内径が１２．９ｍｍであるアルミナ管を用い、内筒としては、内径が８．３ｍｍである石英管を用いた。また、触媒３１ｂとして、７３．４質量％のＳｉＯ２（シリカ）と、１９．１質量％のＭｇＯ（マグネシア）およびＣａＯ（カルシア）と、０．２質量％のＰｔ（白金）と、４．４質量％のＡｌ２Ｏ３と、２．９質量％のその他成分とを含む触媒を用いた。
【0048】
触媒３１ｂは、次のように作製した。まず、アルカリ土類金属シリケートを準備した。アルカリ土類金属シリケートとしては、イソライト工業株式会社の「イソウールＢＳＳＲ １３００ バルク」を用いた。この場合、作製した触媒３１ｂは、ウラストナイト、ディオプサイドまたはエンスタタイトの結晶を含んでいてもよいし、Ｋ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｐ２Ｏ４、Ｂａ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３などを含んでいてもよい。そして、準備したアルカリ土類金属シリケートを、白金を担持したアルミナを分散させた粘性溶媒に浸漬させた。そして、粘性溶媒に浸漬させたアルカリ土類金属シリケートを粘性溶媒から取り出して、焼成した。これにより、ＳｉＯ２と、ＭｇＯおよびＣａＯと、Ｐｔと、Ａｌ２Ｏ３と、その他成分とを上記した含有率で含む触媒３１ｂを作製した。また、ガス検知部４０として、定電位電解式のガス検知部を含む、新コスモス電機株式会社のＰＳ－７（型番）を用いた。
【0049】
実施例１の硫化カルボニル検知装置では、５ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、１５ｐｐｍおよび２０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧをそれぞれ流し、ガス検知部の指示値を得た。図２に示す左側のグラフは、各被検知ガスＧにおける、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図２に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、ＣＯＳ調整濃度との関係を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸がＣＯＳ調整濃度を示している。
【0050】
図２に示すグラフから分かるように、実施例１の硫化カルボニル検知装置では、ＣＯＳ調整濃度が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下の範囲において、ＣＯＳ調整濃度と、ガス検知部の指示値との間には相関が見られた。具体的には、実施例１の硫化カルボニル検知装置では、ＣＯＳ調整濃度が５ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下の範囲において、ＣＯＳ調整濃度と、ガス検知部の指示値との関係を、線形近似することができた。このことから、ガス検知部の指示値から、ＣＯＳ濃度を正確に測定することができると考えられる。また、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を、ＣＯＳの濃度の測定に好適に用いることができると考えられる。
【0051】
（実施例２）
図３に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例２）により、Ａｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。実施例２の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表１に示す触媒を用いた。
図３に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例２）により、Ａｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。実施例２の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表１に示す触媒を用いた。
【表1】
【0052】
実施例２の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図３に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図３に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、Ａｌ２Ｏ３含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸がＡｌ２Ｏ３含有率を示している。
【0053】
図３に示すグラフから分かるように、実施例２の硫化カルボニル検知装置では、Ａｌ２Ｏ３含有率が１．９８質量％以上２１．４４質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例２の硫化カルボニル検知装置では、Ａｌ２Ｏ３含有率が１．９８質量％以上１３．６７質量％以下の範囲において、Ａｌ２Ｏ３含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が増加する傾向を示した。また、実施例２の硫化カルボニル検知装置では、Ａｌ２Ｏ３含有率が１３．６７質量％以上２１．４４質量％以下の範囲において、ガス検知部指示値が概ね横ばいになる傾向を示した。このことから、Ａｌ２Ｏ３含有率が１．９８質量％以上２１．４４質量％以下の範囲では、Ａｌ２Ｏ３含有率が大きいほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。具体的には、Ａｌ２Ｏ３含有率が１３．６７質量％以上２１．４４質量％以下の範囲であることが好ましいと考えられる。
【0054】
（実施例３）
図４に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例３）により、ＰｔおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。実施例３の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表２に示す触媒を用いた。
図４に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例３）により、ＰｔおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。実施例３の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表２に示す触媒を用いた。
【表2】
【0055】
実施例３の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図４に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図４に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、ＰｔおよびＡｌ２Ｏ３含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸がＰｔおよびＡｌ２Ｏ３含有率を示している。
【0056】
図４に示すグラフから分かるように、実施例３の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．９２質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０３質量％以上１７．３９質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例３の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．２３質量％以上０．９２質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が４．４３質量％以上１７．３９質量％以下の範囲において、Ｐｔ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が減少するにつれて、ガス検知部の指示値が増加する傾向を示した。また、実施例３の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．２３質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０３質量％以上４．４３質量％以下の範囲において、ガス検知部の指示値が概ね横ばいになる傾向を示した。このことから、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．９２質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０３質量％以上１７．３９質量％以下の範囲では、Ｐｔ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が小さいほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。具体的には、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．２３質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０３質量％以上４．４３質量％以下の範囲であることが好ましいと考えられる。
【0057】
また、実施例３の硫化カルボニル検知装置では、概略的には、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．５７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０３質量％以上１０．８８質量％以下の範囲において、実施例２の硫化カルボニル検知装置に比べて、ガス検知部の指示値が大きくなった。これは、触媒に含まれるＰｔにより、上記した式（２）に示す酸化反応が促進されたことに起因して、硫化カルボニルの触媒反応が促進されたためであると考えられる。
【0058】
（実施例４）
図５に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例４）により、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。実施例４の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表３に示す触媒を用いた。
図５に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例４）により、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。実施例４の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表３に示す触媒を用いた。
【表3】
【0059】
実施例４の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図５に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図５に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸がＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率を示している。
【0060】
図５に示すグラフから分かるように、実施例４の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｄ含有率が０．１１質量％以上１．７４質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が１．０２質量％以上１５．６７質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例４の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｄ含有率が０．１１質量％以上１．００質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が１．０２質量％以上９．０３質量％以下の範囲において、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が増加する傾向を示した。また、実施例４の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｄ含有率が１．００質量％以上１．３８質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が９．０３質量％以上１５．６７質量％以下の範囲において、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が減少する傾向を示した。このことから、Ｐｄ含有率が０．１１質量％以上１．７４質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が１．０２質量％以上１５．６７質量％以下の範囲では、Ｐｄ含有率が１．００質量％でＡｌ２Ｏ３含有率が９．０３質量％に近いほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。具体的には、Ｐｄ含有率が０．７６質量％以上１．３８質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が６．８７質量％以上１２．４４質量％以下の範囲であることが好ましいと考えられる。
【0061】
また、実施例４の硫化カルボニル検知装置では、概略的には、Ｐｄ含有率が０．４１質量％以上１．７４質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が３．７１質量％以上１５．６７質量％以下の範囲において、実施例２の硫化カルボニル検知装置に比べて、ガス検知部の指示値が大きくなった。これは、触媒に含まれるＰｄにより、上記した式（２）に示す酸化反応が促進されたことに起因して、硫化カルボニルの触媒反応が促進されたためであると考えられる。
【0062】
（実施例５）
図６に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例５）により、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。Ｐｔの含有率とＰｄの含有率とは、１：１となるようにした。実施例５の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表４に示す触媒を用いた。
図６に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例５）により、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。Ｐｔの含有率とＰｄの含有率とは、１：１となるようにした。実施例５の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表４に示す触媒を用いた。
【表4】
【0063】
実施例５の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図６に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図６に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸がＰｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率を示している。
【0064】
図６に示すグラフから分かるように、実施例５の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．７４質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０９質量％以上０．６７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．８３質量％以上２０．０９質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例５の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．４４質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０９質量％以上０．４５質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．８３質量％以上１２．３３質量％以下の範囲において、Ｐｔ含有率、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が減少する傾向を示した。また、実施例５の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．４４質量％以上０．７４質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．４５質量％以上０．６７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が１２．３３質量％以上２０．０９質量％以下の範囲において、ガス検知部の指示値が横ばいになる傾向を示した。このことから、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．７４質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０９質量％以上０．６７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．８３質量％以上２０．０９質量％以下の範囲では、Ｐｔ含有率、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が小さいほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。具体的には、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．２９質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０９質量％以上０．２９質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．８３質量％以上８．０８質量％以下の範囲であることが好ましいと考えられる。
【0065】
また、実施例５の硫化カルボニル検知装置では、概略的には、Ｐｔ含有率が０．１１質量％以上０．３７質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０９質量％以上０．３９質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．８３質量％以上１２．３３質量％以下の範囲において、実施例２の硫化カルボニル検知装置に比べて、ガス検知部の指示値が大きくなった。これは、触媒に含まれるＰｔおよびＰｄにより、上記した式（２）に示す酸化反応が促進されたことに起因して、硫化カルボニルの触媒反応が促進されたためであると考えられる。
【0066】
（実施例６）
図７に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例６）により、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。Ｐｔの含有率とＰｄの含有率とは、２：１となるようにした。実施例６の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表５に示す触媒を用いた。
図７に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例６）により、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。Ｐｔの含有率とＰｄの含有率とは、２：１となるようにした。実施例６の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表５に示す触媒を用いた。
【表5】
【0067】
実施例７の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図７に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図７に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸がガス検知部の指示値を示し、横軸がＰｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率を示している。
【0068】
図７に示すグラフから分かるように、実施例６の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．１０質量％以上０．６９質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０５質量％以上０．３７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．３５質量％以上１６．５０質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例６の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．１０質量％以上０．４７質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０５質量％以上０．２５質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．３５質量％以上１１．１４質量％以下の範囲において、Ｐｔ含有率、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が減少する傾向を示した。また、実施例６の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．４７質量％以上０．６９質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．２５質量％以上０．３７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が１１．１４質量％以上１６．５０質量％以下の範囲において、ガス検知部の指示値が横ばいになる傾向を示した。このことから、Ｐｔ含有率が０．１０質量％以上０．６９質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０５質量％以上０．３７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．３５質量％以上１６．５０質量％以下の範囲では、Ｐｔ含有率、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が小さいほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。具体的には、Ｐｔ含有率が０．１０質量％以上０．２７質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０５質量％以上０．１６質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．３５質量％以上６．６３質量％以下の範囲であることが好ましいと考えられる。
【0069】
また、実施例６の硫化カルボニル検知装置では、概略的には、Ｐｔ含有率が０．１０質量％以上０．３７質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．０５質量％以上０．２０質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．３５質量％以上８．９２質量％以下の範囲において、実施例２の硫化カルボニル検知装置に比べて、ガス検知部の指示値が大きくなった。これは、触媒に含まれるＰｔおよびＰｄにより、上記した式（２）に示す酸化反応が促進されたことに起因して、硫化カルボニルの触媒反応が促進されたためであると考えられる。
【0070】
（実施例７）
図８に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例７）により、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。Ｐｔの含有率とＰｄの含有率とは、１：２となるようにした。実施例７の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表６に示す触媒を用いた。
図８に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例７）により、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率の影響を調べた。Ｐｔの含有率とＰｄの含有率とは、１：２となるようにした。実施例７の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表６に示す触媒を用いた。
【表6】
【0071】
実施例７の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図８に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸がガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図８に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、Ｐｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸がガス検知部の指示値を示し、横軸がＰｔ、ＰｄおよびＡｌ２Ｏ３含有率を示している。
【0072】
図８に示すグラフから分かるように、実施例７の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．０５質量％以上０．４６質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．１３質量％以上０．８５質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０４質量％以上１６．３６質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例７の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．０５質量％以上０．４６質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．１３質量％以上０．８５質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０４質量％以上１６．３６質量％以下の範囲において、Ｐｔ含有率、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が減少する傾向を示した。このことから、Ｐｔ含有率が０．０５質量％以上０．４６質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．１３質量％以上０．８５質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０４質量％以上１６．３６質量％以下の範囲では、Ｐｔ含有率、Ｐｄ含有率およびＡｌ２Ｏ３含有率が小さいほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。具体的には、Ｐｔ含有率が０．０５質量％以上０．２０質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．１３質量％以上０．３７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０４質量％以上７．２０質量％以下の範囲であることが好ましいと考えられる。
【0073】
また、実施例７の硫化カルボニル検知装置では、概略的には、Ｐｔ含有率が０．０５質量％以上０．２０質量％以下で、Ｐｄ含有率が０．１３質量％以上０．３７質量％以下で、Ａｌ２Ｏ３含有率が２．０４質量％以上７．２０質量％以下の範囲において、実施例２の硫化カルボニル検知装置に比べて、ガス検知部の指示値が大きくなった。これは、触媒に含まれるＰｔおよびＰｄにより、上記した式（２）に示す酸化反応が促進されたことに起因して、硫化カルボニルの触媒反応が促進されたためであると考えられる。
【0074】
実施例２～７から分かるように、触媒は、アルミナに加えて、ＰｔおよびＰｄのうちの少なくとも一方を含むことにより、硫化カルボニルの触媒反応をより促進することができる。
【0075】
（実施例８）
図９に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例８）により、触媒温度（加熱温度）の影響を調べた。実施例８の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表７に示す触媒を用いた。
図９に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例８）により、触媒温度（加熱温度）の影響を調べた。実施例８の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表７に示す触媒を用いた。
【表7】
【0076】
実施例８の硫化カルボニル検知装置では、２０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各温度における各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図９に示すグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の温度変化を示している。このグラフでは、縦軸がガス検知部の指示値（正規化値）を示し、横軸が触媒温度（加熱温度）を示している。
【0077】
図９に示すグラフから分かるように、実施例８の硫化カルボニル検知装置では、２００℃以上５００℃以下の温度範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例８の硫化カルボニル検知装置では、触媒によらず、概ね似たような温度傾向を示した。具体的には、２８０℃～３３０℃までは、触媒温度が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が増加する傾向を示した。また、２８０℃～３３０℃以降は、触媒温度が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が減少する傾向を示した。このことから、２００℃以上５００℃以下の範囲では、触媒温度が２８０℃～３３０℃に近いほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。
【0078】
触媒温度が５００℃よりも大きい場合、後述する干渉ガスの影響が大きくなり過ぎるため、触媒温度は、５００℃以下であることが好ましいと考えられる。また、触媒温度が２００℃よりも小さい場合、ガス検知部の指示値が小さくなり過ぎるため、触媒温度は、２００℃以上であることが好ましいと考えられる。また、触媒温度が２００℃の場合のガス検知部の指示値の約２倍以上となるため、触媒温度は、２６０℃以上５００℃以下の範囲であることがより好ましいと考えられる。また、触媒温度が２００℃の場合のガス検知部の指示値の約３倍以上となるため、触媒温度は、２８０℃以上４００℃以下の範囲であることがより好ましいと考えられる。
【0079】
（実施例９）
図１０に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例９）により、触媒温度（加熱温度）の影響を調べた。実施例９の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、９８．４質量％のセピオライトと、０．０８質量％のＰｔと、１．５２質量％のＡｌ２Ｏ３とを含む触媒を用いた。具体的には、触媒３１ｂとして、５５．１質量％のＳｉＯ２と、２２．６３質量％のＭｇＯと、３．９４質量％のＣａＯと、２．９５質量％のＦｅ２Ｏ３と、２．５１質量％のＡｌ２Ｏ３と、０．０８質量％のＰｔと、１２．７９質量％のＩｇ．Ｌｏｓｓ（強熱減量）とを含む触媒を用いた。
図１０に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例９）により、触媒温度（加熱温度）の影響を調べた。実施例９の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、９８．４質量％のセピオライトと、０．０８質量％のＰｔと、１．５２質量％のＡｌ２Ｏ３とを含む触媒を用いた。具体的には、触媒３１ｂとして、５５．１質量％のＳｉＯ２と、２２．６３質量％のＭｇＯと、３．９４質量％のＣａＯと、２．９５質量％のＦｅ２Ｏ３と、２．５１質量％のＡｌ２Ｏ３と、０．０８質量％のＰｔと、１２．７９質量％のＩｇ．Ｌｏｓｓ（強熱減量）とを含む触媒を用いた。
【0080】
実施例９の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各温度における各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図１０に示すグラフは、ガス検知部の指示値の温度変化を示している。このグラフでは、縦軸がガス検知部の指示値（正規化値）を示し、横軸が触媒温度（加熱温度）を示している。
【0081】
図１０に示すグラフから分かるように、実施例９の硫化カルボニル検知装置では、１４０℃以上４００℃以下の温度範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例９の硫化カルボニル検知装置では、２６０℃までは、触媒温度が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が増加する傾向を示した。また、２６０℃以降は、触媒温度が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が減少する傾向を示した。このことから、１４０℃以上４００℃以下の範囲では、触媒温度が２６０℃に近いほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。
【0082】
実施例９の硫化カルボニル検知装置では、触媒温度が１４０℃よりも小さい場合、ガス検知部の指示値が小さくなり過ぎるため、触媒温度は、１４０℃以上であることが好ましいと考えられる。また、触媒温度が１４０℃の場合のガス検知部の指示値の約２倍以上となる触媒温度として、触媒温度は、１６０℃以上４００℃以下の範囲であることがより好ましいと考えられる。
【0083】
（実施例１０）
図１１に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１０）により、雑ガス（干渉ガス）の影響を調べた。実施例１０の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。雑ガスとしては、３２９ｐｐｍのＨＴ－７０を含む被検知ガスＧと、２２３ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧと、２４５ｐｐｍのＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧと、１０９ｐｐｍのアセトンを含む被検知ガスＧと、１４１ｐｐｍのエタノールを含む被検知ガスＧとを用いた。ここで、硫化カルボニルは、半導体製造工程のドライエッチングガスとして、アルコール類（エタノール）およびケトン類（アセトン）は、半導体製造工程の洗浄剤として、ＨＴ－７０（ガルデン）、ＦＣ－４３（フロリナート）およびＨＦＥ－７１００（ノベック）は、半導体製造工程のチラーのフッ素系不活性冷媒として用いられる成分である。すなわち、実施例１０では、半導体製造工程の雰囲気中の硫化カルボニルの検知用に、硫化カルボニル検知装置が用いられる場合を想定して、半導体製造工程において用いられる雑ガスの影響を調べた。
図１１に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１０）により、雑ガス（干渉ガス）の影響を調べた。実施例１０の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。雑ガスとしては、３２９ｐｐｍのＨＴ－７０を含む被検知ガスＧと、２２３ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧと、２４５ｐｐｍのＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧと、１０９ｐｐｍのアセトンを含む被検知ガスＧと、１４１ｐｐｍのエタノールを含む被検知ガスＧとを用いた。ここで、硫化カルボニルは、半導体製造工程のドライエッチングガスとして、アルコール類（エタノール）およびケトン類（アセトン）は、半導体製造工程の洗浄剤として、ＨＴ－７０（ガルデン）、ＦＣ－４３（フロリナート）およびＨＦＥ－７１００（ノベック）は、半導体製造工程のチラーのフッ素系不活性冷媒として用いられる成分である。すなわち、実施例１０では、半導体製造工程の雰囲気中の硫化カルボニルの検知用に、硫化カルボニル検知装置が用いられる場合を想定して、半導体製造工程において用いられる雑ガスの影響を調べた。
【0084】
実施例１０の硫化カルボニル検知装置では、５ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧ、３２９ｐｐｍのＨＴ－７０を含む被検知ガスＧ、２２３ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧ、２４５ｐｐｍのＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧ、１０９ｐｐｍのアセトンを含む被検知ガスＧ、および、１４１ｐｐｍのエタノールを含む被検知ガスＧをそれぞれ流し、各ガスによるガス検知部の指示値を得た。図１１に示すグラフは、各ガスによるガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。
【0085】
図１１に示すグラフから分かるように、実施例１０の硫化カルボニル検知装置では、ＣＯＳを含む被検知ガスＧの指示値が約５ｐｐｍであることに対して、ＨＴ－７０を含む被検知ガスＧの指示値が約０．１ｐｐｍ、ＦＣ－４３を含む被検知ガスＧの指示値が約０．１ｐｐｍ、ＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧの指示値が約０．２ｐｐｍ、アセトンを含む被検知ガスＧの指示値が約０．５ｐｐｍ、エタノールを含む被検知ガスＧの指示値が約０．６ｐｐｍとなった。すなわち、ＨＴ－７０、ＦＣ－４３、ＨＦＥ－７１００、アセトンおよびエタノールのいずれも、ＣＯＳに比べて、ガス検知部の指示値が十分に小さい値を示した。このことから、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いる場合、ＨＴ－７０、ＦＣ－４３、ＨＦＥ－７１００、アセトンおよびエタノールのいずれも、ＣＯＳの検知にほとんど干渉しないと考えられる。すなわち、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒は、半導体製造工程の硫化カルボニルの検知に好適に用いることができると考えられる。
【0086】
（実施例１１）
図１２に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１１）により、ＣＯＳと雑ガス（干渉ガス）とが共存する環境下における応答性を調べた。実施例１１の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。雑ガスとしては、３２９ｐｐｍのＨＴ－７０を含む被検知ガスＧと、２２３ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧと、２４５ｐｐｍのＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧとを用いた。
図１２に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１１）により、ＣＯＳと雑ガス（干渉ガス）とが共存する環境下における応答性を調べた。実施例１１の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。雑ガスとしては、３２９ｐｐｍのＨＴ－７０を含む被検知ガスＧと、２２３ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧと、２４５ｐｐｍのＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧとを用いた。
【0087】
実施例１１の硫化カルボニル検知装置では、５ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧと、５ｐｐｍの硫化カルボニル、３２９ｐｐｍのＨＴ－７０、２２３ｐｐｍのＦＣ－４３、および、２４５ｐｐｍのＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧ（４ガス共存ガス）とをそれぞれ流し、各ガスによるガス検知部の指示値を得た。図１２に示すグラフは、各ガスによるガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。
【0088】
図１２に示すグラフから分かるように、実施例１１の硫化カルボニル検知装置では、５ｐｐｍのＣＯＳを含む被検知ガスＧの指示値が約５．４ｐｐｍであることに対して、４ガス共存ガスの指示値が約５．７ｐｐｍとなった。すなわち、５ｐｐｍのＣＯＳを含む被検知ガスＧと、４ガス共存ガスとのいずれも、ガス検知部の指示値が同様の値を示した。このことから、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いる場合、ＨＴ－７０、ＦＣ－４３、ＨＦＥ－７１００の共存下においても、ＣＯＳの検知の応答性にはほとんど影響しないと考えられる。すなわち、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒は、半導体製造工程の硫化カルボニルの検知に好適に用いることができると考えられる。
【0089】
（実施例１２）
図１３に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１２）により、雑ガス（干渉ガス）の飽和蒸気による触媒の劣化を調べた。実施例１２の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。雑ガスとしては、１８．５ｖｏｌ％のＨＴ－７０を含む被検知ガスＧと、１８９５ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧと、２７．６ｖｏｌ％のＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧと、５．８ｖｏｌ％のエタノールを含む被検知ガスＧと、２４．４ｖｏｌ％のアセトンを含む被検知ガスＧとを用いた。なお、１８．５ｖｏｌ％のＨＴ－７０と、１８９５ｐｐｍのＦＣ－４３と、２７．６ｖｏｌ％のＨＦＥ－７１００と、５．８ｖｏｌ％のエタノールと、２４．４ｖｏｌ％のアセトンとはいずれも、通常の半導体製造工程では考えられない程の高濃度のガスである。すなわち、実施例１２では、高濃度のガスにより加速試験を行った。
図１３に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１２）により、雑ガス（干渉ガス）の飽和蒸気による触媒の劣化を調べた。実施例１２の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。雑ガスとしては、１８．５ｖｏｌ％のＨＴ－７０を含む被検知ガスＧと、１８９５ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧと、２７．６ｖｏｌ％のＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧと、５．８ｖｏｌ％のエタノールを含む被検知ガスＧと、２４．４ｖｏｌ％のアセトンを含む被検知ガスＧとを用いた。なお、１８．５ｖｏｌ％のＨＴ－７０と、１８９５ｐｐｍのＦＣ－４３と、２７．６ｖｏｌ％のＨＦＥ－７１００と、５．８ｖｏｌ％のエタノールと、２４．４ｖｏｌ％のアセトンとはいずれも、通常の半導体製造工程では考えられない程の高濃度のガスである。すなわち、実施例１２では、高濃度のガスにより加速試験を行った。
【0090】
実施例１２の硫化カルボニル検知装置では、１８．５ｖｏｌ％のＨＴ－７０を含む被検知ガスＧと、１８９５ｐｐｍのＦＣ－４３を含む被検知ガスＧと、２７．６ｖｏｌ％のＨＦＥ－７１００を含む被検知ガスＧと、５．８ｖｏｌ％のエタノールを含む被検知ガスＧと、２４．４ｖｏｌ％のアセトンを含む被検知ガスＧとをそれぞれ３０分ずつ流した後、５ｐｐｍのＣＯＳを含む被検知ガスＧを流して、ガス検知部の指示値を得た。図１３に示すグラフは、各飽和蒸気ガスの３０分暴露後の５ｐｐｍのＣＯＳのガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。
【0091】
図１３に示すグラフから分かるように、各飽和蒸気ガスの３０分暴露後においても、５ｐｐｍのＣＯＳに対して、約５ｐｐｍのガス検知部の指示値が得られた。これは、ＨＴ－７０と、ＦＣ－４３と、ＨＦＥ－７１００と、エタノールと、アセトンとに暴露されても、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒が劣化しないかまたは劣化が非常に小さかったためであると考えられる。このことから、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒は、フッ素系成分であるＨＴ－７０、ＦＣ－４３およびＨＦＥ－７１００による被毒に強く、かつ、有機系成分であるエタノールおよびアセトンによる被毒に強い触媒であると考えられる。
【0092】
（実施例１３）
図１４に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１３）により、触媒かさ密度に対する圧力損失を調べた。実施例１３の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。
図１４に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１３）により、触媒かさ密度に対する圧力損失を調べた。実施例１３の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。
【0093】
実施例１３の硫化カルボニル検知装置では、被検知ガスＧを流し、各温度における触媒かさ密度に対する圧力損失を得た。図１４に示すグラフは、各温度における、かさ密度に対する圧力損失の変化を示している。このグラフでは、縦軸が圧力損失を示し、横軸が触媒かさ密度を示している。
【0094】
図１４に示すグラフから分かるように、実施例１３の硫化カルボニル検知装置では、２００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、触媒かさ密度が増加するにつれて、圧力損失が増加する傾向を示した。また、実施例１３の硫化カルボニル検知装置では、２００℃以上４５０℃以下の温度範囲において、温度が増加するにつれて、圧力損失が増加する傾向を示した。実施例１３の硫化カルボニル検知装置の許容圧力損失（ガス流量の低下が起きない圧力損失）を－３ｋＰａとすると、２００℃以上４５０℃以下の温度範囲では、触媒かさ密度は、２５０ｋｇ／ｍ３以下であることが好ましいと考えられる。また、実用上の観点から余裕分を考慮すると、触媒かさ密度は、２００ｋｇ／ｍ３以下であることがより好ましいと考えられる。また、触媒の充填量を確保する観点から、触媒かさ密度は、７０ｋｇ／ｍ３以上であることが好ましいと考えられる。
【0095】
（実施例１４）
図１５に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１４）により、Ｐｔ含有率の影響を調べた。実施例１４の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表８に示す触媒を用いた。
図１５に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１４）により、Ｐｔ含有率の影響を調べた。実施例１４の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表８に示す触媒を用いた。
【表8】
【0096】
実施例１４の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図１５に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図１５に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、Ｐｔ含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸がＰｔ含有率を示している。
【0097】
図１５に示すグラフから分かるように、実施例１４の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．０３質量％以上１０．５０質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例１４の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．０３質量％以上０．３０質量％以下の範囲において、Ｐｔ含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が増加する傾向を示した。また、実施例１４の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が０．３０質量％以上４．００質量％以下の範囲において、Ｐｔ含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が減少する傾向を示した。また、実施例１４の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｔ含有率が４．００質量％以上１０．５０質量％以下の範囲において、ガス検知部指示値が概ね横ばいになる傾向を示した。このことから、Ｐｔ含有率が０．０３質量％以上０．３０質量％以下の範囲では、Ｐｔ含有率が０．３０質量％に近いほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。なお、Ｐｔ含有率が０．０３質量％以上１０．５０質量％以下の範囲では、全範囲にわたってガス検知部の指示値が高い値で推移しているため、全範囲にわたって、触媒として好適に用いることができると考えられる。
【0098】
（実施例１５）
図１６に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１５）により、Ｐｄ含有率の影響を調べた。実施例１５の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表９に示す触媒を用いた。
図１６に示すように、この確認実験では、アルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１５）により、Ｐｄ含有率の影響を調べた。実施例１５の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、触媒３１ｂとして、以下の表９に示す触媒を用いた。
【表9】
【0099】
実施例１５の硫化カルボニル検知装置では、１０ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧを流し、各触媒によるガス検知部の指示値を得た。図１６に示す左側のグラフは、各触媒における、ガス検知部の指示値の時間変化を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。また、図１６に示す右側のグラフは、左側のグラフの所定の時点における指示値と、Ｐｄ含有率との関係を示している。このグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸がＰｄ含有率を示している。
【0100】
図１６に示すグラフから分かるように、実施例１５の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｄ含有率が０．０２質量％以上９．８４質量％以下の範囲において、硫化カルボニルの触媒反応を行うことができた。また、実施例１５の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｄ含有率が０．０２質量％以上０．３１質量％以下の範囲において、Ｐｄ含有率が増加するにつれて、ガス検知部の指示値が増加する傾向を示した。また、実施例１５の硫化カルボニル検知装置では、Ｐｄ含有率が０．３１質量％以上９．８４質量％以下の範囲において、ガス検知部指示値が概ね横ばいになる傾向を示した。このことから、Ｐｄ含有率が０．０２質量％以上９．８４質量％以下の範囲では、Ｐｄ含有率が大きいほど、触媒として好適に用いることができると考えられる。具体的には、Ｐｄ含有率が０．３１質量％以上９．８４質量％以下の範囲であることが好ましいと考えられる。
【0101】
（実施例１６および１７）
図１７および図１８に示すように、この確認実験では、Ｐｔを含むアルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１６および１７）により、雑ガス（干渉ガス）の影響を調べた。実施例１６および１７の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、実施例１６の硫化カルボニル検知装置では、触媒３１ｂとして、０．３０質量％のＰｔと、７６．７７質量％のＳｉＯ２と、１９．９４質量％のＣａＯ＋ＭｇＯと、２．９９質量％のその他成分とを含む触媒を用いた。また、実施例１７の硫化カルボニル検知装置では、触媒３１ｂとして、１０．５０質量％のＰｔと、６８．９２質量％のＳｉＯ２と、１７．９０質量％のＣａＯ＋ＭｇＯと、２．６８質量％のその他成分とを含む触媒を用いた。
図１７および図１８に示すように、この確認実験では、Ｐｔを含むアルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いた硫化カルボニル検知装置（実施例１６および１７）により、雑ガス（干渉ガス）の影響を調べた。実施例１６および１７の硫化カルボニル検知装置として、実施例１の硫化カルボニル検知装置と同様の装置を用いた。ただし、実施例１６の硫化カルボニル検知装置では、触媒３１ｂとして、０．３０質量％のＰｔと、７６．７７質量％のＳｉＯ２と、１９．９４質量％のＣａＯ＋ＭｇＯと、２．９９質量％のその他成分とを含む触媒を用いた。また、実施例１７の硫化カルボニル検知装置では、触媒３１ｂとして、１０．５０質量％のＰｔと、６８．９２質量％のＳｉＯ２と、１７．９０質量％のＣａＯ＋ＭｇＯと、２．６８質量％のその他成分とを含む触媒を用いた。
【0102】
また、雑ガスとしては、１０９ｐｐｍのアセトンを含む被検知ガスＧと、１３７ｐｐｍのエタノールを含む被検知ガスＧとを用いた。上記の通り、アルコール類（エタノール）およびケトン類（アセトン）は、半導体製造工程の洗浄剤として用いられる成分である。すなわち、実施例１６および１７では、半導体製造工程の雰囲気中の硫化カルボニルの検知用に、硫化カルボニル検知装置が用いられる場合を想定して、半導体製造工程において用いられる雑ガスの影響を調べた。
【0103】
実施例１６および１７の硫化カルボニル検知装置では、５ｐｐｍの硫化カルボニルを含む被検知ガスＧ、１０９ｐｐｍのアセトンを含む被検知ガスＧ、および、１３７ｐｐｍのエタノールを含む被検知ガスＧをそれぞれ流し、各ガスによるガス検知部の指示値を得た。図１７および図１８に示すグラフは、各ガスによるガス検知部の指示値の時間変化を示している。これらのグラフでは、縦軸が、ガス検知部の指示値を示し、横軸が時間を示している。
【0104】
図１７および図１８に示すグラフから分かるように、実施例１６および１７の硫化カルボニル検知装置では、ＣＯＳを含む被検知ガスＧの指示値が約５ｐｐｍであることに対して、アセトンを含む被検知ガスＧの指示値が約０．１ｐｐｍ、エタノールを含む被検知ガスＧの指示値が約０．２ｐｐｍとなった。すなわち、アセトンおよびエタノールのいずれも、ＣＯＳに比べて、ガス検知部の指示値が十分に小さい値を示した。このことから、Ｐｔを含むアルカリ土類金属シリケートを含む触媒を用いる場合、アセトンおよびエタノールのいずれも、ＣＯＳの検知にほとんど干渉しないと考えられる。すなわち、Ｐｔを含むアルカリ土類金属シリケートを含む触媒は、半導体製造工程の硫化カルボニルの検知に好適に用いることができると考えられる。
【0105】
[変形例]
なお、今回開示された実施形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。
なお、今回開示された実施形態および実施例は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態および実施例の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更（変形例）が含まれる。
【0106】
たとえば、上記実施形態では、硫化カルボニル検知装置が、流量制御部と、ポンプとを備えている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、硫化カルボニル分解部と、ガス検知部とを備えていれば、硫化カルボニル検知装置が、流量制御部と、ポンプとを必ずしも備えていなくてもよい。
【0107】
また、上記実施形態では、触媒が、綿状に形成されている例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、触媒としての機能を果たし得れば、触媒が、たとえば、粒状、粉末状、シート状、タブレット状などに形成されていてもよい。
【0108】
また、上記実施形態では、ガス検知部が、電気化学式のガス検知部を含んでいる例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、硫化カルボニルが加水分解されることにより発生した成分を検知可能であれば、ガス検知部が、たとえば、光学式のガス検知部（センサ）、半導体式のガス検知部（センサ）を含んでいてもよい。
【0109】
また、上記実施形態では、本発明の触媒部が、筒状に形成された触媒筒である例を示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、触媒を配置可能であれば、触媒部の形状は特に限られず、触媒部が、筒状形状以外の形状を有していてもよい。
【符号の説明】
【0110】
３０ 硫化カルボニル分解部
３１ 触媒筒（触媒部）
３１ｂ 触媒
３２ 加熱機構
４０ ガス検知部
１００ 硫化カルボニル検知装置
Ｇ 被検知ガス
３１ 触媒筒（触媒部）
３１ｂ 触媒
３２ 加熱機構
４０ ガス検知部
１００ 硫化カルボニル検知装置
Ｇ 被検知ガス
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】