特許 7419284 可変減衰器、信号解析装置、及び誘電体ブロックの固定方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-12

(45)【発行日】2024-01-22

(54)【発明の名称】可変減衰器、信号解析装置、及び誘電体ブロックの固定方法

(51)【国際特許分類】

   H01P 1/22 20060101AFI20240115BHJP

【ＦＩ】

H01P1/22

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2021040627

(22)【出願日】2021-03-12

(65)【公開番号】P2022140005

(43)【公開日】2022-09-26

【審査請求日】2022-12-21

(73)【特許権者】

【識別番号】000000572

【氏名又は名称】アンリツ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110003694

【氏名又は名称】弁理士法人有我国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】臼井 智紀

(72)【発明者】

【氏名】丸尾 友彦

【審査官】赤穂 美香

(56)【参考文献】

【文献】特開２００１－１４４５０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１９９４０４（ＪＰ，Ａ）

【文献】実開平０６－０２９２０６（ＪＰ，Ｕ）

【文献】特開平１０－２４２７１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－２９８３０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０６０４３５５６（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｐ １／２２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）が形成される金属製のベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝が形成される側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、
前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）が装着され、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を該減衰素子により減衰させる減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられ、
前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択された全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた減衰レベルを設定可能な可変減衰器（２）であって、
前記ベース基板の前記伝送路用溝の所要の位置ごとに配置され、前記伝送路用溝の幅よりも大きな幅を有し、中央部を中心導体（３３ｂ）が貫通する樹脂製の複数の誘電体ブロック（３３）をさらに有し、
前記誘電体ブロックは、それぞれの配置位置で、前記ベース基板の上面から突出しない状態で前記伝送路用溝内に圧入されていることを特徴とする可変減衰器。

【請求項2】

前記伝送路用溝は、前記誘電体ブロックの配置位置に対応して形成され、前記誘電体ブロックを受け入れ可能な形状を有する堀込部（２０１）を有し、
前記誘電体ブロックは、前記堀込部に受け入れられた状態で前記伝送路用溝内に圧入されていることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器。

【請求項3】

前記誘電体ブロックは、前記堀込部に対して接着剤で接着されていることを特徴とする請求項２に記載の可変減衰器。

【請求項4】

前記伝送路用溝は、前記ベース基板の前記面全体が前記アース板で覆われる積層状態で同軸型伝送路を構成し、
前記同軸型伝送路は、ストリップライン（Stripline）構造を有することを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の可変減衰器。

【請求項5】

前記高周波信号は、５Ｇ ＮＲ規格の信号であり、
前記伝送路用溝は、前記信号入力端子と前記信号出力端子間のインピーダンスが、全ての前記誘電体ブロックが前記伝送路用溝に圧入された状態で所定の値となるように設計されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか一項に記載の可変減衰器。

【請求項6】

減衰レベルを可変設定可能であり、被試験対象（５０）から出力された高周波信号を、設定された減衰レベルで減衰させる可変減衰器（２）と、
減衰された前記高周波信号を中間周波数信号に変換する周波数変換部（３）と、
前記中間周波数信号をサンプリングして得られるディジタルデータに対して解析処理を行う信号解析部（５）と、を備え、
前記可変減衰器は、
信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に前記高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）が形成される金属製のベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝が形成される側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、
前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）が装着され、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を該減衰素子により減衰させる減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられ、
前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択された全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた減衰レベルを設定可能であって、
前記ベース基板の前記伝送路用溝の所要の位置ごとに配置され、前記伝送路用溝の幅よりも大きな幅を有し、中央部を中心導体（３３ｂ）が貫通する樹脂製の複数の誘電体ブロック（３３）をさらに有し、
前記誘電体ブロックは、それぞれの配置位置で、前記ベース基板の上面から突出しない状態で前記伝送路用溝内に圧入されていることを特徴とする信号解析装置。

【請求項7】

請求項６に記載の信号解析装置における前記可変減衰器の前記伝送路用溝内に前記誘電体ブロックを固定する誘電体ブロックの固定方法であって、
前記減衰経路、及び前記スルー経路が形成された前記伝送路用溝を有する金属製の前記ベース基板を用意するステップ（Ｓ１）と、
前記伝送路用溝の所要の位置に、該伝送路用溝の幅よりも大きな幅を有する樹脂製の複数の前記誘電体ブロックを配置するステップ（Ｓ２）と、
前記誘電体ブロックを、それぞれの配置位置で、前記ベース基板の上面から突出しない状態で前記伝送路用溝内に圧入するステップ（Ｓ３）と、
を含み、圧入された状態で前記伝送路用溝の両側面から加わる圧力により前記誘電体ブロックを固定することを特徴とする誘電体ブロックの固定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、可変減衰器、信号解析装置、及び誘電体ブロックの固定方法に関し、特に、シグナルアナライザやスペクトラムアナライザなどの信号解析装置に用いられる可変減衰器、及び可変減衰器における誘電体ブロックの固定方法の改良に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、新規に開発された携帯端末等の移動体通信端末（以下、移動端末）を被試験対象（Device Under Test：ＤＵＴ）とし、該ＤＵＴから出力される無線信号を被測定信号として受信して解析処理を行うシグナルアナライザやスペクトラムアナライザなどの信号解析装置が知られている。

【0003】

近年、この種の信号解析装置においても、例えば、５Ｇ ＮＲ規格に則り通信を行う、いわゆる、５Ｇ端末の開発の進展に合わせて、より高周波帯（例えば、２６．５ＧＨｚ以上）の信号を被測定信号として受信し、解析する能力が求められている。

【0004】

この種の信号解析装置では、過入力による測定結果への悪影響を回避するために、減衰量を可変設定し、ＤＵＴからの入力信号（変調信号）のレベルを設定されたレベルで減衰させて出力する可変減衰器を備えたものがある。可変減衰器の一例として、伝送路を選択的に切り替えて減衰量を可変設定する、いわゆるメカニカルアッテネータ（メカニカルＡＴＴ）が知られている。

【0005】

高周波信号の伝送路の構造については、例えば、アース筐体の外導体溝の側端部に傾斜面を有する皿状ねじを取り付け、該皿状ねじ（以下、皿状ねじを皿ねじという）の傾斜面により、アース筐体内で上支持体の段部と下支持体の段部との間で中心導体を挟持する方向に押圧し、接点バネまたは共通接点を確実に外導体溝内に支持することを可能とする同軸伝送路の中心導体支持構造が従来から知られている（特許文献１等。）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】実開平６－２９２０６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ところで、５Ｇ ＮＲ規格の高周波信号（例えば、２６．５ＧＨｚ以上）の解析処理を想定した場合、特許文献１に記載された知見に基づき実現し得る従来のメカニカルＡＴＴの構造では測定精度を維持したままでの当該解析処理への対応は困難であった。

【0008】

その要因としては、以下に述べるように、設計時における理想とするインピーダンスの実現の困難性、コスト増、及び製造性の低下等が挙げられる。

【0009】

メカニカルＡＴＴは、例えば抵抗体のような高周波の減衰素子を複数用意しておき、これらを選択的に組み合わせることにより任意の減衰量を実現する構造であり、組み合わせの選択を行うための高周波スイッチにより減衰素子を通さないスルー経路と減衰素子を通すことにより減衰させる減衰経路を切り替える機構が複数用意されている。

【0010】

スルー経路と減衰経路を切り替える機構においては、例えば、図１２に示すように、金属ケース（符号７０）に形成した伝送路用溝（同、７１）内に、中心導体（同、７３）を有する樹脂製の誘電体ブロック（同、７２）を配置し、該誘電体ブロックをねじ穴７７にねじ締めされる皿ねじ（同、７５）のねじ頭の傾斜面（同、７６）を金属ケースに押し付けて固定する構造が従来から採用されている。ここで金属ケースは、その一面（例えば、伝送路用溝が形成された面）全体がアース板（同、７０ａ）で覆われることによりスルー経路及び減衰経路を含む導波路（伝送路）が形成され、メカニカルＡＴＴとして機能するようになっている。

【0011】

かかる従来のメカニカルＡＴＴにおいては、金属ケースに対して誘電体ブロックを皿ねじで固定するようになっていたため、皿ねじに対応するねじ穴を金属ケースに設ける必要があった。この場合、伝送路の一部分を皿ねじのねじ頭を受け易い形（図１２における皿ねじ７５の傾斜面７６に対向する箇所の形状）に加工する必要があり、伝送路の形状として、理想とするインピーダンス、つまり、設計値を実現し得る好適な矩形形状を実現できないことがあった。好適な矩形形状を実現できない場合には、理想とするインピーダンス（設計値）の実現が困難となり、メカニカルＡＴＴとしての特性が悪化につながることにもなった。

【0012】

また、従来のメカニカルＡＴＴでは、設計時、理想とするインピーダンス（設計値）を実現するために、金属ケースを覆うアース板に対してエンボス加工を施すようになっていた。この構成によれば、製造コストが高くなり、製造性も低下することとなった。

【0013】

また、従来のメカニカルＡＴＴでは、ばね性（材料）を持った誘電体ブロックが動作したときに応力集中などが生じて破壊しないように傾斜の形状になっており、伝送路の特性インピーダンスが変動するため、これを防ぐべく、グラウンド電位の金属（アース板）のエンボスを誘電体ブロック近傍に設けるようにしている。このため、エンボスの製造にあたって位置合わせやエンボス個々の個体差が生じ、インピーダンスが設計値から外れ、メカニカルＡＴＴとしての特性が悪化することがあった。上述した各種要因による特性の悪化によって、従来のメカニカルＡＴＴでは、例えば、５Ｇ ＮＲ規格の周波数帯の信号等、より高周波帯の信号を対象とする信号解析への対応が困難であった。

【0014】

以上のように、従来のメカニカルＡＴＴは、誘電体ブロックを皿ねじにより固定していたため、金属ケースにねじ穴を設ける必要性から、設計時、理想のインピーダンス（設計値）を実現できる好適な矩形形状の伝送路の実現が困難であった。

【0015】

また、設計時、インピーダンスを設計値となるようにするには、アース板に対するエンボス加工を施す必要があり、製造コストが高くなり、製造性も低下するという問題があった。また、理想とするインピーダンスを得ることが困難であることからメカニカルＡＴＴとしての性能低下を避けられず、より高周波帯の信号の信号解析への対応が困難であるという問題もあった。

【0016】

本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであって、伝送路を設計値に相当するインピーダンスを実現するために好適な矩形形状とすることができ、コスト増、製造性低下を招来することなく、より高周波帯の信号の信号解析に対応可能な可変減衰器、信号解析装置、及び誘電体ブロックの固定方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0017】

上記課題を解決するために、本発明の請求項１に係る可変減衰器は、信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）が形成される金属製のベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝が形成される側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）が装着され、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を該減衰素子により減衰させる減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられ、前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択された全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた減衰レベルを設定可能な可変減衰器（２）であって、前記ベース基板の前記伝送路用溝の所要の位置ごとに配置され、前記伝送路用溝の幅よりも大きな幅を有し、中央部を中心導体（３３ｂ）が貫通する樹脂製の複数の誘電体ブロック（３３）をさらに有し、前記誘電体ブロックは、それぞれの配置位置で、前記ベース基板の上面から突出しない状態で前記伝送路用溝内に圧入されている構成を有する。

【0018】

この構成により、本発明の請求項１に係る可変減衰器は、金属製のベース基板に設けられた硬い伝送路用溝内に、金属より柔らかい樹脂製の複数の誘電体ブロックを圧入しているため、皿ねじを用いる場合に必要であった、伝送路を削っていた皿ねじ用のねじ穴を無くすことができ、インピーダンスを設計値にするための好適な矩形形状で伝送路用溝を形成することができる。また、エンボス加工等の特別な加工を施す必要がなく、製造コストの高騰、製造性低下を来すことなく設計値に相当するインピーダンスを容易に実現でき、メカニカルＡＴＴとしての性能向上により、より高周波帯の信号の信号解析にも対応可能となる。

【0019】

また、本発明の請求項２に係る可変減衰器において、前記伝送路用溝は、前記誘電体ブロックの配置位置に対応して形成され、前記誘電体ブロックを受け入れ可能な形状を有する堀込部（２０１）を有し、前記誘電体ブロックは、前記堀込部に受け入れられた状態で前記伝送路用溝内に圧入されている構成としてもよい。

【0020】

この構成により、本発明の請求項２に係る可変減衰器は、誘電体ブロックを堀込部（２０１）に埋め込んだ状態で圧入でき、圧入作業が容易になるとともに、作業性を向上させることができる。

【0021】

また、本発明の請求項３に係る可変減衰器において、前記誘電体ブロックは、前記堀込部に対して接着剤で接着されている構成であってもよい。この構成により、本発明の請求項３に係る可変減衰器は、誘電体ブロックを圧入と接着により堀込部に埋め込むことで誘電体ブロックの固定をより確実に行うことが可能となる。

【0022】

また、本発明の請求項４に係る可変減衰器において、前記伝送路用溝は、前記ベース基板の前記面全体が前記アース板で覆われる積層状態で同軸型伝送路を構成し、前記同軸型伝送路は、ストリップライン（Stripline）構造を有する構成としてもよい。この構成により、本発明の請求項４に係る可変減衰器は、ストリップライン構造の同軸型伝送路をモデルとして、所望のインピーダンスを有する伝送路の設計が容易に行える。

【0023】

また、本発明の請求項５に係る可変減衰器においては、前記高周波信号は、５Ｇ ＮＲ規格の信号であり、前記伝送路用溝は、前記信号入力端子と前記信号出力端子間のインピーダンスが、全ての前記誘電体ブロックが前記伝送路用溝に圧入された状態で所定の値となるように設計されている構成であってもよい。この構成により、本発明の請求項５に係る可変減衰器は、５Ｇ ＮＲ規格の高周波信号の信号解析にも対応可能となる。

【0024】

上記課題を解決するために、本発明の請求項６に係る信号解析装置は、減衰レベルを可変設定可能であり、被試験対象（５０）から出力された高周波信号を、設定された減衰レベルで減衰させる可変減衰器（２）と、減衰された前記高周波信号を中間周波数信号に変換する周波数変換部（３）と、前記中間周波数信号をサンプリングして得られるディジタルデータに対して解析処理を行う信号解析部（５）と、を備え、前記可変減衰器は、信号入力端子（２１）と信号出力端子（２２）間に前記高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝（２３）が形成される金属製のベース基板（２０）と、前記ベース基板の前記伝送路用溝が形成される側の面全体を覆うアース板（２０ａ）と、を有し、前記伝送路用溝は、減衰素子（３１）が装着され、前記信号入力端子から入力される前記高周波信号を該減衰素子により減衰させる減衰経路（２５）と、前記減衰素子を通さないスルー経路（２６）と、が複数組設けられ、前記組ごとに前記減衰経路または前記スルー経路を選択し、選択された全ての前記減衰経路内の前記減衰素子に応じた減衰レベルを設定可能であって、前記ベース基板の前記伝送路用溝の所要の位置ごとに配置され、前記伝送路用溝の幅よりも大きな幅を有し、中央部を中心導体（３３ｂ）が貫通する樹脂製の複数の誘電体ブロック（３３）をさらに有し、前記誘電体ブロックは、それぞれの配置位置で、前記ベース基板の上面から突出しない状態で前記伝送路用溝内に圧入されている構成を有する。

【0025】

この構成により、本発明の請求項６に係る信号解析装置は、可変減衰器が、金属製のベース基板に設けられた硬い伝送路用溝内に、それより柔らかい樹脂製の複数の誘電体ブロックを圧入しているため、皿ねじを用いる場合に必要であった、伝送路を削っていた皿ねじ用のねじ穴を無くすことができ、インピーダンスを設計値にするための好適な矩形形状で伝送路用溝を形成することができる。また、エンボス加工等の特別な加工を施す必要がなく、製造コストの高騰、製造性低下を来すことなく設計値に相当するインピーダンスを容易に実現でき、メカニカルＡＴＴとしての性能向上により、より高周波帯の信号の信号解析にも対応可能となる。したがって、かかる可変減衰器を採用する信号解析装置においても、設計時、伝送路用溝の形状を設計されたインピーダンスを実現するために好適な矩形形状とすることができ、コスト増、製造性低下を招来することなく、より高周波帯の信号の信号解析に対応可能な構成を実現できる。

【0026】

上記課題を解決するために、本発明の請求項７に係る誘電体ブロックの固定方法は、請求項６に記載の信号解析装置における前記可変減衰器の前記伝送路用溝内に前記誘電体ブロックを固定する誘電体ブロックの固定方法であって、前記減衰経路、及び前記スルー経路が形成された前記伝送路用溝を有する金属製の前記ベース基板を用意するステップ（Ｓ１）と、前記伝送路用溝の所要の位置に、該伝送路用溝の幅よりも大きな幅を有する樹脂製の複数の前記誘電体ブロックを配置するステップ（Ｓ２）と、前記誘電体ブロックを、それぞれの配置位置で、前記ベース基板の上面から突出しない状態で前記伝送路用溝内に圧入するステップ（Ｓ３）と、を含み、圧入された状態で前記伝送路用溝の両側面から加わる圧力により前記誘電体ブロックを固定する構成を有する。

【0027】

この構成により、本発明の請求項７に係る誘電体ブロックの固定方法は、金属製のベース基板に設けられた硬い伝送路用溝内に、金属より柔らかい樹脂製の複数の誘電体ブロックを圧入しているため、皿ねじを用いる場合に必要であった、伝送路を削っていた皿ねじ用のねじ穴を無くすことができ、インピーダンスを設計値にするための好適な矩形形状で伝送路用溝を形成することができる。また、エンボス加工等の特別な加工を施す必要がなく、製造コストの高騰、製造性低下を来すことなく設計値に相当するインピーダンスを容易に実現でき、メカニカルＡＴＴとしての性能向上により、より高周波帯の信号の信号解析にも対応可能となる。

【発明の効果】

【0028】

本発明は、伝送路を設計値に相当するインピーダンスを実現するために好適な矩形形状とすることができ、コスト増、製造性低下を招来することなく、より高周波帯の信号の信号解析に対応可能な可変減衰器、信号解析装置、及び誘電体ブロックの固定方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0029】

【図1】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の構成を示すブロック図である。

【図2】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器の外観構造を示す図であり、（ａ）は上面図を示し、（ｂ）は側面図を示している。

【図3】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器の内部構造を示す平面図である。

【図4】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器における減衰経路とスルー経路の切替機構の構成を示す概念図であり、（ａ）は無選択時の切り替え態様を示し、（ｂ）は減衰経路選択時の切り替え態様を示し、（ｃ）はスルー経路選択時の切り替え態様を示している。

【図5】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器における誘電体ブロックの取り付け態様を示すベース基板の要部斜視図である。

【図6】図５における平面Ｃによる要部断面構造を示す図である。

【図7】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器における誘電体ブロックの固定方法を示すフローチャートである。

【図8】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器での誘電体ブロックの第１の固定方法に基づく圧入作業イメージを示す模式図である。

【図9】本発明の一実施形態に係る信号解析装置の可変減衰器での誘電体ブロックの第２の固定方法に基づく圧入作業に用いる堀込部の構造を示すベース基板上面図である。

【図10】図９に示した堀込部を有する伝送路用溝に対する誘電体ブロックの取り付け態様を示す斜視図である。

【図11】図１０における平面Ｄによる要部断面構造を示す図である。

【図12】従来の信号解析装置の可変減衰器における誘電体ブロック及び皿ねじの取り付け態様を示すベース基板の要部断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0030】

以下、本発明に係る可変減衰器、信号解析装置、及び誘電体ブロックの固定方法について図面を用いて説明する。

【0031】

本発明の一実施形態においては、本発明の信号解析装置を、ＤＵＴから出力される無線信号を被測定信号として受信し、当該被測定信号に対して解析処理を行うシグナルアナライザやスペクトラムアナライザなどの信号解析装置に適用した例を挙げて説明する。まず、本実施形態における信号解析装置の構成について説明する。

【0032】

図１に示すように、本発明の一実施形態に係る信号解析装置１は、可変減衰器（可変ＡＴＴ）２と、周波数変換部３と、Ａ／Ｄ変換器（ＡＤＣ）４と、信号解析部５と、操作部６と、表示部７と、制御部８と、を備え、ＤＵＴ５０から出力された変調信号Ｓｍの解析処理を行うものである。

【0033】

ＤＵＴ５０と信号解析装置１とは同軸ケーブルで接続されていてもよく、あるいは、無線通信で接続されていてもよい。

【0034】

ＤＵＴ５０は、例えば無線通信アンテナとＲＦ回路を有する無線端末機器や基地局などである。ＤＵＴ５０の通信規格としては、５Ｇ ＮＲ、セルラ（ＬＴＥ、ＬＴＥ－Ａ、Ｗ－ＣＤＭＡ（登録商標）、ＧＳＭ（登録商標）、ＣＤＭＡ２０００、１ｘＥＶ－ＤＯ、ＴＤ－ＳＣＤＭＡ等）、無線ＬＡＮ（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ／ｇ／ａ／ｎ／ａｃ／ａｄ等）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＧＮＳＳ（ＧＰＳ、Ｇａｌｉｌｅｏ、ＧＬＯＮＡＳＳ、ＢｅｉＤｏｕ等）、ＦＭ、及びディジタル放送（ＤＶＢ－Ｈ、ＩＳＤＢ－Ｔ等）が挙げられる。また、ＤＵＴ５０から出力される変調信号Ｓｍの変調方式としては、例えばＢＰＳＫ、ＱＰＳＫ、ＱＡＭ、ＯＦＤＭ等が挙げられる。

【0035】

可変ＡＴＴ２は、内部に抵抗（後述する減衰素子３１に相当）を有し、ＤＵＴ５０から出力された高周波の変調信号Ｓｍを信号解析部５において処理可能な信号レベルに減衰させるためのもので、インピーダンスを設計値に極力近くなるように調整する機構を有している。本実施形態において、可変ＡＴＴ２は、メカニカルＡＴＴによって実現されるものである。可変ＡＴＴ２の構成については、後で詳述する。

【0036】

周波数変換部３は、可変ＡＴＴ２により減衰された変調信号Ｓｍを中間周波数信号に変換するものであり、局部発振器３ａと、周波数混合器３ｂと、ＩＦフィルタ３ｃと、ＩＦ増幅器３ｄと、を有する。

【0037】

局部発振器３ａは、ローカル信号として、元の変調信号Ｓｍの周波数の値よりも変換先の周波数の値の分だけ高い周波数あるいは低い周波数の正弦波を発生させるものである。局部発振器３ａから発振されるローカル信号の周波数は、所望の解析帯域に応じて制御部８により設定される。

【0038】

周波数混合器３ｂは、可変ＡＴＴ２で減衰された周波数ｆＳの変調信号Ｓｍと、局部発振器３ａから出力された周波数ｆＬのローカル信号とを混合し、２つの信号の和及び差の周波数成分を含む出力信号を生成するものである。

【0039】

ＩＦフィルタ３ｃは、アナログのバンドパス・フィルタなどで構成され、周波数混合器３ｂからの出力信号をフィルタリングするようになっている。ＩＦフィルタ３ｃは、周波数混合器３ｂによって変調信号Ｓｍとローカル信号とを混合させた中間周波数｜ｆＬ－ｆＳ｜又はｆＬ＋ｆＳが所定の周波数範囲内にあるときに、当該中間周波数の中間周波数信号を出力する。

【0040】

ＩＦ増幅器３ｄは、ＩＦフィルタ３ｃから出力される中間周波数信号を増幅する固定利得の増幅器である。

【0041】

ＡＤＣ４は、ＩＦ増幅器３ｄにより増幅された中間周波数信号を所定のサンプリングレートでサンプリングして、ディジタルデータに変換する。ＡＤＣ４は、このディジタルデータを信号解析部５に出力するようになっている。

【0042】

信号解析部５は、ＡＤＣ４から出力されたディジタルデータに対して解析処理を実行するようになっている。

【0043】

操作部６は、ユーザによる操作入力を行うためのものであり、例えば表示部７の表示画面の表面に設けられたタッチパネルで構成される。あるいは、操作部６は、キーボード又はマウスのような入力デバイスを含んで構成されてもよい。

【0044】

表示部７は、例えばＬＣＤやＣＲＴなどの表示機器で構成され、制御部８から出力される制御信号に応じて、信号解析部５による解析結果などを表示するようになっている。

【0045】

制御部８は、例えばＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤなどを含むマイクロコンピュータ又はパーソナルコンピュータ等で構成され、信号解析装置１を構成する上記各部の動作を制御する。

【0046】

なお、制御部８は、例えば、ＲＯＭに記憶された所定のプログラムを実行することにより、経路切替制御部８ａをソフトウェア的に実現することが可能である。経路切替制御部８ａは、後述する経路切替機構（図４参照）を構成する駆動部４０ａ、４０ｂを駆動制御することにより、可変ＡＴＴ２における減衰経路またはスルー経路の切り替え制御を行う。

【0047】

次に、可変ＡＴＴ２の構成について図２～図６を参照して説明する。
図２に示すように、可変ＡＴＴ２は、上面両端部にコネクタ１２、１３が設けられ、該コネクタ１２、１３間に渡る部分を覆うように金属製のカバー筐体１１が取り付けられたベース基板２０と、カバー筐体１１の反対側から当該ベース基板２０の一面全体を覆う、例えば、金属板からなるアース板２０ａとの積層構造によって構成されている。

【0048】

ベース基板２０の構成を図３に示している。ベース基板２０は、例えば、アルミニウム製の板状部材に、銅下地及び金メッキを施して形成されたものである。図３に示すように、ベース基板２０は矩形の平面形状を有し、一端にはコネクタ１２に連結される信号入力端子２１が設けられ、他端にはコネクタ１３に連結される信号出力端子２２が設けられている。ベース基板２０は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間に渡り、所定の深さを有する断面形状が例えば矩形の伝送路用溝２３が形成されている。

【0049】

伝送路用溝２３は、一本の溝２４から２本の溝２５、２６に分岐し再び一本の溝２４として合流する分岐合流型溝を一組として、複数組の分岐合流型溝が直列に連結された構造を有している。各組の分岐合流型溝は、分岐した２本の溝２５、２６のうちの一方の溝、例えば溝２５が所定のレベルの信号減衰機能を有する減衰素子３１が配置されて、そこを通る高周波信号を減衰させる減衰経路を形成している。また、分岐した２本の溝２５、２６のうちの他方の溝、例えば溝２６は信号減衰器機能を有しない（減衰素子３１を通さない）スルー経路を形成している。

【0050】

また、伝送路用溝２３内には、信号入力端子２１と信号出力端子２２間の複数の所要の位置ごとにそれぞれ誘電体ブロック３３が配置されている。誘電体ブロック３３は、例えば、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）を素材とする立体形状部材からなり、中心を、例えば、帯状導体箔が中心導体３３ｂとして貫いた構造（図４～図６参照）を有する。中心導体３３ｂとして誘電体ブロック３３を貫いた帯状導体箔は、誘電体ブロック３３の両端側から伝送路用溝２３をその長さ方向に沿って延設されている。

【0051】

上述した内部構造を有する可変ＡＴＴ２は、ベース基板２０の一面、すなわち伝送路用溝２３が形成される側の面全体を覆うようにアース板２０ａを積層状態で取り付ける（図２（ｂ）参照）ことにより、ベース基板２０の伝送路用溝２３に沿った高周波信号の同軸型伝送路が実現されるようになっている。同軸型伝送路は、例えば、ストリップライン（Stripline）構造により実現可能である。

【0052】

上述した同軸型伝送路を有する可変ＡＴＴ２では、ベース基板２０の一面にアース板２０ａが積層された積層状態において、コネクタ１２から信号入力端子２１に入力される高周波信号が、同軸型伝送路である伝送路用溝２３内を、各組の分岐合流型溝ごとに減衰経路またはスルー経路のいずれかの経路を経て信号出力端子２２まで伝搬し、コネクタ１３から出力されるようになっている。

【0053】

次に、可変ＡＴＴ２における減衰経路またはスルー経路への経路切替機構について図４を参照して説明する。図４は、図３におけるＡ－Ａ線による要部断面の構造を示す概念図である。ここで、図４（ａ）は減衰経路及びスルー経路のいずれも選択されていない無選択時の切り替え態様を示し、図４（ｂ）は減衰経路への切り替え態様を示し、図４（ｃ）はスルー経路への切り替え態様を示している。

【0054】

図４（ａ）に示すように、伝送路用溝２３を構成する溝２４、２５、２６のうち、溝２４内に配置される誘電体ブロック３３（以下の説明における中央の誘電体ブロック）からは中心部を貫いて中心導体３３ｂが導出されている。中央の誘電体ブロック３３の紙面に向かって左側からは、溝２５内に配置される減衰素子３１（ここでは図示せず）から延びる中心導体３３ｂ（便宜的に、中心導体３３ｂ１という）が中央の誘電体ブロック３３から導出される中心導体３３ｂの真下まで延びている。さらには、中央の誘電体ブロック３３の紙面に向かって右側からは、溝２６内に配置される誘電体ブロック３３（ここでは図示せず）を貫いて延びる中心導体３３ｂ（便宜的に、中心導体３３ｂ２という）が中央の誘電体ブロック３３から導出される中心導体３３ｂの真下まで延びている。中心導体３３ｂ１、３３ｂ２の下方には、例えば電磁石により上方または下方に選択的に移動させることが可能な駆動部４０ａ、４０ｂが設けられている。かかる構造を有する経路切替機構は、溝２４、２５、２６が三叉的に交わる箇所（分岐合流型溝）ごとに設けられている。

【0055】

上述した構造を有する経路切替機構において、例えば、図４（ｂ）に示すように、駆動部４０ｂにより中心導体３３ｂ２を中心導体３３ｂから離れるように駆動した状態で、駆動部４０ａにより中心導体３３ｂ１を中心導体３３ｂに当接するまで上方に押し上げるように駆動することにより、溝２５内に配置される減衰素子３１を通る減衰経路を選択することができる。これに対し、図４（ｃ）に示すように、駆動部４０ａにより中心導体３３ｂ１を中心導体３３ｂから離れるように駆動した状態で、駆動部４０ｂにより中心導体３３ｂ２を中心導体３３ｂに当接するまで上方に押し上げるように駆動することにより、溝２６内に配置される誘電体ブロック３３を通るスルー経路を選択することができる。制御部８に設けられる経路切替制御部８ａは、上述した経路切替機構における経路切り替えに係る駆動部４０ａ、４０ｂの駆動手段（例えば、電磁石）の駆動制御を実行するものである。

【0056】

次に、ベース基板２０に対する誘電体ブロック３３の取り付け態様について図５、図６を参照して説明する。図５は、図３におけるベース基板２０上の領域Ｂ近傍の要部構造を示す斜視図であり、図６は、図５における平面Ｃによる要部断面構造を示す図である。

【0057】

図３に示すように、ベース基板２０において、伝送路用溝２３内の所要位置には複数の誘電体ブロック３３が配置されている。 図５、図６に示すように、誘電体ブロック３３は、中心部を中心導体３３ｂが貫いており、ベース基板２０の上面から突出しない状態で取り付けられている。

【0058】

ベース基板２０において、伝送路用溝２３内に誘電体ブロック３３を取り付けるに当たっては圧入の技術が採用されている。周知のように、圧入とは、穴側部材に対して、該穴側部材よりも硬度が小さい差込み側部材を加圧して挿入することで、穴側部材と差込み側部材の両者が反発し合うように圧力を生じ、強く接合される技術である。

【0059】

本実施形態において、ベース基板２０は、上述したようにアルミニウムの板材をベースとする金属製部材であり、その一部を溝状に削って伝送路用溝２３が形成されている。他方、誘電体ブロック３３は、上述したように樹脂（例えば、ＰＰＯ）製の部材であり、その硬度は金属よりも小さい。

【0060】

本実施形態においては、ベース基板２０に形成される、圧入技術における穴側部材である伝送路用溝２３と、同じく差込み側部材である誘電体ブロック３３とは、前者の幅が後者の幅よりもわずかに小さいサイズとなっている。つまり、誘電体ブロック３３は、伝送路用溝２３の幅よりもわずかに大きな幅を有している。圧入に際しては、例えば、誘電体ブロック３３を伝送路用溝２３の上側の位置にセットし、治具を用いて、該誘電体ブロック３３に下方側に向けて圧力をかけていく。これにより、誘電体ブロック３３の底面が伝送路用溝２３の底部まで達したときには、両者の反発力によって強く接合された圧入状態となる。圧入に用いる治具としては、例えば、万力を挙げることができる。

【0061】

図５、図６に示す圧入状態（後述する第１固定方法により、伝送路用溝２３の壁（側面）が全体的に狭まっている構造下で誘電体ブロック３３を圧入した状態：図８参照）において、誘電体ブロック３３は、伝送路用溝２３の両側面から加わる圧力により、圧入する前の状態に比べて幅が縮んだ状態に変形する。圧入状態における誘電体ブロック３３の当該変形は、例えば、図６に示すように、当該誘電体ブロック３３の上面若しくは下面と中心導体３３ｂとの距離の変化をもたらし、当該誘電体ブロック３３を含む伝送路用溝２３全体でのインピーダンスを変動させるように働くようになっている。

【0062】

ここで誘電体ブロック３３と伝送路用溝２３のサイズの差がどの程度であれば、圧入時にはインピーダンスの値がどの程度変動するかは事前の試験結果によって把握可能である。本実施形態において、伝送路用溝２３は、例えば、５Ｇ ＮＲ規格の高周波信号の信号解析を実現すべく、信号入力端子２１と信号出力端子２２間のインピーダンスが、全ての誘電体ブロック３３が伝送路用溝２３内に圧入された状態で所定の目標値、例えば、５０Ωとなるように設計されている。

【0063】

次に、本実施形態に係る信号解析装置１における可変ＡＴＴ２の伝送路用溝２３内に誘電体ブロック３３を固定する方法について、図７に示すフローチャートを参照して説明する。この固定方法に基づく誘電体ブロック３３の固定作業は、可変ＡＴＴ２の製造時に行われる。

【0064】

図７に示す誘電体ブロック３３の固定方法においてはまず、溝２５からなる減衰経路、及び溝２６からなるスルー経路が形成された伝送路用溝２３を有する金属製のベース基板２０を用意する（ステップＳ１）。

【0065】

次に、ベース基板２０の伝送路用溝２３のそれぞれ所要の位置（図３参照）に、該伝送路用溝２３の幅よりも大きな幅を有する樹脂製の複数の誘電体ブロック３３をそれぞれ配置する（ステップＳ２）。

【0066】

引き続き、配置された各誘電体ブロック３３を、それぞれの配置位置で、治具を用いて、ベース基板２０の上面から突出しない状態となるように伝送路用溝２３内に圧入する作業を行う（ステップＳ３）。上記ステップＳ２における誘電体ブロック３３の配置、及び上記ステップＳ３における圧入作業は、一つの誘電体ブロック３３ごとに行っても、何個かをまとめて同時に行うようにしてもよい。

【0067】

ステップＳ３において、ベース基板２０の伝送路用溝２３内の全ての配置位置に各誘電体ブロック３３が圧入された後、該ベース基板２０の伝送路用溝２３が形成された側の面全体をアース板２０ａにより覆って積層構造とし（ステップＳ４）、当該固定作業を終了する。

【0068】

ステップＳ３における圧入作業について、図８～図１１を参照してさらに詳しく説明する。

【0069】

（第１固定方法）
誘電体ブロック３３を固定するための第１の固定方法に基づく、誘電体ブロック３３の圧入作業イメージを図８に示している。図８に示すように、第１の固定方法においては、ベース基板２０に形成される伝送路用溝２３は、該伝送路用溝２３内に圧入前の誘電体ブロック３３の幅Ｗ１よりもわずかに小さい幅Ｗ０を有している。

【0070】

ステップＳ３の圧入作業においては、伝送路用溝２３の所要の位置で該伝送路用溝２３上に誘電体ブロック３３を載置し、この状態から誘電体ブロック３３を下方に押し込むことにより、当該誘電体ブロック３３の下部が伝送路用溝２３の開口部上部にわずかに押し込まれた状態とする。

【0071】

次いで、この状態から伝送路用溝２３が形成されているベース基板２０の底部と誘電体ブロック３３の上部間を、例えば、万力の作業機によって挟み、そこから作業機を当該作業機間の距離が短くなる方向に操作していく。この操作により、幅Ｗ１の誘電体ブロック３３が伝送路用溝２３の幅Ｗ０に見合う幅となるように変形しつつ伝送路用溝２３内をその底面に達する位置まで下方に押し進められ、図８に示すような圧入状態となる。

【0072】

全ての誘電体ブロック３３は、上述した手順によって、伝送路用溝２３の所要の位置にそれぞれ圧入することができる。ベース基板２０に形成された伝送路用溝２３は、前述したように、信号入力端子２１と信号出力端子２２間のインピーダンスが、全ての誘電体ブロック３３が伝送路用溝２３に圧入された状態で所定の値（例えば、５０Ω）となるように設計されている。

【0073】

（第２の固定方法）
図９～図１１は、第２の固定方法を示している。第２の固定方法を実現するためには、ベース基板２０として、伝送路用溝２３の誘電体ブロック３３を配置する所要の位置ごとに、例えば、図９に示すように、誘電体ブロック３３ａ（図１０参照）を受け入れ可能な形状を有する堀込部２０１が形成されたものが用意される。第２の固定方法に基づいて伝送路用溝２３に圧入される誘電体ブロック３３ａは、例えば、図１０に示すように、長さ方向の中央部分の幅が両端部の幅に比べて幅が小さい直方体形状の部材で構成されている。

【0074】

図９において、伝送路用溝２３の所要の位置ごと形成される堀込部２０１は、伝送路用溝２３の両側壁において、当該伝送路用溝２３の長さ方向中央部分の幅が当該長さ方向両端部の幅より小さい形状に掘り込まれたものである。ここで堀込部２０１における伝送路用溝２３の長さ方向中央部分の幅、同、長さ方向両端部の幅は、それぞれ、誘電体ブロック３３ａにおける長さ方向の中央部分の幅、同、長さ方向両端部の幅にそれぞれ対応し、かつ、当該誘電体ブロック３３ａにおける長さ方向の中央部分の幅、同、長さ方向両端部の幅よりもわずかに小さい幅である。

【0075】

また、誘電体ブロック３３ａの平面形状は堀込部２０１の平面形状に沿った形状を有する。堀込部２０１は、例えば、図１１に示すように、伝送路用溝２３の底面において誘電体ブロック３３ａの平面形状に対応する平面形状で所定の深さに掘り込まれた部分をさらに含んでいる。

【0076】

伝送路用溝２３に上記形状の堀込部２０１が形成されたベース基板２０と、上記形状を有する誘電体ブロック３３ａ間では、例えば、上述した治具（万力）を用いた圧入作業（図８参照）により、誘電体ブロック３３ａを、該誘電体ブロック３３ａが堀込部２０１に受け入れられた形態で伝送路用溝２３内に圧入することができる。

【0077】

その圧入工程において、誘電体ブロック３３ａは、その底面が、例えば、図１１に示すように、堀込部２０１として伝送路用溝２３の底面に掘り込まれた部分に達するまで下方に向けて押し込まれるようになっている。これにより、圧入工程の終了後、誘電体ブロック３３は、幅方向の両側端と下端面が堀込部２０１によって受け入れた状態で、伝送路用溝２３内に確実に圧入されることとなる。

【0078】

なお、図８～図１１においては、誘電体ブロック３３（または３３ａ）の固定方法として、誘電体ブロック３３ａを伝送路用溝２３内に圧入する場合について述べたが、これに限らず、誘電体ブロック３３（または３３ａ）を堀込部２０１に対して接着剤で接着するようにしてもよく、さらには上述した圧入と接着を併用して固定するようにしてもよい。

【0079】

次に、作用について説明する。
本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、誘電体ブロック３３をそれぞれの配置位置で伝送路用溝２３内に圧入した構成を有するため、予め圧入による誘電体ブロック３３の変形を考慮してインピーダンスを設計することにより、望ましいインピーダンスを実現できる。

【0080】

また、従来の可変ＡＴＴでは、発明が解決しようとする課題の欄でも述べたように、主に２６．５ＧＨｚ以下で用いるメカニカルＡＴＴとしての性能維持が限界であったが、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２では、例えば、５Ｇ ＮＲ規格の通信に用いられるミリ波（３０ＧＨｚ帯から３００ＧＨｚ帯の周波数帯）のようなより高周波帯での信号解析においてもメカニカルＡＴＴとしての性能を維持することができる。

【0081】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、誘電体ブロック１１を固定するために皿ねじを用いていないため、従来の可変ＡＴＴのように、皿ねじを用いる場合に必要であった、伝送路を削っていた皿ねじ用のねじ穴（図１２に符号７７で示す）は勿論、伝送路溝の一部分を皿ねじのねじ頭を受け易い形（図１２における皿ねじ７５の傾斜面７６に対向する箇所の形状）にする加工も無くすことができ、インピーダンスを設計値にするための好適な矩形形状で伝送路用溝を形成することができる。また、エンボス加工等の特別な加工を施す必要がなく、製造コストの高騰、製造性低下を来すことなく設計値に相当するインピーダンスを容易に実現できる。さらには、メカニカルＡＴＴとしての性能向上により、より高周波帯の信号の信号解析にも対応可能となる。

【0082】

以上説明したように、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝２３が形成される金属製のベース基板２０と、ベース基板２０の伝送路用溝２３が形成される側の面全体を覆うアース板２０ａと、を有し、伝送路用溝２３は、減衰素子３１が装着され、信号入力端子２１から入力される高周波信号を該減衰素子３１により減衰させる減衰経路（溝２５）と、減衰素子３１を通さないスルー経路（溝２６）と、が複数組設けられ、組ごとに減衰経路またはスルー経路を選択し、選択された全ての減衰経路内の減衰素子３１に応じた減衰レベルを設定可能な構成を前提としている。この可変ＡＴＴ２は、ベース基板２０の伝送路用溝２３の所要の位置ごとに配置され、伝送路用溝２３の幅よりもわずかに大きな幅を有し、中央部を中心導体３３ｂが貫通する樹脂製の複数の誘電体ブロック３３をさらに有し、誘電体ブロック３３は、それぞれの配置位置で、ベース基板２０の上面から突出しない状態で伝送路用溝２３内に圧入されている構成である。

【0083】

この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、金属製のベース基板２０に設けられた硬い伝送路用溝２３内に、金属より柔らかい樹脂製の複数の誘電体ブロック３３を圧入しているため、皿ねじを用いる場合に必要であった、伝送路を削っていた皿ねじ用のねじ穴を無くすことができ、インピーダンスを設計値にするための好適な矩形形状で伝送路用溝２３を形成することができる。また、エンボス加工等の特別な加工を施す必要がなく、製造コストの高騰、製造性低下を来すことなく設計値に相当するインピーダンスを容易に実現でき、メカニカルＡＴＴとしての性能向上により、より高周波帯の信号の信号解析にも対応可能となる。

【0084】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２において、伝送路用溝２３は、誘電体ブロック３３の配置位置に対応して形成され、誘電体ブロック３３を受け入れ可能な形状を有する堀込部２０１を有し、誘電体ブロック３３は、堀込部２０１に受け入れられた状態で伝送路用溝２３内に圧入されている構成を有している。この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、誘電体ブロック３３を堀込部２０１に埋め込んだ状態で圧入でき、圧入作業が容易になるとともに、作業性が向上する。

【0085】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２において、誘電体ブロック３３は、堀込部２０１に対して接着剤で接着されている構造である。この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、誘電体ブロック３３を圧入と接着により堀込部２０１に埋め込むことで、誘電体ブロック３３の固定をより確実に行うことが可能となる。

【0086】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２において、伝送路用溝２３は、ベース基板２０の伝送路用溝２３が形成される側の面全体がアース板２０ａで覆われる積層状態で同軸型伝送路を構成し、同軸型伝送路は、ストリップライン（Stripline）構造を有する構成である。この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、ストリップライン構造の同軸型伝送路をモデルとして、所望のインピーダンスを有する伝送路の設計が容易に行える。

【0087】

また、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２において、高周波信号は、５Ｇ ＮＲ規格の信号であり、伝送路用溝２３は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間のインピースが、全ての誘電体ブロック３３が伝送路用溝２３に圧入された状態で所定の値となるように設計されている構成である。この構成により、本実施形態に係る可変ＡＴＴ２は、５Ｇ ＮＲ規格の高周波信号の信号解析にも対応可能となる。

【0088】

また、本実施形態に係る信号解析装置１は、減衰レベルを可変設定可能であり、ＤＵＴ５０から出力された変調された高周波信号を、設定された減衰レベルで減衰させる可変ＡＴＴ２と、減衰された高周波信号を中間周波数信号に変換する周波数変換部３と、中間周波数信号をサンプリングして得られるディジタルデータに対して解析処理を行う信号解析部５と、を備え、可変ＡＴＴ２は、信号入力端子２１と信号出力端子２２間に高周波信号の伝送路を構成するための伝送路用溝２３が形成される金属製のベース基板２０と、ベース基板２０の伝送路用溝２３が形成される側の面全体を覆うアース板２０ａと、を有し、伝送路用溝２３は、減衰素子３１が装着され、信号入力端子２１から入力される高周波信号を該減衰素子３１により減衰させる溝２５である減衰経路と、減衰素子３１が装着されない（減衰素子３１を通さない）溝２６であるスルー経路と、が複数組設けられ、組ごとに減衰経路またはスルー経路を選択し、選択された全ての減衰経路内の減衰素子３１に応じた減衰レベルを設定可能であって、ベース基板２０の伝送路用溝２３の所要の位置ごとに配置され、伝送路用溝２３の幅よりもわずかに大きな幅を有し、中央部を中心導体３３ｂが貫通する樹脂製の複数の誘電体ブロック３３をさらに有し、誘電体ブロック３３は、それぞれの配置位置で、ベース基板２０の上面から突出しない状態で伝送路用溝２３内に圧入されている構成である。

【0089】

この構成により、本実施形態に係る信号解析装置１は、可変ＡＴＴ２が、金属製のベース基板２０に設けられた硬い伝送路用溝２３内に、それより柔らかい樹脂製の複数の誘電体ブロック３３を圧入しているため、皿ねじを用いる場合に必要であった、伝送路を削っていた皿ねじ用のねじ穴を無くすことができ、インピーダンスを設計値にするための好適な矩形形状で伝送路用溝２３を形成することができる。また、エンボス加工等の特別な加工を施す必要がなく、製造コストの高騰、製造性低下を来すことなく設計値に相当するインピーダンスを容易に実現でき、メカニカルＡＴＴとしての性能向上により、より高周波帯の信号の信号解析にも対応可能となる。したがって、かかる可変ＡＴＴ２を採用する信号解析装置１においても、設計時、伝送路用溝２３の形状を設計されたインピーダンスを実現するために好適な矩形形状とすることができ、コスト増、製造性低下を招来することなく、より高周波帯の信号の信号解析に対応可能な構成を実現できる。

【0090】

また、本実施形態に係る誘電体ブロックの固定方法は、本実施形態に係る信号解析装置１における可変ＡＴＴ２の伝送路用溝２３内に誘電体ブロック３３を固定する誘電体ブロックの固定方法であって、溝２５である減衰経路、及び溝２６であるスルー経路が形成された伝送路用溝２３を有する金属製のベース基板２０を用意するステップ（Ｓ１）と、伝送路用溝２３の所要の位置に、伝送路用溝２３の幅よりもわずかに大きな幅を有する樹脂製の複数の誘電体ブロック３３を配置するステップ（Ｓ２）と、誘電体ブロック３３を、それぞれの配置位置で、ベース基板２０の上面から突出しない状態で伝送路用溝２３内に圧入するステップ（Ｓ３）と、を含み、圧入された状態で伝送路用溝２３の両側面から加わる圧力により誘電体ブロック２３を固定する構成である。

【0091】

この構成により、本実施形態に係る誘電体ブロックの固定方法は、ベース基板２０に形成された伝送路用溝２３内に、金属より柔らかい樹脂製の複数の誘電体ブロック３３を圧入した可変ＡＴＴ２の構造を実現でき、皿ねじを用いる場合に必要であった、伝送路を削っていた皿ねじ用のねじ穴を無くすことができ、インピーダンスを設計値にするための好適な矩形形状で伝送路用溝２３を形成することができる。また、エンボス加工等の特別な加工を施す必要がなく、製造コストの高騰、製造性低下を来すことなく設計値に相当するインピーダンスを容易に実現でき、メカニカルＡＴＴとしての性能向上により、より高周波帯の信号の信号解析にも対応可能となる。

【産業上の利用可能性】

【0092】

以上のように、本発明に係る可変減衰器、信号解析装置、及び誘電体ブロックの固定方法は、伝送路を設計値に相当するインピーダンスを実現するために好適な矩形形状とすることができ、コスト増、製造性低下を招来することなく、より高周波帯の信号の信号解析に対応可能であるという効果を奏し、シグナルアナライザやスペクトラムアナライザなどの信号解析装置、これに用いる可変減衰器、並びに誘電体ブロックの固定方法全般に有用である。

【符号の説明】

【0093】

１ 信号解析装置
２ 可変ＡＴＴ（可変減衰器）
３ 周波数変換部
５ 信号解析部
２０ ベース基板
２０ａ アース板
２１ 信号入力端子
２２ 信号出力端子
２３ 伝送路用溝
２５ 溝（減衰経路）
２６ 溝（スルー経路）
３１ 減衰素子
３３、３３ａ 誘電体ブロック
３３ｂ 中心導体
５０ ＤＵＴ（被試験対象）
２０１ 堀込部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】