特許 7420315 アンテナ素子、電子機器及びアンテナ素子の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-15

(45)【発行日】2024-01-23

(54)【発明の名称】アンテナ素子、電子機器及びアンテナ素子の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01Q 1/38 20060101AFI20240116BHJP

   H01Q 13/10 20060101ALI20240116BHJP

   H01P 11/00 20060101ALI20240116BHJP

   H05K 3/46 20060101ALI20240116BHJP

【ＦＩ】

H01Q1/38

H01Q13/10

H01P11/00

H05K3/46 Z

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2023518641

(86)(22)【出願日】2022-03-29

(86)【国際出願番号】 JP2022015284

(87)【国際公開番号】W WO2022234748

(87)【国際公開日】2022-11-10

【審査請求日】2023-09-28

(31)【優先権主張番号】P 2021079044

(32)【優先日】2021-05-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110000970

【氏名又は名称】弁理士法人 楓国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】池本 伸郎

(72)【発明者】

【氏名】西尾 恒亮

(72)【発明者】

【氏名】須藤 薫

(72)【発明者】

【氏名】市川 敬一

(72)【発明者】

【氏名】天野 信之

【審査官】佐藤 当秀

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－０１１７６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０８３２１６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０２１－０４４４７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１０８７０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－１００４５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－３０８４７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／００８９０５３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００７－０６８０３７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｑ １／３８

Ｈ０１Ｑ １３／１０

Ｈ０１Ｐ １１／００

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

アンテナ素子であって、
上下方向に並ぶ第１主面及び第２主面を有している絶縁基材と、
前記絶縁基材の第１主面に設けられているアンテナ導体層と、
を備えており、
上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第１開口が、前記アンテナ導体層に設けられており、
１以上の第１絶縁基材非形成領域が、上下方向において前記絶縁基材と前記アンテナ導体層との間に位置しており、
前記１以上の第１絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材が存在せず、
前記１以上の第１開口の外縁のそれぞれは、上下方向に見て前記１以上の第１絶縁基材非形成領域と重なり、前記絶縁基材と接触しておらず、
前記アンテナ素子は、（Ａ）又は（Ｂ）の構造を有しておる、
（Ａ）前記１以上の第１絶縁基材非形成領域は、第１空孔である、
（Ｂ）前記１以上の第１絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料又は前記絶縁基材の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料が設けられている、
アンテナ素子。

【請求項2】

複数の前記第１絶縁基材非形成領域が、上下方向において前記絶縁基材と前記アンテナ導体層との間に位置しており、
前記複数の第１絶縁基材非形成領域が繋がっていることにより、複数の第１柱状部が前記絶縁基材に設けられており、
前記複数の第１柱状部は、上下方向に延びており、かつ、上下方向に見て、前記複数の第１絶縁基材非形成領域により囲まれている、
請求項１に記載のアンテナ素子。

【請求項3】

前記１以上の第１開口は、上下方向に見て、第１方向に延びる帯形状を有しており、
前記アンテナ導体層は、スロットアンテナとして機能する、
請求項１又は請求項２のいずれかに記載のアンテナ素子。

【請求項4】

アンテナ素子であって、
上下方向に並ぶ第１主面及び第２主面を有している絶縁基材と、
前記絶縁基材の第１主面に設けられているアンテナ導体層と、
前記絶縁基材の第２主面に設けられているリファレンス導体層と、
を備えており、
前記リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記アンテナ導体層と重なっており、
上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第２開口が、前記リファレンス導体層に設けられており、
１以上の第２絶縁基材非形成領域が、上下方向において前記絶縁基材と前記リファレンス導体層との間に位置しており、
前記１以上の第２絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材が存在せず、
前記１以上の第２開口の外縁のそれぞれは、上下方向に見て前記１以上の第２絶縁基材非形成領域と重なり、前記絶縁基材と接触しておらず、
（Ｃ）又は（Ｄ）の構造を有しておる、
（Ｃ）前記１以上の第２絶縁基材非形成領域は、第２空孔である、
（Ｄ）前記１以上の第２絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料又は前記絶縁基材の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料が設けられている、
アンテナ素子。

【請求項5】

複数の前記第２開口が前記リファレンス導体層に設けられており、
複数の前記第２絶縁基材非形成領域が、上下方向において前記絶縁基材と前記リファレンス導体層との間に位置しており、
前記複数の第２絶縁基材非形成領域が繋がっていることにより、複数の第２柱状部が前記絶縁基材に設けられており、
前記複数の第２柱状部は、上下方向に延びており、かつ、上下方向に見て、前記複数の第２絶縁基材非形成領域により囲まれている、
請求項４に記載のアンテナ素子。

【請求項6】

前記絶縁基材の材料は、熱可塑性樹脂である、
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のアンテナ素子。

【請求項7】

複数の前記第１開口が前記アンテナ導体層に設けられており、
隣り合う複数の前記第１開口の間隔は、前記アンテナ導体層が送受信する高周波信号の波長の１／４以下である、
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のアンテナ素子。

【請求項8】

前記アンテナ素子は、
前記絶縁基材の前記第１主面を覆う第１カバー層を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のアンテナ素子。

【請求項9】

前記第１カバー層の誘電率は、前記絶縁基材の誘電率より大きい、
請求項８に記載のアンテナ素子。

【請求項10】

前記第１カバー層の誘電率は、前記絶縁基材の誘電率より小さい、
請求項８に記載のアンテナ素子。

【請求項11】

上下方向に見て、前記第１カバー層における前記１以上の第１開口と重なる部分に貫通孔が設けられている、
請求項８ないし請求項１０のいずれかに記載のアンテナ素子。

【請求項12】

前記アンテナ素子は、
前記絶縁基材の前記第２主面を覆う第２カバー層を、
更に備えている、
請求項１ないし請求項１１のいずれかに記載のアンテナ素子。

【請求項13】

請求項１ないし請求項１２のいずれかのアンテナ素子を、
備える、
電子機器。

【請求項14】

上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第１開口が設けられたアンテナ導体層を第１絶縁体層に形成するアンテナ導体層形成工程と、
前記第１絶縁体層を含む複数の絶縁体層を圧着することにより、絶縁基材を形成する圧着工程と、
前記アンテナ導体層をマスクとして前記第１絶縁体層にエッチングを施すことにより、上下方向に見て前記１以上の第１開口のそれぞれを包含する１以上の第１空孔を形成する第１空孔形成工程と、
を備えている、
アンテナ素子の製造方法。

【請求項15】

前記アンテナ素子の製造方法は、
前記絶縁基材の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料又は前記絶縁基材の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料を前記１以上の第１空孔に充填する第１充填工程を、
を更に備えている、
請求項１４に記載の製造方法。

【請求項16】

上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第２開口が設けられたリファレンス導体層を第２絶縁体層に形成するリファレンス導体層形成工程と、
アンテナ導体層が設けられた第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層を圧着することにより、絶縁基材を形成する圧着工程と、
前記リファレンス導体層をマスクとして前記第２絶縁体層にエッチングを施すことにより、上下方向に見て前記１以上の第２開口のそれぞれを包含する１以上の第２空孔を形成する第２空孔形成工程と、
を備えている、
アンテナ素子の製造方法。

【請求項17】

前記アンテナ素子の製造方法は、
前記絶縁基材の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料又は前記絶縁基材の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料を前記１以上の第２空孔に充填する充填工程を、
を更に備えている、
請求項１６に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、アンテナ導体層を備えるアンテナ素子に関する。

【背景技術】

【0002】

従来のアンテナ素子に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のマイクロストリップアンテナが知られている。このマイクロストリップアンテナは、誘電体基板、方形状導体及び接地導体を備えている。誘電体基板は、上主面及び下主面を有している。方形状導体は、誘電体基板の上主面に設けられている。接地導体は、誘電体基板の下主面に設けられている。方形状導体は、上下方向に見て、接地導体と重なっている。このようなマイクロストリップアンテナでは、方形状導体がアンテナとして機能する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００４－０９６２５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、特許文献１に記載のマイクロストリップアンテナにおいて、マイクロストリップアンテナが送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得たいという要望がある。

【0005】

そこで、本発明の目的は、アンテナ素子が送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を有するアンテナ素子を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一形態に係るアンテナ素子は、
アンテナ素子であって、
上下方向に並ぶ第１主面及び第２主面を有している絶縁基材と、
前記絶縁基材の第１主面に設けられているアンテナ導体層と、
を備えており、
上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第１開口が、前記アンテナ導体層に設けられており、
１以上の第１絶縁基材非形成領域が、上下方向において前記絶縁基材と前記アンテナ導体層との間に位置しており、
前記１以上の第１絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材が存在せず、
前記１以上の第１開口の外縁のそれぞれは、上下方向に見て前記１以上の第１絶縁基材非形成領域と重なり、前記絶縁基材と接触しておらず、
前記アンテナ素子は、（Ａ）又は（Ｂ）の構造を有しており、（Ａ）前記１以上の第１絶縁基材非形成領域は、第１空孔である、（Ｂ）前記１以上の第１絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料又は前記絶縁基材の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料が設けられている。

【0007】

本発明の一形態に係るアンテナ素子は、
アンテナ素子であって、
上下方向に並ぶ第１主面及び第２主面を有している絶縁基材と、
前記絶縁基材の第１主面に設けられているアンテナ導体層と、
前記絶縁基材の第２主面に設けられているリファレンス導体層と、
を備えており、
前記リファレンス導体層は、上下方向に見て、前記アンテナ導体層と重なっており、
上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第２開口が、前記リファレンス導体層に設けられており、
１以上の第２絶縁基材非形成領域が、上下方向において前記絶縁基材と前記リファレンス導体層との間に位置しており、
前記１以上の第２絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材が存在せず、
前記１以上の第２開口の外縁のそれぞれは、上下方向に見て前記１以上の第２絶縁基材非形成領域と重なり、前記絶縁基材と接触しておらず、
（Ｃ）又は（Ｄ）の構造を有しており、（Ｃ）前記１以上の第２絶縁基材非形成領域は、第２空孔である、（Ｄ）前記１以上の第２絶縁基材非形成領域には、前記絶縁基材の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料又は前記絶縁基材の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料が設けられている。

【0008】

本発明の一形態に係るアンテナ素子の製造方法は、
上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第１開口が設けられたアンテナ導体層を第１絶縁体層に形成するアンテナ導体層形成工程と、
前記第１絶縁体層を含む複数の絶縁体層を圧着することにより、絶縁基材を形成する圧着工程と、
前記アンテナ導体層をマスクとして前記第１絶縁体層にエッチングを施すことにより、上下方向に見て前記１以上の第１開口のそれぞれを包含する１以上の第１空孔を形成する第１空孔形成工程と、
を備えている。

【0009】

本発明の一形態に係るアンテナ素子の製造方法は、
上下方向に見て環状の外縁を有する１以上の第２開口が設けられたリファレンス導体層を第２絶縁体層に形成するリファレンス導体層形成工程と、
アンテナ導体層が設けられた第１絶縁体層及び前記第２絶縁体層を含む複数の絶縁体層を圧着することにより、絶縁基材を形成する圧着工程と、
前記リファレンス導体層をマスクとして前記第２絶縁体層にエッチングを施すことにより、上下方向に見て前記１以上の第２開口のそれぞれを包含する１以上の第２空孔を形成する第２空孔形成工程と、
を備えている。

【発明の効果】

【0010】

本発明に係るアンテナ素子、電子機器及びアンテナ素子の製造方法によれば、アンテナ素子が送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、アンテナ素子１０の分解斜視図である。

【図2】図２は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。

【図3】図３は、アンテナ素子１０の製造工程を示すフローチャートである。

【図4】図４は、アンテナ素子１０ａの断面図である。

【図5】図５は、アンテナ素子１０ｂの絶縁体層１６ａの上面図である。

【図6】図６は、アンテナ素子１０ｂの断面図である。

【図7】図７は、アンテナ素子１０ｃの断面図である。

【図8】図８は、アンテナ素子１０ｄの断面図である。

【図9】図９は、アンテナ素子１０ｅの断面図である。

【図10】図１０は、アンテナ素子１０ｆの断面図である。

【図11】図１１は、アンテナ素子１０ｇの絶縁体層１６ａの上面図及び絶縁体層１６ｅの下面図である。

【図12】図１２は、アンテナ素子１０ｈの分解斜視図である。

【図13】図１３は、回路基板２００の背面図である。

【図14】図１４は、空孔Ｓｐ１ａの断面図である。

【図15】図１５は、空孔Ｓｐ１ｂの断面図である。

【図16】図１６は、空孔Ｓｐ１ｃの断面図である。

【図17】図１７は、空孔Ｓｐ１ｄの断面図である。

【図18】図１８は、空孔Ｓｐ１ｅの断面図である。

【図19】図１９は、空孔Ｓｐ１ｆの断面図である。

【図20】図２０は、空孔Ｓｐ１ｇの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

（実施形態）
［アンテナ素子の構造］
以下に、本発明の実施形態に係るアンテナ素子１０の構造について図面を参照しながら説明する。図１は、アンテナ素子１０の分解斜視図である。なお、図１では、複数の層間接続導体ｖ１、複数の第１開口Ｏｐ１、複数の第２開口Ｏｐ２、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２、複数の第１空孔Ｓｐ１及び複数の第２空孔Ｓｐ２の内の代表的な層間接続導体ｖ１、第１開口Ｏｐ１、第２開口Ｏｐ２、第１絶縁基材非形成領域Ａ１、第２絶縁基材非形成領域Ａ２、第１空孔Ｓｐ１及び第２空孔Ｓｐ２にのみ参照符号を付した。図２は、アンテナ素子１０を備える電子機器１の断面図である。図２は、図１のＡ－Ａにおける断面図である。ただし、図２では、図１に示していない筐体１００を示した。

【0013】

本明細書において、方向を以下のように定義する。アンテナ素子１０の絶縁基材１２の上主面及び下主面の法線が延びている方向を上下方向と定義する。上下方向は、絶縁基材１２の積層方向と一致する。また、アンテナ素子１０のアンテナ導体層２０の長辺が延びる方向を左右方向と定義する。アンテナ素子１０のアンテナ導体層２０の短辺が延びる方向を前後方向と定義する。上下方向は、前後方向に直交する。左右方向は、上下方向及び前後方向に直交する。

【0014】

以下では、Ｘは、アンテナ素子１０の部品又は部材である。本明細書において、特に断りのない場合には、Ｘの各部について以下のように定義する。Ｘの前部とは、Ｘの前半分を意味する。Ｘの後部とは、Ｘの後半分を意味する。Ｘの左部とは、Ｘの左半分を意味する。Ｘの右部とは、Ｘの右半分を意味する。Ｘの上部とは、Ｘの上半分を意味する。Ｘの下部とは、Ｘの下半分を意味する。Ｘの前端とは、Ｘの前方向の端を意味する。Ｘの後端とは、Ｘの後方向の端を意味する。Ｘの左端とは、Ｘの左方向の端を意味する。Ｘの右端とは、Ｘの右方向の端を意味する。Ｘの上端とは、Ｘの上方向の端を意味する。Ｘの下端とは、Ｘの下方向の端を意味する。Ｘの前端部とは、Ｘの前端及びその近傍を意味する。Ｘの後端部とは、Ｘの後端及びその近傍を意味する。Ｘの左端部とは、Ｘの左端及びその近傍を意味する。Ｘの右端部とは、Ｘの右端及びその近傍を意味する。Ｘの上端部とは、Ｘの上端及びその近傍を意味する。Ｘの下端部とは、Ｘの下端及びその近傍を意味する。

【0015】

まず、図１を参照しながら、アンテナ素子１０の構造について説明する。アンテナ素子１０は、図１に示すように、絶縁基材１２、アンテナ導体層２０、リファレンス導体層２２，２４，２６、信号導体層２８、複数の層間接続導体ｖ１及び層間接続導体ｖ２を備えている。

【0016】

絶縁基材１２は、板形状を有している。従って、絶縁基材１２は、上下方向に並ぶ上主面（第１主面）及び下主面（第２主面）を有している。絶縁基材１２の上主面及び下主面は、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。従って、絶縁基材１２の左右方向における長さは、絶縁基材１２の前後方向における長さより長い。

【0017】

絶縁基材１２は、図１に示すように、絶縁体層１６ａ～１６ｅを含んでいる。絶縁基材１２は、絶縁体層１６ａ～１６ｅが上下方向に積層された構造を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｅは、上から下へとこの順に並んでいる。絶縁体層１６ａ～１６ｅは、上下方向に見て、絶縁基材１２と同じ長方形状を有している。絶縁体層１６ａ～１６ｅは、可撓性を有する誘電体シートである。絶縁基材１２の材料は、例えば、熱可塑性樹脂である。熱可塑性樹脂は、例えば、液晶ポリマー、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロオロエチレン）等の熱可塑性樹脂である。絶縁基材１２の材料は、ポリイミドであってもよい。絶縁基材１２は、可撓性を有する。そのため、アンテナ素子１０は、折り曲げられて用いられてもよい。「アンテナ素子１０が折り曲げられる」とは、アンテナ素子１０に外力が加えられることによりアンテナ素子１０が変形して曲がっていることを意味する。変形は、弾性変形でもよいし、塑性変形でもよいし、弾性変形及び塑性変形でもよい。

【0018】

アンテナ導体層２０は、絶縁基材１２の上主面（第１主面）に設けられている。本実施形態では、アンテナ導体層２０は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。アンテナ導体層２０は、上下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。アンテナ導体層２０は、前後方向に延びる短辺及び左右方向に延びる長辺の両方で共振する。そこで、アンテナ導体層２０の前後方向に延びる短辺及び左右方向に延びる長辺は、アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の波長の約半分の長さである。アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の波長の長さは、絶縁基材１２の誘電率による波長短縮効果を考慮した波長である。アンテナ導体層２０は、高周波信号を電磁波として放射する。

【0019】

また、アンテナ導体層２０は、電磁波の高周波信号を受信する。

【0020】

信号導体層２８は、絶縁基材１２に設けられている。本実施形態では、信号導体層２８は、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。信号導体層２８は、左右方向に延びている線形状を有している。信号導体層２８の右端部は、上下方向に見て、アンテナ導体層２０と重なっている。信号導体層２８は、高周波信号を伝送する。

【0021】

層間接続導体ｖ２は、アンテナ導体層２０と信号導体層２８とを電気的に接続している。より詳細には、層間接続導体ｖ２は、絶縁体層１６ａ，１６ｂを上下方向に貫通している。層間接続導体ｖ２の上端は、アンテナ導体層２０に接続されている。アンテナ導体層２０において層間接続導体ｖ２が接続されている位置は、高周波信号の給電点である。層間接続導体ｖ２の下端は、信号導体層２８の右端部に接続されている。

【0022】

リファレンス導体層２２は、絶縁基材１２の下主面（第２主面）に設けられている。これにより、リファレンス導体層２２は、アンテナ導体層２０の下に設けられている。本実施形態では、リファレンス導体層２２は、絶縁体層１６ｅの下主面に設けられている。リファレンス導体層２２は、上下方向に見て、アンテナ導体層２０と重なっている。リファレンス導体層２２は、上下方向に見て、左右方向に延びる長辺を有する長方形状を有している。

【0023】

リファレンス導体層２４は、絶縁基材１２に設けられている。本実施形態では、リファレンス導体層２４は、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。リファレンス導体層２４は、上下方向に見て、長方形状の枠形状を有している。これにより、リファレンス導体層２４は、上下方向に見て、アンテナ導体層２０の周囲を囲んでいる。ただし、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２４とが短絡しないように、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２４とは離れている。また、リファレンス導体層２４の外縁は、上下方向に見て、リファレンス導体層２２の外縁と一致している。

【0024】

リファレンス導体層２６は、絶縁基材１２に設けられている。本実施形態では、リファレンス導体層２６は、絶縁体層１６ｃの上主面に設けられている。ただし、リファレンス導体層２６の形状は、リファレンス導体層２４と実質的に同じである。ただし、リファレンス導体層２６と信号導体層２８とが短絡しないように、リファレンス導体層２６と信号導体層２８とは離れている。

【0025】

複数の層間接続導体ｖ１は、リファレンス導体層２２とリファレンス導体層２４とリファレンス導体層２６とを電気的に接続している。より詳細には、複数の層間接続導体ｖ１は、絶縁体層１６ａ～１６ｅを上下方向に貫通している。複数の層間接続導体ｖ１の上端は、リファレンス導体層２４に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１の中間部は、リファレンス導体層２６に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１の下端は、リファレンス導体層２２に接続されている。複数の層間接続導体ｖ１は、上下方向に見て、リファレンス導体層２４に沿って並んでいる。すなわち、複数の層間接続導体ｖ１は、上下方向に見て、アンテナ導体層２０を囲むように並んでいる。

【0026】

以上のようなアンテナ導体層２０、リファレンス導体層２２，２４，２６及び信号導体層２８は、例えば、絶縁体層１６ａ～１６ｅの上主面又は下主面に設けられた金属箔にエッチングが施されることにより形成されている。金属箔は、例えば、銅箔である。また、層間接続導体ｖ１，ｖ２は、例えば、ビアホール導体である。ビアホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｅに貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填し、導電性ペーストを加熱により固化させることにより作製される。層間接続導体ｖ１，ｖ２は、例えば、スルーホール導体であってもよい。スルーホール導体は、絶縁体層１６ａ～１６ｅの一部又は全部を貫通する貫通孔を形成し、貫通孔にメッキを施すことにより作製される。

【0027】

次に、複数の第１開口Ｏｐ１、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１及び複数の第１空孔Ｓｐ１について説明する。複数の第１開口Ｏｐ１は、アンテナ導体層２０に設けられている。複数の第１開口Ｏｐ１は、上下方向に見て、行列状に配置されている。複数の第１開口Ｏｐ１は、上下方向に見て環状の外縁Ｅ１を有している。本実施形態では、複数の第１開口Ｏｐ１は、上下方向に見て、円形状の外縁Ｅ１を有している。ただし、環状は、円環に限らず、長方形状や三角形状も含む。従って、第１開口Ｏｐ１は、切り欠きを含まない。切り欠きとは、環状を有していない外縁に囲まれた領域である。切り欠きの外縁は、アンテナ導体層２０の外縁の一部である。第１開口Ｏｐ１内には、アンテナ導体層２０が存在しない。隣り合う複数の第１開口Ｏｐ１の間隔は、例えば、アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の波長の長さの１／４以下である。

【0028】

複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、図２に示すように、絶縁基材１２の上主面の一部分が下方向に窪むことにより形成されている。複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、上下方向において絶縁基材１２とアンテナ導体層２０との間に位置している。複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１には、絶縁基材１２が存在しない。本実施形態では、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、第１空孔Ｓｐ１である。

【0029】

複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、複数の第１開口Ｏｐ１に対応するように、上下方向に見て、行列状に配置されている。複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、上下方向に見て環状の外縁を有している。本実施形態では、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、上下方向に見て、円形状の外縁を有している。複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１のそれぞれは、上下方向に見て複数の第１開口Ｏｐ１のそれぞれを包含している。すなわち、複数の第１開口Ｏｐ１のそれぞれは、上下方向に見て、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１からはみ出していない。そのため、第１絶縁基材非形成領域Ａ１の直径は、第１開口Ｏｐ１の直径より大きい。また、第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、半球形状を有している。第１絶縁基材非形成領域Ａ１が上記の構造を有することにより、複数の第１開口Ｏｐ１の外縁Ｅ１のそれぞれは、上下方向に見て複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１と重なることにより、絶縁基材１２と接触していない。すなわち、複数の第１開口Ｏｐ１の外縁Ｅ１のそれぞれの下には、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１が位置している。

【0030】

次に、複数の第２開口Ｏｐ２、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２及び複数の第２空孔Ｓｐ２について説明する。複数の第２開口Ｏｐ２、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２及び複数の第２空孔Ｓｐ２は、複数の第１開口Ｏｐ１、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１及び複数の第１空孔Ｓｐ１と上下対称な構造を有している。

【0031】

複数の第２開口Ｏｐ２は、リファレンス導体層２２に設けられている。複数の第２開口Ｏｐ２は、上下方向に見て、行列状に配置されている。複数の第２開口Ｏｐ２は、上下方向に見て環状の外縁Ｅ２を有している。本実施形態では、複数の第２開口Ｏｐ２は、上下方向に見て、円形状の外縁Ｅ２を有している。ただし、環状は、円環に限らず、長方形状や三角形状も含む。第２開口Ｏｐ２内には、リファレンス導体層２２が存在しない。

【0032】

複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、図２に示すように、絶縁基材１２の下主面の一部分が上方向に窪むことにより形成されている。複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、上下方向において絶縁基材１２とリファレンス導体層２２との間に位置している。複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２には、絶縁基材１２が存在しない。本実施形態では、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、第２空孔Ｓｐ２である。

【0033】

複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、複数の第２開口Ｏｐ２に対応するように、上下方向に見て、行列状に配置されている。複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、上下方向に見て環状の外縁を有している。本実施形態では、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、上下方向に見て、円形状の外縁を有している。複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２のそれぞれは、上下方向に見て複数の第２開口Ｏｐ２のそれぞれを包含している。また、第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、半球形状を有している。第２絶縁基材非形成領域Ａ２が上記の構造を有することにより、複数の第２開口Ｏｐ２の外縁Ｅ２のそれぞれは、上下方向に見て複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２と重なり、絶縁基材１２と接触していない。すなわち、複数の第２開口Ｏｐ２の外縁Ｅ２のそれぞれの下には、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２が位置している。

【0034】

電子機器１は、図２に示すように、アンテナ素子１０及び筐体１００を備えている。アンテナ素子１０は、筐体１００に収容される。電子機器１は、例えば、スマートフォン等の携帯型無線通信端末である。

【0035】

［アンテナ素子の製造方法］
以下に、アンテナ素子１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図３は、アンテナ素子１０の製造工程を示すフローチャートである。

【0036】

まず、上主面に金属箔が貼り付けられた絶縁体層１６ａ～１６ｃを準備する。同様に、下主面に金属箔が貼り付けられた絶縁体層１６ｄ，１６ｅを準備する（ステップＳ１）。

【0037】

次に、金属箔にマスクを形成し、エッチング処理を施すことにより、アンテナ導体層２０、リファレンス導体層２２，２４，２６及び信号導体層２８を形成する（ステップＳ２）。ステップＳ２では、上下方向に見て環状の外縁を有する複数の第１開口Ｏｐ１が設けられたアンテナ導体層２０を絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）に形成する（アンテナ導体層形成工程）。また、ステップＳ２では、上下方向に見て環状の外縁を有する複数の第２開口Ｏｐ２が設けられたリファレンス導体層２２を絶縁体層１６ｅ（第２絶縁体層）に形成する（リファレンス導体層形成工程）。

【0038】

次に、絶縁体層１６ａ～１６ｅに複数の層間接続導体ｖ１及び層間接続導体ｖ２を形成する（ステップＳ３）。具体的には、絶縁体層１６ａ～１６ｅにレーザビームを照射して、複数の貫通孔を形成する。その後、複数の貫通孔に導電性ペーストを充填する。

【0039】

次に、絶縁体層１６ａ～１６ｅを圧着することにより、絶縁基材１２を形成する（ステップＳ４・圧着工程）。絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）には、アンテナ導体層２０が設けられている。絶縁体層１６ｅ（第２絶縁体層）には、リファレンス導体層２２が設けられている。圧着工程では、絶縁体層１６ａ～１６ｅを上下方向に加圧しながら加熱する。これにより、絶縁体層１６ａ～１６ｅが軟化し、絶縁体層１６ａ～１６ｅが一体化される。また、導電性ペーストが加熱により固化し、複数の層間接続導体ｖ１及び層間接続導体ｖ２が形成される。

【0040】

次に、複数の第１空孔Ｓｐ１及び複数の第２空孔Ｓｐ２のそれぞれを絶縁体層１６ａ，１６ｅに形成する（ステップＳ５）。具体的には、アンテナ導体層２０をマスクとして絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）にエッチングを施すことにより、上下方向に見て複数の第１開口Ｏｐ１のそれぞれを包含する複数の第１空孔Ｓｐ１を形成する（第１空孔形成工程）。更に、リファレンス導体層２２をマスクとして絶縁体層１６ｅ（第２絶縁体層）にエッチングを施すことにより、上下方向に見て複数の第２開口Ｏｐ２のそれぞれを包含する複数の第２空孔Ｓｐ２を形成する（第２空孔形成工程）。以上の工程を経て、アンテナ素子１０が完成する。

【0041】

［効果］
アンテナ素子１０によれば、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。より詳細には、複数の第１開口Ｏｐ１の外縁Ｅ１のそれぞれは、上下方向に見て複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１と重なり、絶縁基材１２と接触していない。そして、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、第１空孔Ｓｐ１である。これにより、アンテナ導体層２０近傍の誘電率が小さくなる。従って、アンテナ導体層２０を伝送される高周波信号の波長が長くなる。その結果、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数が低くなる。そして、第１空孔Ｓｐ１の数や大きさを調整することにより、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数を調整することができる。以上より、アンテナ素子１０によれば、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。

【0042】

アンテナ素子１０によれば、以下の理由によっても、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。より詳細には、複数の第２開口Ｏｐ２の外縁Ｅ２のそれぞれは、上下方向に見て複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２と重なり、絶縁基材１２と接触していない。そして、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２は、第２空孔Ｓｐ２である。これにより、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２２との間の誘電率が小さくなる。従って、アンテナ導体層２０を伝送される高周波信号の波長が長くなる。その結果、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数が低くなる。そして、第２空孔Ｓｐ２の数や大きさを調整することにより、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数を調整することができる。以上より、アンテナ素子１０によれば、アンテナ素子１０が送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。

【0043】

アンテナ素子１０によれば、アンテナ素子１０の薄型化を図ることができる。より詳細には、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１のそれぞれは、上下方向において絶縁基材１２とアンテナ導体層２０との間に位置している。複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２のそれぞれは、上下方向において絶縁基材１２とリファレンス導体層２２との間に位置している。複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１及び複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２のそれぞれは、第１空孔Ｓｐ１及び第２空孔Ｓｐ２である。これにより、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２２との間の領域の誘電率が低下する。従って、設計値の容量をアンテナ導体層２０とリファレンス導体層２２との間に形成するためには、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２２との距離を短くすればよい。これにより、アンテナ素子１０の薄型化が図られる。

【0044】

アンテナ素子１０によれば、アンテナ素子１０を容易に折り曲げることができる。より詳細には、アンテナ素子１０では、複数の第１空孔Ｓｐ１及び複数の第２空孔Ｓｐ２が絶縁基材１２に設けられている。これにより、アンテナ素子１０が変形しやすくなる。また、前記の通りアンテナ素子１０の薄型化が図られるので、アンテナ素子１０が更に変形しやすくなる。その結果、アンテナ素子１０によれば、アンテナ素子１０を容易に折り曲げることができる。

【0045】

アンテナ素子１０によれば、アンテナ素子１０の放射効率を向上させることができる。より詳細には、前記の通り、アンテナ導体層２０近傍の誘電率が小さくなるので、アンテナ導体層２０を伝送される高周波信号の波長が長くなる。従って、アンテナ導体層２０で高周波信号を共振させるために、アンテナ導体層２０を大型化してもよい。アンテナ導体層２０が大型化すると、アンテナ素子１０の放射効率が向上する。なお、隣り合う複数の第１開口Ｏｐ１の間隔が、アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の波長の１／４である。これにより、アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の周波数帯域で空孔間での共振を抑制し放射効率の低下を防ぐことができる。

【0046】

アンテナ素子１０の製造方法によれば、複数の第１空孔Ｓｐ１及び複数の第２空孔Ｓｐ２を容易に形成できる。より詳細には、アンテナ導体層２０をマスクとして絶縁体層１６ａ（第１絶縁体層）にエッチングを施すことにより、上下方向に見て複数の第１開口Ｏｐ１のそれぞれを包含する複数の第１空孔Ｓｐ１を形成する（第１空孔形成工程）。更に、リファレンス導体層２２をマスクとして絶縁体層１６ｅ（第２絶縁体層）にエッチングを施すことにより、上下方向に見て複数の第２開口Ｏｐ２のそれぞれを包含する複数の第２空孔Ｓｐ２を形成する（第２空孔形成工程）。このように、アンテナ導体層２０及びリファレンス導体層２２をマスクとして利用することにより、複数の第１空孔Ｓｐ１及び複数の第２空孔Ｓｐ２を形成するために、マスクを新たに形成する必要がない。その結果、アンテナ素子１０の製造方法によれば、複数の第１空孔Ｓｐ１及び複数の第２空孔Ｓｐ２を容易に形成できる。

【0047】

絶縁基材１２の材料が熱可塑性樹脂であるので、絶縁体層１６ａ～１６ｅの接合に熱可塑性樹脂とは異なる材料の接着剤層を用いる必要がない。これにより、熱圧着により絶縁基材１２を容易に形成できる。また、絶縁基材１２を容易に塑性変形させることができる。

【0048】

（第１変形例）
以下に、第１変形例に係るアンテナ素子１０ａについて図面を参照しながら説明する。図４は、アンテナ素子１０ａの断面図である。

【0049】

アンテナ素子１０ａは、以下の２点においてアンテナ素子１０と相違する。

【0050】

・複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１には、絶縁基材１２の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料３０が設けられている。
・複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２には、絶縁基材１２の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料３２が設けられている。

【0051】

高誘電率材料３０，３２は、例えば、高誘電セラミックの粉末を樹脂に混合した材料である。高誘電率材料３０，３２は、絶縁基材１２の一部ではない。アンテナ素子１０ａのその他の構造は、アンテナ素子１０と同様であるので説明を省略する。

【0052】

また、アンテナ素子１０ａの製造方法では、図２のステップＳ６及びステップＳ７を更に備えている。より詳細には、絶縁基材１２の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料３０を複数の第１空孔Ｓｐ１に充填する（ステップＳ６・第１充填工程）。更に、絶縁基材１２の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料３２を複数の第２空孔Ｓｐ２に充填する（ステップＳ７・第２充填工程）。第１充填工程及び第２充填工程は、例えば、高誘電率材料３０，３２のペーストをスキージにより複数の第１空孔Ｓｐ１及び複数の第２空孔Ｓｐ２へと押し込むことにより実行される。ただし、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２４との間に位置する空孔には高誘電率材料を充填しない。

【0053】

以上のようなアンテナ素子１０ａによれば、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。より詳細には、複数の第１開口Ｏｐ１の外縁Ｅ１のそれぞれは、上下方向に見て複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１と重なり、絶縁基材１２と接触していない。そして、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１には、絶縁基材１２の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料３０が設けられている。これにより、アンテナ導体層２０近傍の誘電率が大きくなる。従って、アンテナ導体層２０を伝送される高周波信号の波長が短くなる。その結果、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数が高くなる。そして、第１空孔Ｓｐ１の数や大きさを調整することにより、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数を調整することができる。以上より、アンテナ素子１０ａによれば、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。

【0054】

アンテナ素子１０ａによれば、以下の理由によっても、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。より詳細には、複数の第２開口Ｏｐ２の外縁Ｅ２のそれぞれは、上下方向に見て複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２と重なり、絶縁基材１２と接触していない。そして、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２には、絶縁基材１２の材料の誘電率より高い誘電率を有する高誘電率材料３２が設けられている。これにより、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２２との間の誘電率が大きくなる。従って、アンテナ導体層２０を伝送される高周波信号の波長が短くなる。その結果、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数が高くなる。そして、第２空孔Ｓｐ２の数や大きさを調整することにより、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数を調整することができる。以上より、アンテナ素子１０ａによれば、アンテナ素子１０ａが送受信できる高周波信号の周波数の設計自由度の高い構造を得ることができる。

【0055】

なお、アンテナ素子１０ａでは、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２４の間に位置する空孔部には高誘電率材料を充填されていない。これにより、アンテナ導体層２０とリファレンス導体層２４との電界結合が小さくなり、アンテナ導体層２０の放射効率が向上する。更に、アンテナ導体層２０が小型化される。

【0056】

また、第１絶縁基材非形成領域Ａ１及び第２絶縁基材非形成領域Ａ２に高誘電率材料が充填されることにより、第１開口Ｏｐ１の外縁Ｅ１及び第２開口Ｏｐ２の外縁Ｅ２の変形が抑制される。

【0057】

（第２変形例）
以下に、第２変形例に係るアンテナ素子１０ｂについて図面を参照しながら説明する。図５は、アンテナ素子１０ｂの絶縁体層１６ａの上面図である。図６は、アンテナ素子１０ｂの断面図である。

【0058】

アンテナ素子１０ｂは、第１開口Ｏｐ１の数及び形状並びに第１絶縁基材非形成領域Ａ１の数及び形状においてアンテナ素子１０と相違する。より詳細には、アンテナ素子１０ｂでは、第１開口Ｏｐ１の数は１個である。第１絶縁基材非形成領域Ａ１の数は１個である。また、第１開口Ｏｐ１は、上下方向に見て、前後方向（第１方向）に延びる帯形状を有している。第１開口Ｏｐ１の前後方向の長さは、アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の波長の約半分の長さである。第１絶縁基材非形成領域Ａ１は、上下方向に見て、前後方向（第１方向）に延びる帯形状を有している。信号導体層６０は、左右方向に延びている。信号導体層６０の右端部は、上下方向に見て、第１開口Ｏｐ１の近傍に位置している。このようなアンテナ素子１０ｂでは、アンテナ導体層２０は、スロットアンテナとして機能する。アンテナ素子１０ｂのその他の構造は、アンテナ素子１０と同様であるので説明を省略する。アンテナ素子１０ｂによれば、アンテナ素子１０と同じ作用効果を奏することができる。

【0059】

（第３変形例）
以下に、第３変形例に係るアンテナ素子１０ｃについて図面を参照しながら説明する。図７は、アンテナ素子１０ｃの断面図である。

【0060】

アンテナ素子１０ｃは、第２開口Ｏｐ２及び第２絶縁基材非形成領域Ａ２が存在しない点においてアンテナ素子１０と相違する。アンテナ素子１０ｃのその他の構造は、アンテナ素子１０と同様であるので説明を省略する。アンテナ素子１０ｃは、アンテナ素子１０と同じ作用効果を奏することができる。

【0061】

（第４変形例）
以下に、第４変形例に係るアンテナ素子１０ｄについて図面を参照しながら説明する。図８は、アンテナ素子１０ｄの断面図である。

【0062】

アンテナ素子１０ｄは、第１カバー層７０ａ及び第２カバー層７０ｂを更に備えている点において、アンテナ素子１０ａと相違する。第１カバー層７０ａは、絶縁基材１２の上主面（第１主面）を覆っている。第１カバー層７０ａの誘電率は、絶縁基材１２の誘電率より大きい。第２カバー層７０ｂは、絶縁基材１２の下主面（第２主面）を覆っている。第２カバー層７０ｂの誘電率は、絶縁基材１２の誘電率より大きい。アンテナ素子１０ｄのその他の構造は、アンテナ素子１０ａと同じである。アンテナ素子１０ｄは、アンテナ素子１０ａと同じ作用効果を奏することができる。

【0063】

また、第１カバー層７０ａは、絶縁基材１２の上主面（第１主面）を覆っている。そのため、アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の波長短縮効果が大きくなる。また、アンテナ導体層２０が第１カバー層７０ａにより保護される。また、第１絶縁基材非形成領域Ａ１及び第２絶縁基材非形成領域Ａ２への材料の充填と第１カバー層７０ａの形成を同時に行うことが可能となる。

【0064】

（第５変形例）
以下に、第５変形例に係るアンテナ素子１０ｅについて図面を参照しながら説明する。図９は、アンテナ素子１０ｅの断面図である。

【0065】

アンテナ素子１０ｅは、第１カバー層７０ａに複数の貫通孔ｈ１が設けられている点及び第２カバー層７０ｂに複数の貫通孔ｈ２が設けられている点に備えている点において、アンテナ素子１０ｄと相違する。上下方向に見て、第１カバー層７０ａにおける１以上の第１開口Ｏｐ１のそれぞれと重なる部分に貫通孔ｈ１が設けられている。貫通孔ｈ１は、第１カバー層７０ａを上下方向に貫通している。貫通孔ｈ１の直径は、第１開口Ｏｐ１の直径より小さい。上下方向に見て、第２カバー層７０ｂにおける１以上の第２開口Ｏｐ２のそれぞれと重なる部分に貫通孔ｈ２が設けられている。貫通孔ｈ２の直径は、第２開口Ｏｐ２の直径より小さい。アンテナ素子１０ｅのその他の構造は、アンテナ素子１０ｄと同様である。アンテナ素子１０ｅは、アンテナ素子１０ｄと同じ作用効果を奏することができる。

【0066】

第１カバー層７０ａに貫通孔ｈ１が設けられているので、第１空孔Ｓｐ１内の空気が出入りできる。従って、リフロー等の温度変化により第１空孔Ｓｐ１内部の空気が膨張又は収縮しても、第１カバー層７０が絶縁基材１２から剥がれにくい。

【0067】

（第６変形例）
以下に、第６変形例に係るアンテナ素子１０ｆについて図面を参照しながら説明する。図１０は、アンテナ素子１０ｆの断面図である。

【0068】

アンテナ素子１０ｆは、第１カバー層７０ａを更に備えている点において、アンテナ素子１０ｃと相違する。第１カバー層７０ａは、絶縁基材１２の上主面（第１主面）を覆っている。第１カバー層７０ａの誘電率は、絶縁基材１２の誘電率より大きい。また、アンテナ素子１０ｆの第１カバー層７０ａの上下方向の厚みは、アンテナ素子１０ｄの第１カバー層７０ａの上下方向の厚みより大きい。アンテナ素子１０ｆのその他の構造は、アンテナ素子１０ｃと同様である。アンテナ素子１０ｆは、アンテナ素子１０ｃと同じ作用効果を奏することができる。

【0069】

また、第１カバー層７０ａは、絶縁基材１２の上主面（第１主面）を覆っている。そのため、アンテナ導体層２０が送受信する高周波信号の波長短縮効果が大きくなる。また、アンテナ導体層２０が第１カバー層７０ａにより保護される。また、第１絶縁基材非形成領域Ａ１及び第２絶縁基材非形成領域Ａ２への材料の充填と第１カバー層７０ａの形成を同時に行うことが可能となる。

【0070】

（第７変形例）
以下に、第７変形例に係るアンテナ素子１０ｇについて図面を参照しながら説明する。図１１は、アンテナ素子１０ｇの絶縁体層１６ａの上面図及び絶縁体層１６ｅの下面図である。

【0071】

アンテナ素子１０ｇは、アンテナ導体層２０及びリファレンス導体層２２がメッシュ構造を有している点において、アンテナ素子１０と相違する。より詳細には、複数の第１開口Ｏｐ１がアンテナ導体層２０に設けられている。複数の第１開口Ｏｐ１は、正三角形状を有している。また、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１が絶縁基材１２に設けられている。そして、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１が繋がっていることにより、複数の第１柱状部５０が絶縁基材１２に設けられている。複数の第１柱状部５０は、上下方向に延びており、かつ、上下方向に見て、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１により囲まれている。

【0072】

複数の第２開口Ｏｐ２がリファレンス導体層２２に設けられている。複数の第２開口Ｏｐ２は、正三角形状を有している。また、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２が絶縁基材１２に設けられている。そして、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２が繋がっていることにより、複数の第２柱状部５２が絶縁基材１２に設けられている。複数の第２柱状部５２は、上下方向に延びており、かつ、上下方向に見て、複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２により囲まれている。アンテナ素子１０ｇのその他の構造は、アンテナ素子１０と同様であるので説明を省略する。アンテナ素子１０ｇは、アンテナ素子１０と同じ作用効果を奏する。

【0073】

（第８変形例）
以下に、第８変形例に係るアンテナ素子１０ｈについて図面を参照しながら説明する。図１２は、アンテナ素子１０ｈの分解斜視図である。

【0074】

アンテナ素子１０ｈは、アンテナ導体層２０ａ，２０ｂがダイポールアンテナである点においてアンテナ素子１０と相違する。従って、アンテナ素子１０ｈは、リファレンス導体層２２を備えていない。アンテナ導体層２０ａ，２０ｂのそれぞれは、絶縁体層１６ａの上主面に設けられている。アンテナ導体層２０ａ，２０ｂは、前後方向に延びる帯形状を有している。アンテナ導体層２０ａには、信号導体層５５ａが接続されている。アンテナ導体層２０ｂには、信号導体層５５ｂが層間接続導体ｖ１１を介して接続されている。

【0075】

アンテナ導体層２０ａ，２０ｂのそれぞれには、複数の第１開口Ｏｐ１が設けられている。また、絶縁体層１６ａには、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１が設けられている。アンテナ素子１０ｈのその他の構造は、アンテナ素子１０と同様であるので説明を省略する。アンテナ素子１０ｈは、アンテナ素子１０と同じ作用効果を奏することができる。

【0076】

（回路基板）
以下に、回路基板２００について図面を参照しながら説明する。図１３は、回路基板２００の背面図である。

【0077】

回路基板２００は、第１区間Ａ１１及び第２区間Ａ１２を有している。第１区間Ａ１１には、アンテナ導体層２０が設けられている。すなわち、第１区間Ａ１１は、アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｈと同じ構造を有している。第２区間Ａ１２には、アンテナ導体層２０が設けられていない。ただし、アンテナ導体層２０に電気的に接続された信号導体層が設けられている。第１区間Ａ１１は、曲がっていない。第２区間Ａ１２は、曲がっている。ただし、第１区間Ａ１１は、曲がっていてもよい。この場合、第１区間Ａ１１の曲率半径は、第２区間Ａ１２の曲率半径より大きい。

【0078】

（その他の変形例）
以下にその他の変形例に係るアンテナ素子の空孔Ｓｐ１ａ～Ｓｐ１ｆについて図面を参照しながら説明する。図１４ないし図２０のそれぞれは、空孔Ｓｐ１ａ～Ｓｐ１ｇの断面図である。

【0079】

図１４に示すように、空孔Ｓｐ１ａの上下方向に直交する方向の最大幅を有する部分は、絶縁体層１６ａの上主面より下に位置してもよい。また、図１５に示すように、空孔Ｓｐ１ｂは、上下が反転した円錐形状を有していてもよい。図１６に示すように、空孔Ｓｐ１ｃは、上下が反転した円錐台形状を有していてもよい。また、図１７に示すように、空孔Ｓｐ１ｄは、複数の絶縁体層１６ａ，１６ｂに形成されていてもよい。また、図１８に示すように、空孔Ｓｐ１ｅは、絶縁体層１６ａの上主面と絶縁体層１６ｄの下主面との間を上下方向に貫通していてもよい。

【0080】

また、図１９に示すように、絶縁体層１６ａと絶縁体層１６ｂとの間に絶縁体層１１６ａが設けられていてもよい。絶縁体層１１６ａの材料は、例えば、フッ素樹脂である。従って、絶縁体層１１６ａは、絶縁体層１６ａよりエッチングにより除去されにくい。従って、空孔Ｓｐ１ｆは、絶縁体層１６ａのみを上下方向に貫通している。また、図２０に示すように、絶縁体層１１６ａに貫通孔Ｈ１２０が形成されていてもよい。この場合、空孔Ｓｐ１ｇは、絶縁体層１６ａ及び絶縁体層１６ｂに形成される。なお、図１９及び図２０の絶縁体層１１６ａの代わりに、エッチングされない導電体層が設けられてもよい。

【0081】

（その他の実施形態）
本発明に係るアンテナ素子は、アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇの構成を任意に組み合わせてもよい。

【0082】

本発明に係るアンテナ素子の製造方法は、アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇの製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。なお、アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇの製造方法の各工程を任意に組み合わせてもよい。

【0083】

アンテナ素子１０ａにおいて、複数の第１絶縁基材非形成領域Ａ１には、絶縁基材１２の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料が設けられてもよい。複数の第２絶縁基材非形成領域Ａ２には、絶縁基材１２の材料の誘電率より低い誘電率を有する低誘電率材料が設けられてもよい。

【0084】

アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、アンテナ導体層２０の上に絶縁体層が設けられてもよい。この絶縁体層は、絶縁基材１２の一部ではない。また、アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、リファレンス導体層２２の下に絶縁体層が設けられてもよい。この絶縁体層は、絶縁基材１２の一部ではない。

【0085】

アンテナ素子１０，１０ａ，１０ｇにおいて、第１開口Ｏｐ１の数、第２開口Ｏｐ２の数、第１絶縁基材非形成領域Ａ１の数、第２絶縁基材非形成領域Ａ２の数、第１空孔Ｓｐ１の数及び第２空孔Ｓｐ２の数は、１以上であればよい。

【0086】

アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、リファレンス導体層２２，２４，２６は、必須の構成ではない。

【0087】

アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、第１開口Ｏｐ１、第１絶縁基材非形成領域Ａ１の数及び第１空孔Ｓｐ１の数は、１以上であればよい。

【0088】

アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、第２開口Ｏｐ２、第２絶縁基材非形成領域Ａ２の数及び第２空孔Ｓｐ２の数は、１以上であればよい。

【0089】

アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、絶縁基材１２は、可撓性を有していなくてもよい。絶縁基材１２の材料は、熱可塑性樹脂以外の材料であってもよい。

【0090】

アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、絶縁体層１６ａ～１６ｅは、絶縁体層１６ａ～１６ｅとは異なる材料の接着剤層により接合されていてもよい。

【0091】

アンテナ素子１０の製造方法において、圧着工程は、第１空孔形成工程及び第２空孔形成工程の後に行われてもよい。

【0092】

アンテナ素子１０，１０ａ～１０ｇにおいて、アンテナ導体層２０が設けられた部分が曲がっていてもよいし、線路部が曲がっていてもよい。

【0093】

なお、第１カバー層７０ａの誘電率及び第２カバー層７０ｂの誘電率は、絶縁基材１２の誘電率より小さくてもよい。

【0094】

なお、絶縁基材１２の上主面の上に絶縁体層１６ａ～１６ｄと同じ材料の層が積層されていてもよい。この場合、この層は、絶縁基材１２の一部ではない。すなわち、アンテナ導体層２０が設けられている絶縁基材１２の上主面より上に積層される層は、絶縁基材１２の一部ではない。

【0095】

なお、アンテナ素子１０ｄにおいて、第１絶縁基材非形成領域Ａ１及び第２絶縁基材非形成領域Ａ２に充填される材料は、第１カバー層７０ａの材料及び第２カバー層７０ｂの材料と異なっていてもよい。

【符号の説明】

【0096】

１：電子機器
１０，１０ａ～１０ｇ：アンテナ素子
１２：絶縁基材
１６ａ～１６ｅ：絶縁体層
２０，２０ａ，２０ｂ：アンテナ導体層
２２，２４，２６：リファレンス導体層
２８：信号導体層
３０：高誘電率材料
３２：高誘電率材料
５０：第１柱状部
５２：第２柱状部
７０ａ：第１カバー層
７０ｂ：第２カバー層
１００：筐体
２００：回路基板
Ａ１：第１絶縁基材非形成領域
Ａ２：第２絶縁基材非形成領域
Ｏｐ１：第１開口
Ｏｐ２：第２開口
Ｓｐ１：第１空孔
Ｓｐ２：第２空孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】