(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-15
(45)【発行日】2024-01-23
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 59/122 20230101AFI20240116BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240116BHJP
G09F 9/302 20060101ALI20240116BHJP
H05B 33/12 20060101ALI20240116BHJP
H10K 50/824 20230101ALI20240116BHJP
H10K 59/121 20230101ALI20240116BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240116BHJP
H10K 59/38 20230101ALI20240116BHJP
【ＦＩ】
H10K59/122
G09F9/30 349C
G09F9/30 365
G09F9/302 C
H05B33/12 B
H10K50/824
H10K59/121
H10K59/35
H10K59/38
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2019178929
(22)【出願日】2019-09-30
(65)【公開番号】P2020061362
(43)【公開日】2020-04-16
【審査請求日】2022-09-28
(31)【優先権主張番号】10-2018-0118903
(32)【優先日】2018-10-05
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】朱 宣 奎
(72)【発明者】
【氏名】呉 根 燦
(72)【発明者】
【氏名】金 炳 哲
(72)【発明者】
【氏名】金 仁 玉
(72)【発明者】
【氏名】李 角 錫
(72)【発明者】
【氏名】張 智 恩
(72)【発明者】
【氏名】宋 仁 錫
(72)【発明者】
【氏名】張 昶 順
【審査官】内村 駿介
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１１－０４０３５２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－０６７５７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１９７９２２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１６－０１２９９３２（ＫＲ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１７２６３４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２７１４２０（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第１０－２０１６－００３５６８５（ＫＲ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１３３２４２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５９／１２２
Ｈ１０Ｋ ５０／８２４
Ｈ１０Ｋ ５９／１２１
Ｈ１０Ｋ ５９／３５
Ｈ１０Ｋ ５９／３８
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｇ０９Ｆ ９／３０２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１ベース層と、前記第１ベース層上に配置された回路素子層と、
前記回路素子層上に配置され、それぞれ離隔されて複数の発光領域を定義する複数の発光開口部を含む画素定義膜と、
前記第１ベース層から離隔されて互いに対向する第２ベース層と、
前記第２ベース層下に配置され、前記複数の発光領域に各々重畳する複数の開口部を含む遮光層と、を備え、
前記第１ベース層の平面上で、前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第１～第３開口部の形状は、それぞれ異なり、
前記第２開口部は、互いに線対称である前記第１開口部と前記第３開口部との間に配置され、
前記平面上で、前記第２開口部の面積は、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々の面積よりも大きいか又は小さく、
前記平面上で、前記第２開口部は、長方形状を有する開口領域、又は中心軸を基準として線対称であり各々が等脚台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え、
前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が平行四辺形状又は台形状を有する第３開口領域及び第４開口領域を備え、
前記平面上で、前記第１開口部と前記第３開口部とは、線対称であり、
前記画素定義膜は、前記第１～第３開口部と前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第４～第６開口部との間に前記遮光層に重畳する貫通ホールを更に含み、
前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、少なくとも一開口領域が前記貫通ホールに更に隣接し、
前記貫通ホールに隣接する発光領域から発光される光は、ブルー、レッド、グリーンからなる第１～第３色の中の２色以上の組合せで出力され、
前記平面上で、前記第１～第３開口部のうち、前記第２開口部の左側に配置された前記第１開口部の面積と前記第２開口部の右側に配置された前記第３開口部の面積とは、同じであり、前記第２開口部の面積と前記第１開口部の面積及び前記第３開口部の面積とは、異なることを特徴とする表示装置。
【請求項2】
前記平面上で、前記複数の発光領域の各々の面積は、前記複数の開口部の中のいずれか１つの面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記回路素子層上に配置され、前記発光開口部によって一部分が各々露出する複数の第１電極と、前記第１電極上に配置された発光層と、
前記発光層をカバーして前記画素定義膜上に配置された第２電極と、を更に含み、
前記第２電極は、前記遮光層に重畳する前記貫通ホールを通じて前記回路素子層に電気的に連結されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項4】
前記回路素子層上に配置され、前記発光開口部によって一部分が各々露出する複数の第１電極と、前記第１電極上に配置された発光層と、
前記発光層をカバーして前記画素定義膜上に配置された第２電極と、を更に含み、
前記回路素子層は、
前記第１ベース層上に配置され、前記発光層に電気的に各々連結される複数のトランジスタと、
前記第１ベース層上に配置され、前記貫通ホールを通じて前記第２電極に電気的に連結されるダミートランジスタと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項5】
前記第１～第３開口部の形状は、前記第４～第６開口部の形状に各々対応することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項6】
第１ベース層と、前記第１ベース層上に配置された回路素子層と、
前記回路素子層に電気的に連結されて複数の発光領域を含む表示素子層と、
前記第１ベース層から離隔されて互いに対向する第２ベース層と、
前記第２ベース層下に配置され、前記複数の発光領域に各々重畳する複数の開口部を含む遮光層と、を備え、
前記第１ベース層の平面上で、前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第１～第３開口部の形状は、それぞれ異なり、
前記第２開口部は、互いに線対称である前記第１開口部と前記第３開口部との間に配置され、
前記平面上で、前記第２開口部の面積は、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々の面積よりも大きいか又は小さく、
前記平面上で、前記第２開口部は、長方形状を有する開口領域、又は中心軸を基準として線対称であり各々が等脚台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え、
前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が平行四辺形状又は台形状を有する第３開口領域及び第４開口領域を備え、
前記平面上で、前記第１開口部と前記第３開口部とは、線対称であり、
前記表示素子層は、前記第１～第３開口部と前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第４～第６開口部との間に前記遮光層に重畳する貫通ホールを更に含み、
前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、少なくとも一開口領域が前記貫通ホールに更に隣接し、
前記貫通ホールに隣接する発光領域から発光される光は、ブルー、レッド、グリーンからなる第１～第３色の中の２色以上の組合せで出力され、
前記平面上で、前記第１～第３開口部のうち、前記第２開口部の左側に配置された前記第１開口部の面積と前記第２開口部の右側に配置された前記第３開口部の面積とは、同じであり、前記第２開口部の面積と前記第１開口部の面積及び前記第３開口部の面積とは、異なることを特徴とする表示装置。
【請求項7】
前記複数の発光領域は、第１行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第１貫通ホールを介して離隔された第１発光グループ及び第２発光グループと、
第２行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第２貫通ホールを介して離隔された第３発光グループ及び第４発光グループと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項8】
前記第１～第４発光グループの各々は、複数のサブ発光領域を含み、前記第２発光グループに最も隣接する前記第１発光グループのサブ発光領域は、第１色の光を発光し、
前記第１発光グループに最も隣接する前記第２発光グループのサブ発光領域は、第２色の光を発光し、
前記第４発光グループに最も隣接する前記第３発光グループのサブ発光領域は、前記第２色の光を発光し、
前記第３発光グループに最も隣接する前記第４発光グループのサブ発光領域は、前記第１色の光を発光することを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項9】
前記複数の発光領域は、第３行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第３貫通ホールを介して離隔された第５発光グループ及び第６発光グループを更に含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項10】
前記第１～第６発光グループの各々は、複数のサブ発光領域を含み、前記第２発光グループに最も隣接する前記第１発光グループのサブ発光領域は、第１色の光を発光し、
前記第１発光グループに最も隣接する前記第２発光グループのサブ発光領域は、第２色の光を発光し、
前記第４発光グループに最も隣接する前記第３発光グループのサブ発光領域は、第３色の光を発光し、
前記第３発光グループに最も隣接する前記第４発光グループのサブ発光領域は、前記第１色の光を発光し、
前記第６発光グループに最も隣接する前記第５発光グループのサブ発光領域は、前記第２色の光を発光し、
前記第５発光グループに最も隣接する前記第６発光グループのサブ発光領域は、前記第３色の光を発光することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項11】
前記回路素子層は、前記第１ベース層上に配置され、前記表示素子層に電気的に各々連結される複数のトランジスタと、
前記第１ベース層上に配置され、前記第１及び第２貫通ホールを通じて前記表示素子層に電気的に各々連結される第１ダミートランジスタ及び第２ダミートランジスタと、を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項12】
前記複数の発光領域は、第１行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第１貫通ホールを介して離隔された第１発光グループ及び第２発光グループと、
第２行に沿って配列された第３発光グループ及び第４発光グループと、
第３行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第２貫通ホールを介して離隔された第５発光グループ及び第６発光グループと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に係り、より詳細には、視認性を向上させた表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
最近の表示装置には、液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機発光等の表示装置がある。この中で、液晶表示装置は、半導体工程を利用するため、大画面化が難しく、バックライトユニットの使用によって消費電力が大きい。また、液晶表示装置は、偏光フィルター、プリズムシート、拡散板等の光学部材によって光損失が多く、視野角が狭い特性がある。
【0003】
これに比べて、有機発光表示装置は、自ら発光する自発光素子として応答速度が速く、軽量薄形に製造することが可能である。また、有機発光表示装置は、発光効率、輝度、及び視野角が大きい長所がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】米国特許第９，８１７，２６４号明細書
【文献】米国特許第９，７９８，１９９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、視認性を向上させ、光漏れを減少させた表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、第１ベース層と、前記第１ベース層上に配置された回路素子層と、前記回路素子層上に配置され、それぞれ離隔されて複数の発光領域を定義する複数の発光開口部を含む画素定義膜と、前記第１ベース層から離隔されて互いに対向する第２ベース層と、前記第２ベース層下に配置され、前記複数の発光領域に各々重畳する複数の開口部を含む遮光層と、を備え、前記第１ベース層の平面上で、前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第１～第３開口部の形状は、それぞれ異なる。
【0007】
前記平面上で、前記複数の発光領域の各々の面積は、前記複数の開口部の中のいずれか１つの面積よりも小さくあり得る。
前記第２開口部は、前記第１開口部と前記第３開口部との間に配置され、前記平面上で、前記第２開口部の面積は、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々の面積よりも大きくあり得る。
前記平面上で、前記第２開口部は、中心軸を基準として線対称であり、各々が等辺台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が平行四辺形状を有する第３開口領域及び第４開口領域を備え得る。
前記平面上で、前記第２開口部は、長方形状を有する開口領域を備え、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え得る。
前記平面上で、前記第１開口部と前記第３開口部とは、線対称であり得る。
前記第２開口部は、互いに線対称である前記第１開口部と前記第３開口部との間に配置され、前記平面上で、前記第２開口部の面積は、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々の面積よりも小さくあり得る。
前記平面上で、前記第２開口部は、長方形状を有する開口領域を備え、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え得る。
前記画素定義膜は、前記第１～第３開口部と前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第４～第６開口部との間に重畳する貫通ホールを更に含み得る。
前記表示装置は、前記回路素子層上に配置され、前記発光開口部によって一部分が各々露出する複数の第１電極と、前記第１電極上に配置された発光層と、前記発光層をカバーして前記画素定義膜上に配置された第２電極と、を更に含み、前記第２電極は、前記遮光層に重畳する前記貫通ホールを通じて前記回路素子層に電気的に連結され得る。
前記表示装置は、前記回路素子層上に配置され、前記発光開口部によって一部分が各々露出する複数の第１電極と、前記第１電極上に配置された発光層と、前記発光層をカバーして前記画素定義膜上に配置された第２電極と、を更に含み、前記回路素子層は、前記第１ベース層上に配置され、前記有機発光層に電気的に各々連結される複数のトランジスタと、前記第１ベース層上に配置され、前記貫通ホールを通じて前記第２電極に電気的に連結されるダミートランジスタと、を含み得る。
前記第１～第３開口部の形状は、前記第４～第６開口部の形状に各々対応し得る。
前記第２開口部は、前記第１開口部と前記第３開口部との間に配置され、前記平面上で、前記第２開口部の面積は、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々の面積よりも大きくあり得る。
前記平面上で、前記第２開口部は、中心軸を基準として線対称であり、各々が等辺台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が平行四辺形状を有する第３開口領域及び第４開口領域を備え得る。
前記平面上で、前記第２開口部は、長方形状を有する開口領域を備え、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え得る。
前記平面上で、前記第１開口部と前記第３開口部とは、線対称であり得る。
前記第２開口部は、互いに線対称である前記第１開口部と前記第３開口部との間に配置され、前記平面上で、前記第２開口部の面積は、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々の面積よりも小さくあり得る。
前記平面上で、前記第２開口部は、長方形状を有する開口領域を備え、前記第１開口部及び前記第３開口部の各々は、中心軸を基準として線対称であり、各々が台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備え得る。
前記画素定義膜は、前記第１～第３開口部と前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第４～第６開口部との間に重畳する貫通ホールを更に含み得る。
前記表示装置は、前記回路素子層上に配置され、前記発光開口部によって一部分が各々露出する複数の第１電極と、前記第１電極上に配置された発光層と、前記発光層をカバーして前記画素定義膜上に配置された第２電極と、を更に含み、前記第２電極は、前記遮光層に重畳する前記貫通ホールを通じて前記回路素子層に電気的に連結され得る。
前記表示装置は、前記回路素子層上に配置され、前記発光開口部によって一部分が各々露出する複数の第１電極と、前記第１電極上に配置された発光層と、前記発光層をカバーして前記画素定義膜上に配置された第２電極と、を更に含み、前記回路素子層は、前記第１ベース層上に配置され、前記有機発光層に電気的に各々連結される複数のトランジスタと、前記第１ベース層上に配置され、前記貫通ホールを通じて前記第２電極に電気的に連結されるダミートランジスタと、を含み得る。
前記第１～第３開口部の形状は、前記第４～第６開口部の形状に各々対応し得る。
【0008】
上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による表示装置は、第１ベース層と、前記第１ベース層上に配置された回路素子層と、前記回路素子層に電気的に連結されて複数の発光領域を含む表示素子層と、前記第１ベース層から離隔されて互いに対向する第２ベース層と、前記第２ベース層下に配置され、前記複数の発光領域に各々重畳する複数の開口部を含む遮光層と、を備え、前記第１ベース層の平面上で、前記複数の開口部の中の一方向に沿って連続する第１～第３開口部の形状は、それぞれ異なる。
【0009】
前記複数の発光領域は、第１行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第１貫通ホールを介して離隔された第１発光グループ及び第２発光グループと、第２行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第２貫通ホールを介して離隔された第３発光グループ及び第４発光グループと、を含み得る。
前記第１～第４発光グループの各々は、複数のサブ発光領域を含み、前記第２発光グループに最も隣接する前記第１発光グループのサブ発光領域は、第１色の光を発光し、前記第１発光グループに最も隣接する前記第２発光グループのサブ発光領域は、第２色の光を発光し、前記第４発光グループに最も隣接する前記第３発光グループのサブ発光領域は、前記第２色の光を発光し、前記第３発光グループに最も隣接する前記第４発光グループのサブ発光領域は、前記第１色の光を発光し得る。
前記複数の発光領域は、第３行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第３貫通ホールを介して離隔された第５発光グループ及び第６発光グループを更に含み得る。
前記第１～第６発光グループの各々は、複数のサブ発光領域を含み、前記第２発光グループに最も隣接する前記第１発光グループのサブ発光領域は、第１色の光を発光し、前記第１発光グループに最も隣接する前記第２発光グループのサブ発光領域は、第２色の光を発光し、前記第４発光グループに最も隣接する前記第３発光グループのサブ発光領域は、第３色の光を発光し、前記第３発光グループに最も隣接する前記第４発光グループのサブ発光領域は、前記第１色の光を発光し、前記第６発光グループに最も隣接する前記第５発光グループのサブ発光領域は、前記第２色の光を発光し、前記第５発光グループに最も隣接する前記第６発光グループのサブ発光領域は、前記第３色の光を発光し得る。
前記回路素子層は、前記第１ベース層上に配置され、前記表示素子層に電気的に各々連結される複数のトランジスタと、前記第１ベース層上に配置され、前記第１及び第２貫通ホールを通じて前記表示素子層に電気的に各々連結される第１ダミートランジスタ及び第２ダミートランジスタと、を含み得る。
前記複数の発光領域は、第１行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第１貫通ホールを介して離隔された第１発光グループ及び第２発光グループと、第２行に沿って配列された第３発光グループ及び第４発光グループと、第３行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第２貫通ホールを介して離隔された第５発光グループ及び第６発光グループと、を含み得る。
前記第１～第４発光グループの各々は、複数のサブ発光領域を含み、前記第２発光グループに最も隣接する前記第１発光グループのサブ発光領域は、第１色の光を発光し、前記第１発光グループに最も隣接する前記第２発光グループのサブ発光領域は、第２色の光を発光し、前記第４発光グループに最も隣接する前記第３発光グループのサブ発光領域は、前記第２色の光を発光し、前記第３発光グループに最も隣接する前記第４発光グループのサブ発光領域は、前記第１色の光を発光し得る。
前記複数の発光領域は、第３行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第３貫通ホールを介して離隔された第５発光グループ及び第６発光グループを更に含み得る。
前記第１～第６発光グループの各々は、複数のサブ発光領域を含み、前記第２発光グループに最も隣接する前記第１発光グループのサブ発光領域は、第１色の光を発光し、前記第１発光グループに最も隣接する前記第２発光グループのサブ発光領域は、第２色の光を発光し、前記第４発光グループに最も隣接する前記第３発光グループのサブ発光領域は、第３色の光を発光し、前記第３発光グループに最も隣接する前記第４発光グループのサブ発光領域は、前記第１色の光を発光し、前記第６発光グループに最も隣接する前記第５発光グループのサブ発光領域は、前記第２色の光を発光し、前記第５発光グループに最も隣接する前記第６発光グループのサブ発光領域は、前記第３色の光を発光し得る。
前記回路素子層は、前記第１ベース層上に配置され、前記表示素子層に電気的に各々連結される複数のトランジスタと、前記第１ベース層上に配置され、前記第１及び第２貫通ホールを通じて前記表示素子層に電気的に各々連結される第１ダミートランジスタ及び第２ダミートランジスタと、を含み得る。
前記複数の発光領域は、第１行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第１貫通ホールを介して離隔された第１発光グループ及び第２発光グループと、第２行に沿って配列された第３発光グループ及び第４発光グループと、第３行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第２貫通ホールを介して離隔された第５発光グループ及び第６発光グループと、を含み得る。
【0010】
上記目的を達成するためになされた本発明の更に他の態様による表示装置は、第１ベース層と、前記第１ベース層上に配置された回路素子層と、前記回路素子層に電気的に連結されて複数の発光領域を含む表示素子層と、前記第１ベース層から離隔されて互いに対向する第２ベース層と、前記第２ベース層下に配置され、前記複数の発光領域に各々重畳する複数の開口部を含む遮光層と、を備え、前記複数の発光領域は、第１行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第１貫通ホールを介して離隔された第１発光グループ及び第２発光グループと、第２行に沿って配列され、前記表示素子層及び前記回路素子層の一部を貫通する第２貫通ホールを介して離隔された第３発光グループ及び第４発光グループと、を含む。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、第２ベース層下に配置された遮光層に含まれる開口部の形状をそれぞれ異なるように提供することによって、表示装置の全般的な開口率を向上させることができる。その結果、表示装置の全般的な視認性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施形態による表示装置の斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。
【図3】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図4A】本発明の一実施形態による表示パネルの平面図である。
【図4B】本発明の一実施形態による画素の等価回路図である。
【図4C】本発明の一実施形態による表示パネルの部分断面図である。
【図5】本発明の一実施形態による画素の第１例の平面図である。
【図6】本発明の一実施形態による画素の第１例の平面図である。
【図8A】本発明の一実施形態による画素の第２例の平面図である。
【図8B】本発明の一実施形態による画素の第３例の平面図である。
【図8C】本発明の一実施形態による画素の第４例の平面図である。
【図9】本発明の他の実施形態による画素に含まれる発光領域の構造の第１例を示す平面図である。
【図10】本発明の他の実施形態による画素に含まれる発光領域の構造の第２例を示す平面図である。
【図11】本発明の他の実施形態による画素に含まれる発光領域の構造の第３例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
本明細書で、ある構成要素（又は領域、層、部分等）が他の構成要素“上にある”、“連結される”、又は“結合される”と言及する場合に、それは他の構成要素上に直接配置／連結／結合されるか、或いはこれらの間に第３の構成要素が配置されることを意味する。
【0014】
同一の図面符号は同一の構成要素を指称する。また、図面において、構成要素の厚さ、比率、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されたものである。
【0015】
“及び／又は”は関連する構成が定義される１つ以上の組合せを全て含む。
【0016】
第１、第２等の用語は、多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱せずに、第１構成要素は第２構成要素と称され、同様に第２構成要素も第１構成要素と称される。単数の表現は、文脈上に明確に異なって表現しない限り、複数の表現を含む。
【0017】
また、“下に”、“下側に”、“上に”、“上側に”等の用語は図面に示した構成の関連関係を説明するために使用される。用語は相対的な概念として図面に示した方向を基準として説明する。
【0018】
異なって定義しない限り、本明細書で使用する全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は本発明が属する技術分野で当業者によって一般的に理解される同一の意味を有する。また、一般的に使用される辞典で定義された用語と同一の用語は関連技術の脈絡の意味に一致する意味を有するものと解釈しなければならず、理想的又は過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。
【0019】
“含む”等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組合せたものが存在することを表現しようするものであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品、又はこれらを組合せたものの存在又は付加可能性を予め排除しないものとして理解すべきである。
【0020】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
【0021】
【0022】
図１を参照すると、表示装置ＤＤは表示領域ＤＡを通じてイメージを表示する。図１では、表示領域ＤＡが第１方向ＤＲ１及び第１方向ＤＲ１に交差する第２方向ＤＲ２で定義される面に提供されることを例示的に示した。しかし、本発明の他の実施形態で表示装置の表示領域は曲がった面に提供される。また、図１には示していないが、他の例によると、表示装置ＤＤは表示領域ＤＡに隣接する非表示領域を更に含み、非表示領域は映像が視認されない領域である。非表示領域は表示領域ＤＡの一領域に隣接するように配置されるか又は表示領域ＤＡを囲む。
【0023】
表示装置ＤＤの厚さ方向は第３方向ＤＲ３で示される。第１～第３方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）で示される方向は相対的な概念として異なる方向に変換され得る。本明細書内で、“平面視で見た時又は平面上で”の意味は第３方向ＤＲ３から見る場合を意味する。また、“厚さ方向”は第３方向ＤＲ３である。
【0024】
図１では、表示装置ＤＤがテレビジョンであることを例示的に示した。しかし、表示装置ＤＤは、モニター、又は外部広告板のような大型電子装置を始めとして、パーソナルコンピュータ、ノート型コンピュータ、個人デジタル端末機、自動車ナビゲーションユニット、ゲーム機、スマートフォン、タブレット、及びカメラのような中小型電子装置等に使用され得る。また、これらは単なる一実施形態として提示したものであって、本発明の概念から逸脱しない限り、他の電子機器にも採用され得る。
【0025】
図２を参照すると、表示装置ＤＤは、表示パネルＤＰ、信号制御回路ＴＣ、データ駆動回路ＤＤＶ、及びスキャン駆動回路ＧＤＶを含む。信号制御回路ＴＣ、データ駆動回路ＤＤＶ、及びスキャン駆動回路ＧＤＶの各々は複数の回路を含み得る。
【0026】
表示パネルＤＰは、複数のデータライン（ＤＬ１～ＤＬｍ）、複数のスキャンライン（ＳＬ１～ＳＬｎ）、及び複数の画素ＰＸを含む。
【0027】
複数のデータライン（ＤＬ１～ＤＬｍ）は、第２方向ＤＲ２に延長され、第２方向ＤＲ２に交差する第１方向ＤＲ１に沿って配列される。複数のスキャンライン（ＳＬ１～ＳＬｎ）は、第１方向ＤＲ１に延長され、第２方向ＤＲ２に沿って配列される。
【0028】
画素ＰＸの各々は発光素子及び発光素子に電気的に連結される画素回路を含み得る。画素回路は複数のトランジスタを含み得る。第１電源電圧ＥＬＶＤＤ及び第２電源電圧ＥＬＶＳＳは画素ＰＸの各々に提供される。
【0029】
画素ＰＸは表示パネルＤＰの平面上で一定の規則に配置される。画素ＰＸの各々は主要色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）の中の１つ又は混合色の中の１つを表示する。主要色は、レッド、グリーン、及びブルーを含み、混合色は、イエロー、シアン、マゼンタ、及びホワイト等の多様な色相を含む。但し、画素ＰＸが表示する色相がこれに制限されるものではない。
【0030】
信号制御回路ＴＣは外部から提供される映像データＲＧＢを受信する。信号制御回路ＴＣは、映像データＲＧＢを表示パネルＤＰの動作に合わせて変換して変換映像データＲ’Ｇ’Ｂ’を生成し、変換映像データＲ’Ｇ’Ｂ’をデータ駆動回路ＤＤＶに出力する。
【0031】
信号制御回路ＴＣは外部から提供される制御信号ＣＳを受信する。制御信号ＣＳは、垂直同期信号、水平同期信号、メインクロック信号、データイネーブル信号等を含む。信号制御回路ＴＣは、第１制御信号ＣＯＮＴ１をデータ駆動回路ＤＤＶに提供し、第２制御信号ＣＯＮＴ２をスキャン駆動回路ＧＤＶに提供する。第１制御信号ＣＯＮＴ１はデータ駆動回路ＤＤＶを制御するための信号であり、第２制御信号ＣＯＮＴ２はスキャン駆動回路ＧＤＶを制御するための信号である。
【0032】
データ駆動回路ＤＤＶは信号制御回路ＴＣから受信した第１制御信号ＣＯＮＴ１に応答して複数のデータライン（ＤＬ１～ＤＬｍ）を駆動する。データ駆動回路ＤＤＶは、独立する集積回路で具現されて表示パネルＤＰの一側に電気的に連結されるか、或いは表示パネルＤＰ上に直接実装される。また、データ駆動回路ＤＤＶは単一チップで具現されるか又は複数のチップを含む。
【0033】
スキャン駆動回路ＧＤＶは表示パネルＤＰの所定領域に集積され得る。例えば、ゲート駆動回路ＧＤＣは、画素ＰＸの画素回路と同一の工程、例えばＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程又はＬＴＰＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ）工程を通じて形成された複数の薄膜トランジスタを含む。また、スキャン駆動回路ＧＤＶは独立する集積回路チップで具現されて表示パネルＤＰの一側に電気的に連結され得る。
【0034】
図３は、本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。図４Ａは、本発明の一実施形態による表示パネルの平面図である。図４Ｂは、本発明の一実施形態による画素の等価回路図である。図４Ｃは、本発明の一実施形態による表示パネルの部分断面図である。
【0035】
図３を参照すると、表示モジュールＤＭは表示パネルＤＰと入力感知ユニットＴＳ（又はタッチ感知ユニット）を含む。本発明によると、表示モジュールＤＭが入力感知ユニットＴＳを含むものとして説明したが、入力感知ユニットＴＳは省略され得る。
【0036】
表示パネルＤＰは、有機発光表示パネルであるが、特別に制限されない。例えば、表示パネルＤＰは有機発光表示パネル又はカンタムドット発光表示パネル（ａｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏｔ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）である。有機発光表示パネルは発光層が有機発光物質を含む。カンタムドット発光表示パネルは発光層がカンタムドット及びカンタムロードを含む。以下、本発明による表示パネルＤＰは有機発光表示パネルであるものとして説明する。
【0037】
表示パネルＤＰは、第１ベース層ＳＵＢ１、第１ベース層ＳＵＢ１上に配置された回路素子層ＤＰ－ＣＬ、表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤ、及び絶縁層ＴＦＬを含む。入力感知ユニットＴＳは絶縁層ＴＦＬ上に直接配置される。本明細書で、“Ａ構成がＢ構成上に直接配置される”ということはＡ構成とＢ構成との間に接着層が配置されないことを意味する。
【0038】
第１ベース層ＳＵＢ１は少なくとも１つのプラスチックフィルムを含む。第１ベース層ＳＵＢ１は、フレキシブルな基板にプラスチック基板、ガラス基板、メタル基板、有機／無機複合材料基板等を含む。図１を参照して説明した表示領域ＤＡは第１ベース層ＳＵＢ１として定義された表示領域ＤＭ－ＤＡに対応する。また、図１には示していないが、表示装置ＤＤは表示領域ＤＡに隣接する非表示領域を含み得る。図３に示したように、第１ベース層ＳＵＢ１に非表示領域ＤＭ－ＮＤＡが定義され、非表示領域ＤＭ－ＮＤＡは表示領域ＤＭ－ＤＡの一側に隣接するか又は表示領域ＤＭ－ＤＡを囲む。他の例として、非表示領域ＤＭ－ＮＤＡは省略され得る。
【0039】
回路素子層ＤＰ－ＣＬは少なくとも１つの中間絶縁層及び回路素子を含む。中間絶縁層は少なくとも１つの中間無機膜及び少なくとも１つの中間有機膜を含む。回路素子は、信号ライン、画素の駆動回路等を含む。
【0040】
表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは複数の有機発光ダイオードを含む。表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは画素定義膜のような有機膜を更に含み得る。
【0041】
絶縁層ＴＦＬは表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤを密封する。一例として、絶縁層ＴＦＬは薄膜封止層である。絶縁層ＴＦＬは、水分、酸素、ほこり粒子のような異物質から表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤを保護する。一方、図３に示したように、絶縁層ＴＦＬは、表示領域ＤＭ－ＤＡ及び非表示領域ＤＭ－ＮＤＡに各々重畳するものとして示したが、これに限定されず、非表示領域ＤＭ－ＮＤＡに重畳しなくてもよい。
【0042】
【0043】
表示パネルＤＰは、スキャン駆動回路ＧＤＶ、複数の信号ラインＳＧＬ、複数の画素ＰＸ、及び複数の駆動パッドＰＤを含む。複数の画素ＰＸが配置された領域は表示領域ＤＡとして定義される。スキャン駆動回路ＧＤＶ、複数の信号ラインＳＧＬ、及び画素駆動回路は図３に示した回路素子層ＤＰ－ＣＬに含まれる。
【0044】
スキャン駆動回路ＧＤＶは、複数のスキャン信号を生成し、複数のスキャン信号を複数のスキャンライン（ＳＬ１～ＳＬｎ）（図２参照）に順次的に出力する。スキャン駆動回路ＧＤＶは画素ＰＸの駆動回路にその他の制御信号を更に出力する。
【0045】
信号ラインＳＧＬは、スキャンラインＳＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び制御信号ラインＣＳＬを含む。スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬは図２を通じて示したスキャンライン（ＳＬ１～ＳＬｎ）及びデータライン（ＤＬ１～ＤＬｍ）に対応する。
【0046】
スキャンラインＳＬは複数の画素ＰＸの中の対応する画素ＰＸに各々連結され、データラインＤＬは複数の画素ＰＸの中の対応する画素ＰＸに各々連結される。電源ラインＰＬは複数の画素ＰＸに連結される。また、スキャンラインＳＬが連結されたスキャン駆動回路ＧＤＶが非表示領域ＮＤＡに配置される。制御信号ラインＣＳＬはスキャン駆動回路ＧＤＶに制御信号を提供する。
【0047】
スキャンラインＳＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び制御信号ラインＣＳＬの中の一部は同一の層に配置され、一部は他の層に配置される。スキャンラインＳＬ、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び制御信号ラインＣＳＬの中のいずれか１つの層に配置された信号ラインが第１信号ラインとして定義される場合、他の１つの層に配置された信号ラインは第２信号ラインとして定義される。それ以外の他の１つの層に配置された信号ラインは第３信号ラインとして定義される。
【0048】
表示パネルＤＰは、データラインＤＬ、電源ラインＰＬ、及び制御信号ラインＣＳＬに電気的に連結される複数の駆動パッドＰＤを含む。駆動パッドＰＤは非表示領域ＮＤＡに重畳する。
【0049】
図４Ｂには、いずれか１つのスキャンラインＳＬ、いずれか１つのデータラインＤＬ、及び電源ラインＰＬに連結された画素ＰＸを例示的に示した。画素ＰＸの構成は、これに制限されず、変形されて実施され得る。
【0050】
本発明によると、画素ＰＸは、有機発光素子ＥＤ、第１電極ＡＥ、第２電極ＣＥ、及び画素回路ＰＸＣを含む。画素ＰＸは表示素子として有機発光素子ＥＤを含む。
【0051】
有機発光素子ＥＤ、第１電極ＡＥ、及び第２電極ＣＥは図３に示した表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤに含まれる。有機発光素子ＥＤは前面発光形ダイオードであるか又は背面発光形ダイオードである。
【0052】
画素回路ＰＸＣは、有機発光素子ＥＤを駆動するための回路部として第１トランジスタＴ１（又はスイッチングトランジスタ）、第２トランジスタＴ２（又は駆動トランジスタ）、及びキャパシターＣａｐを含む。画素回路ＰＸＣは図３に示した回路素子層ＤＰ－ＣＬに含まれる。
【0053】
有機発光素子ＥＤは第１及び第２トランジスタ（Ｔ１、Ｔ２）から提供される電気的信号によって光を生成する。
【0054】
第１トランジスタＴ１はスキャンラインＳＬに印加された走査信号に応答してデータラインＤＬに印加されたデータ信号を出力する。キャパシターＣａｐは第１トランジスタＴ１から受信したデータ信号に対応する電圧を充電する。第１電源電圧ＥＬＶＤＤは第２トランジスタＴ２を通じて第１電極ＡＥに提供され、第２電源電圧ＥＬＶＳＳは第２電極ＣＥに提供される。第２電源電圧ＥＬＶＳＳは第１電源電圧ＥＬＶＤＤよりも低い電圧である。
【0055】
第２トランジスタＴ２は第１電極ＡＥを通じて有機発光素子ＥＤに電気的に連結される。第２トランジスタＴＲ２はキャパシターＣａｐに格納された電圧に対応して有機発光素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する。有機発光素子ＥＤは第２トランジスタＴ２のターンオン区間の間に発光する。
【0056】
図４Ｃは、図４Ｂに示した等価回路に対応する表示パネルＤＰの部分断面図である。第１ベース層ＳＵＢ１上に、回路素子層ＤＰ－ＣＬ、表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤ、絶縁層ＴＦＬ、及び第２ベース層ＳＵＢ２が順次的に配置される。
【0057】
回路素子層ＤＰ－ＣＬは少なくとも１つの絶縁層及び回路素子を含む。回路素子は、信号ライン、画素の駆動回路等を含む。コーティング、蒸着等による絶縁層、半導体層、及び導電層の形成工程と、フォトリソグラフィー工程による絶縁層、半導体層、及び導電層のパターニング工程を通じて回路素子層ＤＰ－ＣＬが形成される。
【0058】
回路素子層ＤＰ－ＣＬは、無機膜であるバッファ膜ＢＦＬ、第１中間無機膜１０、及び第２中間無機膜２０を含み、有機膜である中間有機膜３０を含む。バッファ膜ＢＦＬは積層された複数の無機膜を含み得る。図４Ｃには、第１トランジスタＴ１及び第２トランジスタＴ２を構成する第１半導体パターンＯＳＰ１、第２半導体パターンＯＳＰ２、第１制御電極ＧＥ１、第２制御電極ＧＥ２、第１入力電極ＤＥ１、第１出力電極ＳＥ１、第２入力電極ＤＥ２、第２出力電極ＳＥ２の配置関係を例示的に示している。第１～第４貫通ホール（ＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３、ＣＨ４）もやはり例示的に示している。
【0059】
表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは有機発光素子ＥＤを含む。表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは画素定義膜ＰＤＬを含む。例えば、画素定義膜ＰＤＬは有機層である。
【0060】
中間有機膜３０上に第１電極ＡＥが配置される。第１電極ＡＥは中間有機膜３０を貫通する第５貫通ホールＣＨ５を通じて第２出力電極ＳＥ２に連結される。画素定義膜ＰＤＬには発光開口部ＯＭが定義される。画素定義膜ＰＤＬの発光開口部ＯＭは第１電極ＡＥの少なくとも一部分を露出させる。
【0061】
図示していないが、画素定義膜ＰＤＬの上面の上には画素定義膜ＰＤＬの一部分に重畳するスペーサーが配置され得る。スペーサーは、画素定義膜ＰＤＬと一体の形状であるか、或いは追加工程によって形成された絶縁構造物である。
【0062】
本実施形態によると、画素定義膜ＰＤＬは複数の発光領域ＥＡを定義する複数の発光開口部ＯＭを含む。図４Ｃに示したように、表示パネルＤＰは発光領域ＥＡと、発光領域ＥＡに隣接する非発光領域ＮＥＡを含む。非発光領域ＮＥＡは発光領域ＥＡを囲む。本実施形態で、発光領域ＥＡは発光開口部ＯＭによって露出された第１電極ＡＥの一部分に対応するように定義される。
【0063】
正孔制御層ＨＣＬは発光領域ＥＡと非発光領域ＮＥＡとに共通に配置される。正孔制御層ＨＣＬは、正孔輸送層を含み、正孔注入層を更に含む。正孔制御層ＨＣＬ上に発光層ＥＭＬが配置される。発光層ＥＭＬは発光開口部ＯＭに対応する領域に配置される。即ち、発光層ＥＭＬは画素の各々に分離されて形成される。発光層ＥＭＬは有機物質及び／又は無機物質を含む。発光層ＥＭＬは所定の有色カラー光を生成する。
【0064】
発光層ＥＭＬ上に電子制御層ＥＣＬが配置される。電子制御層ＥＣＬは、電子輸送層を含み、電子注入層を更に含む。正孔制御層ＨＣＬ及び電子制御層ＥＣＬはオープンマスクを利用して複数の画素に共通に形成される。電子制御層ＥＣＬ上に第２電極ＣＥが配置される。第２電極ＣＥは、一体の形状を有し、複数の画素の各々に含まれる電子制御層ＥＣＬ上に共通的に配置される。
【0065】
第２電極ＣＥ上に絶縁層ＴＦＬが配置される。絶縁層ＴＦＬは単一封止層で提供されるか又は複数の薄膜で提供される。
【0066】
第２ベース層ＳＵＢ２は絶縁層ＴＦＬ上に配置される。第２ベース層ＳＵＢ２は第１ベース層ＳＵＢ１から離隔されて第３方向ＤＲ３に対向する。
【0067】
遮光層ＢＭは第２ベース層ＳＵＢ２下に配置される。図４Ｃには、遮光層ＢＭが表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤに更に隣接する第２ベース層ＳＵＢ２の下面に配置されたものとして示したが、これに限定されず、遮光層ＢＭは第２ベース層ＳＵＢ２の上面に配置され得る。
【0068】
また、遮光層ＢＭは開口部ＯＥＡを含み、開口部ＯＥＡによって第２ベース層ＳＵＢ２の一部分が露出される。実際に、遮光層ＢＭは複数の開口部ＯＥＡを含む。本発明によると、平面上で、開口部ＯＥＡの面積は発光領域ＥＡの面積よりも大きい。従って、開口部ＯＥＡは発光領域ＥＡ及び非発光領域ＮＥＡに各々重畳する。また、開口部ＯＥＡの面積が発光領域ＥＡよりも大きいため、広い視野角が確保される。発光領域ＥＡを通じて出力された光は開口部ＯＥＡを通じて外部に伝達される。
【0069】
再び、図３を参照すると、入力感知ユニットＴＳは絶縁層ＴＦＬ上に配置される。入力感知ユニットＴＳは、絶縁層ＴＦＬ上に直接配置されるか、或いは他の例として接着層を通じて絶縁層ＴＦＬに連結される。入力感知ユニットＴＳは単層又は多層の導電層を含む。入力感知ユニットＴＳは単層又は多層の絶縁層を含む。
【0070】
入力感知ユニットＴＳは、例えば靜電容量方式で外部から印加される入力を感知する。外部から印加される入力は多様な形態で提供される。例えば、外部入力は使用者身体の一部、スタイラスペン、光、熱、圧力等の多様な形態の外部入力を含む。また、使用者の手等の身体の一部が接触する入力は勿論、近接するか又は隣接する空間タッチ（例えば、ホバリング）も入力の一形態である。
【0071】
本発明による入力感知ユニットＴＳの動作方式は特別に制限されず、入力感知ユニットＴＳは電磁気誘導方式又は圧力感知方式で外部入力を感知することもできる。一方、本発明の他の実施形態によると、入力感知ユニットＴＳは別に製造されて接着層によって表示パネルＤＰに付着されるか、或いは入力感知ユニットＴＳは省略される。
【0072】
【0073】
先に、図２に示した画素ＰＸの各々はそれぞれ異なる色の光を出力する複数の第１～第３サブ画素を含む。図５及び図６を通じて、同一行に配列され、第１方向ＤＲ１に連続する第１画素ＰＸａ及び第２画素ＰＸｂを図示する。
【0074】
第１画素ＰＸａは第１方向ＤＲ１に連続する第１～第３サブ画素（ＰＸａ１、ＰＸａ２、ＰＸａ３）を含み、第２画素ＰＸｂは第１方向ＤＲ１に連続する第１～第３サブ画素（ＰＸｂ１、ＰＸｂ２、ＰＸｂ３）を含む。
【0075】
第１サブ画素ＰＸａ１は第１発光領域ＥＡａ１及び平面上で第１発光領域ＥＡａ１を囲む第１開口部ＯＥＡａ１を含む。第１サブ画素ＰＸａ１は第１発光領域ＥＡａ１を通じて第１色の光を出力し、出力された第１色の光は第１開口部ＯＥＡａ１を通じて外部に伝達される。
【0076】
第２サブ画素ＰＸａ２は第２発光領域ＥＡａ２及び平面上で第２発光領域ＥＡａ２を囲む第２開口部ＯＥＡａ２を含む。第２サブ画素ＰＸａ２は第２発光領域ＥＡａ２を通じて第２色の光を出力し、出力された第２色の光は第２開口部ＯＥＡａ２を通じて外部に伝達される。
【0077】
第３サブ画素ＰＸａ３は第３発光領域ＥＡａ３及び平面上で第３発光領域ＥＡａ３を囲む第３開口部ＯＥＡａ３を含む。第３サブ画素ＰＸａ３は第３発光領域ＥＡａ３を通じて第３色の光を出力し、出力された第３色の光は第３開口部ＯＥＡａ３を通じて外部に伝達される。第１～第３色はそれぞれ異なる色で提供される。
【0078】
上述した第１～第３発光領域（ＥＡａ１～ＥＡａ３）は画素定義膜ＰＤＬによって定義され、第１～第３開口部（ＯＥＡａ１～ＯＥＡａ３）は遮光層ＢＭによって定義される。また、平面上で、第１～第３開口部（ＯＥＡａ１～ＯＥＡａ３）は互いに離隔され、離隔された部分に遮光層ＢＭが配置される。
【0079】
第２画素ＰＸｂに含まれる第１～第３サブ画素（ＰＸｂ１、ＰＸｂ２、ＰＸｂ３）の構造は第１画素ＰＸａに含まれる第１～第３サブ画素（ＰＸａ１、ＰＸａ２、ＰＸａ３）の構造と実質的に同一であるため、これらに対する具体的な説明は省略ずる。
【0080】
即ち、第１サブ画素ＰＸｂ１は第１色光を出力する第１発光領域ＥＡｂ１及び平面上で第１発光領域ＥＡｂ１を囲む第４開口部ＯＥＡｂ１を含む。第２サブ画素ＰＸｂ２は第２色光を出力する第２発光領域ＥＡｂ２及び平面上で第２発光領域ＥＡｂ２を囲む第５開口部ＯＥＡｂ２を含む。第３サブ画素ＰＸｂ３は第３色光を出力する第３発光領域ＥＡｂ３及び平面上で第３発光領域ＥＡｂ３を囲む第６開口部ＯＥＡｂ３を含む。
【0081】
同様に、第１～第３発光領域（ＥＡｂ１～ＥＡｂ３）は画素定義膜ＰＤＬによって区画され、第４～第６開口部（ＯＥＡｂ１～ＯＥＡｂ３）は遮光層ＢＭによって区画される。また、平面上で第４～第６開口部（ＯＥＡｂ１～ＯＥＡｂ３）は互いに離隔され、離隔された部分に遮光層ＢＭが配置される。
【0082】
一方、図４Ｃを通じて説明した第２電極ＣＥは第２電源電圧ＥＬＶＳＳを受信して有機発光素子ＥＤに伝達する。特に、本発明による第２電極ＣＥは、１つの一体形電極として提供され、透過率を向上させるために厚さが薄く提供される。しかし、第２電極ＣＥの厚さが薄くなることに応じて面抵抗が増加する。第２電極ＣＥの面抵抗が増加すると、第２電極ＣＥに提供される第２電源電圧ＥＬＶＳＳの電流減衰が発生することになる。
【0083】
本実施形態によると、同一行に配列され、即ち第１方向ＤＲ１に隣接する２つの画素間に貫通ホールＣＨＬが配置される。図５に示したように、貫通ホールＣＨＬは隣接する２つの第１画素ＰＸａと第２画素ＰＸｂとの間に配置される。
【0084】
特に、貫通ホールＣＨＬは図４Ｃに示した表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤ及び回路素子層ＤＰ－ＣＬの一部分を貫通する。第２電極ＣＥは貫通ホールＣＨＬを通じて回路素子層ＤＰ－ＣＬに電気的に連結される。第２電極ＣＥが貫通ホールＣＨＬを通じて回路素子層ＤＰ－ＣＬに電気的に連結されることによって、第２電極ＣＥの抵抗レベルが低くなる。その結果、第２電極ＣＥの電流特性が向上する。第２電極ＣＥと回路素子層ＤＰ－ＣＬとの間の連結構造に対しては、図７を通じてより詳細に説明する。
【0085】
平面上で、遮光層ＢＭは第１画素ＰＸａ及び第２画素ＰＸｂに含まれる開口部を囲む。貫通ホールＣＨＬは、第３サブ画素ＰＸａ３の第３開口部ＯＥＡａ３と第１サブ画素ＰＸｂ１の第４開口部ＯＥＡｂ１との間に配置され、遮光層ＢＭに重畳する。
【0086】
また、貫通ホールＣＨＬを形成するために２つの第３開口部ＯＥＡａ３と第４開口部ＯＥＡｂ１との間に離隔空間が発生する。これは、２つの第３開口部ＯＥＡａ３と第４開口部ＯＥＡｂ１との間に貫通ホールＣＨＬが定義されない場合と比較して、２つの第３開口部ＯＥＡａ３と第４開口部ＯＥＡｂ１との間に配置される遮光層ＢＭの面積が広くなる。
【0087】
本実施形態によると、第１～第３開口部（ＯＥＡａ１～ＯＥＡａ３）又は第４～第６開口部（ＯＥＡｂ１～ＯＥＡｂ３）はそれぞれ異なる形状で提供される。以下、図６を通じて第１～第３開口部（ＯＥＡａ１～ＯＥＡａ３）の形状に対して説明し、第４～第６開口部（ＯＥＡｂ１～ＯＥＡｂ３）はこれと同一な形状で提供される。
【0088】
詳細に、図６を参照すると、平面上で、第２開口部ＯＥＡａ２の面積は第１開口部ＯＥＡａ１及び第３開口部ＯＥＡａ３の各々の面積よりも大きい。第１開口部ＯＥＡａ１及び第３開口部ＯＥＡａ３は線対称である。
【0089】
本実施形態によると、第２開口部ＯＥＡａ２は中心軸ＡＸを基準として線対称であり、各々が等辺台形状を有する第１開口領域ＯＰ２ａ及び第２開口領域ＯＰ２ｂを備える。第１開口領域ＯＰ２ａと第２開口領域ＯＰ２ｂとの間の中心軸ＡＸは第１方向ＤＲ１に平行である。
【0090】
第１開口部ＯＥＡａ１は、中心軸ＡＸを基準として線対称であり、各々が平行四辺形状を有する第１開口領域ＯＰ１ａ及び第２開口領域ＯＰ１ｂを備える。第３開口部ＯＥＡａ３は中心軸ＡＸを基準として線対称であり、各々が平行四辺形状を有する第１開口領域ＯＰ３ａ及び第２開口領域ＯＰ３ｂを備える。
【0091】
平面上で、第２開口部ＯＥＡａ２の第１開口領域ＯＰ２ａは第１開口部ＯＥＡａ１の第１開口領域ＯＰ１ａ及び第３開口部ＯＥＡａ３の第１開口領域ＯＰ３ａの各々の面積よりも大きい。第２開口部ＯＥＡａ２の第２開口領域ＯＰ２ｂは第１開口部ＯＥＡａ１の第２開口領域ＯＰ１ｂ及び第３開口部ＯＥＡａ３の第２開口領域ＯＰ３ｂの各々の面積よりも大きい。
【0092】
本実施形態によると、既存の同一の面積の長方形状に提供された第１～第３開口部と比較して、本発明による第１開口部ＯＥＡａ１及び第３開口部ＯＥＡａ３の各々は少なくとも一開口領域が貫通ホールＣＨＬに更に隣接する形状で提供される。その結果、図５に示した２つの第３開口部ＯＥＡａ３と第４開口部ＯＥＡｂ１との間に定義された遮光層ＢＭの面積を減少させることができる。
【0093】
図７に示した表示パネルＤＰの部分断面図を通じて、第１画素ＰＸａの第３サブ画素ＰＸａ３及び第２画素ＰＸｂの第１サブ画素ＰＸｂ１を示す。第３サブ画素ＰＸａ３は第３発光領域ＥＡａ３及び第３開口部ＯＥＡａ３を含み、第１サブ画素ＰＸｂ１は第１発光領域ＥＡｂ１及び第４開口部ＯＥＡｂ１を含む。
【0094】
第３サブ画素ＰＸａ３は、第１電極ＡＥａ、第２電極ＣＥａ、第１有機発光素子ＥＤａ、及び第１トランジスタＴａに電気的に連結される。第１サブ画素ＰＸｂ１は、第１電極ＡＥｂ、第２電極ＣＥｂ、第２有機発光素子ＥＤｂ、及び第２トランジスタＴｂに電気的に連結される。
【0095】
第１トランジスタＴａは、第１半導体パターンＯＳＰａ、第１制御電極ＧＥａ、第１入力電極ＤＥａ、及び第１出力電極ＳＥａを含む。第２トランジスタＴｂは、第２半導体パターンＯＳＰ１ｂ、第２制御電極ＧＥｂ、第２入力電極ＤＥｂ、及び第２出力電極ＳＥｂを含む。第１トランジスタＴａ及び第２トランジスタＴｂは、図４Ｃに示した第２トランジスタＴ２と実質的に同一の構造で提供される。
【0096】
本実施形態によると、図７に示した回路素子層ＤＰ－ＣＬはダミートランジスタＴｄを更に含む。ダミートランジスタＴｄは、ダミー半導体パターンＯＳＰｄ、ダミー制御電極ＧＥｄ、ダミー入力電極ＤＥｄ、及びダミー出力電極ＳＥｄを含む。特に、第２電極ＣＥは貫通ホールＣＨＬを通じてダミートランジスタＴｄのダミー出力電極ＳＥｄに接続される。
【0097】
ダミートランジスタＴｄは第１トランジスタＴａ及び第２トランジスタＴｂから電気的に分離される。即ち、ダミートランジスタＴｄは第２電極ＣＥの抵抗レベルを低下させるための構成である。
【0098】
【0099】
図８Ａ～図８Ｃの各々に示した第１画素及び第２画素は、図５に示した第１画素ＰＸａ及び第２画素ＰＸｂの構造で開口部の形状及び貫通ホールの構造のみが変形されただけであり、残りの構造は実質的に同一である。従って、説明を簡易にするために、残りの構成の説明は省略する。
【0100】
図８Ａを参照すると、第１画素ＰＸ１と第２画素ＰＸ２との間に２つの第１貫通ホールＣＨＬ１及び第２貫通ホールＣＨＬ２が提供される。第１貫通ホールＣＨＬ１及び第２貫通ホールＣＨＬ２の各々は図７に示した表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤ及び回路素子層ＤＰ－ＣＬの一部分を貫通する。この場合、第２電極ＣＥは第１貫通ホールＣＨＬ１を通じて第１ダミートランジスタに電気的に連結され、第２貫通ホールＣＨＬ２を通じて第２ダミートランジスタに電気的に連結される。図示していないが、第１ダミートランジスタ及び第２ダミートランジスタは回路素子層ＤＰ－ＣＬに含まれる。
【0101】
本実施形態によると、平面上で、第２開口部ＯＥＡ２は、中心軸ＡＸを基準として線対称であり、各々が等辺台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備える。第１開口部ＯＥＡ１及び第３開口部ＯＥＡ３の各々は、中心軸ＡＸを基準として線対称であり、各々が平行四辺形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備える。
【0102】
特に、図８Ａに示した第１開口部ＯＥＡ１の平行四辺形状は図６に示した第１開口部ＯＥＡａ１の平行四辺形状と線対称である。また、図８Ａに示した第３開口部ＯＥＡ３の平行四辺形状は図６に示した第３開口部ＯＥＡａ３の平行四辺形状と線対称である。
【0103】
第４開口部ＯＥＡ４、第５開口部ＯＥＡ５、及び第６開口部ＯＥＡ６の形状は第１開口部ＯＥＡ１、第２開口部ＯＥＡ２、及び第３開口部ＯＥＡ３の形状に各々対応する。
【0104】
図８Ｂを参照すると、第１画素ＰＸ１ａと第２画素ＰＸ２ａとの間に１つの貫通ホールＣＨＬが提供される。第２開口部ＯＥＡ２ａは長方形状で提供される。第１開口部ＯＥＡ１ａ及び第３開口部ＯＥＡ３ａの各々は、中心軸ＡＸを基準として線対称であり、各々が台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備える。第１開口部ＯＥＡ１ａと第３開口部ＯＥＡ３ａとは互いに線対称である。
【0105】
第４開口部ＯＥＡ４ａ、第５開口部ＯＥＡ５ａ、及び第６開口部ＯＥＡ６ａの形状は第１開口部ＯＥＡ１ａ、第２開口部ＯＥＡ２ａ、及び第３開口部ＯＥＡ３ａの形状に各々対応する。
【0106】
【0107】
図８Ｃを参照すると、平面上で、第２開口部ＯＥＡ２ｂは長方形状で提供される。特に、第２開口部ＯＥＡ２ｂの面積は第１開口部ＯＥＡ１ｂ及び第３開口部ＯＥＡ３ｂの各々の面積よりも小さい。第１開口部ＯＥＡ１ｂと第３開口部ＯＥＡ３ｂとは互いに線対称である。
【0108】
また、平面上で、第１開口部ＯＥＡ１ｂ及び第３開口部ＯＥＡ３ｂの各々は、中心軸ＡＸを基準として線対称であり、各々が台形状を有する第１開口領域及び第２開口領域を備える。
【0109】
図９は、本発明の他の実施形態による画素に含まれる発光領域の構造の第１例を示す平面図である。図１０は、本発明の他の実施形態による画素に含まれる発光領域の構造の第２例を示す平面図である。図１１は、本発明の他の実施形態による画素に含まれる発光領域の構造の第３例を示す平面図である。
【0110】
図９は、各々が複数のサブ発光領域を含む複数の発光グループを示す。サブ発光領域は複数のサブ画素に各々含まれる。
【0111】
第１行に沿って第１及び第２発光グループが配列される。平面上で、第１及び第２発光グループは貫通ホールＣＨＬを介して離隔される。第１発光グループは、第１～第３サブ発光領域（ＥＡ１１、ＥＡ１２、ＥＡ１３）を含む。第１サブ発光領域ＥＡ１１は第１スキャンラインＳＬ１及び第１データラインＤＬ１に連結されたサブ画素に含まれる。第２サブ発光領域ＥＡ１２は第１スキャンラインＳＬ１及び第２データラインＤＬ２に連結されたサブ画素に含まれる。第３サブ発光領域ＥＡ１３は第１スキャンラインＳＬ１及び第３データラインＤＬ３に連結されたサブ画素に含まれる。
【0112】
第２発光グループは、第４～第６サブ発光領域（ＥＡ１４、ＥＡ１５、ＥＡ１６）を含む。第４サブ発光領域ＥＡ１４は第１スキャンラインＳＬ１及び第４データラインＤＬ４に連結されたサブ画素に含まれる。第５サブ発光領域ＥＡ１５は第１スキャンラインＳＬ１及び第５データラインＤＬ５に連結されたサブ画素に含まれる。第６サブ発光領域ＥＡ１６は第１スキャンラインＳＬ１及び第６データラインＤＬ６に連結されたサブ画素に含まれる。
【0113】
同様に、第２行に沿って第３及び第４発光グループが配列され、第３行に沿って第５及び第６発光グループが配列される。
【0114】
第３及び第４発光グループに含まれるサブ発光領域（ＥＡ２１、ＥＡ２２、ＥＡ２３、ＥＡ２４、ＥＡ２５、ＥＡ２６）は第２スキャンラインＳＬ２及び第１～第６データライン（ＤＬ１～ＤＬ６）に連結されたサブ画素に各々含まれる。第３及び第４発光グループは、平面上で、貫通ホールＣＨＬを介して離隔される。
【0115】
第５及び第６発光グループに含まれるサブ発光領域（ＥＡ３１、ＥＡ３２、ＥＡ３３、ＥＡ３４、ＥＡ３５、ＥＡ３６）は第３スキャンラインＳＬ３及び第１～第６データライン（ＤＬ１～ＤＬ６）に連結されたサブ画素に各々含まれる。第５及び第６発光グループは、平面上で、貫通ホールＣＨＬを介して離隔される。
【0116】
貫通ホールＣＨＬは、先に図５を通じて説明した貫通ホールＣＨＬに対応する。即ち、貫通ホールＣＨＬの各々は表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤ及び回路素子層ＤＰ－ＣＬの一部分を貫通する。
【0117】
一方、外部光が貫通ホールＣＨＬを通じて入射する場合、貫通ホールＣＨＬ周辺の発光領域から出力される光に基づく光漏れが発生することがある。
【0118】
本実施形態によると、第２発光グループに最も隣接する第１発光グループの第３サブ発光領域ＥＡ１３は第１色Ｂの光を発光し、第１発光グループに最も隣接する第２発光グループの第４サブ発光領域ＥＡ１４は第２色Ｒの光を発光する。
【0119】
また、第４発光グループに最も隣接する第３発光グループの第３サブ発光領域ＥＡ２３は第３色Ｇの光を発光し、第３発光グループに最も隣接する第４発光グループの第４サブ発光領域ＥＡ２４は第１色Ｂの光を発光する。
【0120】
また、第６発光グループに最も隣接する第５発光グループの第３サブ発光領域ＥＡ３３は第２色Ｒの光を発光し、第５発光グループに最も隣接する第６発光グループの第４サブ発光領域ＥＡ３４は第３色Ｇの光を発光する。
【0121】
本実施形態によると、第１色Ｂはブルーであり、第２色Ｒはレッドであり、第３色Ｇはグリーンである。その結果、貫通ホールＣＨＬに隣接する発光領域から発光された光は第１～第３色の組合せで出力される。その結果、特定色の光が放出される光漏れ現象を減少させることができる。
【0122】
一方、図９を通じて第１～第６発光グループを例示的に示したが、本発明はこれに限定されない。即ち、図９に示した同一行に配列された２つの発光グループが第１方向ＤＲ１に沿って反複して並べられ、同一列に配列された３つの発光グループが第２方向ＤＲ２に沿って反複して並べられ得る。
【0123】
図１０を参照すると、第４行に沿って第７及び第８発光グループが更に配列される。第７及び第８発光グループに含まれるサブ発光領域（ＥＡ４１、ＥＡ４２、ＥＡ４３、ＥＡ４４、ＥＡ４５、ＥＡ４６）は第４スキャンラインＳＬ４及び第１～第６データライン（ＤＬ１～ＤＬ６）に連結されたサブ画素に各々含まれる。第７及び第８発光グループは、平面上で、貫通ホールＣＨＬを介して離隔される。
【0124】
図１０に示したように、同一行に配列された２つの発光グループが第１方向ＤＲ１に沿って反複して並べられ、同一列に配列された４つの発光グループが第２方向ＤＲ２に沿って反複して並べられる。
【0125】
第２発光グループに最も隣接する第１発光グループの第３サブ発光領域ＥＡ１３は第３色Ｇの光を発光し、第１発光グループに最も隣接する第２発光グループの第４サブ発光領域ＥＡ１４は第２色Ｒの光を発光する。
【0126】
また、第４発光グループに最も隣接する第３発光グループの第３サブ発光領域ＥＡ２３は第２色Ｒの光を発光し、第３発光グループに最も隣接する第４発光グループの第４サブ発光領域ＥＡ２４は第３色Ｇの光を発光する。
【0127】
また、第６発光グループに最も隣接する第５発光グループの第３サブ発光領域ＥＡ３３は第３色Ｇの光を発光し、第５発光グループに最も隣接する第６発光グループの第４サブ発光領域ＥＡ３４は第２色Ｒの光を発光する。
【0128】
また、第８発光グループに最も隣接する第７発光グループの第３サブ発光領域ＥＡ４３は第２色Ｒの光を発光し、第７発光グループに最も隣接する第８発光グループの第４サブ発光領域ＥＡ４４は第３色Ｇの光を発光する。
【0129】
上述したように、貫通ホールＣＨＬに隣接する発光領域から発光された光は第２及び第３色の組合せで出力される。例示的に、第２及び第３色の組合せはイエロー色に提供される。同様に、ブルー又はレッド等の特定色の光が放出される光漏れ現象を減少させることができる。
【0130】
図１１を参照すると、図１１に示した発光グループは図９に示した発光グループと実質的に同一な構造で提供される。即ち、図１１を通じて貫通ホールＣＨＬの構成が変形されるのみであり、残りの構成の構造は実質的に同一である。
【0131】
図１１に示したように、貫通ホールＣＨＬは第１行の第１発光グループと第２発光グループとの間及び第３行の第５発光グループと第６発光グループとの間に各々提供される。この場合、貫通ホールＣＨＬは第２行の第３発光グループと第４発光グループとの間に提供されない。
【0132】
上述したように、貫通ホールＣＨＬは隣接する２つの発光グループの間に提供される構造は多様に変形され得る。
【0133】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0134】
１０、２０ 第１、第２中間無機膜
３０ 中間有機膜
ＡＥ 第１電極
ＡＥａ、ＡＥｂ 第１電極
ＡＸ 中心軸
ＢＦＬ バッファ膜
ＢＭ 遮光層
Ｃａｐ キャパシター
ＣＥ 第２電極
ＣＨ１～ＣＨ５ 第１～第４貫通ホール
ＣＨＬ 貫通ホール
ＣＨＬ１、ＣＨＬ２ 第１、第２貫通ホール
ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２ 第１、第２制御信号
ＣＳＬ 制御信号ライン
ＤＡ 表示領域
ＤＤ 表示装置
ＤＤＶ データ駆動回路
ＤＥ１、ＤＥ２ 第１、第２入力電極
ＤＥａ、ＤＥｂ 第１、第２入力電極
ＤＥｄ ダミー入力電極
ＤＬ、ＤＬ１～ＤＬｍ データライン
ＤＭ 表示モジュール
ＤＭ－ＤＡ 表示領域
ＤＭ－ＮＤＡ 非表示領域
ＤＰ 表示パネル
ＤＰ－ＣＬ 回路素子層
ＤＰ－ＯＬＥＤ 表示素子層
ＥＡ 発光領域
ＥＡ１１～ＥＡ１６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡ２１～ＥＡ２６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡ３１～ＥＡ３６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡ４１～ＥＡ４６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡａ１、ＥＡａ２、ＥＡａ３ 第１～第３発光領域
ＥＡｂ１、ＥＡｂ２、ＥＡｂ３ 第１～第３発光領域
ＥＣＬ 電子制御層
ＥＤ 有機発光素子
ＥＤａ、ＥＤｂ 第１、第２有機発光素子
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ 第１、第２電源電圧
ＥＭＬ 発光層
ＧＥ１、ＧＥ２ 第１、第２制御電極
ＧＥａ、ＧＥｂ 第１、第２制御電極
ＧＥｄ ダミー制御電極
ＧＤＶ スキャン駆動回路
ＨＣＬ 正孔制御層
ＮＥＡ 非発光領域
ＯＥＡ 開口部
ＯＥＡ１～ＯＥＡ６ 第１～第６開口部
ＯＥＡ１ａ～ＯＥＡ６ａ 第１～第６開口部
ＯＥＡ１ｂ～ＯＥＡ６ｂ
ＯＥＡａ１、ＯＥＡａ２、ＯＥＡａ３ 第１～第３開口部
ＯＥＡｂ１、ＯＥＡｂ２、ＯＥＡｂ３ 第４～第６開口部
ＯＬＥＤ 有機発光素子
ＯＭ （発光）開口部
ＯＰ１ａ、ＯＰ１ｂ 第１、第２開口領域
ＯＰ２ａ、ＯＰ２ｂ 第１、第２開口領域
ＯＰ３ａ、ＯＰ３ｂ 第１、第２開口領域
第１～第３開口領域
ＯＳＰ１、ＯＳＰａ 第１半導体パターン
ＯＳＰ２、ＯＳＰｂ 第２半導体パターン
ＯＳＰｄ ダミー半導体パターン
ＰＤ 駆動パッド
ＰＤＬ 画素定義膜
ＰＬ 電源ライン
ＰＸ 画素
ＰＸ１、ＰＸ１ａ、ＰＸａ 第１画素
ＰＸ２、ＰＸ２ａ、ＰＸｂ 第２画素
ＰＸａ１、ＰＸａ２、ＰＸａ３ 第１～第３サブ画素
ＰＸｂ１、ＰＸｂ２、ＰＸｂ３ 第１～第３サブ画素
ＰＸＣ 画素回路
ＳＧＬ 信号ライン
ＳＥ１、ＳＥ２ 第１、第２出力電極
ＳＥａ、ＳＥｂ 第１、第２出力電極
ＳＥｄ ダミー出力電極
ＳＬ、ＳＬ１～ＳＬｎ スキャンライン
ＳＬ１～ＳＬ３ 第１～第３スキャンライン
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２ 第１、第２ベース層
Ｔ１、Ｔａ 第１トランジスタ
Ｔ２、Ｔｂ 第２トランジスタ
ＴＣ 信号制御回路
Ｔｄ ダミートランジスタ
ＴＦＬ 絶縁層
ＴＳ 入力感知ユニット
３０ 中間有機膜
ＡＥ 第１電極
ＡＥａ、ＡＥｂ 第１電極
ＡＸ 中心軸
ＢＦＬ バッファ膜
ＢＭ 遮光層
Ｃａｐ キャパシター
ＣＥ 第２電極
ＣＨ１～ＣＨ５ 第１～第４貫通ホール
ＣＨＬ 貫通ホール
ＣＨＬ１、ＣＨＬ２ 第１、第２貫通ホール
ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２ 第１、第２制御信号
ＣＳＬ 制御信号ライン
ＤＡ 表示領域
ＤＤ 表示装置
ＤＤＶ データ駆動回路
ＤＥ１、ＤＥ２ 第１、第２入力電極
ＤＥａ、ＤＥｂ 第１、第２入力電極
ＤＥｄ ダミー入力電極
ＤＬ、ＤＬ１～ＤＬｍ データライン
ＤＭ 表示モジュール
ＤＭ－ＤＡ 表示領域
ＤＭ－ＮＤＡ 非表示領域
ＤＰ 表示パネル
ＤＰ－ＣＬ 回路素子層
ＤＰ－ＯＬＥＤ 表示素子層
ＥＡ 発光領域
ＥＡ１１～ＥＡ１６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡ２１～ＥＡ２６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡ３１～ＥＡ３６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡ４１～ＥＡ４６ 第１～第６サブ発光領域
ＥＡａ１、ＥＡａ２、ＥＡａ３ 第１～第３発光領域
ＥＡｂ１、ＥＡｂ２、ＥＡｂ３ 第１～第３発光領域
ＥＣＬ 電子制御層
ＥＤ 有機発光素子
ＥＤａ、ＥＤｂ 第１、第２有機発光素子
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ 第１、第２電源電圧
ＥＭＬ 発光層
ＧＥ１、ＧＥ２ 第１、第２制御電極
ＧＥａ、ＧＥｂ 第１、第２制御電極
ＧＥｄ ダミー制御電極
ＧＤＶ スキャン駆動回路
ＨＣＬ 正孔制御層
ＮＥＡ 非発光領域
ＯＥＡ 開口部
ＯＥＡ１～ＯＥＡ６ 第１～第６開口部
ＯＥＡ１ａ～ＯＥＡ６ａ 第１～第６開口部
ＯＥＡ１ｂ～ＯＥＡ６ｂ
ＯＥＡａ１、ＯＥＡａ２、ＯＥＡａ３ 第１～第３開口部
ＯＥＡｂ１、ＯＥＡｂ２、ＯＥＡｂ３ 第４～第６開口部
ＯＬＥＤ 有機発光素子
ＯＭ （発光）開口部
ＯＰ１ａ、ＯＰ１ｂ 第１、第２開口領域
ＯＰ２ａ、ＯＰ２ｂ 第１、第２開口領域
ＯＰ３ａ、ＯＰ３ｂ 第１、第２開口領域
第１～第３開口領域
ＯＳＰ１、ＯＳＰａ 第１半導体パターン
ＯＳＰ２、ＯＳＰｂ 第２半導体パターン
ＯＳＰｄ ダミー半導体パターン
ＰＤ 駆動パッド
ＰＤＬ 画素定義膜
ＰＬ 電源ライン
ＰＸ 画素
ＰＸ１、ＰＸ１ａ、ＰＸａ 第１画素
ＰＸ２、ＰＸ２ａ、ＰＸｂ 第２画素
ＰＸａ１、ＰＸａ２、ＰＸａ３ 第１～第３サブ画素
ＰＸｂ１、ＰＸｂ２、ＰＸｂ３ 第１～第３サブ画素
ＰＸＣ 画素回路
ＳＧＬ 信号ライン
ＳＥ１、ＳＥ２ 第１、第２出力電極
ＳＥａ、ＳＥｂ 第１、第２出力電極
ＳＥｄ ダミー出力電極
ＳＬ、ＳＬ１～ＳＬｎ スキャンライン
ＳＬ１～ＳＬ３ 第１～第３スキャンライン
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２ 第１、第２ベース層
Ｔ１、Ｔａ 第１トランジスタ
Ｔ２、Ｔｂ 第２トランジスタ
ＴＣ 信号制御回路
Ｔｄ ダミートランジスタ
ＴＦＬ 絶縁層
ＴＳ 入力感知ユニット
【図1】
【図2】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11】