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特許7420859極紫外線露光用ペリクル

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-15

(45)【発行日】2024-01-23

(54)【発明の名称】極紫外線露光用ペリクル

(51)【国際特許分類】

G03F 1/62 20120101AFI20240116BHJP

【ＦＩ】

G03F1/62

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2022064515

(22)【出願日】2022-04-08

(65)【公開番号】P2022163710

(43)【公開日】2022-10-26

【審査請求日】2022-04-20

(31)【優先権主張番号】10-2021-0048288

(32)【優先日】2021-04-14

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】503257778

【氏名又は名称】コリアエレクトロニクステクノロジインスティチュート

【住所又は居所原語表記】２５，Ｓａｅｎａｒｉ－ｒｏ，Ｂｕｎｄａｎｇ－ｇｕ，Ｓｅｏｎｇｎａｍ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ１３５０９ＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＫｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】100091683

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼川俊雄

(74)【代理人】

【識別番号】100179316

【弁理士】

【氏名又は名称】市川寛奈

(72)【発明者】

【氏名】キム，ヒョンクン

(72)【発明者】

【氏名】キム，スルギ

(72)【発明者】

【氏名】キム，ヒョンミ

(72)【発明者】

【氏名】チョ，ジンウ

(72)【発明者】

【氏名】ソン，キフン

【審査官】今井彰

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／１７９１９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１６／１７５０１９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／０２２７８４３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－１５１６２２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０３Ｆ１／２２－１／２４、１／６２－１／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

支持層、前記支持層の上に形成されたコア層、および、前記コア層の上に形成されたキャッピング層を含むペリクル層を含み、
前記コア層は、Ｍおよびαを組み合わせたＭ－α素材で形成され、
前記Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｙ、Ｗ、Ｔｉ、ＩｒおよびＮｂのうち一つであり、前記αは、Ｂ、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＦのうち少なくとも２個であり、
前記支持層は、ＫＯＨに対する耐性を有する素材で形成され、
前記キャッピング層は、ＹＯＦ、ＹＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、またはＳｉＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧２）から選択される素材で形成される、
ことを特徴とする極紫外線露光用ペリクル。

【請求項2】

前記コア層の素材は、ＳｉＢｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）、ＳｉＢ _６ｘＮ _１－ｘ（０＜ｘ＜１）、ＹＢ _２ｘＮ _１－ｘ（０＜ｘ＜１）のいずれかである請求項１に記載の極紫外線露光用ペリクル。

【請求項3】

前記ペリクル層は、
前記コア層の一面または両面に形成される中間層を含み、
前記中間層は、ＹＯＦ、ＹＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、またはＳｉＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧２）から選択される素材で形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の極紫外線露光用ペリクル。

【請求項4】

中心部に開放部が形成された基板と、
前記開放部を覆うように前記基板の上に形成され、支持層、前記支持層の上に形成されたコア層、および、前記コア層の上に形成されたキャッピング層を含むペリクル層と、を含み、
前記コア層は、Ｍおよびαを組み合わせたＭ－α素材で形成され、
前記Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｙ、Ｗ、Ｔｉ、ＩｒおよびＮｂのうち一つであり、前記αは、Ｂ、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＦのうち少なくとも２個であり、
前記支持層は、ＫＯＨに対する耐性を有する素材で形成され、
前記キャッピング層は、ＹＯＦ、ＹＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、またはＳｉＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧２）から選択される素材で形成される、
ことを特徴とする極紫外線露光用ペリクル。

【請求項5】

前記ペリクル層は、
前記コア層の一面または両面に形成される中間層を含み、
前記中間層は、ＹＯＦ、ＹＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧１）、またはＳｉＢｘＮｙ（ｘ＋ｙ≧２）から選択される素材で形成される、
ことを特徴とする請求項４に記載の極紫外線露光用ペリクル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、露光装置に関し、より詳細には、極紫外線を用いた露光工程に使用される極紫外線露光用ペリクルに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体産業が発達し、半導体素子の集積度が向上するに伴い、電子機器が次第に小型化および軽量化している。半導体素子の集積度の向上のために、露光技術の高度化が要求されている。

【0003】

現在、光源の波長を減少させて半導体の微細なパターンを具現する方向に技術が発展している。このうち、次世代技術である極紫外線（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ，ＥＵＶ）露光技術は、一回のレジスト工程で微細パターンを具現できる技術である。

【0004】

半導体工程に使用される極紫外線露光装置は、光源（ｌｉｇｈｔｓｏｕｒｃｅｐｏｗｅｒ）、レジスト（ｒｅｓｉｓｔ）、ペリクル（ｐｅｌｌｉｃｌｅ）およびマスクを含む。
ペリクルは、マスクに設置されて、露光工程中に発生する異物がマスクに付着するのを防止し、露光装置によって選択的に使用されている。

【0005】

極紫外線露光工程では、クリーンシステムが構築されていて、ペリクルが不要であるという期待が初期に存在した。しかしながら、実際露光装置の構築後に駆動過程で装置内部駆動部で発生する異物および光源の発振過程で生成されたスズ粒子と極紫外線感光剤によるマスクの汚染が発生することを確認した。

【0006】

したがって、極紫外線露光工程では、マスクの汚染を防止するために、ペリクルが必須の素材として認識されている。ペリクルを使用する場合、サイズが１０，０００ｎｍ未満の欠陥を無視することができる。

【0007】

このような極紫外線露光用ペリクルは、マスクをカバーするために、サイズが１１０×１４４ｍｍであることが要求され、光源の損失による生産性の悪化を最小化するために、９０％以上の極紫外線透過率が要求されている。極紫外線露光装置内部における２０Ｇに達する物理的動きにより破損しないレベルの機械的安定性と、５ｎｍノード（ｎｏｄｅ）を基準として２５０Ｗ以上の熱的荷重に耐えることができる熱的安定性が要求されている。また、極紫外線環境で発生する水素ラジカルに反応しない化学的耐久性も要求されている。

【0008】

現在、ペリクル開発会社は、多結晶シリコン（ｐ－Ｓｉ）基盤またはＳｉＮ基盤の透過素材を開発中にある。これらの素材は、極紫外線用ペリクルの最も重要な条件である９０％以上の透過率を満たしていない。これらの素材は、極紫外線露光環境での熱的安定性、機械的安定性、および化学的耐久性に脆弱であるという欠点を有するので、特性補完のための工程開発研究が行われている。例えばＳｉＮ基盤素材の問題点を解決するための素材として、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｚｒなどの物質を選別して研究を行っているが、薄い厚さに製造して形態を維持することが難しいのが現状である。

【0009】

また、最近では、２５０Ｗレベルの照射強度を超えて３５０Ｗ以上の極紫外線出力環境で９０％以上の極紫外線透過率と、熱的、化学的および機械的に安定性を有するペリクルが要求されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【文献】韓国公開特許第２０１８－０１３５４９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

したがって、本発明の目的は、３５０Ｗ以上の極紫外線出力環境で９０％以上の極紫外線透過率を有する極紫外線露光用ペリクルを提供することにある。

【0012】

本発明の他の目的は、９０％以上の高い極紫外線透過率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を有する極紫外線露光用ペリクルを提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0013】

前記目的を達成するために、本発明は、Ｍおよびαを組み合わせたＭ－α素材で形成されたペリクル層を含み、前記Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｙ、Ｗ、Ｔｉ、ＩｒおよびＮｂのうち一つであり、前記αは、Ｂ、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＦのうち少なくとも２個のイン極紫外線露光用ペリクルを提供する。

【0014】

前記ＭがＮｂであり、前記αがＢおよびＣである場合、前記ペリクル層は、Ｎｂ、ＢおよびＣを全部含むように、ＮｂＢ_ｘ（ｘ≧１）、ＮｂＣ_ｘ（ｘ≧１）およびＢ_４Ｃの中から複数個を選択して組合わせることができる。

【0015】

前記ＭがＳｉであり、前記αがＢ、ＮおよびＣである場合、前記ペリクル層は、Ｓｉ、Ｂ、ＮおよびＣを全部含むように、ＳｉＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧２）、ＳｉＢ_ｘ（ｘ≧３）、ＳｉＣ、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）およびＢＮの中から複数個を選択して組合わせることができる。

【0016】

前記Ｍは、Ｙであり、前記αがＢ、Ｎ、ＯおよびＦである場合、前記ペリクル層は、Ｙ、Ｂ、Ｎ、ＯおよびＦを全部含むように、ＹＯＦ、ＹＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＢ_ｘ（ｘ≧２）、ＹＮ、Ｙ_２Ｏ_３およびＹＦ_３の中から複数個を選択して組合わせることができる。

【0017】

前記ペリクル層は、支持層と、前記支持層上に形成されるコア層と、前記コア層上に形成されるキャッピング層と、を含み、前記支持層、前記コア層および前記キャッピング層は、それぞれＭおよびαを組み合わせた素材で形成されてもよい。

【0018】

前記コア層の素材は、ＳｉＢ_ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）であり、前記支持層およびキャッピング層の素材は、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）でありうる。

【0019】

前記コア層の素材は、ＳｉＢ_６ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）であり、前記支持層およびキャッピング層の素材は、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）でありうる。

【0020】

前記コア層の素材は、ＹＢ_２ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）であり、前記支持層およびキャッピング層の素材は、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）でありうる。

【0021】

前記コア層の素材は、ＹＢ_２ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）であり、前記支持層およびキャッピング層の素材は、ＹＢ_ｘ（ｘ≧２）でありうる。

【0022】

前記ペリクル層は、支持層と、前記支持層上に形成されるコア層と、前記コア層の一面または両面に形成される中間層と、前記中間層の上に形成されるキャッピング層と、を含み、前記支持層、前記コア層、前記中間層および前記キャッピング層は、それぞれＭおよびαを組み合わせた素材で形成されてもよい。

【0023】

本発明は、また、中心部に開放部が形成された基板と、前記開放部を覆うように前記基板の上に形成され、Ｍおよびαを組み合わせたＭ－α素材で形成されたペリクル層と、を含み、前記Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｙ、Ｗ、Ｔｉ、ＩｒおよびＮｂのうち一つであり、前記αは、Ｂ、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＦのうち少なくとも２個である極紫外線露光用ペリクルを提供する。

【0024】

前記ペリクル層は、前記開放部を覆うように前記基板の上に形成される支持層と、前記支持層上に形成されるコア層と、前記コア層上に形成されるキャッピング層と、を含み、前記支持層、前記コア層および前記キャッピング層は、それぞれＭおよびαを組み合わせた素材で形成されてもよい。

【0025】

また、前記ペリクル層は、前記開放部を覆うように前記基板の上に形成される支持層と、前記支持層上に形成されるコア層と、前記コア層の一面または両面に形成される中間層と、前記中間層の上に形成されるキャッピング層と、を含み、前記支持層、前記コア層、前記中間層および前記キャッピング層は、それぞれＭおよびαを組み合わせた素材で形成されてもよい。

【発明の効果】

【0026】

本発明によれば、ペリクル層は、Ｍ－α素材を含むので、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を提供できる。

【0027】

また、本発明による極紫外線露光用ペリクルは、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を提供できる。すなわちペリクル層は、高い光特性を有するＳｉまたは化学的耐久性と機械的安定性を有するＹ、機械的強度を補強できるＢ、光特性および耐化学性を補強できるＮ、Ｃ、ＯまたはＦを含有する金属基盤化合物であるＭ－α素材を含むので、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0028】

【図1】図１は、本発明の第１実施形態による極紫外線露光用ペリクルを示す断面図である。

【図2】図２は、図１のＡ部分の拡大図である。

【図3】図３は、本発明の第２実施形態による極紫外線露光用ペリクルを示す拡大図である。

【図4】図４は、本発明の第３実施形態による極紫外線露光用ペリクルを示す拡大図である。

【図5】図５は、第１実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図6】図６は、第２実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図7】図７は、第３実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図8】図８は、第４実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図9】図９は、第５実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図10】図１０は、第６実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図11】図１１は、第７実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図12】図１２は、第８実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図13】図１３は、第９実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図14】図１４は、第１０実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図15】図１５は、第１１実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図16】図１６は、第１２実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図17】図１７は、第１３実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図18】図１８は、第１４実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図19】図１９は、第１５実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図20】図２０は、第１６実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図21】図２１は、第１７実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図22】図２２は、第１８実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図23】図２３は、第１９実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図24】図２４は、第２０実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図25】図２５は、第２１実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図26】図２６は、第２２実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図27】図２７は、第２３実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図28】図２８は、第２４実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図29】図２９は、第２５実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図30】図３０は、第２６実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図31】図３１は、第２７実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図32】図３２は、第２８実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図33】図３３は、第２９実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図34】図３４は、第３０実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図35】図３５は、第３１実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図36】図３６は、第３２実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図37】図３７は、第３３実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図38】図３８は、第３４実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図39】図３９は、第３５実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【図40】図４０は、第３６実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0029】

下記の説明では、本発明の実施形態を理解するのに必要な部分のみが説明され、その他の部分の説明は、本発明の要旨を不明にしない範囲で省略されることに留意しなければならない。

【0030】

以下で説明される本明細書および請求範囲に使用される用語や単語は、通常的や辞書的な意味に限定して解すべきものではなく、発明者は、自分の発明を最も最善の方法で説明するために用語の概念として適切に定義できるという原則に基づいて本発明の技術的思想に符合する意味や概念として解すべきである。したがって、本明細書に記載された実施形態と図面に示された構成は、本発明の好適な実施形態に過ぎず、本発明の技術的思想を全部表すものではないので、本出願時点においてこれらを代替できる多様な均等物と変形例がありえることを理解しなければならない。

【0031】

以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態をより詳細に説明する。

【0032】

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態による極紫外線露光用ペリクルを示す断面図である。また、図２は、図１のＡ部分の拡大図である。

【0033】

図１および図２を参照すると、第１実施形態による極紫外線露光用ペリクル１００（以下「ペリクル」という）は、Ｍおよびαを組み合わせたＭ－α素材で形成されたペリクル層２０を含む。ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｙ、Ｗ、Ｔｉ、ＩｒおよびＮｂのうち一つである。αは、Ｂ、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＦのうち少なくとも２個である。

【0034】

このようなペリクル層２０は、下記のように構成することができる。

【0035】

例えばＭがＮｂであり、αがＢおよびＣである場合、ペリクル層２０は、Ｎｂ、ＢおよびＣを全部含むように、ＮｂＢ_ｘ（ｘ≧１）、ＮｂＣ_ｘ（ｘ≧１）およびＢ_４Ｃの中から複数個を選択および組み合わせて形成できる。

【0036】

ＭがＳｉであり、αがＢ、ＮおよびＣである場合、ペリクル層２０は、Ｓｉ、Ｂ、ＮおよびＣを全部含むように、ＳｉＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧２）、ＳｉＢ_ｘ（ｘ≧３）、ＳｉＣ、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）およびＢＮの中から複数個を選択および組み合わせて形成できる。

【0037】

Ｍは、Ｙであり、αがＢ、Ｎ、ＯおよびＦである場合、ペリクル層２０は、Ｙ、Ｂ、Ｎ、ＯおよびＦを全部含むように、ＹＯＦ、ＹＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＢ_ｘ（ｘ≧２）、ＹＮ、Ｙ_２Ｏ_３およびＹＦ_３の中から複数個を選択および組み合わせて形成できる。

【0038】

このような第１実施形態によるペリクル１００は、中心部に開放部１３が形成された基板１０と、開放部１３を覆うように基板１０の上に形成されるペリクル層２０と、を含む。ペリクル層２０は、基板１０に積層されて形成される支持層２７、コア層２１、およびキャッピング層２９を含んでもよい。

【0039】

ペリクル１００は、半導体およびディスプレイ製造工程中、露光工程でマスクを異物から保護する消耗性素材である。すなわちペリクル１００は、マスクの上に被覆される薄い薄膜であり、カバーの役割をする。ウェハーに転写される光は、マスクで焦点を合わせて露光を進めるので、一定の距離に離れているペリクル１００に異物が混入しても、焦点が合わないため、ユーザが作ろうとするパターンのサイズに影響を及ぼさないようにして、不良パターンの形成を減らすことができる。

【0040】

これによって、ペリクル１００は、露光工程中、マスクの異物から保護しつつ、不良パターンを最小化して、半導体およびディスプレイ製造工程の収率を高めることができる。また、ペリクル１００の使用によってマスクの寿命を延ばすことができる。

【0041】

以下、このような本発明によるペリクル１００について具体的に説明する。

【0042】

基板１０は、ペリクル層２０を支持し、ペリクル１００を製造する過程および製造完了後にペリクル１００のハンドリングおよび移送を容易に行うことができる。基板１０は、シリコンなどのエッチング工程が可能な素材で形成されてもよい。例えば基板１０の素材は、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、金属酸化物、金属窒化物、黒鉛、非晶質炭素などがあり、当該素材が積層された構造も可能であり、これらに限定されるものではない。ここで、金属は、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｎｉなどが可能であり、これらに限定されるものではない。

【0043】

基板１０の中心部に形成された開放部１３は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ－ＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌＳｙｓｔｅｍｓ）のような微細加工技術を用いて形成できる。すなわち基板１０の中心部を微細加工技術で除去して、開放部１３を形成する。開放部１３にペリクル層２０が露出する。

【0044】

また、ペリクル層２０は、支持層２７、コア層２１およびキャッピング層２９を含む。

【0045】

支持層２７は、基板１０の開放部１３を覆うように基板１０の上に形成される。このような支持層２７は、ＫＯＨに抵抗性を有する素材で形成され、コア層２１の素材がシリコン基板１０に拡散するのを防止する機能も担当する。支持層２７は、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程で形成できるが、ＡＬＤ（ａｔｏｍｉｃｌａｙｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、電子ビーム蒸着（ｅ－ｂｅａｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程で形成して、厚さ、物性および化学組成の変更を自由に調節して、最上の透過率を有すると共に、欠点を最小化できるように形成する。支持層２７は、基板１０の上に１ｎｍ～１０ｎｍの厚さに形成されてもよい。

【0046】

コア層２１は、支持層２７の上に形成される。コア層２１は、極紫外線の透過率を決定する層である。コア層２１は、極紫外線に対する９０％以上の透過率を有し、熱を効果的に放出してペリクル層２０が過熱するのを防止する。

【0047】

また、キャッピング層２９は、コア層２１の極紫外線の透過率の低下を最小化しつつ、ペリクル層２０に熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を提供する。すなわちキャッピング層２９は、コア層２１の保護層であって、コア層２１から発生した熱を外部に効果的に放出して熱的安定性を提供する。キャッピング層２９は、コア層２１の機械的強度を補完して機械的安定性を提供する。また、キャッピング層２９は、水素ラジカルと酸化からコア層２１を保護して化学的耐久性を提供する。

【0048】

ここで、ペリクル層２０を形成する支持層２７、コア層２１およびキャッピング層２９は、それぞれＭおよびαを組み合わせた素材で形成される。

【0049】

例えばコア層２１の素材は、ＳｉＢ_ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）であり、支持層２７およびキャッピング層２９の素材は、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）でありうる。

【0050】

または、コア層２１の素材は、ＳｉＢ_６ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）であり、支持層２７およびキャッピング層２９の素材は、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）でありうる。

【0051】

または、コア層２１の素材は、ＹＢ_２ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）であり、支持層２７およびキャッピング層２９の素材は、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）でありうる。

【0052】

従来のペリクルにおいて、高い極紫外線透過率を確保するために、キャッピング層は、５ｎｍ以下の厚さに形成する必要があった。しかしながら、第１実施形態では、キャッピング層２９の素材としてＭおよびαを組み合わせた素材、例えばＹＯＦ、ＹＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＳｉＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧２）、ＳｉＢ_ｘ（ｘ≧３）、ＳｉＣ、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）、ＹＢ_ｘ（ｘ≧２）、ＹＮ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＦ_３、ＢＮ、ＮｂＢ_ｘ（ｘ≧１）、ＮｂＣ_ｘ（ｘ≧１）およびＢ_４Ｃから選ばれる素材を使用することによって、キャッピング層２９を１０ｎｍの厚さに形成しても、９０％以上の高い極紫外線透過率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を有するペリクル１００を提供できる。

【0053】

このように第１実施形態によるペリクル１００は、ペリクル層２０がＭ－α素材を含むので、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を提供できる。

【0054】

また、第１実施形態によるペリクル１００は、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を提供できる。すなわちペリクル層２０は、高い光特性を有するＳｉまたは化学的耐久性と機械的安定性を有するＹ、機械的強度を補強できるＢ、光特性および耐化学性を補強できるＮ、Ｃ、ＯまたはＦを含有する金属基盤化合物であるＭ－α素材を含むので、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を提供できる。

【0055】

このような第１実施形態によるペリクル１００は、次のような製造工程で製造できる。まず、開放部１３が形成されていない状態の基板１０の上に支持層２７、コア層２１およびキャッピング層２９をこの順に積層して、ペリクル層２０を形成する。

【0056】

この際、支持層２７、コア層２１およびキャッピング層２９は、それぞれＣＶＤ、ＡＬＤ、電子ビーム蒸着またはスパッタリング工程で形成できる。

【0057】

また、ペリクル層２０下の基板１０の中心部を除去して、ペリクル層２０の下面が露出する開放部１３を形成することによって、第１実施形態によるペリクル１００を得ることができる。すなわち支持層２７下の基板１０の中心部をウエットエッチングを通じて除去して、開放部１３を形成する。

【0058】

［第２実施形態］
図３は、本発明の第２実施形態による極紫外線露光用ペリクルを示す拡大図である。

【0059】

図３を参照すると、第２実施形態によるペリクルは、Ｍおよびαを組み合わせたＭ－α素材で形成されたペリクル層１２０を含む。ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｙ、Ｗ、Ｔｉ、ＩｒおよびＮｂのうち一つである。αは、Ｂ、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＦのうち少なくとも２個である。

【0060】

ペリクル層１２０は、基板１０に積層されて形成される支持層２７、コア層２１、中間層２５およびキャッピング層２９を含む。中間層２５は、コア層２１の一面または両面に形成されてもよい。すなわち支持層２７は、基板１０の開放部１３を覆うように基板１０の上に形成される。コア層２１は、支持層２７の上に形成される。中間層２５は、コア層２１の上に形成される。また、キャッピング層２９は、中間層２５の上に形成される。

【0061】

第２実施形態によるペリクルは、中間層２５が追加されたことを除いて、第１実施形態によるペリクル（図１の１００）と同じ構造を有する。

【0062】

ペリクル層１２０に含まれる中間層２５も、Ｍおよびαを組み合わせた素材で形成される。

【0063】

従来のペリクルにおいて、高い極紫外線透過率を確保するために、中間層は、５ｎｍ以下の厚さに形成する必要があった。しかしながら、第２実施形態では、中間層２５の素材としてＭおよびαを組み合わせた素材、例えばＹＯＦ、ＹＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＳｉＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧２）、ＳｉＢ_ｘ（ｘ≧３）、ＳｉＣ、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）、ＹＢ_ｘ（ｘ≧２）、ＹＮ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＦ_３、ＢＮ、ＮｂＢ_ｘ（ｘ≧１）、ＮｂＣ_ｘ（ｘ≧１）およびＢ_４Ｃから選ばれる素材を使用することによって、中間層２５を１０ｎｍの厚さに形成しても、９０％以上の高い極紫外線透過率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を有するペリクルを提供できる。

【0064】

このような第２実施形態によるペリクルは、次のような製造工程で製造できる。まず、開放部１３が形成されていない状態の基板１０の上に支持層２７、コア層２１、中間層２５およびキャッピング層２９をこの順に積層して、ペリクル層１２０を形成する。

【0065】

この際、支持層２７、コア層２１、中間層２５およびキャッピング層２９は、それぞれＣＶＤ、ＡＬＤ、電子ビーム蒸着またはスパッタリング工程で形成できる。

【0066】

また、ペリクル層１２０下の基板１０の中心部を除去して、ペリクル層１２０の下面が露出する開放部１３を形成することによって、第２実施形態によるペリクルを得ることができる。すなわち支持層２７下の基板１０の中心部をウエットエッチングを通じて除去して、開放部１３を形成する。

【0067】

このように第２実施形態によるペリクルは、ペリクル層１２０がＭ－α素材を含むので、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を提供できる。

【0068】

また、第２実施形態によるペリクルは、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を提供できる。

【0069】

［第３実施形態］
図４は、本発明の第３実施形態による極紫外線露光用ペリクルを示す拡大図である。

【0070】

図４を参照すると、第３実施形態によるペリクルは、Ｍおよびαを組み合わせたＭ－α素材で形成されたペリクル層２２０を含む。ここで、Ｍは、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｙ、Ｗ、Ｔｉ、ＩｒおよびＮｂのうち一つである。αは、Ｂ、Ｎ、Ｃ、ＯおよびＦのうち少なくとも２個である。

【0071】

ペリクル層２２０は、基板１０に積層されて形成される支持層２７、第１中間層２３、コア層２１、第２中間層２５およびキャッピング層２９を含む。第１および第２中間層２３、２５は、コア層２１の両面に形成される。すなわち支持層２７は、基板１０の開放部１３を覆うように基板１０の上に形成される。第１中間層２３は、支持層２７の上に形成される。コア層２１は、第１中間層２３の上に形成される。第２中間層２５は、コア層２１の上に形成される。また、キャッピング層２９は、第２中間層２５の上に形成される。

【0072】

第３実施形態によるペリクルは、第１および第２中間層２３、２５が追加されたことを除いて、第１実施形態によるペリクル（図１の１００）と同じ構造を有する。

【0073】

ペリクル層２２０に含まれる第１および第２中間層２３、２５も、Ｍおよびαを組み合わせた素材で形成される。

【0074】

従来のペリクルにおいて、高い極紫外線透過率を確保するために、中間層は、５ｎｍ以下の厚さに形成する必要があった。しかしながら、第３実施形態では、第１および第２中間層２３、２５の素材としてＭおよびαを組み合わせた素材、例えばＹＯＦ、ＹＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＹＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧１）、ＳｉＢ_ｘＮ_ｙ（ｘ＋ｙ≧２）、ＳｉＢ_ｘ（ｘ≧３）、ＳｉＣ、ＳｉＮ_ｘ（ｘ≧１）、ＹＢ_ｘ（ｘ≧２）、ＹＮ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＦ_３、ＢＮ、ＮｂＢ_ｘ（ｘ≧１）、ＮｂＣ_ｘ（ｘ≧１）およびＢ_４Ｃから選ばれる素材を使用することによって、第１および第２中間層２３、２５を１０ｎｍの厚さに形成しても、９０％以上の高い極紫外線透過率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を有するペリクルを提供できる。

【0075】

このような第３実施形態によるペリクルは、次のような製造工程で製造できる。まず、開放部１３が形成されていない状態の基板１０の上に支持層２７、第１中間層２３、コア層２１、第２中間層２５およびキャッピング層２９をこの順に積層して、ペリクル層２２０を形成する。

【0076】

この際、支持層２７、第１中間層２３、コア層２１、第２中間層２５およびキャッピング層２９は、それぞれＣＶＤ、ＡＬＤ、電子ビーム蒸着またはスパッタリング工程で形成できる。

【0077】

また、ペリクル層２２０下の基板１０の中心部を除去して、ペリクル層２２０の下面が露出する開放部１３を形成することによって、第３実施形態によるペリクルを得ることができる。すなわち支持層２７下の基板１０の中心部をウエットエッチングを通じて除去して、開放部１３を形成する。

【0078】

このように第３実施形態によるペリクルは、ペリクル層２２０がＭ－α素材を含むので、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を提供できる。

【0079】

また、第３実施形態によるペリクルは、９０％以上の高い極紫外線透過率と０．０４％以下の極紫外線反射率を有し、熱的安定性、機械的安定性および化学的耐久性を提供できる。

【0080】

［実験例］
このような本発明によるペリクルの３５０Ｗ以上の極紫外線出力環境での透過率と反射率を確認するために、図５～図４０による第１～第３６実験例によるペリクルに対するシミュレーションを行った。

【0081】

第１～第３６実験例によるペリクルは、第１実施形態によるペリクル層を含む。すなわちペリクル層は、支持層、コア層およびキャッピング層を含む。

【0082】

支持層の厚さが５ｎｍの場合、コア層は、０～３０ｎｍ、キャッピング層は、０～１０ｎｍに厚さを変更しつつ、第１～第３６実験例によるペリクルの３５０Ｗの極紫外線出力環境での透過率と反射率をシミュレーションした。

【0083】

第１～第９実験例
図５～図１３は、第１～第９実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【0084】

第１～第９実験例によるペリクル層は、ＭとしてＳｉを使用し、αとしてＢおよびＮを使用した。ここで、支持層の素材は、ＳｉＮ_ｘである。コア層の素材は、ＳｉＢ_ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）である。また、キャッピング層の素材は、ＳｉＮ_ｘである。

【0085】

第１～第９実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢａＮｂ＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。「ＳｉＮ（５ｎｍ）」は、支持層を示す。「ＳｉＢａＮｂ」は、コア層を示す。また、「ＳｉＮ」は、キャッピング層を示す。

【0086】

図５を参照すると、第１実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．１Ｎ０．９＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0087】

コア層の厚さが１３ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0088】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、反射率は、０．０５％以下である。

【0089】

図６を参照すると、第２実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．２Ｎ０．８＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0090】

コア層の厚さが１４ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0091】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、反射率は、０．０５％以下である。

【0092】

図７を参照すると、第３実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．３Ｎ０．７＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0093】

コア層の厚さが１５ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0094】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、反射率は、０．０５％以下である。

【0095】

図８を参照すると、第４実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．４Ｎ０．６＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0096】

コア層の厚さが１５ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0097】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、反射率は、０．０５％以下である。

【0098】

図９を参照すると、第５実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．５Ｎ０．５＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0099】

コア層の厚さが１７ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0100】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが６～８ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0101】

図１０を参照すると、第６実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．６Ｎ０．４＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0102】

コア層の厚さが１７ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0103】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが６～８ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0104】

図１１を参照すると、第７実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．７Ｎ０．３＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0105】

コア層の厚さが２０ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0106】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが６～８ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0107】

図１２を参照すると、第８実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．８Ｎ０．２＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0108】

コア層の厚さが２２ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0109】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが６～８ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0110】

図１３を参照すると、第９実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．９Ｎ０．１＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0111】

コア層の厚さが２４ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0112】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが６～８ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0113】

このように第１～第９実験例によれば、コア層の素材としてＳｉＢ_ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）を使用する場合、コア層の厚さが２４ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが６～８ｎｍで９０％以上の極紫外線透過率と０．０４％以下の反射率を有するペリクルを提供できることを確認できる。

【0114】

第１０～第１８実験例
図１４～図２２は、第１０～第１８実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【0115】

第１０～第１８実験例によるペリクル層は、ＭとしてＳｉを使用し、αとしてＢおよびＮを使用した。ここで、支持層の素材は、ＳｉＮ_ｘである。コア層の素材は、ＳｉＢ_６ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）である。また、キャッピング層の素材は、ＳｉＮ_ｘである。

【0116】

第１０～第１８実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢａＮｂ＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。「ＳｉＮ（５ｎｍ）」は、支持層を示す。「ＳｉＢａＮｂ」は、コア層を示す。
また、「ＳｉＮ」は、キャッピング層を示す。

【0117】

図１４を参照すると、第１０実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ０．６Ｎ０．９＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0118】

コア層の厚さが１３ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0119】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、反射率は、０．０５％以下である。

【0120】

図１５を参照すると、第１１実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ１．２Ｎ０．８＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0121】

コア層の厚さが１５ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0122】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、反射率は、０．０５％以下である。

【0123】

図１６を参照すると、第１２実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ１．８Ｎ０．７＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0124】

コア層の厚さが１６ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0125】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが２～４ｎｍまたは８～１０ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0126】

図１７を参照すると、第１３実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ２．４Ｎ０．６＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0127】

コア層の厚さが１７ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0128】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１～４ｎｍまたは８～１０ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0129】

図１８を参照すると、第１４実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ３．０Ｎ０．５＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0130】

コア層の厚さが１８ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0131】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１～４ｎｍまたは７～１０ｎｍである場合、反射率は、０．０４％以下である。

【0132】

図１９を参照すると、第１５実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ３．６Ｎ０．４＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0133】

コア層の厚さが２０ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0134】

【0135】

図２０を参照すると、第１６実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ４．２Ｎ０．３＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0136】

コア層の厚さが２２ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0137】

【0138】

図２１を参照すると、第１７実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ４．８Ｎ０．２＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0139】

コア層の厚さが２３ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0140】

【0141】

図２２を参照すると、第１８実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＳｉＢ５．４Ｎ０．１＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0142】

コア層の厚さが２４ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0143】

【0144】

このように第１０～第１８実験例によれば、コア層の素材としてＳｉＢ_６ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）を使用する場合、コア層の厚さが２４ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１～４ｎｍまたは７～１０ｎｍで９０％以上の極紫外線透過率と０．０４％以下の反射率を有するペリクルを提供できることを確認できる。

【0145】

第１９～第２７実験例
図２３～図３１は、第１９～第２７実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【0146】

第１９～第２７実験例によるペリクル層は、ＭとしてＹを使用し、αとしてＢおよびＮを使用した。ここで、支持層の素材は、ＳｉＮ_ｘである。コア層の素材は、ＹＢ_２ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）である。また、キャッピング層の素材は、ＳｉＮ_ｘである。

【0147】

第１９～第２７実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢａＮｂ＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。「ＳｉＮ（５ｎｍ）」は、支持層を示す。「ＹＢａＮｂ」は、コア層を示す。また、「ＳｉＮ」は、キャッピング層を示す。

【0148】

図２３を参照すると、第１９実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ０．２Ｎ０．９＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0149】

コア層の厚さが１４ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0150】

【0151】

図２４を参照すると、第２０実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ０．４Ｎ０．８＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0152】

コア層の厚さが１５ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0153】

【0154】

図２５を参照すると、第２１実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ０．６Ｎ０．７＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0155】

コア層の厚さが１６ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0156】

【0157】

図２６を参照すると、第２２実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ０．８Ｎ０．６＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0158】

コア層の厚さが１７ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0159】

【0160】

図２７を参照すると、第２３実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ１．０Ｎ０．５＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0161】

コア層の厚さが１７ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0162】

【0163】

図２８を参照すると、第２４実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ１．２Ｎ０．４＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0164】

コア層の厚さが１８ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0165】

【0166】

図２９を参照すると、第２５実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ１．４Ｎ０．３＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0167】

コア層の厚さが１９ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0168】

【0169】

図３０を参照すると、第２６実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ１．６Ｎ０．２＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0170】

コア層の厚さが２１ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0171】

【0172】

図３１を参照すると、第２７実験例によるペリクルは、「ＳｉＮ＿ＹＢ１．８Ｎ０．１＿ＳｉＮ（５ｎｍ）」で表示した。

【0173】

コア層の厚さが２３ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0174】

【0175】

このように第１９～第２７実験例によれば、コア層の素材としてＹＢ_２ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）を使用し、支持層およびキャッピング層の素材としてＳｉＮ_ｘを使用する場合、コア層の厚さが２３ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが２～４ｎｍまたは８～１０ｎｍで９０％以上の極紫外線透過率と０．０４％以下の反射率を有するペリクルを提供できることを確認できる。

【0176】

第２８～第３６実験例
図３２～図４０は、第２８～第３６実験例による極紫外線露光用ペリクルの透過率と反射率を示すグラフである。

【0177】

第２８～第３６実験例によるペリクル層は、ＭとしてＹを使用し、αとしてＢおよびＮを使用した。ここで、支持層の素材は、ＹＢ_６である。コア層の素材は、ＹＢ_２ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）である。また、キャッピング層の素材は、ＹＢ_６である。

【0178】

第２８～第３６実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢａＮｂ＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。「ＹＢ６（５ｎｍ）」は、支持層を示す。「ＹＢａＮｂ」は、コア層を示す。また、「ＹＢ６」は、キャッピング層を示す。

【0179】

図３２を参照すると、第２８実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ０．２Ｎ０．９＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0180】

コア層の厚さが１８ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0181】

また、コア層の厚さが３０ｎｍ以下であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下の一部区間において反射率は、０．０４％以下である。反射率が０．０４％以下の区間は、コア層およびキャッピング層の厚さグラフにおいて斜線方向に狭く６個の領域に現れることを確認できる。

【0182】

図３３を参照すると、第２９実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ０．４Ｎ０．８＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0183】

コア層の厚さが１８ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0184】

【0185】

図３４を参照すると、第３０実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ０．６Ｎ０．７＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0186】

コア層の厚さが１９ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0187】

【0188】

図３５を参照すると、第３１実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ０．８Ｎ０．６＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0189】

コア層の厚さが２０ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0190】

【0191】

図３６を参照すると、第３２実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ１．０Ｎ０．５＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0192】

コア層の厚さが２１ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0193】

【0194】

図３７を参照すると、第３３実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ１．２Ｎ０．４＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0195】

コア層の厚さが２３ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0196】

【0197】

図３８を参照すると、第３４実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ１．４Ｎ０．３＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0198】

コア層の厚さが２４ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0199】

【0200】

図３９を参照すると、第３５実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ１．６Ｎ０．２＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0201】

コア層の厚さが２５ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0202】

【0203】

図４０を参照すると、第３６実験例によるペリクルは、「ＹＢ６＿ＹＢ１．８Ｎ０．１＿ＹＢ６（５ｎｍ）」で表示した。

【0204】

コア層の厚さが２７ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下である場合、透過率は、９０％以上である。

【0205】

【0206】

このように第２８～第３６実験例によれば、コア層の素材としてＹＢ_２ｘＮ_１－ｘ（０＜ｘ＜１）を使用し、支持層およびキャッピング層の素材としてＹＢ_６を使用する場合、コア層の厚さが２７ｎｍ未満であり、キャッピング層の厚さが１０ｎｍ以下の一部の厚さにおいて９０％以上の極紫外線透過率と０．０４％以下の反射率を有するペリクルを提供できることを確認できる。

【0207】

なお、本明細書と図面に開示された実施形態は、理解を助けるために特定例を提示したものに過ぎず、本発明の範囲を限定しようとするものではない。ここに開示された実施形態以外にも、本発明の技術的思想に基づく他の変形例が実施可能であるということは、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者にとって自明なものである。

【符号の説明】

【0208】

１０基板
１３開放部
２０、１２０、２２０ペリクル層
２１コア層
２３、２５中間層
２３第１中間層
２５第２中間層
２７支持層
２９キャッピング層
１００極紫外線露光用ペリクル

【図1】