特許 7421189 電気デバイスの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-16

(45)【発行日】2024-01-24

(54)【発明の名称】電気デバイスの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C06B 45/12 20060101AFI20240117BHJP

   C06B 43/00 20060101ALI20240117BHJP

   C06B 45/14 20060101ALI20240117BHJP

   B23K 3/04 20060101ALI20240117BHJP

【ＦＩ】

C06B45/12

C06B43/00

C06B45/14

B23K3/04

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020023128

(22)【出願日】2020-02-14

(65)【公開番号】P2021127274

(43)【公開日】2021-09-02

【審査請求日】2022-07-08

(73)【特許権者】

【識別番号】000004260

【氏名又は名称】株式会社デンソー

(73)【特許権者】

【識別番号】304000836

【氏名又は名称】学校法人 名古屋電気学園

(74)【代理人】

【識別番号】110000110

【氏名又は名称】弁理士法人 快友国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】門口 卓矢

(72)【発明者】

【氏名】生津 資大

(72)【発明者】

【氏名】訓谷 保広

(72)【発明者】

【氏名】後藤 大輝

(72)【発明者】

【氏名】児玉 健太

【審査官】岡田 三恵

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１５－０８５３５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１８５６６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１７８６７６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１５－５１４５８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－２０２９５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１１６５７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００６－５２８５５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０５３４０５３３（ＵＳ，Ａ）

【文献】特開２０１６－０４８７８１（ＪＰ，Ａ）

【文献】自己伝播発熱素材を用いた瞬間はんだ接合技術，エレクトロニクス実装学会誌，日本，2015年，Vol.18,No.7，474-478

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ０６Ｂ ４５／１２

Ｃ０６Ｂ ４３／００

Ｃ０６Ｂ ４５／１４

Ｂ２３Ｋ ３／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

互いに接合された二つの部材を含む電気デバイスの製造方法であり、
前記二つの部材の各接合面の間に、自己伝播発熱反応を示す多層膜を配置する工程と、
前記多層膜を自己伝播発熱反応させることによって、前記二つの部材を互いに接合する工程と、
を備え、
前記二つの部材の各接合面は、Ａｌ材で被覆されており、
前記多層膜は、最外層がＮｉ層となるようにＮｉ層とＡｌ層とが交互に積層された構造、又は、最外層がＴｉ層となるようにＴｉ層とＳｉ層とが交互に積層された構造を有し、
前記接合する工程では、前記多層膜の自己伝播発熱反応と並行して、前記多層膜の最外層を構成するＮｉ層又はＴｉ層が、前記接合面を被覆する前記Ａｌ材と反応して化合物を生成し、
前記Ａｌ材の厚みは、前記接合する工程の後において前記化合物で構成された層と前記二つの部材のそれぞれとの間に前記Ａｌ材が残存する厚みである、
製造方法。

【請求項2】

前記多層膜は、前記Ｎｉ層と前記Ａｌ層とが交互に積層された前記構造を有するとともに、前記Ａｌ層にはＢが含有されている、請求項１に記載の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書が開示する技術は、例えば半導体装置といった電気デバイスの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に、自己伝播発熱反応を利用して、二つの部材を電気的及び物理的に接合する技術が開示されている。この技術では、二つの部材の各接合面の間に、自己伝播発熱反応を示す多層膜を配置し、その多層膜を自己伝播発熱反応させることによって、二つの部材を互いに接合する。反応後の多層膜は、比較的に融点の高い化合物層となり、高温下でも安定した接合層を構成する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１７－２０２９５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記した接合技術は、常温での接合も可能であることから、例えば半導体装置といった、様々な電気デバイスの製造に対して好適に適用することができる。しかしながら、多層膜の自己伝播発熱反応では、化合物の生成に伴う体積減少が比較的に大きく、各部材と接合層との間で剥離やボイドが発生したり、接合層（反応後の多層膜）にクラックが生じることがある。本明細書は、このような問題を解決又は低減し得る技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本明細書が開示する技術は、互いに接合された二つの部材を含む電気デバイスについて、一つの製造方法に具現化される。この製造方法は、二つの部材の各接合面の間に、自己伝播発熱反応を示す多層膜を配置する工程と、多層膜を自己伝播発熱反応させることによって、二つの部材を互いに接合する工程とを備える。この製造方法において、二つの部材の各接合面は、Ａｌ（アルミニウム）材で被覆されている。また、多層膜は、最外層がＮｉ（ニッケル）層となるようにＮｉ層とＡｌ層とが交互に積層された構造を有するか、又は、最外層がＴｉ（チタン）層となるようにＴｉ層とＳｉ（シリコン）層とが交互に積層された構造を有する。これにより、多層膜が自己伝播発熱反応するときに、それと並行して、多層膜の最外層を構成するＮｉ層又はＴｉ層が、少なくとも一方の部材の接合面を被覆するＡｌ材と反応して化合物を生成する。接合層（即ち、反応後の多層膜）と各部材との間が強固に結合されるので、剥離やボイドといった界面における欠陥の発生が抑制される。

【0006】

本明細書が開示する技術は、互いに接合された二つの部材を含む電気デバイスについて、他の一つの製造方法にも具現化される。この製造方法もまた、二つの部材の各接合面の間に、自己伝播発熱反応を示す多層膜を配置する工程と、多層膜を自己伝播発熱反応させることによって、二つの部材を互いに接合する工程とを備える。但し、この製造方法では、前二つの部材の各接合面が、Ａｌ材に限定されない金属材料で被覆されていればよい。また、多層膜は、Ｎｉ層とＡｌ層とが交互に積層された構造を有するとともに、Ａｌ層にはＢ（ボロン）が含有されている。これにより、反応後の多層膜（即ち、接合層）は、ＡＩとＮｉとの化合物にＢが添加されたものとなり、Ｂが添加されていないものと比較して延性が高まる。接合層の延性が高まることで、接合層にクラックが生じることが抑制される。

【0007】

上記した各々の製造方法において、Ａｌ材又はＡｌ層とは、Ａｌ又はＡｌ合金で構成された材料又は層を意味し、Ａｌのみで構成された材料又は層に限定されるものではない。Ｎｉ層、Ｔｉ層及びＳｉ層についても同様である。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】実施例１の半導体装置１０の構造を模式的に示す断面図。

【図2】実施例１の半導体装置１０の製造方法の一例であって、Ｎｉ層３２とＡｌ層３４とが交互に積層された多層膜３０ｘを使用した場合を示す。

【図3】実施例１の半導体装置１０の製造方法の一変形例であって、多層膜３０ｘが半導体素子１２に予め設けられた場合を示す。

【図4】実施例１の半導体装置１０の製造方法の一変形例であって、多層膜３０ｘが絶縁回路基板２０に予め設けられた場合を示す。

【図5】実施例１の半導体装置１０の製造方法の一変形例であって、Ｔｉ層１３２とＳｉ層１３４とが交互に積層された多層膜１３０ｘを使用した場合を示す。

【図6】実施例２の半導体装置１０Ａの構造を模式的に示す断面図。

【図7】実施例２の半導体装置１０Ａの製造方法の一例を示す。

【発明を実施するための形態】

【0009】

（実施例１）図面を参照して、実施例１の半導体装置１０とその製造方法について説明する。図１に示すように、半導体装置１０は、半導体素子１２と絶縁回路基板２０とを備えており、それらの間が接合層３０を介して接合されている。なお、半導体素子１２及び絶縁回路基板２０は、半導体装置１０を構成する複数の部材の一部である。本明細書で開示する技術は、半導体素子１２と絶縁回路基板２０に限られず、半導体装置１０を構成する他の二つの部材（図示省略）にも、同様に適用することができる。さらに、本明細書で開示する技術は、半導体装置１０に限られず、物理的及び電気的に接合された二つの部材を有する限りにおいて、様々な電気デバイスにも採用することができる。

【0010】

半導体素子１２は、パワー半導体素子であって、例えばダイオード、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、又は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）であってよい。また、半導体素子１２の半導体基板は、例えばＳｉ基板、ＳｉＣ（炭化シリコン）基板、又は、ＧａＮ（窒化ガリウム）基板であってよい。半導体素子１２の具体的な構成については、特に限定されない。

【0011】

絶縁回路基板２０は、セラミック基板２２と、セラミック基板２２の一面に設けられた内側導体板２４と、セラミック基板２２の他面に設けられた外側導体板２６とを備える。特に限定されないが、セラミック基板２２は、ＳｉＮ（窒化シリコン）で構成されており、内側導体板２４及び外側導体板２６は、Ｃｕ（銅）で構成されている。絶縁回路基板２０は、例えばＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板や、ＡＭＢ（Active Metal Braze Copper）基板であってもよい。

【0012】

接合層３０は、半導体素子１２と絶縁回路基板２０との間に位置しており、ＡｌとＮｉとの化合物（即ち、Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物）で構成されている。Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物の具体的な組成については、特に限定されないが、例えばＡｌＮｉであってよい。Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物は、比較的に高い融点を有するので、半導体装置１０が高温下で動作する場合であっても、半導体素子１２と絶縁回路基板２０との間の接合は安定して維持される。ここで、接合層３０の厚みについては、一例ではあるが、１～５０マイクロメートルとすることができる。なお、他の実施形態として、接合層３０は、ＴｉとＳｉとの化合物（即ち、Ｔｉ－Ｓｉ系金属間化合物）で構成されてもよい。この場合でも、Ｔｉ－Ｓｉ系金属間化合物の具体的な組成については特に限定されないが、例えばＴｉＳｉ及び／又はＴｉ_５Ｓｉ_４であってよい。

【0013】

接合層３０と半導体素子１２との間には、バッファ層４０が設けられている。本実施例におけるバッファ層４０は、Ａｌ材で構成されている。Ａｌ材は、比較的に高い延性を有する。従って、バッファ層４０がＡｌ材で構成されていると、接合層３０と半導体素子１２との間で応力を緩和するように機能する。同様に、接合層３０と内側導体板２４との間にも、バッファ層４２が設けられている。このバッファ層４２についても、Ａｌ材で構成されており、接合層３０と内側導体板２４との間で応力を緩和するように機能する。なお、バッファ層４０、４２の各厚みは、１マイクロメートル以上であるとよく、それによって応力を緩和する機能を十分に発揮することができる。他の実施形態として、バッファ層４０、４２は、Ｚｎ（亜鉛）材、Ｃｕ材、Ａｇ（銀）材で構成されてもよい。これらの材料についても、比較的に高い延性を有しているので、Ａｌ材の場合と同じく、バッファ層４０、４２は応力を緩和する機能を発揮することができる。また、これらの金属材料の融点は、Ｓｉ（錫）の融点（２３２℃）よりも高いことから、例えばはんだ付けで組み付けられた製品と比較して、半導体装置１０が高温下で動作することを可能とする。

【0014】

次に、図２を参照して、半導体装置１０の製造方法について説明する。図２に示すように、半導体装置１０の製造方法では、先ず、半導体素子１２の接合面１２ａと、絶縁回路基板２０の接合面２０ａとの間に、多層膜３０ｘを配置する。なお、図２では、図示の明瞭化を目的として、三つの部材１２、２０、３０ｘの間に隙間が設けられているが、実際は、それら三つの部材１２、２０、３０ｘは互いに接触するように重畳配置される。

【0015】

半導体素子１２の接合面１２ａには、Ａｌ材で構成されたバッファ層４０が予め設けられている。絶縁回路基板２０の接合面２０ａにも、Ａｌ材で構成されたバッファ層４２が予め設けられている。バッファ層４０、４２の各厚みは、特に限定されないが、例えば１マイクロメートル以上とすることができる。また、バッファ層４０と半導体素子１２との間や、バッファ層４２と絶縁回路基板２０との間には、Ａｌの拡散を防止するための金属バリア層が設けられてもよい。この場合、金属バリア層は、例えばＣｒ（クロム）やＴｉを用いて構成することができる。

【0016】

多層膜３０ｘは、Ｎｉ層３２とＡｌ層３４とが交互に積層された構造を有しており、自己伝播発熱反応を示す多層膜である。ここで、本実施例における多層膜３０ｘでは、表裏に位置する各最外層がＮｉ層３２となるように、Ｎｉ層３２とＡｌ層３４とが交互に積層されている。多層膜３０ｘのその他の構成については、特に限定されない。一例ではあるが、本実施例における多層膜３０ｘでは、Ｎｉ層３２が４０ナノメートルの厚みを有しており、Ａｌ層３４が６０ナノメートルの厚みを有しており、Ｎｉ層３２とＡｌ層３４とがそれぞれ３００層ずつ積層されている。

【0017】

次に、多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させることによって、半導体素子１２と絶縁回路基板２０との間を互いに接合する。多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させる具体的な方法は、特に限定されない。例えば、真空下（例えば５×１０^－４Ｐａ）あるいは、不活性ガス（例えばＮ_２やＡｒ）雰囲気下において、多層膜３０ｘに電圧（例えば２０ボルト）を印加することにより、多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させることができる。あるいは、多層膜３０ｘに機械的な刺激を与えることでも、多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させることができる。あるいは、多層膜３０ｘにレーザ光を照射することでも、多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させることができる。なお、多層膜３０ｘの自己伝播発熱反応は、常温で行うことができるが、例えば多層膜３０ｘの厚みが比較的に小さいときなど、多層膜３０ｘによる発熱量が不足する場合には、予備的又は補助的に多層膜３０ｘを加熱してもよい。

【0018】

多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させると、多層膜３０ｘの内部では、互いに隣接するＮｉ層３２とＡｌ層３４とが反応することで、Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物の生成が生じる。これにより、反応後の多層膜３０ｘは、Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物で構成された接合層３０（図１参照）となり、半導体素子１２と絶縁回路基板２０との間が接合される。ここで、前述したように、多層膜３０ｘの最外層にはそれぞれＮｉ層３２が位置しており、それらのＮｉ層３２には、Ａｌ材で構成されたバッファ層４０、４２がそれぞれ接触している。従って、多層膜３０ｘが自己伝播発熱反応するときに、それと並行して、多層膜３０ｘの最外層を構成するＮｉ層３２は、バッファ層４０、４２のＡｌ材と反応して化合物（即ち、Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物）を生成する。その結果、反応後の多層膜３０ｘ（即ち、接合層３０）は、半導体素子１２及び絶縁回路基板２０のそれぞれに強固に結合され、剥離やボイドといった界面における欠陥の発生が抑制される。

【0019】

前述したように、バッファ層４０、４２の厚みは、例えば１マイクロメートル以上であって、比較的に大きい。従って、上記した接合の後でも、接合層３０と半導体素子１２との間、及び、接合層３０と絶縁回路基板２０との間には、Ａｌ材で構成されたバッファ層４０、４２が残存する。これにより、バッファ層４０、４２は、製造段階において接合性を高めるという効果を奏するだけでなく、完成後の半導体装置１０においても、応力を緩和するという効果を奏することができる。

【0020】

図２に示したように、多層膜３０ｘは、独立した部材として用意することができる。しかしながら、図３に示すように、多層膜３０ｘは、半導体素子１２に予め設けられていてもよい。この場合、多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させたときに、多層膜３０ｘの最外層に位置するＮｉ層３２は、絶縁回路基板２０に設けられたバッファ層４２のみと化合物を生成する。あるいは、図４に示すように、多層膜３０ｘは、絶縁回路基板２０上に予め設けられていてもよい。この場合、多層膜３０ｘを自己伝播発熱反応させたときに、多層膜３０ｘの最外層に位置するＮｉ層３２は、半導体素子１２に設けられたバッファ層４２のみと化合物を生成する。いずれの場合においても、多層膜３０ｘは、例えばスパッタリングによって成膜することができる。

【0021】

図５に示すように、上記した製造方法の一変形例として、多層膜１３０ｘは、Ｔｉ層１３２とＳｉ層１３４とが交互に積層された構造を有してもよい。この場合でも、多層膜１３０ｘは、自己伝播発熱反応を示すことができる。なお、この多層膜１３０ｘでは、表裏に位置する各最外層がＴｉ層１３２となるように、Ｔｉ層１３２とＳｉ層１３４とが交互に積層されるとよい。このような構成によっても、多層膜１３０ｘの内部では、互いに隣接するＴｉ層１３２とＳｉ層１３４とが反応することで、Ｔｉ－Ｓｉ系金属間化合物の生成が生じる。さらにそれと並行して、多層膜１３０ｘの最外層を構成するＴｉ層１３２は、バッファ層４０、４２のＡｌ材と反応して化合物（即ち、Ｔｉ－Ａｌ系金属間化合物）を生成する。その結果、反応後の多層膜１３０ｘは、半導体素子１２及び絶縁回路基板２０のそれぞれと強固に結合され、剥離やボイドといった界面における欠陥の発生が抑制される。

【0022】

一例ではあるが、多層膜１３０ｘは、Ｔｉ層１３２が１３．５ナノメートルの厚みを有し、Ｓｉ層１３４が１１．５ナノメートルの厚みを有し、Ｔｉ層１３２とＳｉ層１３４とがそれぞれ８０層ずつ積層されてもよい。また、この多層膜１３０ｘについても、前述した多層膜３０ｘと同じく、独立した部材で用意されてもよいし、半導体素子１２又は絶縁回路基板２０に対して予め設けられていてもよい。

【0023】

（実施例２）次に、実施例２の半導体装置１０Ａとその製造方法について説明する。図６に示すように、本実施例の半導体装置１０Ａもまた、半導体素子１２と絶縁回路基板２０とを備えており、それらの間が接合層２３０を介して接合されている。半導体素子１２と絶縁回路基板２０については、実施例１と共通していることから、ここでは重複する説明を省略する。

【0024】

接合層２３０は、半導体素子１２と絶縁回路基板２０との間に位置しており、ＡｌとＮｉとの化合物（即ち、Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物）で構成されている。但し、本実施例における接合層２３０では、Ｂ（ボロン）が添加されており、実施例１における接合層３０よりも高い延性を有する。即ち、Ｂが未添加のＮｉ－Ａｌ系金属間化合物は、脆性破壊の挙動を示すのに対して、Ｂが添加されたＮｉ－Ａｌ系金属間化合物は、延性破壊の挙動を示す。接合層２３０が比較的に高い延性を示すことで、接合層２３０やその周辺におけるクラックの発生が効果的に抑制される。ここで、接合層２３０中のＢの濃度は、特に限定されないが、０．１重量パーセントとすることができる。

【0025】

本実施例においても、接合層２３０と半導体素子１２との間、及び、接合層２３０と半導体素子１２との絶縁回路基板２０との間には、バッファ層２４０、２４２がそれぞれ設けられている。但し、このバッファ層２４０、２４２は、特に限定されないが、Ｓｎ材で構成されている。本実施例の半導体装置１０では、接合層２３０が比較的に高い延性を有しており、それによって接合層２３０やその周辺における欠陥（クラック等）の発生が抑制される。従って、バッファ層２４０、２４２には、Ｓｎ材を採用することができる。しかしながら、バッファ層２４０、２４２は、Ｓｎ材に限定されず、Ａｌ材、Ｚｎ材、Ｃｕ材、Ａｇ材といった、他の金属材料を用いることもできる。

【0026】

次に、図７を参照して、本実施例の半導体装置１０Ａの製造方法について説明する。図７に示すように、この製造方法では、先ず、半導体素子１２の接合面１２ａと、絶縁回路基板２０の接合面２０ａとの間に、多層膜２３０ｘを配置する。なお、図７では、図示の明瞭化を目的として、三つの部材１２、２０、２３０ｘの間に隙間が設けられているが、実際は、それら三つの部材１２、２０、２３０ｘは互いに接触するように重畳配置される。

【0027】

半導体素子１２の接合面１２ａには、Ｓｎ材で構成されたバッファ層４０が予め設けられている。絶縁回路基板２０の接合面２０ａにも、Ｓｎ材で構成されたバッファ層４２が予め設けられている。バッファ層２４０、２４２の各厚みは、特に限定されないが、例えば１マイクロメートル以上とすることができる。なお、バッファ層２４０、２４２は、前述したように、Ａｌ材といった他の金属材料で構成されてもよい。バッファ層２４０、２４２がＡｌ材で構成される場合は、バッファ層２４０と半導体素子１２との間や、バッファ層２４２と絶縁回路基板２０との間に、例えばＣｒ（クロム）やＴｉを用いて構成された金属バリア層がさらに設けられてもよい。

【0028】

多層膜２３０ｘは、Ｎｉ層２３２とＡｌ層２３４とが交互に積層された構造を有しており、自己伝播発熱反応を示す多層膜である。また、Ａｌ層２３４には、Ｂが含有されている。多層膜２３０ｘのその他の構成については、特に限定されない。一例ではあるが、本実施例における多層膜２３０ｘでは、Ｎｉ層２３２が４０ナノメートルの厚みを有しており、Ａｌ層２３４が６０ナノメートルの厚みを有しており、Ｎｉ層２３２とＡｌ層２３４とがそれぞれ３００層ずつ積層されている。多層膜２３０ｘは、スパッタリングによって成膜することができる。この場合、Ａｌ層２３４を成膜するためのターゲットには、０．３２重量パーセントの濃度でＢを含有するＡｌ材を用いることができる。また、特に限定されないが、本実施例における多層膜２３０ｘにおいても、表裏に位置する各最外層はＮｉ層３２となっている。

【0029】

次に、多層膜２３０ｘを自己伝播発熱反応させることによって、半導体素子１２と絶縁回路基板２０との間を互いに接合する。多層膜２３０ｘの自己伝播発熱反応は、例えば実施例１と同様に行うことができ、その具体的な方法は特に限定されない。多層膜２３０ｘを自己伝播発熱反応させると、多層膜２３０ｘの内部では、互いに隣接するＮｉ層３２とＡｌ層３４とが反応することで、Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物の生成が生じる。これにより、反応後の多層膜２３０ｘは、Ｎｉ－Ａｌ系金属間化合物で構成された接合層２３０（図６参照）となり、半導体素子１２と絶縁回路基板２０との間が接合される。本実施例では、多層膜２３０ｘのＡｌ層２３４にＢが含有されていたので、接合層２３０を構成するＮｉ－Ａｌ系金属間化合物にもＢが含有されている。前述したように、Ａｌ層２３４の成膜に０．３２重量パーセントの濃度でＢを含有するターゲットを使用した場合、反応後の多層膜２３０ｘ（即ち、接合層２３０）には、０．１重量パーセントの濃度でＢが含有されることが確認されている。

【0030】

以上のように、実施例２の製造方法では、多層膜２３０ｘのＡｌ層２３４にＢが含有されている。これにより、反応後の多層膜２３０ｘ（即ち、接合層２３０）は、ＡＩとＮｉとの化合物にＢが添加されたものとなり、Ｂが添加されていないものと比較して延性が高まる。接合層２３０の延性が高まることで、接合層２３０やその周辺に生じる応力が緩和され、クラックといった欠陥の発生が有意に抑制される。

【0031】

以上、本明細書が開示する技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書、又は、図面に説明した技術要素は、単独で、あるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書又は図面に例示した技術は、複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

【符号の説明】

【0032】

１０、１０Ａ：半導体装置
１２：半導体素子
２０：絶縁回路基板
３０、２３０：接合層
３０ｘ、１３０ｘ、２３０ｘ：多層膜
４０、４２、２４０、２４２：バッファ層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】