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この発明は、トランスを備える半導体装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

一般的に、トランスの耐圧対策箇所は、一対のコイル間の絶縁膜である。当該絶縁膜にはトランスのコイル間の大きな電圧が加わるので、薄い絶縁膜では、その電圧に耐えることができないためである。 一方、トランスから絶縁膜の面内方向（横方向）に離れた領域に、低電圧領域（たとえば、低電圧コイル用の配線が形成された領域等）が設けられることがある。通常、低電圧領域－トランス間の距離は、トランスのコイル間の距離に比べて数十倍以上に設定される。そのため、低電圧領域－トランス間の領域で絶縁破壊が起こることについて、現在までほとんど検討されてこなかった。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一半導体装置は、第１リードフレームと、前記第１リードフレームに接合された第１半導体チップと、第２リードフレームと、前記第２リードフレームに接合された第２半導体チップと、前記第２リードフレームに接合され、平面視において前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間に配置されたインダクタチップとを含み、前記インダクタチップは、下側インダクタ配線と、断面視において前記下側イ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、本発明の一実施形態を示す半導体モジュールの模式的な平面図である。
【図2】 図２は、前記半導体モジュールの接続形態および各部の電位を示す図である。
【図3】 図３は、トランスチップの平面構造を説明するための模式図である。
【図4】 図４は、前記トランスチップの下コイルの平面構造を説明するための模式図である。
【図5】 図５は、前記トランスチップの上コイルの平面構造を説明するための模式図である。
【図6】 図６は、前記トランスチップの断面図（図３のVI－VI線断面図）である。
【図7】 図７は、図６のトランスチップの要部拡大図である。
【図8】 図８は、トランスを備える半導体チップにおける層間膜の厚さと破壊電圧との関係を示す図である。
【図9】 図９は、前記トランスチップ内のキャパシタのパターンに関する変形例を示す。
【図10】 図１０は、前記トランスチップ内のキャパシタのパターンに関する変形例を示す。
【図11】 図１１は、前記トランスチップ内のキャパシタのパターンに関する変形例を示す。
【図12】 図１２は、前記トランスチップ内のキャパシタのパターンに関する変形例を示す。
【図13】 図１３は、前記トランスチップ内のキャパシタのパターンに関する変形例を示す。
【図14】 図１４は、前記キャパシタに代わる電界シールド部の一例としての電極板の構造を説明するための図である。
【図15】 図１５は、前記電極板のパターンに関する変形例を示す。
【図16】 図１６は、前記電極板のパターンに関する変形例を示す。
【図17】 図１７は、前記トランスチップの基板の接続状態に関する変形例を示す。
【図18】 図１８は、前記トランスチップの基板の接続状態に関する変形例を示す。
【図19】 図１９は、前記トランスチップの基板の接続状態に関する変形例を示す。
【図20】 図２０は、本発明の他の実施形態１に係るトランスチップの模式的な平面図である。
【図21】 図２１は、本発明の他の実施形態１に係る下コイルが配置された層の模式的な平面図である。
【図22】 図２２は、本発明の他の実施形態１に係る上コイルが配置された層の模式的な平面図である。
【図23】 図２３は、図２０の切断線XXIII－XXIIIでトランスチップを切断したときに現れる断面図である。
【図24】 図２４は、図２３における上コイルおよびその周辺の拡大図である。
【図25】 図２５は、本発明の他の実施形態２に係るトランスチップの模式的な平面図である。
【図26】 図２６は、本発明の他の実施形態２に係る下コイルが配置された層の模式的な平面図である。
【図27】 図２７は、本発明の他の実施形態２に係る上コイルが配置された層の模式的な平面図である。
【図28】 図２８は、図２５の切断線XXVIII－XXVIIIでトランスチップを切断したときに現れる断面図である。
【図29】 図２９は、図２８における上コイルおよびその周辺の拡大図である。
【図30A】 図３０Ａは、同種界面構造の形成に関連する工程を説明するための断面図である。
【図30B】 図３０Ｂは、図３０Ａの次の工程を示す図である。
【図30C】 図３０Ｃは、図３０Ｂの次の工程を示す図である。
【図30D】 図３０Ｄは、図３０Ｃの次の工程を示す図である。
【図30E】 図３０Ｅは、図３０Ｄの次の工程を示す図である。
【図30F】 図３０Ｆは、図３０Ｅの次の工程を示す図である。
【図30G】 図３０Ｇは、図３０Ｆの次の工程を示す図である。
【図30H】 図３０Ｈは、図３０Ｇの次の工程を示す図である。
【図31】 図３１は、同種界面構造の変形例を示す図である。
【図32】 図３２は、同種界面構造の変形例を示す図である。
【図33】 図３３は、同種界面構造の変形例を示す図である。
【図34】 図３４は、同種界面構造の変形例を示す図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 半導体モジュール ２ 樹脂パッケージ ５ コントローラチップ ６ トランスチップ ７ ドライバチップ １３ 低電圧パッド １４ 高電圧パッド ２０ 下コイル ２１ 上コイル ２２ 内側コイルエンド ２３ 内側コイルエンド ２４ 低電圧配線 ２５ 高電圧配線 ２６ 半導体基板 ２７ 絶縁層積層構造 ２８ 絶縁層 ２９ エッチングストッパ膜 ３０ 層間絶縁膜 ３１ 内方領域 ３２ 内方領域 ３３ コイル溝 ３５ Ｃｕ配線材料 ３６ 高電圧領域 ３７ 内側コイルエンド配線 ４６ 低電圧領域 ４７ 外側低電圧領域 ４８ 中間領域 ４９ 内側コイルエンド配線 ５１ 貫通配線 ５２ 引き出し配線 ６９ シールド層 ８０ キャパシタ ８７ 電極板 １１０ 除去領域 １１１ 積層界面 １１２ 同種界面構造 １１３ トレンチ

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