ところで、特許文献２～４に記載の絶縁回路基板のように、半導体素子が搭載される領域のみが他の面より突出すると、フィンや冷却器への接着又は接合時にこれらを加圧する際に、突出した半導体素子が搭載される領域以外の領域に十分に圧力を加えることができない。つまり、回路層全面に均等に圧力を加えることができず、フィンや冷却器への接着性及び接合性が低下する。また、半導体素子が搭載される領域と、搭載されない領域との間に段差が生じることから、ワイヤーボンディング等の実装にあたり、各種工程が増加することから、製造コストが増加する。特に、特許文献５に記載の絶縁回路基板のように、回路層が二層構造の場合、絶縁回路基板全体の高さがさらに拡大するため、パワーモジュールを小型化できない。

本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板の一方の面に二層構造の回路層が形成された絶縁回路基板であって、前記回路層は、前記セラミックス基板の一方の面に形成され、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１回路層と、前記第１回路層の前記セラミックス基板とは反対側の面に形成され、銅又は銅合金からなる第２回路層と、を備え、前記第２回路層は、半導体素子が搭載される搭載予定領域側の面が平坦面からなるとと・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る