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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-22
(45)【発行日】2024-01-30
(54)【発明の名称】電流検出装置及び電源装置
(51)【国際特許分類】
G01R 19/00 20060101AFI20240123BHJP
G01R 15/00 20060101ALI20240123BHJP
G01R 15/09 20060101ALI20240123BHJP
【ＦＩ】
G01R19/00 B
G01R15/00 500
G01R15/09
【請求項の数】
4
(21)【出願番号】P 2021098243
(22)【出願日】2021-06-11
(65)【公開番号】P2022189584
(43)【公開日】2022-12-22
【審査請求日】2022-10-17
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006895
【氏名又は名称】矢崎総業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002000
【氏名又は名称】弁理士法人栄光事務所
(72)【発明者】
【氏名】山口 隼人
(72)【発明者】
【氏名】奥田 定治
【審査官】永井 皓喜
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－８０３９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２００４／０５３５０７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１７／１２２７８１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００１－１９７７２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－２１２００５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１９８４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平６－２７３４７６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２１－４５０２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特許第４６２４４００（ＪＰ，Ｂ２）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０１Ｒ １９／００
Ｇ０１Ｒ １５／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
負荷に供給される消費電流に応じたセンス電流が流れるセンス抵抗と、前記センス抵抗に前記センス電流を流すことにより発生する電圧降下をＡ／Ｄ変換して、前記消費電流を検出するＡ／Ｄ変換器と、を備え、
前記センス抵抗の抵抗値が可変に設けられ、
メモリに格納された前記消費電流が流れる電線のサイズ情報を読み取り、前記サイズ情報に応じた抵抗値に前記センス抵抗を設定する設定部と、
外部機器との通信に応じて前記サイズ情報を書き換える書き換え部と、を備えた、
電流検出装置。
【請求項2】
請求項１に記載の電流検出装置において、前記センス抵抗は、並列接続された複数の抵抗と、前記複数の抵抗にそれぞれ直列接続され、互いに並列接続されたスイッチと、を有する、
電流検出装置。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の電流検出装置と、前記負荷に供給される消費電流をオンオフする半導体スイッチ素子と、
前記Ａ／Ｄ変換器により検出された前記消費電流に基づいて、該消費電流が流れる電線の過熱を検出する過熱検出部と、
前記過熱検出部により前記過熱が検出されると、前記半導体スイッチ素子をオフするスイッチ制御部と、を備えた、
電源装置。
【請求項4】
請求項３に記載の電源装置において、前記半導体スイッチ素子は、前記センス電流を出力する出力端子を有し、
前記出力端子から出力される前記センス電流が前記センス抵抗に流される、
電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電流検出装置及び電源装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、車両に搭載されたバッテリから負荷へ供給される消費電流を検出するための電流検出装置が知られている。電流検出装置としては、消費電流に応じたセンス電流をセンス抵抗に流し、センス抵抗に生じる電圧降下をＡ／Ｄ変換して電圧を検出している。
【0003】
ところで、近年、ＣＡＳＥ(Connected,Autonomous,Shared&Services,Electric)やＭａａｓ(Mobility as a Service)の対応のため、車両の仕様が増大し、車両に搭載される負荷の種類が増大している。例えば、同じランプ負荷でも、消費電流０．５Ａのイルミランプや、消費電流１０Ａの外灯ランプがある。このため、消費電流０．５Ａのイルミランプ及び消費電流１０Ａの外灯ランプのどちらとも電流を検出できるようにするためには、Ａ／Ｄ変換器として広大なダイナミックレンジのものを用いる必要があった。
【0004】
しかしながら、広大なダイナミックレンジのＡ／Ｄ変換器を用いると、消費電流が小さい場合、電流検出精度が低くなってしまう。そこで、従来では、負荷の消費電流に合わせたダイナミックレンジのＡ／Ｄ変換器を用いていた。しかしながら、この場合、電流検出装置の品番数が増加する、という問題があった。
【0005】
また、接点スイッチのオンオフを検出するためのオンオフ検出回路に用いられる抵抗を可変とするものが考えられている（特許文献１）。しかしながら、特許文献１は、可変の抵抗は、負荷に流れる電流を検出する抵抗ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１２－１３８８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、品番数を削減することができる電流検出装置及び電源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前述した目的を達成するために、本発明に係る電流検出装置及び電源装置は、下記［１］～［４］を特徴としている。
［１］
負荷に供給される消費電流に応じたセンス電流が流れるセンス抵抗と、
前記センス抵抗に前記センス電流を流すことにより発生する電圧降下をＡ／Ｄ変換して、前記消費電流を検出するＡ／Ｄ変換器と、を備え、
前記センス抵抗の抵抗値が可変に設けられ、
メモリに格納された前記消費電流が流れる電線のサイズ情報を読み取り、前記サイズ情報に応じた抵抗値に前記センス抵抗を設定する設定部と、
外部機器との通信に応じて前記サイズ情報を書き換える書き換え部と、を備えた、
電流検出装置であること。
［２］
［１］に記載の電流検出装置において、
前記センス抵抗は、並列接続された複数の抵抗と、前記複数の抵抗にそれぞれ直列接続され、互いに並列接続されたスイッチと、を有する、
電流検出装置であること。
［３］
［１］又は［２］に記載の電流検出装置と、
前記負荷に供給される消費電流をオンオフする半導体スイッチ素子と、
前記Ａ／Ｄ変換器により検出された前記消費電流に基づいて、該消費電流が流れる電線の過熱を検出する過熱検出部と、
前記過熱検出部により前記過熱が検出されると、前記半導体スイッチ素子をオフするスイッチ制御部と、を備えた、
電源装置であること。
［４］
［３］に記載の電源装置において、
前記半導体スイッチ素子は、前記センス電流を出力する出力端子を有し、
前記出力端子から出力される前記センス電流が前記センス抵抗に流される、
電源装置であること。
［１］
負荷に供給される消費電流に応じたセンス電流が流れるセンス抵抗と、
前記センス抵抗に前記センス電流を流すことにより発生する電圧降下をＡ／Ｄ変換して、前記消費電流を検出するＡ／Ｄ変換器と、を備え、
前記センス抵抗の抵抗値が可変に設けられ、
メモリに格納された前記消費電流が流れる電線のサイズ情報を読み取り、前記サイズ情報に応じた抵抗値に前記センス抵抗を設定する設定部と、
外部機器との通信に応じて前記サイズ情報を書き換える書き換え部と、を備えた、
電流検出装置であること。
［２］
［１］に記載の電流検出装置において、
前記センス抵抗は、並列接続された複数の抵抗と、前記複数の抵抗にそれぞれ直列接続され、互いに並列接続されたスイッチと、を有する、
電流検出装置であること。
［３］
［１］又は［２］に記載の電流検出装置と、
前記負荷に供給される消費電流をオンオフする半導体スイッチ素子と、
前記Ａ／Ｄ変換器により検出された前記消費電流に基づいて、該消費電流が流れる電線の過熱を検出する過熱検出部と、
前記過熱検出部により前記過熱が検出されると、前記半導体スイッチ素子をオフするスイッチ制御部と、を備えた、
電源装置であること。
［４］
［３］に記載の電源装置において、
前記半導体スイッチ素子は、前記センス電流を出力する出力端子を有し、
前記出力端子から出力される前記センス電流が前記センス抵抗に流される、
電源装置であること。
【0009】
上記［１］の構成の電流検出装置によれば、センス抵抗の抵抗値が可変に設けられている。これにより、センス抵抗の抵抗値を負荷の消費電流に合わせて設定することができ、負荷を変更したとしても、センス抵抗の電圧降下範囲をほぼ同じとすることができ、負荷電流毎にＡ／Ｄ変換器を変更する必要がなく、品番数を削減することができる。
更に、上記［１］の構成の電流検出装置によれば、外部機器との通信に従ってセンス抵抗の抵抗値を設定することができる。これにより、簡単にセンス抵抗の抵抗値を消費電流に合わせて変更できる。
上記［２］の構成の電流検出装置によれば、簡単な構成でセンス抵抗の抵抗値を可変に設けることができる。
上記［３］の構成の電源装置によれば、電線の過熱を抑制することができる。
上記［４］の構成の電流検出装置によれば、簡単な構成で消費電流に応じたセンス電流をセンス抵抗に流すことができる。
更に、上記［１］の構成の電流検出装置によれば、外部機器との通信に従ってセンス抵抗の抵抗値を設定することができる。これにより、簡単にセンス抵抗の抵抗値を消費電流に合わせて変更できる。
上記［２］の構成の電流検出装置によれば、簡単な構成でセンス抵抗の抵抗値を可変に設けることができる。
上記［３］の構成の電源装置によれば、電線の過熱を抑制することができる。
上記［４］の構成の電流検出装置によれば、簡単な構成で消費電流に応じたセンス電流をセンス抵抗に流すことができる。
【発明の効果】
【0010】
本発明は、品番数を削減することができる電流検出装置及び電源装置を提供することができる。
【0011】
以上、本発明について簡潔に説明した。更に、以下に説明される発明を実施するための形態（以下、「実施形態」という。）を添付の図面を参照して通読することにより、本発明の詳細は更に明確化されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【発明を実施するための形態】
【0013】
本発明に関する具体的な実施形態について、各図を参照しながら以下に説明する。
【0014】
図１は、本実施形態の電源装置としてのゾーンＥＣＵを組み込んだ通信システム１を示すブロック図である。本実施形態の通信システム１は、車両に搭載されている。通信システム１は、セントラルＥＣＵ（Electronic Control Unit）２と、電流検出装置及び電源装置としてのゾーンＥＣＵ３と、を備えている。
【0015】
セントラルＥＣＵ２は、プログラムに従って動作するＣＰＵ(Central Processing Unit)から構成され、例えば、車両のインストルメントパネルに設けられている。セントラルＥＣＵ２は、通信システム１全体を制御する。
【0016】
ゾーンＥＣＵ３は、左右ドアや天井など車両の各エリアに設けられている。ゾーンＥＣＵ３は、セントラルＥＣＵ２と通信を行い、セントラルＥＣＵ２の指示に従ってエリア内に配置された負荷４に対する電源供給を制御する。
【0017】
ゾーンＥＣＵ３は、図２に示すように、負荷４に供給される電源をオンオフする半導体スイッチ素子としての半導体ＦＥＴ（field-effect transistor）３１と、負荷４に供給される消費電流に応じたセンス電流Ｉｓが流れるセンス抵抗３２と、Ａ／Ｄ変換器３３ａが内蔵され、プログラムに従って動作するＣＰＵ３３と、を備えている。
【0018】
半導体ＦＥＴ３１は、ドレイン・ソース間が図示しない電源と、負荷４と、の間に接続され、負荷４に供給される電源をオンオフする。なお、図２に示す例では、半導体ＦＥＴ３１は１つしか設けられていないが、複数設けられる場合もある。
【0019】
負荷４は、車両の仕様によって異なる消費電流のものが半導体ＦＥＴ３１に接続される。図３に示すように、車両Ａでは、消費電流０．５Ａのイルミランプが負荷４として半導体ＦＥＴ３１に接続される。車両Ｂでは、消費電流１０Ａの外灯ランプが負荷４として半導体ＦＥＴ３１に接続される。半導体ＦＥＴ３１と、負荷４と、を接続する電線Ｌは、負荷４に供給される消費電流に応じた太さのものが接続される。例えば、消費電流０．５Ａのイルミランプが負荷４として接続されている場合、径の小さい０．１３ｓｑの電線Ｌが接続される。一方、消費電流１０Ａの外灯ランプが負荷４として接続されている場合、径の大きい１．２５ｓｑの電線Ｌが接続される。
【0020】
本実施形態の半導体ＦＥＴ３１は、所謂、電流センス機能を有し、負荷４に電源を供給するためのＦＥＴ本体（図示せず）と、負荷４に供給される消費電流を検出するためのセンスＦＥＴ（図示せず）と、が内蔵されている。センスＦＥＴは、ＦＥＴ本体とゲート・ドレインが共通接続され、ＦＥＴ本体に流れる電流（＝消費電流）に応じた電流がセンス電流Ｉｓとして流れる。半導体ＦＥＴ３１には、図２に示すように、このセンス電流Ｉｓを出力する出力端子としてのセンス電極３１ａが設けられている。半導体ＦＥＴ３１のゲートは、ＣＰＵ３３に接続され、ＣＰＵ３３によってオンオフが制御される。
【0021】
センス抵抗３２は、センス電極３１ａと、グランドと、の間に設けられ、その抵抗値が可変に設けられている。本実施形態では、センス抵抗３２は、並列接続された複数の抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３と、複数の抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３のそれぞれに直列接続され、互いに並列接続されたスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３と、を有している。抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３は、互いに異なる抵抗値であってもよいし、全部または一部が同じ抵抗値であってもよい。
【0022】
また、抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３は各々、一端がグランドに接続され、他端がスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３に接続されている。スイッチスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３は、一端がセンス電極３１ａに接続され、他端が抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３に接続されている。このスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３のオンオフの組み合わせによって、センス抵抗Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３の抵抗値を変更することができる。また、スイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３は、ＣＰＵ３３に接続され、ＣＰＵ３３によりオンオフが制御される。
【0023】
上述したセンス抵抗３２にセンス電流Ｉｓが流れたことにより発生する電圧降下（電圧）は、消費電流情報Ｖｓとして、抵抗Ｒ２を介してＡ／Ｄ変換器３３ａに入力される。Ａ／Ｄ変換器３３ａは、この消費電流情報ＶｓをＡ／Ｄ変換して、消費電流を検出する。
【0024】
次に、上述した構成の通信システム１の動作について説明する。イグニッションスイッチがオンされると、ゾーンＥＣＵ３のＣＰＵ３３は、セントラルＥＣＵ２と通信を開始し、セントラルＥＣＵ２の指示に従って半導体ＦＥＴ３１のオンオフを制御する。また、これと並行にゾーンＥＣＵ３は、図４に示す過熱防止処理を実行する。
【0025】
イグニッションスイッチがオンされるとＣＰＵ３３は、図示しないメモリに格納された電線情報を読み込み、読み込んだ電線情報に応じてスイッチＳ１～Ｓ３をオンオフする（Ｓｐ１）。電線情報には、電線Ｌの太さ（サイズ）の情報が含まれている。これにより、電線Ｌの太さ、即ち電線Ｌに流れる消費電流に応じた抵抗値に設定することができる。詳しく説明すると、ＣＰＵ３３は、電線Ｌが太く、消費電流が多くなるに従ってセンス抵抗３２の合成抵抗値が小さくなるように、スイッチＳ１～Ｓ３をオンオフし、電線Ｌが細く、消費電流が小さくなるに従ってセンス抵抗３２の合成抵抗値が大きくなるように、スイッチＳ１～Ｓ３をオンオフする。
【0026】
次に、ＣＰＵ３３は、Ａ／Ｄ変換器３３ａが変換した消費電流情報Ｖｓを取り込んで、消費電流を検出する（Ｓｐ２）。その後、ＣＰＵ３３は、過熱検出部として機能し、検出した消費電流に基づいて、電線Ｌの発熱量を計算し、電線Ｌの過熱を検出する（Ｓｐ３）。過熱を検出すると（Ｓｐ３でＹ）、ＣＰＵ３３は、スイッチ制御部として機能し、半導体ＦＥＴ３１をオフして電線Ｌに流れる消費電流を遮断し（Ｓｐ４）、処理を終了する。一方、過熱を検出しなければ（Ｓｐ３でＮ）ＣＰＵ３３は、Ｓｐ２に戻る。
【0027】
上記通信システム１には、セントラルＥＣＵ２やゾーンＥＣＵ３のメモリに格納されたプログラムやデータを書き換えることができる図示しないリプログラミング装置（外部機器）が着脱可能に接続される。セントラルＥＣＵ２は、リプログラミング装置と通信を行って、自身のプログラムやデータを書き換えたり、ゾーンＥＣＵ３のプログラムやデータの書き換えを命令したり、する。上述したゾーンＥＣＵ３に格納された電線情報は、このリプログラミング装置（外部）との通信によって書き換えることができる。即ち、ゾーンＥＣＵ３のＣＰＵ３３は、設定部として機能し、リプログラミング装置との通信に従って抵抗値にセンス抵抗３２の抵抗値を設定することができる。
【0028】
なお、上述した例では、ゾーンＥＣＵ３は、セントラルＥＣＵ２を介してリプログラミング装置との通信を行っていたが、ゾーンＥＣＵ３とリプログラミング装置とが直接通信を行ってもよい。また、リプログラミング装置は、通信システム１に有線で接続されてもよいし、無線で接続されていてもよい。
【0029】
上述した実施形態によれば、センス抵抗３２の抵抗値が可変に設けられている。これにより、センス抵抗３２を負荷４の消費電流に合わせた抵抗値に設定することができ、仕様などにより、負荷４を付け替えても、消費電流を精度よく検出することができる。即ち、消費電流０．５Ａのイルミランプを負荷４として接続した場合であっても、消費電流１０Ａの外灯ランプを負荷４として接続した場合であっても、消費電流情報Ｖｓの電圧範囲をほぼ同じにすることができ、負荷電流毎にゾーンＥＣＵ３のＡ／Ｄ変換器３３ａを変更する必要がない。このため、ゾーンＥＣＵ３の品番数を削減することができる。また、負荷４の付け替えによる開発工程も削減し、マスボリュームによるゾーンＥＣＵ３の低コスト化も図ることができる。
【0030】
上述した実施形態によれば、ゾーンＥＣＵ３のＣＰＵ３３は、リプログラミング装置との通信により電線情報を書き換え、通信に従った抵抗値にセンス抵抗３２の抵抗値を設定する。これにより、リプログラミング装置との通信によりセンス抵抗３２の抵抗値を設定することができる。
【0031】
上述した実施形態によれば、センス抵抗３２は、並列接続された複数の抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３と、この抵抗Ｒｓ１、Ｒｓ２、Ｒｓ３にそれぞれ接続されたスイッチＳ１、Ｓ２、Ｓ３と、を有する。これにより、簡単な構成でセンス抵抗３２を可変に設けることができる。
【0032】
上述した実施形態によれば、ＣＰＵ３３が、Ａ／Ｄ変換器３３ａによれ検出された消費電流に基づいて、電線Ｌの過熱を検出し、過熱が検出されると、半導体ＦＥＴ３１をオフにする。これにより、電線Ｌの過熱を抑制することができる。
【0033】
上述した実施形態によれば、半導体ＦＥＴ３１は、センス電流Ｉｓを出力するセンス電極３１ａを有し、センス電極３１ａから出力されるセンス電流Ｉｓがセンス抵抗３２に流される。これにより、簡単な構成でセンス抵抗３２にセンス電流Ｉｓを流すことができる。
【0034】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。その他、上述した実施形態における各構成要素の材質、形状、寸法、数、配置箇所、等は本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
【0035】
上述した実施形態によれば、ＣＰＵ３３は、リプログラミング装置との通信に従って電線情報を書き換え可能に設け、書き換えられた電線情報に応じてセンス抵抗３２の抵抗値を設定していたが、これに限ったものではない。例えば、ゾーンＥＣＵ３に操作スイッチを設け、この操作スイッチのオンオフ情報に応じてＣＰＵ３３が、センス抵抗３２の抵抗値を設定していてもよい。
【0036】
また、上述した実施形態によれば、半導体ＦＥＴ３１としては、電流センス機能を備えたものを用いていたが、これに限ったものではない。電線Ｌに流れる消費電流を分流する回路を設け、その分流回路に流れるセンス電流Ｉｓをセンス抵抗３２に流すようにしてもよい。
【0037】
ここで、上述した本発明に係る電流検出回路及び電源装置の実施形態の特徴をそれぞれ以下［１］～［５］に簡潔に纏めて列記する。
［１］
負荷（４）に供給される消費電流に応じたセンス電流（Ｉｓ）が流れるセンス抵抗（３２）と、
前記センス抵抗（３２）に前記センス電流（Ｉｓ）を流すことにより発生する電圧降下をＡ／Ｄ変換して、前記消費電流を検出するＡ／Ｄ変換器（３３ａ）と、を備え、
前記センス抵抗（３２）の抵抗値が可変に設けられている、
電流検出装置（３）。
［２］
［１］に記載の電流検出装置（３）において、
外部機器との通信に従った抵抗値に前記センス抵抗（３２）の抵抗値を設定する設定部（３３）をさらに備えた、
電流検出装置（３）。
［３］
［１］又は［２］に記載の電流検出装置（３）において、
前記センス抵抗（３２）は、並列接続された複数の抵抗（Ｒｓ１～Ｒｓ３）と、前記複数の抵抗（Ｒｓ１～Ｒｓ３）にそれぞれ直列接続され、互いに並列接続されたスイッチ（Ｓ１～Ｓ３）と、を有する、
電流検出装置（３）。
［４］
［１］～［３］の何れか１項に記載の電流検出装置（３）と、
前記負荷（４）に供給される消費電流をオンオフする半導体スイッチ素子（３１）と、
前記Ａ／Ｄ変換器（３３ａ）により検出された前記消費電流に基づいて、該消費電流が流れる電線の過熱を検出する過熱検出部（３３）と、
前記過熱検出部（３３）により前記過熱が検出されると、前記半導体スイッチ素子（３１）をオフするスイッチ制御部（３３）と、を備えた、
電源装置（３）。
［５］
［４］に記載の電源装置（３）において、
前記半導体スイッチ素子（３１）は、前記センス電流（Ｉｓ）を出力する出力端子（３１ａ）を有し、
前記出力端子（３１ａ）から出力される前記センス電流（Ｉｓ）が前記センス抵抗（３２）に流される、
電流装置（３）。
［１］
負荷（４）に供給される消費電流に応じたセンス電流（Ｉｓ）が流れるセンス抵抗（３２）と、
前記センス抵抗（３２）に前記センス電流（Ｉｓ）を流すことにより発生する電圧降下をＡ／Ｄ変換して、前記消費電流を検出するＡ／Ｄ変換器（３３ａ）と、を備え、
前記センス抵抗（３２）の抵抗値が可変に設けられている、
電流検出装置（３）。
［２］
［１］に記載の電流検出装置（３）において、
外部機器との通信に従った抵抗値に前記センス抵抗（３２）の抵抗値を設定する設定部（３３）をさらに備えた、
電流検出装置（３）。
［３］
［１］又は［２］に記載の電流検出装置（３）において、
前記センス抵抗（３２）は、並列接続された複数の抵抗（Ｒｓ１～Ｒｓ３）と、前記複数の抵抗（Ｒｓ１～Ｒｓ３）にそれぞれ直列接続され、互いに並列接続されたスイッチ（Ｓ１～Ｓ３）と、を有する、
電流検出装置（３）。
［４］
［１］～［３］の何れか１項に記載の電流検出装置（３）と、
前記負荷（４）に供給される消費電流をオンオフする半導体スイッチ素子（３１）と、
前記Ａ／Ｄ変換器（３３ａ）により検出された前記消費電流に基づいて、該消費電流が流れる電線の過熱を検出する過熱検出部（３３）と、
前記過熱検出部（３３）により前記過熱が検出されると、前記半導体スイッチ素子（３１）をオフするスイッチ制御部（３３）と、を備えた、
電源装置（３）。
［５］
［４］に記載の電源装置（３）において、
前記半導体スイッチ素子（３１）は、前記センス電流（Ｉｓ）を出力する出力端子（３１ａ）を有し、
前記出力端子（３１ａ）から出力される前記センス電流（Ｉｓ）が前記センス抵抗（３２）に流される、
電流装置（３）。
【符号の説明】
【0038】
３ ゾーンＥＣＵ（電流検出装置、電源装置）
４ 負荷
３１ 半導体ＦＥＴ（半導体スイッチ素子）
３１ａ センス電極（出力端子）
３２ センス抵抗
３３ ＣＰＵ（設定部、過熱検出部、スイッチ制御部）
３３ａ Ａ／Ｄ変換器
Ｉｓ センス電流
Ｒｓ１～Ｒｓ３ 抵抗
Ｓ１～Ｓ３ スイッチ
４ 負荷
３１ 半導体ＦＥＴ（半導体スイッチ素子）
３１ａ センス電極（出力端子）
３２ センス抵抗
３３ ＣＰＵ（設定部、過熱検出部、スイッチ制御部）
３３ａ Ａ／Ｄ変換器
Ｉｓ センス電流
Ｒｓ１～Ｒｓ３ 抵抗
Ｓ１～Ｓ３ スイッチ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】