特許7425927導電性ブロックにシリサイドを備える基板にメモリセル、高電圧デバイス、及び論理デバイスを作製する方法

発明の名称　導電性ブロックにシリサイドを備える基板にメモリセル、高電圧デバイス、及び論理デバイスを作製する方法

出願人　シリコン　ストーリッジ　テクノロージー　インコーポレイテッド　（識別番号 500147506）

　　　　特許公開件数ランキング 740 位（32件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 655 位（32件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7425927

公報発行日　2024年1月31

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7425927

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