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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-24
(45)【発行日】2024-02-01
(54)【発明の名称】スパッタリングターゲット
(51)【国際特許分類】
C23C 14/34 20060101AFI20240125BHJP
【ＦＩ】
C23C14/34 C
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2021575598
(86)(22)【出願日】2020-09-01
(86)【国際出願番号】 JP2020033044
(87)【国際公開番号】W WO2021157112
(87)【国際公開日】2021-08-12
【審査請求日】2022-11-22
(31)【優先権主張番号】P 2020018559
(32)【優先日】2020-02-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006183
【氏名又は名称】三井金属鉱業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110000707
【氏名又は名称】弁理士法人市澤・川田国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】寺村 享祐
【審査官】宮崎 園子
(56)【参考文献】
【文献】特開２００３－０２７２２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０２－２５４１６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－２７００１９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－２３２５８０（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１２／０６３５２４（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／３４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のターゲット部材と、段差のある基材とを備えたスパッタリングターゲットであって、前記ターゲット部材と前記基材との間に設置された保護部材とを備え、段差のある基材の段差部分に配置された前記ターゲット部材は、厚さが相互に異なり、前記厚さが相互に異なるターゲット部材のうち、厚さが小さな方のターゲット部材の端部が、前記基材の段差部よりも迫り出した部分（この迫り出した部分を「迫り出し部」と称する）を有し、
前記迫り出し部の裏面に、少なくとも前記ターゲット部材よりも熱伝導率の高い材料からなる層を備えたスパッタリングターゲット。
【請求項2】
前記熱伝導率の高い材料が、前記ターゲット部材と前記基材を接合する接合材と同一の材料である請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項3】
前記迫り出し部において、基材の段差部よりも迫り出してなる幅が１ｍｍ～２０ｍｍである請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項4】
前記迫り出し部において、基材の段差部よりも迫り出してなる幅が３ｍｍ以上である請求項１～３のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項5】
前記迫り出し部において、基材の段差部よりも迫り出してなる幅が４ｍｍ以上である請求項１～４のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項6】
前記迫り出し部において、基材の段差部よりも迫り出してなる幅が５ｍｍ以上である請求項１～５のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項7】
前記迫り出し部において、基材の段差部よりも迫り出してなる幅が１５ｍｍ以下である請求項１～６のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項8】
前記迫り出し部において、基材の段差部よりも迫り出してなる幅が１２ｍｍ以下である請求項１～７のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項9】
前記ターゲット部材がセラミックス製である、請求項１～８のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【請求項10】
酸化物半導体薄膜の成膜に用いられる、請求項１～９のいずれかに記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、隣り合うターゲット部材との間に隙間を設けて配置してなる構成を備えたスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【0002】
スパッタリングとは、薄膜形成技術の一手法である。その一例として、Ａｒなどの不活性ガスを真空中に導入し、ターゲット部材にマイナスの電圧を印加してグロー放電を発生させ、グロー放電によって不活性ガスをプラズマ化させてイオン化してガスイオンとし、このガスイオンを高速でターゲット部材の表面に衝突させて、該ターゲット部材を構成する成膜材料の粒子を弾き出させ、この粒子を、薄膜を形成する基材表面に付着・堆積させて、緻密で強い薄膜を基材表面に形成する方法を挙げることができる。
このようなスパッタリング法によれば、高融点金属や合金、セラミックスなど、真空蒸着法などでは成膜が困難な材料でも成膜が可能であるほか、大面積を有する薄膜を高精度で形成できるため、例えば、情報機器、ＡＶ機器、家電製品等の各種電子部品の製造に多用されている。中でも、スパッタリング法により形成される、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ等の薄膜は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、ＥＬディスプレイ等を中心とする表示デバイスの電極として広く用いられている。
このようなスパッタリング法によれば、高融点金属や合金、セラミックスなど、真空蒸着法などでは成膜が困難な材料でも成膜が可能であるほか、大面積を有する薄膜を高精度で形成できるため、例えば、情報機器、ＡＶ機器、家電製品等の各種電子部品の製造に多用されている。中でも、スパッタリング法により形成される、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ等の薄膜は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、ＥＬディスプレイ等を中心とする表示デバイスの電極として広く用いられている。
【0003】
近年、ディスプレイパネルの大型化に伴い、大面積を有する薄膜を形成することが求められるようになり、ターゲット部材も大型化する必要があった。ところが、スパッタリングに用いるターゲット部材を、大面積からなる一枚のターゲット部材で形成することは難しい。そのため、ターゲット部材を、複数のターゲット部材に分割し、基材上に複数のターゲット部材を接合することで、大面積のスパッタリングターゲットとすることが採用されている（例えば特許文献１参照）。
【0004】
このように、複数のターゲット部材に分割されたターゲット（「分割スパッタリングターゲット」とも称する）は、基材上に、熱膨張によるターゲット部材の衝突を回避するため、隣り合うターゲット部材間に隙間ができるように配置し、該基材と各ターゲット部材とを、Ｉｎ系やＳｎ系金属等の熱伝導が良好な低融点ハンダで接合するのが一般的である。
【0005】
また、このような分割スパッタリングターゲットでは、隣り合うターゲット部材との間に隙間を設けて配置するため、該隙間において基材が露出した状態となり、スパッタリング時に当該基材もごく微量にスパッタリングされて、成膜する薄膜中に該基材の構成材料が混入してしまうことが懸念された。そのため、隣り合うターゲット部材間の隙間に保護部材を設けて、該隙間において基材が露出しないようにすることが提案されている（例えば特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２００５－２３２５８０号公報
【文献】国際公開第２０１２／０６３５２３号パンフレット
【文献】国際公開第２０１２／０６３５２４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
マグネトロンスパッタリングでは磁界強度の不均一さが影響し、マグネトロンカソード上のイオン電流密度の分布は不均一である。そのため、スパッタ率の分布が不均一となり、ターゲット部材の消耗が場所によって異なることがあった。具体的には、例えば平板状ターゲット部材の場合、端部におけるスパッタ率が高くなる傾向にあるため、ターゲット部材の端部の消費が特に速くなることがあった。
【0008】
そこで従来から、図６、７に示すように、中央部のターゲット部材３の厚みに比べて、端部のターゲット部材３の厚みを大きくすることで、端部のターゲット寿命を延ばして、ターゲットの交換頻度を下げることが行われている。そしてその場合、スパッタリング面をフラットにするために、ターゲット部材３の裏面側に配置する基材２の厚みも、垂直面からなる段差部２Ｃを介して異ならせるのが一般的である。
しかしこの場合、基材２の該段差部２Ｃは、隙間４を介して露出した状態になるため、スパッタリングによって薄膜を成膜する際、この基材２の段差部２Ｃがスパッタリングされて、基材２の構成材料（例えばＣｕなど）が隙間４を通じて成膜した薄膜中に混入してしまうという課題があった。
しかしこの場合、基材２の該段差部２Ｃは、隙間４を介して露出した状態になるため、スパッタリングによって薄膜を成膜する際、この基材２の段差部２Ｃがスパッタリングされて、基材２の構成材料（例えばＣｕなど）が隙間４を通じて成膜した薄膜中に混入してしまうという課題があった。
【0009】
本発明は、隙間を介して隣り合うターゲット部材の厚さが相互に異なる構成を備えたスパッタリングターゲットにおいて、基材の構成材料が薄膜中に混入するのを防ぐことができる新たなスパッタリングターゲットを提供せんとするものである。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は、複数のターゲット部材と、段差のある基材とを備えたスパッタリングターゲットであって、前記ターゲット部材と前記基材との間に設置された保護部材とを備え、段差のある基材の段差部分に配置された前記ターゲット部材は、厚さが相互に異なり、前記厚さが相互に異なるターゲット部材のうち、厚さが小さな方のターゲット部材の端部が、前記基材の段差部よりも迫り出した部分（この迫り出した部分を「迫り出し部」と称する）を有するスパッタリングターゲットを提案する。
【発明の効果】
【0011】
本発明が提案するスパッタリングターゲットは、厚さが小さな方のターゲット部材、言い換えれば、基材の段差部側のターゲット部材の端部を、該基材の段差部よりも迫り出させることにより、該段差部が保護部材によって被覆されていなくても、基材の構成材料（例えばＣｕなど）が薄膜中に混入するのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明のスパッタリングターゲットの一例を示す平面図である。
【図2】本発明のスパッタリングターゲットの一例の構成例を模式的に示した部分断面斜視図である。
【図4】本発明のスパッタリングターゲットの変形例を模式的に示した部分拡大断面図である。
【図5】本発明のスパッタリングターゲットの一例として、実施例で作製したスパッタリングターゲットを示したものであり、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）はその断面図、（Ｃ）はその一部（（Ｂ）の点線で囲った部分）を拡大した部分拡大断面図である。
【図6】従来のスパッタリングターゲットの一例の構成例を模式的に示した部分断面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
次に、実施の形態例に基づいて本発明を説明する。但し、本発明が次に説明する実施形態に限定されるものではない。
【0014】
＜本スパッタリングターゲット＞
本発明の実施形態の一例に係るスパッタリングターゲット（「本スパッタリングターゲット」と称する）１においては、図１～３に示すように、基材２のスパッタ表面側（単に「表面側」とも称する）に、複数のターゲット部材３、３・・が設置され、隣り合うターゲット部材３，３間には隙間４が設けられている。該基材２と該ターゲット部材３は接合材により接合されている。
また、ターゲット部材３，３間の隙間４に沿って、該ターゲット部材３と該基材２との間に保護部材５が設置されている。
また、本スパッタリングターゲット１は、ターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）のように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材の厚さが相互に同じ部分と、ターゲット部材３（３Ａ）、３（３Ｂ）のように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材の厚さが相互に異なる部分と、を備えている。
複数のターゲット部材３、３・・の表面は、同じ高さに、すなわちフラットになるように配置されている。
本発明の実施形態の一例に係るスパッタリングターゲット（「本スパッタリングターゲット」と称する）１においては、図１～３に示すように、基材２のスパッタ表面側（単に「表面側」とも称する）に、複数のターゲット部材３、３・・が設置され、隣り合うターゲット部材３，３間には隙間４が設けられている。該基材２と該ターゲット部材３は接合材により接合されている。
また、ターゲット部材３，３間の隙間４に沿って、該ターゲット部材３と該基材２との間に保護部材５が設置されている。
また、本スパッタリングターゲット１は、ターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）のように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材の厚さが相互に同じ部分と、ターゲット部材３（３Ａ）、３（３Ｂ）のように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材の厚さが相互に異なる部分と、を備えている。
複数のターゲット部材３、３・・の表面は、同じ高さに、すなわちフラットになるように配置されている。
【0015】
本スパッタリングターゲット１は、平板状を呈している。しかし、本発明のスパッタリングターゲットの全体形状は任意であり、例えば円筒状であってもよい。
本発明のスパッタリングターゲットが円筒状を呈する場合、例えば、円筒状の基材２の表面側に、円筒状の複数のターゲット部材３、３を貫通させて、隣り合うターゲット部材３，３間に隙間４を設けて円柱軸方向に多段状に配置すればよい。また、円筒を柱軸方向に縦割りした湾曲状のターゲット部材３を、円筒状の基材２の外側面へ、円周方向に複数並べて配置したものであってもよい。但し、このような構成に限定するものではない。
本発明のスパッタリングターゲットが円筒状を呈する場合、例えば、円筒状の基材２の表面側に、円筒状の複数のターゲット部材３、３を貫通させて、隣り合うターゲット部材３，３間に隙間４を設けて円柱軸方向に多段状に配置すればよい。また、円筒を柱軸方向に縦割りした湾曲状のターゲット部材３を、円筒状の基材２の外側面へ、円周方向に複数並べて配置したものであってもよい。但し、このような構成に限定するものではない。
【0016】
（隣り合うターゲット部材３、３の厚さが同じ部分の構造）
隣り合うターゲット部材３、３の厚さが同じ部分においては、基材２の均一な厚さ部分のスパッタ表面側に、隣り合うターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）が隙間４を介して配置されると共に、該隙間４に沿って、該ターゲット部材３と該基材２との間に保護部材５が配置され、該ターゲット部材３と該基材２とは接合材６によって接合されている。
隣り合うターゲット部材３、３の厚さが同じ部分においては、基材２の均一な厚さ部分のスパッタ表面側に、隣り合うターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）が隙間４を介して配置されると共に、該隙間４に沿って、該ターゲット部材３と該基材２との間に保護部材５が配置され、該ターゲット部材３と該基材２とは接合材６によって接合されている。
【0017】
隣り合うターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）間の隙間４の幅、言い換えれば、隣り合うターゲット部材３Ａ，３Ａの相対する先端部間の距離は、０．１ｍｍ～０．６ｍｍであるのが好ましい。
該隙間４の幅が０．１ｍｍ以上であれば、熱膨張によってターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）が衝突して割れたりするのを防ぐことができるので好ましい。０．６ｍｍよりも距離が大きくなると、その分ターゲット部材がスパッタされず、膜特性に異常が発生するため、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
かかる観点から、該隙間４の幅は０．１ｍｍ以上であるのが好ましく、中でも０．１５ｍｍ以上、その中でも０．２ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、０．６ｍｍ以下であるのが好ましく、中でも０．５ｍｍ以下、その中でも０．４ｍｍ以下であるのがさらに好ましい。
該隙間４の幅が０．１ｍｍ以上であれば、熱膨張によってターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）が衝突して割れたりするのを防ぐことができるので好ましい。０．６ｍｍよりも距離が大きくなると、その分ターゲット部材がスパッタされず、膜特性に異常が発生するため、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
かかる観点から、該隙間４の幅は０．１ｍｍ以上であるのが好ましく、中でも０．１５ｍｍ以上、その中でも０．２ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、０．６ｍｍ以下であるのが好ましく、中でも０．５ｍｍ以下、その中でも０．４ｍｍ以下であるのがさらに好ましい。
【0018】
なお、本スパッタリングターゲット１は、例えば図５に示すように、隣り合うターゲット部材３（３Ａ），３（３Ｂ）の厚さが相互に異なる部分を備えていれば、必ずしも、隣り合うターゲット部材３（３Ａ），３（３Ａ）の厚さが相互に同じ部分を備えていなくてもよい。
【0019】
（隣り合うターゲット部材３、３の厚さが相互に異なる部分の構造）
他方、隣り合うターゲット部材３、３の厚さが異なる部分においては、図３に示すように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材３（３Ａ），３（３Ｂ）の厚さが相互に異なっており、また、これらターゲット部材３（３Ａ），３（３Ｂ）の裏面側の基材２の厚さも、段差部２Ｃを介して異なっている。すなわち、隣り合うターゲット部材３Ａ，３Ｂのスパッタ表面の高さが同じになるように、段差部２Ｃを介して基材２の厚さも異なっている。且つ、厚さが小さな方の該ターゲット部材３Ａは、該基材２の段差部２Ｃよりも、隙間４内を他方のターゲット部材３Ｂ側に迫り出した状態（この部分を「迫り出し部３Ａａ」）に配置されている。
基材２のうち、厚さの大きな部分を「基材２Ａ」、段差部２Ｃを介して、厚さの小さな部分を「基材２Ｂ」と称する。
他方、隣り合うターゲット部材３、３の厚さが異なる部分においては、図３に示すように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材３（３Ａ），３（３Ｂ）の厚さが相互に異なっており、また、これらターゲット部材３（３Ａ），３（３Ｂ）の裏面側の基材２の厚さも、段差部２Ｃを介して異なっている。すなわち、隣り合うターゲット部材３Ａ，３Ｂのスパッタ表面の高さが同じになるように、段差部２Ｃを介して基材２の厚さも異なっている。且つ、厚さが小さな方の該ターゲット部材３Ａは、該基材２の段差部２Ｃよりも、隙間４内を他方のターゲット部材３Ｂ側に迫り出した状態（この部分を「迫り出し部３Ａａ」）に配置されている。
基材２のうち、厚さの大きな部分を「基材２Ａ」、段差部２Ｃを介して、厚さの小さな部分を「基材２Ｂ」と称する。
【0020】
すなわち、本スパッタリングターゲット１は、段差部２Ｃを介して厚さが異なる基材２と、基材２の表面側に積層される複数のターゲット部材３、３・・とを有している。そのうちのターゲット部材３Ａは、厚さの大きな基材２Ａ上に積層され、該ターゲット部材３Ａの端部は、段差部２Ｃから迫り出して配置されている。ターゲット部材３Ａと隙間４を介して配置されるターゲット部材３Ｂは、その表面がターゲット部材３Ａの表面と同一高さになるように配置されている。
また、基材２Ａの表面には、段差２Ｃの起立面から、ターゲット部材３Ａの裏面側の端縁から所定幅に渡り、保護部材５が配置されており、基材２の表面が露出しないように構成されている。
段差２Ｃの起立面は、露出しているが、ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａが庇の役割を果たすため、隙間４から侵入してくるマグネトロン乃至ガスイオンなどが当該起立面に衝突し難く、段差２Ｃの当該起立面がスパッタされ難くなっている。
また、基材２Ａの表面には、段差２Ｃの起立面から、ターゲット部材３Ａの裏面側の端縁から所定幅に渡り、保護部材５が配置されており、基材２の表面が露出しないように構成されている。
段差２Ｃの起立面は、露出しているが、ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａが庇の役割を果たすため、隙間４から侵入してくるマグネトロン乃至ガスイオンなどが当該起立面に衝突し難く、段差２Ｃの当該起立面がスパッタされ難くなっている。
【0021】
隣り合うターゲット部材３、３の厚さが異なる部分は、図２に示すように、本スパッタリングターゲット１の端部領域に設けるのが通常である。ターゲット部材の端部領域においてスパッタ率が高くなり、ターゲット部材の消費が速いという傾向があるため、端部領域のターゲット部材の厚みを大きくすることで、ターゲット寿命を延ばしてスパッタリングターゲットの交換頻度を下げることができる。
但し、隣り合うターゲット部材３、３の厚さが異なる部分を設ける場所は任意である。
但し、隣り合うターゲット部材３、３の厚さが異なる部分を設ける場所は任意である。
【0022】
迫り出し部３Ａａの迫り出し幅ｘ、言い換えれば基材２Ａの段差部２Ｃとターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの先端部との距離ｘ、さらに言い換えれば基材２Ａの段差部２Ｃと隙間４との距離ｘは１ｍｍ～２０ｍｍであるのが好ましい。
該迫り出した幅ｘが１ｍｍ以上であれば、それだけ隙間４の位置が基材２Ａの段差部２Ｃから離れることになり、段差部２Ｃがスパッタされ難くなるから好ましい。他方、該迫り出した幅ｘが２０ｍｍ以下であれば、迫り出し部３Ａａの冷却効率が落ち、スパッタにより迫り出し部３Ａａが局所的に加熱されることによる、割れやアーキングなどの異常が発生することを防ぐことができるから好ましい。
かかる観点から、該迫り出した幅ｘは１ｍｍ以上であるのが好ましく、中でも３ｍｍ以上、その中でも４ｍｍ以上、その中でも５ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、２０ｍｍ以下であるのが好ましく、中でも１５ｍｍ以下、その中でも１２ｍｍ以下であるのがさらに好ましい。
該迫り出した幅ｘが１ｍｍ以上であれば、それだけ隙間４の位置が基材２Ａの段差部２Ｃから離れることになり、段差部２Ｃがスパッタされ難くなるから好ましい。他方、該迫り出した幅ｘが２０ｍｍ以下であれば、迫り出し部３Ａａの冷却効率が落ち、スパッタにより迫り出し部３Ａａが局所的に加熱されることによる、割れやアーキングなどの異常が発生することを防ぐことができるから好ましい。
かかる観点から、該迫り出した幅ｘは１ｍｍ以上であるのが好ましく、中でも３ｍｍ以上、その中でも４ｍｍ以上、その中でも５ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、２０ｍｍ以下であるのが好ましく、中でも１５ｍｍ以下、その中でも１２ｍｍ以下であるのがさらに好ましい。
【0023】
また、前記迫り出し部３Ａａの迫り出し幅ｘは、基材２における段差部２Ｃの高さｚに応じて調整するのが好ましいから、段差部２Ｃの高さｚの３０～５００％であるのが好ましく、中でも５０％以上或いは４００％以下、その中でも１００％以上或いは３００％以下であるのがさらに好ましい。
【0024】
隣り合うターゲット部材３Ａ、３Ｂの隙間４の幅ｙ、言い換えれば、ターゲット部材３Ａにおける迫り出し部３Ａａの端部と、ターゲット部材３Ｂの端部３Ｂａとの距離ｙは０．１ｍｍ～０．６ｍｍであるのが好ましい。
ターゲット部材３Ａ、３Ｂの隙間４の幅ｙが０．１ｍｍ以上であれば、熱膨張によってターゲット部材３Ａ、３Ｂが衝突して割れたりするのを防ぐことができるので好ましい。０．６ｍｍよりも距離が大きくなると、その分ターゲット部材がスパッタされず、膜特性に異常が発生するため、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
かかる観点から、ターゲット部材３Ａ、３Ｂの隙間４の幅ｙは０．１ｍｍ以上であるのが好ましく、中でも０．１５ｍｍ以上、その中でも０．２ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、０．６ｍｍ以下であるのが好ましく、中でも０．５ｍｍ以下、その中でも０．４ｍｍ以下であるのがさらに好ましい。
ターゲット部材３Ａ、３Ｂの隙間４の幅ｙが０．１ｍｍ以上であれば、熱膨張によってターゲット部材３Ａ、３Ｂが衝突して割れたりするのを防ぐことができるので好ましい。０．６ｍｍよりも距離が大きくなると、その分ターゲット部材がスパッタされず、膜特性に異常が発生するため、０．６ｍｍ以下であることが好ましい。
かかる観点から、ターゲット部材３Ａ、３Ｂの隙間４の幅ｙは０．１ｍｍ以上であるのが好ましく、中でも０．１５ｍｍ以上、その中でも０．２ｍｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、０．６ｍｍ以下であるのが好ましく、中でも０．５ｍｍ以下、その中でも０．４ｍｍ以下であるのがさらに好ましい。
【0025】
なお、隣り合うターゲット部材３、３の厚さが相互に異なる部分の構造は、上記以外の点では、隣り合うターゲット部材３、３の厚さが同じ部分の構造と同じである。
ターゲット部材３（ターゲット部材３Ａ、３Ｂを包含する）の厚みは、特に限定するものではないが、２ｍｍ～２０ｍｍであるのが通常であり、中でも４ｍｍ以上或いは１４ｍｍ以下であるのが好ましい。
ターゲット部材３（ターゲット部材３Ａ、３Ｂを包含する）の厚みは、特に限定するものではないが、２ｍｍ～２０ｍｍであるのが通常であり、中でも４ｍｍ以上或いは１４ｍｍ以下であるのが好ましい。
【0026】
（伝熱層７）
さらに、上記ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に、少なくとも該ターゲット部材３Ａよりも熱伝導率の高い材料からなる伝熱層７を設けるのが好ましい。
迫り出し部３Ａａの裏面に、熱伝導率の高い材料からなる伝熱層７を設けることにより、スパッタリングの際において、迫り出し部３Ａａの温度上昇を抑える冷却効果を付与することができ、その結果、割れやアーキングの発生、また、迫り出し部３Ａａの変色を抑えることができる。ちなみに、温度が上昇する可能性があるのは、迫り出し部３Ａａのみであると考えられる。
この際、ターゲット部材３Ａがセラミックス製である場合、ターゲット部材３Ａよりも熱伝導率の高い材料としては、インジウム、各種の金属、合金などを挙げることができる。中でも、基材２とターゲット部材３を接合する接合材６は、通常はインジウムなどの熱伝導率の高い材料が使われるから、迫り出し部３Ａａの裏面にも接合材６を塗布して、接合材６からなる伝熱層７を形成するのが好ましい。
さらに、上記ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に、少なくとも該ターゲット部材３Ａよりも熱伝導率の高い材料からなる伝熱層７を設けるのが好ましい。
迫り出し部３Ａａの裏面に、熱伝導率の高い材料からなる伝熱層７を設けることにより、スパッタリングの際において、迫り出し部３Ａａの温度上昇を抑える冷却効果を付与することができ、その結果、割れやアーキングの発生、また、迫り出し部３Ａａの変色を抑えることができる。ちなみに、温度が上昇する可能性があるのは、迫り出し部３Ａａのみであると考えられる。
この際、ターゲット部材３Ａがセラミックス製である場合、ターゲット部材３Ａよりも熱伝導率の高い材料としては、インジウム、各種の金属、合金などを挙げることができる。中でも、基材２とターゲット部材３を接合する接合材６は、通常はインジウムなどの熱伝導率の高い材料が使われるから、迫り出し部３Ａａの裏面にも接合材６を塗布して、接合材６からなる伝熱層７を形成するのが好ましい。
【0027】
（基材２）
基材２は、板状又は円筒状を呈するものを挙げることができる。但し、これらの形状に限定されるものではない。
基材２は、板状又は円筒状を呈するものを挙げることができる。但し、これらの形状に限定されるものではない。
【0028】
基材２は、段差部２Ｃを介して、厚さの大きな部分（基材２Ａ）と厚さの小さな部分（基材２Ｂ）とを備えていれば、厚さ方向に一つの部材からなる一体のものであってもよいし、厚さ方向に複数の部材が積層して段差部２Ｃを形成してなるものであってもよい。
例えば、一つの部材の一部を切除するなどして、厚さの大きな部分（基材２Ａ）と厚さの小さな部分（基材２Ｂ）とを段差部２Ｃを介して設けることができる。
また、一つの部材の上に別の部材を積層して、厚さの大きな部分（基材２Ａ）と厚さの小さな部分（基材２Ｂ）とを段差部２Ｃを介して設けることができる。
例えば、一つの部材の一部を切除するなどして、厚さの大きな部分（基材２Ａ）と厚さの小さな部分（基材２Ｂ）とを段差部２Ｃを介して設けることができる。
また、一つの部材の上に別の部材を積層して、厚さの大きな部分（基材２Ａ）と厚さの小さな部分（基材２Ｂ）とを段差部２Ｃを介して設けることができる。
【0029】
基材２の厚さは、特に限定するものではない。
他方、厚さの小さな部分（基材２Ｂ）の厚さは、ターゲット部材３Ａ、３Ｂのスパッタ面が同じ高さになるように、これらターゲット部材３Ａ、３Ｂの厚さに応じて決定するのが好ましい。すなわち、ターゲット部材３Ａの厚さと基材２Ａの厚さの合計と、ターゲット部材３Ｂの厚さと基材２の厚さの合計が同じになるようにするのが好ましい。
他方、厚さの小さな部分（基材２Ｂ）の厚さは、ターゲット部材３Ａ、３Ｂのスパッタ面が同じ高さになるように、これらターゲット部材３Ａ、３Ｂの厚さに応じて決定するのが好ましい。すなわち、ターゲット部材３Ａの厚さと基材２Ａの厚さの合計と、ターゲット部材３Ｂの厚さと基材２の厚さの合計が同じになるようにするのが好ましい。
【0030】
基材２の材料は、Ｔｉ、ＳＵＳ又はＣｕ等の単独金属またはそれらの合金であればよい。但し、これらに限定するものではない。
【0031】
＜ターゲット部材３＞
ターゲット部材３は、板状又は円筒状を呈するものを挙げることができる。但し、これらの形状に限定されるものではない。
ターゲット部材３は、板状又は円筒状を呈するものを挙げることができる。但し、これらの形状に限定されるものではない。
【0032】
また、ターゲット部材３Ａと３Ｂとの厚さの差は、スパッタリング設備の仕様に応じて決定するのが好ましい。ターゲットの裏面に設置されるマグネットの磁力分布等によって生じるスパッタ率の差に応じて適宜選択することができるが、通常、ターゲット部材３Ａの３０％～１００％であるのが好ましい。当該差がスパッタ率の差に対して、小さすぎれば交換頻度を効果的に下げることができなくなり、大きすぎれば、ターゲットと基板間の距離が小さくなり、所望の膜質を得られない場合がある。
【0033】
ターゲット部材３は、その材料を特に限定するものではない。例えばＣｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｙ、Ｌａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｗのいずれか一種以上を含む金属または酸化物（この酸化物を「セラミックス」とも称する）を挙げることができる。
前記酸化物としては、例えば、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｗ－Ｏ、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｗ－Ｏ、Ｚｎ－Ｏ、Ｓｎ－Ｂａ－Ｏ、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｓｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｓｎ－Ｃａ－Ｏ、Ｓｎ－Ｍｇ－Ｏ、Ｚｎ－Ｍｇ－Ｏ、Ｚｎ－Ｇｅ－Ｏ、Ｚｎ－Ｃａ－Ｏ、Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇｅ－Ｏ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＣｕＩｎＯ２などを挙げることができる。
前記酸化物としては、例えば、Ｉｎ－Ｓｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｉｎ－Ｗ－Ｏ、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｗ－Ｏ、Ｚｎ－Ｏ、Ｓｎ－Ｂａ－Ｏ、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ、Ｓｎ－Ｔｉ－Ｏ、Ｓｎ－Ｃａ－Ｏ、Ｓｎ－Ｍｇ－Ｏ、Ｚｎ－Ｍｇ－Ｏ、Ｚｎ－Ｇｅ－Ｏ、Ｚｎ－Ｃａ－Ｏ、Ｚｎ－Ｓｎ－Ｇｅ－Ｏ、Ｃｕ２Ｏ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＣｕＩｎＯ２などを挙げることができる。
【0034】
（保護部材５）
保護部材５は、隣り合うターゲット部材３，３間の隙間４に沿って、該ターゲット部材３と基材２との間に介在され、該隙間４において露出する基材２の表面を覆うように配置されている。
保護部材５が、露出する基材２の表面を覆うから、スパッタリング時に、該隙間４において基材２表面がスパッタされて、該基材２の構成材料が、成膜する薄膜中に混入するのを防ぐことができる。
保護部材５は、隣り合うターゲット部材３，３間の隙間４に沿って、該ターゲット部材３と基材２との間に介在され、該隙間４において露出する基材２の表面を覆うように配置されている。
保護部材５が、露出する基材２の表面を覆うから、スパッタリング時に、該隙間４において基材２表面がスパッタされて、該基材２の構成材料が、成膜する薄膜中に混入するのを防ぐことができる。
【0035】
保護部材５の平面視形状としては、例えば矩形状、帯状、十字帯状、格子枠状などを挙げることができる。但し、これらの平面視形状に限定するものではない。
また、保護部材５は、図４に示すように、断面視形状として、段差部２Ｃを被覆するように、Ｌ字状を呈するものでもよい。
また、保護部材５は、図４に示すように、断面視形状として、段差部２Ｃを被覆するように、Ｌ字状を呈するものでもよい。
【0036】
保護部材５の厚さは特に限定するのではない。但し、取り扱いの観点から、１００μｍ以上であるのが好ましく、中でも２００μｍ以上、その中でも３００μｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、接合層の厚みの観点から、１０００μｍ以下であるのが好ましく、中でも９００μｍ以下、その中でも８００μｍ以下であるのがさらに好ましい。
【0037】
保護部材５は、単層構造のものであっても、厚さ方向に２層以上を積層してなる複層構造のものであってもよい。
【0038】
保護部材５が単層構造の場合の材料、及び、複層構造の場合の表面層の材料は、成膜する薄膜に混入しても悪影響を与えない材料、若しくは、スパッタリング現象を抑制できる材料から構成されることが好ましい。
成膜する薄膜に混入しても悪影響を与えない材料としては、例えば、ターゲット部材３の組成を構成する元素の全部或いはその一部、これらの元素を含む合金や酸化物などを用いることができる。
他方、スパッタリング現象を抑制できる材料としては、例えば、ターゲット部材３よりもその体積抵抗が大きな物質、即ち高抵抗物質を隙間配置部材の材料として用いることができる。このような高抵抗物質を隙間配置部材の材料として用いる場合、高抵抗物質の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）がターゲット部材３の体積抵抗率の１０倍以上の値を有するものであることが好ましい。
成膜する薄膜に混入しても悪影響を与えない材料としては、例えば、ターゲット部材３の組成を構成する元素の全部或いはその一部、これらの元素を含む合金や酸化物などを用いることができる。
他方、スパッタリング現象を抑制できる材料としては、例えば、ターゲット部材３よりもその体積抵抗が大きな物質、即ち高抵抗物質を隙間配置部材の材料として用いることができる。このような高抵抗物質を隙間配置部材の材料として用いる場合、高抵抗物質の体積抵抗率（Ω・ｃｍ）がターゲット部材３の体積抵抗率の１０倍以上の値を有するものであることが好ましい。
【0039】
保護部材５が単層構造の場合の材料、及び、複層構造の場合の表面層の材料の具体例として、ターゲット部材３を構成する金属材料、又は、セラミックス材料、又は、高分子材料、又は、これら２種類以上の複合材料を挙げることができる。
この際、セラミックス材料としては、ターゲット部材３と同組成か、或いは一部の組成がターゲット部材３と同じ材料からなるセラミックス材料か、若しくは、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの体積抵抗が高いセラミックス材料が好ましい。体積抵抗が高いセラミックス材料であれば、スパッタリングの際に分割部分へのプラズマの進入が抑制され、ＺｒやＡｌのスパッタリングが効果的に防止できる。
この際、セラミックス材料としては、ターゲット部材３と同組成か、或いは一部の組成がターゲット部材３と同じ材料からなるセラミックス材料か、若しくは、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの体積抵抗が高いセラミックス材料が好ましい。体積抵抗が高いセラミックス材料であれば、スパッタリングの際に分割部分へのプラズマの進入が抑制され、ＺｒやＡｌのスパッタリングが効果的に防止できる。
【0040】
ここで、前記のターゲット部材３を構成する金属材料としては、例えば、ターゲット部材３がＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）であれば、Ｉｎ、Ｚｎ及びＧａのいずれか一種以上の金属材料であればよく、ターゲット部材３がＩＺＯ（Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ）であれば、Ｉｎ又はＺｎの金属材料であればよい。
【0041】
前記のセラミックス材料としては、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｇのいずれか一種以上を含む酸化物又は窒化物からなる材料を挙げることができる。具体的には、例えばＩｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＩＺＯ、ＩＧＺＯなどや、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＺｎＮ、ＩｎＮなどを挙げることができる。
【0042】
他方、保護部材５が複層構造の場合の裏面層の材料としては、基材２との線膨張率差が小さく、接合材６（例えばＩｎ半田）と反応しにくい材料であることが好ましい。
かかる観点から、金属材料、又は、セラミックス材料、又は、これらの複合材料を挙げることができる。金属材料としては、例えばＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅのいずれかの単金属またはこれらのいずれかを含む合金を挙げることができる。
かかる観点から、金属材料、又は、セラミックス材料、又は、これらの複合材料を挙げることができる。金属材料としては、例えばＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｆｅのいずれかの単金属またはこれらのいずれかを含む合金を挙げることができる。
【0043】
また、保護部材５が３層以上の複層構造の場合、中間層は表面層及び裏面層と接合性が好ましく、且つ、中間層を構成する材料の線膨張率が、表面層及び裏面層を構成する材料の線膨張率の中間値となるように設計するのが好ましい。
【0044】
（接合材６）
基材２とターゲット部材３、並びに、基材２と保護部材５は、接合材６によって互いに接合されている。
接合材６としては、この種のターゲット部材３と基材２との接合に用いられ得るものであれば特に限定されない。例えばＩｎメタル、Ｉｎ－Ｓｎメタル、又は、Ｉｎに微量金属成分を添加したＩｎ合金メタル等の半田金属又は半田合金を挙げることができる。
基材２とターゲット部材３、並びに、基材２と保護部材５は、接合材６によって互いに接合されている。
接合材６としては、この種のターゲット部材３と基材２との接合に用いられ得るものであれば特に限定されない。例えばＩｎメタル、Ｉｎ－Ｓｎメタル、又は、Ｉｎに微量金属成分を添加したＩｎ合金メタル等の半田金属又は半田合金を挙げることができる。
【0045】
＜用途＞
本スパッタリングターゲットは、例えば、酸化物半導体薄膜を成膜する際のスパッタリングターゲットなどとして好適に用いることができる。但し、この用途に限定するものではない。
本スパッタリングターゲットは、例えば、酸化物半導体薄膜を成膜する際のスパッタリングターゲットなどとして好適に用いることができる。但し、この用途に限定するものではない。
【0046】
＜本スパッタリングターゲットの製造＞
基材２の表面に所定の間隔をおいて複数の保護部材５を配置し、接合材６によって両者を接合する。
次に、ターゲット部材３の裏面側に接合材６を塗布しておき、保護部材５の表面側に複数のターゲット部材３を、隣り合うターゲット部材３，３との間に隙間４を設けて配置する。このとき、保護部材５が隙間４に沿って、ターゲット部材３と基材２との間に介在するように配置し、保護部材５、基材２、ターゲット部材３を、接合材６によって接合すればよい。
基材２の表面に所定の間隔をおいて複数の保護部材５を配置し、接合材６によって両者を接合する。
次に、ターゲット部材３の裏面側に接合材６を塗布しておき、保護部材５の表面側に複数のターゲット部材３を、隣り合うターゲット部材３，３との間に隙間４を設けて配置する。このとき、保護部材５が隙間４に沿って、ターゲット部材３と基材２との間に介在するように配置し、保護部材５、基材２、ターゲット部材３を、接合材６によって接合すればよい。
【0047】
この際、上述したように、上記ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面にも、熱伝導率がターゲット部材３Ａよりも高い材料からなる接合材６を塗布するのが好ましい。
接合材６として、ターゲット部材３Ａよりも熱伝導率の高い材料を選択して、迫り出し部３Ａａの裏面に接合材６を塗布して伝熱層７を設けることにより、スパッタリングの際において、迫り出し部３Ａａの温度上昇を抑える冷却効果を付与することができ、その結果、アーキングの発生、および迫り出し部３Ａａの変色を抑えることができる。
接合材６として、ターゲット部材３Ａよりも熱伝導率の高い材料を選択して、迫り出し部３Ａａの裏面に接合材６を塗布して伝熱層７を設けることにより、スパッタリングの際において、迫り出し部３Ａａの温度上昇を抑える冷却効果を付与することができ、その結果、アーキングの発生、および迫り出し部３Ａａの変色を抑えることができる。
【0048】
但し、このような方法は、本スパッタリングターゲット１の製造方法の一例であって、この方法に限定するものではない。
【0049】
＜語句の説明＞
本明細書において「Ｘ～Ｙ」（Ｘ，Ｙは任意の数字）と表現する場合、特にことわらない限り「Ｘ以上Ｙ以下」の意と共に、「好ましくはＸより大きい」或いは「好ましくはＹより小さい」の意も包含する。
また、「Ｘ以上」（Ｘは任意の数字）或いは「Ｙ以下」（Ｙは任意の数字）と表現した場合、「Ｘより大きいことが好ましい」或いは「Ｙ未満であることが好ましい」旨の意図も包含する。
また、「Ｘ≦」（Ｘは任意の数字）或いは「Ｙ≧」（Ｙは任意の数字）と表現した場合、「Ｘ＜であることが好ましい」或いは「Ｙ＞であることが好ましい」旨の意図も包含する。
本明細書において「Ｘ～Ｙ」（Ｘ，Ｙは任意の数字）と表現する場合、特にことわらない限り「Ｘ以上Ｙ以下」の意と共に、「好ましくはＸより大きい」或いは「好ましくはＹより小さい」の意も包含する。
また、「Ｘ以上」（Ｘは任意の数字）或いは「Ｙ以下」（Ｙは任意の数字）と表現した場合、「Ｘより大きいことが好ましい」或いは「Ｙ未満であることが好ましい」旨の意図も包含する。
また、「Ｘ≦」（Ｘは任意の数字）或いは「Ｙ≧」（Ｙは任意の数字）と表現した場合、「Ｘ＜であることが好ましい」或いは「Ｙ＞であることが好ましい」旨の意図も包含する。
【実施例】
【0050】
以下、実施例に基づいて本発明を説明する。但し、本発明が、ここで説明する実施例に限定されるものではない。
【0051】
＜実施例１＞
図５に示すように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材３Ａ、３Ｂの厚さが相互に異なり、段差部２Ｃを介して厚さの異なる基材２を用いて、直径１５２．４ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲット１を作製した。
図５に示すように、隙間４を介して隣り合うターゲット部材３Ａ、３Ｂの厚さが相互に異なり、段差部２Ｃを介して厚さの異なる基材２を用いて、直径１５２．４ｍｍの円盤状のスパッタリングターゲット１を作製した。
【0052】
ターゲット部材３Ａ、３Ｂは次のように製造した。
原料のＩｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯの各原料粉末を１：１：２のｍｏｌ比で秤量し、２０時間のボールミルによる混合処理をした。そして、バインダーとして４質量％に希釈したポリビニルアルコール水溶液を、粉総量に対して８質量％添加して混合した後、５００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で円板状に成型した。その成形体を大気中１４００℃で焼成処理をして円板状の焼結体を得た。そして、この焼結体を平面研削機により両面を研磨して、直径１５２．４ｍｍ×厚さ１０ｍｍと直径１５２．４ｍｍ×厚さ５ｍｍの円盤加工体を製造した。その後、分割位置に合わせて、円盤加工体をそれぞれ半分に切断加工し、厚さ５ｍｍのＩＧＺＯ製ターゲット部材３Ａと厚さ１０ｍｍのＩＧＺＯ製ターゲット部材３Ｂを製造した。
原料のＩｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯの各原料粉末を１：１：２のｍｏｌ比で秤量し、２０時間のボールミルによる混合処理をした。そして、バインダーとして４質量％に希釈したポリビニルアルコール水溶液を、粉総量に対して８質量％添加して混合した後、５００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で円板状に成型した。その成形体を大気中１４００℃で焼成処理をして円板状の焼結体を得た。そして、この焼結体を平面研削機により両面を研磨して、直径１５２．４ｍｍ×厚さ１０ｍｍと直径１５２．４ｍｍ×厚さ５ｍｍの円盤加工体を製造した。その後、分割位置に合わせて、円盤加工体をそれぞれ半分に切断加工し、厚さ５ｍｍのＩＧＺＯ製ターゲット部材３Ａと厚さ１０ｍｍのＩＧＺＯ製ターゲット部材３Ｂを製造した。
【0053】
基材２として、無酸素銅（Ｃｕ）からなり、中心部に高さ５ｍｍの段差部２Ｃを設けて、厚さ１０ｍｍの厚肉部と厚さ５ｍｍの薄肉部とを備えた、直径１８０ｍｍの円板状の基材を用意した。
保護部材５としては、厚み０．５ｍｍ、幅２０ｍｍの帯状のＣｕ金属箔の上に、溶射によって、厚み１００μｍのＡｌ２Ｏ３からなる層を形成したものを用いた。
保護部材５としては、厚み０．５ｍｍ、幅２０ｍｍの帯状のＣｕ金属箔の上に、溶射によって、厚み１００μｍのＡｌ２Ｏ３からなる層を形成したものを用いた。
【0054】
ターゲット部材３Ａの裏面全面に、接合材６と同じ材料からなる、低融点半田であるＩｎを予め塗布した。すなわち、ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面にＩｎからなる伝熱層７を形成した。
そして、互いのスパッタ面が同じ高さになり、ターゲット部材３Ａ、３Ｂ間に幅（ｙ）０．５ｍｍの隙間４を設けるように、基材２上にターゲット部材３Ａ、３Ｂを配置すると共に、厚さが小さな方のターゲット部材３Ａの端部が、基材２の段差部２Ｃから迫り出すように配置した。この際、迫り出し部３Ａａの幅ｘ、言い換えれば、段差部２Ｃと隙間４との距離ｘが５ｍｍとなるように配置した。そして、低融点半田であるＩｎからなる接合材６により、ターゲット部材３Ａ、３Ｂと基材２とを接合して、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
そして、互いのスパッタ面が同じ高さになり、ターゲット部材３Ａ、３Ｂ間に幅（ｙ）０．５ｍｍの隙間４を設けるように、基材２上にターゲット部材３Ａ、３Ｂを配置すると共に、厚さが小さな方のターゲット部材３Ａの端部が、基材２の段差部２Ｃから迫り出すように配置した。この際、迫り出し部３Ａａの幅ｘ、言い換えれば、段差部２Ｃと隙間４との距離ｘが５ｍｍとなるように配置した。そして、低融点半田であるＩｎからなる接合材６により、ターゲット部材３Ａ、３Ｂと基材２とを接合して、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
【0055】
＜実施例２＞
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に低融点半田であるＩｎを予め塗布しなかったこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に低融点半田であるＩｎを予め塗布しなかったこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
【0056】
＜実施例３＞
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの幅ｘが、１０ｍｍとなるようにしたこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの幅ｘが、１０ｍｍとなるようにしたこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
【0057】
＜実施例４＞
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に低融点半田であるＩｎを予め塗布しなかった以外、実施例３と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に低融点半田であるＩｎを予め塗布しなかった以外、実施例３と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
【0058】
＜実施例５＞
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの幅ｘが、２０ｍｍとなるようにしたこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの幅ｘが、２０ｍｍとなるようにしたこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
【0059】
＜実施例６＞
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に低融点半田であるＩｎを予め塗布しなかった以外、実施例５と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
ターゲット部材３Ａの迫り出し部３Ａａの裏面に低融点半田であるＩｎを予め塗布しなかった以外、実施例５と同様に、スパッタリングターゲット１（サンプル）を作製した。
【0060】
＜比較例１＞
ターゲット部材３Ａの端部が、基材２の段差部２Ｃから迫り出すことのないように配置し、段差部２Ｃと隙間４との距離ｘが０ｍｍとなるようにしたこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット（サンプル）を作製した。
ターゲット部材３Ａの端部が、基材２の段差部２Ｃから迫り出すことのないように配置し、段差部２Ｃと隙間４との距離ｘが０ｍｍとなるようにしたこと以外、実施例１と同様に、スパッタリングターゲット（サンプル）を作製した。
【0061】
＝作製したスパッタリングターゲットの評価＝
実施例及び比較例で作製したスパッタリングターゲット（サンプル）を次のように評価した。
実施例及び比較例で作製したスパッタリングターゲット（サンプル）を次のように評価した。
【0062】
＜スパッタ評価試験＞
（Ｃｕ混入量）
実施例及び比較例で作製したスパッタリングターゲット（サンプル）を用いて、下記条件でスパッタリングを行い、無アルカリガラス基板（日本電気硝子社製）に厚み１４μｍのＩＧＺＯ薄膜を成膜し、ＩＧＺＯ薄膜付基板を得た。
そして、このＩＧＺＯ薄膜付基板における、スパッタリングターゲット（サンプル）の隙間４に相当する該隙間４の直上部分を切り出して、原子吸光分析により、基材の構成材料であるＣｕがＩＧＺＯ薄膜中に含まれる量（「Ｃｕ混入量」と称する）を測定した。
（Ｃｕ混入量）
実施例及び比較例で作製したスパッタリングターゲット（サンプル）を用いて、下記条件でスパッタリングを行い、無アルカリガラス基板（日本電気硝子社製）に厚み１４μｍのＩＧＺＯ薄膜を成膜し、ＩＧＺＯ薄膜付基板を得た。
そして、このＩＧＺＯ薄膜付基板における、スパッタリングターゲット（サンプル）の隙間４に相当する該隙間４の直上部分を切り出して、原子吸光分析により、基材の構成材料であるＣｕがＩＧＺＯ薄膜中に含まれる量（「Ｃｕ混入量」と称する）を測定した。
【0063】
（スパッタリング条件）
装置：ＤＣマグネトロンスパッタ装置、排気系クライオポンプ、ロータリーポンプ
到達真空度：３×１０－６Ｐａ
スパッタ圧力：０．４Ｐａ
酸素分圧：１×１０－３Ｐａ
投入電力量時間：２Ｗ／ｃｍ２
時間：１０時間
装置：ＤＣマグネトロンスパッタ装置、排気系クライオポンプ、ロータリーポンプ
到達真空度：３×１０－６Ｐａ
スパッタ圧力：０．４Ｐａ
酸素分圧：１×１０－３Ｐａ
投入電力量時間：２Ｗ／ｃｍ２
時間：１０時間
【0064】
（アーキング評価）
また、アーキングカウンター（LANDMARK TECHNOLOGY社製、型式：μArc Moniter MAM Genesis MAM データコレクター Ver.2.02）を用いて、１０時間で発生したアーキング回数を測定し、分割がないターゲットでのアーキング回数に対して１２０％より少ない場合「少」、１２０～１５０％の場合「中」、１５０％より多い場合「多」と評価した。
また、アーキングカウンター（LANDMARK TECHNOLOGY社製、型式：μArc Moniter MAM Genesis MAM データコレクター Ver.2.02）を用いて、１０時間で発生したアーキング回数を測定し、分割がないターゲットでのアーキング回数に対して１２０％より少ない場合「少」、１２０～１５０％の場合「中」、１５０％より多い場合「多」と評価した。
【0065】
（迫り出し部の変色評価）
さらに、スパッタリング後のエロージョン部に位置する隙間の外観を観察し、黒色に変色したか否かを評価し、変色しなかった場合「異常なし」、変色した場合は「変色」と評価した。
この変色は、迫り出し部の冷却が追い付かず、局所的に温度上昇が発生した結果、ターゲット材が変性したために発生したと推測される。
さらに、スパッタリング後のエロージョン部に位置する隙間の外観を観察し、黒色に変色したか否かを評価し、変色しなかった場合「異常なし」、変色した場合は「変色」と評価した。
この変色は、迫り出し部の冷却が追い付かず、局所的に温度上昇が発生した結果、ターゲット材が変性したために発生したと推測される。
【0066】
【表1】
【0067】
上記実施例・比較例及びこれまで本発明者が行ってきた試験結果から、隙間を介して隣り合うターゲット部材の厚さが相互に異なり、これら隣り合うターゲット部材のスパッタ表面の高さが同じになるように、これら隣り合うターゲット部材の裏面側の基材の厚さが、段差部を介して異なっている構成において、厚さが小さな方のターゲット部材の端部を、該基材の段差部よりも迫り出させることにより、該段差部が保護部材によって被覆されていなくても、基材の構成材料（例えばＣｕなど）が薄膜中に混入するのを防ぐことができることが分かった。
【0068】
また、厚さが小さな方のターゲット部材における、基材の段差部よりも迫り出した部分、すなわち迫り出し部の裏面には接合材が接触しないため、接合材による冷却効果を得ることができず、割れやアーキングが発生する可能性がある。
そこで、実施例１，３，５のように、迫り出し部の裏面に、接合材と同じ材料を塗布して伝熱層を形成したことにより、冷却効果を得ることができ、アーキングの発生を抑制できることが分かった。
また、迫り出し部の裏面に、接合材と同じ材料を塗布して伝熱層を形成したことにより、冷却効果を得ることができ、変色を防ぐことができることも分かった。
そこで、実施例１，３，５のように、迫り出し部の裏面に、接合材と同じ材料を塗布して伝熱層を形成したことにより、冷却効果を得ることができ、アーキングの発生を抑制できることが分かった。
また、迫り出し部の裏面に、接合材と同じ材料を塗布して伝熱層を形成したことにより、冷却効果を得ることができ、変色を防ぐことができることも分かった。
【符号の説明】
【0069】
１ スパッタリングターゲット
２ 基材
２Ａ 基材
２Ｂ 基材
２Ｃ 段差部
３ ターゲット部材
３Ａ ターゲット部材
３Ｂ ターゲット部材
３Ａａ 迫り出し部
４ 隙間
５ 保護部材
６ 接合材
７ 伝熱層
２ 基材
２Ａ 基材
２Ｂ 基材
２Ｃ 段差部
３ ターゲット部材
３Ａ ターゲット部材
３Ｂ ターゲット部材
３Ａａ 迫り出し部
４ 隙間
５ 保護部材
６ 接合材
７ 伝熱層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】