特許 7426598 センサシステム、センシング方法及びプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-25

(45)【発行日】2024-02-02

(54)【発明の名称】センサシステム、センシング方法及びプログラム

(51)【国際特許分類】

   G01P 21/00 20060101AFI20240126BHJP

【ＦＩ】

G01P21/00

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2022516853

(86)(22)【出願日】2021-02-08

(86)【国際出願番号】 JP2021004542

(87)【国際公開番号】W WO2021215077

(87)【国際公開日】2021-10-28

【審査請求日】2023-08-31

(31)【優先権主張番号】P 2020075698

(32)【優先日】2020-04-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(31)【優先権主張番号】P 2020115186

(32)【優先日】2020-07-02

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】314012076

【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002527

【氏名又は名称】弁理士法人北斗特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】森 岳志

(72)【発明者】

【氏名】山崎 稔夫

(72)【発明者】

【氏名】服部 勲

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 祐嗣

【審査官】岡田 卓弥

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１８／１５５０５７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／１７８１１７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１５／０７２０９０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１０／０１２２５６５（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｐ１５／００－２１／０２

Ｇ０１Ｃ１９／００－１９／７２

Ｇ０１Ｌ １／００－２５／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

外力に対応する電気信号を出力するセンサ素子と、
前記センサ素子からの前記電気信号を所定の信号形式に変換して出力する信号処理回路と、
前記センサ素子が出力する疑似信号を補正する疑似信号補正回路と、を備え、
前記センサ素子は、テスト信号を受け取ると、前記テスト信号に基づいて自己診断を行い、前記自己診断の結果を表す前記疑似信号を出力し、
前記疑似信号補正回路は、前記センサ素子及び前記信号処理回路の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、前記疑似信号を補正する、
センサシステム。

【請求項2】

前記テスト信号を出力する自己診断入力回路を、更に有し、
前記自己診断入力回路は、出力信号を生成する電源回路と、前記電源回路からの前記出力信号を基に前記テスト信号を形成する変換回路と、前記テスト信号を出力することを前記変換回路に指示する出力制御回路と、を備え、
前記電源回路は、前記電源回路から出力される前記出力信号における温度変化による出力変動を抑制するバンドギャップ回路を含む、
請求項１に記載のセンサシステム。

【請求項3】

前記環境情報を検知する環境センサを、更に備える、
請求項１又は２に記載のセンサシステム。

【請求項4】

前記環境情報は、前記環境での温度の情報を含む、
請求項１～３のいずれか１項に記載のセンサシステム。

【請求項5】

前記センサ素子は、
第１検出軸に応じた慣性力を検出する第１慣性力センサ素子と、
前記第１検出軸と直交する第２検出軸に応じた慣性力を検出する第２慣性力センサ素子と、
前記第１検出軸及び前記第２検出軸に直交する第３検出軸に応じた慣性力を検出する第３慣性力センサ素子と、を有し、
前記第１慣性力センサ素子、前記第２慣性力センサ素子及び前記第３慣性力センサ素子のうちの少なくとも１つの慣性力センサ素子の出力結果を用いて前記疑似信号を出力する、
請求項１～４のいずれか１項に記載のセンサシステム。

【請求項6】

前記センサ素子は、前記第１検出軸、前記第２検出軸及び前記第３検出軸の軸毎に、前記疑似信号を出力する、
請求項５に記載のセンサシステム。

【請求項7】

前記信号処理回路は、前記疑似信号と、所定の信号形式に変換された前記電気信号とを、時分割で同一ポートから出力する、
請求項１～６のいずれか１項に記載のセンサシステム。

【請求項8】

センサ素子が外力に対応する電気信号を出力する第１出力ステップと、
信号処理回路が前記センサ素子からの前記電気信号を所定の信号形式に変換して出力する第２出力ステップと、
疑似信号補正回路が前記センサ素子の出力する疑似信号を補正する補正ステップと、を備え、
前記センサ素子は、テスト信号を受け取ると、前記テスト信号に基づいて自己診断を行い、前記第１出力ステップでは、前記自己診断の結果を表す前記疑似信号を出力し、
前記補正ステップでは、前記疑似信号補正回路が、前記センサ素子及び前記信号処理回路の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、前記疑似信号を補正する、
センシング方法。

【請求項9】

コンピュータに、請求項８に記載のセンシング方法を実行させるためのプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、一般にセンサシステム、センシング方法及びプログラムに関し、より詳細にはセンサ素子と信号処理回路とを備えたセンサシステム、センシング方法及びプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

故障診断機能を有する加速度検出装置が知られている（特許文献１参照）。

【0003】

特許文献１では、車両に搭載し、特性の異なる複数の加速度センサと、車両の停止時に診断信号を入力して特性の異なる複数のセンサ個々の加速度センサの出力を診断する機能および故障検出機能の診断を行う機能と、車両の走行時に一つの加速度センサ出力が所定の範囲内にあることを判定し特性の異なる複数のセンサ個々のセンサ出力を比較して故障検出を行う機能とを有する。

【0004】

特許文献１によると、車両に搭載する加速度センサの高い故障診断機能を提供することができる。

【0005】

一方で、故障検出の診断を行う機能に関して、セルフテストを実施してセンサ素子の自己診断を実施する機能がある。セルフテストによって得られる疑似信号によって、センサ素子の感度やオフセットを算出することができるが、疑似信号はセンサ素子や信号処理回路の設置されている環境に依存しており、感度やオフセットの補正に比べると精度は低かった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１４－４１０３２号公報

【発明の概要】

【0007】

本開示は上記課題に鑑みてなされ、セルフテストによって得られる疑似信号の精度を向上させるセンサシステム、センシング方法及びプログラムを提供することを目的とする。

【0008】

本開示の一態様に係るセンサシステムは、センサ素子と、信号処理回路と、疑似信号補正回路と、を備える。前記センサ素子は、外力に対応する電気信号を出力する。前記信号処理回路は、前記センサ素子からの前記電気信号を所定の信号形式に変換して出力する。前記疑似信号補正回路は、前記センサ素子が出力する疑似信号を補正する。前記センサ素子は、テスト信号を受け取ると、前記テスト信号に基づいて自己診断を行い、前記自己診断の結果を表す前記疑似信号を出力する。前記疑似信号補正回路は、前記センサ素子及び前記信号処理回路の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、前記疑似信号を補正する。

【0009】

本開示の一態様に係るセンシング方法は、センサ素子が外力に対応する電気信号を出力する第１出力ステップと、信号処理回路が前記センサ素子からの前記電気信号を所定の信号形式に変換して出力する第２出力ステップと、前記疑似信号補正回路が前記センサ素子の出力する疑似信号を補正する補正ステップと、を備える。前記センサ素子は、テスト信号を受け取ると、前記テスト信号に基づいて自己診断を行う。前記第１出力ステップでは、前記センサ素子が前記自己診断の結果を表す前記疑似信号を出力する。前記補正ステップでは、前記疑似信号補正回路が、前記センサ素子及び前記信号処理回路の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、前記疑似信号を補正する。

【0010】

本開示の一態様に係るプログラムは、コンピュータに前記センシング方法を実行させるためのプログラムである。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、一実施形態に係るセンサシステムの構成を説明する図である。

【図2】図２は、同上のセンサシステムの外観を説明する図である。

【図3】図３は、同上のセンサシステムの自己診断入力回路を示すブロック図である。

【図4】図４は、同上の自己診断入力回路の電源回路の回路構成例を説明する図である。

【図5】図５は、同上のセンサシステムの外力を測定する動作を示すシーケンス図である。

【図6】図６は、同上のセンサシステムの自己診断の動作を示すシーケンス図である。

【図7】図７Ａは、同上のセンサシステムの正の加速度を印加した場合の信号レベルの時間推移である。図７Ｂは、同上のセンサシステムの負の加速度を印加した場合の信号レベルの時間推移である。

【図8】図８Ａ～８Ｃは、外力を印加した場合のオフセットの温度特性である。図８Ｄ～８Ｆは、自己診断のオフセットの温度特性である。

【図9】図９Ａ～９Ｃは、外力を印加した場合の感度の温度特性である。図９Ｄ～９Ｆは、自己診断の感度の温度特性である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に説明する実施形態及び変形例は、本開示の一例に過ぎず、本開示は、実施形態及び変形例に限定されない。以下の実施形態及び変形例以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

【0013】

（実施形態）
以下、本実施形態に係るセンサシステム１について、図１～図９Ｆを用いて説明する。

【0014】

（１）概要
本実施形態のセンサシステム１は、半導体パッケージ１０を含んでいる。センサシステム１は、外力Ｆを計測して電気信号に変換し、ユーザシステム１００に出力する。ここでは、外力Ｆとは、加速度、振動等の慣性力を想定している。センサシステム１は、慣性力のような物理量を電気信号に変換するトランスデューサである。

【0015】

半導体パッケージ１０は、ユーザシステム１００との間で電気信号の受け渡しをするインターフェースを備えている。半導体パッケージ１０は、ユーザシステム１００と、入力ポート１８及び出力に関するポート１４を介して接続されている。

【0016】

半導体パッケージ１０は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）９と、センサ素子２としてのＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子と、を含んでいる。以降の説明においては、センサ素子２はＭＥＭＳ素子２として説明する。ＭＥＭＳ素子２は、加速度のような慣性力や角速度等の外力Ｆを計測し、検出信号を出力するセンサである。さらに、ＭＥＭＳ素子２は、テスト信号を受けて駆動することで、自己診断応答である疑似信号を出力する。つまり、ＭＥＭＳ素子２は、セルフテストを実施することができる。

【0017】

本実施形態のセンサシステム１の外観を図２に示す。ＡＳＩＣ９と、ＭＥＭＳ素子２とは、台座１５に固定されている。ＭＥＭＳ素子２は、ケース１６で覆われている。また、ＭＥＭＳ素子２及びＡＳＩＣ９を実装した台座１５は、補助部材１７に実装されている。補助部材１７は、複数の配線を樹脂モールドしたもので、センサシステム１に対して、電極の引き回しや緩衝材として機能する。

【0018】

（２）構成
センサシステム１の構成について、図１を参照して説明する。センサシステム１は、半導体パッケージ１０を含んでいる。

【0019】

半導体パッケージ１０は、ＭＥＭＳ素子２と、ＡＳＩＣ９と、を含んでいる。

【0020】

ＭＥＭＳ素子２は、外力に対応する電気信号を出力する。本実施形態では、ＭＥＭＳ素子２は、慣性力を検出する慣性力センサである。ＭＥＭＳ素子２は、図２に示すように、第１慣性力センサ素子１１と、第２慣性力センサ素子１２と、第３慣性力センサ素子１３と、を含んでいる。第１慣性力センサ素子１１は、第１検出軸であるＸ軸に応じた慣性力を検出する。第２慣性力センサ素子１２は、第１検出軸と直交する第２検出軸としてのＹ軸に応じた慣性力を検出する。第３慣性力センサ素子１３は、第１検出軸及び第２検出軸に直交する第３検出軸としてのＺ軸に応じた慣性力を検出する。ＭＥＭＳ素子２は、第１慣性力センサ素子１１、第２慣性力センサ素子１２及び第３慣性力センサ素子１３のうちの少なくとも１つの慣性力センサ素子の出力結果を用いて疑似信号を出力する。

【0021】

また、ＭＥＭＳ素子２は、第１慣性力センサ素子１１、第２慣性力センサ素子１２及び第３慣性力センサ素子１３のうちの少なくとも１つの慣性力センサ素子の出力結果を用いて検出信号を出力する。

【0022】

本実施形態では、ＭＥＭＳ素子２は、第１慣性力センサ素子１１、第２慣性力センサ素子１２及び第３慣性力センサ素子１３を用いて、それぞれの慣性力センサ素子から疑似信号及び検出信号を送信する。

【0023】

具体的には、第１慣性力センサ素子１１と、第２慣性力センサ素子１２と、第３慣性力センサ素子１３と、はＭＥＭＳ素子２において、互いに独立している。つまり、ＭＥＭＳ素子２は、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸の軸毎に一対一に対応して、検出信号及び疑似信号を出力する。

【0024】

なお、以下では、第１慣性力センサ素子１１と、第２慣性力センサ素子１２と、第３慣性力センサ素子１３のうち１つの慣性力センサ素子が出力する検出信号及び疑似信号を用いて、各構成要素を説明する。

【0025】

ＭＥＭＳ素子２は、外力Ｆを計測して電気信号である検出信号ｓｉｇ３を出力する。具体的には、ＭＥＭＳ素子２は、後述するＭＥＭＳドライバ６からＭＥＭＳ素子２を駆動するＭＥＭＳドライブ信号ｓｉｇ２を受信する。外力Ｆを受けてＭＥＭＳ素子２は外力Ｆを検知する。ＭＥＭＳ素子２は、変位量をＡＳＩＣ９から受信したＭＥＭＳドライブ信号ｓｉｇ２に重畳して規格化し、検出信号ｓｉｇ３として信号処理回路３に出力する。

【0026】

また、ＭＥＭＳ素子２は、自己診断（セルフテスト）を実施するように構成されている。具体的には、自己診断において、ＭＥＭＳ素子２は、ＡＳＩＣ９からテスト信号ｓｉｇ１として静電引力、特定の電圧パルス等を受信する。ＭＥＭＳ素子２は、受信した信号に応じた疑似的な応答信号を生成する。ＭＥＭＳ素子２は、疑似的な応答信号を疑似信号ｓｉｇ４として信号処理回路３に出力する。

【0027】

ＡＳＩＣ９は、図１に示すように、信号処理回路３と、疑似信号補正回路４と、自己診断入力回路５と、ＭＥＭＳドライバ６と、環境センサ７と、検出信号補正回路８と、を含んでいる。

【0028】

ＡＳＩＣ９は、入力ポート１８を介して、ユーザシステム１００から自己診断入力回路５及びＭＥＭＳドライバ６のいずれかを入力先として選択する選択信号ｓｉｇ１３を受信する。選択信号ｓｉｇ１３が自己診断入力回路５を入力先として選択する旨を表している場合には、選択信号ｓｉｇ１３は、自己診断入力回路５に入力される。選択信号ｓｉｇ１３がＭＥＭＳドライバ６を入力先として選択する旨を表している場合には、選択信号ｓｉｇ１３は、ＭＥＭＳドライバ６に入力される。

【0029】

自己診断入力回路５は、ＭＥＭＳ素子２の自己診断を実施する場合にテスト信号ｓｉｇ１を出力する。テスト信号ｓｉｇ１は、例えば、静電引力や特定の電圧パルスである。自己診断入力回路５は、選択信号ｓｉｇ１３を受信すると、テスト信号ｓｉｇ１をＭＥＭＳ素子２へ出力する。

【0030】

図３は自己診断入力回路５の一例を示すブロック図である。図３に示すように、自己診断入力回路５は、電源回路５１と、変換回路５２と、出力制御回路５３を備えている。電源回路５１は、出力信号を生成する。変換回路５２は、電源回路５１からの出力信号Ｌ１を基にテスト信号ｓｉｇ１を形成する。出力制御回路５３は、選択信号ｓｉｇ１３に応じて、変換回路５２からテスト信号ｓｉｇ１の出力を指示する出力制御信号Ｌ２を出力する。電源回路５１は、例えば、電源回路５１から出力される出力信号Ｌ１の温度変化に対する出力変動を抑制するバンドギャップ回路５４を含んでいる。つまり、バンドギャップ回路５４は、テスト信号ｓｉｇ１における温度特性のばらつきを低減することができる。バンドギャップ回路５４は、基準電圧Ｖｒｅｆを出力する回路である。例えば、図４に示すように、バンドギャップ回路５４は、オペアンプ（図示例では１つのＯＰ１）と抵抗（図示例では３つの抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）とトランジスタ（図示例では２つのトランジスタＱ１，Ｑ２）の組み合わせを含み、定電圧回路として基準電圧Ｖｒｅｆを生成し、出力する。基準電圧Ｖｒｅｆは、出力信号Ｌ１の基準となる電圧である。電源回路５１は、バンドギャップ回路５４で生成されて出力された基準電圧Ｖｒｅｆを基準として出力信号Ｌ１を生成する。

【0031】

図４に示すバンドギャップ回路５４では、オペアンプＯＰ１の出力端子はノードＮ２と接続している。ノードＮ２は、ノードＮ１を介して抵抗Ｒ３と、抵抗Ｒ２とを接続している。抵抗Ｒ２は、ノードＮ３を介してオペアンプＯＰ１の反転入力端子に接続している。抵抗Ｒ３は、ノードＮ４を介してオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続している。抵抗Ｒ１は、ノードＮ４とトランジスタＱ２のエミッタＥ２と接続している。ノードＮ３は、トランジスタＱ１のエミッタＥ１と接続している。トランジスタＱ２のベースＢ２とコレクタＣ２はノードＮ５で接続している。トランジスタＱ１のベースＢ１は、ノードＮ６を介して、ノードＮ５と接続している。トランジスタＱ１のコレクタＣ１は、ノードＮ７を介して、ノードＮ６に接続している。ノードＮ５、ノードＮ６、ノードＮ７は、接地されている。

【0032】

図４に示すバンドギャップ回路５４では、温度補償は抵抗比及び電流比を使用して調整するため、２つのトランジスタＱ１，Ｑ２を１チップへ集積化し、隣り合う素子の性能等のミスマッチは小さいことを利用すれば、温度ドリフトの低減を図ることができる。このため、集積回路においてバンドギャップ回路５４を使用すると、温度特性のばらつきを抑制する効果がより得やすい。

【0033】

ＭＥＭＳドライバ６は、ＭＥＭＳ素子２を駆動するＭＥＭＳドライブ信号ｓｉｇ２を出力する。ＭＥＭＳドライバ６は、選択信号ｓｉｇ１３を受信すると、ＭＥＭＳ素子２を駆動するためのＭＥＭＳドライブ信号ｓｉｇ２をＭＥＭＳ素子２へ出力する。

【0034】

信号処理回路３は、電気信号を処理する回路である。信号処理回路３は、ＭＥＭＳ素子２から外力を測定する場合には検出信号ｓｉｇ３を、自己診断を行う場合には疑似信号ｓｉｇ４をそれぞれ受信する。信号処理回路３は、センサ素子２からの電気信号を所定の信号形式に変換する。

【0035】

本実施形態では、信号処理回路３は、ＭＥＭＳ素子２の容量変化に関する電気信号（検出信号ｓｉｇ３）を受信すると、受信した検出信号ｓｉｇ３を電圧信号に変換する。信号処理回路３は、電圧信号に変換された検出信号ｓｉｇ６を検出信号補正回路８へ出力し、検出信号補正回路８によって補正された検出信号ｓｉｇ７を受け取る。受け取った補正された検出信号ｓｉｇ７をＡＳＩＣ９のポート１４を介して、検出信号ｓｉｇ９としてユーザシステム１００に出力する。

【0036】

一方、信号処理回路３は、疑似信号ｓｉｇ４を受信すると、ＭＥＭＳ素子２の容量変化に関する電気信号を電圧信号に変換する。信号処理回路３は、電圧信号に変換された疑似信号ｓｉｇ１１を疑似信号補正回路４に出力する。信号処理回路３は、疑似信号補正回路４が補正した疑似信号ｓｉｇ１２を受け取り、ＡＳＩＣ９のポート１４を介して、受け取った疑似信号ｓｉｇ１２を疑似信号ｓｉｇ１０としてユーザシステム１００に出力する。

【0037】

すなわち、信号処理回路３は、検出信号ｓｉｇ９の出力、及び疑似信号ｓｉｇ１０の出力には、同一のポート１４を使用している。つまり、信号処理回路３は、異なる信号を、同一のポート１４から出力している。そのため、信号処理回路３は、疑似信号ｓｉｇ１０と、所定の信号形式に変換された電気信号（検出信号ｓｉｇ９）とを、時分割で同一のポート１４から出力する。

【0038】

環境センサ７は、環境情報を検知する。環境情報は、ＭＥＭＳ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方が設置されている環境での温度を表す温度情報を含んでいる。ここで、ＭＥＭＳ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方が設置されている環境とは、ＭＥＭＳ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方が設置されている空間（領域）を含む。また、ＭＥＭＳ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方が設置されている環境とは、ＭＥＭＳ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方の表面温度を含んでもよい。

【0039】

環境センサ７は、ＭＥＭＳ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方が設置されている環境での温度を、ＭＥＭＳ素子２及びＡＳＩＣ９のうち当該環境下で設置されている素子又は回路の温度として計測している。環境センサ７は、本実施形態では温度センサ７であり、以降は温度センサ７として説明する。温度センサ７は、例えば、半導体温度センサであるシリコンダイオードである。シリコンダイオードの順方向電圧には温度係数があり、温度が上がるほど順方向電圧は低下する。シリコンダイオードの両端の電圧を測定することで温度が測定できる。シリコンダイオードはＰＮＰ型トランジスタでも代用することができる。

【0040】

検出信号補正回路８は、検出信号ｓｉｇ６を補正する回路である。検出信号補正回路８は、信号処理回路３から検出信号ｓｉｇ６を受け取る。また、検出信号補正回路８は、本実施形態では、温度センサ７の検知結果である温度情報を含む環境情報を表す温度信号ｓｉｇ５を温度センサ７から受け取る。検出信号補正回路８は、温度信号ｓｉｇ５に基づいて、検出信号ｓｉｇ６を補正する。検出信号補正回路８は、補正した検出信号ｓｉｇ６を検出信号ｓｉｇ７として信号処理回路３に出力する。つまり、本実施形態では、検出信号補正回路８は、検出信号ｓｉｇ６の温度依存性を補正している。

【0041】

疑似信号補正回路４は、自己診断の結果の補正を行う回路である。疑似信号補正回路４は、信号処理回路３から疑似信号ｓｉｇ１１を受け取る。また、疑似信号補正回路４は、温度センサ７から温度信号ｓｉｇ８を受け取る。疑似信号補正回路４は、温度信号ｓｉｇ８に基づいて、疑似信号ｓｉｇ１１を補正する。疑似信号補正回路４は、補正された疑似信号ｓｉｇ１１を疑似信号ｓｉｇ１２として信号処理回路３に出力する。つまり、本実施形態では、疑似信号補正回路４は、疑似信号ｓｉｇ１１の温度依存性を補正している。

【0042】

疑似信号補正回路４は、疑似信号ｓｉｇ１１の温度特性を、基準となる外力の温度特性と一致するように設定している。疑似信号ｓｉｇ１１の補正係数は、ＭＥＭＳ素子２のセンサ感度を調整する工程において、検出信号ｓｉｇ３の感度及びオフセットの温度特性の補正時に、疑似信号ｓｉｇ４による感度及びオフセットを取得する。検出信号ｓｉｇ３の感度及びオフセットと、疑似信号ｓｉｇ４の感度及びオフセットのずれ量は、以下の数式のようにその次数に応じて導出し、その結果をＡＳＩＣ９の不揮発性メモリ（不図示）に記憶しておく。

【0043】

検出信号の感度＝（１＋Ａ_ｎＴ_ｎ＋Ａ_ｎ－１Ｔ_ｎ－１＋．．．）×疑似信号
検出信号のオフセット＝疑似信号のオフセット＋Ｂ_ｍＴ_ｍ＋Ｂ_ｍ－１Ｔ_ｍ－１＋．．．
検出された疑似信号出力＝（１＋Ａ_ｎＴ_ｎ＋Ａ_ｎ－１Ｔ_ｎ－１＋．．．）×疑似信号＋Ｂ_ｍＴ_ｍ＋Ｂ_ｍ－１Ｔ_ｍ－１＋．．．
ここで、Ａを感度温度特性補正係数、Ｂをオフセット温度特性補正係数、ｎを感度温度特性補正次数、ｍをオフセット温度特性補正次数、としている。

【0044】

（３）動作
センサシステム１の動作について、図５のシーケンス図を用いて説明する。

【0045】

図１に示すように、ユーザシステム１００は、選択信号ｓｉｇ１３をＡＳＩＣ９に入力する。つまり、ユーザシステム１００は、センサシステム１が、外力を測定するか、セルフテストを実施するか、を決定する。

【0046】

ユーザシステム１００は、外力の測定を選択する指示を表す選択信号ｓｉｇ１３を出力する（ステップＳ１）。ＡＳＩＣ９のＭＥＭＳドライバ６は、ステップＳ１で出力された選択信号ｓｉｇ１３をユーザシステム１００から受け取ると、ＭＥＭＳドライブ信号ｓｉｇ２を半導体パッケージ１０のＭＥＭＳ素子２に出力する（ステップＳ２）。

【0047】

ＭＥＭＳ素子２は、ＭＥＭＳドライブ信号ｓｉｇ２を受信すると、外力Ｆを測定する（ステップＳ３）。ＭＥＭＳ素子２は、外力Ｆを測定した結果を検出信号ｓｉｇ３として出力する（ステップＳ４）。

【0048】

信号処理回路３は、ＭＥＭＳ素子２が出力した電気信号としての検出信号ｓｉｇ３を受け取り、所定の信号形式（ここでは電圧）に変換して検出信号ｓｉｇ６として検出信号補正回路８に出力する。

【0049】

環境情報を検知する環境センサである温度センサ７は、環境情報として温度を測定し、温度信号ｓｉｇ５を検出信号補正回路８に出力する（ステップＳ５）。

【0050】

検出信号補正回路８は、検出信号ｓｉｇ６を温度信号ｓｉｇ５に基づいて補正し、補正された検出信号ｓｉｇ６を検出信号ｓｉｇ７として信号処理回路３に出力する（ステップＳ６）。

【0051】

信号処理回路３は、補正された検出信号ｓｉｇ９を、ポート１４を介してユーザシステム１００に出力する（ステップＳ７）。

【0052】

次に、ユーザシステム１００が自己診断入力回路５を選択した場合について、図６のシーケンス図を用いて説明する。

【0053】

センサシステム１のセンシング方法は、センサ素子２が外力Ｆに対応する電気信号を出力するステップと、信号処理回路３がセンサ素子２からの電気信号を所定の信号形式に変換して出力するステップと、を備える。また、疑似信号補正回路４がセンサ素子２の出力する疑似信号を補正するステップと、を更に備える。センサ素子２が、センサ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、疑似信号を補正するステップを含む。

【0054】

ユーザシステム１００は、セルフテストの実施を指示する選択信号ｓｉｇ１３を出力する（ステップＳ１１）。ＡＳＩＣ９の自己診断入力回路５は、選択信号ｓｉｇ１３を受け取ると、ＭＥＭＳ素子２にテスト信号ｓｉｇ１を出力する（ステップＳ１２）。

【0055】

ＭＥＭＳ素子２は、テスト信号ｓｉｇ１を受け取ると、テスト信号ｓｉｇ１に応じた自己診断を行う（ステップＳ１３）。ＭＥＭＳ素子２は、自己診断の結果を表す疑似信号ｓｉｇ４を信号処理回路３に出力する（ステップＳ１４）。ＭＥＭＳ素子２は、例えば、電圧に応じて、疑似応答を変化させる。

【0056】

信号処理回路３は、電気信号としての疑似信号ｓｉｇ４を所定の信号形式（ここでは電圧）に変換して疑似信号補正回路４に変換後の疑似信号ｓｉｇ４を疑似信号ｓｉｇ１１として出力する。

【0057】

温度センサ７は、環境情報として温度を測定し、温度信号ｓｉｇ８を疑似信号補正回路４に出力する（ステップＳ１５）。

【0058】

疑似信号補正回路４は、入力された疑似信号ｓｉｇ１１を温度信号ｓｉｇ８に基づいて補正し（ステップＳ１６）、補正された疑似信号ｓｉｇ１１を疑似信号ｓｉｇ１２として信号処理回路３に出力する。

【0059】

信号処理回路３は、疑似信号ｓｉｇ１２を、ポート１４を介してユーザシステム１００に出力する（ステップＳ１７）。

【0060】

以上により、ユーザシステム１００は、外力の測定とセルフテストを実施することができる。なお、上述したように、ポート１４では、検出信号と疑似信号とが時分割で出力されている。

【0061】

（４）セルフテストの具体例
セルフテストの具体例について説明する。

【0062】

テスト信号の内容を図７Ａ及び図７Ｂに示す。縦軸は信号レベル、横軸には時間を示している。ＭＥＭＳ素子２が加速度Ａｘｙｚを検出している状態であるとする。この場合、Ａｘｙｚは、加速度ＡのＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸への出力を意味している。加速度ＡｘｙｚのＸ軸成分をＡＸ、加速度ＡｘｙｚのＹ軸成分をＡＹ、加速度ＡｘｙｚのＺ軸成分をＡＺとする。また、印加する加速度がプラスの場合の応答をＰｏｓｉｔｉｖｅ、印加する加速度がマイナスの場合の応答をＮｅｇａｔｉｖｅとする。

【0063】

加速度ＡｘｙｚのＭＥＭＳ素子２にテスト信号として更に加速度“＋３Ｇ”（Ｇは重力加速度）を印加する場合について説明する。図７Ａの時刻ａにおいて、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の全軸で同時にテストを開始する。つまり、ＭＥＭＳ素子２は、加速度“Ａｘｙｚ＋３Ｇ”を印加される。時刻ａから時刻ｂまでのセトリング時間で、加速度“Ａｘｙｚ＋３Ｇ”に到達する。ここで、セトリング時間とは、加速度Ａｘｙｚに加速度“＋３Ｇ”が印加されてから、加速度“Ａｘｙｚ＋３Ｇ”に到達するまでの時間である。最終的な目標値に到達したかどうかは、セルフテストでは、時刻ｂにおいて加速度の変化量が仕様内であるかどうかで判断する。また、最終的な目標値に到達したかどうかは、セトリング時間が仕様範囲内であることを確認する。

【0064】

次に、時刻ｃにおいて、セルフテストをキャンセルする。時刻ｃからセトリング時間内において、つまり図７Ａの時刻ｄにおいて、印加されていた加速度“＋３Ｇ”はキャンセルされ、ＭＥＭＳ素子２は、加速度Ａｘｙｚに戻っている。最終的な目標値である加速度Ａｘｙｚに到達したかどうかは、時刻ｃから時刻ｄまでのセトリング時間が仕様範囲内であることで判断し、また、セトリング時間が仕様範囲内であることを確認する。このときのＭＥＭＳ素子２の特性が仕様範囲内にあれば、セルフテストの結果、加速度センサは正しく動作していると確認できる。

【0065】

次に、テスト信号として加速度“－３Ｇ”を印加する場合について説明する。テスト信号を図７Ｂに示す。図７Ｂの時刻ｅにおいて、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の全軸で同時にセルフテストを開始する。ＭＥＭＳ素子２の感度は、時刻ｅから時刻ｆまでセトリング時間で加速度Ａｘｙｚから加速度“Ａｘｙｚ－３Ｇ”へと変化する。次に、時刻ｇにおいてセルフテストをキャンセルする。時刻ｇから時刻ｈまでのセトリング時間内において、つまり図７Ｂでは時刻ｈにおいて、印加されていた加速度“－３Ｇ”はキャンセルされ、加速度センサは加速度Ａｘｙｚに戻っている。このときの加速度センサの特性が仕様範囲内にあれば、セルフテストの結果、加速度センサは正しく動作していると確認できる。

【0066】

（５）比較例の感度とオフセットの温度特性
感度とオフセットの温度特性について、図８Ａ～図８Ｆを参照して説明する。比較例では、ＡＳＩＣは、検出信号補正回路は有するものの、疑似信号補正回路は有していない。そのため、比較例のＡＳＩＣでは、疑似信号を環境に応じて補正することはできない。

【0067】

一方、本実施形態では、ＡＳＩＣ９は、疑似信号ｓｉｇ４を環境に応じて補正する。例えば、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、疑似的なＭＥＭＳ素子の応答をＰｏｓｉｔｉｖｅ（＋３Ｇ印加）とＮｅｇａｔｉｖｅ（－３Ｇ印加）の方向で確認し、以下の演算をすることで、自己診断の機能を利用して疑似的に感度とオフセットを算出することができる。ここで、測定した温度は、－４０℃、２５℃及び１２５℃である。

【0068】

オフセット＝（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ出力＋Ｎｅｇａｔｉｖｅ出力）／２
感度＝（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ出力―Ｎｅｇａｔｉｖｅ出力）／２／規格化係数
ここで、規格化係数とは、印加された加速度の絶対値を重力加速度を基に規格化した数値である。例えば、疑似応答が±３Ｇの場合、規格化係数は「３」となる。

【0069】

図８Ａ～図８Ｃは、外力として重力加速度±１Ｇを印加して求めたオフセットである。図８ＡはＸ軸方向のオフセットを、図８ＢはＹ軸方向のオフセットを、図８ＣはＺ軸方向のオフセットを、それぞれ表している。図８Ｄ～図８Ｆは、重力加速度±３Ｇを印加して自己診断により算出した従来例のオフセットである。この場合、ＡＳＩＣは疑似信号補正回路は搭載していない。図８Ｄは自己診断をしたときのＸ軸方向のオフセットを、図８Ｅは自己診断をしたときのＹ軸方向のオフセットを、図８Ｆは自己診断をしたときのＺ方向のオフセットを、それぞれ表している。

【0070】

外力に対するオフセット（図８Ａ～図８Ｃ参照）と、自己診断機能により算出した従来例のオフセット（図８Ｄ～図８Ｆ参照）と、の温度特性の相関は高いものの、特性が一致している訳ではない。このため、ユーザシステムにおいて、外力を検査工程で印加する必要があった。そのためには、動作機構を持つ検査設備が必要となり、ユーザシステムの負荷が大きくなる傾向にあった。

【0071】

一方、本実施形態では、ＡＳＩＣ９は、疑似信号ｓｉｇ４を環境（温度）に応じて補正する。このため、本実施形態のオフセットの温度特性は、外力として重力加速度±１Ｇを印加して算出したオフセットと高い相関を持ち、特性がほぼ一致する。

【0072】

次に、感度について説明する。

【0073】

図９Ａ～図９Ｃは、外力として重力加速度±１Ｇを印加して求めた感度である。図９Ａは外力を印加したときのＸ軸方向の感度を、図９Ｂは外力を印加したときのＹ軸方向の感度を、図９Ｃは外力を印加したときのＺ軸方向の感度を、それぞれ表している。図９Ｄ～図９Ｆは、重力加速度±３Ｇを印加して自己診断により算出した比較例の感度である。この場合、比較例のＡＳＩＣは疑似信号補正回路は搭載していない。図９Ｄは自己診断をしたときのＸ軸方向の感度を、図９Ｅは自己診断をしたときのＹ軸方向の感度を、図９Ｆは自己診断をしたときのＺ軸方向の感度を、それぞれ表している。

【0074】

外力に対する感度（図９Ａ～図９Ｃ参照）と、自己診断により算出した感度（図９Ｄ～図９Ｆ参照）と、の温度特性の相関は低い。これは、自己診断ではテスト信号として電圧を印加するが、電圧が更に温度によって変動するためと考えられる。特に図８Ｄ及び図８Ｅに示すように、低温（－４０℃）と高温（１２５℃）で顕著に乖離している。感度では、上述したように、Ｐｏｓｉｔｉｖｅ出力とＮｅｇａｔｉｖｅ出力の差分を計算するために、低温と高温とでは、誤差が増大し、結果として外力の測定結果から算出される感度と自己診断による感度は、顕著に乖離したと考えられる。

【0075】

一方、本実施形態では、ＡＳＩＣ９は、疑似信号ｓｉｇ４を環境（温度）に応じて補正する。このため、本実施形態の感度の温度特性は、外力として重力加速度±１Ｇを印加して算出した感度と高い相関を持ち、特性がほぼ一致する。

【0076】

このため、本実施形態では、ＡＳＩＣ９の中に疑似信号の温度補正を実施する回路を導入している。本実施形態において、疑似信号補正回路４を導入したことにより、オフセット及び感度の温度依存性を補正できるようになる。このため、実際に外力を印加して算出オフセット及び感度と、自己診断により算出したオフセット及び感度が、温度補正を実施しない場合に比べて、高い精度で一致する。この結果、ユーザシステム１００の検査工程において実際に外力を加えなくても検査できるようになり、ユーザシステム１００の負担が軽減できる。

【0077】

（６）利点
センサシステム１は、センサ素子２と、信号処理回路３と、疑似信号補正回路４と、を備える。センサ素子２は、外力に対応する電気信号を出力する。信号処理回路３は、センサ素子２からの電気信号を所定の信号形式に変換して出力する。疑似信号補正回路は、センサ素子２が出力する疑似信号を補正する。センサ素子２は、テスト信号を受け取ると、テスト信号に基づいて自己診断を行い、自己診断の結果を表す疑似信号を出力する。疑似信号補正回路４は、センサ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、疑似信号を補正する。

【0078】

この構成によると、セルフテストによって得られる疑似信号の精度を向上させるセンサシステムを提供することができる。

【0079】

システムの検査設備において、ＭＥＭＳ素子２が実装された基板に実際の外力を入力して検査しなくても、センサのセルフテスト機能を利用して疑似信号を発生させ、その信号を使用してシステムを検査することができる。このため、システムの検査設備の駆動機構が不要となる。

【0080】

（７）変形例
以下に、変形例について列記する。なお、以下に説明する変形例は、上記実施形態と適宜組み合わせて適用可能である。

【0081】

実施形態では、ＭＥＭＳ素子２の３軸すべてを利用する構成としたが、この構成に限定されない。ＡＳＩＣ９は、３軸の慣性力センサのうち、１つ又は２つの軸に対する慣性力センサの結果を用いてもよい。すなわち、ＡＳＩＣ９は、第１慣性力センサ素子１１、第２慣性力センサ素子１２、及び第３慣性力センサ素子１３のうち少なくとも１つの慣性力センサの結果を用いてもよい。

【0082】

実施形態では、自己診断は電圧信号であるテスト信号ｓｉｇ１により駆動される構成としたが、この構成に限定されない。電圧信号に限らず、電流信号であってもよい。

【0083】

実施形態では、ＭＥＭＳ素子２は、外力として慣性力を検出する慣性力センサである構成としたが、この構成に限定されない。例えば、圧力を電気信号に変換するトランスデューサであってもよい。

【0084】

実施形態では、温度の補正を行う構成としたが、この構成に限定されない。例えば、耐久変動（信頼性）、湿度が挙げられる。耐久変動の場合には、ＡＳＩＣ９やＭＥＭＳ素子２に限らず、半導体パッケージ１０の全体で劣化が起こることが想定される。疑似信号を出しているＡＳＩＣ９の耐久変動の場合には、ＡＳＩＣ９を使い出してからの経年劣化が問題となる。例えば、１週間のＡＳＩＣ９の状態と、１箇月のＡＳＩＣ９の状態と、１年のＡＳＩＣ９の状態と、において疑似信号を比較することによって、変化量に応じた補正を疑似信号に加えることができる。つまり、経年を環境情報として補正することができる。疑似信号を用いて自己診断をする場合、疑似信号には重畳しないものの外力に影響を与える要因が反映されないために、検出信号と疑似信号とでは齟齬が生じていた。このため、本来疑似信号には重畳しない要素、例えば、温度、湿度、経年といった要素を疑似信号に重畳することによって補正し、検出信号と同じような結果を得ることができる。

【0085】

上記実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。また、センサシステム１と同様の機能は、センシング方法、コンピュータプログラム、又はプログラムを記録した非一時的な記録媒体等で具現化されてもよい。一態様に係るセンサシステム１のセンシング方法は、ＭＥＭＳ素子２が外力に応答する電気信号を出力するステップと、信号処理回路３がＭＥＭＳ素子２からの電気信号を所定の信号形式に変換して出力するステップと、疑似信号補正回路４がＭＥＭＳ素子２の出力する疑似信号を補正するステップと、を備える。ＭＥＭＳ素子２は、ＭＥＭＳ素子２及び信号処理回路３の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、疑似信号を補正するステップを、更に含む。

【0086】

一態様に係るプログラムは、コンピュータシステムを、上述したセンサシステム１又はセンサシステム１のセンシング方法として機能させるためのプログラムである。

【0087】

本開示におけるセンサシステム１は、コンピュータシステムを含んでいる。コンピュータシステムは、ハードウェアとしてのプロセッサ及びメモリを主構成とする。コンピュータシステムのメモリに記録されたプログラムをプロセッサが実行することによって、本開示におけるセンサシステム１としての機能が実現される。プログラムは、コンピュータシステムのメモリに予め記録されてもよく、電気通信回線を通じて提供されてもよく、コンピュータシステムで読み取り可能なメモリカード、光学ディスク、ハードディスクドライブ等の非一時的記録媒体に記録されて提供されてもよい。ＡＳＩＣ９は、半導体集積回路（ＩＣ）又は大規模集積回路（ＬＳＩ）を含む１ないし複数の電子回路で構成される。ここでいうＩＣ又はＬＳＩ等の集積回路は、集積の度合いによって呼び方が異なっており、システムＬＳＩ、ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration）、又はＵＬＳＩ（Ultra Large Scale Integration）と呼ばれる集積回路を含む。さらに、ＬＳＩの製造後にプログラムされる、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）、又はＬＳＩ内部の接合関係の再構成若しくはＬＳＩ内部の回路区画の再構成が可能な論理デバイスについても、ＡＳＩＣ９として採用することができる。複数の電子回路は、１つのチップに集約されていてもよいし、複数のチップに分散して設けられていてもよい。複数のチップは、１つの装置に集約されていてもよいし、複数の装置に分散して設けられていてもよい。

【0088】

同様に、信号処理回路３、自己診断入力回路５、ＭＥＭＳドライバ６、温度センサ７、検出信号補正回路８及び疑似信号補正回路４が同一のＡＳＩＣ９に搭載されていることは必須ではない。複数のＡＳＩＣに分散されていてもよい。また、ＭＥＭＳ素子２とＡＳＩＣ９とは同一の半導体パッケージ１０に搭載されていることは必須ではなく、別々のパッケージに搭載されていてもよい。

【0089】

センシング方法は、コンピュータにより実現されてもよい。つまり、コンピュータに、上記センシング方法を実行させるためのプログラムにより実現されてもよい。

【0090】

（まとめ）
以上、説明したように、第１の態様のセンサシステム（１）は、センサ素子（２）と、信号処理回路（３）と、疑似信号補正回路（４）と、を備える。センサ素子（２）は、外力に対応する電気信号を出力する。信号処理回路（３）は、センサ素子（２）からの電気信号を所定の信号形式に変換して出力する。疑似信号補正回路（４）は、センサ素子（２）が出力する疑似信号（ｓｉｇ４）を補正する。センサ素子（２）は、テスト信号（ｓｉｇ１）を受け取ると、テスト信号（ｓｉｇ１）に基づいて自己診断を行い、自己診断の結果を表す疑似信号（ｓｉｇ４）を出力する。疑似信号補正回路（４）は、センサ素子（２）及び信号処理回路（３）の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、疑似信号（ｓｉｇ４）を補正する。

【0091】

この構成によると、セルフテストによって得られる疑似信号（ｓｉｇ４）の精度を向上させるセンサシステム（１）を提供することができる。疑似信号（ｓｉｇ４）の精度が向上することによって、センサシステム（１）のユーザは、ユーザシステム（１００）において、実際の外力を加えることなく検査することができ、検査工程を簡略化することができる。

【0092】

第２の態様のセンサシステム（１）では、第１の態様において、テスト信号（ｓｉｇ１）を出力する自己診断入力回路（５）を、更に有する。自己診断入力回路（５）は、電源回路（５１）と、変換回路（５２）と、出力制御回路（５３）と、を備える。電源回路（５１）は、出力信号（Ｌ１）を生成する。変換回路（５２）は、電源回路（５１）からの出力信号（Ｌ１）からテスト信号（ｓｉｇ１）を形成する。出力制御回路（５３）は、テスト信号（ｓｉｇ１）を出力することを変換回路（５２）に指示する。電源回路（５１）は、電源回路（５１）から出力される出力信号（Ｌ１）における温度変化に対する出力変動を抑制するバンドギャップ回路（５４）を含む。

【0093】

この構成によると、自己診断入力回路（５）の電源回路（５１）からの出力信号（Ｌ１）の温度変化に対する出力変動を抑制することで、出力信号（Ｌ１）から形成されるテスト信号（ｓｉｇ１）の出力変動を抑制することができる。

【0094】

第３の態様のセンサシステム（１）では、第１又は第２の態様において、環境情報を検知する環境センサ（７）を、更に備える。

【0095】

この構成によると、環境情報を検知することで、疑似信号補正回路（４）はより精度の高い補正を行うことができる。

【0096】

第４の態様のセンサシステム（１）では、第１～第３のいずれかの態様において、環境情報は環境での温度の情報を含む。

【0097】

この構成によると、温度を要因として疑似信号（ｓｉｇ４）の精度が低下することを抑制することができる。ここで、疑似信号（ｓｉｇ４）の精度の低下とは、実際に外力を加えて測定し算出した感度やオフセットと、自己診断により算出した感度やオフセットと、の値が乖離することを意味している。

【0098】

第５の態様のセンサシステム（１）では、第１～第４のいずれかの態様において、センサ素子（２）は、第１慣性力センサ素子（１１）と、第２慣性力センサ素子（１２）と、第３慣性力センサ素子（１３）と、を有する。第１慣性力センサ素子（１１）は、第１検出軸（Ｘ）に応じた慣性力を検出する。第２慣性力センサ素子（１２）は、第１検出軸（Ｘ）と直交する第２検出軸（Ｙ）に応じた慣性力を検出する。第３慣性力センサ素子（１３）は、第１検出軸（Ｘ）及び第２検出軸（Ｙ）に直交する第３検出軸（Ｚ）に応じた慣性力を検出する。第１慣性力センサ素子（１１）、第２慣性力センサ素子（１２）及び第３慣性力センサ素子（１３）のうちの少なくとも１つの慣性力センサ素子の出力結果を用いて疑似信号を出力する。

【0099】

この構成によると、センサシステム（１）が１軸又は多軸化することで、補正により精度が向上すると、外力を加える検査を省略することが可能となるため、ユーザシステム（１００）の検査工程の負荷を抑制することができる。特に、センサシステム（１）が多軸化されて補正されると、より顕著に検査工程の負荷を抑制することができる。

【0100】

第６の態様のセンサシステム（１）では、第５の態様において、センサ素子（２）は、第１検出軸（Ｘ）、第２検出軸（Ｙ）及び第３検出軸（Ｚ）の軸毎に、疑似信号（ｓｉｇ４）を出力する。

【0101】

この構成によると、軸毎に疑似信号（ｓｉｇ４）を出力することができるので、軸毎に補正の次数が異なる場合にも、対応することができる。また、補正の次数が異なる場合にも対応できるようになることで、疑似信号（ｓｉｇ４）の精度を向上させることができる。

【0102】

第７の態様のセンサシステム（１）では、第１～第６のいずれかの態様において、信号処理回路（３）は、疑似信号と、所定の信号形式に変換された電気信号と、を時分割で同一のポート（１４）から出力する。

【0103】

この構成によると、１つのポートで疑似信号と、所定の信号形式に変換された電気信号と、を時分割で検出することができるため、利便性が高い。

【0104】

第８の態様のセンシング方法は、センサ素子（２）が外力に対応する電気信号を出力するステップと、信号処理回路（３）がセンサ素子（２）からの電気信号を所定の信号形式に変換して出力するステップと、疑似信号補正回路（４）がセンサ素子（２）の出力する疑似信号を補正するステップと、を備える。センサ素子（２）は、センサ素子（２）及び信号処理回路（３）の少なくとも一方の設置されている環境に関する環境情報に基づいて、疑似信号を補正するステップを含む。

【0105】

このセンシング方法によると、セルフテストによって得られる疑似信号の精度を向上させるセンサシステム（１）を提供することができる。

【0106】

第９の態様のプログラムは、コンピュータに、第８の態様のセンシング方法を実行させるためのプログラムである。

【0107】

このプログラムによると、セルフテストによって得られる疑似信号の精度を向上させるセンサシステム（１）を提供することができる。

【符号の説明】

【0108】

１ センサシステム
２ センサ素子（ＭＥＭＳ素子）
３ 信号処理回路
４ 疑似信号補正回路
５ 自己診断入力回路
５１ 電源回路
５２ 変換回路
５３ 出力制御回路
５４ バンドギャップ回路
７ 環境センサ（温度センサ）
１１ 第１慣性力センサ素子
１２ 第２慣性力センサ素子
１３ 第３慣性力センサ素子
１４ ポート
Ｘ 第１検出軸
Ｙ 第２検出軸
Ｚ 第３検出軸

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】