特許 7427367 液体吐出ヘッドおよびその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-26

(45)【発行日】2024-02-05

(54)【発明の名称】液体吐出ヘッドおよびその製造方法

(51)【国際特許分類】

   B41J 2/14 20060101AFI20240129BHJP

   B41J 2/01 20060101ALI20240129BHJP

【ＦＩ】

B41J2/14 611

B41J2/01 301

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2019085962

(22)【出願日】2019-04-26

(65)【公開番号】P2020179644

(43)【公開日】2020-11-05

【審査請求日】2022-04-19

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100126240

【弁理士】

【氏名又は名称】阿部 琢磨

(74)【代理人】

【識別番号】100223941

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 佳子

(74)【代理人】

【識別番号】100159695

【弁理士】

【氏名又は名称】中辻 七朗

(74)【代理人】

【識別番号】100172476

【弁理士】

【氏名又は名称】冨田 一史

(74)【代理人】

【識別番号】100126974

【弁理士】

【氏名又は名称】大朋 靖尚

(72)【発明者】

【氏名】山田 泰史

(72)【発明者】

【氏名】宇田川 健太

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼橋 亘

(72)【発明者】

【氏名】池邉 儀裕

【審査官】加藤 昌伸

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１９／００９９０４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００５－２９７３１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２０２８８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－２１８４９４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第０５３６３１３４（ＵＳ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ４１Ｊ ２／０１ － ２／２１５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

液体を吐出するための素子を有する素子基板を備えた液体吐出ヘッドであって、
第１の記憶素子と、第２の記憶素子とを有し、
前記第１の記憶素子は、ヒューズ素子またはアンチヒューズ素子であり、
前記第２の記憶素子は、前記第１の記憶素子が保持できる容量よりも大きい容量を保持できる半導体メモリであり、
前記第１の記憶素子は、前記素子基板に設けられており、
前記第２の記憶素子は、前記素子基板以外の領域であって、前記素子基板とは電気的に独立している第２の電気配線基板に設けられていることを特徴とする液体吐出ヘッド。

【請求項2】

前記第１の記憶素子と電気的に接続される第１の端子を備える第１の電気配線基板をさらに有する請求項１に記載の液体吐出ヘッド。

【請求項3】

前記液体吐出ヘッドは、筐体を有し、
前記第２の電気配線基板は、前記第２の記憶素子と電気的に接続される第２の端子を有し、
前記第１の端子および前記第２の端子は、前記筐体の同一の面の側に配置されている請求項２に記載の液体吐出ヘッド。

【請求項4】

前記第１の電気配線基板および前記第２の電気配線基板は、フレキシブル基板である請求項２または請求項３に記載の液体吐出ヘッド。

【請求項5】

前記第２の電気配線基板は、前記液体吐出ヘッドが記録装置本体に装着される姿勢において、前記第１の電気配線基板の鉛直上方向に配置されている請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド。

【請求項6】

前記筐体は、前記第２の記憶素子が配置される側の面に第１の凹部を有し、
前記第２の記憶素子は、前記第１の凹部に挿入されている請求項３に記載の液体吐出ヘッド。

【請求項7】

前記筐体は、前記同一の面に第２の凹部を有し、
前記第１の電気配線基板の、前記第１の電気配線基板が備える配線が露出している側の端部は、前記第２の凹部の開口の端部から突出しており、
前記第２の電気配線基板の、前記第２の電気配線基板が備える配線が露出している側の端部は、前記第２の凹部の前記開口の端部から突出している請求項６に記載の液体吐出ヘッド。

【請求項8】

液体吐出ヘッドの製造方法であって、
ヒューズ素子またはアンチヒューズ素子である第１の記憶素子を備えた素子基板であって、液体を吐出するための素子基板を用意する工程と、
前記素子基板を検査する工程と、
前記検査する工程の後に、前記第１の記憶素子が保持できる容量よりも大きい容量を保持できる半導体メモリである第２の記憶素子を、前記素子基板以外の領域であって、前記素子基板とは電気的に独立している第２の電気配線基板に取り付ける工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。

【請求項9】

前記取り付ける工程の後に、前記第１の記憶素子に記憶された情報を前記第２の記憶素子に書き込む請求項８に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

【請求項10】

前記第１の記憶素子と電気的に接続される第１の端子を備える第１の電気配線基板をさらに有する請求項８または請求項９に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

【請求項11】

前記液体吐出ヘッドは、筐体を有し、
前記第２の電気配線基板は、前記第２の記憶素子と電気的に接続される第２の端子を有し、
前記第１の端子および前記第２の端子は、前記筐体の同一の面の側に配置されている請求項１０に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

【請求項12】

前記第１の電気配線基板および前記第２の電気配線基板は、フレキシブル基板である請求項１０または請求項１１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

【請求項13】

前記筐体は、前記第２の記憶素子が配置される側の面に第１の凹部を有し、
前記取り付ける工程において、前記第１の凹部に前記第２の記憶素子を挿入する請求項１１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

【請求項14】

前記取り付ける工程において、前記第１の凹部に封止材を注入した後に、該第１の凹部に前記第２の記憶素子を挿入する請求項１３に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

【請求項15】

前記筐体は、前記同一の面に第２の凹部を有し、
前記素子基板を用意する工程の後に、前記第１の電気配線基板を、前記第１の電気配線基板が備える配線が露出している側の端部が前記第２の凹部の開口から突出するように前記筐体の同一の面に配置し、
前記取り付ける工程において、前記第２の電気配線基板を、前記第２の電気配線基板が備える配線が露出している側の端部が前記第２の凹部の前記開口から突出するように前記筐体の同一の面に配置する請求項１１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、液体吐出ヘッドおよびその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、例えば、液体を吐出するための素子などの液体吐出機構の駆動特性といった液体吐出ヘッド固有の情報を液体吐出ヘッドに保持させるため、素子基板にＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）を搭載することが知られている。液体吐出ヘッド毎に液体吐出機構の駆動特性は異なるため、素子基板が搭載するＲＯＭを用いることにより、ＲＯＭに記憶された液体吐出ヘッド固有の情報に基づいて、吐出のための最適な駆動を行うための補正を液体吐出ヘッド毎にすることが可能となる。

【0003】

特許文献１においては、液体吐出ヘッドの素子基板に、ＲＯＭとなるヒューズ素子を形成することが開示されている。このヒューズ素子を選択的に溶断すれば、その溶断の有無により、二値データを液体吐出ヘッドに保持させることができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特許第３４２８６８３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、特許文献１に記載の素子基板が搭載しているヒューズ素子などは保持できる記憶容量が小さい。そのため、液体吐出ヘッド自身のＩＤコードなどの大容量のデータを記憶させるためにはより多くのヒューズ素子を素子基板に搭載しなければならない。そのため、素子基板が大型化してしまう恐れがある。

【0006】

そこで、本発明は、上記課題を鑑み、素子基板が大型化することを抑制しつつ、液体吐出ヘッドが保持できる情報の容量を増加させることができる液体吐出ヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するために本発明は、液体を吐出するための素子を有する素子基板を備えた液体吐出ヘッドであって、第１の記憶素子と、第２の記憶素子とを有し、前記第１の記憶素子は、ヒューズ素子またはアンチヒューズ素子であり、前記第２の記憶素子は、前記第１の記憶素子が保持できる容量よりも大きい容量を保持できる半導体メモリであり、前記第１の記憶素子は、前記素子基板に設けられており、前記第２の記憶素子は、前記素子基板以外の領域であって、前記素子基板とは電気的に独立している第２の電気配線基板に設けられていることを特徴とする。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、素子基板が大型化することを抑制しつつ、液体吐出ヘッドが保持できる情報の容量を増加させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】液体吐出ヘッドを示す斜視図。

【図2】素子基板を示す概略図。

【図3】ヒューズ素子を示す概略図。

【図4】第２の電気配線基板を示す概略図。

【図5】製造工程を示すフローチャート。

【図6】筐体を示す図。

【図7】筐体の凹部周辺を拡大した概略図。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。

【0011】

（液体吐出ヘッド）
本実施形態に係る液体吐出ヘッドについて、図１、図６および図７を参照しながら説明する。図１（ａ）は本実施形態に係る液体吐出ヘッド１を素子基板１１の側から見たときの外観斜視図であり、図１（ｂ）は蓋部材１５の側から見たときの外観斜視図である。図６（ａ）は筐体１４の面２０を示す平面図であり、第１の電気配線基板１２や第２の電気配線基板１７等は省略している。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示すＡ―Ａ断面を示す図である。液体吐出ヘッド１は、主に、液体を吐出する素子基板１１、素子基板１１と電気的に接続された第１の電気配線基板１２、第２の電気配線基板１７、筐体１４および蓋部材１５から構成されている。第１の電気配線基板１２には第１の端子１３が設けられており、記録装置本体からの電気信号は第１の端子１３を介して素子基板１１に伝達される。第２の電気配線基板１７には、第２の記憶素子として半導体メモリ（ＩＣメモリ）１９（図４）が取り付けられており、記録装置本体と半導体メモリ１９との電気的なやり取りは、第２の電気配線基板１７に設けられた第２の端子１８を介して行う。素子基板１１、第１の電気配線基板１２および第２の電気配線基板１７は、筐体１４に接合されている。筐体１４の内部には液体が貯留されており、この液体が素子基板１１に供給されることで、素子基板１１に設けられた吐出口から液体が吐出される。

【0012】

詳しくは後述するが、素子基板１１には第１の記憶素子としてヒューズ素子またはアンチヒューズ素子が設けられる。後述する図２においては、第１の記憶素子としてヒューズ素子２２を搭載した素子基板１１を示した。また、情報を記憶できるものとして、ヒューズ素子２２のほかに、前述した半導体メモリ１９が筐体１４に取り付けられている。これにより、より多くのヒューズ素子２２を素子基板１１に搭載しなくとも、液体吐出ヘッド１は大容量の情報を保持することが可能となる。したがって、本発明によれば、素子基板１１が大型化することを抑制しつつ、液体吐出ヘッドが保持できる情報の容量を増加させることができる。第２の記憶素子としては半導体メモリ１９を用いるのは、半導体メモリが体積あたりの記憶密度が高く、また振動にも強いためである。

【0013】

第２の電気配線基板１７は、第１の電気配線基板１２の第１の端子１３が配置されている筐体１４の面と同一の面、即ち面２０に載置されている。これにより、第１の端子１３と第２の端子１８が筐体１４の同一の面側に配置されることになるため、液体吐出ヘッド１を記録装置本体に装着する際の、記録装置本体の第１の端子１３および第２の端子１８と接触する箇所の構成を簡易にすることができる。なお、本実施形態においては、半導体メモリ１９を面２０に設けたが本発明はこれに限られない。即ち、半導体メモリ１９が素子基板以外の領域素子基板素子基板に設けられていればよい。素子基板以外の領域とは、素子基板上や素子基板の内部ではない領域を意味する。また、液体吐出ヘッド１が記録装置本体に装着される姿勢（素子基板の吐出口が形成されている面が鉛直下方向に面する姿勢）において、第２の電気配線基板は第１の電気配線基板の鉛直上方向に配置されている。第１の電気配線基板１２は、筐体１４の形状に沿って曲げられる加工しやすい部材を用いている。

【0014】

図６に示すように、筐体１４には、半導体メモリ１９が搭載される位置の部分に第１の凹部２が形成されていることが好ましい。この第１の凹部２に半導体メモリ１９を挿入することにより、半導体メモリ１９の箇所が面２０に対して突出してしまうことを抑制することができるからである。仮に、半導体メモリ１９の箇所が面２０に対して突出していると、記録装置本体と液体吐出ヘッドとを安定して嵌めあうためには記録装置本体側の構成をその突出部分に合うように調整しなければならない。しかしながら、第１の凹部２に半導体メモリ１９を挿入することにより面２０はほぼ平面となり、液体吐出ヘッドと嵌めあう部分の記録装置本体側の構成を簡易にすることができる。また、第１の凹部２に封止材を注入し、その状態の第１の凹部２に半導体メモリ１９を挿入することがより好ましい。これにより、半導体メモリ１９は封止材で封止されるため、液体が半導体メモリ１９に触れることを抑制することができる。また、第1の凹部２に封止材を注入することで、半導体メモリ１９を仮止めする効果もある。

【0015】

図７（ａ）は図１（ａ）に示す領域Ｂの拡大図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＣ－Ｃ断面の概略図である。素子基板１１から吐出された液体は、第１の電気配線基板１２の端５（図１）を伝って第１の電気配線基板１７の端部６まで這い上がる場合がある。ここで、第１の電気配線基板１２としては、主にフレキシブル基板（ＦＰＣ）が用いられることが多く、フレキシブル基板の端部６にはフレキシブル基板中の配線が露出している箇所がある。したがって、このようなフレキシブル基板に素子基板１１からの液体が伝ってくると、フレキシブル基板の端部６に液体が接触する場合があり、フレキシブル基板の動作の不調につながる恐れがある。

【0016】

そこで、本実施形態においては、フレキシブル基板の配線が露出している側（第１の端子１３が配置されている側）の端部６に相当する位置の筐体１４に、第２の凹部４を形成することが好ましい。これにより、図７（ｂ）に示すように、フレキシブル基板の端部６が第２の凹部４の開口７の端部から開口７の内側に向かって突出して宙に浮くような形となる。よって、フレキシブル基板の端５を液体が伝ってきたとしても、液体の這い上がりは第２の凹部４の開口７の端部で止まり、フレキシブル基板の端部６に液体が接触することを抑制することができる。

【0017】

さらに、第２の電気配線基板１７にフレキシブル基板（ＦＰＣ）を用いる場合にも同様のことがいえる。つまり、図７（ｂ）に示すように、第２の電気配線基板１７の配線が露出している側（第１の電気配線基板に近い側）の端部を第２の凹部４の開口７の端部から開口７の内側に向かって突出するように第２の電気配線基板１７を配置する。これにより、第２の電気配線基板１７に液体が接触することを抑制することができる。仮に、第２の電気配線基板１７の端部が開口７の端部から突出しておらず、開口７の近傍に配置されている場合には、素子基板１１からの液体が第２の電気配線基板１７の端部に接触する恐れがある。これは、素子基板１１から第１の電気配線基板１２の端５を伝って開口７に流動してきた液体が開口７の縁に沿って流動し、第２の電気配線基板１７の端部にまで到達する場合があるためである。

【0018】

なお、第２の電気配線基板１７の端部に液体が接触しないように、第２の凹部４とは異なる凹部を第２の電気配線基板１７の端部の下に設けてもよい。しかしながら、その場合には、筐体１４の面２０には、凹部２および凹部４（第２の凹部）を含む、合計３つの凹部を形成しなければならなくなり、筐体１４が大型化してしまう恐れがある。したがって、第２の電気配線基板１７を、その端部が第２の凹部４の開口７の端部から突出するように面２０に配置し、第２の電気配線基板１７の端部の下に設けるべき凹部と第１の電気配線基板の端部６の下に設けるべき凹部を共通化することが好ましい。これにより、筐体１４が大型化してしまうことを抑制することができる。

【0019】

また、上述したように、本実施形態では情報を記憶できる素子として、ヒューズ素子２２と半導体メモリ１９の２つがあるため、半導体メモリ１９には、液体吐出ヘッドのＩＤコードや製造日、液体残量などの情報を書き込めばよい。そして、ヒューズ素子２２には、詳しくは後述するが、液体吐出ヘッドの製造工程内で測定する液体吐出ヘッド固有の情報のみを書き込めばよい。このように、ヒューズ素子２２に記憶させる情報を限定することで、ヒューズ素子２２の容量を節約することができる。また、第１の電気配線基板と第２の電気配線基板の、２つの電気配線基板を用意するのは、後述する液体吐出ヘッドの製造工程の最終工程近くで半導体メモリ１９を液体吐出ヘッドに搭載させたいからである。

【0020】

（素子基板）
本実施形態に係る素子基板１１について、図２を参照しながら説明する。図２は、本実施形態に係る素子基板１１の概略図である。素子基板１１は、主に、素子２１、ヒューズ素子２２、温度センサ２３、電極パッド２４および液体供給口２５から構成されている。液体供給口２５は、素子基板１１のほぼ中央部に形成されており、その両脇に複数の素子２１が配置されている。素子２１は駆動信号に応じて液体を加熱して液体中に気泡を生じさせ、気泡の発泡圧力により不図示の吐出口から液滴を吐出する。

【0021】

駆動信号は、記録装置本体から、電極パッド２４と第１の電気配線基板１２に設けられた第１の端子１３とを介して素子基板１１に送られる。ヒューズ素子２２は、図２においては３つ設けられており、図３にそのヒューズ素子２２の拡大図を示す。ヒューズ素子２２は、配線の幅が狭い領域３を有しており、ヒューズ素子２２に電圧を印加すると領域３が溶断する。この溶断の有無により、ヒューズ素子２２に電流が流れるか否かの２値データを記憶させることができる。なお、素子基板１１に搭載される記憶素子としてヒューズ素子２２を示したが、アンチヒューズ素子を素子基板１１に搭載してもよい。アンチヒューズ素子とは、情報が書き込まれる前には第１の抵抗値を持ち、情報が書き込まれた後には、第１の抵抗値よりも小さい第２の抵抗値を持つような素子である。第１の抵抗値は大きいほうが好ましい。理想的には、第１の抵抗値は無限大であってもよい。また、第１の抵抗値と第２の抵抗値との差が大きいほうが好ましい。例えば、アンチヒューズ素子は、情報が書き込まれる前は、容量素子として機能し、情報書き込み後は、抵抗素子として機能する。

【0022】

（第２の電気配線基板）
第２の記憶素子（ここでは半導体メモリ）は、素子基板以外の領域に設ければよいが、液体吐出ヘッドが上述の第１の電気配線基板とは別の第２の電気配線基板を有し、この第２の電気配線基板に第２の記憶素子を設けることが好ましい。第２の電気配線基板１７について、図４を参照しながら説明する。図４は、第２の電気配線基板１７を裏側から見た際の概略図である。第２の電気配線基板１７に搭載されている半導体メモリ１９の記憶容量は、ヒューズ素子２２の記憶容量よりも大きくなっている。これにより、詳しくは後述するが、ヒューズ素子２２に記憶された情報以外の情報も半導体メモリ１９に記憶することができるため、液体吐出ヘッドにより多くの情報を保持させたいときに好ましい。第２の端子１８と半導体メモリ１９は、第２の電気配線基板１７内に設けられた配線で接続されている。この接続ははんだ等で行われるため、第２の電気配線基板１７の部材は第１の電気配線基板１２の部材とは異なっており、比較的耐熱性が高い部材を用いることが好ましい。

【0023】

（製造工程）
液体吐出ヘッドの製造工程について、図５を参照しながら説明する。図５は、液体吐出ヘッドの製造工程を示すフローチャートである。まず、ヒューズ素子２２を備えた素子基板１１を用意する（工程１）。ここで、素子基板１１には既に吐出口を有する吐出口部材等が形成されている。次に、素子基板１１の電極パッド２４と第１の電気配線基板１２とを、例えば、ワイヤーボンディング法により電気接続する（工程２）。次に、電気接続された素子基板１１と第１の電気配線基板１２を筐体１４に接着剤を用いて接合する（工程３）。

【0024】

この時点では、比較的高価である半導体メモリ１９は液体吐出ヘッドには搭載させない。液体吐出ヘッドの製造工程では、製造途中で不良となってしまう液体吐出ヘッドが存在する。その原因の例としては、液体の吐出が乱れてしまう吐出不良や、正常な電気動作ができなくなってしまう電気不良などであり、このような液体吐出ヘッドは正常動作しないため出荷ができない。したがって、仮に半導体メモリ１９がこの時点で筐体１４に取り付けられていると、半導体メモリ１９自体は正常であるにもかかわらず、半導体メモリ１９もろとも液体吐出ヘッドを廃棄しなくてはならない。すなわち、コスト的に不利になってしまう。そのため、製造工程の比較的初期においては、半導体メモリ１９は筐体１４には搭載しない。

【0025】

次に、第１の端子１３から電気信号を素子基板１１に与えて、液体吐出ヘッドの電気検査を行う（工程４）。この過程で、素子基板１１に配置されている温度センサ２３の特性も測定する。温度センサ２３の特性は液体吐出ヘッド毎に異なるため、温度センサ２３の特性を測定することによって、その液体吐出ヘッドの固有の温度補正値を算出し、各液体吐出ヘッド１のヒューズ素子２２に温度センサ特性データを書き込む。この温度センサの特性データを記録装置本体が読み取ることで、温度センサ２３の出力値を補正し、液体吐出ヘッド１を最適な温度で記録装置本体が制御することができる。このように、液体吐出ヘッドの製造工程で、その液体吐出ヘッド固有のデータの測定と同時に、そのデータを液体吐出ヘッド１の素子基板１１に記憶させることができる。この点が、ヒューズ素子２２のメリットである。

【0026】

次に、筐体１４の内部に液体吸収体を挿入し、その液体吸収体に液体（インク）を注入したのち、蓋部材１５で筐体１４の蓋をする。その後、注入した液体を吐出口から吸引等することにより、素子基板１１の吐出口まで液体を導入し、液体を吐出可能な状態にする（工程５）。

【0027】

次に、吐出検査を行う（工程６）。吐出検査では、実際に液体吐出ヘッドを駆動させて液体を吐出し、吐出不良がないか否かを確認するとともに、液体の吐出に最適な素子２１の駆動特性を測定する。この素子２１の駆動特性も液体吐出ヘッド固有のデータであるため、測定と同時にこのデータを素子基板１１内のヒューズ素子２２に記憶させる。実際に吐出口から液体を吐出する際には、この素子２１の駆動特性を記録装置本体が読み出すことにより、素子２１に供給する駆動電圧を調整することができる。

【0028】

その後、吐出口面を保護するための保護テープを吐出口面に貼る（工程７）。その後、半導体メモリ１９を搭載した第２の電気配線基板１７を液体吐出ヘッド１に搭載する（工程８）。半導体メモリが配置された第２の電気配線基板１７は、第１の電気配線基板１２の第１の端子１３が位置している筐体１４の面２０に、熱カシメ等によって固定する。このとき、筐体に前述した凹部２が形成されている場合には、凹部２に封止材を注入した後に、凹部２に半導体メモリ１９を挿入して、筐体１４に半導体メモリ１９を取り付ける。そして、素子基板１１内のヒューズ素子２２から、液体吐出ヘッドの固有の情報である温度センサ２３の特性データおよび素子２１の特性データを読み出す。読み出したデータを第２の電気配線基板１７の第２の端子１８を介して半導体メモリ１９に書き込む。この際に、ヒューズ素子２２で記憶されていたデータ以外にも、液体吐出ヘッドのＩＤコードなど情報量の多い情報も半導体メモリ１９に書き込む。これは、ヒューズ素子２２に比べて記憶容量が多い半導体メモリ１９を使うため、液体吐出ヘッドの固有データ以外の情報も書き込むことが可能となるためである。

【0029】

最後に、半導体メモリ１９を搭載した液体吐出ヘッドを梱包材で梱包することにより、液体吐出ヘッドの製造が完了となる。以上のような製造方法により製造された液体吐出ヘッドは、製造工程で測定した液体吐出ヘッド固有の情報のみを素子基板内のヒューズ素子に記憶させるので、素子基板のサイズが大きくなることを抑えることができる。また、一連の製造工程の最終工程近くで大容量の半導体メモリを搭載することにより、良品と判断された液体吐出ヘッドにのみ半導体メモリ１９を搭載できるため、コストを抑えることができる。さらに、半導体メモリ１９に比べてヒューズ素子２２に情報を書き込む時間は長くかかる。そのため、液体吐出ヘッドのＩＤコード等の容量の大きな情報は半導体メモリ１９に記憶し、温度センサ２３の特性データのような最小限の情報のみをヒューズ素子２２に記憶させることで、製造時間の短縮にもつながる。

【0030】

なお、本実施形態の以上の記載においては、ヒューズ素子２２の情報を半導体メモリ１９に書き写したが、記録装置本体のデータ読み出し回路がヒューズ素子２２と半導体メモリ１９の両方からデータを読み出せる場合は書き写す必要はない。その場合は半導体メモリ１９の容量の節約となり、他の情報を書き込むことが可能となる。

【符号の説明】

【0031】

１ 液体吐出ヘッド
１１ 素子基板
１４ 筐体
１９ 第２の記憶素子
２１ 素子
２２ 第１の記憶素子

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】