特許 7427516 多結晶シリコン製造用シードの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-26

(45)【発行日】2024-02-05

(54)【発明の名称】多結晶シリコン製造用シードの製造方法

(51)【国際特許分類】

   C01B 33/02 20060101AFI20240129BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20240129BHJP

【ＦＩ】

C01B33/02 Z

H01L21/304 611S

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2020078201

(22)【出願日】2020-04-27

(65)【公開番号】P2021172563

(43)【公開日】2021-11-01

【審査請求日】2023-02-27

(73)【特許権者】

【識別番号】523119425

【氏名又は名称】高純度シリコン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100101465

【弁理士】

【氏名又は名称】青山 正和

(72)【発明者】

【氏名】宮田 幸和

【審査官】玉井 一輝

(56)【参考文献】

【文献】特開平０９－１５５８５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／１５１１４０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００７－１１８３５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００９－５４５４７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１９４８６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１１７０３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０８３７４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１２５３５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０８－１８７７２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１０／０１６４７９（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｃ０１Ｂ ３３／００ －３３／１９３

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

２１／４６３

Ｂ２８Ｄ １／００ －７／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

シリコンロッドを長軸方向に沿って平行にスライスして複数の板状部材を作製するスライス工程と、前記板状部材を長さ方向に切断して断面矩形の多結晶シリコン製造用シードを複数作製するシード形成工程と、を有する多結晶シリコン製造用シードの製造方法であって、
前記スライス工程では、前記シリコンロッドの長さ方向に間隔をあけて水平に並べた少なくとも２個の載置台上に前記シリコンロッドを横にして載置した状態で、前記シリコンロッドを切断刃によって長軸方向に縦に切断しており、
前記載置台は、前記シリコンロッドの外面の曲率より小さい曲率の凹状に形成された載置面を有していることを特徴とする多結晶シリコン製造用シードの製造方法。

【請求項2】

前記スライス工程では、前記載置台上に前記シリコンロッドを載置した状態で、前記切断刃により前記シリコンロッドの一側面部を切り落とした後、その切断面を上方に向けるように前記シリコンロッドを載置台上で回転させ、その後、前記切断刃により前記シリコンロッドをスライスすることを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン製造用シードの製造方法。

【請求項3】

前記載置面の曲率は、前記シリコンロッドの外周面の曲率の０．９８５倍以上０．９８９倍以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多結晶シリコン製造用シードの製造方法。

【請求項4】

前記載置台の上端面は、前記載置面に前記シリコンロッドを載置した状態で、該シリコンロッドの中心高さ位置と同じかそれよりも低く、かつ、前記シリコンロッドの一側面部を切り落とした際の切断下端位置よりも高くなるように設定されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の多結晶シリコン製造用シードの製造方法。

【請求項5】

前記スライス工程では、前記シリコンロッドを載置して横移動を抑制する位置決め台が該シリコンロッドの長さ方向に間隔をあけて少なくとも２個設けられ、前記位置決め台は、前記シリコンロッドの外周面の周方向に間隔をあけた２箇所に当接することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の多結晶シリコン製造用シードの製造方法。

【請求項6】

前記位置決め台の前記シリコンロッドへの当接面は、水平方向に対して３０°以上４０°以下の角度で傾斜していることを特徴とする請求項５記載の多結晶シリコン製造用シードの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、多結晶シリコンを製造する際のシリコン芯棒となるシードをシリコンロッドから切断する多結晶シリコン製造用シードの製造方法及び切断加工治具に関する。

【背景技術】

【0002】

多結晶シリコン製造方法としてシーメンス法が知られている。シーメンス法は、還元反応容器内にシリコン析出のためのシード（芯棒）が立設され、その表面にクロロシランガス及び水素ガスによる還元反応や、熱分解反応によりシリコンが堆積される。このシリコン析出用のシードは、溶融シリコンから引上げ法により製造する方法や、多結晶又は単結晶シリコンロッド（以下、単にシリコンロッドという。）からの切出しによる方法により、長尺状に形成されたものが用いられている。

【0003】

シリコンロッドからシードを作製する場合、円柱状のシリコンロッドを台の上に横向きに設置して、その上方から回転切断刃を下降して、シリコンロッドの一端部からシリコンロッドの長さ方向に平行に切断することにより、複数枚の板状部材にスライスし、その板状部材を面と直交してさらに切断することで、断面矩形状のシードにする。

【0004】

このような長尺状のシードを製造する場合、その切断材料であるシリコンロッドが脆性材料であることから、切断時の振動等によりクラックや割れが生じないようにする必要がある。

【0005】

特許文献１では、シリコンロッドをテーブル上に支持する際に、シリコンロッドの下に敷板を設けるとともに、シリコンロッドの側面との間にマグネットや当て板を設け、さらに、一組の櫛歯状の端面部材をクッション部材を介してシリコンロッドの両端面に接触させ、これら端面部材でシリコンロッドを軸方向に押圧した状態で、その櫛歯の間に切断刃を案内しながら複数の板状部材を製作することが開示されている。板状部材はさらに細幅に切断されて断面矩形の複数のシードが製造される。

【0006】

また、特許文献２では、シリコンロッドの両端をロッド保持具により保持した状態で、シリコンロッドから板状部材を順次切り取り、シリコンロッドを連続する２つの切断の間に９０°又は１８０°軸上で回転することで、熱処理を行うことなく細棒製造におけるシリコンロッドや細棒の破損を回避する方法が開示されている。

【0007】

特許文献３には、インゴット（シリコンロッド）をウエハに切り出す際の下に敷くインゴット支持用治具として、シリコンロッドの表面形状に沿う凹曲面を有し、凹曲面の長手方向に沿って延びる複数の空洞を内部に有するセラミックス製の中空構造体からなる治具が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【文献】特開２０１０‐８３７４３号公報

【文献】特開２０１２‐１３４４８９号公報

【文献】特開２００７‐１１８３５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

ところで、特許文献２のようにシリコンロッドの両端の一部を保持具で単に固定するだけでは、固定軸から外れた部分での切断では切断時の振動等を受け易い。特許文献３では、インゴットを支持用固定治具とともに切断刃で切断する際の切断刃から受ける応力や切断刃の歪によるウエハの歪、クラック割れを抑制する治具の構成であり、ロッドと支持用治具の径方向の曲率半径を揃えている構成ではあるが、ロッド状物を長軸方向に切断する場合での利用としては、切断時の振動の影響が異なるため、固定方法の工夫などが必要である。

【0010】

一方、特許文献１の切断方法は、シリコンロッドの両端とともに側面もマグネットや当て板で支持しているため、固定方法としては比較的安定しているが、多結晶シリコンロッドがロッド長軸に対して均一な形状ではなく、部分的に長軸に対する断面の径が異なる場合があることや、長軸に対してわずかではあるが反りなどを生じている場合など、支持が十分でない場合がある。

【0011】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、シリコンロッドを長軸方向に切断して多結晶シリコン製造用シードを製造する方法において、切断加工の際に、割れや欠けなどの加工不良を低減し、加工歩留りを向上させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の多結晶シリコン製造用シードの製造方法は、シリコンロッドを長軸方向に沿って平行にスライスして複数の板状部材を作製するスライス工程と、前記板状部材を長さ方向に切断して断面矩形の多結晶シリコン製造用シードを複数作製するシード形成工程と、を有する多結晶シリコン製造用シードの製造方法であって、
前記スライス工程では、前記シリコンロッドの長さ方向に間隔をあけて水平に並べた少なくとも２個の載置台上に前記シリコンロッドを横にして載置した状態で、前記シリコンロッドを切断刃によって長軸方向に縦に切断しており、
前記載置台は、前記シリコンロッドの外面の曲率より小さい曲率の凹状に形成された載置面を有している。

【0013】

この製造方法によれば、シリコンロッドの外面の曲率より小さい曲率の凹状の載置面にシリコンロッドを載置することにより、シリコンロッドの長軸に対して垂直方向の振れを少なくすることができ、その載置台をシリコンロッドの長さ方向に間隔をあけて少なくとも２個以上設けることにより、シリコンロッドを安定して支持することができ、均一な厚さの板状部材を作製することができる。
また、シリコンロッドの側部を切断した際の切断物を凹状の載置面により保持することが可能であり、切断時の振動による破損を防止できる。

【0014】

多結晶シリコン製造用シードの製造方法において、前記スライス工程では、前記載置台上に前記シリコンロッドを載置した状態で、前記切断刃により前記シリコンロッドの一側面部を切り落とした後、その切断面を上方に向けるように前記シリコンロッドを載置台上で回転させ、その後、前記切断刃により前記シリコンロッドをスライスするとよい。

【0015】

シリコンロッドを切断する際に、切断刃が切り抜ける最後の部分でシリコンロッドに割れや小さい欠けが生じ易い。また、切断刃が切り抜ける状態に近づくに従い切断物やシリコンロッドは振動し易くなるため、欠けや割れが生じやすくなる。また、シリコンロッドの側部は、これにより生じる切断物は一面が円弧面であるため、シリコンロッドの直径によっては、シードを形成するのに十分な厚さを幅方向の全面にわたって確保することはできない。このため、シードの確保ができない場合はその部分は除去されるが、最初に一側面部を切り落とした後に、その切断面を上方に向けてスライスすることにより、切断刃が切り抜ける部分で小さい欠けが生じたとしても、その後のシード形成工程において、欠けが生じた部分を切断除去できるため、歩留まりの低下を抑制することができる。
また、このように９０°回転させた状態でも、シリコンロッドの円弧面状の外周面を凹状の載置面により安定して支持することができる。

【0016】

多結晶シリコン製造用シードの製造方法において、前記載置面の曲率は、前記シリコンロッドの外周面の曲率の０．９８５倍以上０．９８９倍以下であるとよい。

【0017】

載置面の曲率がシリコンロッドの外周面の曲率の０．９８９倍を超えている場合は、載置面とシリコンロッドとの隙間が小さくなるため、シリコンロッドが反っている場合などはシリコンロッドを載置台に載置する際の位置決め作業が難しくなる。０．９８５倍未満の場合には、載置台に載置したシリコンロッドが長軸方向に対して垂直方向に振れやすくなるため、切断時の固定状態が低下するおそれがある。

【0018】

多結晶シリコン製造用シードの製造方法において、前記載置台の上端面は、前記載置面に前記シリコンロッドを載置した状態で、該シリコンロッドの中心高さ位置と同じかそれよりも低く、かつ、前記シリコンロッドの一側面部を切り落とした際の切断下端位置よりも高くなるように設定されているとよい。

【0019】

載置台の上端面がシリコンロッドの中心高さ位置と同じかそれより低いことから、載置台の凹状の載置面の上方が開放状態となっており、シリコンロッドを載置台に載置する作業が容易になる。また、シリコンロッドの側部を切断すると、切り落とされた切断物は下方に落下するが、載置台の上端面が切断下端位置よりも高い位置に設定されているので、シリコンロッドの下方で載置面が近接しており、切断物の落下距離が小さくなることで、切断時の破損を防止できる。

【0020】

多結晶シリコン製造用シードの製造方法において、前記スライス工程では、前記シリコンロッドを載置して横移動を抑制する位置決め台が該シリコンロッドの長さ方向に間隔をあけて少なくとも２個設けられ、前記位置決め台は、前記シリコンロッドの外周面の周方向に間隔をあけた２箇所に当接するとよい。
載置台とは別に位置決め台を設けることにより、載置台の載置面とシリコンロッドの曲率の各違いによるシリコンロッドの長軸方向に対する垂直方向の動きをより確実に抑制して、切断寸法精度を高めることができるとともに、切断時の欠けの発生もより低減できる。

【0021】

多結晶シリコン製造用シードの製造方法において、前記位置決め台の前記シリコンロッドへの当接面は、水平方向に対して３０°以上４０°以下の角度で傾斜しているとよい。位置決め台の角度が３０°よりも小さいと、切断時に位置決め台上でのシリコンロッドが動きやすくなり、４０°よりも角度が大きいと載置台上のシリコンロッドの高さ位置と位置決め台上でのシリコンロッドの高さ位置の調整が取りにくくなり、載置台上への安定した状態での保持の調整が難しくなる場合がある。
位置決め台の当接面をこの範囲の傾斜角度とすることにより、シリコンロッドをより安定して保持することができる。

【0022】

本発明の載置台は、多結晶シリコン製造用シードを製造する際に前記シリコンロッドを載置する載置台であって、前記シリコンロッドを載置する表面が円弧面に形成されている。

【0023】

また、本発明の位置決め台は、多結晶シリコン製造用シードを製造する際に前記シリコンロッドを載置して横移動を抑制する位置決め台であって、前記シリコンロッドの外周面の周方向に間隔をあけた２箇所に当接するように下方から上方に向けて相互に離間する方向に傾斜する当接面が設けられている。

【発明の効果】

【0024】

本発明によれば、シリコンロッドを長軸方向に切断して多結晶シリコン製造用シードを製造する方法において、切断加工の際に、割れや欠けなどの加工不良を低減し、加工歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】本発明に係る多結晶シリコン製造用シードの製造方法の一実施形態を説明する図であり、（ａ）が切断前のシリコンロッド、（ｂ）がスライス工程における切断位置を鎖線で示したシリコンロッド、（ｃ）がスライス工程後の板状部材をそれぞれ示す斜視図である。

【図2】多結晶シリコン製造用シードの製造方法に用いられる製造装置を示す正面図である。

【図3】図２の製造装置の切断刃付近の断面図である。

【図4】本発明に係る載置台の実施形態を示す斜視図である。

【図5】図４の載置台にシリコンロッドを載置した状態の側面図である。

【図6】本発明に係る位置決め台の実施形態を示す斜視図である。

【図7】図６の載置台にシリコンロッドを載置した状態の側面図である。

【図8】図２の製造装置に用いられている端面支持台の側面図である。

【図9】シリコンロッドの切断方法の一例を説明する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下、本発明に係る多結晶シリコン製造用シードの製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。

【0027】

本実施形態の多結晶シリコン製造用シードの製造方法は、図１（ａ）に示すような略円柱状の多結晶シリコンのシリコンロッド１を、図１（ｂ）の鎖線で示すように、その長手方向（長軸方向）に沿って平行にスライスして図１（ｃ）で示すような板状部材２を複数作製するスライス工程と、その後に、これらの板状部材２を図１（ｃ）の鎖線で示すように、さらに切断面方向と直交する方向に沿って平行に切断することにより、断面矩形（例えば約１０ｍｍ角）の複数の多結晶シリコン製造用のシード３を作製するシード形成工程とを有する。
このうち、スライス工程においては、図２に示す多結晶シリコン製造用シード製造装置１００が用いられる。

【0028】

このシード製造装置１００は、基台１０上に、シリコンロッド１を支持するテーブル１１と、該テーブル１１上のシリコンロッド１を切断する切断刃１２とが取り付けられており、シリコンロッド１をテーブル１１の上に横向きに設置して、その上方から回転する切断刃１２を下降して、シリコンロッド１の一端部からその長さ方向（長軸方向）に平行に切断する装置である。基台１０の上にテーブル１１が長さ方向に移動可能に支持され、そのテーブル１１上に、水平状態のシリコンロッド１を載置する載置台３０及びシリコンロッド１の左右方向の位置決めをするための位置決め台４０、シリコンロッド１の両端面を支持する端面支持台５１，５２が設けられ、基台１０に切断刃１２及びその駆動機構等が支持されている。

【0029】

載置台３０は、テーブル１１上に、シリコンロッド１の長さ方向に間隔をあけて少なくとも２個設置される。この載置台３０は、図４及び図５に示すように、下面３１が平坦面、上面が凹状の載置面３２に形成されている。その載置面３２は、円弧面に形成され、その曲率（１／Ｒ１）は、載置されるシリコンロッド１の外周面１ａの曲率（１／Ｒ０）より小さく、１／Ｒ０の０．９８５倍以上０．９８９倍以下に設定されている。
また、載置台３０の上端面３３は、載置面３２にシリコンロッド１を載置した状態で、シリコンロッド１の中心１ｂの高さ位置と同じかそれよりも低く、かつ、図５の鎖線で示すようにシリコンロッド１の両側面のうちの片側の一側面部１ｃを切り落とした際の切断下端位置１ｄよりも高くなるように設定されている。

【0030】

言い換えると、載置台３０の高さをＨ１、載置面３２の最も低い位置までの高さをＨ２とすると、シリコンロッド１をテーブル１１上に水平に配置した状態で、載置面３２の最も低い位置から載置面３２の最も高い位置までの垂直距離（Ｈ１－Ｈ２）がシリコンロッド１の半径寸法Ｒ０と同じか、それより若干小さい寸法に設定されている。また、略円柱状のシリコンロッド１から最初に一側面部１ｃを切り落とした際に形成される切断面１ｅの切断下端位置１ｄの高さＨ３よりも高くなるように設定されている。
なお、この載置台３０は例えば木材により形成される。

【0031】

具体的な寸法は必ずしも限定されるものではないが、シリコンロッドの直径サイズにより、例えば、曲率（１／Ｒ０）が０．０１０／ｍｍ以上０．０３３／ｍｍ以下、長さＬ０が１００ｃｍ以上２５０ｃｍ以下のシリコンロッド１に対して、幅Ｗ１が８０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下、高さＨ１が５０ｍｍ以上１２０ｍｍ以下、長さＬ１が５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、下面３１から載置面（凹湾曲面）３２の最も低い位置（最下点）までの高さＨ２が１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下、載置面３２の曲率（１／Ｒ１）が０．０２４／ｍｍ以上０．０２８／ｍｍ以下に設定される。

【0032】

位置決め台４０は、図７に示すように、下面４１が平坦面、上面がシリコンロッド１の外周面１ａの周方向に間隔をあけた２箇所に当接するように、Ｖ字状を構成して対向するように二つの傾斜面４２が形成されている。これら傾斜面４２は、下方から上方に向かうにしたがって漸次離間するように傾斜しており、水平方向となす傾斜角度θ１は３０°以上４０°以下に形成されている。両傾斜面４２の下端は、水平な底面４３により連結されている。

【0033】

この位置決め台４０の具体的寸法は必ずしも限定されるものではないが、シリコンロッドの直径サイズにより、例えば、前述した寸法のシリコンロッド１に対して、幅Ｗ２が８０ｍｍ以上２５０ｍｍ以下、高さＨ４が３０ｍｍ以上７０ｍｍ以下、長さＬ２が５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、下面４１から底面４３までの高さＨ５が１０ｍｍ以上２０ｍｍ以下、底面４３の幅Ｗ３が１５ｍｍ以上３０ｍｍ以下に設定される。
なお、この位置決め台４０は例えば木材により形成される。

【0034】

これら載置台３０及び位置決め台４０をテーブル１１の上にシリコンロッド１の長さに応じて２個以上ずつ、これらの軸方向を一致させた状態でそれぞれ相互に間隔をおいて設置する。２個ずつ設置する場合は、図２に示すように、両端部に位置決め台４０、その間に載置台３０となる配置が好ましい。

【0035】

そして、載置台３０及び位置決め台４０の上にシリコンロッド１を水平に配置する。位置決め台４０には、その両傾斜面４２がシリコンロッド１の外周面１ａに当接する。載置台３０は、その載置面３２がシリコンロッド１の外周面１ａの曲率（１／Ｒ０）より小さく曲率（１／Ｒ１）に設定されているので、載置面３２の最も低い位置でシリコンロッド１の外周面１ａが軸方向に沿う線状に接触する。この場合、シリコンロッド１は、位置決め台４０の両傾斜面４２には線接触状態での接触となるが、載置台３０との接触では、載置面３２の底部から上部に向かい、外周面１ａに対して周方向の動きを抑制するような接触となる。

【0036】

なお、端面支持台５１，５２は、テーブル１１上に間隔をあけて２個設けられており、これらの間に、シリコンロッド１を長軸方向に押圧した状態に支持する。その一方の端面支持台５１は、押圧機構５３が設けられており、シリコンロッド１の端面を押圧することができるようになっている。また、両端面支持台５１，５２（図８には端面支持台５１のみ示している）には、切断刃１２を通過させるための溝５５が、目的とする板状部材２の厚さに相当するピッチで複数形成されている。
また、切断刃１２は、例えばダイヤモンドホイールの１枚刃によって円盤状に形成されており、基台１０上に固定状態の固定台１３に、上下スライド機構１４、及び左右スライド機構１５を介して、駆動部１６とともに支持されている。この取付姿勢で、切断刃１２は垂直に配置される。なお、図３中符号１７は、切断刃１２の上方を覆うカバーである。

【0037】

次に、このシード製造装置１００を使用してシリコンロッド１からシード３を製造する方法について説明する。このシード３を製造するには、シリコンロッド１をスライスして板状部材２を形成するスライス工程、板状部材２をさらに切断してシード３を形成するシード形成工程とを有する。以下、工程ごとに説明する。

【0038】

（スライス工程）
上述したように、テーブル１１に載置台３０及び位置決め台４０を並べた状態で、これらの上にシリコンロッド１を横にして載置し、シリコンロッド１の両端面を端面支持台５１，５２により長軸方向に押圧した状態に保持する。
この状態で、切断刃１２を回転させながら、テーブル１１をシリコンロッド１の長軸方向に移動することにより、シリコンロッド１を一端から長軸方向に縦に切断し、シリコンロッド１の他端まで切り終わったら、テーブル１１を元の位置まで戻すとともに、目的とする板状部材２の厚さに相当するピッチで切断刃１２を横方向（シリコンロッド１の径方向）にスライドして、次の切断を行う。これを順次繰り返して、シリコンロッド１を板状にスライスする。このとき形成される板状部材２の厚さは例えば５ｍｍ以上１５ｍｍ以下である。

【0039】

また、最初の切断で、シリコンロッド１の一側面部１ｃが切り落とされるが、載置面３２の最も低い位置から載置面３２の最も高い位置までの垂直距離（Ｈ１－Ｈ２）がシリコンロッド１の半径寸法Ｒ０と同じか、それより若干小さい寸法に設定される。つまり、載置台３０の上端面３３は、シリコンロッド１を載置台３０に載置した状態で、シリコンロッド１の中心１ｂの高さ位置と同じかそれより低くなるように設定される。また、シリコンロッド１の最初の一側面部１ｃを切り落とした際に形成される切断面１ｅの最切断下端位置１ｄよりも載置台３０の上端面３３が高くなるように設定されているので、切り落とした切断物（一側面部１ｃ）は、載置面３２上に落下することになる。しかも、載置面３２の曲率とシリコンロッド１の外周面の曲率との差がわずかであるので、切断物の落下距離も小さく、切断物が落下により欠損等を生じることがない。
これにより、一側面部切断による切断物からのシード採取の歩留り（取得率）が向上することが期待できる。

【0040】

載置面３２の最も高い位置までの高さ（上端面３３の高さ）Ｈ１は、できるだけ高い方が、切り落とされた切断物を載置面３２上に保持し易いが、シリコンロッド１を載置する際の作業性を考慮すると、載置面３２の最も低い位置から載置面３２の最も高い位置までの垂直距離（Ｈ１－Ｈ２）は、シリコンロッド１の半径寸法Ｒ０と同じか、それより若干小さい寸法が好ましい。
最初の一側面部１ｃを切り落とした後は、切断刃１２をシリコンロッド１の直径方向に所定寸法ずつずらしながらシリコンロッド１をスライスして、複数枚の板状部材２を作製する。
なお、シリコンロッド１を切断する際に、その下方に配置されている載置台３０及び位置決め台４０の一部を切断刃１２で切断するようにしてもよい。

【0041】

（シード形成工程）
最後に、板状部材２を面方向と直交する方向にスライスして、複数本のシード３を形成する。このシード形成工程では、図３に示す一枚刃の切断刃１２に代えて、複数の切断刃を並列に並べたマルチカッタにより一枚の板状部材２から複数本のシード３を同時に形成することが可能である。

【0042】

（スライス工程の他の実施形態）
なお、シリコンロッド１の一側面部１ｃを切り落とした後、そのままの姿勢で順次スライスしてもよいが、図９に示すように、最初の一側面部１ｃを切り落とした後、シリコンロッド１を９０°回転させることにより、切断面１ｅを上方に向けた状態とした後、その切断面１ｅに直交する方向に切断刃１２を配置してスライスしてもよい。

【0043】

シリコンロッド１を切断する際に、切断刃１２が切り抜ける最後の部分（図５の１ｃを切断する場合であると、切断面１ｅの切断下端位置１ｄ）でシリコンロッド１又は切断物に細かい欠け（チッピング）が生じ易い。このため、この一側面部１ｃを切断した後に、切断刃１２を径方向に送りながら順次スライスすると、各板状部材２の切断面の端部に欠けが生じるおそれがあり、その部分を除去すると、得られる板状部材２の幅が小さくなる。

【0044】

一方、このシリコンロッド１の一側面部１ｃは、これにより生じる切断物は切断面１ｅ以外の面がすべて円弧面であるため、切断後のサイズによってはシード３を形成するのに十分な厚さを幅方向の全面にわたって確保することがし難にくくなる。このため、この一側面部１ｃの切断物からのシードの取得数が低下することにもなる。このような切断物（切断面１ｅ以外の面がすべて円弧面となる切断物）は、シリコンロッド１の向きを変えないとすると、図１（ｂ）に１ｃと１ｆで示すように両側部に形成される。

【0045】

最初に一側面部１ｃを切り落とした後に、シリコンロッド１を９０°回転させて、その切断面１ｅを上方に向けてスライスすることにより、切断刃１２が切り抜ける部分で欠けが生じたとしても、その部分は、最初の一側面部１ｃに対して反対側の側面部（１ｆ）であり、本来切断除去される部分であるから、その後のシード形成工程において、欠けが生じた部分を切断除去すればよい。これにより、シリコンロッド１の向きを変えないで同じ方向にスライスして得られる板状部材２に対して、９０°向きを変えてスライスすることにより得られる板状部材は、その幅を大きく形成することができ、歩留まりを良くすることができる。
また、このように９０°回転させた状態でも、シリコンロッド１の円弧面状の外周面を凹状の載置面３２により安定して支持することができることから、切断時の欠け（チッピング）が生じにくくなる。また、これにより、加工時の不良も低減することから、シードの取得率も向上することが期待できる。
また、多結晶シリコンロッド表面の状態は、シリコンの析出反応による堆積物であることから、反応条件によっては必ずしもスムースとは言い難く、表面での凹凸の形成は避けられない。このため、切断時のロッド外周面への切断刃の接触時にはチッピングなども起きやすくなることから、このような状況機会を低減するという面からも、シリコンロッドの１側面部の切断の際には９０°回転して向きを変えて切断を行うことがシード歩留り向上の観点からも望ましい。

【実施例】

【0046】

次に、本発明の効果を確認するために確認実験を行った。
（実施例１）
直径７６ｍｍ、長さ約２ｍのシリコンロッドから、１辺が約７ｍｍの断面正方形のシードを切断することを前提とし、シードの取得率について、載置台の使用の有無の状況を調べた。使用した載置台は、シリコンロッドの長軸方向の両端部から、約６０～８０ｃｍの位置に各１つ配置した。また、載置台の仕様は、上端面の高さ（Ｈ１）＝約５５ｍｍ、長さ（Ｌ１）＝約８０ｍｍ、幅（Ｗ１）＝約１００ｍｍ、下面から載置面までの高さ（Ｈ２）＝約１５ｍｍとし、木材を使用した。この場合、シリコンロッドを長軸方向に沿って平行にスライスして、複数枚の板状部材を形成し、これら板状部材をさらに切断してシードを作製した。
載置台には、シリコンロッドの外周面の曲率に対して、載置面の曲率の割合が表１に示す割合（曲率比）となるものを使用した。シリコンロッドの直径は、長さ方向の中央部の直径と両端部の直径との平均値である。試料Ｎｏ．８は載置台を使用しなかった。
シリコンロッド１本当り、割れや欠けが許容値以内のレベルで取得できたシードの本数を確認し、取得率は、載置台を使用しないで切断した場合の取得本数を「１」として、載置台を使用した場合の取得本数をその指数で表現した。
その結果を表１に示す。

【0047】

【表1】

【0048】

表１からわかるように、シリコンロッドからシード切断加工を行う場合、載置台を使用することにより、載置台を使用しない場合と比べて、シードの取得率は向上することが確認された。その際、使用する載置台のシリコンロッドの外周面の曲率に対する載置面の曲率の割合は０．９８５より小さい場合は、シードの取得率は向上するものの、取得率は低くなる傾向が見られた。これは、曲率の割合が小さくなると板状部材の切断時に、載置台によるシリコンロッドの固定が弱くなるため、切断時の振動の抑制が小さくなることで欠けや割れが生じやすくなることが推察される。
なお、切断加工時に生じる割れや欠けのレベルが許容値を超えて発生した割合が小さければ加工歩留りは良くなり、その割合が高いと加工歩留りは悪くなるという判断をしている。前述の取得率との関係では、取得率が高ければ加工歩留まりは良くなり、取得率が低ければ加工歩留まりは悪くなる。

【0049】

（実施例２）
シリコンロッドの析出反応における製造ロットの異なる複数のシリコンロッドについて、実施例１と同様にシードを切断して、載置台の使用の有無によるシード取得率を確認した。載置台の載置面の曲率は、各シリコンロッドの外周面の曲率に対して、０．９８６倍～０．９８９倍のものを使用した。
切断に際しては、シリコンロッドの一側面部を切り落とした後、９０°回転させて切断面を真上に向けた状態でスライスすることにより板状部材を形成し、各板状部材をさらに切断してシードを作製した。
結果を表２に示す。表２において、取得率平均値は、各ロットごとに求めた取得率の平均値である。ロッド側面取得率は、シリコンロッドの側面部から取得されるシードについて、載置台未使用の場合を「１」としたときの比率である。

【0050】

【表2】

【0051】

表２から明らかなように、複数ロットのシリコンロッドトに対しても、また、シリコンロッドから切断される側面部に対しても、シード切断時のチッピングなどの欠けが、載置台を使用することで低減され、シードの取得率が向上することが確認された。

【0052】

（実施例３）
載置台とともに位置決め台も使用して、実施例２と同様にシリコンロッドの切断を行ったした。位置決め台としては、仕様を傾斜面が３３°及び３７°の二種類とを用意し、高さ（Ｈ４）＝約４０ｍｍ、長さ（Ｌ２）＝約８０ｍｍ、幅（Ｗ２）＝約１００ｍｍ、下面から底面までの高さ（Ｈ５）＝約１５ｍｍとして材質は木材を使用した。
なお、位置決め台の配置は、実施例１、２で行った載置台の配置に対して、シリコンロッド両端部側（両端部から、約２０～３０ｃｍの位置）に各１つ配置した。
結果を表３に示す。位置決め台の欄は傾斜面の角度を示している。各取得率は、実施例２の載置台未使用の場合のシード取得率の平均値およびロッド側面部からのシード取得率の平均値を「１」としたときの比率である。

【0053】

【表3】

【0054】

シリコンロッドからのシード切断加工において、載置台以外に位置決め台を併用することにより、載置台のみを使用してシード切断加工を行う場合に比べて、シード取得率がさらに向上することが確認された。

【0055】

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、被切断物を多結晶シリコンロッドとしたが、本発明の多結晶シリコン製造用シードの製造方法は、単結晶シリコンロッドや他のシリコンロッドの切断にも適用することができる。
また、本発明において使用する位置決め台の位置は、シリコンロッド両端部側に配置したが、載置台の間にも配置してもよい。
また、載置台、位置決め台の各配置の間隔は、シリコンロッドの固定が行いやすい適宜の位置、切断に支障なないような適宜の位置でもよい。
また、載置台や位置決め台は、一体型のものでなくても、幾つかのパーツに加工したものを組み上げて一体化したものでもよい。
また、載置台や位置決め台は、切断加工時の受台からの汚染防止として、接触部にコーティング（Ｓｉ、ＳｉＯ_２）などを施したものでもよい。
また、本実施形態では、載置台を木材としたが、木材以外の材質、例えば、樹脂類など、切断時の振動を吸収するような材質であれば、何でもよい。
また、本実施形態では、載置台および位置決め台を切断装置のテーブル上に配置する構成としたが、載置台や位置決め台自体をテーブル上に固定するための方法として、例えば、固定治具を用いて載置台や位置決め台の動きをなくすることで、より安定した切断作業を行うことができる。

【符号の説明】

【0056】

１ シリコンロッド
１ａ 外周面
１ｂ 中心
１ｃ 一側面部
１ｄ 最切断下端位置
１ｅ 切断面
２ 板状部材
３ シード（多結晶シリコン製造用シード）
１００ シード製造装置
１１ テーブル
１２ 切断刃
３０ 載置台
３１ 下面
３２ 載置面
３３ 上端面
４０ 位置決め台
４１ 下面
４２ 傾斜面
４３ 底面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】