ホーム > 特許ランキング > 三井金属鉱業株式会社
知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-26
(45)【発行日】2024-02-05
(54)【発明の名称】キャリア付金属箔
(51)【国際特許分類】
B32B 3/02 20060101AFI20240129BHJP
B32B 3/30 20060101ALI20240129BHJP
B32B 15/01 20060101ALI20240129BHJP
B32B 15/04 20060101ALI20240129BHJP
B32B 17/06 20060101ALI20240129BHJP
H05K 1/09 20060101ALI20240129BHJP
【ＦＩ】
B32B3/02
B32B3/30
B32B15/01 Z
B32B15/04 B
B32B17/06
H05K1/09 Z
【請求項の数】
17
(21)【出願番号】P 2023540082
(86)(22)【出願日】2023-03-20
(86)【国際出願番号】 JP2023010949
【審査請求日】2023-06-29
(31)【優先権主張番号】P 2022059686
(32)【優先日】2022-03-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006183
【氏名又は名称】三井金属鉱業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100113365
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 雅晴
(74)【代理人】
【識別番号】100209336
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 悠
(74)【代理人】
【識別番号】100218800
【弁理士】
【氏名又は名称】河内 亮
(72)【発明者】
【氏名】中村 利美
(72)【発明者】
【氏名】北畠 有紀子
(72)【発明者】
【氏名】松浦 宜範
【審査官】河内 浩志
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１９／１８８４９８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１９／１６３６０５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２０／０３１７２１（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／０６７４２２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００５－１９３４００（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ３２Ｂ １／００－４３／００
Ｈ０５Ｋ １／０９
３／４６
Ｃ２５Ｄ １／００－ ３／６６
５／００－ ７／１２
Ｃ２３Ｃ１４／００－１４／５８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
互いに対向する第一面及び第二面、並びに前記第一面及び前記第二面に接続する側面部を有するキャリアと、前記キャリアの前記第一面に設けられる剥離層と、
前記剥離層上に設けられる、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の金属層と、
を備え、
前記側面部の少なくとも一部が前記金属層で被覆されるように、前記金属層が前記キャリアの前記第一面から前記側面部まで延在しており、
前記キャリアは、前記側面部、又は前記側面部及び前記第一面に、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される界面の展開面積比Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域を有し、前記凹凸領域が前記側面部の前記金属層で被覆された領域を包含する、キャリア付金属箔。
【請求項2】
前記凹凸領域が、前記側面部の全周にわたって設けられる、請求項１に記載のキャリア付金属箔。
【請求項3】
前記キャリアは、前記第一面に、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される界面の展開面積比Ｓｄｒが５％未満である平坦領域と、前記平坦領域を取り囲む前記凹凸領域とを有し、前記凹凸領域は、前記キャリアの前記側面部から前記第一面まで連続して設けられる、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項4】
前記キャリアの前記第一面は、前記平坦領域及び前記凹凸領域の合計面積に対する、前記凹凸領域の面積の比率が０．０１以上０．５以下である、請求項３に記載のキャリア付金属箔。
【請求項5】
前記凹凸領域が、前記平坦領域を２以上の区域に区画するパターンで前記第一面に設けられる、請求項３に記載のキャリア付金属箔。
【請求項6】
前記キャリア付金属箔は、前記平坦領域における前記金属層の平坦面よりも高さが低くなる段差部を前記凹凸領域上に有し、前記段差部の前記平坦面との高低差が０．０５μｍ超１００μｍ以下である、請求項３に記載のキャリア付金属箔。
【請求項7】
前記キャリアのマイクロビッカース硬さが５００ＨＶ以上３０００ＨＶ以下である、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項8】
前記金属層が、Ｃｕ、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項9】
前記キャリアと前記剥離層との間に、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む中間層をさらに備えた、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項10】
前記剥離層と前記金属層との間に、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される機能層をさらに備えた、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項11】
前記キャリアが、ＳｉＯ２を含むガラス基板、又はシリコン基板である、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項12】
前記キャリアが前記ガラス基板であり、前記ガラス基板が、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス及びアルミノシリケートガラスからなる群から選択される少なくとも１種で構成される、請求項１１に記載のキャリア付金属箔。
【請求項13】
前記凹凸領域における前記キャリアの剥離強度が２０ｇｆ／ｃｍ以上３０００ｇｆ／ｃｍ以下である、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項14】
前記キャリア付金属箔が前記金属層上に再配線層を有し、前記キャリア付金属箔を平面視した場合に、前記再配線層の少なくとも一部が前記キャリアの端部に達している、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【請求項15】
前記再配線層の端部の少なくとも一部が前記凹凸領域上に位置する、請求項１４に記載のキャリア付金属箔。
【請求項16】
前記第一面上に設けられる凹凸領域Ｒのパターンの線幅が０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下である、請求項５に記載のキャリア付金属箔。
【請求項17】
前記キャリア付金属箔は、前記キャリアの前記第二面に設けられる第２剥離層と、
前記第２剥離層上に設けられる、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の第２金属層と、
を更に備え、
前記側面部の少なくとも一部が前記第２金属層で被覆されるように、前記第２金属層が前記キャリアの前記第二面から前記側面部まで延在しており、
前記キャリアは、前記第二面に前記凹凸領域をさらに有し、前記凹凸領域が前記側面部の前記第２金属層で被覆された領域を包含する、請求項１又は２に記載のキャリア付金属箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、キャリア付金属箔に関する。
【背景技術】
【0002】
近年の携帯用電子機器等の電子機器の小型化及び高機能化に伴い、プリント配線板には配線パターンの更なる微細化（ファインピッチ化）が求められている。かかる要求に対応するために、プリント配線板製造用金属箔には従前以上に薄く且つ低い表面粗度のものが望まれている。例えば、特許文献１（特開２００５－７６０９１号公報）には、平均表面粗度Ｒｚを０．０１μｍ以上２．０μｍ以下に低減したキャリア銅箔の平滑面に剥離層及び極薄銅箔を順に積層することを含む、キャリア付極薄銅箔の製造方法が開示されており、このキャリア付極薄銅箔により高密度極微細配線（ファインパターン）を施して多層プリント配線板を得ることも開示されている。
【0003】
また、キャリア付金属箔における金属層の厚さと表面粗度の更なる低減を実現するため、従来から典型的に用いられている樹脂製キャリアに代えて、ガラス基板や研磨金属基板等を超平滑キャリアとして用い、この超平滑面上にスパッタリング等の気相法により金属層を形成することも最近提案されている。例えば、特許文献２（国際公開第２０１７／１５０２８３号）には、キャリア（例えばガラスキャリア）、剥離層、反射防止層、極薄銅層を順に備えたキャリア付銅箔が開示されており、剥離層、反射防止層及び極薄銅層をスパッタリングで形成することが記載されている。また、特許文献３（国際公開第２０１７／１５０２８４号）には、キャリア（例えばガラスキャリア）、中間層（例えば密着金属層及び剥離補助層）、剥離層及び極薄銅層を備えたキャリア付銅箔が開示されており、中間層、剥離層及び極薄銅層をスパッタリングで形成することが記載されている。特許文献２及び３のいずれにおいても、表面平坦性に優れたガラス等のキャリア上に各層がスパッタリング形成されることで、極薄銅層の外側表面において１．０ｎｍ以上１００ｎｍ以下という極めて低い算術平均粗さＲａを実現している。
【0004】
ところで、キャリア付金属箔の搬送時等に、キャリアと金属層との積層部分が他の部材と接触することで、金属層の予期せぬ剥離が生じることがあり、かかる問題に対処可能なキャリア付金属箔が幾つか提案されている。例えば、特許文献４（特開２０１６－１３７７２７号公報）には、金属キャリアと金属箔との外周の一部又は全体が樹脂で覆われた積層体が開示されており、かかる構成とすることで、他の部材との接触を防いでハンドリング中の金属箔の剥がれを少なくすることができるとされている。特許文献５（国際公開第２０１４／０５４８１２号）には、樹脂製キャリアと金属箔の間の界面が外周領域の少なくとも四隅において接着層を介して強固に接着されていることで角部分の予期せぬ剥離を防止したキャリア付金属箔が開示されており、搬送終了後に、接着層よりも内側部分でキャリア付金属箔を切断することも開示されている。特許文献６（特開２０００－３３１５３７号公報）には、銅箔キャリアの左右エッジ近傍部分の表面粗度を中央部よりも大きくしたキャリア付銅箔が開示されており、こうすることでキャリア付銅箔の取り扱い時や銅張積層板の作製時に銅層がキャリアから剥離する等の不具合が生じなくなるとされている。
【0005】
また、ＩＣチップ等を基板に実装する際、実装設備が処理できる大きさにダウンサイジングを行うこと等を目的として、キャリア付金属箔を切断することが行われている。この切断の際に、切断界面に露出した剥離層の剥離強度が低いために、切断時の負荷によって金属層がキャリアから剥がれてしまうことがあり、かかる問題に対処可能なキャリア付金属箔も提案されている。例えば、特許文献７（国際公開第２０１９／１６３６０５号）には、平坦なガラスキャリアの表面に切り代として最大高さＲｚが１．０μｍ以上３０．０μｍ以下である凹凸領域を線状に設けることが開示されており、こうすることで、ガラスキャリア付銅箔の切断時及び切断後における銅層の望ましくない剥離を防止できるとされている。特許文献８（特開２０１９－１０２７７９号公報）には、コア層と、コア層上に配置された第１金属層と、第１金属層上に配置された離型層と、離型層上に配置された第２金属層とを含み、第１金属層、離型層及び第２金属層のうち少なくとも一つの層がコア層の面積よりも小さい面積を有する複数の単位パターン部を構成するキャリア基板が開示されている。かかる構成によれば、単位パターン部によって分離防止設計がなされた状態であるため、クワッド又はストリップ単位にソーイングする過程で離型層が分離されることを防止できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２００５－７６０９１号公報
【文献】国際公開第２０１７／１５０２８３号
【文献】国際公開第２０１７／１５０２８４号
【文献】特開２０１６－１３７７２７号公報
【文献】国際公開第２０１４／０５４８１２号
【文献】特開２０００－３３１５３７号公報
【文献】国際公開第２０１９／１６３６０５号
【文献】特開２０１９－１０２７７９号公報
【発明の概要】
【0007】
ところで、キャリア付金属箔を用いて配線層及び樹脂層を含む再配線層を形成する工程では、液体レジストの現像液や剥離液、硫酸銅めっき液、金属層のエッチング液等の各種薬液が用いられる。このような薬液の使用により、キャリア付金属箔の端部には薬液ダメージが蓄積することになる。そして、キャリア付金属箔の端部から薬液が剥離層等に浸入し、金属層がキャリアから意図せず剥がれてしまうことが起こりうる。その結果、意図した回路パターンを形成することができず、それ以降の工程に進めないという問題が生じうる。
【0008】
本発明者らは、今般、キャリア付金属箔において、金属層をキャリアの一方の面から側面部まで延在させ、かつ、キャリアの側面部に、界面の展開面積比Ｓｄｒが所定の範囲内に制御された凹凸領域を、金属層で被覆された領域を包含するように設けることにより、端部からの薬液浸入に起因する金属層の意図せぬ剥離を抑制できるとの知見を得た。
【0009】
したがって、本発明の目的は、端部からの薬液浸入に起因する金属層の意図せぬ剥離を抑制可能な、キャリア付金属箔を提供することにある。
【0010】
本発明によれば、以下の態様が提供される。
［態様１］
互いに対向する第一面及び第二面、並びに前記第一面及び前記第二面に接続する側面部を有するキャリアと、
前記キャリアの前記第一面に設けられる剥離層と、
前記剥離層上に設けられる、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の金属層と、
を備え、
前記側面部の少なくとも一部が前記金属層で被覆されるように、前記金属層が前記キャリアの前記第一面から前記側面部まで延在しており、
前記キャリアは、前記側面部、又は前記側面部及び前記第一面に、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される界面の展開面積比Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域を有し、前記凹凸領域が前記側面部の前記金属層で被覆された領域を包含する、キャリア付金属箔。
［態様２］
前記凹凸領域が、前記側面部の全周にわたって設けられる、態様１に記載のキャリア付金属箔。
［態様３］
前記キャリアは、前記第一面に、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される界面の展開面積比Ｓｄｒが５％未満である平坦領域と、前記平坦領域を取り囲む前記凹凸領域とを有し、
前記凹凸領域は、前記キャリアの前記側面部から前記第一面まで連続して設けられる、態様１又は２に記載のキャリア付金属箔。
［態様４］
前記キャリアの前記第一面は、前記平坦領域及び前記凹凸領域の合計面積に対する、前記凹凸領域の面積の比率が０．０１以上０．５以下である、態様３に記載のキャリア付金属箔。
［態様５］
前記凹凸領域が、前記平坦領域を２以上の区域に区画するパターンで前記第一面に設けられる、態様３又は４に記載のキャリア付金属箔。
［態様６］
前記キャリア付金属箔は、前記平坦領域における前記金属層の平坦面よりも高さが低くなる段差部を前記凹凸領域上に有し、前記段差部の前記平坦面との高低差が０．０５μｍ超１００μｍ以下である、態様１～５のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様７］
前記キャリアのマイクロビッカース硬さが５００ＨＶ以上３０００ＨＶ以下である、態様１～６のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様８］
前記金属層が、Ｃｕ、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される、態様１～７のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様９］
前記キャリアと前記剥離層との間に、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む中間層をさらに備えた、態様１～８のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１０］
前記剥離層と前記金属層との間に、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される機能層をさらに備えた、態様１～９のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１１］
前記キャリアが、ＳｉＯ２を含むガラス基板、又はシリコン基板である、態様１～１０のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１２］
前記キャリアが前記ガラス基板であり、前記ガラス基板が、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス及びアルミノシリケートガラスからなる群から選択される少なくとも１種で構成される、態様１１に記載のキャリア付金属箔。
［態様１３］
前記凹凸領域における前記キャリアの剥離強度が２０ｇｆ／ｃｍ以上３０００ｇｆ／ｃｍ以下である、態様１～１２のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１４］
前記キャリア付金属箔が前記金属層上に再配線層を有し、
前記キャリア付金属箔を平面視した場合に、前記再配線層の少なくとも一部が前記キャリアの端部に達している、態様１～１３のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１５］
前記再配線層の端部の少なくとも一部が前記凹凸領域上に位置する、態様１４に記載のキャリア付金属箔。
［態様１６］
前記第一面上に設けられる凹凸領域Ｒのパターンの線幅が０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下である、態様１～１５のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１７］
前記キャリア付金属箔は、
前記キャリアの前記第二面に設けられる第２剥離層と、
前記第２剥離層上に設けられる、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の第２金属層と、
を更に備え、
前記側面部の少なくとも一部が前記第２金属層で被覆されるように、前記第２金属層が前記キャリアの前記第二面から前記側面部まで延在しており、
前記キャリアは、前記第二面に前記凹凸領域をさらに有し、前記凹凸領域が前記側面部の前記第２金属層で被覆された領域を包含する、態様１～１６のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１］
互いに対向する第一面及び第二面、並びに前記第一面及び前記第二面に接続する側面部を有するキャリアと、
前記キャリアの前記第一面に設けられる剥離層と、
前記剥離層上に設けられる、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の金属層と、
を備え、
前記側面部の少なくとも一部が前記金属層で被覆されるように、前記金属層が前記キャリアの前記第一面から前記側面部まで延在しており、
前記キャリアは、前記側面部、又は前記側面部及び前記第一面に、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される界面の展開面積比Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域を有し、前記凹凸領域が前記側面部の前記金属層で被覆された領域を包含する、キャリア付金属箔。
［態様２］
前記凹凸領域が、前記側面部の全周にわたって設けられる、態様１に記載のキャリア付金属箔。
［態様３］
前記キャリアは、前記第一面に、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される界面の展開面積比Ｓｄｒが５％未満である平坦領域と、前記平坦領域を取り囲む前記凹凸領域とを有し、
前記凹凸領域は、前記キャリアの前記側面部から前記第一面まで連続して設けられる、態様１又は２に記載のキャリア付金属箔。
［態様４］
前記キャリアの前記第一面は、前記平坦領域及び前記凹凸領域の合計面積に対する、前記凹凸領域の面積の比率が０．０１以上０．５以下である、態様３に記載のキャリア付金属箔。
［態様５］
前記凹凸領域が、前記平坦領域を２以上の区域に区画するパターンで前記第一面に設けられる、態様３又は４に記載のキャリア付金属箔。
［態様６］
前記キャリア付金属箔は、前記平坦領域における前記金属層の平坦面よりも高さが低くなる段差部を前記凹凸領域上に有し、前記段差部の前記平坦面との高低差が０．０５μｍ超１００μｍ以下である、態様１～５のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様７］
前記キャリアのマイクロビッカース硬さが５００ＨＶ以上３０００ＨＶ以下である、態様１～６のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様８］
前記金属層が、Ｃｕ、Ａｕ及びＰｔからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される、態様１～７のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様９］
前記キャリアと前記剥離層との間に、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属を含む中間層をさらに備えた、態様１～８のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１０］
前記剥離層と前記金属層との間に、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ及びＭｏからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される機能層をさらに備えた、態様１～９のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１１］
前記キャリアが、ＳｉＯ２を含むガラス基板、又はシリコン基板である、態様１～１０のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１２］
前記キャリアが前記ガラス基板であり、前記ガラス基板が、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス及びアルミノシリケートガラスからなる群から選択される少なくとも１種で構成される、態様１１に記載のキャリア付金属箔。
［態様１３］
前記凹凸領域における前記キャリアの剥離強度が２０ｇｆ／ｃｍ以上３０００ｇｆ／ｃｍ以下である、態様１～１２のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１４］
前記キャリア付金属箔が前記金属層上に再配線層を有し、
前記キャリア付金属箔を平面視した場合に、前記再配線層の少なくとも一部が前記キャリアの端部に達している、態様１～１３のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１５］
前記再配線層の端部の少なくとも一部が前記凹凸領域上に位置する、態様１４に記載のキャリア付金属箔。
［態様１６］
前記第一面上に設けられる凹凸領域Ｒのパターンの線幅が０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下である、態様１～１５のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
［態様１７］
前記キャリア付金属箔は、
前記キャリアの前記第二面に設けられる第２剥離層と、
前記第２剥離層上に設けられる、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の第２金属層と、
を更に備え、
前記側面部の少なくとも一部が前記第２金属層で被覆されるように、前記第２金属層が前記キャリアの前記第二面から前記側面部まで延在しており、
前記キャリアは、前記第二面に前記凹凸領域をさらに有し、前記凹凸領域が前記側面部の前記第２金属層で被覆された領域を包含する、態様１～１６のいずれか一つに記載のキャリア付金属箔。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本発明のキャリア付金属箔の一例を示す模式断面図である。
【図2】キャリアの模式断面図であり、第一面、第二面及び側面部を示す。
【図3A】ウェハ形状のキャリアを第一面側から見た上面図であり、平坦領域を取り囲む凹凸領域を示す。
【図3B】パネル形状のキャリアを第一面側から見た上面図であり、平坦領域を取り囲む凹凸領域を示す。
【図4】従来のキャリア付金属箔による配線形成プロセスの一例を示す工程流れ図である。
【図5】別のキャリア付金属箔による配線形成プロセスの一例を示す工程流れ図である。
【図6】本発明のキャリア付金属箔の一態様による配線形成プロセスの一例を示す工程流れ図である。
【図7A】ブラスト処理の進行に伴うキャリアの表面プロファイルの変化を説明するための工程流れ図であり、前半の工程を示す。
【図8A】破壊荷重の測定方法を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
定義
本明細書において、「界面の展開面積比Ｓｄｒ」又は「Ｓｄｒ」とは、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される、定義領域の展開面積（表面積）が、定義領域の面積に対してどれだけ増大しているかを表すパラメータである。本明細書では、界面の展開面積比Ｓｄｒを表面積の増加分（％）として表すものとする。この値が小さいほど、平坦に近い表面形状であることを示し、完全に平坦な表面のＳｄｒは０％となる。一方、この値が大きいほど、凹凸が多い表面形状であることを示す。例えば、表面のＳｄｒが３０％である場合、この表面は完全に平坦な表面から３０％表面積が増大していることを示す。Ｓｄｒは、対象面における所定の測定面積（例えば２５８．３４６μｍ×２５８．３４８μｍの二次元領域）の表面プロファイルを市販のレーザー顕微鏡（例えば５０倍の対物レンズを使用）で測定することにより算出することができる。本明細書において、Ｓｄｒの数値は、Ｓフィルターによるカットオフ波長を０．８μｍとし、Ｌフィルターによるカットオフを行わない条件で測定される値とする。
本明細書において、「界面の展開面積比Ｓｄｒ」又は「Ｓｄｒ」とは、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される、定義領域の展開面積（表面積）が、定義領域の面積に対してどれだけ増大しているかを表すパラメータである。本明細書では、界面の展開面積比Ｓｄｒを表面積の増加分（％）として表すものとする。この値が小さいほど、平坦に近い表面形状であることを示し、完全に平坦な表面のＳｄｒは０％となる。一方、この値が大きいほど、凹凸が多い表面形状であることを示す。例えば、表面のＳｄｒが３０％である場合、この表面は完全に平坦な表面から３０％表面積が増大していることを示す。Ｓｄｒは、対象面における所定の測定面積（例えば２５８．３４６μｍ×２５８．３４８μｍの二次元領域）の表面プロファイルを市販のレーザー顕微鏡（例えば５０倍の対物レンズを使用）で測定することにより算出することができる。本明細書において、Ｓｄｒの数値は、Ｓフィルターによるカットオフ波長を０．８μｍとし、Ｌフィルターによるカットオフを行わない条件で測定される値とする。
【0013】
キャリア付金属箔
本発明のキャリア付金属箔の一例が図１に模式的に示される。図１に示されるように、本発明のキャリア付金属箔１０は、キャリア１２と、剥離層１６と、金属層１８とをこの順に備えたものである。所望により、キャリア付金属箔１０は、キャリア１２と剥離層１６との間に中間層１４をさらに有していてもよく、剥離層１６と金属層１８との間に機能層１７をさらに有していてもよい。また、キャリア付金属箔１０は、金属層１８上に再配線層２０をさらに有していてもよい。キャリア１２は、図２に示すように、互いに対向する第一面１２ａ及び第二面１２ｂ、並びに第一面１２ａ及び第二面１２ｂに接続する側面部１２ｃを有する。剥離層１６はキャリア１２上に設けられる層である。金属層１８は剥離層１６上に設けられ、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の層である。この金属層１８は、キャリアの第一面１２ａから側面部１２ｃまで延在しており、これによりキャリア１２の側面部１２ｃの少なくとも一部が金属層１８で被覆される。キャリア１２は、側面部１２ｃ、又は側面部１２ｃ及び第一面１２ａに界面の展開面積比Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域Ｒを有する。この凹凸領域Ｒは、側面部１２ｃの金属層１８で被覆された領域を包含する。このようにキャリア付金属箔１０において、金属層１８をキャリアの第一面１２ａから側面部１２ｃまで延在させ、かつ、キャリアの側面部１２ｃに、界面の展開面積比Ｓｄｒが所定の範囲内に制御された凹凸領域Ｒを、金属層１８で被覆された領域を包含するように設けることにより、端部からの薬液浸入に起因する金属層１８の意図せぬ剥離を抑制できる。
本発明のキャリア付金属箔の一例が図１に模式的に示される。図１に示されるように、本発明のキャリア付金属箔１０は、キャリア１２と、剥離層１６と、金属層１８とをこの順に備えたものである。所望により、キャリア付金属箔１０は、キャリア１２と剥離層１６との間に中間層１４をさらに有していてもよく、剥離層１６と金属層１８との間に機能層１７をさらに有していてもよい。また、キャリア付金属箔１０は、金属層１８上に再配線層２０をさらに有していてもよい。キャリア１２は、図２に示すように、互いに対向する第一面１２ａ及び第二面１２ｂ、並びに第一面１２ａ及び第二面１２ｂに接続する側面部１２ｃを有する。剥離層１６はキャリア１２上に設けられる層である。金属層１８は剥離層１６上に設けられ、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の層である。この金属層１８は、キャリアの第一面１２ａから側面部１２ｃまで延在しており、これによりキャリア１２の側面部１２ｃの少なくとも一部が金属層１８で被覆される。キャリア１２は、側面部１２ｃ、又は側面部１２ｃ及び第一面１２ａに界面の展開面積比Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域Ｒを有する。この凹凸領域Ｒは、側面部１２ｃの金属層１８で被覆された領域を包含する。このようにキャリア付金属箔１０において、金属層１８をキャリアの第一面１２ａから側面部１２ｃまで延在させ、かつ、キャリアの側面部１２ｃに、界面の展開面積比Ｓｄｒが所定の範囲内に制御された凹凸領域Ｒを、金属層１８で被覆された領域を包含するように設けることにより、端部からの薬液浸入に起因する金属層１８の意図せぬ剥離を抑制できる。
【0014】
上述したとおり、キャリア付金属箔を用いて再配線層を形成する工程では、ドライフィルムレジストの現像液や剥離液、硫酸銅めっき液、金属層のエッチング液等の各種薬液が用いられる。かかる薬液の使用により、キャリア付金属箔の端部には薬液ダメージが蓄積することになる。そして、キャリア付金属箔の端部から薬液が剥離層等に浸入し、金属層がキャリアから意図せず剥がれてしまうことが起こりうる。その結果、意図した回路パターンを形成することができず、それ以降の工程に進めないという問題が生じうる。
【0015】
この問題が本発明のキャリア付金属箔１０によれば好都合に解決される。まず、キャリアの側面部１２ｃの少なくとも一部が金属層１８で被覆されることにより、剥離層１６の端部が露出されることなく薬液の浸入を抑制することができる。一方、かかる構成であっても金属層１８等の端部が溶解する等して薬液が剥離層１６まで浸入することが想定される。この点、凹凸領域Ｒが、側面部１２ｃの金属層１８で被覆された領域を包含するように設けられることで、金属層１８等の側面部１２ｃに延在した各種層も凹凸に富んだ形状を有するものとなる。このため、薬液がキャリア付金属箔１０の端部から浸入した場合でも、凹凸形状によって薬液の更なる浸入が抑制され、キャリアの第一面１２ａ上に存在する剥離層１６まで薬液が到達することを防止することができる。その結果、金属層１８の意図せぬ剥離を極めて効果的に抑制することができ、多層配線の形成プロセスにも十分耐えうるものとなる。
【0016】
凹凸領域Ｒは、キャリアの側面部１２ｃの全周にわたって設けられるのが好ましい。こうすることで、キャリア付金属箔１０の周囲全体において薬液が剥離層１６に浸入することを防止することができ、金属層１８の意図せぬ剥離をより一層効果的に抑制することができる。なお、キャリアの側面部１２ｃは、キャリア１２を断面視した場合に、曲面形状（図２参照）を有するものであってもよく、第一面１２ａ及び第二面１２ｂを垂直に接続する平面形状を有するものであってもよいが、キャリア１２の割れ防止の観点から曲面形状を有するのが好ましい。
【0017】
キャリア１２の凹凸領域Ｒは、界面の展開面積比Ｓｄｒが３％以上３９％以下であり、好ましくは３．５％以上３５％以下、より好ましくは４．０％以上３０％以下、さらに好ましくは４．５％以上２５％以下、特に好ましくは５％以上１５％以下である。このような範囲内であると、凹凸領域Ｒにおける剥離層１６との剥離されやすさが低下(密着性が向上)し、金属層の意図せぬ剥離を効果的に抑制できる。また、キャリア１２の強度低下を効果的に抑制することができる。さらに、凹凸領域Ｒが第一面１２ａ上にも設けられる場合、後述するとおりキャリア付金属箔１０を凹凸領域Ｒのパターンに従って切断した際に、切断面における良好な剥離強度を確保でき、切断に伴う金属層１８の望ましくない剥離を効果的に抑制できる。その上、キャリア１２表面に尖った部分やひび割れた部分が生じにくいため、キャリア付金属箔１０を切断した際に生じるキャリアの粒子状破片の数を低減することができる。凹凸領域Ｒにおけるキャリア１２の剥離強度は２０ｇｆ／ｃｍ以上３０００ｇｆ／ｃｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは２５ｇｆ／ｃｍ以上２０００ｇｆ／ｃｍ以下、さらに好ましくは３０ｇｆ／ｃｍ以上１０００ｇｆ／ｃｍ以下、特に好ましくは３５ｇｆ／ｃｍ以上５００ｇｆ／ｃｍ以下、最も好ましくは５０ｇｆ／ｃｍ以上３００ｇｆ／ｃｍ以下である。この範囲であれば、キャリア付金属箔１０の切断の際にも金属層１８の望ましくない剥離を効果的に抑制でき、かつ生産性良く凹凸領域Ｒを形成することができる。この剥離強度は後述の実施例で言及されるように、ＪＩＳ Ｚ ０２３７－２００９に準拠して測定される値である。
【0018】
キャリア１２は、図３Ａ及び３Ｂに示されるように、第一面１２ａに、平坦領域Ｆと、平坦領域Ｆを取り囲む凹凸領域Ｒとを有するのが好ましい。キャリア１２の平坦領域Ｆは、界面の展開面積比Ｓｄｒが５％未満であり、好ましくは０．０１％以上４．０％以下、より好ましくは０．０３％以上３．０％以下、さらに好ましくは０．０５％以上１．０％以下、特に好ましくは０．０７％以上０．５０％以下、最も好ましくは０．０８％以上０．５０％以下である。キャリア１２がＳｄｒの小さい平坦領域Ｆを有することで、キャリアの第一面１２ａ上に剥離層１６を介して積層された金属層１８の平坦領域Ｆ上の表面も平坦な形状となり、この金属層１８の平坦面によってファインパターンの形成を好ましく行うことができる。なお、キャリア１２を平面視した場合の形状は、図３Ａに示す円形状（ウェハ形状）であってもよく、図３Ｂに示す矩形状（長方形又は正方形のパネル形状）であってもよい。キャリア１２が単結晶シリコンキャリアである場合、結晶方位の基準点を示すために、図３Ａに示されるノッチＮ、又はオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）を外周部に有するのが典型的である。一般に単結晶シリコンの直径が、２００ｍｍ以下ではオリフラが形成され、２００ｍｍ以上ではノッチＮが形成される。
【0019】
キャリアの第一面１２ａが凹凸領域Ｒを有する場合、凹凸領域Ｒは、図１に示されるように、キャリアの側面部１２ｃから第一面１２ａまで連続して設けられるのが好ましい。こうすることで、金属層１８（及び存在する場合には機能層１７）の不要部分をエッチング除去した後においても、薬液の剥離層１６への浸入を効果的に抑制できる。以下、この効果を従来のキャリア付金属箔と比較して説明する。
【0020】
まず、図４に従来のキャリア付金属箔１１０による配線形成プロセスの一例を示す。このキャリア付金属箔１１０は、キャリア１１２上に第１中間層１１４ａ、第２中間層１１４ｂ、剥離層１１６、機能層１１７、金属層１１８及び再配線層１２０をこの順に備えており、剥離層１１６の端部が露出している（図４（ｉ））。このキャリア付金属箔１１０に対して配線形成のため公知の手法に従い、フォトレジスト層の形成、電気銅めっき層の形成、フォトレジスト層の剥離、及び所望により銅フラッシュエッチングを行う。例えば、以下のとおりである。まず、金属層１１８の表面にフォトレジスト層を所定のパターンで形成する。フォトレジストは感光性フィルムであるのが好ましく、例えば感光性ドライフィルムである。フォトレジスト層は、露光及び現像により所定の配線パターンを付与すればよい。必要に応じ、金属層１１８の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）に電気銅めっき層を形成する。電気銅めっきは公知の手法により行えばよく、特に限定されない。次いで、フォトレジスト層を剥離する。このようにして、金属層１１８及び機能層１１７の不要部分を除去した後（図４（ｉｉ））、キャリア付金属箔１１０を薬液に浸漬した場合（図４（ｉｉｉ））、露出した剥離層１１６の端部から薬液が浸入することで、キャリア１１２及び金属層１１８間で意図せぬ剥離が生じうる。
【0021】
また、図５に別のキャリア付金属箔２１０による配線形成プロセスの一例を示す。このキャリア付金属箔２１０は、キャリア２１２上に第１中間層２１４ａ、第２中間層２１４ｂ、剥離層２１６、機能層２１７、金属層２１８及び再配線層２２０をこの順に備えており、キャリア２１２の側面部が金属層２１８で覆われている（図５（ｉ））。このキャリア付金属箔２１０に対して上記配線形成プロセスと同様にエッチングを行い、金属層２１８及び機能層２１７の不要部分を除去した後（図５（ｉｉ））、キャリア付金属箔２１０を薬液に浸漬した場合（図５（ｉｉｉ））、露出した剥離層２１６の端部から薬液が浸入することで、キャリア２１２及び金属層２１８間で意図せぬ剥離が生じうる。
【0022】
一方、図６に本発明のキャリア付金属箔１０の一態様による配線形成プロセスの一例を示す。図６（ｉ）に示されるように、このキャリア付金属箔１０は、キャリア１２上に第１中間層１４ａ、第２中間層１４ｂ、剥離層１６、機能層１７、金属層１８及び再配線層２０をこの順に備える。そして、キャリアの側面部１２ｃが金属層１８で覆われており、凹凸領域Ｒがキャリアの側面部１２ｃから第一面１２ａまで連続して設けられている。このキャリア付金属箔１０に対して上記配線形成プロセスと同様にエッチングを行い、金属層１８及び機能層１７の不要部分を除去した後（図６（ｉｉ））、キャリア付金属箔１０を薬液に浸漬した場合（図６（ｉｉｉ））、露出した剥離層１６の端部に薬液が接触することになる。しかしながら、凹凸領域Ｒがキャリアの第一面１２ａ上に存在することで、第一面１２ａ上の剥離層１６等の各種層も凹凸に富んだ形状を有するものとなる。このため、薬液が露出した剥離層１６の端部から浸入した場合でも、凹凸形状によって薬液の更なる浸入が抑制され、剥離層１６の内部（例えば平坦領域Ｆ内）まで薬液が到達する時間を遅延させる（さらには到達させない）ことができる。
【0023】
凹凸領域Ｒは、キャリアの側面部１２ｃにおける高さ方向（第一面１２ａ及び第二面１２ｂに対して垂直方向）の全域にわたって設けられるものであってよい。こうすることで、キャリア１２の強度が均一化され、割れ防止にも寄与する。すなわち、キャリア１２を断面視して第一面１２ａの高さを０％とし、第二面１２ｂの高さを１００％とした場合に、凹凸領域Ｒは０％を超え１００％以下の高さのところまで側面部１２ｃに連続的に設けられるのが好ましい。この高さの上限値は特に限定されるものではないが、凹凸領域Ｒの形成性の観点から典型的には９５％以下、より典型的には９０％以下、さらに典型的には８５％以下である。一方、上記高さの下限値は０％であるのが、凹凸領域Ｒをキャリアの側面部１２ｃから第一面１２ａまで連続して設ける観点から好ましい。
【0024】
キャリアの第一面１２ａは、平坦領域Ｆ及び凹凸領域Ｒの合計面積に対する、凹凸領域Ｒの面積の比率が０．０１以上０．５以下であるのが、ファインパターンの形成に必要な平坦性を金属層１８に付与可能な領域（すなわち平坦領域Ｆ）を十分に確保する観点から好ましい。この凹凸領域Ｒの面積の比率は、より好ましくは０．０２以上０．４５以下、さらに好ましくは０．０５以上０．４０以下、特に好ましくは０．１以上０．３５以下である。
【0025】
凹凸領域Ｒは、平坦領域Ｆを２以上の区域に区画するパターンで第一面１２ａに設けられてもよい。かかる構成の場合、凹凸領域Ｒのパターンに従ってキャリア付金属箔１０を切断することで、それぞれの平坦領域Ｆを有し、かつ、回路実装設備が処理可能な大きさにダウンサイジングされた複数のキャリア付金属箔１０を得ることができる。ダウンサイジング後のキャリア付金属箔１０は、切断面が凹凸領域Ｒに存在するため、切断面における剥離層１６の剥離強度が高く、それ故切断面からの金属層１８の望ましくない剥離を、切断時のみならず、切断後（例えば実装工程でのキャリア付金属箔の搬送時やハンドリング時）においても、極めて効果的に防止することができる。凹凸領域Ｒのパターンは格子状、柵状又は十字状に設けられるのが、複数の平坦領域Ｆを回路実装基板に適した均等な形状及びサイズに区画しやすい点で好ましい。中でも、凹凸領域Ｒのパターンを格子状又は柵状に設けるのが特に好ましい。こうすることで、個々の平坦領域Ｆの周囲の全体又は大半を凹凸領域Ｒで囲むことができるので、切断後に分割された各キャリア付金属箔１０の端部において意図しない剥離の起点を生じにくくなる。
【0026】
第一面１２ａ上に設けられる凹凸領域Ｒのパターンの線幅は０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．２ｍｍ以上４５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．３ｍｍ以上４０ｍｍ以下、特に好ましくは０．３ｍｍ以上３５ｍｍ以下である。このような範囲内とすることで、カッター等の切断手段の凹凸領域Ｒへの位置決めがしやすく、かつ、切断もしやすくなるとともに、平坦領域Ｆを多く確保しながら、凹凸領域Ｒによる各種利点を望ましく実現することができる。
【0027】
凹凸領域Ｒの形成手法は特に限定されないが、例えば平坦なキャリア１２表面の所定領域をブラスト処理等の物理的手法で加工することにより、好ましく凹凸領域Ｒを形成することができる。したがって、キャリア付金属箔１０は、平坦領域Ｆにおける金属層１８の平坦面よりも高さが低くなる段差部を凹凸領域Ｒ上に有するのが典型的である。この段差部は、平坦面との高低差が０．０５μｍ超１００μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上８０μｍ以下、さらに好ましくは０．５μｍ以上５０μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下である。この範囲内であると、薬液が剥離層１６内部（例えば平坦領域Ｆ内）に浸入することをより一層効果的に抑制しつつ、後述するとおりキャリア１２の強度低下を防止することができる。段差部の高低差は、市販のレーザー顕微鏡を用いて第一面１２ａ上の表面プロファイルを測定及び解析することにより、算出することができる。レーザー顕微鏡を用いた段差部の高低差の好ましい測定条件及び解析条件については後述の実施例に示すものとする。
【0028】
ここで、ブラスト処理の進行に伴うキャリア１２の表面プロファイルの変化について図７Ａ及び７Ｂを参照しながら説明する。まず、用意したキャリア１２の表面に対して、メディアＭをブラスト処理により投射すると、メディアＭとの衝突によってキャリア１２表面にチッピングが発生する（図７Ａ（ｉ）及び（ｉｉ））。そして、メディアＭの投射を続けると、このチッピングが徐々に進行してキャリア１２の表面プロファイルが変化し（図７Ａ（ｉｉｉ））、その後、チッピングがキャリア１２の加工領域全体に達して表面プロファイルが飽和する（図７Ｂ（ｉｖ））。この状態から、さらにメディアＭの投射を続けると、キャリア１２は飽和した表面プロファイルを維持したまま削られることで、キャリア１２の厚みが薄くなり、強度の低下が発生する。この点、段差部の高低差が上記範囲内となるように制御することで、凹凸領域Ｒとしての所望の機能を発揮しつつ、キャリア１２が薄くなり過ぎることによる強度低下を防止することが可能となる。
【0029】
キャリア１２は、上記所定範囲内のＳｄｒを有する（又は加工によりＳｄｒを制御できる）かぎり、その材質は特に限定されないが、好ましくはガラス、シリコン又は金属で構成され、より好ましくはＳｉＯ２を含むガラス基板、又はシリコン基板である。シリコン基板としては、元素としてＳｉを含むものであればどのような基板でもよく、ＳｉＯ２基板、ＳｉＮ基板、Ｓｉ単結晶基板、Ｓｉ多結晶基板等が適用できるが、好ましくはＳｉ単結晶基板又はＳｉ多結晶基板である。キャリア１２を構成する金属の好ましい例としては、銅、チタン、ニッケル、ステンレス鋼、アルミニウム等が挙げられる。キャリア１２の形態はシート、フィルム及び板のいずれであってもよい。また、キャリア１２はこれらのシート、フィルム及び板等が積層されたものであってもよい。例えば、キャリア１２は、ＳｉＯ２基板、Ｓｉ単結晶基板、ガラス板等の剛性を有する支持体として機能し得るものであることが好ましい。より好ましくは、加熱を伴うプロセスにおけるキャリア付金属箔１０の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０ｐｐｍ／Ｋ以上２３ｐｐｍ／Ｋ以下）のＳｉ単結晶基板又はガラス板である。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、キャリア１２のマイクロビッカース硬さは５００ＨＶ以上３０００ＨＶ以下であるのが好ましく、より好ましくは６００ＨＶ以上２０００ＨＶ以下である。ガラスをキャリアとして用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛性が高く表面が平坦なため、金属層１８の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリアがガラスである場合、配線層を形成した後、画像検査を行う際に視認性に優れる点、電子素子搭載時に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、プリント配線板製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、キャリア付金属箔１０からキャリア１２を剥離する際に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア１２はＳｉＯ２を含むガラス基板であることが好ましく、より好ましくはＳｉＯ２を５０重量％以上、さらに好ましくはＳｉＯ２を６０重量％以上含むガラスである。キャリア１２を構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、特に好ましくは無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、最も好ましくは無アルカリガラスである。キャリア１２がホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス又はソーダライムガラスで構成されることが、キャリア付金属箔１０を切断する際にキャリア１２のチッピングを少なくすることができるため好ましい。無アルカリガラスとは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲で低く安定しているため、加熱を伴うプロセスにおけるガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。シリコンを含む基板をキャリア１２として用いた場合、ガラスと同様に軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、金属層１８の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリア１２がシリコンを含む基板である場合、微細回路形成に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、配線製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、キャリア付金属箔１０からキャリア１２を剥離する際に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア１２の厚さは１００μｍ以上２０００μｍ以下が好ましく、より好ましくは３００μｍ以上１８００μｍ以下、さらに好ましくは４００μｍ以上１１００μｍ以下である。キャリア１２がこのような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来さない適切な強度を確保しながらプリント配線板の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。
【0030】
所望により設けられる中間層１４は、キャリア１２と剥離層１６の間に介在して、キャリア１２と剥離層１６との密着性の確保に寄与する層である。中間層１４を構成する金属の例としてはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏ及びそれらの組合せ（以下、金属Ｍという）が挙げられ、好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、より好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ及びそれらの組合せが挙げられる。中間層１４は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。中間層１４を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、特に制限されるものではないが、中間層１４の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。上記金属の含有率の上限は特に限定されず、１００原子％であってもよい。中間層１４は物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された層であるのが好ましく、より好ましくはスパッタリングにより形成された層である。中間層１４は金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性の観点で特に好ましい。中間層１４の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上８００ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。こうした厚さとすることにより、キャリアと同等の粗度を有する中間層とすることが可能となる。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0031】
中間層１４は、１層構成であってもよいし、２層以上の構成であってもよい。中間層１４が１層構成である場合、中間層１４はＣｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ又はそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）で構成される金属を含有する層からなるのが好ましく、より好ましくはＡｌ、Ｔｉ、又はそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）であり、さらに好ましくは主としてＡｌを含有する層又は主としてＴｉを含有する層である。一方、キャリア１２との密着性が十分高いとはいえない金属又は合金を中間層１４に採用する場合は、図１に示すように中間層１４をキャリア１２から近い順に第１中間層１４ａ及び第２中間層１４ｂの２層構成とすることが好ましい。すなわち、キャリア１２との密着性に優れる金属（例えばＴｉ）又は合金で構成した層を第１中間層１４ａとしてキャリア１２に隣接させて設け、かつ、キャリア１２との密着性に劣る金属（例えばＣｕ）又は合金で構成した層を第２中間層１４ｂとして剥離層１６に隣接させて設けることで、キャリア１２との密着性を向上することができる。したがって、中間層１４の好ましい２層構成の例としては、キャリア１２に隣接するＴｉ含有層と、剥離層１６に隣接するＣｕ含有層とからなる積層構造が挙げられる。また、２層構成の各層の構成元素や厚みのバランスを変えると、剥離強度も変わるため、各層の構成元素や厚みを適宜調整するのが好ましい。なお、本明細書において「金属Ｍ含有層」の範疇には、キャリアの剥離性を損なわない範囲において、金属Ｍ以外の元素を含む合金も含まれるものとする。したがって、中間層１４は主として金属Ｍを含む層ともいうことができる。上記の点から、中間層１４における金属Ｍの含有率は５０原子％以上１００原子％以下であることが好ましく、より好ましくは６０原子％以上１００原子％以下、さらに好ましくは７０原子％以上１００原子％以下、特に好ましくは８０原子％以上１００原子％以下、最も好ましくは９０原子％以上１００原子％以下である。
【0032】
中間層１４を合金で構成する場合、好ましい合金の例としてはＮｉ合金が挙げられる。Ｎｉ合金はＮｉ含有率が４５重量％以上９８重量％以下であるのが好ましく、より好ましくは５５重量％以上９０重量％以下、さらに好ましくは６５重量％以上８５重量％以下である。好ましいＮｉ合金は、Ｎｉと、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃ、Ｎｄ、Ｎｂ及びＬａからなる群から選択される少なくとも１種との合金であり、より好ましくはＮｉと、Ｃｒ、Ｗ、Ｃｕ及びＳｉからなる群から選択される少なくとも１種との合金である。中間層１４をＮｉ合金層とする場合、Ｎｉ合金ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性の観点で特に好ましい。
【0033】
剥離層１６はキャリア１２、及び存在する場合には中間層１４の剥離を可能ないし容易とする層である。剥離層１６は、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよく、レーザーにより剥離する方法(レーザーリフトオフ、ＬＬＯ)により剥離が可能となるものでもよい。剥離層１６がレーザーリフトオフにより剥離が可能となる材質で構成される場合、剥離層１６は硬化後のレーザー光線照射により界面の接着強度が低下する樹脂で構成されてもよく、あるいはレーザー光線照射により改質がされるケイ素や炭化ケイ素などの層であってもよい。剥離層１６が有機剥離層の場合に用いられる有機成分の例としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物、カルボン酸等が挙げられる。窒素含有有機化合物の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物等が挙げられる。一方、無機剥離層に用いられる無機成分の例としては、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇａの少なくとも一種類以上を含む金属酸化物若しくは金属酸窒化物、又は炭素層等が挙げられる。これらの中でも特に、剥離層１６は、炭素含有層、すなわち主として炭素を含んでなる層であるのが剥離容易性や膜形成性の点等から好ましく、より好ましくは主として炭素又は炭化水素からなる層であり、さらに好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる層である。この場合、剥離層１６（すなわち炭素含有層）はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離層１６は不可避不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、水素等）を含みうる。また、剥離層１６には機能層１７又は金属層１８の成膜手法に起因して、剥離層１６として含有された金属以外の種類の金属原子が混入しうる。剥離層１６として炭素含有層を用いた場合には、キャリアとの相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、金属層と接合界面との間での高温加熱による金属結合の形成を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。この剥離層１６もスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが剥離層１６中の過度な不純物を抑制する点、所望により設けられる中間層１４の成膜との連続生産性の点などから好ましい。剥離層１６として炭素含有層を用いた場合の厚さは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。こうした厚さとすることにより、キャリアと同等の粗度を有し、剥離機能を具備した剥離層とすることが可能となる。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0034】
剥離層１６は、金属酸化物層及び炭素含有層のそれぞれの層を含むか、又は金属酸化物及び炭素の双方を含む層であってもよい。特に、キャリア付金属箔１０が中間層１４を含む場合、炭素含有層がキャリア１２の安定的な剥離に寄与するとともに、金属酸化物層が中間層１４及び金属層１８に由来する金属元素の加熱に伴う拡散を抑制することができ、結果として例えば３５０℃以上もの高温で加熱された後においても、安定した剥離性を保持することが可能となる。金属酸化物層はＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏ又はそれらの組合せで構成される金属の酸化物を含む層であるのが好ましい。金属酸化物層は金属ターゲットを用い、酸化性雰囲気下でスパッタリングを行う反応性スパッタリング法により形成された層であるのが、成膜時間の調整によって膜厚を容易に制御可能な点から特に好ましい。金属酸化物層の厚さは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましい。金属酸化物層の厚さの上限値としては、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。このとき、剥離層１６として金属酸化物層及び炭素層が積層される順は特に限定されない。また、剥離層１６は、金属酸化物層及び炭素含有層の境界が明瞭には特定されない混相（すなわち金属酸化物及び炭素の双方を含む層）の状態で存在していてもよい。
【0035】
同様に、高温での熱処理後においても安定した剥離性を保持する観点から、剥離層１６は、金属層１８に隣接する側の面がフッ化処理面及び／又は窒化処理面である金属含有層であってもよい。金属含有層にはフッ素の含有量及び窒素の含有量の和が１．０原子％以上である領域（以下、「（Ｆ＋Ｎ）領域」と称する）が１０ｎｍ以上の厚さにわたって存在するのが好ましく、（Ｆ＋Ｎ）領域は金属含有層の金属層１８側に存在するのが好ましい。（Ｆ＋Ｎ）領域の厚さ（ＳｉＯ２換算）は、ＸＰＳを用いてキャリア付金属箔１０の深さ方向元素分析を行うことにより特定される値とする。フッ化処理面ないし窒化処理面は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）、又は反応性スパッタリング法により好ましく形成することができる。一方、金属含有層に含まれる金属元素は、負の標準電極電位を有するのが好ましい。金属含有層に含まれる金属元素の好ましい例としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）が挙げられる。金属含有層における金属元素の含有率は５０原子％以上１００原子％以下であることが好ましい。金属含有層は１層から構成される単層であってもよく、２層以上から構成される多層であってもよい。金属含有層全体の厚さは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。金属含有層自体の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0036】
あるいは、剥離層１６は、炭素層等に代えて、金属酸窒化物含有層であってもよい。金属酸窒化物含有層のキャリア１２と反対側（すなわち金属層１８側）の表面は、ＴａＯＮ、ＮｉＯＮ、ＴｉＯＮ、ＮｉＷＯＮ及びＭｏＯＮからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸窒化物を含むのが好ましい。また、キャリア１２と金属層１８との密着性を確保する点から、金属酸窒化物含有層のキャリア１２側の表面は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種を含むのが好ましい。こうすることで、金属層１８表面の異物粒子数を抑制して回路形成性を向上し、かつ、高温で長時間加熱された後においても、安定した剥離強度を保持することが可能となる。金属酸窒化物含有層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、特に好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。
【0037】
所望により剥離層１６と金属層１８との間に機能層１７が設けられてもよい。機能層１７はキャリア付金属箔１０に、エッチングストッパー機能や反射防止機能等の所望の機能を付与するものであれば特に限定されない。機能層１７を構成する金属の好ましい例としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＴｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せである。これらの元素は、フラッシュエッチング液（例えば銅フラッシュエッチング液）に対して溶解しないという性質を有し、その結果、フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。したがって、機能層１７は、金属層１８よりもフラッシュエッチング液によってエッチングされにくい層となり、それ故エッチングストッパー層として機能しうる。また、機能層１７を構成する上述の金属は光の反射を防止する機能も有するため、機能層１７は、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））において視認性を向上させるための反射防止層としても機能しうる。機能層１７は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。機能層１７を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。また、上記金属の含有率の上限は特に限定されず、１００原子％であってもよい。機能層１７は物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された層であるのが好ましく、より好ましくはスパッタリングにより形成された層である。機能層１７の厚さは１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【0038】
金属層１８は金属で構成される層である。金属層を構成する金属の好ましい例としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ及びそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）が挙げられ、より好ましくはＣｕ合金又はＣｕである。金属層１８を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避不純物を含んでいてもよい。金属層１８は、いかなる方法で製造されたものでよく、例えば、無電解金属めっき法及び電解金属めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法、化学気相成膜、又はそれらの組合せにより形成した金属層であってよい。特に好ましくは、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、スパッタリング法や真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された金属層であり、最も好ましくはスパッタリング法により製造された金属層である。また、金属層１８は、無粗化の金属層であるのが好ましいが、プリント配線板製造時の配線パターン形成に支障を来さないかぎり予備的粗化やソフトエッチング処理や洗浄処理、酸化還元処理により二次的な粗化が生じたものであってもよい。上述したようなファインピッチ化に対応する観点から、金属層１８の厚さは０．０１μｍ以上４．０μｍ以下であり、好ましくは０．０２μｍ以上３．０μｍ以下、より好ましくは０．０５μｍ以上２．５μｍ以下、さらに好ましくは０．１０μｍ以上２．０μｍ以下、特に好ましくは０．２０μｍ以上１．５μｍ以下、最も好ましくは０．３０μｍ以上１．２μｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。このような範囲内の厚さの金属層１８はスパッタリング法により製造されるのが成膜厚さの面内均一性の維持や、シート状やロール状での生産性向上の観点で好ましい。
【0039】
金属層１８の第一面１２ａ上の最外面は、キャリア１２の平坦領域Ｆの表面形状に対応した平坦形状と、キャリア１２の凹凸領域Ｒの表面形状に対応した凹凸形状とを有するのが好ましい。すなわち、図１に示されるように、平坦領域Ｆ及び凹凸領域Ｒを有するキャリア１２上に中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）を介して金属層１８が形成されることで、キャリア１２の平坦領域Ｆ及び凹凸領域Ｒの表面プロファイルが各層の表面にそれぞれ転写される。こうして、剥離層１６の一部に凹凸形状が転写されつつ、金属層１８の最外面にキャリア１２の各領域の形状に対応した望ましい表面プロファイルが付与されるのが好ましい。こうすることで、キャリア付金属箔１０を切断した場合における金属層１８の剥がれをより一層防止することができるとともに、ファインピッチ化により一層対応できる。典型的には、金属層１８の最外面における、キャリア１２の平坦領域Ｆに対応した平坦形状を有する面（すなわち平坦面）は、界面の展開面積比Ｓｄｒが５％未満であり、好ましくは０．０１％以上４．０％以下、より好ましくは０．０３％以上３．０％以下、さらに好ましくは０．０５％以上１．０％以下、特に好ましくは０．０８％以上０．５０％以下である。また、金属層１８の最外面における、キャリア１２の凹凸領域Ｒに対応した凹凸形状を有する面（すなわち凹凸面）は、界面の展開面積比Ｓｄｒが典型的には３％以上３９％以下であり、好ましくは３．５％以上３５％以下、より好ましくは４．０％以上３０％以下、さらに好ましくは４．５％以上２５％以下、特に好ましくは５％以上１５％以下である。
【0040】
金属層１８は、キャリアの側面部１２ｃの少なくとも一部が被覆されるように、キャリアの第一面１２ａから側面部１２ｃまで延在している。キャリアの側面部１２ｃは、その全域にわたって金属層１８で被覆されていることが好ましい。いずれにしても、上述したとおり凹凸領域Ｒは、側面部１２ｃの金属層１８で被覆された領域を包含する。所望により、機能層１７、剥離層１６及び／又は中間層１４もキャリアの第一面１２ａから側面部１２ｃまで延在していてもよい。剥離層１６が側面部１２ｃまで延在する場合、金属層１８（及び所望により機能層１７）は、剥離層１６を覆うように側面部１２ｃに延在しているのが剥離層１６の端部からの薬液浸入を効果的に抑制する観点から好ましい。なお、上述した中間層１４、剥離層１６、機能層１７及び金属層１８の各層の厚さは、第一面１２ａ上に設けられた各層の厚さを意味するものとする。すなわち、側面部１２ｃ上に設けられた各層の厚さは、上述した厚さ範囲から逸脱していてもよい。例えば、側面部１２ｃに設けられた金属層１８の厚さが０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の範囲から逸脱することは許容される。側面部１２ｃ上における金属層１８の厚さは特に限定されるものではないが、典型的には０.０２μｍ以上３μｍ以下であり、より典型的には０．０４μｍ以上２μｍ以下、さらに典型的には０．０５μｍ以上０．８μｍ以下である。
【0041】
中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び金属層１８はいずれも物理気相堆積（ＰＶＤ）膜、すなわち物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された膜であるのが好ましく、より好ましくはスパッタ膜、すなわちスパッタリング法により形成された膜である。
【0042】
キャリア付金属箔１０全体の厚さは特に限定されないが、好ましくは５００μｍ以上３０００μｍ以下、より好ましくは７００μｍ以上２５００μｍ以下、さらに好ましくは９００μｍ以上２０００μｍ以下、特に好ましくは１０００μｍ以上１７００μｍ以下である。キャリア付金属箔１０のサイズは特に限定されないが、好ましくは１０ｃｍ角以上、より好ましくは２０ｃｍ角以上、さらに好ましくは２５ｃｍ角以上である。キャリア付金属箔１０のサイズの上限は特に限定されないが、１０００ｃｍ角が上限の１つの目安として挙げられる。また、キャリア付金属箔１０は、配線の形成前後において、それ自体単独でハンドリング可能な形態である。
【0043】
所望により、キャリア付金属箔１０は、金属層１８上に再配線層２０をさらに有していてもよい。本明細書において、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）とは、絶縁層と当該絶縁層の内部及び／又は表面に形成された配線層とを含む層を意味する。キャリア付金属箔１０を平面視した場合に、再配線層２０の少なくとも一部がキャリア１２の端部（第一面１２ａ及び側面部１２ｃの境界部分）に達しているのが好ましく、再配線層２０の周辺部全域がキャリア１２の端部に達しているのがさらに好ましい。また、図１に示されるように、再配線層２０の端部（典型的には絶縁層）の少なくとも一部が凹凸領域Ｒ上に位置するのが好ましく、再配線層２０の周辺部全域が凹凸領域Ｒ上に位置するのがさらに好ましい。こうすることで、金属層１８と再配線層２０との密着性を向上することができる。その結果、再配線層２０形成中及び形成後に薬液を用いるプロセスにおいて、金属層１８及び再配線層２０間への薬液の浸入が抑制され、両層間での意図せぬ剥離も効果的に防止することができる。図１に示されるように、キャリア付金属箔１０を断面視した場合に、再配線層２０の周辺部と凹凸領域Ｒとが重複する長さ（凹凸領域Ｒ上に位置する再配線層２０の幅）は０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．２ｍｍ以上４５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．３ｍｍ以上４０ｍｍ以下、さらにより好ましくは１．０ｍｍ以上４０ｍｍ以下、特に好ましくは１．５ｍｍ以上４０ｍｍ以下、特により好ましくは２．０ｍｍ以上４０ｍｍ以下、最も好ましくは２．５ｍｍ以上３５ｍｍ以下である。
【0044】
キャリア付金属箔１０は、キャリア１２の両面に上下対称となるように上述の各種層を順に備えてなる構成としてもよい。すなわち、キャリア付金属箔１０は、キャリアの第二面１２ｂに設けられる第２剥離層と、第２剥離層上に設けられる厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の第２金属層とを更に備えるものであってもよい。この場合、キャリアの側面部１２ｃの少なくとも一部が第２金属層で被覆されるように、第２金属層がキャリアの第二面１２ｂから側面部１２ｃまで延在しているのが好ましい。そして、キャリア１２は、第二面１２ｂに上述した凹凸領域Ｒをさらに有し、凹凸領域Ｒが側面部１２ｃの第２金属層で被覆された領域を包含するのが好ましい。また、キャリア付金属箔１０は、キャリアの第二面１２ｂと第２剥離層との間に追加中間層をさらに有していてもよく、第２剥離層と第２金属層との間に第２機能層をさらに有していてもよい。キャリア付金属箔１０は、第２金属層上に第２再配線層をさらに有していてもよい。上述したキャリアの第一面１２ａ、中間層１４、剥離層１６、機能層１７、金属層１８及び再配線層２０に関する好ましい態様は、キャリアの第二面１２ｂ、追加中間層、第２剥離層、第２機能層、第２金属層及び第２再配線層の各々にもそのまま当てはまる。キャリアの第二面１２ｂ上に設けられる各種層の形成は、キャリアの第一面１２ａから第二面１２ｂにかけて連続的に成膜することにより行ってもよい。つまり、中間層１４と追加中間層、剥離層１６と第２剥離層、機能層１７と第２機能層、及び／又は金属層１８と第２金属層は、キャリアの側面部１２ｃを介して互いに繋がっていてもよい。
【0045】
キャリア付金属箔の製造方法
本発明のキャリア付金属箔１０は、（１）キャリアを用意し、（２）キャリアの少なくとも側面部に粗化処理を行い、（３）キャリア上に剥離層、金属層等の各種層を形成し、（４）所望により金属層上に再配線層を形成することにより製造することができる。
本発明のキャリア付金属箔１０は、（１）キャリアを用意し、（２）キャリアの少なくとも側面部に粗化処理を行い、（３）キャリア上に剥離層、金属層等の各種層を形成し、（４）所望により金属層上に再配線層を形成することにより製造することができる。
【0046】
（１）キャリアの用意
まず、キャリア１２を用意する。このキャリア１２は、少なくとも一方の表面におけるＳｄｒが５％未満の平坦面を有するのが好ましい。このＳｄｒは、好ましくは０．０１％以上４．０％以下、より好ましくは０．０３％以上３．０％以下、さらに好ましくは０．０５％以上１．０％以下、特に好ましくは０．０７％以上０．５０％以下、最も好ましくは０．０８％以上０．５０％以下である。一般的にＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶の基板や板状のガラス製品は平坦性に優れるものであることから、上記範囲内のＳｄｒを満たす平坦面を有する市販のＳｉＯ２基板、ＳｉＮ基板、Ｓｉ単結晶基板、Ｓｉ多結晶基板、ガラスシート、ガラスフィルム及びガラス板をキャリア１２として用いてもよい。あるいは、上記Ｓｄｒを満たさないキャリア１２表面に公知の手法で研磨加工を施すことで上記範囲内のＳｄｒを付与してもよい。キャリア１２の好ましい材質や特性については上述したとおりである。
まず、キャリア１２を用意する。このキャリア１２は、少なくとも一方の表面におけるＳｄｒが５％未満の平坦面を有するのが好ましい。このＳｄｒは、好ましくは０．０１％以上４．０％以下、より好ましくは０．０３％以上３．０％以下、さらに好ましくは０．０５％以上１．０％以下、特に好ましくは０．０７％以上０．５０％以下、最も好ましくは０．０８％以上０．５０％以下である。一般的にＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｓｉ単結晶、Ｓｉ多結晶の基板や板状のガラス製品は平坦性に優れるものであることから、上記範囲内のＳｄｒを満たす平坦面を有する市販のＳｉＯ２基板、ＳｉＮ基板、Ｓｉ単結晶基板、Ｓｉ多結晶基板、ガラスシート、ガラスフィルム及びガラス板をキャリア１２として用いてもよい。あるいは、上記Ｓｄｒを満たさないキャリア１２表面に公知の手法で研磨加工を施すことで上記範囲内のＳｄｒを付与してもよい。キャリア１２の好ましい材質や特性については上述したとおりである。
【0047】
（２）キャリア表面の粗化処理
次に、キャリアの少なくとも側面部１２ｃに粗化処理を行って、Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域Ｒを形成する。このＳｄｒは、好ましくは３．５％以上３５％以下、より好ましくは４．０％以上３０％以下、さらに好ましくは４．５％以上２５％以下、特に好ましくは５％以上１５％以下である。また、側面部１２ｃの粗化処理に加えて、凹凸領域Ｒがキャリアの第一面１２ａ上の平坦面を取り囲むように、キャリアの第一面１２ａの所定領域に粗化処理を行うのが好ましい。粗化処理は公知の手法に従って行えばよく、上記範囲内のＳｄｒを実現でき、かつ、(必要に応じてマスキングを併用して）所望のパターンで凹凸領域Ｒを形成することが出来る限り特に限定されない。好ましい粗化処理の手法は、所望のＳｄｒの凹凸領域Ｒを効率良く形成可能な点でブラスト処理又はエッチング処理であり、より好ましくはブラスト処理である。
次に、キャリアの少なくとも側面部１２ｃに粗化処理を行って、Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域Ｒを形成する。このＳｄｒは、好ましくは３．５％以上３５％以下、より好ましくは４．０％以上３０％以下、さらに好ましくは４．５％以上２５％以下、特に好ましくは５％以上１５％以下である。また、側面部１２ｃの粗化処理に加えて、凹凸領域Ｒがキャリアの第一面１２ａ上の平坦面を取り囲むように、キャリアの第一面１２ａの所定領域に粗化処理を行うのが好ましい。粗化処理は公知の手法に従って行えばよく、上記範囲内のＳｄｒを実現でき、かつ、(必要に応じてマスキングを併用して）所望のパターンで凹凸領域Ｒを形成することが出来る限り特に限定されない。好ましい粗化処理の手法は、所望のＳｄｒの凹凸領域Ｒを効率良く形成可能な点でブラスト処理又はエッチング処理であり、より好ましくはブラスト処理である。
【0048】
ブラスト処理による粗化処理は、キャリアの側面部１２ｃ及び／又は第一面１２ａの所定領域（すなわち凹凸領域Ｒが形成されるべき領域）に対して粒子状のメディアＭ（投射材）をノズルから投射することにより行うことができる。好ましいノズルの大きさは、吐出口が矩形の場合には幅０．１ｍｍ以上２０ｍｍ以下及び長さ１００ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であり、より好ましくは幅３ｍｍ以上１５ｍｍ以下及び長さ２００ｍｍ以上８００ｍｍ以下である。一方、吐出口が円形の場合には、好ましいノズルの大きさは、径０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下、より好ましくは径３ｍｍ以上２０ｍｍ以下である。メディアの粒径は７μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは８μｍ以上３５μｍ以下である。メディアの材質の好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、炭化ケイ素、鉄、アルミ、亜鉛、ガラス、スチール及びボロンカーバイトが挙げられる。メディアのモース硬度は４以上が好ましく、より好ましくは５．５以上、さらに好ましくは６．０以上である。特にこうしたメディアを用いることにより、キャリア１２の表面に所望のＳｄｒが上記範囲内に制御された凹凸領域Ｒを形成することが可能となる。好ましいメディアの吐出圧力は０．０１ＭＰａ以上０．８０ＭＰａ以下であり、より好ましくは０．１ＭＰａ以上０．５０ＭＰａ以下、さらに好ましくは０．１５ＭＰａ以上０．２５ＭＰａ以下である。また、キャリア１２に対する単位面積当たりのブラスト処理時間は０．０３秒／ｃｍ２以上１０秒／ｃｍ２以下であるのが好ましく、より好ましくは０．１秒／ｃｍ２以上５秒／ｃｍ２以下である。特に、メディアを水と混合させてスラリーの形態とし、このスラリーを加圧エアによってノズルから吐出させることでブラスト処理を行うのが、キャリア１２の表面にＳｄｒが上記範囲内に制御された凹凸領域Ｒを形成しやすくなる点で好ましい。また、上述した条件で粗化処理（ブラスト処理）を行うことで、粗化処理後のキャリアの強度低下をより効果的に抑制することができる。
【0049】
一方、エッチング処理による粗化処理の好ましい例としては、フッ酸（フッ化水素酸）を含む溶液を用いたウエットプロセス、及びフッ素を含むプロセスガス（例えばＣＦ４やＳＦ６等）を用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）によるドライプロセスが挙げられる。
【0050】
所望の領域に選択的に粗化処理（特にブラスト処理又はエッチング処理）を行うために、マスキングを用いるのが好ましい。具体的には、粗化処理の前に、キャリアの側面部１２ｃ及び／又は第一面１２ａの所定の領域（すなわち凹凸領域Ｒが形成されるべき領域）以外の部分にマスキング層を形成するのが好ましい。この場合、後工程である各種層の形成をより円滑に行えるよう、粗化処理後に、マスキング層を除去することが望まれる。
【0051】
（３）キャリア上への各種層の形成
粗化処理を行ったキャリアの第一面１２ａ上に、所望により中間層１４、剥離層１６、所望により機能層１７、及び厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の金属層１８を形成する。中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び金属層１８の各層の形成は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われるのが好ましい。物理気相堆積（ＰＶＤ）法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍ以上５０００ｎｍ以下といった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び金属層１８の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。物理気相堆積（ＰＶＤ）法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、特許文献７（国際公開第２０１９／１６３６０５号）に開示される物理気相堆積（ＰＶＤ）法による各種層の成膜条件をそのまま採用する、あるいは適宜変更することにより行うことができる。スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。
粗化処理を行ったキャリアの第一面１２ａ上に、所望により中間層１４、剥離層１６、所望により機能層１７、及び厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の金属層１８を形成する。中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び金属層１８の各層の形成は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、物理気相堆積（ＰＶＤ）法により行われるのが好ましい。物理気相堆積（ＰＶＤ）法の例としては、スパッタリング法、真空蒸着法、及びイオンプレーティング法が挙げられるが、０．０５ｎｍ以上５０００ｎｍ以下といった幅広い範囲で膜厚制御できる点、広い幅ないし面積にわたって膜厚均一性を確保できる点等から、最も好ましくはスパッタリング法である。特に、中間層１４（存在する場合）、剥離層１６、機能層１７（存在する場合）及び金属層１８の全ての層をスパッタリング法により形成することで、製造効率が格段に高くなる。物理気相堆積（ＰＶＤ）法による成膜は公知の気相成膜装置を用いて公知の条件に従って行えばよく特に限定されない。例えば、特許文献７（国際公開第２０１９／１６３６０５号）に開示される物理気相堆積（ＰＶＤ）法による各種層の成膜条件をそのまま採用する、あるいは適宜変更することにより行うことができる。スパッタリング法を採用する場合、スパッタリング方式は、マグネトロンスパッタリング、２極スパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法等、公知の種々の方法であってよいが、マグネトロンスパッタリングが、成膜速度が速く生産性が高い点で好ましい。スパッタリングはＤＣ（直流）及びＲＦ（高周波）のいずれの電源で行ってもよい。また、ターゲット形状も広く知られているプレート型ターゲットを使用することができるが、ターゲット使用効率の観点から円筒形ターゲットを用いることが望ましい。
【0052】
（４）再配線層の形成（任意工程）
所望によりキャリア付金属箔１０の金属層１８上に再配線層２０を形成してもよい。再配線層２０の形成は、公知の手法によって行えばよく、特に限定されない。例えば、コアレスビルドアップ法により絶縁層と配線層とを交互に積層して多層化することで再配線層２０を好ましく形成することができる。
所望によりキャリア付金属箔１０の金属層１８上に再配線層２０を形成してもよい。再配線層２０の形成は、公知の手法によって行えばよく、特に限定されない。例えば、コアレスビルドアップ法により絶縁層と配線層とを交互に積層して多層化することで再配線層２０を好ましく形成することができる。
【0053】
再配線層２０を形成した後、キャリア付金属箔１０に対してチップの実装及びモールド樹脂による封止を行ってもよい。チップ実装及び樹脂封止は公知の手法によって行えばよく、特に限定されない。また、樹脂封止後にキャリア１２（及び存在する場合には中間層１４）の剥離を行ってもよく、剥離後に露出した金属層１８（及び存在する場合には機能層１７）をエッチングにより除去してもよい。キャリア１２の剥離は、以下のようにして行ってもよい。まず、キャリア付金属箔１０のキャリア１２と反対側（典型的にはモールド樹脂側）の面から厚さ方向に向かって切込みを入れて、キャリア１２を除く各種層を中央部（チップを含む部分）と周縁部とに区画する。その後、中央部を固定した状態で、押圧部材等を用いて周縁部を押し下げる等して、金属層１８及び再配線層２０を含む中央部をキャリア１２から引き剥がす。こうすることで、キャリア１２の剥離を容易に行うことができる。
【実施例】
【0054】
本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。
【0055】
例Ａ１～Ａ１１
図１に示されるように、キャリア１２としてガラス製又は単結晶シリコン製のキャリアを準備した。このキャリア上に凹凸領域Ｒを形成した後、第１中間層１４ａ、第２中間層１４ｂ、剥離層１６、機能層１７、及び金属層１８をこの順に成膜してキャリア付金属箔１０を作製した。具体的な手順は以下のとおりである。
図１に示されるように、キャリア１２としてガラス製又は単結晶シリコン製のキャリアを準備した。このキャリア上に凹凸領域Ｒを形成した後、第１中間層１４ａ、第２中間層１４ｂ、剥離層１６、機能層１７、及び金属層１８をこの順に成膜してキャリア付金属箔１０を作製した。具体的な手順は以下のとおりである。
【0056】
なお、以下の例において言及されるＳｄｒはＩＳＯ２５１７８に準拠してレーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５０００）で測定された値である。具体的には、測定対象の表面における２５８．３４６μｍ×２５８．３４８μｍの領域の表面プロファイルを、上記レーザー顕微鏡にて５０倍の対物レンズを用いて測定した。得られた表面プロファイルに対して解析ソフトウェア（オリンパス株式会社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５１００ 解析アプリケーション）を用いた表面性状解析によりＳｄｒを算出した。このとき、Ｓフィルターによるカットオフ波長を０．８μｍとし、Ｌフィルターによるカットオフは行わなかった。
【0057】
（１）キャリアの用意
対向する第一面１２ａ及び第二面１２ｂ、並びにこれらを接続する曲面形状の側面部１２ｃを有する直径３００ｍｍで厚さ１．１ｍｍの円板状のキャリア１２を用意した。このキャリア１２の種類は、例Ａ１～Ａ４及びＡ９～Ａ１１についてはガラスキャリア（ソーダライムガラス、セントラル硝子株式会社製、第一面１２ａにおけるＳｄｒ：０．１０％）とし、例Ａ５～Ａ８については単結晶シリコンキャリア（株式会社トリニティ製、第一面１２ａにおけるＳｄｒ：０．１０％）とした。
対向する第一面１２ａ及び第二面１２ｂ、並びにこれらを接続する曲面形状の側面部１２ｃを有する直径３００ｍｍで厚さ１．１ｍｍの円板状のキャリア１２を用意した。このキャリア１２の種類は、例Ａ１～Ａ４及びＡ９～Ａ１１についてはガラスキャリア（ソーダライムガラス、セントラル硝子株式会社製、第一面１２ａにおけるＳｄｒ：０．１０％）とし、例Ａ５～Ａ８については単結晶シリコンキャリア（株式会社トリニティ製、第一面１２ａにおけるＳｄｒ：０．１０％）とした。
【0058】
（２）キャリアの粗化処理
キャリアの第一面１２ａにマスキング層を、第一面１２ａの周囲（幅１ｍｍ）以外の部分を覆うように形成した。このマスキング層の形成は、カッティングプロッターを用いてカッティングシート（リンテック株式会社製、ＰＶＣ１００Ｍ Ｍ１１Ｋ）を直径２９８ｍｍに切断し、切断したカッティングシートを、カッティングシート及びキャリアの中心が重なるようにキャリアの第一面１２ａに積層することにより行った。次に、ブラスト装置（株式会社不二製作所製、品番：ＳＣＭ－４ＲＢＴ－０５－４０１）を用いて、マスキング層で部分的に被覆されたキャリアの第一面１２ａ及び側面部１２ｃに対して、例Ａ１～Ａ１０それぞれについて表１に示される平均粒径Ｄ５０のメディア（株式会社不二製作所製、白色溶融アルミナ）を、吐出圧力０．４ＭＰａの条件で投射することで、キャリア１２の粗化処理を行った。このとき、キャリア１２に対する単位面積当たりのブラスト処理時間は０．３３秒／ｃｍ２とした。また、側面部１２ｃの粗化処理は、第一面１２ａから第二面１２ｂに向かって厚さ方向に０．６ｍｍまでの範囲とし、側面部１２ｃの全周にわたって粗化処理を行った。こうして、キャリアの側面部１２ｃから第一面１２ａの周囲まで凹凸領域Ｒを連続的に形成した。その後、マスキング層を除去して平坦領域Ｆを露出させた。粗化処理後のキャリア１２における凹凸領域ＲのＳｄｒは表１に示されるとおりであった。なお、例Ａ１１についてはキャリア１２の粗化処理を行わなかった。
キャリアの第一面１２ａにマスキング層を、第一面１２ａの周囲（幅１ｍｍ）以外の部分を覆うように形成した。このマスキング層の形成は、カッティングプロッターを用いてカッティングシート（リンテック株式会社製、ＰＶＣ１００Ｍ Ｍ１１Ｋ）を直径２９８ｍｍに切断し、切断したカッティングシートを、カッティングシート及びキャリアの中心が重なるようにキャリアの第一面１２ａに積層することにより行った。次に、ブラスト装置（株式会社不二製作所製、品番：ＳＣＭ－４ＲＢＴ－０５－４０１）を用いて、マスキング層で部分的に被覆されたキャリアの第一面１２ａ及び側面部１２ｃに対して、例Ａ１～Ａ１０それぞれについて表１に示される平均粒径Ｄ５０のメディア（株式会社不二製作所製、白色溶融アルミナ）を、吐出圧力０．４ＭＰａの条件で投射することで、キャリア１２の粗化処理を行った。このとき、キャリア１２に対する単位面積当たりのブラスト処理時間は０．３３秒／ｃｍ２とした。また、側面部１２ｃの粗化処理は、第一面１２ａから第二面１２ｂに向かって厚さ方向に０．６ｍｍまでの範囲とし、側面部１２ｃの全周にわたって粗化処理を行った。こうして、キャリアの側面部１２ｃから第一面１２ａの周囲まで凹凸領域Ｒを連続的に形成した。その後、マスキング層を除去して平坦領域Ｆを露出させた。粗化処理後のキャリア１２における凹凸領域ＲのＳｄｒは表１に示されるとおりであった。なお、例Ａ１１についてはキャリア１２の粗化処理を行わなかった。
【0059】
（３）第１中間層の形成
キャリアの第一面１２ａ及び側面部１２ｃに、第１中間層１４ａとして厚さ１００ｎｍのＴｉ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式マグネトロンスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＴｉターゲット（純度９９．９９９％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
キャリアの第一面１２ａ及び側面部１２ｃに、第１中間層１４ａとして厚さ１００ｎｍのＴｉ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式マグネトロンスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＴｉターゲット（純度９９．９９９％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
【0060】
（４）第２中間層の形成
第１中間層１４ａの上に、第２中間層１４ｂとして厚さ１００ｎｍのＣｕ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＣｕターゲット（純度９９．９８％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
第１中間層１４ａの上に、第２中間層１４ｂとして厚さ１００ｎｍのＣｕ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＣｕターゲット（純度９９．９８％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（６．２Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
【0061】
（５）剥離層の形成
第２中間層１４ｂの上に、剥離層１６として厚さ６ｎｍのアモルファスカーボン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の炭素ターゲット（純度９９．９９９％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：２５０Ｗ（０．７Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
第２中間層１４ｂの上に、剥離層１６として厚さ６ｎｍのアモルファスカーボン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）の炭素ターゲット（純度９９．９９９％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：２５０Ｗ（０．７Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
【0062】
（６）機能層の形成
剥離層１６の表面に、機能層１７として厚さ１００ｎｍのＴｉ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＴｉターゲット（純度９９．９９９％）
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
剥離層１６の表面に、機能層１７として厚さ１００ｎｍのＴｉ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＴｉターゲット（純度９９．９９９％）
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
【0063】
（７）金属層の形成
機能層１７の上に、金属層１８として厚さ３００ｎｍのＣｕ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成して、キャリア付金属箔１０を得た。このとき、金属層１８をキャリアの側面部１２ｃ及び剥離層１６を被覆するように形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＣｕターゲット（純度９９．９８％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
機能層１７の上に、金属層１８として厚さ３００ｎｍのＣｕ層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成して、キャリア付金属箔１０を得た。このとき、金属層１８をキャリアの側面部１２ｃ及び剥離層１６を被覆するように形成した。
‐ 装置：枚葉式ＤＣスパッタリング装置（キヤノントッキ株式会社製、ＭＬＳ４６４）
‐ ターゲット：直径８インチ（２０３．２ｍｍ）のＣｕターゲット（純度９９．９８％）
‐ 到達真空度：１×１０－４Ｐａ未満
‐ キャリアガス：Ａｒ（流量：１００ｓｃｃｍ）
‐ スパッタリング圧：０．３５Ｐａ
‐ スパッタリング電力：１０００Ｗ（３．１Ｗ／ｃｍ２）
‐ 成膜時温度：４０℃
【0064】
（８）凹凸領域の剥離強度の測定
マスキング層の形成を行わなかったこと及び側面部１２ｃの粗化処理を行わなかったこと以外は上記（１）～（７）と同様にして、第一面１２ａの全域が凹凸領域であるキャリア付金属箔を作製した。このキャリア付金属箔の金属層側に電解メッキによりＣｕを１８μｍ積層し、測定サンプルを得た。この測定サンプルに対して、ＪＩＳ Ｚ ０２３７－２００９に準拠して、電解メッキしたＣｕ層を剥離した時の剥離強度（ｇｆ／ｃｍ）を、測定幅１０ｍｍ、測定長さ１７ｍｍ、及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定した。こうして測定された凹凸領域の剥離強度は表１に示されるとおりであった。
マスキング層の形成を行わなかったこと及び側面部１２ｃの粗化処理を行わなかったこと以外は上記（１）～（７）と同様にして、第一面１２ａの全域が凹凸領域であるキャリア付金属箔を作製した。このキャリア付金属箔の金属層側に電解メッキによりＣｕを１８μｍ積層し、測定サンプルを得た。この測定サンプルに対して、ＪＩＳ Ｚ ０２３７－２００９に準拠して、電解メッキしたＣｕ層を剥離した時の剥離強度（ｇｆ／ｃｍ）を、測定幅１０ｍｍ、測定長さ１７ｍｍ、及び剥離速度５０ｍｍ／分の条件で測定した。こうして測定された凹凸領域の剥離強度は表１に示されるとおりであった。
【0065】
各種評価
例Ａ１～Ａ１１で得られたキャリア付金属箔１０について、以下に示す各種評価を行った。
例Ａ１～Ａ１１で得られたキャリア付金属箔１０について、以下に示す各種評価を行った。
【0066】
＜段差部の高低差＞
レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５１００）を用いて、キャリア付金属箔１０における第一面１２ａ上の縦２５８．３４６μｍ×横２５８．３４８μｍの領域を、凹凸領域Ｒ及び平坦領域Ｆの境界が縦方向と平行となる向きでかつ横方向の中央と一致するように測定した。このとき、対物レンズの倍率は５０倍とした。こうして、凹凸領域Ｒ及び平坦領域Ｆの境界付近の断面プロファイルを取得した。この断面プロファイルに対して、解析ソフトウェア（オリンパス株式会社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５１００ 解析アプリケーション）を用いて解析を行うことで、横方向の高さプロファイル（縦０μｍ～２５８．３４６μｍの高さが平均化されたもの）を計算した。この横方向の高さプロファイルにおいて、凹凸領域Ｒ部分の高さの平均値と平坦領域Ｆ部分の高さの平均値との差を計測し、段差部の高低差とした。結果は表１に示されるとおりであった。
レーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５１００）を用いて、キャリア付金属箔１０における第一面１２ａ上の縦２５８．３４６μｍ×横２５８．３４８μｍの領域を、凹凸領域Ｒ及び平坦領域Ｆの境界が縦方向と平行となる向きでかつ横方向の中央と一致するように測定した。このとき、対物レンズの倍率は５０倍とした。こうして、凹凸領域Ｒ及び平坦領域Ｆの境界付近の断面プロファイルを取得した。この断面プロファイルに対して、解析ソフトウェア（オリンパス株式会社製、ＬＥＸＴ ＯＬＳ５１００ 解析アプリケーション）を用いて解析を行うことで、横方向の高さプロファイル（縦０μｍ～２５８．３４６μｍの高さが平均化されたもの）を計算した。この横方向の高さプロファイルにおいて、凹凸領域Ｒ部分の高さの平均値と平坦領域Ｆ部分の高さの平均値との差を計測し、段差部の高低差とした。結果は表１に示されるとおりであった。
【0067】
＜再配線層形成プロセスでの剥離＞
再配線層形成プロセスでの剥離の有無及び薬液浸入幅を確認した。具体的には、まず、キャリア付金属箔１０の金属層１８側の表面に絶縁樹脂材料（感光性絶縁材料）を積層し２３０℃で６０分間の熱硬化処理を行うことにより、厚さ１０μｍの絶縁層を形成した。次いで、キャリア付金属箔１０の絶縁層側の表面にＴｉ層及びＣｕ層をこの順にスパッタリングした。Ｃｕ層の表面に感光性液体レジストを塗布して、露光及び現像を行い、所定パターンのフォトレジスト層を形成した。このとき、現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、東京応化工業株式会社製、ＮＭＤ－３ ２．３８％）を使用し、スピンコータによりキャリア付金属箔１０の表面に塗布した。その後、Ｃｕ層の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）にパターン電解銅めっきを行い、電解銅めっき層を形成した後、フォトレジスト層を剥離した。このとき、剥離液としてＳＴ－１２０（東京応化工業株式会社製）を使用し、キャリア付金属箔１０を浸漬させることでレジストを剥離した。その後、露出した銅層及びＴｉ層の不要部分を硫酸－過酸化水素系エッチング液及び過酸化水素系アルカリエッチング液（メルテックス株式会社製、メルストリップＴＩ－３９９１）でそれぞれ除去することにより、回路厚さ５μｍの配線層をＣｕ層上に形成した。その後、絶縁樹脂材料を積層し２３０℃で６０分間の熱硬化処理を行うことにより、厚さ１０μｍの絶縁層を形成した。次いで、キャリア付金属箔１０の絶縁層側の表面にＴｉ層及びＣｕ層をこの順にスパッタリングした。このようにして、再配線層２０を形成した。この再配線層２０の形成プロセス中に、キャリア１２及び金属層１８間で自然剥離が発生するか確認を行った。また、再配線層２０の断面を光学顕微鏡で観察することにより、プロセス中で使用した薬液の浸入幅を測定し、以下の基準に従って評価した。結果は表１に示されるとおりであった。
（薬液浸入幅の評価基準）
‐評価Ａ：薬液浸入幅が０．１ｍｍ未満（最良）
‐評価Ｂ：薬液浸入幅が０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満（良）
‐評価Ｃ：薬液浸入幅が０．５ｍｍ以上（不可）
‐評価Ｆ：プロセス中の剥離により測定不可
再配線層形成プロセスでの剥離の有無及び薬液浸入幅を確認した。具体的には、まず、キャリア付金属箔１０の金属層１８側の表面に絶縁樹脂材料（感光性絶縁材料）を積層し２３０℃で６０分間の熱硬化処理を行うことにより、厚さ１０μｍの絶縁層を形成した。次いで、キャリア付金属箔１０の絶縁層側の表面にＴｉ層及びＣｕ層をこの順にスパッタリングした。Ｃｕ層の表面に感光性液体レジストを塗布して、露光及び現像を行い、所定パターンのフォトレジスト層を形成した。このとき、現像液としてＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、東京応化工業株式会社製、ＮＭＤ－３ ２．３８％）を使用し、スピンコータによりキャリア付金属箔１０の表面に塗布した。その後、Ｃｕ層の露出表面（すなわちフォトレジスト層でマスキングされていない部分）にパターン電解銅めっきを行い、電解銅めっき層を形成した後、フォトレジスト層を剥離した。このとき、剥離液としてＳＴ－１２０（東京応化工業株式会社製）を使用し、キャリア付金属箔１０を浸漬させることでレジストを剥離した。その後、露出した銅層及びＴｉ層の不要部分を硫酸－過酸化水素系エッチング液及び過酸化水素系アルカリエッチング液（メルテックス株式会社製、メルストリップＴＩ－３９９１）でそれぞれ除去することにより、回路厚さ５μｍの配線層をＣｕ層上に形成した。その後、絶縁樹脂材料を積層し２３０℃で６０分間の熱硬化処理を行うことにより、厚さ１０μｍの絶縁層を形成した。次いで、キャリア付金属箔１０の絶縁層側の表面にＴｉ層及びＣｕ層をこの順にスパッタリングした。このようにして、再配線層２０を形成した。この再配線層２０の形成プロセス中に、キャリア１２及び金属層１８間で自然剥離が発生するか確認を行った。また、再配線層２０の断面を光学顕微鏡で観察することにより、プロセス中で使用した薬液の浸入幅を測定し、以下の基準に従って評価した。結果は表１に示されるとおりであった。
（薬液浸入幅の評価基準）
‐評価Ａ：薬液浸入幅が０．１ｍｍ未満（最良）
‐評価Ｂ：薬液浸入幅が０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満（良）
‐評価Ｃ：薬液浸入幅が０．５ｍｍ以上（不可）
‐評価Ｆ：プロセス中の剥離により測定不可
【0068】
【表1】
【0069】
例Ｂ１～Ｂ６
本例はキャリア１２をガラスとした場合における界面の展開面積比Ｓｄｒと機械強度との関係を検証した実験例である。
本例はキャリア１２をガラスとした場合における界面の展開面積比Ｓｄｒと機械強度との関係を検証した実験例である。
【0070】
（１）キャリアの用意
界面の展開面積比Ｓｄｒが０．１０％の平坦面を有する３００ｍｍ角で厚さ１．１ｍｍのガラスシート（材質：ソーダライムガラス、日本板硝子株式会社製）を用意した。
界面の展開面積比Ｓｄｒが０．１０％の平坦面を有する３００ｍｍ角で厚さ１．１ｍｍのガラスシート（材質：ソーダライムガラス、日本板硝子株式会社製）を用意した。
【0071】
（２）キャリアの粗化処理
キャリア１２表面にマスキング層を、キャリア１２の周囲（幅１１ｍｍ）以外の部分を覆うように形成した。このマスキング層の形成は、カッティングプロッターを用いてカッティングシート（ＰＶＣ１００Ｍ Ｍ１１Ｋ リンテック株式会社製）を２７８ｍｍ角に切断し、切断したカッティングシートを、カッティングシート及びキャリアの中心が重なるようにキャリア１２表面に積層することにより行った。次に、ブラスト装置（株式会社不二製作所製、品番：ＳＣＭ－４ＲＢＴ－０５－４０１）を用いて、マスキング層で部分的に被覆されたキャリア１２表面に対して、例Ｂ１～Ｂ６それぞれについて表２に示される平均粒径Ｄ５０のメディア（株式会社不二製作所製、白色溶融アルミナ）を、表２に示される吐出圧力で投射することで、キャリア１２の露出部分に対して粗化処理を行った。こうして、キャリア１２の周囲（幅１１ｍｍ）に凹凸領域Ｒを形成した。その後、マスキング層を除去して平坦領域Ｆを露出させた。こうしてキャリア１２表面に対して凹凸領域Ｒを形成した。その後、マスキング層を除去して平坦領域Ｆを露出させた。粗化処理後のキャリア１２における凹凸領域ＲのＳｄｒは表２に示されるとおりであった。
キャリア１２表面にマスキング層を、キャリア１２の周囲（幅１１ｍｍ）以外の部分を覆うように形成した。このマスキング層の形成は、カッティングプロッターを用いてカッティングシート（ＰＶＣ１００Ｍ Ｍ１１Ｋ リンテック株式会社製）を２７８ｍｍ角に切断し、切断したカッティングシートを、カッティングシート及びキャリアの中心が重なるようにキャリア１２表面に積層することにより行った。次に、ブラスト装置（株式会社不二製作所製、品番：ＳＣＭ－４ＲＢＴ－０５－４０１）を用いて、マスキング層で部分的に被覆されたキャリア１２表面に対して、例Ｂ１～Ｂ６それぞれについて表２に示される平均粒径Ｄ５０のメディア（株式会社不二製作所製、白色溶融アルミナ）を、表２に示される吐出圧力で投射することで、キャリア１２の露出部分に対して粗化処理を行った。こうして、キャリア１２の周囲（幅１１ｍｍ）に凹凸領域Ｒを形成した。その後、マスキング層を除去して平坦領域Ｆを露出させた。こうしてキャリア１２表面に対して凹凸領域Ｒを形成した。その後、マスキング層を除去して平坦領域Ｆを露出させた。粗化処理後のキャリア１２における凹凸領域ＲのＳｄｒは表２に示されるとおりであった。
【0072】
例Ｂ７（比較）
ガラスキャリアの粗化処理を行うことなく、例Ｂ１～Ｂ６で用意したものと同様のガラスシートをそのままキャリア１２として用いた。
ガラスキャリアの粗化処理を行うことなく、例Ｂ１～Ｂ６で用意したものと同様のガラスシートをそのままキャリア１２として用いた。
【0073】
評価
例Ｂ１～Ｂ７のキャリア１２について、万能材料試験器（Ｉｎｓｔｒｏｎ社製、品番：５９８５）を用いて破壊荷重の計測を行った。すなわち、図８Ａ及び８Ｂに示されるように、直径２８０ｍｍの仮想円に等間隔で配置された８点の支持部材Ｓ（機械構造用炭素鋼Ｓ４５Ｃ製、焼入硬度：５０ＨＲＣ、接触部分の曲率半径：５ｍｍ）上にキャリア１２を載置した。そして、押圧部材Ｐ（高炭素クロム軸受鋼ＳＵＪ２製、焼入硬度：６７ＨＲＣ、接触部分の曲率半径：１５ｍｍ）を図８Ａ中の矢印方向に移動させて、キャリア１２の中心部分に押し当てることで、キャリア１２を破壊した。この計測を各例につき１０枚のキャリア１２に対して行った。得られた計測データから、ワイブルプロット（Ｘ軸：破壊荷重（Ｎ）、Ｙ軸：累積破壊確率（％））を作成し、平均破壊荷重、１０％破壊荷重（Ｂ１０）及び形状母数を算出した。結果は表２に示されるとおりであった。なお、表２には、未処理のガラスキャリア（例Ｂ７）の破壊荷重に対する、粗化処理後のガラスキャリア（例Ｂ１～Ｂ６）の破壊荷重の百分率も併せて示してある。
例Ｂ１～Ｂ７のキャリア１２について、万能材料試験器（Ｉｎｓｔｒｏｎ社製、品番：５９８５）を用いて破壊荷重の計測を行った。すなわち、図８Ａ及び８Ｂに示されるように、直径２８０ｍｍの仮想円に等間隔で配置された８点の支持部材Ｓ（機械構造用炭素鋼Ｓ４５Ｃ製、焼入硬度：５０ＨＲＣ、接触部分の曲率半径：５ｍｍ）上にキャリア１２を載置した。そして、押圧部材Ｐ（高炭素クロム軸受鋼ＳＵＪ２製、焼入硬度：６７ＨＲＣ、接触部分の曲率半径：１５ｍｍ）を図８Ａ中の矢印方向に移動させて、キャリア１２の中心部分に押し当てることで、キャリア１２を破壊した。この計測を各例につき１０枚のキャリア１２に対して行った。得られた計測データから、ワイブルプロット（Ｘ軸：破壊荷重（Ｎ）、Ｙ軸：累積破壊確率（％））を作成し、平均破壊荷重、１０％破壊荷重（Ｂ１０）及び形状母数を算出した。結果は表２に示されるとおりであった。なお、表２には、未処理のガラスキャリア（例Ｂ７）の破壊荷重に対する、粗化処理後のガラスキャリア（例Ｂ１～Ｂ６）の破壊荷重の百分率も併せて示してある。
【0074】
【表2】
【要約】
端部からの薬液浸入に起因する金属層の意図せぬ剥離を抑制可能な、キャリア付金属箔が提供される。このキャリア付銅箔は、互いに対向する第一面及び第二面、並びに第一面及び第二面に接続する側面部を有するキャリアと、キャリアの第一面に設けられる剥離層と、剥離層上に設けられる、厚さ０．０１μｍ以上４．０μｍ以下の金属層とを備える。側面部の少なくとも一部が金属層で被覆されるように、金属層がキャリアの第一面から側面部まで延在している。キャリアは、側面部、又は側面部及び第一面に、ＩＳＯ２５１７８に準拠して測定される界面の展開面積比Ｓｄｒが３％以上３９％以下である凹凸領域を有し、凹凸領域が側面部の金属層で被覆された領域を包含する。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】