(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-29
(45)【発行日】2024-02-06
(54)【発明の名称】実装装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/60 20060101AFI20240130BHJP
【FI】
H01L21/60 311T
(21)【出願番号】P 2020060178
(22)【出願日】2020-03-30
【審査請求日】2022-11-16
(73)【特許権者】
【識別番号】000219314
【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社
(72)【発明者】
【氏名】奈良場 聰
(72)【発明者】
【氏名】松本 武士
(72)【発明者】
【氏名】寺田 勝美
【審査官】堀江 義隆
(56)【参考文献】
【文献】特開2010-129549(JP,A)
【文献】特開2004-281450(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01L 21/60
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
フィルム基板上の半導体チップを加熱および加圧することで、前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極を接合して、前記半導体チップを前記フィルム基板に実装する実装装置であって、
前記半導体チップを加熱するヒータ部と、前記ヒータ部と連結した位置に脱着可能に設けられ、前記半導体チップを加圧する面を備えたアタッチメントと、を有するボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドによる前記半導体チップの可圧時に、加圧領域を前記フィルム基板側から支持する基板ステージと、
前記アタッチメント脱着時に、前記アタッチメントを搬送するアタッチメント搬送手段とを備え
、
前記アタッチメント搬送手段がヒータを内蔵している実装装置。
【請求項2】
フィルム基板上の半導体チップを加熱および加圧することで、前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極を接合して、前記半導体チップを前記フィルム基板に実装する実装装置であって、
前記半導体チップを加熱するヒータ部と、前記ヒータ部と連結した位置に脱着可能に設けられ、前記半導体チップを加圧する面を備えたアタッチメントと、を有するボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドによる前記半導体チップの可圧時に、加圧領域を前記フィルム基板側から支持する基板ステージと、
前記アタッチメント脱着時に、前記アタッチメントを搬送するアタッチメント搬送手段と、
実装前のフィルム基板と半導体チップの位置合わせをするための上下2視野カメラを備え、
前記アタッチメント搬送手段が前記上下2視野カメラに連結された実装装置。
【請求項3】
フィルム基板上の半導体チップを加熱および加圧することで、前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極を接合して、前記半導体チップを前記フィルム基板に実装する実装装置であって、
前記半導体チップを加熱するヒータ部と、前記ヒータ部と連結した位置に脱着可能に設けられ、前記半導体チップを加圧する面を備えたアタッチメントと、を有するボンディングヘッドと、
前記ボンディングヘッドによる前記半導体チップの可圧時に、加圧領域を前記フィルム基板側から支持する基板ステージと、
前記アタッチメント脱着時に、前記アタッチメントを搬送するアタッチメント搬送手段と、
前記ボンディングヘッドから外された状態の前記アタッチメントを洗浄する洗浄手段を備えた実装装置。
【請求項4】
請求項1から請求項3の何れかに記載の実装装置であって、
前記ヒータ部が450℃以上に昇温可能な実装装置。
【請求項5】
請求項1から請求項4の何れかに記載の実装装置であって、
前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極の一方の電極は金メッキを施され、他方が錫メッキを施され、加熱により両電極が金錫共晶接合される実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はフィルム基板上に半導体チップを実装する実装装置に関する。
【背景技術】
【0002】
フィルム基板に半導体チップを実装するチップオンフィルム(Chip on Film;以下COFと記す)実装は従来よりディスプレイ用ドライバIC等の用途に用いられているが、昨今では携帯端末の狭額化の影響等により需要が拡大している。このため、COF実装を行う実装装置の需要も高まっている。
【0003】
特に、画像の高精細化の進捗に伴い、電極ピッチが狭い半導体チップの実装に適したフリップチップ方式のCOF実装が主流となってきている。
【0004】
図5(および
図5の主要部を拡大した)
図6は、フリップチップ方式でCOF実装を行う実装装置の一例を示すもので、ダイシング済のウェハWから半導体チップCをピックアップしてフィルム基板Fにフリップチップ実装するものである。ここで、半導体チップCの電極であるバンプとフィルム基板Fの接合は、電極ピッチが狭くても信頼性が得られるよう金属同士を直接接合している。具体的には、金錫共晶接合が主に用いられている。
【0005】
金錫共晶接合を行うために両電極を高温に加熱する必要があり、ボンディングヘッド2のヒータ部22は400℃程度まで昇温され、ヒータ部22の下面に吸着保持された半導体チップCが加熱され、半導体チップCの電極とフィルム基板Fに設けられた電極が対向密着した状態で加圧されることで接合する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
図5およ
図6の実装装置において、半導体チップCの実装を繰り返し行うことにより、半導体チップCを吸着保持するヒータ22の下面に付着した汚れが硬化しながら堆積されていくことが知られている(特許文献1等)。このような堆積物は、半導体チップCの吸着、加圧および加熱に悪影響を及ぼすことから、適宜除去する必要がある。
【0008】
このため、一定回数の実装を行った後にヒータ22の下面を清掃する機構を実装装置に組み込むことが多い。
【0009】
図5および
図6においては、清掃手段7が構成要素として含まれており、清掃手段7に設けた砥石71によりヒータ22の下面の堆積物除去している。具体的には、ボンディングヘッド2がステージ3と対向する状態から、定期的に清掃手段7と対向する位置に移動し、ヒータ22と砥石71を密着させながらXY面内で相対移動させている。なお、ヒータ22の下面への汚れ付着の度合いは、ウェハWの違い等の種々の条件の違いによって異なるため、清掃に要する時間は確実性を重視して長めに設定する傾向がある。
【0010】
このような清掃は、比較的簡単な構成で自動的に行えるため、オペレータに対する負荷は小さい。ただし、清掃に要する時間は、実装装置としての実稼働率を低下させている。また、砥石71で汚れを除去する場合、削りカスが装置内に飛散し、実装品質に悪影響を及ぼす懸念もあり、削りカスを回収する機構を付加すると装置のコストアップになる。
【0011】
さらに、昨今では、実装のサイクルタイムを短縮する一環として、加熱温度の高温化が進んでおり、ヒータ22の温度に対する要求も500℃前後に達している。このようなヒータ22の温度上昇により実装1回毎の時間は短縮される一方で、汚れの硬化および堆積も加速される傾向にあり、従来以上の高頻度でヒータ22の下面を清掃する必要が生じており、サイクルタイム短縮に見合った生産性向上にはなっていない。
【0012】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体チップをフィルム基板に実装するのに際して、サイクルタイムが短く、生産性に優れた実装装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【0013】
上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、
フィルム基板上の半導体チップを加熱および加圧することで、前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極を接合して、前記半導体チップを前記フィルム基板に実装する実装装置であって、
前記半導体チップを加熱するヒータ部と、前記ヒータ部と連結した位置に脱着可能に設けられ、前記半導体チップを加圧する面を備えたアタッチメントと、を有するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドによる前記半導体チップの可圧時に、加圧領域を前記フィルム基板側から支持する基板ステージと、前記アタッチメント脱着時に、前記アタッチメントを搬送するアタッチメント搬送手段とを備え、
前記アタッチメント搬送手段がヒータを内蔵している実装装置である。
【0014】
請求項2に記載の発明は、
フィルム基板上の半導体チップを加熱および加圧することで、前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極を接合して、前記半導体チップを前記フィルム基板に実装する実装装置であって、
前記半導体チップを加熱するヒータ部と、前記ヒータ部と連結した位置に脱着可能に設けられ、前記半導体チップを加圧する面を備えたアタッチメントと、を有するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドによる前記半導体チップの可圧時に、加圧領域を前記フィルム基板側から支持する基板ステージと、前記アタッチメント脱着時に、前記アタッチメントを搬送するアタッチメント搬送手段と、実装前のフィルム基板と半導体チップの位置合わせをするための上下2視野カメラを備え、
前記アタッチメント搬送手段が前記上下2視野カメラに連結された実装装置である。
【0015】
請求項3に記載の発明は、
フィルム基板上の半導体チップを加熱および加圧することで、前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極を接合して、前記半導体チップを前記フィルム基板に実装する実装装置であって、
前記半導体チップを加熱するヒータ部と、前記ヒータ部と連結した位置に脱着可能に設けられ、前記半導体チップを加圧する面を備えたアタッチメントと、を有するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドによる前記半導体チップの可圧時に、加圧領域を前記フィルム基板側から支持する基板ステージと、前記アタッチメント脱着時に、前記アタッチメントを搬送するアタッチメント搬送手段と、前記ボンディングヘッドから外された状態の前記アタッチメントを洗浄する洗浄手段を備えた実装装置である。
【0016】
請求項4に記載の発明は、請求項1から請求項3の何れかに記載の実装装置であって、
前記ヒータ部が450℃以上に昇温可能な実装装置である。
【0017】
請求項5に記載の発明は、
請求項1から請求項4の何れかに記載の実装装置であって、
前記フィルム基板上の電極と前記半導体チップの電極の一方の電極は金メッキを施され、他方が錫メッキを施され、加熱により両電極が金錫共晶接合される実装装置である。
【発明の効果】
【0018】
本発明により、半導体チップをフィルム基板に実装するのに際して、サイクルタイムが短く、生産性に優れた実装装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【
図1】本発明の実施形態に係る実装装置の構成を示す図である。
【
図2】本発明の実施形態に係る主要部分について説明する図である。
【
図3】本発明の実施形態に係る実装装置がアタッチメント脱着を行う状態を示す図である。
【
図4】本発明の実施形態に係るアタッチメント搬送手段の別形態を示す図である。
【
図5】フィルム基板に半導体チップを実装する実装装置の従来例である。
【
図6】フィルム基板に半導体チップを実装する実装装置の主要部分を示す図である。
【
図7】フィルム基板に半導体チップを実装する実装装置の従来例で半導体チップ吸着面を清浄する状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0020】
本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
図1は本発明の実施形態に係る実装装置1の構成を示す図であり、
図2は実装装置1の主要部分の構成を示す図である。
図1の実装装置1は、半導体チップCをフィルム基板Fに実装する装置であり、半導体チップCの電極であるバンプとフィルム基板Fの電極を接合するものである。
【0021】
本実施形態において半導体チップCのバンプは金メッキを施されたもので、フィルム基板Fの電極は錫メッキを施されたものであり、加熱により両電極が金錫共晶接合されるものである。ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体チップCのバンプに錫メッキが施され、フィルム基板Fの電極に金メッキが施されたものでもよく、更には、両電極を接合する際に高温が必要な実装に利用できるものである。
【0022】
また、フィルム基板Fは耐熱性を有するポリイミド等の樹脂フィルム表面に電極パターンが形成されたもので、順次搬送されながら所定位置に半導体チップCが実装されるものである。フィルム基板Fは図示していないフィルム搬送機構により連続的に搬送されるもので、
図1ではフィルム基板Fが左から右に搬送される例を示している。
【0023】
ボンディングヘッド2は、半導体チップCを保持して加熱する機能を有しているとともに、図示していないヘッド駆動ユニットにより上下(Z方向)に移動して半導体チップCを対向面に加圧する機能を有している。また、ボンディングヘッド2はヘッド駆動ユニットにより、XY方向および、Z軸に対する回転方向であるθ方向に移動可能となっている。
【0024】
ボンディングヘッド2は、
図2に示すように、ヘッド本体21、ヒータ部22、アタッチメント22によって構成されている。ヘッド本体21はヒータ部22を下側に保持しつつ、ヒータ部22の熱を遮断した状態でヘッド駆動ユニットによって駆動される。ヒータ部22は、アタッチメント23を介して半導体チップCを加熱するもので電熱ヒータを内蔵している。なお、本発明における電熱ヒータとして加熱温度が400℃以上のコンスタントヒータを前提としているが、加熱温度が450℃以上の場合に発明の効果が大きく、500℃以上で顕著な効果が得られる。また、加熱温度が450℃以上であればコンスタントヒータに限定されるものではなく、セラミックヒータであっても良い。
【0025】
アタッチメント23は、半導体チップCと密着する面を有し、ヒータ部22で発生した熱を半導体チップCに伝える機能も有している。本発明において、アタッチメント23はヒータ部22に対して脱着可能に設けられており、ヒータ部22に吸着保持されるようになっている。なお、ヒータ部22、アタッチメント23の材質としては、寸法安定性も含む耐熱性、伝熱性に優れた、金属やセラミックスから選定される。
【0026】
ステージ3は、ボンディングヘッド2によって半導体チップCとフィルム基板Fを加圧する際に、加圧領域をフィルム基板F側から支持するものであり、ステージ本体31とステージアタッチメント32から構成されるが、ステージ本体31に電熱ヒータを内蔵するなどして、ステージアタッチメント32を昇温する機能を備えていてもよい。また、ステージ3をXY方向やZ方向に駆動するステージ駆動ユニットがあってもよい。
【0027】
上下2視野カメラ4は、半導体チップCのバンプとフィルム基板Fの電極の位置が合うように、半導体チップCとフィルム基板Fの位置合わせを行うために相対位置の観察を行うものであり、XY方向に移動可能でありZ方向に移動する機能を備えていてもよい。具体的には、半導体チップCのバンプ側の面にあるアライメントマークと、フィルム基板Fの電極側の面にあるアライメントマークを観察して両者の相対位置を掌握するものである。相対位置観察後は、位置合わせのために、ボンディングヘッド2等をXY面内およびθ方向で調整する。
【0028】
アタッチメント搬送手段5は、ヒータ部22から外れたアタッチメント23の搬出および、ヒータ部22に装着するアタッチメント23の搬入を行うものであり、
図1および
図2では、スライドレール51と、アタッチメント23を保持し、スライドレール51上を移動するテーブル52によって構成される例を示している。ここで、テーブル52はアタッチメント23を吸着保持する機能を有していることが好ましく、アタッチメント23を加熱するヒータを内蔵していてもよい。
【0029】
チップ供給手段6は、ダイシングされたウェハWから半導体チップCをピックアップして、ボンディングヘッド2に受け渡す機能を有するものである。チップ供給手段6は、ウェハWをダイシングテープ側からニードル機構63で突き上げ、突き上げられた半導体チップCをチップピッカ62が吸着保持してから反転させ、スライドレール61に沿ってボンディングヘッド側に搬送するものである。
【0030】
実装装置1でアタッチメント23を交換するタイミングは、基本的に従来の実装装置がヒータ22の下面を清掃するタイミングと同様である。実装装置1では、アタッチメント23の交換に際して、以下の手順で進む。すなわち、
(1)ボンディングヘッド2がテーブル52の上に移動(
図3)してアタッチメント23の吸着を解除してテーブル52に受け渡し、
(2)テーブル52が移動して、使用済みアタッチメント23を排出、
(3)テーブル52が新たなアタッチメント23を搭載し、ボンディングヘッド2の下に移動、
(4)新たなアタッチメント23をボンディングヘッド2に受け渡し(
図3)、
(5)ボンディングヘッド2が実装を行う所定位置に移動、
となる。
【0031】
このようにアタッチメント23を交換する手順は、従来のヒータ22下面を清掃するのに比べて短時間で行うことが出来るとともに、半導体チップCと密着する面を確実に清掃したアタッチメント23に交換することが可能である。更に、アタッチメント23を脱着および搬送するのに際して削りカスのような微粉末が発生するようなこともない。
【0032】
さらに、テーブル52がヒータを内蔵していれば、新たなアタッチメント23をボンディングツール2に受け渡した直後から、アタッチメント23が熱圧着を行える程度に加熱されるので好ましい。
【0033】
また、テーブル52が2つのアタッチメント23を同時に保持できるものであるならば、上に説明した手順は以下のように短縮される、すなわち、
(1)ボンディングヘッド2が、新たなアタッチメント23を搭載したテーブル52の上に移動してアタッチメント23の吸着を解除してテーブル52に受け渡し、
(2)新たなアタッチメント23をボンディングヘッド2に受け渡し、
(3)ボンディングヘッド2が実装を行う所定位置に移動、
と短縮することもできる。
【0034】
このように、本実施形態のように、アタッチメントツール23を交換することにより、実装作業以外のロス時間を減らすことが出来、実装装置の生産性が向上する。
【0035】
なお、
図1に示した実装装置においてアタッチメント搬送手段5として、テーブル52を移動させるためのスライドレール51を備えた構成となっているが、これに限定されるものではない。例えば、
図4のようにXY方向に移動可能な上下2視野カメラに連結するようにテーブル52を設ける構成としてもよい。
【0036】
ところで、ボンディングヘッド2から取り外したアタッチメント23は洗浄することで再利用することが可能である。そのような洗浄装置を実装装置と別に設けてもよいが、実装装置がアタッチメントの洗浄手段を備える構成としてもよい。アタッチメント23に付着する堆積物の主成分が有機物であるならば、有機溶剤による洗浄手段を備える構成としてもよい。このような有機溶剤による洗浄は、従来の実装装置でヒータ22の下面を清掃するのには使用し難いものであったが、アタッチメントツールを弾着する方式とすることで採用が可能となる。
【符号の説明】
【0037】
1 実装装置
2、20 ボンディングヘッド
3 ステージ
4 上下2視野カメラ
5 アタッチメント搬送手段
6 チップ供給手段
7 表面清掃手段
8 ウェハラック
21 ヘッド本体
22 ヒーター部
23 アタッチメント
31 ステージ本体
32 ステージアタッチメント
51 スライドレール
52 テーブル
61 スライドレール
62 チップピッカ
63 ニードル機構
71 砥石
C 半導体チップ
F フィルム基板
W ウェハ(ダイシング済)