特許 7429094 実装基板の製造方法および実装基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-01-30

(45)【発行日】2024-02-07

(54)【発明の名称】実装基板の製造方法および実装基板

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/48 20100101AFI20240131BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240131BHJP

【ＦＩ】

H01L33/48

H01L33/62

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2018168574

(22)【出願日】2018-09-10

(65)【公開番号】P2020043188

(43)【公開日】2020-03-19

【審査請求日】2021-04-21

【審判番号】

【審判請求日】2022-10-12

(73)【特許権者】

【識別番号】000219314

【氏名又は名称】東レエンジニアリング株式会社

(72)【発明者】

【氏名】山本 清人

(72)【発明者】

【氏名】新井 義之

(72)【発明者】

【氏名】水谷 義人

【合議体】

【審判長】波多江 進

【審判官】吉野 三寛

【審判官】安藤 達哉

(56)【参考文献】

【文献】特表２０１６－５１２３４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１３５３０１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１６－５０３９５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１８－５０８９７１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H01L 33/00-33/64

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＬＥＤチップを被転写基板に転写し実装する実装基板の製造方法において、前記被転写基板上の前記ＬＥＤチップの少なくとも一部が転写される領域である被転写領域が前記被転写領域の周囲の領域よりも窪んだ形状となるようにガイド層を前記被転写領域の周囲の領域に形成するガイド層形成工程と、
前記被転写領域において前記ＬＥＤチップと前記被転写基板とを連結する連結剤を挿入する連結剤挿入工程と、
前記ＬＥＤチップを前記被転写領域に転写する転写工程と、
を有し、
前記ＬＥＤチップはバンプ部を有し、前記バンプ部が前記被転写基板に転写される領域が前記被転写領域であり、
所定方向における前記被転写領域の寸法は、当該所定方向における前記バンプ部の断面寸法に前記ＬＥＤチップの許容位置ずれ精度を加えた寸法であることを特徴とする、実装基板の製造方法。

【請求項2】

前記被転写領域には配線部が設けられており、前記ガイド層の厚み寸法は、前記バンプ部の高さ方向の寸法と硬化後の前記連結剤の厚み寸法と前記配線部の厚み寸法の和よりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載の実装基板の製造方法。

【請求項3】

前記ガイド層形成工程は、前記連結剤に対して撥液性を有する材料を用いて前記ガイド層を形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の実装基板の製造方法。

【請求項4】

前記ガイド層形成工程は、
前記被転写基板上に前記ガイド層を形成する材料を塗布するガイド層材料塗布工程と、
前記被転写領域上の前記ガイド層を形成する材料を除去するガイド層材料除去工程と、
を含む、請求項１から３のいずれかに記載の実装基板の製造方法。

【請求項5】

前記連結剤挿入工程は、前記被転写領域に連結する部分に前記連結剤をあらかじめ付着させた前記ＬＥＤチップを転写することにより、前記転写工程と同時に行われることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の実装基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＬＥＤチップを高精度に転写し実装する実装基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

ＬＥＤチップは、コスト低減のために小型化し、小型化したＬＥＤチップを高速・高精度に実装するための取組みが行われている。特に、ディスプレイに用いられるＬＥＤはマイクロＬＥＤと呼ばれる５０μｍ×５０μｍ以下のＬＥＤチップを数μｍの精度で高速に実装することが求められている。

【0003】

特許文献１には、ウェハに格子状に形成されたＬＥＤチップに帯状のレーザ光を照射して１ラインまたは複数ラインごとに一括して転写基板に転写したのち、転写基板に転写された後の複数のＬＥＤチップに帯状のレーザ光を照射して１ラインまたは複数ラインごとに次の転写基板に一括して転写する構成が記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１０－１６１２２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１のような方法でＬＥＤチップを各転写基板に転写するとき、転写される側の転写基板、すなわち被転写基板には、たとえば図１（Ａ）に示すようにＬＥＤチップと被転写基板とを連結する連結剤の層が設けられている。図１（Ａ）は被転写基板１００の断面図を示す。被転写基板１００の基板１０１の上面（Ｚ軸方向上側の面）には配線部１０２が設けられている。配線部１０２は図示しない電源や制御装置からの電気信号等を伝える働きをする。配線部１０２を含む基板１０１の上面に導電性物質を含む連結剤で構成された連結層１０３が設けられている。この連結剤は、たとえば積水化学工業株式会社のはんだ粒子入り異方導電性ペーストのように、加熱により連結剤中の導電性物質が金属間、すなわち、ＬＥＤチップ１０５のバンプ部１０６と配線部１０２との間で凝集し硬化する性質を有している。

【0006】

ＬＥＤチップ１０５の被転写基板１００への被転写基板１００への転写は、図１（Ｂ）に示すように、レーザーリフトオフ法によりＬＥＤチップ１０５を転写基板１０４から切り離し被転写基板１００の連結層１０３上に落下させることによって行われる。ＬＥＤチップ１０５が連結層１０３上に到着したのち、ＬＥＤチップ１０５が載った被転写基板１００を図示しない加熱機構により加熱処理することによって、ＬＥＤチップ１０５と被転写基板１００とを連結層１０３の連結剤に含まれる導電性物質を挟んで連結させる。このようにしてＬＥＤチップ１０５を被転写基板１００に実装させる。

【0007】

ここで、被転写基板１００が加熱処理されるときに加熱により連結層１０３を構成する連結剤の流動性が上がり、ＬＥＤチップ１０５と接している連結層１０３の結合剤に液流れが生じる。この連結剤の液流れにより、たとえば図１（Ｃ）に示すように、加熱処理後に被転写基板１００上のＬＥＤチップ１０５の位置がずれてしまう可能性があった。ここで、図１（Ｃ）において正しい位置に転写されたＬＥＤチップ１０５の状態をＬＥＤチップ１０５ａに示す。また、転写後の連結剤の流動によりＬＥＤチップ１０５が横流れした位置に転写された状態を１０５ｂに示し、転写後の連結剤の流動により回転した位置に転写された状態をＬＥＤチップ１０５ｃに示し、転写後の連結剤の流動により傾いた位置に転写された状態をＬＥＤチップ１０５ｄに示す。

【0008】

本発明は、上記課題を鑑み、転写後の被転写基板上での連結剤の流動に伴うＬＥＤチップの位置ずれを低減することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

上記課題を解決するための本発明の実装基板の製造方法は、ＬＥＤチップを被転写基板に転写し実装する実装基板の製造方法において、前記被転写基板上の前記ＬＥＤチップの少なくとも一部が転写される領域である被転写領域が前記被転写領域の周囲の領域よりも窪んだ形状となるようにガイド層を前記被転写領域の周囲の領域に形成するガイド層形成工程と、前記被転写領域において前記ＬＥＤチップと前記被転写基板とを連結する連結剤を挿入する連結剤挿入工程と、前記ＬＥＤチップを前記被転写領域に転写する転写工程と、を有し、前記ＬＥＤチップはバンプ部を有し、前記バンプ部が前記被転写基板に転写される領域が前記被転写領域であり、所定方向における前記被転写領域の寸法は、当該所定方向における前記バンプ部の断面寸法に前記ＬＥＤチップの許容位置ずれ精度を加えた寸法であることを特徴とする。

【0010】

こうすることにより、転写後の連結剤の液流れに伴いＬＥＤチップの位置がずれようとしてもガイド層と被転写領域とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、ＬＥＤチップの位置を規制できる。また、ガイド層の窪みの中で連結剤の流動が制限されるので、ガイド層を設けない場合に比べて転写時の連結剤の液流れを抑制でき転写時のＬＥＤチップの位置ずれを低減できる。

【0013】

また、前記ガイド層形成工程は、前記連結剤に対して撥液性を有する材料を用いて前記ガイド層を形成してもよい。

【0014】

連結剤に対して撥液性を有する材料を用いてガイド層を形成することにより印刷法等を用いて連結剤を必要な箇所に一括で充填できる。

【0015】

また、前記ガイド層形成工程は、前記被転写基板上に前記ガイド層を形成する材料を塗布するガイド層材料塗布工程と、前記被転写領域上の前記ガイド層を形成する材料を除去するガイド層材料除去工程と、を含んでもよい。

【0016】

こうすることで、ガイド層を形成する材料を被転写基板の被転写面にべた塗りしてから被転写領域上のガイド層をフォトリソ法やレーザアブレーション法等を用いて容易にガイド層を形成できる。

【0017】

また、前記連結剤挿入工程は、前記被転写領域に連結する部分に前記連結剤をあらかじめ付着させた前記ＬＥＤチップを転写することにより、前記転写工程と同時に行われてもよい。

【0018】

予めＬＥＤチップのバンプ先端に連結剤を付着させておくことで、連結剤の量を必要最小限にできる。

【発明の効果】

【0023】

本発明の実装基板の製造方法または被転写基板を用いることにより、転写後の連結剤の流動に伴うＬＥＤチップの位置ずれを低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】ＬＥＤチップ転写後の連結剤の流動に伴う位置ずれを示す図である。

【図2】実施例１の実装基板の製造方法のフローを示す図である。

【図3】実施例１の実装基板の製造方法を説明する図である。

【図4】実施例１の実装基板の製造方法を説明する図である。

【図5】実施例２の実装基板の製造方法を説明する図である。

【図6】実施例３の実装基板の製造方法のフローを示す図である。

【図7】実施例３の実装基板の製造方法を説明する図である。

【図8】実施例３の実装基板の製造方法を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

本発明の実装基板の製造方法と被転写基板の実施例について図を用いて説明する。

【実施例1】

【0026】

本発明の実施例１の実装基板の製造方法について図２、図３、図４を用いて説明する。図２は実施例１の実装基板の製造方法のフローであり、図３および図４は実施例１の実装基板の製造方法を説明する図である。実施例１の実装基板の製造方法図２に示すように、ガイド層形成工程（Ｓ１１）、連結剤挿入工程（Ｓ１２）、転写工程（Ｓ１３）、熱処理工程（Ｓ１４）の順序での実装基板を製造する方法である。また、本発明の実施例１の実装基板の製造方法に用いられるＬＥＤは、たとえばマイクロＬＥＤと呼ばれる５０μｍ×５０μｍ以下のＬＥＤチップである。

【0027】

ガイド層形成工程（Ｓ１１）は、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように配線部１２が設けられた基板１１上にガイド層１５を設けた被転写基板１０を構成する工程である。ここで図３（Ａ）は配線部１２が設けられた基板１１の断面図を示す。基板１１において上面（Ｚ軸方向上側の面）に配線部１２が設けられている。配線部１２はＹ軸方向に長い複数の配線で構成されており、ＬＥＤチップ５が被転写基板１０上に実装される位置でのバンプ部６の配列に合わせたピッチでＸ軸方向に並べられており、配線部１２に連結したＬＥＤチップ５に図示しない電源や制御装置からの電気信号等を伝える働きをする。

【0028】

本実施例では、ガイド層形成工程（Ｓ１１）は、配線部１２が設けられた基板１１の上面にガイド層を形成するガイド層材料１７を塗布するガイド層材料塗布工程（Ｓ１１ａ）とＬＥＤチップ５の少なくとも一部であるバンプ部６が転写される被転写基板１０上の領域である被転写領域１６にあるガイド層材料１７を除去するガイド層材料除去工程（Ｓ１１ｂ）とを有する。

【0029】

最初にガイド層材料塗布工程（Ｓ１１ａ）では、配線部１２を含む基板１１の上面にガイド層形成材料１７を、たとえばダイコーティング法等を用いて図３（Ｂ）に示すような基板１１の上面を平坦な面で覆う形状になるようにべた塗りする。本実施例ではガイド層形成材料１７は非導電性と後述する連結剤３に対する撥液性との両方の性質を併せ持つ材料、たとえばＡＧＣ株式会社のサイトップのような材料を用いている。

【0030】

続いてガイド層材料除去工程（Ｓ１１ｂ）では、ガイド層材料塗布工程（Ｓ１１ａ）で基板１１の上面に塗布されたガイド層形成材料１７のうち、ＬＥＤチップ５の少なくとも一部であるバンプ部６が転写される被転写基板１０上の領域である被転写領域１６上に塗布されたガイド層形成材料１７を、たとえば図３（Ｃ）に示すようにレーザーアブレーション法等を用いて除去しガイド層１５を形成する。

【0031】

ここで被転写領域１６の大きさは、ＬＥＤチップ５の実装位置での許容位置ずれ精度を考慮した寸法であり、バンプ部６の水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）の断面寸法よりＬＥＤチップ５の実装位置での許容位置ずれ精度分だけ大きい。また、ガイド層１５の高さ方向（Ｚ軸方向）の厚み寸法はバンプ部６の高さ方向（Ｚ軸方向）寸法と後述する熱処理工程（Ｓ１４）でバンプ部６と被転写領域１６との間で硬化する連結剤３の厚みと配線部１２の厚みとの和より小さい。また、被転写領域１６の大きさに対して配線部１２のＹ軸方向の幅は大きくても小さくてもよい。

【0032】

このようにして、被転写基板１０上の被転写領域１６が、被転写領域１６の周囲の領域よりも窪んだ形状となるようなガイド層１５を被転写領域１６の周囲の領域に形成する。ここで本実施例の被転写領域１６の大きさは、チップ５の実装位置での許容位置ズレ精度を考慮したバンプ部６の水平方向の断面寸法であるので、一つのバンプ部６がガイド層１５と被転写領域１６で囲まれた一つの窪みに収める形態となる。

【0033】

続いて 連結剤挿入工程（Ｓ１２）で、被転写領域１６にＬＥＤチップ５と被転写基板１０とを結合する導電性物質を含む連結剤３を挿入する。ここで連結剤３は、たとえば積水化学工業社のはんだ粒子入り異方導電性ペーストや金属ペースト等である。本実施例ではガイド層１５は連結剤３に対する撥液性を有する材料で構成されているので、たとえば図３（Ｄ）で示すようにスキージ１９を用いて容易に多くの被転写領域１６に一度で挿入することができる。連結剤３に対する撥液性を有する材料で構成されていないガイド層１５の場合は、たとえばディスペンサのようなもので連結剤３を被転写領域１６に挿入すればよい。このようにして、図４（Ａ）に示すような被転写基板１０を製造する。ここで被転写基板１０において、連結剤３が挿入された部分を連結部１３という。

【0034】

続いて転写工程（Ｓ１３）で、図４（Ｂ）に示すようにレーザーリフトオフ法により転写基板４に一方の面を保持されたＬＥＤチップ５を転写基板４から切り離し、図４（Ｃ）に示すように被転写基板１０の被転写領域１６上、すなわち連結部１３上にＬＥＤチップ５を落下させ転写させる。

【0035】

続いて熱処理工程（Ｓ１４）で、図４（Ｄ）に示すようにＬＥＤチップ５が載った被転写基板１０を図示しない加熱機構により加熱し連結部１３の連結剤３を硬化させ、連結剤３中の導電性物質を介してバンプ部６と配線部１２とを連結させる。

【0036】

ここで被転写基板上では、一つのＬＥＤチップ５に設けられた複数のバンプ部６がガイド層５と被転写領域１６とで囲まれた複数の窪みに嵌っている。被転写基板１０の加熱に伴い、連結部１３内では連結剤３が加熱されることにより一時的に連結剤３の流動性が上がり連結剤３の液流れが生じる。また、連結剤３の流動性が常温において高い場合でも同様に連結部１３内ではバンプ部６との接触により連結剤３の液流れが生じる可能性がある。連結剤３の液流れによりＬＥＤチップ５の位置がずれようとしてもガイド層１５と被転写領域１６とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、ＬＥＤチップ５の位置が規制される。突出したバンプ部６がガイド層５と被転写領域１６とで囲まれた複数の窪みに嵌ることにより、転写後のＬＥＤチップ５の位置ずれが生じにくくなる。

【0037】

また、ガイド層１５と被転写領域１６とで形成される窪みの中で連結剤３の流動が制限されるので、ガイド層１５を設けない場合に比べて加熱による連結部１３内の連結剤３の液流れを抑制でき、ＬＥＤチップ５の転写後の連結剤３の流動に伴うＬＥＤチップ５の位置ずれを低減できる。

【0038】

また、ガイド層１５を設けない被転写基板では、連結剤３に含まれる導電性物質が加熱によりバンプ部６と配線部１２との間で凝集する過程で凝集の仕方によっては、隣の配線部１２とバンプ部６が短絡するように凝集してしまう可能性もあるが、本実施例のようなガイド層１５を設けることにより連結剤３に含まれる導電性物質の凝集の仕方に起因する短絡を防ぐことができる。

【実施例2】

【0039】

本発明の実施例２の実装基板の製造方法について図５にて説明する。実施例２は、連結剤挿入工程（Ｓ１２）において、実施例１の被転写領域１６上ではなく、ＬＥＤチップ５のバンプ部６に直接連結剤３をあらかじめ付着させてからＬＥＤチップ５の被転写領域２６への転写と同時にバンプ部６にあらかじめ付着させた連結剤３を被転写領域２６に挿入しＬＥＤチップ５の転写と同時に被転写領域１６上に挿入することが実施例１と異なる。

【0040】

図５（Ａ）は、転写基板４に一方の面を保持されたＬＥＤチップ５を被転写基板２０上の被転写領域２６に転写するために被転写基板２０と対向する位置にセットした状態を示す。ここで被転写基板２０は、配線部２２が設けられた基板２１の上面に実施例１で説明したガイド層形成工程（Ｓ１１）によりガイド層２５が設けられている。

【0041】

ここで、ＬＥＤチップ５のバンプ部６には、連結剤挿入工程（Ｓ１２）により連結剤３があらかじめ付着されている。ここでのバンプ部６への連結剤３の付着方法は問われない。たとえばディップ法のような方法を用いて塗布されてもよいし、他の方法でもよい。

【0042】

続いて、転写工程（Ｓ１３）でレーザーリフトオフ法によりＬＥＤチップ５を転写基板４から切り離し被転写領域２６上に落下させ転写させる。図５（Ｂ）は、転写基板４からレーザーリフトオフ法によりＬＥＤチップ５が切り離され落下している状態を示す。また、図５（Ｃ）は、ＬＥＤチップ５が被転写領域２６上に落下し転写した状態を示す。

【0043】

続いて、熱処理工程（Ｓ１４）で図示しない加熱機構により被転写基板２０を加熱する。ここでＬＥＤチップ５のバンプ部６に塗布された連結剤３の流動に伴いＬＥＤチップ５の位置がずれようとしてもガイド層２５と被転写領域２６とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、ＬＥＤチップ５の位置が規制される。

【0044】

こうすることでＬＥＤチップ５の転写後の被転写基板２０上での連結剤３の流動に伴うＬＥＤチップ５の位置ずれを低減することができる。

【0045】

また、連結剤挿入工程（Ｓ１２）が、前記被転写領域２６に連結する部分に連結剤３をあらかじめ付着させたＬＥＤチップ５を転写することにより、転写工程（Ｓ１３）と同時に行われることで、連結剤３の量を必要最小限にできる。

【0046】

ここで、連結剤３の量を必要最小限にすることで被転写基板２０とＬＥＤチップ５との密着性低下の懸念が考えられたとしても、図５（Ｄ）に示すように熱処理工程（Ｓ１４）でプレス機構２９を用いて加圧しながら図示しない加熱機構により熱処理することでバンプ部６と配線部１２との間にしっかりと連結剤３を行き渡らせることができ、被転写基板２０とＬＥＤチップ５との間で連結剤３を介した密着性を上げることができる。

【実施例3】

【0047】

本発明の実施例３の実装基板の製造方法について図６、図７、図８にて説明する。実施例３の実装基板の製造方法は、図６のフローに示すように実施例１の熱処理工程（Ｓ１４）の後に検査工程（Ｓ１５）とガイド層除去工程（Ｓ１６）と予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）と予備ＬＥＤチップ転写工程（Ｓ１８）と予備ＬＥＤ熱処理工程（Ｓ１９）とを更に有していることが実施例１と異なる。図７（Ａ）は実施例１と同じ方法で製造された実装基板である被転写基板３０の平面図で図７（Ｂ）は図７（Ａ）のａ矢視図を、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のｂ矢視図を示す。

【0048】

実施例３の実装基板の製造方法では、ガイド層形成工程（Ｓ１１）、連結剤挿入工程（Ｓ１２）、転写工程（Ｓ１３）、熱処理工程（Ｓ１４）は同じ工程である。

【0049】

検査工程（Ｓ１５）で、図７（Ａ）に示すような実施例１と同じ方法で製造された実装基板である被転写基板３０を、たとえば点灯検査等により検査し、被転写基板３０に転写されたＬＥＤチップ５について良・不良を個別に判別する。

【0050】

本実施例に用いられる被転写基板３０は、図７（Ａ）に示すように検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８の近傍に新たに予備ＬＥＤチップ９用の被転写領域である予備被転写領域３９を設けるスペースを有している。ここで予備被転写領域３９を設けるスペースは、図７（Ａ）に示すように転写されたそれぞれのＬＥＤチップ５の近傍のＬＥＤチップ５が転写されていない場所で、図７（Ｂ）、（Ｃ）に示すように対象のＬＥＤチップ５が連結している配線部３２が設けられている場所にあらかじめ予定されている。

【0051】

続いてガイド層除去工程（Ｓ１６）で、予備被転写領域３９上のガイド層３５を、図８（Ｂ）に示すようにたとえばレーザーアブレーション法等を用いて除去し、新たに予備被転写領域３９を設ける。

【0052】

続いて予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）で、図８（Ｃ）で示すようにガイド層除去工程（Ｓ１６）でガイド層３５を除去した予備被転写領域３９とガイド層３５に囲まれた窪みに連結剤３を、たとえばディスペンサー３８を用いて挿入し連結部３３を形成する。

【0053】

続いて予備ＬＥＤ転写工程（Ｓ１８）で、図８（Ｄ）に示すように予備連結剤挿入工程（Ｓ１７）で連結剤３を挿入された予備被転写領域３９上に予備ＬＥＤチップ９をレーザーリフト法により転写する。

【0054】

続いて予備ＬＥＤ熱処理工程（Ｓ１９）で被転写基板２０を図示しない加熱機構により加熱し、予備ＬＥＤチップ９が載った被転写基板１０を図示しない加熱機構により加熱し連結剤３を硬化し、連結剤３中の導電性物質を介して予備ＬＥＤチップ９のバンプ部６と配線部３２とを連結する。

【0055】

ここで、被転写基板１０の加熱に伴い、連結部３３内では連結剤３が加熱されることにより一時的に連結剤３の流動性が上がり連結剤３の液流れが生じる。連結剤３の液流れにより予備ＬＥＤチップ９の位置がずれようとしてもガイド層３５と被転写領域３６とで形成される窪みの壁面がガイドとなり、予備ＬＥＤチップ９の位置が規制される。また、ガイド層３５と被転写領域３６とで形成される窪みの中で連結剤３の流動が制限されるので、ガイド層除去工程（Ｓ１６ａ）で被転写領域３６よりも大きくガイド層３５を除去する場合に比べて加熱による連結部３３内の連結剤３の液流れを抑制でき、予備ＬＥＤチップ９の転写後の連結剤３の流動に伴う予備ＬＥＤチップ９の位置ずれを低減できる。

【0056】

また、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去して同じ場所に予備ＬＥＤチップを実装するリペア方法では、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を完全に除去しきれない場合、同じ箇所に新たに予備ＬＥＤチップを実装しても不良となる可能性がある。上述のように実施例３の実装基板の製造方法では、検査工程（Ｓ１５）で不良と判断されたＬＥＤチップ８を除去せずに新たに予備ＬＥＤチップ９を実装するため、同じ箇所に新たな予備ＬＥＤチップ９を実装するよりもリペアした箇所が再び不良となる可能性が低減され確実なリペアができる。

【0057】

また、ガイド層３５が連結剤３を撥液する材料で形成されている場合は、撥液の効果で連結剤３がガイド層３５と予備被転写領域３９とで囲まれたくぼみに収まりやすいため、インクジェット法やディスペンサ等でスポットで確実に連結剤３を挿入できるので、連結剤３の材料利用率がよくなる。

【0058】

また、特にサイズの小さいＬＥＤチップ、たとえばマイクロＬＥＤチップ等の実装基板では、ＬＥＤチップのサイズが小さく、またＬＥＤチップ間に新たなＬＥＤチップを実装するスペースがある場合が多く、検査で不良と判断されたＬＥＤチップを除去しないでリペアする本発明の実施例３のような実装基板の製造方法を用いることに適している。

【0059】

以上、本発明の実施例について説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。たとえば、本発明の実装基板の製造方法のガイド層形成にレーザーアブレーション法ではなく、フォトリソ法を用いて形成してもよいし、他の方法でもよい。

【0060】

また、ガイド層は連結剤に対する撥液性を有していなくてもよい。その場合、連結剤挿入工程ではインクジェット法等によりピンポイントでガイド層と被転写領域で囲まれたくぼみに連結剤を塗布すればよい。

【0061】

また、ガイド層は被転写領域の周囲の領域に形成されていればよく、被転写領域以外の基板上全てに形成されていなくてもよい。たとえば、被転写基板上でストライプ形状に形成されたガイド層であってもよい。

【0062】

また、ガイド層材料は非導電性を有していなくてもよい。その場合、たとえば、おなじＬＥＤチップが連結する配線部が含まれる被転写領域の周囲に設けられるガイド層と、その配線部に連結しないＬＥＤチップが連結する別の配線部が含まれる別の被転写領域の周囲に設けられるが別のガイド層とは、接触していなければよい。

【0063】

また、実施例３の予備連結剤挿入工程は、あらかじめ予備ＬＥＤチップのバンプ部に連結剤を付着させておいてもよい。

【0064】

また、連結剤３は常温で流動性を有していてもよい。その場合、加熱しなくても常温で硬化するものであってもよい。

【0065】

また、ガイド層と被転写領域に囲まれた一つの窪みに、一つのＬＥＤチップに設けられた全てのバンプ部を収める実装基板であってもよい。

【符号の説明】

【0066】

３ 連結剤
４ 転写基板
５ ＬＥＤチップ
６ バンプ部
８ 不良と判断されたＬＥＤチップ
９ 予備ＬＥＤチップ
１０，２０，３０ 被転写基板
１１，２１，３１ 基板
１２，２２，３２ 配線部
１３，２３，３３ 連結部
１５，２５，３５ ガイド層
１６，２６，３６ 被転写領域
１７ ガイド層形成材料
１９ スキージ
２０ 被転写基板
２９ プレス機構
３０ 被転写基板
３８ ディスペンサ
３９ 予備被転写領域
１００ 被転写基板
１０１ 基板
１０２ 配線部
１０３ 連結層
１０４ 転写基板
１０５ ＬＥＤチップ
１０６ バンプ部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】