(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-31
(45)【発行日】2024-02-08
(54)【発明の名称】絶縁通信部品およびモジュール
(51)【国際特許分類】
H01L 21/822 20060101AFI20240201BHJP
H01L 27/04 20060101ALI20240201BHJP
H01L 21/3205 20060101ALI20240201BHJP
H01L 21/768 20060101ALI20240201BHJP
H01L 23/522 20060101ALI20240201BHJP
H01F 27/36 20060101ALI20240201BHJP
H01F 30/10 20060101ALI20240201BHJP
【ＦＩ】
H01L27/04 L
H01L27/04 A
H01L27/04 C
H01L27/04 E
H01L27/04 H
H01L21/88 S
H01F27/36 123
H01F30/10 D
H01F30/10 H
【請求項の数】
14
(21)【出願番号】P 2021098824
(22)【出願日】2021-06-14
(62)【分割の表示】P 2020541827の分割
【原出願日】2019-12-25
(65)【公開番号】P2021166295
(43)【公開日】2021-10-14
【審査請求日】2022-12-13
(31)【優先権主張番号】P 2019043036
(32)【優先日】2019-03-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002310
【氏名又は名称】弁理士法人あい特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】長田 光生
【審査官】河合 俊英
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１６－０２８４０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１４９９４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２００８－５０２２１５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－２７７５６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１３／０２７８３７２（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／８２２
Ｈ０１Ｌ ２１／３２０５
Ｈ０１Ｆ ２７／３６
Ｈ０１Ｆ ３０／１０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内において前記主面側に配置され、第１内側領域を区画する内周部を有する第１螺旋導体パターンと、
前記主面の法線方向に前記絶縁層の一部を挟んで前記第１螺旋導体パターンと対向するように前記第１螺旋導体パターンの下方に配置され、前記法線方向に前記第１内側領域に対向する第２内側領域を区画する内周部を有する第２螺旋導体パターンと、
前記主面の面方向に関して前記第１螺旋導体パターンのライン幅よりも大きい幅を有し、前記第１螺旋導体パターンの内周部に電気的に接続されるように前記第１内側領域に配置され、前記第１螺旋導体パターンの内周部に第１電位を付与する第１接続電極と、
前記主面の面方向に関して前記第２螺旋導体パターンのライン幅よりも大きい幅を有し、前記第２螺旋導体パターンの内周部に電気的に接続されるように前記第２内側領域に配置され、前記第２螺旋導体パターンの内周部に前記第１電位とは異なる第２電位を付与する第２接続電極と、を含み、
前記第１螺旋導体パターンの外周部は、前記主面の面方向に沿って前記第２螺旋導体パターンの外周部よりも外側に張り出した部分を有し、
前記第１接続電極は、平面視および断面視において前記第２螺旋導体パターンの内周部および前記第２接続電極の間に介在された前記絶縁層の一部に対向し、かつ、前記第２螺旋導体パターンおよび前記第２接続電極に対向しないように前記第２螺旋導体パターンおよび前記第２接続電極から前記主面の面方向にずれて配置され、
前記第２接続電極は、平面視および断面視において前記第１螺旋導体パターンの内周部および前記第１接続電極の間に介在された前記絶縁層の一部に対向し、かつ、前記第１螺旋導体パターンおよび前記第１接続電極に対向しないように前記第１螺旋導体パターンおよび前記第１接続電極から前記主面の面方向にずれて配置され、
前記第２接続電極の幅が、前記第１螺旋導体パターンのライン幅よりも大きい、絶縁通信部品。
【請求項2】
前記第１接続電極は、断面視において、前記第１螺旋導体パターンの一方側の内周部との間で前記主面の面方向に沿う第１幅を有する第１幅狭領域を区画し、前記第１螺旋導体パターンの他方側の内周部との間で前記主面の面方向に沿う前記第１幅を超える第２幅を有する第１幅広領域を区画し、前記第２接続電極は、平面視および断面視において前記第１幅広領域に介在された前記絶縁層の一部に対向し、前記第１幅狭領域に介在された前記絶縁層の一部に対向しないように前記第１螺旋導体パターンおよび前記第１接続電極から前記主面の面方向に沿って前記第１幅広領域側にずれて配置されている、請求項１に記載の絶縁通信部品。
【請求項3】
前記第２接続電極は、断面視において、前記第２螺旋導体パターンの一方側の内周部との間で前記主面の面方向に沿う前記第１幅を超える第３幅を有する第２幅広領域を区画し、前記第２螺旋導体パターンの他方側の内周部との間で前記主面の面方向に沿う前記第２幅未満の第４幅を有する第２幅狭領域を区画し、前記第１接続電極は、平面視および断面視において前記第２幅広領域に介在された前記絶縁層の一部に対向し、前記第２幅狭領域に介在された前記絶縁層の一部に対向しないように前記第２螺旋導体パターンおよび前記第２接続電極から前記主面の面方向に沿って前記第２幅広領域側にずれて配置されている、請求項２に記載の絶縁通信部品。
【請求項4】
前記第２接続電極の下方に配置され、平面視において前記第２螺旋導体パターン外の領域に引き出された配線電極と、前記第２接続電極および前記配線電極の間に介在され、前記第２接続電極および前記配線電極に電気的に接続されたプラグ電極と、をさらに含み、
前記配線電極は、平面視および断面視において前記第１螺旋導体パターンの内周部および前記第１接続電極の間に介在された前記絶縁層の一部に対向し、かつ、前記第１接続電極に対向しないように前記主面の面方向に沿って前記第２螺旋導体パターン外の領域に引き出されている、請求項１～３のいずれか一項に記載の絶縁通信部品。
【請求項5】
前記第１接続電極は、前記第１螺旋導体パターンと同じ導電材料および同じ厚さを有し、前記第２接続電極は、前記第２螺旋導体パターンと同じ導電材料および同じ厚さを有している、請求項１～４のいずれか一項に記載の絶縁通信部品。
【請求項6】
前記第１螺旋導体パターンの外周部に電位が付与される、請求項１～５のいずれか一項に記載の絶縁通信部品。
【請求項7】
前記絶縁層の前記主面の上に配置され、前記第１螺旋導体パターンに電位を付与する第１電極パッドをさらに含む、請求項１～６のいずれか一項に記載の絶縁通信部品。
【請求項8】
前記絶縁層の前記主面の上に配置され、前記第２螺旋導体パターンに電位を付与する第２電極パッドをさらに含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の絶縁通信部品。
【請求項9】
前記第２螺旋導体パターンの下方に設けられたシリコン基板をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の絶縁通信部品。
【請求項10】
請求項１～９のいずれか一項に記載の前記絶縁通信部品と、前記絶縁通信部品を支持する支持部材と、を含む、モジュール。
【請求項11】
前記絶縁通信部品に電気信号を付与する第１デバイスと、前記絶縁通信部品からの電気信号を受信する第２デバイスと、をさらに含む、請求項１０に記載のモジュール。
【請求項12】
前記第１デバイスに第１電源電位が付与され、前記第２デバイスに前記第１電源電位を超える第２電源電位が付与される、請求項１１に記載のモジュール。
【請求項13】
前記第１デバイスは、前記絶縁通信部品にパルス信号からなる電気信号を付与する、請求項１１または１２に記載のモジュール。
【請求項14】
前記第２デバイスは、パルス信号からなる電気信号を出力する、請求項１１～１３のいずれか一項に記載のモジュール。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、絶縁通信部品およびモジュールに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１は、絶縁層を挟んで上下方向に互いに対向する一対のインダクタ（低電圧パターンおよび高電圧パターン）を有するトランス（受動デバイス）を開示している。一方のインダクタには低電圧が印加され、他方のインダクタには高電圧が印加される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１３－１１５１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
絶縁層を挟んで互いに対向する２つのパターンを含む部品では、２つのパターンの間の領域に電界が形成される。この種の電界は、耐圧を向上させる上での弊害になり得る。
本発明の一実施形態は、耐圧を向上できる絶縁通信部品、および、そのような絶縁通信部品を備えたモジュールを提供する。
本発明の一実施形態は、耐圧を向上できる絶縁通信部品、および、そのような絶縁通信部品を備えたモジュールを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態は、主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧パターン、および、前記主面の法線方向に前記低電圧パターンと対向するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧パターンを含む受動デバイスと、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンおよび前記高電圧パターンの間に形成される電界を遮蔽し、前記高電圧パターンに対する電界集中を抑制するシールド導体層と、含む、電子部品を提供する。
【0006】
本発明の一実施形態は、主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧パターン、および、前記主面の法線方向に前記低電圧パターンと対向するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧パターンをそれぞれ含み、互いに間隔を空けて前記絶縁層内に形成された複数の受動デバイスと、前記絶縁層内において互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域に介在するように複数の前記高電圧パターンの周囲に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧ダミーパターンと、を含む、電子部品を提供する。
【0007】
本発明の一実施形態は、主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内において前記主面側に配置された第１螺旋導体パターンと、前記主面の法線方向に前記絶縁層を挟んで前記第１螺旋導体パターンと対向するように前記第１螺旋導体パターンの直下に配置された第２螺旋導体パターンと、を含み、平面視において、前記第１螺旋導体パターンの外周部は、前記第２螺旋導体パターンの外周部よりも外側に張り出した部分を有している、絶縁通信部品。
【0008】
これらの電子部品によれば、耐圧を向上できる。
本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
本発明における上述の、またはさらに他の目的、特徴および効果は、添付図面を参照して次に述べる実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
図１は、本発明の第１実施形態に係る電子部品５が組み込まれた電子部品モジュール１の平面図である。図１では、内部構造の明瞭化のためパッケージ本体２の中央部を透過して示している。
図１を参照して、電子部品モジュール１のパッケージタイプは、この形態では、ＳＯＰ（Small Outline Package）である。電子部品モジュール１のパッケージタイプとしては、ＳＯＰに限らず、これに類する種々の形態が採用され得る。電子部品モジュール１のパッケージタイプは、たとえば、ＱＦＮ（Quad For Non Lead Package）、ＤＦＰ（Dual Flat Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＩＰ（Single Inline Package）、または、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）であってもよい。
図１を参照して、電子部品モジュール１のパッケージタイプは、この形態では、ＳＯＰ（Small Outline Package）である。電子部品モジュール１のパッケージタイプとしては、ＳＯＰに限らず、これに類する種々の形態が採用され得る。電子部品モジュール１のパッケージタイプは、たとえば、ＱＦＮ（Quad For Non Lead Package）、ＤＦＰ（Dual Flat Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＩＰ（Single Inline Package）、または、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）であってもよい。
【0011】
電子部品モジュール１は、この形態では、複数のチップを含む複合型モジュールである。電子部品モジュール１は、パッケージ本体２、複数のダイパッド３、複数のリード端子４、電子部品５、コントローラＩＣチップ６およびドライバＩＣチップ７を含む。
パッケージ本体２は、封止樹脂を含む。封止樹脂は、エポキシ樹脂を含んでいてもよい。パッケージ本体２は、直方体形状に形成されている。パッケージ本体２は、一方側の第１面８、他方側の第２面９、ならびに、第１面８および第２面９を接続する側面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを有している。
パッケージ本体２は、封止樹脂を含む。封止樹脂は、エポキシ樹脂を含んでいてもよい。パッケージ本体２は、直方体形状に形成されている。パッケージ本体２は、一方側の第１面８、他方側の第２面９、ならびに、第１面８および第２面９を接続する側面１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを有している。
【0012】
側面１０Ａおよび側面１０Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに互いに対向している。側面１０Ｃおよび側面１０Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに互いに対向している。第２方向Ｙは、より具体的には、第１方向Ｘに直交している。
複数のダイパッド３は、パッケージ本体２内に封止されている。複数のダイパッド３は、この形態では、直方体形状にそれぞれ形成されている。複数のダイパッド３は、この形態では、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて配置された第１ダイパッド３Ａおよび第２ダイパッド３Ｂを含む。第１ダイパッド３Ａは、パッケージ本体２の側面１０Ａ側に配置されている。第２ダイパッド３Ｂは、パッケージ本体２の側面１０Ｂ側に配置されている。
複数のダイパッド３は、パッケージ本体２内に封止されている。複数のダイパッド３は、この形態では、直方体形状にそれぞれ形成されている。複数のダイパッド３は、この形態では、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて配置された第１ダイパッド３Ａおよび第２ダイパッド３Ｂを含む。第１ダイパッド３Ａは、パッケージ本体２の側面１０Ａ側に配置されている。第２ダイパッド３Ｂは、パッケージ本体２の側面１０Ｂ側に配置されている。
【0013】
複数のリード端子４は、パッケージ本体２の側面１０Ａ側および側面１０Ｂ側にそれぞれ設けられている。各リード端子４は、パッケージ本体２内に位置する一端部、および、パッケージ本体２外に位置する他端部を有している。各リード端子４の他端部は、実装基板等の接続対象に接続される外部接続部として形成されている。
電子部品５は、入力された電気信号を昇圧させて出力するトランスチップ（すなわち絶縁通信部品）である。電子部品５は、この形態では、平面視において長方形状に形成されている。電子部品５は、パッケージ本体２の中央部に配置されている。
電子部品５は、入力された電気信号を昇圧させて出力するトランスチップ（すなわち絶縁通信部品）である。電子部品５は、この形態では、平面視において長方形状に形成されている。電子部品５は、パッケージ本体２の中央部に配置されている。
【0014】
電子部品５は、より具体的には、長辺が側面１０Ａに対向する姿勢で第１ダイパッド３Ａの上に配置されている。電子部品５は、第１ダイパッド３Ａの上において側面１０Ｂ側の領域に配置されている。電子部品５の配置は任意であり、図１に示される配置に制限されない。
電子部品５は、複数の低電圧パッド１１および複数の高電圧パッド１２を有している。複数の低電圧パッド１１は、電子部品５において側面１０Ａ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の高電圧パッド１２は、電子部品５において側面１０Ｂ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。
電子部品５は、複数の低電圧パッド１１および複数の高電圧パッド１２を有している。複数の低電圧パッド１１は、電子部品５において側面１０Ａ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の高電圧パッド１２は、電子部品５において側面１０Ｂ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。
【0015】
コントローラＩＣチップ６は、電子部品５を駆動制御するためのデバイス（第１デバイス）である。コントローラＩＣチップ６は、電子部品５に対しては低電圧デバイスである。コントローラＩＣチップ６は、この形態では、平面視において長方形状に形成されている。コントローラＩＣチップ６は、電子部品５に対して側面１０Ａ側の領域に配置されている。
【0016】
コントローラＩＣチップ６は、より具体的には、長辺が側面１０Ａに対向する姿勢で、電子部品５から間隔を空けて第１ダイパッド３Ａの上に配置されている。コントローラＩＣチップ６は、第１ダイパッド３Ａの上において側面１０Ａ側の領域に配置されている。コントローラＩＣチップ６の配置は任意であり、図１に示される配置に制限されない。
コントローラＩＣチップ６は、複数の第１入力パッド１３および複数の第１出力パッド１４を有している。複数の第１入力パッド１３は、コントローラＩＣチップ６において側面１０Ａ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第１出力パッド１４は、コントローラＩＣチップ６において側面１０Ｂ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第１入力パッド１３および複数の第１出力パッド１４の配置は任意であり、図１に示される配置に制限されない。
コントローラＩＣチップ６は、複数の第１入力パッド１３および複数の第１出力パッド１４を有している。複数の第１入力パッド１３は、コントローラＩＣチップ６において側面１０Ａ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第１出力パッド１４は、コントローラＩＣチップ６において側面１０Ｂ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第１入力パッド１３および複数の第１出力パッド１４の配置は任意であり、図１に示される配置に制限されない。
【0017】
ドライバＩＣチップ７は、電子部品５からの電気信号に応じた電気信号を生成し、負荷（たとえばスイッチングデバイス等）を駆動制御するためのデバイス（第２デバイス）である。ドライバＩＣチップ７は、電子部品５に対しては高電圧デバイスである。ドライバＩＣチップ７は、この形態では、平面視において長方形状に形成されている。ドライバＩＣチップ７は、電子部品５に対して側面１０Ｂ側の領域に配置されている。
【0018】
ドライバＩＣチップ７は、より具体的には、長辺が側面１０Ｂに対向する姿勢で第２ダイパッド３Ｂの上に配置されている。ドライバＩＣチップ７の配置は任意であり、図１に示される配置に制限されない。
ドライバＩＣチップ７は、複数の第２入力パッド１５および複数の第２出力パッド１６を有している。複数の第２入力パッド１５は、ドライバＩＣチップ７において側面１０Ａ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第２出力パッド１６は、ドライバＩＣチップ７において側面１０Ｂ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第２入力パッド１５および複数の第２出力パッド１６の配置は任意であり、図１に示される配置に制限されない。
ドライバＩＣチップ７は、複数の第２入力パッド１５および複数の第２出力パッド１６を有している。複数の第２入力パッド１５は、ドライバＩＣチップ７において側面１０Ａ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第２出力パッド１６は、ドライバＩＣチップ７において側面１０Ｂ側の長辺に沿って間隔を空けて配列されている。複数の第２入力パッド１５および複数の第２出力パッド１６の配置は任意であり、図１に示される配置に制限されない。
【0019】
コントローラＩＣチップ６の複数の第１入力パッド１３は、第１導線１７を介して、側面１０Ａ側に配列された任意のリード端子４の一端部に電気的に接続されている。コントローラＩＣチップ６の複数の第１出力パッド１４は、第２導線１８を介して、電子部品５の任意の低電圧パッド１１に電気的に接続されている。つまり、コントローラＩＣチップ６は、電子部品５の一次側（入力側）に接続されている。
【0020】
電子部品５の高電圧パッド１２は、第３導線１９を介して、ドライバＩＣチップ７の任意の第２入力パッド１５に電気的に接続されている。つまり、ドライバＩＣチップ７は、電子部品５の二次側（出力側）に接続されている。ドライバＩＣチップ７の複数の第２出力パッド１６は、第４導線２０を介して、側面１０Ｂ側に配列された任意のリード端子４の一端部に電気的に接続されている。第１導線１７、第２導線１８、第３導線１９および第４導線２０は、ボンディングワイヤであってもよい。
【0021】
図２は、図１に示す電子部品モジュール１の動作を説明するための概略構成図である。図３は、図１に示す電子部品モジュール１の動作を説明するための電圧波形図である。
図２を参照して、電子部品５は、変圧器２１を含む。変圧器２１は、上下方向に互いに対向する一次側の低電圧コイル２２（低電圧導体パターン）および二次側の高電圧コイル２３（高電圧導体パターン）を含む。高電圧コイル２３は、低電圧コイル２２に対して上側に配置され、低電圧コイル２２に対向している。
図２を参照して、電子部品５は、変圧器２１を含む。変圧器２１は、上下方向に互いに対向する一次側の低電圧コイル２２（低電圧導体パターン）および二次側の高電圧コイル２３（高電圧導体パターン）を含む。高電圧コイル２３は、低電圧コイル２２に対して上側に配置され、低電圧コイル２２に対向している。
【0022】
高電圧コイル２３は、磁気結合によって低電圧コイル２２に交流接続されると同時に、低電圧コイル２２から直流絶縁されている。つまり、ドライバＩＣチップ７は、電子部品５を介してコントローラＩＣチップ６に交流接続されると同時に、コントローラＩＣチップ６から直流絶縁されている。
低電圧コイル２２は、第１内側末端２４、第１外側末端２５、ならびに、第１内側末端２４および第１外側末端２５の間を螺旋状に引き回された第１螺旋部２６を含む。高電圧コイル２３は、第２内側末端２７、第２外側末端２８、ならびに、第２内側末端２７および第２外側末端２８の間を螺旋状に引き回された第２螺旋部２９を含む。
低電圧コイル２２は、第１内側末端２４、第１外側末端２５、ならびに、第１内側末端２４および第１外側末端２５の間を螺旋状に引き回された第１螺旋部２６を含む。高電圧コイル２３は、第２内側末端２７、第２外側末端２８、ならびに、第２内側末端２７および第２外側末端２８の間を螺旋状に引き回された第２螺旋部２９を含む。
【0023】
低電圧コイル２２の第１内側末端２４および任意の低電圧パッド１１の間には、第１低電圧配線３１が接続されている。低電圧コイル２２の第１外側末端２５および任意の低電圧パッド１１には、第２低電圧配線３２が接続されている。
高電圧コイル２３の第２内側末端２７および任意の高電圧パッド１２の間には、第１高電圧配線３３が接続されている。高電圧コイル２３の第２外側末端２８および任意の高電圧パッド１２には、第２高電圧配線３４が接続されている。
高電圧コイル２３の第２内側末端２７および任意の高電圧パッド１２の間には、第１高電圧配線３３が接続されている。高電圧コイル２３の第２外側末端２８および任意の高電圧パッド１２には、第２高電圧配線３４が接続されている。
【0024】
コントローラＩＣチップ６は、第１配線３５および第２配線３６を含む。第１配線３５および第２配線３６は、任意の第１入力パッド１３および任意の第１出力パッド１４にそれぞれ接続されている。コントローラＩＣチップ６は、さらに、第１スイッチングデバイスＳｗ１および第２スイッチングデバイスＳｗ２を含む。
第１スイッチングデバイスＳｗ１は、第１配線３５に介装されている。第１スイッチングデバイスＳｗ１は、第１配線３５に伝達される電気信号の導通および遮断を制御する。第１スイッチングデバイスＳｗ１は、トランジスタであってもよい。
第１スイッチングデバイスＳｗ１は、第１配線３５に介装されている。第１スイッチングデバイスＳｗ１は、第１配線３５に伝達される電気信号の導通および遮断を制御する。第１スイッチングデバイスＳｗ１は、トランジスタであってもよい。
【0025】
第２スイッチングデバイスＳｗ２は、第２配線３６に介装されている。第２スイッチングデバイスＳｗ２は、第２配線３６に伝達される電気信号の導通および遮断を制御する。第２スイッチングデバイスＳｗ２は、トランジスタであってもよい。
第１配線３５に接続された第１入力パッド１３は、第１導線１７を介してグランドに電気的に接続されている。第１配線３５に接続された第１出力パッド１４は、第２導線１８を介して第１内側末端２４側の低電圧パッド１１に電気的に接続されている。
第１配線３５に接続された第１入力パッド１３は、第１導線１７を介してグランドに電気的に接続されている。第１配線３５に接続された第１出力パッド１４は、第２導線１８を介して第１内側末端２４側の低電圧パッド１１に電気的に接続されている。
【0026】
第２配線３６に接続された第１入力パッド１３は、第１導線１７を介して電源３７に電気的に接続されている。電源３７は、たとえば５Ｖの電圧をコントローラＩＣチップ６に印加する。第２配線３６に接続された第１出力パッド１４は、第２導線１８を介して第１外側末端２５側の低電圧パッド１１に電気的に接続されている。
第２内側末端２７側の高電圧パッド１２は、第３導線１９を介してドライバＩＣチップ７の任意の第２入力パッド１５に電気的に接続されている。第２外側末端２８側の高電圧パッド１２は、第３導線１９を介してドライバＩＣチップ７の任意の第２入力パッド１５に電気的に接続されている。
第２内側末端２７側の高電圧パッド１２は、第３導線１９を介してドライバＩＣチップ７の任意の第２入力パッド１５に電気的に接続されている。第２外側末端２８側の高電圧パッド１２は、第３導線１９を介してドライバＩＣチップ７の任意の第２入力パッド１５に電気的に接続されている。
【0027】
ドライバＩＣチップ７には、基準電圧電源３８および電源３９が接続されている。基準電圧電源３８は、たとえば１２００Ｖの基準電圧をドライバＩＣチップ７に印加する。この基準電圧は、高電圧コイル２３にも印加されている。電源３９は、たとえば１５Ｖの電圧をドライバＩＣチップ７に印加する。
また、ドライバＩＣチップ７には、負荷の一例としてＳｉＣ－ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor field Effect Transistor）が接続される。ドライバＩＣチップ７は、１２００Ｖを基準電圧としてＳｉＣ－ＭＩＳＦＥＴを駆動制御する。
また、ドライバＩＣチップ７には、負荷の一例としてＳｉＣ－ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor field Effect Transistor）が接続される。ドライバＩＣチップ７は、１２００Ｖを基準電圧としてＳｉＣ－ＭＩＳＦＥＴを駆動制御する。
【0028】
図３を参照して、コントローラＩＣチップ６は、所定のスイッチングパターンで第１スイッチングデバイスＳｗ１および第２スイッチングデバイスＳｗ２をオン・オフ制御し、周期的なパルス信号ＰＳを生成する。
所定のスイッチングパターンは、この例では、第１印加状態（Ｓｗ１：オン、Ｓｗ２：オフ）および第２印加状態（Ｓｗ１：オフ、Ｓｗ２：オン）を含む。図３では、０Ｖ（グランド電位）を基準とした５Ｖのパルス信号ＰＳが生成された例が示されている。
所定のスイッチングパターンは、この例では、第１印加状態（Ｓｗ１：オン、Ｓｗ２：オフ）および第２印加状態（Ｓｗ１：オフ、Ｓｗ２：オン）を含む。図３では、０Ｖ（グランド電位）を基準とした５Ｖのパルス信号ＰＳが生成された例が示されている。
【0029】
コントローラＩＣチップ６によって生成されたパルス信号ＰＳは、電子部品５に入力される。電子部品５は、低電圧コイル２２から高電圧コイル２３にパルス信号ＰＳを伝達させる。これにより、パルス信号ＰＳは、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の巻線比（変圧比）に応じた分だけ昇圧される。図３では、パルス信号ＰＳが１５Ｖまで昇圧された例が示されている。
【0030】
昇圧後のパルス信号ＰＳは、ドライバＩＣチップ７に入力される。ドライバＩＣチップ７は、昇圧後のパルス信号ＰＳに応じた電気信号を生成し、ＳｉＣ－ＭＩＳＦＥＴを駆動制御する。図２および図３に示された数値は、いずれも一例に過ぎない。たとえば、二次側（高電圧側）の基準電圧は、５００Ｖ以上２０００Ｖ以下であってもよい。
図４は、図１に示す電子部品５を示す斜視図である。図５は、図４に示す電子部品５の平面図である。図６は、図４に示す電子部品５において低電圧コイル２２が形成された層を示す平面図である。図７は、図４に示す電子部品５において高電圧コイル２３が形成された層を示す平面図である。
図４は、図１に示す電子部品５を示す斜視図である。図５は、図４に示す電子部品５の平面図である。図６は、図４に示す電子部品５において低電圧コイル２２が形成された層を示す平面図である。図７は、図４に示す電子部品５において高電圧コイル２３が形成された層を示す平面図である。
【0031】
図８は、図７に示すVIII-VIII線に沿う断面図である。図９は、図７に示すIX-IX線に沿う断面図である。図１０は、図７に示す領域Xの拡大図である。図１１は、図７に示す領域XIの拡大図である。図１２は、図７に示す領域XIIの拡大図である。
図４～図９を参照して、電子部品５は、直方体形状の基板４１を含む。基板４１は、この形態では、半導体基板からなる。半導体基板を形成する半導体材料としては、Ｓｉ（シリコン）、ワイドバンドギャップ半導体、化合物半導体等を例示できる。
図４～図９を参照して、電子部品５は、直方体形状の基板４１を含む。基板４１は、この形態では、半導体基板からなる。半導体基板を形成する半導体材料としては、Ｓｉ（シリコン）、ワイドバンドギャップ半導体、化合物半導体等を例示できる。
【0032】
ワイドバンドギャップ半導体は、２．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する半導体である。ワイドバンドギャップ半導体は、ＳｉＣ（炭化シリコン）であってもよい。化合物半導体は、III-V族化合物半導体であってもよい。化合物半導体は、ＡｌＮ(窒化アルミニウム)、ＩｎＮ(窒化インジウム)、ＧａＮ（窒化ガリウム）およびＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0033】
基板４１は、この形態では、シリコン基板を含む。基板４１は、シリコン基板およびシリコンエピタキシャル層を含む積層構造を有するエピタキシャル基板であってもよい。シリコン基板は、ｎ型シリコン基板であってもよいし、ｐ型シリコン基板であってもよい。
基板４１は、一方側の第１主面４２、他方側の第２主面４３、ならびに、第１主面４２および第２主面４３を接続する基板側面４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄを有している。第１主面４２および第２主面４３は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。
基板４１は、一方側の第１主面４２、他方側の第２主面４３、ならびに、第１主面４２および第２主面４３を接続する基板側面４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４４Ｄを有している。第１主面４２および第２主面４３は、それらの法線方向Ｚから見た平面視（以下、単に「平面視」という。）において四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。
【0034】
基板側面４４Ａおよび基板側面４４Ｂは、基板４１の長辺を形成している。基板側面４４Ａおよび基板側面４４Ｂは、第１方向Ｘに沿って延び、第２方向Ｙに沿って互いに対向している。基板側面４４Ｃおよび基板側面４４Ｄは、基板４１の短辺を形成している。基板側面４４Ｃおよび基板側面４４Ｄは、第２方向Ｙに沿って延び、第１方向Ｘに沿って互いに対向している。
【0035】
第１主面４２は、機能デバイス４５の主要部が形成されるデバイス形成面であってもよい。機能デバイス４５の主要部は、基板４１の第１主面４２の表層部、および／または、基板４１の第１主面４２の上の領域を利用して形成される。図８および図９では、機能デバイス４５が基板４１の第１主面４２の表層部に示された破線によって簡略化して示されている。
【0036】
機能デバイス４５は、受動デバイス、半導体整流デバイスおよび半導体スイッチングデバイスのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。受動デバイスは、半導体受動デバイスを含んでいてもよい。受動デバイスは、抵抗およびコンデンサのいずれか一方または双方を含んでいてもよい。半導体整流デバイスは、ｐｎ接合ダイオード、ツェナーダイオード、ショットキーバリアダイオードおよびファーストリカバリーダイオードのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
【0037】
半導体スイッチングデバイスは、ＢＪＴ（Bipolar Junction Transistor）、ＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Junction Transistor）およびＪＦＥＴ（Junction Field Effect Transistor）のうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。
機能デバイス４５は、受動デバイス、半導体整流デバイスおよび半導体スイッチングデバイスのうちの任意の２種以上のデバイスが選択的に組み合わされた回路網を含んでいてもよい。回路網は、集積回路の一部または全部を形成していてもよい。集積回路は、ＳＳＩ（Small Scale Integration），ＬＳＩ（Large Scale Integration），ＭＳＩ（Medium Scale Integration），ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration）またはＵＬＳＩ（Ultra-Very Large Scale Integration）を含んでいてもよい。
機能デバイス４５は、受動デバイス、半導体整流デバイスおよび半導体スイッチングデバイスのうちの任意の２種以上のデバイスが選択的に組み合わされた回路網を含んでいてもよい。回路網は、集積回路の一部または全部を形成していてもよい。集積回路は、ＳＳＩ（Small Scale Integration），ＬＳＩ（Large Scale Integration），ＭＳＩ（Medium Scale Integration），ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration）またはＵＬＳＩ（Ultra-Very Large Scale Integration）を含んでいてもよい。
【0038】
電子部品５は、基板４１の第１主面４２の上に形成された絶縁積層構造５１（絶縁層）をさらに含む。絶縁積層構造５１は、絶縁主面５２および絶縁側面５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ，５３Ｄを有している。絶縁主面５２は、平面視において第１主面４２に整合する四角形状（この形態では長方形状）に形成されている。絶縁主面５２は、第１主面４２に対して平行に延びている。
【0039】
絶縁側面５３Ａ～５３Ｄは、絶縁主面５２の周縁から基板４１に向けて延びている。絶縁側面５３Ａ～５３Ｄは、基板側面４４Ａ～４４Ｄに連なっている。絶縁側面５３Ａ～５３Ｄは、より具体的には、基板側面４４Ａ～４４Ｄに対して面一に形成されている。
絶縁積層構造５１は、最下絶縁層５５、最上絶縁層５６および複数（この形態では１１層）の層間絶縁層５７を含む。最下絶縁層５５は、第１主面４２に接する絶縁層である。最上絶縁層５６は、絶縁主面５２を形成する絶縁層である。複数の層間絶縁層５７は、最下絶縁層５５および最上絶縁層５６の間に介在する絶縁層である。最下絶縁層５５は、この形態では、酸化シリコンを含む単層構造を有している。最上絶縁層５６は、この形態では、酸化シリコンを含む単層構造を有している。
絶縁積層構造５１は、最下絶縁層５５、最上絶縁層５６および複数（この形態では１１層）の層間絶縁層５７を含む。最下絶縁層５５は、第１主面４２に接する絶縁層である。最上絶縁層５６は、絶縁主面５２を形成する絶縁層である。複数の層間絶縁層５７は、最下絶縁層５５および最上絶縁層５６の間に介在する絶縁層である。最下絶縁層５５は、この形態では、酸化シリコンを含む単層構造を有している。最上絶縁層５６は、この形態では、酸化シリコンを含む単層構造を有している。
【0040】
複数の層間絶縁層５７は、最下絶縁層５５側の第１絶縁層５８および最上絶縁層５６側の第２絶縁層５９を含む積層構造をそれぞれ有している。第１絶縁層５８は、第２絶縁層５９の下地層を成す。第１絶縁層５８は、より具体的には、最下絶縁層５５および第２絶縁層５９に対するエッチングストッパ層として形成されている。第１絶縁層５８は、窒化シリコンを含んでいてもよい。第２絶縁層５９は、第１絶縁層５８とは異なる絶縁材料を含む。第２絶縁層５９は、酸化シリコンを含んでいてもよい。
【0041】
第１絶縁層５８の厚さは、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ未満（たとえば３００ｎｍ程度）であってもよい。第２絶縁層５９の厚さは、第１絶縁層５８の厚さを超えている。第２絶縁層５９の厚さは、１μｍ以上３μｍ以下（たとえば２μｍ程度）であってもよい。
絶縁積層構造５１の総厚さＤＴは、５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。層間絶縁層５７の積層数や絶縁積層構造５１の総厚さＤＴは、実現すべき絶縁破壊耐量に応じて調整される。最下絶縁層５５、最上絶縁層５６および層間絶縁層５７の絶縁材料は、任意であり、特定の絶縁材料に限定されない。また、層間絶縁層５７の積層数は任意であり、図８および図９に示される形態に限定されない。
絶縁積層構造５１の総厚さＤＴは、５μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。層間絶縁層５７の積層数や絶縁積層構造５１の総厚さＤＴは、実現すべき絶縁破壊耐量に応じて調整される。最下絶縁層５５、最上絶縁層５６および層間絶縁層５７の絶縁材料は、任意であり、特定の絶縁材料に限定されない。また、層間絶縁層５７の積層数は任意であり、図８および図９に示される形態に限定されない。
【0042】
電子部品５は、絶縁積層構造５１内に形成されたフィールド電極６１をさらに含む。フィールド電極６１は、絶縁積層構造５１をデバイス形成領域６２および外側領域６３に区画する。フィールド電極６１は、デバイス形成領域６２への水分の進入や絶縁積層構造５１のクラックを抑制する。
フィールド電極６１は、平面視において絶縁側面５３Ａ～５３Ｄから間隔を空けて絶縁積層構造５１内に形成されている。フィールド電極６１は、平面視において絶縁側面５３～５３Ｄに沿って帯状に延びている。フィールド電極６１は、この形態では、平面視において四角環状（より具体的には長方形環状）に形成されている。
フィールド電極６１は、平面視において絶縁側面５３Ａ～５３Ｄから間隔を空けて絶縁積層構造５１内に形成されている。フィールド電極６１は、平面視において絶縁側面５３～５３Ｄに沿って帯状に延びている。フィールド電極６１は、この形態では、平面視において四角環状（より具体的には長方形環状）に形成されている。
【0043】
これにより、デバイス形成領域６２は、平面視において四角形状（より具体的には長方形状）に区画されている。また、外側領域６３は、平面視においてデバイス形成領域６２を取り囲む四角環状（より具体的には長方形環状）に区画されている。
フィールド電極６１は、絶縁積層構造５１内において法線方向Ｚに沿って延びる壁状に形成されている。フィールド電極６１は、最上絶縁層５６側の上端部、最下絶縁層５５側の下端部、ならびに、上端部および下端部の間を壁状に延びる壁部を有している。フィールド電極６１の上端部は、最上絶縁層５６によって被覆されている。フィールド電極６１の下端部は、基板４１に電気的に接続されている。
フィールド電極６１は、絶縁積層構造５１内において法線方向Ｚに沿って延びる壁状に形成されている。フィールド電極６１は、最上絶縁層５６側の上端部、最下絶縁層５５側の下端部、ならびに、上端部および下端部の間を壁状に延びる壁部を有している。フィールド電極６１の上端部は、最上絶縁層５６によって被覆されている。フィールド電極６１の下端部は、基板４１に電気的に接続されている。
【0044】
フィールド電極６１には、前述の高電圧パッド１２に印加される電圧未満の電圧が印加される。フィールド電極６１には、この形態では、前述の低電圧パッド１１に印加される電圧（基準電圧）が印加される。つまり、フィールド電極６１は、低電圧パッド１１と同電位を成す。
図８および図９を参照して、フィールド電極６１は、複数のフィールドプラグ電極６４、および、フィールドプラグ電極６５を含む。複数のフィールドプラグ電極６４は、複数の層間絶縁層５７にそれぞれ埋め込まれている。複数のフィールドプラグ電極６４は、互いに電気的に接続されるように最下絶縁層５５側から最上絶縁層５６側に積層されている。複数のフィールドプラグ電極６４の積層数は、複数の層間絶縁層５７の積層数に一致している。
図８および図９を参照して、フィールド電極６１は、複数のフィールドプラグ電極６４、および、フィールドプラグ電極６５を含む。複数のフィールドプラグ電極６４は、複数の層間絶縁層５７にそれぞれ埋め込まれている。複数のフィールドプラグ電極６４は、互いに電気的に接続されるように最下絶縁層５５側から最上絶縁層５６側に積層されている。複数のフィールドプラグ電極６４の積層数は、複数の層間絶縁層５７の積層数に一致している。
【0045】
フィールドプラグ電極６４は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。フィールドプラグ電極６４は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。
【0046】
フィールドプラグ電極６５は、最下絶縁層５５において基板４１およびフィールドプラグ電極６４の間の領域に形成されている。フィールドプラグ電極６５は、基板４１の第１主面４２およびフィールドプラグ電極６４に電気的に接続されている。フィールドプラグ電極６５は、フィールドプラグ電極６４と同様の構造を有していてもよい。
電子部品５は、この形態では、絶縁積層構造５１内に形成された複数（この形態では４個）の変圧器２１を含む。つまり、電子部品５は、複数の変圧器２１を含むマルチチャネル型のデバイスである。
電子部品５は、この形態では、絶縁積層構造５１内に形成された複数（この形態では４個）の変圧器２１を含む。つまり、電子部品５は、複数の変圧器２１を含むマルチチャネル型のデバイスである。
【0047】
複数の変圧器２１は、フィールド電極６１から間隔を空けてデバイス形成領域６２内に形成されている。複数の変圧器２１は、第１方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて配列されている。複数の変圧器２１は、より具体的には、平面視において絶縁側面５３Ｃ側から絶縁側面５３Ｄ側に向けてこの順に配列された第１変圧器２１Ａ、第２変圧器２１Ｂ、第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄを含む。
【0048】
複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄは、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第１変圧器２１Ａの構造を例にとって説明する。第２変圧器２１Ｂ、第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄの構造の説明については、第１変圧器２１Ａの構造の説明がそれぞれ準用されるものとし、省略する。
図６～図９を参照して、第１変圧器２１Ａは、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３を含む。低電圧コイル２２は、絶縁積層構造５１内に形成されている。高電圧コイル２３は、絶縁主面５２の法線方向Ｚに低電圧コイル２２と対向するように絶縁積層構造５１内に成されている。低電圧コイル２２および高電圧コイル２３は、この形態では、絶縁積層構造５１内において最下絶縁層５５および最上絶縁層５６に挟まれた領域に形成されている。
図６～図９を参照して、第１変圧器２１Ａは、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３を含む。低電圧コイル２２は、絶縁積層構造５１内に形成されている。高電圧コイル２３は、絶縁主面５２の法線方向Ｚに低電圧コイル２２と対向するように絶縁積層構造５１内に成されている。低電圧コイル２２および高電圧コイル２３は、この形態では、絶縁積層構造５１内において最下絶縁層５５および最上絶縁層５６に挟まれた領域に形成されている。
【0049】
低電圧コイル２２は、絶縁積層構造５１内において最下絶縁層５５側に形成されており、高電圧コイル２３は、絶縁積層構造５１内において低電圧コイル２２に対して最上絶縁層５６側に形成されている。低電圧コイル２２は、この形態では、最下絶縁層５５側から数えて３層目の層間絶縁層５７に形成されている。高電圧コイル２３は、１層以上の層間絶縁層５７を挟んで低電圧コイル２２に対向している。高電圧コイル２３は、この形態では、最上絶縁層５６側から数えて１層目の層間絶縁層５７に形成されている。
【0050】
高電圧コイル２３は、１層以上の層間絶縁層５７を挟んで低電圧コイル２２に対向していればよい。低電圧コイル２２および高電圧コイル２３が形成される層間絶縁層５７は任意である。ただし、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の絶縁耐圧や電界強度は、層間絶縁層５７の総数（厚さ）によって定まる点に留意する。
低電圧コイル２２は、より具体的には、層間絶縁層５７において第１絶縁層５８および第２絶縁層５９を貫通して埋め込まれている。低電圧コイル２２は、一方側の第１コイル面、他方側の第２コイル面、および、第１コイル面および第２コイル面を接続するコイル側面を有している。
低電圧コイル２２は、より具体的には、層間絶縁層５７において第１絶縁層５８および第２絶縁層５９を貫通して埋め込まれている。低電圧コイル２２は、一方側の第１コイル面、他方側の第２コイル面、および、第１コイル面および第２コイル面を接続するコイル側面を有している。
【0051】
低電圧コイル２２の第１コイル面は、当該低電圧コイル２２が埋め込まれた層間絶縁層５７から露出し、上層の層間絶縁層５７（第１絶縁層５８）によって被覆されている。低電圧コイル２２の第２コイル面は、当該低電圧コイル２２が埋め込まれた層間絶縁層５７から露出し、下層の層間絶縁層５７（第２絶縁層５９）に接している。低電圧コイル２２のコイル側面は、当該低電圧コイル２２が埋め込まれた層間絶縁層５７に接している。
【0052】
低電圧コイル２２は、第１内側末端２４、第１外側末端２５、ならびに、第１内側末端２４および第１外側末端２５の間を螺旋状に引き回された第１螺旋部２６を含む。第１螺旋部２６は、平面視において楕円形状に延びる螺旋状に引き回されている。第１螺旋部２６の最内周縁を形成する部分は、この形態では、平面視において楕円形状の第１内側領域６６を区画している。
【0053】
第１螺旋部２６の巻回形状や、第１内側領域６６の平面形状は任意であり、図６等に示される形態に限定されない。第１螺旋部２６は、たとえば、平面視において三角形状、四角形状等の多角形状、または、円形状に巻回されていてもよい。第１内側領域６６は、たとえば、平面視において三角形状、四角形状等の多角形状、または、円形状に区画されていてもよい。
【0054】
第１螺旋部２６の巻回数は、５以上３０以下であってもよい。第１螺旋部２６の巻回数は、５以上１０以下、１０以上１５以下、１５以上２０以下、２０以上２５以下、または、２５以上３０以下であってもよい。
第１螺旋部２６の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１螺旋部２６の幅は、螺旋方向に直交する方向の幅によって定義される。第１螺旋部２６の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１螺旋部２６の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
第１螺旋部２６の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１螺旋部２６の幅は、螺旋方向に直交する方向の幅によって定義される。第１螺旋部２６の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１螺旋部２６の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0055】
第１螺旋部２６の巻回ピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１螺旋部２６の巻回ピッチは、第１螺旋部２６において螺旋方向に直交する方向に隣り合う２つの部分の間の距離によって定義される。第１螺旋部２６の巻回ピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１螺旋部２６の巻回ピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0056】
低電圧コイル２２は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。低電圧コイル２２は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。低電圧コイル２２は、フィールドプラグ電極６４と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。低電圧コイル２２は、フィールドプラグ電極６４と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0057】
高電圧コイル２３は、層間絶縁層５７において第１絶縁層５８および第２絶縁層５９を貫通して埋め込まれている。高電圧コイル２３は、一方側の第１コイル面、他方側の第２コイル面、および、第１コイル面および第２コイル面を接続するコイル側面を有している。
高電圧コイル２３の第１コイル面は、当該高電圧コイル２３が埋め込まれた層間絶縁層５７から露出し、最上絶縁層５６によって被覆されている。高電圧コイル２３の第２コイル面は、当該高電圧コイル２３が埋め込まれた層間絶縁層５７から露出し、下層の層間絶縁層５７に接している。高電圧コイル２３のコイル側面は、当該高電圧コイル２３が埋め込まれた層間絶縁層５７に接している。
高電圧コイル２３の第１コイル面は、当該高電圧コイル２３が埋め込まれた層間絶縁層５７から露出し、最上絶縁層５６によって被覆されている。高電圧コイル２３の第２コイル面は、当該高電圧コイル２３が埋め込まれた層間絶縁層５７から露出し、下層の層間絶縁層５７に接している。高電圧コイル２３のコイル側面は、当該高電圧コイル２３が埋め込まれた層間絶縁層５７に接している。
【0058】
高電圧コイル２３は、最上絶縁層５６および２つの層間絶縁層５７に接している。高電圧コイル２３が最上絶縁層５６から数えて２層目以降の層間絶縁層５７に形成されている場合には、高電圧コイル２３は、３つの層間絶縁層５７に接する構造となる。
高電圧コイル２３は、第２内側末端２７、第２外側末端２８、ならびに、第２内側末端２７および第２外側末端２８の間を螺旋状に引き回された第２螺旋部２９を含む。第２螺旋部２９は、平面視において楕円形状に延びる螺旋状に引き回されている。第２螺旋部２９の最内周縁を形成する部分は、この形態では、平面視において楕円形状の第２内側領域６７を区画している。第２螺旋部２９の第２内側領域６７は、平面視において第１螺旋部２６の第１内側領域６６に重なっている。
高電圧コイル２３は、第２内側末端２７、第２外側末端２８、ならびに、第２内側末端２７および第２外側末端２８の間を螺旋状に引き回された第２螺旋部２９を含む。第２螺旋部２９は、平面視において楕円形状に延びる螺旋状に引き回されている。第２螺旋部２９の最内周縁を形成する部分は、この形態では、平面視において楕円形状の第２内側領域６７を区画している。第２螺旋部２９の第２内側領域６７は、平面視において第１螺旋部２６の第１内側領域６６に重なっている。
【0059】
第２螺旋部２９の巻回形状や、第２内側領域６７の平面形状は任意であり、図７等に示される形態に限定されない。第２螺旋部２９は、たとえば、平面視において三角形状、四角形状等の多角形状、または、円形状に巻回されていてもよい。第２内側領域６７は、たとえば、平面視において三角形状、四角形状等の多角形状、または、円形状に区画されていてもよい。
【0060】
第２螺旋部２９の巻回数は、５以上３０以下であってもよい。第１螺旋部２６の巻回数に対する第２螺旋部２９の巻回数は、昇圧すべき電圧値に応じて調整される。第１螺旋部２６の巻回数は、第２螺旋部２９の巻回数を超えていることが好ましい。第２螺旋部２９の巻回数は、５以上１０以下、１０以上１５以下、１５以上２０以下、２０以上２５以下、または、２５以上３０以下であってもよい。むろん、第１螺旋部２６の巻回数と等しい巻回数を有する第２螺旋部２９が形成されてもよい。
【0061】
第２螺旋部２９の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２螺旋部２９の幅は、螺旋方向に直交する方向の幅によって定義される。第２螺旋部２９の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
第２螺旋部２９の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。第２螺旋部２９の幅は、第１螺旋部２６の幅と等しいことが好ましい。第２螺旋部２９の幅が第１螺旋部２６の幅と等しいとは、第２螺旋部２９の幅が第１螺旋部２６の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第２螺旋部２９の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。第２螺旋部２９の幅は、第１螺旋部２６の幅と等しいことが好ましい。第２螺旋部２９の幅が第１螺旋部２６の幅と等しいとは、第２螺旋部２９の幅が第１螺旋部２６の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0062】
第２螺旋部２９の巻回ピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２螺旋部２９の巻回ピッチは、第２螺旋部２９において螺旋方向に直交する方向に隣り合う２つの部分の間の距離によって定義される。第２螺旋部２９の巻回ピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。
【0063】
第２螺旋部２９の巻回ピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。第２螺旋部２９の巻回ピッチは、第１螺旋部２６の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第２螺旋部２９の巻回ピッチが第１螺旋部２６の巻回ピッチと等しいとは、第２螺旋部２９の巻回ピッチが第１螺旋部２６の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
高電圧コイル２３は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。高電圧コイル２３は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
高電圧コイル２３は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。高電圧コイル２３は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
【0064】
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。高電圧コイル２３は、低電圧コイル２２やフィールドプラグ電極６４と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0065】
図５を参照して、電子部品５は、前述の複数（この形態では１２個）の低電圧パッド１１および複数（この形態では１２個）の高電圧パッド１２を含む。複数の低電圧パッド１１は、対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄの低電圧コイル２２にそれぞれ電気的に接続されている。複数の高電圧パッド１２は、対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄの高電圧コイル２３にそれぞれ電気的に接続されている。
【0066】
複数の低電圧パッド１１は、デバイス形成領域６２において絶縁積層構造５１の絶縁主面５２の上に形成されている。複数の低電圧パッド１１は、より具体的には、複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄから第２方向Ｙに間隔を空けて絶縁側面５３Ｂ側の領域に形成され、第１方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて配列されている。
複数の低電圧パッド１１は、第１低電圧パッド１１Ａ、第２低電圧パッド１１Ｂ、第３低電圧パッド１１Ｃ、第４低電圧パッド１１Ｄ、第５低電圧パッド１１Ｅおよび第６低電圧パッド１１Ｆを含む。複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆは、この形態では、２個ずつ形成されている。複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆの個数は、任意であり、図５等に示される個数に限定されない。
複数の低電圧パッド１１は、第１低電圧パッド１１Ａ、第２低電圧パッド１１Ｂ、第３低電圧パッド１１Ｃ、第４低電圧パッド１１Ｄ、第５低電圧パッド１１Ｅおよび第６低電圧パッド１１Ｆを含む。複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆは、この形態では、２個ずつ形成されている。複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆの個数は、任意であり、図５等に示される個数に限定されない。
【0067】
第１低電圧パッド１１Ａは、平面視において第２方向Ｙに第１変圧器２１Ａに対向している。第２低電圧パッド１１Ｂは、平面視において第２方向Ｙに第２変圧器２１Ｂに対向している。第３低電圧パッド１１Ｃは、平面視において第２方向Ｙに第３変圧器２１Ｃに対向している。第４低電圧パッド１１Ｄは、平面視において第２方向Ｙに第４変圧器２１Ｄに対向している。
【0068】
第５低電圧パッド１１Ｅは、平面視において第１低電圧パッド１１Ａおよび第２低電圧パッド１１Ｂの間の領域に形成されている。第６低電圧パッド１１Ｆは、平面視において第３低電圧パッド１１Ｃおよび第４低電圧パッド１１Ｄの間の領域に形成されている。
第１低電圧パッド１１Ａは、第１変圧器２１Ａ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第２低電圧パッド１１Ｂは、第２変圧器２１Ｂ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第３低電圧パッド１１Ｃは、第３変圧器２１Ｃ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第４低電圧パッド１１Ｄは、第４変圧器２１Ｄ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。
第１低電圧パッド１１Ａは、第１変圧器２１Ａ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第２低電圧パッド１１Ｂは、第２変圧器２１Ｂ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第３低電圧パッド１１Ｃは、第３変圧器２１Ｃ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第４低電圧パッド１１Ｄは、第４変圧器２１Ｄ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４に電気的に接続されている。
【0069】
第５低電圧パッド１１Ｅは、第１変圧器２１Ａ（低電圧コイル２２）の第１外側末端２５および第２変圧器２１Ｂ（低電圧コイル２２）の第１外側末端２５に電気的に接続されている。第６低電圧パッド１１Ｆは、第３変圧器２１Ｃ（低電圧コイル２２）の第１外側末端２５および第４変圧器２１Ｄ（低電圧コイル２２）の第１外側末端２５に電気的に接続されている。
【0070】
複数の高電圧パッド１２は、デバイス形成領域６２において複数の低電圧パッド１１から間隔を空けて絶縁積層構造５１の絶縁主面５２の上に形成されている。複数の高電圧パッド１２は、より具体的には、複数の低電圧パッド１１から第２方向Ｙに間隔を空けて絶縁側面５３Ａ側の領域に形成され、第１方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて配列されている。
【0071】
複数の高電圧パッド１２は、平面視において複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄに近接する領域に形成されている。平面視において複数の高電圧パッド１２が複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄに近接するとは、平面視において高電圧パッド１２および変圧器２１の間の距離が、低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の距離未満であることを意味する。
複数の高電圧パッド１２は、より具体的には、平面視において第１方向Ｘに沿って複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄと対向するように第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成されている。
複数の高電圧パッド１２は、より具体的には、平面視において第１方向Ｘに沿って複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄと対向するように第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成されている。
【0072】
複数の高電圧パッド１２は、さらに具体的には、平面視において高電圧コイル２３の第２内側領域６７および互いに隣り合う高電圧コイル２３の間の領域に位置するように第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成されている。これにより、複数の高電圧パッド１２および複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄは、平面視において第１方向Ｘに沿って一列に並んで配列されている。
【0073】
複数の高電圧パッド１２は、第１高電圧パッド１２Ａ、第２高電圧パッド１２Ｂ、第３高電圧パッド１２Ｃ、第４高電圧パッド１２Ｄ、第５高電圧パッド１２Ｅおよび第６高電圧パッド１２Ｆを含む。複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆは、この形態では、２個ずつ形成されている。複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの個数は、任意であり、図５等に示される個数に限定されない。
【0074】
第１高電圧パッド１２Ａは、平面視において第１変圧器２１Ａ（高電圧コイル２３）の第２内側領域６７に形成されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、平面視において第２変圧器２１Ｂ（高電圧コイル２３）の第２内側領域６７に形成されている。第３高電圧パッド１２Ｃは、平面視において第３変圧器２１Ｃ（高電圧コイル２３）の第２内側領域６７に形成されている。第４高電圧パッド１２Ｄは、平面視において第４変圧器２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２内側領域６７に形成されている。
【0075】
第５高電圧パッド１２Ｅは、平面視において第１変圧器２１Ａおよび第２変圧器２１Ｂの間の領域に形成されている。第６高電圧パッド１２Ｆは、平面視において第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄの間の領域に形成されている。
第１高電圧パッド１２Ａは、第１変圧器２１Ａ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、第２変圧器２１Ｂ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。第３高電圧パッド１２Ｃは、第３変圧器２１Ｃ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。第４高電圧パッド１２Ｄは、第４変圧器２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。
第１高電圧パッド１２Ａは、第１変圧器２１Ａ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、第２変圧器２１Ｂ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。第３高電圧パッド１２Ｃは、第３変圧器２１Ｃ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。第４高電圧パッド１２Ｄは、第４変圧器２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７に電気的に接続されている。
【0076】
第５高電圧パッド１２Ｅは、第１変圧器２１Ａ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８および第２変圧器２１Ｂ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８に電気的に接続されている。第６高電圧パッド１２Ｆは、第３変圧器２１Ｃ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８および第４変圧器２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８に電気的に接続されている。
【0077】
図６～図９を参照して、電子部品５は、前述の第１低電圧配線３１、第２低電圧配線３２、第１高電圧配線３３および第２高電圧配線３４を含む。この形態では、複数の第１低電圧配線３１、複数の第２低電圧配線３２、複数の第１高電圧配線３３および複数の第２高電圧配線３４が形成されている。複数の第１低電圧配線３１、複数の第２低電圧配線３２、複数の第１高電圧配線３３および複数の第２高電圧配線３４は、絶縁積層構造５１内にそれぞれ形成されている。
【0078】
図８および図９を参照して、複数の第１低電圧配線３１は、より具体的には、対応する低電圧パッド１１Ａ～１１Ｄおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４にそれぞれ電気的に接続されている。
複数の第１低電圧配線３１は、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第１低電圧パッド１１Ａおよび第１変圧器２１Ａに接続された第１低電圧配線３１の構造を例にとって説明する。他の第１低電圧配線３１の構造の説明については、第１変圧器２１Ａに接続された第１低電圧配線３１の構造の説明が準用されるものとし、省略する。
複数の第１低電圧配線３１は、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第１低電圧パッド１１Ａおよび第１変圧器２１Ａに接続された第１低電圧配線３１の構造を例にとって説明する。他の第１低電圧配線３１の構造の説明については、第１変圧器２１Ａに接続された第１低電圧配線３１の構造の説明が準用されるものとし、省略する。
【0079】
第１低電圧配線３１は、貫通配線７１、低電圧接続配線７２、引き出し配線７３、第１接続プラグ電極７４、第２接続プラグ電極７５、パッドプラグ電極７６および基板プラグ電極７７を含む。
貫通配線７１は、絶縁積層構造５１において複数の層間絶縁層５７を貫通し、法線方向Ｚに沿って延びる柱状に延びている。貫通配線７１は、この形態では、絶縁積層構造５１において最下絶縁層５５および最上絶縁層５６の間の領域に形成されている。
貫通配線７１は、絶縁積層構造５１において複数の層間絶縁層５７を貫通し、法線方向Ｚに沿って延びる柱状に延びている。貫通配線７１は、この形態では、絶縁積層構造５１において最下絶縁層５５および最上絶縁層５６の間の領域に形成されている。
【0080】
貫通配線７１は、最上絶縁層５６側の上端部、および、最下絶縁層５５側の下端部を有している。貫通配線７１の上端部は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７に形成され、最上絶縁層５６によって被覆されている。貫通配線７１の下端部は、低電圧コイル２２と同一の層間絶縁層５７に形成されている。
貫通配線７１は、この形態では、第１電極層７８、第２電極層７９、および、複数の配線プラグ電極８０を含む。第１電極層７８は、貫通配線７１の上端部を形成している。第２電極層７９は、貫通配線７１の下端部を形成している。
貫通配線７１は、この形態では、第１電極層７８、第２電極層７９、および、複数の配線プラグ電極８０を含む。第１電極層７８は、貫通配線７１の上端部を形成している。第２電極層７９は、貫通配線７１の下端部を形成している。
【0081】
第１電極層７８は、配線プラグ電極８０の平面面積を超える平面面積を有する島状の電極層である。第１電極層７８は、平面視において低電圧パッド１１（第１低電圧パッド１１Ａ）に重なっている。第２電極層７９は、配線プラグ電極８０の平面面積を超える平面面積を有する島状の電極層である。第２電極層７９は、平面視において第１電極層７８に重なっている。
【0082】
複数の配線プラグ電極８０は、第１電極層７８および第２電極層７９を電気的に接続している。複数の配線プラグ電極８０は、第１電極層７８および第２電極層７９の間の領域において複数の層間絶縁層５７にそれぞれ埋め込まれている。
各層間絶縁層５７内には、１つまたは複数（この形態では６個）の配線プラグ電極８０が形成されている。各層間絶縁層５７内に形成される配線プラグ電極８０の個数は任意であり、図８および図９に示される形態に限定されない。複数の配線プラグ電極８０は、互いに電気的に接続されるように最下絶縁層５５側から最上絶縁層５６側に積層されている。複数の配線プラグ電極８０の積層数は、複数の層間絶縁層５７の積層数に一致している。
各層間絶縁層５７内には、１つまたは複数（この形態では６個）の配線プラグ電極８０が形成されている。各層間絶縁層５７内に形成される配線プラグ電極８０の個数は任意であり、図８および図９に示される形態に限定されない。複数の配線プラグ電極８０は、互いに電気的に接続されるように最下絶縁層５５側から最上絶縁層５６側に積層されている。複数の配線プラグ電極８０の積層数は、複数の層間絶縁層５７の積層数に一致している。
【0083】
第１電極層７８、第２電極層７９および配線プラグ電極８０は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つをそれぞれ含んでいてもよい。第１電極層７８、第２電極層７９および配線プラグ電極８０は、下地電極層および主電極層を含む積層構造をそれぞれ有していてもよい。
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。第１電極層７８、第２電極層７９および配線プラグ電極８０は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。第１電極層７８、第２電極層７９および配線プラグ電極８０は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0084】
図７～図９を参照して、低電圧接続配線７２は、低電圧コイル２２と同一の層間絶縁層５７内において第１変圧器２１Ａ（低電圧コイル２２）の第１内側領域６６に形成されている。低電圧接続配線７２は、配線プラグ電極８０の平面面積を超える平面面積を有する島状の電極層である。低電圧接続配線７２は、具体的には、絶縁主面５２の面方向に関して低電圧コイル２２のライン幅（第１螺旋部２６の幅）よりも大きい幅を有している。また、低電圧接続配線７２の幅は、絶縁主面５２の面方向に関して高電圧コイル２３のライン幅（第２螺旋部２９の幅）よりも大きい幅を有している。 低電圧接続配線７２は、平面視において高電圧パッド１２（第１高電圧パッド１２Ａ）に重なっている。低電圧接続配線７２は、低電圧コイル２２の第１内側末端２４に電気的に接続されている。低電圧接続配線７２は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0085】
引き出し配線７３は、層間絶縁層５７内において基板４１および貫通配線７１の間の領域に形成されている。引き出し配線７３は、この形態では、最下絶縁層５５から数えて１層目の層間絶縁層５７内に形成されている。引き出し配線７３は、貫通配線７１および低電圧接続配線７２に電気的に接続されている。
引き出し配線７３は、より具体的には、一方側の第１端部、他方側の第２端部、ならびに、第１端部および第２端部の間の領域を延びる配線部を含む。引き出し配線７３の第１端部は、基板４１および貫通配線７１の下端部の間の領域に位置している。引き出し配線７３の第２端部は、基板４１および低電圧接続配線７２の間の領域に位置している。配線部は、基板４１の第１主面４２に沿って延び、第１端部および第２端部を接続している。
引き出し配線７３は、より具体的には、一方側の第１端部、他方側の第２端部、ならびに、第１端部および第２端部の間の領域を延びる配線部を含む。引き出し配線７３の第１端部は、基板４１および貫通配線７１の下端部の間の領域に位置している。引き出し配線７３の第２端部は、基板４１および低電圧接続配線７２の間の領域に位置している。配線部は、基板４１の第１主面４２に沿って延び、第１端部および第２端部を接続している。
【0086】
第１接続プラグ電極７４は、層間絶縁層５７内において貫通配線７１および引き出し配線７３の間の領域に形成されている。第１接続プラグ電極７４は、この形態では、最下絶縁層５５から数えて２層目の層間絶縁層５７内に位置している。第１接続プラグ電極７４は、貫通配線７１および引き出し配線７３の第１端部に電気的に接続されている。第１接続プラグ電極７４は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0087】
第２接続プラグ電極７５は、層間絶縁層５７内において低電圧接続配線７２および引き出し配線７３の間の領域に形成されている。第２接続プラグ電極７５は、この形態では、最下絶縁層５５から数えて２層目の層間絶縁層５７内に位置している。第２接続プラグ電極７５は、低電圧接続配線７２および引き出し配線７３の第２端部に電気的に接続されている。第２接続プラグ電極７５は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0088】
パッドプラグ電極７６は、最上絶縁層５６内において低電圧パッド１１（第１低電圧パッド１１Ａ）および貫通配線７１の間の領域に形成されている。パッドプラグ電極７６は、低電圧パッド１１および貫通配線７１の上端部に電気的に接続されている。パッドプラグ電極７６は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0089】
基板プラグ電極７７は、最下絶縁層５５内において基板４１および引き出し配線７３の間の領域に形成されている。基板プラグ電極７７は、この形態では、基板４１および引き出し配線７３の第１端部の間の領域に形成されている。基板プラグ電極７７は、基板４１および引き出し配線７３の第１端部に電気的に接続されている。これにより、低電圧パッド１１（第１低電圧パッド１１Ａ）は、第１低電圧配線３１および基板４１を介してフィールド電極６１に電気的に接続される。基板プラグ電極７７は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0090】
図９を参照して、複数の第２低電圧配線３２は、対応する低電圧パッド１１Ｅ，１１Ｆおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄの低電圧コイル２２の第１外側末端２５にそれぞれ電気的に接続されている。
複数の第２低電圧配線３２は、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第５低電圧パッド１１Ｅおよび第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２低電圧配線３２の構造を例にとって説明する。他の第２低電圧配線３２の構造の説明については、第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２低電圧配線３２の構造の説明が準用されるものとし、省略する。
複数の第２低電圧配線３２は、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第５低電圧パッド１１Ｅおよび第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２低電圧配線３２の構造を例にとって説明する。他の第２低電圧配線３２の構造の説明については、第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２低電圧配線３２の構造の説明が準用されるものとし、省略する。
【0091】
第２低電圧配線３２は、第１低電圧配線３１と同様、貫通配線７１、低電圧接続配線７２、引き出し配線７３、第１接続プラグ電極７４、第２接続プラグ電極７５、パッドプラグ電極７６および基板プラグ電極７７を含む。第２低電圧配線３２は、低電圧接続配線７２が第１変圧器２１Ａ（低電圧コイル２２）の第１外側末端２５および第２変圧器２１Ｂ（低電圧コイル２２）の第１外側末端２５に電気的に接続されている点を除いて、第１低電圧配線３１と同様の構造を有している。
【0092】
第２低電圧配線３２の低電圧接続配線７２は、より具体的には、低電圧コイル２２と同一の層間絶縁層５７内に形成されている。低電圧接続配線７２は、平面視において低電圧コイル２２の周囲に形成されている。低電圧接続配線７２は、より具体的には、平面視において互いに隣り合う２つの低電圧コイル２２の間の領域に形成されている。
パッドプラグ電極７６は、最上絶縁層５６内において低電圧パッド１１（第５低電圧パッド１１Ｅ）および低電圧接続配線７２の間の領域に形成されている。パッドプラグ電極７６は、低電圧パッド１１および低電圧接続配線７２に電気的に接続されている。
パッドプラグ電極７６は、最上絶縁層５６内において低電圧パッド１１（第５低電圧パッド１１Ｅ）および低電圧接続配線７２の間の領域に形成されている。パッドプラグ電極７６は、低電圧パッド１１および低電圧接続配線７２に電気的に接続されている。
【0093】
このようにして、複数の第１低電圧配線３１は、対応する低電圧パッド１１Ａ～１１Ｄおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（低電圧コイル２２）の第１内側末端２４にそれぞれ電気的に接続されている。また、複数の第２低電圧配線３２は、対応する低電圧パッド１１Ｅ，１１Ｆおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（低電圧コイル２２）の第１外側末端２５にそれぞれ電気的に接続されている。
【0094】
第１変圧器２１Ａの低電圧コイル２２および第２変圧器２１Ｂの低電圧コイル２２は、同電位に固定されている。第３変圧器２１Ｃの低電圧コイル２２および第４変圧器２１Ｄの低電圧コイル２２は、同電位に固定されている。この形態では、変圧器２１Ａ～２１Ｄの全ての低電圧コイル２２が同電位に固定されている。
図８を参照して、複数の第１高電圧配線３３は、対応する高電圧パッド１２Ａ～１２Ｄおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７にそれぞれ電気的に接続されている。
図８を参照して、複数の第１高電圧配線３３は、対応する高電圧パッド１２Ａ～１２Ｄおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７にそれぞれ電気的に接続されている。
【0095】
複数の第１高電圧配線３３は、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第１高電圧パッド１２Ａおよび第１変圧器２１Ａに接続された第１高電圧配線３３の構造を例にとって説明する。他の第１高電圧配線３３の構造の説明については、第１変圧器２１Ａに接続された第１高電圧配線３３の構造の説明が準用されるものとし、省略する。
図７～図９を参照して、第１高電圧配線３３は、高電圧接続配線８１およびパッドプラグ電極８２を含む。高電圧接続配線８１は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内において高電圧コイル２３の第２内側領域６７に形成されている。高電圧接続配線８１は、パッドプラグ電極８２の平面面積を超える平面面積を有する島状の電極層である。高電圧接続配線８１は、具体的には、絶縁主面５２の面方向に関して高電圧コイル２３のライン幅（第２螺旋部２９の幅）よりも大きい幅を有している。また、高電圧接続配線８１の幅は、絶縁主面５２の面方向に関して低電圧コイル２２のライン幅（第１螺旋部２６の幅）よりも大きい幅を有している。
図７～図９を参照して、第１高電圧配線３３は、高電圧接続配線８１およびパッドプラグ電極８２を含む。高電圧接続配線８１は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内において高電圧コイル２３の第２内側領域６７に形成されている。高電圧接続配線８１は、パッドプラグ電極８２の平面面積を超える平面面積を有する島状の電極層である。高電圧接続配線８１は、具体的には、絶縁主面５２の面方向に関して高電圧コイル２３のライン幅（第２螺旋部２９の幅）よりも大きい幅を有している。また、高電圧接続配線８１の幅は、絶縁主面５２の面方向に関して低電圧コイル２２のライン幅（第１螺旋部２６の幅）よりも大きい幅を有している。
【0096】
高電圧接続配線８１は、平面視において高電圧パッド１２（第１高電圧パッド１２Ａ）に重なっている。高電圧接続配線８１は、この形態では、平面視において低電圧接続配線７２から間隔を空けて形成されている。高電圧接続配線８１は、法線方向Ｚに関して、低電圧接続配線７２と対向していない。これにより、法線方向Ｚに関して、低電圧接続配線７２および高電圧接続配線８１の間の絶縁距離を増加させることができるから、絶縁積層構造５１の絶縁耐圧を高めることができる。
【0097】
高電圧接続配線８１は、より具体的には、平面視および断面視において低電圧コイル２２の内周部および低電圧接続配線７２の間に介在された絶縁積層構造５１（層間絶縁層５７）の一部に対向し、かつ、低電圧コイル２２および低電圧接続配線７２に対向しないように低電圧コイル２２および低電圧接続配線７２から絶縁主面５２の面方向にずれて配置されている。
【0098】
同様に、低電圧接続配線７２は、平面視および断面視において高電圧コイル２３の内周部および高電圧接続配線８１の間に介在された絶縁積層構造５１（層間絶縁層５７）の一部に対向し、かつ、高電圧コイル２３および高電圧接続配線８１に対向しないように高電圧コイル２３および高電圧接続配線８１から絶縁主面５２の面方向にずれて配置されている。
【0099】
また、引き出し配線７３は、平面視および断面視において高電圧コイル２３の内周部および高電圧接続配線８１の間に介在された絶縁積層構造５１（層間絶縁層５７）の一部に対向し、かつ、高電圧接続配線８１に対向しないように低電圧接続配線７２の下方の領域から絶縁主面５２の面方向に沿って低電圧コイル２２外の領域に引き出されている。
高電圧接続配線８１は、さらに具体的には、断面視において、高電圧コイル２３の一方側（図８および図９の紙面右側）の内周部との間で絶縁主面５２の面方向に沿う第１幅を有する第１幅狭領域を区画し、高電圧コイル２３の他方側（図８および図９の紙面左側）の内周部との間で絶縁主面５２の面方向に沿う第１幅を超える第２幅を有する第１幅広領域を区画している。
高電圧接続配線８１は、さらに具体的には、断面視において、高電圧コイル２３の一方側（図８および図９の紙面右側）の内周部との間で絶縁主面５２の面方向に沿う第１幅を有する第１幅狭領域を区画し、高電圧コイル２３の他方側（図８および図９の紙面左側）の内周部との間で絶縁主面５２の面方向に沿う第１幅を超える第２幅を有する第１幅広領域を区画している。
【0100】
一方、低電圧接続配線７２は、断面視において、低電圧コイル２２の一方側（図８および図９の紙面右側）の内周部との間で絶縁主面５２の面方向に沿う第１幅を超える第３幅を有する第２幅広領域を区画し、低電圧コイル２２の他方側（図８および図９の紙面左側）の内周部との間で絶縁主面５２の面方向に沿う第２幅未満の第４幅を有する第２幅狭領域を区画している。第２幅狭領域の第４幅は、第２幅広領域の第３幅を超えている。
【0101】
高電圧接続配線８１は、平面視および断面視において低電圧コイル２２および低電圧接続配線７２によって区画された第２幅広領域に介在された絶縁積層構造５１（層間絶縁層５７）の一部に対向し、低電圧コイル２２および低電圧接続配線７２によって区画された第２幅狭領域に介在された絶縁積層構造５１（層間絶縁層５７）の一部に対向しないように低電圧コイル２２および低電圧接続配線７２から絶縁主面５２の面方向に沿って第２幅広領域側にずれて配置されている。
【0102】
一方、低電圧接続配線７２は、平面視および断面視において高電圧コイル２３および高電圧接続配線８１によって区画された第１幅広領域に介在された絶縁積層構造５１（層間絶縁層５７）の一部に対向し、高電圧コイル２３および高電圧接続配線８１によって区画された第１幅狭領域に介在された絶縁積層構造５１（層間絶縁層５７）の一部に対向しないように高電圧コイル２３および高電圧接続配線８１から絶縁主面５２の面方向に沿って第１幅広領域側にずれて配置されている。
【0103】
高電圧接続配線８１は、高電圧コイル２３の第２内側末端２７に電気的に接続されている。高電圧接続配線８１は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
パッドプラグ電極８２は、最上絶縁層５６内において高電圧パッド１２（第１高電圧パッド１２Ａ）および高電圧接続配線８１の間の領域に形成されている。パッドプラグ電極８２は、高電圧パッド１２および高電圧接続配線８１に電気的に接続されている。パッドプラグ電極８２は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
パッドプラグ電極８２は、最上絶縁層５６内において高電圧パッド１２（第１高電圧パッド１２Ａ）および高電圧接続配線８１の間の領域に形成されている。パッドプラグ電極８２は、高電圧パッド１２および高電圧接続配線８１に電気的に接続されている。パッドプラグ電極８２は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0104】
図９を参照して、複数の第２高電圧配線３４は、対応する高電圧パッド１２Ｅ，１２Ｆおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８にそれぞれ電気的に接続されている。
複数の第２高電圧配線３４は、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第５高電圧パッド１２Ｅおよび第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２高電圧配線３４の構造を例にとって説明する。他の第２高電圧配線３４の構造の説明については、第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２高電圧配線３４の構造の説明が準用されるものとし、省略する。
複数の第２高電圧配線３４は、同様の構造をそれぞれ有している。以下では、第５高電圧パッド１２Ｅおよび第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２高電圧配線３４の構造を例にとって説明する。他の第２高電圧配線３４の構造の説明については、第１変圧器２１Ａ（第２変圧器２１Ｂ）に接続された第２高電圧配線３４の構造の説明が準用されるものとし、省略する。
【0105】
第２高電圧配線３４は、第１高電圧配線３３と同様、高電圧接続配線８１およびパッドプラグ電極８２を含む。第２高電圧配線３４は、高電圧接続配線８１が第１変圧器２１Ａ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８および第２変圧器２１Ｂ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８に電気的に接続されている点を除いて、第１高電圧配線３３と同様の構造を有している。
【0106】
第２高電圧配線３４の高電圧接続配線８１は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されている。高電圧接続配線８１は、平面視において高電圧コイル２３の周囲に形成されている。高電圧接続配線８１は、より具体的には、平面視において互いに隣り合う２つの高電圧コイル２３の間の領域に形成されている。
高電圧接続配線８１は、平面視において互いに隣り合う２つの高電圧コイル２３の間の領域において高電圧パッド１２（第５高電圧パッド１２Ｅ）に重なっている。高電圧接続配線８１は、この形態では、平面視において低電圧接続配線７２から間隔を空けて形成されている。高電圧接続配線８１は、法線方向Ｚに関して、低電圧接続配線７２と対向していない。
高電圧接続配線８１は、平面視において互いに隣り合う２つの高電圧コイル２３の間の領域において高電圧パッド１２（第５高電圧パッド１２Ｅ）に重なっている。高電圧接続配線８１は、この形態では、平面視において低電圧接続配線７２から間隔を空けて形成されている。高電圧接続配線８１は、法線方向Ｚに関して、低電圧接続配線７２と対向していない。
【0107】
パッドプラグ電極８２は、最上絶縁層５６内において高電圧パッド１２（第５高電圧パッド１２Ｅ）および高電圧接続配線８１の間の領域に形成されている。パッドプラグ電極７６は、高電圧パッド１２および高電圧接続配線８１に電気的に接続されている。パッドプラグ電極７６は、フィールドプラグ電極６４、低電圧コイル２２、高電圧コイル２３等と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。
【0108】
このようにして、複数の第１高電圧配線３３は、対応する高電圧パッド１２Ａ～１２Ｄおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２内側末端２７にそれぞれ電気的に接続されている。また、複数の第２高電圧配線３４は、対応する高電圧パッド１２Ａ～１２Ｄおよび対応する変圧器２１Ａ～２１Ｄ（高電圧コイル２３）の第２外側末端２８にそれぞれ電気的に接続されている。
【0109】
第１変圧器２１Ａの高電圧コイル２３および第２変圧器２１Ｂの高電圧コイル２３は、同電位に固定されている。第３変圧器２１Ｃの高電圧コイル２３および第４変圧器２１Ｄの高電圧コイル２３は、同電位に固定されている。この形態では、変圧器２１Ａ～２１Ｄの全ての高電圧コイル２３が同電位に固定されている。
図８および図９を参照して、低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の距離Ｄ１は、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の距離Ｄ２を超えていることが好ましい（Ｄ２＜Ｄ１）。また、距離Ｄ１は、複数の層間絶縁層５７の総厚さＤＴを超えていることが好ましい（ＤＴ＜Ｄ１）。
図８および図９を参照して、低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の距離Ｄ１は、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の距離Ｄ２を超えていることが好ましい（Ｄ２＜Ｄ１）。また、距離Ｄ１は、複数の層間絶縁層５７の総厚さＤＴを超えていることが好ましい（ＤＴ＜Ｄ１）。
【0110】
距離Ｄ１に対する距離Ｄ２の比Ｄ２／Ｄ１は、０．０１以上０．１以下であってもよい。比Ｄ２／Ｄ１は、０．０１以上０．０２５以下、０．０２５以上０．０５以下、０．０５以上０．０７５以下、または、０．０７５以上０．１以下であってもよい。
距離Ｄ１は、１００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。距離Ｄ１は、１００μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、または、４００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。距離Ｄ２は、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。距離Ｄ２は、５μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。距離Ｄ１および距離Ｄ２の値は任意であり、実現すべき絶縁耐量に応じて適宜調整される。
距離Ｄ１は、１００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。距離Ｄ１は、１００μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、または、４００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。距離Ｄ２は、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。距離Ｄ２は、５μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。距離Ｄ１および距離Ｄ２の値は任意であり、実現すべき絶縁耐量に応じて適宜調整される。
【0111】
図７～図１２を参照して、電子部品５は、平面視において変圧器２１Ａ～２１Ｄの周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に形成されたシールド導体層８５を含む。図１０～図１２では、シールド導体層８５がハッチングによって示されている。
シールド導体層８５は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１Ａ～２１Ｄから独立している。つまり、シールド導体層８５は、変圧器２１Ａ～２１Ｄとしては機能しない。シールド導体層８５は、変圧器２１Ａ～２１Ｄにおいて低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。
シールド導体層８５は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１Ａ～２１Ｄから独立している。つまり、シールド導体層８５は、変圧器２１Ａ～２１Ｄとしては機能しない。シールド導体層８５は、変圧器２１Ａ～２１Ｄにおいて低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。
【0112】
シールド導体層８５は、この形態では、平面視において１つまたは複数の高電圧コイル２３の周囲の領域を部分的に被覆し、かつ、部分的に露出させるように密なライン状に引き回されている。シールド導体層８５は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。シールド導体層８５のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、シールド導体層８５のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0113】
シールド導体層８５は、平面視において低電圧パッド１１に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。平面視においてシールド導体層８５が高電圧コイル２３に近接するとは、シールド導体層８５および高電圧コイル２３の間の距離が、シールド導体層８５および低電圧パッド１１の間の距離未満であることを意味する。
絶縁積層構造５１の内部におけるシールド導体層８５の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。シールド導体層８５は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
絶縁積層構造５１の内部におけるシールド導体層８５の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。シールド導体層８５は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
【0114】
法線方向Ｚに関してシールド導体層８５が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、シールド導体層８５および高電圧コイル２３の間の距離が、シールド導体層８５および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、シールド導体層８５および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。シールド導体層８５は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、シールド導体層８５および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。シールド導体層８５は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
【0115】
シールド導体層８５は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在するように複数の高電圧コイル２３の周囲に形成されていることが好ましい。この場合、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域を利用して、複数の高電圧コイル２３に対する不所望な電界集中を抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
【0116】
シールド導体層８５は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
【0117】
シールド導体層８５は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、この形態では、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層８５は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域外の領域において少なくとも１つの高電圧コイル２３に沿うように形成されている。
シールド導体層８５は、この形態では、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層８５は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域外の領域において少なくとも１つの高電圧コイル２３に沿うように形成されている。
【0118】
シールド導体層８５は、より具体的には、平面視において複数の高電圧コイル２３に沿うように形成されている。シールド導体層８５は、さらに具体的には、平面視において複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２を含む領域を一括して取り囲んでいる。
これにより、シールド導体層８５は、平面視において複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層８５は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層８５は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
これにより、シールド導体層８５は、平面視において複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層８５は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層８５は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
【0119】
また、シールド導体層８５は、平面視においてフィールド電極６１および複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層８５は、フィールド電極６１および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
シールド導体層８５は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。シールド導体層８５は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
シールド導体層８５は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。シールド導体層８５は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
【0120】
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。
【0121】
シールド導体層８５は、高電圧コイル２３と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。この場合、同一のレジストマスクおよびフォトマスクを利用して高電圧コイル２３およびシールド導体層８５を同時に形成できる。
シールド導体層８５は、この形態では、電気的状態が互いに異なる複数のダミーパターンを含む。以下、図７～図１２を参照して、ダミーパターンの形態について具体的に説明する。
シールド導体層８５は、この形態では、電気的状態が互いに異なる複数のダミーパターンを含む。以下、図７～図１２を参照して、ダミーパターンの形態について具体的に説明する。
【0122】
図７～図１２を参照して、シールド導体層８５は、高電圧ダミーパターン８６を含む。高電圧ダミーパターン８６は、平面視において変圧器２１Ａ～２１Ｄの周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に形成されている。高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１Ａ～２１Ｄから独立している。つまり、高電圧ダミーパターン８６は、変圧器２１Ａ～２１Ｄとしては機能しない。
【0123】
高電圧ダミーパターン８６は、この形態では、平面視において高電圧コイル２３の周囲の領域を部分的に被覆し、かつ、部分的に露出させるように密なライン状に引き回されている。高電圧ダミーパターン８６は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。高電圧ダミーパターン８６のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、高電圧ダミーパターン８６のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0124】
高電圧ダミーパターン８６は、変圧器２１Ａ～２１Ｄにおいて低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。高電圧ダミーパターン８６は、より具体的には、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽することによって、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３から遠ざける。これにより、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を起因とする高電圧コイル２３の電界集中が、抑制される。
【0125】
低電圧コイル２２に印加される電圧を超える電圧が、高電圧ダミーパターン８６に印加される。これにより、高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン８６の間の電圧降下を抑制できるから、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。
高電圧コイル２３に印加される電圧が、高電圧ダミーパターン８６に印加されることが好ましい。つまり、高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３と同電位を成すことが好ましい。これにより、高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン８６の間の電圧降下を確実に抑制できるから、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
高電圧コイル２３に印加される電圧が、高電圧ダミーパターン８６に印加されることが好ましい。つまり、高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３と同電位を成すことが好ましい。これにより、高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン８６の間の電圧降下を確実に抑制できるから、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
【0126】
絶縁積層構造５１の内部における高電圧ダミーパターン８６の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。高電圧ダミーパターン８６は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
法線方向Ｚに関して高電圧ダミーパターン８６が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、高電圧ダミーパターン８６および高電圧コイル２３の間の距離が、高電圧ダミーパターン８６および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
法線方向Ｚに関して高電圧ダミーパターン８６が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、高電圧ダミーパターン８６および高電圧コイル２３の間の距離が、高電圧ダミーパターン８６および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
【0127】
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、高電圧ダミーパターン８６および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
【0128】
高電圧ダミーパターン８６は、平面視において低電圧パッド１１に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。平面視において高電圧ダミーパターン８６が高電圧コイル２３に近接するとは、高電圧ダミーパターン８６および高電圧コイル２３の間の距離が、高電圧ダミーパターン８６および低電圧パッド１１の間の距離未満であることを意味する。
【0129】
高電圧ダミーパターン８６は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在するように複数の高電圧コイル２３の周囲に形成されていることが好ましい。この場合、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域を利用して、複数の高電圧コイル２３に対する不所望な電界集中を抑制できる。
高電圧ダミーパターン８６は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン８６は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
【0130】
高電圧ダミーパターン８６は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン８６は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン８６は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
【0131】
高電圧ダミーパターン８６は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン８６は、この形態では、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域外の領域において少なくとも１つの高電圧コイル２３に沿うように形成されている。
高電圧ダミーパターン８６は、この形態では、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域外の領域において少なくとも１つの高電圧コイル２３に沿うように形成されている。
【0132】
高電圧ダミーパターン８６は、より具体的には、平面視において複数の高電圧コイル２３に沿うように形成されている。高電圧ダミーパターン８６は、さらに具体的には、平面視において複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２を含む領域を一括して取り囲んでいる。
これにより、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
これにより、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン８６は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
【0133】
また、高電圧ダミーパターン８６は、平面視においてフィールド電極６１および複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン８６は、フィールド電極６１および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
高電圧ダミーパターン８６は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域において、高電圧パッド１２Ｅ，１２Ｆの直下の領域を露出させるように、高電圧パッド１２Ｅ，１２Ｆの周囲に引き回されている。高電圧ダミーパターン８６の一部は、法線方向Ｚに高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆに対向していてもよい。
高電圧ダミーパターン８６は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域において、高電圧パッド１２Ｅ，１２Ｆの直下の領域を露出させるように、高電圧パッド１２Ｅ，１２Ｆの周囲に引き回されている。高電圧ダミーパターン８６の一部は、法線方向Ｚに高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆに対向していてもよい。
【0134】
この場合、高電圧パッド１２Ｅ，１２Ｆは、高電圧ダミーパターン８６と同様に、電界を遮蔽することによって、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制する。つまり、高電圧パッド１２Ｅ，１２Ｆは、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制するシールド導体層として形成されている。
高電圧ダミーパターン８６は、有端状に形成されていることが好ましい。この場合、電流のループ回路（閉回路）が高電圧ダミーパターン８６に形成されることを抑制できる。これにより、高電圧ダミーパターン８６を流れる電流に起因するノイズが抑制される。その結果、ノイズに起因する不所望な電界集中を抑制できると同時に、変圧器２１Ａ～２１Ｄの電気的特性の変動を抑制できる。
高電圧ダミーパターン８６は、有端状に形成されていることが好ましい。この場合、電流のループ回路（閉回路）が高電圧ダミーパターン８６に形成されることを抑制できる。これにより、高電圧ダミーパターン８６を流れる電流に起因するノイズが抑制される。その結果、ノイズに起因する不所望な電界集中を抑制できると同時に、変圧器２１Ａ～２１Ｄの電気的特性の変動を抑制できる。
【0135】
高電圧ダミーパターン８６は、より具体的には、第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８を含む。第１高電圧ダミーパターン８７は、平面視において互いに隣り合う複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄ（複数の高電圧コイル２３）の間の領域に形成されている。第２高電圧ダミーパターン８８は、平面視において互いに隣り合う複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄ（複数の高電圧コイル２３）の間の領域外の領域に形成されている。
【0136】
以下では、互いに隣り合う第１変圧器２１Ａ（高電圧コイル２３）および第２変圧器２１Ｂ（高電圧コイル２３）の間の領域が、第１領域８９と称される。また、第２変圧器２１Ｂ（高電圧コイル２３）および第３変圧器２１Ｃ（高電圧コイル２３）の間の領域が、第２領域９０と称される。また、第３変圧器２１Ｃ（高電圧コイル２３）および第４変圧器２１Ｄ（高電圧コイル２３）の間の領域が、第３領域９１と称される。
【0137】
第１高電圧ダミーパターン８７は、この形態では、第１高電圧配線３３を介して高電圧パッド１２（第５高電圧パッド１２Ｅ）に電気的に接続されている。第１高電圧ダミーパターン８７は、より具体的には、第１高電圧配線３３に接続された第１接続部９２を含む。第１接続部９２の位置は任意である。これにより、第１高電圧ダミーパターン８７は、複数の高電圧コイル２３と同電位に固定される。
【0138】
第１高電圧ダミーパターン８７は、第１領域８９、第２領域９０および第３領域９１において、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制し、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。
第１高電圧ダミーパターン８７は、第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５を含む。第１パターン９３は、第１領域８９に形成されている。第２パターン９４は、第２領域９０に形成されている。第３パターン９５は、第３領域９１に形成されている。
第１高電圧ダミーパターン８７は、第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５を含む。第１パターン９３は、第１領域８９に形成されている。第２パターン９４は、第２領域９０に形成されている。第３パターン９５は、第３領域９１に形成されている。
【0139】
第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５は、この形態では、一体的に形成され、互いに同電位を成している。第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５は、同電位に固定されているのであれば、互いに分離して形成されていてもよい。
図７および図１０を参照して、第１パターン９３は、第１接続部９２を介して第１高電圧配線３３に接続されている。第１パターン９３は、平面視において第１領域８９の一部の領域を覆い隠すように密なライン状に引き回されている。
図７および図１０を参照して、第１パターン９３は、第１接続部９２を介して第１高電圧配線３３に接続されている。第１パターン９３は、平面視において第１領域８９の一部の領域を覆い隠すように密なライン状に引き回されている。
【0140】
第１パターン９３は、平面視において高電圧パッド１２（第５高電圧パッド１２Ｅ）から間隔を空けて第１領域８９に形成されている。つまり、第１パターン９３は、平面視において高電圧パッド１２とは重なっていない。
また、第１パターン９３は、平面視において低電圧接続配線７２から間隔を空けて形成されている。つまり、第１パターン９３は、平面視において低電圧接続配線７２とは重なっていない。これにより、法線方向Ｚに関して、第１パターン９３および低電圧接続配線７２の間の絶縁距離を増加させることができるから、絶縁積層構造５１の絶縁耐圧を高めることができる。
また、第１パターン９３は、平面視において低電圧接続配線７２から間隔を空けて形成されている。つまり、第１パターン９３は、平面視において低電圧接続配線７２とは重なっていない。これにより、法線方向Ｚに関して、第１パターン９３および低電圧接続配線７２の間の絶縁距離を増加させることができるから、絶縁積層構造５１の絶縁耐圧を高めることができる。
【0141】
第１パターン９３は、第１外周ライン９６、第２外周ライン９７および複数の第１中間ライン９８を含む。第１外周ライン９６は、第１変圧器２１Ａの高電圧コイル２３の周囲に沿って帯状に延びる部分である。第２外周ライン９７は、第２変圧器２１Ｂの高電圧コイル２３の周囲に沿って帯状に延びる部分である。第１中間ライン９８は、第１領域８９を帯状に延びる部分である。
【0142】
第１外周ライン９６は、この形態では、平面視において第１領域８９に開放部を有するリング形状に形成されている。第１外周ライン９６の開放部の幅は、高電圧コイル２３の第２方向Ｙに沿う幅未満である。
第１外周ライン９６の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１外周ライン９６の幅は、第１外周ライン９６が延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。第１外周ライン９６の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１外周ライン９６の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
第１外周ライン９６の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１外周ライン９６の幅は、第１外周ライン９６が延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。第１外周ライン９６の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１外周ライン９６の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0143】
第１外周ライン９６および高電圧コイル２３（第１変圧器２１Ａ）の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１外周ライン９６および高電圧コイル２３の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１外周ライン９６および高電圧コイル２３のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0144】
第１外周ライン９６の幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。第１外周ライン９６の幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、第１外周ライン９６の幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第１外周ライン９６および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第１外周ライン９６および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第１外周ライン９６および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
第１外周ライン９６および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第１外周ライン９６および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第１外周ライン９６および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
【0145】
第２外周ライン９７は、この形態では、平面視において第１領域８９に開放部を有するリング形状に形成されている。第２外周ライン９７の開放部の幅は、高電圧コイル２３の第２方向Ｙに沿う幅未満である。第２外周ライン９７の開放部は、第１方向Ｘに沿って第１外周ライン９６の開放部と対向している。
第２外周ライン９７の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２外周ライン９７の幅は、第２外周ライン９７が延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。第２外周ライン９７の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２外周ライン９７の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
第２外周ライン９７の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２外周ライン９７の幅は、第２外周ライン９７が延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。第２外周ライン９７の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２外周ライン９７の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0146】
第２外周ライン９７および高電圧コイル２３（第２変圧器２１Ｂ）の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0147】
第２外周ライン９７の幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。第２外周ライン９７の幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、第２外周ライン９７の幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第２外周ライン９７および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
【0148】
複数の第１中間ライン９８は、第１領域８９において第１外周ライン９６および第２外周ライン９７の間の領域を帯状に延びている。複数の第１中間ライン９８は、第１外周ライン９６および第２外周ライン９７を電気的に接続する少なくとも１つ（この形態では１つ）の第１接続ライン９９を含む。
電流のループ回路の形成を防止する観点から、複数の第１中間ライン９８は、第１接続ライン９９を１つだけ含むことが好ましい。第１接続ライン９９の位置は任意であり、特定の箇所に限定されない。
電流のループ回路の形成を防止する観点から、複数の第１中間ライン９８は、第１接続ライン９９を１つだけ含むことが好ましい。第１接続ライン９９の位置は任意であり、特定の箇所に限定されない。
【0149】
複数の第１中間ライン９８のうちの少なくとも１つには、電流のループ回路を遮断するスリット１００が形成されている。スリット１００の位置は、複数の第１中間ライン９８のデザインによって適宜調整されるものであり、特定の箇所に限定されない。
複数の第１中間ライン９８は、複数の高電圧コイル２３の対向方向に沿って延びる帯状に形成されていることが好ましい。複数の第１中間ライン９８は、この形態では、第１方向Ｘに沿って延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の第１中間ライン９８は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に形成されている。
複数の第１中間ライン９８は、複数の高電圧コイル２３の対向方向に沿って延びる帯状に形成されていることが好ましい。複数の第１中間ライン９８は、この形態では、第１方向Ｘに沿って延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の第１中間ライン９８は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に形成されている。
【0150】
複数の第１中間ライン９８は、この形態では、複数の第１引き出し部１０１および複数の第２引き出し部１０２を含む。複数の第１引き出し部１０１は、第１外周ライン９６から第２外周ライン９７に向けてストライプ状に引き出されている。複数の第１引き出し部１０１の先端部は、第１外周ライン９６から第２外周ライン９７側に間隔を空けて形成されている。
【0151】
複数の第２引き出し部１０２は、第２外周ライン９７から第１外周ライン９６に向けてストライプ状に引き出されている。複数の第２引き出し部１０２の先端部は、第２外周ライン９７から第１外周ライン９６側に間隔を空けて形成されている。
複数の第２引き出し部１０２は、この形態では、１つの第１引き出し部１０１を第２方向Ｙから挟み込む態様で、第２方向Ｙに沿って複数の第１引き出し部１０１と交互に間隔を空けて形成されている。
複数の第２引き出し部１０２は、この形態では、１つの第１引き出し部１０１を第２方向Ｙから挟み込む態様で、第２方向Ｙに沿って複数の第１引き出し部１０１と交互に間隔を空けて形成されている。
【0152】
複数の第２引き出し部１０２は、複数の第１引き出し部１０１を挟み込んでいてもよい。また、複数の第２引き出し部１０２は、複数の第１引き出し部１０１と隣り合うように形成されていてもよい。スリット１００、複数の第１引き出し部１０１および複数の第２引き出し部１０２は、第１パターン９３における電流のループ回路の形成を抑制する。
第２方向Ｙに関して第１中間ライン９８の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１中間ライン９８の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１中間ライン９８の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
第２方向Ｙに関して第１中間ライン９８の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１中間ライン９８の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１中間ライン９８の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0153】
互いに隣り合う２つの第１中間ライン９８の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１中間ライン９８のピッチは、第２方向Ｙに関して、互いに隣り合う複数の第１中間ライン９８の間の距離によって定義される。第１中間ライン９８のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１中間ライン９８のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0154】
第１中間ライン９８の幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。第１中間ライン９８の幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、第１中間ライン９８の幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第１中間ライン９８の間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。第１中間ライン９８の間のピッチが互いに等しいとは、第１中間ライン９８の間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第１中間ライン９８の間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。第１中間ライン９８の間のピッチが互いに等しいとは、第１中間ライン９８の間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0155】
第１中間ライン９８のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第１中間ライン９８のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第１中間ライン９８のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
【0156】
図７および図１１を参照して、第２パターン９４は、第１高電圧配線３３を介して高電圧パッド１２に電気的に接続されている。第２パターン９４は、この形態では、第１パターン９３の第２外周ライン９７を介して第１高電圧配線３３（第５高電圧パッド１２Ｅ）に電気的に接続されている。第２パターン９４は、第２領域９０を覆い隠すように密なライン状に引き回されている。
【0157】
第２パターン９４は、前述の第２外周ライン９７、第３外周ライン１０３および複数の第２中間ライン１０４を含む。第３外周ライン１０３は、第３変圧器２１Ｃの高電圧コイル２３の周囲に沿って帯状に延びる部分である。第２中間ライン１０４は、第２領域９０を帯状に延びる部分である。
第３外周ライン１０３は、この形態では、平面視において第３領域９１に開放部を有するリング形状に形成されている。第３外周ライン１０３の開放部の幅は、第３変圧器２１Ｃの高電圧コイル２３の第２方向Ｙに沿う幅未満である。
第３外周ライン１０３は、この形態では、平面視において第３領域９１に開放部を有するリング形状に形成されている。第３外周ライン１０３の開放部の幅は、第３変圧器２１Ｃの高電圧コイル２３の第２方向Ｙに沿う幅未満である。
【0158】
第３外周ライン１０３の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３外周ライン１０３の幅は、第３外周ライン１０３が延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。第３外周ライン１０３の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３外周ライン１０３の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0159】
第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３（第３変圧器２１Ｃ）の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0160】
第３外周ライン１０３の幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。第３外周ライン１０３の幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、第３外周ライン１０３の幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第３外周ライン１０３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
【0161】
複数の第２中間ライン１０４は、第２領域９０において第２外周ライン９７および第３外周ライン１０３の間の領域を帯状に延びている。複数の第２中間ライン１０４は、第２外周ライン９７および第３外周ライン１０３を電気的に接続する少なくとも１つ（この形態では１つ）の第２接続ライン１０５を含む。
電流のループ回路の形成を防止する観点から、複数の第２中間ライン１０４は、第２接続ライン１０５を１つだけ含むことが好ましい。第２接続ライン１０５は、他の第２中間ライン１０４の幅を超える幅を有していてもよい。第２接続ライン１０５の位置は任意であり、特定の箇所に限定されない。
電流のループ回路の形成を防止する観点から、複数の第２中間ライン１０４は、第２接続ライン１０５を１つだけ含むことが好ましい。第２接続ライン１０５は、他の第２中間ライン１０４の幅を超える幅を有していてもよい。第２接続ライン１０５の位置は任意であり、特定の箇所に限定されない。
【0162】
複数の第２中間ライン１０４のうちの少なくとも１つには、電流のループ回路を遮断するスリット１０６が形成されている。スリット１０６の位置は、複数の第２中間ライン１０４のデザインによって適宜調整されるものであり、特定の箇所に限定されない。
複数の第２中間ライン１０４は、複数の高電圧コイル２３の対向方向に沿って延びる帯状に形成されていることが好ましい。複数の第２中間ライン１０４は、この形態では、第１方向Ｘに沿って延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の第２中間ライン１０４は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に形成されている。
複数の第２中間ライン１０４は、複数の高電圧コイル２３の対向方向に沿って延びる帯状に形成されていることが好ましい。複数の第２中間ライン１０４は、この形態では、第１方向Ｘに沿って延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の第２中間ライン１０４は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に形成されている。
【0163】
複数の第２中間ライン１０４は、この形態では、複数の第３引き出し部１０７および複数の第４引き出し部１０８を含む。複数の第３引き出し部１０７は、第２外周ライン９７から第３外周ライン１０３に向けてストライプ状に引き出されている。複数の第３引き出し部１０７の先端部は、第３外周ライン１０３から第２外周ライン９７側に間隔を空けて形成されている。
【0164】
複数の第４引き出し部１０８は、第３外周ライン１０３から第２外周ライン９７に向けてストライプ状に引き出されている。複数の第４引き出し部１０８の先端部は、第２外周ライン９７から第３外周ライン１０３側に間隔を空けて形成されている。
複数の第４引き出し部１０８は、この形態では、１つの第３引き出し部１０７を第２方向Ｙから挟み込む態様で、第２方向Ｙに沿って複数の第３引き出し部１０７と交互に間隔を空けて形成されている。
複数の第４引き出し部１０８は、この形態では、１つの第３引き出し部１０７を第２方向Ｙから挟み込む態様で、第２方向Ｙに沿って複数の第３引き出し部１０７と交互に間隔を空けて形成されている。
【0165】
複数の第４引き出し部１０８は、複数の第３引き出し部１０７を挟み込んでいてもよい。また、複数の第４引き出し部１０８は、複数の第３引き出し部１０７と隣り合うように形成されていてもよい。スリット１０６、複数の第３引き出し部１０７および複数の第４引き出し部１０８は、第２パターン９４における電流のループ回路の形成を抑制する。
第２方向Ｙに関して第２中間ライン１０４の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２中間ライン１０４の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２中間ライン１０４の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
第２方向Ｙに関して第２中間ライン１０４の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２中間ライン１０４の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２中間ライン１０４の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0166】
互いに隣り合う２つの第２中間ライン１０４の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２中間ライン１０４の間のピッチは、第２方向Ｙに関して、互いに隣り合う複数の第２中間ライン１０４の間の距離によって定義される。第２中間ライン１０４の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第２中間ライン１０４の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0167】
第２中間ライン１０４の幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。第２中間ライン１０４の幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、第２中間ライン１０４の幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第２中間ライン１０４の間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。第２中間ライン１０４の間のピッチが互いに等しいとは、第２中間ライン１０４の間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第２中間ライン１０４の間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。第２中間ライン１０４の間のピッチが互いに等しいとは、第２中間ライン１０４の間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0168】
第２中間ライン１０４の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第２中間ライン１０４の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第２中間ライン１０４の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
【0169】
図７および図１２を参照して、第３パターン９５は、第１高電圧配線３３に電気的に接続されている。第３パターン９５は、この形態では、第２パターン９４および第１パターン９３を介して第１高電圧配線３３に電気的に接続されている。
第３パターン９５は、第３領域９１の一部の領域を覆い隠すように密なライン状に引き回されている。第３パターン９５は、平面視において高電圧パッド１２（第６高電圧パッド１２Ｆ）から間隔を空けて第３領域９１に形成されている。つまり、第３パターン９５は、平面視において高電圧パッド１２とは重なっていない。
第３パターン９５は、第３領域９１の一部の領域を覆い隠すように密なライン状に引き回されている。第３パターン９５は、平面視において高電圧パッド１２（第６高電圧パッド１２Ｆ）から間隔を空けて第３領域９１に形成されている。つまり、第３パターン９５は、平面視において高電圧パッド１２とは重なっていない。
【0170】
第３パターン９５は、平面視において低電圧接続配線７２から間隔を空けて形成されている。つまり、第３パターン９５は、平面視において低電圧接続配線７２とは重なっていない。これにより、法線方向Ｚに関して、第３パターン９５および低電圧接続配線７２の間の絶縁距離を増加させることができるから、絶縁積層構造５１の絶縁耐圧を高めることができる。
【0171】
第３パターン９５は、前述の第３外周ライン１０３、第４外周ライン１０９および複数の第３中間ライン１１０を含む。第４外周ライン１０９は、第４変圧器２１Ｄの高電圧コイル２３の周囲に沿って帯状に延びる部分である。第３中間ライン１１０は、第３領域９１を帯状に延びる部分である。
第４外周ライン１０９は、この形態では、平面視において第３領域９１に開放部を有するリング形状に形成されている。第４外周ライン１０９の開放部の幅は、第４変圧器２１Ｄの高電圧コイル２３の第２方向Ｙに沿う幅未満である。第４外周ライン１０９の開放部は、第１方向Ｘに沿って第３外周ライン１０３の開放部と対向している。
第４外周ライン１０９は、この形態では、平面視において第３領域９１に開放部を有するリング形状に形成されている。第４外周ライン１０９の開放部の幅は、第４変圧器２１Ｄの高電圧コイル２３の第２方向Ｙに沿う幅未満である。第４外周ライン１０９の開放部は、第１方向Ｘに沿って第３外周ライン１０３の開放部と対向している。
【0172】
第４外周ライン１０９の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第４外周ライン１０９の幅は、第４外周ライン１０９が延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。第４外周ライン１０９の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第４外周ライン１０９の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0173】
第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３（第４変圧器２１Ｄ）の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0174】
第４外周ライン１０９の幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。第４外周ライン１０９の幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、第４外周ライン１０９の幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことを意味する。第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことを意味する。第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第４外周ライン１０９および高電圧コイル２３のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
【0175】
複数の第３中間ライン１１０は、第３領域９１において第３外周ライン１０３および第４外周ライン１０９の間の領域を帯状に延びている。複数の第３中間ライン１１０は、第３外周ライン１０３および第４外周ライン１０９を電気的に接続する少なくとも１つ（この形態では１つ）の第３接続ライン１１１を含む。
電流のループ回路の形成を防止する観点から、複数の第３中間ライン１１０は、第３接続ライン１１１を１つだけ含むことが好ましい。第３接続ライン１１１の位置は任意であり、特定の箇所に限定されない。
電流のループ回路の形成を防止する観点から、複数の第３中間ライン１１０は、第３接続ライン１１１を１つだけ含むことが好ましい。第３接続ライン１１１の位置は任意であり、特定の箇所に限定されない。
【0176】
複数の第３中間ライン１１０のうちの少なくとも１つには、電流のループ回路を遮断するスリット１１２が形成されている。スリット１１２の位置は、複数の第３中間ライン１１０のデザインによって適宜調整されるものであり、特定の箇所に限定されない。
複数の第３中間ライン１１０は、複数の高電圧コイル２３の対向方向に沿って延びる帯状に形成されていることが好ましい。複数の第３中間ライン１１０は、この形態では、第１方向Ｘに沿って延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の第３中間ライン１１０は、平面視において全体としてストライプ状に形成されている。
複数の第３中間ライン１１０は、複数の高電圧コイル２３の対向方向に沿って延びる帯状に形成されていることが好ましい。複数の第３中間ライン１１０は、この形態では、第１方向Ｘに沿って延びる帯状にそれぞれ形成され、第２方向Ｙに間隔を空けて形成されている。複数の第３中間ライン１１０は、平面視において全体としてストライプ状に形成されている。
【0177】
複数の第３中間ライン１１０は、この形態では、複数の第５引き出し部１１３および複数の第６引き出し部１１４を含む。複数の第５引き出し部１１３は、第３外周ライン１０３から第４外周ライン１０９に向けてストライプ状に引き出されている。複数の第５引き出し部１１３の先端部は、第４外周ライン１０９から第３外周ライン１０３側に間隔を空けて形成されている。
【0178】
複数の第６引き出し部１１４は、第４外周ライン１０９から第３外周ライン１０３に向けてストライプ状に引き出されている。複数の第６引き出し部１１４の先端部は、第３外周ライン１０３から第４外周ライン１０９側に間隔を空けて形成されている。
複数の第６引き出し部１１４は、この形態では、１つの第５引き出し部１１３を第２方向Ｙから挟み込む態様で、第２方向Ｙに沿って複数の第５引き出し部１１３と交互に間隔を空けて形成されている。
複数の第６引き出し部１１４は、この形態では、１つの第５引き出し部１１３を第２方向Ｙから挟み込む態様で、第２方向Ｙに沿って複数の第５引き出し部１１３と交互に間隔を空けて形成されている。
【0179】
複数の第６引き出し部１１４は、複数の第５引き出し部１１３を挟み込んでいてもよい。また、複数の第６引き出し部１１４は、複数の第５引き出し部１１３と隣り合うように形成されていてもよい。スリット１１２、複数の第５引き出し部１１３および複数の第６引き出し部１１４は、第３パターン９５における電流のループ回路の形成を抑制する。
第２方向Ｙに関して第３中間ライン１１０の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３中間ライン１１０の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３中間ライン１１０の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
第２方向Ｙに関して第３中間ライン１１０の幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３中間ライン１１０の幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３中間ライン１１０の幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0180】
互いに隣り合う２つの第３中間ライン１１０の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３中間ライン１１０の間のピッチは、第２方向Ｙに関して、互いに隣り合う複数の第３中間ライン１１０の間の距離によって定義される。第３中間ライン１１０の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第３中間ライン１１０の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0181】
第３中間ライン１１０の幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。第３中間ライン１１０の幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、第３中間ライン１１０の幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第３中間ライン１１０の間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。第３中間ライン１１０の間のピッチが互いに等しいとは、第３中間ライン１１０の間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
第３中間ライン１１０の間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。第３中間ライン１１０の間のピッチが互いに等しいとは、第３中間ライン１１０の間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0182】
第３中間ライン１１０の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。第３中間ライン１１０の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、第３中間ライン１１０の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。
【0183】
図７～図１２を参照して、第２高電圧ダミーパターン８８は、この形態では、第１高電圧ダミーパターン８７を介して高電圧パッド１２に電気的に接続されている。第２高電圧ダミーパターン８８は、より具体的には、第１高電圧ダミーパターン８７に接続された第２接続部１１５を含む。第２接続部１１５の位置は任意である。これにより、第２高電圧ダミーパターン８８は、複数の高電圧コイル２３と同電位に固定される。
【0184】
第２高電圧ダミーパターン８８は、第１領域８９、第２領域９０および第３領域９１外の領域において、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制し、複数の高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。
第２高電圧ダミーパターン８８は、この形態では、平面視において複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆを含む領域を一括して取り囲んでいる。第２高電圧ダミーパターン８８は、この形態では、平面視において長円環状（楕円環状）に形成されている。
第２高電圧ダミーパターン８８は、この形態では、平面視において複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆを含む領域を一括して取り囲んでいる。第２高電圧ダミーパターン８８は、この形態では、平面視において長円環状（楕円環状）に形成されている。
【0185】
これにより、第２高電圧ダミーパターン８８は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、第２高電圧ダミーパターン８８は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
また、第２高電圧ダミーパターン８８は、平面視においてフィールド電極６１および複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、第２高電圧ダミーパターン８８は、フィールド電極６１および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
また、第２高電圧ダミーパターン８８は、平面視においてフィールド電極６１および複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、第２高電圧ダミーパターン８８は、フィールド電極６１および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
【0186】
第２高電圧ダミーパターン８８は、この形態では、複数（この形態では６個）の高電圧ライン１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ，１１６Ｄ，１１６Ｅ，１１６Ｆを含む。高電圧ラインの個数は、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆは、複数の高電圧コイル２３から離れる方向にこの順に間隔を空けて形成されている。
【0187】
複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆは、平面視において複数の高電圧コイル２３を一括して取り囲んでいる。複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆは、より具体的には、平面視において複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆを含む領域を一括して取り囲んでいる。複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆは、この形態では、平面視において長円環状（楕円環状）に形成されている。
【0188】
複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆには、電流のループ回路を遮断するスリット１１７がそれぞれ形成されている。スリット１１７の位置は、複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆのデザインによって適宜調整されるものであり、特定の箇所に限定されない。
高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0189】
互いに隣り合う２つの高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0190】
互いに隣り合う第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0191】
高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0192】
高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの個数、幅およびピッチは、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。
これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆの個数、幅およびピッチは、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。
【0193】
図７～図１２を参照して、シールド導体層８５は、平面視において変圧器２１Ａ～２１Ｄの周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターン１２１を含む。浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１Ａ～２１Ｄから独立している。つまり、浮遊ダミーパターン１２１は、変圧器２１Ａ～２１Ｄとしては機能しない。
【0194】
浮遊ダミーパターン１２１は、この形態では、平面視において高電圧コイル２３の周囲の領域を部分的に被覆し、かつ、部分的に露出させるように密なライン状に引き回されている。浮遊ダミーパターン１２１は、有端状に形成されていてもよいし、無端状に形成されていてもよい。
浮遊ダミーパターン１２１は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。浮遊ダミーパターン１２１のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、浮遊ダミーパターン１２１のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
浮遊ダミーパターン１２１は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。浮遊ダミーパターン１２１のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、浮遊ダミーパターン１２１のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0195】
また、浮遊ダミーパターン１２１は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧ダミーパターン８６のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。浮遊ダミーパターン１２１のライン密度が高電圧ダミーパターン８６のライン密度と等しいとは、浮遊ダミーパターン１２１のライン密度が高電圧ダミーパターン８６のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0196】
浮遊ダミーパターン１２１は、変圧器２１Ａ～２１Ｄにおいて低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。浮遊ダミーパターン１２１は、より具体的には、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３から離れる方向に分散させるように、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽する。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。
【0197】
浮遊ダミーパターン１２１は、さらに具体的には、高電圧ダミーパターン８６の周囲において高電圧ダミーパターン８６の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン８６から離れる方向に分散させる。これにより、高電圧ダミーパターン８６に対する電界集中を抑制できると同時に、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
【0198】
絶縁積層構造５１の内部における浮遊ダミーパターン１２１の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。浮遊ダミーパターン１２１は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
法線方向Ｚに関して浮遊ダミーパターン１２１が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、浮遊ダミーパターン１２１および高電圧コイル２３の間の距離が、浮遊ダミーパターン１２１および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
法線方向Ｚに関して浮遊ダミーパターン１２１が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、浮遊ダミーパターン１２１および高電圧コイル２３の間の距離が、浮遊ダミーパターン１２１および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
【0199】
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、浮遊ダミーパターン１２１および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
【0200】
浮遊ダミーパターン１２１は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１２１は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１２１は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0201】
浮遊ダミーパターン１２１は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１２１は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１２１は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0202】
浮遊ダミーパターン１２１は、平面視において複数の高電圧コイル２３に沿うように形成されている。浮遊ダミーパターン１２１は、より具体的には、平面視において複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２を含む領域を一括して取り囲んでいる。浮遊ダミーパターン１２１は、この形態では、平面視において高電圧ダミーパターン８６（第２高電圧ダミーパターン８８）を挟んで複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２を含む領域を一括して取り囲んでいる。
【0203】
これにより、浮遊ダミーパターン１２１は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、浮遊ダミーパターン１２１は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
また、浮遊ダミーパターン１２１は、平面視においてフィールド電極６１および複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、浮遊ダミーパターン１２１は、フィールド電極６１および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
また、浮遊ダミーパターン１２１は、平面視においてフィールド電極６１および複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、浮遊ダミーパターン１２１は、フィールド電極６１および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
【0204】
浮遊ダミーパターン１２１は、この形態では、複数（この形態では６個）の浮遊ライン１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃ，１２２Ｄ，１２２Ｅ，１２２Ｆを含む。浮遊ラインの個数は、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆは、複数の高電圧コイル２３から離れる方向にこの順に間隔を空けて形成されている。
【0205】
複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆは、平面視において複数の高電圧コイル２３を一括して取り囲んでいる。複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆは、より具体的には、平面視において複数の高電圧コイル２３および複数の高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆを含む領域を一括して取り囲んでいる。複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆは、この形態では、平面視において長円環状（楕円環状）に形成されている。
【0206】
浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの幅は、浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0207】
互いに隣り合う２つの浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0208】
浮遊ダミーパターン１２１および高電圧ダミーパターン８６（第２高電圧ダミーパターン８８）の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ダミーパターン１２１および高電圧ダミーパターン８６の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ダミーパターン１２１および高電圧ダミーパターン８６の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0209】
浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0210】
浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。図１０～図１２では、明瞭化のため、浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチを超えている例が示されている。
【0211】
浮遊ダミーパターン１２１および高電圧ダミーパターン８６の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。浮遊ダミーパターン１２１および高電圧ダミーパターン８６の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、浮遊ダミーパターン１２１および高電圧ダミーパターン８６の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0212】
これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆの個数、幅およびピッチは、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり、特定の値に限定されない。
図８および図９を参照して、電子部品５は、絶縁積層構造５１の絶縁主面５２の上に形成された保護絶縁層１４０をさらに含む。保護絶縁層１４０は、パッシベーション層と称されてもよい。保護絶縁層１４０は、絶縁主面５２を被覆し、絶縁積層構造５１や基板４１を保護する。
図８および図９を参照して、電子部品５は、絶縁積層構造５１の絶縁主面５２の上に形成された保護絶縁層１４０をさらに含む。保護絶縁層１４０は、パッシベーション層と称されてもよい。保護絶縁層１４０は、絶縁主面５２を被覆し、絶縁積層構造５１や基板４１を保護する。
【0213】
保護絶縁層１４０は、この形態では、第１保護層１４１および第２保護層１４２を含む積層構造を有している。第１保護層１４１は、酸化シリコンを含んでいてもよい。第１保護層１４１は、不純物無添加の酸化シリコンであるＵＳＧ（undoped silicate glass）を含むことが好ましい。第１保護層１４１の厚さは、５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下（たとえば１５０ｎｍ程度）であってもよい。第１保護層１４１の厚さは、前記数値に限らず、５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であってもよい。
【0214】
第２保護層１４２は、窒化シリコンを含んでいてもよい。第２保護層１４２の厚さは、５００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下（たとえば１０００ｎｍ程度）であってもよい。第２保護層１４２の厚さは、前記数値に限らず、５００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であってもよい。保護絶縁層１４０の総厚さを大きくすることにより、高電圧コイル２３上の絶縁耐圧を高めることができる。
【0215】
第１保護層１４１がＵＳＧからなり、第２保護層１４２が窒化シリコンからなる場合、ＵＳＧの絶縁破壊電圧（Ｖ／ｃｍ）は窒化シリコンの絶縁破壊電圧（Ｖ／ｃｍ）を超える。したがって、保護絶縁層１４０を厚化する場合、第２保護層１４２よりも厚い第１保護層１４１が形成されることが好ましい。
第１保護層１４１は、酸化シリコンの一例としてのＢＰＳＧ（boron doped phosphor silicate glass）およびＰＳＧ（phosphorus silicate glass）のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。ただし、この場合、酸化シリコン内に不純物（ホウ素やリン）が含まれるため、高電圧コイル２３上の絶縁耐圧を高める上では、ＵＳＧからなる第１保護層１４１が形成されることが特に好ましい。むろん、保護絶縁層１４０は、第１保護層１４１および第２保護層１４２のいずれか一方からなる単層構造を有していてもよい。
第１保護層１４１は、酸化シリコンの一例としてのＢＰＳＧ（boron doped phosphor silicate glass）およびＰＳＧ（phosphorus silicate glass）のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。ただし、この場合、酸化シリコン内に不純物（ホウ素やリン）が含まれるため、高電圧コイル２３上の絶縁耐圧を高める上では、ＵＳＧからなる第１保護層１４１が形成されることが特に好ましい。むろん、保護絶縁層１４０は、第１保護層１４１および第２保護層１４２のいずれか一方からなる単層構造を有していてもよい。
【0216】
保護絶縁層１４０は、複数の低電圧サブパッド開口１４３および複数の高電圧サブパッド開口１４４を有している。複数の低電圧サブパッド開口１４３は、複数の低電圧パッド１１をそれぞれ露出させている。複数の高電圧サブパッド開口１４４は、複数の高電圧パッド１２をそれぞれ露出させている。
保護絶縁層１４０は、低電圧パッド１１の周縁部に乗り上げたオーバラップ部を有していてもよい。保護絶縁層１４０は、高電圧パッド１２の周縁部に乗り上げたオーバラップ部を有していてもよい。
保護絶縁層１４０は、低電圧パッド１１の周縁部に乗り上げたオーバラップ部を有していてもよい。保護絶縁層１４０は、高電圧パッド１２の周縁部に乗り上げたオーバラップ部を有していてもよい。
【0217】
電子部品５は、保護絶縁層１４０の上に形成された樹脂層１４５をさらに含む。樹脂層１４５は、感光性樹脂を含んでいてもよい。樹脂層１４５は、感光性樹脂の一例としてのポリベンゾオキサゾールおよび／またはポリイミドを含んでいてもよい。樹脂層１４５の厚さは、１μｍ以上２０μｍ以下（たとえば４μｍ程度）であってもよい。むろん、樹脂層１４５の厚さは、２０μｍ以上（たとえば１μｍ以上５０μｍ以下）であってもよい。樹脂層１４５を厚くすることにより、高電圧コイル２３上の絶縁耐圧を適切に高めることができる。
【0218】
樹脂層１４５は、保護絶縁層１４０の総厚さを超えていることが好ましい。さらに、保護絶縁層１４０および樹脂層１４５の総厚さは、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の距離Ｄ２以上であることが好ましい。この場合、保護絶縁層１４０の総厚さは２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、樹脂層１４５の厚さは５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。これらの構造によれば、保護絶縁層１４０および樹脂層１４５の厚化を抑制できると同時に、保護絶縁層１４０および樹脂層１４５の積層膜によって高電圧コイル２３上の絶縁耐圧を適切に高めることができる。
【0219】
樹脂層１４５は、低電圧側の領域を被覆する第１樹脂層１４６および高電圧側の領域を被覆する第２樹脂層１４７を含む。第１樹脂層１４６は、フィールド電極６１を被覆している。第１樹脂層１４６は、複数の低電圧パッド１１（低電圧サブパッド開口１４３）をそれぞれ露出させる複数の低電圧パッド開口１４８を有している。第１樹脂層１４６は、低電圧サブパッド開口１４３の周縁（オーバラップ部）に乗り上がったオーバラップ部を有していてもよい。
【0220】
第２樹脂層１４７は、第１樹脂層１４６から間隔を空けて形成され、第１樹脂層１４６との間から保護絶縁層１４０を露出させている。第２樹脂層１４７は、複数の高電圧パッド１２（高電圧サブパッド開口１４４）をそれぞれ露出させる複数の高電圧パッド開口１４９を有している。第２樹脂層１４７は、高電圧サブパッド開口１４４の周縁（オーバラップ部）に乗り上がったオーバラップ部を有していてもよい。
【0221】
第２樹脂層１４７は、変圧器２１Ａ～２１Ｄおよびシールド導体層８５を一括して被覆している。第２樹脂層１４７は、より具体的には、複数の高電圧コイル２３、複数の高電圧パッド１２、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１を一括して被覆している。
樹脂層１４５が形成されていない場合、パッケージ本体２（封止樹脂）に含有されるフィラーに起因して複数の高電圧コイル２３、複数の高電圧パッド１２、フィールド電極６１、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１にダメージが生じる場合がある。この種のダメージはフィラーアタックと称される。
樹脂層１４５が形成されていない場合、パッケージ本体２（封止樹脂）に含有されるフィラーに起因して複数の高電圧コイル２３、複数の高電圧パッド１２、フィールド電極６１、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１にダメージが生じる場合がある。この種のダメージはフィラーアタックと称される。
【0222】
樹脂層１４５は、パッケージ本体２（封止樹脂）に含有されるフィラーから複数の高電圧コイル２３、複数の高電圧パッド１２、フィールド電極６１、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１を保護する。
第１樹脂層１４６および第２樹脂層１４７の間のスリットは、パッケージ本体２（封止樹脂）に対するアンカー部として機能する。パッケージ本体２（封止樹脂）の一部は、第１樹脂層１４６および第２樹脂層１４７の間のスリットに入り込んでいる。これにより、電子部品５に対するパッケージ本体２（封止樹脂）の密着力が高められる。
第１樹脂層１４６および第２樹脂層１４７の間のスリットは、パッケージ本体２（封止樹脂）に対するアンカー部として機能する。パッケージ本体２（封止樹脂）の一部は、第１樹脂層１４６および第２樹脂層１４７の間のスリットに入り込んでいる。これにより、電子部品５に対するパッケージ本体２（封止樹脂）の密着力が高められる。
【0223】
むろん、第１樹脂層１４６および第２樹脂層１４７は一体的に形成されていてもよい。また、樹脂層１４５は、第１樹脂層１４６および第２樹脂層１４７のいずれか一方だけを含んでいてもよい。ただし、この場合には、フィラーアタックに留意する必要がある。
図１３は、平均瞬時絶縁破壊電圧（絶縁耐圧）を示すグラフである。図１３において、縦軸は平均瞬時絶縁破壊電圧［ＫＶ・ｒｍｓ］を示し、横軸は項目を示している。平均瞬時絶縁破壊電圧が高いほど、絶縁積層構造５１の耐圧が高いことを意味する。図１３には、第１棒グラフＧ１、第２棒グラフＧ２、第３棒グラフＧ３および第４棒グラフＧ４が示されている。
図１３は、平均瞬時絶縁破壊電圧（絶縁耐圧）を示すグラフである。図１３において、縦軸は平均瞬時絶縁破壊電圧［ＫＶ・ｒｍｓ］を示し、横軸は項目を示している。平均瞬時絶縁破壊電圧が高いほど、絶縁積層構造５１の耐圧が高いことを意味する。図１３には、第１棒グラフＧ１、第２棒グラフＧ２、第３棒グラフＧ３および第４棒グラフＧ４が示されている。
【0224】
第１棒グラフＧ１は、第１構造に係る電子部品５の平均瞬時絶縁破壊電圧を示している。第１構造に係る電子部品５では、シールド導体層８５が形成されていない。第２棒グラフＧ２は、第２構造に係る電子部品５の平均瞬時絶縁破壊電圧を示している。第２構造に係る電子部品５では、第２高電圧ダミーパターン８８だけを含むシールド導体層８５が形成されている。
【0225】
第３棒グラフＧ３は、第３構造に係る電子部品５の平均瞬時絶縁破壊電圧を示している。第３構造に係る電子部品５では、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８だけを含むシールド導体層８５が形成されている。
第４棒グラフＧ４は、第４構造に係る電子部品５の平均瞬時絶縁破壊電圧を示している。第４構造に係る電子部品５では、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１を含むシールド導体層８５が形成されている。
第４棒グラフＧ４は、第４構造に係る電子部品５の平均瞬時絶縁破壊電圧を示している。第４構造に係る電子部品５では、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１を含むシールド導体層８５が形成されている。
【0226】
第１棒グラフＧ１および第２棒グラフＧ２を参照して、第２高電圧ダミーパターン８８を形成することにより、平均瞬時絶縁破壊電圧が１１．２％増加した。第２棒グラフＧ２および第３棒グラフＧ３を参照して、第２高電圧ダミーパターン８８に加えて浮遊ダミーパターン１２１を形成することにより、平均瞬時絶縁破壊電圧が１３．２％増加した。
第３棒グラフＧ３および第４棒グラフＧ４を参照して、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１に加えて第１高電圧ダミーパターン８７を形成することにより、平均瞬時絶縁破壊電圧が６．２％増加した。
第３棒グラフＧ３および第４棒グラフＧ４を参照して、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１に加えて第１高電圧ダミーパターン８７を形成することにより、平均瞬時絶縁破壊電圧が６．２％増加した。
【0227】
第１棒グラフＧ１および第４棒グラフＧ４を参照して、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１を形成することにより、平均瞬時絶縁破壊電圧が１３．３７％増加した。
図１４は、高電圧コイル２３の近傍の等電位線（電界分布）をシミュレーションによって調べた図である。図１４では、前述の第１構造に係る電子部品５の電界分布が示されている。
図１４は、高電圧コイル２３の近傍の等電位線（電界分布）をシミュレーションによって調べた図である。図１４では、前述の第１構造に係る電子部品５の電界分布が示されている。
【0228】
図１４を参照して、第１構造に係る電子部品５の場合、等電位線は、高電圧コイル２３の上側に回り込み、高電圧コイル２３の周縁に集中している。つまり、第１構造に係る電子部品５の場合では、電界が、高電圧コイル２３の周縁に集中していることが分かる。平均瞬時絶縁破壊電圧は、この種の電界集中によって低下する。
図１５Ａは、第１高電圧ダミーパターン８７の近傍の等電位線（電界分布）をシミュレーションによって調べた図である。図１５Ａでは、前述の第４構造に係る電子部品５の電界分布が示されている。
図１５Ａは、第１高電圧ダミーパターン８７の近傍の等電位線（電界分布）をシミュレーションによって調べた図である。図１５Ａでは、前述の第４構造に係る電子部品５の電界分布が示されている。
【0229】
図１５Ａを参照して、第４構造に係る電子部品５の場合、等電位線は、高電圧コイル２３および第１高電圧ダミーパターン８７を迂回し、第１高電圧ダミーパターン８７の上側に漏れ出している。つまり、第４構造に係る電子部品５の場合では、電界は、高電圧コイル２３には集中していない。これにより、平均瞬時絶縁破壊電圧を高めることができる。
具体的な図示は省略されるが、第２高電圧ダミーパターン８８も、第１高電圧ダミーパターン８７と同様の効果を奏する。すなわち、第２高電圧ダミーパターン８８の近傍では、等電位線は、高電圧コイル２３および第２高電圧ダミーパターン８８を迂回し、第２高電圧ダミーパターン８８の上側に漏れ出す。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できるから、平均瞬時絶縁破壊電圧を高めることができる。
具体的な図示は省略されるが、第２高電圧ダミーパターン８８も、第１高電圧ダミーパターン８７と同様の効果を奏する。すなわち、第２高電圧ダミーパターン８８の近傍では、等電位線は、高電圧コイル２３および第２高電圧ダミーパターン８８を迂回し、第２高電圧ダミーパターン８８の上側に漏れ出す。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できるから、平均瞬時絶縁破壊電圧を高めることができる。
【0230】
図１５Ｂは、浮遊ダミーパターン１２１の近傍の電界分布をシミュレーションによって調べた図である。図１５Ｂでは、前述の第４構造に係る電子部品５の電界分布が示されている。
図１５Ｂを参照して、第４構造に係る電子部品５の場合、等電位線は、互いに隣り合う浮遊ダミーパターン１２１の間の領域から高電圧コイル２３の上側に漏れ出している。つまり、第４構造に係る電子部品５の場合、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界が、浮遊ダミーパターン１２１によって間引かれている。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できるから、平均瞬時絶縁破壊電圧を高めることができる。
図１５Ｂを参照して、第４構造に係る電子部品５の場合、等電位線は、互いに隣り合う浮遊ダミーパターン１２１の間の領域から高電圧コイル２３の上側に漏れ出している。つまり、第４構造に係る電子部品５の場合、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界が、浮遊ダミーパターン１２１によって間引かれている。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できるから、平均瞬時絶縁破壊電圧を高めることができる。
【0231】
等電位線は、より具体的には、互いに隣り合う浮遊ダミーパターン１２１の間の領域から高電圧ダミーパターン８６の上側に漏れ出している。つまり、第４構造に係る電子部品５の場合、高電圧ダミーパターン８６の上側に漏れ出す電界が、浮遊ダミーパターン１２１によって間引かれている。
高電圧ダミーパターン８６および浮遊ダミーパターン１２１を含むシールド導体層８５において、高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３から遠ざける。一方、浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３から離れた領域において、高電圧ダミーパターン８６の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン８６から離れる方向に分散させる。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できるから、平均瞬時絶縁破壊電圧を適切に高めることができる。
高電圧ダミーパターン８６および浮遊ダミーパターン１２１を含むシールド導体層８５において、高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３から遠ざける。一方、浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３から離れた領域において、高電圧ダミーパターン８６の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン８６から離れる方向に分散させる。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できるから、平均瞬時絶縁破壊電圧を適切に高めることができる。
【0232】
このように、第１高電圧ダミーパターン８７、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１を含むシールド導体層８５を形成することにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制でき、平均瞬時絶縁破壊電圧を増加させることができることが分かった。また、図１４、図１５Ａおよび図１５Ｂの結果から、シールド導体層８５は、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８のうちの少なくとも１つを含んでいればよいことが分かった。
【0233】
以上、電子部品５は、平面視において高電圧コイル２３の周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に形成されたシールド導体層８５を含む。シールド導体層８５は、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間に形成される電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制し、平均瞬時絶縁破壊電圧を向上できる。
【0234】
シールド導体層８５は、この形態では、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在している。これにより、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域を利用して複数の高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。
シールド導体層８５は、この形態では、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在している。これにより、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、この形態では、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在している。これにより、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
【0235】
シールド導体層８５は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在している。これにより、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在している。これにより、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在している。これにより、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
【0236】
シールド導体層８５は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在している。これにより、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視において高電圧コイル２３の周囲に形成された高電圧ダミーパターン８６を含む。高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３の周囲の領域において、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制する。これにより、高電圧コイル２３の周囲の領域において、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
シールド導体層８５は、平面視において高電圧コイル２３の周囲に形成された高電圧ダミーパターン８６を含む。高電圧ダミーパターン８６は、高電圧コイル２３の周囲の領域において、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制する。これにより、高電圧コイル２３の周囲の領域において、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
【0237】
シールド導体層８５は、より具体的には、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域に介在する第１高電圧ダミーパターン８７を含む。第１高電圧ダミーパターン８７は、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域において、複数の高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制する。これにより、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域において、複数の高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
【0238】
また、シールド導体層８５は、平面視において互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域外の領域に位置する第２高電圧ダミーパターン８８を含む。第２高電圧ダミーパターン８８は、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域外の領域において、複数の高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制する。これにより、互いに隣り合う複数の高電圧コイル２３の間の領域外の領域において、複数の高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
【0239】
また、シールド導体層８５は、平面視において高電圧コイル２３の周囲に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターン１２１を含む。浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を分散させるように、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽する。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。
【0240】
浮遊ダミーパターン１２１は、さらに具体的には、高電圧ダミーパターン８６の周囲において高電圧ダミーパターン８６の上側に漏れ出す電界を分散させる。これにより、高電圧ダミーパターン８６に対する電界集中を抑制できると同時に、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
図１４から理解されるように、シールド導体層８５は、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８の全てを含むことが好ましい。しかし、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８のいずれか１つまたは２つを含むシールド導体層８５によっても、平均瞬時絶縁破壊電圧を向上させることができる。
図１４から理解されるように、シールド導体層８５は、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８の全てを含むことが好ましい。しかし、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８のいずれか１つまたは２つを含むシールド導体層８５によっても、平均瞬時絶縁破壊電圧を向上させることができる。
【0241】
つまり、第１高電圧ダミーパターン８７だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。また、第２高電圧ダミーパターン８８だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。また、浮遊ダミーパターン１２１だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。
また、第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。また、第１高電圧ダミーパターン８７および浮遊ダミーパターン１２１だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。また、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。
また、第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。また、第１高電圧ダミーパターン８７および浮遊ダミーパターン１２１だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。また、第２高電圧ダミーパターン８８および浮遊ダミーパターン１２１だけを有するシールド導体層８５が採用されてもよい。
【0242】
また、第１高電圧ダミーパターン８７は、浮遊ダミーパターン１２１に変更されてもよい。また、第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８は、浮遊ダミーパターン１２１に変更されてもよい。
このような浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧接続配線８１（高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆ）から第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８を切り離すことによって形成される。
このような浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧接続配線８１（高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆ）から第１高電圧ダミーパターン８７および第２高電圧ダミーパターン８８を切り離すことによって形成される。
【0243】
浮遊ダミーパターン１２１によれば、電気的に浮遊状態に形成されているので、高電圧コイル２３との間で電圧降下を形成しない。したがって、浮遊ダミーパターン１２１によれば、高電圧コイル２３との間の電界強度の増加を抑制しながら、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。ただし、浮遊ダミーパターン１２１の場合、高電圧コイル２３の上側へ漏れ出す電界が存することに留意する。
【0244】
また、浮遊ダミーパターン１２１は、第２高電圧ダミーパターン８８に変更されてもよい。ただし、この場合、低電圧パッド１１（フィールド電極６１）および第２高電圧ダミーパターン８８の距離が近くなる結果、低電圧パッド１１（フィールド電極６１）および第２高電圧ダミーパターン８８の間の電界強度が高くなる。電界強度が高くなると、高電圧コイル２３や第２高電圧ダミーパターン８８において不所望な電界集中が生じる可能性がある点に留意する。
【0245】
図１６は、図７に対応する平面図であって、本発明の第２実施形態に係る電子部品１６１を示す平面図である。図１７は、図１６に示すXVII-XVII線に沿う断面図である。以下では、電子部品５に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１６および図１７を参照して、電子部品１６１は、低電圧ダミーパターン１６２をさらに含む。図１６では、低電圧ダミーパターン１６２が太線によって示されている。低電圧ダミーパターン１６２は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１Ａ～２１Ｄから独立している。つまり、低電圧ダミーパターン１６２は、変圧器２１Ａ～２１Ｄとしては機能しない。
図１６および図１７を参照して、電子部品１６１は、低電圧ダミーパターン１６２をさらに含む。図１６では、低電圧ダミーパターン１６２が太線によって示されている。低電圧ダミーパターン１６２は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１Ａ～２１Ｄから独立している。つまり、低電圧ダミーパターン１６２は、変圧器２１Ａ～２１Ｄとしては機能しない。
【0246】
高電圧パッド１２に印加される電圧未満の電圧が、低電圧ダミーパターン１６２に印加される。低電圧パッド１１に印加される電圧（つまり、基準電圧）が、低電圧ダミーパターン１６２に印加されることが好ましい。つまり、低電圧ダミーパターン１６２は、低電圧パッド１１と同電位を成すことが好ましい。低電圧ダミーパターン１６２は、第２電極層７９に接続された接続部１６３を含む。接続部１６３の位置は任意である。
【0247】
低電圧ダミーパターン１６２は、平面視において低電圧パッド１１の周囲に形成されている。低電圧ダミーパターン１６２は、平面視において高電圧コイル２３（高電圧パッド１２）に対して低電圧パッド１１に近接する領域に形成されている。
平面視において低電圧ダミーパターン１６２が低電圧パッド１１に近接するとは、平面視において低電圧ダミーパターン１６２および低電圧パッド１１の間の距離が、低電圧ダミーパターン１６２および高電圧コイル２３（高電圧パッド１２）の間の距離未満であることを意味する。
平面視において低電圧ダミーパターン１６２が低電圧パッド１１に近接するとは、平面視において低電圧ダミーパターン１６２および低電圧パッド１１の間の距離が、低電圧ダミーパターン１６２および高電圧コイル２３（高電圧パッド１２）の間の距離未満であることを意味する。
【0248】
絶縁積層構造５１の内部における低電圧ダミーパターン１６２の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。低電圧ダミーパターン１６２は、法線方向Ｚに関して絶縁積層構造５１内において低電圧コイル２２に対して低電圧パッド１１に近接する領域に形成されていることが好ましい。
法線方向Ｚに関して低電圧ダミーパターン１６２が低電圧パッド１１に近接するとは、法線方向Ｚに関して、低電圧ダミーパターン１６２および低電圧パッド１１の間の距離が、低電圧ダミーパターン１６２および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。低電圧ダミーパターン１６２は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。
法線方向Ｚに関して低電圧ダミーパターン１６２が低電圧パッド１１に近接するとは、法線方向Ｚに関して、低電圧ダミーパターン１６２および低電圧パッド１１の間の距離が、低電圧ダミーパターン１６２および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。低電圧ダミーパターン１６２は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。
【0249】
低電圧ダミーパターン１６２は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。低電圧ダミーパターン１６２は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。
低電圧ダミーパターン１６２は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。低電圧ダミーパターン１６２のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、低電圧ダミーパターン１６２のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
低電圧ダミーパターン１６２は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。低電圧ダミーパターン１６２のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、低電圧ダミーパターン１６２のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0250】
低電圧ダミーパターン１６２は、有端状に形成されていることが好ましい。この構造によれば、低電圧ダミーパターン１６２内に電流のループ回路が形成されることを適切に抑制できる。これにより、低電圧ダミーパターン１６２を流れる電流に起因するノイズを抑制できるから、ノイズに起因する不所望な電界集中を抑制できると同時に、変圧器２１Ａ～２１Ｄの電気的特性の変動を適切に抑制できる。
【0251】
低電圧ダミーパターン１６２は、この形態では、第１方向Ｘに沿って延びる帯状に形成されている。低電圧ダミーパターン１６２は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆを横切っている。これにより、低電圧ダミーパターン１６２は、平面視において低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、低電圧ダミーパターン１６２は、平面視において低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆの間の領域に介在している。
【0252】
低電圧ダミーパターン１６２は、この形態では、複数（この形態では３個）の低電圧ライン１６４Ａ，１６４Ｂ，１６４Ｃを含む。複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆ側から高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆ側に向けてこの順に間隔を空けて形成されている。複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、任意の低電圧接続配線７２に電気的に接続されている。
【0253】
複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、平面視において第１方向Ｘに沿って延びる帯状にそれぞれ形成されている。つまり、複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に形成されている。
低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0254】
互いに隣り合う２つの低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0255】
低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチが互いに等しいとは、低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチが互いに等しいとは、低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0256】
これらの構造によれば、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制できるから、不所望な電界集中を抑制できる。低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃの個数、幅およびピッチは、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。
低電圧ダミーパターン１６２は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。低電圧ダミーパターン１６２は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
低電圧ダミーパターン１６２は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。低電圧ダミーパターン１６２は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
【0257】
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。
【0258】
低電圧ダミーパターン１６２は、高電圧コイル２３と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。この場合、同一のレジストマスクおよびフォトマスクを利用して高電圧コイル２３および低電圧ダミーパターン１６２を同時に形成できる。
電子部品１６１は、絶縁積層構造５１の絶縁主面５２を被覆する主面絶縁層１６５をさらに含む。主面絶縁層１６５は、絶縁主面５２の上において、低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆ、高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆ、樹脂層１４５、保護絶縁層１４０（第２保護層１４２）等を一括して被覆している。
電子部品１６１は、絶縁積層構造５１の絶縁主面５２を被覆する主面絶縁層１６５をさらに含む。主面絶縁層１６５は、絶縁主面５２の上において、低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆ、高電圧パッド１２Ａ～１２Ｆ、樹脂層１４５、保護絶縁層１４０（第２保護層１４２）等を一括して被覆している。
【0259】
主面絶縁層１６５は、絶縁積層構造５１の第１絶縁破壊強度ＢＳ１以下の第２絶縁破壊強度ＢＳ２（ＢＳ２≦ＢＳ１）を有している。第２絶縁破壊強度ＢＳ２は、より具体的には、第１絶縁破壊強度ＢＳ１未満（ＢＳ２＜ＢＳ１）である。
絶縁積層構造５１は、より具体的には、窒化シリコンおよび／または酸化シリコンを含むことにより、１ＭＶ／ｃｍ以上１５ＭＶ／ｃｍ以下の第１絶縁破壊強度ＢＳ１を有している。第１絶縁破壊強度ＢＳ１は、１ＭＶ／ｃｍ以上５ＭＶ／ｃｍ以下、５ＭＶ／ｃｍ以上１０ＭＶ／ｃｍ以下、または、１０ＭＶ／ｃｍ以上１５ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。
絶縁積層構造５１は、より具体的には、窒化シリコンおよび／または酸化シリコンを含むことにより、１ＭＶ／ｃｍ以上１５ＭＶ／ｃｍ以下の第１絶縁破壊強度ＢＳ１を有している。第１絶縁破壊強度ＢＳ１は、１ＭＶ／ｃｍ以上５ＭＶ／ｃｍ以下、５ＭＶ／ｃｍ以上１０ＭＶ／ｃｍ以下、または、１０ＭＶ／ｃｍ以上１５ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。
【0260】
第１絶縁破壊強度ＢＳ１は、５ＭＶ／ｃｍ以上１５ＭＶ／ｃｍ以下であることが好ましい。絶縁積層構造５１は、１ＭＶ／ｃｍ以上の第１絶縁破壊強度ＢＳ１を有する限り、窒化シリコンおよび酸化シリコン以外の絶縁材料を含んでいてもよい。
第２絶縁破壊強度ＢＳ２は、０．１ＭＶ／ｃｍ以上１ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。第２絶縁破壊強度ＢＳ２は、０．１ＭＶ／ｃｍ以上０．２ＭＶ／ｃｍ以下、０．２ＭＶ／ｃｍ以上０．４ＭＶ／ｃｍ以下、０．４ＭＶ／ｃｍ以上０．６ＭＶ／ｃｍ以下、０．６ＭＶ／ｃｍ以上０．８ＭＶ／ｃｍ以下、または、０．８ＭＶ／ｃｍ以上１ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。
第２絶縁破壊強度ＢＳ２は、０．１ＭＶ／ｃｍ以上１ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。第２絶縁破壊強度ＢＳ２は、０．１ＭＶ／ｃｍ以上０．２ＭＶ／ｃｍ以下、０．２ＭＶ／ｃｍ以上０．４ＭＶ／ｃｍ以下、０．４ＭＶ／ｃｍ以上０．６ＭＶ／ｃｍ以下、０．６ＭＶ／ｃｍ以上０．８ＭＶ／ｃｍ以下、または、０．８ＭＶ／ｃｍ以上１ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。
【0261】
第２絶縁破壊強度ＢＳ２は、より具体的には、０．１ＭＶ／ｃｍ以上１ＭＶ／ｃｍ未満である。第２絶縁破壊強度ＢＳ２は、０．１ＭＶ／ｃｍ以上０．５ＭＶ／ｃｍ以下であってもよい。
主面絶縁層１６５は、この形態では、樹脂層からなる。主面絶縁層１６５は、エポキシ樹脂層、ポリイミド樹脂層およびポリベンゾオキサゾール樹脂層のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。主面絶縁層１６５は、封止樹脂の一部によって形成されていてもよい。
主面絶縁層１６５は、この形態では、樹脂層からなる。主面絶縁層１６５は、エポキシ樹脂層、ポリイミド樹脂層およびポリベンゾオキサゾール樹脂層のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。主面絶縁層１６５は、封止樹脂の一部によって形成されていてもよい。
【0262】
主面絶縁層１６５が封止樹脂の一部によって形成されている場合、主面絶縁層１６５は、パッケージ本体２の一部によって形成されていてもよい。つまり、主面絶縁層１６５は、パッケージ本体２によって封止された状態において、パッケージ本体２において絶縁積層構造５１の絶縁主面５２を被覆する部分を含んでいてもよい。
低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび高電圧ダミーパターン８６の間の電界強度は、低電圧ダミーパターン１６２および高電圧ダミーパターン８６の間の距離に支配される。したがって、絶縁積層構造５１において低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび高電圧ダミーパターン８６の間の電界強度は、低電圧ダミーパターン１６２によって増加させられる。
低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび高電圧ダミーパターン８６の間の電界強度は、低電圧ダミーパターン１６２および高電圧ダミーパターン８６の間の距離に支配される。したがって、絶縁積層構造５１において低電圧パッド１１Ａ～１１Ｆおよび高電圧ダミーパターン８６の間の電界強度は、低電圧ダミーパターン１６２によって増加させられる。
【0263】
この一方で、絶縁積層構造５１における電界強度の増加に起因して、主面絶縁層１６５における電界強度は低下する。つまり、低電圧ダミーパターン１６２は、比較的高い第１絶縁破壊強度ＢＳ１を有する絶縁積層構造５１の電界強度を敢えて増加させると同時に、比較的低い第２絶縁破壊強度ＢＳ２を有する主面絶縁層１６５の電界強度を低下させる。これにより、主面絶縁層１６５の絶縁破壊耐量を相対的に向上できる。
【0264】
以上、電子部品１６１によれば、電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、電子部品１６１によれば、低電圧ダミーパターン１６２を含む。これにより、主面絶縁層１６５の絶縁破壊耐量を向上できる。よって、耐圧を高めることができる電子部品１６１を提供できる。
図１８は、本発明の第３実施形態に係る電子部品１７１の平面図である。図１９は、図１８に示す電子部品１７１において低電圧コイル２２が形成された層を示す平面図である。図２０は、図１８に示す電子部品１７１において高電圧コイル２３が形成された層を示す平面図である。図２１は、図２０に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。
図１８は、本発明の第３実施形態に係る電子部品１７１の平面図である。図１９は、図１８に示す電子部品１７１において低電圧コイル２２が形成された層を示す平面図である。図２０は、図１８に示す電子部品１７１において高電圧コイル２３が形成された層を示す平面図である。図２１は、図２０に示すXXI-XXI線に沿う断面図である。
【0265】
前述の電子部品５は、複数の変圧器２１を含むマルチチャネル型のデバイスである。これに対して、電子部品１７１は、１つの変圧器２１だけを含むシングルチャネル型のデバイスである。以下、電子部品５に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１８～図２１を参照して、電子部品１７１は、電子部品５と同様に、複数（この形態では４個）の低電圧パッド１１、複数（この形態では４個）の高電圧パッド１２、変圧器２１、複数（この形態では２個）の第１低電圧配線３１、複数（この形態では２個）の第２低電圧配線３２、複数（この形態では２個）の第１高電圧配線３３、複数（この形態では２個）の第２高電圧配線３４、基板４１、絶縁積層構造５１、フィールド電極６１、保護絶縁層１４０および樹脂層１４５を含む。
図１８～図２１を参照して、電子部品１７１は、電子部品５と同様に、複数（この形態では４個）の低電圧パッド１１、複数（この形態では４個）の高電圧パッド１２、変圧器２１、複数（この形態では２個）の第１低電圧配線３１、複数（この形態では２個）の第２低電圧配線３２、複数（この形態では２個）の第１高電圧配線３３、複数（この形態では２個）の第２高電圧配線３４、基板４１、絶縁積層構造５１、フィールド電極６１、保護絶縁層１４０および樹脂層１４５を含む。
【0266】
複数の低電圧パッド１１は、デバイス形成領域６２において絶縁積層構造５１の絶縁主面５２の上に形成されている。複数の低電圧パッド１１は、変圧器２１から第２方向Ｙに間隔を空けて絶縁側面５３Ｂ側の領域に形成され、第１方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて配列されている。複数の低電圧パッド１１の配置は任意であり、図１８に示される配置に限定されない。
【0267】
複数の低電圧パッド１１は、第１低電圧パッド１１Ａおよび第２低電圧パッド１１Ｂを含む。第１低電圧パッド１１Ａおよび第２低電圧パッド１１Ｂは、この形態では、２個ずつ形成されている。第１低電圧パッド１１Ａおよび第２低電圧パッド１１Ｂの個数は、任意であり、図１８に示される個数に限定されない。
第１低電圧パッド１１Ａは、平面視において第２方向Ｙに変圧器２１に対向している。第２低電圧パッド１１Ｂは、この形態では、平面視において第２方向Ｙに変圧器２１に対向しない。第１低電圧パッド１１Ａは、低電圧コイル２２の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第２低電圧パッド１１Ｂは、低電圧コイル２２の第１外側末端２５に電気的に接続されている。複数の低電圧パッド１１の配置は任意であり、図１８に示される配置に限定されない。
第１低電圧パッド１１Ａは、平面視において第２方向Ｙに変圧器２１に対向している。第２低電圧パッド１１Ｂは、この形態では、平面視において第２方向Ｙに変圧器２１に対向しない。第１低電圧パッド１１Ａは、低電圧コイル２２の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第２低電圧パッド１１Ｂは、低電圧コイル２２の第１外側末端２５に電気的に接続されている。複数の低電圧パッド１１の配置は任意であり、図１８に示される配置に限定されない。
【0268】
複数の高電圧パッド１２は、デバイス形成領域６２において複数の低電圧パッド１１から間隔を空けて絶縁積層構造５１の絶縁主面５２の上に形成されている。複数の高電圧パッド１２は、複数の低電圧パッド１１から第２方向Ｙに間隔を空けて絶縁側面５３Ａ側の領域に形成され、第１方向Ｘに沿って互いに間隔を空けて配列されている。
複数の高電圧パッド１２は、平面視において変圧器２１に近接する領域に形成されている。平面視において複数の高電圧パッド１２が変圧器２１に近接するとは、平面視において高電圧パッド１２および変圧器２１の間の距離が、低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の距離未満であることを意味する。
複数の高電圧パッド１２は、平面視において変圧器２１に近接する領域に形成されている。平面視において複数の高電圧パッド１２が変圧器２１に近接するとは、平面視において高電圧パッド１２および変圧器２１の間の距離が、低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の距離未満であることを意味する。
【0269】
複数の高電圧パッド１２は、より具体的には、平面視において第１方向Ｘに沿って変圧器２１と対向するように第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成されている。複数の高電圧パッド１２は、さらに具体的には、平面視において高電圧コイル２３の第２内側領域６７および高電圧コイル２３外の領域に位置するように第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成されている。これにより、複数の高電圧パッド１２および変圧器２１は、平面視において第１方向Ｘに沿って一列に並んで配列されている。
【0270】
複数の高電圧パッド１２は、第１高電圧パッド１２Ａおよび第２高電圧パッド１２Ｂを含む。第１高電圧パッド１２Ａおよび第２高電圧パッド１２Ｂは、この形態では、２個ずつ形成されている。第１高電圧パッド１２Ａおよび第２高電圧パッド１２Ｂの個数は、任意であり、図１８に示される個数に限定されない。
第１高電圧パッド１２Ａは、平面視において高電圧コイル２３の第２内側領域６７に形成されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、平面視において変圧器２１外の領域に形成されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、この形態では、平面視において変圧器２１および絶縁側面５３Ｄの間の領域に形成されている。
第１高電圧パッド１２Ａは、平面視において高電圧コイル２３の第２内側領域６７に形成されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、平面視において変圧器２１外の領域に形成されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、この形態では、平面視において変圧器２１および絶縁側面５３Ｄの間の領域に形成されている。
【0271】
第１高電圧パッド１２Ａは、高電圧コイル２３の第２内側末端２７に電気的に接続されている。第２高電圧パッド１２Ｂは、高電圧コイル２３の第２外側末端２８に電気的に接続されている。複数の高電圧パッド１２の配置は任意であり、図１８に示される配置に限定されない。
図１９および図２１を参照して、第１低電圧配線３１は、低電圧パッド１１Ａおよび低電圧コイル２２の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第１低電圧配線３１は、電子部品５と同様に、貫通配線７１、低電圧接続配線７２、引き出し配線７３、第１接続プラグ電極７４、第２接続プラグ電極７５、パッドプラグ電極７６および基板プラグ電極７７を含む。
図１９および図２１を参照して、第１低電圧配線３１は、低電圧パッド１１Ａおよび低電圧コイル２２の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第１低電圧配線３１は、電子部品５と同様に、貫通配線７１、低電圧接続配線７２、引き出し配線７３、第１接続プラグ電極７４、第２接続プラグ電極７５、パッドプラグ電極７６および基板プラグ電極７７を含む。
【0272】
一方、第２低電圧配線３２は、低電圧パッド１１Ｂおよび低電圧コイル２２の第１外側末端２５に電気的に接続されている。第２低電圧配線３２は、電子部品５と同様に、貫通配線７１、低電圧接続配線７２、引き出し配線７３、第１接続プラグ電極７４、第２接続プラグ電極７５、パッドプラグ電極７６および基板プラグ電極７７を含む。
図２０および図２１を参照して、第１高電圧配線３３は、高電圧パッド１２Ａおよび高電圧コイル２３の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第１高電圧配線３３は、電子部品５と同様に、高電圧接続配線８１およびパッドプラグ電極８２を含む。
図２０および図２１を参照して、第１高電圧配線３３は、高電圧パッド１２Ａおよび高電圧コイル２３の第１内側末端２４に電気的に接続されている。第１高電圧配線３３は、電子部品５と同様に、高電圧接続配線８１およびパッドプラグ電極８２を含む。
【0273】
一方、第２高電圧配線３４は、高電圧パッド１２Ｂおよび高電圧コイル２３の第２外側末端２８に電気的に接続されている。第２高電圧配線３４は、電子部品５と同様に、高電圧接続配線８１およびパッドプラグ電極８２を含む。
低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の距離Ｄ１は、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の距離Ｄ２を超えていることが好ましい（Ｄ２＜Ｄ１）。また、距離Ｄ１は、複数の層間絶縁層５７の総厚さＤＴを超えていることが好ましい（ＤＴ＜Ｄ１）。
低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の距離Ｄ１は、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の距離Ｄ２を超えていることが好ましい（Ｄ２＜Ｄ１）。また、距離Ｄ１は、複数の層間絶縁層５７の総厚さＤＴを超えていることが好ましい（ＤＴ＜Ｄ１）。
【0274】
距離Ｄ１に対する距離Ｄ２の比Ｄ２／Ｄ１は、０．０１以上０．１以下であってもよい。比Ｄ２／Ｄ１は、０．０１以上０．０２５以下、０．０２５以上０．０５以下、０．０５以上０．０７５以下、または、０．０７５以上０．１以下であってもよい。距離Ｄ１は、１００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。距離Ｄ１は、１００μｍ以上２００μｍ以下、２００μｍ以上３００μｍ以下、３００μｍ以上４００μｍ以下、または、４００μｍ以上５００μｍ以下であってもよい。距離Ｄ２は、１μｍ以上５０μｍ以下であってもよい。距離Ｄ２は、５μｍ以上２５μｍ以下であることが好ましい。距離Ｄ１および距離Ｄ１の値は任意であり、実現すべき絶縁耐量に応じて適宜調整される。
【0275】
図２０および図２１を参照して、電子部品１７１は、平面視において変圧器２１の周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に形成されたシールド導体層１７２を含む。図２０では、シールド導体層１７２が太いラインによって示されている。
シールド導体層１７２は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１から独立している。つまり、シールド導体層１７２は、変圧器２１としては機能しない。シールド導体層１７２は、変圧器２１において低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。
シールド導体層１７２は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１から独立している。つまり、シールド導体層１７２は、変圧器２１としては機能しない。シールド導体層１７２は、変圧器２１において低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。
【0276】
シールド導体層１７２は、この形態では、平面視において高電圧コイル２３の周囲の領域を部分的に被覆し、かつ、部分的に露出させるように密なライン状に引き回されている。シールド導体層１７２は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。シールド導体層１７２のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、シールド導体層１７２のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0277】
シールド導体層１７２は、平面視において低電圧パッド１１に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。平面視においてシールド導体層１７２が高電圧コイル２３に近接するとは、シールド導体層１７２および高電圧コイル２３の間の距離が、シールド導体層１７２および低電圧パッド１１の間の距離未満であることを意味する。
【0278】
絶縁積層構造５１の内部におけるシールド導体層１７２の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。シールド導体層１７２は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
法線方向Ｚに関してシールド導体層１７２が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、シールド導体層１７２および高電圧コイル２３の間の距離が、シールド導体層１７２および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
法線方向Ｚに関してシールド導体層１７２が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、シールド導体層１７２および高電圧コイル２３の間の距離が、シールド導体層１７２および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
【0279】
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、シールド導体層１７２および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。シールド導体層１７２は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
【0280】
シールド導体層１７２は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層１７２は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層１７２は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0281】
シールド導体層１７２は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層１７２は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
シールド導体層１７２は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0282】
シールド導体層１７２は、この形態では、平面視において高電圧コイル２３に沿うように形成されている。シールド導体層１７２は、さらに具体的には、平面視において高電圧コイル２３を取り囲んでいる。
これにより、シールド導体層１７２は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層１７２は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
これにより、シールド導体層１７２は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層１７２は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
【0283】
また、シールド導体層１７２は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、シールド導体層１７２は、フィールド電極６１および高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
シールド導体層１７２は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。シールド導体層１７２は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
シールド導体層１７２は、チタン、窒化チタン、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。シールド導体層１７２は、下地電極層および主電極層を含む積層構造を有していてもよい。
【0284】
下地電極層は、層間絶縁層５７内においてリセス空間を区画する。下地電極層は、チタンおよび窒化チタンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、下地電極層によって区画されたリセス空間に埋設される。主電極層は、金、銀、銅、アルミニウムおよびタングステンのうちの少なくとも１つを含んでいてもよい。主電極層は、コストや量産性の観点から、銅やアルミニウムを含むことが好ましい。
【0285】
シールド導体層１７２は、高電圧コイル２３と同一の導電材料によって形成されていることが好ましい。この場合、同一のレジストマスクおよびフォトマスクを利用して高電圧コイル２３およびシールド導体層１７２を同時に形成できる。
シールド導体層１７２は、この形態では、電気的状態が互いに異なる複数のダミーパターンを含む。以下、図２０および図２１を参照して、ダミーパターンの形態について具体的に説明する。
シールド導体層１７２は、この形態では、電気的状態が互いに異なる複数のダミーパターンを含む。以下、図２０および図２１を参照して、ダミーパターンの形態について具体的に説明する。
【0286】
図２０および図２１を参照して、シールド導体層１７２は、高電圧ダミーパターン１７３を含む。高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において変圧器２１の周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に形成されている。高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１から独立している。つまり、高電圧ダミーパターン１７３は、変圧器２１としては機能しない。
【0287】
高電圧ダミーパターン１７３は、この形態では、平面視において高電圧コイル２３の周囲の領域を部分的に被覆し、かつ、部分的に露出させるように密なライン状に引き回されている。高電圧ダミーパターン１７３は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。高電圧ダミーパターン１７３のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、高電圧ダミーパターン１７３のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0288】
高電圧ダミーパターン１７３は、変圧器２１において低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。高電圧ダミーパターン１７３は、より具体的には、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽することによって、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３から遠ざける。これにより、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を起因とする高電圧コイル２３の電界集中が、抑制される。
【0289】
低電圧コイル２２に印加される電圧を超える電圧が、高電圧ダミーパターン１７３に印加される。これにより、高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン１７３の間の電圧降下を抑制できるから、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。
高電圧コイル２３に印加される電圧が、高電圧ダミーパターン１７３に印加されることが好ましい。つまり、高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３と同電位を成すことが好ましい。これにより、高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン１７３の間の電圧降下を確実に抑制できるから、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
高電圧コイル２３に印加される電圧が、高電圧ダミーパターン１７３に印加されることが好ましい。つまり、高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３と同電位を成すことが好ましい。これにより、高電圧コイル２３および高電圧ダミーパターン１７３の間の電圧降下を確実に抑制できるから、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
【0290】
高電圧ダミーパターン１７３は、この形態では、第１高電圧配線３３を介して高電圧パッド１２（第２高電圧パッド１２Ｂ）に電気的に接続されている。高電圧ダミーパターン１７３は、より具体的には、第１高電圧配線３３に接続された接続部１７４を含む。接続部１７４の位置は任意である。これにより、高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３と同電位に固定される。
【0291】
絶縁積層構造５１の内部における高電圧ダミーパターン１７３の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。高電圧ダミーパターン１７３は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
法線方向Ｚに関して高電圧ダミーパターン１７３が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間の距離が、高電圧ダミーパターン１７３および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
法線方向Ｚに関して高電圧ダミーパターン１７３が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間の距離が、高電圧ダミーパターン１７３および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
【0292】
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
【0293】
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において低電圧パッド１１に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。平面視において高電圧ダミーパターン１７３が高電圧コイル２３に近接するとは、高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間の距離が、高電圧ダミーパターン１７３および低電圧パッド１１の間の距離未満であることを意味する。
【0294】
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0295】
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0296】
高電圧ダミーパターン１７３は、この形態では、平面視において高電圧コイル２３に沿うように形成されている。高電圧ダミーパターン１７３は、より具体的には、平面視において高電圧コイル２３を取り囲んでいる。
これにより、高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
これにより、高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
【0297】
また、高電圧ダミーパターン１７３は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、高電圧ダミーパターン１７３は、フィールド電極６１および高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において高電圧コイル２３外の領域において、高電圧パッド１２Ｂの直下の領域を露出させている。高電圧ダミーパターン１７３の一部は、法線方向Ｚに高電圧パッド１２Ｂに対向していてもよい。
高電圧ダミーパターン１７３は、平面視において高電圧コイル２３外の領域において、高電圧パッド１２Ｂの直下の領域を露出させている。高電圧ダミーパターン１７３の一部は、法線方向Ｚに高電圧パッド１２Ｂに対向していてもよい。
【0298】
この場合、高電圧パッド１２Ｂは、高電圧ダミーパターン１７３と同様に、電界を遮蔽することによって、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を抑制する。つまり、高電圧パッド１２Ｂは、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制するシールド導体層として形成されている。
高電圧ダミーパターン１７３は、有端状に形成されていることが好ましい。この場合、電流のループ回路（閉回路）が高電圧ダミーパターン１７３に形成されることを抑制できる。これにより、高電圧ダミーパターン１７３を流れる電流に起因するノイズが抑制される。その結果、ノイズに起因する不所望な電界集中を抑制できると同時に、変圧器２１の電気的特性の変動を抑制できる。
高電圧ダミーパターン１７３は、有端状に形成されていることが好ましい。この場合、電流のループ回路（閉回路）が高電圧ダミーパターン１７３に形成されることを抑制できる。これにより、高電圧ダミーパターン１７３を流れる電流に起因するノイズが抑制される。その結果、ノイズに起因する不所望な電界集中を抑制できると同時に、変圧器２１の電気的特性の変動を抑制できる。
【0299】
高電圧ダミーパターン１７３は、この形態では、複数（この形態では６個）の高電圧ライン１７５Ａ，１７５Ｂ，１７５Ｃ，１７５Ｄ，１７５Ｅ，１７５Ｆを含む。高電圧ラインの個数は、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆは、変圧器２１から離れる方向にこの順に間隔を空けて形成されている。
【0300】
複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆは、平面視において変圧器２１を取り囲んでいる。複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆは、この形態では、平面視において円環状にそれぞれ形成されている。
複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆには、電流のループ回路を遮断するスリット１７６がそれぞれ形成されている。スリット１７６の位置は複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆのデザインによって適宜調整されるものであり、特定の箇所に限定されない。
複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆには、電流のループ回路を遮断するスリット１７６がそれぞれ形成されている。スリット１７６の位置は複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆのデザインによって適宜調整されるものであり、特定の箇所に限定されない。
【0301】
高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの幅は、高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0302】
互いに隣り合う２つの高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0303】
高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0304】
高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0305】
高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、高電圧ダミーパターン１７３および高電圧コイル２３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0306】
これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆの個数、幅およびピッチは、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。
シールド導体層１７２は、平面視において変圧器２１の周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターン１７７を含む。浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１から独立している。つまり、浮遊ダミーパターン１７７は、変圧器２１としては機能しない。
シールド導体層１７２は、平面視において変圧器２１の周囲に位置するように絶縁積層構造５１内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターン１７７を含む。浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３および低電圧コイル２２とは異なるパターン（不連続なパターン）で形成されており、変圧器２１から独立している。つまり、浮遊ダミーパターン１７７は、変圧器２１としては機能しない。
【0307】
浮遊ダミーパターン１７７は、この形態では、平面視において高電圧コイル２３の周囲の領域を部分的に被覆し、かつ、部分的に露出させるように密なライン状に引き回されている。浮遊ダミーパターン１７７は、より具体的には、平面視において高電圧ダミーパターン１７３の周囲の領域に形成されている。浮遊ダミーパターン１７７は、有端状に形成されていてもよいし、無端状に形成されていてもよい。
【0308】
浮遊ダミーパターン１７７は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧コイル２３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。浮遊ダミーパターン１７７のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度と等しいとは、浮遊ダミーパターン１７７のライン密度が高電圧コイル２３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
また、浮遊ダミーパターン１７７は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧ダミーパターン１７３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。浮遊ダミーパターン１７７のライン密度が高電圧ダミーパターン１７３のライン密度と等しいとは、浮遊ダミーパターン１７７のライン密度が高電圧ダミーパターン１７３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
また、浮遊ダミーパターン１７７は、この形態では、単位面積当たりにおいて高電圧ダミーパターン１７３のライン密度と等しいライン密度で引き回されている。浮遊ダミーパターン１７７のライン密度が高電圧ダミーパターン１７３のライン密度と等しいとは、浮遊ダミーパターン１７７のライン密度が高電圧ダミーパターン１７３のライン密度の±２０％の範囲内に収まることを意味する。
【0309】
浮遊ダミーパターン１７７は、変圧器２１において低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽し、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制する。浮遊ダミーパターン１７７は、より具体的には、高電圧コイル２３の上側に漏れ出す電界を高電圧コイル２３から離れる方向に分散させるように、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３の間の電界を遮蔽する。これにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。
【0310】
浮遊ダミーパターン１７７は、さらに具体的には、高電圧ダミーパターン１７３の周囲において高電圧ダミーパターン１７３の上側に漏れ出す電界を高電圧ダミーパターン８６から離れる方向に分散させる。これにより、高電圧ダミーパターン１７３に対する電界集中を抑制できると同時に、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。
絶縁積層構造５１の内部における浮遊ダミーパターン１７７の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。浮遊ダミーパターン１７７は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
絶縁積層構造５１の内部における浮遊ダミーパターン１７７の深さ位置は任意であり、緩和すべき電界強度に応じて調整される。浮遊ダミーパターン１７７は、法線方向Ｚに関して低電圧コイル２２に対して高電圧コイル２３に近接する領域に形成されていることが好ましい。
【0311】
法線方向Ｚに関して浮遊ダミーパターン１７７が高電圧コイル２３に近接するとは、法線方向Ｚに関して、浮遊ダミーパターン１７７および高電圧コイル２３の間の距離が、浮遊ダミーパターン１７７および低電圧コイル２２の間の距離未満であることを意味する。
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、浮遊ダミーパターン１７７および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中を適切に抑制できる。法線方向Ｚに関して、浮遊ダミーパターン１７７および高電圧コイル２３の間の距離を小さくするほど、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３と同一の層間絶縁層５７内に形成されていることが好ましい。この場合、高電圧コイル２３に対する電界集中をさらに適切に抑制できる。
【0312】
浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因する低電圧パッド１１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0313】
浮遊ダミーパターン１７７は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１７７は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
浮遊ダミーパターン１７７は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の領域に介在することが好ましい。この場合、高電圧コイル２３の電界集中に起因するフィールド電極６１および高電圧パッド１２の間の不所望な導通を抑制できる。
【0314】
浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において高電圧コイル２３に沿うように形成されている。浮遊ダミーパターン１７７は、より具体的には、平面視において高電圧コイル２３を取り囲んでいる。浮遊ダミーパターン１７７は、この形態では、平面視において高電圧ダミーパターン１７３を挟んで高電圧コイル２３を含む領域を取り囲んでいる。
これにより、浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
これにより、浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において複数の低電圧パッド１１Ａ，１１Ｂおよび高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
【0315】
また、浮遊ダミーパターン１７７は、平面視においてフィールド電極６１および高電圧コイル２３の間の領域に介在している。また、浮遊ダミーパターン１７７は、フィールド電極６１および高電圧パッド１２Ａの間の領域に介在している。
浮遊ダミーパターン１７７は、この形態では、複数（この形態では６個）の浮遊ライン１７８Ａ，１７８Ｂ，１７８Ｃ，１７８Ｄ，１７８Ｅ，１７８Ｆを含む。浮遊ラインの個数は、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、高電圧コイル２３から離れる方向にこの順に間隔を空けて形成されている。
浮遊ダミーパターン１７７は、この形態では、複数（この形態では６個）の浮遊ライン１７８Ａ，１７８Ｂ，１７８Ｃ，１７８Ｄ，１７８Ｅ，１７８Ｆを含む。浮遊ラインの個数は、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり特定の値に限定されない。複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、高電圧コイル２３から離れる方向にこの順に間隔を空けて形成されている。
【0316】
複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、平面視において高電圧コイル２３を取り囲んでいる。複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、この形態では、平面視において円環状にそれぞれ形成されている。
浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆが延びる方向に直交する方向の幅によって定義される。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0317】
互いに隣り合う２つの浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0318】
浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチは、０．１μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチは、０．１μｍ以上１μｍ以下、１μｍ以上２μｍ以下、２μｍ以上３μｍ以下、３μｍ以上４μｍ以下、または、４μｍ以上５μｍ以下であってもよい。浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチは、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【0319】
浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅は、高電圧コイル２３の幅と等しいことが好ましい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅と等しいとは、浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの幅が高電圧コイル２３の幅の±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチは、互いに等しいことが好ましい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチが互いに等しいとは、浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチが当該ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0320】
浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチは、高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいことが好ましい。浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチと等しいとは、浮遊ダミーパターン１７７および高電圧ダミーパターン１７３の間のピッチが高電圧コイル２３の巻回ピッチの±２０％以内の範囲に収まることを意味する。
【0321】
これらの構造は、絶縁積層構造５１において電界の偏りを抑制する上で有効である。複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆの個数、幅およびピッチは、緩和すべき電界に応じて調整されるものであり、特定の値に限定されない。
図２１を参照して、保護絶縁層１４０は、複数の低電圧サブパッド開口１４３および複数の高電圧サブパッド開口１４４を有している。複数の低電圧サブパッド開口１４３は、複数の低電圧パッド１１をそれぞれ露出させている。複数の高電圧サブパッド開口１４４は、複数の高電圧パッド１２をそれぞれ露出させている。
図２１を参照して、保護絶縁層１４０は、複数の低電圧サブパッド開口１４３および複数の高電圧サブパッド開口１４４を有している。複数の低電圧サブパッド開口１４３は、複数の低電圧パッド１１をそれぞれ露出させている。複数の高電圧サブパッド開口１４４は、複数の高電圧パッド１２をそれぞれ露出させている。
【0322】
樹脂層１４５は、低電圧側の領域を被覆する第１樹脂層１４６および高電圧側の領域を被覆する第２樹脂層１４７を含む。第１樹脂層１４６は、フィールド電極６１を被覆している。第１樹脂層１４６は、複数の低電圧パッド１１（低電圧サブパッド開口１４３）をそれぞれ露出させる複数の低電圧パッド開口１４８を有している。
第２樹脂層１４７は、第１樹脂層１４６から間隔を空けて形成されている。第２樹脂層１４７は、複数の高電圧パッド１２（高電圧サブパッド開口１４４）をそれぞれ露出させる複数の高電圧パッド開口１４９を有している。
第２樹脂層１４７は、第１樹脂層１４６から間隔を空けて形成されている。第２樹脂層１４７は、複数の高電圧パッド１２（高電圧サブパッド開口１４４）をそれぞれ露出させる複数の高電圧パッド開口１４９を有している。
【0323】
第２樹脂層１４７は、変圧器２１およびシールド導体層１７２を一括して被覆している。第２樹脂層１４７は、より具体的には、高電圧コイル２３、複数の高電圧パッド１２、高電圧ダミーパターン１７３および浮遊ダミーパターン１７７を一括して被覆している。
以上、電子部品１７１によっても電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。電子部品１７１は、第２実施形態に係る低電圧ダミーパターン１６２を含んでいてもよい。
以上、電子部品１７１によっても電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。電子部品１７１は、第２実施形態に係る低電圧ダミーパターン１６２を含んでいてもよい。
【0324】
電子部品１７１では、電子部品５の場合と同様に、高電圧ダミーパターン１７３および浮遊ダミーパターン１７７の少なくとも１つを形成することにより、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。これにより、平均瞬時絶縁破壊電圧を増加させることができる。
浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧ダミーパターン１７３に変更されてもよい。ただし、この場合、低電圧パッド１１および高電圧ダミーパターン１７３の距離が近くなる結果、低電圧パッド１１および高電圧ダミーパターン１７３の間の電界強度が高くなる。電界強度が高くなると、高電圧コイル２３や高電圧ダミーパターン１７３において不所望な電界集中が生じる可能性がある点に留意する。
浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧ダミーパターン１７３に変更されてもよい。ただし、この場合、低電圧パッド１１および高電圧ダミーパターン１７３の距離が近くなる結果、低電圧パッド１１および高電圧ダミーパターン１７３の間の電界強度が高くなる。電界強度が高くなると、高電圧コイル２３や高電圧ダミーパターン１７３において不所望な電界集中が生じる可能性がある点に留意する。
【0325】
高電圧ダミーパターン１７３は、浮遊ダミーパターン１７７に変更されてもよい。このような浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧接続配線８１（高電圧パッド１２Ｂ）から高電圧ダミーパターン１７３を切り離すことによって形成される。浮遊ダミーパターン１７７によれば、低電圧パッド１１および高電圧コイル２３の間の電界強度の増加を抑制しながら、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる。ただし、浮遊ダミーパターン１７７の場合、高電圧コイル２３の上側へ漏れ出す電界が存することに留意する。
【0326】
図２２は、図２０に対応する平面図であって、本発明の第４実施形態に係る電子部品１８１の平面図である。以下では、電子部品１７１に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
電子部品１７１では、高電圧ダミーパターン１７３が、平面視において第１高電圧パッド１２Ａおよび第２高電圧パッド１２Ｂのうちの第１高電圧パッド１２Ａだけを取り囲んでいた。
電子部品１７１では、高電圧ダミーパターン１７３が、平面視において第１高電圧パッド１２Ａおよび第２高電圧パッド１２Ｂのうちの第１高電圧パッド１２Ａだけを取り囲んでいた。
【0327】
これに対して、電子部品１８１では、高電圧ダミーパターン１７３が、平面視において第１高電圧パッド１２Ａおよび第２高電圧パッド１２Ｂの両方を取り囲んでいる。また、浮遊ダミーパターン１７７は、平面視において高電圧ダミーパターン１７３の外周に沿って形成され、第１高電圧パッド１２Ａおよび第２高電圧パッド１２Ｂの両方を取り囲んでいる。
【0328】
以上、電子部品１８１によっても電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。電子部品１８１は、第２実施形態に係る低電圧ダミーパターン１６２を含んでいてもよい。
図２３は、図８に対応する領域の断面図であって、本発明の第５実施形態に係る電子部品１９１を示す断面図である。以下では、電子部品５に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２３は、図８に対応する領域の断面図であって、本発明の第５実施形態に係る電子部品１９１を示す断面図である。以下では、電子部品５に対して述べた構造に対応する構造については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【0329】
前述の電子部品５は、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３をそれぞれ有する複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄを有している。これに対して、電子部品１９１は、複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄに代えて複数のコンデンサ１９２を含む。複数のコンデンサ１９２の配置は、複数の変圧器２１Ａ～２１Ｄの配置と同様である。図２３では、１つのコンデンサ１９２だけが示されている。
【0330】
コンデンサ１９２は、低電圧コイル２２および高電圧コイル２３に代えて、平板状の低電圧電極１９３（低電圧パターン）および平板状の高電圧電極１９４（高電圧パターン）をそれぞれ含む。低電圧電極１９３は、第１低電圧配線３１を介して低電圧パッド１１に電気的に接続されている。低電圧電極１９３は、第２接続プラグ電極７５を介して引き出し配線７３に電気的に接続されている。
【0331】
低電圧電極１９３の平面形状は任意である。低電圧電極１９３は、平面視において三角形状、四角形状等の多角形状、または、円形状や楕円形状に形成されていてもよい。低電圧電極１９３は、対応する第１低電圧配線３１を介して対応する低電圧パッド１１に電気的に接続されている。
高電圧電極１９４は、法線方向Ｚに低電圧電極１９３に対向し、低電圧電極１９３との間で電荷を蓄積する。高電圧電極１９４は、第１高電圧配線３３を介して高電圧パッド１２に電気的に接続されている。高電圧電極１９４は、パッドプラグ電極８２を介して高電圧パッド１２に電気的に接続されている。
高電圧電極１９４は、法線方向Ｚに低電圧電極１９３に対向し、低電圧電極１９３との間で電荷を蓄積する。高電圧電極１９４は、第１高電圧配線３３を介して高電圧パッド１２に電気的に接続されている。高電圧電極１９４は、パッドプラグ電極８２を介して高電圧パッド１２に電気的に接続されている。
【0332】
高電圧電極１９４の平面形状は任意である。高電圧電極１９４は、平面視において三角形状、四角形状等の多角形状、または、円形状や楕円形状に形成されていてもよい。高電圧電極１９４は、対応する第１高電圧配線３３を介して対応する高電圧パッド１２に電気的に接続されている。
以上、電子部品１９１によれば、電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。電子部品１９１は、第２実施形態に係る低電圧ダミーパターン１６２を含んでいてもよい。また、変圧器２１に代えてコンデンサ１９２を含む構造は、第３実施形態および第４実施形態にも適用できる。
以上、電子部品１９１によれば、電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。電子部品１９１は、第２実施形態に係る低電圧ダミーパターン１６２を含んでいてもよい。また、変圧器２１に代えてコンデンサ１９２を含む構造は、第３実施形態および第４実施形態にも適用できる。
【0333】
本発明の実施形態は、さらに他の形態で実施できる。
前述の各実施形態では、絶縁積層構造５１内にフィールド電極６１が形成された例について説明した。しかし、フィールド電極６１は、必ずしも形成されている必要はなく、必要に応じて取り除かれてもよい。
前述の各実施形態では、高電圧ダミーパターン８６，１７３が密なライン状に引き回された例について説明した。しかし、高電圧ダミーパターン８６，１７３は、一枚の幅広の導電体層によって形成されていてもよい。この場合、高電圧ダミーパターン８６，１７３は、有端状に形成されていることが好ましい。
前述の各実施形態では、絶縁積層構造５１内にフィールド電極６１が形成された例について説明した。しかし、フィールド電極６１は、必ずしも形成されている必要はなく、必要に応じて取り除かれてもよい。
前述の各実施形態では、高電圧ダミーパターン８６，１７３が密なライン状に引き回された例について説明した。しかし、高電圧ダミーパターン８６，１７３は、一枚の幅広の導電体層によって形成されていてもよい。この場合、高電圧ダミーパターン８６，１７３は、有端状に形成されていることが好ましい。
【0334】
前述の各実施形態では、浮遊ダミーパターン１２１，１７７が密なライン状に引き回された例について説明した。しかし、浮遊ダミーパターン１２１，１７７は、一枚の幅広の導電体層によって形成されていてもよい。
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態では、第１高電圧ダミーパターン８７が密なライン状に引き回された例について説明した。しかし、第１高電圧ダミーパターン８７は、一枚の幅広の導電体層によって形成されていてもよい。この場合、第１高電圧ダミーパターン８７は、有端状に形成されていることが好ましい。
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態では、第１高電圧ダミーパターン８７が密なライン状に引き回された例について説明した。しかし、第１高電圧ダミーパターン８７は、一枚の幅広の導電体層によって形成されていてもよい。この場合、第１高電圧ダミーパターン８７は、有端状に形成されていることが好ましい。
【0335】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態では、第２高電圧ダミーパターン８８が密なライン状に引き回された例について説明した。しかし、第２高電圧ダミーパターン８８は、一枚の幅広の導電体層によって形成されていてもよい。この場合、第２高電圧ダミーパターン８８は、有端状に形成されていることが好ましい。
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、変圧器２１Ａ～２１Ｄの低電圧コイル２２は、絶縁積層構造５１内において互いに異なる深さ位置にそれぞれ形成されていてもよい。たとえば、変圧器２１Ａ～２１Ｄの低電圧コイル２２は、最下絶縁層５５から数えて１層目～５層目に位置する複数の層間絶縁層５７のいずれかに形成されていてもよい。絶縁積層構造５１の耐圧や電界の偏りを考慮すると、複数の低電圧コイル２２は、同一の層間絶縁層５７に形成されていることが好ましい。
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、変圧器２１Ａ～２１Ｄの低電圧コイル２２は、絶縁積層構造５１内において互いに異なる深さ位置にそれぞれ形成されていてもよい。たとえば、変圧器２１Ａ～２１Ｄの低電圧コイル２２は、最下絶縁層５５から数えて１層目～５層目に位置する複数の層間絶縁層５７のいずれかに形成されていてもよい。絶縁積層構造５１の耐圧や電界の偏りを考慮すると、複数の低電圧コイル２２は、同一の層間絶縁層５７に形成されていることが好ましい。
【0336】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、変圧器２１Ａ～２１Ｄの高電圧コイル２３は、絶縁積層構造５１内において互いに異なる深さ位置にそれぞれ形成されていてもよい。たとえば、変圧器２１Ａ～２１Ｄの高電圧コイル２３は、最上絶縁層５６から数えて１層目～５層目に位置する複数の層間絶縁層５７のいずれかに形成されていてもよい。絶縁積層構造５１の耐圧や電界の偏りを考慮すると、複数の高電圧コイル２３は、同一の層間絶縁層５７に形成されていることが好ましい。
【0337】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、第１高電圧ダミーパターン８７は、高電圧コイル２３の配置に応じて、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、第１高電圧ダミーパターン８７は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0338】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、第１高電圧ダミーパターン８７は、高電圧コイル２３の配置に応じて、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５を有していてもよい。
第１パターン９３は、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、第１パターン９３は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
第１パターン９３は、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、第１パターン９３は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0339】
第２パターン９４は、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、第２パターン９４は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
第３パターン９５は、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、第３パターン９５は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
第３パターン９５は、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、第３パターン９５は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0340】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３の配置に応じて、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0341】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、浮遊ダミーパターン１２１は、高電圧コイル２３の配置に応じて、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆを有していてもよい。複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆは、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、複数の浮遊ライン１２２Ａ～１２２Ｆは、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0342】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、第２高電圧ダミーパターン８８は、高電圧コイル２３の配置に応じて、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、第２高電圧ダミーパターン８８は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0343】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態において、第２高電圧ダミーパターン８８は、高電圧コイル２３の配置に応じて、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆを有していてもよい。複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆは、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、複数の高電圧ライン１１６Ａ～１１６Ｆは、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0344】
前述の第２実施形態において、低電圧ダミーパターン１６２は、高電圧コイル２３の配置に応じて、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、低電圧ダミーパターン１６２は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
前述の第２実施形態において、低電圧ダミーパターン１６２は、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃを有していてもよい。複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
前述の第２実施形態において、低電圧ダミーパターン１６２は、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃを有していてもよい。複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、複数の低電圧ライン１６４Ａ～１６３Ｃは、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0345】
前述の第３実施形態および第４実施形態において、高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３の配置に応じて、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７、または、１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0346】
前述の第３実施形態および第４実施形態において、高電圧ダミーパターン１７３は、高電圧コイル２３の配置に応じて、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆを有していてもよい。複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆは、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、複数の高電圧ライン１７５Ａ～１７５Ｆは、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７または１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0347】
前述の第３実施形態および第４実施形態において、浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３の配置に応じて、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７または１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
前述の第３実施形態および第４実施形態において、浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３の配置に応じて、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆを有していてもよい。複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７または１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
前述の第３実施形態および第４実施形態において、浮遊ダミーパターン１７７は、高電圧コイル２３の配置に応じて、互いに異なる層間絶縁層５７に形成された複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆを有していてもよい。複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、高電圧コイル２３に対して上層または下層に形成されていてもよい。たとえば、複数の浮遊ライン１７８Ａ～１７８Ｆは、高電圧コイル２３に対して１層～３層上の層間絶縁層５７または１層～３層下の層間絶縁層５７に形成されていてもよい。
【0348】
前述の第１実施形態、第２実施形態および第５実施形態では、第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５が、第１方向Ｘに沿って帯状に延びる複数の第１中間ライン９８、複数の第２中間ライン１０４および複数の第３中間ライン１１０を含む例について説明した。
しかし、第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５の形態は、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる限り、図１０～図１２に示された形態に限定されない。第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５は、たとえば、図２４Ａおよび図２４Ｂに示される形態を有していてもよい。
しかし、第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５の形態は、高電圧コイル２３に対する電界集中を抑制できる限り、図１０～図１２に示された形態に限定されない。第１パターン９３、第２パターン９４および第３パターン９５は、たとえば、図２４Ａおよび図２４Ｂに示される形態を有していてもよい。
【0349】
図２４Ａは、図１１に対応する領域の拡大図であって、第１変形例に係る第１高電圧ダミーパターン８７を示す図である。図２４Ａでは、第２パターン９４が一例として示されているが、第１パターン９３および第３パターン９５にも同様の構造を適用できる。以下では、電子部品５に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【0350】
図２４Ａを参照して、第２パターン９４は、この形態例では、互いに隣り合う高電圧コイル２３の対向方向（第１方向Ｘ）に交差する方向に沿って延びる複数の第２中間ライン１０４を含む。複数の第２中間ライン１０４は、この形態では、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成され、第２方向Ｙに沿ってそれぞれ帯状に延びている。
複数の第２中間ライン１０４は、平面視において全体として第２方向Ｙに沿って延びるストライプ状に形成されている。第２外周ライン９７および第３外周ライン１０３に対する複数の第２中間ライン１０４の接続態様は任意であり、特定の形態に限定されない。
複数の第２中間ライン１０４は、平面視において全体として第２方向Ｙに沿って延びるストライプ状に形成されている。第２外周ライン９７および第３外周ライン１０３に対する複数の第２中間ライン１０４の接続態様は任意であり、特定の形態に限定されない。
【0351】
以上のような形態を有する第１高電圧ダミーパターン８７が形成される場合であっても、電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図２４Ｂは、図１１に対応する領域の拡大図であって、第２変形例に係る第１高電圧ダミーパターン８７を示す図である。図２４Ｂでは、第２パターン９４が一例として示されているが、第１パターン９３および第３パターン９５にも同様の構造を適用できる。以下では、電子部品５に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２４Ｂは、図１１に対応する領域の拡大図であって、第２変形例に係る第１高電圧ダミーパターン８７を示す図である。図２４Ｂでは、第２パターン９４が一例として示されているが、第１パターン９３および第３パターン９５にも同様の構造を適用できる。以下では、電子部品５に対して述べた構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【0352】
図２４Ｂを参照して、第２パターン９４は、平面視において、第２外周ライン９７、第３外周ライン１０３および複数の第２中間ライン１０４を一体的に含む葛折り状に形成されている。複数の第２中間ライン１０４は、この形態では、第２方向Ｙに沿って間隔を空けて形成され、第１方向Ｘに沿ってそれぞれ帯状に延びている。
複数の第２中間ライン１０４は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に形成されている。つまり、第２パターン９４は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びる葛折り状に形成されている。
複数の第２中間ライン１０４は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びるストライプ状に形成されている。つまり、第２パターン９４は、平面視において全体として第１方向Ｘに沿って延びる葛折り状に形成されている。
【0353】
第２パターン９４は、平面視において全体として第２方向Ｙに沿って延びる葛折り状に形成されていてもよい。この場合、複数の第２中間ライン１０４は、第１方向Ｘに沿って間隔を空けて形成され、第２方向Ｙに沿ってそれぞれ帯状に延びていてもよい。つまり、複数の第２中間ライン１０４は、平面視において全体として第２方向Ｙに沿って延びるストライプ状に形成されていてもよい。
【0354】
以上のような形態を有する第１高電圧ダミーパターン８７が形成される場合であっても、電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
前述の第１実施形態および第２実施形態では、電子部品５，１６１が、４つの変圧器２１を含む例について説明した。しかし、電子部品５，１６１は、２つの変圧器２１だけを有していてもよい。また、電子部品５，１６１は、３つの変圧器２１だけを有していてもよい。
前述の第１実施形態および第２実施形態では、電子部品５，１６１が、４つの変圧器２１を含む例について説明した。しかし、電子部品５，１６１は、２つの変圧器２１だけを有していてもよい。また、電子部品５，１６１は、３つの変圧器２１だけを有していてもよい。
【0355】
前述の第５実施形態では、電子部品１９１が、４つのコンデンサ１９２を含む例について説明した。しかし、電子部品１９１は、２つのコンデンサ１９２だけを有していてもよい。また、電子部品１９１は、３つのコンデンサ１９２だけを有していてもよい。
図２５は、変形例に係る電子部品２００が組み込まれた電子部品モジュール２０１の平面図である。以下では、電子部品モジュール１（図１参照）の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図２５は、変形例に係る電子部品２００が組み込まれた電子部品モジュール２０１の平面図である。以下では、電子部品モジュール１（図１参照）の構造に対応する構造については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【0356】
前述の電子部品モジュール１は、電子部品５、コントローラＩＣチップ６およびドライバＩＣチップ７を含む。これに対して、電子部品モジュール２０１は、複数の電子部品２００を含む。複数の電子部品２００は、２つの変圧器２１（第１変圧器２１Ａおよび第２変圧器２１Ｂ）が組み込まれたコントローラＩＣチップ６、および、２つの変圧器２１（第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄ）が組み込まれたドライバＩＣチップ７を含む。
【0357】
具体的な図示は省略されるが、コントローラＩＣチップ６は、第１変圧器２１Ａおよび第２変圧器２１Ｂ用の複数の低電圧パッド１１、複数の高電圧パッド１２、複数の第１低電圧配線３１、複数の第２低電圧配線３２、複数の第１高電圧配線３３および複数の第２高電圧配線３４を含む。
また、コントローラＩＣチップ６は、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８のうちの少なくとも１つ（好ましくは全部）を含む。また、コントローラＩＣチップ６は、第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄ用の複数の高電圧パッド２０２をさらに含む。
また、コントローラＩＣチップ６は、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８のうちの少なくとも１つ（好ましくは全部）を含む。また、コントローラＩＣチップ６は、第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄ用の複数の高電圧パッド２０２をさらに含む。
【0358】
また、具体的な図示は省略されるが、ドライバＩＣチップ７は、第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄ用の複数の低電圧パッド１１、複数の高電圧パッド１２、複数の第１低電圧配線３１、複数の第２低電圧配線３２、複数の第１高電圧配線３３および複数の第２高電圧配線３４を含む。
また、ドライバＩＣチップ７は、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８のうちの少なくとも１つ（好ましくは全部）を含む。また、ドライバＩＣチップ７は、第１変圧器２１Ａおよび第２変圧器２１Ｂ用の複数の高電圧パッド２０３をさらに含む。
また、ドライバＩＣチップ７は、第１高電圧ダミーパターン８７、浮遊ダミーパターン１２１および第２高電圧ダミーパターン８８のうちの少なくとも１つ（好ましくは全部）を含む。また、ドライバＩＣチップ７は、第１変圧器２１Ａおよび第２変圧器２１Ｂ用の複数の高電圧パッド２０３をさらに含む。
【0359】
コントローラＩＣチップ６の複数の低電圧パッド１１は、低電圧ワイヤ２０４を介してグランド端子として使用される任意のリード端子４に電気的に接続されている。コントローラＩＣチップ６の複数の高電圧パッド１２は、高電圧ワイヤ２０５を介してドライバＩＣチップ７の複数の高電圧パッド２０３に電気的に接続されている。
ドライバＩＣチップ７の複数の低電圧パッド１１は、低電圧ワイヤ２０６を介してグランド端子として使用される任意のリード端子４に電気的に接続されている。ドライバＩＣチップ７の複数の高電圧パッド１２は、高電圧ワイヤ２０７を介してコントローラＩＣチップ６の複数の高電圧パッド２０２に電気的に接続されている。
ドライバＩＣチップ７の複数の低電圧パッド１１は、低電圧ワイヤ２０６を介してグランド端子として使用される任意のリード端子４に電気的に接続されている。ドライバＩＣチップ７の複数の高電圧パッド１２は、高電圧ワイヤ２０７を介してコントローラＩＣチップ６の複数の高電圧パッド２０２に電気的に接続されている。
【0360】
以上、第１変圧器２１Ａおよび第２変圧器２１Ｂが組み込まれたコントローラＩＣチップ６（電子部品２００）が採用される場合であっても、電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。また、第３変圧器２１Ｃおよび第４変圧器２１Ｄが組み込まれたドライバＩＣチップ７（電子部品２００）が採用される場合であっても、電子部品５に対して述べた効果と同様の効果を奏することができる。
この明細書および図面から抽出される特徴の例を以下に示す。低電圧パターンおよび高電圧パターンの間に形成される電界は、高電圧パターンに集中する傾向がある。この種の電界集中は、耐圧低下の起点になる。そこで、以下の［Ａ１］～［Ａ３１］は、高電圧パターンの電界集中を抑制し、耐圧を向上できる電子部品を提供する。
この明細書および図面から抽出される特徴の例を以下に示す。低電圧パターンおよび高電圧パターンの間に形成される電界は、高電圧パターンに集中する傾向がある。この種の電界集中は、耐圧低下の起点になる。そこで、以下の［Ａ１］～［Ａ３１］は、高電圧パターンの電界集中を抑制し、耐圧を向上できる電子部品を提供する。
【0361】
［Ａ１］主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧パターン、および、前記主面の法線方向に前記低電圧パターンと対向するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧パターンを含む受動デバイスと、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンおよび前記高電圧パターンの間に形成される電界を遮蔽し、前記高電圧パターンに対する電界集中を抑制するシールド導体層と、含む、電子部品。
【0362】
［Ａ２］前記シールド導体層は、前記高電圧パターンとは異なるパターンで形成されている、Ａ１に記載の電子部品。
［Ａ３］前記シールド導体層は、前記絶縁層内において前記低電圧パターンよりも前記高電圧パターンに近接する領域に形成されている、Ａ１またはＡ２に記載の電子部品。
［Ａ４］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧ダミーパターンを含む、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ３］前記シールド導体層は、前記絶縁層内において前記低電圧パターンよりも前記高電圧パターンに近接する領域に形成されている、Ａ１またはＡ２に記載の電子部品。
［Ａ４］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧ダミーパターンを含む、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載の電子部品。
【0363】
［Ａ５］前記高電圧ダミーパターンは、平面視において前記高電圧パターンを取り囲んでいる、Ａ４に記載の電子部品。
［Ａ６］前記高電圧ダミーパターンは、有端状に形成されている、Ａ４またはＡ５に記載の電子部品。
［Ａ７］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターンを含む、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ６］前記高電圧ダミーパターンは、有端状に形成されている、Ａ４またはＡ５に記載の電子部品。
［Ａ７］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターンを含む、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載の電子部品。
【0364】
［Ａ８］前記浮遊ダミーパターンは、平面視において前記高電圧パターンを取り囲んでいる、Ａ７に記載の電子部品。
［Ａ９］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧ダミーパターン、および、平面視において前記高電圧ダミーパターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターンを含む、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ９］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧ダミーパターン、および、平面視において前記高電圧ダミーパターンの周囲に位置するように前記絶縁層内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターンを含む、Ａ１～Ａ３のいずれか一つに記載の電子部品。
【0365】
［Ａ１０］前記高電圧ダミーパターンは、平面視において前記高電圧パターンを取り囲んでいる、Ａ９に記載の電子部品。
［Ａ１１］前記浮遊ダミーパターンは、平面視において前記高電圧ダミーパターンを取り囲んでいる、Ａ１０に記載の電子部品。
［Ａ１２］前記高電圧ダミーパターンは、有端状に形成されている、Ａ９～Ａ１１のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ１１］前記浮遊ダミーパターンは、平面視において前記高電圧ダミーパターンを取り囲んでいる、Ａ１０に記載の電子部品。
［Ａ１２］前記高電圧ダミーパターンは、有端状に形成されている、Ａ９～Ａ１１のいずれか一つに記載の電子部品。
【0366】
［Ａ１３］前記主面の上に形成された低電圧パッドをさらに含み、前記高電圧パターンは、平面視において前記低電圧パッドから間隔を空けて形成され、前記高電圧パターンには、前記低電圧パッドに印加される電圧を超える電圧が印加され、前記シールド導体層は、平面視において前記低電圧パッドおよび前記高電圧パターンの間の領域に介在している、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の電子部品。
【0367】
［Ａ１４］前記低電圧パターンは、前記低電圧パッドに電気的に接続されている、Ａ１３に記載の電子部品。
［Ａ１５］前記絶縁層の周縁に沿って前記絶縁層内に形成されたフィールド電極をさらに含み、前記高電圧パターンは、平面視において前記フィールド電極から間隔を空けて形成され、前記高電圧パターンには、前記フィールド電極に印加される電圧を超える電圧が印加され、前記シールド導体層は、平面視において前記フィールド電極および前記高電圧パターンの間の領域に介在している、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ１５］前記絶縁層の周縁に沿って前記絶縁層内に形成されたフィールド電極をさらに含み、前記高電圧パターンは、平面視において前記フィールド電極から間隔を空けて形成され、前記高電圧パターンには、前記フィールド電極に印加される電圧を超える電圧が印加され、前記シールド導体層は、平面視において前記フィールド電極および前記高電圧パターンの間の領域に介在している、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の電子部品。
【0368】
［Ａ１６］前記低電圧パターンは、前記フィールド電極に電気的に接続されている、Ａ１５に記載の電子部品。
［Ａ１７］前記絶縁層の周縁に沿って前記絶縁層内に形成されたフィールド電極と、前記主面の上に形成された低電圧パッドと、をさらに含み、前記高電圧パターンは、平面視において前記フィールド電極および前記低電圧パッドから間隔を空けて形成され、前記高電圧パターンには、前記フィールド電極に印加される電圧および前記低電圧パッドに印加される電圧を超える電圧が印加され、前記シールド導体層は、平面視において前記フィールド電極および前記高電圧パターンの間の領域、ならびに、平面視において前記低電圧パッドおよび前記高電圧パターンの間の領域に介在している、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ１７］前記絶縁層の周縁に沿って前記絶縁層内に形成されたフィールド電極と、前記主面の上に形成された低電圧パッドと、をさらに含み、前記高電圧パターンは、平面視において前記フィールド電極および前記低電圧パッドから間隔を空けて形成され、前記高電圧パターンには、前記フィールド電極に印加される電圧および前記低電圧パッドに印加される電圧を超える電圧が印加され、前記シールド導体層は、平面視において前記フィールド電極および前記高電圧パターンの間の領域、ならびに、平面視において前記低電圧パッドおよび前記高電圧パターンの間の領域に介在している、Ａ１～Ａ１２のいずれか一つに記載の電子部品。
【0369】
［Ａ１８］前記低電圧パターンは、前記フィールド電極および前記低電圧パッドに電気的に接続されている、Ａ１７に記載の電子部品。
［Ａ１９］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンを取り囲んでいる、Ａ１～Ａ１８のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ２０］主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧パターン、および、前記主面の法線方向に前記低電圧パターンと対向するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧パターンをそれぞれ含み、互いに間隔を空けて前記絶縁層内に形成された複数の受動デバイスと、前記絶縁層内において互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域に介在するように複数の前記高電圧パターンの周囲に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧ダミーパターンと、を含む、電子部品。
［Ａ１９］前記シールド導体層は、平面視において前記高電圧パターンを取り囲んでいる、Ａ１～Ａ１８のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ２０］主面を有する絶縁層と、前記絶縁層内に形成された低電圧パターン、および、前記主面の法線方向に前記低電圧パターンと対向するように前記絶縁層内に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧パターンをそれぞれ含み、互いに間隔を空けて前記絶縁層内に形成された複数の受動デバイスと、前記絶縁層内において互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域に介在するように複数の前記高電圧パターンの周囲に形成され、前記低電圧パターンに印加される電圧を超える電圧が印加される高電圧ダミーパターンと、を含む、電子部品。
【0370】
［Ａ２１］前記高電圧ダミーパターンは、複数の前記高電圧パターンとは異なるパターンで形成されている、Ａ２０に記載の電子部品。
［Ａ２２］前記高電圧ダミーパターンは、有端状に形成されている、Ａ２０またはＡ２１に記載の電子部品。
［Ａ２３］前記高電圧ダミーパターンは、互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域に介在する第１高電圧ダミーパターン、および、互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域外の領域で少なくとも１つの前記高電圧パターンに沿うように形成された第２高電圧ダミーパターンを含む、Ａ２０～Ａ２２のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ２２］前記高電圧ダミーパターンは、有端状に形成されている、Ａ２０またはＡ２１に記載の電子部品。
［Ａ２３］前記高電圧ダミーパターンは、互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域に介在する第１高電圧ダミーパターン、および、互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域外の領域で少なくとも１つの前記高電圧パターンに沿うように形成された第２高電圧ダミーパターンを含む、Ａ２０～Ａ２２のいずれか一つに記載の電子部品。
【0371】
［Ａ２４］前記第１高電圧ダミーパターンは、平面視において互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの対向方向に沿って延びる部分を含む、Ａ２３に記載の電子部品。
［Ａ２５］前記第２高電圧ダミーパターンは、前記第１高電圧ダミーパターンと一体的に形成されている、Ａ２３またはＡ２４に記載の電子部品。
［Ａ２６］平面視において少なくとも１つの前記高電圧パターンの周囲に沿うように前記絶縁層内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターンをさらに含む、Ａ２０～Ａ２５のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ２５］前記第２高電圧ダミーパターンは、前記第１高電圧ダミーパターンと一体的に形成されている、Ａ２３またはＡ２４に記載の電子部品。
［Ａ２６］平面視において少なくとも１つの前記高電圧パターンの周囲に沿うように前記絶縁層内に電気的に浮遊状態に形成された浮遊ダミーパターンをさらに含む、Ａ２０～Ａ２５のいずれか一つに記載の電子部品。
【0372】
［Ａ２７］前記浮遊ダミーパターンは、平面視において互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域外の領域に形成されている、Ａ２６に記載の電子部品。
［Ａ２８］前記高電圧ダミーパターンは、平面視において互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域外の領域で少なくとも１つの前記高電圧パターンに沿う部分を含み、前記浮遊ダミーパターンは、平面視において前記高電圧ダミーパターンを挟んで前記高電圧パターンに対向している、Ａ２７に記載の電子部品。
［Ａ２８］前記高電圧ダミーパターンは、平面視において互いに隣り合う複数の前記高電圧パターンの間の領域外の領域で少なくとも１つの前記高電圧パターンに沿う部分を含み、前記浮遊ダミーパターンは、平面視において前記高電圧ダミーパターンを挟んで前記高電圧パターンに対向している、Ａ２７に記載の電子部品。
【0373】
［Ａ２９］前記浮遊ダミーパターンは、平面視において複数の前記高電圧パターンおよび前記高電圧ダミーパターンを一括して取り囲んでいる、Ａ２７またはＡ２８に記載の電子部品。
［Ａ３０］前記受動デバイスは、前記低電圧パターンとしての低電圧コイル、および、前記高電圧パターンとしての高電圧コイルを含む変圧器である、Ａ１～Ａ２９のいずれか一つに記載の電子部品。
［Ａ３０］前記受動デバイスは、前記低電圧パターンとしての低電圧コイル、および、前記高電圧パターンとしての高電圧コイルを含む変圧器である、Ａ１～Ａ２９のいずれか一つに記載の電子部品。
【0374】
［Ａ３１］前記受動デバイスは、前記低電圧パターンとしての低電圧電極、および、前記高電圧パターンとしての高電圧電極を含むコンデンサである、Ａ１～Ａ２９のいずれか一つに記載の電子部品。
この出願は、２０１９年３月８日に日本国特許庁に提出された特願２０１９－０４３０３６号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。
この出願は、２０１９年３月８日に日本国特許庁に提出された特願２０１９－０４３０３６号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれる。
【0375】
本発明の実施形態について詳細に説明してきたが、これらは本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
【符号の説明】
【0376】
５ 電子部品
１１ 低電圧パッド
１１Ａ 低電圧パッド
１１Ｂ 低電圧パッド
１１Ｃ 低電圧パッド
１１Ｄ 低電圧パッド
１１Ｅ 低電圧パッド
１１Ｆ 低電圧パッド
２１ 変圧器
２１Ａ 第１変圧器
２１Ｂ 第２変圧器
２１Ｃ 第３変圧器
２１Ｄ 第４変圧器
２２ 低電圧コイル
２３ 高電圧コイル
５１ 絶縁積層構造
５２ 絶縁主面
６１ フィールド電極
８５ シールド導体層
８６ 高電圧ダミーパターン
８７ 第１高電圧ダミーパターン
８８ 第２高電圧ダミーパターン
１２１ 浮遊ダミーパターン
１６１ 電子部品
１７１ 電子部品
１８１ 電子部品
１９１ 電子部品
１９２ コンデンサ
１９３ 低電圧電極
１９４ 高電圧電極
２００ 電子部品
１１ 低電圧パッド
１１Ａ 低電圧パッド
１１Ｂ 低電圧パッド
１１Ｃ 低電圧パッド
１１Ｄ 低電圧パッド
１１Ｅ 低電圧パッド
１１Ｆ 低電圧パッド
２１ 変圧器
２１Ａ 第１変圧器
２１Ｂ 第２変圧器
２１Ｃ 第３変圧器
２１Ｄ 第４変圧器
２２ 低電圧コイル
２３ 高電圧コイル
５１ 絶縁積層構造
５２ 絶縁主面
６１ フィールド電極
８５ シールド導体層
８６ 高電圧ダミーパターン
８７ 第１高電圧ダミーパターン
８８ 第２高電圧ダミーパターン
１２１ 浮遊ダミーパターン
１６１ 電子部品
１７１ 電子部品
１８１ 電子部品
１９１ 電子部品
１９２ コンデンサ
１９３ 低電圧電極
１９４ 高電圧電極
２００ 電子部品
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15A】
【図15B】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24A】
【図24B】
【図25】