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特許7429816少なくとも１つの支持構造体を含む音響抵抗性支持体付き膜集成体
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-01-31
(45)【発行日】2024-02-08
(54)【発明の名称】少なくとも１つの支持構造体を含む音響抵抗性支持体付き膜集成体
(51)【国際特許分類】
B32B 7/02 20190101AFI20240201BHJP
G10K 11/04 20060101ALI20240201BHJP
H04R 1/00 20060101ALI20240201BHJP
【ＦＩ】
B32B7/02
G10K11/04
H04R1/00 321
H04R1/00 311
【請求項の数】
18
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2023077876
(22)【出願日】2023-05-10
(62)【分割の表示】P 2021127720の分割
【原出願日】2021-08-03
(65)【公開番号】P2023109841
(43)【公開日】2023-08-08
【審査請求日】2023-05-18
(31)【優先権主張番号】63/060,260
(32)【優先日】2020-08-03
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】391028362
【氏名又は名称】ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティド
【氏名又は名称原語表記】Ｗ．Ｌ． ＧＯＲＥ ＆ ＡＳＳＯＣＩＡＴＥＳ， ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
(74)【代理人】
【識別番号】100099759
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 篤
(74)【代理人】
【識別番号】100123582
【弁理士】
【氏名又は名称】三橋 真二
(74)【代理人】
【識別番号】100128495
【弁理士】
【氏名又は名称】出野 知
(74)【代理人】
【識別番号】100208225
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 修二郎
(74)【代理人】
【識別番号】100144417
【弁理士】
【氏名又は名称】堂垣 泰雄
(74)【代理人】
【識別番号】100147212
【弁理士】
【氏名又は名称】小林 直樹
(72)【発明者】
【氏名】ザカリー イー．ランパート
(72)【発明者】
【氏名】ウェイン エム．ギボンズ
(72)【発明者】
【氏名】イーティエン チャン
【審査官】山本 晋也
(56)【参考文献】
【文献】特表２０１９－５１１９５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－１０９９６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１４－１２３９３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／００５２９４５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特表２０１７－５００７６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０２４７４９９（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２０１７－１１９２３２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－２５０１８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－０７１１３１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１７－５３４７８９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ３２Ｂ １／００－４３／００
Ｈ０４Ｒ １／００－１／０８
Ｈ０４Ｒ １／１２
Ｈ０４Ｒ １／１４
Ｈ０４Ｒ １／４２
Ｈ０４Ｒ １／４４
Ｈ０４Ｒ １／４６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
高分子膜と、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記少なくとも１つの支持構造体が、
１０～１０００μｍの厚さと、
５％～９８％の有効開放面積と、
を有し、
前記集成体が、
１００レイリー～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗と、
振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して計測して０.０００２Ｐａ/ｎｍ～３０００Ｐａ/ｎｍの有効剛度と、
を有する、
集成体。
【請求項2】
前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が、前記高分子膜と接触している、請求項１に記載の集成体。
【請求項3】
前記高分子膜が、１００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項4】
前記少なくとも１つの支持構造体が、１０～５０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項5】
前記集成体が、キャピラリーピストン試験（ＣＰＴ）に従って計測して、６８．９ｋＰａ（１０ｐｓｉ）～２４１３ｋＰａ（３５０ｐｓｉ）の範囲の水進入圧力（ＷＥＰ）を有する、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項6】
前記集成体が、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～５０ｄＢの伝送ロスを与えるように構成され、および／またはインピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲について１.５ｄＢ／オクターブを超えて変化しない伝送ロスを示す、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項7】
前記高分子膜が、０.０２５ミクロン～３００ミクロンの範囲の厚みを有する、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項8】
前記高分子膜が、異なる孔径を持つ複数の気孔を含む、請求項１又は２に記載の集成体。
【請求項9】
前記複数の気孔が、０.１～３０ミクロンの範囲の最大孔径を有する、請求項８に記載の集成体。
【請求項10】
前記少なくとも１つの支持構造体が、少なくとも１つの支持層である、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項11】
前記少なくとも１つの支持層が、複数の開口を備える、請求項１０に記載の集成体。
【請求項12】
前記複数の開口の単一開口の最大寸法が、１～５００ミクロンである、請求項１１に記載の集成体。
【請求項13】
前記少なくとも１つの支持層が繊維ガラス、金属、またはメッシュを含む、請求項１０に記載の集成体。
【請求項14】
前記少なくとも１つの支持層がメッシュを含み、前記メッシュが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）織物メッシュまたは押出プラスチック不織メッシュであり、前記押出プラスチックは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、又はアセタールホモポリマーの１つまたはそれ以上である、請求項１３に記載の集成体。
【請求項15】
前記高分子膜が延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）を含む、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項16】
前記集成体が、少なくとも２つの支持構造体を備える、請求項１または２に記載の集成体。
【請求項17】
前記集成体が、第１支持構造体と第２支持構造体とを備え、前記高分子膜は、前記第１支持構造体と前記第２支持構造体との間に挟まれている、請求項１６に記載の集成体。
【請求項18】
前記高分子膜と少なくとも１つの支持構造体との間には接着剤を備える、請求項１または２に記載の集成体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、音響膜集成体の分野に関する。
【背景技術】
【0002】
音響膜集成体は、膜を通過して及びこれを通り越して機器へ及び機器から音を伝搬できるようにする。音響膜は、又、水、ダスト及びその他の汚染物質の進入を防止できる。技術上、改良された音響膜が、引き続き必要とされる。
【発明の概要】
【0003】
請求範囲となる実施形態は、本概要ではなく請求項によって画定される。本概要は様々な形態の高度な概説であり、下の「発明を実施するための形態」において更に説明する概念のいくつかを紹介する。本概要は、特許請求の対象の主要な又は必須の特徴を識別する意図はなく、又、特許請求の対象の範囲を定めるための分離に使用されることを意図しない。特許対象は、明細書全体、いずれか又は全ての図面及び各請求項の適切な部分を参照することによって理解すべきである。
【0004】
本開示は、高分子膜と少なくとも１つの支持構造体とを備える集成体に関する。
【0005】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、高分子膜と接触している。
【0006】
いくつかの実施形態において、集成体は、１００～５０,０００レイリーの空気流抵抗を有する。
【0007】
いくつかの実施形態において、集成体は、振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して計測したとき０.０００２Ｐａ／ｎｍ～３,０００Ｐａ／ｎｍの有効剛度を有する。
【0008】
いくつかの実施形態において、集成体は、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲について位相角＋４５度～－４５度の音響インピーダンスを有する。
【0009】
いくつかの実施形態において、集成体は、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲について１.５ｄＢ／オクターブを超えて変化しない伝送ロスを示す。
【0010】
いくつかの実施形態において、集成体は、キャピラリーピストン試験（ＣＰＴ）に従って計測して、１０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力（ＷＥＰ）を有する。
【0011】
いくつかの実施形態において、集成体は、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲についてインピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき３ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを示す。
【0012】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～３００ミクロンの範囲の厚みを有する。
【0013】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、異なる孔径を持つ複数の気孔を含む。
【0014】
いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.１～３０ミクロンの範囲の最大孔径を有する。
【0015】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４ｐｓｉ～１２０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。
【0016】
いくつかの実施形態において、高分子膜は延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）を含む。
【0017】
いくつかの実施形態において、高分子膜は１ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。
【0018】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、少なくとも１つの第２高分子膜である。
【0019】
いくつかの実施形態において、支持構造体は、粒子の網状組織（network）である。
【0020】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１０～１０００ミクロンの厚みを有する。
【0021】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、５％～９８％の有効開放面積を有する。
【0022】
いくつかの実施形態において、集成体は、単一の支持構造体を備える。
【0023】
いくつかの実施形態において、集成体は、少なくとも２つの支持構造体を備える。
【0024】
いくつかの実施形態において、集成体は、第１支持構造体と第２支持構造体とを備え、高分子膜は、第１支持構造体と第２支持構造体との間に挟まれる。
【0025】
いくつかの実施形態において、第１と第２支持構造体は、同じ材料を含む。
【0026】
いくつかの実施形態において、第１と第２支持構造体は、異なる材料を含む。
【0027】
いくつかの実施形態において、高分子膜と少なくとも１つの支持構造体との間には接着剤がある。
【0028】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、少なくとも１つの支持層である。
【0029】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層は、繊維ガラスを含む。
【0030】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層は、金属を含む。
【0031】
いくつかの実施形態において、金属は黄銅である。
【0032】
いくつかの実施形態において、１つ又は複数の支持層はメッシュを含む。
【0033】
いくつかの実施形態において、メッシュは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）織物メッシュである。
【0034】
いくつかの実施形態において、メッシュは、押出プラスチック不織布メッシュである。
【0035】
本開示のいくつかの実施形態を、本明細書において、添付図面を参照して、単に例として説明する。次に図面を詳細に参照しながら、実施形態について、例として、本開示の実施形態の例証するために説明する。この点に関し、図面を参照して説明を読めば、当業者には本開示の実施形態をどのように実施できるかが明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【0037】
【0038】
【0039】
【0040】
【0041】
【0042】
【0043】
【0044】
【0045】
【0046】
【0047】
【0048】
【0049】
【発明を実施するための形態】
【0050】
開示した利益及び改良点から、本開示の他の目的及び利点が、添付図面と一緒に下記の説明を読めば明らかになるだろう。本開示の詳細な実施形態を、本明細書において開示するが、開示する実施形態は、様々な形式で実現できる本開示の単なる例示である。更に、本開示の様々な実施形態に関して提示する実施例は、各々、限定的ではなく例示的であることを意図する。
【0051】
明細書及び特許請求の範囲全体を通じて、下記の用語は、文脈上明白に指示しない限り、本明細書において明確に関連付けられる意味を持つ。「１つの実施形態において」及び「いくつかの実施形態において」は、本明細書において使用される場合、必ずしも同じ実施形態を意味しない（意味する可能性もある）。更に「別の実施形態において」及び「いくつかの他の実施形態において」は、本明細書において使用される場合、必ずしも異なる実施形態を意味しない（意味する可能性もある）。本開示の全ての実施形態は、本開示の範囲または主旨から逸脱することなく組合せ可能であるものとする。
【0052】
本明細書において使用される場合、「～に基づく」は、排他的ではなく、文脈上明白に指示しない限り、説明されない付加的要因に基づくことを許容する。更に、明細書全体を通じて、単数（ａ、ａｎ）及び定冠詞（ｔｈｅ）は複数も含む。「～の中（ｉｎ）」は、「～の中」及び「～の上（ｏｎ）」を含む。
【0053】
本明細書において言及する全ての先行特許、文献及び試験方法は、参照によりその全体が本明細書に援用される。
【0054】
本開示のいくつかの実施形態は、高分子膜と少なくとも１つの支持構造体とを備える主抵抗性支持体付き音響膜に関する。
【0055】
いくつかの実施形態において、集成体の高分子膜は、複数の気孔を含む。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、最大孔径を持つことができる。本明細書において使用する場合、「最大孔径」は、複数の気孔のうち最大気孔のサイズである。
【0056】
いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.１～３０ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.３～３０ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.５～３０ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、１０～３０ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、２０～３０ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、２５～３０ミクロンの最大孔径を持つことができる。
【0057】
いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.２～８ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.４～４ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.８～２ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、１～１.６ミクロンの最大孔径を持つことができる。
【0058】
いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.２～４ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.２～２ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.２～１.６ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.２～１ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.２～０.８ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.２～０.４ミクロンの最大孔径を持つことができる。
【0059】
いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.４～８ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、０.８～８ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、１～８ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、１.６～８ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、２～８ミクロンの最大孔径を持つことができる。いくつかの実施形態において、複数の気孔は、４～８ミクロンの最大孔径を持つことができる。
【0060】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.１２ミクロン～６５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.２４ミクロン～３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.５ミクロン～１５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１ミクロン～８ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２ミクロン～４ミクロンの範囲の厚みを有する。
【0061】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～３００ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６１ミクロン～１２６ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～１５０ミクロンの範囲の厚みを有する。
【0062】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～１５０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～１００ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～５０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～２５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～１０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～２.５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～１ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０２５ミクロン～０.３ミクロンの範囲の厚みを有する。
【0063】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～６５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～１５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～８ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～４ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～２ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～１ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～０.５ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～０.２４ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０６ミクロン～０.１２ミクロンの範囲の厚みを有する。
【0064】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.１２ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.２４ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.５ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、８ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１５ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３０ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、６５ミクロン～１３０ミクロンの範囲の厚みを有する。
【0065】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリケトン、ポリスルフォン又はポリカーボネートのうち少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態において、高分子膜は、フルオロポリマーを含むことができる。いくつかの実施形態において、フルオロポリマーは、ＰＶＤＦ、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン－テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン－パーフルオロプロピルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、フッ化ビニリデン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＰＶＤＦ－ＨＥＰ共重合体）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）又はこれらの任意の組合せ、の１つ又はそれ以上を含む。
【0066】
いくつかの実施形態において、フルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。いくつかの実施形態において、ＰＴＦＥは、延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）である。いくつかの実施形態において、ｅＰＴＦＥは、Goreに対する米国特許第３９５３５６６号及びBacinoに対する米国特許第４９０２４２３号において開示されるｅＰＴＦＥ組成の１つとしてフィブリルによって相互接続されたノードを特徴とするミクロ構造を含む。
【0067】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、７５～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～２５,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、８００～１２,５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１６００～６０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３０００～４０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0068】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～２５,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～１２,５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～６０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～４０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～３０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～１６００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２００～８００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４００～８００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0069】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、４００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、８００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１６００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３０００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、６０００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１２,５００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２５,０００～５０,０００レイリー範囲の空気流抵抗を有する。
【0070】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、１ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、５ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１０ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２５ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、５０ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１００ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２５０ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、５００ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、７５０ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する。
【0071】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、８ＭＰａ～１８０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１６ＭＰａ～９０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３２ＭＰａ～４５ＭＰａの範囲のヤング率を有する。
【0072】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～１８０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～９０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～４５ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～３２ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～１６ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４ＭＰａ～８ＭＰａの範囲のヤング率を有する。
【0073】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、８ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１６ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３２ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、４５ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、９０ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１８０ＭＰａ～３６０ＭＰａの範囲のヤング率を有する。
【0074】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～１２０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～１００ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～８０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～６０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～４０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～２０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～１０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～５ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～２ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～１ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～０.５ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。
【0075】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.５～５６ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.５～６０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３～２８ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、６～１６ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。
【0076】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.５～２８ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.５～１４ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.５～７ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.５～３.５ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。
【0077】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、３～５６ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３～２８ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３～１４ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、３～７ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する。
【0078】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、均質な孔径分布を持つことができる。均質な孔径分布は、孔径分布が膜内において厚みの関数として同じままであり、不均質な孔径分布は、孔径分布が膜内において厚みの関数として変化する。いくつかの実施形態において、孔径分布は均質である。他の実施形態において、孔径分布は不均質である。
【0079】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０５～５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.１～２ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.２～１ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～１ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。
【0080】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～２ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～１ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～０.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～０.４ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～０.２ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０１～０.０５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。
【0081】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.０５～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.１～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.２～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.４～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.５～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、高分子膜は、５～７.５ｇ/ｍ２の範囲の単位面積質量を有する。
【0082】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.５～４５０ｐｓｉの水進入圧力（ＷＥＰ）を示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.５ｐｓｉ～２００ｐｓｉのＷＥＰを示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１ｐｓｉ～１５０ｐｓｉのＷＥＰを示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.０ｐｓｉ～１００ｐｓｉのＷＥＰを示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１ｐｓｉ～５０ｐｓｉのＷＥＰを示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、２５ｐｓｉ～１５０.０ｐｓｉのＷＥＰを示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、５０.０ｐｓｉ～１５０.０ｐｓｉのＷＥＰを示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.０ｐｓｉ～１１０.８ｐｓｉのＷＥＰを示す。
【0083】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、１.４～４３２ｐｓｉの水進入圧力（ＷＥＰ）を示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.９５～４３２ｐｓｉの水進入圧力（ＷＥＰ）を示す。いくつかの実施形態において、高分子膜は、０.９５～１１１ｐｓｉの水進入圧力（ＷＥＰ）を示す。
【0084】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分は、高分子膜と接触している部分を含む。「接触」は、直接の物理的接触及び接着剤、積層加工及び静電気による結合を含むが、これに限定されない。接触率は、「試験手順」の節において本明細書において定める手順を用いて計測する。
【0085】
高分子膜と支持構造体との間の接触率％は、「試験手順」の節において説明する方法を使用して測定できる。
【0086】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の０.１％～９９.６％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の１％～５０％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の２％～２５％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の４％～１２％は、高分子膜と接触している。
【0087】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の０.５％～８０％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の１％～４０％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の２％～２０％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の５％～１０％は、高分子膜と接触している。
【0088】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の１２％～９１％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の２４％～７６％は、高分子膜と接触している。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の３６％～４８％は、高分子膜と接触している。
【0089】
「開放面積率％」は、高分子膜に接触しない少なくとも１つの支持構造体の部分である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の開放面積率％は、５％～９８％の範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の開放面積率％は、１０％～４９％の範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の開放面積率％は、２０％～２４％の範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の開放面積率％は、１２％～４０％の範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体の開放面積率％は、２４％～８０％の範囲である。
【0090】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１～１０００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２～５００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４～２５０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８～１２５ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１６～７５ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、３２～５０ミクロンの厚みを有する。
【0091】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１０～１０００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、３０～６００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、６０～３００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８０～２００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、９０～１００ミクロンの厚みを有する。
【0092】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～２００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～３００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～１００ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～９０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～８０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～６０ミクロンの厚みを有する。
【0093】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～４１０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、６０～４１０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８０～４１０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、９０～４１０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１００～４１０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２００～４１０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、３００～４１０ミクロンの厚みを有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２０～７５０ミクロンの厚みを有する。
【0094】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１０～５０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２０～４０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２０～３０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～３０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８０～２５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１６０～２０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、３００～１８００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、６００～１６００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８００～１２００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、９００～１０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0095】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１０～１５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２０～７５０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～４００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８０～２００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、９０～１００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0096】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～１５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４３～１４５８レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８０～７５０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１６０～５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２５０～３２０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0097】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～７５０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～３２０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～２５０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～１６０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、４０～８０レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0098】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、８０～１５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１６０～１５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、２５０～１５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、３２０～１５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、７５０～１５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0099】
本明細書において使用される場合、「有効剛度」は、加えられた力と加えられた力の結果生じた変位との間の比率として定義される。有効剛度は、本明細書において、振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して計測される。
【0100】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、０.０１Ｐａ/ｎｍ～１５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.５Ｐａ/ｎｍ～５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、１Ｐａ/ｎｍ～２Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。
【0101】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.０５Ｐａ/ｎｍ～０.１Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.０５Ｐａ/ｎｍ～０.５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.０５Ｐａ/ｎｍ～１Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.０５Ｐａ/ｎｍ～２Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.０５Ｐａ/ｎｍ～５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.０５Ｐａ/ｎｍ～１５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.０５Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。
【0102】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.１Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、０.５Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、１Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、２Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、５Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、ＶＤＴを使用して計測したとき、１５Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。
【0103】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、０.１ｇ/ｍ２～５００ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１ｇ/ｍ２～５００ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１０ｇ/ｍ２～５００ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１００ｇ/ｍ２～５００ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。
【0104】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、０.１ｇ/ｍ２～１００ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、０.１ｇ/ｍ２～１０ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、０.１ｇ/ｍ２～１ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。
【0105】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１ｇ/ｍ２～１００ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１ｇ/ｍ２～１０ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１０ｇ/ｍ２～１００ｇ/ｍ２の単位面積質量を有する。
【0106】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、１つ又は複数の接着剤によって高分子膜に結合される。いくつかの実施形態において、接着剤は、１つ又は複数の高融点熱可塑剤を含む。１つの実施形態において、高融点熱可塑剤は、エチレン－テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＦＥＰ）、フッ化ビニリデン－テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン（ＴＨＶ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、エチレン－テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）、ＰＶＣ樹脂、ニトリルゴム、又はこれらの組合せを含むことができる。
【0107】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、少なくとも１つの支持構造体に積層加工される。いくつかの実施形態において、積層加工はレーザー積層加工である。いくつかの実施形態において、積層加工は、加熱積層加工である。いくつかの実施形態において、高分子膜は、第１支持構造体の１つの面と第２支持構造体の１つの面との間に挟まれる。
【0108】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、少なくとも１つの支持構造体に機械的に付着される。機械的付着の例として、同時延伸、カレンダ加工又はこれらの任意の組合せが含まれるが、これらに限定されない。
【0109】
いくつかの実施形態において、支持構造体は、膜上に沈着される。沈着法の例として、熱沈着、蒸着又はこれらの任意の組み合わせに含まれるが、これらに限定されない。
【0110】
いくつかの実施形態において、集成体の高分子膜は第１高分子膜であり、少なくとも１つの支持構造体は、少なくとも１つの第２高分子膜である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜と同じである。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜とは異なる。
【0111】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より小さい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径に等しい最大孔径を有する。
【0112】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径を上回る最大孔径を有する。
【0113】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１％～１０００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より５％～１０００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１０％～１０００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より５０％～１０００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１００％～１０００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より５００％～１０００％大きい最大孔径を有する。
【0114】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１％～５００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１％～１００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１％～５０％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１％～１０％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１％～５％大きい最大孔径を有する。
【0115】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より５％～５００％大きい最大孔径を有する。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、第１高分子膜の最大孔径より１０％～１００％大きい最大孔径を有する。
【0116】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの第２高分子膜は、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリエステル、ポリアミド、ポリケトン、ポリスルフォン又はポリカーボネートのうち少なくとも１つを含む。いくつかの実施形態において、高分子膜は、フルオロポリマーを含むことができる。いくつかの実施形態において、フルオロポリマーは、ＰＶＤＦ、ポリフッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン－テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン－パーフルオロプロピルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、フッ化ビニリデン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＰＶＤＦ－ＨＥＰ共重合体）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）又はこれらの任意の組合せ、の１つ又はそれ以上を含む。
【0117】
いくつかの実施形態において、フルオロポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である。いくつかの実施形態において、ＰＴＦＥは、延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）である。いくつかの実施形態において、ｅＰＴＦＥは、Goreに対する米国特許第３９５３５６６号及びBacinoに対する米国特許第４９０２４２３号において開示されるｅＰＴＦＥ組成の１つとしてフィブリルによって相互接続されたノードを特徴とするミクロ構造を含む。
【0118】
いくつかの実施形態において、支持構造体は、粒子の網状組織を含む。
【0119】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の粒子は、ポリマー粒子、非ポリマー粒子又はその任意の組合せとすることができる。
【0120】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の粒子は、エチレンフッ素化エチレンプロピレン（ＥＦＥＰ）粒子、ペルフルオロアルコキシアルカン（ＰＦＡ）粒子、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－フッ化ビニリデン三元重合体（ＴＨＶ）粒子、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）粒子、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）粒子、シリカ粒子、炭素粒子、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）粒子、ポリイミド粒子、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）粒子又はこれらの任意の組合せを含むことができる。
【0121】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の粒子はＦＥＰ粒子である。
【0122】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、１０μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、２５μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５０μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、７５μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、９０μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、９５μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。
【0123】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５μｍ～９５μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５μｍ～９０μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５μｍ～７５μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５μｍ～５０μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５μｍ～２５μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、５μｍ～１０μｍの範囲のサイズを有する。
【0124】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、１０μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、２５μｍ～９０μｍの範囲のサイズを有する。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織の各粒子は、１０μｍ～１００μｍの範囲のサイズを有する。
【0125】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織は、例えば本明細書において説明する沈着方法よる粒子の沈着によってなど（但しこれに限定されない）高分子膜上に（集成体として形成するように）形成できる。
【0126】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織は、粒子の凝集性（coherent）網状組織である。本明細書において使用する場合、「粒子の凝集性網状組織」とは、粒子の網状組織が一元構造を持つように接続された粒子の網状組織である。いくつかの実施形態において、粒子の網状組織は、事前形成された一元構造として（即ち、個別の粒子ではなく凝集性網状組織として）高分子膜に付着できる。
【0127】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織は、粒子の不規則網状組織である。本明細書において使用する場合、粒子の不規則網状組織は、各個別の粒子が必ずしも同じ形状又は同じ粒子タイプを持たない粒子の網状組織である。
【0128】
いくつかの実施形態において、粒子の網状組織は、粒子の凝集性不規則網状組織である。本明細書において使用する場合、「粒子の凝集性不規則網状組織」は、本明細書において説明するように、粒子の凝集性網状組織と不規則網状組織の両方の粒子の網状組織である。
【0129】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持構造体は、少なくとも１つの支持層である。
【0130】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層は、複数の開口を備える。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、１～５００ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、５～５００ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、２～２５０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、４～１２５ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、８～７５ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、１６～５０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、２５～３２ミクロンの範囲である。
【0131】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、１０～３５０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、２０～１８０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、４０～９０ミクロンの範囲である。
【0132】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、２０～４０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、２０～８０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、２０～９０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、２０～１８０ミクロンの範囲である。
【0133】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、４０～３５０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、８０～３５０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、９０～３５０ミクロンの範囲である。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の複数の開口の単一開口の最大寸法は、１８０～３５０ミクロンの範囲である。
【0134】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層は、少なくとも１つの金属を含む。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層は、少なくとも１つの重合体を含む。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層は、繊維ガラスを含む。いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層は、少なくとも１つ又は複数の金属、１つ又は複数の重合体又は繊維ガラスを含む。いくつかの実施形態において、単一の支持層がある。いくつかの実施形態において、少なくとも２つの支持層がある。いくつかの実施形態において、各支持層は同じ材料である。いくつかの実施形態において、各支持層は、異なる材料である。いくつかの実施形態において、第１支持層のタイプは、第１金属であり、第２支持層のタイプは第２金属である。いくつかの実施形態において、第１支持層のタイプは金属であり、第２支持層のタイプは重合体又は繊維ガラスである。いくつかの実施形態において、第１支持層のタイプは第１重合体であり、第２支持層のタイプは第２重合体である。いくつかの実施形態において、第１支持層及び第２支持層は、両方とも繊維ガラスである。
【0135】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの金属は、亜鉛、ニッケル、クロム、バナジウム、モリブデン、マンガン、銅、鉄、アルミニウム、チタン、これらの組合せ及び合金の１つ又はそれ以上を含む。いくつかの実施形態において、金属は、炭素鋼、ステンレス鋼、青銅、黄銅、その組合せ又はその複合合金などの合金を含む。
【0136】
いくつかの実施形態において、少なくとも１つの支持層の少なくとも１つの重合体は、織物又は不織材料の形式である。いくつかの実施形態において、支持層の少なくとも１つの重合体は、押出プラスチック、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、アセタールホモポリマー、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、１つ又は複数の熱硬化性エポキシ、又は１つ又は複数の熱硬化性エラストマーの、１つ又はそれ以上を含む。いくつかの実施形態において、支持層は、異なる融点を持つ複数の成分を含むことが考えられる。
【0137】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０００２Ｐａ/ｎｍ～３０００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０００２Ｐａ/ｎｍ～１０００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０００２Ｐａ/ｎｍ～１００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１９８Ｐａ/ｎｍ～２９.８Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.００１Ｐａ/ｎｍ～５００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０１Ｐａ/ｎｍ～２５０Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０５Ｐａ/ｎｍ～１００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１Ｐａ/ｎｍ～５０Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき１Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき５Ｐａ/ｎｍ～１０Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０００２Ｐａ/ｎｍ～１００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０００６Ｐａ/ｎｍ～２９.８Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。
【0138】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０００５Ｐａ/ｎｍ～３０Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.００５Ｐａ/ｎｍ～２５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.０５Ｐａ/ｎｍ～２０Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１Ｐａ/ｎｍ～１５Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき１Ｐａ/ｎｍ～１０Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。
【0139】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～３２Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.３Ｐａ/ｎｍ～１６Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.６Ｐａ/ｎｍ～８Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき１Ｐａ/ｎｍ～４Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき２Ｐａ/ｎｍ～３Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。
【0140】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～１６Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～８Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～４Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～３Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～２Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～１Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～０.６Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＶＤＴを使用して計測したとき０.１５Ｐａ/ｎｍ～０.３Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する。
【0141】
いくつかの実施形態において、集成体は、１００～８００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、２００～４００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、４００～２００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、８００～１００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１６００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、３２００～２５,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、６４００～１０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、８０００～９０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0142】
いくつかの実施形態において、集成体は、１００～５０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、２００～２０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、４００～１０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、８００～５０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１６００～２５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0143】
いくつかの実施形態において、集成体は、１００～２０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００～１０,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００～５０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００～２５００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００～１６００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００～８００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００～４００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００～２００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0144】
いくつかの実施形態において、集成体は、１０,０００～８００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、２０,０００～４００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、４０,０００～２００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、８０,０００～１００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0145】
いくつかの実施形態において、集成体は、５０,０００～８００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、１００,０００～８００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、２００,０００～８００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。いくつかの実施形態において、集成体は、４００,０００～８００,０００レイリーの範囲の空気流抵抗を有する。
【0146】
いくつかの実施形態において、主抵抗性音響動向は、集成体の少なくとも１つの支持層の有効剛度（本明細書において説明する通り）の結果である。集成体の音響インピーダンスの位相角は、本明細書において、「試験手順」の節において説明するインピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測される。
【0147】
本明細書において使用する場合、「主抵抗性（predominantly resistive）」は、集成体が、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成されることを意味する。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋３０度～－３０度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋１５度～－１５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋５度～－５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋１度～－１度の位相角を与えるように構成される。
【0148】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき２００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき３００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき４００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0149】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１０００～１０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき２０００～８０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき４０００～５０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0150】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～１０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～８０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～４０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～４０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～２０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～１０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0151】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき２０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき４０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき８０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１０,０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0152】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１０００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき２０００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１０,０００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１５,０００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0153】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００Ｈｚ～１５,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００Ｈｚ～１０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００Ｈｚ～５０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００Ｈｚ～２０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００Ｈｚ～１０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0154】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～１５,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～１０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～５０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～２０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～１０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～５００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０Ｈｚ～１００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0155】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１０００Ｈｚ～１５,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき２０００Ｈｚ～１０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0156】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１００Ｈｚ～１５,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき２００Ｈｚ～１０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００Ｈｚ～５,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を与えるように構成される。
【0157】
いくつかの実施形態において、集成体は、キャピラリーピストン試験（ＣＰＴ）に従って計測したとき特定の水進入圧力（ＷＥＰ）を与えるように構成される。ＣＰＴについては、本明細書において「試験手順」の節において説明する。いくつかの実施形態において、本明細書において説明するＷＥＰは、集成体の少なくとも１つの支持層又は集成体の有効剛度（本明細書において説明する通り）の結果である。
【0158】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１ｐｓｉ～４５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき２ｐｓｉ～２００ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき５ｐｓｉ～１００ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき２０ｐｓｉ～２５ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。
【0159】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき２０ｐｓｉ～２００ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき４０ｐｓｉ～１００ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき５０ｐｓｉ～８０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき６０ｐｓｉ～７０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。
【0160】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～２００ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～１００ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～８０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～７０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～６０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～４０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１０ｐｓｉ～２０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。
【0161】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき２０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき４０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき５０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき６０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき７０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき８０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１００ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき１.４ｐｓｉ～４３２ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき２.５ｐｓｉ～３３６ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき０.９５ｐｓｉ～１４２ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。
【0162】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＣＰＴに従って計測したとき２００ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力を与えるように構成される。
【0163】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～５０ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき１００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～５０ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき２００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～５０ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～５０ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。
【0164】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において６ｄＢ～２４ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１１ｄＢ～１３ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。
【0165】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～６ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～１１ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～１３ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において３ｄＢ～２４ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。
【0166】
いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において６ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１１ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１３ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１３ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。いくつかの実施形態において、集成体は、ＩＴＴＭＴによって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において２４ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを与えるように構成される。
【0167】
いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定である。本明細書において使用される場合、「周波数の関数として実質的に一定」とは、伝送ロスが５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変化しないことを意味する。周波数の関数としての伝送ロスの分散は、周波数の関数として伝送ロスをプロットすることによって測定できる。伝送ロス対周波数のプロットのｘ軸上の周波数は、対数目盛を使用してオクターブに換算できる。本開示に従ったスケーリング手順の例については、本明細書の「試験手順」の節において説明する。
【0168】
いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが１００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが３００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが４００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが１０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが２０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが１０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが１５,０００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。
【0169】
いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０～１５,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０～１０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０～５０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０～１０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０～５００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。いくつかの実施形態において、集成体の伝送ロスは、周波数の関数として実質的に一定であり、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき伝送ロスが５０～１００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。
【0170】
いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.２５ｄＢ/オクターブを超えて変化しない。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１ｄＢ/オクターブを超えて変化しない。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.７５ｄＢ/オクターブを超えて変化しない。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.５ｄＢ/オクターブを超えて変化しない。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.２５ｄＢ/オクターブを超えて変化しない。
【0171】
いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.２５ｄＢ/オクターブ～１.５ｄＢ/オクターブ変動する。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.２５ｄＢ/オクターブ～１.２５ｄＢ/オクターブ変動する。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.２５ｄＢ/オクターブ～１ｄＢ/オクターブ変動する。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.２５ｄＢ/オクターブ～０.７５ｄＢ/オクターブ変動する。いくつかの実施形態において、伝送ロスは、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において０.２５ｄＢ/オクターブ～０.５ｄＢ/オクターブ変動する。
【0172】
図１は、本開示の例示的実施例を示す。図示するように、集成体１００は、支持層１０２の形式の支持構造体と接触する多孔質高分子膜１０４を含む。支持層１０２は、複数の開口１０６を含み、多孔質高分子膜１０４は複数の気孔（図示せず）を含む。
【0173】
図２は、同様に、本開示の例示的な実施形態を示す。図示するように、集成体２００は、支持層２０２の形式の支持構造体と直接接触する多孔質高分子膜２０４を含む。支持層２０２は複数の開口２０６を含み、多孔質高分子膜２０４は複数の気孔（図示せず）を含む。図示するように多孔質高分子膜２０４は、支持層２０２の間に挟まれる。集成体２００は、高分子膜２０４が支持層２０２と接触する部分（例えば、部分２０８）を含むことができる。いくつかの実施形態において、複数の開口２０６は均等である。いくつかの実施形態において、支持層２０２の厚み（図示せず）は均等である。いくつかの実施形態において、複数の開口２０６は不均等である。いくつかの実施形態において、支持層２０２の厚み（図示せず）は不均等である。
【0174】
試験手順
下記の試験手順を使用して、実施例１～８についての実施例の節のデータを生成した。本明細書において説明する試験手順は限定的であることを意図しない。この説において説明する集成体、膜、支持層及び支持構造体の番号は、下記の実施例の節の集成体、膜、支持層及び支持構造体の番号を参照する。
下記の試験手順を使用して、実施例１～８についての実施例の節のデータを生成した。本明細書において説明する試験手順は限定的であることを意図しない。この説において説明する集成体、膜、支持層及び支持構造体の番号は、下記の実施例の節の集成体、膜、支持層及び支持構造体の番号を参照する。
【0175】
厚み－高分子膜番号１～１０及び支持層番号１～１４の厚みは、市販のKeyence LS－7010M計測システムを使用して計測した。いくつかの膜（膜番号５、６、９）は、厚みが１μｍ未満であり、Keyence LS－7010Mを使用して直接計測できなかった。その代わりに、膜は、計測システムの検出下限である１μｍを超える厚みを得るために層状にした。層状膜の全体厚みをKeyence LS－7010Mを使用して計測し、層状サンプルの全体厚みを層の数で割って、単一層の厚みを測定した。
【0176】
膜番号１１及び支持構造体番号１～３の厚みは、市販のPolytec TMS－1200 TopMap μ.Lab顕微鏡を使用して計測した。
【0177】
膜番号１２の厚みは、Keyence America が市販するKeyence LS－7600レーザーシステムを使用して測定した。
【0178】
流動抵抗－空気流は、ATEQ D520空気流テスタを使用して測定した。サンプルの重ね構成（stack－up）については、実施例ごとに説明する。全ての構成において、作用面積は１.７７ｅ－６ｍ
２
であると想定した。各集成体に対する試験圧力及びその結果の空気流については、「実施例」の節で説明する。空気流は、Ｌ/時の単位で計測した。計測した空気流は、下記の方程式に従って流動抵抗（Ｐａ＊ｓ/ｍ）に変換した：
ここで、ｘ（ｐｓｉ）は、ATEQ計測において使用された空気圧を表し、ｙ（Ｌ/ｈｒ）はATEQテスタで直接計測した体積流量である。
【数1】
【0179】
ヤング率－本明細書において、高分子膜のヤング率は、ＩＳＯ５２７－１：２０１２に従って計測した。
【0180】
バブルポイント－本明細書において、高分子膜のバブルポイントは、ＡＳＴＭ Ｆ３１６．９５９９－Ｉ方法を使用して計測した。
【0181】
単位面積質量－本明細書において、単位面積質量は、ＡＳＴＭ Ｄ３７７６／Ｄ３７７６Ｍ－０９ａに従って計測した。
【0182】
水進入圧力試験（キャピラリーピストン試験（ＣＲＴ））－水進入圧力（ＷＥＰ）は、Porous materials Inc. より購入した毛管流ポロメーター型番CFP－1500－AEを使用して実施例１～５について計測した。試験対象のサンプルは、テスタの下部ピストンの中で２枚のポリカーボネート板で締め付けた。上板は、８ｍｍの中央穴を持ち、防水のために穴の周りにＯリングを持つ。下板は、１.５ｍｍの中央穴を持つ。特定のサンプル集成体（例えば、１２、１３、１５、１６、１７、３１、３２、３３及び３４）について、サンプルは、各実施例において説明するように準備して、上下のポリカーボネート板によって締め付けた。他のサンプル集成体については、材料又は異なる材料の層をポリカーボネート上板のＯリング全体をカバーするのに充分に大きいピースにカットして、上下のポリカーボネート板で締め付けた。試験前に、上板の８ｍｍ穴を満たすためにイオン除去水を加えた。圧縮圧力は、試験プログラムにおいて３００ｐｓｉに設定された。圧力の傾斜率は０.１６ｐｓｉ/秒とした。テスタは、水がサンプルに進入するとき自動的かつ瞬時に圧力（ＷＥＰ）を検出する。
【0183】
有効剛度計測－有効剛度ｋｅｆｆ（Ｐａ/ｎｍ）は、振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して実施例１～８について計測した。ＶＤＴは、下記のことを含む。即ち、サンプルを、４つの異なる音圧で音響的に励起して、サンプルの中心における振動変位を計測した。励起音圧は、２つのマイクロフォンの間の音圧の差として得た。その結果得られたデータ（即ち、音響膜集成体の前後の音圧の差対変位）をプロット化して、線形回帰を実施した。有効剛度は、計測されたデータ点を通り抜ける線の傾斜として捉えて、支持体を持つ又は支持体を持たないサンプル集成体が加えられた平面音波に反応する振動変形にどの程度耐えるかを表す。振動変位は、Polytec Inc. より購入したMSA－500ミクロシステムアナライザを使用して計測した。音響励起は，２００Ｈｚを中心とする正弦波であり、JBLモデル2426H圧縮ドライバによって発生した。圧縮ドライバからの出力は、サンプルの直径に合わせるために、アルミニウムコーンを使用して２５.４ｍｍから１.５ｍｍへネックダウンした。波の音圧は、２つのプローブマイクロフォン（PCB Piezotronics Inc. 社より購入したモデル482C Series Sensor Signal Conditionerに接続されたモデル377B26マイクロフォン）を使用して、試験対象のサンプルの面のすぐ下及びすぐ上で計測した。Polytec PSV 9.3ソフトウェアを使用して、振動変位データを取得した。
【0184】
伝送ロス及び位相試験－伝送ロス及び位相角試験は、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって実施例１～８について実施した。この試験は、４マイクロフォン伝達行列方法に基づき垂直入射音伝送ロス及び位相を計測するための標準的試験方法であるＡＳＴＭ－Ｅ２６１１－０９の修正版である。ＡＳＴＭ－Ｅ２６１１－０９に対する全ての修正を本明細書において記す。例示的試験構成は、図３に示す。集成体の伝達行列を測定し、実施例において説明する全ての集成体について音響インピーダンス値として伝達行列のＴ１２要素を使用した。
【0185】
インピーダンス管を使用して、５００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲について計測を行った。管の内径は８ｍｍである。インピーダンス管は、ＡＳＴＭ－Ｅ１０５０－１２及びＡＳＴＭ－Ｅ２６１１－０９に従って設計した。JBL 2426H圧縮ドライバを管の一端に取り付けて、３１バンドART 351グラフィックイコライザに接続されたBruel and Kjaer Type 2735増幅器によって電力供給した。計測システムは、発電器出力を持つ４チャンネルのBruel and Kjaer Type 3160－A－042 LAN－XI Frontedに接続された４つのBruel and Kjaer Type 4138マイクロフォンを使用した。データを取得して、Bruel and Kjaer PULSE LabshopをType 7756 Acoustic Material Testing softwareバージョン２１と共に使用して処理した。
【0186】
テストしたサンプル集成体は、インピーダンス管の内径より小さい１.５ｍｍの内径を持つ。したがって、サンプル集成体を据え付けるためには１対の円錐形アダプタが必要であった。集束コーンは、８ｍｍの入口直径を持ち、１.５ｍｍの出口直径を持つ。発散コーンは、１.５ｍｍの入口直径及び８ｍｍの出口直径を持つ。
【0187】
円錐形アダプタを使用する際、コーンの集束形状を考慮に入れるためにデータの付加的処理が必要であった。理論的方程式が、円錐形アダプタの伝達行列を計算するために導出されて、文献（Hua, X and Herrin, D., ”Practical Considerations when using the Two－Load Method to Determine the Transmission Loss of Mufflers and Silencers,” SAE Int. J. Passeng. Cars － Mech. Syst. 6(2): 1094－1101, 2013 & Mechel, F. P. (2008). Formulas of Acoustics. New York, NY: Springer）において見ることができる。
【0188】
圧力試験前後の伝送ロス試験－いくつかのサンプル集成体（例えば、実施例２において説明するものなど）に対して、下記の空気圧試験手順を実施した。この試験の目的は、所与の時間所与の深さの水に沈めたとき機器の膜集成体に対して加えられた圧力を複製することであった。伝送ロススペクトルは、圧力試験前に計測し、その後圧力試験後直ちに再計測した。圧力試験による伝送ロスの変化ΔＴＬ（ｄＢ）を、試験後伝送ロスから初期試験前伝送ロスを引くことによって計算した。
【0189】
空気圧試験－空気圧試験は、サンプル集成体を台板に置くことによって、いくつかのサンプル集成体（例えば、実施例２において説明するもの）について実施した。その後上板を加えて、サンプル集成体を所定の位置にしっかりと保持するためにボルトで締めた。試験条件（傾斜率、圧力、保持時間）は、全て、社内で建築した較正されたプログラム可能な圧力箱を使用して制御した。圧力箱は、１ｐｓｉ～１４５ｐｓｉの範囲の圧力を０.５ｐｓｉ増分で発生可能であった。空気の与圧ラインは、圧力試験が膜の下面において行われるように台板に接続された。特に記さない限り、各サンプル集成体は、膜が試験取付具の台板とサンプル集成体の支持層との間に位置付けられるような向きに置かれた。圧力試験は、圧力を０ｐｓｉから２.５ｐｓｉ/秒の傾斜率で目標圧力まで増大することによって実施した。目標圧力に達した後、圧力はそのまま１０分間一定に保持された。試験が完了したら、サンプル集成体を取付具から取り外して、伝送ロスを再び計測した。
【0190】
圧縮を加えた伝送ロス－何件かの伝送ロス（ＴＬ）計測を、サンプル集成体（例えば、実施例３において説明するもの）に加えられた圧縮力の関数として実施した。
【0191】
圧縮試験は、０～１１１ニュートン計測範囲において較正されたFlexiForce A201 力覚センサと共にEconomical Load and Force（ELF）Measurement System（Tekscanより購入）を使用して実施した。取付具は、伝送ロス及び位相試験中制御された圧縮力をサンプルに加えるように設計した。この取付具の概略図を図４に示す。力覚センサは、4983両面感圧接着剤（Tesa Tape Inc. より購入） を使用して前板に付着した。
【0192】
試験対象のサンプル集成体をインピーダンス管上の圧縮取付具の左板と右板との間に据え付けたら、前板を４－４０平頭スクリューのセットによって取り付けた。圧縮力は、これらの平頭スクリューを締めたり緩めたりすることによって増減した。目標圧縮力に達したら、伝送ロス計測を行った。計測後、スクリューを緩めて、圧縮力を０ニュートンへ戻し、このプロセスを、徐々により高い圧縮レベルにして反復した。
【0193】
接触率％の計算手順－支持層１～６、１３、１４及び支持構造体１～３（いくつかの例示的支持構造体は不規則なので）について、接触率は、全作用面積より小さい代表的面積から下記の通りに測定できる。支持体の一部分のトポグラフィスキャンを、膜接触側から光学プロフィルメーター（Polytec TopMap μLab）を使用して計測した。最上部から２０μｍの深さ範囲で走査されたトポグラフィを、支持体と平行の平面に投射した。投射面積は、膜と支持体との間の物理的接触面積より大きいか又はこれに等しくなる。投射面積とトポグラフィスキャンの視野の面積（接触率の上限と見なすことができる）との間の比率を、画像をImageJへロードし、これを８ビットに変換し、その後ソフトウェアの中のAnalyze Particles機能を使用することによって、測定した。
【0194】
支持層７～１２の場合、作用面積内において、膜と支持体との間の物理的接触面積は、全作用面積マイナス穿孔面積以下になる。接触率の上限は、次のように計算できる：
ここで、ｎは穿孔の数、ｄは各穿孔の直径、Ｄは作用面積の直径であり、全てのサンプル集成体について１.５ｍｍである。各穿孔の直径は、光学顕微鏡（Keyence Corporationより購入したモデルVHX－5000）を使用して計測した。
【数2】
【0195】
図５は、支持層１の最上部２０μｍを示す顕微鏡写真である。画像の濃い領域はメッシュ織物の繊維に相当し、膜と接触する支持層の面積を表す。画像の白い領域は開放面積に相当する。
【0196】
図６は、支持層５の最上部２０μｍを示す光学顕微鏡写真である。濃い部分は不織繊維に相当する。画像の濃い部分は、不織支持層の繊維に相当し、膜と接触する支持層の面積を表す。画像の白い領域は開放面積に相当する。
【0197】
図３５は、第２膜の形式の支持構造体２の最上部２０μｍを示す顕微鏡写真である。画像の濃い領域は、第２膜の形式の支持構造体のノードとフィブリルに相当し、第１膜と接触する第２膜の形式の支持構造体の面積を表す。画像の白い領域は、開放面積に相当する。
【0198】
開放面積率％の計算手順
【0199】
開放面積率％は、下記の通りに計算できる：
【数3】
【実施例】
【0200】
サンプル集成体の準備－下の表は、実施例に使用する例示的膜の特性の概説である。これらの特性は、単に例示的なものであり、限定的であることを意図しない。
【0201】
【表1】
【0202】
上記の高分子膜番号１～９は、下記の方法に従って準備した。
【0203】
【表2】
【0204】
下の表は、実施例において使用する例示的支持層の特性を概説する。これらの特性は例示的なものにすぎず、限定的であることを意図しない。
【0205】
【表3】
【0206】
本明細書において説明しテストした特定の非限定的サンプル集成体及び比較用サンプル集成体を下記の通りに準備した。
【0207】
全てのサンプル集成体例（サンプル集成体１２及び１３を除いて）及び比較用サンプル集成体は、以後ガラス繊維サンプルキャリアと単純に呼ぶ少なくとも１つの裏面接着繊維ガラスサンプルキャリアを含む。繊維ガラスサンプルキャリアは、両面感圧接着剤を繊維ガラスシート（McMaster－Carrから購入、製品番号1331T37）の片面に貼ることによって準備した。繊維ガラス／接着シートを、その後、クーポン状にレーザーカットした。その後、インピーダンス管の内径と整列し、計測対象のサンプルの作用面積に合致する直径１.５ｍｍの穴を中央部に作った。
【0208】
比較用サンプル集成体
特定の非限定的比較用サンプル集成体は、下記の通りに準備した。１片の膜を、膜が平坦でかつシワがないように滑らかな水平面上に置いた。事前にカットした繊維ガラスサンプルキャリアから接着剥離ライナーを取り除いて、接着剤を露出した。接着層を露出したまま、サンプルキャリアを慎重に膜の上に置き、余分な膜をサンプルキャリアの周囲から切り離した。その後、サンプルキャリアを、膜側を上に向けてアラインメントジグの上に置いた。剥離ライナーを第２繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着側を膜へ向かって下に向けてアラインメントジグ上に置いた。低圧（計測せず）を（手で）加えて、上下のサンプルキャリアを一緒にして下記の重ね構成を持つ集成体を形成した：繊維ガラスサンプルキャリア／膜／繊維ガラスサンプルキャリア。比較用サンプル集成体の重ね構成を表４に示す。
特定の非限定的比較用サンプル集成体は、下記の通りに準備した。１片の膜を、膜が平坦でかつシワがないように滑らかな水平面上に置いた。事前にカットした繊維ガラスサンプルキャリアから接着剥離ライナーを取り除いて、接着剤を露出した。接着層を露出したまま、サンプルキャリアを慎重に膜の上に置き、余分な膜をサンプルキャリアの周囲から切り離した。その後、サンプルキャリアを、膜側を上に向けてアラインメントジグの上に置いた。剥離ライナーを第２繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着側を膜へ向かって下に向けてアラインメントジグ上に置いた。低圧（計測せず）を（手で）加えて、上下のサンプルキャリアを一緒にして下記の重ね構成を持つ集成体を形成した：繊維ガラスサンプルキャリア／膜／繊維ガラスサンプルキャリア。比較用サンプル集成体の重ね構成を表４に示す。
【0209】
サンプル集成体
有孔裏面接着繊維ガラス支持層を持つ特定の非限定的サンプル集成体（例えば、集成体１５～１７、３３、３４）を下記の手順に従って準備した。有孔裏面接着繊維ガラス支持層は、裏面接着繊維ガラスサンプルキャリア（上で説明）と同様に製作したが、単一の大きい１.５ｍｍの穴の代わりに、複数の小さい直径の穿孔（開口）が作られた点が異なる。穿孔の数及びその直径を表３に示す。サンプル集成体は、その後、繊維ガラスサンプルキャリアの１つを事前カットされた有孔裏面接着繊維ガラス支持体（以後、有孔繊維ガラス支持層と呼ぶ）と取り換えたことを除いて、本明細書において説明する通りに準備した。これらの集成体の重ね構成を表３に示す。
有孔裏面接着繊維ガラス支持層を持つ特定の非限定的サンプル集成体（例えば、集成体１５～１７、３３、３４）を下記の手順に従って準備した。有孔裏面接着繊維ガラス支持層は、裏面接着繊維ガラスサンプルキャリア（上で説明）と同様に製作したが、単一の大きい１.５ｍｍの穴の代わりに、複数の小さい直径の穿孔（開口）が作られた点が異なる。穿孔の数及びその直径を表３に示す。サンプル集成体は、その後、繊維ガラスサンプルキャリアの１つを事前カットされた有孔裏面接着繊維ガラス支持体（以後、有孔繊維ガラス支持層と呼ぶ）と取り換えたことを除いて、本明細書において説明する通りに準備した。これらの集成体の重ね構成を表３に示す。
【0210】
織物及び／又は不織支持層を持つ特定の非限定的サンプル集成体（例えば、集成体１～１１、１４、１８～３０）は、下記の通りに準備した。織物及び不織支持材料を、ロールから小さい正方形の片（６ｍｍｘ６ｍｍ）にカットして傍らに置いた。接着剥離ライナーを、事前カットした繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、支持体が繊維ガラスサンプルキャリアの中央の直径１.５ｍｍの穴をカバーするように、事前カットした正方形の支持材料に接着した。接着剤のほとんどは露出したまま、高分子膜をサンプルキャリアに付着した。支持層及び膜が付着された繊維ガラスサンプルキャリアを、膜側を上にしてアラインメントジグ上に置いた。接着剥離ライナーを第２繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着剤側を下にしてアラインメントジグ上に置いた。軽い圧力を加えて、上下のサンプルキャリアを一緒にして、下記の重ね構成を持つ集成体を形成した：繊維ガラスキャリア／接着剤／支持体／膜／接着剤／繊維ガラスキャリア。いくつかのサンプル集成体（例えば、集成体１～８、１０、１１、１４、１８、２０、２２、２３、２５～２８）において、支持層と一緒に第２繊維ガラスサンプルキャリアを使用して、下記の重ね構成を持つ集成体を形成した：繊維ガラスキャリア／接着剤／支持体／膜／支持体／接着剤／繊維ガラスキャリア。サンプル集成体２９は、「試験手順」の節で説明したのと同じ手順を使用して、高分子膜と支持層との間の付着を改善するために、１７ｐｓｉで１０分間与圧した。少なくとも１つの織物又は不織支持体を持つ集成体についての付加的な重ね構成情報については表３を参照。
【0211】
有孔ＰＥＴ支持層を持つ特定の非限定的集成体（例えば、集成体３１、３２）は、下記の通りに準備した。両面感圧接着剤を１２７～１３０μｍの厚みのＰＥＴシートの片側に貼った。ＰＥＴ／接着剤シートを、クーポン状にレーザーカットした。クーポンの中央の直径１.５ｍｍの円形エリアに穿孔（開口）を形成した。穿孔の数及びその直径を表３に示す。接着層を露出したまま、穿孔付きのクーポンを、高分子膜に付着して、支持層として作用できる。繊維ガラスサンプルキャリアを、膜の反対面に付着して、下記の重ね構成を持つ集成体を形成した：繊維ガラスサンプルキャリア／接着剤／膜／接着剤／ＰＥＴ支持体。
【0212】
黄銅支持層を持つ特定の集成体（例えば、集成体１２、１３）は、下記の通りに準備した。黄銅クーポンをシート材料から準備した。穿孔（開口）は、クーポンの中央の直径１.５ｍｍの円形エリアに形成した。穿孔の数及びその直径は、表３に示す。膜は、２枚の黄銅支持板の間に締め付けて、下記の重ね構成の接着剤無しの集成体を形成した：黄銅支持体／膜／黄銅支持体。この手順において、両方のクーポンの穿孔は正確に整列する。
【0213】
例示的積層加工手順
【0214】
いくつかの実施形態において、高分子膜は、少なくとも１つの支持層に積層加工される。積層加工は、任意の方法を使用して実施できるが、いくつかの実施形態において、高分子膜は、ミニホットロールラミネータ（Chem Instruments Inc.より購入したモデルHL－200）を使用して少なくとも１つの支持層に積層加工される。取り扱い易くするために、支持層及び膜は、３インチｘ６インチ（７６.２ｍｍｘ１５２.４ｍｍ）のストリップにカットして、膜及び支持層より僅かに大きめのストリップにカットされた２片の厚み２５.４μｍのカプトン（Dupontより購入）の間に置くことができる。その後、サンプル集成体を、２つのローラー（ホットロールとニップロール）の間に挿入して積層加工できる。重ね構成は、下記の通りである：カプトン／延伸ＰＴＦＥ／支持層／カプトン。メッシュ織物（例えば、Sefar Inc. Holding AGの製品番号34－33及び6－105）が支持層として使用される場合、積層加工は、温度２６５℃、ホットロールとニップロールとの間の圧力４０ｐｓｉ、ライン速度４５ｃｍ/分で実施できる。二成分メッシュ（例えば、Unitika Ltd.の製品番号28T1）が支持層として使用される場合、積層加工は、温度１８５℃、ホットロールとニップロールとの間の圧力４０ｐｓｉ、及びライン速度４５ｃｍ/分で実施した。不織材料（HDK Industriesの製品番号133）が支持層として使用される場合、積層加工は、温度１８０℃、ホットロールとニップロールとの間の圧力２５ｐｓｉ及びライン速度４００ｃｍ/分で実施した。
【0215】
向きは、高分子膜がホットロールに最も近づきかつ支持体がニップロールに最も近づくようなものとすることができる。いくつかの実施形態において、メッシュ支持層（製品番号28T1、Unitika）は、膜の上面及び下面に積層加工できる。これらのサンプル集成体の重ね構成は、下記の通りとすることができる：カプトン／メッシュ支持層／延伸ＰＴＦＥ／メッシュ支持層／カプトン。まず、サンプル集成体をローラーの間に挿入して、膜の上面にメッシュ支持層を積層加工した。その後サンプル集成体を裏返して、再度挿入して、膜の裏面にメッシュ支持層を積層加工できる。積層加工後、上及び下のカプトン層を取り除くことができる。
【0216】
表４：サンプル集成体の例示的構成
【0217】
【表4-1】
【表4-2】
【0218】
【表5】
【0219】
サンプル集成体及び比較用サンプル集成体の特性
下の表は、特定のサンプル及び比較用サンプル集成体の例示的特性を列記する。全ての特性は、本明細書において説明する通りに計測する。
下の表は、特定のサンプル及び比較用サンプル集成体の例示的特性を列記する。全ての特性は、本明細書において説明する通りに計測する。
【0220】
【表6】
【0221】
【表7】
【0222】
実施例１－一定音響伝送及び抵抗動向を示す非限定的実施形態
比較用サンプル集成体を含めて全てのサンプル集成体について、伝送ロス及び位相角試験を「試験手順」の節において説明する通りに実施した。
比較用サンプル集成体を含めて全てのサンプル集成体について、伝送ロス及び位相角試験を「試験手順」の節において説明する通りに実施した。
【0223】
サンプル集成体及び比較用サンプル集成体の伝送ロスデータを、６つの離散した周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、２０,０００Ｈｚ）について表８に示す。伝送ロス対周波数スペクトルは、図７～１８に示す。
【0224】
【表8】
【0225】
サンプル集成体の位相角データは、６つの離散した周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、２０,０００Ｈｚ）について表１０に示す。試験対象のサンプル集成体の生の位相角対周波数スペクトルは、図７～１８に示す。
【0226】
【表9】
【0227】
表に示すように、サンプル集成体は、試験周波数のとき＋４５度～－４５度の位相角を示すのに対して、比較用サンプル集成体は、いくつかの試験周波数のとき＋４５度～－４５度の範囲外の位相角を示す。
【0228】
各サンプル集成体及び各比較用サンプル集成体の伝送ロスの傾斜（ｄＢ/オクターブ）は、離散した周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、２０,０００Ｈｚ）について線形回帰によって計測した。
【0229】
周波数は、下記の手順を使用してオクターブに換算した。
【0230】
５００Ｈｚと５００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り。
【数4】
【0231】
５００Ｈｚと１０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り。
【数5】
【0232】
５００Ｈｚと２０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り。
【数6】
【0233】
５００Ｈｚと５０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り。
【数7】
【0234】
５００Ｈｚと１０,０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り。
【数8】
【0235】
５００Ｈｚと２０,０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り。
【数9】
【0236】
伝送ロススペクトルの傾斜は、これで、上記の算定オクターブについて伝送ロスデータを線形回帰することによって測定できる。
【0237】
比較用サンプル集成体については、伝送ロス値は、低周波数範囲の周波数において減少し、高周波数範囲の周波数において増大する。線形回帰は、比較用サンプル集成体については低周波数範囲において実施する。表１０～１１に示すように、所与の膜において、サンプル集成体の伝送ロスの傾斜は、比較用サンプル集成体の伝送ロスの傾斜よりゼロに近く、サンプル集成体がより優勢な一定音響伝送プロフィルを与えることを示している。具体的には、下の非限定的実施例によって示すように、本開示のいくつかの実施形態において、伝送ロスの傾斜の絶対値は、５００Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの範囲において１.５ｄＢ/オクターブ以下（即ち、伝送ロスは－１.５ｄＢ/オクターブ～１.５ｄＢ/オクターブの範囲である）である。言い換えると、表１０の非限定的例において、伝送ロスは、５００～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢを超えて変動しない。
【0238】
【表10】
【0239】
実施例２－改良された圧力抵抗を示す非限定的実施形態
比較用サンプル集成体を含めて全てのサンプル集成体について、伝送ロス及び位相角試験を、「試験手順」の節において説明する通りに実施した。サンプル集成体は、１０分間の保持時間で下の表１１に説明する圧力試験を受けた。
比較用サンプル集成体を含めて全てのサンプル集成体について、伝送ロス及び位相角試験を、「試験手順」の節において説明する通りに実施した。サンプル集成体は、１０分間の保持時間で下の表１１に説明する圧力試験を受けた。
【0240】
【表11】
【0241】
試験前対試験後の伝送ロス及び位相データを、「試験手順」の節で説明する通りに計測した。サンプル集成体及び比較用サンプル集成体について、圧力試験前及び試験後の伝送ロス並びに伝送ロスの相対的変化を、６つの離散した周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、２０,０００Ｈｚ）について表１２～１４に示す。生伝送ロス及び位相角対周波数スペクトルを、図１９～２９に示す。図示するように、所与の膜において、圧力試験前及び試験後の伝送ロスの変化は、比較用サンプル集成体より小さく、サンプル集成体が、圧力に対してよりしっかりした音響性能及び改良された破裂強度を持つことを示した。
【0242】
【表12】
【0243】
【表13】
【0244】
【表14】
【0245】
実施例３―改良された圧縮抵抗を示す非限定的実施例
圧縮力を加えた集成体の伝送ロス及び位相角試験は、「試験手順」の節で説明する通りに実施した。３つの異なる力（５Ｎ、１０Ｎ、２０Ｎ）をサンプル集成体１４及び比較用集成体１１ｃに加えて、伝送ロス及び位相角を圧縮力を加えた集成体で計測した。圧縮力を受けない場合の伝送ロスも計測した。
圧縮力を加えた集成体の伝送ロス及び位相角試験は、「試験手順」の節で説明する通りに実施した。３つの異なる力（５Ｎ、１０Ｎ、２０Ｎ）をサンプル集成体１４及び比較用集成体１１ｃに加えて、伝送ロス及び位相角を圧縮力を加えた集成体で計測した。圧縮力を受けない場合の伝送ロスも計測した。
【0246】
圧縮力の関数としての生伝送ロス及び位相角対周波数スペクトルを図３０に示す。伝送ロス及び位相データを、６つの離散した周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、２０,０００Ｈｚ）について表１５及び１６に示す。
【0247】
【表15】
【0248】
【表16】
【0249】
【表17】
【0250】
【表18】
【0251】
実施例４－改良された音響コンシステンシーを示す非限定的実施形態
サンプル集成体２５及び比較用サンプル集成体１３ｃについて、５つのサンプルを作って、伝送ロス及び位相角についてテストした。部品間の変動性を、各周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、２０,０００Ｈｚ）におけるサンプル間の伝送ロスの標準偏差によって評価する。５つのサンプルの間の平均伝送ロス及び位相を、表１９及び表２０に示す。伝送ロスの標準偏差を表２１において表で表し、図３２に示す。生伝送ロス及び位相角を図３１に示す。これらの図におけるエラーバーは、計測された値の分布である。表から分かるように、サンプル集成体は、比較用サンプル集成体より低い標準偏差を示しており、サンプル集成体がサンプル間でより優れたコンシステンシーを与えることを示している。
サンプル集成体２５及び比較用サンプル集成体１３ｃについて、５つのサンプルを作って、伝送ロス及び位相角についてテストした。部品間の変動性を、各周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、２０,０００Ｈｚ）におけるサンプル間の伝送ロスの標準偏差によって評価する。５つのサンプルの間の平均伝送ロス及び位相を、表１９及び表２０に示す。伝送ロスの標準偏差を表２１において表で表し、図３２に示す。生伝送ロス及び位相角を図３１に示す。これらの図におけるエラーバーは、計測された値の分布である。表から分かるように、サンプル集成体は、比較用サンプル集成体より低い標準偏差を示しており、サンプル集成体がサンプル間でより優れたコンシステンシーを与えることを示している。
【0252】
【表19】
【0253】
【表20】
【0254】
【表21】
【0255】
実施例５－整調可能な伝送ロス
所与の膜において、伝送ロスは、支持層を介して調整できる。ＴＬを下げるためにはより高い空気流抵抗を持つ支持層を使用できる。逆も言える。結果を図３３に示す。
所与の膜において、伝送ロスは、支持層を介して調整できる。ＴＬを下げるためにはより高い空気流抵抗を持つ支持層を使用できる。逆も言える。結果を図３３に示す。
【表22】
【表23】
【0256】
実施例６～８－「実質的に一定音響伝送」及び「抵抗動向」を示す更なる非限定的実施形態
サンプル集成体の準備
下の表（表２４）は、上述の実施例において使用される例示的膜の特性を概説する。これらの特性は、単に例示的なものであり、限定的であることを意図しない。
サンプル集成体の準備
下の表（表２４）は、上述の実施例において使用される例示的膜の特性を概説する。これらの特性は、単に例示的なものであり、限定的であることを意図しない。
【0257】
【表24】
【0258】
上記の高分子膜番号１０～１２は、下記の方法に従って準備した。
【0259】
【表25】
【0260】
下の表（表２６）は、上述の実施例において使用される例示的支持構造体の特性を概説する。これらの特性は単に例示的なものであり、限定的であることを意図しない。
【0261】
【表26】
【0262】
上記の支持構造体番号１～３は、下記の方法に従って準備した。
【0263】
【表27】
【0264】
本明細書において説明しテストする特定の非限定的サンプル集成体及び比較用サンプル集成体は、下記の通りに準備した。
【0265】
全ての実施例サンプル集成体及び比較用サンプル集成体は、少なくとも１つの裏面接着繊維ガラスサンプルキャリア（以後、繊維ガラスサンプルキャリアと呼ぶ）を含む。繊維ガラスサンプルキャリアは、繊維ガラスシート（McMaster－Carrより購入、製品番号1331T37）の片面に両面感圧接着剤を貼ることによって準備した。繊維ガラスサンプルキャリアを、その後クーポン状にレーザーカットした。直径１.５ｍｍの孔をインピーダンス管の内径と整列する中央部に作った。これは、計測対象のサンプルの作用面積に相当する。例示的重ね構成を図３４に示す。
【0266】
サンプル集成体
【0267】
サンプル集成体３５及び３７―特定の非限定的サンプル集成体（例えば、サンプル集成体番号３５及び３７）は、支持構造体としてＮＣ１５００フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）熱可塑性粒子（日本のDaikinより購入）の凝集性不規則網状組織を使用して準備した。支持構造体番号１及び２の走査電子顕微鏡写真を、それぞれ図３６及び３８に示す。支持構造体番号１及び３を、それぞれサンプル集成体番号３５及び３７において使用し、表２７に示す方法に従って準備した。サンプル集成体番号３５及び３７においては、それぞれ膜番号１０及び１２を使用し、表２５の方法に従って準備した。最終的なサンプル集成体番号３５及び３７は、次の通りに準備した。支持構造体が付着された一片の膜を、膜／支持構造体が平坦で皺がないように、滑らかな水平面上に置いた。接着剥離ライナーを事前カットされた繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して接着剤を露出した。接着層を露出したまま、サンプルキャリアを、慎重に支持構造体側に置き、余分な材料は、サンプルキャリアの周縁から切り離した。サンプルキャリアを、膜側を上に向けて、アラインメントジグ上に置いた。剥離ライナーを第２繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着剤側を膜へ向かって下に向けてアラインメントジグの上に置いた。低圧（計測せず）を加えて（手で）、上下のサンプルキャリアを一緒にして、サンプル集成体を形成した。サンプル集成体番号３５及び３７の成分及び重ね構成を、表２８に示す。
【0268】
サンプル集成体３６－サンプル集成体番号３６は、第１ＰＴＦＥ膜より大きい孔径を持つ第２（ＰＴＦＥ）膜の形式の第２構造体（支持構造体番号２）（オープン層）に結合された小さい孔径を持つ第１ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）膜（膜番号１１）（タイト層）を含み、下記の通りに準備した。小さい孔径を持つ第１構造体（膜番号１１）は、表２５の方法に従って準備した。第２構造体（支持構造体番号２）は、表２７の方法に従って準備した。支持構造体番号２の走査電子顕微鏡写真を図３８に示す。オープン－タイトＰＴＦＥ複合膜は、第２構造体プロセスからテープ上に第１構造体プロセスの中間体を置き、その後複合体を同時延伸することによって、準備をして、膜番号１１及び支持構造体番号２を含むサンプル集成体番号３６を入手した。１片の複合体を、膜／支持構造体複合体が平坦で皺がないように、滑らかな水平面上に置いた。接着剥離ライナーを事前カットした繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着剤を露出した。接着層を露出したまま、サンプルキャリアを、複合材の支持体側に慎重に置いて、余分な材料はサンプルキャリアの周縁から切り離した。サンプルキャリアを、膜側を上に向けてアラインメントジグ上に置いた。剥離ライナーを、第２繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着剤側を膜に向かって下に向けてアラインメントジグ上に置いた。低圧（計測せず）を加えて（手で）、上下のサンプルキャリアを一緒にして、サンプル集成体を形成した。サンプル集成体番号３６の成分及び重ね構成を、表２８に示す。
【0269】
【表28】
【0270】
膜番号１０に結合された支持構造体番号１のミクロ構造を示す走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ）を図３６に示す。
【0271】
支持構造体２のミクロ構造を示すＳＥＭを図３７に示す。
【0272】
膜番号３に付着された支持構造体番号３のミクロ構造を示すＳＥＭを、図３８に示す。
【0273】
比較用サンプル集成体－特定の非限定的比較用サンプル集成体は、下記の通りに準備した。１片の膜を、膜が平坦で皺がないように、滑らかな水平面上に置いた。接着剥離ライナーを事前カットした繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着剤を露出した。接着剤を露出したまま、サンプルキャリアを膜上に慎重に置き、余分な膜をサンプルキャリアの周縁から切り離した。その後、サンプルキャリアを膜側を上に向けてアラインメントジグ上に置いた。剥離ライナーを第２繊維ガラスサンプルキャリアから取り外して、接着剤側を膜へ向かって下に向けてアラインメントジグ上に置いた。低圧（計測せず）を加えて（手で）、上下のサンプルキャリアを一緒にして、比較用サンプル集成体を形成した。比較用サンプル集成体の成分及び最終的な重ね構成を表２９に示す。
【0274】
【表29】
【0275】
サンプル集成体及び比較用サンプル集成体の特性－下の表は、特定のサンプル集成体及び比較用サンプル集成体の例示的特性を列記する。全ての特性は、本明細書において説明する通りに計測する。
【0276】
【表30】
【0277】
【表31】
【0278】
サンプル集成体及び比較用サンプル集成体の全てについて、伝送ロス及び位相角試験を、「試験手順」の節で説明する通りに実施した。
【0279】
実施例６～８のサンプル集成体及び比較用サンプル集成体の伝送ロスデータを、６つの離散した周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、１５,０００Ｈｚ）について表３２に示す。伝送ロス対周波数スペクトルは、図３９～４１に示す。
【0280】
【表32】
【0281】
実施例番号６、７、８のサンプル集成体及び比較用サンプル集成体の位相角データを、離散した６つの周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、１５,０００Ｈｚ）について表３３に示す。テストされたサンプル集成体の生位相角対周波数スペクトルを図３９～４１に示す。
【0282】
【表33】
【0283】
表から分かるように、上記のサンプル集成体は、試験周波数において＋４５度～－４５度の範囲の位相角を示すのに対して、比較用サンプル集成体は、試験周波数のいくつかにおいて、＋４５度～－４５度の範囲外の位相角を示す。
【0284】
各サンプル集成体及び各比較用サンプル集成体の伝送ロス（ｄＢ/オクターブ）の傾斜を、離散した周波数（５００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、２０００Ｈｚ、５０００Ｈｚ、１０,０００Ｈｚ、１５,０００Ｈｚ）について線形回帰により計測した。
【0285】
周波数は、下記の手順を使用してオクターブに換算した。
５００Ｈｚと５００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り：
５００Ｈｚと１０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り：
５００Ｈｚと２０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り：
５００Ｈｚと５０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り：
５００Ｈｚと１０,０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り：
５００Ｈｚと１５,０００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り：
５００Ｈｚと５００Ｈｚとの間のオクターブ数は、下記の通り：
【数10】
【数11】
【数12】
【数13】
【数14】
【数15】
【0286】
サンプル集成体及び比較用サンプル集成体の伝送ロススペクトルの傾斜は、上記の通り計算されたオクターブについて伝送ロスデータを線形回帰することによって測定できる。その結果得られる傾斜を、表３４に示す。比較用サンプル集成体の場合、伝送ロスは、低い周波数範囲の周波数において減少し、その後高い周波数範囲において増大する。線形回帰は、比較用サンプル集成体については低い周波数範囲において実施される。表３４に示すように、所与の膜において、サンプル集成体の伝送ロスの傾斜は、比較用サンプル集成体の伝送ロスの傾斜よりゼロに近く、サンプル集成体がより優勢の一定音響伝送プロフィルを与えることを示す。具体的には、下の非限定的実施例によって例示するように、本開示のいくつかの実施形態において、伝送ロスの傾斜の絶対値は５００Ｈｚ～１５,０００Ｈｚの範囲で１.０４ｄＢ/オクターブ以下である（即ち、伝送ロスは、－１.０４ｄＢ/オクターブ～０.０６ｄＢ/オクターブの範囲である）。言い換えると、表３４の非限定的実施例において、伝送ロスは、周波数範囲５００Ｈｚ～１５,０００Ｈｚにおいて、１.０４ｄＢ/オクターブを超えて変動しない。
【0287】
【表34】
【0288】
表３２～３４の結果を図３９～４１に示す。
【0289】
本開示のいくつかの実施形態について説明したが、これらの実施形態は限定的なものではなく例示に過ぎず、当業者には多くの修正が明らかになるであろう。例えば、本明細書において論じる全ての寸法は、例として示したのであり、限定的であることを意図しない。
（態様）
（態様１）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、１００レイリー～５０,０００レイリーの空気流抵抗を有し、かつ
前記集成体が、振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して計測したとき０.０００２Ｐａ/ｎｍ～３０００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する、
集成体。
（態様２）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を持つ音響インピーダンスを有する、
集成体。
（態様３）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、１００～５０,０００レイリーの空気流抵抗を有し、
前記集成体が、振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して測定したとき、０.０００２Ｐａ/ｎｍ～３０００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有し、かつ
前記集成体が、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を持つ音響インピーダンスを有する、
集成体。
（態様４）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない伝送ロスを示す、
集成体。
（態様５）
前記集成体が、キャピラリーピストン試験（ＣＰＴ）に従って計測したとき１０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力（ＷＥＰ）を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様６）
前記集成体が、５０Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲についてインピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、３ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを示す、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様７）
前記高分子膜が、０.０２５ミクロン～３００ミクロンの範囲の厚みを有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様８）
前記高分子膜が、異なる孔径の複数の気孔を含む、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様９）
前記複数の気孔が、０.１～３０ミクロンの範囲の最大孔径を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１０）
前記高分子膜が、０.４ｐｓｉ～１２０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１１）
前記少なくとも１つの支持構造体が、少なくとも１つの第２高分子膜である、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１２）
前記支持構造体が、粒子の網状組織を含む、態様１～１０のいずれかに記載の集成体。
（態様１３）
前記少なくとも１つの支持構造体が、１０～１０００ミクロンの厚みを有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１４）
前記少なくとも１つの支持構造体が、５％～９８％の有効開放面積を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１５）
前記高分子膜が、延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）を含む、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１６）
前記高分子膜が、１ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１７）
前記集成体が、単一の支持構造体を備える、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１８）
前記集成体が、少なくとも２つの支持構造体を備える、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１９）
前記集成体が、第１支持構造体と第２支持構造体とを備え、前記高分子膜が、前記第１支持構造体と前記第２支持構造体との間に挟まれる、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様２０）
前記第１支持構造体と第２支持構造体が、同じ材料を含む、態様１９に記載の集成体。
（態様２１）
前記第１支持構造体と第２支持構造体が、異なる材料を含む、態様１９に記載の集成体。
（態様２２）
前記高分子膜と前記少なくとも１つの支持構造体との間に接着剤を備える、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様２３）
前記少なくとも１つの支持構造体が少なくとも１つの支持層である、態様１～１０又は１３～２２のいずれかに記載の集成体。
（態様２４）
前記少なくとも１つの支持層が繊維ガラスを含む、態様２３に記載の集成体。
（態様２５）
前記少なくとも１つの支持層が金属を含む、態様２３に記載の集成体。
（態様２６）
前記金属が黄銅である、態様２５に記載の集成体。
（態様２７）
前記少なくとも１つの支持層がメッシュを含む、態様２３に記載の集成体。
（態様２８）
前記メッシュが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）織物メッシュである、態様２７に記載の集成体。
（態様２９）
前記メッシュが、押出プラスチック不織メッシュである、態様２７に記載の集成体。
（態様）
（態様１）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、１００レイリー～５０,０００レイリーの空気流抵抗を有し、かつ
前記集成体が、振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して計測したとき０.０００２Ｐａ/ｎｍ～３０００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有する、
集成体。
（態様２）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を持つ音響インピーダンスを有する、
集成体。
（態様３）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、１００～５０,０００レイリーの空気流抵抗を有し、
前記集成体が、振動変位試験（ＶＤＴ）を使用して測定したとき、０.０００２Ｐａ/ｎｍ～３０００Ｐａ/ｎｍの有効剛度を有し、かつ
前記集成体が、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において＋４５度～－４５度の位相角を持つ音響インピーダンスを有する、
集成体。
（態様４）
高分子膜と、
少なくとも１つの支持構造体であって、前記少なくとも１つの支持構造体の少なくとも一部分が前記高分子膜と接触している、少なくとも１つの支持構造体と、
を備える集成体であって、
前記集成体が、インピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、５０～２０,０００Ｈｚの周波数範囲において１.５ｄＢ/オクターブを超えて変動しない伝送ロスを示す、
集成体。
（態様５）
前記集成体が、キャピラリーピストン試験（ＣＰＴ）に従って計測したとき１０ｐｓｉ～３５０ｐｓｉの範囲の水進入圧力（ＷＥＰ）を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様６）
前記集成体が、５０Ｈｚ～２０,０００Ｈｚの周波数範囲についてインピーダンスチューブトランスファーマトリックス試験（ＩＴＴＭＴ）によって計測したとき、３ｄＢ～４８ｄＢの伝送ロスを示す、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様７）
前記高分子膜が、０.０２５ミクロン～３００ミクロンの範囲の厚みを有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様８）
前記高分子膜が、異なる孔径の複数の気孔を含む、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様９）
前記複数の気孔が、０.１～３０ミクロンの範囲の最大孔径を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１０）
前記高分子膜が、０.４ｐｓｉ～１２０ｐｓｉの範囲のバブルポイントを有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１１）
前記少なくとも１つの支持構造体が、少なくとも１つの第２高分子膜である、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１２）
前記支持構造体が、粒子の網状組織を含む、態様１～１０のいずれかに記載の集成体。
（態様１３）
前記少なくとも１つの支持構造体が、１０～１０００ミクロンの厚みを有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１４）
前記少なくとも１つの支持構造体が、５％～９８％の有効開放面積を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１５）
前記高分子膜が、延伸ポリテトラフルオロエチレン（ｅＰＴＦＥ）を含む、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１６）
前記高分子膜が、１ＭＰａ～１０００ＭＰａの範囲のヤング率を有する、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１７）
前記集成体が、単一の支持構造体を備える、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１８）
前記集成体が、少なくとも２つの支持構造体を備える、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様１９）
前記集成体が、第１支持構造体と第２支持構造体とを備え、前記高分子膜が、前記第１支持構造体と前記第２支持構造体との間に挟まれる、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様２０）
前記第１支持構造体と第２支持構造体が、同じ材料を含む、態様１９に記載の集成体。
（態様２１）
前記第１支持構造体と第２支持構造体が、異なる材料を含む、態様１９に記載の集成体。
（態様２２）
前記高分子膜と前記少なくとも１つの支持構造体との間に接着剤を備える、先行の態様のいずれかに記載の集成体。
（態様２３）
前記少なくとも１つの支持構造体が少なくとも１つの支持層である、態様１～１０又は１３～２２のいずれかに記載の集成体。
（態様２４）
前記少なくとも１つの支持層が繊維ガラスを含む、態様２３に記載の集成体。
（態様２５）
前記少なくとも１つの支持層が金属を含む、態様２３に記載の集成体。
（態様２６）
前記金属が黄銅である、態様２５に記載の集成体。
（態様２７）
前記少なくとも１つの支持層がメッシュを含む、態様２３に記載の集成体。
（態様２８）
前記メッシュが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）織物メッシュである、態様２７に記載の集成体。
（態様２９）
前記メッシュが、押出プラスチック不織メッシュである、態様２７に記載の集成体。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
