特許 7430094 荷電粒子線描画装置および描画方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-02-01

(45)【発行日】2024-02-09

(54)【発明の名称】荷電粒子線描画装置および描画方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240202BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20240202BHJP

   H01J 37/147 20060101ALI20240202BHJP

   H01J 37/22 20060101ALI20240202BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 541D

H01L21/30 541J

G03F7/20 504

H01J37/147 C

H01J37/22 502B

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2020057467

(22)【出願日】2020-03-27

(65)【公開番号】P2021158234

(43)【公開日】2021-10-07

【審査請求日】2022-12-28

(73)【特許権者】

【識別番号】000004271

【氏名又は名称】日本電子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100090387

【弁理士】

【氏名又は名称】布施 行夫

(74)【代理人】

【識別番号】100090398

【弁理士】

【氏名又は名称】大渕 美千栄

(72)【発明者】

【氏名】小澤 寛司

(72)【発明者】

【氏名】▲桑▼野 靖久

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 頼博

【審査官】菅原 拓路

(56)【参考文献】

【文献】特開平０１－１２０８２４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５８－０５６４１８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５９－２０８７２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０１－１０７５３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５４－０２５６７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１１０７００（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０１５２２７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｇ０３Ｆ ７／２０

９／００

Ｈ０１Ｊ ３７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

描画材料に荷電粒子線でパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線を偏向させる偏向器と、
スキャン周波数を求めるスキャン周波数演算部と、
前記スキャン周波数に応じて、クロック信号の周波数を切り替えるクロック信号出力部と、
前記クロック信号に基づいて、前記偏向器に前記荷電粒子線を偏向させる偏向器制御部と、
複数の部分パターンで構成された前記パターンのパターンデータと、複数の前記部分パターンの各々に設定されたショット時間条件を含む描画条件と、が記憶された記憶部と、
前記パターンデータから前記ショット時間条件が同じ前記部分パターンを抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成するパターンデータ生成部と、
複数の前記部分パターンを前記部分パターンデータごとに配列して、部分パターン列を生成するソート処理部と、
を含み、
前記部分パターン列に配列された順に、前記部分パターンを描画する処理を行い、
前記部分パターンを描画する処理は、
前記スキャン周波数演算部が、前記ショット時間条件に基づいて前記スキャン周波数を求める処理と、
前記偏向器制御部が、前記偏向器に、前記部分パターンを前記スキャン周波数演算部が求めた前記スキャン周波数で描画させる処理と、
を含む、荷電粒子線描画装置。

【請求項2】

請求項１において、
前記クロック信号出力部は、
第１クロック生成回路と、
第２クロック生成回路と、
前記第１クロック生成回路で生成されるクロック信号、または、前記第２クロック生成
回路で生成されるクロック信号を選択するセレクターと、
を有し、
前記第２クロック生成回路が生成するクロック信号の周波数は、前記第１クロック生成回路が生成するクロック信号の周波数よりも高く、
前記第２クロック生成回路のクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間は、前記第１クロック生成回路のクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間よりも長い、荷電粒子線描画装置。

【請求項3】

請求項２において、
前記パターンデータ生成部は、
前記パターンデータから前記スキャン周波数が閾値以下の部分パターンを抽出して部分パターンデータを生成し、
前記パターンデータから前記スキャン周波数が前記閾値よりも大きい部分パターンを抽出し、抽出された部分パターンから前記ショット時間条件が同じ部分パターンを抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成し、
前記ソート処理部は、複数の前記部分パターンを、前記パターンデータ生成部が生成した前記部分パターンデータごとに配列して部分パターン列を生成し、
前記部分パターンを描画する処理は、
前記スキャン周波数が前記閾値以下の場合、前記セレクターが前記第１クロック生成回路で生成されたクロック信号を選択し、前記スキャン周波数が前記閾値よりも大きい場合、前記セレクターが前記第２クロック生成回路で生成されたクロック信号を選択する処理を含み、
前記偏向器制御部は、選択された前記クロック信号に基づいて、前記偏向器に前記部分パターンを描画させる、荷電粒子線描画装置。

【請求項4】

請求項１において、
前記クロック信号出力部は、
複数のクロック生成回路と、
前記複数のクロック生成回路の各々に対して、クロック信号の周波数を設定する制御回路と、
前記複数のクロック生成回路で生成されるクロック信号のうちの１つを選択するセレクターと、
を有する、荷電粒子線描画装置。

【請求項5】

描画材料に荷電粒子線でパターンを描画する描画方法であって、
複数の部分パターンで構成された前記パターンのパターンデータと、複数の前記部分パターンの各々に設定されたショット時間条件を含む描画条件と、を取得する工程と、
前記パターンデータから前記ショット時間条件が同じ前記部分パターンを抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成する工程と、
複数の前記部分パターンを前記部分パターンデータごとに配列して、部分パターン列を生成する工程と、
前記部分パターン列に配列された順に、前記部分パターンを描画する工程と、
を含み、
前記部分パターンを描画する工程は、
前記ショット時間条件に基づいて、前記部分パターンを描画させるときのスキャン周波数を求める工程と、
前記荷電粒子線を偏向させる偏向器に、前記部分パターンを前記スキャン周波数で描画させる工程と、
を含む、描画方法。

【請求項6】

描画材料に荷電粒子線でパターンを描画する描画方法であって、
複数の部分パターンで構成された前記パターンのパターンデータと、複数の前記部分パターンの各々に設定されたショット時間条件を含む描画条件と、を取得する工程と、
複数の前記部分パターンの各々において、前記ショット時間条件に基づいて前記部分パターンを描画させるときのスキャン周波数を求める工程と、
前記パターンデータから前記スキャン周波数が閾値以下の部分パターンを抽出して部分パターンデータを生成し、前記パターンデータから前記スキャン周波数が前記閾値よりも大きい部分パターンを抽出し、抽出された部分パターンから前記ショット時間条件が同じ部分パターンを抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成する工程と、
複数の前記部分パターンを、前記部分パターンデータごとに配列して部分パターン列を生成する工程と、
前記部分パターン列に配列された順に、前記部分パターンを描画する工程と、
を含み、
前記部分パターンを描画する工程は、
前記ショット時間条件に基づいて、前記部分パターンを描画させるときの前記スキャン周波数を求める工程と、
前記荷電粒子線を偏向させる偏向器に、前記部分パターンを前記スキャン周波数で描画させる工程と、
を含み、
前記偏向器に前記部分パターンを描画させる工程では、前記スキャン周波数に応じてクロック信号の周波数を切り替えるクロック信号出力部から出力される前記クロック信号に基づいて、前記偏向器に前記荷電粒子線を偏向させ、
前記クロック信号出力部は、
第１クロック生成回路と、
第２クロック生成回路と、
前記第１クロック生成回路で生成されるクロック信号、または、前記第２クロック生成回路で生成されるクロック信号を選択するセレクターと、
を有し、
前記第２クロック生成回路が生成するクロック信号の周波数は、前記第１クロック生成回路が生成するクロック信号の周波数よりも高く、
前記第２クロック生成回路のクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間は、前記第１クロック生成回路のクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間よりも長く、
前記偏向器に前記部分パターンを描画させる工程では
前記スキャン周波数が前記閾値以下の場合、前記セレクターが前記第１クロック生成回路で生成されたクロック信号を選択し、前記スキャン周波数が前記閾値よりも大きい場合、前記セレクターが前記第２クロック生成回路で生成されたクロック信号を選択する、描画方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、荷電粒子線描画装置および描画方法に関する。

【背景技術】

【0002】

荷電粒子線描画装置は、描画材料に荷電粒子線でパターンを描画するための装置である。このような荷電粒子線描画装置として、細く絞った荷電粒子線で材料上を走査して、任意のパターンを描画する直接描画方式の装置が知られている。このような荷電粒子線描画装置として、例えば、特許文献１には、描画材料に電子線でパターンを描画する電子線描画装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１２－１５２２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

電子線描画装置において、レジストの感度Ｑ［Ｃ／ｃｍ^２］、ビーム電流Ｉ［Ａ］、描画面積Ｓ［ｃｍ^２］、および描画時間Ｔ［ｓ］には、次の関係がある。

【0005】

Ｑ＝ＩＴ／Ｓ

【0006】

また、電子線で描画材料を走査してパターンを描画するときの電子線の走査速度Ｆ［Ｈｚ］は、電子線の走査ステップをｐ［ｃｍ］とした場合、次式で与えられる。

【0007】

Ｆ＝Ｉ／（Ｑｐ^２）

【0008】

したがって、描画時間Ｔを短くするためには、ビーム電流Ｉを増加させるか、感度Ｑの小さいレジストを選択する必要がある。ビーム電流Ｉを増加させる場合でも、感度Ｑの小さいレジストを選択する場合でも、電子線の走査速度Ｆはより速くなる。そのため、描画時間Ｔを短くして、描画のスループットを向上させるためには、走査速度Ｆを速く、すなわち、スキャン周波数を大きくすることが求められる。

【0009】

走査速度を決めるクロック信号を出力するクロック出力回路として、例えば、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路を用いたクロック出力回路が用いられている。ＰＬＬ回路を用いたクロック出力回路では、例えば、リングオシレーターを用いたクロック出力回路と比べて、極めて高い周波数のクロック信号を得ることができる。

【0010】

ここで、電子線描画装置において、電子線の走査速度は一定ではない。例えば、描画中のビーム電流の変化によるドーズ量の変化を補正する場合や、描画するパターンごとに要求されるドーズ量が異なる場合には、走査速度を変化させる。

【0011】

しかしながら、ＰＬＬ回路を用いたクロック出力回路では、クロック信号の周波数を切り替えるために時間を要する。そのため、描画のスループットが低下してしまう。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明に係る荷電粒子線描画装置の一態様は、
描画材料に荷電粒子線でパターンを描画する荷電粒子線描画装置であって、
前記荷電粒子線を発生させる荷電粒子線源と、
前記荷電粒子線を偏向させる偏向器と、
スキャン周波数を求めるスキャン周波数演算部と、
前記スキャン周波数に応じて、クロック信号の周波数を切り替えるクロック信号出力部
と、
前記クロック信号に基づいて、前記偏向器に前記荷電粒子線を偏向させる偏向器制御部と、
複数の部分パターンで構成された前記パターンのパターンデータと、複数の前記部分パターンの各々に設定されたショット時間条件を含む描画条件と、が記憶された記憶部と、
前記パターンデータから前記ショット時間条件が同じ前記部分パターンを抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成するパターンデータ生成部と、
複数の前記部分パターンを前記部分パターンデータごとに配列して、部分パターン列を生成するソート処理部と、
を含み、
前記部分パターン列に配列された順に、前記部分パターンを描画する処理を行い、
前記部分パターンを描画する処理は、
前記スキャン周波数演算部が、前記ショット時間条件に基づいて前記スキャン周波数を求める処理と、
前記偏向器制御部が、前記偏向器に、前記部分パターンを前記スキャン周波数演算部が求めた前記スキャン周波数で描画させる処理と、
を含む。

【0013】

このような荷電粒子線描画装置では、同じスキャン周波数で描画される部分パターンが連続して描画されるため、スキャン周波数を切り替える回数を少なくでき、描画のスループットを向上できる。

【0014】

本発明に係る描画方法の一態様は、
描画材料に荷電粒子線でパターンを描画する描画方法であって、
複数の部分パターンで構成された前記パターンのパターンデータと、複数の前記部分パターンの各々に設定されたショット時間条件を含む描画条件と、を取得する工程と、
前記パターンデータから前記ショット時間条件が同じ前記部分パターンを抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成する工程と、
複数の前記部分パターンを前記部分パターンデータごとに配列して、部分パターン列を生成する工程と、
前記部分パターン列に配列された順に、前記部分パターンを描画する工程と、
を含み、
前記部分パターンを描画する工程は、
前記ショット時間条件に基づいて、前記部分パターンを描画させるときのスキャン周波数を求める工程と、
前記荷電粒子線を偏向させる偏向器に、前記部分パターンを前記スキャン周波数で描画させる工程と、
を含む。
本発明に係る描画方法の一態様は、
描画材料に荷電粒子線でパターンを描画する描画方法であって、
複数の部分パターンで構成された前記パターンのパターンデータと、複数の前記部分パターンの各々に設定されたショット時間条件を含む描画条件と、を取得する工程と、
複数の前記部分パターンの各々において、前記ショット時間条件に基づいて前記部分パターンを描画させるときのスキャン周波数を求める工程と、
前記パターンデータから前記スキャン周波数が閾値以下の部分パターンを抽出して部分パターンデータを生成し、前記パターンデータから前記スキャン周波数が前記閾値よりも大きい部分パターンを抽出し、抽出された部分パターンから前記ショット時間条件が同じ部分パターンを抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成する工程と、
複数の前記部分パターンを、前記部分パターンデータごとに配列して部分パターン列を
生成する工程と、
前記部分パターン列に配列された順に、前記部分パターンを描画する工程と、
を含み、
前記部分パターンを描画する工程は、
前記ショット時間条件に基づいて、前記部分パターンを描画させるときのスキャン周波数を求める工程と、
前記荷電粒子線を偏向させる偏向器に、前記部分パターンを前記スキャン周波数で描画させる工程と、
を含み、
前記偏向器に前記部分パターンを描画させる工程では、前記スキャン周波数に応じてクロック信号の周波数を切り替えるクロック信号出力部から出力される前記クロック信号に基づいて、前記偏向器に前記荷電粒子線を偏向させ、
前記クロック信号出力部は、
第１クロック生成回路と、
第２クロック生成回路と、
前記第１クロック生成回路で生成されるクロック信号、または、前記第２クロック生成回路で生成されるクロック信号を選択するセレクターと、
を有し、
前記第２クロック生成回路が生成するクロック信号の周波数は、前記第１クロック生成回路が生成するクロック信号の周波数よりも高く、
前記第２クロック生成回路のクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間は、前記第１クロック生成回路のクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間よりも長く、
前記偏向器に前記部分パターンを描画させる工程では
前記スキャン周波数が前記閾値以下の場合、前記セレクターが前記第１クロック生成回路で生成されたクロック信号を選択し、前記スキャン周波数が前記閾値よりも大きい場合、前記セレクターが前記第２クロック生成回路で生成されたクロック信号を選択する。

【0015】

このような描画方法では、同じスキャン周波数で描画される部分パターンが連続して描
画されるため、スキャン周波数を切り替える回数を少なくでき、描画のスループットを向上できる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】実施形態に係る電子線描画装置の構成を示す図。

【図2】描画材料に描画されるパターンのパターンデータを説明するための図。

【図3】実施形態に係る電子線描画装置のクロック信号出力部の構成を示す図。

【図4】実施形態に係る電子線描画装置の動作の一例を示すフローチャート。

【図5】パターンデータ生成部の処理を説明するための図。

【図6】ソート処理部の処理を説明するための図。

【図7】パターンを描画する方法の一例を示す図。

【図8】部分パターン列の一例を説明するための図。

【図9】第１変形例に係る電子線描画装置のクロック信号出力部の構成を示す図。

【図10】第２変形例に係る電子線描画装置の動作の一例を示すフローチャート。

【図11】第２変形例に係る電子線描画装置のパターンデータ生成部の処理を説明するための図。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

【0018】

なお、以下では、本発明に係る荷電粒子線描画装置として、描画材料に電子線でパターンを描画する電子線描画装置を例に挙げて説明するが、電子線以外の荷電粒子線（イオンビーム等）でパターンを描画する装置であってもよい。

【0019】

１． 電子線描画装置
まず、本発明の一実施形態に係る電子線描画装置について図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る電子線描画装置１００の構成を示す図である。

【0020】

電子線描画装置１００は、描画材料Ｍ上を細く絞った電子線で走査して、描画材料Ｍにパターンを描画する装置である。電子線描画装置１００は、例えば、レチクルなどのフォトマスクを製造するために用いられる。描画材料Ｍは、例えば、石英基板上にクロム膜などの金属膜が成膜されたマスクブランクス上に、レジストが塗布されたものである。電子線描画装置１００では、電子線で描画材料Ｍのレジストを露光する。

【0021】

電子線描画装置１００は、図１に示すように、電子源１０（荷電粒子線源の一例）と、加速電極１１と、ブランキング絞り１２と、ブランカー１３と、静電レンズ１４と、コンデンサーレンズ１５ａと、コンデンサーレンズ１５ｂと、対物絞り１６と、対物レンズ１７と、非点収差補正器１８と、偏向器１９と、ステージ２０と、高さ測定器２１と、ファラデーカップ２２と、を含む。

【0022】

さらに、電子線描画装置１００は、高電圧制御部３０と、ブランキング制御部３１と、レンズ制御部３２と、スキャン周波数演算部３３と、クロック信号出力部３４と、副偏向器制御部３５と、主偏向器制御部３６と、高さ測定制御部３７と、電流計３８と、ステージ制御装置３９と、を含む。

【0023】

さらに、電子線描画装置１００は、描画制御部４０と、情報処理装置５０と、を含む。

【0024】

電子源１０は、電子線を発生させる。加速電極１１は、電子源１０で発生した電子線を
加速させる。

【0025】

ブランキング絞り１２は、電子線を遮断するための絞りである。ブランカー１３は、電子線をブランキング絞り１２上で偏向させる。静電レンズ１４は、電子線をブランキング絞り１２上に集束させる。

【0026】

例えば、電子線を描画材料Ｍに照射しない場合には、ブランカー１３によって電子線を偏向させてブランキング絞り１２で電子線を遮蔽する。また、電子線を描画材料Ｍに照射する場合には、ブランカー１３で電子線を偏向させずに、ブランキング絞り１２の絞り穴から電子線を通過させる。このように、ブランカー１３の動作によって、電子線のオン、オフを切り替えることができる。

【0027】

コンデンサーレンズ１５ａおよびコンデンサーレンズ１５ｂは、電子線を集束させる。対物絞り１６は、電子線の開き角を制御する。対物レンズ１７は、電子線を描画材料Ｍ上に集束させる。非点収差補正器１８は、対物レンズ１７の非点収差を補正する。

【0028】

偏向器１９は、電子線を偏向させる。偏向器１９は、副偏向器１９ａと、主偏向器１９ｂと、を有している。

【0029】

主偏向器１９ｂが電子線を偏向できる主偏向領域は、副偏向器１９ａが電子線を偏向できる副偏向領域よりも大きい。副偏向器１９ａは、主偏向器１９ｂよりも電子線を高速に偏向させる。主偏向器１９ｂは、例えば、副偏向領域の位置を変えるために用いられる。副偏向器１９ａは、例えば、副偏向領域内で、電子線を走査するために用いられる。

【0030】

ステージ２０は、描画材料Ｍを保持する。ステージ２０は、描画材料Ｍを移動させることができる。高さ測定器２１は、描画材料Ｍの高さを測定する。ファラデーカップ２２は、ビーム電流を測定する。ビーム電流は、描画材料Ｍに照射される電子線の電流量である。

【0031】

電子線描画装置１００では、電子源１０から放出された電子ビームは、コンデンサーレンズ１５ａ、コンデンサーレンズ１５ｂ、および対物レンズ１７で集束されて、描画材料Ｍに照射される。電子線は、ブランカー１３によってオン、オフが切り替えられる。また、電子線は偏向器１９で所望の位置に照射される。ステージ２０で描画材料Ｍを移動させることによって、主偏向領域よりも広い範囲の描画が可能となる。電子線描画装置１００では、描画を行う前に、高さ測定器２１で描画材料Ｍの表面の高さが測定され、ファラデーカップ２２を用いてビーム電流が測定される。

【0032】

高電圧制御部３０は、加速電極１１に加速電圧を印加する。また、高電圧制御部３０は、静電レンズ１４を制御する。ブランキング制御部３１は、ブランカー１３を制御する。レンズ制御部３２は、コンデンサーレンズ１５ａ、コンデンサーレンズ１５ｂ、対物レンズ１７、および非点収差補正器１８を制御する。

【0033】

スキャン周波数演算部３３は、描画条件に基づいて、スキャン周波数を求める。スキャン周波数は、電子線の走査速度に対応する。

【0034】

クロック信号出力部３４は、クロック信号を出力する。クロック信号は、電子線を走査するためのタイミングクロックである。クロック信号出力部３４は、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数に応じて、クロック信号の周波数を切り替える。クロック信号出力部３４から出力されたクロック信号は、副偏向器制御部３５に送られる。

【0035】

副偏向器制御部３５は、副偏向器１９ａを制御する。副偏向器制御部３５は、クロック信号に基づいて、副偏向器１９ａを動作させる。これにより、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数で、電子線を走査できる。また、副偏向器制御部３５は、情報処理装置５０からのパターンの情報を受け付けて、当該パターンの情報に基づいて副偏向器１９ａを制御する。これにより、描画材料Ｍに当該パターンを描画できる。

【0036】

例えば、副偏向器制御部３５は、情報処理装置５０からのパターンの情報およびクロック信号に基づいて、走査信号を生成する。走査信号は、パターンの情報およびスキャン周波数の情報を含む。副偏向器制御部３５は、生成した走査信号を副偏向器１９ａに供給する。これにより、走査信号に基づいて副偏向器１９ａが動作し、所望のスキャン周波数で、所望のパターンが描画される。

【0037】

主偏向器制御部３６は、主偏向器１９ｂを制御する。主偏向器制御部３６は、情報処理装置５０からのパターンの情報を受け付けて、当該パターンの情報に基づいて偏向信号を生成し、主偏向器１９ｂに供給する。これにより、偏向信号に応じて主偏向器１９ｂが動作し、描画材料Ｍの所望の位置に電子線が照射される。

【0038】

高さ測定制御部３７は、高さ測定器２１を制御する。また、高さ測定制御部３７は、高さ測定器２１で測定された描画材料Ｍの高さの情報を取得し、情報処理装置５０に送る。

【0039】

高電圧制御部３０、ブランキング制御部３１、レンズ制御部３２、スキャン周波数演算部３３、副偏向器制御部３５、主偏向器制御部３６、および高さ測定制御部３７の機能は、例えば、プログラムに従って動作するマイクロコントローラーやマイクロプロセッサーなどの汎用回路で実現されてもよいし、ＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）などの専用回路で実現されてもよい。

【0040】

電流計３８は、ファラデーカップ２２に入射したビーム電流を計測する。電流計３８で計測されたビーム電流は、情報処理装置５０に送られる。

【0041】

ステージ制御装置３９は、ステージ２０を動作させる。ステージ２０は、描画材料Ｍを水平方向に移動させる移動機構を有している。ステージ制御装置３９は、ステージ２０の移動機構を動作させて、ステージ２０に描画材料Ｍを水平方向に移動させる。

【0042】

高電圧制御部３０、ブランキング制御部３１、レンズ制御部３２、スキャン周波数演算部３３、副偏向器制御部３５、主偏向器制御部３６、高さ測定制御部３７、およびステージ制御装置３９は、情報処理装置５０によって制御される。

【0043】

描画制御部４０は、情報処理装置５０を介して、電子線描画装置１００の全体の動作を制御する。描画制御部４０は、例えば、各種プロセッサ（ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＤＳＰ（digital signal processor）等）などのハードウェアで、記憶装置に記憶されたプログラムを実行することにより実現できる。

【0044】

情報処理装置５０は、処理部５２と、操作部５４と、記憶部５６と、を有している。

【0045】

操作部５４は、ユーザーが操作情報を入力するためのものであり、入力された操作情報を処理部５２に出力する。操作部５４の機能は、キーボード、マウス、ボタン、タッチパッドなどのハードウェアにより実現することができる。

【0046】

記憶部５６は、処理部５２の各部としてコンピュータを機能させるためのプログラムや各種データを記憶している。また、記憶部５６は、処理部５２のワーク領域としても機能
する。記憶部５６の機能は、ハードディスク、ＲＡＭ（Random Access Memory）などにより実現できる。

【0047】

記憶部５６には、パターンデータが記憶されている。パターンデータは、描画材料Ｍに描画されるパターンを構成する複数の部分パターンのデータを含む。部分パターンのデータは、部分パターンの位置の情報、部分パターンの形状の情報、および部分パターンのサイズの情報を含む。また、記憶部５６には、描画条件が記憶されている。描画条件は、複数の部分パターンの各々に設定されたショット時間条件を含む。また、描画条件は、ビーム電流などを含む。

【0048】

図２は、描画材料Ｍに描画されるパターン２のパターンデータＤを説明するための図である。図２には、主偏向領域Ａ１に描画されるパターン２を図示している。

【0049】

主偏向領域Ａ１は、主偏向器１９ｂで電子線を偏向できる領域である。副偏向領域Ａ２は、副偏向器１９ａで電子線を偏向できる領域である。電子線描画装置１００では、主偏向器１９ｂで副偏向領域Ａ２の原点位置に電子線を偏向させ、副偏向器１９ａで副偏向領域Ａ２内の部分パターン４の描画を行う。副偏向領域Ａ２内の部分パターン４の描画が終了すると、主偏向器１９ｂで次の副偏向領域Ａ２の原点位置に電子線を偏向させる。これを繰り返すことで、主偏向領域Ａ１にパターン２を描画できる。

【0050】

図２に示すように、パターン２は、複数の部分パターン４で構成されている。部分パターン４は、例えば、パターン２を、台形や長方形などの基準形状に分割して得られたパターンである。パターン２の描画は、部分パターン４ごとに行われる。部分パターン４の描画は、例えば、パターンデータＤで指定された位置で、パターンデータＤで指定された形状およびサイズの領域を電子線で走査することによって行われる。１つの部分パターン４を描画するときの電子線の走査速度は、一定である。

【0051】

ここで、電子線でパターンを描画する場合、近接効果を補正するために、描画される部分パターン４ごとに要求されるドーズ量が異なる。そのため、部分パターン４ごとに、ショット時間条件が異なる。ショット時間条件は、電子線の１ショットあたりの時間である。すなわち、電子線が１点に滞在する時間である。ショット時間条件から電子線の走査速度、すなわち、スキャン周波数を決めることができる。１つの主偏向領域Ａ１内において、ショット時間条件が同じであれば、スキャン周波数は同じになる。

【0052】

なお、近接効果は、レジストを透過して基板表面で散乱された後方散乱電子によりレジストが感光することによってパターン寸法誤差が生じる現象である。

【0053】

図２では、部分パターン４に設定されるショット時間条件の違いを、ハッチングの違いで表している。すなわち、同じショット時間が設定された部分パターン４には、同じハッチングを付している。

【0054】

図１に示す処理部５２は、パターンを描画するための処理を行う。処理部５２の機能は、各種プロセッサ（ＣＰＵ、ＤＳＰ等）などのハードウェアで、プログラムを実行することにより実現できる。処理部５２は、パターンデータ生成部５２０と、ソート処理部５２２と、を含む。

【0055】

パターンデータ生成部５２０は、パターンデータＤからショット時間条件が同じ部分パターン４を抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成する。

【0056】

ソート処理部５２２は、パターンデータ生成部５２０で生成された複数の部分パターン
データに含まれる部分パターン４を、描画順に配列して、記憶部５６に記憶する。

【0057】

パターンデータ生成部５２０の処理およびソート処理部５２２の処理の詳細については後述する「３． 電子線描画装置の動作」で説明する。

【0058】

２． クロック信号出力部
図３は、クロック信号出力部３４の構成を示す図である。

【0059】

クロック信号出力部３４は、図３に示すように、制御回路３４０と、クロック生成回路３４２と、を含む。

【0060】

制御回路３４０は、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数の情報を受け付ける。制御回路３４０は、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数に応じた周波数のクロック信号を生成するための設定データを生成する。制御回路３４０は、設定データをクロック生成回路３４２に設定する。これにより、クロック生成回路３４２は、スキャン周波数に応じた周波数のクロック信号を生成する。例えば、クロック生成回路３４２は、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数と同じ周波数のクロック信号を生成する。

【0061】

制御回路３４０は、設定データをクロック生成回路３４２に設定している間は、イネーブル信号を利用して、クロック生成回路３４２にクロック信号の生成を停止させる。制御回路３４０は、クロック生成回路３４２が生成したクロック信号を副偏向器制御部３５に出力する。

【0062】

クロック生成回路３４２は、クロック信号を生成する。クロック生成回路３４２は、例えば、ＰＬＬ回路である。

【0063】

なお、制御回路３４０とスキャン周波数演算部３３が、１つのＦＰＧＡ（field programmable gate array）で構成されていてもよい。

【0064】

３． 電子線描画装置の動作
電子線描画装置１００の動作について説明する。図４は、電子線描画装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。以下では、主偏向領域Ａ１にパターン２を描画する場合について説明する。

【0065】

描画制御部４０が、描画材料Ｍにパターン２を描画する処理を開始する指示を受け付けると、電子線描画装置１００を構成する各部を動作させる。

【0066】

まず、パターンデータ生成部５２０が、パターン２のパターンデータＤを取得する（Ｓ１００）。

【0067】

パターンデータ生成部５２０は、記憶部５６からパターン２のパターンデータＤを読み出す。パターンデータＤは、パターン２を構成する複数の部分パターン４のデータを含む。パターンデータ生成部５２０は、さらに、記憶部５６から描画条件を読み出す。描画条件は、複数の部分パターン４の各々に設定されたショット時間条件を含む。

【0068】

次に、パターンデータ生成部５２０は、パターンデータＤからショット時間条件が同じ部分パターン４を抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成する（Ｓ１０２）。

【0069】

図５は、パターンデータ生成部５２０の処理を説明するための図である。

【0070】

図５に示すように、パターンデータ生成部５２０は、パターン２からショット時間条件が同じ部分パターン４を抽出して、部分パターンデータを生成する。部分パターンデータは、同じショット時間条件に設定された部分パターン４のデータである。部分パターンデータは、部分パターンの位置の情報、部分パターンの形状の情報、および部分パターンのサイズの情報を含む。

【0071】

図５に示す例では、パターンデータＤから４つの部分パターンデータ（第１部分パターンデータＤ－１、第２部分パターンデータＤ－２、第３部分パターンデータＤ－３、および第４部分パターンデータＤ－４）が生成されている。

【0072】

第１部分パターンデータＤ－１は、パターン２を構成する複数の部分パターン４のうち、ショット時間が第１ショット時間に設定された部分パターン４のデータである。第２部分パターンデータＤ－２は、パターン２を構成する複数の部分パターン４のうち、ショット時間が第２ショット時間に設定された部分パターン４のデータである。第３部分パターンデータＤ－３は、パターン２を構成する複数の部分パターン４のうち、ショット時間が第３ショット時間に設定された部分パターン４のデータである。第４部分パターンデータＤ－４は、パターン２を構成する複数の部分パターン４のうち、ショット時間が第４ショット時間に設定された部分パターン４のデータである。

【0073】

次に、ソート処理部５２２は、部分パターンデータごとに部分パターン４を配列し、記憶部５６に記憶する（Ｓ１０４）。

【0074】

図６は、ソート処理部５２２の処理を説明するための図である。

【0075】

ソート処理部５２２は、図６に示すように、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４、第３部分パターンデータＤ－３に含まれる部分パターン４、第４部分パターンデータＤ－４に含まれる部分パターン４の順で、部分パターン４を配列する。

【0076】

すなわち、ソート処理部５２２は、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４を全て並べた後に、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４を全て並べる。また、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４を全て並べた後に、第３部分パターンデータＤ－３に含まれる部分パターン４を全て並べる。また、第３部分パターンデータＤ－３に含まれる部分パターン４を全て並べた後に、第４部分パターンデータＤ－４に含まれる部分パターン４を全て並べる。

【0077】

上記の処理により、部分パターン列６が生成される。部分パターン列６では、同じショット時間条件の部分パターン４が連続して配列される。すなわち、部分パターン列６では、同じスキャン周波数で描画される部分パターン４が連続して配列される。部分パターン列６のデータは、記憶部５６に記憶される。

【0078】

なお、図示はしないが、電子線描画装置１００は、部分パターン列６を記憶するための記憶部を、記憶部５６とは別に有していてもよい。例えば、電子線描画装置１００は、部分パターン列６を記憶するための専用の記憶部を有していてもよい。当該記憶部の機能は、ハードディスク、ＲＡＭなどにより実現されてもよい。

【0079】

スキャン周波数演算部３３は、部分パターン列６の１番目（Ｎ＝１）の部分パターン４のショット時間条件に基づいて、スキャン周波数を求める（Ｓ１０６）。

【0080】

スキャン周波数は、例えば、ビーム電流とショット時間から求めることができる。ビーム電流は、例えば、主偏向領域Ａ１の描画を行う前に測定される。ビーム電流は、例えば、主偏向領域Ａ１ごとに測定される。すなわち、１つの主偏向領域Ａ１内では、部分パターン４を描画するときのビーム電流の条件は、一定である。ビーム電流の情報は、描画条件に含まれ、記憶部５６に記憶されている。なお、スキャン周波数演算部３３は、スキャン周波数をショット時間条件のみから計算してもよいし、ショット時間条件だけでなくその他の描画条件を考慮して計算してもよい。

【0081】

スキャン周波数演算部３３がスキャン周波数を求めると、クロック信号出力部３４は、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数に応じた周波数のクロック信号を出力する。

【0082】

副偏向器制御部３５および主偏向器制御部３６は、偏向器１９に、部分パターン列６の１番目の部分パターン４を描画させる（Ｓ１０８）。

【0083】

例えば、まず、主偏向器制御部３６が、主偏向器１９ｂに、１番目の部分パターン４を含む副偏向領域Ａ２の原点位置に電子線を偏向させる。次に、副偏向器制御部３５が、副偏向器１９ａに、１番目の部分パターン４を描画させる。このとき、副偏向器制御部３５は、クロック信号に基づいて、副偏向器１９ａを動作させる。これにより、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数で、電子線が走査される。以上の処理により、１番目の部分パターン４を描画できる。

【0084】

次に、スキャン周波数演算部３３は、部分パターン列６の２番目（Ｎ＝２）の部分パターン４のショット時間条件に基づいて、スキャン周波数を求め（Ｓ１０６）、制御回路３４０は、求めたスキャン周波数を１つ前の描画時のスキャン周波数と比較し、異なる場合には、設定データをクロック生成回路３４２に設定し（スキャン周波数の切り替え）、同じ場合には、設定データをクロック生成回路３４２に設定せずに、１つ前の描画と同じクロック信号を用いる。副偏向器制御部３５および主偏向器制御部３６は、偏向器１９に、２番目の部分パターン４を描画させる（Ｓ１０８）。

【0085】

スキャン周波数の演算（Ｓ１０６）および描画処理（Ｓ１０８）が、部分パターン列６の最後の部分パターン４（Ｍ番目の部分パターン）に対して行われるまで（Ｎ＝Ｍとなるまで）、スキャン周波数の演算（Ｓ１０６）および描画処理（Ｓ１０８）が繰り返し行われる。

【0086】

副偏向器制御部３５および主偏向器制御部３６が、偏向器１９に、Ｍ番目の部分パターン４を描画させて、Ｍ番目の部分パターン４の描画が終了すると（Ｓ１０８のＹｅｓ）、描画制御部４０はパターン２を描画する処理を終了する。

【0087】

以上の処理により、主偏向領域Ａ１に、パターン２を描画できる。

【0088】

このように電子線描画装置１００では、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４が全て描画された後に、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４が全て描画される。同様に、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４が全て描画された後に、第３部分パターンデータＤ－３に含まれる部分パターン４が全て描画される。同様に、第３部分パターンデータＤ－３に含まれる部分パターン４が全て描画された後に、第４部分パターンデータＤ－４に含まれる部分パターン４が全て描画される。

【0089】

この結果、スキャン周波数の切り替え回数が３回となる。

【0090】

なお、ステージ２０で描画材料Ｍを移動させることによる主偏向領域Ａ１の移動と、図４に示す主偏向領域Ａ１へのパターンの描画を繰り返すことによって、主偏向領域Ａ１よりも広い領域に、パターンの描画を行うことができる。

【0091】

４． 作用効果
電子線描画装置１００では、パターンデータ生成部５２０は、パターンデータＤからショット時間条件が同じ部分パターン４を抽出することによって、複数の部分パターンデータを生成する。また、スキャン周波数演算部３３は、第１部分パターンデータＤ－１のショット時間条件に基づいて、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４を描画させるときのスキャン周波数である第１スキャン周波数を求める処理と、第２部分パターンデータＤ－２のショット時間条件に基づいて、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４を描画させるときのスキャン周波数である第２スキャン周波数を求める処理と、を行う。また、副偏向器制御部３５は、偏向器１９に、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４を前記第１スキャン周波数で描画させる処理と、偏向器１９に第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４を第２スキャン周波数で描画させる処理と、を行う。

【0092】

このように、電子線描画装置１００では、ショット時間条件が同じ部分パターン４を抽出することによって複数の部分パターンデータを生成し、部分パターンデータごとに部分パターン４を描画する。すなわち、電子線描画装置１００では、同じスキャン周波数で描画される部分パターン４が連続して描画される。そのため、電子線描画装置１００では、スキャン周波数を切り替える回数を少なくでき、描画のスループットを向上できる。

【0093】

図７は、パターン２を描画する方法の一例を示す図である。

【0094】

例えば、図７に示すように、１つの副偏向領域Ａ２内の部分パターン４を全て描画した後に、隣接する副偏向領域Ａ２内の部分パターン４を全て描画することを繰り返して、主偏向領域Ａ１にパターン２を描画する。この場合、副偏向領域Ａ２ごとに、部分パターン４の描画が行われる。このときの部分パターン列８を、図８に示す。

【0095】

副偏向領域Ａ２ごとに部分パターン４の描画を行う場合、図８に示すように、スキャン周波数を切り替える回数が多くなる。図８に示す例では、１つの部分パターン４を描画するごとにスキャン周波数を切り替えなければならない。

【0096】

これに対して、電子線描画装置１００では、上記のように、同じスキャン周波数で描画される部分パターン４が連続して描画されるため、副偏向領域Ａ２ごとに部分パターン４の描画を行う場合と比べて、スキャン周波数を切り替える回数を少なくできる。これにより、クロック信号出力部３４において、クロック信号の周波数を切り替える回数を少なくできる。したがって、電子線描画装置１００では、描画のスループットを向上できる。

【0097】

電子線描画装置１００では、副偏向器制御部３５および主偏向器制御部３６は、偏向器１９に、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる全ての部分パターン４を描画させた後に、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる全ての部分パターン４を描画させる。そのため、電子線描画装置１００では、スキャン周波数を切り替える回数を少なくでき、描画のスループットを向上できる。

【0098】

５． 変形例
５．１． 第１変形例
５．１．１． 電子線描画装置の構成
第１変形例に係る電子線描画装置は、クロック信号出力部３４の構成が上述した電子線描画装置１００と異なる。以下では、上述した電子線描画装置１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。

【0099】

図９は、第１変形例に係る電子線描画装置のクロック信号出力部３４の構成を示す図である。

【0100】

クロック信号出力部３４は、制御回路３４０と、第１クロック生成回路３４２ａと、第２クロック生成回路３４２ｂと、セレクター３４４と、を有している。

【0101】

第１クロック生成回路３４２ａは、低周波数のクロック信号を生成する回路である。第２クロック生成回路３４２ｂは、高周波数のクロック信号を生成する回路である。すなわち、第２クロック生成回路３４２ｂが生成するクロック信号の周波数は、第１クロック生成回路３４２ａが生成するクロック信号の周波数よりも高い。

【0102】

第１クロック生成回路３４２ａは、例えば、リングオシレーターである。第２クロック生成回路３４２ｂは、例えば、ＰＬＬ回路である。リングオシレーターでは、動作速度が、ディレイＩＣとロジック回路の遅延時間に依存するため、生成できるクロック信号の周波数は、例えば、１００ＭＨｚ以下である。これに対して、ＰＬＬ回路では、数ＧＨｚ程度の高い周波数のクロック信号を生成可能である。

【0103】

第２クロック生成回路３４２ｂのクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間は、第１クロック生成回路３４２ａのクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間よりも長い。

【0104】

切り替え時間とは、プログラム時間と安定時間の和である。プログラム時間とは、クロック生成回路に周波数を設定するための時間である。安定時間とは、クロック生成回路に周波数が設定されてから、クロック生成回路が設定された周波数のクロック信号を安定して出力するまでの時間である。ＰＬＬ回路の特性上、ＰＬＬ回路の切り替え時間は、リングオシレーターの切り替え時間よりも長い。

【0105】

第１クロック生成回路３４２ａおよび第２クロック生成回路３４２ｂは、セレクター３４４の入力に接続されている。

【0106】

セレクター３４４は、第１クロック生成回路３４２ａで生成されたクロック信号、または、第２クロック生成回路３４２ｂで生成されたクロック信号を選択する。セレクター３４４の動作は、制御回路３４０で制御される。セレクター３４４で選択されたクロック信号が、制御回路３４０から出力される。

【0107】

５．１．２． 電子線描画装置の動作
図１０は、第２変形例に係る電子線描画装置の動作の一例を示すフローチャートである。

【0108】

描画制御部４０は、描画を開始する前に、ファラデーカップ２２に電子線を照射し、電流計３８でビーム電流を計測する（Ｓ２００）。

【0109】

パターンデータ生成部５２０は、主偏向領域Ａ１に描画されるパターン２のパターンデータＤおよび描画条件を取得する（Ｓ２０２）。描画条件は、パターン２を構成する複数の部分パターン４の各々に設定されたショット時間条件を含む。

【0110】

スキャン周波数演算部３３は、複数の部分パターン４の各々について、ショット時間条件およびビーム電流に基づいてスキャン周波数を計算し、スキャン周波数の最大値を求める（Ｓ２０４）。

【0111】

描画制御部４０は、スキャン周波数の最大値と、あらかじめ設定された閾値と、を比較する（Ｓ２０６）。

【0112】

閾値は、例えば、第１クロック生成回路３４２ａで生成できるクロック信号の周波数の最大値に設定される。

【0113】

スキャン周波数の最大値が閾値以下の場合（Ｓ２０８のＹｅｓ）、パターンデータ生成部５２０は部分パターンデータを生成せずに、ソート処理部５２２が、例えば、副偏向領域Ａ２ごとに部分パターン４を配列して、図８に示す部分パターン列８を生成する。これにより、図７に示すように、副偏向領域Ａ２ごとに部分パターン４が描画される（Ｓ２１０）。

【0114】

具体的には、スキャン周波数演算部３３は、部分パターン列８の１番目の部分パターン４のショット時間条件に基づいて、スキャン周波数を求める。クロック信号出力部３４は、スキャン周波数演算部３３で求められたスキャン周波数に応じた周波数のクロック信号を出力する。このとき、クロック信号出力部３４では、セレクター３４４によって第１クロック生成回路３４２ａで生成されたクロック信号が選択される。副偏向器制御部３５および主偏向器制御部３６は、偏向器１９に、部分パターン列８の１番目の部分パターン４を描画させる。

【0115】

部分パターン列８の２番目以降の部分パターン４の描画も、１番目の部分パターン４の描画と同様に行われる。以上の処理により、主偏向領域Ａ１にパターン２を描画できる。

【0116】

スキャン周波数の最大値が閾値よりも大きい場合（Ｓ２０８のＮｏ）、パターンデータ生成部５２０は、図１１に示すように、パターンデータＤから、スキャン周波数が閾値以下の部分パターン４を抽出して、第１部分パターンデータＤ－１を生成する。また、パターンデータ生成部５２０は、パターンデータＤからスキャン周波数が閾値よりも大きい部分パターン４を抽出し、抽出された部分パターン４からショット時間条件ごとに部分パターン４を抽出して、複数の部分パターンデータ（第２部分パターンデータＤ－２、第３部分パターンデータＤ－３）を生成する（Ｓ２１２）。

【0117】

ソート処理部５２２は、部分パターンデータごとに部分パターン４を配列し、部分パターン列を生成する。ソート処理部５２２は、例えば、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４、第３部分パターンデータＤ－３に含まれる部分パターン４の順で、部分パターン４を配列する。

【0118】

なお、ソート処理部５２２は、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４、第３部分パターンデータＤ－３に含まれる部分パターン４、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４の順で、部分パターン４を配列してもよい。

【0119】

スキャン周波数演算部３３は、生成された部分パターン列の順にスキャン周波数を演算し、副偏向器制御部３５および主偏向器制御部３６は、生成された部分パターン列の順に部分パターン４を描画する（Ｓ２１４）。

【0120】

具体的には、スキャン周波数演算部３３は、部分パターン列の１番目の部分パターン４のショット時間条件に基づいて、スキャン周波数を求める。ここで、１番目の部分パターン４のスキャン周波数が閾値以下の場合、セレクター３４４によって第１クロック生成回路３４２ａで生成されたクロック信号が選択される。また、部分パターン列の１番目の部分パターン４のスキャン周波数が閾値よりも大きい場合、セレクター３４４によって第２クロック生成回路３４２ｂで生成されたクロック信号が選択される。副偏向器制御部３５および主偏向器制御部３６は、偏向器１９に、部分パターン列の１番目の部分パターン４を描画させる。

【0121】

部分パターン列の２番目以降の部分パターン４の描画も、１番目の部分パターン４の描画と同様に行われる。以上の処理により、主偏向領域Ａ１に、パターン２を描画できる。

【0122】

５．１．３． 作用効果
第１変形例に係る電子線描画装置では、クロック信号出力部３４は、第１クロック生成回路３４２ａと、第２クロック生成回路３４２ｂと、を有し、第２クロック生成回路３４２ｂが生成するクロック信号の周波数は、第１クロック生成回路３４２ａが生成するクロック信号の周波数よりも高く、第２クロック生成回路３４２ｂのクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間は、第１クロック生成回路３４２ａのクロック信号の周波数を切り替えるための切替時間よりも長い。

【0123】

そのため、第１変形例に係る電子線描画装置では、低スキャン周波数で描画する場合には、切り替え時間が短い第１クロック生成回路３４２ａを用いる。そのため、低スキャン周波数で描画する場合には、パターンデータ生成部５２０による部分パターンデータを生成する処理が不要となり、描画のスループットを向上できる。また、第１変形例に係る電子線描画装置では、高スキャン周波数で描画する場合には、上述した電子線描画装置１００と同様の動作を行うため、描画のスループットを向上できる。

【0124】

５．２． 第２変形例
第２変形例に係る電子線描画装置は、クロック信号出力部３４の構成が上述した電子線描画装置１００と異なる。以下では、上述した電子線描画装置１００の例および第１変形例に係る電子線描画装置の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。

【0125】

図９に示す第１変形例に係る電子線描画装置では、第１クロック生成回路３４２ａはリングオシレーターであり、第２クロック生成回路３４２ｂはＰＬＬ回路であった。

【0126】

これに対して、第２変形例に係る電子線描画装置では、第１クロック生成回路３４２ａおよび第２クロック生成回路３４２ｂは、ＰＬＬ回路である。以下、第２変形例に係る電子線描画装置について、図９を参照しながら説明する。

【0127】

クロック信号出力部３４では、第１クロック生成回路３４２ａおよび第２クロック生成回路３４２ｂに対して、それぞれ個別に周波数を設定できる。すなわち、第１クロック生成回路３４２ａがクロック信号を生成している間に、第２クロック生成回路３４２ｂに周波数を設定可能である。そのため、第２変形例に係る電子線描画装置では、スキャン周波数の切り替える際の待ち時間を短縮できる。

【0128】

例えば、図６に示す部分パターン列６を描画する場合、制御回路３４０は、第１クロック生成回路３４２ａに第１スキャン周波数に対応するクロック信号を生成させ、第１部分パターンデータＤ－１に含まれる部分パターン４が描画されている間に、第２クロック生成回路３４２ｂに第２スキャン周波数に対応する周波数を設定する処理を開始する。

【0129】

また、制御回路３４０は、第２クロック生成回路３４２ｂに第２スキャン周波数に対応するクロック信号を生成させて、第２部分パターンデータＤ－２に含まれる部分パターン４が描画されている間に、第１クロック生成回路３４２ａに第３スキャン周波数に対応する周波数を設定する処理を開始する。

【0130】

この処理を繰り返すことによって、スキャン周波数を切り替える際の待ち時間を短縮できる。

【0131】

なお、上記では、クロック生成回路が２つの場合について説明したが、クロック生成回路の数は２つ以上であってもよい。クロック生成回路の数を増やすことで、よりスキャン周波数を切り替える際の待ち時間を短縮できる。

【0132】

なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、適宜組み合わせることが可能である。

【0133】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成を含む。実質的に同一の構成とは、例えば、機能、方法、及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成である。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。

【符号の説明】

【0134】

２…パターン、４…部分パターン、６…部分パターン列、８…部分パターン列、１０…電子源、１１…加速電極、１２…ブランキング絞り、１３…ブランカー、１４…静電レンズ、１５ａ…コンデンサーレンズ、１５ｂ…コンデンサーレンズ、１６…対物絞り、１７…対物レンズ、１８…非点収差補正器、１９…偏向器、１９ａ…副偏向器、１９ｂ…主偏向器、２０…ステージ、２１…高さ測定器、２２…ファラデーカップ、３０…高電圧制御部、３１…ブランキング制御部、３２…レンズ制御部、３３…スキャン周波数演算部、３４…クロック信号出力部、３５…副偏向器制御部、３６…主偏向器制御部、３７…高さ測定制御部、３８…電流計、３９…ステージ制御装置、４０…描画制御部、５０…情報処理装置、５２…処理部、５４…操作部、５６…記憶部、１００…電子線描画装置、３４０…制御回路、３４２…クロック生成回路、３４２ａ…第１クロック生成回路、３４２ｂ…第２クロック生成回路、３４４…セレクター、５２０…パターンデータ生成部、５２２…ソート処理部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】