特許 7431780 センサ及び検査装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-02-06

(45)【発行日】2024-02-15

(54)【発明の名称】センサ及び検査装置

(51)【国際特許分類】

   G01R 33/09 20060101AFI20240207BHJP

   G01R 33/02 20060101ALI20240207BHJP

   H10N 50/10 20230101ALI20240207BHJP

   H01L 29/82 20060101ALI20240207BHJP

   A61B 5/245 20210101ALN20240207BHJP

   A61B 5/243 20210101ALN20240207BHJP

【ＦＩ】

G01R33/09

G01R33/02 R

H10N50/10 Z

H01L29/82 Z

A61B5/245

A61B5/243

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2021129777

(22)【出願日】2021-08-06

(65)【公開番号】P2023023866

(43)【公開日】2023-02-16

【審査請求日】2023-03-13

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成３０年度、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、「戦略的イノベーション創造プログラム（ＳＩＰ）第２期／フィジカル空間デジタルデータ処理基盤／サブテーマＩＩ：超低消費電力ＩｏＴデバイス・革新的センサ技術／超高感度センサシステムの研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】喜々津 哲

(72)【発明者】

【氏名】白鳥 聡志

(72)【発明者】

【氏名】東 祥弘

(72)【発明者】

【氏名】黒崎 義成

【審査官】永井 皓喜

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－２０７１６７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１５５７１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－２５８２０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｒ ３３／０９

Ｇ０１Ｒ ３３／０２

Ｈ１０Ｎ ５０／１０

Ａ６１Ｂ ５／２４５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１素子及び第２素子を含む素子部であって、前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれは、第１磁気素子及び第１導電部材を含む、前記素子部と、
制御回路部であって、前記制御回路部は、
前記第１導電部材に交流成分を含む第１電流を供給可能な第１電流回路と、
前記第１素子の前記第１磁気素子の第１電気抵抗の変化に対応する第１信号と、前記第２素子の前記第１磁気素子の第２電気抵抗の変化に対応する第２信号と、の差に対応する差信号を出力可能な差動回路と、
前記交流成分を参照して前記差信号を位相検波することで検出対象から生じる検出磁界を検出可能な検波回路と、
を備え、
前記第１電気抵抗は、前記第１電流に対して偶関数状で変化し、前記第２電気抵抗は前記第１電流に対して偶関数状で変化する、センサ。

【請求項2】

前記制御回路部は、前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれの前記第１磁気素子に素子電流を供給可能な素子電流回路をさらに含み、
前記第１磁気素子は、一端部及び他端部を含み、前記素子電流は、前記一端部から前記他端部へ流れ、
前記第１導電部材は、前記一端部に対応する第１導電部材一部と、前記他端部に対応する第１導電部材他部と、を含み、
前記第１電流は、前記第１導電部材一部から前記第１導電部材他部への向き、または、第１導電部材他部から前記第１導電部材一部への向きを有する、請求項１に記載のセンサ。

【請求項3】

前記第１磁気素子は、
第１磁性層と
第１対向磁性層と、
前記第１磁性層と前記第１対向磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
を含み、
前記第１対向磁性層から前記第１磁性層への第２方向は、前記第１磁気素子の一端部から前記第１磁気素子の他端部への第１方向と交差した、請求項２に記載のセンサ。

【請求項4】

前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれは、
第２磁気素子及び第２導電部材と、
第１抵抗素子と、
第２抵抗素子と、
をさらに含み、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第１抵抗素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の一端部は、前記第１磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第２抵抗素子の一端部は、前記第１抵抗素子の他端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第２抵抗素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１電流回路は、前記第２導電部材に前記第１電流を供給可能であり、
前記制御回路部は、検出回路をさらに含み、
前記検出回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第１素子の前記第１抵抗素子の前記他端部と、の間の第１電位の変化を前記第１信号として検出可能であり、
前記検出回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第２素子の前記第１抵抗素子の前記他端部と、の間の第２電位の変化を前記第２信号として検出可能である、請求項１に記載のセンサ。

【請求項5】

前記制御回路部は、素子電流回路をさらに含み、
前記素子電流回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第１素子の前記第１抵抗素子の前記一端部との間の接続点と、前記第１素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第１素子の前記第２抵抗素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記素子電流回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第２素子の前記第１抵抗素子の前記一端部との間の接続点と、前記第２素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第２素子の前記第２抵抗素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能である、請求項４に記載のセンサ。

【請求項6】

前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれは、
第２磁気素子及び第２導電部材と、
第３磁気素子及び第３導電部材と、
第４磁気素子及び第４導電部材と、
をさらに含み、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の一端部は、前記第１磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第４磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１電流回路は、前記第２導電部材、前記第３導電部材及び前記第４導電部材に前記第１電流を供給可能であり、
前記制御回路部は、検出回路をさらに含み、
前記検出回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第１素子の前記第３磁気素子の前記他端部と、の間の第１電位の変化を前記第１信号として検出可能であり、
前記検出回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第２素子の前記第３磁気素子の前記他端部と、の間の第２電位の変化を前記第２信号として検出可能である、請求項１に記載のセンサ。

【請求項7】

前記制御回路部は、素子電流回路をさらに含み、
前記素子電流回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第１素子の前記第３磁気素子の前記一端部との間の接続点と、前記第１素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第１素子の前記第４磁気素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記素子電流回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第２素子の前記第３磁気素子の前記一端部との間の接続点と、前記第２素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第２素子の前記第４磁気素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能である、請求項６に記載のセンサ。

【請求項8】

前記第１導電部材は、前記第１磁気素子の前記一端部に対応する第１導電部材一部と、前記第１磁気素子の前記他端部に対応する第１導電部材他部と、を含み、
前記第２導電部材は、前記第２磁気素子の前記一端部に対応する第２導電部材一部と、前記第２磁気素子の前記他端部に対応する第２導電部材他部と、を含み
前記第３導電部材は、前記第３磁気素子の前記一端部に対応する第３導電部材一部と、前記第３磁気素子の前記他端部に対応する第３導電部材他部と、を含み、
前記第４導電部材は、前記第４磁気素子の前記一端部に対応する第４導電部材一部と、前記第４磁気素子の前記他端部に対応する第４導電部材他部と、を含み
前記第１電流が前記第１導電部材他部から前記第１導電部材一部への向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材一部から前記第２導電部材他部への向きに流れ、前記第１電流は前記第３導電部材一部から前記第３導電部材他部への向きに流れ、前記第１電流は前記第４導電部材他部から前記第４導電部材一部への向きに流れる、請求項６または７に記載のセンサ。

【請求項9】

前記差動回路の少なくとも一部は、アナログ回路に含まれ、
前記検波回路の少なくとも一部は、ＦＰＧＡに含まれる、請求項１～８のいずれか１つに記載のセンサ。

【請求項10】

請求項１～９のいずれか１つに記載のセンサと、
前記センサから出力される信号を処理可能な処理部と、
を備えた検査装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、センサ及び検査装置に関する。

【背景技術】

【0002】

磁性層を用いたセンサがある。センサを用いた検査装置がある。センサにおいて、特性の向上が望まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－１５５７１９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

実施形態は、特性の向上が可能なセンサ及び検査装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態によれば、センサは、素子部及び制御回路部を含む。前記素子部は、第１素子及び第２素子を含む。前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれは、第１磁気素子及び第１導電部材を含む。前記制御回路部は、第１電流回路、差動回路及び検波回路を含む。前記第１電流回路は、前記第１導電部材に交流成分を含む第１電流を供給可能である。前記差動回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の第１電気抵抗の変化に対応する第１信号と、前記第２素子の前記第１磁気素子の第２電気抵抗の変化に対応する第２信号と、の差に対応する差信号を出力可能である。前記検波回路は、前記交流成分を参照して前記差信号を位相検波可能である。前記第１電気抵抗は、前記第１電流に対して偶関数状で変化し、前記第２電気抵抗は前記第１電流に対して偶関数状で変化する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。

【図2】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサの特性を例示する模式図である。

【図3】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサの特性を例示する模式図である。

【図4】図４（ａ）～図４（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサの特性を例示するグラフ図である。

【図5】図５は、参考例に係るセンサを例示する模式図である。

【図6】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、センサの特性を例示する模式図である。

【図7】図７（ａ）～図７（ｈ）は、センサの特性を例示する模式図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的斜視図である。

【図9】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。

【図10】図１０は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。

【図11】図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。

【図12】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。

【図13】図１３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。

【図14】図１４は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的斜視図である。

【図15】図１５は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的平面図である。

【図16】図１６は、第２実施形態に係るセンサ及び検査装置を示す模式図である。

【図17】図１７は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１に示すように、実施形態に係るセンサ１１０は、素子部１０Ｕ及び制御回路部７０を含む。素子部１０Ｕは、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂを含む。第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれは、第１磁気素子１１Ｅ及び第１導電部材２１を含む。

【0009】

制御回路部７０は、第１電流回路７１、差動回路７２及び検波回路７４を含む。第１電流回路７１は、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれの第１導電部材２１に第１電流Ｉ１を供給可能である。第１電流Ｉ１は、交流成分を含む。第１電流Ｉ１は、例えば交流電流である。

【0010】

第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅから、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの第１電気抵抗の変化に対応する第１信号Ｓ１が得られる。第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅから、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの第２電気抵抗の変化に対応する第２信号Ｓ２が得られる。

【0011】

差動回路７２に、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２が供給される。差動回路７２は、差信号Ｓ３を出力可能である。差信号Ｓ３は、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの第１電気抵抗の変化に対応する第１信号Ｓ１と、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの第２電気抵抗の変化に対応する第２信号Ｓ２と、の差に対応する。

【0012】

検波回路７４は、交流成分を参照して差信号Ｓ３を位相検波可能である。この例では、第１電流回路７１から、第１電流Ｉ１の交流成分に対応する参照信号Ｒｆ１が検波回路７４に供給される。検波回路７４に差信号Ｓ３が供給される。検波回路７４は、参照信号Ｒｆ１に基づいて差信号Ｓ３を検波して、出力信号Ｓｇ１を出力する。

【0013】

第１電気抵抗は、第１電流Ｉ１に対して偶関数状で変化する。第２電気抵抗は、第１電流Ｉ１に対して偶関数状で変化する。第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅ及び第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅは、例えば、偶関数素子である。このような第１磁気素子１１Ｅと組み合わされる第１導電部材２１に交流成分を含む第１電流Ｉ１が供給される。これにより、検出対象８０の検出磁界をより高い精度で検出することができる。

【0014】

図１に示すように、例えば、制御回路部７０は、素子電流回路７５をさらに含んでも良い。素子電流回路７５は、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれの第１磁気素子１１Ｅに素子電流Ｉｄを供給可能である。素子電流Ｉｄを用いて、第１素子１０Ａから、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの第１電気抵抗の変化に対応する第１信号Ｓ１が得られる。素子電流Ｉｄを用いて、第２素子１０Ｂから、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの第２電気抵抗の変化に対応する第２信号Ｓ２が得られる。

【0015】

例えば、素子電流回路７５と、第１素子１０Ａの第１磁性素子１１Ｅとの接続点に第１信号Ｓ１が生じる。例えば、素子電流回路７５と、第２素子１０Ｂの第１磁性素子１１Ｅとの接続点に第２信号Ｓ２が生じる。第１素子１０Ａの第１磁性素子１１Ｅの他部、及び、第２素子１０Ｂの第１磁性素子１１Ｅの他部は、例えば、グランド電位に設定される。

【0016】

図１は、素子部１０Ｕを例示している。第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第１磁気素子１１Ｅは、一端部１１Ｅｅ及び他端部１１Ｅｆを含む。素子電流Ｉｄは、一端部１１Ｅｅから他端部１１Ｅｆへ流れる。第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第１導電部材２１は、第１導電部材一部２１ｅ及び第１導電部材他部２１ｆを含む。第１導電部材一部２１ｅは、第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅに対応する。第１導電部材他部２１ｆは、第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆに対応する。

【0017】

例えば、一端部１１Ｅｅから他端部１１Ｅｆへの第１方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。

【0018】

第１電流Ｉ１は、第１導電部材一部２１ｅから第１導電部材他部２１ｆへの向き、または、第１導電部材他部２１ｆから第１導電部材一部２１ｅへの向きを有する。第１電流Ｉ１は、Ｘ軸方向に沿う成分を含む。このような構成の第１導電部材２１と第１磁気素子１１Ｅとが組み合わされる。第１磁気素子１１Ｅにおいて、第１電流Ｉ１に対して偶関数状の電気抵抗の変化が得られる。

【0019】

以下、第１導電部材２１に第１電流Ｉ１が流れたときの第１磁気素子１１Ｅの電気抵抗の変化の例について説明する。以下の説明は、後述する第２～第４磁気素子に適用できる。

【0020】

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサの特性を例示する模式図である。
これらの図の横軸は、第１導電部材２１に流れる第１電流Ｉ１の値に対応する。縦軸は、第１磁気素子１１Ｅの電気抵抗Ｒｘである。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、実施形態において、電気抵抗Ｒｘは、第１電流Ｉ１の変化に対して偶関数の特性を示す。

【0021】

例えば、第１磁気素子１１Ｅの電気抵抗Ｒｘは、第１導電部材２１に第１値電流Ｉａ１が供給されたときに第１値Ｒ１である。電気抵抗Ｒｘは、第１導電部材２１に第２値電流Ｉａ２が供給されたときに第２値Ｒ２である。電気抵抗Ｒｘは、第１導電部材２１に第３値電流Ｉａ３が供給されたときに第３値Ｒ３である。第１値電流Ｉａ１の絶対値は、第２値電流Ｉａ２の絶対値よりも小さく、第３値電流Ｉａ３の絶対値よりも小さい。第１値電流Ｉａ１は、例えば、実質的に０で良い。第２値電流Ｉａ２の向きは、第３値電流Ｉａ３の向きと逆である。

【0022】

図２（ａ）の例では、第１値Ｒ１は、第２値Ｒ２よりも低く、第３値Ｒ３よりも低い。第１値Ｒ１は、例えば、電気抵抗の最低値である。図２（ｂ）の例では、第１値Ｒ１は、第２値Ｒ２よりも高く、第３値Ｒ３よりも高い。第１値Ｒ１は、例えば、電気抵抗の最高値である。

【0023】

例えば、第１導電部材２１に電流が流れないときに、電気抵抗Ｒｘは、第４値Ｒ４である。例えば、第１値Ｒ１は、電流が流れないときの第４値Ｒ４と実質的に同じで良い。例えば、第１値Ｒ１と第４値Ｒ４との差の絶対値の第４値Ｒ４に対する比は、０．０１以下である。比は、０．００１以下でも良い。正負の電流に対して、実質的に偶関数の特性が得られる。

【0024】

このような第１電流Ｉ１と電気抵抗Ｒｘとの間の関係は、第１電流Ｉ１による磁界が第１磁気素子１１Ｅに印加され、第１磁気素子１１Ｅの電気抵抗Ｒｘが磁界の強さに応じて変化することに基づく。

【0025】

第１磁気素子１１Ｅに外部磁界が印加されたときの電気抵抗Ｒｘも、図２（ａ）または図２（ｂ）に示した例と同様に偶関数の特性を示す。外部磁界は、例えば、Ｚ軸方向に沿う成分を含む。

【0026】

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサの特性を例示する模式図である。
これらの図の横軸は、第１磁気素子１１Ｅに印加される外部磁界Ｈｅｘの強度である。縦軸は、第１磁気素子１１Ｅの電気抵抗Ｒｘである。これらの図は、Ｒ－Ｈ特性に対応する。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、電気抵抗Ｒｘは、第１磁気素子１１Ｅに印加される磁界（外部磁界Ｈｅｘ、例えば、Ｚ軸方向の成分を含む磁界）に対して偶関数の特性を有する。

【0027】

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、第１磁気素子１１Ｅの電気抵抗Ｒｘは、第１磁気素子１１Ｅに第１磁界Ｈｅｘ１が印加されたときに第１値Ｒ１である。電気抵抗Ｒｘは、第１磁気素子１１Ｅに第２磁界Ｈｅｘ２が印加されたときに第２値Ｒ２である。電気抵抗Ｒｘは、第１磁気素子１１Ｅに第３磁界Ｈｅｘ３が印加されたときに第３値Ｒ３である。第１磁界Ｈｅｘ１の絶対値は、第２磁界Ｈｅｘ２の絶対値よりも小さく、第３磁界Ｈｅｘ３の絶対値よりも小さい。第２磁界Ｈｅｘ２の向きは、第３磁界Ｈｅｘ３の向きと逆である。

【0028】

図３（ａ）の例では、第１値Ｒ１は、第２値Ｒ２よりも低く、第３値Ｒ３よりも低い。図３（ｂ）の例では、第１値Ｒ１は、第２値Ｒ２よりも高く、第３値Ｒ３よりも高い。例えば、第１磁気素子１１Ｅに外部磁界Ｈｅｘが印加されないときに、電気抵抗Ｒｘは、第４値Ｒ４である。第１値Ｒ１は、外部磁界Ｈｅｘが印加されないときの第４値Ｒ４と実質的に同じである。例えば、第１値Ｒ１と第４値Ｒ４との差の絶対値の第４値Ｒ４に対する比は、０．０１以下である。比は、０．００１以下でも良い。正負の外部磁界に対して、実質的に偶関数の特性が得られる。

【0029】

このような偶関数の特性を利用して、以下のように、高感度の検出が可能である。
以下では、第１電流Ｉ１は交流電流であり、直流成分を実質的に含まない場合の例について説明する。第１導電部材２１に第１電流Ｉ１（交流電流）が供給され、交流電流による交流磁界が第１磁気素子１１Ｅに印加される。このときの電気抵抗Ｒｘの変化の例について説明する。

【0030】

図４（ａ）～図４（ｃ）は、第１実施形態に係るセンサの特性を例示するグラフ図である。
図４（ａ）は、第１磁気素子１１Ｅに印加される信号磁界Ｈｓｉｇ（外部磁界）が０のときの特性を示す。図４（ｂ）は、信号磁界Ｈｓｉｇが正のときの特性を示す。図４（ｃ）は、信号磁界Ｈｓｉｇが負のときの特性を示す。これらの図は、磁界Ｈと抵抗Ｒ（電気抵抗Ｒｘに対応）との関係を示す。

【0031】

図４（ａ）に示すように、信号磁界Ｈｓｉｇが０のときは、抵抗Ｒは、正負の磁界Ｈに対して対称な特性を示す。交流磁界Ｈａｃがゼロのときに、抵抗Ｒは、低い抵抗Ｒｏである。例えば、第１磁気素子１１Ｅに含まれる磁性層の磁化が、正負の磁界Ｈに対して実質的に同じように回転する。このため、対称な抵抗の変化が得られる。交流磁界Ｈａｃに対する抵抗Ｒの変動は、正負の極性で同じ値になる。抵抗Ｒの変化の周期は、交流磁界Ｈａｃの周期の１／２倍となる。抵抗Ｒの変化の周波数は、交流磁界Ｈａｃの周波数の２倍となる。抵抗Ｒの変化は、交流磁界Ｈａｃの周波数成分を実質的に有しない。

【0032】

図４（ｂ）に示すように、正の信号磁界Ｈｓｉｇが加わると、抵抗Ｒの特性は、正の磁界Ｈの側にシフトする。正側の交流磁界Ｈａｃにおいて、例えば抵抗Ｒが高くなる。負側の交流磁界Ｈａｃにおいて、抵抗Ｒは低くなる。

【0033】

図４（ｃ）に示すように、負の信号磁界Ｈｓｉｇが加わると、抵抗Ｒの特性は、負の磁界Ｈの側にシフトする。正側の交流磁界Ｈａｃにおいて、例えば、抵抗Ｒが低くなる。負側の交流磁界Ｈａｃにおいて、抵抗Ｒは高くなる。

【0034】

所定の大きさの信号磁界Ｈｓｉｇが加わったときに、交流磁界Ｈａｃの正負に対して、互いに異なる抵抗Ｒの変動が生じる。交流磁界Ｈａｃの正または負に対する抵抗Ｒの変動の周期は、交流磁界Ｈａｃの周期と同じである。したがって、出力電圧における交流磁界Ｈａｃの周波数成分が、信号磁界Ｈｓｉｇに応じた出力電圧となる。

【0035】

信号磁界Ｈｓｉｇが時間的に変化しない場合に上記の特性が得られる。信号磁界Ｈｓｉｇが交流磁界Ｈａｃよりも低い周波数で時間的に変化する場合は、以下となる。信号磁界Ｈｓｉｇの周波数を信号周波数ｆｓｉｇとする。交流磁界Ｈａｃの周波数を交流周波数ｆａｃとする。このとき、ｆａｃ±ｆｓｉｇの周波数において、信号磁界Ｈｓｉｇに応じた出力が発生する。

【0036】

信号磁界Ｈｓｉｇが時間的に変化する場合において、信号周波数ｆｓｉｇは、例えば、１ｋＨｚ以下である。一方、交流周波数ｆａｃは、信号周波数ｆｓｉｇよりも十分に高い。例えば、交流周波数ｆａｃは、信号周波数ｆｓｉｇの１０倍以上である。

【0037】

例えば、交流磁界Ｈａｃの周波数と同じ周波数の成分（交流周波数成分）の出力電圧を抽出することで、信号磁界Ｈｓｉｇを高い精度で検出できる。実施形態に係るセンサ１１０においては、このような特性を利用して、検出対象８０から生じる外部磁界Ｈｅｘ（信号磁界Ｈｓｉｇ）を高い感度で検出することができる。

【0038】

このような特性は、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂにおいて得られる。第１素子１０Ａの位置、第２素子１０Ｂの位置とは異なる。検出対象８０からの距離は、第１素子１０Ａと第２素子１０Ｂとの間において異なる。例えば、第１素子１０Ａは、検出対象８０から遠く、第２素子１０Ｂは、検出対象８０に近い。この場合、第１素子１０Ａには、検出対象から生じる検出磁界（例えば信号磁界Ｈｓｉｇ）は低い強度で印加される。一方、第２素子１０Ｂには、検出対象８０から生じる検出磁界（例えば信号磁界Ｈｓｉｇ）が高い強度で印加される。

【0039】

このような第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂから得られる信号の差を検出することで、検出対象８０から生じる検出信号以外の磁界（例えばノイズ）を効果的に除去できる。目的とする検出対象８０から生じる検出信号がより高い精度で検出できる。

【0040】

上記のように、実施形態においては、まず、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの第１電気抵抗の変化に対応する第１信号Ｓ１と、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの第２電気抵抗の変化に対応する第２信号Ｓ２と、の差に対応する差信号Ｓ３が導出される。その後、交流成分を参照して差信号Ｓ３が位相検波される。これにより、よりノイズを抑制できる。特性の向上が可能なセンサを提供できる。

【0041】

一方、参考例として、まず、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２のそれぞれを位相検波して得られる２つの信号の差を導出する構成が考えられる。この場合、ノイズの低減が十分ではないことが分かった。以下、参考例について説明する。

【0042】

図５は、参考例に係るセンサを例示する模式図である。
図５に示すように、参考例に係るセンサ１１９においても、素子部１０Ｕ及び制御回路部７０が設けられる。センサ１１９においては、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの第１電気抵抗の変化に対応する第１信号Ｓ１が検波回路７４Ａにより検波されて検波信号Ｓ４ａが得られる。第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの第２電気抵抗の変化に対応する第２信号Ｓ２が検波回路７４Ｂにより検波されて検波信号Ｓ４ｂが得られる。差動回路７２により、検波信号Ｓ４ａ及び検波信号Ｓ４ｂの差に対応する出力信号Ｓｇ２が導出される。

【0043】

以下、実施形態に係るセンサ１１０及び参考例に係るセンサ１１９における特性の例について説明する。

【0044】

図６（ａ）及び図６（ｂ）は、センサの特性を例示する模式図である。
図６（ａ）は、センサ１１０に対応する。図６（ｂ）は、センサ１１９に対応する。これらの図の横軸は時間ｔｍである。

【0045】

図６（ａ）に示すように、センサ１１０において、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２のそれぞれは、例えば、大きい振幅の成分と、小さい振幅の成分と、を含む。大きい振幅の成分は、検出対象８０に応じた信号が交流磁界Ｈａｃで変調された信号である。小さい振幅の成分は、例えば第１電流Ｉ１に含まれるノイズ（ＡＣノイズ）である。第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２のそれぞれに含まれるＡＣノイズは同相である。このため、センサ１１０において、差信号Ｓ３では、ＡＣノイズは減少する。差信号Ｓ３を交流磁界Ｈａｃの参照信号で位相検波して得られる出力信号Ｓｇ１において、ＡＣノイズは小さい。復調して得られる出力信号Ｓｇ１において、ＡＣノイズを低減できる。

【0046】

図６（ｂ）に示すように、センサ１１９においても、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２のそれぞれは、例えば、大きい振幅の成分（検出対象８０が交流磁界Ｈａｃで変調された信号に対応）と、小さい振幅の成分（ＡＣノイズ）と、を含む。センサ１１９においては、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２がそれぞれ交流磁界Ｈａｃの参照信号で位相検波されて、検波信号Ｓ４ａ及び検波信号Ｓ４ｂが導出される。検波信号Ｓ４ａ及び検波信号Ｓ４ｂのそれぞれは、ＡＣノイズを含んで復調される。復調課程を経ているため、ＡＣノイズに対応する成分は、検波信号Ｓ４ａ及び検波信号Ｓ４ｂにおいて同相ではない。このため、検波信号Ｓ４ａ及び検波信号Ｓ４ｂの差に対応する出力信号Ｓｇ２において、ＡＣノイズに対応する成分が残る。センサ１１９においては、出力信号Ｓｇ２において、ＡＣノイズを低減することが困難である。

【0047】

このように、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２の差に対応する差信号Ｓ３を求めた後で差信号Ｓ３を位相検波することでノイズをより低減できる。信号処理の順番が逆の参考例では低減が困難な第１電流Ｉ１に含まれるＡＣノイズを効果的に低減できる。実施形態において、第１電流Ｉ１が第１導電部材２１に供給される構成において生じるＡＣノイズを低減できるという、特別な効果が得られる。特性の向上が可能なセンサを提供できる。

【0048】

図７（ａ）～図７（ｈ）は、センサの特性を例示する模式図である。
図７（ａ）～図７（ｄ）は、センサ１１０に対応する。図７（ｅ）～図７（ｈ）は、センサ１１９に対応する。これらの図は、ＦＦＴ（Fast Fourier Transform）処理信号に対応する。これらの図の横軸は周波数ｆｒである。これらの図の縦軸は、信号強度ＳＳに対応する。

【0049】

図７（ａ）に示すように、センサ１１０において、検出対象８０の信号磁界Ｈｓｉｇに加えて、ノイズＮ１が存在する。ノイズＮ１は、例えば環境に存在するノイズである。

【0050】

図７（ｂ）に示すように、交流成分を含む第１電流Ｉ１により、信号磁界Ｈｓｉｇが変換され、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２が得られる。これらの信号は、第１電流Ｉ１に含まれるＡＣノイズＮ２を含む。

【0051】

図７（ｃ）に示すように、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２の差に対応する差信号Ｓ３において、ＡＣノイズＮ２が低減する。

【0052】

図７（ｄ）に示すように、差信号Ｓ３を位相検波して得られる出力信号Ｓｇ１において、ＡＣノイズＮ２が抑制される。

【0053】

図７（ｅ）に示すように、センサ１１９においても、検出対象８０の信号磁界Ｈｓｉｇに加えて、ノイズＮ１が存在する。

【0054】

図７（ｆ）に示すように、交流成分を含む第１電流Ｉ１により、信号磁界Ｈｓｉｇが変換され、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２が得られる。これらの信号は、第１電流Ｉ１に含まれるＡＣノイズＮ２を含む。

【0055】

図７（ｇ）に示すように、第１信号Ｓ１及び第２信号Ｓ２のそれぞれを位相検波して得られる検波信号Ｓ４ａ及び検波信号Ｓ４ｂにおいては、ノイズＮ２を含む。

【0056】

図７（ｈ）に示すように、検波信号Ｓ４ａ及び検波信号Ｓ４ｂの差に対応する出力信号Ｓｇ２において、ＡＣノイズＮ２が残る。センサ１１９においては、ＡＣノイズＮ２の低減が困難である。

【0057】

このように、例えば、第１電流Ｉ１に基づく交流磁界が磁気素子に印加される。これにより、検出磁界が高周波領域へ変調される。第１電流Ｉ１にノイズ（例えばＡＣノイズＮ２）が含まれる場合がある。この場合、検出磁界と共にＡＣノイズＮ２も高周波領域に変調される。

【0058】

参考例においては、ＡＣノイズＮ２を含む変調信号が検波(復調)される。復調信号に、ＡＣノイズＮ２が残る。第１素子１０Ａと第２素子１０Ｂとで、復調されたＡＣノイズＮ２の位相が互いに異なる。このため、その後の差動処理において、ＡＣノイズＮ２は、除去できない。このため、参考例においては、検出信号にＡＣノイズＮ２が残る。ノイズが大きい。

【0059】

一方、実施形態においては、第１素子１０Ａと第２素子１０Ｂとで、ＡＣノイズＮ２の位相が同じである。ＡＣノイズＮ２を含む変調信号が差動処理される。これにより、ＡＣノイズＮ２が除去される。その後、ＡＣノイズＮ２が低減された差信号Ｓ３が検波(復調)される。このため、実施形態においては、出力信号Ｓｇ１において、ＡＣノイズＮ２が低減される。

【0060】

実施形態によれば、例えば、ノイズを抑制した検出が可能になる。実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサを提供できる。

【0061】

以下、実施形態に係る素子部１０Ｕのいくつかの例について説明する。

【0062】

図８は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的斜視図である。
図８に示すように、第１素子１０Ａにおいて、第１磁気素子１１Ｅは、第１磁性層１１、第１対向磁性層１１ｏ及び第１非磁性層１１ｎを含む。第１非磁性層１１ｎは、第１磁性層１１と第１対向磁性層１１ｏとの間に設けられる。

【0063】

第１対向磁性層１１ｏから第１磁性層１１への第２方向は、第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅから第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆへの第１方向と交差する。第１方向は、例えば、Ｘ軸方向である。第２方向は、例えば、Ｙ軸方向である。

【0064】

第１磁性層１１の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う長さを長さＬ１とする。第１磁性層１１の第３方向に沿う長さを長さｗ１とする。第３方向は、第１方向及び第２方向を含む平面と交差する。第３方向は、例えばＺ軸方向である。

【0065】

第１磁性層１１の第２方向（Ｙ軸方向）に沿う長さを長さｔ１とする。長さＬ１は、長さｔ１よりも長い。長さｗ１は、例えば、長さｔ１よりも長い。実施形態において、長さＬ１は、例えば、０．１μｍ以上１０ｍｍ以下である。長さｗ１は、例えば、０．０１μｍ以上１ｍｍ以下である。長さｔ１は、例えば、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。良好な偶関数状の特性が得易い。

【0066】

例えば、第１磁性層１１及び第１対向磁性層１１ｏは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第１非磁性層１１ｎは、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１磁気素子１１Ｅは、例えば、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance）素子である。第１磁気素子１１Ｅは、例えば、ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistance）素子でも良い。

【0067】

図８に示すように、第２素子１０Ｂにおいて、第１素子１０Ａと同様な構成が適用されてよい。

【0068】

図８に示すように、第２素子１０Ｂは、第１素子１０Ａと第３方向（例えばＺ軸方向）において離れている。例えば、第１素子１０Ａの第３方向（Ｚ軸方向）における位置は、第２素子１０Ｂの第３方向における位置とは異なる。例えば、検出対象８０と第１素子１０Ａとの間の第３方向に沿う距離は、検出対象８０と第２素子１０Ｂとの間の第３方向に沿う距離とは異なる。例えば、第１素子１０Ａと第２素子１０Ｂとの間で、検出対象８０に基づく磁界の強度が異なる。第１素子１０Ａと第２素子１０Ｂとの間で、ノイズＮ１は実質的に同じである。

【0069】

実施形態において、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれは、ハーフブリッジまたはフルブリッジを含んでも良い。

【0070】

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
これらの図は、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれの構成の例を示している。第２素子１０Ｂの構成は、第１素子１０Ａの構成と同様である。既に説明したように、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれは、第１磁気素子１１Ｅ及び第１導電部材２１を含む。

【0071】

図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、センサ１１１において、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれは、第２磁気素子１２Ｅ、第２導電部材２２、第１抵抗素子１１Ｒ及び第２抵抗素子１２Ｒをさらに含む。図９（ａ）及び図９（ｂ）においては、図を見やすくするために、これらの要素が別の図として描かれている。

【0072】

図９（ａ）に示すように、第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅは、第１抵抗素子１１Ｒの一端部１１Ｒｅと電気的に接続される。第２磁気素子１２Ｅの一端部１２Ｅｅは、第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆと電気的に接続される。第２抵抗素子１２Ｒの一端部１２Ｒｅは、第１抵抗素子１１Ｒの他端部１１Ｒｆと電気的に接続される。第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆは、第２抵抗素子１２Ｒの他端部１２Ｒｆと電気的に接続される。

【0073】

第１磁気素子１１Ｅ、第２磁気素子１２Ｅ、第１抵抗素子１１Ｒ及び第２抵抗素子１２Ｒはブリッジ接続される。

【0074】

図９（ａ）に示すように、制御回路部７０は、検出回路７３をさらに含んでも良い。検出回路７３は、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆ（例えば接続点ＣＰ３）と、第１素子１０Ａの第１抵抗素子１１Ｒの他端部１１Ｒｆ（例えば接続点ＣＰ４）と、の間の第１電位の変化を第１信号Ｓ１として検出可能である。検出回路７３は、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆ（例えば接続点ＣＰ３）と、第２素子１０Ｂの第１抵抗素子１１Ｒの他端部１１Ｒｆ（例えば接続点ＣＰ４）と、の間の第２電位の変化を第２信号Ｓ２として検出可能である。

【0075】

図９（ａ）に示すように、例えば、制御回路部７０は、素子電流回路７５をさらに含んでも良い。素子電流回路７５は、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅと第１素子１０Ａの第１抵抗素子１１Ｒの一端部１１Ｒｅとの間の接続点ＣＰ１と、第１素子１０Ａの第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆと第１素子１０Ａの第２抵抗素子１２Ｒの他端部１２Ｒｆとの間の接続点ＣＰ２と、の間に素子電流Ｉｄを供給可能である。

【0076】

図９（ｂ）に示すように、素子電流回路７５は、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅと第２素子１０Ｂの第１抵抗素子１１Ｒの一端部１１Ｒｅとの間の接続点ＣＰ１と、第２素子１０Ｂの第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆと第２素子１０Ｂの第２抵抗素子１２Ｒの他端部１２Ｒｆとの間の接続点ＣＰ２と、の間に素子電流Ｉｄを供給可能である。

【0077】

図９（ｂ）に示すように、第１導電部材２１の少なくとも一部は、第１磁気素子１１Ｅと重なって良い。第２導電部材２２の少なくとも一部は、第１磁気素子１１Ｅと重なって良い。第２導電部材２２は、第１導電部材２１の一部と見なされても良い。この場合、第２導電部材２２が設けられない。第２導電部材２２と第１導電部材２１との間の境界は明確でも不明確でも良い。第１電流回路７１は、第１導電部材２１及び第２導電部材２２に第１電流Ｉ１を供給可能である。

【0078】

図９（ｂ）に示すように、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第１導電部材２１は、第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅに対応する第１導電部材一部２１ｅと、第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆに対応する第１導電部材他部２１ｆと、を含む。

【0079】

第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第２導電部材２２は、第２磁気素子１２Ｅの一端部１２Ｅｅに対応する第２導電部材一部２２ｅと、第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆに対応する第２導電部材他部２２ｆと、を含む。

【0080】

第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第１電流Ｉ１が第１導電部材他部２１ｆから第１導電部材一部２１ｅへの向きに流れているときに、第１電流Ｉ１は第２導電部材一部２２ｅから第２導電部材他部２２ｆへの向きに流れる。第１導電部材２１及び第２導電部材２２において、第１電流Ｉ１の向きが逆である。第１導電部材２１及び第２導電部材２２において、第１電流Ｉ１の位相が逆である。

【0081】

図９（ｂ）に示すように、例えば、第１電流回路７１は、第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆ及び第２磁気素子１２Ｅの一端部１２Ｅｅの接続点ＣＰ５と、第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅ及び第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆの接続点ＣＰ６と、の間に、第１電流Ｉ１を供給する。

【0082】

図１０、及び、図１１（ａ）～図１１（ｄ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式的平面図である。
これらの図は、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれの構成の例を示している。第２素子１０Ｂの構成は、第１素子１０Ａの構成と同様である。既に説明したように、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれは、第１磁気素子１１Ｅ及び第１導電部材２１を含む。

【0083】

図１０及び図１１（ａ）に示すように、センサ１１２において、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれは、第２～第４磁気素子１２Ｅ～１４Ｅ、及び、第２～第４導電部材２２～２４をさらに含む。これらの図においては、図を見やすくするために、これらの要素が別の図として描かれている。

【0084】

図１０に示すように、第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅは、第３磁気素子１３Ｅの一端部１３Ｅｅと電気的に接続される。第２磁気素子１２Ｅの一端部１２Ｅｅは、第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆと電気的に接続される。第４磁気素子１４Ｅの一端部１４Ｅｅは、第３磁気素子１３Ｅの他端部１３Ｅｆと電気的に接続される。第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆは、第４磁気素子１４Ｅの他端部１４Ｅｆと電気的に接続される。

【0085】

図１１（ａ）に示すように、第１電流回路７１は、第１導電部材２１、第２導電部材２２、第３導電部材２３及び第４導電部材２４に第１電流Ｉ１を供給可能である。

【0086】

図１０に示すように、制御回路部７０は、検出回路７３をさらに含んでも良い。検出回路７３は、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆ（例えば接続点ＣＰ３）と、第１素子１０Ａの第３磁気素子１３Ｅの他端部１３Ｅｆ（例えば接続点ＣＰ４）と、の間の第１電位の変化を第１信号Ｓ１として検出可能である。

【0087】

検出回路７３は、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆ（接続点ＣＰ３）と、第２素子１０Ｂの第３磁気素子１３Ｅの他端部１３Ｅｆ（例えば接続点ＣＰ４）と、の間の第２電位の変化を第２信号Ｓ２として検出可能である。

【0088】

図１０に示すように、例えば、制御回路部７０は、素子電流回路７５をさらに含んでも良い。素子電流回路７５は、第１素子１０Ａの第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅと第１素子１０Ａの第３磁気素子１３Ｅの一端部１３Ｅｅとの間の接続点ＣＰ１と、第１素子１０Ａの第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆと第１素子１０Ａの第４磁気素子１４Ｅの他端部１４Ｅｆとの間の接続点ＣＰ２と、の間に素子電流Ｉｄを供給可能である。

【0089】

素子電流回路７５は、第２素子１０Ｂの第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅと第２素子１０Ｂの第３磁気素子１３Ｅの一端部１３Ｅｅとの間の接続点ＣＰ１と、第２素子１０Ｂの第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆと第２素子１０Ｂの第４磁気素子１４Ｅの他端部１４Ｅｆとの間の接続点ＣＰ２と、の間に素子電流Ｉｄを供給可能である。

【0090】

図１１（ａ）に示すように、第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第１導電部材２１は、第１磁気素子１１Ｅの一端部１１Ｅｅに対応する第１導電部材一部２１ｅと、第１磁気素子１１Ｅの他端部１１Ｅｆに対応する第１導電部材他部２１ｆと、を含む。第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第２導電部材２２は、第２磁気素子１２Ｅの一端部１２Ｅｅに対応する第２導電部材一部２２ｅと、第２磁気素子１２Ｅの他端部１２Ｅｆに対応する第２導電部材他部２２ｆと、を含む。第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第３導電部材２３は、第３磁気素子１３Ｅの一端部１３Ｅｅに対応する第３導電部材一部２３ｅと、第３磁気素子１３Ｅの他端部１３Ｅｆに対応する第３導電部材他部２３ｆと、を含む。第１素子１０Ａ及び第２素子１０Ｂのそれぞれにおいて、第４導電部材２４は、第４磁気素子１４Ｅの一端部１４Ｅｅに対応する第４導電部材一部２４ｅと、第４磁気素子１４Ｅの他端部１４Ｅｆに対応する第４導電部材他部２４ｆと、を含む。

【0091】

第１電流Ｉ１が第１導電部材他部２１ｆから第１導電部材一部２１ｅへの向きに流れているときに、第１電流Ｉ１は第２導電部材一部２２ｅから第２導電部材他部２２ｆへの向きに流れ、第１電流Ｉ１は第３導電部材一部２３ｅから第３導電部材他部２３ｆへの向きに流れ、第１電流Ｉ１は第４導電部材他部２４ｆから第４導電部材一部２４ｅへの向きに流れる。

【0092】

図１１（ａ）に示すように、センサ１１２においては、第１電流回路７１は、第１導電部材他部２１ｆ及び第２導電部材一部２２ｅの接続点ＣＰ５と、第３導電部材他部２３ｆ及び第４導電部材一部２４ｅの接続点ＣＰ６と、の間に第１電流Ｉ１を供給する。

【0093】

図１１（ｂ）～１１（ｄ）に示すように、センサ１１２ａ～１１２ｃにおいて、第１～第４磁気素子１１Ｅ～１４Ｅの構成は、センサ１１２における構成と同様である。

【0094】

図１１（ｂ）に示すように、センサ１１２ａにおいて、第１電流回路７１は、第１導電部材一部２１ｅ及び第２導電部材他部２２ｆの接続点ＣＰ７と、第３導電部材一部２３ｅ及び第４導電部材他部２４ｆの接続点ＣＰ８と、の間に第１電流Ｉ１を供給する。センサ１１２ａにおいて、第１導電部材他部２１ｆは、第４導電部材一部２４ｅと電気的に接続される。第２導電部材一部２２ｅは、第３導電部材他部２３ｆと電気的に接続される。

【0095】

図１１（ｃ）に示すように、センサ１１２ｂにおいて、第１電流回路７１は、第１導電部材一部２１ｅと第３導電部材一部２３ｅとの間に第１電流Ｉ１を供給する。センサ１１２ｂにおいて、第１導電部材他部２１ｆは、第４導電部材一部２４ｅと電気的に接続される。第２導電部材一部２２ｅは、第３導電部材他部２３ｆと電気的に接続される。第２導電部材他部２２ｆは、第４導電部材他部２４ｆと電気的に接続される。

【0096】

図１１（ｄ）に示すように、センサ１１２ｃにおいて、第１電流回路７１は、第１導電部材一部２１ｅ、第２導電部材他部２２ｆ、第３導電部材他部２３ｆ及び第４導電部材一部２４ｅの接続点ＣＰ９と、第１導電部材他部２１ｆ、第２導電部材他部２２ｆ、第３導電部材一部２３ｅ及び第４導電部材他部２４ｆの接続点ＣＰ１０と、の間に第１電流Ｉ１を供給する。

【0097】

図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１２（ａ）に示すように、実施形態に係るセンサ１２０において、差動回路７２の少なくとも一部は、アナログ回路ＡＣ１に含まれる。検波回路７４の少なくとも一部は、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）に含まれる。図１２（ａ）に示すように、この例では、第１電流回路７１は、アナログ回路ＡＣ１に含まれる。センサ１２０に示すように、ＦＰＧＡは、処理回路７４ａを含んでも良い。処理回路７４ａは、検波回路７４の出力信号を処理する。ＦＰＧＡは、検波回路７４の出力信号を処理可能で良い。

【0098】

図１２（ｂ）に示すように、センサ１２１において、差動回路７２の少なくとも一部は、アナログ回路ＡＣ１に含まれる。検波回路７４の少なくとも一部及び第１電流回路７１の少なくとも一部（例えば発振回路部）は、ＦＰＧＡに含まれる。

【0099】

図１３は、第１実施形態に係るセンサを例示する模式図である。
図１３に示すように、実施形態に係るセンサ１２２は、複数の素子部１０Ｕを含む。制御回路部７０は、複数の素子部１０Ｕに対応する複数の差動回路７２を含む。複数の差動回路７２のそれぞれの少なくとも一部はアナログ回路ＡＣ１に含まれる。

【0100】

この例では、制御回路部７０は、複数の差動回路７２のそれぞれに対応する複数の検波回路７４を含む。複数の検波回路７４は、ＦＰＧＡに含まれる。

【0101】

さらに、この例では、複数の検波回路７４に対応して複数の処理回路７４ａが設けられる。複数の処理回路７４ａは、例えばＦＰＧＡに含まれる。複数の処理回路７４ａは、複数の検波回路７４の出力をそれぞれ処理可能である。このように、例えば、ＦＰＧＡは、複数の検波回路７４のそれぞれの出力信号を処理可能でも良い。

【0102】

この例では、ＦＰＧＡは、制御信号部７４ｂを含む。制御信号部７４ｂは、複数の検波回路７４を制御可能である。制御信号部７４ｂは、複数の処理回路７４ａを制御可能でも良い。このように、ＦＰＧＡは、複数の検波回路７４を制御可能でも良い。

【0103】

ＦＰＧＡは、例えば、信号処理部７４ｃをさらに含んでも良い。信号処理部７４ｃは、例えば、複数の処理回路７４ａのそれぞれから得られる信号（データ）について、統合信号処理を行うことが可能である。信号処理部７４ｃは、統合信号処理が行われた信号（データ）をアレイ処理することをさらに行ってもよい。信号処理部７４ｃは、アレイ処理された信号（データ）を画像化処理しても良い。信号処理部７４ｃは、画像化処理された信号（データ）を解析しても良い。信号処理部７４ｃは、これらの処理が行われた結果を出力信号Ｓｇ３として出力可能である。

【0104】

実施形態に係る検査装置７１０ａは、制御回路部７０の少なくとも一部を含んで良い。検査装置７１０ａは、複数の素子部１０Ｕと、上記の制御回路部７０の一部と、信号処理部７４ｃと、を含んでも良い。

【0105】

（第２実施形態）
第２実施形態は、検査装置に係る。後述するように、検査装置は、診断装置を含んでも良い。

【0106】

図１４は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的斜視図である。
図１４に示すように、実施形態に係る検査装置７１０は、センサ１５０ａと、処理部７７０と、を含む。センサ１５０ａは、第１実施形態のいずれかに係るセンサ及びその変形で良い。処理部７７０は、センサ１５０ａから得られる出力信号を処理する。処理部７７０において、センサ１５０ａから得られた信号と、基準値と、の比較などが行われても良い。処理部７７０は、処理結果に基づいて、検査結果を出力可能である。

【0107】

例えば、検査装置７１０により、検査対象６８０が検査される。検査対象６８０は、例えば、電子装置（半導体回路などを含む）である。検査対象６８０は、例えば、電池６１０などでも良い。

【0108】

例えば、実施形態に係るセンサ１５０ａは、電池６１０とともに用いられても良い。例えば、電池システム６００は、電池６１０及びセンサ１５０ａを含む。センサ１５０ａは、電池６１０に流れる電流により生じる磁界を検出できる。

【0109】

図１５は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式的平面図である。
図１５に示すように、センサ１５０ａは、例えば、実施形態に係る複数のセンサを含む。この例では、センサ１５０ａは、複数のセンサ（例えば、センサ１１０など）を含む。複数のセンサは、例えば、２つの方向（例えば、Ｘ軸方向及びＺ軸方向）に沿って並ぶ。複数のセンサ１１０は、例えば、基体の上に設けられる。

【0110】

センサ１５０ａは、検査対象６８０（例えば電池６１０でも良い）に流れる電流により生じる磁界を検出できる。例えば、電池６１０が異常な状態に近づくと、電池６１０に異常な電流が流れる場合がある。センサ１５０ａにより異常な電流を検出することで、電池６１０の状態の変化を知ることができる。例えば、電池６１０に近づけてセンサ１５０ａが置かれた状態で、２つの方向のセンサ群駆動手段を用いて、電池６１０の全体を短時間で検査できる。センサ１５０ａは、電池６１０の製造における、電池６１０の検査に用いられても良い。

【0111】

実施形態に係るセンサは、例えば、診断装置などの検査装置７１０に応用できる。
図１６は、第２実施形態に係るセンサ及び検査装置を示す模式図である。
図１６に示すように、検査装置７１０の例である診断装置５００は、センサ１５０を含む。センサ１５０は、第１実施形態に関して説明したセンサ、及び、それらの変形を含む。

【0112】

診断装置５００において、センサ１５０は、例えば、脳磁計である。脳磁計は、脳神経が発する磁界を検出する。センサ１５０が脳磁計に用いられる場合、センサ１５０に含まれる磁気素子のサイズは、例えば、１ｍｍ以上１０ｍｍ未満である。

【0113】

図１６に示すように、センサ１５０（脳磁計）は、例えば、人体の頭部に装着される。センサ１５０（脳磁計）は、センサ部３０１を含む。センサ１５０（脳磁計）は、複数のセンサ部３０１を含んでも良い。複数のセンサ部３０１の数は、例えば、約１００個（例えば５０個以上１５０個以下）である。複数のセンサ部３０１は、柔軟性を有する基体３０２に設けられる。

【0114】

センサ１５０は、例えば、差動検出などの回路を含んでも良い。センサ１５０は、センサとは別のセンサ（例えば、電位端子または加速度センサなど）を含んでも良い。

【0115】

センサ１５０のサイズは、従来のＳＱＵＩＤ(Superconducting Quantum Interference Device)センサのサイズに比べて小さい。このため、複数のセンサ部３０１の設置が容易である。複数のセンサ部３０１と、他の回路と、の設置が容易である。複数のセンサ部３０１と、他のセンサと、の共存が容易である。

【0116】

基体３０２は、例えばシリコーン樹脂などの弾性体を含んでも良い。基体３０２に、例えば、複数のセンサ部３０１が繋がって設けられる。基体３０２は、例えば、頭部に密着できる。

【0117】

センサ部３０１の入出力コード３０３は、診断装置５００のセンサ駆動部５０６及び信号入出力部５０４と接続される。センサ駆動部５０６からの電力と、信号入出力部５０４からの制御信号と、に基づいて、センサ部３０１において、磁界測定が行われる。その結果は、信号入出力部５０４に入力される。信号入出力部５０４で得た信号は、信号処理部５０８に供給される。信号処理部５０８において、例えば、ノイズの除去、フィルタリング、増幅、及び、信号演算などの処理が行われる。信号処理部５０８で処理された信号が、信号解析部５１０に供給される。信号解析部５１０は、例えば、脳磁計測のための特定の信号を抽出する。信号解析部５１０において、例えば、信号位相を整合させる信号解析が行われる。

【0118】

信号解析部５１０の出力（信号解析が終了したデータ）が、データ処理部５１２に供給される。データ処理部５１２では、データ解析が行われる。このデータ解析において、例えば、ＭＲＩ（Magnetic Resonance Imaging)などの画像データが取り入られることが可能である。このデータ解析においては、例えば、ＥＥＧ（Electroencephalogram)などの頭皮電位情報などが取り入れられることが可能である。例えば、ＭＲＩまたはＥＥＧなどのデータ部５１４がデータ処理部５１２と接続される。データ解析により、例えば、神経発火点解析、または、逆問題解析などが行われる。

【0119】

データ解析の結果は、例えば、画像化診断部５１６に供給される。画像化診断部５１６において、画像化が行われる。画像化により、診断が支援される。

【0120】

上記の一連の動作は、例えば、制御機構５０２によって制御される。例えば、一次信号データ、または、データ処理途中のメタデータなどの必要なデータは、データサーバに保存される。データサーバと制御機構とは、一体化されても良い。

【0121】

実施形態に係る診断装置５００は、センサ１５０と、センサ１５０から得られる出力信号を処理する処理部と、を含む。この処理部は、例えば、信号処理部５０８及びデータ処理部５１２の少なくともいずれかを含む。処理部は、例えば、コンピュータなどを含む。

【0122】

図１６に示すセンサ１５０では、センサ部３０１は、人体の頭部に設置されている。センサ部３０１は、人体の胸部に設置されても良い。これにより、心磁測定が可能となる。例えば、センサ部３０１を妊婦の腹部に設置しても良い。これにより、胎児の心拍検査を行うことができる。

【0123】

被験者を含めたセンサ装置は、シールドルーム内に設置されるのが好ましい。これにより、例えば、地磁気または磁気ノイズの影響が抑制できる。

【0124】

例えば、人体の測定部位、または、センサ部３０１を局所的にシールドする機構を設けても良い。例えば、センサ部３０１にシールド機構を設けても良い。例えば、信号解析またはデータ処理において、実効的なシールドを行っても良い。

【0125】

実施形態において、基体３０２は、柔軟性を有しても良く、柔軟性を実質的に有しなくても良い。図１６に示す例では、基体３０２は、連続した膜を帽子状に加工したものである。基体３０２は、ネット状でも良い。これにより、例えば、良好な装着性が得られる。例えば、基体３０２の人体への密着性が向上する。基体３０２は、ヘルメット状で、硬質でも良い。

【0126】

図１７は、第２実施形態に係る検査装置を示す模式図である。
図１７は、心磁計の一例である。図１７に示す例では、平板状の硬質の基体３０５上にセンサ部３０１が設けられる。

【0127】

図１７に示した例において、センサ部３０１から得られる信号の入出力は、図１６に関して説明した入出力と同様である。図１７に示した例において、センサ部３０１から得られる信号の処理は、図１６に関して説明した処理と同様である。

【0128】

生体から発生する磁界などの微弱な磁界を計測する装置として、SQUID (Superconducting Quantum Interference Device：超伝導量子干渉素子)センサを用いる参考例がある。この参考例においては、超伝導を用いるため、装置が大きく、消費電力も大きい。測定対象(患者)の負担が大きい。

【0129】

実施形態によれば、装置が小型にできる。消費電力を抑制できる。測定対象(患者)の負担が軽減できる。実施形態によれば、磁界検出のＳＮ比を向上できる。感度を向上できる。

【0130】

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。

【0131】

（構成１）
第１素子及び第２素子を含む素子部であって、前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれは、第１磁気素子及び第１導電部材を含む、前記素子部と、
制御回路部であって、前記制御回路部は、
前記第１導電部材に交流成分を含む第１電流を供給可能な第１電流回路と、
前記第１素子の前記第１磁気素子の第１電気抵抗の変化に対応する第１信号と、前記第２素子の前記第１磁気素子の第２電気抵抗の変化に対応する第２信号と、の差に対応する差信号を出力可能な差動回路と、
前記交流成分を参照して前記差信号を位相検波可能な検波回路と、
を備え、
前記第１電気抵抗は、前記第１電流に対して偶関数状で変化し、前記第２電気抵抗は前記第１電流に対して偶関数状で変化する、センサ。

【0132】

（構成２）
前記第１電気抵抗は、第１導電部材に第１値電流が供給されたときに第１値であり、第１導電部材に第２値電流が供給されたときに第２値であり、第１導電部材に第３値電流が供給されたときに第３値であり、
前記第２値電流の向きは、前記第３値電流の向きと逆であり、
前記第１値電流の絶対値は、前記第２値電流の絶対値よりも小さく、前記第３値電流の絶対値よりも小さく、
前記第１値は、前記第２値及び前記第３値よりも低い、または、前記第２値及び前記第３値よりも高い、構成１に記載のセンサ。

【0133】

（構成３）
前記制御回路部は、前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれの前記第１磁気素子に素子電流を供給可能な素子電流回路をさらに含み、
前記第１磁気素子は、一端部及び他端部を含み、前記素子電流は、前記一端部から前記他端部へ流れ、
前記第１導電部材は、前記一端部に対応する第１導電部材一部と、前記他端部に対応する第１導電部材他部と、を含み、
前記第１電流は、前記第１導電部材一部から前記第１導電部材他部への向き、または、第１導電部材他部から前記第１導電部材一部への向きを有する、構成１または２に記載のセンサ。

【0134】

（構成４）
前記第１磁気素子は、
第１磁性層と
第１対向磁性層と、
前記第１磁性層と前記第１対向磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、
を含み、
前記第１対向磁性層から前記第１磁性層への第２方向は、前記第１磁気素子の一端部から前記第１磁気素子の他端部への第１方向と交差した、構成３に記載のセンサ。

【0135】

（構成５）
前記第１磁性層の前記第１方向に沿う長さは、前記第１磁性層の第３方向に沿う長さよりも長く、前記第３方向は、前記第１方向及び前記第２方向を含む平面と交差する、構成４に記載のセンサ。

【0136】

（構成６）
前記第１磁性層の前記第３方向に沿う前記長さは、前記第１磁性層の前記第２方向に沿う長さよりも長い、構成５に記載のセンサ。

【0137】

（構成７）
前記第２素子は、前記第１素子と前記第３方向において離れている、構成５または６に記載のセンサ。

【0138】

（構成８）
前記第１非磁性層は、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、構成４～７のいずれか１つに記載のセンサ。

【0139】

（構成９）
前記第１導電部材の少なくとも一部は、前記第２方向において前記第１磁気素子と重なる、構成４～８のいずれか１つに記載のセンサ。

【0140】

（構成１０）
前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれは、
第２磁気素子及び第２導電部材と、
第１抵抗素子と、
第２抵抗素子と、
をさらに含み、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第１抵抗素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の一端部は、前記第１磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第２抵抗素子の一端部は、前記第１抵抗素子の他端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第２抵抗素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１電流回路は、前記第２導電部材に前記第１電流を供給可能であり、
前記制御回路部は、検出回路をさらに含み、
前記検出回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第１素子の前記第１抵抗素子の前記他端部と、の間の第１電位の変化を前記第１信号として検出可能であり、
前記検出回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第２素子の前記第１抵抗素子の前記他端部と、の間の第２電位の変化を前記第２信号として検出可能である、構成１または２に記載のセンサ。

【0141】

（構成１１）
前記制御回路部は、素子電流回路をさらに含み、
前記素子電流回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第１素子の前記第１抵抗素子の前記一端部との間の接続点と、前記第１素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第１素子の前記第２抵抗素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記素子電流回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第２素子の前記第１抵抗素子の前記一端部との間の接続点と、前記第２素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第２素子の前記第２抵抗素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能である、構成１０に記載のセンサ。

【0142】

（構成１２）
前記第１導電部材は、前記第１磁気素子の前記一端部に対応する第１導電部材一部と、前記第１磁気素子の前記他端部に対応する第１導電部材他部と、を含み、
前記第２導電部材は、前記第２磁気素子の前記一端部に対応する第２導電部材一部と、前記第２磁気素子の前記他端部に対応する第２導電部材他部と、を含み、
前記第１電流が前記第１導電部材他部から前記第１導電部材一部への向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材一部から前記第２導電部材他部への向きに流れる、構成１０または１１に記載のセンサ。

【0143】

（構成１３）
前記第１素子及び前記第２素子のそれぞれは、
第２磁気素子及び第２導電部材と、
第３磁気素子及び第３導電部材と、
第４磁気素子及び第４導電部材と、
をさらに含み、
前記第１磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の一端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の一端部は、前記第１磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第４磁気素子の一端部は、前記第３磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第２磁気素子の他端部は、前記第４磁気素子の他端部と電気的に接続され、
前記第１電流回路は、前記第２導電部材、前記第３導電部材及び前記第４導電部材に前記第１電流を供給可能であり、
前記制御回路部は、検出回路をさらに含み、
前記検出回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第１素子の前記第３磁気素子の前記他端部と、の間の第１電位の変化を前記第１信号として検出可能であり、
前記検出回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記他端部と、前記第２素子の前記第３磁気素子の前記他端部と、の間の第２電位の変化を前記第２信号として検出可能である、構成１または２に記載のセンサ。

【0144】

（構成１４）
前記制御回路部は、素子電流回路をさらに含み、
前記素子電流回路は、前記第１素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第１素子の前記第３磁気素子の前記一端部との間の接続点と、前記第１素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第１素子の前記第４磁気素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能であり、
前記素子電流回路は、前記第２素子の前記第１磁気素子の前記一端部と前記第２素子の前記第３磁気素子の前記一端部との間の接続点と、前記第２素子の前記第２磁気素子の前記他端部と前記第２素子の前記第４磁気素子の前記他端部との間の接続点と、の間に素子電流を供給可能である、構成１３に記載のセンサ。

【0145】

（構成１５）
前記第１導電部材は、前記第１磁気素子の前記一端部に対応する第１導電部材一部と、前記第１磁気素子の前記他端部に対応する第１導電部材他部と、を含み、
前記第２導電部材は、前記第２磁気素子の前記一端部に対応する第２導電部材一部と、前記第２磁気素子の前記他端部に対応する第２導電部材他部と、を含み
前記第３導電部材は、前記第３磁気素子の前記一端部に対応する第３導電部材一部と、前記第３磁気素子の前記他端部に対応する第３導電部材他部と、を含み、
前記第４導電部材は、前記第４磁気素子の前記一端部に対応する第４導電部材一部と、前記第４磁気素子の前記他端部に対応する第４導電部材他部と、を含み
前記第１電流が前記第１導電部材他部から前記第１導電部材一部への向きに流れているときに、前記第１電流は前記第２導電部材一部から前記第２導電部材他部への向きに流れ、前記第１電流は前記第３導電部材一部から前記第３導電部材他部への向きに流れ、前記第１電流は前記第４導電部材他部から前記第４導電部材一部への向きに流れる、構成１３または１４に記載のセンサ。

【0146】

（構成１６）
前記差動回路の少なくとも一部は、アナログ回路に含まれ、
前記検波回路の少なくとも一部は、ＦＰＧＡに含まれる、構成１～１５のいずれか１つに記載のセンサ。

【0147】

（構成１７）
前記第１電流回路の少なくとも一部は、前記ＦＰＧＡに含まれる、構成１６に記載のセンサ。

【0148】

（構成１８）
前記ＦＰＧＡは、前記検波回路の出力信号を処理可能である、構成１６または１７に記載のセンサ。

【0149】

（構成１９）
複数の前記素子部を備え、
前記制御回路部は、前記複数の素子部に対応する複数の前記差動回路と、前記複数の差動回路に対応する複数の検波回路と、を含み、
前記複数の差動回路のそれぞれの少なくとも一部はアナログ回路に含まれ、
前記複数の検波回路は、ＦＰＧＡに含まれ、
前記ＦＰＧＡは、前記複数の検波回路のそれぞれの出力信号を処理可能であり、
前記ＦＰＧＡは、前記複数の検波回路を制御可能である、構成１～１５のいずれか１つに記載のセンサ。

【0150】

（構成２０）
構成１～１９のいずれか１つに記載のセンサと、
前記センサから出力される信号を処理可能な処理部と、
を備えた検査装置。

【0151】

実施形態によれば、特性の向上が可能なセンサ及び検査装置が提供できる。

【0152】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、センサに含まれる素子部、導電部材及び制御回路部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

【0153】

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

【0154】

その他、本発明の実施の形態として上述したセンサ及び検査装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全てのセンサ及び検査装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0155】

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0156】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0157】

１０Ａ、１０Ｂ…第１、第２素子、 １０Ｕ…素子部、 １１…第１磁性層、 １１Ｅ～１４Ｅ…第１～第４磁気素子、 １１Ｅｅ～１４Ｅｅ…一端部、 １１Ｅｆ～１４Ｅｆ…他端部、 １１Ｒ、１２Ｒ…第１、第２抵抗素子、 １１Ｒｅ、１２Ｒｅ…一端部、 １１Ｒｆ、１２Ｒｆ…他端部、 １１ｎ…第１非磁性層、 １１ｏ…第１対向磁性層、 ２１～２４…第１～第４導電部材、 ２１ｅ～２４ｅ…第１～第４導電部材一部、 ２１ｆ～２４ｆ…第１～第４導電部材他部、 ７０…制御回路部、 ７１…第１電流回路、 ７２…差動回路、 ７３…検出回路、 ７４、７４Ａ、７４Ｂ…検波回路、 ７４ａ…処理回路、 ７４ｂ…制御信号部、 ７４ｃ…信号処理部、 ７５…素子電流回路、 ８０…検出対象、 １１０、１１１、１１２、１１２ａ～１１２ｃ、１１９、１２０～１２２、１５０、１５０ａ…センサ、 ３０１…センサ部、 ３０２…基体、 ３０３…入出力コード、 ３０５…基体、 ５００…診断装置、 ５０２…制御機構、 ５０４…信号入出力部、 ５０６…センサ駆動部、 ５０８…信号処理部、 ５１０…信号解析部、 ５１２…データ処理部、 ５１４…データ部、 ５１６…画像化診断部、 ６００…電池システム、 ６１０…電池、 ６８０…検査対象、 ７１０、７１０ａ…検査装置、 ７７０…処理部、 ＡＣ１…アナログ回路、 ＣＰ１～ＣＰ１０…接続点、 Ｈ…磁界、 Ｈａｃ…交流磁界、 Ｈｅｘ…外部磁界、 Ｈｅｘ１～Ｈｅｘ３…第１～第３磁界、 Ｈｓｉｇ…信号磁界、 Ｉ１…第１電流、 Ｉａ１～Ｉａ３…第１～第３値電流、 Ｉｄ…素子電流、 Ｌ１…長さ、 Ｎ１、Ｎ２…ノイズ、 Ｒ、Ｒｏ…抵抗、 Ｒ１～Ｒ４…第１～第４値、 Ｒｆ１…参照信号、 Ｒｘ…電気抵抗、 Ｓ１、Ｓ２…第１、第２信号、 Ｓ３…差信号、 Ｓ４ａ、Ｓ４ｂ…検波信号、 ＳＳ…信号強度、 Ｓｇ１～Ｓｇ３…出力信号、 ｆｒ…周波数、 ｔ１…長さ、 ｔｍ…時間、 ｗ１…長さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】