特許 7432353 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-02-07

(45)【発行日】2024-02-16

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   H10K 59/122 20230101AFI20240208BHJP

   G02B 5/20 20060101ALI20240208BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240208BHJP

   H10K 50/15 20230101ALI20240208BHJP

   H10K 50/16 20230101ALI20240208BHJP

   H10K 50/17 20230101ALI20240208BHJP

   H10K 50/19 20230101ALI20240208BHJP

   H10K 50/84 20230101ALI20240208BHJP

   H10K 59/38 20230101ALI20240208BHJP

【ＦＩ】

H10K59/122

G02B5/20 101

G09F9/30 349B

G09F9/30 349C

G09F9/30 365

H10K50/15

H10K50/16

H10K50/17

H10K50/19

H10K50/84

H10K59/38

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2019229036

(22)【出願日】2019-12-19

(65)【公開番号】P2021096999

(43)【公開日】2021-06-24

【審査請求日】2022-12-13

(73)【特許権者】

【識別番号】502356528

【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 亨

【審査官】内村 駿介

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－０１４３２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００１９４３４（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０７６３４１４７（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０１８－０９３１９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１５１６３１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１０８１２２９４３（ＣＮ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２５２８２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－２２８７０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０３８００３５（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｂ ３３／１２

Ｈ１０Ｋ ５０／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／２２

Ｈ０５Ｂ ３３／０２

Ｈ１０Ｋ ５９／１０

Ｇ０２Ｂ ５／２０

Ｇ０９Ｆ ９／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の画素電極と、
発光層及び電荷発生層を含む積層された複数層からなるエレクトロルミネセンス層と、
対向電極と、
を有し、
前記複数層は、分離された複数のセクションから構成されて前記複数の画素電極に重なる第１層と、前記第１層に接触して前記複数の画素電極にわたって連続する第２層と、前記第１層及び前記第２層の間に介在して前記複数のセクションの隣り合う一対の間にわたって接触する第３層と、を含み、
少なくとも前記電荷発生層が、前記第１層であり、
前記第２層は、電子及び正孔のいずれか一方であるキャリアを注入又は輸送する特性を有し、
前記第３層は、前記第２層が注入又は輸送する前記キャリアをブロックする特性を有することを特徴とする表示装置。

【請求項2】

請求項１に記載された表示装置において、
前記第３層は、前記複数のセクションの前記隣り合う一対における端部それぞれに載ることを特徴とする表示装置。

【請求項3】

請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記第２層は、前記第１層の上及び下の少なくとも一方にあることを特徴とする表示装置。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記発光層は、積層された複数の発光層を含み、
前記電荷発生層は、前記複数の発光層の少なくとも１層と他の１層の間に介在することを特徴とする表示装置。

【請求項5】

請求項４に記載された表示装置において、
前記複数の発光層は、相互に接触して重なる２又はそれ以上の発光層を含むことを特徴とする表示装置。

【請求項6】

請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
カラーフィルタ層をさらに有することを特徴とする表示装置。

【請求項7】

請求項１から６のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第３層を覆うブラックマトリクス層をさらに有することを特徴とする表示装置。

【請求項8】

請求項１から７のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれの端部を覆う絶縁層をさらに有し、
前記第３層は、前記絶縁層に重なる領域内にのみ位置していることを特徴とする表示装置。

【請求項9】

請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２層は、前記第１層に上下でそれぞれ接する一対の第２層を含み、
前記第３層は、前記第１層に上下でそれぞれ接する一対の第３層を含み、
前記一対の第３層のそれぞれは、前記第１層と前記一対の第２層の対応する１つとの間に介在することを特徴とする表示装置。

【請求項10】

請求項９に記載された表示装置において、
前記一対の第３層は、正孔ブロック層と電子ブロック層からなることを特徴とする表示装置。

【請求項11】

請求項１から８のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第１層は、複数の第１層を含み、
前記第２層は、複数の第２層を含み、
前記第３層は、複数の第３層を含み、
前記複数の第３層のそれぞれは、前記複数の第１層の対応する１つ及び前記複数の第２層の対応する１つの間に介在することを特徴とする表示装置。

【請求項12】

請求項１１に記載された表示装置において、
前記複数の第１層のそれぞれは、前記複数の第３層の対応する１つがブロックする前記キャリアの輸送性に富む材料からなることを特徴とする表示装置。

【請求項13】

請求項１１に記載された表示装置において、
前記複数の第２層は、前記複数の第１層の対応する１つに上下でそれぞれ接する一対の第２層を含み、
前記複数の第３層は、前記複数の第１層の前記対応する１つに上下でそれぞれ接する一対の第３層を含み、
前記一対の第３層のそれぞれは、前記複数の第１層の前記対応する１つと前記一対の第２層の対応する１つとの間に介在することを特徴とする表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表示装置は、画素数の増加によって隣同士の画素が接近するようになってきた。有機エレクトロルミネセンスディスプレイは、全画素に連続する層（例えば正孔輸送層）があると、連続する層を伝わる横方向漏れ電流によって、隣の発光層が発光してしまう（特許文献１及び２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１６－１０３３９５号公報

【文献】特開２０１６－８５９１３号公報

【文献】特開２００８－２４３５５９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

発光色が異なる複数の発光層を重ねて白色光を生成し、カラーフィルタとの組み合わせでカラー表示する構造で、上下の発光層の間には電荷発生層が配置されている。電荷発生層は電流が流れやすいので、上述した横方向漏れ電流が問題になる。

【0005】

特許文献３には、正孔輸送層を分離して形成することが開示されている。同様に、電荷発生層を分離して形成することが可能であるとしても、電荷発生層の上下の層が連続していると、これらの層を経由する横方向漏れ電流が問題になる。

【0006】

本発明は、横方向漏れ電流の低減を目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明に係る表示装置は、複数の画素電極と、発光層及び電荷発生層を含む積層された複数層からなるエレクトロルミネセンス層と、対向電極と、を有し、前記複数層は、分離された複数のセクションから構成されて前記複数の画素電極に重なる第１層と、前記第１層に接触して前記複数の画素電極にわたって連続する第２層と、前記第１層及び前記第２層の間に介在して前記複数のセクションの隣り合う一対の間にわたって接触する第３層と、を含み、少なくとも前記電荷発生層が、前記第１層であり、前記第２層は、電子及び正孔のいずれか一方であるキャリアを注入又は輸送する特性を有し、前記第３層は、前記第２層が注入又は輸送する前記キャリアをブロックする特性を有することを特徴とする。

【0008】

本発明によれば、第２層が注入又は輸送するキャリアを、第３層がブロックするので、横方向漏れ電流を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。

【図2】図１に示す表示装置のII－II線断面図である。

【図3】図２に示す部分IIIの拡大図である。

【図4】エレクトロルミネセンス層の複数層の平面図である。

【図5】第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。

【図6】第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。

【図7】第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

【0011】

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

【0012】

さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。

【0013】

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、ディスプレイＤＳＰを含む。ディスプレイＤＳＰは、可撓性を有し、表示領域ＤＡの外側で折り曲げられるようになっている。ディスプレイＤＳＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップＣＰが搭載されている。ディスプレイＤＳＰには、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。

【0014】

表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。

【0015】

図２は、図１に示す表示装置のII－II線断面図である。図３は、図２に示す部分IIIの拡大図である。図３に示す樹脂基板１０は、ポリイミドからなる。ただし、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する基材であれば他の樹脂材料を用いてもよい。樹脂基板１０の裏面には、感圧接着剤１２を介して、補強フィルム１４が貼り付けられている。

【0016】

樹脂基板１０上に、バリア無機膜１６（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１６は、第１無機膜（例えばシリコン酸化膜）１６ａ、第２無機膜（例えばシリコン窒化膜）１６ｂ及び第３無機膜（シリコン酸化膜）１６ｃの三層積層構造である。最下層の第１無機膜１６ａは、樹脂基板１０との密着性向上のため、中層の第２無機膜１６ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層の第３無機膜１６ｃは、第２無機膜１６ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。

【0017】

薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜２０を形成してもよい。付加膜２０は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、第１無機膜１６ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜２０を島状に形成し、その後第２無機膜１６ｂ及び第３無機膜１６ｃを積層することで、バリア無機膜１６に付加膜２０を封入するように形成しているが、この限りではなく、樹脂基板１０上にまず付加膜２０を形成し、その後にバリア無機膜１６を形成してもよい。

【0018】

バリア無機膜１６上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域又は真性半導体領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２２としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２４は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２４に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２２を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。

【0019】

ゲート電極２４の上に、層間絶縁膜２６（シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２６の上に、ソース／ドレイン電極２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２６を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。

【0020】

ソース／ドレイン電極２８を覆うように平坦化有機膜３０が設けられている。平坦化有機膜３０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。

【0021】

平坦化有機膜３０は、画素コンタクト部３２では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３４が形成されている。酸化インジウムスズ膜３４は、相互に分離された第１透明導電膜３４ａ及び第２透明導電膜３４ｂを含む。

【0022】

平坦化有機膜３０の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３４ａにて被覆される。第１透明導電膜３４ａを被覆するように、平坦化有機膜３０の上に無機絶縁膜（シリコン窒化膜）３６が設けられている。無機絶縁膜（例えばシリコン窒化膜）３６は、画素コンタクト部３２に開口し、この開口を介してソース／ドレイン電極２８に導通するように画素電極３８が積層されている。画素電極３８は、反射電極として形成され、酸化インジウム亜鉛膜、Ａｇ膜、酸化インジウム亜鉛膜の三層積層構造になっている。ここで、酸化インジウム亜鉛膜に代わって酸化インジウムスズ膜を用いてもよい。画素電極３８は、画素コンタクト部３２から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。

【0023】

第２透明導電膜３４ｂは、画素コンタクト部３２に隣接して、画素電極３８の下方（さらに無機絶縁膜３６の下方）に設けられている。第２透明導電膜３４ｂ、無機絶縁膜３６及び画素電極３８は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。

【0024】

表示装置は、複数の画素電極３８のそれぞれの端部を覆う絶縁層４０を有する。絶縁層４０は、バンク（リブ）とも呼ばれる。絶縁層４０は、平坦化有機膜３０の上であって、例えば画素コンタクト部３２の上方で、隣同士の画素領域の隔壁となる。絶縁層４０としては平坦化有機膜３０と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層４０は、画素電極３８の表面を発光領域として露出するように開口４０ａを有する。開口４０ａの端部はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口４０ａの端部が急峻な形状になっていると、その上に形成されるエレクトロルミネセンス層４２のカバレッジ不良を生ずる。

【0025】

平坦化有機膜３０と絶縁層４０は、両者間にある無機絶縁膜３６に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁層４０の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜３０から脱離する水分や脱ガスを、絶縁層４０を通じて引き抜くことができる。

【0026】

図２に示すように、複数の画素電極３８の上に、エレクトロルミネセンス層４２が積層されている。エレクトロルミネセンス層４２は、複数層を含む。複数層は、発光層ＥＭＬを含む。発光層ＥＭＬは、積層された複数の発光層ＥＭＬ（例えば、発光色が青の発光層ＥＭＬ－Ｂ、発光色が赤の発光層ＥＭＬ－Ｒ、発光層ＥＭＬが緑の発光層ＥＭＬ－Ｇ）を含む。複数の発光層ＥＭＬは重なっており、混色によって白色光が生成される。

【0027】

なお、２又はそれ以上の発光層ＥＭＬ（赤の発光層ＥＭＬ－Ｒ及び緑の発光層ＥＭＬ－Ｇ）は、エネルギー障壁が低いため、相互に接触して重なっている。これに対して、赤及び緑の発光層ＥＭＬ－Ｒ，ＥＭＬ－Ｇと、青の発光層ＥＭＬ－Ｂとの間には、電荷発生層ＣＧＬが介在する。

【0028】

画素電極３８には、正孔注入層ＨＩＬが接触して載るようになっている。正孔注入層ＨＩＬには、正孔輸送層ＨＴＬが接触して載る。正孔輸送層ＨＴＬは、取り出す光の色（後述するカラー層Ｒ，Ｇ，Ｂの色）に応じて、厚みが異なるようにしてもよい。図２の例では、正孔輸送層ＨＴＬに、最下層の発光層ＥＭＬ（青の発光層ＥＭＬ－Ｂ）が接触して載る。

【0029】

最下層の発光層ＥＭＬ（青の発光層ＥＭＬ－Ｂ）には、電子輸送層ＥＴＬが接触して載る。なお、電子輸送層ＥＴＬに、正孔の流入を防止するための正孔ブロック層（図示せず）を積層してもよい。電子輸送層ＥＴＬ（あるいはその上の図示しない正孔ブロック層）に、電荷発生層ＣＧＬが接触して載る。電荷発生層ＣＧＬに、第２正孔輸送層ＨＴＬ２が接触して載る。第２正孔輸送層ＨＴＬ２に、上述した緑の発光層ＥＭＬ－Ｇが接触して載る。緑の発光層ＥＭＬ－Ｇに、赤の発光層ＥＭＬ－Ｒが接触して載る。

【0030】

最上層の発光層ＥＭＬ（赤の発光層ＥＭＬ－Ｒ）に、第２電子輸送層ＥＴＬ２が接触して載る。第２電子輸送層ＥＴＬ２に、対向電極４４が接触して載る。第２電子輸送層ＥＴＬ２と対向電極４４との間に、対向電極４４からの電子注入を促進するための電子注入層（図示せず）が介在しても良い。図２の例はトップエミッション構造になっているため、対向電極４４は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、エレクトロルミネセンス層４２からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。本実施形態では、画素電極３８が陽極であり、対向電極４４が陰極である。複数の画素電極３８と、対向電極４４と、複数の画素電極３８のそれぞれの中央部と対向電極４４の間に介在するエレクトロルミネセンス層４２とで発光素子が構成される。

【0031】

表示装置は、カラーフィルタ層４６を有する。カラーフィルタ層４６は、複数色（例えば赤、緑及び青）のカラー層Ｒ，Ｇ，Ｂに分離されている。それぞれのカラー層Ｒ，Ｇ，Ｂは、白色光のうち特定の波長の光を通して、カラー画素を形成するようになっている。隣同士の異なる色のカラー層Ｒ，Ｇ，Ｂの間には、ブラックマトリクス層４８が配置されている。

【0032】

対向電極４４の上に封止層５０が形成されている。封止層５０は、エレクトロルミネセンス層４２への外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層５０は、有機膜５２及びこれを上下で挟む一対の無機膜５４（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。一対の無機膜５４は、有機膜５２の周囲で、接触して重なる。封止層５０には、図示しない保護層及び偏光板（例えば円偏光板）を積層してもよい。

【0033】

図４は、エレクトロルミネセンス層４２の複数層の平面図である。

【0034】

［第１層］
複数層は、第１層Ｌ１を含む。第１層Ｌ１は、それぞれ異なる色の光を発する隣り合う２画素の間では分離されている。隣り合う２画素が同じ色の光を発する場合は、第１層Ｌ１は連続していても良い。第１層Ｌ１は、分離された複数のセクション５６から構成されている。複数のセクション５６は、複数の画素電極３８に重なる。図４の例では、それぞれのセクション５６は、一列に並ぶ画素電極３８に重なる。あるいは、それぞれのセクション５６が、対応する１つの画素電極３８に重なっていてもよい。

【0035】

図２に示すように、複数の第１層Ｌ１が重なっている。例えば、少なくとも電荷発生層ＣＧＬが第１層Ｌ１である。また、正孔注入層ＨＩＬも第１層Ｌ１である。それぞれの第１層Ｌ１は、電子及び正孔のいずれか一方であるキャリアの輸送性に富む材料からなる。正孔注入層ＨＩＬである第１層Ｌ１は、正孔の輸送性に富む材料からなる。電荷発生層ＣＧＬである第１層Ｌ１は、電子及び正孔のいずれの輸送性に富む材料から形成されていてもよい。

【0036】

［第２層］
図４に示すように、複数層は、第２層Ｌ２を含む。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１に接触して複数の画素電極３８にわたって連続する。第２層Ｌ２は、第１層Ｌ１の上及び下の少なくとも一方にある。図２に示すように、複数の第２層Ｌ２が積層されている。例えば、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子輸送層ＥＴＬがそれぞれ第２層である。第２層Ｌ２は、電子及び正孔のいずれか一方であるキャリアを注入又は輸送する特性を有する。

【0037】

例えば、正孔注入層ＨＩＬ（第１層Ｌ１）の上に、正孔輸送層ＨＴＬ（第２層Ｌ２）が重なる。両者は接触しているので、正孔注入層ＨＩＬから正孔輸送層ＨＴＬに正孔が移動するようになっている。

【0038】

一対の第２層Ｌ２（第２正孔輸送層ＨＴＬ２、電子輸送層ＥＴＬ）が、第１層Ｌ１（電荷発生層ＣＧＬ）に上下でそれぞれ接する。詳しくは、電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）の上には、第２正孔輸送層ＨＴＬ２（第２層Ｌ２）が重なる。両者は接触しているので、電荷発生層ＣＧＬから第２正孔輸送層ＨＴＬ２に正孔が移動するようになっている。また、電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）の下には、電子輸送層ＥＴＬ（あるいはその上の図示しない正孔ブロック層）である第２層Ｌ２が重なる。両者は接触しているので、電荷発生層ＣＧＬから電子が移動するようになっている。

【0039】

［第３層］
上述したように、第１層Ｌ１は、それぞれ異なる色の光を発する隣り合う２画素の間で分離されているので、隣同士のセクション５６には、直接的にはキャリアは流れない。しかし、その上又は下に接触する連続層（第２層Ｌ２）を通してキャリアが流れる。そこで、本実施形態では、エレクトロルミネセンス層４２の複数層は、第３層Ｌ３を含む。

【0040】

複数の第３層Ｌ３のそれぞれは、複数の第１層Ｌ１の対応する１つ及び複数の第２層Ｌ２の対応する１つの間に介在する。第３層Ｌ３は、第１層Ｌ１の隣り合う一対のセクション５６の間にわたって接触する。第３層Ｌ３は、複数のセクション５６の隣り合う一対における端部それぞれに載る。第３層Ｌ３は、絶縁層４０に重なる領域内にのみ位置している。第３層Ｌ３は、ブラックマトリクス層４８と重畳する領域に設けられている。

【0041】

第３層Ｌ３は、第２層Ｌ２が注入又は輸送するキャリアをブロックする特性を有する。また、第３層Ｌ３は、対応する第１層Ｌ１が輸送性に富むキャリアをブロックする材料から形成してもよい。

【0042】

例えば、正孔注入層ＨＩＬ（第１層Ｌ１）と、正孔輸送層ＨＴＬ（第２層Ｌ２）との間に、第３層Ｌ３が介在する。この第３層Ｌ３は、正孔輸送層ＨＴＬが輸送性に富む正孔（第２層Ｌ２が輸送する正孔）をブロックする材料からなり、正孔ブロック層である。

【0043】

第１層Ｌ１（電荷発生層ＣＧＬ）に上下でそれぞれ一対の第３層Ｌ３が接する。詳しくは、電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）と、第２正孔輸送層ＨＴＬ２（第２層Ｌ２）との間に第３層Ｌ３が介在する。この第３層Ｌ３は、第２正孔輸送層ＨＴＬ２が輸送性に富む正孔をブロックする材料からなり、正孔ブロック層である。

【0044】

電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）と、電子輸送層ＥＴＬ（第２層Ｌ２）との間に、他の第３層Ｌ３が介在する。この第３層Ｌ３は、電子輸送層ＥＴＬが輸送性に富む電子をブロックする材料からなり、電子ブロック層である。

【0045】

本実施形態によれば、第２層Ｌ２が注入又は輸送するキャリアを、第３層Ｌ３がブロックする。詳しくは、第３層Ｌ３がセクション５６の端部に載るため、隣同士のセクション５６の最短距離でのキャリアの移動が阻止される。これにより、キャリアが移動するとしてもその移動距離が長くなるので、横方向漏れ電流を低減することができる。

【0046】

［第２の実施形態］
図５は、第２の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、第１の実施形態で電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）の下にある第３層Ｌ３が省略されている。なお、電荷発生層ＣＧＬは、正孔の輸送性に富む材料からなる。

【0047】

エレクトロルミネセンス層２４２は、複数の第１層Ｌ１（正孔注入層ＨＩＬ、電荷発生層ＣＧＬ）と、複数の第２層Ｌ２（正孔輸送層ＨＴＬ、第２正孔輸送層ＨＴＬ２）を含む。正孔注入層ＨＩＬ（第１層Ｌ１）と、正孔輸送層ＨＴＬ（第２層Ｌ２）との間に、第３層Ｌ３が介在する。この第３層Ｌ３は、正孔輸送層ＨＴＬが輸送性に富む正孔をブロックする材料からなり、電子の輸送性に富む材料であってもよい。

【0048】

また、電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）と、第２正孔輸送層ＨＴＬ２（第２層Ｌ２）との間に、他の第３層Ｌ３が介在する。この第３層Ｌ３は、第２正孔輸送層ＨＴＬ２が輸送性に富む正孔をブロックする材料からなり、電子の輸送性に富む材料であってもよい。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

【0049】

［第３の実施形態］
図６は、第３の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、第１の実施形態で正孔注入層ＨＩＬ（第１層Ｌ１）の上にある第３層Ｌ３が省略されている。

【0050】

エレクトロルミネセンス層３４２は、第１層Ｌ１（電荷発生層ＣＧＬ）に上下でそれぞれ接する一対の第２層Ｌ２（第２正孔輸送層ＨＴＬ２、電子輸送層ＥＴＬ）を含む。エレクトロルミネセンス層３４２は、第１層Ｌ１（電荷発生層ＣＧＬ）に上下でそれぞれ接する一対の第３層Ｌ３を含む。一対の第３層Ｌ３のそれぞれは、第１層Ｌ１（電荷発生層ＣＧＬ）と一対の第２層Ｌ２（第２正孔輸送層ＨＴＬ２、電子輸送層ＥＴＬ）の対応する１つとの間に介在する。一対の第３層Ｌ３は、それぞれ、正孔ブロック層と電子ブロック層からなる。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

【0051】

［第４の実施形態］
図７は、第４の実施形態に係る表示装置の断面図である。本実施形態では、第１の実施形態で電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）の上にある第３層Ｌ３が省略されている。なお、電荷発生層ＣＧＬは、電子の輸送性に富む材料からなる。

【0052】

エレクトロルミネセンス層４４２は、複数の第１層Ｌ１（正孔注入層ＨＩＬ、電荷発生層ＣＧＬ）と、複数の第２層Ｌ２（正孔輸送層ＨＴＬ、電子輸送層ＥＴＬ）を含む。

【0053】

正孔注入層ＨＩＬ（第１層Ｌ１）と正孔輸送層ＨＴＬ（第２層Ｌ２）の間に、第３層Ｌ３が介在する。この第３層Ｌ３は、正孔注入層ＨＩＬ（第１層Ｌ１）が輸送性に富む正孔をブロックする材料からなり、電子の輸送性に富む材料であってもよい。

【0054】

電荷発生層ＣＧＬ（第１層Ｌ１）と電子輸送層ＥＴＬ（第２層Ｌ２）の間に、他の第３層Ｌ３が介在する。この第３層Ｌ３は、電子輸送層ＥＴＬ（第２層Ｌ２）が輸送性に富む電子をブロックする材料からなり、正孔の輸送性に富む材料であってもよい。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。

【0055】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

【符号の説明】

【0056】

１０ 樹脂基板、１２ 感圧接着剤、１４ 補強フィルム、１６ バリア無機膜、１６ａ 第１無機膜、１６ｂ 第２無機膜、１６ｃ 第３無機膜、１８ 半導体層、２０ 付加膜、２２ ゲート絶縁膜、２４ ゲート電極、２６ 層間絶縁膜、２８ ソース／ドレイン電極、３０ 平坦化有機膜、３２ 画素コンタクト部、３４ 酸化インジウムスズ膜、３４ａ 第１透明導電膜、３４ｂ 第２透明導電膜、３６ 無機絶縁膜、３８ 画素電極、４０ 絶縁層、４０ａ 開口、４２ エレクトロルミネセンス層、４４ 対向電極、４６ カラーフィルタ層、４８ ブラックマトリクス層、５０ 封止層、５２ 有機膜、５４ 無機膜、５６ セクション、２４２ エレクトロルミネセンス層、３４２ エレクトロルミネセンス層、４４２ エレクトロルミネセンス層、Ｃａｄ 付加容量、ＣＧＬ 電荷発生層、ＣＬ１ 第１保持容量線、ＣＬ２ 第２保持容量線、ＣＰ 集積回路チップ、Ｃｓ 保持容量、ＤＡ 表示領域、ＤＳＰ ディスプレイ、ＥＭＬ 発光層、ＥＭＬ－Ｂ 青の発光層、ＥＭＬ－Ｇ 緑の発光層、ＥＭＬ－Ｒ 赤の発光層、ＥＴＬ 電子輸送層、ＥＴＬ２ 第２電子輸送層、ＦＰ フレキシブルプリント基板、ＨＩＬ 正孔注入層、ＨＴＬ 正孔輸送層、ＨＴＬ２ 第２正孔輸送層、Ｌ１ 第１層、Ｌ２ 第２層、Ｌ３ 第３層、Ｒ，Ｇ，Ｂ カラー層、ＴＲ 薄膜トランジスタ、Ｗ１ 第１配線層、Ｗ２ 第２配線層。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】