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特許7432664支持ユニット及びこれを含む基板処理装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-02-07

(45)【発行日】2024-02-16

(54)【発明の名称】支持ユニット及びこれを含む基板処理装置

(51)【国際特許分類】

H01L 21/683 20060101AFI20240208BHJP

H01L 21/304 20060101ALI20240208BHJP

H01L 21/027 20060101ALI20240208BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/304 648A

H01L21/304 643A

H01L21/30 564C

H01L21/30 569C

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2022113807

(22)【出願日】2022-07-15

(65)【公開番号】P2023015011

(43)【公開日】2023-01-31

【審査請求日】2022-07-15

(31)【優先権主張番号】10-2021-0094415

(32)【優先日】2021-07-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメスカンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋香元

(72)【発明者】

【氏名】キム，カンスル

(72)【発明者】

【氏名】アン，ヒマン

【審査官】宮久保博幸

(56)【参考文献】

【文献】特開平１１－２７４２８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１３８８５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１１９５９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１８８０３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－０６６４２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－００１１８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１４／０３４５０４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

【請求項2】

前記第１側面と前記第２側面は、
前記支持軸の軸方向と平行に形成される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記第１側面は、前記支持軸の軸方向と平行に形成され、
前記第２側面は、前記支持軸の軸方向に対して遠くなる方向に上向に傾くように形成される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

基板を処理する装置において、
内部に処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間で前記基板を支持し、回転させる支持ユニットと、
前記基板上に液を供給する液供給ユニットと、を含み、
前記支持ユニットは、
基板が安着される本体と、
前記本体と結合される支持軸と、含み、
前記本体の上部面には前記本体の中心を含む中央部と前記中央部を囲む縁部が提供され、
前記中央部には真空ホールが形成され、前記縁部には溝が形成され、
前記上部面は、
上部から見る時、基板より小さい面積で提供され、
前記中央部の上面は、前記縁部の上面より低く形成され、
前記中央部の上面には基板を支持する支持突起が提供され、
前記縁部の上面と前記支持突起の上端は、同一な高さで提供され、
前記縁部によって囲まれた部分は、前記真空ホールによって前記基板が吸着される減圧空間として提供され、
前記溝の内部空間は、前記基板と前記縁部の上面との間に流入された外部気流が留まる気流捕獲空間として提供される基板処理装置。

【請求項5】

基板を処理する装置において、
内部に処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間で前記基板を支持し、回転させる支持ユニットと、
前記基板上に液を供給する液供給ユニットと、を含み、
前記支持ユニットは、
基板が安着される本体と、
前記本体と結合される支持軸と、含み、
前記本体の上部面には前記本体の中心を含む中央部と前記中央部を囲む縁部が提供され、
前記中央部には真空ホールが形成され、前記縁部には前記縁部の周辺に沿ってリング形状に提供されるスリットが形成され、
前記スリットには、
前記スリットの幅方向に切断した断面から見る時、第１側面と前記第１側面より前記本体の中心から遠く位置した第２側面が提供され、
前記スリットは、前記縁部から前記中央部に向かう方向に複数が離隔されて提供され、
前記複数のスリットは、互いに異なる形状に提供され、
前記複数のスリットの形状は、
前記第１側面と前記第２側面が前記支持軸の軸方向と平行に形成される第１形状と、
前記第１側面は前記支持軸の軸方向と平行に形成され、前記第２側面は前記支持軸の軸方向に対して遠くなる方向に上向に傾くように形成される第２形状と、
前記第１側面と前記第２側面が前記支持軸の軸方向と平行に形成され、前記支持軸の中心から遠くなる方向に突出されて前記第１側面の上端に提供される突起部がさらに形成される第３形状と、
前記第１側面は、前記支持軸の軸方向と平行に形成され、前記第２側面は、前記支持軸の軸方向に対して遠くなる方向に上向に傾くように形成され、前記支持軸の中心から遠くなる方向に突出されて前記第１側面の上端に提供される突起部がさらに形成される第４形状の中でいずれか１つを含む基板処理装置。

【請求項6】

基板を支持し、回転させる支持ユニットにおいて、
基板が安着される本体と、
前記本体と結合され、内部に真空流路が形成された支持軸と、を含み、
前記本体の上部面は、前記本体の中心を含む中央部と前記中央部を囲む縁部が提供され、
前記中央部の中心には前記真空流路の一端と連通する真空ホールが形成され、前記縁部にはその周辺に沿ってリング形状のスリットが形成され、
前記スリットには、
前記スリットの幅方向に切断した断面から見る時、第１側面と前記第１側面より前記本体の中心から遠く位置した第２側面が提供され、
前記スリットは、
前記中心から遠くなる方向に突出される突起部が前記第１側面の上端に形成される
支持ユニット。

【請求項7】

前記第１側面と前記第２側面は、
前記支持軸の軸方向と平行に形成される請求項６に記載の支持ユニット。

【請求項8】

前記第１側面は、前記支持軸の軸方向と平行に形成され、
前記第２側面は、前記支持軸の軸方向に対して遠くなる方向に上向に傾くように形成される請求項６に記載の支持ユニット。

【請求項9】

前記上部面は、
上部から見る時、基板より小さい面積で提供される請求項６に記載の支持ユニット。

【請求項10】

前記中央部の上面は、
前記縁部の上面より低く形成されて、基板を支持する支持突起が提供され、
前記縁部の上面と前記支持突起の上端は、地面に対して同一な高さで提供される請求項９に記載の支持ユニット。

【請求項11】

前記スリットは、前記縁部から前記中央部に向かう方向に複数が離隔されて提供され、
前記複数のスリットは、互いに異なる形状に提供される請求項１０に記載の支持ユニット。

【請求項12】

基板を処理する装置において、
内部空間を有するハウジングと、
前記内部空間内に位置し、処理空間を有する処理容器と、
前記処理空間で前記基板を支持し、回転させる支持ユニットと、
前記基板上に液を供給する液供給ユニットと、
前記ハウジングの上部面に結合され、前記内部空間に下方気流を形成する気体を供給する気流供給ユニットと、を含み、
前記支持ユニットは、
基板が安着される本体と、
前記本体と結合され、内部に真空流路が形成された支持軸と、を含み、
前記本体の上部面は、前記本体の中心を含む中央部と前記中央部を囲む縁部が提供され、
前記中央部の中心には前記真空流路の一端と連通する真空ホールが形成され、
前記中央部の上面は、前記縁部の上面より低く形成されて、基板を支持する支持突起が形成され、
前記縁部にはその周辺に沿ってリング形状のスリットが形成され、
前記スリットには、
前記スリットの幅方向に切断した断面から見る時、第１側面と前記第１側面より前記本体の中心から遠く位置した第２側面が提供され、
前記スリットは、
前記中心から遠くなる方向に突出される突起部が前記第１側面の上端に形成される
基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は支持ユニット及びこれを含む基板を処理する装置に関し、さらに詳細には回転する基板に液を供給して基板を処理する基板処理装置及びそれに使用される支持ユニットに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、写真、蝕刻、そしてイオン注入のような様々な工程が遂行される。このような工程の中で写真工程は基板の表面にフォトレジストのような感光液を塗布して膜を形成する塗布工程、基板に形成された膜に回路パターンを転写する露光工程、露光処理された領域、又はその反対領域で選択的に基板上に形成された膜を除去する現像工程を含む。

【0003】

最近、多層化、微細パターン化、基板の大型化傾向の中で、基板に反り（ｗａｒｐａｇｅ）現象が発生される。一例として、蝕刻工程で互いに異なる蝕刻率を有するパターン対象膜を蝕刻しながら、発生された不純物や積層された物質が相互引力によってパターンの線幅ＣＤ（ＣｒｉｔｉｃａｌＤｅｍｅｎｓｉｏｎ）の差が生じ、パターンが互いに傾けて基板に反り現象を引き起こす。他の例として、半導体基板が多層化されることによって、各層間に圧力差が発生して基板のいずれか一方が反る現象が引き起こされる。その外にも基板に成膜等の様々な前処理工程の影響によって基板に反りが発生する。このような基板の反り現象は後続単位工程を遂行する時、工程不良率を高める。特に、支持ユニットに支持された基板を回転させながら、基板上に処理液を供給する塗布工程と現像工程を進行する時、問題が発生する。

【0004】

反り状態にある基板Ｗが支持ユニット上に安着される時、支持ユニットの本体縁付近と基板との間に一定距離離隔される現象が発生する。基板と支持ユニットの本体縁領域との間の離隔空間が形成されることによって、外部の気流が離隔空間に流入される。支持ユニットが基板を真空吸着方式に吸着固定する場合、支持ユニットの中央部で陰圧の強さが相対的に強くなり、支持ユニットの縁部で陰圧の強さが相対的に弱くなる。これによって、支持ユニットによる基板の吸着固定がスムーズではない。さらに、基板の中央部と縁部の相対的な圧力の偏差によって、基板の反り状態を強化する問題を生じる。これは塗布工程と現像工程で基板上に処理液が均一にコーティングされることを妨害する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】国際特許公開第ＷＯ２０１５０６４６１３Ａ１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の一目的は外部気流の影響を最小化することができる支持ユニット及びこれを含む基板処理装置を提供することにある。

【0007】

また、本発明の一目的は支持ユニット上に安着された基板に伝達される圧力の偏差を最小化することができる支持ユニット及びこれを含む基板処理装置を提供することにある。

【0008】

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は内部に処理空間を有する処理容器、前記処理空間で前記基板を支持し、回転させる支持ユニット、及び前記基板上に液を供給する液供給ユニットを含み、前記支持ユニットは基板が安着される本体及び前記本体と結合される支持軸を含み、前記本体の上部面には前記本体の中心を含む中央部と前記中央部を囲む縁部が提供され、前記中央部には真空ホールが形成され、前記縁部には溝が形成されることができる。

【0010】

一実施形態によれば、前記溝はスリット形状に提供されることができる。

【0011】

一実施形態によれば、前記スリットは前記縁部の周辺に沿ってリング形状に提供されることができる。

【0012】

一実施形態によれば、前記スリットには前記スリットの幅方向に切断した断面から見る時、第１側面と前記第１側面より前記本体の中心から遠く位置した第２側面が提供されることができる。

【0013】

一実施形態によれば、前記第１側面と前記第２側面は前記支持軸の軸方向と平行に形成されることができる。

【0014】

一実施形態によれば、前記第１側面は前記支持軸の軸方向と平行に形成され、前記第２側面は前記支持軸の軸方向に対して遠くなる方向に上向に傾くように形成されることができる。

【0015】

一実施形態によれば、前記スリットには前記中心から遠くなる方向に突出される突起部が前記第１側面の上端に形成されることができる。

【0016】

一実施形態によれば、前記上部面は上部から見る時、基板より小さい面積で提供され、前記中央部の上面は前記縁部の上面より低く形成され、前記中央部の上面には基板を支持する支持突起が提供され、前記縁部の上面と前記支持突起の上端は同一な高さで提供されることができる。

【0017】

一実施形態によれば、前記縁部によって囲まれた部分は前記真空ホールによって前記基板が吸着される減圧空間として提供され、前記溝の内部空間は前記基板と前記縁部の上面との間に流入された外部気流が留まる気流捕獲空間として提供されることができる。

【0018】

一実施形態によれば、前記スリットは前記縁部から前記中央部に向かう方向に複数が離隔されて提供され、前記複数のスリットは互いに異なる形状に提供されることができる。

【0019】

一実施形態によれば、前記第１側面と前記第２側面が前記支持軸の軸方向と平行に形成される第１形状、前記第１側面は前記支持軸の軸方向と平行に形成され、前記第２側面は前記支持軸の軸方向に対して遠くなる方向に上向に傾くように形成される第２形状、前記第１側面と前記第２側面が前記支持軸の軸方向と平行に形成され、前記支持軸の中心から遠くなる方向に突出されて前記第１側面の上端に提供される突起部がさらに形成される第３形状、及び前記第１側面は前記支持軸の軸方向と平行に形成され、前記第２側面は前記支持軸の軸方向に対して遠くなる方向に上向に傾くように形成され、前記支持軸の中心から遠くなる方向に突出されて前記第１側面の上端に提供される突起部がさらに形成される第４形状の中でいずれか１つを含むことができる。

【0020】

また、本発明は基板を支持し、回転させる支持ユニットを提供する。支持ユニットは、基板が安着される本体及び前記本体と結合され、内部に真空流路が形成された支持軸を含み、前記本体の上部面は前記本体の中心を含む中央部と前記中央部を囲む縁部が提供され、前記中央部の中心には前記真空流路の一端と連通する真空ホールが形成され、前記縁部にはその周辺に沿ってリング形状のスリットが形成され、前記スリットには前記スリットの幅方向に切断した断面から見る時、第１側面と前記第１側面より前記本体の中心から遠く位置した第２側面が提供されることができる。

【0021】

一実施形態によれば、前記第１側面と前記第２側面は前記支持軸の軸方向と平行に形成されることができる。

【0022】

【0023】

一実施形態によれば、前記スリットは前記中心から遠くなる方向に突出される突起部が前記第１側面の上端に形成されることができる。

【0024】

一実施形態によれば、前記上部面は上部から見る時、基板より小さい面積で提供されることができる。

【0025】

一実施形態によれば、前記中央部の上面は前記縁部の上面より低く形成されて、基板を支持する支持突起が提供され、前記縁部の上面と前記支持突起の上端は地面に対して同一な高さで提供されることができる。

【0026】

一実施形態によれば、前記スリットは前記縁部で前記中央部に向かう方向に複数が離隔されて提供され、前記複数のスリットは互いに異なる形状に提供されることができる。

【0027】

また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は内部空間を有するハウジング、前記内部空間内に位置し、処理空間を有する処理容器、前記処理空間で前記基板を支持し、回転させる支持ユニット、前記基板上に液を供給する液供給ユニット、及び前記ハウジングの上部面に結合され、前記内部空間に下方気流を形成する気体を供給する気流供給ユニットを含み、前記支持ユニットは基板が安着される本体及び前記本体と結合され、内部に真空流路が形成された支持軸を含み、前記本体の上部面は前記本体の中心を含む中央部と前記中央部を囲む縁部が提供され、前記中央部の中心には前記真空流路の一端と連通する真空ホールが形成され、前記中央部の上面は前記縁部の上面より低く形成されて、基板を支持する支持突起が形成され、前記縁部にはその周辺に沿ってリング形状のスリットが形成され、前記スリットには前記スリットの幅方向に切断した断面から見る時、第１側面と前記第１側面より前記本体の中心から遠く位置した第２側面が提供されることができる。

【0028】

一実施形態によれば、前記スリットは前記中心から遠くなる方向に突出される突起部が前記第１側面の上端に形成されることができる。

【発明の効果】

【0029】

本発明の実施形態によれば、液処理工程の効率を向上させることができる。

【0030】

また、本発明の実施形態によれば、支持ユニットに伝達される外部気流の影響を最小化することができる、

【0031】

また、ボール発明の実施形態によれば、支持ユニット上に安着された基板に伝達される圧力の偏差を最小化することができる。

【0032】

また、ボール発明の実施形態によれば、反り状態にある基板が支持ユニット上に支持される時、基板の反り状態を悪化させることを最小化することができる。

【0033】

本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0034】

【図1】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図である。

【図2】図１の塗布ブロック又は現像ブロックを示す基板処理装置の正面図である。

【図3】図１の基板処理装置の平面図である。

【図4】図３の搬送チャンバーに提供されるハンドの一例を示す図面である。

【図5】図３の熱処理チャンバーの一例を概略的に示す平面図である。

【図6】図５の熱処理チャンバーの正面図である。

【図7】図３の液処理チャンバーの一例を概略的に示す図面である。

【図8】図７の支持ユニットの一例を概略的に示す切断斜視図である。

【図9】正面から見る時、図７の支持ユニット内で外部の気流が流動する形状を概略的に示す図面である。

【図10】図９のＡ部分を拡大した形状を概略的に示す図面である。

【図11】図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。

【図12】図１１のＢ部分を拡大した形状を概略的に示す図面である。

【図13】図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。

【図14】図１３のＣ部分を拡大した形状を概略的に示す図面である。

【図15】図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。

【図16】図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。

【図17】図７の支持ユニットに対する他の例を概略的に示す切断斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0035】

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が下で説明する実施形態によって限定されないことと解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での構成要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。

【0036】

以下、図１乃至図１７を参照して本発明の一例を詳細に説明する。下の実施形態では基板処理装置に基板上にフォトレジストを塗布し、露光後基板を現像する工程を遂行する装置を例として説明する。しかし、本発明はこれに限定されななく、回転する基板に液を供給して基板を処理する多様な種類の装置に適用可能である。例えば、基板処理装置は基板に洗浄液を供給して基板上に異物を除去するか、又は基板に薬液を供給して基板で薄膜を除去する工程を遂行する装置であり得る。

【0037】

図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す斜視図であり、図２は図１の基板処理装置の正面図である。図３は図１の基板処理装置の平面図である。

【0038】

図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール１０（Ｉｎｄｅｘｍｏｄｕｌｅ）、処理モジュール２０（Ｔｒｅａｔｉｎｇｍｏｄｕｌｅ）、そしてインターフェイスモジュール５０（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｍｏｄｕｌｅ）を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そしてインターフェイスモジュール５０は順次的に一列に配置される。以下、インデックスモジュール１０、処理モジュール２０、そしてインターフェイスモジュール５０が配列された方向を第１方向２とし、上部から見る時、第１方向２と垂直になる方向を第２方向４とし、第１方向２及び第２方向４を全て含む平面に垂直になる方向を第３方向６と定義する。

【0039】

インデックスモジュール１０は基板Ｗが収納された容器Ｆから基板Ｗを処理する処理モジュール２０に基板Ｗを搬送する。インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｗを容器Ｆに収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２０とインデックスフレーム１４０を有する。

【0040】

ロードポート１２０には基板Ｗが収納された容器Ｆが安着される。ロードポート１２０はインデックスフレーム１４０を基準に処理モジュール２０の反対側に位置する。ロードポート１２０は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２０は第２方向４に沿って一列に配置されることができる。ロードポート１２０の数は処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少することができる。

【0041】

容器Ｆには基板Ｗを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。容器Ｆとしては前面開放一体型ポッド（ＦｒｏｎｔＯｐｅｎｉｎｇＵｎｉｆｅｄＰｏｄ；ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器Ｆはオーバーヘッドトランスファー（ＯｖｅｒｈｅａｄＴｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（ＯｖｅｒｈｅａｄＣｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（ＡｕｔｏｍａｔｉｃＧｕｉｄｅｄＶｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２０に置かれることがきる。

【0042】

インデックスフレーム１４０の内部にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はインデックスフレーム１４０内にその長さ方向が第２方向４に沿って提供される。インデックスロボット１４４は基板Ｗを搬送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスモジュール１０、そして後述するバッファチャンバー２４０の間に基板Ｗを搬送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスハンド１４４０を含むことができる。インデックスハンド１４４０には基板Ｗが置かれることがきる。インデックスハンド１４４０は円周の一部が対称されるように切断された環状のリング形状を有するインデックスベース１４４２とインデックスベース１４４２を移動させるインデックス支持部１４４４を含むことができる。インデックスハンド１４４０の構成は後述する搬送ハンド２２４０の構成と同一又は類似である。インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２上で第２方向４に沿って移動可能に提供されることができる。したがって、インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２に沿って前進及び後進移動が可能である。また、インデックスハンド１４４０は第３方向６を軸とする回転、そして第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。

【0043】

処理モジュール２０は容器Ｆに収納された基板Ｗが伝達されて基板Ｗに対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール２０は塗布ブロック２０ａ及び現像ブロック２０ｂを有する。塗布ブロック２０ａは基板Ｗに対して塗布工程（Ｃｏａｔｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ）を遂行する。現像ブロック２０ｂは基板Ｗに対して現像工程（Ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ）を遂行する。塗布ブロック２０ａは複数が提供され、塗布ブロック２０ａは互いに積層されるように提供される。現像ブロック２０ｂは複数が提供され、現像ブロック２０ｂは互いに積層されるように提供される。図１の実施形態によれば、塗布ブロック２０ａは２つが提供され、現像ブロック２０ｂは２つが提供される。塗布ブロック２０ａは現像ブロック２０ｂの下に配置されることができる。一例によれば、２つの塗布ブロック２０ａは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。また、２つの現像ブロック２０ｂは互いに同一な工程を実行し、互いに同一な構造で提供されることができる。

【0044】

図３を参照すれば、塗布ブロック２０ａは搬送チャンバー２２０、バッファチャンバー２４０、熱処理チャンバー２６０、そして液処理チャンバー２８０を有する。搬送チャンバー２２０はバッファチャンバー２４０と熱処理チャンバー２６０との間に、バッファチャンバー２４０と液処理チャンバー２８０との間に、そして熱処理チャンバー２６０と液処理チャンバー２８０との間に基板Ｗを搬送する空間を提供する。バッファチャンバー２４０は塗布ブロック２０ａ内に搬入される基板Ｗと塗布ブロック２０ａから搬出される基板Ｗが一時的に留まる空間を提供する。熱処理チャンバー２６０は基板Ｗに対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバー２６０は基板Ｗ上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜又は反射防止膜であり得る。

【0045】

搬送チャンバー２２０は長さ方向が第１方向２に提供されることができる。搬送チャンバー２２０にはガイドレール２２２と搬送ロボット２２４が提供される。ガイドレール２２２は長さ方向が第１方向２に搬送チャンバー２２０内に提供される。搬送ロボット２２４はガイドレール２２２上で第１方向２に沿って直線移動可能に提供されることができる。搬送ロボット２２４はバッファチャンバー２４０と熱処理チャンバー２６０との間に、バッファチャンバー２４０と液処理チャンバー２８０との間に、そして熱処理チャンバー２６０と液処理チャンバー２８０との間に基板Ｗを搬送する。

【0046】

一例によれば、搬送ロボット２２４は基板Ｗが置かれる搬送ハンド２２４０を有する。搬送ハンド２２４０は前進及び後進移動、第３方向６を軸とする回転、そして第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。

【0047】

図４は図３の搬送チャンバーに提供される搬送ハンドの一実施形態を示す図面である。図４を参照すれば、搬送ハンド２２４０はベース２２４２及び支持突起２２４４を有する。ベース２２４２は円周の一部が切断された環状のリング形状を有することができる。ベース２２４２は円周の一部が対称されるように切断されたリング形状を有することができる。ベース２２４２は基板Ｗの直径より大きい内径を有する。支持突起２２４４はベース２２４２から内側に延長される。支持突起２２４４は複数が提供され、基板Ｗの縁領域を支持する。一例によれば、支持突起２２４４は等間隔に４つが提供されることができる。

【0048】

再び図２及び図３を参照すれば、バッファチャンバー２４０は複数に提供される。バッファチャンバー２４０の中で一部はインデックスモジュール１０と搬送チャンバー２２０との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを前段バッファ２４２（ｆｒｏｎｔｂｕｆｆｅｒ）として定義する。前段バッファ２４２は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。バッファチャンバー２４０の中で他の一部は搬送チャンバー２２０とインターフェイスモジュール５０との間に配置される。以下、これらのバッファチャンバーを後段バッファ２４４（ｒｅａｒｂｕｆｆｅｒ）として定義する。後段バッファ２４４は複数に提供され、上下方向に沿って互いに積層されるように位置される。前段バッファ２４２及び後段バッファ２４４の各々は複数の基板Ｗを一時的に保管する。前段バッファ２４２に保管された基板Ｗはインデックスロボット１４４及び搬送ロボット２２４によって搬入又は搬出される。後段バッファ２４４に保管された基板Ｗは搬送ロボット２２４及び後述する第１ロボット３８２０によって搬入又は搬出される。

【0049】

バッファチャンバー２４０の一側にはバッファロボット２４２０、２４４０が提供されることができる。バッファロボット２４２０、２４４０は前段バッファロボット２４２０と後段バッファロボット２４４０を含むことができる。前段バッファロボット２４２０は前段バッファ２４２の一側に提供されることができる。後段バッファロボット２４４０は後段バッファ２４４の一側に提供されることができる。これに限定されることではなく、バッファロボット２４２０、２４４０はバッファチャンバー２４０の両側に提供されることができる。

【0050】

前段バッファロボット２４２０は前段バッファ２４２の間に基板Ｗを搬送することができる。前段バッファロボット２４２０は前段バッファハンド２４２２を含むことができる。前段バッファハンド２４２２は第３方向６に沿って上下方向に移動されることができる。前段バッファハンド２４２２は回転されることができる。前段バッファハンド２４２２は基板Ｗを搬送することができる。前段バッファハンド２４２２は後述する支持プレート２４８２に提供されるピン２４８６に基板Ｗをローディング又はアンローディングすることができる。後段バッファロボット２４４０は後段バッファ２４４との間に基板Ｗを搬送することができる。後段バッファロボット２４４０は後段バッファハンド２４４２を含むことができる。後段バッファハンド２４４２の構成は前段バッファハンド２４２２の構成と同一又は類似である。したがって、後段バッファハンド２４４２に対する説明は省略する。

【0051】

図５は図３の熱処理チャンバーの一実施形態を概略的に示す平面図であり、図６は図５の熱処理チャンバーの平面図である。図５及び図６を参照すれば、熱処理チャンバー２６０は複数に提供される。熱処理チャンバー２６０は第１方向２に沿って配置される。熱処理チャンバー２６０は搬送チャンバー２２０の一側に位置する。熱処理チャンバー２６０はハウジング２６２０、冷却ユニット２６４０、加熱ユニット２６６０、そして搬送プレート２６８０を含む。

【0052】

ハウジング２６２０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング２６２０は内部に空間を提供する。ハウジング２６２０の側壁には、基板Ｗが出入される出入口（図示せず）が形成される。出入口は開放された状態に維持されることができる。選択的に、出入口を開閉するようにドア（図示せず）が提供されることができる。

【0053】

ハウジング２６２０の内部空間には冷却ユニット２６４０、加熱ユニット２６６０、そして搬送プレート２６８０が提供される。冷却ユニット２６４０と加熱ユニット２６６０は第２方向４に沿って並べて提供される。一例によれば、冷却ユニット２６４０は加熱ユニット２６６０より相対的に搬送チャンバー２２０にさらに近く位置することができる。冷却ユニット２６４０は冷却プレート２６４２を含む。冷却プレート２６４２は上部から見る時、大体に円形の形状を有することができる。冷却プレート２６４２には冷却部材２６４４が提供される。一例によれば、冷却部材２６４４は冷却プレート２６４２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路として提供されることができる。
熱処理チャンバー２６０の中で一部の熱処理チャンバー２６０に提供された加熱ユニット２６６０は基板Ｗを加熱する際に、ガスを供給してフォトレジストの基板Ｗ付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｎｅ）であり得る。

【0054】

加熱ユニット２６６０は加熱プレート２６６１、ヒーター２６６３、カバー２６６５、そして駆動器２６６７を含む。加熱プレート２６６１は上部から見る時、大体に円形の形状を有する。加熱プレート２６６１は基板Ｗより大きい直径を有する。加熱プレート２６６１にはヒーター２６６３が設置される。ヒーター２６６３は電流が印加される発熱抵抗体で提供されることができる。

【0055】

加熱プレート２６６１には第３方向６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン２６６９が提供される。リフトピン２６６９は加熱ユニット２６６０外部の搬送手段から基板Ｗを引き受けて加熱プレート２６６１上に置くか、或いは加熱プレート２６６１から基板Ｗを持ち上げて加熱ユニット２６６０外部の搬送手段に引き渡す。一例によれば、リフトピン２６６９は３つが提供されることができる。

【0056】

カバー２６６５は内部に下部が開放された空間を有する。カバー２６６５は加熱プレート２６６１の上部に位置され、駆動器２６６７によって上下方向に移動される。カバー２６６５が移動されてカバー２６６５と加熱プレート２６６１が形成する空間は基板Ｗを加熱する加熱空間として提供される。

【0057】

搬送プレート２６８０は大体に円板形状に提供され、基板Ｗと対応される直径を有する。搬送プレート２６８０の縁にはノッチ２６８２が形成される。ノッチ２６８２は搬送ロボット２２４の搬送ハンド２２４０に形成された支持突起２２４４と対応される数で提供され、支持突起２２４４と対応される位置に形成される。搬送ハンド２２４０と搬送プレート２６８０が上下方向に整列された位置で搬送ハンド２２４０と搬送プレート２６８０の上下位置が変更されれば、搬送ハンド２２４０と搬送プレート２６８０との間に基板Ｗの伝達が行われる。搬送プレート２６８０はガイドレール２６９２上に装着され、駆動器２６９４によってガイドレール２６９２に沿って第１領域２６９６と第２領域２６９８との間に移動することができる。

【0058】

搬送プレート２６８０にはスリット形状のガイド溝２６８４が複数に提供される。ガイド溝２６８４は搬送プレート２６８０の終端から搬送プレート２６８０の内部まで延長される。ガイド溝２６８４はその長さ方向が第２方向４に沿って提供され、ガイド溝２６８４は第１方向２に沿って互いに離隔されるように位置する。ガイド溝２６８４は搬送プレート２６８０と加熱ユニット２６６０との間に基板Ｗの引受引渡が行われる時、搬送プレート２６８０とリフトピン２６６９が互いに干渉されることを防止する。

【0059】

基板Ｗの冷却は基板Ｗが置かれる搬送プレート２６８０が冷却プレート２６４２に接触された状態で行われる。冷却プレート２６４２と基板Ｗとの間に熱伝達が良く行われるように搬送プレート２６８０は熱伝導性が高い材質で提供される。一例によれば、搬送プレート２６８０は金属材質で提供されることができる。

【0060】

再び図２及び図３を参照すれば、液処理チャンバー２８０は複数に提供される。液処理チャンバー２８０の中で一部は互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバー２８０は搬送チャンバー２２０の一側に配置される。液処理チャンバー２８０は第１方向２に沿って並べて配列される。液処理チャンバー２８０の中でいずれかの一部はインデックスモジュール１０と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバー２８０を前段液処理チャンバー２８２（ｆｒｏｎｔｌｉｑｕｉｄｔｒｅａｔｉｎｇｃｈａｍｂｅｒ）と定義する。液処理チャンバー２８０の中で他の一部はインターフェイスモジュール５０と隣接する位置に提供される。以下、これらの液処理チャンバー２８０を後段液処理チャンバー２８４（ｒｅａｒｌｉｑｕｉｄｔｒｅａｔｉｎｇｃｈａｍｂｅｒ）と定義する。

【0061】

前段液処理チャンバー２８２は基板Ｗ上に第１液を塗布し、後段液処理チャンバー２８４は基板Ｗ上に第２液を塗布する。第１液と第２液は互いに異なる種類の液であり得る。一実施形態によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板Ｗ上に塗布されることができる。選択的に、第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜であり得る。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板Ｗ上に塗布されることができる。選択的に、第１液と第２液は同一な種類の液であり、これらは全てフォトレジストであり得る。

【0062】

図７は図３の液処理チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。図７を参照すれば、液処理チャンバー２８０はハウジング２８１０、処理容器２８２０、支持ユニット２８３０、そして液供給ユニット２８５０を含む。

【0063】

ハウジング２８１０は内部に空間を提供する。ハウジング２８１０は大体に直方体形状に提供される。ハウジング２８１０の一側には開口（図示せず）が形成されることができる。開口は基板Ｗが内部空間に搬入されるか、或いは内部空間で基板Ｗが搬出される出入口として機能する。また、出入口を選択的に密閉させるため、出入口に隣接する領域にはドア（図示せず）が設置されることができる。ドアは内部空間に搬入された基板Ｗに対する処理工程が遂行される間に出入口を遮断して内部空間を密閉することができる。処理容器２８２０、支持ユニット２８３０、そして液供給ユニット２８５０はハウジング２８１０内に配置される。

【0064】

処理容器２８２０は上部が開放された処理空間を有することができる。処理容器２８２０は処理空間を有するボウル（ｂｏｗｌ）であり得る。内部空間は処理空間を囲むように提供されることができる。処理容器２８２０は上部が開放されたカップ形状を有することができる。処理容器２８２０が有する処理空間は後述する支持ユニット２８３０が基板Ｗを支持、そして回転させる空間であり得る。処理空間は後述する液供給ユニット２８５０が流体を供給して基板Ｗが処理される空間であり得る。

【0065】

一例によれば、処理容器２８２０は内側カップ２８２２と外側カップ２８２４を含むことができる。外側カップ２８２４は支持ユニット２８３０の周辺を囲むように提供され、内側カップ２８２２は外側カップ２８２４の内側に位置することができる。内側カップ２８２２及び外側カップ２８２４の各々は上部から見る時、環状のリング形状を有することができる。内側カップ２８２２及び外側カップ２８２４の間の空間は処理空間に流入された流体が回収される回収経路として提供されることができる。

【0066】

内側カップ２８２２は上部から見る時、後述する支持ユニット２８３０の支持軸２８３２を囲む形状に提供されることができる。例えば、内側カップ２８２２は上部から見る時、支持軸２８３２を囲む円形の板形状に提供されることができる。上部から見る時、内側カップ２８２２はハウジング２８１０に結合される後述する排気ライン２８６０と重畳されるように位置されることができる。

【0067】

内側カップ２８２２は内側部及び外側部を有することができる。内側部と外側部の各々の上面は仮想の水平線を基準に互いに異なる角度を有するように提供されることができる。例えば、内側部は上部から見る時、後述する支持ユニット２８３０の本体２８３１と重畳されるように位置されることができる。内側部は支持軸２８３２と対向するように位置されることができる。内側部は支持軸２８３２から遠くなるほど、その上面が上向傾いた方向に向かい、外側部は内側部から外側方向に延長されることができる。外側部は上面が支持軸２８３２から遠くなるほど、下方に傾いた方向に向かうことができる。内側部の上端は基板Ｗの側端部と上下方向に一致されることができる。一例によれば、外側部と内側部が出会う地点は内側部の上端より低い位置であり得る。内側部と外側部が互いに出会う地点はラウンドになるように提供されることができる。外側部は外側カップ２８２４と互いに組み合わせて処理媒体が回収される回収経路を形成することができる。

【0068】

外側カップ２８２４は支持ユニット２８３０及び内側カップ２８２２を囲むカップ形状に提供されることができる。外側カップ２８２４は底部２８２４ａ、側部２８２４ｂ、傾斜部２８２４ｃを含むことができる。

【0069】

底部２８２４ａは中空を有する円形の板形状を有することができる。底部２８２４ａには回収ライン２８７０が連結されることができる。回収ライン２８７０は基板Ｗ上に供給された処理媒体を回収することができる。回収ライン２８７０によって回収された処理媒体は外部の再生システム（図示せず）によって再使用されることができる。

【0070】

側部２８２４ｂは支持ユニット２８３０を囲む環状のリング形状を有することができる。側部２８２４ｂは底部２８２４ａの側端から垂直になる方向に延長されることができる。側部２８２４ｂは底部２８２４ａから上に延長されることができる。

【0071】

傾斜部２８２４ｃは側部２８２４ｂの上端から外側カップ２８２４の中心軸に向かう方向に延長されることができる。傾斜部２８２４ｃの内側面は支持ユニット２８３０に近くなるように上向に傾くように提供されることができる。傾斜部２８２４ｃはリング形状を有するように提供されることができる。基板Ｗに対する処理工程の進行中には傾斜部２８２４ｃの上端が支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗより高く位置されることができる。

【0072】

図８は図７の支持ユニットの一例を概略的に示す切断斜視図である。以下では、図７と図８を参照して本発明の支持ユニットに対する一実施形態を詳細に説明する。

【0073】

支持ユニット２８３０は基板Ｗを処理空間内で基板Ｗを支持し、基板Ｗを回転させる。支持ユニット２８３０は基板Ｗを支持し、回転させるチャックであり得る。支持ユニット２８３０は本体２８３１、支持軸２８３２、そして駆動部２８３３を含むことができる。

【0074】

本体２８３１は基板Ｗが安着される上部面を有することができる。本体２８３１の上部面は上部から見る時、大体に円形に提供される。本体２８３１の上部面は基板Ｗより小さい直径を有するように提供される。一例として、上部から見る時、本体２８３１の上部面は基板Ｗの上部面より小さい面積で提供されることができる。

【0075】

本体２８３１の上部面は中央部Ａ１と縁部Ａ２で提供されることができる。中央部Ａ１は本体２８３１の中心を含む領域であり得る。縁部Ａ２は中央部Ａ１を囲む領域であり得る。一例として、中央部Ａ１は後述する支持突起２８３６が形成される領域を含む領域であり得る。一例として、縁部Ａ２は中央部Ａ１から本体２８３１の終端までの領域であり得る。

【0076】

中央部Ａ１の上面は縁部Ａ２の上面より低く形成されることができる。一例として、中央部Ａ１は縁部Ａ２に対して段差を有するように形成されることができる。中央部Ａ１には真空ホール２８３５が形成される。真空ホール２８３５は真空吸着方式に基板Ｗを吸着固定することができる。縁部Ａ２によって囲まれた中央部Ａ１は真空ホール２８３５によって基板Ｗが吸着される減圧空間として提供されることができる。中央部Ａ１の上面には基板Ｗを支持する支持突起２８３６が提供されることができる。支持突起２８３６の上端はラウンド（Ｒｏｕｎｄ）を有するように形成されることができる。支持突起２８３６の上端は基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを支持することができる。支持突起２８３６の上端は縁部Ａ２の上面と同一な高さで提供されることができる。支持突起２８３６は複数が提供されることができる。

【0077】

縁部Ａ２は基板Ｗが安着される案着面を提供する。縁部Ａ２の上面に基板Ｗの下面が接触して基板Ｗが支持されることができる。これによって、支持突起２８３６と縁部Ａ２によって基板Ｗの下面が支持され、中央部Ａ１に形成された減圧空間によって基板Ｗが吸着支持されることができる。

【0078】

縁部Ａ２には溝３０００が形成される。溝３０００はスリット形状に提供されることができる。スリット３０００は縁部Ａ２の周辺に沿ってリング形状に提供されることができる。スリット３０００の幅方向に切断した断面から見る時、スリット３０００には第１側面３１００と第２側面３２００が提供される。第２側面３２００は第１側面３１００より本体２８３１の中心から遠く位置する。一例として、第１側面３１００は中央部Ａ１から近い位置に提供され、第２側面３２００は第１側面３１００より中央部Ａ１から遠い位置に提供されることができる。

【0079】

本発明の一実施形態によれば、第１側面３１００は後述する支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第２側面３２００は支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。一例として、底面３３００は第１側面３１００と第２側面３２００を連結する面であり得る。スリット３０００を幅方向に切断した断面から見る時、第１側面３１００、第２側面３２００、そして底面３３００が組み合わせて上面が開放された方形の形状に提供されることができる。スリット３０００の内部空間は基板Ｗと縁部Ａ２の上面との間に流入された外部の気流が留まる気流捕獲空間として提供される。一例として、第１側面３１００、第２側面３２００、底面３３００、そして縁部Ａ２の上面に安着された基板Ｗが互いに組み合わせて形成された内部空間は外部の気流が留まることができる。

【0080】

図９は正面から見る時、図７の支持ユニット内で外部の気流が流動する形状を概略的に示す図面である。図１０は図９のＡ部分を拡大した形状を概略的に示す図面である。以下では、図７乃至図９、そして図１０を参照して支持ユニット内で外部の気流が流動する形状を詳細に説明する。

【0081】

ハウジング２８１０の内部には気流が流動する。一例として、ハウジング２８１０の内部には後述する気流供給ユニット２８８０によって流入された外部の気流が流動する。支持ユニット２８３０上に反り状態にある基板Ｗが安着される場合、縁部Ａ２に基板Ｗの下面が密着して接触されることができない。縁部Ａ２と基板Ｗとの間に離隔された空間が発生される。したがって、ハウジング２８１０内に形成された気流が離隔空間に流入されることができる。離隔空間に流入された気流が縁部Ａ２に形成されたスリット３０００に提供された気流捕獲空間の内部に流動する。気流は捕獲空間内部で第１側面３１００、第２側面３２００、そして基板Ｗの下面に衝突することによって過流を形成する。形成された渦流によって離隔空間に再度流入される後続気流が再び衝突する。したがって、離隔空間に流入される後続気流の流速が降下する。これによって、離隔空間から流入される気流が中央部Ａ１に到達することを最小化することができる。中央部Ａ１に到達する気流を最小化することによって、中央部Ａ１に形成された支持突起２８３６によって支持される基板Ｗの中央付近と、縁部Ａ２に安着されて支持される基板Ｗの縁付近との圧力偏差を最小化することができる。

【0082】

支持軸２８３２の内部には真空流路２８３７を形成することができる。真空流路２８３７の一端は真空ホール２８３５と連通することができる。真空流路２８３７の他端は減圧部材２８３４と接続することができる。減圧部材２８３４は真空流路２８３７内に陰圧を提供する。したがって、減圧部材２８３４は中央部Ａ１に形成された真空ホール２８３５を通じて減圧空間に対して陰圧を提供する。減圧部材２８３４は中央部Ａ１に形成された真空ホール２８３５を通じて基板Ｗに対して陰圧を提供する。減圧部材２８３４は中央部Ａ１に形成された真空ホール２８３５を通じて基板Ｗの中央付近に対して陰圧を提供する。したがって、基板Ｗの中央付近は基板Ｗの縁付近と比較して、相対的に高い陰圧が提供される。基板Ｗが反った状態に支持ユニット２８３０上に安着されて外部の気流が離隔空間に流入される場合、離隔空間内で基板Ｗの下面に気流が衝突することによって基板Ｗに対して上方向に力が作用する。基板Ｗの中心付近は下方向に力が作用し、基板Ｗの縁付近は上方向に力が作用する。したがって、本発明は実施形態では縁部Ａ２にスリット３０００を形成することによって、外部の気流が中央部Ａ１に流入されることを最小化することができる。基板Ｗの中央付近と基板の縁付近との間に圧力の差を最小化することができる。したがって、反り状態にある基板Ｗが支持ユニット２８３０上に安着した時、基板Ｗの反り状態がさらに悪化されることを最小化することができる。

【0083】

再び図７を参照すれば、支持軸２８３２は本体２８３１と結合する。支持軸２８３２は本体２８３１の下面と結合することができる。支持軸２８３２は長さ方向が上下方向に向かうように提供されることができる。支持軸２８３２は駆動部２８３３から動力が伝達されて回転可能するように提供される。支持軸２８３２が駆動部２８３３の回転によって回転することによって本体２８３１を回転させる。駆動部２８３３は支持軸２８３２の回転速度を可変することができる。駆動部２８３３は駆動力を提供するモーターであり得る。しかし、これに限定されることではなく、駆動力を提供する公知された装置で多様に変形されることができる。

【0084】

液処理チャンバー２８０には昇降ユニット２８４０が提供される。昇降ユニット２８４０はハウジング２８１０内に配置される。昇降ユニット２８４０は処理容器２８２０と支持ユニット２８３０との間の相対高さを調節する。昇降ユニット２８４０は第１昇降ユニット２８４２と第２昇降ユニット２８４４を含むことができる。第１昇降ユニット２８４２は処理容器２８２０の内側カップ２８２２に結合されることができる。第１昇降ユニット２８４２は内側カップ２８２２を第３方向６に直線移動させる。第２昇降ユニット２８４２は処理容器２８２０の外側カップ２８２４に結合されることができる。第２昇降ユニット２８４４は外側カップ２８２４を第３方向６に直線移動させる。第３昇降ユニット２８４６は支持ユニット２８３０に結合されることができる。第１昇降ユニット２８４２と第２昇降ユニット２８４４は後述する制御器３０００によって各々制御されることができる。

【0085】

液供給ユニット２８５０は支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗに液を供給することができる。液供給ユニット２８５０は支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗに液を供給することができる。液供給ユニット２８５０が基板Ｗに供給する液は塗布液であり得る。例えば、塗布液はフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ、ＰＲ）のような感光液であり得る。また、液供給ユニット２８５０は支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗにプリウェット液を供給することができる。液供給ユニット２８５０が基板Ｗに供給するプリウェット液は基板Ｗの表面性質を変化させることができる液であり得る。例えば、プリウェット液は基板Ｗの表面性質を疎水性性質を有するように変化させることができる液であり得る。例えば、プリウェット液はシンナー（Ｔｈｉｎｎｅｒ）であり得る。

【0086】

液供給ユニット２８５０はプリウェットノズル２８５１と、処理液ノズル２８５３を含むことができる。プリウェットノズル２８５１はプリウェット液を基板Ｗに供給することができる。プリウェットノズル２８５１はストリーム方式にプリウェット液を基板Ｗに供給することができる。処理液ノズル２８５３は処理液を基板Ｗに供給することができる。処理液ノズル２８５３はフォトレジストのような塗布液を供給する塗布液ノズルであり得る。処理液ノズル２８５３はストリーム方式に処理液を基板Ｗに供給することができる。

【0087】

排気ライン２８６０は液処理チャンバー２８０の外部に提供されることができる。排気ライン２８６０は減圧ユニット（図示せず）が設置される。排気ライン２８６０は減圧ユニットによって処理空間の内部の雰囲気を排気する。排気ライン２８６０は処理容器２８２０と結合することができる。選択的に、排気ライン２８６０は外側カップ２８２４の底部２８２４ａに結合することができる。上部から見る時、排気ライン２８６０は内側カップ２８２２と重畳されるように位置されることができる。
気流供給ユニット２８８０はハウジング２８１０の内部空間に気流を供給する。気流供給ユニット２８８０は内部空間に下降気流を供給することができる。気流供給ユニット２８８０は温度及び／又は湿度が調節された気流を内部空間に供給することができる。気流供給ユニット２８８０はハウジング２８１０に設置されることができる。気流供給ユニット２８８０は処理容器２８２０と支持ユニット２８３０より上部に設置されることができる。気流供給ユニット２８８０はファンとフィルターを含むことができる。ファンはハウジング２８１０の内部空間に外部の空気流を供給し、フィルターは外部の空気流に含まれている不純物を除去することができる。再び図１乃至図３を参照すれば、現像ブロック２０ｂは搬送チャンバー２２０、バッファチャンバー２４０、熱処理チャンバー２６０、そして液処理チャンバー２８０を有する。現像ブロック２０ｂの搬送チャンバー２２０、バッファチャンバー２４０、熱処理チャンバー２６０、そして液処理チャンバー２８０は塗布ブロック２０ａの搬送チャンバー２２０、バッファチャンバー２４０、熱処理チャンバー２６０、そして液処理チャンバー２８０と大体に類似な構造及び配置で提供されるので、これに対する説明は省略する。但し、現像ブロック２０ｂの液処理チャンバー２８０は全て同様に現像液を供給して基板Ｗを現像処理する現像工程（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ）を遂行する。

【0088】

インターフェイスモジュール３０は処理モジュール２０と外部の露光装置６０を連結する。インターフェイスモジュール３０はインターフェイスフレーム５２０、付加工程チャンバー５４０、インターフェイスバッファ５６０、そして搬送部材５８０を含む。

【0089】

インターフェイスフレーム５２０は内部空間を提供する。インターフェイスフレーム５２０の上端には内部空間に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。インターフェイスフレーム５２０の内部空間に付加工程チャンバー５４０、インターフェイスバッファ５６０、そして搬送部材５８０が提供される。

【0090】

付加工程チャンバー５４０は塗布ブロック２０ａで工程が完了された基板Ｗが露光装置６０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に、付加工程チャンバー５４０は露光装置６０で工程が完了された基板Ｗが現像ブロック２０ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一実施形態によれば、付加工程は基板Ｗのエッジ領域を露光するエッジ露光工程、又は基板Ｗの上面を洗浄する上面洗浄工程、又は基板Ｗの下面を洗浄する下面洗浄工程であり得る。付加工程チャンバー５４０は複数が提供され、これらは互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバー５４０は全て同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に、付加工程チャンバー５４０の中で一部は互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。

【0091】

インターフェイスバッファ５６０は塗布ブロック２０ａ、付加工程チャンバー５４０、露光装置６０、そして現像ブロック２０ｂとの間に搬送される基板Ｗが搬送途中に一時的に留まる空間を提供する。インターフェイスバッファ５６０は複数が提供され、複数のインターフェイスバッファ５６０は互いに積層されるように提供されることができる。一例によれば、搬送チャンバー２２０の長さ方向の延長線を基準に一側面には付加工程チャンバー５４０が配置され、他の側面にはインターフェイスバッファ５６０が配置されることができる。

【0092】

搬送部材５８０は塗布ブロック２０ａ、付加工程チャンバー５４０、露光装置４０、そして現像ブロック２０ｂとの間に基板Ｗを搬送する。搬送部材５８０は１つ又は複数のロボットが提供されることができる。一例によれば、搬送部材５８０は第１ロボット３８２０、第２ロボット３８４０、そして第３ロボット３８６０を含む。第１ロボット３８２０は塗布ブロック２０ａ、付加工程チャンバー５４０、そしてインターフェイスバッファ５６０との間に基板Ｗを搬送する。第２ロボット３８４０はインターフェイスバッファ５６０と露光装置６０との間に基板Ｗを搬送する。第３ロボット３８６０はインターフェイスバッファ５６０と現像ブロック２０ｂとの間に基板Ｗを搬送する。

【0093】

第１ロボット３８２０、第２ロボット３８４０、そして第３ロボット３８６０は各々基板Ｗが置かれるハンドを含む。ハンドは前進及び後進移動、第３方向６に平行である軸を基準とした回転、そして第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。第１ロボット３８２０、第２ロボット３８４０、そして第３ロボット３８６０のハンドは全て搬送ロボット２２４の搬送ハンド２２４０と同一又は類似な形状に提供されることができる。選択的に、熱処理チャンバーの冷却プレート２６４２と直接基板Ｗを受け渡すロボットのハンドは搬送ロボット２２４の搬送ハンド２２４０と同一又は類似な形状に提供され、残りのロボットのハンドはこれと異なる形状に提供されることができる。

【0094】

以下では、図７の支持ユニットに対する他の例に対して説明する。上述した本発明の実施形態で支持ユニット２８３０の本体２８３１を除いた他の構成は本発明の他の実施形態でも類似に提供される。したがって、以下では、説明の重複を避けるために類似に提供される構成に対しては説明を省略する。

【0095】

図１１は図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。図１２は図１１のＢ部分を拡大した形状を概略的に示す図面である。

【0096】

図１１と図１２を参照すれば、本体２８３１は基板Ｗが安着される上部面を有することができる。本体２８３１の上部面は上部から見る時、大体に円形状に提供される。一例として、上部から見る時、本体２８３１の上部面は基板Ｗの上部面より小さい面積で提供されることができる。本体２８３１の上部面は中央部Ａ１と縁部Ａ２で提供されることができる。中央部Ａ１は本体２８３１の中心を含む領域であり得る。縁部Ａ２は中央部Ａ１を囲む領域であり得る。一例として、中央部Ａ１は後述する支持突起２８３６が形成される領域を含む領域であり得る。一例として、縁部Ａ２は中央部Ａ１から本体２８３１の終端までの領域であり得る。

【0097】

【0098】

【0099】

【0100】

本発明の一実施形態によれば、第１側面３１００は支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第２側面３２００は支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向傾くように形成されることができる。一例によれば、底面３３００は第１側面３１００と第２側面３２００を連結する面であり得る。スリット３０００を幅方向に切断した断面から見る時、第１側面３１００、第２側面３２００、そして底面３３００が互いに組み合わせて上面が開放された台形の形状に提供されることができる。スリット３０００の内部空間は基板Ｗと縁部Ａ２の上面との間に流入された外部の気流が留まる気流捕獲空間として提供される。一例として、第１側面３１００、第２側面３２００、底面３３００、そして縁部Ａ２の上面に安着された基板Ｗが互いに組み合わせて形成された内部空間は外部の気流が留まることができる。

【0101】

図１１のＢ部分を拡大した図１２を参照すれば、ハウジング２８１０の内部には気流が流動する。一例として、ハウジング２８１０の内部には後述する気流供給ユニット２８８０によって流入された外部の気流が流動する。支持ユニット２８３０上に反り状態にある基板Ｗが安着される場合、縁部Ａ２に基板Ｗの下面が密着して接触されることができない。縁部Ａ２と基板Ｗとの間に離隔された空間が発生される。したがって、ハウジング２８１０内に形成された気流が離隔空間に流入されることができる。離隔空間に流入された気流が縁部Ａ２に形成されたスリット３０００に提供された気流捕獲空間の内部に流動する。

【0102】

本発明の一実施形態によれば、第２側面３２００が支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向に傾くように形成されることによって、離隔空間に流入された気流が気流捕獲空間の内部に容易に流入されることができる。したがって、捕獲空間内部に流入された気流は捕獲空間内部で第１側面３１００、そして基板Ｗの下面に衝突することによって過流を形成する。即ち、第２側面３２００が傾くように形成されることによって、捕獲空間の内部への気流の流入を増加させ、これによって気流捕獲空間の内部で渦流が活発に形成される。

【0103】

形成された渦流によって離隔空間に再度流入される後続気流が再び衝突する。したがって、離隔空間に流入される後続気流の流速が降下する。これによって、離隔空間から流入される気流が中央部Ａ１に到達することを最小化することができる。中央部Ａ１に到達する気流を最小化することによって、中央部Ａ１に形成された支持突起２８３６によって支持される基板Ｗの中央付近と、縁部Ａ２に安着されて支持される基板Ｗの縁付近との圧力偏差を最小化することができる。

【0104】

さらに、減圧部材２８３４は中央部Ａ１に形成された真空ホール２８３５を通じて減圧空間に対して陰圧を提供する。減圧部材２８３４は中央部Ａ１に形成された真空ホール２８３５を通じて基板Ｗに対して陰圧を提供する。減圧部材２８３４は中央部Ａ１に形成された真空ホール２８３５を通じて基板Ｗの中央付近に対して陰圧を提供する。したがって、基板Ｗの中央付近は基板Ｗの縁付近と比較して、相対的に高い陰圧が提供される。基板Ｗが反った状態に支持ユニット２８３０上に安着されて外部の気流が離隔空間に流入される場合、離隔空間内で基板Ｗの下面に気流が衝突することによって基板Ｗに対して上方向に力が作用する。基板Ｗの中心付近は下方向に力が作用し、基板Ｗの縁付近は上方向に力が作用する。

【0105】

したがって、本発明は実施形態では縁部Ａ２にスリット３０００を形成することによって、外部の気流が中央部Ａ１に流入されることを最小化することができる。基板Ｗの中央付近と基板の縁付近との間に圧力の差を最小化することができる。したがって、反り状態にある基板Ｗが支持ユニット２８３０上に安着した時、基板Ｗの反り状態がさらに悪化されることを最小化することができる。

【0106】

図１３は図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。図１４は図１３のＣ部分を拡大した形状を概略的に示す図面である。

【0107】

図１３と図１４を参照すれば、本体２８３１は基板Ｗが安着される上部面を有することができる。本体２８３１の上部面は上部から見る時、大体に円形状に提供される。一例として、上部から見る時、本体２８３１の上部面は基板Ｗの上部面より小さい面積で提供されることができる。本体２８３１の上部面は中央部Ａ１と縁部Ａ２で提供されることができる。中央部Ａ１は本体２８３１の中心を含む領域であり得る。縁部Ａ２は中央部Ａ１を囲む領域であり得る。一例として、中央部Ａ１は後述する支持突起２８３６が形成される領域を含む領域であり得る。一例として、縁部Ａ２は中央部Ａ１から本体２８３１の終端までの領域であり得る。

【0108】

【0109】

【0110】

【0111】

本発明の一実施形態によれば、第１側面３１００は支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第１側面３１００の上端には支持軸２８３２の軸から遠くなる方向に突出される突起部３４００が形成されることができる。第１側面３１００の上端には本体２８３１の中心から遠くなる方向に突出される突起部３４００が形成されることができる。第２側面３２００は支持軸２８３２の軸方向に平行に形成されることができる。一例によれば、底面３３００は第１側面３１００と第２側面３２００を連結する面であり得る。

【0112】

スリット３０００の内部空間は基板Ｗと縁部Ａ２の上面との間に流入された外部の気流が留まる気流捕獲空間として提供される。一例として、第１側面３１００、第２側面３２００、底面３３００、突起部３４００、そして縁部Ａ２の上面に安着された基板Ｗが互いに組み合わせて形成された内部空間は外部の気流が留まることができる。

【0113】

図１３のＣ部分を拡大した図１４を参照すれば、ハウジング２８１０の内部には気流が流動する。一例として、ハウジング２８１０の内部には後述する気流供給ユニット２８８０によって流入された外部の気流が流動する。支持ユニット２８３０上に反り状態にある基板Ｗが安着される場合、縁部Ａ２に基板Ｗの下面が密着して接触されることができない。縁部Ａ２と基板Ｗとの間に離隔された空間が発生される。したがって、ハウジング２８１０内に形成された気流が離隔空間に流入されることができる。離隔空間に流入された気流が縁部Ａ２に形成されたスリット３０００に提供された気流捕獲空間の内部に流動する。

【0114】

本発明の一実施形態によれば、第１側面３１００の上端に突起部３４００が形成されることによって、離隔空間に流入された気流が気流捕獲空間の内部から中央部Ａ１に流出されることを最小化することができる。即ち、気流捕獲空間の内部に流入された気流が中央部Ａ１に移動できなく、突起部３４００に再度衝突して気流捕獲空間の内部に留まることができる。突起部３４００に再度衝突した気流と後行に流入される気流が衝突することによって、気流捕獲空間の内部で渦流が活発に形成されることができる。したがって、離隔空間に流入される後続気流の流速が降下する。これによって、離隔空間から流入される気流が中央部Ａ１に到達することを最小化することができる。中央部Ａ１に到達する気流を最小化することによって、中央部Ａ１に形成された支持突起２８３６によって支持される基板Ｗの中央付近と、縁部Ａ２に安着されて支持される基板Ｗの縁付近との圧力偏差を最小化することができる。

【0115】

【0116】

【0117】

図１５は図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。図１５を参照すれば、本体２８３１は基板Ｗが安着される上部面を有することができる。本体２８３１の上部面は上部から見る時、大体に円形状に提供される。一例として、上部から見る時、本体２８３１の上部面は基板Ｗの上部面より小さい面積で提供されることができる。本体２８３１の上部面は中央部Ａ１と縁部Ａ２で提供されることができる。中央部Ａ１は本体２８３１の中心を含む領域であり得る。縁部Ａ２は中央部Ａ１を囲む領域であり得る。一例として、中央部Ａ１は後述する支持突起２８３６が形成される領域を含む領域であり得る。一例として、縁部Ａ２は中央部Ａ１から本体２８３１の終端までの領域であり得る。

【0118】

【0119】

【0120】

【0121】

本発明の一実施形態によれば、第１側面３１００は支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第１側面３１００の上端には支持軸２８３２の軸から遠くなる方向に突出される突起部３４００が形成されることができる。第１側面３１００の上端には本体２８３１の中心から遠くなる方向に突出される突起部３４００が形成されることができる。第２側面３２００は支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向傾くように形成されることができる。一例によれば、底面３３００は第１側面３１００と第２側面３２００を連結する面であり得る。

【0122】

【0123】

【0124】

本発明の一実施形態によれば、第２側面３２００が支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向に傾くように形成されることによって、離隔空間に流入された気流が気流捕獲空間の内部に容易に流入されることができる。また、第１側面３１００の上端に突起部３４００が形成されることによって、離隔空間に流入された気流が気流捕獲空間の内部から中央部Ａ１に流出されることを最小化することができる。即ち、気流捕獲空間の内部に流入された気流が中央部Ａ１に移動できなく、突起部３４００に再度衝突して気流捕獲空間の内部に留まることができる。突起部３４００に再度衝突した気流と後行に流入される気流が衝突することによって、気流捕獲空間の内部で渦流が活発に形成されることができる。したがって、離隔空間に流入される後続気流の流速が降下する。これによって、離隔空間から流入される気流が中央部Ａ１に到達することを最小化することができる。中央部Ａ１に到達する気流を最小化することによって、中央部Ａ１に形成された支持突起２８３６によって支持される基板Ｗの中央付近と、縁部Ａ２に安着されて支持される基板Ｗの縁付近との圧力偏差を最小化することができる。

【0125】

【0126】

【0127】

図１６は図７の支持ユニットに対する他の例を正面から見た図面である。図１６を参照すれば、本体２８３１は基板Ｗが安着される上部面を有することができる。本体２８３１の上部面は上部から見る時、大体に円形に提供される。一例として、上部から見る時、本体２８３１の上部面は基板Ｗの上部面より小さい面積で提供されることができる。本体２８３１の上部面は中央部Ａ１と縁部Ａ２で提供されることができる。中央部Ａ１は本体２８３１の中心を含む領域であり得る。縁部Ａ２は中央部Ａ１を囲む領域であり得る。一例として、中央部Ａ１は後述する支持突起２８３６が形成される領域を含む領域であり得る。一例として、縁部Ａ２は中央部Ａ１から本体２８３１の終端までの領域であり得る。

【0128】

【0129】

【0130】

縁部Ａ２には溝３０００が形成される。溝３０００はスリット形状に提供されることができる。スリット３０００は縁部Ａ２の周辺に沿ってリング形状に提供されることができる。スリット３０００は複数が提供されることができる。複数のスリット３０００は縁部Ａ２で中央部Ａ１に向かう方向に互いに離隔されて提供されることができる。

【0131】

以下では、説明の便宜のために複数のスリット３０００は３つが提供される場合を例として説明する。但し、これに限定されななく、複数のスリット３０００は２つが提供されるか、或いは４つ以上の自然数に提供されることができる。

【0132】

複数のスリット３０００は互いに異なる形状に提供されることができる。複数のスリット３０００は第１スリット３０００ａ、第２スリット３０００ｂ、そして第３スリット３０００ｃを含むことができる。第１スリット３０００ａ、第２スリット３０００ｂ、そして第３スリット３０００ｃは本体の縁部Ａ２で中央部Ａ１に向かう方向に順次的に離隔されて配置されることができる。第１スリット３０００ａは第２スリット３０００ｂと第３スリット３０００ｃより縁部Ａ２の外側端に近接するように位置することができる。第２スリットは３０００ｂは第３スリット３０００ｃより縁部Ａ２の外側端に近接するように位置することができる。

【0133】

第１スリット３０００ａを幅方向に切断した断面から見る時、第１スリット３０００ａには第１スリット３０００ａの第１側面３１００ａと第１スリット３０００ａの第２側面３２００ａが提供される。第２側面３２００ａは第１側面３１００ａより本体２８３１の中心から遠く位置する。一例として、第１側面３１００ａは中央部Ａ１から近い位置に提供され、第２側面３２００ａは第１側面３１００ａより中央部Ａ１から遠い位置に提供されることができる。

【0134】

第２スリット３０００ｂを幅方向に切断した断面から見る時、第２スリット３０００ｂには第２スリット３０００ｂの第１側面３１００ｂと第２スリット３０００ｂの第２側面３２００ｂが提供される。第２側面３２００ｂは第１側面３１００ｂより本体２８３１の中心から遠く位置する。一例として、第１側面３１００ｂは中央部Ａ１から近い位置に提供され、第２側面３２００ｂは第１側面３１００ｂより中央部Ａ１から遠い位置に提供されることができる。

【0135】

第３スリット３０００ｃを幅方向に切断した断面から見る時、第３スリット３０００ｃには第３スリット３０００ｃの第１側面３１００ｃと第３スリット３０００ｃの第２側面３２００ｃが提供される。第２側面３２００ｃは第１側面３１００ｃより本体２８３１の中心から遠く位置する。一例として、第１側面３１００ｃは中央部Ａ１から近い位置に提供され、第２側面３２００ｃは第１側面３１００ｃより中央部Ａ１から遠い位置に提供されることができる。

【0136】

本発明の一実施形態によれば、第１スリット３０００ａの第１側面３１００ａは支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第１スリット３０００ａの第２側面３２００ａは支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向に傾くように形成されることができる。一例によれば、第１スリット３０００ａの底面３３００ａは第１側面３１００ａと第２側面３２００ａを連結する面であり得る。第１スリット３０００ａを幅方向に切断した断面から見る時、第１側面３１００ａ、第２側面３２００ａ、そして底面３３００ａが互いに組み合わせて上面が開放された台形の形状に提供されることができる。第１スリット３０００ａの内部空間は基板Ｗと縁部Ａ２の上面の間に流入された外部の気流が留まる第１捕獲空間として提供される。一例として、第１側面３１００ａ、第２側面３２００ａ、底面３３００ａ、そして縁部Ａ２の上面に安着された基板Ｗが互いに組み合わせて形成された内部空間は外部の気流が留まることができる。

【0137】

第２スリット３０００ｂの第１側面３１００ｂは支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第２スリット３０００ｂの第２側面３２００ｂは支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。一例によれば、第２スリット３０００ｂの底面３３００ｂは第１側面３１００ｂと第２側面３２００ｂを連結する面であり得る。第２スリット３０００ｂを幅方向に切断した断面から見る時、第１側面３１００ｂ、第２側面３２００ｂ、そして底面３３００ｂが互いに組み合わせて上面が開放された方形の形状に提供されることができる。第２スリット３０００ｂの内部空間は第１捕獲空間から流入された気流が留まる第２捕獲空間として提供される。一例として、第１側面３１００ｂ、第２側面３２００ｂ、底面３３００ｂ、そして縁部Ａ２の上面に安着された基板Ｗが互いに組み合わせて形成された内部空間は第１捕獲空間から流入された気流が留まる空間として提供されることができる。

【0138】

第３スリット３０００ｃの第１側面３１００ｃは支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第１側面３１００ｃの上端には支持軸２８３２の軸から遠くなる方向に突出される突起部３４００が形成されることができる。第１側面３１００ｃの上端には本体２８３１の中心から遠くなる方向に突出される突起部３４００が形成されることができる。第３スリット３０００ｃの第２側面３２００ｃは支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。一例によれば、第３スリット３０００ｃの底面３３００ｃは第１側面３１００ｃと第２側面３２００ｃを連結する面であり得る。第３スリット３０００ｃの内部空間は第２捕獲空間から流入された気流が留まる第３捕獲空間として提供される。一例として、第１側面３１００ｃ、第２側面３２００ｃ、底面３３００ｃ、突起部３４００、そして縁部Ａ２の上面に安着された基板Ｗが互いに組み合わせて形成された内部空間は第２捕獲空間から流入された気流が留まる空間として提供されることができる。

【0139】

【0140】

本発明の一実施形態によれば、第１スリット３０００ａの第２側面３２００ａが支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向に傾くように形成されることによって、離隔空間に流入された気流が第１捕獲空間の内部に容易に流入されることができる。したがって、第１捕獲空間の内部に流入された気流は第１捕獲空間の内部で第１スリット３０００ａの第１側面３１００ａ、そして基板Ｗの下面に衝突することによって過流を形成する。即ち、外部の気流が初めて流入される第１捕獲空間を形成する第２側面３２００ａが傾くように形成されることによって、第１捕獲空間の内部への気流の流入を増加させ、これによって第１捕獲空間の内部で渦流が活発に形成される。

【0141】

形成された渦流によって離隔空間に再度流入される後続の気流が再び衝突する。したがって、離隔空間に流入される後続気流の流速が降下する。これによって、離隔空間から流入される気流が第２スリット３０００ｂに形成された第２捕獲空間に到達することを最小化することができる。

【0142】

第２スリット３０００ｂによって形成された第２捕獲空間の内部で２次的に過流を形成する。したがって、中央部Ａ１に隣接するように配置された第３スリット３０００ｃによって形成された第３捕獲空間に気流が流動することを最小化することができる。第３スリット３０００ｃの第１側面３１００ｃの上端に突起部３４００が形成されることによって、第３捕獲空間に流入された気流が第３捕獲空間の内部から中央部Ａ１に流出されることを最小化することができる。即ち、気流捕獲空間の内部に流入された気流が中央部Ａ１に移動できなく、突起部３４００に再度衝突して気流捕獲空間の内部に留まることができる。突起部３４００に再度衝突した気流と後行に流入される気流が衝突することによって、気流捕獲空間の内部で渦流が活発に形成されることができる。

【0143】

これによって、離隔空間から流入された気流が第１捕獲空間、第２捕獲空間、そして第３捕獲空間を順次的に流動し、中央部Ａ１に到達することを最小化することができる。中央部Ａ１に到達する気流を最小化することによって、中央部Ａ１に形成された支持突起２８３６によって支持される基板Ｗの中央付近と、縁部Ａ２に安着されて支持される基板Ｗの縁付近との圧力偏差を最小化することができる。

【0144】

【0145】

したがって、本発明は実施形態では縁部Ａ２に複数のスリット３０００を形成することによって、外部の気流が中央部Ａ１に流入されることを最小化することができる。基板Ｗの中央付近と基板の縁付近との間に圧力の差を最小化することができる。したがって、反り状態にある基板Ｗが支持ユニット２８３０上に安着した時、基板Ｗの反り状態がさらに悪化されることを最小化することができる。

【0146】

上述した本発明の実施形態と異なりに、複数のスリット３０００は様々な形状に組み合わせて提供されることができる。スリット３０００を幅方向に切断した断面から見る時、第１側面３１００と第１側面３１００より本体２８３１の中心から遠く位置する第２側面３２００を有することができる。複数のスリット３０００は第１形状、第２形状、第３形状、そして第４形状の中でいずれか１つを有することができる。一例として、第１形状は第１側面３１００と第２側面３２００が支持軸２８３２の軸方向と平行に形成されることができる。第２形状は第１側面３１００が支持軸２８３２の軸方向と平行に形成され、第２側面３２００が支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向に傾くように形成されることができる。第３形状は第１側面３１００と第２側面３２００が支持軸２８３２の軸方向と平行に形成され、第１側面３１００の上端に支持軸２８３２の中心から遠くなる方向に突出される突起部３４００がさらに形成される形状を有することができる。第４形状は第１側面３１００が支持軸２８３２の軸方向と平行に形成され、第２側面３２００が支持軸２８３２の軸方向に対して遠くなる方向に行くほど、上向に傾くように形成され、第１側面３１００の上端に支持軸２８３２の中心から遠くなる方向に突出される突起部３４００がさらに形成される形状を有することができる。複数のスリット３０００は上述したスリット３０００の形状の外にも様々な形状に変形されて提供されることができる。

【0147】

図１７は図７の支持ユニットに対する他の例を概略的に示す切断斜視図である。上述した実施形態では、溝３０００がスリット形状に提供されて、縁部Ａ２の周辺に沿ってリング形状に提供されることを例として説明した。但し、これと異なりにスリット３０００が大体に円弧形状を有し、複数が提供されることができる。図１７を参照すれば、スリット３０００は縁部Ａ２に提供されることができる。スリット３０００は複数が提供されることができる。複数のスリット３０００は大体に円弧形状を有することができる。円弧形状を有する複数のスリット３０００は本体２８３１の中心を共有することができる。複数のスリット３０００は円周方向に互いに離隔されるように提供されることができる。複数のスリット３０００の形状は上述した実施形態のように多様に変形されて提供されることができる。

【0148】

上述した実施形態では第１側面３１００と第２側面３２００を連結する底面３３００が提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。一例として、第１側面３１００と第２側面３２００は互いに一面を共有することができる。一例として、スリット３０００は第１側面３１００と第２側面３２００が互いに組み合わせて正面から見る時、大体に三角形状に提供されることができる。

【0149】

また、上述した実施形態では支持ユニット２８３０の上面に支持突起２８３６が提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。中央部Ａ１と縁部Ａ２各々が基板Ｗを安着させる安着面として提供されることができる。一例として、中央部Ａ１の上面と縁部Ａ２の上面各々が基板Ｗの下面と接触することができる。

【0150】

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。

【符号の説明】

【0151】

２８０液処理チャンバー
２８１０ハウジング
２８２０処理容器
２８３０支持ユニット
２８３１本体
２８３２支持軸
２８３５真空ホール
２８３６支持突起
２８３７真空流路
２８５０液供給ユニット
３０００溝
３１００第１側面
３２００第２側面

【図1】