特許 7432702 高周波伝送用回路基板及び遮断方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-02-07

(45)【発行日】2024-02-16

(54)【発明の名称】高周波伝送用回路基板及び遮断方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20240208BHJP

   H05K 1/02 20060101ALI20240208BHJP

   H01P 3/08 20060101ALI20240208BHJP

【ＦＩ】

H05K9/00 P

H05K1/02 P

H01P3/08 200

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2022501327

(86)(22)【出願日】2019-12-17

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-09-13

(86)【国際出願番号】 CN2019125925

(87)【国際公開番号】W WO2021004011

(87)【国際公開日】2021-01-14

【審査請求日】2022-01-11

(31)【優先権主張番号】201910611393.2

(32)【優先日】2019-07-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】521204482

【氏名又は名称】広州方邦電子股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＧＵＡＮＧＺＨＯＵ ＦＡＮＧＢＡＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．２８， Ｄｏｎｇｚｈｉ Ｒｏａｄ， Ｈｕａｎｇｐｕ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ ５１０５３０ Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】100142365

【弁理士】

【氏名又は名称】白井 宏紀

(72)【発明者】

【氏名】スー，ジー

【審査官】五貫 昭一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－２７７９７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００３－３１８５９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２６７９２９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ９／００

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０１Ｐ ３／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の遮蔽膜、第２の遮蔽膜及び回路基板本体を含む高周波伝送用回路基板であって、
前記回路基板本体は、対向して設けられた第１の面と第２の面とを含み、前記第１の遮蔽膜は前記第１の面を覆い、前記第２の遮蔽膜は前記第２の面を覆い、前記回路基板本体は回路領域を有し、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は、前記回路領域の側面で電気的に接続され、
前記第１の遮蔽膜が、順に積層して設けられた第１の遮蔽膜絶縁層、第１の遮蔽膜導電層及び第１の遮蔽膜導電性接着剤層を含み、前記第１の遮蔽膜導電層の前記第１の遮蔽膜導電性接着剤層に近接する面には、前記第１の遮蔽膜導電層と電気的に接続される第１の凸部が設けられており、前記第２の遮蔽膜が、順に積層して設けられた第２の遮蔽膜絶縁層、第２の遮蔽膜導電層及び第２の遮蔽膜導電性接着剤層を含み、前記第２の遮蔽膜導電層の前記第２の遮蔽膜導電性接着剤層に近接する面には、前記第２の遮蔽膜導電層と電気的に接続される第２の凸部が設けられており、
前記第１の凸部が前記第２の遮蔽膜内に刺し込まれ前記第２の遮蔽膜導電層と電気的に接続されるか、または、前記第２の凸部が前記第１の遮蔽膜内に刺し込まれ前記第１の遮蔽膜導電層と電気的に接続されるか、または、前記第１の凸部が前記第２の凸部と電気的に接続され、
前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は前記第１の遮蔽膜導電性接着剤層における導電性粒子、前記第２の遮蔽膜導電性接着剤層における導電性粒子、前記第１の凸部及び前記第２の凸部によって、電気的接続を実現する、ことを特徴とする高周波伝送用回路基板。

【請求項2】

前記回路基板本体は過渡部をさらに含み、前記過渡部の一端は前記回路領域に接続されており、前記過渡部の他端は自由端であり、前記過渡部は少なくとも一部の厚さが前記回路領域の厚さよりも薄く、
前記第１の遮蔽膜が前記過渡部の一方側を覆うとともに前記過渡部と接触し、前記第２の遮蔽膜が前記過渡部の他方側を覆うとともに前記過渡部と接触し、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は前記自由端の側面で電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１に記載の高周波伝送用回路基板。

【請求項3】

前記過渡部は、円滑な過渡面を有する、ことを特徴とする請求項２に記載の高周波伝送用回路基板。

【請求項4】

前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は接着の方法により電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１に記載の高周波伝送用回路基板。

【請求項5】

前記回路基板本体は、開口部が設けられた空白領域をさらに有し、前記開口部は前記第１の面と前記第２の面とを連通させ、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は、前記開口部を介して電気的に接続される、ことを特徴とする請求項１～請求項４の何れか１項に記載の高周波伝送用回路基板。

【請求項6】

前記第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜との接続部位は、前記開口部内に収容される、ことを特徴とする請求項５に記載の高周波伝送用回路基板。

【請求項7】

前記第１の遮蔽膜は、前記回路領域及び前記空白領域の表面を覆い、前記第１の遮蔽膜は、前記開口部で前記第２の遮蔽膜と接続されており、及び／又は、
前記第２の遮蔽膜は、前記回路領域及び前記空白領域の表面を覆い、前記第２の遮蔽膜は、前記開口部で前記第１の遮蔽膜と接続される、ことを特徴とする請求項５に記載の高周波伝送用回路基板。

【請求項8】

前記回路基板本体は２つ以上の前記回路領域を有し、前記回路領域の間は、開口部が設けられた空白領域であり、前記第１の遮蔽膜及び前記第２の遮蔽膜は、２つ以上の前記回路領域を覆い、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とは前記開口部を介して接続される、ことを特徴とする請求項５に記載の高周波伝送用回路基板。

【請求項9】

高周波伝送用回路基板の遮断方法であって、
回路基板本体の第１の面に第１の遮蔽膜を覆うステップと、前記回路基板本体の第２の面に第２の遮蔽膜を覆うステップと、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とを、前記回路基板本体の回路領域の側面で電気的に接続するステップとを含み、
前記第１の遮蔽膜が、順に積層して設けられた第１の遮蔽膜絶縁層、第１の遮蔽膜導電層及び第１の遮蔽膜導電性接着剤層を含み、前記第１の遮蔽膜導電層の前記第１の遮蔽膜導電性接着剤層に近接する面には、前記第１の遮蔽膜導電層と電気的に接続される第１の凸部が設けられており、前記第２の遮蔽膜が、順に積層して設けられた第２の遮蔽膜絶縁層、第２の遮蔽膜導電層及び第２の遮蔽膜導電性接着剤層を含み、前記第２の遮蔽膜導電層の前記第２の遮蔽膜導電性接着剤層に近接する面には、前記第２の遮蔽膜導電層と電気的に接続される第２の凸部が設けられており、
前記第１の凸部が前記第２の遮蔽膜内に刺し込まれ前記第２の遮蔽膜導電層と電気的に接続されるか、または、前記第２の凸部が前記第１の遮蔽膜内に刺し込まれ前記第１の遮蔽膜導電層と電気的に接続されるか、または、前記第１の凸部が前記第２の凸部と電気的に接続され、
前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は前記第１の遮蔽膜導電性接着剤層における導電性粒子、前記第２の遮蔽膜導電性接着剤層における導電性粒子、前記第１の凸部及び前記第２の凸部によって、電気的接続を実現する、ことを特徴とする高周波伝送用回路基板の遮断方法。

【請求項10】

前記回路基板本体の空白領域には、前記第１の面と前記第２の面とを連通させる開口部が設けられており、前記開口部を介して前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とを接続する、ことを特徴とする請求項９に記載の高周波伝送用回路基板の遮断方法。

【請求項11】

前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とを接続する前に、前記空白領域に前記開口部を加工するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１０に記載の高周波伝送用回路基板の遮断方法。

【請求項12】

前記第１の遮蔽膜が前記回路基板本体のエッジを超えるようにし、前記第２の遮蔽膜が前記回路基板本体のエッジを超えるようにして、前記第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜とを、前記回路基板本体の側面で電気的に接続させる、ことを特徴とする請求項９に記載の高周波伝送用回路基板の遮断方法。

【請求項13】

前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は接着の方法により電気的に接続される、ことを特徴とする請求項９～請求項１２の何れか１項に記載の高周波伝送用回路基板の遮断方法。

【発明の詳細な説明】

【関連出願の相互参照】

【0001】

本出願は、２０１９年０７月０８日に中国特許庁に出願された、出願番号が第２０１９１０６１１３９３．２である中国特許出願を優先権として主張し、その全ての内容は参照により本出願に組み込まれる。

【技術分野】

【0002】

本開示は、電子通信分野に属し、例えば、高周波伝送用回路基板及び遮断方法に関する。

【背景技術】

【0003】

電子及び通信製品の発展がより多機能で複雑化になるにつれて、回路基板の構造をより軽く、薄く、短く、小さくする必要があるだけでなく、機能の観点からより強力で高速な信号伝送がさらに必要となる。回路基板の上記の要件を満たすために、動作周波数はますます高くなっている。しかし、動作周波数の増加につれて、回路基板の両側に波漏れの現象が存在し、波漏れにより、信号の伝送が不完全になり、信号伝送の完全性に深刻な影響を及ぼし、信号の歪みをもたらす。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

これに基づいて、本開示は、回路基板の側面での波漏れを効果的に防止し、信号伝送の完全性を確保し、構造が軽量で薄い、高周波伝送用回路基板及び遮断方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

その技術案は以下のとおりである。
第１の遮蔽膜、第２の遮蔽膜及び回路基板本体を含む高周波伝送用回路基板であって、前記回路基板本体は、対向して設けられた第１の面と第２の面とを含み、前記第１の遮蔽膜は前記第１の面を覆い、前記第２の遮蔽膜は前記第２の面を覆い、前記回路基板本体は回路領域を有し、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は、前記回路領域の側面で電気的に接続される。

【0006】

ここで、第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜との接続部位は、必ずしも回路基板本体の横断面の中央部に位置するとは限らない。回路領域の側面における第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜との接続は、第１の遮蔽膜が第１の面のエッジをまたぎ、且つ第２の遮蔽膜が第２の面のエッジをまたぐことによって、第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜とが接続する場合、または第１の遮蔽膜が、第１の面のエッジと第２の面のエッジを通って、第２の遮蔽膜と接続する場合、または第２の遮蔽膜が、第２の面のエッジと第１の面のエッジを通って、第１の遮蔽膜と接続する場合を含む。第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜が回路基板本体の側面をカバーし、波漏れを防止できる接続であればよい。第１の面のエッジ及び第２の面のエッジは、回路領域全体の境界、回路基板本体の開口部のエッジを含む。第１の遮蔽膜及び第２の遮蔽膜は、回路基板本体の側面で接続されており、該接続は、回路基板本体全体の境界を超えた外部接続、または回路基板本体の開口部のエッジを超えて開口部内での接続を含む。

【0007】

ここで、前記回路基板本体の第１の面を覆う前記第１の遮蔽膜は、前記第１の遮蔽膜が第１の面の一部を覆うか、または第１の遮蔽膜が第１の面の全部を覆うか、または第１の遮蔽膜が第１の面の全部を覆うだけでなく、第１の遮蔽膜が第１の面の境界を超えるか、または第１の遮蔽膜が第１の面の一部を覆い、かつ一部の第１の遮蔽膜が第１の面の境界を超える状況を含む。前記回路基板本体の第２の面を覆う前記第２の遮蔽膜は、前記第２の遮蔽膜が第２の面の一部を覆うか、または第２の遮蔽膜が第２の面の全部を覆うか、または第２の遮蔽膜が第２の面の全部を覆うだけでなく、第２の遮蔽膜が第２の面の境界を超えるか、または第２の遮蔽膜が第２の面の一部を覆い、かつ一部の第２の遮蔽膜が第２の面の境界を超える状況を含む。

【0008】

一実施例において、前記回路基板本体は過渡部をさらに含み、前記過渡部の一端は前記回路領域に接続されており、前記過渡部の他端は自由端であり、前記過渡部は少なくとも一個所の厚さは前記回路領域の厚さよりも薄い。

【0009】

一実施例において、前記過渡部は円滑な過渡面を有する。

【0010】

一実施例において、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とは接着の方法により接続される。

【0011】

一実施例において、前記回路基板本体は、開口部が設けられた空白領域をさらに有し、前記開口部は前記第１の面と前記第２の面とを連通しており、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜は前記開口部を介して電気的に接続される。

【0012】

一実施例において、前記第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜との接続部位は、前記開口部内に収容される。

【0013】

一実施例において、前記第１の遮蔽膜は、前記回路領域の表面及び前記空白領域の表面を覆い、前記第１の遮蔽膜は、前記開口部で前記第２の遮蔽膜と接続されており、及び／又は、前記第２の遮蔽膜は、前記回路領域の表面及び前記空白領域の表面を覆い、前記第２の遮蔽膜は、前記開口部で前記第１の遮蔽膜と接続される。一実施例において、前記回路基板本体は２つ以上の前記回路領域を有し、前記回路領域の間は、開口部が設けられた空白領域であり、前記第１の遮蔽膜及び前記第２の遮蔽膜は２つ以上の前記回路領域を覆い、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とは前記開口部を介して接続される。

【0014】

高周波伝送用回路基板は、回路基板本体と遮蔽膜とを含み、前記回路基板本体は、回路主体層と導体層とを含み、前記回路主体層は、対向して設けられた第３の面と第４の面とを有し、前記導体層は前記第４の面に設けられており、前記回路主体層には、前記第３の面と前記導体層とを連通させる開口部が設けられており、前記遮蔽膜は、前記第３の面を覆うとともに、前記開口部内に延長して前記導体層に電気的に接続される。

【0015】

高周波伝送用回路基板の遮断方法は、回路基板本体の第１の面に第１の遮蔽膜を覆うステップと、前記回路基板本体の第２の面に第２の遮蔽膜を覆うステップと、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜を前記回路基板本体の回路領域の側面で電気的に接続するステップとを含む。ここで、第１の遮蔽膜を回路基板本体の第１の面に覆うことと、第２の遮蔽膜を前記回路基板本体の第２の面に覆うことの両者の順序は後先の区別がない。

【0016】

一実施例において、前記回路基板本体の空白領域には、前記第１の面と前記第２の面とを連通させる開口部が設けられており、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とは前記開口部を介して接続される。

【0017】

一実施例において、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とを接続する前に、前記開口部を前記空白領域に加工する。

【0018】

一実施例において、前記第１の遮蔽膜が前記回路基板本体のエッジを超えるようにし、前記第２の遮蔽膜が前記回路基板本体のエッジを超えるようにして、前記第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜とを、前記回路基板本体の側面で電気的に接続させる。

【0019】

一実施例において、前記第１の遮蔽膜と前記第２の遮蔽膜とは接着の方法により接続される。

【発明の効果】

【0020】

本開示は、以下の有益効果がある。
１．第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜は、回路基板本体の回路領域の側面で電気的に接続されることによって、回路領域の側面にバリアを形成し、回路領域の側面での波漏れを防止し、信号伝送の完全性を確保することができる。第１の遮蔽膜及び第２の遮蔽膜が両面で回路基板本体を囲んでクランプした後、回路領域の側面で接続される方法を採用することによって、製造が便利である。

【0021】

２．第１の遮蔽膜及び第２の遮蔽膜は粘着性を有し、「第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜とを接着するステップ、第１の遮蔽膜を第１の面に接着するステップ、第２の遮蔽膜を第２の面に接着するステップ」の３つのステップは同時に行うことができ、いずれも「接着」のプロセス（即ち、常温常圧の接着を含み、加熱接着または加圧接着も含む）であり、プロセスが簡単で、第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜を回路基板本体に接着した後、第１の遮蔽膜及び第２の遮蔽膜を他の操作がなしで直接接着することができ、プロセスが簡単で生産効率が高い。

【0022】

３．全ての開口部は同時に加工された後、第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜を覆い、次に全ての開口部内の第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜とを圧接（即ち、加圧の接着）することができ、バッチ生産及び効率が高い。同時に、圧接後の第１の遮蔽膜及び第２の遮蔽膜は回路基板本体を間に挟み、第１の遮蔽膜及び第２の遮蔽膜を回路基板本体に固定することができる。また、粘性の圧接方法を採用することによって、生産が便利で、効率が高い。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本開示の実施例１における遮断されていない回路基板本体を正面から見る時の断面図である。

【図2】本開示の実施例１における回路基板本体の上面図である。

【図3】本開示の実施例１に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図１である。

【図4】本開示の実施例１に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図２である。

【図5】図４の上面図である。

【図6】本開示の実施例１に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図３である。

【図7】本開示の実施例１に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図４である。

【図7-1】本開示の実施例１における回路基板本体が多層基板である構造図である。

【図7-2】本開示の実施例１における回路基板本体がシングルパネルである構造図である。

【図7-3】本開示の実施例１における回路基板本体がダブルパネである構造図である。

【図8】図７の上面図である。

【図9】本開示の実施例２における回路基板本体を正面から見る時の断面図である。

【図10-1】本開示の実施例３に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図１である。

【図10-2】図１０－１の変形例の構造図である。

【図11】本開示の実施例３に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図２である。

【図12】本開示の実施例３に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図３である。

【図13】本開示の実施例４に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図１である。

【図14】本開示の実施例４に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図２である。

【図15】本開示の実施例４に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図３である。

【図16】本開示の実施例５に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図１である。

【図17】本開示の実施例５に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図２である。

【図18】本開示の実施例５に係る高周波伝送用回路基板の遮断方法のステップ図３である。

【符号の説明】

【0024】

１００：回路基板本体
１０１：回路領域
１０２：空白領域
１０３：第１の面
１０４：第２の面
１１０：開口部
１２０：過渡部
１２１：円滑な過渡面
２０１ａ、２０１ｂ:導電性接着剤層
２０２ａ、２０２ｂ:導電層
２０３ａ、２０３ｂ:絶縁層
２１０：第１の遮蔽膜
２２０：第２の遮蔽膜
２３０：遮蔽膜
３００：機能層
３１０：第１の保護膜
３２０：第２の保護膜
３３０：第２の絶縁層
３４０：第１の絶縁層
３５０：回路層
４００：回路主体層
４０３：第３の面
４０４：第４の面
５００：導体層

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下、本開示に対して詳細に説明するが、本開示の実施形態はこれに限定されることではない。

【0026】

（実施例１）
実施例１は図１～図８に示すとおりである。

【0027】

図１、図２及び図７に示すように、高周波伝送用回路基板は、第１の遮蔽膜２１０、第２の遮蔽膜２２０及び回路基板本体１００を含む。回路基板本体１００は、回路領域１０１及び空白領域１０２を含み、回路基板本体１００は、対向して設けられた第１の面１０３と第２の面１０４とを含む。回路領域１０１は、相互接続線を含む回路機能を有する領域を指し、上述の相互接続線の間の隙間も含み、回路領域１０１は、回路機能を有する側面の遮断が必要な領域を表しており、回路領域１０１は絶縁部分を含まないと理解されてはならない。空白領域１０２は、回路領域１０１に対して、開口部１１０の開設が可能な領域を指し、回路領域１０１を除く回路基板本体１００の任意の位置は、何れも空白領域１０２と見なすことができ、これは、空白領域１０２内に何もない、または空白領域１０２が導電できないことを指すのではない。

【0028】

高周波伝送用回路基板の遮断方法は、以下のステップを含む。

【0029】

（一）
図４及び図５に示すように、回路基板本体１００の空白領域１０２には、第１の面１０３と第２の面１０４とを連通させる開口部１１０が開設されており、開口部１１０は、開口部を１１０を介して第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを接続するために使用される。本実施例において、空白領域１０２には開口部１１０が設けられているが、これに限定されず、回路基板本体１００自体に開口部１１０を有してもよい。

【0030】

ここで、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０との接続は、加圧加熱を必要としない接着を含み、加圧または加熱条件下での接着も含む。

【0031】

（二）
図６に示すように、第１の遮蔽膜２１０は回路基板本体１００の第１の面１０３を覆い、第２の遮蔽膜２２０は回路基板本体１００の第２の面１０４を覆う。ここで、"第１の遮蔽膜２１０を回路基板本体１００の第１の面１０３に覆う"ステップと、"第２の遮蔽膜２２０を回路基板本体１００の第２面１０４に覆う"ステップの順序は後先の区別がない。

【0032】

本実施例において、図６に示すように、第1の遮蔽膜２１０は第１の面１０３のエッジと揃っており、第２の遮蔽膜２２０は第２の面１０４のエッジと揃っているが、これに限定されず、図１１に示すように、第１の遮蔽膜２１０は第１の面１０３のエッジを超えており、第２の遮蔽膜２２０は第２の面１０４のエッジを超えてもよい。

【0033】

（三）
図７に示すような高周波伝送用回路基板は、開口部１１０を介して第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを加圧接着して接続することによって得られる。第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０との接続部位は、開口部１１０内に収容されることによって、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０との圧接部位が、後続のプロセスで影響を受けるか、例えば、接続部位が歪むような、後続のプロセスの実施を影響することを回避する。また、圧接部位は開口部１１０内に収容され、空間利用率を提供することができる。

【0034】

得られた高周波伝送用回路基板は図７に示すように、第１の遮蔽膜２１０が回路基板本体１００の第１の面１０３を覆い、第２の遮蔽膜２２０が回路基板本体１００の第２の面１０４を覆い、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０は、回路領域の側面で接続される（ここで、「側面」は図３に示すような全方位を含む）。一方で、第１の遮蔽膜２１０及び第２の遮蔽膜２２０は、回路基板本体１００の第１の面１０３及び第２の面１０４をそれぞれ遮断しており、他方で、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０は、回路領域１０１のエッジをまたがって接続されて、回路領域１０１の側面を遮断することによって、回路領域１０１の側面からの漏れ状況を効果的に防止する。

【0035】

本実施例において、開口部１１０は、貫通孔であり、回路基板本体１００内に位置する。しかし、これに限定されず、開口部１１０はノッチであってもよく、開口部１１０が回路基板本体１００のエッジに位置する場合、開口部１１０は回路基板本体１００のエッジのノッチである。

【0036】

第１の遮蔽膜２１０の第１の面１０３に向かう面、または第２の遮蔽膜２２０の第２の面１０４に向かう面には、接続を容易にするために、接着剤を設けてもよい。接着剤を設けずに直接加圧して圧接してもよい。

【0037】

本実施例において、第１の遮蔽膜２１０及び第２の遮蔽膜２２０は独立した２枚の膜であり、第１の遮蔽膜２１０は、回路基板本体１００の一方側から第１の面１０３に貼付されており、第２の遮蔽膜２２０は、回路基板本体１００の他方側から第２の面１０４に貼付される。しかし、これに限定されず、第１の遮蔽膜２１０及び第２の遮蔽膜２２０は、一枚の遮蔽膜全体の２つの部分であってもよく、一枚の遮蔽膜全体を２つ折りに折り畳んだ後に、それぞれ回路基板本体１００の両側から第１の面１０３と第２の面１０４を覆い、第１の面１０３を覆いた部分が第１の遮蔽膜２１０となり、第２の面１０４を覆いた部分が第２の遮蔽膜２２０となり、第１の遮蔽膜２１０及び第２の遮蔽膜２２０の片側のエッジは全体的に接続されているので、両者の他方のエッジを接続するだけでよい。

【0038】

ここで、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０との接続部位の形状は、本実施例の図示に限定されず、任意の形状であってもよい。

【0039】

本実施例では、１つの回路領域１０１のみを示しているが、これに限定されず、回路基板本体１００は２つ以上の回路領域１０１を有することができ、回路領域１０１の間は空白領域１０２であり、空白領域１０２には開口部１１０が設けられており、少なくとも２つの開口部１１０がある。第１の遮蔽膜２１０及び第２の遮蔽膜２２０は２つ以上の回路領域１０１を覆っており、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０は開口部１１０で接続される。空白領域１０２で第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを接続することにより、隣接する２つの回路領域１０１を同時に遮断して、その相互間の干渉を防止できると共に、隣接する２つの回路領域１０１の側面での波漏れ発生を同時に防止し、隣接する２つの回路領域の信号伝送を効果的に確保することができる。複数の空白領域１０２の複数の開口部１１０で同時に接続することができるので、生産効率が高い。例えば、全ての開口部１１０が同時に加工された後、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０で覆い、次に全ての開口部１１０内の第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを同時に接続することができるので、バッチ生産が可能で効率が高い。

【0040】

第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０は、以下の幾つかの方法により、回路基板本体１００の回路領域１０１の側面で電気的に接続される。第１の方法は、遮蔽膜が、順に積層して設けられた絶縁層、導電層及び導電性接着剤層を含む。第２の方法は、遮蔽膜が、順に積層して設けられた絶縁層、導電層及び接着剤層を含み、かつ導電層の接着剤層に近接する面には、導電層と電気的に接続される凸部が設けられており、第１の遮蔽膜の凸部が第２の遮蔽膜内に刺し込まれ第２の遮蔽膜の導電層と電気的に接続され、第２の遮蔽膜の凸部が第１の遮蔽膜内に刺し込まれ第１の遮蔽膜の導電層と電気的に接続されるか、または、第１の遮蔽膜の凸部が第２の遮蔽膜の凸部と電気的に接続されることで、第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜は凸部を介して互いに接触して電気的接続を実現する。第３の方法は、上述の両者の組合せであり、即ち、第１の方法と第２の方法の組合せであり、即ち、遮蔽膜は凸部を含むと共に、導電性接着剤層も含み、第１の遮蔽膜と第２の遮蔽膜は、凸部と導電性粒子を介して電気的接続を実現する。本実施例において、上述第１の方法を採用すると、図７－１に示すように、第１の遮蔽膜２１０は、順に積層して設けられた絶縁層２０３ａ、導電層２０２ａ及び導電性接着剤層２０１ａを含み、第２の遮蔽膜２２０は、順に積層して設けられた絶縁層２０３ｂ、導電層２０２ｂ及び導電性接着剤層２０１ｂを含み、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０は、導電性接着剤層２０３ａ、２０３ｂの接触で相互間の電気的接続を実現し、導電性接着剤層２０３ａ、２０３ｂは導電性粒子を含む接着剤層であるため、接着剤層は粘着性を有し、接着することができ、該接着は、加圧または加熱下での接着、常温常圧下での接着を含み、導電性接着剤層２０３ａ、２０３ｂが互いに接触する場合、それぞれの導電粒子が相手の導電性粒子と互いに接触することによって、電気的接続を実現する。

【0041】

ここで、回路基板本体１００は、シングルパネル、ダブルパネル及び多層基板を含むが、これらに限定されず、回路を備えた回路基板であればよい。図７－１に示すように、本実施例において、回路基板本体１００は多層基板であるが、これに限定されず、回路基板本体１００は、シングルパネルまたはダブルパネルでもよい。図７－２に示すように、回路基板本体１００はシングルパネルであり、回路基板本体１００は、順に積層される第１の保護膜３１０、機能層３００及び第２の保護膜３２０を含み、機能層３００は、第１の保護膜３１０及び第２の保護膜３２０を除く回路基板本体１００の一部である。第１の保護膜３１０（または第２の保護膜３２０）は、ＰＩ膜、ＰＥＴ膜、ＰＥ膜、ＰＰ膜、ＰＰＳ膜などを含むが、これらに限定されない。図１２－２に示すように、回路基板本体１００は、順に積層される第１の保護膜３１０、第１の回路層、絶縁層、第２の回路層及び第２の保護膜３２０を含むダブルパネルである。

【0042】

（実施例２）
実施例２と実施例１の相違点は、以下のとおりである。
図９に示すように、空白領域１０２には開口部１１０が設けられており、第１の遮蔽膜２１０は、回路領域１０１と空白領域１０２の表面を同時に覆い、かつ第１の遮蔽膜２１０は、開口部１１０で第２の遮蔽膜２２０と接続されており、第２の遮蔽膜２２０は、回路領域１０１と空白領域１０２の表面を同時に覆い、かつ第２の遮蔽膜２２０は、開口部１１０を介して第１の遮蔽膜２１０と接続される。

【0043】

第１の遮蔽膜２１０は、開口部１１０で第２の遮蔽膜２２０と接続されると同時に、回路領域１０１と空白領域１０２の表面を覆い、第２の遮蔽膜２２０は、開口部１１０で第１の遮蔽膜２１０と層接続されると同時に、回路領域１０１と空白領域１０２の表面を覆うため、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０との接続部位は、同時に回路領域１０１と空白領域１０２の第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０により制限され、自由に変位できず、歪みの発生も回避することができる。

【0044】

本実施例において、第１の遮蔽膜２１０は、回路領域１０１と空白領域１０２の表面を同時に覆い、第２の遮蔽膜２２０は、回路領域１０１と空白領域１０２の表面を同時に覆う。本実施例に限定されず、回路基板本体１００は２つ以上の回路領域１０１を有してもよく、回路領域の間は空白領域１０２であり、空白領域１０２には開口部１１０が設けられており、第１の遮蔽膜２１０及び第２の遮蔽膜２２０は、２つ以上の回路領域１０１及び空白領域１０２を覆っており、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０は開口部１１０を介して接続される。

【0045】

（実施例３）
実施例３と実施例１の相違点は、以下のとおりである。
実施例３は図１０～図１２に示すとおりである。

【0046】

図１０－１に示すように、回路基板本体１００は、順に積層される第１の保護膜３１０、機能層３００及び第２の保護膜３２０を含む。 回路基板本体１００は過渡部１２０をさらに含み、過渡部１２０の一端は回路領域１０１に接続されており、過渡部１２０の他端は自由端であり、過渡部１２０は、少なくとも１個所の厚さが回路領域１０１の厚さよりも薄い。本実施例において、過渡部１２０の厚さは第１の端から第２の端に向かって徐々に薄くなるが、過渡部１２０は本実施例の図示に限定されず、他の形状でもよい。

【0047】

図１０－１に示すように、過渡部１２０の、回路基板本体１００の第１の面１０３に向かう面は円滑な過渡面１２１を有しており、円滑な過渡面１２１は、第１の遮蔽膜２１０が第２の遮蔽膜２２０に曲げるようにガイドしており、過渡部１２０の、回路基板本体１００の第２の面１０４に向かう面も円滑な過渡面１２１を有しており、円滑な過渡面１２１は、第２の遮蔽膜２２０が第１の遮蔽膜２１０に曲げるようにガイドする。円滑な過渡面１２１は、第1の遮蔽膜２１０／第２の遮蔽膜２２０を緩やかに湾曲させることによって、第１の遮蔽膜２１０／第２の遮蔽膜２２０が過度に湾曲して破裂することを回避することができる。本実施例において、円滑な過渡面１２１は、過渡部１２０の上、下面の一部のみを占めるが、これに限定されず、図１０－２に示すように、過渡部１２０の、第１の面１０３から第２の面１０４までの接続面の全てを、円滑な過渡面１２１として設定してもよい。

【0048】

図１１に示すように、第１の遮蔽膜２１０が回路基板本体１００の外縁を超えるように、第１の遮蔽膜２１０を第１の面１０３に覆い、第２の遮蔽膜２２０が回路基板本体１００の外縁を超えるように、第２の遮蔽膜２２０を第２の面１０４に覆い、その後、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを回路基板本体１００の側面で接続する（この時、即ち、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを回路領域１０１の側面で接続する）ことによって、図１２に示すような構造を構成する。過渡部１２０は、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを接続するために過渡の支持を提供し、回路基板本体１００と過渡部１２０とは階段状のような構造を形成することによって、第１の遮蔽膜２１０／第２の遮蔽膜２２０が「まず過渡部１２０に湾曲し、それから、過渡部１２０から湾曲して接続する」２段湾曲し、これにより、第１の遮蔽膜２１０／第２の遮蔽膜２２０の湾曲度合を低減し、第１の遮蔽膜２１０／第２の遮蔽膜２２０の破裂を回避する。もちろん、多段の過渡部１２０（複数階段のようなもの）を設けてもよい。

【0049】

本実施例において、過渡部１２０は、回路基板本体１００の外縁に設けられているが、これに限定されず、開口部１１０の内縁にも過渡部１２０を設けてもよい。

【0050】

本実施例において、回路基板本体１００のエッジに過渡部１２０が設けられているが、本実施例に限定されない。 回路基板本体１００のエッジに過渡部１２０が設けられておらず、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とを回路基板本体１００の側面で接続してもよい（このとき、回路基板本体１００は回路領域１０１に相当し、即ち、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とは、回路領域１０１の側面で接続される）。

【0051】

（実施例４）
実施例４と実施例３との相違点は以下のとおりで、
実施例４は図１３～図１５に示すとおりである。

【0052】

図１３に示すように、回路基板本体１００は、回路領域１０１と空白領域１０２とを含む。回路基板本体１００は、順に積層される第１の保護膜３１０、機能層３００、及び第２の保護膜３２０を含み、第１の保護膜３１０と第２の保護膜３２０とは、機能層３００の側面で接続される。第１の保護膜３１０、機能層３００、及び第２の保護膜３２０が積層される部分は回路領域１０１となり、第１の保護膜３１０と第２保護膜３２０との接続部分は、空白領域１０２を構成する。

【0053】

図１４に示すように、空白領域１０２に開口部１１０が作製される。開口部１１０が作製された後、第１の保護膜３１０と第２の保護膜３２０との接続部分が、回路領域１０１と接続される部分は過渡部１２０を構成し、即ち、回路領域１０１と接続される接続部位で、第１の保護膜３１０と第２の保護膜３２０とが接続される部分は、過渡部１２０を構成する。回路領域１０１の厚さは「第１の保護膜３１０＋機能層３００＋第２の保護膜３２０」であり、空白領域１０２の厚さは「第１の保護膜３１０＋第２の保護膜３２０」であり、空白領域１０２の厚さは、回路領域１０１の厚さよりも薄いため、空白領域に開口部１１０が作製されると、過渡部１２０が自然に形成される。第１の保護膜３１０及び第２の保護膜３２０が機能層３００を包む際、このような方法を採用して、過渡部１２０を作製しておき、また、接着して接続するプロセスを採用すると、プロセスが簡単であり、かつ第１の保護膜３１０と第２の保護膜３２０とのエッジを接続することによって、第１の保護膜３１０及び第２の保護膜３２０の機能層３００への接着を強化し、剥離を回避する。ここで、図１４に示すように、本実施例おいて、第１の保護膜３１０と第２の保護膜３２０との接続部位には境界線が存在するが、これに限定されず、圧接された第１の保護膜３１０と第２の保護膜３２０とは互いに浸透する可能性もあり、この際、両者が接続する部位には明らかな境界線がない。

【0054】

図１５に示すように、第１の遮蔽膜２１０は第１の面１０３を覆い、第２の遮蔽膜２２０は第２の面１０４を覆い、また、第１の遮蔽膜２１０と第２の遮蔽膜２２０とは、回路基板本体１００の側面で接続され、接続部位は開口部１１０内に収容される。

【0055】

（実施例５）
実施例５と実施例１との相違点は、以下のとおりである。
図１８に示すように、高周波伝送用回路基板は、回路基板本体１００及び遮蔽膜２３０を含み、回路基板本体１００は、回路主体層４００及び導体層５００を含み、回路主体層４００は、対向して設けられた第３の面４０３と第４の面４０４を有し、導体層５００は第４の面４０４に設けられており、回路主体層４００は、順に積層される第１の絶縁層３４０、回路層３５０、及び第２の絶縁層３３０を含み、導体層５００は、第１の絶縁層３４０の、回路層３５０から離れた側の表面に設けられており、即ち、導体層５００は第４の面４０４に設けられる。

【0056】

回路主体層４００には、第３の面４０３と導体層５００とを連通させる開口部１１０が設けられており、遮蔽膜２３０は第３の面４０３を覆い、遮蔽膜２３０は、開口部１１０内に延長して導体層５００に圧接され、導体層５００に電気的に接続される。導体層５００自体は遮蔽効果を有し、遮蔽膜２３０と導体層５００とが圧接されることによって、回路層４００の側面での波漏れを防止することができる。

【0057】

図１６～図１８に示すように、高周波伝送用回路基板の遮断方法は、以下のステップを含む。

【0058】

（一）図１６に示すように、回路基板本体１００は、回路主体層４００及び導体層５００を含み、回路主体層４００は、対向して設けられた第３の面４０３と第４の面４０４を有し、導体層５００は第４の面４０４に設けられる。

【0059】

（二）図１６に示すように、回路基板本体１００は、回路領域１０１と空白領域１０２とを含み、図１７に示すように、回路主体層４００の空白領域１０２内には、第３の面４０３と導体層５００とを連通させる開口部１１０が開設される。

【0060】

（三）遮蔽膜２３０を第３の面４０３に覆うことによって、遮蔽膜２３０は、開口部１１０内に延長して導体層５００に圧接され、導体層５００に電気的に接続される。

【0061】

このように、遮蔽膜２３０と導体層５００とは、回路領域１０１の側面で電気的に接続され、図１８に示すような構造となり、回路領域１０１の側面での波漏れを遮断する。

【0062】

以上の実施例の各技術的特徴は、任意の組合せを行うことができ、説明を簡潔にするために、上述の実施例における各技術的特徴の全ての可能な組み合わせが全部説明されてはいないが、これらの技術的特徴の組み合わせに矛盾が存在しない限り、本説明書に記載された範囲と見なされるべきである。

【0063】

以上の実施例は、本開示のいくつかの実施形態のみを表しており、その説明は比較的に具体的かつ詳細であるが、これによって公開される特許範囲に対する制限として理解されてはならない。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図7-1】

【図7-2】

【図7-3】

【図8】

【図9】

【図10-1】

【図10-2】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】