特許 7433861 インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、基板、および、型

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-02-09

(45)【発行日】2024-02-20

(54)【発明の名称】インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、基板、および、型

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20240213BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20240213BHJP

【ＦＩ】

H01L21/30 502D

B29C59/02 Z

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2019214456

(22)【出願日】2019-11-27

(65)【公開番号】P2021086908

(43)【公開日】2021-06-03

【審査請求日】2022-11-11

(73)【特許権者】

【識別番号】000001007

【氏名又は名称】キヤノン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(72)【発明者】

【氏名】縄田 亮

【審査官】今井 彰

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－２１９３３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１９７１０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１２－５０７８８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／２１３１３３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－０３７１２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－２５７０６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－３０６０３０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０

Ｂ２９Ｃ ５９／０２

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板の各ショット領域に設けた複数のマークと型の複数のマークとを用いて、前記基板の各ショット領域と前記型との位置合わせを行い、前記基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
各ショット領域において、少なくとも前記基板の複数のマークを検出する検出部と、
各ショット領域において、前記基板の中心に最も近い第１マークと、前記第１マークに対して前記ショット領域の一辺に沿う第１軸の方向に配置された第２マークと、前記第１マークに対して前記第１軸と垂直な第２軸の方向に配置された第３マークと、を前記位置合わせのために用いる制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記ショット領域が前記基板の外周を含む外周部に位置しない場合と比較して、前記ショット領域の前記基板の中心に近い位置に配置されたマークを前記第２マークとして用い、
前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記ショット領域が前記基板の外周を含む外周部に位置しない場合と比較して、前記ショット領域の前記基板の中心に近い位置に配置されたマークを前記第３マークとして用いることを特徴とするインプリント装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記第１マークと前記第２マークとの距離が、前記第１マークと前記第３マークとの距離より短いようにしたことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記第１マークと前記第３マークの距離が、前記第１マークと前記第２マークの距離より短いようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記ショット領域の中心を通る前記第１軸上に配置されたマークを前記第２マークとして用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記ショット領域の中心を通る前記第２軸上に配置されたマークを前記第３マークとして用いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項6】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記第２マークに対して前記第２軸の方向に配置されたマークを第４マークとして更に用いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項7】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記第３マークに対して前記第１軸の方向に配置されたマークを第４マークとして更に用いることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項8】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記第２マークに対して前記第２軸の方向、且つ、前記第３マークに対して前記第１軸の方向に位置するマークを前記第４マークとして用いることを特徴とする請求項６または７に記載のインプリント装置。

【請求項9】

前記制御部は、前記基板の複数のマークからユーザによって選択されたマークが、前記制御部が前記基板の外周を含む外周部に位置する前記ショット領域の前記位置合わせを行う場合に用いるマークと異なる場合に、前記ユーザに警告することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項10】

前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記制御部が用いるマークを表示画面に表示させることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。

【請求項11】

基板の各ショット領域に設けた複数のマークと型の複数のマークとを用いて、前記基板の各ショット領域と前記型との位置合わせを行い、前記基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
各ショット領域において、少なくとも前記基板の複数のマークを検出する検出部と、
各ショット領域において、前記基板の中心に最も近い第１マークと、前記第１マークに対して前記ショット領域の一辺に沿う第１軸の方向に配置された複数の第２マークの内の少なくとも１つと、前記第１マークに対して前記第１軸と垂直な第２軸の方向に配置された複数の第３マークの内の少なくとも１つを、前記位置合わせのために用いる制御部と、を有し、
前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う際に、前記ショット領域の前記基板の中心から最も遠い位置に配置された前記第２マークの重みを他の第２マークの重みより下げ、
前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う際に、前記ショット領域の前記基板の中心から最も遠い位置に配置された前記第３マークの重みを他の第３マークの重みより下げることを特徴とするインプリント装置。

【請求項12】

前記制御部は、重みを下げた前記第２マークまたは重みを下げた前記第３マークを、前記位置合わせに用いないことを特徴とする請求項１１に記載のインプリント装置。

【請求項13】

基板の各ショット領域に設けた複数のマークと型の複数のマークとを用いて、前記基板の各ショット領域と前記型との位置合わせを行い、前記基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
各ショット領域において、少なくとも前記基板の複数のマークを検出する検出工程と、
各ショット領域において、前記基板の中心に最も近い第１マークと、前記第１マークに対して前記ショット領域の一辺に沿う第１軸の方向に配置された第２マークと、前記第１マークに対して前記第１軸と垂直な第２軸の方向に配置された第３マークと、を前記位置合わせのために用いる位置合わせ工程と、を有し、
前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせ工程を行う場合に、前記ショット領域が前記基板の外周を含む外周部に位置しない場合と比較して、前記ショット領域の前記基板の中心に近い位置に配置されたマークを前記第２マークとして用い、
前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせ工程を行う場合に、選択工程において、前記ショット領域が前記基板の外周を含む外周部に位置しない場合と比較して、前記基板の中心に近い位置に配置されたマークを前記第３マークとして用いることを特徴とするインプリント方法。

【請求項14】

基板の各ショット領域に設けた複数のマークと型の複数のマークとを用いて、前記基板の各ショット領域と前記型との位置合わせを行い、前記基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
各ショット領域において、少なくとも前記基板の複数のマークを検出する検出工程と、
各ショット領域において、前記基板の中心に最も近い第１マークと、前記第１マークに対して前記ショット領域の一辺に沿う第１軸の方向に配置された複数の第２マークの内の少なくとも１つと、前記第１マークに対して前記第１軸と垂直な第２軸の方向に配置された複数の第３マークの内の少なくとも１つを、用いて前記位置合わせをする位置合わせ工程と、を有し、
前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせ工程を行う場合に、前記ショット領域の前記基板の中心から最も遠い位置に配置された前記第２マークの重みを他の第２マークの重みより下げ、
前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記ショット領域の前記基板の中心から最も遠い位置に配置された前記第３マークの重みを他の第３マークの重みより下げることを特徴とするインプリント方法。

【請求項15】

請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを前記基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
処理された前記基板から物品を製造する工程と、を有することを特徴とする物品の製造方法。

【請求項16】

請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置に用いられ、複数のショット領域と、型との位置合わせに用いられる複数のマークが各ショット領域に設けられた基板であって、
それぞれのショット領域に、前記基板の中心に最も近い第１マークと、前記第１マークに対して前記ショット領域の一辺に沿う第１軸の方向に配置された第２マークと、前記第１マークに対して前記第１軸と垂直な第２軸の方向に配置された第３マークと、を有し、
前記第２マークは、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域において、前記基板の外周を含む外周部に位置しないショット領域と比較して、前記ショット領域の前記基板の中心に近い位置に配置され、
前記第３マークは、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域において、前記基板の外周を含む外周部に位置しないショット領域と比較して、前記ショット領域の前記基板の中心に近い位置に配置されることを特徴とする基板。

【請求項17】

請求項１６に記載の基板に含まれる前記第１～第３のマークと対応する位置に設けられた複数のマークを有する型。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インプリント装置、インプリント方法、物品の製造方法、基板、および、型に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスやＭＥＭＳなどの物品を製造する方法として、型（モールド）を用いて基板上のインプリント材を成形するインプリント方法が知られている。インプリント方法は、基板上にインプリント材を供給し、供給されたインプリント材と型を接触させる（押印）。そして、インプリント材と型を接触させた状態でインプリント材を硬化させた後、硬化したインプリント材から型を引き離す（離型）ことにより、基板上にインプリント材のパターンが形成される。

【0003】

インプリント技術において、インプリント材の硬化法の１つとして光硬化法がある。光硬化法は、基板上のショット領域に供給されたインプリント材と型とを接触させた状態で光を照射（以下、本露光）してインプリント材を硬化させる。そして、硬化したインプリント材から型を引き離すことでインプリント材のパターンを基板上に形成する方法である。

【0004】

半導体デバイスの製造工程においては、複数のパターンが重ね合わされる。従って、基板に形成されているショット領域（パターン）の位置と、型に形成されているパターンの位置とを合わせる必要がある。型と基板との位置合わせの精度は、オーバーレイ精度と呼ばれ、インプリント装置では、オーバーレイ精度を向上させるための技術が従来から提案されている。このような技術として、特許文献１では、基板上のアライメントマークと型上のアライメントマークのずれを、アライメントスコープを用いて計測し、そのずれを低減するように基板ステージを駆動することで、オーバーレイ精度を向上させている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２００７－２８１０７２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

インプリント工程には、インプリント材を硬化させるために光を照射する工程（本露光）が含まれる。また、オーバーレイ精度を向上させるために、基板に光を照射することによって加熱して熱変形させ、基板の形状を型の形状に高次の形状成分まで一致させる工程（加熱露光）など、光を照射することにより基板に熱を加える工程が存在する。このような工程により基板に熱が加えられた場合、基板の外周領域（エッジ領域）を含まないショット領域では、基板チャックによる拘束条件が概ね一様であるため、基板のショット領域全体が、ショットの外側に向かった概ね均等に伸びる。しかし、基板の外周領域を含むショット領域では、基板の外周領域を境として基板の拘束条件が大きく異なるため、ショットの基板の中心側と基板の外周領域側とで、基板の伸びる量が異なる。特許文献１のインプリント装置では、基板の外周領域を含むショットにおけるアライメントマークの配置及びアライメントマークの選定方法については何も述べられていない。

【0007】

そこで、本発明は、例えば、基板の外周に位置するショットにおいてオーバーレイ精度を向上する点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するために、本発明は、基板の各ショット領域に設けた複数のマークと型の複数のマークとを用いて、前記基板の各ショット領域と前記型との位置合わせを行い、前記基板のショット領域上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、各ショット領域において、少なくとも前記基板の複数のマークを検出する検出部と、各ショット領域において、前記基板の中心に最も近い第１マークと、前記第１マークに対して前記ショット領域の一辺に沿う第１軸の方向に配置された第２マークと、前記第１マークに対して前記第１軸と垂直な第２軸の方向に配置された第３マークと、を前記位置合わせのために用いる制御部と、を有し、前記制御部は、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第１軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記ショット領域が前記基板の外周を含む外周部に位置しない場合と比較して、前記ショット領域の前記基板の中心に近い位置に配置されたマークを前記第２マークとして用い、前記基板の外周を含む外周部に位置し、且つ、中心が前記第２軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う場合に、前記ショット領域が前記基板の外周を含む外周部に位置しない場合と比較して、前記ショット領域の前記基板の中心に近い位置に配置されたマークを前記第３マークとして用いることを特徴とする。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、例えば、基板の外周に位置するショットにおいてオーバーレイ精度を向上する点で有利なインプリント装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】第１実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略図である。

【図2】第１実施形態に係るインプリント処理を示すフローチャートである。

【図3】ショット領域の全面に加熱露光を行う場合の一例を示す図である。

【図4】基板の外周部に位置しないショットのアライメントマークの一例を示す図である。

【図5】外周部に位置しないショットの露光熱による膨張を説明する図である。

【図6】基板の外周部に位置するショットのアライメントマークの一例を示す図である。

【図7】外周部に位置するショットの露光熱による膨張を説明する図である。

【図8】基板の外周部に位置するショットのアライメントマークの一例を示す図である。

【図9】外周部に位置するショットの露光熱による膨張を説明する図である。

【図10】第２実施形態に係る基板の外周部に位置するショットのアライメントマークの一例を示す図である。

【図11】第２実施形態に係る基板の外周部に位置するショットのアライメントマークの一例を示す図である。

【図12】物品の製造方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

【0012】

＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態におけるインプリント装置１００の構成を示す概略図である。図１を用いてインプリント装置１００の構成について説明する。図１（Ａ）は、型１０と基板１上のインプリント材６０とが接触する前の状態を示し、図１（Ｂ）は、型１０と基板１上のインプリント材６０とが接触した状態を示している。以下の図において、基板表面に平行な面内に互いに直交するＸ軸及びＹ軸をとり、Ｘ軸及びＹ軸に垂直な方向をＺ軸として説明する。

【0013】

インプリント装置１００は、基板１を保持する基板保持部２３と、インプリント材６０を供給する供給部１８と、型１０を保持する型保持部２４と、第１光源１６と、第２光源３０と、第３光源４０と、アライメントスコープ２１と、制御部３５と、を備える。インプリント装置１００は、基板１上に供給されたインプリント材６０を型１０と接触させ、インプリント材６０に硬化用のエネルギーを与えることにより、型１０の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。図１のインプリント装置１００は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。ここでは光硬化法を採用したインプリント装置１００について説明する。

【0014】

基板保持部２３は、基板チャック２と、θステージ３（回転駆動機構）と、ＸＹステージ４（ＸＹ駆動機構）と、を備える。基板チャック２は、例えば、真空吸着力や静電吸着力によって基板１を保持する。図１において、基板１は、基板チャック２に保持されている。θステージ３は、基板１のθ方向（Ｚ軸回りの回転方向）の位置を補正し、基板１のＸ方向とＹ方向の位置決めするためのＸＹステージ４上に配置される。ＸＹステージ４は、リニアモータ１９によりＸ方向及びＹ方向駆動される。θステージ３及びＸＹステージ４は、基板チャック２を保持し、基板チャック２に保持された基板１を移動させる。ＸＹステージ４は、ベース５上に載置される。さらに、基板保持部２３は、基板１のＺ軸方向の位置調整のための駆動系や、基板１の傾きを補正するためのチルト機能などを有していても良い。リニアエンコーダ６は、ベース５上に、Ｘ方向及びＹ方向に取り付けられ、ＸＹステージ４の位置を計測する。支柱８は、ベース５上に屹立し、天板９を支えている。

【0015】

基板１は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などが用いられる。また、基板１には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板１は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。基板１は、複数のショット領域が形成されており、ショット領域上には供給部１８によってインプリント材６０が供給（塗布）される。インプリント装置１００は、ショット領域毎にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を繰り返すことで、基板１の全面にパターンを形成することができる。また、基板１の各ショット領域には、型１０との位置合わせに用いられる複数のアライメントマークが設けられる。

【0016】

インプリント材６０としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、紫外線等でありうる。硬化性組成物は、光の照射により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。本実施形態では、一例として、紫外線によって硬化する性質を持つ光硬化性組成物をインプリント材６０として用いる。インプリント材６０は、供給部１８により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板１上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。また、インプリント材６０は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。

【0017】

供給部１８（ディスペンサ）は、基板１上にインプリント材６０を供給する。供給部１８は、例えば、吐出ノズル（不図示）を有しており、吐出ノズルから基板１上にインプリント材６０を供給する。なお、本実施形態において、供給部１８は、一例として基板１の表面に液状のインプリント材６０を滴下することにより基板１上にインプリント材を供給する。供給部１８によって供給されるインプリント材の量は、必要となるインプリント材の厚さや形成するパターン密度などによって決められても良い。また、供給部１８はインプリント装置１００に必ずしも設けられていなくてもよく、インプリント装置１００外に設けられた供給部によってインプリント材を基板１上に供給してもよい。

【0018】

型１０は、基板上のインプリント材を成形するための型である。型は、（モールド）、テンプレートまたは原版とも呼ばれうる。型１０は、例えば、外周部が矩形で、基板１に対向する面に基板１上に供給されたインプリント材６０に転写される凹凸状のパターンが３次元形状に形成されたパターン領域Ｐを備える。パターン領域Ｐは、メサ部とも呼ばれる。パターン領域Ｐは、型１０のパターン領域Ｐ以外（パターン領域Ｐを囲む領域）が基板１に接触しないように数十μｍ～数百μｍの凸部に形成されている。型１０は、基板上のインプリント材を硬化させるための光（紫外線）を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。また、型１０は、基板１との位置合わせに用いられ、基板１に含まれるアライメントマークに対応する複数のアライメントマークを有する。

【0019】

型保持部２４は、型チャック１１と、型ステージ２２と、リニアアクチュエータ１５（型駆動機構）と、を含む。型チャック１１は、真空吸着力や静電吸着力などによって型１０を保持する。型チャック１１は、型ステージ２２によって保持される。型ステージ２２は、型１０のＺ位置の調整機能、及び、型１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。リニアアクチュエータ１５は、型チャック１１に保持された型１０をＺ軸方向に駆動して、型１０を基板１上のインプリント材６０に接触させ、引き離す。リニアアクチュエータ１５は、例えばエアシリンダまたはリニアモータである。なお、型ステージ２２は、Ｘ軸方向やＹ軸方向、または各軸のθ方向の位置調整機能を有していてもよい。型チャック１１及び型ステージ２２は、第１光源１６から照射される光を型１０へと通過させる開口（不図示）をそれぞれ有する。

【0020】

第１光源１６は、基板１上のインプリント材６０を硬化させる処理において、インプリント材６０を硬化させる光（紫外線）を、コリメータレンズ１７ａを介して基板１に照射する。ここでは第１光源１６としてｉ線（３６５ｎｍ）を用いる。ビームスプリッタ２０は、第１光源１６の光路中にあり、アライメントスコープ２１により型１０の接触状態を観察するために使用される光とインプリント材６０を硬化させる光とを分ける。アライメントスコープ２１は、ビームスプリッタ２０を介して型１０のパターン領域Ｐを撮像する。また、アライメントスコープ２１は、型１０及び基板１に形成されたアライメントマークＡＭを検出する検出部としても機能する。

【0021】

第２光源３０は、基板１上のインプリント材６０を硬化させる処理において、インプリント材６０の粘弾性を高める光（紫外線）を、コリメータレンズ１７ｂを介して基板１に照射する。第２光源３０は、インプリント材６０を硬化させる光（紫外線）の照度、照射領域、照射時間を変化させることができる。ここでは第２光源３０として波長４０５ｎｍの光源を用いる。

【0022】

第３光源４０は、型１０と基板１の位置合わせ処理において、基板１を熱変形させる光を、コリメータレンズ１７ｃを介して基板１に照射する。第３光源４０は、基板１を熱変形させることを目的としているので、インプリント材６０の粘弾性を高めることを目的としている第２光源３０とは、波長帯域が異なる。ここでは第３光源４０として波長４６５ｎｍの光源を用いる。

【0023】

制御部３５は、インプリント装置１００を構成する各部の動作、及び調整等を制御する。制御部３５は、例えば、コンピュータなどで構成され、インプリント装置１００を構成する各部に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各部の制御を実行しうる。制御部３５は、インプリント装置１００内に設けてもよいし、インプリント装置１００とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。

【0024】

次に、上記のように構成されたインプリント装置１００によるインプリント処理について説明する。図２は、第１実施形態に係るインプリント処理を示すフローチャートである。各ステップは、制御部３５によるインプリント装置１００の各部の制御により実行されうる。まず、インプリントに必要な各種パラメータの設定を行う（ステップＳ０）。その後、インプリント装置１００のＸＹステージ４を駆動し、基板１が載置された基板チャック２をＸ方向及びＹ方向に移動させ、インプリント処理の対象となるショット領域（以下、対象ショット領域）を供給部１８の下に配置する（ステップＳ１）。そして、所定量の未硬化のインプリント材６０を基板１上に供給する（ステップＳ２）。

【0025】

次に、対象ショット領域が型１０のパターン領域Ｐと対向する位置に配置されるように、再び、ＸＹステージ４を駆動して基板チャック２を移動させ、θステージ３を駆動して基板１のθ方向位置を補正する（ステップＳ３）。続いて、リニアアクチュエータ１５を駆動することにより、型ステージ２２を－Ｚ方向に移動させ、型１０を基板１上の未硬化のインプリント材６０と接触させる（接触工程、ステップＳ４）。ステップＳ４では、型ステージ２２を移動させる代わりに基板保持部２３をＺ方向に移動させてもよいし、型ステージ２２と基板保持部２３をそれぞれ移動させてもよい。型チャック１１または型ステージ２２には、複数のロードセル（不図示）が備えられうる。制御部３５は、複数のロードセルの出力から、型１０と基板１上の未硬化のインプリント材６０とを接触させた際に生じる接触力が最適であるか判断する（ステップＳ５）。

【0026】

接触力が最適でない場合（ステップＳ５、ＮＯ）、型ステージ２２は、型１０のインプリント材６０との接触力が所定値となるように、複数のロードセルの出力に応じて、型チャック１１の傾きを変化させる。また、リニアアクチュエータ１５により押し付け量を変えることにより、型１０をインプリント材に押し付ける力が調整される（ステップＳ６）。

【0027】

接触力が最適である場合（ステップＳ５、ＹＥＳ）、第２光源３０から基板１上のインプリント材６０に光（紫外線）の照射（予備露光）を行い、インプリント材６０の粘弾性を増加させる（ステップＳ７）。その後、基板１を熱変形させるために、第３光源４０から基板１上に光の照射（以下、加熱露光）を行っている（ステップＳ８）。加熱露光では、光をショット領域の一部に照射してもよいし、全面に照射してもよい。図３は、ショット領域の全面に加熱露光を行う場合の一例を示す図である。ショット領域の全面に光を照射する場合には、図３に示すように照度に分布を持たせてもよい。これにより、基板１を所望の形状に熱変形させることができ、型１０のパターン領域Ｐと基板１のショット領域の位置合わせをより高次な形状まで行うことができる。ただし、加熱露光（ステップＳ８）で加えられた熱は、基板１を伝導し、拡散してしまうので、加熱露光（ステップＳ８）は、本露光（ステップＳ１０）の直前に行われることが望ましい。

【0028】

その後、型１０及び基板１に形成されたアライメントマークＡＭをアライメントスコープ２１で検出し、検出された計測結果を基に位置合わせを行う。計測結果から型１０と基板１の相対的なずれを求め、ＸＹステージ４及びθステージ３を駆動し、型１０と基板１との位置合わせを行う（ステップＳ９）。ここでは、予備露光（ステップＳ７）、加熱露光（ステップＳ８）、ＸＹステージ４及びθステージ３を駆動（ステップＳ９）の順番で行っているが、これらを同時に行っても良い。

【0029】

型１０と基板１の位置合わせを行った後、第１光源１６により基板１上のインプリント材６０に光（紫外線）の照射（本露光）を行い、インプリント材６０を硬化させる（ステップＳ１０）。本露光の照射領域は、ショット領域の全面である。所定時間の光（紫外線）の照射が終わると、リニアアクチュエータ１５を駆動することにより、型ステージ２２を＋Ｚ方向に上昇させ、基板１上の硬化したインプリント材６０から型１０を引き離す離型工程（ステップＳ１１）が行われる。ステップＳ１１では、型ステージ２２を移動させる代わりに基板保持部２３をＺ方向に移動させてもよいし、型ステージ２２と基板保持部２３をそれぞれ移動させてもよい。

【0030】

その後、基板１上の全てのショット領域へのパターン形成が終了したか判断する（ステップＳ１２）。インプリント材のパターンを形成するショット領域が残っている場合には、次の対象ショット領域へのインプリント材６０の供給を行うために、ＸＹステージ４を駆動し、基板１を移動させる（ステップＳ１）。これら一連の処理を、基板１上の全てのショット領域へのパターン形成が終了するまで繰り返す。全てのショット領域へのパターン形成が終了すると、ＸＹステージ４を駆動して基板１を所定の位置に移動させ（ステップＳ１３）、１枚の基板１に対するインプリント処理を終了する。

【0031】

次に、型１０と基板１との位置合わせ（ステップＳ９）に用いるアライメントマークＡＭについて説明する。図４は、基板１の外周部に位置しないショットのアライメントマークＡＭの一例を示す図である。ここでは、基板１の中心までの距離が一番短いアライメントマーク、換言すると、ショット領域において、基板１の中心に最も近いアライメントマークを第１アライメントマークＡＭ１と呼ぶ。第１アライメントマークＡＭ１のＸ軸上に位置するアライメントマークを第２アライメントマークＡＭ２、第１アライメントマークＡＭ１のＹ軸上に位置するアライメントマークを第３アライメントマークＡＭ３と呼ぶ。なお、ここで、第１アライメントマークＡＭ１のＸ軸上に位置するとは、第１アライメントマークＡＭ１の一部を通るＸ軸上に、第２アライメントマークＡＭ２の一部が配置されている場合を含む。即ち、第２アライメントマークＡＭ２は、第１アライメントマークＡＭ１に対してＸ軸の方向に配置されているともいえる。また、第１アライメントマークＡＭ１のＹ軸上に位置するとは、第１アライメントマークＡＭ１の一部を通るＹ軸上に、第３アライメントマークＡＭ３の一部が配置されている場合を含む。即ち、第３アライメントマークＡＭ３は、第１アライメントマークＡＭ１に対してＹ軸の方向に配置されているともいえる。更に、第２アライメントマークのＹ軸上且つ、第３アライメントマークのＸ軸上に位置するアライメントマークを第４アライメントマークＡＭ４と呼ぶ。なお、本明細書において、Ｘ軸は、ショットの一辺に沿う軸であり、Ｙ軸はＸ軸に垂直な軸である。

【0032】

アライメントスコープ２１は、基板１上のショット領域のアライメントマークＡＭと、それに対応する型１０上のアライメントマーク（不図示）のＸ軸方向とＹ軸方向のずれ量を計測する。各アライメントマークのＸ軸方向とＹ軸方向のずれ量を、それぞれ（ｄＸ１、ｄＹ１）、（ｄＸ２、ｄＹ２）、（ｄＸ３、ｄＹ３）、（ｄＸ４、ｄＹ４）とする。基板１上のショット領域に対する型１０のＸ軸方向のずれ量（ＳｈＸ４）は、近似的に式１で表され、Ｙ軸方向のずれ量（ＳｈＹ４）は、近似的に式２で表される。
（式１）ＳｈＸ４＝（ｄＸ１＋ｄＸ２＋ｄＸ３＋ｄＸ４）／４
（式２）ＳｈＹ４＝（ｄＹ１＋ｄＹ２＋ｄＹ３＋ｄＹ４）／４

【0033】

インプリント工程には、加熱露光、予備露光、本露光などがあり、その露光熱により、基板１が熱膨張する。図５は、外周部に位置しないショットの露光熱による膨張を説明する図である。基板１の外周領域を含まないショット、言い換えると、外周部に位置しないショットは、基板１がショット領域外の全方向に連続であり、基板チャック２による拘束力もショット領域外の全方向に関して連続である。このため、露光熱によるショット領域の膨張は、図５に示すようにショット中心（ＣＳ）からほぼ放射状になる。よって、露光熱により基板が熱膨張しても、基板１上のショット領域に対する型１０のＸ軸方向、Ｙ軸方向のずれ量（ＳｈＸ４、ＳｈＹ４）の計測精度に与える影響は小さい。

【0034】

図６は、基板１の外周部に位置するショットのアライメントマークＡＭの一例を示す図である。本図では、基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＸ軸から±４５°の範囲内にあるショットのアライメントマークＡＭの一例を示している。なお、ここで、外周部に位置するショットとは、基板１の外周１Ｒ付近に配置され、基板１の外周１Ｒを含むショット領域、および、外周１Ｒに接するショット領域を含む。外周部に位置するショットは、外周領域を含むショットということもできる。図６（Ａ）の、第１アライメントマークＡＭ１ａ、第２アライメントマークＡＭ２ａ、第３アライメントマークＡＭ３ａは、図４に示す基板の外周部に位置しないショットのアライメントマークとショット域内の位置が同じものを用いている。図６に示すようにアライメントマークが３個の場合は、基板１上のショット領域に対する型１０のＸ軸方向のずれ量（ＳｈＸ３）は、近似的に式３で表され、Ｙ軸方向のずれ量（ＳｈＹ３）は、近似的に式４で表される。
（式３）ＳｈＸ３＝（ｄＸ１＋ｄＸ２×２＋ｄＸ３）／４
（式４）ＳｈＹ３＝（ｄＹ１＋ｄＹ２＋ｄＹ３×２）／４

【0035】

インプリント工程には、加熱露光、予備露光、本露光などがあり、その露光熱により、基板１が熱膨張する。図７は、外周部に位置するショットの露光熱による膨張を説明する図である。基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＸ軸から±４５°の範囲内にあるショットは、幾何学的な関係からＸ軸方向に伸び易い。そして、基板１がショット領域外のＸ軸方向に不連続であり、基板チャック２による拘束力もＸ軸方向に関して不連続である。そのため、露光熱による基板１の外周領域側の第２アライメントマークＡＭ２ａのＸ軸方向の移動量は、図７（Ａ）に示すように基板１の中心領域側の第１アライメントマークＡＭ１ａの移動量に比べて大きくなる。更に、第２アライメントマークＡＭ２ａのＸ軸方向の移動量は、基板１と基板チャック２との摩擦の影響を受けるので、再現性が悪い。そのため、露光熱により基板１が熱膨張すると、基板１上のショット領域に対する型１０のＸ軸方向のずれ量（ＳｈＸ３）の計測精度を悪化させる。

【0036】

そこで、本実施形態では、制御部３５は、図６（Ｂ）に示す第２アライメントマークＡＭ２ｂをアライメントに用いる。図６（Ｂ）に示す第２アライメントマークＡＭ２ｂは、図６（Ａ）に示す第２アライメントマークＡＭ２ａと比較して基板１の中心に近い位置に配置されている。これより、第２アライメントマークＡＭ２ｂは、図７（Ｂ）に示すように基板１の外周部の影響を受けにくくなり、基板１上のショット領域に対する型１０のＸ軸方向のずれ量（ＳｈＸ３）の計測精度を向上することができる。図６（Ｂ）のように、第１アライメントマークＡＭ１ｂと第３アライメントマークＡＭ３ｂ間の距離に比べて、第１アライメントマークＡＭ１ｂと第２アライメントマークＡＭ２ｂ間の距離が短くなるように第２アライメントマークＡＭ２ｂを配置しても良い。また、第２アライメントマークＡＭ２ｂをショットのＸ軸の中線上に配置しても良い。これにより、第２アライメントマークＡＭ２ｂは、Ｘ軸に関して露光熱による基板１の熱膨張の中央部になるので、熱膨張の影響を受けにくくなる。

【0037】

図８は、基板の外周部に位置するショットのアライメントマークの一例を示す図である。本図は、基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＹ軸から±４５°の範囲内にあるショットのアライメントマークＡＭを示している。図８（Ａ）では、第１アライメントマークＡＭ１ａ、第２アライメントマークＡＭ２ａ、第３アライメントマークＡＭ３ａとして、図４に示す基板の外周部に位置しないショットとショット領域内の位置関係が同じものを用いている。

【0038】

インプリント工程には、加熱露光、予備露光、本露光などがあり、その露光熱により、基板１が熱膨張する。図９は、外周部に位置するショットの露光熱による膨張を説明する図である。基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＹ軸から±４５°の範囲内にあるショットは、幾何学的な関係からＹ軸方向に伸び易い。そして、基板１がショット領域外のＹ軸方向に不連続であり、基板チャック２による拘束力もＹ軸方向に関して不連続である。そのため、露光熱による基板１の外周領域側の第３アライメントマークＡＭ３ａのＹ軸方向の移動量は、図９（Ａ）に示すように基板１の中心領域側の第１アライメントマークＡＭ１ａの移動量に比べて大きくなる。更に、第３アライメントマークＡＭ３ａのＹ軸方向の移動量は、基板１と基板チャック２との摩擦の影響を受けるので、再現性が悪い。そのため、露光熱により基板１が熱膨張すると、基板１上のショット領域に対する型１０のＹ軸方向のずれ量（ＳｈＹ３）の計測精度を悪化させる。

【0039】

そこで、本実施形態では、図８（Ｂ）に示す第３アライメントマークＡＭ３ｃをアライメントに用いる。図８（Ｂ）に示す第３アライメントマークＡＭ３ｃは、図８（Ａ）に示す第３アライメントマークＡＭ３ａと比較して基板１の中心に近い位置に配置されている。これより、第３アライメントマークＡＭ３ｃは、図９（Ｂ）に示すように基板１の外周部の影響を受けにくくなり、基板１上のショット領域に対する型１０のＹ軸方向のずれ量（ＳｈＹ３）の計測精度を向上することができる。図９（Ｂ）のように、第１アライメントマークＡＭ１ｃと第２アライメントマークＡＭ２ｃ間の距離に比べて、第１アライメントマークＡＭ１ｃと第３アライメントマークＡＭ３ｃ間の距離が短くなるように第３アライメントマークＡＭ３ｃを配置しても良い。また、第３アライメントマークＡＭ３ｃをショットのＹ軸の中線上に配置しても良い。これにより、第３アライメントマークＡＭ３ｃは、Ｙ軸に関して露光熱による基板１の熱膨張の中央部になるので、熱膨張の影響を受けにくくなる。

【0040】

ここで、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＸ軸から４５°、換言すると、Ｙ軸から４５°に位置するショットのアライメントマークＡＭについて説明する。ショットのＸ軸に沿う一辺の長さが、ショットのＹ軸に沿う一辺の長さよりも短い場合には、基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＹ軸から±４５°の範囲内にあるショットと同様に処理を行う。一方、ショットのＸ軸に沿う一辺の長さが、ショットのＹ軸に沿う一辺の長さよりも長い場合には、基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＸ軸から±４５°の範囲内にあるショットと同様に処理を行う。

【0041】

本実施形態によれば、基板の外周に位置するショットにおいてオーバーレイ精度を向上させることができる。

【0042】

なお、本実施形態の図面において、外周部に位置するショットに含まれるアライメントマークは、説明を簡単にするため、第１～第３アライメントマークのみを示したが、これに限られるものではない。外周部に位置するショットに４以上のアライメントマークが配置されている場合、制御部３５は、複数のアライメントマークから、アライメントに用いるマークを選択することもできる。

【0043】

また、複数のアライメントマークから、アライメントに用いるマークを選択する場合に、位置合わせをする際に、選択されなかったアライメントマークの重みを選択されたアライメントマークの重みよりも下げるようにしても良い。更には、選択されなかったアライメントマークの重みをゼロにしても良い。即ち、位置合わせに使わないようにしても良い。その場合には、各ショット領域において、基板１の中心に最も近い第１アライメントマークと、第１アライメントマークに対してＸ軸の方向に配置された複数の第２アライメントマークの内の少なくとも１つを位置合わせのために用いる。また、第１アライメントマークに対してＹ軸の方向に配置された複数の第３アライメントマークの内の少なくとも１つを、位置合わせのために用いる。そして、基板１の外周部に位置し、且つ、中心がＸ軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の位置合わせを行う際に、前記ショット領域の基板１の中心から最も遠い位置に配置された第２アライメントマークの重みを他の第２マークの重みより下げる。また、基板１の外周部に位置し、且つ、中心がＹ軸から±４５°の範囲に位置するショット領域の前記位置合わせを行う際に、前記ショット領域の基板１の中心から最も遠い位置に配置された第３アライメントマークの重みを他の第３マークの重みより下げる。以上のようにしてもオーバーレイ精度を向上することができる。

【0044】

＜第２実施形態＞
第２実施形態では、基板１の外周部に位置するショットのアライメントマークとして、４個のアライメントマークを用いる。４個のアライメントマークを用いることにより、基板１に対する型１０のずれ量をより高次の形状まで計測できるようになり、このずれ量を補正することにより、オーバーレイ精度をさらに向上することができる。

【0045】

図１０は、第２実施形態に係る基板１の外周部に位置するショットのアライメントマークの一例を示す図である。本図は、基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＸ軸から±４５°の範囲内にあるショットのアライメントマークＡＭを示している。図１０（Ａ）の第１アライメントマークＡＭ１ｄ、第２アライメントマークＡＭ２ｄ、第３アライメントマークＡＭ３ｄは、図６（Ｂ）に示すアライメントマークＡＭとショット領域内における位置が同じものを用いている。図１０（Ａ）の第４アライメントマークＡＭ４ｄは、第２アライメントマークＡＭ２ｄのＹ軸上に配置されている。なお、ここで、第２アライメントマークＡＭ２ｄのＹ軸上に配置とは、第２アライメントマークＡＭ２ｄの一部を通るＹ軸上に、第４アライメントマークＡＭ４ｄの一部が配置されている場合を含む。このようなアライメントマークをアライメントに用いることにより、オーバーレイ精度をさらに向上することができる。

【0046】

また、図１０（Ｂ）に示すように、第４アライメントマークＡＭ４ｅを、第２アライメントマークＡＭ２ｅのＹ軸上且つ第３アライメントマークＡＭ３ｅのＸ軸上に配置しても良い。なお、ここで、第２アライメントマークＡＭ２ｅのＹ軸上に配置とは、第２アライメントマークＡＭ２ｅの一部を通るＹ軸上に、第４アライメントマークＡＭ４ｅの一部が配置されている場合を含む。また、第３アライメントマークＡＭ３ｅのＸ軸上に配置とは、第３アライメントマークＡＭ３ｅの一部を通るＸ軸上に、第４アライメントマークＡＭ４ｅの一部が配置されている場合を含む。これにより、基板１に対する型１０のずれ量を求める演算を簡略化することができる。

【0047】

図１１は、第２実施形態に係る基板１の外周部に位置するショットのアライメントマークの一例を示す図である。本図は、基板１の外周部に位置し、ショット中心（ＣＳ）が基板１のＹ軸から±４５°の範囲内にあるショットのアライメントマークＡＭを示している。図１１（Ａ）の第１アライメントマークＡＭ１ｆ、第２アライメントマークＡＭ２ｆ、第３アライメントマークＡＭ３ｆは、図８（Ｂ）に示すアライメントマークＡＭとショット領域内における位置が同じものを用いている。図１１（Ａ）の第４アライメントマークＡＭ４ｆは、第３アライメントマークＡＭ３ｆのＸ軸上に配置されている。第３アライメントマークＡＭ３ｆのＸ軸上に配置とは、第３アライメントマークＡＭ３ｆの一部を通るＸ軸上に、第４アライメントマークＡＭ４ｆの一部が配置されている場合を含む。このようなアライメントマークをアライメントに用いることにより、オーバーレイ精度をさらに向上することができる。

【0048】

また、図１１（Ｂ）に示すように、第４アライメントマークＡＭ４ｇを、第３アライメントマークＡＭ３ｇのＸ軸上且つ第２アライメントマークＡＭ２ｇのＹ軸上に配置しても良い。なお、ここで、第２アライメントマークＡＭ２ｇのＹ軸上に配置とは、第２アライメントマークＡＭ２ｇの一部を通るＹ軸上に、第４アライメントマークＡＭ４ｇの一部が配置されている場合を含む。また、第３アライメントマークＡＭ３ｇのＸ軸上に配置とは、第３アライメントマークＡＭ３ｇの一部を通るＸ軸上に、第４アライメントマークＡＭ４ｇの一部が配置されている場合を含む。これにより、基板１に対する型１０のずれ量を求める演算を簡略化することができる。

【0049】

＜第３実施形態＞
図２に示すフローチャートのステップＳ０では、インプリントに必要な各種パラメータの設定を行う。パラメータには、基板１上のショットレイアウトや使用するアライメントマークの情報も含まれており、ユーザが、ショットレイアウトに応じて、ショット毎に適切なアライメントマークを選択する必要がある。しかし、ユーザが、第１実施形態や第２実施形態に示すようなショットの位置に応じた適切なアライメントマーク（以下、推奨されるアライメントマークという）を選択しない事態が考えられる。そこで、インプリント装置１００は、そのような事態を防ぐためにユーザに警告を出す機能を有している。

【0050】

具体的には、ユーザが、例えば、キーボードや、マウスなどの入力部によって、アライメントに用いるアライメントマークを選択する。制御部３５は、ユーザによって選択されたアライメントマークが、第１実施形態や第２実施形態に示すようなショットの位置に応じたアライメントマークと異なる場合に、ユーザに対して警告を行う。ここで、警告とは、例えば、操作画面上に警告画像を表示させたり、警告音を発音させたりすることを含む。このようにすることにより、ユーザが推奨されるアライメントマークと異なるアライメントマークを選択した場合に、その事実に容易に気づくことが可能となる。

【0051】

更に、ユーザが、第１実施形態や第２実施形態に示すようなショットの位置に応じた適切なアライメントマークを選択できるように、インプリント装置１００がショット毎に適切なアライメントマークを選択するナビゲーション機能を有していても良い。

【0052】

具体的には、例えば、アライメントに用いるアライメントマークを選択する表示画面において、推奨されるアライメントマークを目立つように表示させたり、文字によって推奨されるアライメントマークを表示させたりする。このようにすることにより、ユーザが推奨されるアライメントマークを容易に選択することが可能となる。

【0053】

（物品製造方法の実施形態）
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

【0054】

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

【0055】

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図１２（Ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

【0056】

図１２（Ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１２（Ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

【0057】

図１２（Ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールドの凹部が硬化物の凸部に、モールドの凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

【0058】

図１２（Ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１２（Ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

【0059】

（その他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

【符号の説明】

【0060】

１ 基板
１Ｒ 外周部
６０ インプリント材
１０ 型
２３ 基板保持部
２４ 型保持部
３５ 制御部
１００ インプリント装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】