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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-02-13
(45)【発行日】2024-02-21
(54)【発明の名称】積層型バラン
(51)【国際特許分類】
H01P 5/10 20060101AFI20240214BHJP
【ＦＩ】
H01P5/10 C
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2020014441
(22)【出願日】2020-01-31
(65)【公開番号】P2021121086
(43)【公開日】2021-08-19
【審査請求日】2022-11-28
(73)【特許権者】
【識別番号】000003067
【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002907
【氏名又は名称】弁理士法人イトーシン国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】芦田 裕太
(72)【発明者】
【氏名】立松 雅大
(72)【発明者】
【氏名】澤口 修平
(72)【発明者】
【氏名】戸蒔 重光
(72)【発明者】
【氏名】後藤 哲三
(72)【発明者】
【氏名】木島 壯氏
【審査官】佐藤 当秀
(56)【参考文献】
【文献】特開平０９－２６０１４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００１－１６８６０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２７１１１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００３－１１０３１４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－０９４４６１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｐ ５／１０
Ｈ０１Ｆ １９／０６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
不平衡ポートと、第１の平衡ポートと、
第２の平衡ポートと、
前記不平衡ポートに接続された第１の線路と、
前記第１の線路に直列に接続された第２の線路と、
前記第１の平衡ポートに接続され且つ前記第１の線路に対して電磁界結合する第３の線路と、
前記第２の平衡ポートに接続され且つ前記第２の線路に対して電磁界結合する第４の線路と、
前記不平衡ポート、前記第１および第２の平衡ポートならびに前記第１ないし第４の線路を一体化するための積層体とを備えた積層型バランであって、
前記積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含み、
前記複数の導体層は、複数の線路用導体層と、グランドに接続される少なくとも１つのグランド用導体層とを含み、
前記複数の線路用導体層は、前記第１および第３の線路を構成する複数の第１の導体層と、前記第２および第４の線路を構成する複数の第２の導体層とを含むと共に、各々が前記複数の誘電体層と前記複数の導体層の積層方向に隣接し且つ互いに電磁界結合する２つの導体層からなる複数の導体層対を含み、
前記複数の第１の導体層は、前記積層体内の第１の領域に配置され、
前記複数の第２の導体層は、前記積層方向において前記第１の領域とは異なる位置にある前記積層体内の第２の領域に配置され、
前記少なくとも１つのグランド用導体層は、前記積層方向において前記第１および第２の領域とは異なる位置であって、前記第１の領域よりも前記第２の領域により近い位置に配置され、
前記複数の第２の導体層は、前記複数の導体層対のうち、前記２つの導体層の間隔が最小となる少なくとも１つの導体層対を含むことを特徴とする積層型バラン。
【請求項2】
前記複数の第１の導体層は、前記複数の導体層対のうち、前記２つの導体層の間隔が最大となる少なくとも１つの導体層対を含むことを特徴とする請求項１記載の積層型バラン。
【請求項3】
前記第１の線路と前記第３の線路の各々は、前記複数の第１の導体層のうちの２つ以上の第１の導体層によって構成され、前記第２の線路と前記第４の線路の各々は、前記複数の第２の導体層のうちの２つ以上の第２の導体層によって構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の積層型バラン。
【請求項4】
前記積層体は、前記積層方向の両端に位置する上面と底面を有し、前記第２の領域は、前記第１の領域よりも前記積層体の前記上面により近い位置にあることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型バラン。
【請求項5】
前記少なくとも１つのグランド用導体層は、前記第２の領域と前記積層体の前記上面との間に配置されていることを特徴とする請求項４記載の積層型バラン。
【請求項6】
更に、前記不平衡ポートと前記第１の線路とを接続する第１の経路と、前記第１の経路と前記グランドとの間に設けられた第１のキャパシタとを備え、
前記複数の導体層は、更に、前記第１のキャパシタを構成する第１のキャパシタ用導体層を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の積層型バラン。
【請求項7】
更に、前記第１の平衡ポートと前記第３の線路とを接続する第２の経路と、前記第２の経路と前記グランドとの間に設けられた第２のキャパシタとを備え、
前記複数の導体層は、更に、前記第２のキャパシタを構成する第２のキャパシタ用導体層を含むことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の積層型バラン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、広い周波数帯域において使用可能な積層型バランに関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話機、無線ＬＡＮ通信機器等の無線通信機器の送受信回路に使用され得る電子部品の１つとして、不平衡信号と平衡信号との間の変換を行うバランがある。バランには、広い周波数帯域において振幅バランス特性および位相バランス特性が良好であることが求められる。振幅バランス特性が良好であるというのは、バランから出力される平衡信号を構成する２つの平衡要素信号の振幅の差が０に近いことである。位相バランス特性が良好であるというのは、２つの平衡要素信号の位相差が１８０度に近いことである。
【0003】
無線通信機器に使用されるバランの形態としては、例えば、特許文献１および特許文献２に記載されているような積層型バランがある。積層型バランは、積層された複数の誘電体層と複数の導体層を含む積層体を用いて構成されたバランである。この積層型バランは、不平衡伝送線路と、不平衡伝送線路の一部に対して電磁界結合する第１の平衡伝送線路と、不平衡伝送線路の他の一部に対して電磁界結合する第２の平衡伝送線路と、グランドに接続されるグランド導体層と、積層体とを備えている。不平衡伝送線路、第１の平衡伝送線路、第２の平衡伝送線路およびグランド導体層は、複数の導体層を用いて構成されている。積層体は、不平衡伝送線路、第１の平衡伝送線路、第２の平衡伝送線路およびグランド導体層を一体化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開平９－２６０１４５号公報
【文献】特開２００３－１９８２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
現在、第４世代までの移動通信システムが実用化されている。また、現在、第５世代移動通信システムの規格化が進められている。これらの移動通信システムにおいて広帯域伝送を可能にする技術の一つに、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation、以下ＣＡとも記す。）がある。ＣＡは、コンポーネントキャリアと呼ばれる複数のキャリアを同時に用いて広帯域伝送を可能にする技術である。
【0006】
ＣＡに対応した移動体通信機器では、複数の周波数帯域が同時に使用される。そのため、ＣＡに対応した移動体通信機器では、従来よりも広帯域で使用可能なバランが求められている。
【0007】
特許文献１，２に記載されているように、積層型バランでは、グランド導体層は、シールドとして用いられる。しかし、従来の積層型バランでは、グランド導体層によって、使用周波数帯域の広帯域化が妨げられていることが分かった。
【0008】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、広い周波数帯域において使用可能な積層型バランを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の積層型バランは、不平衡ポートと、第１の平衡ポートと、第２の平衡ポートと、不平衡ポートに接続された第１の線路と、第１の線路に直列に接続された第２の線路と、第１の平衡ポートに接続され且つ第１の線路に対して電磁界結合する第３の線路と、第２の平衡ポートに接続され且つ第２の線路に対して電磁界結合する第４の線路と、不平衡ポート、第１および第２の平衡ポートならびに第１ないし第４の線路を一体化するための積層体とを備えている。
【0010】
積層体は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。複数の導体層は、複数の線路用導体層と、グランドに接続される少なくとも１つのグランド用導体層とを含んでいる。複数の線路用導体層は、第１および第３の線路を構成する複数の第１の導体層と、第２および第４の線路を構成する複数の第２の導体層とを含むと共に、各々が複数の誘電体層と複数の導体層の積層方向に隣接し且つ互いに電磁界結合する２つの導体層からなる複数の導体層対を含んでいる。
【0011】
複数の第１の導体層は、積層体内の第１の領域に配置されている。複数の第２の導体層は、積層方向において第１の領域とは異なる位置にある積層体内の第２の領域に配置されている。少なくとも１つのグランド用導体層は、積層方向において第１および第２の領域とは異なる位置であって、第１の領域よりも第２の領域により近い位置に配置されている。複数の第２の導体層は、複数の導体層対のうち、２つの導体層の間隔が最小となる少なくとも１つの導体層対を含んでいる。
【0012】
本発明の積層型バランにおいて、複数の第１の導体層は、複数の導体層対のうち、２つの導体層の間隔が最大となる少なくとも１つの導体層対を含んでいてもよい。
【0013】
また、本発明の積層型バランにおいて、第１の線路と第３の線路の各々は、複数の第１の導体層のうちの２つ以上の第１の導体層によって構成されていてもよい。また、第２の線路と第４の線路の各々は、複数の第２の導体層のうちの２つ以上の第２の導体層によって構成されていてもよい。
【0014】
また、本発明の積層型バランにおいて、積層体は、積層方向の両端に位置する上面と底面を有していてもよい。第２の領域は、第１の領域よりも積層体の上面により近い位置にあってもよい。この場合、少なくとも１つのグランド用導体層は、第２の領域と積層体の上面との間に配置されていてもよい。
【0015】
また、本発明の積層型バランは、更に、不平衡ポートと第１の線路とを接続する第１の経路と、第１の経路とグランドとの間に設けられた第１のキャパシタとを備えていてもよい。この場合、複数の導体層は、更に、第１のキャパシタを構成する第１のキャパシタ用導体層を含んでいてもよい。
【0016】
また、本発明の積層型バランは、更に、第１の平衡ポートと第３の線路とを接続する第２の経路と、第２の経路とグランドとの間に設けられた第２のキャパシタとを備えていてもよい。この場合、複数の導体層は、更に、第２のキャパシタを構成する第２のキャパシタ用導体層を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【0017】
本発明の積層型バランでは、少なくとも１つのグランド用導体層は、積層方向において第１および第２の領域とは異なる位置であって、第１の領域よりも第２の領域により近い位置に配置されている。また、複数の第２の導体層は、複数の導体層対のうち、２つの導体層の間隔が最小となる少なくとも１つの導体層対を含んでいる。これにより、本発明によれば、広い周波数帯域において使用可能な積層型バランを実現することが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図1】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの回路構成を示す回路図である。
【図2】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの斜視図である。
【図3】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの斜視図である。
【図16】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの反射特性の一例を示す特性図である。
【図17】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの通過特性の一例を示す特性図である。
【図18】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの振幅バランス特性の一例を示す特性図である。
【図19】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの位相バランス特性の一例を示す特性図である。
【図20】シミュレーションによって求めた第１ないし第４のモデルの反射特性を示す特性図である。
【図21】シミュレーションによって求めた第１ないし第４のモデルの通過特性を示す特性図である。
【図22】シミュレーションによって求めた第１ないし第４のモデルの振幅バランス特性を示す特性図である。
【図23】シミュレーションによって求めた第１ないし第４のモデルの位相バランス特性を示す特性図である。
【図24】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの第１の変形例の側面図である。
【図25】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの第２の変形例の側面図である。
【図26】本発明の一実施の形態に係る積層型バランの第３の変形例の側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0019】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係る積層型バラン（以下、単にバランと記す。）の回路構成について説明する。図１は、本実施の形態に係るバランの回路構成を示している。図１に示したように、バラン１は、不平衡ポート１１と、第１の平衡ポート１２と、第２の平衡ポート１３と、ポート１４と、不平衡ポート１１に接続された第１の線路２１と、第１の線路２１に直列に接続された第２の線路２２と、第１の平衡ポート１２に接続された第３の線路２３と、第２の平衡ポート１３に接続された第４の線路２４とを備えている。
【0020】
第１ないし第４の線路２１～２４の各々は、互いに反対側に位置する第１の端部と第２の端部を有している。第１の線路２１の第１の端部は、不平衡ポート１１に接続されている。第２の線路２２の第１の端部は、第１の線路２１の第２の端部に接続されている。第２の線路２２の第２の端部は、開放されている。第１および第２の線路２１，２２は、不平衡伝送線路を構成する。
【0021】
第３の線路２３の第１の端部は、第１の平衡ポート１２に接続されている。第４の線路２４の第１の端部は、第２の平衡ポート１３に接続されている。第３の線路２３の第２の端部と第４の線路２４の第２の端部は、ポート１４に接続されている。ポート１４は、例えばグランドに接続される。
【0022】
第３および第４の線路２３，２４は、それぞれ平衡伝送線路を構成する。第３の線路２３は、第１の線路２１に対して電磁界結合する。第４の線路２４は、第２の線路２２に対して電磁界結合する。
【0023】
バラン１は、いわゆるマーチャントバランである。第１ないし第４の線路２１～２４の各々は、バラン１の使用周波数帯域内の所定の周波数に対応する波長の１／４に相当する長さを有する１／４波長線路である。
【0024】
バラン１は、更に、第１の経路１５と、第２の経路１６と、第１のキャパシタＣ１と、第２のキャパシタＣ２とを備えている。第１の経路１５は、不平衡ポート１１と第１の線路２１とを接続している。第２の経路１６は、第１の平衡ポート１２と第３の線路２３とを接続している。第１のキャパシタＣ１は、第１の経路１５とグランドとの間に設けられている。第２のキャパシタＣ２は、第２の経路１６とグランドとの間に設けられている。
【0025】
ここで、バラン１の作用について説明する。バラン１では、不平衡ポート１１において不平衡信号が入出力され、第１の平衡ポート１２において第１の平衡要素信号が入出力され、第２の平衡ポート１３において第２の平衡要素信号が入出力される。第１の平衡要素信号と第２の平衡要素信号は、平衡信号を構成する。バラン１は、不平衡信号と平衡信号との間の変換を行う。
【0026】
次に、図２ないし図５を参照して、バラン１の構造について説明する。図２および図３は、バラン１の斜視図である。図４は、バラン１の内部を示す斜視図である。図５は、バラン１の内部を示す側面図である。バラン１は、更に、ポート１１～１４、第１ないし第４の線路２１～２４ならびに第１および第２のキャパシタＣ１，Ｃ２を一体化するための積層体３０を備えている。後で詳しく説明するが、積層体３０は、積層された複数の誘電体層と複数の導体層とを含んでいる。
【0027】
積層体３０は、直方体形状をなしている。積層体３０は、積層体３０の外周部を構成する上面３０Ａ、底面３０Ｂおよび４つの側面３０Ｃ～３０Ｆを有している。上面３０Ａと底面３０Ｂは互いに反対側を向き、側面３０Ｃ，３０Ｄも互いに反対側を向き、側面３０Ｅ，３０Ｆも互いに反対側を向いている。側面３０Ｃ～３０Ｆは、上面３０Ａおよび底面３０Ｂに対して垂直になっている。積層体３０において、上面３０Ａおよび底面３０Ｂに垂直な方向が、複数の誘電体層および複数の導体層の積層方向である。図２ないし図５では、この積層方向を、記号Ｔを付した矢印で示している。上面３０Ａと底面３０Ｂは、積層方向Ｔの両端に位置する。図５は、側面３０Ｄ側から見たバラン１を示している。
【0028】
ここで、図２ないし図５に示したように、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を定義する。Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向は、互いに直交する。本実施の形態では、積層方向Ｔに平行な一方向を、Ｚ方向とする。図５では、Ｘ方向を図５における手前から奥に向かう方向として表し、Ｙ方向を左側に向かう方向として表し、Ｚ方向を上側に向かう方向として表している。また、Ｘ方向とは反対の方向を－Ｘ方向とし、Ｙ方向とは反対の方向を－Ｙ方向とし、Ｚ方向とは反対の方向を－Ｚ方向とする。
【0029】
図２および図３に示したように、上面３０Ａは、積層体３０におけるＺ方向の端に位置する。底面３０Ｂは、積層体３０における－Ｚ方向の端に位置する。側面３０Ｃは、積層体３０におけるＸ方向の端に位置する。側面３０Ｄは、積層体３０における－Ｘ方向の端に位置する。側面３０Ｅは、積層体３０におけるＹ方向の端に位置する。側面３０Ｆは、積層体３０における－Ｙ方向の端に位置する。
【0030】
バラン１は、更に、第１ないし第６の端子１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６を備えている。第１ないし第３の端子１１１～１１３の各々は、上面３０Ａから側面３０Ｆを経由して底面３０Ｂにかけて配置されている。また、第１ないし第３の端子１１１～１１３は、Ｘ方向にこの順に並んでいる。第４ないし第６の端子１１４～１１６の各々は、上面３０Ａから側面３０Ｅを経由して底面３０Ｂにかけて配置されている。また、第４ないし第６の端子１１４～１１６は、－Ｘ方向にこの順に並んでいる。
【0031】
第１の端子１１１は、不平衡ポート１１に対応している。第２の端子１１２は、ポート１４に対応している。第３の端子１１３は、第１の平衡ポート１２に対応している。第４の端子１１４は、第２の平衡ポート１３に対応している。第５の端子１１５は、グランドに接続される。
【0032】
次に、図６ないし図１５を参照して、積層体３０について詳しく説明する。積層体３０は、積層された２１層の誘電体層を含んでいる。以下、この２１層の誘電体層を、下から順に１層目ないし２１層目の誘電体層と呼ぶ。また、１層目ないし２１層目の誘電体層を、符号３１～５１で表す。
【0033】
図６において（ａ）は、１層目の誘電体層３１と２層目の誘電体層３２の各々のパターン形成面を示している。誘電体層３１，３２には、導体層およびスルーホールは形成されていない。
【0034】
図６において（ｂ）は、３層目の誘電体層３３のパターン形成面を示している。誘電体層３３のパターン形成面には、導体層３３１が形成されている。導体層３３１は、図２および図３に示した第１の端子１１１に接続される。また、誘電体層３３には、導体層３３１に接続されたスルーホール３３Ｔ１が形成されている。
【0035】
図７において（ａ）は、４層目の誘電体層３４のパターン形成面を示している。誘電体層３４のパターン形成面には、線路用導体層３４１が形成されている。導体層３４１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。３層目の誘電体層３３に形成されたスルーホール３３Ｔ１は、導体層３４１における第１端の近傍部分に接続されている。また、誘電体層３４には、スルーホール３４Ｔ１が形成されている。スルーホール３４Ｔ１は、導体層３４１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0036】
図７において（ｂ）は、５層目の誘電体層３５のパターン形成面を示している。誘電体層３５のパターン形成面には、導体層３５１が形成されている。導体層３５１は、図２および図３に示した第２の端子１１２に接続される。また、誘電体層３５には、スルーホール３５Ｔ１，３５Ｔ２が形成されている。スルーホール３５Ｔ１には、４層目の誘電体層３４に形成されたスルーホール３４Ｔ１が接続されている。スルーホール３５Ｔ２は、導体層３５１に接続されている。
【0037】
図８において（ａ）は、６層目の誘電体層３６のパターン形成面を示している。誘電体層３６のパターン形成面には、線路用導体層３６１が形成されている。導体層３６１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。５層目の誘電体層３５に形成されたスルーホール３５Ｔ２は、導体層３６１に接続されている。導体層３６１とスルーホール３５Ｔ２の接続位置から導体層３６１の第１端までの導体層３６１の長さは、前記接続位置から導体層３６１の第２端までの導体層３６１の長さよりも短い。
【0038】
また、誘電体層３６には、スルーホール３６Ｔ１，３６Ｔ２が形成されている。スルーホール３６Ｔ１には、５層目の誘電体層３５に形成されたスルーホール３５Ｔ１が接続されている。スルーホール３６Ｔ２は、導体層３６１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0039】
図８において（ｂ）は、７層目の誘電体層３７のパターン形成面を示している。誘電体層３７には、スルーホール３７Ｔ１，３７Ｔ２が形成されている。スルーホール３７Ｔ１，３７Ｔ２には、それぞれ、６層目の誘電体層３６に形成されたスルーホール３６Ｔ１，３６Ｔ２が接続されている。
【0040】
図９において（ａ）は、８層目の誘電体層３８のパターン形成面を示している。誘電体層３８のパターン形成面には、線路用導体層３８１が形成されている。導体層３８１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。７層目の誘電体層３７に形成されたスルーホール３７Ｔ１は、導体層３８１における第１端の近傍部分に接続されている。また、誘電体層３８には、スルーホール３８Ｔ１，３８Ｔ２が形成されている。スルーホール３８Ｔ１は、導体層３８１における第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール３８Ｔ２には、誘電体層３７に形成されたスルーホール３７Ｔ２が接続されている。
【0041】
図９において（ｂ）は、９層目の誘電体層３９のパターン形成面を示している。誘電体層３９には、スルーホール３９Ｔ１，３９Ｔ２が形成されている。スルーホール３９Ｔ１，３９Ｔ２には、それぞれ、８層目の誘電体層３８に形成されたスルーホール３８Ｔ１，３８Ｔ２が接続されている。
【0042】
図１０において（ａ）は、１０層目の誘電体層４０のパターン形成面を示している。誘電体層４０のパターン形成面には、線路用導体層４０１が形成されている。導体層４０１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。９層目の誘電体層３９に形成されたスルーホール３９Ｔ２は、導体層４０１における第１端の近傍部分に接続されている。
【0043】
また、誘電体層４０には、スルーホール４０Ｔ１，４０Ｔ３が形成されている。スルーホール４０Ｔ１には、９層目の誘電体層３９に形成されたスルーホール３９Ｔ１が接続されている。スルーホール４０Ｔ３は、導体層４０１に接続されている。導体層４０１とスルーホール４０Ｔ３の接続位置から導体層４０１の第２端までの導体層４０１の長さは、前記接続位置から導体層４０１の第１端までの導体層４０１の長さよりも短い。
【0044】
図１０において（ｂ）は、１１層目の誘電体層４１のパターン形成面を示している。誘電体層４１のパターン形成面には、導体層４１１，４１２が形成されている。導体層４１１には、１０層目の誘電体層４０に形成されたスルーホール４０Ｔ３が接続されている。また、導体層４１１は、図２および図３に示した第３の端子１１３に接続される。導体層４１２は、図２および図３に示した第４の端子１１４に接続される。
【0045】
また、誘電体層４１には、スルーホール４１Ｔ１，４１Ｔ４が形成されている。スルーホール４１Ｔ１には、１０層目の誘電体層４０に形成されたスルーホール４０Ｔ１が接続されている。スルーホール４１Ｔ４は、導体層４１２に接続されている。
【0046】
図１１において（ａ）は、１２層目の誘電体層４２のパターン形成面を示している。誘電体層４２のパターン形成面には、線路用導体層４２１が形成されている。導体層４２１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。１１層目の誘電体層４１に形成されたスルーホール４１Ｔ４は、導体層４２１における第１端の近傍部分に接続されている。また、誘電体層４２には、スルーホール４２Ｔ１，４２Ｔ４が形成されている。スルーホール４２Ｔ１には、誘電体層４１に形成されたスルーホール４１Ｔ１が接続されている。スルーホール４２Ｔ４は、導体層４２１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0047】
図１１において（ｂ）は、１３層目の誘電体層４３のパターン形成面を示している。誘電体層４３のパターン形成面には、線路用導体層４３１が形成されている。導体層４３１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。１２層目の誘電体層４２に形成されたスルーホール４２Ｔ１は、導体層４３１における第１端の近傍に接続されている。また、誘電体層４３には、スルーホール４３Ｔ１，４３Ｔ４が形成されている。スルーホール４３Ｔ１は、導体層４３１における第２端の近傍部分に接続されている。スルーホール４３Ｔ４には、誘電体層４２に形成されたスルーホール４２Ｔ４が接続されている。
【0048】
図１２において（ａ）は、１４層目の誘電体層４４のパターン形成面を示している。誘電体層４４のパターン形成面には、導体層４４１が形成されている。導体層４４１は、図２および図３に示した第２の端子１１２に接続される。また、誘電体層４４には、スルーホール４４Ｔ１，４４Ｔ２，４４Ｔ４が形成されている。スルーホール４４Ｔ１，４４Ｔ４には、それぞれ、１３層目の誘電体層４３に形成されたスルーホール４３Ｔ１，４３Ｔ４が接続されている。スルーホール４４Ｔ２は、導体層４４１に接続されている。
【0049】
図１２において（ｂ）は、１５層目の誘電体層４５のパターン形成面を示している。誘電体層４５のパターン形成面には、線路用導体層４５１が形成されている。導体層４５１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。１４層目の誘電体層４４に形成されたスルーホール４４Ｔ２，４４Ｔ４は、導体層４５１に接続されている。導体層４５１とスルーホール４４Ｔ２の接続位置から導体層４５１の第１端までの導体層４５１の長さは、前記接続位置から導体層４５１の第２端までの導体層４５１の長さよりも短い。スルーホール４４Ｔ４は、導体層４５１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0050】
また、誘電体層４５には、スルーホール４５Ｔ１が形成されている。スルーホール４５Ｔ１には、１４層目の誘電体層４４に形成されたスルーホール４４Ｔ１が接続されている。
【0051】
図１３において（ａ）は、１６層目の誘電体層４６のパターン形成面を示している。誘電体層４６のパターン形成面には、線路用導体層４６１が形成されている。導体層４６１は、互いに反対側に位置する第１端と第２端を有している。１５層目の誘電体層４５に形成されたスルーホール４５Ｔ１は、導体層４６１における第１端の近傍部分に接続されている。
【0052】
図１３において（ｂ）は、１７層目の誘電体層４７と１８層目の誘電体層４８の各々のパターン形成面を示している。誘電体層４７，４８には、導体層およびスルーホールは形成されていない。
【0053】
図１４において（ａ）は、１９層目の誘電体層４９のパターン形成面を示している。誘電体層４９のパターン形成面には、第１のキャパシタ用導体層４９１と第２のキャパシタ用導体層４９２が形成されている。導体層４９１は、図２および図３に示した第１の端子１１１に接続される。導体層４９２は、図２および図３に示した第３の端子１１３に接続される。
【0054】
図１４において（ｂ）は、２０層目の誘電体層５０のパターン形成面を示している。誘電体層５０のパターン形成面には、グランド用導体層５０１が形成されている。導体層５０１は、図２および図３に示した第５の端子１１５に接続される。
【0055】
図１５は、２１層目の誘電体層５１のパターン形成面を示している。誘電体層５１のパターン形成面には、マーク５１１が形成されている。
【0056】
図２および図３に示した積層体３０は、１層目の誘電体層３１のパターン形成面が積層体３０の底面３０Ｂになり、２１層目の誘電体層５１におけるパターン形成面とは反対側の面が積層体３０の上面３０Ａになるように、１層目ないし２１層目の誘電体層３１～５１が積層されて構成される。そして、この積層体３０の外周部に対して第１ないし第６の端子１１１～１１６が形成されて、図２および図３に示したバラン１が完成する。
【0057】
【0058】
以下、バラン１の構成要素と、図６ないし図１５に示した積層体３０の内部の構成要素との対応関係について説明する。積層体３０を構成する複数の導体層は、複数の線路用導体層３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１と、グランドに接続される少なくとも１つのグランド用導体層とを含んでいる。本実施の形態では特に、少なくとも１つのグランド用導体層は、１つのグランド用導体層５０１である。
【0059】
複数の線路用導体層３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１は、第１および第３の線路２１，２３を構成する複数の第１の導体層と、第２および第４の線路２２，２４を構成する複数の第２の導体層とを含んでいる。本実施の形態では、導体層３４１，３６１，３８１，４０１が第１の導体層に対応し、導体層４２１，４３１，４５１，４６１が第２の導体層に対応する。以下、導体層３４１，３６１，３８１，４０１を第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１とも記し、導体層４２１，４３１，４５１，４６１を第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１とも記す。
【0060】
第１の線路２１は、第１の導体層３４１，３８１によって構成されている。導体層３４１における第１端の近傍部分は、導体層３３１およびスルーホール３３Ｔ１を介して第１の端子１１１に接続されている。導体層３８１における第１端の近傍部分は、スルーホール３４Ｔ１，３５Ｔ１，３６Ｔ１，３７Ｔ１を介して導体層３４１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0061】
第２の線路２２は、第２の導体層４３１，４６１によって構成されている。導体層４３１における第１端の近傍部分は、スルーホール３８Ｔ１，３９Ｔ１，４０Ｔ１，４１Ｔ１，４２Ｔ１を介して、第１の線路２１を構成する導体層３８１における第２端の近傍部分に接続されている。導体層４６１における第１端の近傍部分は、スルーホール４３Ｔ１，４４Ｔ１，４５Ｔ１を介して、導体層４３１における第２端の近傍部分に接続されている。
【0062】
第３の線路２３は、第１の導体層３６１，４０１によって構成されている。導体層４０１は、スルーホール４０Ｔ３および導体層４１１を介して、第３の端子１１３に接続されている。導体層３６１における第２端の近傍部分は、スルーホール３６Ｔ２，３７Ｔ２，３８Ｔ２，３９Ｔ２を介して、導体層４０１における第１端の近傍部分に接続されている。また、導体層３６１は、導体層３５１およびスルーホール３５Ｔ２を介して、第２の端子１１２に接続されている。
【0063】
第４の線路２４は、第２の導体層４２１，４５１によって構成されている。導体層４２１における第１端の近傍部分は、導体層４１２およびスルーホール４１Ｔ４を介して第４の端子１１４に接続されている。導体層４５１における第２端の近傍部分は、スルーホール４２Ｔ４，４３Ｔ４，４４Ｔ４を介して、導体層４２１における第２端の近傍部分に接続されている。また、導体層４５１は、導体層４４１およびスルーホール４４Ｔ２を介して、第２の端子１１２に接続されている。
【0064】
第１のキャパシタＣ１は、第１のキャパシタ用導体層４９１と、グランド用導体層５０１と、導体層４９１，５０１の間の誘電体層４９とによって構成されている。導体層４９１は、第１の端子１１１に接続されている。
【0065】
第２のキャパシタＣ２は、第２のキャパシタ用導体層４９２と、グランド用導体層５０１と、導体層４９２，５０１の間の誘電体層４９とによって構成されている。導体層４９２は、第３の端子１１３に接続されている。
【0066】
次に、図５を参照して、バラン１の構造上の特徴について説明する。第１および第３の線路２１，２３を構成する第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１は、積層体３０内の第１の領域Ｒ１に配置されている。第２および第４の線路２２，２４を構成する第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１は、積層体３０内の第２の領域Ｒ２に配置されている。図５には、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２を示している。図５に示したように、第２の領域Ｒ２は、積層方向Ｔにおいて第１の領域Ｒ１とは異なる位置にある。本実施の形態では特に、第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１よりも積層体３０の上面３０Ａにより近い位置にある。
【0067】
グランド用導体層５０１は、積層方向Ｔにおいて第１および第２の領域Ｒ１，Ｒ２とは異なる位置であって、第１の領域Ｒ１よりも第２の領域Ｒ２により近い位置に配置されている。より詳しく説明すると、グランド用導体層５０１は、第１の領域Ｒ１に配置された複数の第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１よりも、第２の領域Ｒ２に配置された複数の第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１により近い位置に配置されている。複数の第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１のうち、グランド用導体層５０１に最も近い導体層は、導体層４０１である。複数の第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１のうち、グランド用導体層５０１に最も近い導体層は、導体層４６１である。グランド用導体層５０１と導体層４６１の間隔は、グランド用導体層５０１と導体層４０１の間隔よりも小さい。
【0068】
本実施の形態では特に、グランド用導体層５０１は、第２の領域Ｒ２と積層体３０の上面３０Ａとの間に配置されている。グランド用導体層５０１は、シールドとして機能する。
【0069】
複数の線路用導体層３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１は、各々が積層方向Ｔに隣接し且つ互いに電磁界結合する２つの導体層からなる複数の導体層対を含んでいる。本実施の形態では、導体層３４１，３６１の対、導体層３８１，４０１の対、導体層４２１，４３１の対および導体層４５１，４６１の対が、上記導体層対に対応する。
【0070】
複数の第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１は、上記の複数の導体層対のうち、２つの導体層の間隔が最小となる少なくとも１つの導体層対を含んでいる。また、複数の第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１は、上記の複数の導体層対のうち、２つの導体層の間隔が最大となる少なくとも１つの導体層対を含んでいる。
【0071】
本実施の形態では、導体層３４１，３６１の間隔と、導体層３８１，４０１の間隔は、互いに等しい。また、導体層４２１，４３１の間隔と、導体層４５１，４６１の間隔は、互いに等しい。なお、導体層３４１，３６１の間隔は、バラン１の作製の精度等の関係から、導体層３８１，４０１の間隔とはわずかに異なっていてもよい。同様に、導体層４２１，４３１の間隔は、導体層４５１，４６１の間隔とはわずかに異なっていてもよい。
【0072】
ここで、導体層３４１，３６１の間隔と導体層３８１，４０１の間隔を記号Ｄ１で表し、導体層４２１，４３１の間隔と導体層４５１，４６１の間隔を記号Ｄ２で表す。間隔Ｄ２は、間隔Ｄ１よりも小さい。導体層４２１，４３１の対と導体層４５１，４６１の対は、前述の２つの導体層の間隔が最小となる少なくとも１つの導体層対に対応する。また、導体層３４１，３６１の対と導体層３８１，４０１の対は、前述の２つの導体層の間隔が最大となる少なくとも１つの導体層対に対応する。
【0073】
以上説明したように、本実施の形態に係るバラン１では、複数の線路用導体層３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１と、グランド用導体層５０１は、上記のバラン１の構造上の特徴を満足するように配置されている。これにより、本実施の形態によれば、バラン１を、広い周波数帯域において使用することが可能になる。この効果については、後で、シミュレーションの結果を参照して詳しく説明する。
【0074】
次に、図１６ないし図１９を参照して、本実施の形態に係るバラン１の特性の一例について説明する。ここでは、第１および第２の平衡ポート１２，１３に接続される平衡線路のインピーダンスが５０Ωになり、バラン１の使用周波数帯域が２．２ＧＨｚ～３．９ＧＨｚの周波数帯域を含むように設計したときの、バラン１の特性の一例を示す。
【0075】
図１６は、バラン１の反射特性の一例を示している。ここでは、バラン１の反射特性を、不平衡ポート１１に不平衡信号を入力したときに不平衡ポート１１から出力される信号の応答を表すシングルエンデッドＳパラメータを用いて表す。以下、このＳパラメータを反射損失と言う。図１６において、横軸は周波数を示し、縦軸は反射損失を示している。反射損失を－ｒ（ｄＢ）と表すと、ｒの値は、１０以上の値であることが好ましい。図１６に示したように、バラン１では、前述の周波数帯域において、ｒの値は、１０以上の値となっている。
【0076】
図１７は、バラン１の通過特性の一例を示している。ここでは、バラン１の通過特性を、不平衡ポート１１に不平衡信号を入力したときに第１および第２の平衡ポート１２，１３から出力される第１および第２の平衡要素信号の差信号の応答を表すミックスト・モードＳパラメータを用いて表す。以下、このＳパラメータを挿入損失と言う。図１７において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。挿入損失を－ｉ（ｄＢ）と表すと、ｉの値は、１．５以下の値であることが好ましく、１．０以下の値であることがより好ましい。図１７に示したように、バラン１では、前述の周波数帯域において、ｉの値は、１．０以下の値となっている。
【0077】
図１８は、バラン１の振幅バランス特性の一例を示している。ここでは、バラン１の振幅バランス特性を、不平衡ポート１１に不平衡信号を入力したときに第１および第２の平衡ポート１２，１３から出力される第１および第２の平衡要素信号の振幅の差（以下、振幅差と言う。）を用いて表す。振幅差は、第１の平衡要素信号の振幅が第２の平衡要素信号の振幅よりも大きい場合には正の値で表し、第１の平衡要素信号の振幅が第２の平衡要素信号の振幅よりも小さい場合には負の値で表す。図１８において、横軸は周波数を示し、縦軸は振幅差を示している。振幅差をｍ（ｄＢ）と表すと、ｍの値は、－１．５以上１．５以下であることが好ましく、－１．０以上１．０以下であることがより好ましい。図１８に示したように、バラン１では、前述の周波数帯域において、ｍの値は、－１．０以上１．０以下の値となっている。
【0078】
図１９は、バラン１の位相バランス特性の一例を示している。ここでは、バラン１の位相バランス特性を、不平衡ポート１１に不平衡信号を入力したときに第１および第２の平衡ポート１２，１３から出力される第１および第２の平衡要素信号の位相の差（以下、位相差と言う。）を用いて表す。位相差は、第２の平衡要素信号の位相に対して第１の平衡要素信号の位相が進んでいる大きさを表している。図１９において、横軸は周波数を示し、縦軸は位相差を示している。位相差をｐ（ｄｅｇ）と表すと、ｐの値は、１７０以上１９０以下であることが好ましい。図１９に示したように、バラン１では、前述の周波数帯域において、ｐの値は、１７０以上１９０以下の値となっている。
【0079】
【0080】
次に、バラン１の構造上の特徴とバラン１の特性との関係について調べたシミュレーションの結果について説明する。シミュレーションでは、グランド用導体層５０１の位置と対応関係を有するパラメータとして、偶インピーダンスＺｅを用いた。また、シミュレーションでは、導体層対を構成する２つの導体層の間隔と対応関係を有するパラメータとして、奇インピーダンスＺｏを用いた。
【0081】
ここで、互いに平行な２つの線路を考える。２つの線路間の静電容量をＣ１２とし、２つの線路の各々とグランドとの間の１ｍ当たりの静電容量をＣ１１とする。偶インピーダンスＺｅは、下記の式（１）で表される。式（１）において、ｖ０は光速を表し、εｒは比誘電率を表す。
【0082】
Ｚｅ＝√（εｒ）／（ｖ０＊Ｃ１１） …（１）
【0083】
また、奇インピーダンスＺｏは、下記の式（２）で表される。
【0084】
Ｚｏ＝√（εｒ）／（ｖ０＊（Ｃ１１＋２Ｃ１２）） …（２）
【0085】
ところで、バランでは、Ｃ１２は、Ｃ１１よりも十分に大きくなる。Ｃ１２がＣ１１よりも十分に大きい場合には、奇インピーダンスＺｏを、下記の近似式（３）で表すことができる。
【0086】
Ｚｏ≒√（εｒ）／（ｖ０＊（２Ｃ１２）） …（３）
【0087】
２つの線路とグランドとの間隔が大きくなるほど、静電容量Ｃ１１は小さくなる。従って、式（１）から、２つの線路とグランドとの間隔が大きくなるほど、偶インピーダンスＺｅは大きくなる。このように、偶インピーダンスＺｅは、２つの線路とグランドとの間隔と対応関係を有している。
【0088】
また、２つの線路の間隔が大きくなるほど、静電容量Ｃ１２は小さくなる。従って、式（３）から、２つの線路の間隔が大きくなるほど、奇インピーダンスＺｏは大きくなる。このように、奇インピーダンスＺｏは、２つの線路の間隔と対応関係を有している。
【0089】
シミュレーションでは、本実施の形態に係るバラン１のモデルであって、第１および第３の線路２１，２３の組と第２および第４の線路２２，２４の組の各々の偶インピーダンスＺｅと奇インピーダンスＺｏを変化させた第１ないし第４のモデルを作成した。そして、第１ないし第４のモデルの各々について、反射特性、通過特性、振幅バランス特性および位相バランス特性を求めた。なお、第１ないし第４のモデルでは、第１および第２の平衡ポート１２，１３に接続される平衡線路のインピーダンスが５０Ωになるように設計した。
【0090】
ここで、第１および第３の線路２１，２３の組の偶インピーダンスＺｅと奇インピーダンスＺｏをそれぞれ記号Ｚｅ１，Ｚｏ１で表し、第２および第４の線路２２，２４の組の偶インピーダンスＺｅと奇インピーダンスＺｏをそれぞれ記号Ｚｅ２，Ｚｏ２で表す。第１のモデルでは、Ｚｅ１を４００Ωとし、Ｚｅ２を２００Ωとし、Ｚｏ１を２４Ωとし、Ｚｏ２を１０Ωとした。第２のモデルでは、Ｚｅ１を２００Ωとし、Ｚｅ２を４００Ωとし、Ｚｏ１を２４Ωとし、Ｚｏ２を１０Ωとした。第３のモデルでは、Ｚｅ１を４００Ωとし、Ｚｅ２を２００Ωとし、Ｚｏ１を１０Ωとし、Ｚｏ２を２４Ωとした。第４のモデルでは、Ｚｅ１を２００Ωとし、Ｚｅ２を４００Ωとし、Ｚｏ１を１０Ωとし、Ｚｏ２を２４Ωとした。
【0091】
図２０は、第１ないし第４のモデルの反射特性を示している。図２０では、図１６と同様に、第１ないし第４のモデルの反射特性を、反射損失を用いて表している。図２０において、横軸は周波数を示し、縦軸は反射損失を示している。また、図２０において、符号６１は第１のモデルの反射損失を表し、符号６２は第２のモデルの反射損失を表し、符号６３は第３のモデルの反射損失を表し、符号６４は第４のモデルの反射損失を表している。図２０に示したように、反射損失を－ｒ（ｄＢ）と表すと、例えば２．２ＧＨｚ～３．９ＧＨｚの広い周波数帯域において、ｒの値は、第１および第２のモデルで大きくなり、第３および第４のモデルで小さくなる。ｒの値を大きくする観点から、第３および第４のモデルよりも第１および第２のモデルの方が好ましい。
【0092】
図２１は、第１ないし第４のモデルの通過特性を示している。図２１では、図１７と同様に、第１ないし第４のモデルの通過特性を、挿入損失を用いて表している。図２１において、横軸は周波数を示し、縦軸は挿入損失を示している。また、図２１において、符号７１は第１のモデルの挿入損失を表し、符号７２は第２のモデルの挿入損失を表し、符号７３は第３のモデルの挿入損失を表し、符号７４は第４のモデルの挿入損失を表している。図２１に示したように、挿入損失を－ｉ（ｄＢ）と表すと、例えば２．２ＧＨｚ～３．９ＧＨｚの広い周波数帯域において、ｉの値は、第１および第２のモデルで小さくなり、第３および第４のモデルで大きくなる。ｉの値を小さくする観点から、第３および第４のモデルよりも第１および第２のモデルの方が好ましい。
【0093】
図２２は、第１ないし第４のモデルの振幅バランス特性を示している。図２２では、図１８と同様に、第１ないし第４のモデルの振幅バランス特性を、振幅差を用いて表している。また、図２２において、符号８１は第１のモデルの振幅差を表し、符号８２は第２のモデルの振幅差を表し、符号８３は第３のモデルの振幅差を表し、符号８４は第４のモデルの振幅差を表している。振幅差をｍ（ｄＢ）と表すと、例えば２．２ＧＨｚ～３．９ＧＨｚの広い周波数帯域において、ｍの絶対値は、第１および第４のモデルで小さくなり、第２および第３のモデルで大きくなる。ｍの絶対値を小さくする観点から、第２および第３のモデルよりも第１および第４のモデルの方が好ましい。
【0094】
図２３は、第１ないし第４のモデルのバラン１の位相バランス特性を示している。図２３では、図１９と同様に、第１ないし第４のモデルのバラン１の位相バランス特性を、位相差を用いて表している。また、図２３において、符号９１は第１のモデルの位相差を表し、符号９２は第２のモデルの位相差を表し、符号９３は第３のモデルの位相差を表し、符号９４は第４のモデルの位相差を表している。位相差をｐ（ｄｅｇ）と表すと、第１ないし第４のモデルで、ｐの絶対値にほとんど差は生じなかった。
【0095】
図２０ないし図２４から、第１のモデルが、広い周波数帯域において最良の特性を有していることが分かる。第１のモデルでは、Ｚｅ１はＺｅ２よりも大きい。これは、グランド用導体層５０１と第１および第３の線路２１，２３の組との間隔が、グランド用導体層５０１と第２および第４の線路２２，２４の組との間隔よりも大きいことを意味する。また、第１のモデルでは、Ｚｏ１はＺｏ２よりも大きい。これは、第１の線路２１と第３の線路２３の間隔が、第２の線路２２と第４の線路２４の間隔よりも大きいことを意味する。
【0096】
本実施の形態では、前述のバラン１の構造上の特徴で規定されているように、第１および第３の線路２１，２３を構成する第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１は、積層体３０内の第１の領域Ｒ１に配置され、第２および第４の線路２２，２４を構成する第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１は、積層体３０内の第２の領域Ｒ２に配置され、グランド用導体層５０１は、積層方向Ｔにおいて第１および第２の領域Ｒ１，Ｒ２とは異なる位置であって、第１の領域Ｒ１よりも第２の領域Ｒ２により近い位置に配置されている。これにより、本実施の形態によれば、グランド用導体層５０１と第１および第３の線路２１，２３の組との間隔を、グランド用導体層５０１と第２および第４の線路２２，２４の組との間隔よりも大きくすることができる。
【0097】
また、本実施の形態では、前述のバラン１の構造上の特徴で規定されているように、導体層４２１，４３１の間隔と導体層４５１，４６１の間隔すなわち間隔Ｄ２は、導体層３４１，３６１の間隔と導体層３８１，４０１の間隔すなわち間隔Ｄ１よりも小さい。言い換えると、間隔Ｄ１は、間隔Ｄ２よりも大きい。これにより、本実施の形態によれば、第１の線路２１と第３の線路２３の間隔を、第２の線路２２と第４の線路２４の間隔よりも大きくすることができる。
【0098】
以上のことから、本実施の形態によれば、複数の線路用導体層３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１とグランド用導体層５０１を、前述のバラン１の構造上の特徴を満足するように配置することにより、バラン１を広い周波数帯域において使用することが可能になる。
【0099】
次に、本実施の形態におけるその他の効果について説明する。本実施の形態では、不平衡ポート１１と第１の線路２１とを接続する第１の経路１５とグランドとの間に、第１のキャパシタＣ１が設けられている。また、本実施の形態では、第１の平衡ポート１２と第３の線路２３とを接続する第２の経路１６とグランドとの間に、第２のキャパシタＣ２が設けられている。本実施の形態によれば、第１および第２のキャパシタＣ１，Ｃ２によって、インピーダンス整合を行うことができる。
【0100】
［第１ないし第３の変形例］
次に、本実施の形態に係るバラン１の第１ないし第３の変形例について説明する。始めに、図２４を参照して、第１の変形例について説明する。図２４は、バラン１の第１の変形例の側面図である。図２４に示したように、第１の変形例では、バラン１の積層体３０を構成する複数の導体層は、図４、図５および図１４に示したグランド用導体層５０１の代わりに、グランド用導体層５０２を含んでいる。
次に、本実施の形態に係るバラン１の第１ないし第３の変形例について説明する。始めに、図２４を参照して、第１の変形例について説明する。図２４は、バラン１の第１の変形例の側面図である。図２４に示したように、第１の変形例では、バラン１の積層体３０を構成する複数の導体層は、図４、図５および図１４に示したグランド用導体層５０１の代わりに、グランド用導体層５０２を含んでいる。
【0101】
グランド用導体層５０２は、積層方向Ｔにおいて第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間に配置されている。第１の領域Ｒ１に配置された複数の第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１のうち、グランド用導体層５０２に最も近い導体層は、導体層４０１である。第２の領域Ｒ２に配置された複数の第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１のうち、グランド用導体層５０２に最も近い導体層は、導体層４２１である。グランド用導体層５０２と導体層４２１の間隔は、グランド用導体層５０２と導体層４０１の間隔よりも小さい。グランド用導体層５０２は、第１および第３の線路２１，２３の組と、第２および第４の線路２２，２４の組との間の、不要な電磁界結合を防止する機能を有している。
【0102】
次に、図２５を参照して、第２の変形例について説明する。図２５は、バラン１の第２の変形例の側面図である。図２５に示したように、第２の変形例では、バラン１の積層体３０を構成する複数の導体層は、図４、図５および図１４に示したグランド用導体層５０１に加えて、グランド用導体層５０３を含んでいる。
【0103】
グランド用導体層５０３は、第１の領域Ｒ１と積層体３０の底面３０Ｂとの間に配置されている。複数の第１の導体層３４１，３６１，３８１，４０１のうち、グランド用導体層５０３に最も近い導体層は、導体層３４１である。複数の第２の導体層４２１，４３１，４５１，４６１のうち、グランド用導体層５０１に最も近い導体層は、導体層４６１である。グランド用導体層５０３と導体層３４１の間隔は、グランド用導体層５０１と導体層４６１の間隔よりも大きい。
【0104】
次に、図２６を参照して、第３の変形例について説明する。図２６は、バラン１の第３の変形例の側面図である。図２６に示したように、第３の変形例では、バラン１の積層体３０を構成する複数の導体層は、図４、図５および図１４に示したグランド用導体層５０１に加えて、第１の変形例におけるグランド用導体層５０２と、第２の変形例におけるグランド用導体層５０３とを含んでいる。
【0105】
グランド用導体層５０２と線路用導体層３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１との位置関係は、第１の変形例と同じである。グランド用導体層５０１，５０３と線路用導体層３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１との位置関係は、第２の変形例と同じである。
【0106】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明において、第１ないし第４の線路２１～２４のうちの少なくとも１つは、積層体３０を構成する複数の導体層のうちの１つの導体層のみによって構成されていてもよいし、３つ以上の導体層によって構成されていてもよい。
【0107】
また、第１ないし第４の線路２１～２４の各々が複数の導体層によって構成されている場合、第１および第３の線路２１，２３を構成する複数の導体層対の各々を構成する２つの導体層の間隔は、互いに異なっていてもよく、第２および第４の線路２２，２４を構成する複数の導体層対の各々を構成する２つの導体層の間隔は、互いに異なっていてもよい。
【0108】
また、本発明のバランは、バラン以外の他の回路と一体化されて、１つの積層型電子部品を構成してもよい。他の回路としては、例えば、分波回路、フィルタ、整合回路等がある。
【符号の説明】
【0109】
１…バラン、１１…不平衡ポート、１２…第１の平衡ポート、１３…第２の平衡ポート、１４…ポート、１５…第１の経路、１６…第２の経路、２１…第１の線路、２２…第２の線路、２３…第３の線路、２４…第４の線路、３０…積層体、１１１…第１の端子、１１２…第２の端子、１１３…第３の端子、１１４…第４の端子、１１５…第５の端子、１１６…第６の端子、３４１，３６１，３８１，４０１，４２１，４３１，４５１，４６１…線路用導体層、５０１…グランド用導体層、Ｃ１…第１のキャパシタ、Ｃ２…第２のキャパシタ、Ｒ１…第１の領域、Ｒ２…第２の領域。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】