特許 7437278 光モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-02-14

(45)【発行日】2024-02-22

(54)【発明の名称】光モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/042 20060101AFI20240215BHJP

   H01S 5/026 20060101ALI20240215BHJP

   H01S 5/02208 20210101ALI20240215BHJP

   H01S 5/02325 20210101ALI20240215BHJP

【ＦＩ】

H01S5/042 630

H01S5/026 616

H01S5/02208

H01S5/02325

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2020160832

(22)【出願日】2020-09-25

(65)【公開番号】P2022053932

(43)【公開日】2022-04-06

【審査請求日】2023-06-14

(73)【特許権者】

【識別番号】519283819

【氏名又は名称】ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】野口 大輔

(72)【発明者】

【氏名】山本 寛

【審査官】右田 昌士

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０３６００８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０９８８３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１６２９６２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１２７１６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１３４０５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２８６４５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２３８８５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１５６０３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－０３６５８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１４９９９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１９／０８７５２４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２００４／０２６４５３５（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／００ － ５／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体レーザ及び光変調器が集積されており、前記半導体レーザのアノード電極、前記光変調器のアノード電極、並びに前記半導体レーザ及び前記光変調器に共通のカソード電極を有する光半導体素子と、
下電極及び上電極を有して前記半導体レーザに並列接続されたバイパスコンデンサと、
上面及び下面を有し、前記光半導体素子及び前記バイパスコンデンサが前記上面に表面実装され、前記カソード電極及び前記下電極が接合される導体パターンを前記上面に有する誘電体基板と、
前記誘電体基板の前記下面を支持する導体ブロックと、
を有し、
前記バイパスコンデンサの前記下電極は、前記誘電体基板の前記上面に重なるオーバーラップ領域と、前記誘電体基板の前記上面から突出するオーバーハング領域と、を含むことを特徴とする光モジュール。

【請求項2】

請求項１に記載された光モジュールであって、
前記導体パターンは、前記カソード電極に接合されるボンディング部と、前記ボンディング部から前記バイパスコンデンサへの方向に延びて少なくとも部分的に前記下電極に重なる延長部と、を含み、
前記延長部の、前記下電極の外側にある部分は、前記下電極の前記オーバーハング領域よりも面積において小さいことを特徴とする光モジュール。

【請求項3】

請求項２に記載された光モジュールであって、
前記延長部は、前記オーバーラップ領域に接合されるパッドと、前記ボンディング部と前記パッドを接続するラインと、を含むことを特徴とする光モジュール。

【請求項4】

請求項２又は３に記載された光モジュールであって、
前記下電極の前記オーバーラップ領域と前記導体パターンの前記延長部との間に介在して、前記オーバーラップ領域と前記延長部を電気的に接続するスペーサをさらに有することを特徴とする光モジュール。

【請求項5】

半導体レーザ及び光変調器が集積されており、前記半導体レーザのアノード電極、前記光変調器のアノード電極、並びに前記半導体レーザ及び前記光変調器に共通のカソード電極を有する光半導体素子と、
下電極及び上電極を有して前記半導体レーザに並列接続されたバイパスコンデンサと、
上面及び下面を有し、前記光半導体素子及び前記バイパスコンデンサが前記上面に表面実装され、前記カソード電極及び前記下電極が接合される導体パターンを前記上面に有する誘電体基板と、
前記バイパスコンデンサと前記導体パターンとの間に介在して、前記バイパスコンデンサと前記導体パターンを電気的に接続するスペーサと、
前記誘電体基板の前記下面を支持する導体ブロックと、
を有し、
前記導体パターンは、前記カソード電極に接合されるボンディング部と、前記下電極に接合されるパッドと、を含み、
前記下電極は、前記パッドよりも面積において大きいことを特徴とする光モジュール。

【請求項6】

請求項４又は５に記載された光モジュールであって、
前記スペーサは、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する導電体と、を含むことを特徴とする光モジュール。

【請求項7】

請求項４又は５に記載された光モジュールであって
前記スペーサは、側面に凹部を有する絶縁基板と、前記凹部にあるキャスタレーション電極と、を含むことを特徴とする光モジュール。

【請求項8】

請求項７に記載された光モジュールであって、
前記キャスタレーション電極は、金錫はんだによって、前記導体パターンに接合されていることを特徴とする光モジュール。

【請求項9】

請求項１から４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記誘電体基板の前記下面の全体が、前記導体ブロックに対向して固定されていることを特徴とする光モジュール。

【請求項10】

請求項１から４のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記誘電体基板の第１部分が、前記導体ブロックに固定され、
前記誘電体基板の第２部分が、前記導体ブロックからオーバーハングしていることを特徴とする光モジュール。

【請求項11】

請求項１０に記載された光モジュールであって、
前記誘電体基板の前記第１部分及び前記第２部分は、１つの方向にのみ隣り合うことを特徴とする光モジュール。

【請求項12】

請求項１０に記載された光モジュールであって、
前記誘電体基板の前記第１部分及び前記第２部分は、交差する少なくとも２方向に隣り合うことを特徴とする光モジュール。

【請求項13】

請求項１０から１２のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記導体ブロックは、上面に第１領域及び第２領域を有し、前記第２領域は前記第１領域よりも低くなっており、
前記誘電体基板の前記第１部分は、前記第１領域に固定され、
前記誘電体基板の前記第２部分は、前記第２領域に間隔をあけて対向することを特徴とする光モジュール。

【請求項14】

請求項１３に記載された光モジュールであって、
前記下電極の前記オーバーハング領域は、前記第１領域に対向せず、前記第２領域に間隔をあけて対向することを特徴とする光モジュール。

【請求項15】

請求項１０から１２のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記誘電体基板の前記第２部分は、前記導体ブロックに対向しないことを特徴とする光モジュール。

【請求項16】

請求項１５に記載された光モジュールであって、
前記下電極の前記オーバーハング領域は、前記導体ブロックに対向しないことを特徴とする光モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

光モジュールには、高速化のみならず低消費電力化が要求されている。５０Ｇｂｉｔ／ｓ級の高速動作には、電界吸収型変調器集積レーザ（ＥＭＬ）が適している。ＥＭＬは、レーザーダイオード（ＬＤ）と電界吸収型（ＥＡ）変調器が集積された光半導体素子であり、ＬＤ及びＥＡ変調器はカソード電極を共有している（特許文献１）。低消費電力化のためにＥＭＬを差動信号で駆動すると、変調電気信号がカソード電極からＬＤに流入するので、波形品質が劣化する。これを防止するため、ＬＤのアノードとカソードの間にはバイパスコンデンサが接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－１３４０５６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

表面実装を適用してバイパスコンデンサを基板に実装するには、配線パターンの面積を広くしなければならないので、特性インピーダンスが低下して波形品質が低下する。

【0005】

本発明は、特性インピーダンスの低下を抑えることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１）本発明に係る光モジュールは、半導体レーザ及び光変調器が集積されており、前記半導体レーザのアノード電極、前記光変調器のアノード電極、並びに前記半導体レーザ及び前記光変調器に共通のカソード電極を有する光半導体素子と、下電極及び上電極を有して前記半導体レーザに並列接続されたバイパスコンデンサと、上面及び下面を有し、前記光半導体素子及び前記バイパスコンデンサが前記上面に表面実装され、前記カソード電極及び前記下電極が接合される導体パターンを前記上面に有する誘電体基板と、前記誘電体基板の前記下面を支持する導体ブロックと、を有し、前記バイパスコンデンサの前記下電極は、前記誘電体基板の前記上面に重なるオーバーラップ領域と、前記誘電体基板の前記上面から突出するオーバーハング領域と、を含むことを特徴とする。

【0007】

本発明によれば、バイパスコンデンサの下電極のオーバーハング領域と、導体ブロックの間に、誘電体基板が介在しない。そのため、寄生容量が小さくなり、特性インピーダンスの低下を抑えることができる。

【0008】

（２）（１）に記載された光モジュールであって、前記導体パターンは、前記カソード電極に接合されるボンディング部と、前記ボンディング部から前記バイパスコンデンサへの方向に延びて少なくとも部分的に前記下電極に重なる延長部と、を含み、前記延長部の、前記下電極の外側にある部分は、前記下電極の前記オーバーハング領域よりも面積において小さいことを特徴としてもよい。

【0009】

（３）（２）に記載された光モジュールであって、前記延長部は、前記オーバーラップ領域に接合されるパッドと、前記ボンディング部と前記パッドを接続するラインと、を含むことを特徴としてもよい。

【0010】

（４）（２）又は（３）に記載された光モジュールであって、前記下電極の前記オーバーラップ領域と前記導体パターンの前記延長部との間に介在して、前記オーバーラップ領域と前記延長部を電気的に接続するスペーサをさらに有することを特徴としてもよい。

【0011】

（５）本発明に係る光モジュールは、半導体レーザ及び光変調器が集積されており、前記半導体レーザのアノード電極、前記光変調器のアノード電極、並びに前記半導体レーザ及び前記光変調器に共通のカソード電極を有する光半導体素子と、下電極及び上電極を有して前記半導体レーザに並列接続されたバイパスコンデンサと、上面及び下面を有し、前記光半導体素子及び前記バイパスコンデンサが前記上面に表面実装され、前記カソード電極及び前記下電極が接合される導体パターンを前記上面に有する誘電体基板と、前記バイパスコンデンサと前記導体パターンとの間に介在して、前記バイパスコンデンサと前記導体パターンを電気的に接続するスペーサと、前記誘電体基板の前記下面を支持する導体ブロックと、を有し、前記導体パターンは、前記カソード電極に接合されるボンディング部と、前記下電極に接合されるパッドと、を含み、前記下電極は、前記パッドよりも面積において大きいことを特徴とする。

【0012】

本発明によれば、バイパスコンデンサの下電極が、導体ブロックから離れるので、寄生容量が小さくなり、特性インピーダンスの低下を抑えることができる。

【0013】

（６）（４）又は（５）に記載された光モジュールであって、前記スペーサは、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する導電体と、を含むことを特徴としてもよい。

【0014】

（７）（４）又は（５）に記載された光モジュールであって、前記スペーサは、側面に凹部を有する絶縁基板と、前記凹部にあるキャスタレーション電極と、を含むことを特徴としてもよい。

【0015】

（８）（７）に記載された光モジュールであって、前記キャスタレーション電極は、金錫はんだによって、前記導体パターンに接合されていることを特徴としてもよい。

【0016】

（９）（１）から（４）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記誘電体基板の前記下面の全体が、前記導体ブロックに対向して固定されていることを特徴としてもよい。

【0017】

（１０）（１）から（４）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記誘電体基板の第１部分が、前記導体ブロックに固定され、前記誘電体基板の第２部分が、前記導体ブロックからオーバーハングしていることを特徴としてもよい。

【0018】

（１１）（１０）に記載された光モジュールであって、前記誘電体基板の前記第１部分及び前記第２部分は、１つの方向にのみ隣り合うことを特徴としてもよい。

【0019】

（１２）（１０）に記載された光モジュールであって、前記誘電体基板の前記第１部分及び前記第２部分は、交差する少なくとも２方向に隣り合うことを特徴としてもよい。

【0020】

（１３）（１０）から（１２）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記導体ブロックは、上面に第１領域及び第２領域を有し、前記第２領域は前記第１領域よりも低くなっており、前記誘電体基板の前記第１部分は、前記第１領域に固定され、前記誘電体基板の前記第２部分は、前記第２領域に間隔をあけて対向することを特徴としてもよい。

【0021】

（１４）（１３）に記載された光モジュールであって、前記下電極の前記オーバーハング領域は、前記第１領域に対向せず、前記第２領域に間隔をあけて対向することを特徴としてもよい。

【0022】

（１５）（１０）から（１２）のいずれか１項に記載された光モジュールであって、前記誘電体基板の前記第２部分は、前記導体ブロックに対向しないことを特徴としてもよい。

【0023】

（１６）（１５）に記載された光モジュールであって、前記下電極の前記オーバーハング領域は、前記導体ブロックに対向しないことを特徴としてもよい。

【図面の簡単な説明】

【0024】

【図1】第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。

【図2】図１に示す光サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。

【図3】図２に示す構造の一部拡大側面図である。

【図4】導体パターンの平面図である。

【図5】光モジュールの等価回路図である。

【図6】第２の実施形態に係る光サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。

【図7】図６に示すスペーサの拡大斜視図である。

【図8】変形例で使用されるスペーサの斜視図である。

【図9】変形例の接合プロセスを説明するための図である。

【図10】変形例の接合プロセスを説明するための図である。

【図11】変形例の接合プロセスを説明するための図である。

【図12】変形例の接合プロセスを説明するための図である。

【図13】第３の実施形態に係る光サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。

【図14】図１３に示す構造の一部拡大側面図である。

【図15】第４の実施形態に係る光サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。

【図16】三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた周波数特性を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0025】

以下に、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。

【0026】

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。光モジュールは、光サブアセンブリ１００を有する。光サブアセンブリ１００は、ＴＯ－ＣＡＮ（Transistor Outline-Can）型パッケージであり、発光素子を内蔵する送信光サブアセンブリ（TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly）又は発光素子及び受光素子の両方を内蔵する双方向光サブアセンブリ（BOSA；Bidirectional Optical Sub-Assembly）のいずれであってもよい。光サブアセンブリ１００は、フレキシブル基板１０２に接続されている。フレキシブル基板１０２は、プリント基板１０４に接続されている。

【0027】

［光半導体素子］
図２は、図１に示す光サブアセンブリ１００の内部構造を示す斜視図である。図３は、図２に示す構造の一部拡大側面図である。光モジュールは、光半導体素子１０を有する。光半導体素子１０には、半導体レーザ１２及び光変調器１４が集積されている。光半導体素子１０は、半導体レーザ１２のアノード電極１６を有する。光半導体素子１０は、光変調器１４のアノード電極１８を有する。光半導体素子１０は、半導体レーザ１２及び光変調器１４に共通のカソード電極２０（図３）を有する。

【0028】

［バイパスコンデンサ］
光モジュールは、バイパスコンデンサ２２を有する。バイパスコンデンサ２２は、平行平板コンデンサであり、下電極２４及び上電極２６を有する。上電極２６は、１つ以上のワイヤＷ１によって、半導体レーザ１２のアノード電極１６に接続されている。

【0029】

［誘電体基板］
光モジュールは、誘電体基板２８を有する。誘電体基板２８は、熱伝導率に優れていることが好ましい。誘電体基板２８は、上面及び下面を有する。誘電体基板２８は、導体パターン３０を上面に有する。光半導体素子１０は、誘電体基板２８の上面に表面実装される。バイパスコンデンサ２２は、誘電体基板２８の上面に表面実装される。

【0030】

図４は、導体パターン３０の平面図である。導体パターン３０は、光半導体素子１０が搭載されるボンディング部３２を含む。図３に示すカソード電極２０が導体パターン３０（ボンディング部３２）に接合される。接合には、図３に示す溶加材３４（はんだ、ろう材）が使用される。

【0031】

バイパスコンデンサ２２は、部分的に誘電体基板２８からはみだすようになっている。図４に示すように、下電極２４は、誘電体基板２８の上面に重なるオーバーラップ領域３６と、誘電体基板２８の上面から突出するオーバーハング領域３８を含む。

【0032】

導体パターン３０は、ボンディング部３２からバイパスコンデンサ２２への方向に延びる延長部４０を含む。延長部４０は、少なくとも部分的に下電極２４に重なる。下電極２４（オーバーラップ領域３６の少なくとも一部）は、導体パターン３０に接合される。接合には、溶加材４２（はんだ、ろう材）が使用される。延長部４０は、オーバーラップ領域３６に接合されるパッド４４と、ボンディング部３２とパッド４４を接続するライン４６と、を含む。延長部４０の、下電極２４の外側にある（下電極２４と重ならない）部分は、下電極２４のオーバーハング領域３８よりも面積において小さい。下電極２４は、パッド４４よりも面積において大きい。

【0033】

導体パターン３０は、ボンディング部３２から延びる第１ライン部４８を含む。第１ライン部４８は、バイパスコンデンサ２２（下電極２４）とは反対側に端部を有する。導体パターン３０は、ボンディング部３２に接近するが接続されない第２ライン部５０を有する。第２ライン部５０も、バイパスコンデンサ２２（下電極２４）とは反対側に端部を有する。第１ライン部４８の端部及び第２ライン部５０の端部は、それぞれ、隣り合っている。導体パターン３０は、ボンディング部３２から延びるスタブ５２とランド５４を含む。スタブ５２とランド５４の間に終端抵抗器５６が接続されている。終端抵抗器５６は、表面実装されている。終端抵抗器５６が接続されるランド５４は、ワイヤＷ２によって、光変調器１４のアノード電極１８に接続される。終端抵抗器５６は、光変調器１４に並列接続される。

【0034】

［導体ブロック］
光モジュールは、導体ブロック５８を有する。誘電体基板２８は、下面で導体ブロック５８に支持（接着）される。誘電体基板２８の下面の全体が、導体ブロック５８に対向して固定されている。導体ブロック５８は、基準電位（例えばグランド）に接続される。導体ブロック５８は、図示しないペルティエ素子を有する熱電冷却器に搭載されてもよい。

【0035】

導体ブロック５８には、ガラスなどの誘電体からなる誘電体ブロック６０が搭載されている。誘電体ブロック６０には、導電層６２が形成されている。バイパスコンデンサ２２の上電極２６は、ワイヤＷ３によって、誘電体ブロック６０の導電層６２に接続されている。

【0036】

導体ブロック５８に、間隔をあけて、サブ導体ブロック６４が並んでいる。導体ブロック５８とサブ導体ブロック６４は、熱的に分離されている。サブ導体ブロック６４も、基準電位（例えばグランド）に接続される。導体ブロック５８は、１つ以上のワイヤＷ４によって、サブ導体ブロック６４に接続されている。

【0037】

サブ導体ブロック６４には、サブ誘電体基板６６が搭載されている。サブ誘電体基板６６には、第１導電層６８及び第２導電層７０が形成されており、両者は隣同士に並んでいる。導体パターン３０の第１ライン部４８は、１つ以上のワイヤＷ５によって、第１導電層６８に接続されている。導体パターン３０の第２ライン部５０は、１つ以上のワイヤＷ６によって、第２導電層７０に接続されている。さらに、第２ライン部５０は、ワイヤＷ７によって、光変調器１４のアノード電極１８に接続されている。

【0038】

［等価回路］
図５は、光モジュールの等価回路図である。半導体レーザ１２には、電流源７２から定電流が入力される。光変調器１４には、一対の同軸線路７４を介して、差動信号（正相信号及び逆相信号）が入力される。半導体レーザ１２と光変調器１４はカソード電極２０を共有しているが、半導体レーザ１２にバイパスコンデンサ２２が並列接続されている。これにより、差動信号は、バイパスされて半導体レーザ１２に混入しない。

【0039】

本実施形態では、バイパスコンデンサ２２の下電極２４のオーバーハング領域３８と、導体ブロック５８の間に、誘電体基板２８が介在しない。オーバーハング領域３８と導体ブロック５８の間にある空気は、誘電率において、誘電体基板２８の材料（例えばセラミック）よりも小さい。そのため、寄生容量が小さくなり、特性インピーダンスの低下を抑えることができる。

【0040】

［第２の実施形態］
図６は、第２の実施形態に係る光サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。光モジュールは、スペーサ７６を有する。本実施形態は、スペーサ７６を除いて、第１の実施形態と同じである。スペーサ７６は、下電極２４（オーバーラップ領域３６）と導体パターン３０（延長部４０）との間に介在して、両者を電気的に接続する（図３及び図４参照）。

【0041】

図７は、図６に示すスペーサ７６の拡大斜視図である。スペーサ７６は、絶縁基板７８と、絶縁基板７８を貫通する導電体８０と、を含む。導電体８０は、絶縁基板７８の上面及び下面の上で広がっている。導電体８０は、下電極２４のオーバーラップ領域３６よりも小さい。

【0042】

スペーサ７６によってバイパスコンデンサ２２が高くなり、下電極２４のオーバーラップ領域３６（パッド４４からはみ出す部分）が導体ブロック５８からさらに離れる。したがって、寄生容量がさらに小さくなり、特性インピーダンスの低下をさらに抑えることができる。

【0043】

［変形例］
図８は、変形例で使用されるスペーサの斜視図である。スペーサ１７６は、側面に凹部１８２を有する絶縁基板１７８を有する。スペーサ１７６は、凹部１８２にあるキャスタレーション電極１８４を含む。キャスタレーション電極１８４は、絶縁基板１７８の上面及び下面で広がっている。

【0044】

図９～図１２は、変形例の接合プロセスを説明するための図である。図９に示すように、パッド４４に、蒸着によって、金錫はんだを設ける。

【0045】

図１０に示すように、蒸着された金錫はんだ１８６で、パッド４４にスペーサ１７６を接合する。金錫はんだ１８６は、加熱によって溶けて、凹部１８２に形成されたキャスタレーション電極１８４の側面に広がる。したがって、パッド４４とスペーサ１７６との電気的接続部を目視で確認することができるので、不良発生の抑制が可能になる。また、溶融した金錫はんだ１８６は、キャスタレーション電極１８４に沿って上方に拡がるので、誘電体基板２８の上面に沿った拡がりを抑え、寄生容量の増加を抑えることができる。

【0046】

金錫はんだ１８６は、蒸着で形成することで、溶融したときの流動性が抑えられる。したがって、スペーサ１７６を吸着するコレット（図示せず）が、溶融はんだを吸い込むことがなく、コレットの損傷を防止することができる。キャスタレーション電極１８４は、フラックス無しで、金錫はんだ１８６によって、導体パターン３０の延長部４０（パッド４４）に接合される。

【0047】

図１１に示すように、スペーサ１７６に導電性接着剤１８８を設ける。導電性接着剤１８８は、絶縁基板１７８の上面でキャスタレーション電極１８４に設ける。図１２に示すように、スペーサ１７６にバイパスコンデンサ２２を接合する。

【0048】

［第３の実施形態］
図１３は、第３の実施形態に係る光サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。図１４は、図１３に示す構造の一部拡大側面図である。誘電体基板３２８の第１部分３９０は、導体ブロック３５８に固定されている。誘電体基板３２８の第２部分３９２は、導体ブロック３５８からオーバーハングしている。誘電体基板３２８の第１部分３９０及び第２部分３９２は、１つの方向にのみ隣り合う。

【0049】

導体ブロック３５８は、上面に第１領域３９４及び第２領域３９６を有する。第２領域３９６は第１領域３９４よりも低くなっている。誘電体基板３２８の第１部分３９０は、第１領域３９４に固定されている。誘電体基板３２８の第２部分３９２は、第２領域３９６に間隔をあけて対向する。バイパスコンデンサ２２の下電極２４のオーバーハング領域３８は、第１領域３９４に対向せず、第２領域３９６に間隔をあけて対向する。

【0050】

本実施形態では、第２領域３９６が低いので、下電極２４のオーバーラップ領域３６が導体ブロック３５８からさらに離れている。したがって、寄生容量がさらに小さくなり、特性インピーダンスの低下をさらに抑えることができる。

【0051】

導体パターン３０のパッド４４（図４参照）は、第１領域３９４との重なりを避けて、第２領域３９６の上方にある。また、バイパスコンデンサ２２の下電極２４も、第１領域３９４との重なりを避けて、第２領域３９６の上方にある。パッド４４及び下電極２４が、導体ブロック３５８から離れている。また、パッド４４と導体ブロック３５８の間に空気が介在する。したがって、寄生容量がさらに小さくなり、特性インピーダンスの低下をさらに抑えることができる。

【0052】

［第４の実施形態］
図１５は、第４の実施形態に係る光サブアセンブリの内部構造を示す斜視図である。誘電体基板４２８の第１部分４９０は、導体ブロック４５８に固定されている。誘電体基板４２８の第２部分４９２は、導体ブロック４５８からオーバーハングしている。誘電体基板４２８の第２部分４９２は、導体ブロック４５８に対向しない。バイパスコンデンサ２２の下電極２４のオーバーハング領域３８（図４参照）は、導体ブロック４５８に対向しない。したがって、寄生容量がさらに小さくなり、特性インピーダンスの低下をさらに抑えることができる。

【0053】

誘電体基板４２８の第１部分４９０及び第２部分４９２は、交差する少なくとも２方向（図１５に示す第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２）に隣り合う。したがって、誘電体基板４２８が傾きにくくなっている。この点、第３の実施形態では、第１部分４９０と第２部分４９２の境界線が一直線であるため、誘電体基板３２８が傾きやすい。その他の内容は、第３の実施形態で説明した内容を適用可能である。

【0054】

図１６は、三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた周波数特性を示す図である。周波数特性は、差動信号の伝送特性である。比較例では、バイパスコンデンサの下電極の全体が誘電体基板に重なる。寄生容量が小さいほど、伝送特性に優れていることが分かる。

【0055】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

【符号の説明】

【0056】

１０ 光半導体素子、１２ 半導体レーザ、１４ 光変調器、１６ アノード電極、１８ アノード電極、２０ カソード電極、２２ バイパスコンデンサ、２４ 下電極、２６ 上電極、２８ 誘電体基板、３０ 導体パターン、３２ ボンディング部、３４ 溶加材、３６ オーバーラップ領域、３８ オーバーハング領域、４０ 延長部、４２ 溶加材、４４ パッド、４６ ライン、４８ 第１ライン部、５０ 第２ライン部、５２ スタブ、５４ ランド、５６ 終端抵抗器、５８ 導体ブロック、６０ 誘電体ブロック、６２ 導電層、６４ サブ導体ブロック、６６ サブ誘電体基板、６８ 第１導電層、７０ 第２導電層、７２ 電流源、７４ 同軸線路、７６ スペーサ、７８ 絶縁基板、８０ 導電体、１００ 光サブアセンブリ、１０２ フレキシブル基板、１０４ プリント基板、１７６ スペーサ、１７８ 絶縁基板、１８２ 凹部、１８４ キャスタレーション電極、１８６ 金錫はんだ、１８８ 導電性接着剤、３２８ 誘電体基板、３５８ 導体ブロック、３９０ 第１部分、３９２ 第２部分、３９４ 第１領域、３９６ 第２領域、４２８ 誘電体基板、４５８ 導体ブロック、４９０ 第１部分、４９２ 第２部分、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、Ｗ１ ワイヤ、Ｗ２ ワイヤ、Ｗ３ ワイヤ、Ｗ４ ワイヤ、Ｗ５ ワイヤ、Ｗ６ ワイヤ、Ｗ７ ワイヤ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】