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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-02-21
(45)【発行日】2024-03-01
(54)【発明の名称】熱処理装置および熱処理方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20240222BHJP
G05B 11/36 20060101ALI20240222BHJP
G05D 23/00 20060101ALI20240222BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 567
H01L21/30 566
H01L21/30 571
G05B11/36 J
G05D23/00 F
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2020091524
(22)【出願日】2020-05-26
(65)【公開番号】P2021190469
(43)【公開日】2021-12-13
【審査請求日】2022-12-19
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100108523
【弁理士】
【氏名又は名称】中川 雅博
(74)【代理人】
【識別番号】100098305
【弁理士】
【氏名又は名称】福島 祥人
(74)【代理人】
【識別番号】100125704
【弁理士】
【氏名又は名称】坂根 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100187931
【弁理士】
【氏名又は名称】澤村 英幸
(72)【発明者】
【氏名】西本 隆泰
【審査官】今井 彰
(56)【参考文献】
【文献】特表２００８－５２１２２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－３０９９４１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－３０９９４２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－０１１８５２（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／０２７、２１／３０
Ｇ０５Ｂ １／００－７／０４、１１／００－１３／０４
１７／００－１７／０２、２１／００－２１／０２
Ｇ０５Ｄ ２３／００－２３／３２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
１枚の基板が載置される載置面を有する１つのプレート部材と、
前記載置面の複数の領域を通して前記載置面上に載置された前記１枚の基板の複数の部分にそれぞれ熱処理を行う複数の熱処理部と、
前記複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、前記複数の設定温度と前記第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出する相対量算出部と、
前記複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出する検出部と、
前記複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、前記複数の現在温度と前記第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出する追従量算出部と、
前記複数の熱処理部の各々について前記相対量と前記追従量との差を誤差量として算出する誤差量算出部と、
前記複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて前記複数の設定温度の補正を行う補正部と、
補正後の複数の設定温度に基づいて前記複数の熱処理部の現在温度が前記複数の設定温度にそれぞれ近づくように前記複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うＰＩＤ制御部とを備え、
前記補正部は、前記ＰＩＤ制御において前記複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が前記複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ前記複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、前記複数の熱処理部の各々について、前記誤差量の変化における微分値および前記誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出する、熱処理装置。
【請求項2】
前記補正部は、前記複数の熱処理部の各々について、前記誤差量と第１の係数とを乗算することにより第１の積を算出し、前記微分値と第２の係数とを乗算することにより第２の積を算出し、前記第１の積と前記第２の積とを加算することにより前記補正量を算出する、請求項１記載の熱処理装置。
【請求項3】
複数の基板が載置される複数の載置面をそれぞれ有する複数のプレート部材と、
前記複数の載置面に載置された前記複数の基板にそれぞれ熱処理を行う複数の熱処理部と、
前記複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、前記複数の設定温度と前記第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出する相対量算出部と、
前記複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出する検出部と、
前記複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、前記複数の現在温度と前記第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出する追従量算出部と、
前記複数の熱処理部の各々について前記相対量と前記追従量との差を誤差量として算出する誤差量算出部と、
前記複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて前記複数の設定温度の補正を行う補正部と、
補正後の複数の設定温度に基づいて前記複数の熱処理部の現在温度が前記複数の設定温度にそれぞれ近づくように前記複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うＰＩＤ制御部とを備え、
前記補正部は、前記ＰＩＤ制御において前記複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が前記複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ前記複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、前記複数の熱処理部の各々について、前記誤差量の変化における微分値および前記誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出する、熱処理装置。
【請求項4】
複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、前記複数の設定温度と前記第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出するステップと、前記複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出するステップと、
前記複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、前記複数の現在温度と前記第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出するステップと、
前記複数の熱処理部の各々について前記相対量と前記追従量との差を誤差量として算出するステップと、
前記複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて前記複数の設定温度の補正を行うステップと、
補正後の複数の設定温度に基づいて前記複数の熱処理部の現在温度が前記複数の設定温度にそれぞれ近づくように前記複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うステップと、
前記複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップとを含み、
前記複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップは、
１つのプレート部材が有する載置面上に１枚の基板を載置することと、
前記載置面の複数の領域を通して前記載置面上に載置された前記１枚の基板の複数の部分にそれぞれ熱処理を行うこととを含み、
前記複数の設定温度の補正を行うステップは、前記ＰＩＤ制御において前記複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が前記複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ前記複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、前記複数の熱処理部の各々について、前記誤差量の変化における微分値および前記誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出することを含む、熱処理方法。
【請求項5】
前記複数の設定温度の補正を行うステップは、前記複数の熱処理部の各々について、前記誤差量と第１の係数とを乗算することにより第１の積を算出し、前記微分値と第２の係数とを乗算することにより第２の積を算出し、前記第１の積と前記第２の積とを加算することにより前記補正量を算出することを含む、請求項４記載の熱処理方法。
【請求項6】
複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、前記複数の設定温度と前記第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出するステップと、
前記複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出するステップと、
前記複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、前記複数の現在温度と前記第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出するステップと、
前記複数の熱処理部の各々について前記相対量と前記追従量との差を誤差量として算出するステップと、
前記複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて前記複数の設定温度の補正を行うステップと、
補正後の複数の設定温度に基づいて前記複数の熱処理部の現在温度が前記複数の設定温度にそれぞれ近づくように前記複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うステップと、
前記複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップとを含み、
前記複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップは、
複数のプレート部材がそれぞれ有する複数の載置面上に複数の基板を載置することと、
前記複数の載置面上に載置された複数の基板に前記複数の熱処理部を用いてそれぞれ熱処理を行うこととを含み、
前記複数の設定温度の補正を行うステップは、前記ＰＩＤ制御において前記複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が前記複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ前記複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、前記複数の熱処理部の各々について、前記誤差量の変化における微分値および前記誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出することを含む、熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板に熱処理を行う熱処理装置および熱処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来より、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等の各種基板に熱処理を行うために、熱処理装置が用いられている。熱処理装置においては、例えば予め設定された温度に保持されたプレート部材上で基板が支持されることにより、その基板に熱処理が行われる。このとき、プレート部材の温度は、ヒータにより調整される。
【0003】
基板の熱処理時には、基板の全体の温度が均一に維持されることが望まれる。しかしながら、プレート部材およびヒータの構成によっては、一のヒータでプレート全体の温度を均一かつ正確に調整することは難しい。そこで、プレート部材の上面を複数のゾーンに分割し、分割された複数のゾーンの温度を複数のヒータでそれぞれ調整する熱処理装置が提案されている。
【0004】
例えば、特許文献１に記載された熱処理装置においては、プレート部材（ホットプレート）が備える複数のゾーンの温度が、各ゾーンに内蔵されたヒータにより個別に調整される。この調整は、ＰＩＤ（比例積分微分）制御により行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１５－１５９３２６号公報
【文献】特開２００５－３０９９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
上記の熱処理装置においては、設定温度に保持されたプレート部材上に未処理の基板が載置されることにより、プレート部材の温度が基板の温度の影響を受けて変化する。高い精度で基板の熱処理を行うために、プレート部材上に基板が載置される際には、プレート部材の上面の各ゾーンの温度を設定温度外の温度から設定温度へ適切に戻すことが望まれる。具体的には、プレート部材の複数のゾーンの温度を均一に保ちつつ、それらの複数のゾーンの温度を設定温度へ戻すことが望まれる。
【0007】
このような課題に関して、複数の熱処理部の状態量（上記の例では、複数のヒータの温度）の関係を維持しつつ複数の熱処理部の状態量を所望の値に変更する制御方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、特許文献２の制御方法では、複数の熱処理部の状態量の変化が応答速度の低い熱処理部の状態量の変化に律速される可能性がある。この場合、特許文献１に記載された熱処理装置において、特許文献２に記載された制御方法で複数のヒータの制御を行っても基板の熱処理に要する時間が長くなる。
【0008】
本発明の目的は、複数の熱処理部による基板の熱処理を高い精度かつ短時間で行うことを可能にする熱処理装置および熱処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0009】
（１）第１の発明に係る熱処理装置は、１枚の基板が載置される載置面を有する１つのプレート部材と、載置面の複数の領域を通して載置面上に載置された１枚の基板の複数の部分にそれぞれ熱処理を行う複数の熱処理部と、複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、複数の設定温度と第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出する相対量算出部と、複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出する検出部と、複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、複数の現在温度と第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出する追従量算出部と、複数の熱処理部の各々について相対量と追従量との差を誤差量として算出する誤差量算出部と、複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて複数の設定温度の補正を行う補正部と、補正後の複数の設定温度に基づいて複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にそれぞれ近づくように複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うＰＩＤ制御部とを備え、補正部は、ＰＩＤ制御において複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、複数の熱処理部の各々について、誤差量の変化における微分値および誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出する。
【0010】
その熱処理装置においては、複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値が第１の基準値として算出され、複数の設定温度と第１の基準値との差が複数の相対量としてそれぞれ算出される。また、複数の熱処理部の複数の現在温度がそれぞれ検出され、複数の現在温度の代表値が第２の基準値として算出される。また、複数の現在温度と第２の基準値との差が複数の追従量としてそれぞれ算出される。また、複数の熱処理部の各々について、相対量と追従量との差が誤差量として算出される。さらに、複数の熱処理部の各々について、誤差量の変化における微分値と誤差量とに基づいて設定温度の補正が行われる。補正後の設定温度に基づいて熱処理部のＰＩＤ制御が行われる。
【0011】
ここで、複数の熱処理部の各々について算出された微分値は、当該熱処理部の現在温度が設定温度に近づくときの温度変化の速度であって、複数の熱処理部の複数の現在温度が均一な速度で複数の設定温度に近づくために各熱処理部において調整されるべき温度変化の速度を表す。上記の構成によれば、複数の補正量が複数の微分値に基づいて算出されるので、複数の現在温度が均一な速度で複数の設定温度に近づくようにＰＩＤ制御が行われる。それにより、熱処理の開始後、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度に到達して安定化するまでの復帰時間が短くなる。
【0012】
また、複数の熱処理部の各々について算出された誤差量は、複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係を複数の設定温度の相対的な関係に一致させるために各熱処理部において調整されるべき温度を表す。上記の構成によれば、複数の補正量が複数の誤差量に基づいて算出されるので、複数の現在温度の相対的な関係が、複数の設定温度の相対的な関係で維持されるようにＰＩＤ制御が行われる。
【0013】
これらの結果、複数の熱処理部の温度が複数の設定温度から外れる場合でも、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度の相対的な関係で維持されつつ迅速に複数の設定温度に近づく。したがって、複数の熱処理部による基板の熱処理を高い精度かつ短時間で行うことが可能になる。
また、熱処理装置は、１枚の基板が載置される載置面を有する１つのプレート部材をさらに含み、複数の熱処理部は、載置面の複数の領域を通して載置面上に載置された１枚の基板の複数の部分にそれぞれ熱処理を行う。これにより、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にない状態であっても、複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係に維持される。したがって、高い精度で基板の熱処理を行うことができる。
また、熱処理装置は、１枚の基板が載置される載置面を有する１つのプレート部材をさらに含み、複数の熱処理部は、載置面の複数の領域を通して載置面上に載置された１枚の基板の複数の部分にそれぞれ熱処理を行う。これにより、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にない状態であっても、複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係に維持される。したがって、高い精度で基板の熱処理を行うことができる。
【0014】
（２）補正部は、複数の熱処理部の各々について、誤差量と第１の係数とを乗算することにより第１の積を算出し、微分値と第２の係数とを乗算することにより第２の積を算出し、第１の積と第２の積とを加算することにより補正量を算出してもよい。
【0015】
この場合、複数の熱処理部について、複数の現在温度が複数の設定温度の相対的な関係で維持されつつ迅速に複数の設定温度に近づくように、ＰＩＤ制御を行うことが可能になる。
【0016】
（３）第２の発明に係る熱処理装置は、複数の基板が載置される複数の載置面をそれぞれ有する複数のプレート部材と、複数の載置面に載置された複数の基板にそれぞれ熱処理を行う複数の熱処理部と、複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、複数の設定温度と第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出する相対量算出部と、複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出する検出部と、複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、複数の現在温度と第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出する追従量算出部と、複数の熱処理部の各々について相対量と追従量との差を誤差量として算出する誤差量算出部と、複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて複数の設定温度の補正を行う補正部と、補正後の複数の設定温度に基づいて複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にそれぞれ近づくように複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うＰＩＤ制御部とを備え、補正部は、ＰＩＤ制御において複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、複数の熱処理部の各々について、誤差量の変化における微分値および誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出する。
【0018】
（４）第３の発明に係る熱処理方法は、複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、複数の設定温度と第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出するステップと、複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出するステップと、複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、複数の現在温度と第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出するステップと、複数の熱処理部の各々について相対量と追従量との差を誤差量として算出するステップと、複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて複数の設定温度の補正を行うステップと、補正後の複数の設定温度に基づいて複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にそれぞれ近づくように複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うステップと、複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップとを含み、複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップは、１つのプレート部材が有する載置面上に１枚の基板を載置することと、載置面の複数の領域を通して載置面上に載置された１枚の基板の複数の部分にそれぞれ熱処理を行うこととを含み、複数の設定温度の補正を行うステップは、ＰＩＤ制御において複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、複数の熱処理部の各々について、誤差量の変化における微分値および誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出することを含む。
【0019】
その熱処理方法においては、複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値が第１の基準値として算出され、複数の設定温度と第１の基準値との差が複数の相対量としてそれぞれ算出される。また、複数の熱処理部の複数の現在温度がそれぞれ検出され、複数の現在温度の代表値が第２の基準値として算出される。また、複数の現在温度と第２の基準値との差が複数の追従量としてそれぞれ算出される。また、複数の熱処理部の各々について、相対量と追従量との差が誤差量として算出される。さらに、複数の熱処理部の各々について、誤差量の変化における微分値と誤差量とに基づいて設定温度の補正が行われる。補正後の設定温度に基づいて熱処理部のＰＩＤ制御が行われる。
【0020】
ここで、複数の熱処理部の各々について算出された微分値は、当該熱処理部の現在温度が設定温度に近づくときの温度変化の速度であって、複数の熱処理部の複数の現在温度が均一な速度で複数の設定温度に近づくために各熱処理部において調整されるべき温度変化の速度を表す。上記の構成によれば、複数の補正量が複数の微分値に基づいて算出されるので、複数の現在温度が均一な速度で複数の設定温度に近づくようにＰＩＤ制御が行われる。それにより、熱処理の開始後、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度に到達して安定化するまでの復帰時間が短くなる。
【0021】
また、複数の熱処理部の各々について算出された誤差量は、複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係を複数の設定温度の相対的な関係に一致させるために各熱処理部において調整されるべき温度を表す。上記の構成によれば、複数の補正量が複数の誤差量に基づいて算出されるので、複数の現在温度の相対的な関係が、複数の設定温度の相対的な関係で維持されるようにＰＩＤ制御が行われる。
【0022】
これらの結果、複数の熱処理部の温度が複数の設定温度から外れる場合でも、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度の相対的な関係で維持されつつ迅速に複数の設定温度に近づく。したがって、複数の熱処理部による基板の熱処理を高い精度かつ短時間で行うことが可能になる。
また、複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップは、１つのプレート部材が有する載置面上に基板を載置することと、載置面の複数の領域を通して載置面上に載置された１枚の基板の複数の部分に熱処理を行うこととを含む。これにより、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にない状態であっても、複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係に維持される。したがって、高い精度で基板の熱処理を行うことができる。
また、複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップは、１つのプレート部材が有する載置面上に基板を載置することと、載置面の複数の領域を通して載置面上に載置された１枚の基板の複数の部分に熱処理を行うこととを含む。これにより、複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にない状態であっても、複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係に維持される。したがって、高い精度で基板の熱処理を行うことができる。
【0023】
（５）複数の設定温度の補正を行うステップは、複数の熱処理部の各々について、誤差量と第１の係数とを乗算することにより第１の積を算出し、微分値と第２の係数とを乗算することにより第２の積を算出し、第１の積と第２の積とを加算することにより補正量を算出することを含んでもよい。
【0024】
この場合、複数の熱処理部について、複数の現在温度が複数の設定温度の相対的な関係で維持されつつ迅速に複数の設定温度に近づくように、ＰＩＤ制御を行うことが可能になる。
【0025】
（６）第４の発明に係る熱処理方法は、複数の熱処理部にそれぞれ設定された複数の設定温度の代表値を第１の基準値として算出し、複数の設定温度と第１の基準値との差を複数の相対量としてそれぞれ算出するステップと、複数の熱処理部の現在の温度を複数の現在温度としてそれぞれ検出するステップと、複数の現在温度の代表値を第２の基準値として算出し、複数の現在温度と第２の基準値との差を複数の追従量としてそれぞれ算出するステップと、複数の熱処理部の各々について相対量と追従量との差を誤差量として算出するステップと、複数の熱処理部について複数の誤差量に基づいて複数の設定温度の補正を行うステップと、補正後の複数の設定温度に基づいて複数の熱処理部の現在温度が複数の設定温度にそれぞれ近づくように複数の熱処理部のＰＩＤ制御を行うステップと、複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップとを含み、複数の熱処理部を用いて基板に熱処理を行うステップは、複数のプレート部材がそれぞれ有する複数の載置面上に複数の基板を載置することと、複数の載置面上に載置された複数の基板に複数の熱処理部を用いてそれぞれ熱処理を行うこととを含み、複数の設定温度の補正を行うステップは、ＰＩＤ制御において複数の熱処理部の現在温度の相対的な関係が複数の設定温度の相対的な関係で維持されかつ複数の熱処理部の現在温度の変化が互いに近づくように、複数の熱処理部の各々について、誤差量の変化における微分値および誤差量から当該熱処理部の設定温度の補正に用いる補正量を算出することを含む。
【発明の効果】
【0027】
本発明によれば、複数の熱処理部による基板の熱処理を高い精度かつ短時間で行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】本発明の一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す模式図である。
【図4】前件部１のメンバシップ関数の一例を示す図である。
【図5】前件部２のメンバシップ関数の一例を示す図である。
【図6】後件部１および後件部２のメンバシップ関数の一例を示す図である。
【図7】第１のシミュレーション結果を示す図である。
【図8】第２のシミュレーション結果を示す図である。
【図9】第３のシミュレーション結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0029】
以下、本発明の一実施の形態に係る熱処理装置および熱処理方法について図面を参照しつつ説明する。以下の説明において、基板とは、液晶表示装置または有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等に用いられるＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、半導体基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。以下の説明においては、熱処理装置の一例として基板に加熱処理を行う熱処理装置を説明する。
【0030】
１．熱処理装置の構成の概略
図１は、本発明の一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す模式図である。図１に示すように、熱処理装置１００は、熱処理プレート１０、能動冷却プレート２０、受動冷却プレート３０、昇降装置４０、制御装置５０、操作部９０およびヒータ駆動部ｄ１～ｄ６を含む。
図１は、本発明の一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す模式図である。図１に示すように、熱処理装置１００は、熱処理プレート１０、能動冷却プレート２０、受動冷却プレート３０、昇降装置４０、制御装置５０、操作部９０およびヒータ駆動部ｄ１～ｄ６を含む。
【0031】
熱処理プレート１０は、扁平な円柱形状を有する金属製の伝熱プレートであり、平坦な上面および下面を有する。熱処理プレート１０の上面は、加熱処理の対象となる基板Ｗを載置可能に構成され、その基板Ｗの外径よりも大きい外径を有する。熱処理プレート１０の上面には、基板Ｗの下面を支持する複数のプロキシミティボール等が設けられている。図１では、熱処理プレート１０上に載置される基板Ｗが二点鎖線で示される。
【0032】
熱処理プレート１０の上面は、複数（本例では６個）のゾーンに分割されている。熱処理プレート１０には、複数のゾーンにそれぞれ対応する複数（本例では６個）のヒータｈ１～ｈ６および複数（本例では６個）の温度センサｓ１～ｓ６が設けられている。複数の温度センサｓ１～ｓ６の各々は、対応するゾーンの温度を検出し、検出した温度に対応する検出信号を後述する温度取得部５５へ出力する。
【0033】
複数のヒータｈ１～ｈ６は、例えばマイカヒータまたはペルチェ素子等で構成され、複数のヒータ駆動部ｄ１～ｄ６にそれぞれ接続されている。複数のヒータ駆動部ｄ１～ｄ６は、後述するヒータ制御部５２により制御され、複数のゾーンの温度が基板Ｗの加熱処理を行うために予め設定された複数の温度（設定温度）で保持されるように複数のヒータｈ１～ｈ６をそれぞれ駆動する。
【0034】
能動冷却プレート２０は、熱処理プレート１０よりも下方の位置で、熱処理プレート１０の下面から所定距離、離れるように配置されている。能動冷却プレート２０は、熱処理プレート１０に向く上面を有する。能動冷却プレート２０の上面には、高い熱伝導率を有する熱伝導シート（図示せず）が設けられている。
【0035】
能動冷却プレート２０には、冷却機構２１が設けられている。冷却機構２１は、例えば能動冷却プレート２０内に形成される冷却水通路またはペルチェ素子等で構成される。冷却機構２１には、冷却駆動部２２が接続されている。冷却駆動部２２は、能動冷却プレート２０の上面の温度が熱処理プレート１０の温度よりも低くなるように冷却機構２１を駆動する。
【0036】
受動冷却プレート３０は、熱処理プレート１０と能動冷却プレート２０との間の空間で、昇降装置４０により昇降可能に支持されている（図１の白抜きの矢印参照）。受動冷却プレート３０は、金属製の円板状部材であり、上面および下面を有する。受動冷却プレート３０の上面は熱処理プレート１０の下面に対向し、受動冷却プレート３０の下面は能動冷却プレート２０の上面に対向する。受動冷却プレート３０の上面には、高い熱伝導率を有する熱伝導シート（図示せず）が設けられている。
【0037】
昇降装置４０は、例えばエアシリンダで構成される。昇降装置４０には、昇降駆動部４１が接続されている。昇降駆動部４１は、例えば受動冷却プレート３０が能動冷却プレート２０に接するように昇降装置４０を駆動する。この場合、受動冷却プレート３０が能動冷却プレート２０により冷却される。また、昇降駆動部４１は、例えば受動冷却プレート３０が熱処理プレート１０に接するように昇降装置４０を駆動する。この場合、熱処理プレート１０が受動冷却プレート３０により冷却される。
【0038】
制御装置５０は、機能部として、ヒータ制御部５２、冷却制御部５３、昇降制御部５４および温度取得部５５を有する。制御装置５０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）およびＲＯＭ（リードオンリメモリ）により構成される。ＣＰＵがＲＯＭまたは他の記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより、上記の各機能部が実現される。なお、制御装置５０の機能的な構成要素の一部または全てが電子回路等のハードウェアにより実現されてもよい。
【0039】
温度取得部５５は、複数の温度センサｓ１～ｓ６から出力される検出信号に基づいて熱処理プレート１０の複数のゾーンの温度をそれぞれ取得する。具体的には、温度取得部５５は、複数の温度センサｓ１～ｓ６から出力される検出信号を一定周期でサンプリングする。ヒータ制御部５２は、複数のゾーンの各々について、後述する操作部９０から入力される設定温度と温度取得部５５により取得された現在の温度（以下、現在温度と呼ぶ。）とに基づいて、当該ゾーンに対応するヒータ駆動部を制御する。ヒータ制御部５２の詳細は後述する。
【0040】
操作部９０は、例えば図示しない表示部に一体的に設けられるタッチパネルであり、表示部に表示される設定画面において処理レシピの内容を入力することが可能に構成される。また、操作部９０は、熱処理プレート１０の複数のゾーンにそれぞれ対応する設定温度を入力可能に構成される。なお、操作部９０は、タッチパネルに代えて、またはタッチパネルに加えて、キーボードおよびマウス等を含んでもよい。
【0041】
なお、熱処理装置１００には、熱処理プレート１０と熱処理装置１００の外部装置（例えば後述する図１０の基板搬送装置４５０）との間で基板Ｗの受け渡しを行うための受け渡し機構（図示せず）がさらに設けられている。
【0042】
２．ヒータ制御部５２の構成および動作
以下の説明においては、熱処理プレート１０の複数のゾーンを区別する場合、ヒータｈ１により加熱されるゾーンを第１のゾーンと呼び、ヒータｈ２により加熱されるゾーンを第２のゾーンと呼び、ヒータｈ３により加熱されるゾーンを第３のゾーンと呼ぶ。また、ヒータｈ４により加熱されるゾーンを第４のゾーンと呼び、ヒータｈ５により加熱されるゾーンを第５のゾーンと呼び、ヒータｈ６により加熱されるゾーンを第６のゾーンと呼ぶ。
以下の説明においては、熱処理プレート１０の複数のゾーンを区別する場合、ヒータｈ１により加熱されるゾーンを第１のゾーンと呼び、ヒータｈ２により加熱されるゾーンを第２のゾーンと呼び、ヒータｈ３により加熱されるゾーンを第３のゾーンと呼ぶ。また、ヒータｈ４により加熱されるゾーンを第４のゾーンと呼び、ヒータｈ５により加熱されるゾーンを第５のゾーンと呼び、ヒータｈ６により加熱されるゾーンを第６のゾーンと呼ぶ。
【0043】
図２は、図１のヒータ制御部５２の構成および動作を説明するための図である。図２に示すように、ヒータ制御部５２は、温度調整フィルタ部６０および複数（本例では６個）のＰＩＤ（比例積分微分）制御部ｃ１～ｃ６を含む。温度調整フィルタ部６０には、例えば図１の操作部９０から第１～第６のゾーンの設定温度ＳＶ１～ＳＶ６が与えられる。また、温度調整フィルタ部６０には、図１の温度取得部５５から第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が与えられる。
【0044】
温度調整フィルタ部６０は、複数の設定温度ＳＶ１～ＳＶ６および現在温度ＰＶ１～ＰＶ６に基づいて、複数の設定温度ＳＶ１～ＳＶ６をそれぞれ補正する。温度調整フィルタ部６０による補正後の複数の設定温度を、それぞれ補正済設定温度ＳＰ１～ＳＰ６と呼ぶ。温度調整フィルタ部６０の構成および動作の詳細については後述する。
【0045】
ＰＩＤ制御部ｃ１には、補正済設定温度ＳＰ１と現在温度ＰＶ１と差が偏差ＤＶ１として与えられる。ＰＩＤ制御部ｃ１は、偏差ＤＶ１に基づいて第１のゾーンの現在温度ＰＶ１が設定温度ＳＶ１に近づくようにヒータｈ１のＰＩＶ制御を行う。ＰＩＤ制御部ｃ２には、補正済設定温度ＳＰ２と現在温度ＰＶ２との差が偏差ＤＶ２として与えられる。ＰＩＤ制御部ｃ２は、偏差ＤＶ２に基づいて第２のゾーンの現在温度ＰＶ２が設定温度ＳＶ２に近づくようにヒータｈ２のＰＩＶ制御を行う。
【0046】
ＰＩＤ制御部ｃ３，ｃ４，ｃ５，ｃ６にも、ＰＩＤ制御部ｃ１，ｃ２と同様に、偏差ＤＶ３，ＤＶ４，ＤＶ５，ＤＶ６がそれぞれ与えられる。ＰＩＤ制御部ｃ３～ｃ６は、偏差ＤＶ３～ＤＶ６に基づいて第３～第６のゾーンの現在温度ＰＶ３～ＰＶ６が設定温度ＳＶ３～ＳＶ６にそれぞれ近づくようにヒータｈ３～ｈ６のＰＩＶ制御をそれぞれ行う。
【0047】
３．温度調整フィルタ部６０
図３は、図２の温度調整フィルタ部６０の構成および動作の詳細を説明するための図である。図３に示すように、温度調整フィルタ部６０は、相対量算出部６１、追従量算出部６２、誤差量算出部６３および複数（本例では６個）のファジィ制御部ｆ１～ｆ６を含む。ファジィ制御部ｆ１～ｆ６は、第１～第６のゾーンにそれぞれ対応する。以下の説明においては、第１～第６のゾーンの番号を表す変数として適宜ｉを用いる。すなわち、以下の説明では、ｉ＝１，２，３，４，５，６である。
図３は、図２の温度調整フィルタ部６０の構成および動作の詳細を説明するための図である。図３に示すように、温度調整フィルタ部６０は、相対量算出部６１、追従量算出部６２、誤差量算出部６３および複数（本例では６個）のファジィ制御部ｆ１～ｆ６を含む。ファジィ制御部ｆ１～ｆ６は、第１～第６のゾーンにそれぞれ対応する。以下の説明においては、第１～第６のゾーンの番号を表す変数として適宜ｉを用いる。すなわち、以下の説明では、ｉ＝１，２，３，４，５，６である。
【0048】
相対量算出部６１は、複数の設定温度ＳＶ［ｉ］の代表値を第１の基準値ＳＶｍとして算出する。第１の基準値ＳＶｍは、例えば下記式（１）に示すように、加重平均の式により定義することができる。式（１）において、ｗ１［ｉ］は重みである。ｗ１［ｉ］は、例えば共通の値に設定されてもよい。
【0049】
ＳＶｍ＝Σ（ＳＶ［ｉ］×ｗ１［ｉ］）／Σ（ｗ１［ｉ］） …（１）
また、相対量算出部６１は、下記式（２）に示すように、設定温度ＳＶ［ｉ］と第１の基準値ＳＶｍとの差を複数の相対量ＳＲ［ｉ］としてそれぞれ算出する。
また、相対量算出部６１は、下記式（２）に示すように、設定温度ＳＶ［ｉ］と第１の基準値ＳＶｍとの差を複数の相対量ＳＲ［ｉ］としてそれぞれ算出する。
【0050】
ＳＲ［ｉ］＝ＳＶ［ｉ］－ＳＶｍ …（２）
追従量算出部６２は、複数の現在温度ＰＶ［ｉ］の代表値を第２の基準値ＰＶｍとして算出する。第２の基準値ＰＶｍは、例えば下記式（３）に示すように、加重平均の式により定義することができる。式（３）において、ｗ２［ｉ］は重みである。ｗ２［ｉ］は、例えば共通の値に設定されてもよい。
追従量算出部６２は、複数の現在温度ＰＶ［ｉ］の代表値を第２の基準値ＰＶｍとして算出する。第２の基準値ＰＶｍは、例えば下記式（３）に示すように、加重平均の式により定義することができる。式（３）において、ｗ２［ｉ］は重みである。ｗ２［ｉ］は、例えば共通の値に設定されてもよい。
【0051】
ＰＶｍ＝Σ（ＰＶ［ｉ］×ｗ２［ｉ］）／Σ（ｗ２［ｉ］） …（３）
また、追従量算出部６２は、下記式（４）に示すように、現在温度ＰＶ［ｉ］と第２の基準値ＰＶｍとの差を複数の追従量ＰＦ［ｉ］としてそれぞれ算出する。
また、追従量算出部６２は、下記式（４）に示すように、現在温度ＰＶ［ｉ］と第２の基準値ＰＶｍとの差を複数の追従量ＰＦ［ｉ］としてそれぞれ算出する。
【0052】
ＰＦ［ｉ］＝ＰＶ［ｉ］－ＰＶｍ …（４）
誤差量算出部６３は、相対量ＳＲ［ｉ］から追従量ＰＦ［ｉ］を減算することにより相対量ＳＲ［ｉ］と追従量ＰＦ［ｉ］との差（ＳＲｉ－ＰＦｉ）を誤差量ＤＶ’［ｉ］として算出し、ファジィ制御部ｆ［ｉ］に与える。ファジィ制御部ｆ［ｉ］は、誤差量ＤＶ’［ｉ］に基づいて対応する設定温度ＳＶ［ｉ］を補正する。
誤差量算出部６３は、相対量ＳＲ［ｉ］から追従量ＰＦ［ｉ］を減算することにより相対量ＳＲ［ｉ］と追従量ＰＦ［ｉ］との差（ＳＲｉ－ＰＦｉ）を誤差量ＤＶ’［ｉ］として算出し、ファジィ制御部ｆ［ｉ］に与える。ファジィ制御部ｆ［ｉ］は、誤差量ＤＶ’［ｉ］に基づいて対応する設定温度ＳＶ［ｉ］を補正する。
【0053】
具体的には、各ファジィ制御部ｆ［ｉ］は、下記式（５）で示すように、誤差量ＤＶ’［ｉ］と誤差量ＤＶ’［ｉ］の変化における微分値とを用いて、対応する設定温度ＳＶ［ｉ］の補正に用いる補正量Ｃ［ｉ］を算出する。式（５）において、Ｇ１［ｉ］およびＧ２［ｉ］は予め定められた補正ゲインであり、ｎは例えば現在温度ＰＶ［ｉ］のサンプリング回数を表す自然数である。
【0054】
Ｃ［ｉ］＝Ｇ１［ｉ］×ＤＶ’［ｉ］（ｎ）＋Ｇ２［ｉ］×（ＤＶ’［ｉ］（ｎ）－ＤＶ’［ｉ］（ｎ－１）） …（５）
式（５）は、ファジィ推論を用いて導出されたものである。この導出方法については後述する。さらに、ファジィ制御部ｆ［ｉ］は、下記式（６）で示すように、上記式（５）により算出された補正量Ｃ［ｉ］を設定温度ＳＶ［ｉ］に加算することにより、補正済設定温度ＳＰ［ｉ］を算出する。
式（５）は、ファジィ推論を用いて導出されたものである。この導出方法については後述する。さらに、ファジィ制御部ｆ［ｉ］は、下記式（６）で示すように、上記式（５）により算出された補正量Ｃ［ｉ］を設定温度ＳＶ［ｉ］に加算することにより、補正済設定温度ＳＰ［ｉ］を算出する。
【0055】
ＳＰ［ｉ］＝ＳＶ［ｉ］＋Ｃ［ｉ］ …（６）
このようにして、ファジィ制御部ｆ［ｉ］において、補正済設定温度ＳＰ［ｉ］が算出され、出力される。
このようにして、ファジィ制御部ｆ［ｉ］において、補正済設定温度ＳＰ［ｉ］が算出され、出力される。
【0056】
４．ファジィ推論を用いた補正量Ｃ［ｉ］の導出方法
高温（設定温度ＳＶ１～ＳＶ６）で保持された図１の熱処理プレート１０上に低温の基板Ｗが載置されると、第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が設定温度ＳＶ１～ＳＶ６から低下する。そのため、熱処理プレート１０上に基板Ｗが載置された直後には、第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６を設定温度ＳＶ１～ＳＶ６まで上昇させる必要がある。
高温（設定温度ＳＶ１～ＳＶ６）で保持された図１の熱処理プレート１０上に低温の基板Ｗが載置されると、第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が設定温度ＳＶ１～ＳＶ６から低下する。そのため、熱処理プレート１０上に基板Ｗが載置された直後には、第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６を設定温度ＳＶ１～ＳＶ６まで上昇させる必要がある。
【0057】
設定温度ＳＶ１～ＳＶ６は、１枚の基板Ｗの全体に均一な熱処理を行うために例えば共通の値に設定される。この場合、一時的に低下した第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６を設定温度ＳＶ１～ＳＶ６まで上昇させる間に、現在温度ＰＶ１～ＰＶ６の間に大きなばらつきが生じると、そのばらつきにより基板Ｗの熱処理の精度が低下する。また、一時的に低下した第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６を設定温度ＳＶ１～ＳＶ６まで上昇させる期間が長いと、熱処理装置１００における基板Ｗの熱処理のスループットが低下する。
【0058】
そこで、本発明者は、ファジィ推論を用いた補正量Ｃ［ｉ］の導出方法を案出した。具体的には、本発明者は、複数のゾーンの昇温中の温度のばらつきを低減するために、前件部１として誤差量ＤＶ’［ｉ］を用いたメンバシップ関数を定義した。
【0059】
図４は、前件部１のメンバシップ関数の一例を示す図である。図４において、Ｐ１は誤差量ＤＶ’［ｉ］が高いという度合いを示す適合度であり、Ｎ１は誤差量ＤＶ’［ｉ］が低いという度合いを示す適合度である。ここで、図４の横軸に示されるＥ１を誤差量ＤＶ’［ｉ］とすると、適合度Ｐ１，Ｎ１は、下記式（７），（８）でそれぞれ表される。式（７），（８）において、Ｔ１は任意の定数である。
【0060】
Ｐ１＝｛１／（２×Ｔ１）｝×Ｅ１＋０．５ …（７）
Ｎ１＝｛－１／（２×Ｔ１）｝×Ｅ１＋０．５ …（８）
上記式（７），（８）によれば、下記式（９）が成り立つ。
Ｎ１＝｛－１／（２×Ｔ１）｝×Ｅ１＋０．５ …（８）
上記式（７），（８）によれば、下記式（９）が成り立つ。
【0061】
Ｐ１＋Ｎ１＝１ …（９）
また、本発明者は、熱処理の開始後、現在温度ＰＶ［ｉ］が設定温度ＳＶ［ｉ］まで上昇する期間を短くするために、前件部２として誤差量ＤＶ’［ｉ］の変化の微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔを用いたメンバシップ関数を定義した。微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔは、式（５）の（ＤＶ’［ｉ］（ｎ）－ＤＶ’［ｉ］（ｎ－１））に相当し、ヒータｈ［ｉ］の現在温度ＰＶ［ｉ］が設定温度ＳＶ［ｉ］に近づくときの温度変化の速度を表す。
また、本発明者は、熱処理の開始後、現在温度ＰＶ［ｉ］が設定温度ＳＶ［ｉ］まで上昇する期間を短くするために、前件部２として誤差量ＤＶ’［ｉ］の変化の微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔを用いたメンバシップ関数を定義した。微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔは、式（５）の（ＤＶ’［ｉ］（ｎ）－ＤＶ’［ｉ］（ｎ－１））に相当し、ヒータｈ［ｉ］の現在温度ＰＶ［ｉ］が設定温度ＳＶ［ｉ］に近づくときの温度変化の速度を表す。
【0062】
図５は、前件部２のメンバシップ関数の一例を示す図である。図５において、Ｐ２は微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔが高いという度合いを示す適合度であり、Ｎ２は微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔが低いという度合いを示す適合度である。ここで、図５の横軸に示されるＥ２を微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔとすると、適合度Ｐ２，Ｎ２は、下記式（１０），（１１）でそれぞれ表される。式（１０），（１１）において、Ｔ２は任意の定数である。
【0063】
Ｐ２＝｛１／（２×Ｔ２）｝×Ｅ２＋０．５ …（１０）
Ｎ２＝｛－１／（２×Ｔ２）｝×Ｅ２＋０．５ …（１１）
上記式（１０），（１１）によれば、下記式（１２）が成り立つ。
Ｎ２＝｛－１／（２×Ｔ２）｝×Ｅ２＋０．５ …（１１）
上記式（１０），（１１）によれば、下記式（１２）が成り立つ。
【0064】
Ｐ２＋Ｎ２＝１ …（１２）
さらに、本発明者は、前件部１および前件部２にそれぞれ対応するファジィ推論の後件部１および後件部２のメンバシップ関数を定義した。以下の説明では、前件部１および前件部２の番号を表す変数として適宜ｊを用いる。すなわち、以下の説明では、ｊ＝１，２である。
さらに、本発明者は、前件部１および前件部２にそれぞれ対応するファジィ推論の後件部１および後件部２のメンバシップ関数を定義した。以下の説明では、前件部１および前件部２の番号を表す変数として適宜ｊを用いる。すなわち、以下の説明では、ｊ＝１，２である。
【0065】
図６は、後件部１および後件部２のメンバシップ関数の一例を示す図である。図６においては、ｗ［ｊ］は前件部［ｊ］の適合度Ｐ［ｊ］であり、ｗ’ ［ｊ］は前件部［ｊ］の適合度Ｎ［ｊ］である。ここで、図６の横軸に示されるＵ［ｊ］は、前件部［ｊ］の適合度Ｐ［ｊ］，Ｎ［ｊ］に対する推論結果であり、前件部［ｊ］の適合度Ｐ［ｊ］，Ｎ［ｊ］に対応する補正量を表すものとする。この場合、適合度ｗ［ｊ］，ｗ’ ［ｊ］は、下記式（１３），（１４）でそれぞれ表される。式（１３），（１４）において、ｍ［ｊ］は任意の定数である。
【0066】
ｗ［ｊ］＝｛１／（２×ｍ［ｊ］）｝×Ｕ［ｊ］＋０．５ …（１３）
ｗ’ ［ｊ］＝｛１／（２×ｍ［ｊ］）｝×Ｕ［ｊ］＋０．５ …（１４）
上記式（１３），（１４）によれば、下記式（１５）が成り立つ。
ｗ’ ［ｊ］＝｛１／（２×ｍ［ｊ］）｝×Ｕ［ｊ］＋０．５ …（１４）
上記式（１３），（１４）によれば、下記式（１５）が成り立つ。
【0067】
ｗ［ｊ］＋ｗ’ ［ｊ］＝１ …（１５）
また、上記式（９），（１２），（１５）によれば、前件部［ｊ］の適合度Ｐ［ｉ］，Ｎ［ｉ］に関して下記式（１６），（１７）が成り立つ。式（１６）において、Ｕ１（Ｐ１）は適合度Ｐ１に対応する補正量であり、Ｕ２（Ｎ１）は適合度Ｎ１に対応する補正量である。式（１７）において、Ｕ２（Ｐ２）は適合度Ｐ２に対応する補正量であり、Ｕ２（Ｎ２）は適合度Ｎ２に対応する補正量である。
また、上記式（９），（１２），（１５）によれば、前件部［ｊ］の適合度Ｐ［ｉ］，Ｎ［ｉ］に関して下記式（１６），（１７）が成り立つ。式（１６）において、Ｕ１（Ｐ１）は適合度Ｐ１に対応する補正量であり、Ｕ２（Ｎ１）は適合度Ｎ１に対応する補正量である。式（１７）において、Ｕ２（Ｐ２）は適合度Ｐ２に対応する補正量であり、Ｕ２（Ｎ２）は適合度Ｎ２に対応する補正量である。
【0068】
Ｕ１（Ｐ１）＝Ｕ２（Ｎ１）＝（ｍ１／Ｔ１）×Ｅ１ …（１６）
Ｕ２（Ｐ２）＝Ｕ２（Ｎ２）＝（ｍ２／Ｔ２）×Ｅ２ …（１７）
この場合、下記式（１８）が成立する。
Ｕ２（Ｐ２）＝Ｕ２（Ｎ２）＝（ｍ２／Ｔ２）×Ｅ２ …（１７）
この場合、下記式（１８）が成立する。
【0069】
ｗ［ｊ］＝ｗ’［ｊ］ …（１８）
ここで、本発明者は、前件部１および前件部２に基づいて、最終的に求められるべき補正量Ｃ［ｉ］を下記式（１９）で定義した。式（１９）において、Ｇ１［ｉ］およびＧ２［ｉ］は、上述のように予め定められた補正ゲインである。
ここで、本発明者は、前件部１および前件部２に基づいて、最終的に求められるべき補正量Ｃ［ｉ］を下記式（１９）で定義した。式（１９）において、Ｇ１［ｉ］およびＧ２［ｉ］は、上述のように予め定められた補正ゲインである。
【0070】
Ｃ［ｉ］＝Ｇ１［ｉ］×Ｕ１＋Ｇ２［ｉ］×Ｕ２ …（１９）
この場合、式（１９）は、式（１６），（１７）を用いて下記式（２０）で表すことができる。
この場合、式（１９）は、式（１６），（１７）を用いて下記式（２０）で表すことができる。
【0071】
Ｃ［ｉ］＝Ｇ１［ｉ］×｛（ｍ１／Ｔ１）×Ｅ１｝＋Ｇ２［ｉ］×｛（ｍ２／Ｔ２）×Ｅ２｝ …（２０）
また、式（２０）においては、ｍ１，Ｔ１，ｍ２，Ｔ２は任意の定数である。そこで、Ｇ１［ｉ］×（ｍ１／Ｔ１）をＧ１とし、Ｇ２［ｉ］×（ｍ２／Ｔ２）をＧ２とすると、式（２０）は、下記式（２１）で表すことができる。
また、式（２０）においては、ｍ１，Ｔ１，ｍ２，Ｔ２は任意の定数である。そこで、Ｇ１［ｉ］×（ｍ１／Ｔ１）をＧ１とし、Ｇ２［ｉ］×（ｍ２／Ｔ２）をＧ２とすると、式（２０）は、下記式（２１）で表すことができる。
【0072】
Ｃ［ｉ］＝Ｇ１［ｉ］×Ｅ１＋Ｇ２［ｉ］×Ｅ２ …（２１）
式（２１）について、Ｅ１を誤差量ＤＶ’とし、Ｅ２を微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔとする。この場合、補正量Ｃ［ｉ］は、下記式（２２）で表すことができる。下記式（２２）は、上記式（５）と同義である
Ｃ［ｉ］＝Ｇ１［ｉ］×ＤＶ’［ｉ］＋Ｇ２［ｉ］×ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔ …（２２）
上記式（５），（２２）において、補正ゲインであるＧ１［ｉ］およびＧ２［ｉ］は、熱処理プレート１０の各ゾーンおよび各ヒータの構造を考慮して、例えば実験またはシミュレーションを行うことにより定めることができる。
式（２１）について、Ｅ１を誤差量ＤＶ’とし、Ｅ２を微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔとする。この場合、補正量Ｃ［ｉ］は、下記式（２２）で表すことができる。下記式（２２）は、上記式（５）と同義である
Ｃ［ｉ］＝Ｇ１［ｉ］×ＤＶ’［ｉ］＋Ｇ２［ｉ］×ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔ …（２２）
上記式（５），（２２）において、補正ゲインであるＧ１［ｉ］およびＧ２［ｉ］は、熱処理プレート１０の各ゾーンおよび各ヒータの構造を考慮して、例えば実験またはシミュレーションを行うことにより定めることができる。
【0073】
５．シミュレーション
本発明者は、図１の複数のヒータｈ１～ｈ６の制御方法の違いによる第１～第６のゾーンの温度変化の差異を確認するために、第１、第２および第３のシミュレーションを行った。
本発明者は、図１の複数のヒータｈ１～ｈ６の制御方法の違いによる第１～第６のゾーンの温度変化の差異を確認するために、第１、第２および第３のシミュレーションを行った。
【0074】
（１）シミュレーション方法
第１のシミュレーションでは、基板Ｗの熱処理が開始されてから一定期間の間、ヒータｈ１～ｈ６のＰＩＤ制御をそれぞれ独立して行った場合の第１～第６のゾーンの温度変化を取得した。第１のシミュレーションの制御方法は、図２のヒータ制御部５２から温度調整フィルタ部６０が取り除かれた構成により行われる比較例１の制御方法である。
第１のシミュレーションでは、基板Ｗの熱処理が開始されてから一定期間の間、ヒータｈ１～ｈ６のＰＩＤ制御をそれぞれ独立して行った場合の第１～第６のゾーンの温度変化を取得した。第１のシミュレーションの制御方法は、図２のヒータ制御部５２から温度調整フィルタ部６０が取り除かれた構成により行われる比較例１の制御方法である。
【0075】
第２のシミュレーションでは、基板Ｗの熱処理が開始されてから一定期間の間、複数の設定温度ＳＶ１～ＳＶ６について下記式（２３）に基づく補正を行いつつヒータｈ１～ｈ６のＰＩＤ制御を行った場合の第１～第６のゾーンの温度変化を取得した。第２のシミュレーションの制御方法は、特許文献２に記載された制御方法に相当する比較例２の制御方法である。式（２３）において、Ｂ［ｉ］は任意の定数である。
【0076】
ＳＰ［ｉ］＝ＳＶｍ＋Ｂ［ｉ］×（ＳＶ［ｉ］－ＳＶｍ）＋（１－Ｂ［ｉ］）×（ＰＶ［ｉ］－ＰＶｍ） …（２３）
第３のシミュレーションでは、基板Ｗの熱処理が開始されてから一定期間の間、図２のヒータ制御部５２によりヒータｈ１～ｈ６が制御された場合の第１～第６のゾーンの温度変化を取得した。第３のシミュレーションの制御方法は、本発明に係る実施例の制御方法である。
第３のシミュレーションでは、基板Ｗの熱処理が開始されてから一定期間の間、図２のヒータ制御部５２によりヒータｈ１～ｈ６が制御された場合の第１～第６のゾーンの温度変化を取得した。第３のシミュレーションの制御方法は、本発明に係る実施例の制御方法である。
【0077】
なお、第１～第３のシミュレーションにおいては、第１～第６のゾーンの設定温度ＳＶ１～ＳＶ６を共に１００℃に設定した。
【0078】
（２）シミュレーション結果および評価
図７は第１のシミュレーション結果を示す図であり、図８は第２のシミュレーション結果を示す図であり、図９は第３のシミュレーション結果を示す図である。図７～図９では、縦軸が温度を表し、横軸が時間を表す。第１～第６のゾーンの温度変化が互いに異なる種類の線で示される。
図７は第１のシミュレーション結果を示す図であり、図８は第２のシミュレーション結果を示す図であり、図９は第３のシミュレーション結果を示す図である。図７～図９では、縦軸が温度を表し、横軸が時間を表す。第１～第６のゾーンの温度変化が互いに異なる種類の線で示される。
【0079】
また、図７～図９において、横軸に示される時点ｔ１は、基板Ｗの熱処理の開始時点、すなわち熱処理プレート１０上に基板Ｗが載置された時点を表す。時点ｔ２は、時点ｔ１の経過後、第１～第６のゾーンの温度が設定温度ＳＶ１～ＳＶ６（本例では１００℃）を基準とする微小な一定範囲内に安定して保持された時点を表す。以下の説明では、時点ｔ１から時点ｔ２までの時間を復帰時間と呼ぶ。
【0080】
本発明者は、第１～第３のシミュレーション結果から、比較例１、比較例２および実施例の制御方法に対応する復帰時間を求めた。その結果、比較例１、比較例２および実施例の制御方法に対応する復帰時間は、それぞれ２０．５９ｓｅｃ、１９．７４ｓｅｃおよび１９．３１ｓｅｃであった。
【0081】
また、本発明者は、第１～第３のシミュレーション結果から、復帰期間中の第１～第６のゾーンの温度変化のばらつきの程度を評価するために、差分最大値および差分平均値を求めた。第１～第３のシミュレーションにおける温度変化の取得は、ヒータｈ１～ｈ６の現在温度ＰＶ１～ＰＶ６を微小周期でサンプリングすることにより行った。差分最大値は、復帰期間において現在温度ＰＶ１～ＰＶ６のサンプリング毎に現在温度ＰＶ１～ＰＶ６の最大値および最小値の差分を算出した場合の全ての差分の最大値である。差分平均値は、復帰期間において現在温度ＰＶ１～ＰＶ６のサンプリング毎に現在温度ＰＶ１～ＰＶ６の最大値および最小値の差分を算出した場合の全ての差分の平均値である。
【0082】
その結果、比較例１の制御方法に対応する差分最大値および差分平均値は、それぞれ０．５０および０．１７であった。比較例２の制御方法に対応する差分最大値および差分平均値は、それぞれ０．３０および０．１１であった。実施例の制御方法に対応する差分最大値および差分平均値は、それぞれ０．３０および０．０９であった。
【0083】
上記の第１～第３のシミュレーション結果に対応して求められた復帰時間、差分最大値および差分平均値の一覧を下記表１に示す。
【0084】
【表1】
【0085】
表１に示されるように、実施例に係る復帰時間は、比較例１，２に係る復帰時間に比べて短い。したがって、実施例の制御方法を用いる場合には、比較例１および比較例２の制御方法を用いる場合に比べて基板Ｗの熱処理が時点ｔ１から短時間で安定することがわかる。
【0086】
また、表１に示されるように、比較例２および実施例に係る差分最大値は比較例１に係る差分最大値に比べて小さい。さらに、実施例に係る差分平均値は比較例１，２に係る差分平均値に比べて小さい。これらの結果、実施例の制御方法を用いる場合には、比較例１および比較例２の制御方法を用いる場合に比べて復帰時間中に基板Ｗの複数の部分に施される熱処理の程度が均一に保たれることがわかる。
【0087】
６．効果
図１の熱処理装置１００においては、第１～第６のゾーンにそれぞれ設定された設定温度ＳＶ１～ＳＶ６の代表値が第１の基準値ＳＶｍとして算出される。設定温度ＳＶ１～ＳＶ６と第１の基準値ＳＶｍとの差が相対量ＳＲ１～ＳＲ６としてそれぞれ算出される。第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６がそれぞれ検出され、現在温度ＰＶ１～ＰＶ６の代表値が第２の基準値ＰＶｍとして算出される。現在温度ＰＶ１～ＰＶ６と第２の基準値ＰＶｍとの差が追従量ＰＦ１～ＰＦ６としてそれぞれ算出される。
図１の熱処理装置１００においては、第１～第６のゾーンにそれぞれ設定された設定温度ＳＶ１～ＳＶ６の代表値が第１の基準値ＳＶｍとして算出される。設定温度ＳＶ１～ＳＶ６と第１の基準値ＳＶｍとの差が相対量ＳＲ１～ＳＲ６としてそれぞれ算出される。第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６がそれぞれ検出され、現在温度ＰＶ１～ＰＶ６の代表値が第２の基準値ＰＶｍとして算出される。現在温度ＰＶ１～ＰＶ６と第２の基準値ＰＶｍとの差が追従量ＰＦ１～ＰＦ６としてそれぞれ算出される。
【0088】
また、第１～第６のゾーンの各々について、相対量ＳＲ１～ＳＲ６と追従量ＰＦ１～ＰＦ６との差が誤差量ＤＶ’１～ＤＶ’６として算出される。さらに、第１～第６のゾーンの各々について、誤差量ＤＶ’１～ＤＶ’６の変化における微分値ｄ（ＤＶ’１）／ｄｔ～ｄ（ＤＶ’６）／ｄｔと誤差量ＤＶ’１～ＤＶ’６とに基づいて設定温度ＳＶ１～ＳＶ６の補正が行われる。補正済設定温度ＳＰ１～ＳＰ６に基づいてヒータｈ１～ｈ６のＰＩＤ制御がそれぞれ行われる。
【0089】
ここで、微分値ｄ（ＤＶ’１）／ｄｔ～ｄ（ＤＶ’６）／ｄｔの各々は、各ゾーンの現在温度が設定温度に近づくときの温度変化の速度を表す。また、微分値ｄ（ＤＶ’１）／ｄｔ～ｄ（ＤＶ’６）／ｄｔの各々は、第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が均一な速度で設定温度ＳＶ１～ＳＶ６にそれぞれ近づくために各ゾーンにおいて調整されるべき温度変化の速度を表す。
【0090】
上記の構成によれば、補正量Ｃ１～Ｃ６が微分値ｄ（ＤＶ’１）／ｄｔ～ｄ（ＤＶ’６）／ｄｔに基づいて算出されるので、現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が均一な速度で設定温度ＳＶ１～ＳＶ６に近づくようにＰＩＤ制御が行われる。それにより、熱処理の開始後、第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が設定温度ＳＶ１～ＳＶ６に到達して安定化するまでの復帰時間が短くなる。
【0091】
また、誤差量ＤＶ’１～ＤＶ’６の各々は、第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６の相対的な関係を設定温度ＳＶ１～ＳＶ６の相対的な関係に一致させるために各ゾーンにおいて調整されるべき温度を表す。上記の構成によれば、補正量Ｃ１～Ｃ６が誤差量ＤＶ’１～誤差量ＤＶ’６に基づいて算出されるので、現在温度ＰＶ１～ＰＶ６の相対的な関係が、設定温度ＳＶ１～ＳＶ６の相対的な関係で維持されるようにＰＩＤ制御が行われる。
【0092】
これらの結果、第１～第６のゾーンの温度が複数の設定温度ＳＶ１～ＳＶ６から外れる場合でも、現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が複数の設定温度ＳＶ１～ＳＶ６の相対的な関係で維持されつつ迅速に複数の設定温度ＳＶ１～ＳＶ６に近づく。したがって、第１～第６のゾーンによる基板Ｗの熱処理を高い精度かつ短時間で行うことが可能になる。
【0093】
７．図１の熱処理装置１００を備える基板処理装置
図１０は、図１の熱処理装置１００を備える基板処理装置の一例を示す模式的ブロック図である。図１０に示すように、基板処理装置４００は、露光装置５００に隣接して設けられ、制御部４１０、塗布処理部４２０、現像処理部４３０、熱処理部４４０および基板搬送装置４５０を備える。熱処理部４４０は、基板Ｗに加熱処理を行う複数の図１の熱処理装置１００と、基板Ｗに冷却処理のみを行う複数のクーリングプレート（図示せず）とを含む。
図１０は、図１の熱処理装置１００を備える基板処理装置の一例を示す模式的ブロック図である。図１０に示すように、基板処理装置４００は、露光装置５００に隣接して設けられ、制御部４１０、塗布処理部４２０、現像処理部４３０、熱処理部４４０および基板搬送装置４５０を備える。熱処理部４４０は、基板Ｗに加熱処理を行う複数の図１の熱処理装置１００と、基板Ｗに冷却処理のみを行う複数のクーリングプレート（図示せず）とを含む。
【0094】
制御部４１０は、例えばＣＰＵおよびメモリ、またはマイクロコンピュータを含み、塗布処理部４２０、現像処理部４３０、熱処理部４４０および基板搬送装置４５０の動作を制御する。
【0095】
基板搬送装置４５０は、基板処理装置４００による基板Ｗの処理時に、基板Ｗを塗布処理部４２０、現像処理部４３０、熱処理部４４０および露光装置５００の間で搬送する。
【0096】
塗布処理部４２０は、未処理の基板Ｗの一面上にレジスト膜を形成する（塗布処理）。レジスト膜が形成された塗布処理後の基板Ｗには、露光装置５００において露光処理が行われる。現像処理部４３０は、露光装置５００による露光処理後の基板Ｗに現像液を供給することにより、基板Ｗの現像処理を行う。熱処理部４４０は、塗布処理部４２０による塗布処理、現像処理部４３０による現像処理、および露光装置５００による露光処理の前後に基板Ｗの熱処理を行う。それにより、基板処理装置４００における各種処理後の基板Ｗには、微細なパターンを有するレジスト膜が形成される。
【0097】
なお、塗布処理部４２０は、基板Ｗに反射防止膜を形成してもよい。この場合、熱処理部４４０には、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理を行うための処理ユニットが設けられてもよい。また、塗布処理部４２０は、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜を保護するためのレジストカバー膜を基板Ｗに形成してもよい。
【0098】
上記のように、熱処理装置１００においては、第１～第６のゾーンによる基板Ｗの熱処理を高い精度かつ短時間で行うことが可能である。したがって、図１０の基板処理装置４００によれば、多数の基板Ｗを高い精度で効率よく処理することが可能になる。
【0099】
８．他の実施の形態
（１）上記実施の形態に係る熱処理装置１００においては、ヒータ制御部５２により制御される複数のヒータｈ１～ｈ６が一の熱処理プレート１０に設定された第１～第６のゾーンを加熱するが、本発明はこれに限定されない。
（１）上記実施の形態に係る熱処理装置１００においては、ヒータ制御部５２により制御される複数のヒータｈ１～ｈ６が一の熱処理プレート１０に設定された第１～第６のゾーンを加熱するが、本発明はこれに限定されない。
【0100】
複数のヒータｈ１～ｈ６の各々は、一の熱処理プレートの全体を加熱するように構成されてもよい。この場合、熱処理装置１００が複数の基板Ｗを同時に熱処理可能な複数（例えば６個）の熱処理プレート１０を設けるとともに、複数の熱処理プレート１０にそれぞれヒータｈ１～ｈ６を設ける。それにより、複数の熱処理プレート１０を用いて複数の基板Ｗに均一な処理を行うことが可能になる。
【0101】
（２）上記実施の形態に係る熱処理装置１００においては、相対量ＳＲ１～ＳＲ６を算出するための代表値である第１の基準値ＳＶｍが加重平均の式により定義されるが、本発明はこれに限定されない。第１の基準値ＳＶｍは、相対量ＳＲ１～ＳＲ６の中央値であってもよいし、相対量ＳＲ１～ＳＲ６の最小値または最大値であってもよい。
【0102】
（３）上記実施の形態に係る熱処理装置１００においては、第２の基準値ＰＶｍは加重平均の式により定義されるが、本発明はこれに限定されない。第２の基準値ＰＶｍは、追従量ＰＦ１～ＰＦ６の中央値であってもよいし、追従量ＰＦ１～ＰＦ６の最小値または最大値であってもよい。
【0103】
（４）上記実施の形態に係る熱処理装置１００においては、補正量Ｃ［ｉ］は、誤差量ＤＶ’［ｉ］を用いた前件部１から算出される値と、微分値ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔを用いた前件部２から算出される値とを加算することにより算出されるが、本発明はこれに限定されない。補正量Ｃ［ｉ］は、上記の前件部１，２から算出される値に加えて、他の要素を考慮した新たな前件部から算出される値を用いることにより算出されてもよい。
【0104】
（５）上記実施の形態に係る熱処理装置１００においては、設定温度ＳＶ１～ＳＶ６は、１枚の基板Ｗの全体に均一な熱処理を行うために共通の値に設定されるが、本発明はこれに限定されない。設定温度ＳＶ１～ＳＶ６は、少なくとも一部の設定温度が他の設定温度とは異なる温度に設定されてもよい。
【0105】
（６）上記実施の形態に係る熱処理装置１００においては、熱処理プレート１０の上面が６個のゾーンに分割されているが、本発明はこれに限定されない。熱処理プレート１０の上面は、複数のゾーンに分割されていればよく、２個のゾーンに分割されてもよいし、８個のゾーンに分割されてもよい。この場合、熱処理プレート１０には、分割されたゾーンをそれぞれ加熱するためのヒータが設けられる。
【0106】
（７）上記実施の形態においては、熱処理装置１００は、基板Ｗに対して加熱処理を行うが、熱処理装置１００は基板Ｗに対して冷却処理のみを行うように構成されてもよい。この場合、図１の熱処理プレート１０には、例えばヒータｈ１～ｈ６に代えて熱処理プレート１０の上面の温度を低下させるための冷却機構２１が設けられる。
【0107】
基板Ｗに冷却処理が行われる場合、熱処理プレート１０は、初期状態で基板Ｗよりも低い設定温度で保持される。そのため、冷却処理の開始時に熱処理プレート１０上に基板Ｗが載置されると、熱処理プレート１０の温度は基板Ｗの熱を受けて設定温度から上昇する。
【0108】
冷却機構２１がペルチェ素子で構成される場合、ペルチェ素子を上記実施の形態の例と同様に制御することにより熱処理プレート１０上の第１～第６のゾーンの現在温度ＰＶ１～ＰＶ６を調整することができる。
【0109】
（８）上記実施の形態においては、熱処理プレート１０を加熱する構成および冷却する構成を有する熱処理装置１００について説明したが、本発明はこれに限定されない。熱処理装置１００は、熱処理プレート１０を冷却する構成（上記の例では、能動冷却プレート２０、受動冷却プレート３０および昇降装置４０）を有さなくてもよい。
【0110】
９．請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、熱処理装置１００が熱処理装置の例であり、熱処理プレート１０の第１～第６のゾーンおよびヒータｈ１～ｈ６が複数の熱処理部の例であり、相対量算出部６１が相対量算出部の例であり、温度センサｓ１～ｓ６が検出部の例であり、追従量算出部６２が追従量算出部の例であり、誤差量算出部６３が誤差量算出部の例であり、ファジィ制御部ｆ１～ｆ６が補正部の例であり、ＰＩＤ制御部ｃ１～ｃ６がＰＩＤ制御部の例である。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明する。上記実施の形態では、熱処理装置１００が熱処理装置の例であり、熱処理プレート１０の第１～第６のゾーンおよびヒータｈ１～ｈ６が複数の熱処理部の例であり、相対量算出部６１が相対量算出部の例であり、温度センサｓ１～ｓ６が検出部の例であり、追従量算出部６２が追従量算出部の例であり、誤差量算出部６３が誤差量算出部の例であり、ファジィ制御部ｆ１～ｆ６が補正部の例であり、ＰＩＤ制御部ｃ１～ｃ６がＰＩＤ制御部の例である。
【0111】
また、設定温度ＳＶ１～ＳＶ６が複数の設定温度の例であり、第１の基準値ＳＶｍが第１の基準値の例であり、相対量ＳＲ１～ＳＲ６が複数の相対量の例であり、現在温度ＰＶ１～ＰＶ６が複数の現在温度の例であり、第２の基準値ＰＶｍが第２の基準値の例であり、追従量ＰＦ１～ＰＦ６が複数の追従量の例であり、誤差量ＤＶ’［ｉ］が誤差量の例であり、微分値ｄ（ＤＶ’ ［ｉ］）／ｄｔが微分値の例であり、補正量Ｃ［ｉ］が補正量の例である。
【0112】
また、補正ゲインＧ１［ｉ］（Ｇ１１～Ｇ１６）が第１の係数の例であり、式（２２）におけるＧ１［ｉ］×ＤＶ’［ｉ］が第１の積の例であり、補正ゲインＧ２［ｉ］（Ｇ２１～Ｇ２６）が第２の係数の例であり、式（２２）におけるＧ２［ｉ］×ｄ（ＤＶ’［ｉ］）／ｄｔが第２の積の例であり、熱処理プレート１０がプレート部材の例であり、熱処理プレート１０の上面の第１～第６のゾーンが載置面の複数の領域の例である。
【0113】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【符号の説明】
【0114】
１０…熱処理プレート，ｈ１～ｈ６…ヒータ，２０…能動冷却プレート，２１…冷却機構，２２…冷却駆動部，３０…受動冷却プレート，４０…昇降装置，４１…昇降駆動部，５０…制御装置，５２…ヒータ制御部，５３…冷却制御部，５４…昇降制御部，５５…温度取得部，６０…温度調整フィルタ部，６１…相対量算出部，６２…追従量算出部，６３…誤差量算出部，９０…操作部，１００…熱処理装置，４００…基板処理装置，４１０…制御部，４２０…塗布処理部，４３０…現像処理部，４４０…熱処理部，４５０…基板搬送装置，５００…露光装置，ｃ１～ｃ６…ＰＩＤ制御部，ｄ１～ｄ６…ヒータ駆動部，ｆ１～ｆ６…ファジィ制御部，ｓ１～ｓ６…温度センサ，Ｗ…基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】