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特許7442961ダイ間の直接的なワイヤ接続を伴うエッジ整列されたダイのスタックを有する３次元パッケージ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-02-26
(45)【発行日】2024-03-05
(54)【発明の名称】ダイ間の直接的なワイヤ接続を伴うエッジ整列されたダイのスタックを有する３次元パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 25/07 20060101AFI20240227BHJP
H01L 25/065 20230101ALI20240227BHJP
H01L 25/18 20230101ALI20240227BHJP
【ＦＩ】
H01L25/08 E
【請求項の数】
9
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2018154049
(22)【出願日】2018-08-20
(65)【公開番号】P2019068050
(43)【公開日】2019-04-25
【審査請求日】2021-08-18
(31)【優先権主張番号】15/721,703
(32)【優先日】2017-09-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】593096712
【氏名又は名称】インテル コーポレイション
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(74)【代理人】
【識別番号】100135079
【弁理士】
【氏名又は名称】宮崎 修
(72)【発明者】
【氏名】イー シュイ
(72)【発明者】
【氏名】フローレンス ポン
(72)【発明者】
【氏名】ヨーン ショーア
【審査官】高橋 優斗
(56)【参考文献】
【文献】特開２００２－２２２９１３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－２５１７６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－２６７３２１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－０５０７３７（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１１／００６２５９６（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００７－２２１１３９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ２３／００－２３／６６
Ｈ０１Ｌ２５／００－２５／１８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ＩＣパッケージを製造する方法であって、前記ＩＣパッケージは、
サブストレートと、
前記サブストレートに配置された２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイと、
を含み、
前記２つまたはそれ以上の前記ダイの全てのエッジが、相互に整列されており、
前記２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイのうち少なくとも２つのダイは、前記少なくとも２つのダイのうち１つに対してボンディングされた少なくとも１つのワイヤによって相互に直接的に接続されており、
前記２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイは、第１ダイと第２ダイとを含み、かつ、前記第１ダイと前記第２ダイとの間に少なくとも１つの中間ダイを含み、
前記第１ダイと前記第２ダイは、前記少なくとも１つのワイヤによって相互に直接的に接続されており、
前記ＩＣパッケージは、さらに、
前記２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの隣接するダイ間に配置されたダイ取付けフィルムを含み、
前記ダイ取付けフィルムは、ガラス転移温度を有し、前記ガラス転移温度において、または、前記ガラス転移温度を超える温度において、液化して表面張力を示し、それにより、上記スタックされたダイ間で自己整列を生じさせる、
方法。
【請求項2】
少なくとも１つのワイヤは、前記第１ダイと、前記第１ダイに隣接する前記少なくとも１つの中間ダイとにボンディングされている、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
少なくとも１つのワイヤは、前記第２ダイと、前記第２ダイに隣接する前記少なくとも１つの中間ダイとにボンディングされている、請求項２に記載の方法。
【請求項4】
前記少なくとも１つの中間ダイは、隣接するダイの１つまたはそれ以上のペアを含み、前記隣接するダイの１つまたはそれ以上のペアのダイは、少なくとも１つのワイヤのデイジーチェーン構成によって、ボンディングされ、直列に接続されている、
請求項１に記載の方法。
【請求項5】
少なくとも１つのワイヤは、前記第１ダイと、前記第２ダイとにボンディングされている、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
少なくとも１つのワイヤは、前記第１ダイと、前記少なくとも１つの中間ダイのうちいずれか１つとにボンディングされている、請求項４に記載の方法。
【請求項7】
少なくとも１つのワイヤは、前記第２ダイと、前記少なくとも１つの中間ダイのうちいずれか１つとにボンディングされている、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記２つまたはそれ以上のダイは、隣接しておらず、かつ、前記隣接していないダイにボンディングされている少なくとも１つのワイヤによって、相互に接続されている、請求項４に記載の方法。
【請求項9】
前記少なくとも１つのワイヤは、２００ミクロンより小さい長さを有している、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
現代の集積回路（IC）パッケージングにおいては、パッケージのフットプリントを増加させることなく、より高い集積度を可能にするために、複数のダイがスタックされ得る。本技術は３次元（3D）垂直パッケージングとして知られており、そして、垂直方向の配置においてフリップチップ技術またはダイ（dies）のワイヤボンディングを含み得る。フリップチップ技術のためのインフラストラクチャは一般的にワイヤボンディングよりも高価で、かつ、複雑であるため、ダイ相互接続（interconnection）のためのワイヤボンディングは、より低い信号帯域幅のアプリケーションのためのフリップチップ技術について大部分が使用されている。同じサイズを有するダイの3Dパッケージングのためのワイヤボンディングに係る１つのチャレンジは、ダイが真っ直ぐなコンフィグレーション（straight-up configuration）にスタックされている場合、すなわち、ダイのエッジが全て整列されている（all aligned）場合に、個々のダイからサブストレートに対して、および、次のダイへと戻って相互接続ワイヤをつなぐ（route）必要性である。そうしたコンフィグレーションにおいて、パッケージのフットプリントは概ねダイ自体のサイズである。この場合には長いワイヤのダイ－ダイ間相互接続（die-to-die interconnections）が必要であり、信号帯域幅を減少させている。代替的に、ダイは、シングルスタック（shingle stack）コンフィグレーションにスタックされてよく、そこではダイのエッジがオフセットされている。ここでは、ワイヤがダイ間に直接的にボンディングされてよく、短いダイ－ダイ間相互接続を生成している。しかし、パッケージのフットプリントは、スタックにおいて３つまたはそれ以上のダイを有している真っ直ぐな垂直スタックのフットプリントに対して著しく増加される。小さいフットプリントおよび高性能を有する低コストなパッケージに対する需要が高まっているので、現在のワイヤボンディングインフラストラクチャを利用して改善された3Dパッケージングに対する推進力が存在している。
【図面の簡単な説明】
【0002】
本開示の実施形態は、以下に示される詳細な説明から、および、本開示の様々な実施形態に係る添付図面からより完全に理解されるだろう。しかしながら、それらは、本開示を特定の実施形態について限定するものと理解されるべきではなく、説明と理解のためだけのものである。
【図1A】図１Ａは、本開示のいくつかの実施形態に従って、隣接するダイ間において直接的なワイヤボンドを有するサブストレート上の複数のダイに係る真っ直ぐにスタックされたダイのパッケージング構成のプロファイル図を示している。
【図2A】図２Ａは、本開示のいくつかの実施形態に従って、隣接していない（non-adjacent）ダイ間においてワイヤボンドを有するサブストレート上の複数のダイに係る真っ直ぐにスタックされたダイのパッケージング構成のプロファイル図を示している。
【図2B】図２Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に従って、スタックにおけるダイ間においてスタッガされた（staggered）ワイヤボンドを有するサブストレート上の複数のダイに係る真っ直ぐにスタックされたダイのパッケージング構成のプロファイル図を示している。
【図3C】図３Ｃは、本開示のいくつかの実施形態に従って、隣接するダイ間でワイヤをボンディングした後のエッジ整列された（edge-aligned）構成にスタックされた複数のダイのプロファイル図を示している。
【図4A】図４Ａは、本開示のいくつかの実施形態に従って、シングル構成にスタックされた２つのダイの平面図とプロファイル図の両方を示し、プレアライメントステップ（pre-alignment step）における２つのオフセットされたエッジを示している。
【発明を実施するための形態】
【0003】
ますますの、より小さく、かつ、より高性能な集積回路に対する需要は、3D統合（integration）およびパッケージングの開発を推進している。3Dデザインにおいて、個々のICダイは、垂直にスタックされ、かつ、相互接続されて、パッケージ内で実行される。個々のダイ間における相互接続は、ワイヤボンディングまたはフリップチップ技術によって達成することができる。フリップチップ相互接続は、直接的なダイ－ダイ間の半田ボンディングにより、非常に高性能の信号経路（signal path）と電源配線（power routing）を提供するが、インフラストラクチャが高価である。非常に高い帯域幅を必要としないアプリケーションについては、ワイヤボンディング相互接続が一般的には十分である。ワイヤボンディングツールはICファブ（IC fab）施設に非常に遍在しており、そして、その方法論は良好に確立されていて、この技術をより経済的なものにしている。
【0004】
ダイの相互接続のためのワイヤボンディングを利用する3D統合およびパッケージング処理（processing）は、垂直なダイ配置のための２つのカテゴリーへと分類される。第１は、ダイの１つ又は２つのエッジにおいてボンドパッドを露出するようにエッジがオフセットされた状態でパッケージサブストレート上にダイをスタックすることである。これは、業界においてはシングルスタッキング（shingle stacking）として知られており、そして、直接的なダイ－ダイ間のワイヤボンド相互接続が成されることを可能にする。シングルスタッキングにおいて、ダイは、接着性のダイ取付けフィルムまたはペーストを使用して相互に接着されている。第２の一般的な技術は、フィルムオーバーワイヤー（film-over-wire、 FOW）であり、そこでダイはエッジが整列された状態でパッケージサブストレート上にスタックされており、「真っ直ぐな（”straight-up”）」ダイのスタッキングとして知られている。真っ直ぐなダイのスタッキングにおいては、ワイヤボンディングがダイからサブストレートまで行われ、そこでは、ワイヤがダイの上部のパッドに対して、および、パッケージサブストレートのボンドフィンガ（bond finger）に対してボンディングされる。ダイは、スタックされ、そして、一度に１つボンディングされる。ダイに対して取付けられたワイヤを収容するために、ダイ取付けフィルムが、液化（liquefaction）ポイントまで上昇した温度において軟化され、そして、下のダイにおいて取付けられたワイヤの上を流れることができる。硬化すると、ダイ取付けフィルムは、下のダイにおけるワイヤおよびボンドパッドをカプセルに包んでいる（encapsulating）固化されたモールドを形成する。固体接着層（solid adhesion layer）も同様である。
【0005】
結果として生じるFOWパッケージは、シングルスタッキングから得られるものよりも小さなフットプリントを有している。真っ直ぐな又はエッジ整列されたコンフィグレーションは、パッケージの寸法とダイのスタックの寸法との間で１対１の対応、または、それに近いものを有するからである。一方で、パッケージの寸法とダイのスタック寸法との間の１対１より大きい対応が、シングルダイのスタックについて使用されている。パッケージサイズを縮小する要求を満たすために、FOWは、ソリューションを提供する。しかし、ダイ－サブストレート－ダイに係る相互接続長が長いせいで、信号経路が長いので帯域幅の観点でデバイス性能は譲歩される（compromised）。シングルスタッキングは、他方で、直接的にダイ－ダイ間でワイヤボンドされた相互接続のせいで、短い信号経路を提供するが、より大きなパッケージのフットプリントを結果として生じる。
【0006】
いくつかの実施形態は、真っ直ぐなダイのスタックが直接的なダイ－ダイ間のワイヤ相互接続を有することを可能にする3Dパッケージの構築ストラテジ（building strategy）を説明しており、FOW 3Dパッケージング技術のスペース節約（space-saving）の利点およびシングルスタック3Dパッケージングのより高いデバイス性能を取り入れている。いくつかの実施形態においては、シングルスタック（エッジがオフセットされた）ダイを真っ直ぐなダイのスタックへと自己整列（self-alignment）させることを促進するダイ取付けフィルムが使用されている。このパッケージ構築プロセスにおいては、ダイのスタックが、シングルスタッキングのダイ、および、ワイヤボンディングによる直接的なダイ－ダイ間の相互接続によって形成される。いくつかの実施形態においては、ダイ取付けフィルムを液化し、そして、ダイ間において液化したダイ取付けフィルムレイヤにおいて表面張力の下でダイを移動させるための、温度レジーム（temperature regime）が開発され、自己整列された真っ直ぐなダイのスタックへとエッジを一緒に引っ張っている。様々な実施形態に係る多くの技術的な効果が存在している。他の技術的効果が、様々な実施形態の説明および図面から明らかになるだろう。
【0007】
以下の説明においては、本開示に係る実施形態のより完全な説明を提供するために多数の詳細が説明される。しかしながら、当業者にとっては、本開示の実施形態がこれらの特定的な詳細なしで実施され得ることが明らかであろう。他の例においては、本開示の実施形態を不明瞭にすることを避けるために、周知の構造およびデバイスが、詳細ではなく、ブロック図の形態において示されている。
【0008】
実施形態の対応する図においては、信号が線（lines）を用いて表現されていることに留意する。いくつかの線は、より多くの構成信号経路（constituent signal path）を示すために、より厚くてよく、かつ／あるいは、主要な情報の流れ方向を示すために、１つまたはそれ以上の端部に矢印を有してよい。そうした表示は、限定するように意図されたものではない。むしろ、線は、回路または論理ユニットのより容易な理解を促進するために、１つまたはそれ以上の例示的な実施形態に関連して使用されている。あらゆる表現された信号は、デザイン上の必要性またはプリファレンスによって規定されるように、いずれかの方向に進み得る一つまたはそれ以上の信号を実際に含み、そして、あらゆる適切なタイプの信号スキーム（scheme）を用いて実施され得る。
【0009】
ここで、「ボンドパッド（”Bond pad”）」は、ICまたはマイクロエレクトロメカニカルシステム（Micro-Electro-Mechanical System、MEMS）デバイスといった、集積電子デバイスのテストポイントまたは外部電気接続に関連する電気ボンドパッドを一般的に参照している用語である。関連の産業用語は「ボンディングパッド（”bonding pad”）」および「バンプ（”bump”）」である。ここで、「半田バンプ（”solder bump）」または「半田ボール（”solder ball”）」は、表面実装技術を使用してパッケージの中へダイをさらにアセンブリするため、または、ワイヤボンディングのために、ボンドパッドに対して接合された半田ボールを一般的に参照している用語である
【0010】
本明細書の全体を通じて、および、請求項において、用語「ダイ（”die”）」は、集積回路または他のデバイスを含むセクションへと切り出される（diced）処理された半導体ウェハの小片（small piece）を一般的に参照するものである。
【0011】
ここで、用語「ダイのスタック（”Die stack”）」は、集積回路を含んでおり、ユニットとして機能するように相互接続されている、２つまたはそれ以上のダイの垂直アセンブリを一般的に参照するものである。
【0012】
用語「3Dパッケージ（”3D package”）」または「3D統合（”3D integration”）」は、ダイのスタックをICパッケージへとカプセル化するプロセスを一般的に参照するものであり、そこでは、3Dパッケージが、全ての回路を含む単一のダイのものより小さなフットプリントを有している。関連する用語は、以下のものを含んでいる。「エッジ整列された（”edge-aligned”）」ダイのスタックは、全てのエッジがオフセットを伴わずに整列されている同じサイズのダイのスタックである。このコンフィグレーションは、ときどき、「真っ直ぐな（”straight-up”）」ダイのスタックとして参照される。
【0013】
ここで、用語「オフセットエッジ（”offset edge”）」ダイのスタックは、相互に水平方向にオフセットされた１つまたはそれ以上のエッジを有する同じサイズのダイのスタックを一般的に参照するものである。このコンフィグレーションは、ときどき、「シングルスタック（”shingle stack”）」として参照される。
【0014】
ここで、用語「ワイヤボンディング（”wire bonding”）」は、ダイとパッケージサブストレートの両方におけるボンドパッドに対して細いワイヤを熱接合（thermal bonding）することによって、ダイから外部接点へ、または別のダイへの相互接続を作製する標準的な処理オペレーション動作を一般的に参照するものである。
【0015】
ここで、「デイジーチェーン（”daisy chain”）」は、スタックにおける３つまたはそれ以上の隣接するダイ間における直列的なワイヤ接続を一般的に示す用語である。ここで、用語「スタッガされた（”Staggered”）」は、スタックにおける隣接していないダイに対するワイヤ相互接続を一般的に参照するものであり、スタックにおける交互のダイ間において一般的に形成されるものである。
【0016】
この開示の全体を通じて使用される他の用語は、「接続された（”connected”）」を含み、直接的な接続を意味しており、あらゆる媒介なく、接続された物品間における電気的、機械的、または磁気的接続といったものである。用語「結合された（”coupled”）」は、直接的または間接的接続を意味しており、１つまたはそれ以上の受動的または能動的な媒介デバイスを通じて、接続された物品間における直接的な電気的、機械的、または磁気的接続、もしくは、間接的な接続といったものである。用語「回路（”circuit”）」または「モジュール（”module”）」は、所望の機能を提供するために相互に協働するように構成されている１つまたはそれ以上の受動的及び／又は能動的コンポーネントを参照することができる。「集積回路（”Integrated circuit”）」（IC）は、微細加工方法（microfabrication method）によって半導体ウェハサブストレート上にモノリシックに生産されるマイクロエレクトロニクス回路である。用語「信号（”signal”）」は、少なくとも１つの電流信号、電圧信号、磁気信号、または、データ／クロック信号を参照することができる。「一つ（”a”、”an”）」および「その（”the”）」の意味は、複数の参照を含むものである。「において（”in”）」の意味は、「中で（”in”）」および「上で（”on”）」を含んでいる。
【0017】
用語「実質的に（”substantially”）」、「近く（”close”）」、「概ね（”approximately”）」、「近い（”near”）」、「約（”about”）」は、（特に指定しない限り）目標値の＋／－１０％以内であることを一般的に参照するものである。そうでないものと特定されない限り、共通のオブジェクトを記述するための、序数形容詞である「第１（”first”）」、「第２（”second”）」、および「第３（”third”）」等の使用は、同様なオブジェクトの異なるインスタンスが参照されていることを単に示すだけであり、そのように記述されたオブジェクトが、時間的に、空間的に、ランク付けにおいて、または、あらゆる他の方法において、所定の順序である必要があることを意味するように意図されたものではない。
【0018】
本開示の目的のために、フレーズ「Ａ及び／又はＢ（”A and/or B”）」と「Ａ又はＢ（”A or B”）」は、（Ａ）、（Ｂ）または（Ａ及びＢ）を意味する。本開示の目的のために、フレーズ「Ａ、Ｂ，及び／又はＣ（”A、B、and/or C”）」は、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ａ及びＢ）、（Ａ及びＣ）、（Ｂ及びＣ）、または（Ａ、Ｂ、及びＣ）を意味する。
【0019】
「断面（”cross-section”）」および「平面（”plan”）」とラベル付けされたビューは、デカルト座標系内の直交面に対応している。従って、プロファイル図はｘ－ｚ平面において取得され、平面図はｘ－ｙ平面で取得される。典型的に、ｘ－ｚ平面におけるプロファイル図は断面図である。
【0020】
図１Ａは、デイジーチェーンコンフィグレーションにおいて隣接するダイ103を直列に相互接続しているワイヤ102を有する、エッジ整列されたダイのスタック101を含む、パッケージ100のプロファイル図を示している。図１Ａのプロファイル図においては個々のダイを相互接続している単一のワイヤ102が示されているが、この開示の実施形態は単一の相互接続に限定されるものではないこと、および、いくつかの実施形態においては、複数の平行ワイヤも、また、ｘ－ｙ平面において延びているエッジまたはダイに沿って存在してもよい。各ダイの間には、いくつかの実施形態に従って、接着フィルム104が存在し、隣接するダイ間で接着層を形成しており、そして、それに対してダイのスタック101がダイ取付けフィルム104によっても接着される、マウントサブストレート（mounting substrate）を伴っている。
【0021】
いくつかの実施形態において、マウントサブストレート105は、シリコン（silicon）、セラミック、ガラス、または、AB膜、エポキシ樹脂またはガラス強化エポキシ樹脂といった有機材料、から成るキャリアサブストレート（carrier substrate）であってよく、並びに、耐熱性樹脂のサブストレートまたはテープ、フェノール（phenolic）サブストレート、などであってよい。材料の例は、これらに限定されるわけではないが、シリカ（silica）、シリコン、酸化シリコン、二酸化シリコン、シリコンカーバイト、ガリウム、ヒ化ガリウム、燐化ガリウム、インジウム、燐化インジウム、ヒ化インジウム、酸化亜鉛、アンチモン化物、Ａｌ２Ｏ３、窒化ケイ素（ＳｉＮ３）、ムライト（Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＮ３）、ポリイミド、エポキシ、フェノール、シアネートエステル、ビスマレイミド、および、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン（ABS）である。
【0022】
いくつかの実施形態において、エッジ整列されたダイのスタック101におけるダイの数は無制限であってよいが、他の実施形態においては、典型的に４つ又は８つのダイがスタックされてよい。エッジ整列されたダイのスタック101のｚ高さは、ダイのスタック101に含まれる個々のダイ102の厚さ、および、ダイの数によってコントロールされる。個々のダイ102の厚さは、いくつかの実施形態において、１５０から２００ミクロンの範囲である。他の実施形態において、個々のダイ102は、７５ミクロンの厚さを有している。他の実施形態において、個々のダイ102は、２５ミクロンの厚さを有している 。
【0023】
図１Ａを続けると、ワイヤ103は、ダイのスタック101における隣接するダイ102間において相互接続を形成している。いくつかの実施形態に従って、ワイヤ103は、以下に説明するように、標準的なワイヤボンディング方法によってダイ－ダイ間でボンディングされてよい。ダイ－ダイ間のボンディングに加えて、ダイ－サブストレート間のボンディングも、また、図１Ａに示されている。そこでは、いくつかの実施形態に従って、ワイヤ106が、ダイのスタック101の最も下のダイをマウントサブストレート105のエッジ上に配置されているボンドフィンガ（bond finger）107に接続している。同じ大きさのダイのエッジが整列されている、FOWを使用している従来の真っ直ぐなダイのスタッキングにおいて、ワイヤは、スタックにおける個々のダイからパッケージサブストレート上のボンドフィンガへつながれ、そして、スタックの中でのダイ－ダイ間の通信のために他のダイへ再度つながれる（re-routed）。
【0024】
FOW方法を使用して、複数のワイヤが、真っ直ぐなスタックにおける個々のダイ間において単一のボンドフィンガに対してボンディングされる。例えば、ダイ間で共通の信号を分配するため、または、マウントサブストレートに対するグラウンド接続を形成するためである。いくつかの実施形態に従って、ボンドフィンガ107といったボンドフィンガがマウントサブストレート105上に配置され、そして、ダイと外部回路またはピンとの間で信号を伝送するために、サブストレートの別の部分へトレース（trace）として延びてよい。
【0025】
図１Ａに示すように、ボンドフィンガ107は、マウントサブストレート105上の周辺に配置されており、そして、ｙ方向において延在している。真っ直ぐなダイのスタックのFOWアセンブリとは対照的に、単一のワイヤ106がボンドフィンガ107に対してボンディングされ、従って、ｙ方向（y-dimension）のボンドフィンガの長さが低減され、次いで、ｙ方向のパッケージの長さを短くする。１つの例として、FOWといった従来の方法を使用すると４本のワイヤボンドを収容するためには、ｙ方向において０．５ｍｍのボンドフィンガ長さが必要である。ワイヤ106をボンドフィンガ107に対して取り付けるために単一のワイヤボンドを使用することによって、いくつかの実施形態においてその長さは０．２４ｍｍまで低減される。
【0026】
図１Ａをさらに参照すると、接着層104は、いくつかの実施形態に従って、隣接するダイ103の間に配置され、そして、ワイヤ102をカプセル化するダイ取付けフィルムである。より詳細に以下に説明されるように、接着層104は、いくつかの実施形態において、１５０℃－１６０℃のワイヤボンディングの温度範囲より高いガラス転移温度Ｔｇを有するエポキシ樹脂ポリマーフィルムを含む。ここで、樹脂の粘度（viscosity）は、流れを示すために十分低く、従って、上昇した温度において溶融する（undergoing a melt）。いくつかの実施形態において、接着層104は、ウェハレベルにおいて部分的に架橋結合された（cross-linked）半固体（semisolid）ラミネートフィルムとして適用され、次いで、ウェハをダイシングした後ではダイに取付けられたままである。接着層104は、Ｂステージ接着剤（B-stage adhesive）として機能する。ここで、樹脂は柔らかく、かつ、柔軟であるが、いったんダイのスタック101の中へ組立てられると、約１５０℃のワイヤボンド温度まで、ダイ103をその位置に保持するよう十分に強い。
【0027】
１５０℃を超える温度において、いくつかの実施形態に従って、接着層104は、それらのＴｇを超えて温度上昇され、かつ、液化し、樹脂が流れることができる。いくつかの実施形態において、接着層104は、Ｔｇ（１５０℃－１６０℃）を超える液体状態において表面張力を示し、そして、最初から相互にオフセットされているダイのスタック101の中でダイの自発的な自己整列（self-alignment）を生じさせる。この挙動について１つのメカニズムは、一旦樹脂が液化すると、（主に酸化ケイ素から成る）ダイ102の高エネルギー表面との樹脂の接触面積が最大化することである。このようにして、樹脂の表面エネルギーが最小化される。ダイのスタックの組立て以前に、接着層104は、ウェハレベルにおいてダイ103の底面側に取付けられる。
【0028】
ダイのスタック101の組立ての最中に、いくつかの実施形態に従って、ダイ103は、シングルスタック（shingle stack）されてよく、階段状（stair-step）またはオフセットされたコンフィグレーションを形成している。Ｔｇを超えるところでは、液状樹脂の表面張力が、下のダイにわたりオフセットされたダイを引っ張り、シングルスタックコンフィグレーションから図１Ａにおけるダイのスタック101といった、エッジ整列されたダイのスタックへとダイ103が自発的に自己整列することを生じさせている。これらの条件の下で、接着層104は、ダイ103間のコンフォーマル（conformal）な取付けが可能であり、そして、いくつかの実施形態に従って、ダイ103の上面側に配置されたボンドパッドに対して取付けられたワイヤの上にモールドすることができる。ダイのスタック101といった、この開示の実施形態に従ってエッジ整列されたダイのスタックを生産するための１つの例示的な組立プロセスが以下に説明される。
【0029】
図１Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に従って、図１Ａのパッケージ100の平面図を示している。図１Ｂにおいては、パッケージ100とダイのスタック101が上面から見られ、サブストレート相互接続ワイヤ106を通じたボンドフィンガ107を伴うダイのスタックの相互接続の詳細を示している。いくつかの実施形態において、サブストレート相互接続ワイヤ106は、図１Ａに示されるように、ダイのスタック101における最も下のダイに対してボンディングされる。他の実施形態において、ダイのスタック10において、より上の１つまたはそれ以上のダイ103は、マウントサブストレート105上のパッドまたはボンドフィンガと直接的に相互接続される。
【0030】
図１Ｂに示されているのは、マウントサブストレート105上に配置された複数のボンディングパッド108である。描写においては、いくつかの実施形態に従って、大部分のボンディングパッド108は使用されていない。他の実施形態においては、ダイのスタック101とボンドパッド108との間に複数の相互接続が作成されてよい。ダイ間の（inter-die）ワイヤ102は、図において直線として現れるが、ダイのスタックにおいて上面のダイ103のリーディングエッジ上に分布したボンドパッド109からｚ方向に沿って下に向かって延在している。いくつかの実施形態においては、図１Ａに示されるように、図１Ｂに示される全てのダイ間のワイヤ102が、隣接する下のダイに対して直接的にボンディングされている。他の実施形態においては、いくつかのダイ間のワイヤ102が、ダイのスタック101における、より下の隣接しないダイに対してボンディングされている。
【0031】
ダイのスタック101の中のダイ－ダイ間の相互接続は、隣接するダイ間で相互接続のカスケード（cascade）が作成される、デイジーチェーン構成に限定されるものではない。ダイ－ダイ間の相互接続は、また、ダイ間の信号経路の要求によって指示されるように、いくつかの実施形態に従って、交互のダイの間でワイヤを取付けることによって、または、そうでなければ、ダイのスタック101の中で隣接していないダイ間にワイヤを取付けることによって行うこともできる。いくつかの実施形態においては、複数のダイをダイのスタック101の中の特定なダイに対して取付けることができる。
【0032】
図２Ａには、隣接していないダイ間の相互接続を伴うワイヤボンディング構成の例が示されており、パッケージ200aおよびダイのスタック101を示している。相互接続ワイヤ202は、ダイのスタック201aの中で隣接していないダイを接続し、そして、相互接続ワイヤ102は、ダイのスタック101において隣接するダイを接続している。図２ａに示されるワイヤは同一平面内にある。いくつかの実施形態において、ダイ203は、ダイ204と205に対して並列に接続され、そして、ダイ206は、ダイ107とダイ208に対して並列に接続されている。図２Ａの平面において、ダイ203、204および205は、ダイ206、207および2085から隔離されるように表わされている。この平面において、信号経路はダイ相互接続スキームを規定している。
【0033】
例えば、第１データ信号がダイ203によって生成され、そして、保管または処理のためにダイ204と205へ送られる（routed）。第２データ信号は、ダイ206によって独立して生成され、そして、図の平面におけるダイボンドパッド109から、保管または処理のためにダイ207と208に送られる。ここで、相互接続ワイヤ202は、同じ位置（ｙ－ｚ平面）における他のダイ上に配置されたボンドパッドに対して接続されている。いくつかの実施形態において、ダイ203-205のうちいずれか１つは、別のｙ－ｚ平面におけるダイ206-208のいずれか１つと相互接続されてよく、別のｙ－ｚ平面における別のダイボンドパッド109の位置に対応している。いくつかの実施形態において、図の平面の下での信号経路は、ダイ206-208のうちいずれか１つからダイ203-205のいずれか１つに対して信号を伝える。いくつかの実施形態においては、図の平面の下の１つまたはそれ以上の平面における１つまたはそれ以上の相互接続の相互接続ワイヤ102によってダイ205がダイ206に対して接続されている。ダイ208は、また、ダイのスタック201aの外部の回路に対して信号をルーティング（routing）するためにボンドフィンガ107に対して接続されて示されている。
【0034】
例えば、４個ダイのスタックにおける隣接するダイ間の相互接続が典型的に１．２ｍｍのオーダーであるFOW処理において使用される相互接続ワイヤ長とは対照的に、ここにおいては、この開示のいくつかの実施形態に従って、相互接続ワイヤ102と202の長さが著しく短縮される。例えば、相互接続ワイヤは、ダイのスタックにおける個々のダイからサブストレート上のボンドフィンガに対してつながれ、そして、ダイのスタックの中の他のダイに対して戻される。いくつかの実施形態において、ダイの厚さｔＤは１００ミクロンである。ダイ－ダイ間の間隔は、また、接着層104の厚さｔＦによって決定される。いくつかの実施形態において、ｔＦは４０ミクロンである。隣接するダイを接続している相互接続ワイヤ102は対応して長く、ここで、その長さは、いくつかの実施形態において、１００ミクロンのオーダーである。相互接続ワイヤ102の長さは、水平および垂直成分を有する最初のループ長（initial loop length）に依存しており、そして、以下に説明されるように、最初のスタックアセンブリにおけるダイのオフセットに関連している。デバイス性能の観点から、直接的なダイ－ダイ間の相互接続によって、信号帯域幅における大幅な改善が獲得される。いくつかの実施形態に従って、より短いワイヤは、FOWのダイのスタックにおけるワイヤルーティングによって得られるものよりもインダクタンスが小さく、ダイ間でより高いデータレートを可能にするからである。
【0035】
図２Ｂにおいては、スタッガされた（staggered）相互接続構成が示されており、ここで、ダイのスタック201bにおける一つ置きのダイ間において相互接続が作成されている。交互のダイが、いくつかの実施形態に従って、この信号ルーティング方式において相互接続されている。ダイ209とダイ211は１つの相互接続ワイヤ203によって相互接続されており、ダイ210はダイ212に対して、また、相互接続ワイヤ203によって接続されており、そして、ダイ213はダイ215に対して接続されている。ダイ212も、また、ダイ214に対して接続されている。スタッガされたダイ相互接続スキームは、隣接していないダイをペアにし、それは他のダイのペアから隔離されるように見えるが、ダイのペアは、図２Ｂにおいては示されていない他のｙ－ｚ平面において相互接続ワイヤによって相互接続され得る。
【0036】
いくつかの実施形態において、ダイ212はプロセッサチップであり、そして、ダイ210および214に対して相互接続されており、それらはメモリチップである。いくつかの実施形態において、ダイ209と211は、プロセッサ／メモリチップのペアであり、ダイ213とダイ215も同様である。相互接続ワイヤ102よりは長いが、相互接続ワイヤ203は、いくつかの実施形態に従って、FOWのダイのスタックにおけるダイ－ダイ間の相互接続のために必要とされるものよりも著しく短いものである。
【0037】
図３Ａは、本開示の実施形態に従って、エッジ整列されたダイのスタックアセンブリを形成する方法に係るプロセスを示しており、ここでは、本開示のいくつかの実施形態に従って、ダイのリーディングエッジ又はその近くのパッドに対するワイヤボンディングのための準備として、シングル（shingle）構成300においてスタックされたダイのアセンブリに係るプロファイル図である。
【0038】
図３Ａにおいて、ダイのスタック301は、ダイ103がサブストレート105上でｙ方向にエッジがオフセットされてスタックされている、シングル構成において予めアセンブリされて示されており、ダイ103のリーディングエッジがボンドフィンガ107に近接した状態である。いくつかの実施形態において、ダイ103は、ｘ方向（例えば、図に係る平面の上と下）およびｙ方向の両方においてエッジがオフセットされた状態にスタックされている。エッジがオフセットされた（シングル）構成において、ボンドパッド108がワイヤボンディングのために露出されている。ダイ103は、接着層104によって互いに付着されており、ここで、いくつかの実施形態においては、アセンブリがＢステージ（B-staged）である。
【0039】
いくつかの実施形態において、接着層104は、ウェハの裏面の上にラミネートされるダイ取付けフィルムであり、そこからダイが切断される。いくつかの実施形態において、接着層104は、スピンコーティングまたはスプレーコーティングによって、そこからダイが個片化される（singulated）ウェハに対して液体形状で適用される。いくつかの実施形態において、接着層は、個片化されたダイに対してペースト（paste）として適用される。いくつかの実施形態においては、図３Ａに示されるダイのスタックアセンブリの段階（stage）において、ダイのスタック301を構築することができるように、接着層104が部分的に半固体状態に硬化される。サブストレート105の上に第１ダイ103を取付け（tacking down）、次いで、第２ダイ103をエッジがオフセットされている第１ダイ103の上面に取付けること、等を、ダイのスタック301が完全に組立てられるまで行うことによるものである。接着層104の接着は適度であり、そして、概ね１５０℃の温度でのワイヤボンディングに対してアセンブリを一緒に保持するために十分強いものである。
【0040】
図３Ｂは、本開示のいくつかの実施形態に従って、隣接するダイ間でワイヤをボンディングした後の、シングル構成のダイのスタックにおいてスタックされている複数のダイを含むパッケージ300のプロファイル図を示している。
【0041】
図３Ｂにおいて、隣接するダイ103は、高温（例えば、概ね１５０℃）でのワイヤボンディング工程の最中に、ワイヤ102によってデイジーチェーン構成において相互接続される。いくつかの実施形態においては、ワイヤボンディングプロセスによって、ボール109が形成され、かつ、ボンドパッド108に対してボンディングされ、そして、次いで、ワイヤ102がボール109に対して接合される。ワイヤ102とボール109のための材料は、これらに限定されるわけではないが、いくつかの実施形態に従って、金、銅、銀、アルミニウム、およびアルミニウム合金のうちいずれか１つであってよい。いくつかの実施形態において、ワイヤ102は、以下の方法で順方向に結合される。
【0042】
第１のワイヤ102の第１端は、第１ダイ103の第１のボンドパッド108上の第１のボール109に対して接合され、そして、第２端は、第１ダイ103の下の第２ダイ103における第２のボンドパッド108に対してステッチボンド（stich bonded）される。本プロセスが、次いで繰り返されて、第２のワイヤ102の第１端が、第２のボンドパッド108上の第２のボール109に対して接合され、そして、第２のワイヤ102の第２端が、第２ダイ103の下の第３ダイ103における第３のボンドパッド108に対してステッチボンドされる。最後に、サブストレート105上のボンドフィンガ107に対してワイヤ取付けが形成される。他の実施形態においては、ワイヤ102が逆ボンディング（reverse bond）される。いくつかの実施形態において、ワイヤ102のループ長さは、オフセットを収容するようにダイ103の厚さよりわずかに大きい。
【0043】
図３Ｂにおいて示されているのは、また、ダイ103間のオフセット距離ｄ、および、ダイのスタック301の累積オフセットＤである。いくつかの実施形態において、ｄは、０．３－０．５ｍｍである。５個のダイを含むダイのスタック301については、図３Ａと図３Ｂに示されるように、累積オフセットＤが１．２－２ｍｍであり、これがｙ方向におけるダイの長さに加えられ、結果として、ダイのスタックのフットプリントが、ダイの長さと合計されたＤに等しくなる。さらに多くのダイを含むダイのスタックについては、オフセットＤがより大きく、パッケージ300の全体的なフットプリントが増加する。
【0044】
図３Ｃは、本開示のいくつかの実施形態に従って、隣接するダイ間でワイヤをボンディングした後の、エッジ整列された（edge-aligned）構成における複数のダイを含む３Ｄパッケージ３００のプロファイル図を示している。
【0045】
図３Ｃにおいて、ダイ103は自己整列を受けており、ここでは、接着層104における表面張力が、高温でダイのエッジを自発的に整列させて、オフセットｄを取り除いている。その結果、いくつかの実施形態に従って、エッジ整列されたダイのスタックは、また、隣接するダイ間において短い相互接続も有している。他の実施形態において、相互接続ワイヤは、隣接していないダイに対してボンディングされている。そうした構成は、FOW方法を使用しては達成することができない。ダイのスタックの組立て最中にダイがエッジ整列されるからであり、それぞれの相互接続ワイヤはダイおよびボンドフィンガに対して別々にボンディングされている。FOWアセンブリにおいては真っ直ぐなスタックのせいでパッケージスペースが節約されるが、デイジーチェーンのダイは、一緒にあるいはその反対で直接的なダイ間の接続が可能ではない。
【0046】
いくつかの実施形態に従って、横方向の寸法におけるパッケージスペースの節約（saving）は、ｙ－方向において少なくとも距離Ｄである。ここにおいて説明されるように、このようにして製造された3Dパッケージは、いくつかの実施形態に従って、１－２ｍｍだけ削減されたフットプリントを有することができ、一方で、直接的なダイ間の接続を有している。短い相互接続により、信号帯域幅が増加され、デバイス性能を向上させている。
【0047】
図４Ａは、本開示のいくつかの実施形態に従って、シングル構成にスタックされた２つのダイを含むダイのスタック400の平面図とプロファイル図の両方を示し、プレアライメントステップ（pre-alignment step）における２つのオフセットされたエッジを示している。
【0048】
自己整列プロセスの説明が図４Ａと図４Ｂに示されている。図４Ａにおいては、ダイのスタック400における２つの垂直にスタックされたダイ401と402が示されており、ｘ－方向とｙ－方向の両方においてエッジがオフセットされている。プロファイル図は、ダイ401と402との間に介在している接着層104を示している。ダイのスタックが接着層104のガラス転移温度（Ｔｇ）を超える温度に曝されると、ダイ401は、ｘ－方向とｙ－方向の両方において自発的にダイ402と整列する。このことが、矢印で示されている。
【0049】
いくつかの実施形態において、接着層104は、ガラス転移温度（Ｔｇ）を超え、かつ、硬化の前に非常に低い粘度を有する特性を有しているエポキシ樹脂である。いくつかの実施形態において、接着層104は、１３０℃と１４０℃の間のＴｇを有している。いくつかの実施形態において、接着層104は、Ｔｇを超える温度において、５００Ｐａ－ｓと１００Ｐａ－ｓ（Pascal-seconds）の間、又は、５×１０５から５×１０６センチポアズ（ｃＰ）の範囲の粘度を有している。いくつかの実施形態において、接着層104は、１５０℃と３００℃との間で５×１０７と７×１０７Ｐａとの間の範囲の弾性率を有している。いくつかの実施形態において、接着層104は、４０分と５０分との間の硬化時間を有しており、ここで、硬化時間は、接着層104の温度がＴｇ又はそれより高い温度にまで上昇した時点から測定される。いくつかの実施形態において、接着層104は、接着層104の温度がＴｇ又はそれより高い硬化温度に達する時間の間に５×１０５
ｃＰにおいて実質的に一定な粘度を有しており、温度が急激に上昇するまで、硬化温度に対する４０分から５０分の露出の後で急速な潜在的架橋結合（latent cross-linking）が発生するので、硬化フェイズの終了を示している。
【0050】
図４Ｂにおいては、自己整列プロセスが完了している。ここでは、ダイ401のエッジがダイ402のエッジと実質的に整列されている。接着層104は、接着層104のＴｇを超えて液化するので、表面張力がダイ401をダイ402に対して移動させ、ダイ402の上でダイ401を引っ張っている。いくつかの実施形態において、接着層104は、シリコンの酸化物を含む、ダイ401と402の高エネルギー極性表面（high-energy polar surfaces）に対して強い親和性（affinity）を有している。ダイ402に対するダイ401の移動は、エッジが整列されるまで継続する。オーバーラップが最大であるときに接着層104とダイ表面との間の接触面積が最大となり、結果として熱力学的に安定な状態を生じるからである。いくつかの実施形態において、硬化フェイズが始まる前に、自己整列ができるように接着層104が最適化されている。いくつかの実施形態において、自己整列プロセスは、接着層104のＴｇを超える温度において４０分未満で完了する。一旦硬化すると、接着層104は、熱硬化性樹脂へと変換し、いくつかの実施形態に従って、変形または溶融し得ない固体の安定したポリマー材料を形成している。
【0051】
図５は、本開示のいくつかの実施形態に従って、隣接するダイに対してボンディングされたワイヤを有しているエッジ整列されたダイのスタックを作製するための例示的プロセスに係るフローチャート500を示している。図５を参照するとフローチャートにおけるブロックは特定の順序で示されているが、動作の順序は変更することができる。従って、図示される実施形態は異なる順序において実行することができ、そして、いくつかのアクション／ブロックは並行して実行されてよい。図５においてリストされているブロック及び／又はオペレーションのうちいくつかは、所定の実施形態に従って、任意的なものである。示されるブロックの番号付けは、明確化のためであり、そして、その中で様々なブロックが発生することを要するオペレーションの順序を規定するように意図されたものではない。加えて、様々なフローからのオペレーションは、様々な組み合わせにおいて利用することができる。
【0052】
図５に示されるフローチャート500によって説明される例示的なプロセスフローは、直接的なダイ間のワイヤボンドを有しているエッジ整列されたダイのスタックを含む3D統合パッケージを作成するための図３Ａから図４Ｂを通じた説明をまとめており、そして、オペレーション501-508を含んでいる。オペレーション501においては、マウントサブストレート上に取付けだれるダイが、パッケージのために受取られる。いくつかの実施形態においては、ダイを支え持つウェハが、接着層104について説明された特性を有しているダイ取付けフィルム（die attach film、DAF）を用いて裏面上にラミネートされる。ダイを支え持つウェハは、次に、個々のダイへと個片化され、それぞれがDAFを保持している。いくつかの実施形態において、ダイ取付けフィルムは、ダイシング（dicing）ダイ取付けフィルム（DDAF）である。
【0053】
図５におけるオペレーション502においては、２つまたはそれ以上のダイが、図３Ａに示されるようなシングルスタック構成を有する垂直スタックへと組立てられる。いくつかの実施形態において、オペレーション502は、ピックアンドプレイス（pick-and-place）装置を用いて実行される。いくつかの実施形態において、ダイは、室温において一緒にプレスされる。いくつかの実施形態において、ダイは、DAFのＴｇより低い高温において一緒にプレスされる。ここで、DAFは取付けを促進するために軟化し、Bステージ接着剤を形成している。
【0054】
オペレーション503において、相互接続ワイヤは、垂直スタックにおけるダイそれぞれに対してボンディングされる。いくつかの実施形態においては、ワイヤボンディングを自動化するためにワイヤボンディングマシンが使用される。いくつかの実施形態においては、隣接するダイのペアが、隣接するダイを直列にボンディングすることによってデイジーチェーン接続される。いくつかの実施形態においては、隣接しないダイを含むダイのペアが、スタックの中の隣接していないダイの間にワイヤを取付けることによって相互接続される。いくつかの実施形態においては、順方向（forward）ワイヤボンディングが使用される。いくつかの実施形態においては、逆（reverse）ワイヤボンディングが使用される。いくつかの実施形態においては、ボールボンディングが使用される。いくつかの実施形態においては、複数のワイヤが各ダイに対してボンディングされる。
【0055】
オペレーション504において、ダイのスタックの温度は、DAFが液化するようにDAFのＴｇを超えて上昇される。
【0056】
オペレーション505において、ダイのスタックの温度は、図４Ａと図４Ｂについて上述したように、ダイの自己整列を可能にするために十分に長く保持される。いくつかの実施形態において、保持時間は４０分から５０分である。いくつかの実施形態において、自己整列プロセスはアラインメント治具（alignment jig）によって支援されている（assisted）。いくつかの実施形態において、自己整列プロセスは、真空を適用することによって支援されている。
【0057】
オペレーション506においては、最終的な硬化のために温度を上昇させる。いくつかの実施形態において、温度を１５０℃と１６０℃の間まで上昇させる。
【0058】
オペレーション507においては、DAFを硬化させるために温度が保持される。オペレーション508においては、3Dパッケージが完成され、そして、カプセル化される。
【0059】
図６は、本開示のいくつかの実施形態に従って、コンピューティングデバイス600の実装におけるシステムオンチップ（SoC）パッケージの一部として直接的なダイ間の接続を有しているエッジ整列されたダイのスタックを含む3Dパッケージを用いたパッケージを示している。いくつかの実施形態において、SoCのいくつか又は全てのブロックは、ダイのエッジが整列されるように、3Dパッケージにおいてスタックされ得る。
【0060】
図６は、フラットサーフェスインターフェイスコネクタを使用することができるモバイル機器の一つの実施形態に係るブロック図を示している。いくつかの実施形態において、コンピューティングデバイス600は、コンピューティングタブレット、携帯電話またはスマートフォン、無線対応（wireless-enabled）ｅリーダー、または他の無線モバイル機器といった、モバイルコンピューティングデバイスを表している。所定のコンポーネントが一般的に示されており、そして、そうしたデバイスに係る全てのコンポーネントがコンピューティングデバイス600の中に示されているのではないことが理解されよう。
【0061】
いくつかの実施形態において、コンピューティングデバイス600は、第１プロセッサ610を含んでいる。本開示の様々な実施形態は、また、システムの実施形態が、例えば、携帯電話またはパーソナルデジタルアシスタントである、無線デバイスの中へと組み込まれ得るように、無線インターフェイスといったネットワークインターフェイス670も中に含んでよい。
【0062】
一つの実施形態において、プロセッサ610は、マイクロプロセッサ、アプリケーションプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルロジックデバイス、または、他の処理手段といった、１つまたはそれ以上の物理デバイスを含むことができる。プロセッサ610によって実行される処理オペレーションは、その上でアプリケーション及び／又はデバイス機能が実行されるオペレーティングプラットフォームまたはオペレーティングシステムの実行を含んでいる。処理オペレーションは、人間のユーザまたは他のデバイスとのＩ／Ｏ（入力／出力）に関するオペレーション、電力管理に関連するオペレーション、及び／又は、コンピューティングデバイス600を別のデバイスに対して接続することに関するオペレーションを含む。処理オペレーションは、また、オーディオＩ／Ｏ、及び／又は、ディスプレイＩ／Ｏに関連するオペレーションも含んでよい。
【0063】
一つの実施形態において、コンピューティングデバイス600は、オーディオサブシステム620を含み、コンピューティングデバイスに対してオーディオ機能を提供することに関連するハードウェア（例えば、オーディオハードウェアとオーディオ回路）およびソフトウェア（例えば、ドライバ、コーデック）コンポーネントを表している。オーディオ機能は、スピーカ及び／又はヘッドフォン出力、並びにマイク入力を含み得る。そうした機能のためのデバイスは、コンピューティングデバイス600の中へ組み込まれ、または、コンピューティングデバイス600に接続され得る。一つの実施形態において、ユーザは、プロセッサ610により受信され、かつ、処理されるオーディオコマンドを提供することによって、コンピューティングデバイス600とインタラクションする。
【0064】
ディスプレイサブシステム630は、ユーザがコンピューティングデバイス600とインタラクションするための視覚的及び／又は触覚的なディスプレイを提供するハードウェア（例えば、ディスプレイデバイス）とソフトウェア（例えば、ドライバ）コンポーネントを表している。ディスプレイサブシステム630は、ユーザに対して表示を提供するために使用される特定のスクリーンまたはハードウェアデバイスを含むディスプレイインターフェイス632を含んでいる。一つの実施形態において、ディスプレイインターフェイス632は、ディスプレイに関連する少なくともいくつかの処理を実行するために、プロセッサ610とは別個のロジックを含んでいる。一つの実施形態において、ディスプレイサブシステム630は、出力と入力の両方をユーザに対して提供するタッチスクリーン（またはタッチパッド）デバイスを含んでいる。
【0065】
Ｉ／Ｏコントローラ640は、ユーザとのインタラクションに関係するハードウェアデバイスとソフトウェアコンポーネントを表している。Ｉ／Ｏコントローラ640は、オーディオサブシステム620及び／又はディスプレイサブシステム630の一部であるハードウェアを管理するように動作可能である。加えて、Ｉ／Ｏコントローラ640は、コンピューティングデバイス600に対して接続する追加のデバイスのための接続ポイントを示しており、それを通じてユーザはシステムとインタラクションすることができる。例えば、コンピューティングデバイス600に対して取付けることができるデバイスは、マイクロホンデバイス、スピーカまたはステレオシステム、ビデオシステムまたは他のディスプレイデバイス、キーボードまたはキーパッドデバイス、もしくは、カードリーダーまたは他のデバイスといった特定のアプリケーションを伴う使用のための他のＩ／Ｏデバイス、を含んでよい。
【0066】
上述のように、Ｉ／Ｏコントローラ640は、オーディオサブシステム620及び／又はディスプレイサブシステム630とインタラクションすることができる。例えば、マイクロフォンまたは他のオーディオデバイスを通じた入力は、コンピューティングデバイス600に係る１つまたはそれ以上のアプリケーションまたは機能に対して入力またはコマンドを提供することができる。さらに、ディスプレイ出力の代わりに、または、加えて、オーディオ出力が提供され得る。別の実施例においては、ディスプレイサブシステム630がタッチスクリーンを含む場合に、ディスプレイデバイスは、また、Ｉ／Ｏコントローラ640によって少なくとも部分的に管理され得る入力デバイスとしても動作する。Ｉ／Ｏコントローラ640によって管理されるＩ／Ｏ機能を提供するために、コンピューティングデバイス600上に追加のボタンまたはスイッチが存在してもよい。
【0067】
一つの実施形態において、Ｉ／Ｏコントローラ640は、加速度計、カメラ、光センサまたは他の環境センサ、といったデバイス、もしくは、コンピューティングデバイス600に中に含まれ得る他のハードウェアを管理する。入力は、直接的なユーザインタラクションの一部であってよく、同様に、オペレーション（ノイズに対するフィルタリング、輝度検出のためのディスプレイ調整、カメラについてフラッシュの適用、または、他の機能といったもの）に影響を及ぼすためにシステムに対して環境的入力を提供している。
【0068】
一つの実施形態において、コンピューティングデバイス600は、バッテリ電力使用、バッテリの充電、および省電力オペレーションに関連する機能を管理する電力管理650を含んでいる。メモリサブシステム660は、コンピューティングデバイス600の中に情報を保管するためのメモリデバイスを含んでいる。メモリは、不揮発性（メモリデバイスへの電力が中断された場合に状態が変化しない）、及び／又は、揮発性（メモリデバイスへの電力が中断された場合に状態が不確定である）メモリデバイスを含み得る。メモリサブシステム660は、アプリケーションデータ、ユーザデータ、音楽、写真、ドキュメント、または他のデータを保管することができる。コンピューティングデバイス600のアプリケーションおよび機能の実行に関連するシステムデータ（長期であろうと又は一時的なものであろうと）も同様である。
【0069】
実施形態に係るエレメントは、また、コンピュータで実行可能なインストラクションを保管するためのマシンで読取り可能な媒体（例えば、メモリ660）としても提供される。マシンで読取り可能な媒体は、これらに限定されるわけではないが、フラッシュメモリ、光ディスク、CD-ROM、DVD ROM、RAM、EPROM、EEPROM、磁気または光カード、相変化メモリ（PCM）、もしくは、電子またはコンピュータで実行可能なインストラクションを保管するのに適した他のタイプのマシンで読取り可能な媒体、を含んでよい。例えば、本開示の実施形態は、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）から、要求しているコンピュータ（例えば、クライアント）へ、通信リンク（例えば、モデムまたはネットワーク接続）を介してデータ信号により伝送されるコンピュータプログラム（例えば、BIOS）としてダウンロードされ得る。
【0070】
ネットワークインターフェイス670を介する接続性は、コンピューティングデバイス600が外部デバイスと通信できるようにするためのハードウェアデバイス（例えば、無線及び／又は有線コネクタ、および、通信ハードウェア）およびソフトウェアコンポーネント（例えば、ドライバ、プロトコルスタック）を含んでいる。コンピューティングデバイス600は、別個のデバイスであってよい。他のコンピューティングデバイス、無線アクセスポイントまたは基地局、並びに、ヘッドセット、プリンタ、または他のデバイスなどの周辺機器、といったものである。
【0071】
ネットワークインターフェイス670は、複数の異なるタイプの接続性を含むことができる。一般的に、コンピューティングデバイス600は、セルラー接続性（cellular connectivity）672および無線接続性（wireless connectivity）674を伴って示されている。セルラー接続性672は、一般に、無線キャリアによって提供されるセルラーネットワーク接続性を参照する。GSM（移動通信のためのグローバルシステム）またはその変形又は派生物、CDMA（符号分割多元接続）またはその変形又は派生物、TDM（時分割多重化）またはその変形又は派生物、もしくは、他のセルラーサービス標準を介して提供されるといった、ものである。無線接続性（または、無線インターフェイス）674は、セルラーではない無線接続性を参照しており、そして、パーソナルエリアネットワーク（ブルートゥース（登録商標）、ニアフィールド、等）、ローカルエリアネットワーク（Wi-Fi、等）、及び／又は、ワイドエリアネットワーク（WiMax、等）、または、他の無線通信を含み得る。
【0072】
周辺接続680は、ハードウェアインターフェイスとコネクタを含む。周辺接続を行うためのソフトウェアコンポーネント（例えば、ドライバ、プロトコルスタック）も同様に含んでいる。コンピューティングデバイス600は、他のコンピューティングデバイスに対する周辺デバイス（「に対して（”to”）」682）であってよく、同様に、自身に接続されている周辺デバイス（「からの（”from”）」684）を有してもよく、両方であり得ることが理解されよう。コンピューティングデバイス600は、一般に、コンピューティングデバイス600上のコンテンツを管理（例えば、ダウンロード及び／又はアップロード、変更、同期化）する、といった目的のために他のコンピューティングデバイスに対して接続するための「ドッキング（”docking”）」コネクタを有している。加えて、ドッキングコネクタにより、コンピューティングデバイス600は所定の周辺機器に対して接続することができる。コンピューティングデバイス600は、例えばオーディオビジュアルまたは他のシステムに対する、コンテンツ出力を制御することができる。
【0073】
専有のドッキングコネクタまたは他の専有の接続ハードウェアに加えて、コンピューティングデバイス600は、一般的または標準ベースのコネクタを介して周辺接続680を作成することができる。一般的なタイプは、ユニバーサルシリアルバス（USB）コネクタ（数多くの異なるハードウェアインターフェイスのいずれも含み得るもの）、ミニディスプレイポート（Mini Display Port、MDP）を含むディスプレイポート、エイチディーエムアイ（High Definition Multimedia Interface、HDMI）、Firewire、または他のタイプのもの、を含んでよい。
【0074】
本明細書における「実施形態（”an embodiment”）」、「一つの実施形態（”one embodiment”）」、「いくつかの実施形態（”some embodiment”）」、または「他の実施形態（”other embodiment”）」への言及は、実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造、または特性が、必ずしも全ての実施形態ではないが、少なくともいくつかの実施形態に含まれることを意味している。「実施形態」、「一つの実施形態」、または「いくつかの実施形態」の様々な出現は、必ずしも全てが同じ実施形態を参照しているのではない。明細書が、コンポーネント、特徴、構造、または特性が含まれ得る（”may”、”might”、または”could）と記載する場合には、特定のコンポーネント、特徴、構造、または特性が含まれることを要求するものではない。明細書または請求項が、「一つの（”a”、または”an”）」エレメントを参照する場合に、それはエレメントのうち１つだけが存在することを意味するものではない。明細書または請求項が、「追加の（”an additional”）」エレメントを参照する場合に、それは１つ以上の追加のエレメントが存在することを排除するものではない。
【0075】
さらに、特定の特徴、構造、機能、または特性は、あらゆる適切な方法で、１つまたはそれ以上の実施形態において組み合わせることができる。例えば、第１の実施形態は、２つの実施形態に関連する特定の特徴、構造、機能、または特性が相互に排他的ではなければどこでも、第２の実施形態と組み合わせることができる。
【0076】
本開示は、その特定の実施形態と関連して説明されてきたが、そうした実施形態の多くの代替、変更、および変形が、前述の説明に照らして当業者にとっては明らかであろう。本開示の実施形態は、そうした代替、変更、および変形の全てを、添付の請求項の広い範囲内にあるものとして、包含するように意図されている。
【0077】
加えて、集積回路（IC）チップおよび他のコンポーネントに対する周知の電源／グラウンド接続は、提示される図の中に示されても、示されなくてもよい。図示および説明の簡素化のため、そして、本開示を不明瞭にしないためである。さらに、本開示を不明瞭にすることを避けるために、そして、また、そうしたブロック図構成の実施に関する詳細は、そこの中で本開示が実施されるプラットフォームに大きく依存するという事実を考慮して、構成がブロック図で示されてよい（すなわち、そうした詳細は良好に当業者の理解の範囲内にあるべきである）。本開示の例示的な実施形態を説明するために特定の詳細（例えば、回路）が明らかにされている場合には、これらの特定の詳細を伴わずに、または、その変形を用いて本開示が実施され得ることが当業者にとって明らかである。本説明は、従って、限定するものではなく、例示的なものとしてみなされるべきである。
【0078】
以下の実施例は、さらなる実施形態に関係するものである。実施例における詳細は、１つまたはそれ以上の実施形態においてどこでも使用することができる。ここにおいて説明される装置に係る全ての任意的な特徴は、また、方法またはプロセスに関して実施されてもよい。
【0079】
実施例１は、サブストレートと、サブストレートに配置された２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイとを含む、ＩＣパッケージである。ここで、２つまたはそれ以上のダイの全てのエッジは、相互に整列されており、かつ、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイのうち少なくとも２つのダイは、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイのうち１つのダイに対してボンディングされた少なくとも１つのワイヤによって直接的に接続されている。
【0080】
実施例２は、実施例１に係る全ての特徴を含み、さらに、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの隣接するダイ間に配置されたダイ取付けフィルムを含んでいる。ここで、ダイ取付けフィルムは、ダイ取付けフィルムの概ねガラス転移温度において液化する。
【0081】
実施例３は、実施例１に係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの少なくとも２つのダイは、互いに隣接している。
【0082】
実施例４は、実施例１に係る全ての特徴を含み、さらに、サブストレートに配置されたボンドフィンガ（bond finger）を含んでいる。ここで、ボンドフィンガは、３００ミクロン、または、より少ない長さを有している。
【0083】
実施例５は、実施例２に係る全ての特徴を含み、ここで、ダイ取付けフィルム厚さは、４０ミクロンより小さい。
【0084】
実施例６は、実施例１に係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイは、第１ダイと第２ダイとを含み、かつ、第１ダイと第２ダイとの間に少なくとも１つの中間ダイが配置されている。
【0085】
実施例７は、実施例６に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、第２ダイと、第２ダイの直ぐ上の少なくとも１つの中間ダイとにボンディングされている。
【0086】
実施例８は、実施例６または７に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、第２ダイと、第２ダイの直ぐ上の少なくとも１つの中間ダイとにボンディングされている。
【0087】
実施例９は、実施例６乃至８のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つの中間ダイは、２つまたはそれ以上の中間ダイを含む。そして、２つまたはそれ以上の中間ダイは、２つまたはそれ以上の中間ダイのそれぞれに対してボンディングされている少なくとも１つのワイヤのデイジーチェーン構成によって、直列に接続されている。
【0088】
実施例１０は、実施例６乃至９のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、第１ダイと、第２ダイとにボンディングされている。
【0089】
実施例１１は、実施例６乃至９のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、第１ダイと、少なくとも１つの中間ダイのうちいずれか１つとにボンディングされている。
【0090】
実施例１２は、実施例６乃至９のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、第２ダイと、少なくとも１つの中間ダイのうちいずれか１つとにボンディングされている。
【0091】
実施例１３は、実施例６乃至１２のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上の中間ダイは、２つの隣接する中間ダイにボンディングされている少なくとも１つのワイヤによって、隣接して接続されている。
【0092】
実施例１４は、実施例６乃至１２のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上の中間ダイは、２つの隣接していない中間ダイにボンディングされている少なくとも１つのワイヤによって、相互に隣接しないように接続されている。
【0093】
実施例１５は、実施例１に係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上のダイは、実質的に同じ長さと同じ幅を有している。
【0094】
実施例１６は、実施例７乃至９のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、２００ミクロンより小さい長さを有している。
【0095】
実施例１７は、方法であり、一方の側にラミネートされたダイ取付けフィルムを有している少なくとも２つのダイを受取るステップと、少なくとも２つのダイをシングルに垂直なダイのスタックに構成するステップであり、少なくとも２つのダイは少なくとも１つの軸方向において横方向にオフセットされたエッジを有しているステップと、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップと、垂直なダイのスタックの温度を少なくともダイ取付けフィルムのガラス転移温度まで上昇させるステップと、少なくとも２つのダイの横方向にオフセットされたエッジが横方向のオフセットが実質的に無くなるように自己整列するまで垂直なダイのスタックの温度を保持するステップと、垂直なダイのスタックの温度をダイ取付けフィルムの硬化温度まで上昇させるステップと、ダイ取付けフィルムが実質的に硬化されるまで垂直なダイのスタックの温度を保持するステップと、を含む。
【0096】
実施例１８は、実施例１７に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第２ダイと少なくとも２つのダイのうち第３ダイとにボンディングするステップ、を含む。
【0097】
実施例１９は、実施例１７に係る全ての特徴を含み、ここで、垂直なダイのスタックの温度を硬化温度まで上昇させるステップは、垂直なダイのスタックの温度を１６０℃と１８０℃の間まで上昇させるステップ、を含む。
【0098】
実施例２０は、実施例１７に係る全ての特徴を含み、ここで、垂直なダイのスタックの温度を少なくともダイ取付けフィルムのガラス転移温度まで上昇させるステップは、垂直なダイのスタックの温度を１５０℃と１６０℃の間まで上昇させるステップ、を含む。
【0099】
実施例２１は、実施例１７に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイの横方向にオフセットされたエッジが自己整列するまで垂直なダイのスタックの温度を保持するステップは、少なくとも２つのダイの自己整列を支援するために垂直なダイのスタックを垂直方向アラインメント治具の中に置くステップ、を含む。
【0100】
実施例２２は、実施例１７に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイの横方向にオフセットされたエッジが自己整列するまで垂直なダイのスタックの温度を保持するステップは、少なくとも２つのダイの自己整列を支援するために真空を適用するステップ、を含む。
【0101】
実施例２３は、実施例１７または１８に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイのうち第１ダイは垂直なダイのスタックのうち一番上のダイであり、かつ、少なくとも２つのダイのうち第２ダイは垂直なダイのスタックのうち一番下のダイである。
【0102】
実施例２４は、実施例１７または１８に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイのうち第３ダイは垂直なダイのスタックのうち中間ダイである。
【0103】
実施例２５は、実施例１７、１８、２３、および２４のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも１つのワイヤを一番上のダイと、一番下のダイとにボンディングするステップ、を含む。
【0104】
実施例２６は、実施例１７、１８、２３、および２４のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも１つのワイヤを一番上のダイと、一番上のダイの直ぐ下に配置されている少なくとも１つの中間ダイとにボンディングするステップ、を含む。
【0105】
実施例２７は、実施例１７、１８、２３、および２４のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも１つのワイヤを一番下のダイと、一番下のダイの直ぐ上に配置されている少なくとも１つの中間ダイとにボンディングするステップ、を含む。
【0106】
実施例２８は、実施例１７、１８、２３、および２４のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、２つまたはそれ以上の中間ダイそれぞれにボンディングされている少なくとも１つのワイヤをデイジーチェーン構成にボンディングするステップ、を含む。
【0107】
実施例２９は、実施例１７、１８、２３、２４、および２８のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも１つのワイヤを一番上のダイと、少なくとも１つの中間ダイのいずれかとにボンディングするステップ、を含む。
【0108】
実施例３０は、実施例１７、１８、２３、２４、および２８のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも１つのワイヤを一番下のダイと、少なくとも１つの中間ダイのいずれかとにボンディングするステップ、を含む。
【0109】
実施例３１は、実施例１７、１８、２３、２４、および２８のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも２つの隣接する中間ダイにボンディングするステップ、を含む。
【0110】
実施例３２は、実施例１７、１８、２３、２４、および２８のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも２つの隣接する中間ダイにボンディングするステップ、を含む。
【0111】
実施例３３は、実施例１７、１８、２３、２４、および２８のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも２つのダイが相互接続されるように、少なくとも１つのワイヤを少なくとも２つのダイのうち第１ダイと少なくとも２つのダイのうち第２ダイとにボンディングするステップは、少なくとも２つの隣接していない中間ダイにボンディングするステップ、を含む。
【0112】
実施例３４は、実施例１７に係る全ての特徴を含み、ここで、一方の側にラミネートされたダイ取付けフィルムを有している少なくとも２つのダイを受取るステップは、ダイへと個片化する以前に、一方の側にラミネートされたダイ取付けフィルムを有しているウェハから切断された少なくとも２つのダイを受取るステップ、を含む。
【0113】
実施例３５は、実施例１７または３４に係る全ての特徴を含み、ここで、ダイ取付けフィルは液体状態でウェハの一方の側にラミネートされている。
【0114】
実施例３６は、実施例１７、３４、および３５のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、ダイ取付けフィルムのガラス転移温度は１５０℃と１６０℃との間である。
【0115】
実施例３７はシステムであり、メモリに対して接続されたプロセッサと、プロセッサが別のデバイスと通信できるようにする無線インターフェイスと、を含む。ここで、プロセッサ及び／又はメモリは、サブストレートに配置された少なくとも１つの垂直に統合されたダイのスタックを含み、垂直に統合されたダイのスタックは２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイであり、２つまたはそれ以上のダイの全てのエッジが整列されており、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイのうち少なくとも２つのダイは２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの各ダイに対してボンディングされた少なくとも１つのワイヤによって直接的に接続されている、スタックされたダイと、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの隣接するダイ間に配置されたダイ取付けフィルムであり、ダイ取付けフィルムの概ねガラス転移温度において液化するダイ取付けフィルムと、を含む。
【0116】
実施例３８は、実施例３７に係る全ての特徴を含み、さらに、サブストレートに配置されたボンドフィンガを含んでいる。ここで、ボンドフィンガは、３００ミクロン、または、より少ない長さを有している。
【0117】
実施例３９は、実施例３７に係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイは、一番上のダイと一番下のダイ、および、一番上のダイと一番下のダイとの間に配置されている中間ダイ、を含む。
【0118】
実施例４０は、実施例３７または３９に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤが、一番上のダイと、一番上のダイの直ぐ下に配置されている少なくとも１つの中間ダイとにボンディングされている。
【0119】
実施例４１は、実施例３７または３９に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤはが、一番下のダイと、一番下のダイの直ぐ上に配置されている少なくとも１つの中間ダイとにボンディングされている。
【0120】
実施例４２は、実施例３７または３９に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つの中間ダイは２つまたはそれ以上の中間ダイを含み、かつ、２つまたはそれ以上のダイは、２つまたはそれ以上の中間ダイそれぞれにボンディングされている少なくとも１つのワイヤのデイジーチェーン構成によって直列に接続されている。
【0121】
実施例４３は、実施例３７または３９に係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤが、一番上のダイと一番下のダイとにボンディングされている。
【0122】
実施例４４は、実施例３７、３９、および４１のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、一番上のダイと、少なくとも１つの中間ダイのうちいずれか１つとにボンディングされている。
【0123】
実施例４５は、実施例３７、３９、および４１のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、少なくとも１つのワイヤは、一番下のダイと、少なくとも１つの中間ダイのうちいずれか１つとにボンディングされている。
【0124】
実施例４６は、実施例３７、３９乃至４５のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上の中間ダイは、２つの隣接するダイにボンディングされた少なくとも１つのワイヤによって相互に隣接して接続されている。
【0125】
実施例４７は、実施例３７、３９乃至４５のいずれか１つに係る全ての特徴を含み、ここで、２つまたはそれ以上の中間ダイは、２つの隣接していないダイにボンディングされた少なくとも１つのワイヤによって相互に隣接しないように接続されている。
【0126】
実施例４８は、少なくとも１つの垂直に統合されたダイのスタックをカプセル化するためのサブストレート手段を含むＩＣパッケージである。ここで、垂直に統合されたダイのスタックは、２つまたはそれ以上のダイの全てのエッジが相互に整列されている２つまたはそれ以上の垂直に統合されたダイのスタックを含み、かつ、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの少なくとも２つのダイは、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの各ダイにボンディングされた少なくとも１つのワイヤによって直接的に接続されている。
【0127】
実施例４９は、実施例４８に係る全ての特徴を含み、さらに、垂直にスタックされたダイのうち２つまたはそれ以上の隣接するダイを付着するためのダイ取付け手段を含む。ダイ取付け手段は、２つまたはそれ以上の垂直にスタックされたダイの隣接するダイの間に配置されている。
【0128】
要約が提供され、それにより読者は技術的開示の本質と要点を確認することができる。要約は、請求項の範囲または意味を限定するためには使用されないということ理解して提出されている。以降の請求項は、ここにおいて詳細な説明の中に組み込まれており、自身で独立している各請求項は、別個の実施形態としてのものである。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【図6】