(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-02-26
(45)【発行日】2024-03-05
(54)【発明の名称】リアクトル及び昇圧回路
(51)【国際特許分類】
H01F 37/00 20060101AFI20240227BHJP
H01F 27/24 20060101ALI20240227BHJP
H01F 27/255 20060101ALI20240227BHJP
H02M 3/155 20060101ALI20240227BHJP
【ＦＩ】
H01F37/00 A
H01F37/00 M
H01F27/24 H
H01F27/24 K
H01F27/24 J
H01F27/255
H02M3/155 W
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2019072961
(22)【出願日】2019-04-05
(65)【公開番号】P2020170822
(43)【公開日】2020-10-15
【審査請求日】2022-03-02
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】000134257
【氏名又は名称】株式会社トーキン
(74)【代理人】
【識別番号】100117341
【弁理士】
【氏名又は名称】山崎 拓哉
(74)【代理人】
【識別番号】100148840
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 健志
(74)【代理人】
【識別番号】100191673
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邉 久典
(72)【発明者】
【氏名】阿部 有希
(72)【発明者】
【氏名】山家 孝志
(72)【発明者】
【氏名】近藤 将寛
(72)【発明者】
【氏名】遠藤 卓哉
(72)【発明者】
【氏名】赤木 啓祐
【審査官】石坂 博明
(56)【参考文献】
【文献】中国実用新案第２０５０１６３４１（ＣＮ，Ｕ）
【文献】特開２０１８－０７４１４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１６８５８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－２１１３３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１９０９５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－１２２３５９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ ３７／００
Ｈ０１Ｆ ２７／２４
Ｈ０１Ｆ ２７／２５５
Ｈ０２Ｍ ３／１５５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１コイルと、第２コイルと、コアとを備えるリアクトルであって、前記第１コイル及び前記第２コイルの夫々は、前記コアに埋設されており、
前記第１コイルは、上下方向に延びる第１巻軸を有する第１コイル本体部を備えており、
前記第２コイルは、前記上下方向に延びる第２巻軸を有する第２コイル本体部を備えており、
前記第１コイル本体部及び前記第２コイル本体部は、前記上下方向と直交する横方向に離間して並置されており、
前記コアは、上側高比透磁率部材と、下側高比透磁率部材と、低比透磁率部材とを備えており、
前記上側高比透磁率部材及び前記下側高比透磁率部材の夫々は、前記低比透磁率部材よりも高い比透磁率を有しており、
前記上側高比透磁率部材は、第１上側コアと、第２上側コアとを有しており、
前記下側高比透磁率部材は、第１下側コアと、第２下側コアとを有しており、
前記第１上側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第１下側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２上側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２下側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記低比透磁率部材は、前記第１コイル本体部の内周の内側と、前記第１コイル本体部の外周の外側と、前記第２コイル本体部の内周の内側と、前記第２コイル本体部の外周の外側とに少なくとも配置されており、
前記上側高比透磁率部材は、前記横方向と平行なスリットを有している
リアクトル。
【請求項2】
請求項１記載のリアクトルであって、
前記下側高比透磁率部材は、前記横方向と平行なスリットを有している
リアクトル。
【請求項3】
第１コイルと、第２コイルと、コアとを備えるリアクトルであって、
前記第１コイル及び前記第２コイルの夫々は、前記コアに埋設されており、
前記第１コイルは、上下方向に延びる第１巻軸を有する第１コイル本体部を備えており、
前記第２コイルは、前記上下方向に延びる第２巻軸を有する第２コイル本体部を備えており、
前記第１コイル本体部及び前記第２コイル本体部は、前記上下方向と直交する横方向に離間して並置されており、
前記コアは、上側高比透磁率部材と、下側高比透磁率部材と、低比透磁率部材とを備えており、
前記上側高比透磁率部材及び前記下側高比透磁率部材の夫々は、前記低比透磁率部材よりも高い比透磁率を有しており、
前記上側高比透磁率部材は、第１上側コアと、第２上側コアとを有しており、
前記下側高比透磁率部材は、第１下側コアと、第２下側コアとを有しており、
前記第１上側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第１下側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２上側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２下側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記低比透磁率部材は、前記第１コイル本体部の内周の内側と、前記第１コイル本体部の外周の外側と、前記第２コイル本体部の内周の内側と、前記第２コイル本体部の外周の外側とに少なくとも配置されており、
前記下側高比透磁率部材は、前記横方向と平行なスリットを有している
リアクトル。
【請求項4】
請求項１から請求項３までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記第１上側コア及び前記第２上側コアの夫々は、前記上下方向及び前記横方向の双方と直交するスリットを有している
リアクトル。
【請求項5】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記第１下側コア及び前記第２下側コアの夫々は、前記上下方向及び前記横方向の双方と直交するスリットを有している
リアクトル。
【請求項6】
請求項１から請求項５までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記上側高比透磁率部材は、前記横方向における前記第１上側コアと前記第２上側コアとの間にギャップを有している
リアクトル。
【請求項7】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記下側高比透磁率部材は、前記横方向における前記第１下側コアと前記第２下側コアとの間にギャップを有している
リアクトル。
【請求項8】
請求項１から請求項７までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記第１コイル及び前記第２コイルの夫々は、フラットワイズダブルパンケーキ巻きコイルである
リアクトル。
【請求項9】
請求項１から請求項８までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記上側高比透磁率部材及び前記下側高比透磁率部材の夫々は、圧粉コアであり、
前記低比透磁率部材は、硬化した結合剤と、前記結合剤内部に分散配置された軟磁性体粉末とを有する複合磁性体からなるコアである
リアクトル。
【請求項10】
請求項１から請求項９までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記第１コイル本体部と前記第２コイル本体部との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たす
リアクトル。
【請求項11】
請求項１から請求項１０までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記低比透磁率部材の比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たす
リアクトル。
【請求項12】
請求項１から請求項１１までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記上側高比透磁率部材の比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たし、
前記下側高比透磁率部材の比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たす
リアクトル。
【請求項13】
請求項１から請求項１２までのいずれかに記載のリアクトルであって、前記リアクトルは、ケースを更に有しており、
前記第１コイル、前記第２コイル及び前記コアは、前記ケース内に配置されている
リアクトル。
【請求項14】
請求項１３記載のリアクトルであって、前記ケースは、開口部を有しており、
前記開口部は、前記上下方向と直交する方向に開口している
リアクトル。
【請求項15】
電源と、第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、第１整流素子と、第２整流素子と、請求項１から請求項１４までのいずれかに記載のリアクトルとを備える昇圧回路であって、前記第１スイッチング素子と、前記第１整流素子と、前記リアクトルの前記第１コイルとは、前記電源の出力をチョッピングして昇圧する第１昇圧チョッパ回路を構成しており、
前記第２スイッチング素子と、前記第２整流素子と、前記リアクトルの前記第２コイルとは、前記電源の出力をチョッピングして昇圧する第２昇圧チョッパ回路を構成しており、
前記第１昇圧チョッパ回路と前記第２昇圧チョッパ回路とは、並列に接続されており、
前記第１昇圧チョッパ回路及び前記第２昇圧チョッパ回路の夫々をインターリーブ動作させる
昇圧回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、２つのコイルと、コアとを備えるリアクトル及びリアクトルを備える昇圧回路に関する。
【背景技術】
【0002】
大電流に対応した昇圧回路として、リアクトルを用いたインターリーブ方式の昇圧回路が求められている。リアクトルを用いたインターリーブ方式の昇圧回路としては、例えば特許文献１に開示されている。このような昇圧回路に用いられるリアクトルとしては、例えば、特許文献２に開示されたものがある。図１７を参照すると、特許文献２のリアクトル９００は、２つのコイル９１０と、コア９５０と、中蓋９８０とを有している。コア９５０は、磁性粉末と樹脂とを混合して、所定の型に充填し、成形された注型コアである。２つのコイル９１０は、コア９５０に埋め込まれている。中蓋９８０は、樹脂からなる円環状の平板である。中蓋９８０は、２つのコイル９１０の間に挟まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開平１０－１２７０４９号公報
【文献】特開２０１７－１６８５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献２のリアクトル９００においては、２つのコイル９１０の結合係数が高いほど磁気特性が向上する。また、図１８を参照して、特許文献２のリアクトル９００のようなリアクトルを２相のインターリーブ方式の昇圧回路に用いた場合、リップル電流抑制の観点から、昇圧比（Ｄｕｔｙ比）を０．５、２つのコイルの結合係数（絶対値）を１とした構成が最も望ましく、昇圧比を０．５から外れた値に設定した場合、結合係数（絶対値）を高くすると急激にリップル電流が増大する。
【0005】
一方、実際の仕様に合わせて、昇圧回路に適した昇圧比にある程度の幅を持たせたいとのニーズがある。このように、ある程度の幅の昇圧比の範囲において、高い磁気特性とリップル電流の抑制を両立するためには、２つのコイルの結合係数を適切な値に調整する必要がある。
【0006】
そこで本発明は、２つのコイルの結合係数を適切な値に調整可能なリアクトルを提供することを目的とする。また、本発明の目的は、このようなリアクトルを用いた昇圧回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本出願人は、鋭意検討を重ねた結果、２つのコイルの上下に高比透磁率のコアを配置し、コイルの内周の内側と外周の外側に低比透磁率のコアを配置することにより、２つのコイルの結合係数を適切な値に調整できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
即ち、本発明は、第１のリアクトルとして、
第１コイルと、第２コイルと、コアとを備えるリアクトルであって、
前記第１コイル及び前記第２コイルの夫々は、前記コアに埋設されており、
前記第１コイルは、上下方向に延びる第１巻軸を有する第１コイル本体部を備えており、
前記第２コイルは、前記上下方向に延びる第２巻軸を有する第２コイル本体部を備えており、
前記第１コイル本体部及び前記第２コイル本体部は、前記上下方向と直交する横方向に離間して並置されており、
前記コアは、上側高比透磁率部材と、下側高比透磁率部材と、低比透磁率部材とを備えており、
前記上側高比透磁率部材及び前記下側高比透磁率部材の夫々は、前記低比透磁率部材よりも高い比透磁率を有しており、
前記上側高比透磁率部材は、第１上側コアと、第２上側コアとを有しており、
前記下側高比透磁率部材は、第１下側コアと、第２下側コアとを有しており、
前記第１上側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第１下側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２上側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２下側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記低比透磁率部材は、前記第１コイル本体部の内周の内側と、前記第１コイル本体部の外周の外側と、前記第２コイル本体部の内周の内側と、前記第２コイル本体部の外周の外側とに少なくとも配置されている
リアクトルを提供する。
第１コイルと、第２コイルと、コアとを備えるリアクトルであって、
前記第１コイル及び前記第２コイルの夫々は、前記コアに埋設されており、
前記第１コイルは、上下方向に延びる第１巻軸を有する第１コイル本体部を備えており、
前記第２コイルは、前記上下方向に延びる第２巻軸を有する第２コイル本体部を備えており、
前記第１コイル本体部及び前記第２コイル本体部は、前記上下方向と直交する横方向に離間して並置されており、
前記コアは、上側高比透磁率部材と、下側高比透磁率部材と、低比透磁率部材とを備えており、
前記上側高比透磁率部材及び前記下側高比透磁率部材の夫々は、前記低比透磁率部材よりも高い比透磁率を有しており、
前記上側高比透磁率部材は、第１上側コアと、第２上側コアとを有しており、
前記下側高比透磁率部材は、第１下側コアと、第２下側コアとを有しており、
前記第１上側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第１下側コアは、前記上下方向において前記第１コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２上側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記第２下側コアは、前記上下方向において前記第２コイル本体部の下端よりも下側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、
前記低比透磁率部材は、前記第１コイル本体部の内周の内側と、前記第１コイル本体部の外周の外側と、前記第２コイル本体部の内周の内側と、前記第２コイル本体部の外周の外側とに少なくとも配置されている
リアクトルを提供する。
【0009】
また、本発明は、第２のリアクトルとして、第１のリアクトルであって、
前記第１上側コア及び前記第２上側コアの夫々は、前記上下方向及び前記横方向の双方と直交するスリットを有している
リアクトルを提供する。
前記第１上側コア及び前記第２上側コアの夫々は、前記上下方向及び前記横方向の双方と直交するスリットを有している
リアクトルを提供する。
【0010】
また、本発明は、第３のリアクトルとして、第１又は第２のリアクトルであって、
前記第１下側コア及び前記第２下側コアの夫々は、前記上下方向及び前記横方向の双方と直交するスリットを有している
リアクトルを提供する。
前記第１下側コア及び前記第２下側コアの夫々は、前記上下方向及び前記横方向の双方と直交するスリットを有している
リアクトルを提供する。
【0011】
また、本発明は、第４のリアクトルとして、第１から第３までのいずれかのリアクトルであって、
前記上側高比透磁率部材は、前記横方向における前記第１上側コアと前記第２上側コアとの間にギャップを有している
リアクトルを提供する。
前記上側高比透磁率部材は、前記横方向における前記第１上側コアと前記第２上側コアとの間にギャップを有している
リアクトルを提供する。
【0012】
また、本発明は、第５のリアクトルとして、第１から第４までのいずれかのリアクトルであって、
前記下側高比透磁率部材は、前記横方向における前記第１下側コアと前記第２下側コアとの間にギャップを有している
リアクトルを提供する。
前記下側高比透磁率部材は、前記横方向における前記第１下側コアと前記第２下側コアとの間にギャップを有している
リアクトルを提供する。
【0013】
また、本発明は、第６のリアクトルとして、第１から第５までのいずれかのリアクトルであって、
前記上側高比透磁率部材は、前記横方向と平行なスリットを有している
リアクトルを提供する。
前記上側高比透磁率部材は、前記横方向と平行なスリットを有している
リアクトルを提供する。
【0014】
また、本発明は、第７のリアクトルとして、第１から第６までのいずれかのリアクトルであって、
前記下側高比透磁率部材は、前記横方向と平行なスリットを有している
リアクトルを提供する。
前記下側高比透磁率部材は、前記横方向と平行なスリットを有している
リアクトルを提供する。
【0015】
また、本発明は、第８のリアクトルとして、第１から第７までのいずれかのリアクトルであって、
前記第１コイル及び前記第２コイルの夫々は、フラットワイズダブルパンケーキ巻きコイルである
リアクトルを提供する。
前記第１コイル及び前記第２コイルの夫々は、フラットワイズダブルパンケーキ巻きコイルである
リアクトルを提供する。
【0016】
また、本発明は、第９のリアクトルとして、第１から第８までのいずれかのリアクトルであって、
前記上側高比透磁率部材及び前記下側高比透磁率部材の夫々は、圧粉コアであり、
前記低比透磁率部材は、硬化した結合剤と、前記結合剤内部に分散配置された軟磁性体粉末とを有する複合磁性体からなるコアである
リアクトルを提供する。
前記上側高比透磁率部材及び前記下側高比透磁率部材の夫々は、圧粉コアであり、
前記低比透磁率部材は、硬化した結合剤と、前記結合剤内部に分散配置された軟磁性体粉末とを有する複合磁性体からなるコアである
リアクトルを提供する。
【0017】
また、本発明は、第１０のリアクトルとして、第１から第９までのいずれかのリアクトルであって、
前記第１コイル本体部と前記第２コイル本体部との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たす
リアクトルを提供する。
前記第１コイル本体部と前記第２コイル本体部との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たす
リアクトルを提供する。
【0018】
また、本発明は、第１１のリアクトルとして、第１から第１０までのいずれかのリアクトルであって、
前記低比透磁率部材の比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たす
リアクトルを提供する。
前記低比透磁率部材の比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たす
リアクトルを提供する。
【0019】
また、本発明は、第１２のリアクトルとして、第１から第１１までのいずれかのリアクトルであって、
前記上側高比透磁率部材の比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たし、
前記下側高比透磁率部材の比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たす
リアクトルを提供する。
前記上側高比透磁率部材の比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たし、
前記下側高比透磁率部材の比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たす
リアクトルを提供する。
【0020】
また、本発明は、第１３のリアクトルとして、第１から第１２までのいずれかのリアクトルであって、
前記リアクトルは、ケースを更に有しており、
前記第１コイル、前記第２コイル及び前記コアは、前記ケース内に配置されている
リアクトルを提供する。
前記リアクトルは、ケースを更に有しており、
前記第１コイル、前記第２コイル及び前記コアは、前記ケース内に配置されている
リアクトルを提供する。
【0021】
また、本発明は、第１４のリアクトルとして、第１３のリアクトルであって、
前記ケースは、開口部を有しており、
前記開口部は、前記上下方向と直交する方向に開口している
リアクトルを提供する。
前記ケースは、開口部を有しており、
前記開口部は、前記上下方向と直交する方向に開口している
リアクトルを提供する。
【0022】
また、本発明は、第１の昇圧回路として、
電源と、第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、第１整流素子と、第２整流素子と、請求項１から請求項１４までのいずれかに記載のリアクトルとを備える昇圧回路であって、
前記第１スイッチング素子と、前記第１整流素子と、前記リアクトルの前記第１コイルとは、前記電源の出力をチョッピングして昇圧する第１昇圧チョッパ回路を構成しており、
前記第２スイッチング素子と、前記第２整流素子と、前記リアクトルの前記第２コイルとは、前記電源の出力をチョッピングして昇圧する第２昇圧チョッパ回路を構成しており、
前記第１昇圧チョッパ回路と前記第２昇圧チョッパ回路とは、並列に接続されており、
前記第１昇圧チョッパ回路及び前記第２昇圧チョッパ回路の夫々をインターリーブ動作させる
昇圧回路を提供する。
電源と、第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、第１整流素子と、第２整流素子と、請求項１から請求項１４までのいずれかに記載のリアクトルとを備える昇圧回路であって、
前記第１スイッチング素子と、前記第１整流素子と、前記リアクトルの前記第１コイルとは、前記電源の出力をチョッピングして昇圧する第１昇圧チョッパ回路を構成しており、
前記第２スイッチング素子と、前記第２整流素子と、前記リアクトルの前記第２コイルとは、前記電源の出力をチョッピングして昇圧する第２昇圧チョッパ回路を構成しており、
前記第１昇圧チョッパ回路と前記第２昇圧チョッパ回路とは、並列に接続されており、
前記第１昇圧チョッパ回路及び前記第２昇圧チョッパ回路の夫々をインターリーブ動作させる
昇圧回路を提供する。
【発明の効果】
【0023】
本発明のリアクトルのコアは、第１上側コアと第２上側コアとを有する上側高比透磁率部材を備えている。また、第１上側コアは、上下方向において第１コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されており、第２上側コアは、上下方向において第２コイル本体部の上端よりも上側に位置する領域に少なくとも部分的に配置されている。これにより、第１コイルと第２コイルの結合係数を適切な値に調整可能となっている。特に、低比透磁率部材よりも高い比透磁率を有する第１上側コア、第１下側コア、第２上側コア及び第２下側コアが、第１コイル本体部及び第２コイル本体部の上下に配置されていることから、適正な鎖交磁束が確保できるように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【0024】
【図1】本発明の第１の実施の形態によるリアクトルを示す斜視図である。
【図4】本発明の第２の実施の形態によるリアクトルの構造を示す断面図である。
【図6】本発明の第３の実施の形態によるリアクトルの構造を示す断面図である。
【図8】本発明の第４の実施の形態によるリアクトルの構造を示す断面図である。
【図11】本発明の第５の実施の形態によるリアクトルの構造を示す断面図である。
【図14】本発明の第６の実施の形態によるリアクトルの構造を示す断面図である。
【図16】本発明の実施の形態による昇圧回路を示す図である。
【図17】特許文献２のリアクトルの構造を示す断面図である。
【図18】結合係数及び昇圧比（Ｄｕｔｙ比）に対応するリップル電流値（相対値）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0025】
（第１の実施形態）
図２に示されるように、本発明の第１の実施の形態によるリアクトル１００は、第１コイル２３０と、第２コイル２４０と、コア３００と、ケース６００とを備えている。ここで、第１コイル２３０及び第２コイル２４０は、コア３００に埋設されている。
図２に示されるように、本発明の第１の実施の形態によるリアクトル１００は、第１コイル２３０と、第２コイル２４０と、コア３００と、ケース６００とを備えている。ここで、第１コイル２３０及び第２コイル２４０は、コア３００に埋設されている。
【0026】
図１及び図２を参照すると、本実施の形態の第１コイル２３０は、第２コイル２４０とは別体となっている。第１コイル２３０は、上下方向に延びる第１巻軸２３１を有する第１コイル本体部２３２と、第１コイル本体部２３２の両端から延びる２つの第１端部２３４とを備えている。本実施の形態において、上下方向はＺ方向である。ここで、上方を＋Ｚ方向とし、下方を－Ｚ方向とする。第１コイル２３０は、フラットワイズダブルパンケーキ巻きコイルである。
【0027】
図１及び図２を参照すると、本実施の形態の第１コイル本体部２３２は、導体で構成されている。より詳しくは、第１コイル本体部２３２は、平角線２３５をコイル２３２１，２３２５の２層となるように巻きまわす、所謂フラットワイズダブルパンケーキ巻きされている。また、本実施の形態のコイル２３２１，２３２５は、ディップコーティングが施されている。なお、平角線２３５は、絶縁被覆されていてもよいし、絶縁被覆されていなくてもよい。また、平角線２３５の代わりに、丸線や角線を用いてもよい。
【0028】
図１に示されるように、本実施の形態の第１端部２３４は、コア３００の外部に引き出されている。より具体的には、第１端部２３４は、上下方向と直交する前後方向に引き出されている。本実施の形態において、前後方向はＹ方向である。なお、図１において、第１端部２３４は、平角線２３５の短辺が上下方向と直交するようにコア３００の外部に引き出されているが、本発明はこれに限定されず、例えば、平角線２３５の長辺が上下方向と直交するようにコア３００の外部に引き出されていてもよく、また第１端部２３４のコア３００におけるＸＺ平面上の位置についても任意に設定することができる。
【0029】
図１及び図２を参照すると、本実施の形態の第２コイル２４０は、上下方向に延びる第２巻軸２４１を有する第２コイル本体部２４２と、第２コイル本体部２４２の両端から延びる２つの第２端部２４４とを備えている。第２コイル２４０は、フラットワイズダブルパンケーキ巻きコイルである。
【0030】
図１及び図２を参照すると、本実施の形態の第２コイル本体部２４２は、導体で構成されている。より詳しくは、第２コイル本体部２４２は、平角線２４５をコイル２４２１，２４２５の２層となるように巻きまわす、所謂フラットワイズダブルパンケーキ巻きされている。また、本実施の形態のコイル２４２１，２４２５は、ディップコーティングが施されている。なお、平角線２４５は、絶縁被覆されていてもよいし、絶縁被覆されていなくてもよい。また、平角線２４５の代わりに、丸線や角線を用いてもよい。また、第２コイル本体部２４２を、第１コイル本体部２３２と樹脂等の絶縁体で一体成型してもよい。即ち、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２とは、樹脂等の絶縁体で一体化されていてもよい。
【0031】
図１に示されるように、本実施の形態の第２端部２４４は、コア３００の外部に引き出されている。より具体的には、第２端部２４４は、前後方向に引き出されている。なお、図１において、第２端部２４４は、平角線２４５の短辺が上下方向と直交するようにコア３００の外部に引き出されているが、本発明はこれに限定されず、例えば、平角線２４５の長辺が上下方向と直交するようにコア３００の外部に引き出されていてもよく、また第２端部２４４のコア３００におけるＸＺ平面上の位置についても任意に設定することができる。
【0032】
図２に示されるように、本実施の形態において、第１巻軸２３１と第２巻軸２４１とは、別軸である。即ち、第１巻軸２３１と第２巻軸２４１とは、同軸ではない。第１コイル２３０の第１コイル本体部２３２及び第２コイル２４０の第２コイル本体部２４２は、上下方向と直交する横方向に離間して並置されている。本実施の形態において、横方向はＸ方向である。これにより、第１コイル２３０と第２コイル２４０とを上下に配置した場合と比較して、上下方向への放熱性が向上し、更にリアクトル１００自体の低背化も図ることができる。
【0033】
図２に示されるように、本実施の形態のコア３００は、上側高比透磁率部材３１０と、下側高比透磁率部材３３０と、低比透磁率部材４００とを備えている。本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０及び下側高比透磁率部材３３０の夫々は、圧粉コアである。また、本実施の形態の低比透磁率部材４００は、硬化した結合剤４１２と、結合剤４１２内部に分散配置された軟磁性体粉末４１４とを有する複合磁性体４１０からなるコアである。
【0034】
本実施の形態において、上側高比透磁率部材３１０及び下側高比透磁率部材３３０の夫々は、低比透磁率部材４００よりも高い比透磁率を有している。低比透磁率部材４００の比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たしていることか好ましい。また、上側高比透磁率部材３１０の比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たしていることが好ましい。更に、下側高比透磁率部材３３０の比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たしていることが好ましい。なお、μｈa＝μｈbであってもよく、μｈa≠μｈbであってもよい。
【0035】
図２に示されるように、本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０は、第１上側コア３１２と、第２上側コア３１６とを有している。図３に示されるように、第１上側コア３１２及び第２上側コア３１６の夫々は、上下方向及び横方向の双方と直交するスリット３２０を有している。スリット３２０は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１は、第１上側コア３１２のスリット３２０を貫通している。第２巻軸２４１は、第２上側コア３１６のスリット３２０を貫通している。なお、上側高比透磁率部材３１０は、横方向における第１上側コア３１２と第２上側コア３１６との間にギャップを有していない。
【0036】
図２を参照して、本実施の形態の下側高比透磁率部材３３０は、上側高比透磁率部材３１０と同じ形状を有している。下側高比透磁率部材３３０は、第１下側コア３３２と、第２下側コア３３６とを有している。第１下側コア３３２及び第２下側コア３３６の夫々は、上下方向及び横方向の双方と直交するスリット３４０を有している。スリット３４０は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１は、第１下側コア３３２のスリット３４０を貫通している。第２巻軸２４１は、第２下側コア３３６のスリット３４０を貫通している。スリット３４０は、横方向においてスリット３２０と夫々同じ位置に位置している。なお、下側高比透磁率部材３３０は、横方向における第１下側コア３３２と第２下側コア３３６との間にギャップを有していない。
【0037】
図２に示されるように、本実施の形態の第１上側コア３１２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に配置されている。第１上側コア３１２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１上側コア３１２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0038】
図２に示されるように、本実施の形態の第１下側コア３３２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に配置されている。
第１下側コア３３２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１下側コア３３２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
第１下側コア３３２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１下側コア３３２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0039】
図２に示されるように、本実施の形態の第２上側コア３１６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に配置されている。第２上側コア３１６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２上側コア３１６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0040】
図２に示されるように、本実施の形態の第２下側コア３３６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に配置されている。第２下側コア３３６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２下側コア３３６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0041】
図２に示されるように、本実施の形態の低比透磁率部材４００は、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側と、スリット３２０，３４０内に配置されている。なお、本発明はこれに限定されず、低比透磁率部材４００は、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側とに少なくとも配置されていればよい。
【0042】
図２を参照して、本実施の形態のリアクトル１００において、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たしていることが好ましい。
【0043】
図１から図３までを参照すると、本実施の形態のケース６００は、アルミ製又は樹脂製である。ケース６００は、上面６１０と、下面６３０と、開口部６４０とを有している。開口部６４０は、上下方向と直交する方向に開口している。即ち、上面６１０及び下面６３０には開口部は設けられていない。なお、本発明はこれに限定されず、開口部６４０が上下方向に開口するようにケース６００に設けられていてもよく、第１端部２３４及び第２端部２４４をコア３００の外部に引き出す方向に応じて開口部６４０をケース６００に設ければよい。本実施の形態のリアクトル１００において、第１コイル２３０、第２コイル２４０及びコア３００は、ケース６００内に配置されている。なお、上側高比透磁率部材３１０とケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０とケース６００の間には、接着剤や低比透磁率部材４００が介在していてもよい。また、リアクトル１００はケース６００を有しなくてもよい。
【0044】
上述のように、第１上側コア３１２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接しており、第１下側コア３３２は、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接しており、第２上側コア３１６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接しており、第２下側コア３３６は、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。このような構成から、第１コイル２３０及び第２コイル２４０からの放熱が、圧粉コアである第１上側コア３１２、第２上側コア３１６、第１下側コア３３２及び第２下側コア３３６を介してケース６００に迅速に伝熱されるようになっている。特に、上側高比透磁率部材３１０とケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０とケース６００の間に、接着剤や低比透磁率部材４００が介在している場合、上側高比透磁率部材３１０及び下側高比透磁率部材３３０とケース６００との密着性が向上し、第１コイル２３０及び第２コイル２４０から発生する熱の放熱性がさらに向上するため好ましい。
【0045】
（第２の実施形態）
図４に示されるように、本発明の第２の実施の形態によるリアクトル１００Ａは、コア３００Ａを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図４及び図５に示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
図４に示されるように、本発明の第２の実施の形態によるリアクトル１００Ａは、コア３００Ａを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図４及び図５に示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
【0046】
図４を参照すると、本実施の形態のコア３００Ａは、上側高比透磁率部材３１０Ａと、下側高比透磁率部材３３０Ａと、低比透磁率部材４００Ａとを備えている。本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ａ及び下側高比透磁率部材３３０Ａの夫々は、圧粉コアである。また、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ａは、上述した第１の実施の形態の低比透磁率部材４００と同様である。即ち、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ａは、硬化した結合剤４１２と、結合剤４１２内部に分散配置された軟磁性体粉末４１４とを有する複合磁性体４１０Ａからなるコアである。
【0047】
本実施の形態において、上側高比透磁率部材３１０Ａ及び下側高比透磁率部材３３０Ａの夫々は、低比透磁率部材４００Ａよりも高い比透磁率を有している。低比透磁率部材４００Ａの比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たしていることか好ましい。また、上側高比透磁率部材３１０Ａの比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たしていることが好ましい。更に、下側高比透磁率部材３３０Ａの比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たしていることが好ましい。なお、μｈa＝μｈbであってもよく、μｈa≠μｈbであってもよい。
【0048】
図４に示されるように、本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ａは、第１上側コア３１２Ａと、第２上側コア３１６Ａとを有している。図５に示されるように、上側高比透磁率部材３１０Ａは、横方向における第１上側コア３１２Ａと第２上側コア３１６Ａとの間にギャップ３２５を有している。ギャップ３２５は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、ギャップ３２５を貫通していない。第１上側コア３１２Ａ及び第２上側コア３１６Ａの夫々は、上述した第１の実施の形態の第１上側コア３１２及び第２上側コア３１６と異なり、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。
【0049】
図４を参照して、本実施の形態の下側高比透磁率部材３３０Ａは、上側高比透磁率部材３１０Ａと同じ形状を有している。下側高比透磁率部材３３０Ａは、第１下側コア３３２Ａと、第２下側コア３３６Ａとを有している。下側高比透磁率部材３３０Ａは、横方向における第１下側コア３３２Ａと第２下側コア３３６Ａとの間にギャップ３４５を有している。ギャップ３４５は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、ギャップ３４５を貫通していない。ギャップ３４５は、横方向においてギャップ３２５と同じ位置に位置している。第１下側コア３３２Ａ及び第２下側コア３３６Ａの夫々は、上述した第１の実施の形態の第１下側コア３３２及び第２下側コア３３６と異なり、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。
【0050】
図４に示されるように、本実施の形態の第１上側コア３１２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に配置されている。第１上側コア３１２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１上側コア３１２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0051】
図４に示されるように、本実施の形態の第１下側コア３３２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に配置されている。第１下側コア３３２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１下側コア３３２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0052】
図４に示されるように、本実施の形態の第２上側コア３１６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に配置されている。第２上側コア３１６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２上側コア３１６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0053】
図４に示されるように、本実施の形態の第２下側コア３３６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に配置されている。第２下側コア３３６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２下側コア３３６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0054】
図４に示されるように、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ａは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側と、ギャップ３２５，３４５内に配置されている。なお、本発明はこれに限定されず、低比透磁率部材４００Ａは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側とに少なくとも配置されていればよい。
【0055】
図４を参照して、本実施の形態のリアクトル１００Ａにおいて、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たしていることが好ましい。
【0056】
図４及び図５に示されるように、本実施の形態のリアクトル１００Ａにおいて、第１コイル２３０、第２コイル２４０及びコア３００Ａは、ケース６００内に配置されている。なお、上側高比透磁率部材３１０Ａとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ａとケース６００の間には、接着剤や低比透磁率部材４００Ａが介在していてもよい。また、リアクトル１００Ａはケース６００を有しなくてもよい。
【0057】
上述のように、第１上側コア３１２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接しており、第１下側コア３３２Ａは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接しており、第２上側コア３１６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接しており、第２下側コア３３６Ａは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。このような構成から、第１コイル２３０及び第２コイル２４０からの放熱が、圧粉コアである第１上側コア３１２Ａ、第２上側コア３１６Ａ、第１下側コア３３２Ａ及び第２下側コア３３６Ａを介してケース６００に迅速に伝熱されるようになっている。特に、上側高比透磁率部材３１０Ａとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ａとケース６００の間に、接着剤や低比透磁率部材４００Ａが介在している場合、上側高比透磁率部材３１０Ａ及び下側高比透磁率部材３３０Ａとケース６００との密着性が向上し、第１コイル２３０及び第２コイル２４０から発生する熱の放熱性がさらに向上するため好ましい。
【0058】
（第３の実施形態）
図６に示されるように、本発明の第３の実施の形態によるリアクトル１００Ｂは、コア３００Ｂを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図６及び図７に示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
図６に示されるように、本発明の第３の実施の形態によるリアクトル１００Ｂは、コア３００Ｂを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図６及び図７に示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
【0059】
図６に示されるように、本実施の形態のコア３００Ｂは、上側高比透磁率部材３１０Ｂと、下側高比透磁率部材３３０Ｂと、低比透磁率部材４００Ｂとを備えている。本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｂ及び下側高比透磁率部材３３０Ｂの夫々は、圧粉コアである。また、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｂは、上述した第１の実施の形態の低比透磁率部材４００と同様である。即ち、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｂは、硬化した結合剤４１２と、結合剤４１２内部に分散配置された軟磁性体粉末４１４とを有する複合磁性体４１０Ｂからなるコアである。
【0060】
本実施の形態において、上側高比透磁率部材３１０Ｂ及び下側高比透磁率部材３３０Ｂの夫々は、低比透磁率部材４００Ｂよりも高い比透磁率を有している。低比透磁率部材４００Ｂの比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たしていることか好ましい。また、上側高比透磁率部材３１０Ｂの比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たしていることが好ましい。更に、下側高比透磁率部材３３０Ｂの比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たしていることが好ましい。なお、μｈa＝μｈbであってもよく、μｈa≠μｈbであってもよい。
【0061】
図６に示されるように、本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｂは、第１上側コア３１２Ｂと、第２上側コア３１６Ｂとを有している。図７に示されるように、上側高比透磁率部材３１０Ｂは、横方向における第１上側コア３１２Ｂと第２上側コア３１６Ｂとの間にギャップ３２５を有している。ギャップ３２５は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、ギャップ３２５を貫通していない。第１上側コア３１２Ｂ及び第２上側コア３１６Ｂの夫々は、上下方向及び横方向の双方と直交するスリット３２０を有している。スリット３２０は、前後方向に延びている。図６に示されるように、第１巻軸２３１は、第１上側コア３１２Ｂのスリット３２０を貫通している。第２巻軸２４１は、第２上側コア３１６Ｂのスリット３２０を貫通している。
【0062】
図６を参照して、本実施の形態の下側高比透磁率部材３３０Ｂは、上側高比透磁率部材３１０Ｂと同じ形状を有している。下側高比透磁率部材３３０Ｂは、第１下側コア３３２Ｂと、第２下側コア３３６Ｂとを有している。下側高比透磁率部材３３０Ｂは、横方向における第１下側コア３３２Ｂと第２下側コア３３６Ｂとの間にギャップ３４５を有している。ギャップ３４５は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、ギャップ３４５を貫通していない。ギャップ３４５は、横方向においてギャップ３２５と同じ位置に位置している。第１下側コア３３２Ｂ及び第２下側コア３３６Ｂの夫々は、上下方向及び横方向の双方と直交するスリット３４０を有している。スリット３４０は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１は、第１下側コア３３２Ｂのスリット３４０を貫通している。第２巻軸２４１は、第２下側コア３３６Ｂのスリット３４０を貫通している。スリット３４０は、横方向においてスリット３２０と夫々同じ位置に位置している。
【0063】
図６に示されるように、本実施の形態の第１上側コア３１２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に配置されている。第１上側コア３１２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１上側コア３１２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0064】
図６に示されるように、本実施の形態の第１下側コア３３２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に配置されている。第１下側コア３３２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１下側コア３３２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0065】
図６に示されるように、本実施の形態の第２上側コア３１６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に配置されている。第２上側コア３１６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２上側コア３１６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0066】
図６に示されるように、本実施の形態の第２下側コア３３６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に配置されている。第２下側コア３３６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２下側コア３３６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0067】
図６に示されるように、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｂは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側と、スリット３２０，３４０内と、ギャップ３２５，３４５内に配置されている。なお、本発明はこれに限定されず、低比透磁率部材４００Ｂは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側とに少なくとも配置されていればよい。
【0068】
図６を参照して、本実施の形態のリアクトル１００Ｂにおいて、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たしていることが好ましい。
【0069】
図６及び図７に示されるように、本実施の形態のリアクトル１００Ｂにおいて、第１コイル２３０、第２コイル２４０及びコア３００Ｂは、ケース６００内に配置されている。なお、上側高比透磁率部材３１０Ｂとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｂとケース６００の間には、接着剤や低比透磁率部材４００Ｂが介在していてもよい。また、リアクトル１００Ｂはケース６００を有しなくてもよい。
【0070】
上述のように、第１上側コア３１２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接しており、第１下側コア３３２Ｂは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接しており、第２上側コア３１６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接しており、第２下側コア３３６Ｂは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。このような構成から、第１コイル２３０及び第２コイル２４０からの放熱が、圧粉コアである第１上側コア３１２Ｂ、第２上側コア３１６Ｂ、第１下側コア３３２Ｂ及び第２下側コア３３６Ｂを介してケース６００に迅速に伝熱されるようになっている。特に、上側高比透磁率部材３１０Ｂとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｂとケース６００の間に、接着剤や低比透磁率部材４００Ｂが介在している場合、上側高比透磁率部材３１０Ｂ及び下側高比透磁率部材３３０Ｂとケース６００との密着性が向上し、第１コイル２３０及び第２コイル２４０から発生する熱の放熱性がさらに向上するため好ましい。
【0071】
（第４の実施形態）
図８に示されるように、本発明の第４の実施の形態によるリアクトル１００Ｃは、コア３００Ｃを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図８から図１０までに示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
図８に示されるように、本発明の第４の実施の形態によるリアクトル１００Ｃは、コア３００Ｃを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図８から図１０までに示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
【0072】
図８に示されるように、本実施の形態のコア３００Ｃは、上側高比透磁率部材３１０Ｃと、下側高比透磁率部材３３０Ｃと、低比透磁率部材４００Ｃとを備えている。本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｃ及び下側高比透磁率部材３３０Ｃの夫々は、圧粉コアである。また、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｃは、上述した第１の実施の形態の低比透磁率部材４００と同様である。即ち、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｃは、硬化した結合剤４１２と、結合剤４１２内部に分散配置された軟磁性体粉末４１４とを有する複合磁性体４１０Ｃからなるコアである。
【0073】
本実施の形態において、上側高比透磁率部材３１０Ｃ及び下側高比透磁率部材３３０Ｃの夫々は、低比透磁率部材４００Ｃよりも高い比透磁率を有している。低比透磁率部材４００Ｃの比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たしていることか好ましい。また、上側高比透磁率部材３１０Ｃの比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たしていることが好ましい。更に、下側高比透磁率部材３３０Ｃの比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たしていることが好ましい。なお、μｈa＝μｈbであってもよく、μｈa≠μｈbであってもよい。
【0074】
図８に示されるように、本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｃは、第１上側コア３１２Ｃと、第２上側コア３１６Ｃとを有している。図９に示されるように、上側高比透磁率部材３１０Ｃは、横方向と平行なスリット３２２を有している。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、スリット３２２を貫通している。上側高比透磁率部材３１０Ｃは、横方向における第１上側コア３１２Ｃと第２上側コア３１６Ｃとの間にギャップを有していない。第１上側コア３１２Ｃ及び第２上側コア３１６Ｃの夫々は、上述した第１の実施の形態の第１上側コア３１２及び第２上側コア３１６と異なり、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。
【0075】
図１０に示されるように、本実施の形態の下側高比透磁率部材３３０Ｃは、上側高比透磁率部材３１０Ｃと同じ形状を有している。下側高比透磁率部材３３０Ｃは、第１下側コア３３２Ｃと、第２下側コア３３６Ｃとを有している。下側高比透磁率部材３３０Ｃは、横方向と平行なスリット３４２を有している。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、スリット３４２を貫通している。スリット３４２は、前後方向においてスリット３２２と同じ位置に位置している。下側高比透磁率部材３３０Ｃは、横方向における第１下側コア３３２Ｃと第２下側コア３３６Ｃとの間にギャップを有していない。第１下側コア３３２Ｃ及び第２下側コア３３６Ｃの夫々は、上述した第１の実施の形態の第１下側コア３３２、第２下側コア３３６と異なり、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。
【0076】
図８に示されるように、本実施の形態の第１上側コア３１２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に配置されている。第１上側コア３１２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１上側コア３１２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0077】
図８に示されるように、本実施の形態の第１下側コア３３２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に配置されている。第１下側コア３３２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１下側コア３３２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0078】
図８に示されるように、本実施の形態の第２上側コア３１６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に配置されている。第２上側コア３１６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２上側コア３１６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0079】
図８に示されるように、本実施の形態の第２下側コア３３６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に配置されている。第２下側コア３３６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２下側コア３３６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0080】
図８から図１０までに示されるように、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｃは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側と、スリット３２２，３４２内に配置されている。なお、本発明はこれに限定されず、低比透磁率部材４００Ｃは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側とに少なくとも配置されていればよい。
【0081】
図８を参照して、本実施の形態のリアクトル１００Ｃにおいて、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たしていることが好ましい。
【0082】
図８から図１０までに示されるように、本実施の形態のリアクトル１００Ｃにおいて、第１コイル２３０、第２コイル２４０及びコア３００Ｃは、ケース６００内に配置されている。なお、上側高比透磁率部材３１０Ｃとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｃとケース６００の間には、接着剤や低比透磁率部材４００Ｃが介在していてもよい。また、リアクトル１００Ｃはケース６００を有しなくてもよい。
【0083】
上述のように、第１上側コア３１２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接しており、第１下側コア３３２Ｃは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接しており、第２上側コア３１６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接しており、第２下側コア３３６Ｃは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。このような構成から、第１コイル２３０及び第２コイル２４０からの放熱が、圧粉コアである第１上側コア３１２Ｃ、第２上側コア３１６Ｃ、第１下側コア３３２Ｃ及び第２下側コア３３６Ｃを介してケース６００に迅速に伝熱されるようになっている。特に、上側高比透磁率部材３１０Ｃとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｃとケース６００の間に、接着剤や低比透磁率部材４００Ｃが介在している場合、上側高比透磁率部材３１０Ｃ及び下側高比透磁率部材３３０Ｃとケース６００との密着性が向上し、第１コイル２３０及び第２コイル２４０から発生する熱の放熱性がさらに向上するため好ましい。
【0084】
（第５の実施形態）
図１１に示されるように、本発明の第５の実施の形態によるリアクトル１００Ｄは、コア３００Ｄを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図１１から図１３までに示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
図１１に示されるように、本発明の第５の実施の形態によるリアクトル１００Ｄは、コア３００Ｄを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図１１から図１３までに示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
【0085】
図１１に示されるように、本実施の形態のコア３００Ｄは、上側高比透磁率部材３１０Ｄと、下側高比透磁率部材３３０Ｄと、低比透磁率部材４００Ｄとを備えている。本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｄ及び下側高比透磁率部材３３０Ｄの夫々は、圧粉コアである。また、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｄは、上述した第１の実施の形態の低比透磁率部材４００と同様である。即ち、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｄは、硬化した結合剤４１２と、結合剤４１２内部に分散配置された軟磁性体粉末４１４とを有する複合磁性体４１０Ｄからなるコアである。
【0086】
本実施の形態において、上側高比透磁率部材３１０Ｄ及び下側高比透磁率部材３３０Ｄの夫々は、低比透磁率部材４００Ｄよりも高い比透磁率を有している。低比透磁率部材４００Ｄの比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たしていることか好ましい。また、上側高比透磁率部材３１０Ｄの比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たしていることが好ましい。更に、下側高比透磁率部材３３０Ｄの比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たしていることが好ましい。なお、μｈa＝μｈbであってもよく、μｈa≠μｈbであってもよい。
【0087】
図１１に示されるように、本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｄは、第１上側コア３１２Ｄと、第２上側コア３１６Ｄとを有している。図１２に示されるように、上側高比透磁率部材３１０Ｄは、横方向における第１上側コア３１２Ｄと第２上側コア３１６Ｄとの間にギャップ３２５を有している。ギャップ３２５は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、ギャップ３２５を貫通していない。第１上側コア３１２Ｄ及び第２上側コア３１６Ｄの夫々は、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。上側高比透磁率部材３１０Ｄは、横方向と平行なスリット３２２を有している。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、スリット３２２を貫通している。
【0088】
図１３に示されるように、本実施の形態の下側高比透磁率部材３３０Ｄは、上側高比透磁率部材３１０Ｄと同じ形状を有している。下側高比透磁率部材３３０Ｄは、第１下側コア３３２Ｄと、第２下側コア３３６Ｄとを有している。下側高比透磁率部材３３０Ｄは、横方向における第１下側コア３３２Ｄと第２下側コア３３６Ｄとの間にギャップ３４５を有している。ギャップ３４５は、前後方向に延びている。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、ギャップ３４５を貫通していない。ギャップ３４５は、横方向においてギャップ３２５と同じ位置に位置している。第１下側コア３３２Ｄ及び第２下側コア３３６Ｄの夫々は、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。下側高比透磁率部材３３０Ｄは、横方向と平行なスリット３４２を有している。第１巻軸２３１及び第２巻軸２４１の夫々は、スリット３４２を貫通している。スリット３４２は、前後方向においてスリット３２２と同じ位置に位置している。
【0089】
図１１に示されるように、本実施の形態の第１上側コア３１２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に配置されている。第１上側コア３１２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１上側コア３１２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0090】
図１１に示されるように、本実施の形態の第１下側コア３３２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に配置されている。第１下側コア３３２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１下側コア３３２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0091】
図１１に示されるように、本実施の形態の第２上側コア３１６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に配置されている。第２上側コア３１６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２上側コア３１６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0092】
図１１に示されるように、本実施の形態の第２下側コア３３６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に配置されている。第２下側コア３３６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２下側コア３３６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0093】
図１１に示されるように、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｄは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側と、スリット３２２，３４２内と、ギャップ３２５，３４５内に配置されている。なお、本発明はこれに限定されず、低比透磁率部材４００Ｄは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側とに少なくとも配置されていればよい。
【0094】
図１１を参照して、本実施の形態のリアクトル１００Ｄにおいて、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たしていることが好ましい。
【0095】
図１１から図１３までに示されるように、本実施の形態のリアクトル１００Ｄにおいて、第１コイル２３０、第２コイル２４０及びコア３００Ｄは、ケース６００内に配置されている。なお、上側高比透磁率部材３１０Ｄとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｄとケース６００の間には、接着剤や低比透磁率部材４００Ｄが介在していてもよい。また、リアクトル１００Ｄはケース６００を有しなくてもよい。
【0096】
上述のように、第１上側コア３１２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接しており、第１下側コア３３２Ｄは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接しており、第２上側コア３１６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接しており、第２下側コア３３６Ｄは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。このような構成から、第１コイル２３０及び第２コイル２４０からの放熱が、圧粉コアである第１上側コア３１２Ｄ、第２上側コア３１６Ｄ、第１下側コア３３２Ｄ及び第２下側コア３３６Ｄを介してケース６００に迅速に伝熱されるようになっている。特に、上側高比透磁率部材３１０Ｄとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｄとケース６００の間に、接着剤や低比透磁率部材４００Ｄが介在している場合、上側高比透磁率部材３１０Ｄ及び下側高比透磁率部材３３０Ｄとケース６００との密着性が向上し、第１コイル２３０及び第２コイル２４０から発生する熱の放熱性がさらに向上するため好ましい。
【0097】
（第６の実施形態）
図１４に示されるように、本発明の第６の実施の形態によるリアクトル１００Ｅは、コア３００Ｅを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図１４及び図１５に示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
図１４に示されるように、本発明の第６の実施の形態によるリアクトル１００Ｅは、コア３００Ｅを除き、上述した第１の実施の形態によるリアクトル１００（図１及び図２参照）と同じ構成を備えている。そのため、図１４及び図１５に示される構成要素のうち、第１の実施の形態と同様の構成要素に対しては同一の参照符号を付すこととする。
【0098】
図１４に示されるように、本実施の形態のコア３００Ｅは、上側高比透磁率部材３１０Ｅと、下側高比透磁率部材３３０Ｅと、低比透磁率部材４００Ｅとを備えている。本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｅ及び下側高比透磁率部材３３０Ｅの夫々は、圧粉コアである。また、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｅは、上述した第１の実施の形態の低比透磁率部材４００と同様である。即ち、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｅは、硬化した結合剤４１２と、結合剤４１２内部に分散配置された軟磁性体粉末４１４とを有する複合磁性体４１０Ｅからなるコアである。
【0099】
本実施の形態において、上側高比透磁率部材３１０Ｅ及び下側高比透磁率部材３３０Ｅの夫々は、低比透磁率部材４００Ｅよりも高い比透磁率を有している。低比透磁率部材４００Ｅの比透磁率をμLとするとき、３≦μL≦３０を満たしていることか好ましい。また、上側高比透磁率部材３１０Ｅの比透磁率をμｈaとするとき、３０＜μｈa≦３００を満たしていることが好ましい。更に、下側高比透磁率部材３３０Ｅの比透磁率をμｈbとするとき、３０＜μｈb≦３００を満たしていることが好ましい。なお、μｈa＝μｈbであってもよく、μｈa≠μｈbであってもよい。
【0100】
図１４に示されるように、本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｅは、第１上側コア３１２Ｅと、第２上側コア３１６Ｅとを有している。図１５に示されるように、上側高比透磁率部材３１０Ｅは、横方向における第１上側コア３１２Ｅと第２上側コア３１６Ｅとの間にギャップを有していない。また、第１上側コア３１２Ｅ及び第２上側コア３１６Ｅの夫々は、上述した第１の実施の形態の第１上側コア３１２及び第２上側コア３１６と異なり、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。更に、上側高比透磁率部材３１０Ｅは、横方向と平行なスリットも有していない。即ち、本実施の形態の上側高比透磁率部材３１０Ｅは、一部材で構成されている。
【0101】
図１４を参照して、本実施の形態の下側高比透磁率部材３３０Ｅは、上側高比透磁率部材３１０Ｅと同じ形状を有している。下側高比透磁率部材３３０Ｅは、第１下側コア３３２Ｅと、第２下側コア３３６Ｅとを有している。下側高比透磁率部材３３０Ｅは、横方向における第１下側コア３３２Ｅと第２下側コア３３６Ｅとの間にギャップを有していない。また、第１下側コア３３２Ｅ及び第２下側コア３３６Ｅの夫々は、上述した第１の実施の形態の第１下側コア３３２及び第２下側コア３３６と異なり、上下方向及び横方向の双方と直交するスリットを有していない。更に、下側高比透磁率部材３３０Ｅは、横方向と平行なスリットも有していない。即ち、本実施の形態の下側高比透磁率部材３３０Ｅは、一部材で構成されている。
【0102】
図１４に示されるように、本実施の形態の第１上側コア３１２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に配置されている。第１上側コア３１２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１上側コア３１２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２よりも上側に位置する領域７１２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0103】
図１４に示されるように、本実施の形態の第１下側コア３３２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に配置されている。第１下側コア３３２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第１下側コア３３２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６よりも下側に位置する領域７３２に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0104】
図１４に示されるように、本実施の形態の第２上側コア３１６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に配置されている。第２上側コア３１６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２上側コア３１６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２よりも上側に位置する領域７１６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0105】
図１４に示されるように、本実施の形態の第２下側コア３３６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に配置されている。第２下側コア３３６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。なお、本発明はこれに限定されず、第２下側コア３３６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６よりも下側に位置する領域７３６に少なくとも部分的に配置されていればよい。
【0106】
図１４に示されるように、本実施の形態の低比透磁率部材４００Ｅは、第１コイル本体部２３２の内周２３２７の内側と、第１コイル本体部２３２の外周２３２９の外側と、第２コイル本体部２４２の内周２４２７の内側と、第２コイル本体部２４２の外周２４２９の外側とに配置されている。
【0107】
図１４を参照して、本実施の形態のリアクトル１００Ｅにおいて、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２との結合係数をｋとするとき、零磁界において０．１≦ｋ≦０．４を満たしていることが好ましい。
【0108】
図１５に示されるように、本実施の形態のリアクトル１００Ｅにおいて、第１コイル２３０、第２コイル２４０及びコア３００Ｅは、ケース６００内に配置されている。なお、上側高比透磁率部材３１０Ｅとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｅとケース６００の間には、接着剤や低比透磁率部材４００Ｅが介在していてもよい。また、リアクトル１００Ｅはケース６００を有しなくてもよい。
【0109】
上述のように、第１上側コア３１２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の上端２３２２と接しており、第１下側コア３３２Ｅは、上下方向において第１コイル本体部２３２の下端２３２６と接しており、第２上側コア３１６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の上端２４２２と接しており、第２下側コア３３６Ｅは、上下方向において第２コイル本体部２４２の下端２４２６と接している。このような構成から、第１コイル２３０及び第２コイル２４０からの放熱が、圧粉コアである第１上側コア３１２Ｅ、第２上側コア３１６Ｅ、第１下側コア３３２Ｅ及び第２下側コア３３６Ｅを介してケース６００に迅速に伝熱されるようになっている。特に、上側高比透磁率部材３１０Ｅとケース６００との間や、下側高比透磁率部材３３０Ｅとケース６００の間に、接着剤や低比透磁率部材４００Ｅが介在している場合、上側高比透磁率部材３１０Ｅ及び下側高比透磁率部材３３０Ｅとケース６００との密着性が向上し、第１コイル２３０及び第２コイル２４０から発生する熱の放熱性がさらに向上するため好ましい。
【0110】
（結合係数のシミュレーション結果）
本実施の形態のリアクトル１００，１００Ｂ，１００Ｅに係る実施例１～３について、結合係数のシミュレーションを行った。ここで、第１の実施の形態のリアクトル１００は、実施例１に対応している。第３の実施の形態のリアクトル１００Ｂは、実施例２に対応している。第６の実施の形態のリアクトル１００Ｅは、実施例３に対応している。シミュレーション結果を表１に示す。
本実施の形態のリアクトル１００，１００Ｂ，１００Ｅに係る実施例１～３について、結合係数のシミュレーションを行った。ここで、第１の実施の形態のリアクトル１００は、実施例１に対応している。第３の実施の形態のリアクトル１００Ｂは、実施例２に対応している。第６の実施の形態のリアクトル１００Ｅは、実施例３に対応している。シミュレーション結果を表１に示す。
【0111】
【表1】
【0112】
表１に示されるように、直流電流値Ｉｄｃ＝０における結合係数を比較すると、第１の実施の形態に係る実施例１においては０．１７０、第３の実施の形態に係る実施例２においては０．１３９、第６の実施の形態に係る実施例３においては０．２０６となっている。これにより、実施例１～３においては、第１コイル本体部２３２と第２コイル本体部２４２との間の結合係数が適切な値に調整されていることが分かる。
【0113】
また表１に示されるように、直流電流値Ｉｄｃが変動しても、実施例１の結合係数は０．１７０～０１０４の範囲に、実施例２の結合係数は０．１３９～０．０９７の範囲に、実施例３の結合係数は０．２０６～０．１１０の範囲に、夫々留まっている。これらのことから、実施例１～３においては、直流電流値Ｉｄｃ変動が結合係数に大きく影響しないことが分かる。
【0114】
（リップル電流及び交流銅損のシミュレーション結果）
実施例１～３に係るリップル電流及び交流銅損のシミュレーションを行った。シミュレーションにおいては、直流電流値Ｉｄｃ＝２００Ａ、周波数２０ｋＨｚ、低比透磁率部材４００，４００Ｂ，４００Ｅの比透磁率を１０、高比透磁率部材５００，５００Ｂ，５００Ｅの比透磁率を１００に設定した。またシミュレーション条件として、入力電圧３００Ｖ及び出力電圧７００Ｖとした。ここで、このシミュレーション条件における昇圧比（Ｄｕｔｙ比（＝１－入力電圧／出力電圧））は約０．５７となる。シミュレーション結果を表２に示す。
実施例１～３に係るリップル電流及び交流銅損のシミュレーションを行った。シミュレーションにおいては、直流電流値Ｉｄｃ＝２００Ａ、周波数２０ｋＨｚ、低比透磁率部材４００，４００Ｂ，４００Ｅの比透磁率を１０、高比透磁率部材５００，５００Ｂ，５００Ｅの比透磁率を１００に設定した。またシミュレーション条件として、入力電圧３００Ｖ及び出力電圧７００Ｖとした。ここで、このシミュレーション条件における昇圧比（Ｄｕｔｙ比（＝１－入力電圧／出力電圧））は約０．５７となる。シミュレーション結果を表２に示す。
【0115】
【表2】
【0116】
表２に示されるように、実施例１，２のリップル電流値及び交流銅損は、実施例３のリップル電流値及び交流銅損よりも小さな値を示した。これにより、スリット及びギャップを設けていない実施例３よりも、スリット３２０，３４０を設けた実施例１、スリット３２０，３４０及びギャップ３２５，３４５を設けた実施例２のほうが、リップル電流値及び交流銅損が小さくなることが分かる。
【0117】
（摺動面における損失のシミュレーション結果）
本実施の形態のリアクトル１００Ａ，１００Ｃにおいて、上側高比透磁率部材３１０Ａ，３１０Ｃ及び下側高比透磁率部材３３０Ａ，３３０Ｃの夫々の摺動面に対し、切り欠きを設けた場合と、エッチング処理した場合と、エッチング処理しなかった場合の、摺動面における損失のシミュレーションを行った。ここで、摺動面とは、圧粉コアの作製の際における摺動面、即ち、第１から第６までの実施の形態の上側高比透磁率部材３１０，３１０Ａ，３１０Ｂ，３１０Ｃ，３１０Ｄ，３１０Ｅ及び下側高比透磁率部材３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ，３３０Ｃ，３３０Ｄ，３３０Ｅにおいて、上下方向に平行な面である側面部分を意味している。また、摺動面における損失は、ショートリングによる誘導電流損失と、磁束が摺動面を貫通することによって発生する渦電流損失とがあり、ショートリングによる誘導電流損失は、圧粉コアの摺動面に対して、切り欠きを設けたりエッチング処理することにより抑制できるものである。シミュレーション条件として、入力電圧３００Ｖ及び出力電圧６００Ｖとした。ここで、このシミュレーション条件における昇圧比（Ｄｕｔｙ比（＝１－入力電圧／出力電圧））は０．５となる。このシミュレーションの結果、リアクトル１００Ａにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失は６４Ｗ、エッチング処理した場合の摺動面における損失は０Ｗ、エッチング処理しなかった場合の摺動面における損失は１７４Ｗと、夫々算出された。また、リアクトル１００Ｃにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失は４Ｗ、エッチング処理した場合の摺動面における損失は０Ｗ、エッチング処理しなかった場合の摺動面における損失は５Ｗと、夫々算出された。これらの結果から、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃは、第２の実施の形態のリアクトル１００Ａと比較して、エッチング処理を行わなくても摺動面における損失を抑制することができることが分かる。また、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失（４Ｗ）は、磁束が摺動面を貫通することによって発生する渦電流損失に相当するため、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃでは磁束が摺動面を貫通することによって発生する渦電流損失を特に抑制できることが分かる。加えて、第２及び第４の実施の形態のリアクトル１００Ａ，１００Ｃにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失は、エッチング処理しなかった場合の摺動面における損失よりも小さいため、摺動面における損失を抑制するために圧粉コアの摺動面に切り欠きを設けることも効果があることが分かる。
本実施の形態のリアクトル１００Ａ，１００Ｃにおいて、上側高比透磁率部材３１０Ａ，３１０Ｃ及び下側高比透磁率部材３３０Ａ，３３０Ｃの夫々の摺動面に対し、切り欠きを設けた場合と、エッチング処理した場合と、エッチング処理しなかった場合の、摺動面における損失のシミュレーションを行った。ここで、摺動面とは、圧粉コアの作製の際における摺動面、即ち、第１から第６までの実施の形態の上側高比透磁率部材３１０，３１０Ａ，３１０Ｂ，３１０Ｃ，３１０Ｄ，３１０Ｅ及び下側高比透磁率部材３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ，３３０Ｃ，３３０Ｄ，３３０Ｅにおいて、上下方向に平行な面である側面部分を意味している。また、摺動面における損失は、ショートリングによる誘導電流損失と、磁束が摺動面を貫通することによって発生する渦電流損失とがあり、ショートリングによる誘導電流損失は、圧粉コアの摺動面に対して、切り欠きを設けたりエッチング処理することにより抑制できるものである。シミュレーション条件として、入力電圧３００Ｖ及び出力電圧６００Ｖとした。ここで、このシミュレーション条件における昇圧比（Ｄｕｔｙ比（＝１－入力電圧／出力電圧））は０．５となる。このシミュレーションの結果、リアクトル１００Ａにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失は６４Ｗ、エッチング処理した場合の摺動面における損失は０Ｗ、エッチング処理しなかった場合の摺動面における損失は１７４Ｗと、夫々算出された。また、リアクトル１００Ｃにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失は４Ｗ、エッチング処理した場合の摺動面における損失は０Ｗ、エッチング処理しなかった場合の摺動面における損失は５Ｗと、夫々算出された。これらの結果から、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃは、第２の実施の形態のリアクトル１００Ａと比較して、エッチング処理を行わなくても摺動面における損失を抑制することができることが分かる。また、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失（４Ｗ）は、磁束が摺動面を貫通することによって発生する渦電流損失に相当するため、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃでは磁束が摺動面を貫通することによって発生する渦電流損失を特に抑制できることが分かる。加えて、第２及び第４の実施の形態のリアクトル１００Ａ，１００Ｃにおいて、切り欠きを設けた場合の摺動面における損失は、エッチング処理しなかった場合の摺動面における損失よりも小さいため、摺動面における損失を抑制するために圧粉コアの摺動面に切り欠きを設けることも効果があることが分かる。
【0118】
上記のシミュレーションを、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃについてシミュレーション条件を変更して再度実施した。シミュレーション条件として、入力電圧１５０Ｖ及び出力電圧６００Ｖとした。ここで、このシミュレーション条件における昇圧比（Ｄｕｔｙ比（＝１－入力電圧／出力電圧））は０．７５となる。このシミュレーションの結果、エッチング処理した場合の摺動面における損失は０Ｗ、エッチング処理しなかった場合の摺動面における損失は７Ｗと、夫々算出された。これらの結果から、第４の実施の形態のリアクトル１００Ｃは、上側高比透磁率部材３１０Ｃ及び下側高比透磁率部材３３０Ｃのエッチング処理の有無にかかわらず、昇圧比が変動しても摺動面における損失を低く保つことができることが分かる。
【0119】
（昇圧回路）
本実施の形態のリアクトル１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅを利用して、昇圧回路８００を構成することができる。本実施の形態の昇圧回路８００について、以下に詳述する。
本実施の形態のリアクトル１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅを利用して、昇圧回路８００を構成することができる。本実施の形態の昇圧回路８００について、以下に詳述する。
【0120】
図１６に示されるように、本実施の形態の昇圧回路８００は、電源Ｅと、第１スイッチング素子Ｓ１と、第２スイッチング素子Ｓ２と、第１整流素子Ｄ１と、第２整流素子Ｄ２と、リアクトル１００と、平滑コンデンサＣとを備えている。なお、本発明はこれに限定されず、リアクトル１００を、リアクトル１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅのいずれかに置き換えて昇圧回路８００を構成してもよい。
【0121】
本実施の形態の電源Ｅは、直流電源である。なお、本発明はこれに限定されず、電源Ｅは交流電源であってもよい。
【0122】
図１６を参照して、本実施の形態の昇圧回路８００において、第１スイッチング素子Ｓ１と、第１整流素子Ｄ１と、リアクトル１００の第１コイル２３０とは、電源Ｅの出力をチョッピングして昇圧する第１昇圧チョッパ回路８２０を構成している。
【0123】
本実施の形態の第１スイッチング素子Ｓ１としては、ＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の半導体スイッチング素子を用いることができる。また、Ｓｉを用いた典型的なＭＯＳＦＥＴの他、Ｓｉを用いたＳＪ－ＭＯＳＦＥＴ（スーパージャンクション構造のＭＯＳＦＥＴ）や、ＳｉＣ，ＧａＮ，Ｇａ２Ｏ３等を用いたワイドギャップの半導体を用いることもできる。
【0124】
本実施の形態の第１整流素子Ｄ１としては、Ｓｉ（シリコン）－ｐｎダイオード、ＳｉＣ（炭化珪素）－ＳＢダイオード、ＭＯＳＦＥＴの同期整流や、ボディダイオード、またそれらを並列したものを用いることが出来る。
【0125】
同様に、図１６を参照して、本実施の形態の昇圧回路８００において、第２スイッチング素子Ｓ２と、第２整流素子Ｄ２と、リアクトル１００の第２コイル２４０とは、電源Ｅの出力をチョッピングして昇圧する第２昇圧チョッパ回路８５０を構成している。
【0126】
本実施の形態の第２スイッチング素子Ｓ２としては、ＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の半導体スイッチング素子を用いることができる。また、Ｓｉを用いた典型的なＭＯＳＦＥＴの他、Ｓｉを用いたＳＪ－ＭＯＳＦＥＴ（スーパージャンクション構造のＭＯＳＦＥＴ）や、ＳｉＣ，ＧａＮ，Ｇａ２Ｏ３等を用いたワイドギャップの半導体を用いることもできる。なお、第２スイッチング素子Ｓ２は、第１スイッチング素子Ｓ１と同種のものであってもよいし、異種のものであってもよい。
【0127】
本実施の形態の第２整流素子Ｄ２としては、Ｓｉ（シリコン）－ｐｎダイオード、ＳｉＣ（炭化珪素）－ＳＢダイオード、ＭＯＳＦＥＴの同期整流や、ボディダイオード、またそれらを並列したものを用いることが出来る。なお、第２整流素子Ｄ２は、第１整流素子Ｄ１と同種のものであってもよいし、異種のものであってもよい。
【0128】
即ち、本実施の形態の昇圧回路８００は、第１昇圧チョッパ回路８２０と、第２昇圧チョッパ回路８５０とを備えている。ここで、第１昇圧チョッパ回路８２０と第２昇圧チョッパ回路８５０とは、並列に接続されている。また、第１昇圧チョッパ回路８２０及び第２昇圧チョッパ回路８５０の夫々をインターリーブ動作させる。
【0129】
本実施の形態の平滑コンデンサＣは、第１昇圧チョッパ回路８２０及び第２昇圧チョッパ回路８５０の出力電流を平滑化するものである。
【0130】
以上、本発明について、実施の形態を掲げて具体的に説明してきたが、本発明はこれに限定されるわけではなく、種々の変形が可能である。
【0131】
上述の実施の形態のリアクトル１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅにおいて、下側高比透磁率部材３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ，３３０Ｃ，３３０Ｄ，３３０Ｅは、上側高比透磁率部材３１０，３１０Ａ，３１０Ｂ，３１０Ｃ，３１０Ｄ，３１０Ｅと夫々同じ形状を有していたが、本発明はこれに限定されない。即ち、下側高比透磁率部材３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ，３３０Ｃ，３３０Ｄ，３３０Ｅの夫々は、上側高比透磁率部材３１０，３１０Ａ，３１０Ｂ，３１０Ｃ，３１０Ｄ，３１０Ｅから選ばれる任意の一つの上側高比透磁率部材と同じ形状であってもよい。
【0132】
上述の実施の形態のリアクトル１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅにおいて、上側高比透磁率部材３１０，３１０Ａ，３１０Ｂ，３１０Ｃ，３１０Ｄ，３１０Ｅ及び下側高比透磁率部材３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ，３３０Ｃ，３３０Ｄ，３３０Ｅの夫々は、摺動面に対して表面処理を施していなくてもよいが、摺動面がショートリングとして機能することを防止するため、摺動面に切り欠きを設けたり、エッチング処理してもよい。
【符号の説明】
【0133】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ リアクトル
２３０ 第１コイル
２３１ 第１巻軸
２３２ 第１コイル本体部
２３２１ コイル
２３２２ 上端
２３２５ コイル
２３２６ 下端
２３２７ 内周
２３２９ 外周
２３４ 第１端部
２３５ 平角線
２４０ 第２コイル
２４１ 第２巻軸
２４２ 第２コイル本体部
２４２１ コイル
２４２２ 上端
２４２５ コイル
２４２６ 下端
２４２７ 内周
２４２９ 外周
２４４ 第２端部
２４５ 平角線
３００，３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ，３００Ｄ，３００Ｅ コア
３１０，３１０Ａ，３１０Ｂ，３１０Ｃ，３１０Ｄ，３１０Ｅ 上側高比透磁率部材
３１２，３１２Ａ，３１２Ｂ，３１２Ｃ，３１２Ｄ，３１２Ｅ 第１上側コア
３１６，３１６Ａ，３１６Ｂ，３１６Ｃ，３１６Ｄ，３１６Ｅ 第２上側コア
３２０ スリット
３２２ スリット
３４２ スリット
３２５ ギャップ
３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ，３３０Ｃ，３３０Ｄ，３３０Ｅ 下側高比透磁率部材
３３２，３３２Ａ，３３２Ｂ，３３２Ｃ，３３２Ｄ，３３２Ｅ 第１下側コア
３３６，３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃ，３３６Ｄ，３３６Ｅ 第２下側コア
３４０ スリット
３４５ ギャップ
４００，４００Ａ，４００Ｂ，４００Ｃ，４００Ｄ，４００Ｅ 低比透磁率部材
４１０，４１０Ａ，４１０Ｂ，４１０Ｃ，４１０Ｄ，４１０Ｅ 複合磁性体
４１２ 結合剤
４１４ 軟磁性体粉末
６００ ケース
６１０ 上面
６３０ 下面
６４０ 開口部
７１２ 領域
７３２ 領域
７１６ 領域
７３６ 領域
８００ 昇圧回路
Ｅ 電源
８２０ 第１昇圧チョッパ回路
Ｓ１ 第１スイッチング素子
Ｄ１ 第１整流素子
８５０ 第２昇圧チョッパ回路
Ｓ２ 第２スイッチング素子
Ｄ２ 第２整流素子
Ｃ 平滑コンデンサ
２３０ 第１コイル
２３１ 第１巻軸
２３２ 第１コイル本体部
２３２１ コイル
２３２２ 上端
２３２５ コイル
２３２６ 下端
２３２７ 内周
２３２９ 外周
２３４ 第１端部
２３５ 平角線
２４０ 第２コイル
２４１ 第２巻軸
２４２ 第２コイル本体部
２４２１ コイル
２４２２ 上端
２４２５ コイル
２４２６ 下端
２４２７ 内周
２４２９ 外周
２４４ 第２端部
２４５ 平角線
３００，３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ，３００Ｄ，３００Ｅ コア
３１０，３１０Ａ，３１０Ｂ，３１０Ｃ，３１０Ｄ，３１０Ｅ 上側高比透磁率部材
３１２，３１２Ａ，３１２Ｂ，３１２Ｃ，３１２Ｄ，３１２Ｅ 第１上側コア
３１６，３１６Ａ，３１６Ｂ，３１６Ｃ，３１６Ｄ，３１６Ｅ 第２上側コア
３２０ スリット
３２２ スリット
３４２ スリット
３２５ ギャップ
３３０，３３０Ａ，３３０Ｂ，３３０Ｃ，３３０Ｄ，３３０Ｅ 下側高比透磁率部材
３３２，３３２Ａ，３３２Ｂ，３３２Ｃ，３３２Ｄ，３３２Ｅ 第１下側コア
３３６，３３６Ａ，３３６Ｂ，３３６Ｃ，３３６Ｄ，３３６Ｅ 第２下側コア
３４０ スリット
３４５ ギャップ
４００，４００Ａ，４００Ｂ，４００Ｃ，４００Ｄ，４００Ｅ 低比透磁率部材
４１０，４１０Ａ，４１０Ｂ，４１０Ｃ，４１０Ｄ，４１０Ｅ 複合磁性体
４１２ 結合剤
４１４ 軟磁性体粉末
６００ ケース
６１０ 上面
６３０ 下面
６４０ 開口部
７１２ 領域
７３２ 領域
７１６ 領域
７３６ 領域
８００ 昇圧回路
Ｅ 電源
８２０ 第１昇圧チョッパ回路
Ｓ１ 第１スイッチング素子
Ｄ１ 第１整流素子
８５０ 第２昇圧チョッパ回路
Ｓ２ 第２スイッチング素子
Ｄ２ 第２整流素子
Ｃ 平滑コンデンサ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
