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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-02-27
(45)【発行日】2024-03-06
(54)【発明の名称】純銅材、絶縁基板、電子デバイス
(51)【国際特許分類】
C22C 9/00 20060101AFI20240228BHJP
H01B 1/02 20060101ALI20240228BHJP
C22F 1/00 20060101ALN20240228BHJP
C22F 1/08 20060101ALN20240228BHJP
【ＦＩ】
C22C9/00
H01B1/02 A
C22F1/00 604
C22F1/00 605
C22F1/00 623
C22F1/00 627
C22F1/00 650A
C22F1/00 650F
C22F1/00 661A
C22F1/00 661Z
C22F1/00 681
C22F1/00 682
C22F1/00 683
C22F1/00 684C
C22F1/00 685Z
C22F1/00 686A
C22F1/00 691A
C22F1/00 691B
C22F1/00 691C
C22F1/00 691Z
C22F1/00 692A
C22F1/00 694A
C22F1/00 694B
C22F1/00 694Z
C22F1/08 B
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2023120990
(22)【出願日】2023-07-25
(65)【公開番号】P2024019079
(43)【公開日】2024-02-08
【審査請求日】2023-11-15
(31)【優先権主張番号】P 2022121432
(32)【優先日】2022-07-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】000006264
【氏名又は名称】三菱マテリアル株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100149548
【弁理士】
【氏名又は名称】松沼 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100175802
【弁理士】
【氏名又は名称】寺本 光生
(74)【代理人】
【識別番号】100142424
【弁理士】
【氏名又は名称】細川 文広
(74)【代理人】
【識別番号】100140774
【弁理士】
【氏名又は名称】大浪 一徳
(72)【発明者】
【氏名】大平 拓実
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 優樹
(72)【発明者】
【氏名】川▲崎▼ 健一郎
(72)【発明者】
【氏名】牧 一誠
【審査官】小川 進
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０２１／１７７４６９（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２１／１０７０９６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２１／１７７４７０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２１／１７７４６０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０２０／１２２１１２（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２２Ｃ ９／００
Ｈ０１Ｂ １／０２
Ｃ２２Ｆ １／００
Ｃ２２Ｆ １／０８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上９９．９９９ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、圧延面における平均結晶粒径が１０μｍ以上であり、
ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＬＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）の平均値が２．００°以下であることを特徴とする純銅材。
【請求項2】
ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＯＳ（Ｇｒａｉｎ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）の平均値が２．００°以下であることを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項3】
ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値の標準偏差の値が０．７５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項4】
ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＮＤ（Ｇｅｏｍｅｔｒｉｃａｌｌｙ Ｎｅｃｅｓｓａｒｙ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ）の平均値が５．０×１０１４ｍ－２以下であることを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項5】
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を合計量で３００ｍａｓｓｐｐｍ以下含むことを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項6】
前記添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物を有し、前記化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上であることを特徴とする請求項５に記載の純銅材。
【請求項7】
前記化合物がＣｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含むことを特徴とする請求項６に記載の純銅材。
【請求項8】
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上を合計量で１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含むことを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項9】
Ｏの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項10】
Ｐの含有量が０．０１ｍａｓｓｐｐｍ以上３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項11】
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂが１．０を超えていることを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項12】
Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上を合計量で５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含むことを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項13】
Ｍｇを１００ｍａｓｓｐｐｍ以下の量で含むことを特徴とする請求項１に記載の純銅材。
【請求項14】
セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に接合された銅板と、を備え、前記銅板が請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の純銅材で構成されていることを特徴とする絶縁基板。
【請求項15】
請求項１４に記載の絶縁基板と、前記絶縁基板に搭載された電子部品とを有することを特徴とする電子デバイス。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ヒートシンクや厚銅回路等の電気・電子部品に適した純銅材であって、特にパワー半導体などが搭載される絶縁基板に用いられる純銅材、この純銅材を用いた絶縁基板、電子デバイスに関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、ヒートシンクや厚銅回路等の電気・電子部品には、導電性の高い純銅材が用いられている。
最近では、電気・電子機器用部品に用いられる電流量の増大にともない、抵抗発熱が問題となっている。
半導体装置等においては、例えば、セラミックス基板に純銅材を接合し、上述のヒートシンクや厚銅回路を構成した絶縁基板等が用いられている。
最近では、電気・電子機器用部品に用いられる電流量の増大にともない、抵抗発熱が問題となっている。
半導体装置等においては、例えば、セラミックス基板に純銅材を接合し、上述のヒートシンクや厚銅回路を構成した絶縁基板等が用いられている。
【0003】
セラミックス基板と純銅材を接合する際には、高温雰囲気中で加圧処理を行うため、純銅材の結晶粒径の粗大化や不均一な成長によって、接合不良や外観不良、検査工程での不具合を起こすことがある。
この問題点を解決するために、純銅材には、熱処理後においても、結晶粒径の変化が少なく、かつその大きさが均一であることが求められている。
この問題点を解決するために、純銅材には、熱処理後においても、結晶粒径の変化が少なく、かつその大きさが均一であることが求められている。
【0004】
そこで、例えば特許文献１，２には、純銅材において結晶粒の成長を抑制する技術が提案されている。
この特許文献１においては、Ｓを０．０００６～０．００１５ｗｔ％含有することにより、再結晶温度以上で熱処理しても、一定の大きさの結晶粒に調整可能であると記載されている。
また、特許文献２においては、Ｃａを含有するとともに、Ｃａの含有量とＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの合計含有量との比を規定することにより、８００℃で熱処理しても結晶粒の粗大化を抑制可能とされている。
この特許文献１においては、Ｓを０．０００６～０．００１５ｗｔ％含有することにより、再結晶温度以上で熱処理しても、一定の大きさの結晶粒に調整可能であると記載されている。
また、特許文献２においては、Ｃａを含有するとともに、Ｃａの含有量とＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅの合計含有量との比を規定することにより、８００℃で熱処理しても結晶粒の粗大化を抑制可能とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開平０６－００２０５８号公報
【文献】国際公開第２０２０／２０３０７１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、特許文献１，２においては、組成を規定することによって結晶粒の粗大化を抑制する構成とされているが、熱処理条件等によっては、結晶粒の粗大化や結晶粒径のバラつきを十分に抑制することができないおそれがあった。
特に、セラミックス基板と銅板とを強固に接合する際には、セラミックス基板と銅板とを積層方向に一定の圧力で加圧した状態で高温の熱処理を行うことになる。このとき、純銅板においては、結晶粒が不均一に成長し易く、結晶粒の粗大化や不均一な成長によって、接合不良や外観不良、検査工程での不具合を起こすことがある。
特に、セラミックス基板と銅板とを強固に接合する際には、セラミックス基板と銅板とを積層方向に一定の圧力で加圧した状態で高温の熱処理を行うことになる。このとき、純銅板においては、結晶粒が不均一に成長し易く、結晶粒の粗大化や不均一な成長によって、接合不良や外観不良、検査工程での不具合を起こすことがある。
【0007】
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、熱処理後においても結晶粒径の変化が少なく、かつ、結晶粒径のバラつきが抑制されて均一な結晶組織を得ることができる純銅材、この純銅材を用いた絶縁基板、電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
この課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、熱処理時の結晶粒の粗大化及び結晶粒径のバラツキを抑制するためには、材料の内部の「ひずみの分布」を制御することが重要であることが明らかとなった。
すなわち、熱処理時に生じる結晶粒の成長の駆動力としては、結晶粒界や粒内のひずみが挙げられる。これらの結晶粒の成長の駆動力となり得るものが材料内に均一に存在していないと、結晶粒の成長に偏りが発生してしまい、局所的な結晶粒の粗大化や混粒化といった現象に繋がってしまう。そのため、ひずみが均一に分散した材料が、熱処理時の結晶粒の成長の抑制には重要であることが明らかとなった。
なお、混粒化とは、結晶粒の大きさが揃っておらず、大きな結晶粒と小さな結晶粒が混在している状態である。
すなわち、熱処理時に生じる結晶粒の成長の駆動力としては、結晶粒界や粒内のひずみが挙げられる。これらの結晶粒の成長の駆動力となり得るものが材料内に均一に存在していないと、結晶粒の成長に偏りが発生してしまい、局所的な結晶粒の粗大化や混粒化といった現象に繋がってしまう。そのため、ひずみが均一に分散した材料が、熱処理時の結晶粒の成長の抑制には重要であることが明らかとなった。
なお、混粒化とは、結晶粒の大きさが揃っておらず、大きな結晶粒と小さな結晶粒が混在している状態である。
【0009】
本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の態様１の純銅材は、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上９９．９９９ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、圧延面における平均結晶粒径が１０μｍ以上であり、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＬＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）の平均値が２．００°以下であることを特徴としている。
【0010】
本発明の態様１の純銅材によれば、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上９９．９９９ｍａｓｓ％以下の範囲内とされているので、導電性及び放熱性に特に優れており、大電流用途の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、圧延面における平均結晶粒径が１０μｍ以上とされているので、熱処理時における再結晶の進行を抑制でき、結晶粒の粗大化や組織の不均一化を抑えることが可能となる。
そして、ＥＢＳＤ法により測定されるＬＯＳの平均値が２．００°以下とされていることから、結晶内のひずみ分布が均一化されており、熱処理後においても結晶粒径の変化が少なく、かつ、均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
また、圧延面における平均結晶粒径が１０μｍ以上とされているので、熱処理時における再結晶の進行を抑制でき、結晶粒の粗大化や組織の不均一化を抑えることが可能となる。
そして、ＥＢＳＤ法により測定されるＬＯＳの平均値が２．００°以下とされていることから、結晶内のひずみ分布が均一化されており、熱処理後においても結晶粒径の変化が少なく、かつ、均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
【0011】
本発明の態様２は、態様１の純銅材において、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＯＳ（Ｇｒａｉｎ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）の平均値が２．００°以下であることを特徴としている。
本発明の態様２の純銅材によれば、ＥＢＳＤ法により測定されるＧＯＳの平均値が２．００°以下とされているので、結晶粒の中のひずみが局在化しておらず、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
本発明の態様２の純銅材によれば、ＥＢＳＤ法により測定されるＧＯＳの平均値が２．００°以下とされているので、結晶粒の中のひずみが局在化しておらず、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
【0012】
本発明の態様３は、態様１または態様２の純銅材において、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値の標準偏差の値が０．７５°以下であることを特徴としている。
本発明の態様３の純銅材によれば、ＥＢＳＤ法により測定されるＫＡＭ値の標準偏差が０．７５°以下とされているので、結晶粒の中のひずみが局在化しておらず、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
本発明の態様３の純銅材によれば、ＥＢＳＤ法により測定されるＫＡＭ値の標準偏差が０．７５°以下とされているので、結晶粒の中のひずみが局在化しておらず、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
【0013】
本発明の態様４は、態様１から態様３のいずれか一つの純銅材において、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＮＤ（Ｇｅｏｍｅｔｒｉｃａｌｌｙ Ｎｅｃｅｓｓａｒｙ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ）の平均値が５．０×１０１４ｍ－２以下であることを特徴としている。
本発明の態様４の純銅材によれば、局所的に蓄積されたＧＮ転位の量が少なく抑えられているので、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
本発明の態様４の純銅材によれば、局所的に蓄積されたＧＮ転位の量が少なく抑えられているので、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
【0014】
本発明の態様５は、態様１から態様４のいずれか一つの純銅材において、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を合計量で３００ｍａｓｓｐｐｍ以下含むことを特徴としている。
本発明の態様５の純銅材によれば、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を合計量で３００ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいるので、材料強度や導電率に大きな影響を与えることなく、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。なお、前記添加元素の合計量が５ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
本発明の態様５の純銅材によれば、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を合計量で３００ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいるので、材料強度や導電率に大きな影響を与えることなく、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。なお、前記添加元素の合計量が５ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
【0015】
本発明の態様６は、態様５の純銅材において、前記添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物を有し、前記化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上であることを特徴としている。
本発明の態様６の純銅材によれば、前記添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上とされているので、化合物のピン止め効果によって、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
本発明の態様６の純銅材によれば、前記添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上とされているので、化合物のピン止め効果によって、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
【0016】
本発明の態様７は、態様６の純銅材において、前記化合物がＣｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含むことを特徴としている。
本発明の態様７の純銅材によれば、前記化合物がＣｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含んでいるので、これらの化合物のピン止め効果によって、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
本発明の態様７の純銅材によれば、前記化合物がＣｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含んでいるので、これらの化合物のピン止め効果によって、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
【0017】
本発明の態様８は、態様１から態様７のいずれか一つの純銅材において、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上を合計量で１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含むことを特徴としている。
本発明の態様８の純銅材によれば、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上を合計量で１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいるので、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。なお、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計量が０．２ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
本発明の態様８の純銅材によれば、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上を合計量で１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいるので、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。なお、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計量が０．２ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
【0018】
本発明の態様９は、態様１から態様８のいずれか一つの純銅材において、Ｏの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることを特徴としている。
本発明の態様９の純銅材によれば、Ｏの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。
本発明の態様９の純銅材によれば、Ｏの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限されているので、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。
【0019】
本発明の態様１０は、態様１から態様９のいずれか一つの純銅材において、Ｐの含有量が３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることを特徴としている。
本発明の態様１０の純銅材によれば、Ｐの含有量が３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされているので、不純物として含まれるＯを無害化することができ、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。なお、Ｐの含有量が０．０１ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
本発明の態様１０の純銅材によれば、Ｐの含有量が３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされているので、不純物として含まれるＯを無害化することができ、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。なお、Ｐの含有量が０．０１ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
【0020】
本発明の態様１１は、態様５の純銅材において、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂが１．０を超えていることを特徴としている。
本発明の態様１１の純銅材によれば、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂが上述の範囲とされているので、Ｃａ，Ｓｒ，ＢａがＰ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏと化合物を形成することによって消費されることを抑制することができ、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａによる結晶粒成長抑制効果（結晶粒の成長を抑制する効果）を確実に奏功せしめることが可能となる。
本発明の態様１１の純銅材によれば、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂが上述の範囲とされているので、Ｃａ，Ｓｒ，ＢａがＰ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏと化合物を形成することによって消費されることを抑制することができ、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａによる結晶粒成長抑制効果（結晶粒の成長を抑制する効果）を確実に奏功せしめることが可能となる。
【0021】
本発明の態様１２は、態様１から態様１１のいずれか一つの純銅材において、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上を合計量で５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含むことを特徴としている。
本発明の態様１２の純銅材によれば、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上を合計量で５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含有しているので、銅の母相中にＡｇ，Ｆｅ，Ｐｂが固溶することにより、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。なお、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計量が０．５ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
本発明の態様１２の純銅材によれば、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上を合計量で５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含有しているので、銅の母相中にＡｇ，Ｆｅ，Ｐｂが固溶することにより、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。なお、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計量が０．５ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
【0022】
本発明の態様１３は、態様１から態様１２のいずれか一つの純銅材において、Ｍｇを１００ｍａｓｓｐｐｍ以下含むことを特徴としている。
本発明の態様１３の純銅材によれば、Ｍｇを１００ｍａｓｓｐｐｍ以下含有しているので場合、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。なお、Ｍｇの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上１ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
本発明の態様１３の純銅材によれば、Ｍｇを１００ｍａｓｓｐｐｍ以下含有しているので場合、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。なお、Ｍｇの含有量が０ｍａｓｓｐｐｍ以上１ｍａｓｓｐｐｍ未満の場合、前記作用効果は乏しい。
【0023】
本発明の態様１４の絶縁基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に接合された銅板と、を備え、前記銅板が態様１から態様１３のいずれか一つの純銅材で構成されていることを特徴としている。
本発明の態様１４の絶縁基板によれば、セラミックス基板に接合される銅板が、態様１から態様１３のいずれか一つの純銅材で構成されているので、接合時における結晶粒の成長が抑制され、均一な結晶組織を有しており、安定して使用することができる。
本発明の態様１４の絶縁基板によれば、セラミックス基板に接合される銅板が、態様１から態様１３のいずれか一つの純銅材で構成されているので、接合時における結晶粒の成長が抑制され、均一な結晶組織を有しており、安定して使用することができる。
【0024】
本発明の態様１５の電子デバイスは、態様１４の絶縁基板と、前記絶縁基板に搭載された電子部品とを有することを特徴としている。
本発明の態様１５の電子デバイスによれば、態様１４の絶縁基板を備えているので、銅板が均一な結晶組織を有しており、安定して使用することができる。
本発明の態様１５の電子デバイスによれば、態様１４の絶縁基板を備えているので、銅板が均一な結晶組織を有しており、安定して使用することができる。
【発明の効果】
【0025】
本発明によれば、熱処理後においても結晶粒径の変化が少なく、かつ、結晶粒径のバラつきが抑制されて均一で微細な結晶組織を得ることができる純銅材、この純銅材を用いた絶縁基板、電子デバイスを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0026】
【図1】本実施形態である絶縁基板および電子デバイスの概略説明図である。
【図2】本実施形態である純銅材の製造方法のフロー図である。
【図3A】本発明例１１における化合物の観察結果であり、ＴＥＭ像（透過電子像）である。
【図3B】本発明例１１における化合物の観察結果であり、電子線回折像である。
【発明を実施するための形態】
【0027】
以下に、本発明の一実施形態である純銅材、絶縁基板、電子デバイスについて説明する。
本実施形態である純銅材は、ヒートシンクや厚銅回路等の電気・電子部品の素材として用いられるものであり、前述の電気・電子部品を成形する際に、純銅材は、例えばセラミックス基板に接合され、絶縁基板を構成するものである。
本実施形態である純銅材は、ヒートシンクや厚銅回路等の電気・電子部品の素材として用いられるものであり、前述の電気・電子部品を成形する際に、純銅材は、例えばセラミックス基板に接合され、絶縁基板を構成するものである。
【0028】
図１に、本発明の実施形態である絶縁基板１０及びこの絶縁基板１０を用いた電子デバイス１を示す。
本実施形態である電子デバイス１は、本実施形態である絶縁基板１０と、この絶縁基板１０の一方側（図１において上側）に第１接合層２を介して接合された電子部品３と、絶縁基板１０の他方側（図１において下側）に第２接合層８を介して接合されたヒートシンク５１と、を備えている。
なお、本実施形態では、電子部品３がパワー半導体素子とされており、電子デバイス１はパワーモジュールとされている。
本実施形態である電子デバイス１は、本実施形態である絶縁基板１０と、この絶縁基板１０の一方側（図１において上側）に第１接合層２を介して接合された電子部品３と、絶縁基板１０の他方側（図１において下側）に第２接合層８を介して接合されたヒートシンク５１と、を備えている。
なお、本実施形態では、電子部品３がパワー半導体素子とされており、電子デバイス１はパワーモジュールとされている。
【0029】
絶縁基板１０は、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層１３とを備えている。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものである。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものである。
【0030】
回路層１２は、セラミックス基板１１の一方の面に銅板が接合されることにより形成されている。この回路層１２には、回路パターンが形成されており、その一方の面（図１において上面）が、電子部品３が搭載される搭載面されている。
金属層１３は、セラミックス基板１１の他方の面に銅板が接合されることにより形成されている。この金属層１３は、電子部品３からの熱をヒートシンク５１へと効率良く伝達させる作用効果を有するものである。
金属層１３は、セラミックス基板１１の他方の面に銅板が接合されることにより形成されている。この金属層１３は、電子部品３からの熱をヒートシンク５１へと効率良く伝達させる作用効果を有するものである。
【0031】
なお、回路層１２となる銅板とセラミックス基板１１、および、金属層１３となる銅板とセラミックス基板１１は、例えば、ＤＢＣ法、ＡＭＢ法等の既存の接合方法によって接合されている。
ここで、接合時の温度は、例えば７５０℃以上の高温条件となり、回路層１２および金属層１３において結晶粒の粗大化が生じるおそれがある。
ここで、接合時の温度は、例えば７５０℃以上の高温条件となり、回路層１２および金属層１３において結晶粒の粗大化が生じるおそれがある。
【0032】
そこで、本実施形態においては、回路層１２となる銅板、および、金属層１３となる銅板が、本実施形態である純銅材で構成されている。
【0033】
本実施形態である純銅材は、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上９９．９９９ｍａｓｓ％以下の範囲内とされている。
なお、本実施形態である純銅材においては、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を合計量で３００ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいてもよい。
また、本実施形態である純銅材においては、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上を合計量で１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいてもよい。
なお、本実施形態である純銅材においては、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を合計量で３００ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいてもよい。
また、本実施形態である純銅材においては、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上を合計量で１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含んでいてもよい。
【0034】
さらに、本実施形態である純銅材においては、Ｏの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることが好ましい。
また、本実施形態である純銅材においては、Ｐの含有量が３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていてもよい。
さらに、本実施形態である純銅材においては、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂが１．０を超えていることが好ましい。
また、本実施形態である純銅材においては、Ｐの含有量が３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていてもよい。
さらに、本実施形態である純銅材においては、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂが１．０を超えていることが好ましい。
【0035】
また、本実施形態である純銅材においては、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上を合計量で５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下で含んでいてもよい。
さらに、本実施形態である純銅材においては、Ｍｇを１００ｍａｓｓｐｐｍ以下で含んでいてもよい。
さらに、本実施形態である純銅材においては、Ｍｇを１００ｍａｓｓｐｐｍ以下で含んでいてもよい。
【0036】
そして、本実施形態である純銅材においては、圧延面における平均結晶粒径が１０μｍ以上であり、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点（ピクセル）を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＬＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）の平均値が２．００°以下とされている。
なお、本実施形態では、“方位差”は、“角度差”とも言う。
なお、本実施形態では、“方位差”は、“角度差”とも言う。
【0037】
なお、本実施形態である純銅材においては、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＯＳ（Ｇｒａｉｎ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）の平均値が２．００°以下であることが好ましい。
【0038】
また、本実施形態である純銅材においては、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値の標準偏差の値が０．７５°以下であることが好ましい。
【0039】
さらに、本実施形態である純銅材においては、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＮＤ（Ｇｅｏｍｅｔｒｉｃａｌｌｙ Ｎｅｃｅｓｓａｒｙ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ）の平均値が５．０×１０１４ｍ－２以下であることが好ましい。
【0040】
また、本実施形態である純銅材においては、上述の添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物を有しており、この化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上であることが好ましい。
さらに、上述の化合物がＣｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含むことが好ましい。
さらに、上述の化合物がＣｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含むことが好ましい。
【0041】
ここで、本実施形態の純銅材において、上述のようにＣｕの含有量、平均結晶粒径、ＬＯＳの平均値、ＧＯＳの平均値、ＫＡＭ値の標準偏差の値、ＧＮＤの平均値、各種元素の含有量、化合物を規定した理由について、以下に説明する。
【0042】
（Ｃｕの含有量：９９．９ｍａｓｓ％以上９９．９９９ｍａｓｓ％以下）
大電流用途の電気・電子部品においては、通電時の発熱を抑制するために、導電性及び放熱性に優れていることが要求されており、導電性及び放熱性に特に優れた純銅を用いることが好ましい。また、セラミックス基板等と接合した場合には、冷熱サイクル負荷時に生じる熱歪を緩和できるように、変形抵抗が小さいことが好ましい。
そこで、本実施形態である純銅材においては、Ｃｕの純度を９９．９ｍａｓｓ％以上に規定している。なお、Ｃｕの純度は９９．９６５ｍａｓｓ％以上であることが好ましく、９９．９７ｍａｓｓ％以上であることがさらに好ましい。
また、Ｃｕの純度が９９．９９９ｍａｓｓ％を超える場合には、特別な精錬工程が必要となり、製造コストが大幅に増加することになる。このため、本実施形態である純銅材においては、Ｃｕの純度を９９．９９９ｍａｓｓ％以下に規定している。
大電流用途の電気・電子部品においては、通電時の発熱を抑制するために、導電性及び放熱性に優れていることが要求されており、導電性及び放熱性に特に優れた純銅を用いることが好ましい。また、セラミックス基板等と接合した場合には、冷熱サイクル負荷時に生じる熱歪を緩和できるように、変形抵抗が小さいことが好ましい。
そこで、本実施形態である純銅材においては、Ｃｕの純度を９９．９ｍａｓｓ％以上に規定している。なお、Ｃｕの純度は９９．９６５ｍａｓｓ％以上であることが好ましく、９９．９７ｍａｓｓ％以上であることがさらに好ましい。
また、Ｃｕの純度が９９．９９９ｍａｓｓ％を超える場合には、特別な精錬工程が必要となり、製造コストが大幅に増加することになる。このため、本実施形態である純銅材においては、Ｃｕの純度を９９．９９９ｍａｓｓ％以下に規定している。
【0043】
（圧延面における平均結晶粒径：１０μｍ以上）
本実施形態である純銅材において、圧延面における結晶粒の粒径が微細であると、この純銅材を例えば８００℃以上に加熱した際に、再結晶が進行しやすく、結晶粒の粗大化、組織の不均一化が促進されてしまうおそれがある。
このため、本実施形態である純銅材においては、熱処理時における結晶粒の粗大化や組織の不均一化を抑制するために、圧延面における平均結晶粒径を１０μｍ以上としている。
なお、圧延面における平均結晶粒径は、１５μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、圧延面における平均結晶粒径は、３００μｍ以下であることが好ましく、２７５μｍ以下であることがさらに好ましく、２５０μｍ以下であることがより好ましい。
本実施形態である純銅材において、圧延面における結晶粒の粒径が微細であると、この純銅材を例えば８００℃以上に加熱した際に、再結晶が進行しやすく、結晶粒の粗大化、組織の不均一化が促進されてしまうおそれがある。
このため、本実施形態である純銅材においては、熱処理時における結晶粒の粗大化や組織の不均一化を抑制するために、圧延面における平均結晶粒径を１０μｍ以上としている。
なお、圧延面における平均結晶粒径は、１５μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがさらに好ましい。また、圧延面における平均結晶粒径は、３００μｍ以下であることが好ましく、２７５μｍ以下であることがさらに好ましく、２５０μｍ以下であることがより好ましい。
【0044】
（ＬＯＳの平均値：２．００°以下）
ＥＢＳＤにより測定されるＬＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）値は、設定したカーネル内の各ポイントとカーネル内の他のすべてのポイントとの間の角度差により算出される。例えば、ピクセルの形状は正六角形のため、近接次数を１とした場合は、１つの中心点に６つの隣接点が隣り合う。中心点と６つの隣接点を含む合計７つの点から任意の２つの点を選択すると、２つの点の組み合わせの数は２１通りある。２１通りのそれぞれの組み合わせの２つの点間の方位差を求め、その平均値をＬＯＳの値とする。さらに、求められたＬＯＳの値を測定視野について平均化した値をＬＯＳの平均値とする。ＬＯＳ値は、設定されたカーネル内でのピクセル間の方位差を考慮したひずみ量に相当する値である。ＬＯＳ値は、測定時のＳｔｅｐ Ｓｉｚｅの依存性が少ない測定値となる。
なお、本実施形態では、近接次数を１として、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。このＬＯＳ値により、結晶内のひずみ分布を正確に評価することが可能となる。
そして、本実施形態においては、ＬＯＳの平均値を２．００°以下とすることにより、熱処理後においても結晶粒径の変化が少なく、かつ、均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
なお、ＬＯＳの平均値は、１．７５°以下であることが好ましく、１．５０°以下であることがさらに好ましい。また、ＬＯＳの平均値は、０．０５°以上であることが好ましく、０．１０°以上であることがさらに好ましく、０．２０°以上であることがより好ましい。
ＥＢＳＤにより測定されるＬＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）値は、設定したカーネル内の各ポイントとカーネル内の他のすべてのポイントとの間の角度差により算出される。例えば、ピクセルの形状は正六角形のため、近接次数を１とした場合は、１つの中心点に６つの隣接点が隣り合う。中心点と６つの隣接点を含む合計７つの点から任意の２つの点を選択すると、２つの点の組み合わせの数は２１通りある。２１通りのそれぞれの組み合わせの２つの点間の方位差を求め、その平均値をＬＯＳの値とする。さらに、求められたＬＯＳの値を測定視野について平均化した値をＬＯＳの平均値とする。ＬＯＳ値は、設定されたカーネル内でのピクセル間の方位差を考慮したひずみ量に相当する値である。ＬＯＳ値は、測定時のＳｔｅｐ Ｓｉｚｅの依存性が少ない測定値となる。
なお、本実施形態では、近接次数を１として、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。このＬＯＳ値により、結晶内のひずみ分布を正確に評価することが可能となる。
そして、本実施形態においては、ＬＯＳの平均値を２．００°以下とすることにより、熱処理後においても結晶粒径の変化が少なく、かつ、均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
なお、ＬＯＳの平均値は、１．７５°以下であることが好ましく、１．５０°以下であることがさらに好ましい。また、ＬＯＳの平均値は、０．０５°以上であることが好ましく、０．１０°以上であることがさらに好ましく、０．２０°以上であることがより好ましい。
【0045】
（ＧＯＳの平均値：２．００°以下）
ＥＢＳＤによって測定されるＧＯＳ（Ｇｒａｉｎ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）値は、結晶粒の中における全ピクセル同士の角度差を求めて、得られた結晶粒毎の角度差の平均値である。更に、求められたＧＯＳの値を測定視野について平均化した値をＧＯＳの平均値とする。ここで、ＧＯＳの平均値は、各結晶の領域の大きさではなく、各結晶の個数を用いて平均値を算出している。つまり、ＧＯＳ値が大きいと結晶粒の中に存在するひずみが局在化していることを表している。なお、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。
ＧＯＳ値を低く抑えることで、ひずみが均一に存在していることになり、結晶粒の成長が均一に起きることになり、結晶粒の粗大化が局所的に起きることを効果的に抑制することが可能となる。また、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
そこで、本実施形態において、熱処理時の結晶粒の粗大化が局所的に起こることを十分に抑制するためには、ＧＯＳの平均値を２．００°以下とすることが好ましい。
なお、ＧＯＳの平均値は、１．９０°以下であることがさらに好ましく、１．８０°以下であることがより好ましい。また、ＧＯＳの平均値は、０．０５°以上であることが好ましく、０．１０°以上であることがさらに好ましく、０．２０°以上であることがより好ましい。
ＥＢＳＤによって測定されるＧＯＳ（Ｇｒａｉｎ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）値は、結晶粒の中における全ピクセル同士の角度差を求めて、得られた結晶粒毎の角度差の平均値である。更に、求められたＧＯＳの値を測定視野について平均化した値をＧＯＳの平均値とする。ここで、ＧＯＳの平均値は、各結晶の領域の大きさではなく、各結晶の個数を用いて平均値を算出している。つまり、ＧＯＳ値が大きいと結晶粒の中に存在するひずみが局在化していることを表している。なお、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。
ＧＯＳ値を低く抑えることで、ひずみが均一に存在していることになり、結晶粒の成長が均一に起きることになり、結晶粒の粗大化が局所的に起きることを効果的に抑制することが可能となる。また、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
そこで、本実施形態において、熱処理時の結晶粒の粗大化が局所的に起こることを十分に抑制するためには、ＧＯＳの平均値を２．００°以下とすることが好ましい。
なお、ＧＯＳの平均値は、１．９０°以下であることがさらに好ましく、１．８０°以下であることがより好ましい。また、ＧＯＳの平均値は、０．０５°以上であることが好ましく、０．１０°以上であることがさらに好ましく、０．２０°以上であることがより好ましい。
【0046】
（ＫＡＭ値の標準偏差の値：０．７５°以下）
ＥＢＳＤにより測定されるＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値は、１つのピクセルとそれを取り囲むピクセル間の方位差を平均値化することで算出される値である。ピクセルの形状は正六角形のため、近接次数を１とする場合、１つのピクセルと隣接する六つのピクセルとの方位差の平均値がＫＡＭ値として算出される。ＫＡＭ値を用いることで、局所的な方位差、すなわち、ひずみの分布を可視化できる。このＫＡＭ値の標準偏差の値は局所的なひずみの均一さを示すことになる。なお、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。
このＫＡＭ値の標準偏差の値を低く抑えることで、ひずみが均一に存在していることになり、結晶粒の成長が均一に起きることになり、結晶粒の粗大化が局所的に起きることを効果的に抑制することが可能となる。また、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
そこで、本実施形態において、熱処理時の結晶粒の粗大化が局所的に起こることを十分に抑制するためには、ＫＡＭ値の標準偏差の値を０．７５°以下とすることが好ましい。
なお、ＫＡＭ値の標準偏差の値は、０．７０°以下であることがさらに好ましく、０．６５°以下であることがより好ましい。また、ＫＡＭ値の標準偏差の値は、０．０２５°以上であることが好ましく、０．０５°以上であることがさらに好ましく、０．０７５°以上であることがより好ましい。
ＥＢＳＤにより測定されるＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値は、１つのピクセルとそれを取り囲むピクセル間の方位差を平均値化することで算出される値である。ピクセルの形状は正六角形のため、近接次数を１とする場合、１つのピクセルと隣接する六つのピクセルとの方位差の平均値がＫＡＭ値として算出される。ＫＡＭ値を用いることで、局所的な方位差、すなわち、ひずみの分布を可視化できる。このＫＡＭ値の標準偏差の値は局所的なひずみの均一さを示すことになる。なお、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。
このＫＡＭ値の標準偏差の値を低く抑えることで、ひずみが均一に存在していることになり、結晶粒の成長が均一に起きることになり、結晶粒の粗大化が局所的に起きることを効果的に抑制することが可能となる。また、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
そこで、本実施形態において、熱処理時の結晶粒の粗大化が局所的に起こることを十分に抑制するためには、ＫＡＭ値の標準偏差の値を０．７５°以下とすることが好ましい。
なお、ＫＡＭ値の標準偏差の値は、０．７０°以下であることがさらに好ましく、０．６５°以下であることがより好ましい。また、ＫＡＭ値の標準偏差の値は、０．０２５°以上であることが好ましく、０．０５°以上であることがさらに好ましく、０．０７５°以上であることがより好ましい。
【0047】
（ＧＮＤの平均値：５．０×１０１４ｍ－２以下）
ＥＢＳＤにより測定されるＧＮＤ（Ｇｅｏｍｅｔｒｉｃａｌｌｙ Ｎｅｃｅｓｓａｒｙ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ）値は、各ピクセルの方位を測定することにより、ＧＮ転位の量を評価する値である。このＧＮＤ値を用いることで、局所的に蓄積されたＧＮ転位を評価することができる。滑り系として｛１１１｝＜１１０＞を利用し、その時のバーガースベクトルの大きさとして０．２５５ｎｍを用いて計算している。なお、近接次数を１として、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。
このＧＮＤの平均値を低く抑えることで、局所的に蓄積されたＧＮ転位が少なく、熱処理時における結晶粒の成長をさらに効果的に抑制することが可能となる。
そこで、本実施形態において、ＧＮＤの平均値を５．０×１０１４ｍ－２以下とすることが好ましい。これにより、熱処理時の結晶粒の粗大化をさらに抑制でき、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
なお、ＧＮＤの平均値は、４．５×１０１４ｍ－２以下であることがさらに好ましく、４．０×１０１４ｍ－２以下であることがより好ましい。また、ＧＮＤの平均値は、０．４×１０１４ｍ－２以上であることが好ましく、０．６×１０１４ｍ－２以上であることがさらに好ましく、０．８×１０１４ｍ－２以上であることがより好ましい。
ＥＢＳＤにより測定されるＧＮＤ（Ｇｅｏｍｅｔｒｉｃａｌｌｙ Ｎｅｃｅｓｓａｒｙ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ）値は、各ピクセルの方位を測定することにより、ＧＮ転位の量を評価する値である。このＧＮＤ値を用いることで、局所的に蓄積されたＧＮ転位を評価することができる。滑り系として｛１１１｝＜１１０＞を利用し、その時のバーガースベクトルの大きさとして０．２５５ｎｍを用いて計算している。なお、近接次数を１として、ピクセル間で５°以下の角度差のものを対象として計算を行っている。
このＧＮＤの平均値を低く抑えることで、局所的に蓄積されたＧＮ転位が少なく、熱処理時における結晶粒の成長をさらに効果的に抑制することが可能となる。
そこで、本実施形態において、ＧＮＤの平均値を５．０×１０１４ｍ－２以下とすることが好ましい。これにより、熱処理時の結晶粒の粗大化をさらに抑制でき、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な結晶組織を得ることが可能となる。
なお、ＧＮＤの平均値は、４．５×１０１４ｍ－２以下であることがさらに好ましく、４．０×１０１４ｍ－２以下であることがより好ましい。また、ＧＮＤの平均値は、０．４×１０１４ｍ－２以上であることが好ましく、０．６×１０１４ｍ－２以上であることがさらに好ましく、０．８×１０１４ｍ－２以上であることがより好ましい。
【0048】
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量：５ｍａｓｓｐｐｍ以上３００ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素は、銅の母相中にほとんど固溶せずに化合物を形成する。また、粒界に偏在化しやすい元素であるため、わずかな添加量で結晶粒界をピン止めすることができ、熱処理時における結晶粒の成長を効果的に抑制することができる。よって、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を添加することにより、材料強度や導電率をほとんど変化させることなく、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することが可能となる。
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素は、銅の母相中にほとんど固溶せずに化合物を形成する。また、粒界に偏在化しやすい元素であるため、わずかな添加量で結晶粒界をピン止めすることができ、熱処理時における結晶粒の成長を効果的に抑制することができる。よって、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を添加することにより、材料強度や導電率をほとんど変化させることなく、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することが可能となる。
【0049】
そして、これらの添加元素の効果は、上述するＬＯＳの平均値と同時に制御することにより、その効果が高くなることが分かった。熱処理により発生された再結晶核が成長する際に、ピン止め効果を有する添加元素がある場合には、その再結晶核の成長を抑制することができ、より微細な結晶粒の状態を維持することが可能となる。
一方、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の含有量が多すぎると、製造性に悪影響を及ぼすおそれがある。
そこで、本実施形態において、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制するためには、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上３００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
一方、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の含有量が多すぎると、製造性に悪影響を及ぼすおそれがある。
そこで、本実施形態において、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制するためには、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量を５ｍａｓｓｐｐｍ以上３００ｍａｓｓｐｐｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
【0050】
なお、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量の下限は、７．５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、１０ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。また、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量の上限は、２５０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、２００ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【0051】
（添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度：１×１０－４個／μｍ２以上）
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物が多く存在することにより、結晶粒界をピン止めすることができ、熱処理時における結晶粒の成長を効果的に抑制することができる。
そこで、本実施形態において、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制するためには、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上であることが好ましい。
なお、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度は、５×１０－４個／μｍ２以上であることがさらに好ましく、１０×１０－４個／μｍ２以上であることがより好ましい。また、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度は、１０００×１０－４個／μｍ２以下であることが好ましく、９００×１０－４個／μｍ２以下であることがさらに好ましく、８００×１０－４個／μｍ２以下であることがより好ましい。
ここで、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物としては、Ｃｕ５Ｃａ、Ｃｕ５Ｓｒ、Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含むことが好ましい。
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物が多く存在することにより、結晶粒界をピン止めすることができ、熱処理時における結晶粒の成長を効果的に抑制することができる。
そこで、本実施形態において、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制するためには、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上であることが好ましい。
なお、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度は、５×１０－４個／μｍ２以上であることがさらに好ましく、１０×１０－４個／μｍ２以上であることがより好ましい。また、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度は、１０００×１０－４個／μｍ２以下であることが好ましく、９００×１０－４個／μｍ２以下であることがさらに好ましく、８００×１０－４個／μｍ２以下であることがより好ましい。
ここで、添加元素及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物としては、Ｃｕ５Ｃａ、Ｃｕ５Ｓｒ、Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含むことが好ましい。
【0052】
（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計含有量：１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅといった元素は、結晶粒界移動を抑制することによって、結晶粒の粗大化を抑制する作用を有するとともに、熱間加工性を低下させる元素である。Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅといった元素を多く含む場合には、熱間加工性が低下するおそれがある。
このため、本実施形態において、熱間加工性を確保するとともに、熱処理時の結晶粒の粗大化をさらに効果的に抑制するためには、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計含有量を１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計含有量の下限は、０．２ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましく、２．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがさらに好ましい。また、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計含有量の上限は、７．５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、５．０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅといった元素は、結晶粒界移動を抑制することによって、結晶粒の粗大化を抑制する作用を有するとともに、熱間加工性を低下させる元素である。Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅといった元素を多く含む場合には、熱間加工性が低下するおそれがある。
このため、本実施形態において、熱間加工性を確保するとともに、熱処理時の結晶粒の粗大化をさらに効果的に抑制するためには、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計含有量を１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計含有量の下限は、０．２ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、０．５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましく、２．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがさらに好ましい。また、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上の合計含有量の上限は、７．５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることが好ましく、５．０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
【0053】
（Ｏの含有量：１００ｍａｓｓｐｐｍ以下）
純銅材に不純物として含まれるＯ（酸素）は、結晶粒の成長を促進させる効果を有する元素である。
そこで、本実施形態において、熱処理時の結晶粒の成長をさらに効果的に抑制するためには、Ｏの含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することが好ましい。
なお、Ｏの含有量は、７５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、５０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。また、Ｏの含有量は、０．１ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、０．３ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、０．５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。
純銅材に不純物として含まれるＯ（酸素）は、結晶粒の成長を促進させる効果を有する元素である。
そこで、本実施形態において、熱処理時の結晶粒の成長をさらに効果的に抑制するためには、Ｏの含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ以下に制限することが好ましい。
なお、Ｏの含有量は、７５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、５０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。また、Ｏの含有量は、０．１ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましく、０．３ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがさらに好ましく、０．５ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることがより好ましい。
【0054】
（Ｐ：３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ｐは、銅中の酸素を無害化する元素として広く用いられている。しかしながら、Ｐを一定以上含有する場合には、酸素だけではなく、結晶粒界に存在する結晶粒成長抑制元素（結晶粒の成長を抑制する元素）の作用を阻害する。このため、高温に加熱した際に、結晶粒の成長を抑制する元素が十分に作用せず、結晶粒の粗大化及び不均一化が発生するおそれがある。
そこで、本実施形態においては、Ｐの含有量を３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｐの含有量は、２．５０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましい。また、Ｐの含有量は、０．０１ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましい。
Ｐは、銅中の酸素を無害化する元素として広く用いられている。しかしながら、Ｐを一定以上含有する場合には、酸素だけではなく、結晶粒界に存在する結晶粒成長抑制元素（結晶粒の成長を抑制する元素）の作用を阻害する。このため、高温に加熱した際に、結晶粒の成長を抑制する元素が十分に作用せず、結晶粒の粗大化及び不均一化が発生するおそれがある。
そこで、本実施形態においては、Ｐの含有量を３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｐの含有量は、２．５０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましい。また、Ｐの含有量は、０．０１ｍａｓｓｐｐｍ以上とすることが好ましい。
【0055】
（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂ：１．０超え）
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素は、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏといった元素と化合物を形成する。このため、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏが多く存在すると、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素とＣｕとを含む化合物が十分に形成されずに、ピン止め効果をより作用させることができなくなるおそれがある。
よって、本実施形態においては、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂを１．０超えとすることが好ましい。
なお、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂは、１．５以上であることがさらに好ましく、２．０以上であることがより好ましい。また、質量比Ａ／Ｂは、１００以下であることが好ましく、７５以下であることがさらに好ましく、５０以下であることがより好ましい。
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素は、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏといった元素と化合物を形成する。このため、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏが多く存在すると、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素とＣｕとを含む化合物が十分に形成されずに、ピン止め効果をより作用させることができなくなるおそれがある。
よって、本実施形態においては、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂを１．０超えとすることが好ましい。
なお、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素の合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂは、１．５以上であることがさらに好ましく、２．０以上であることがより好ましい。また、質量比Ａ／Ｂは、１００以下であることが好ましく、７５以下であることがさらに好ましく、５０以下であることがより好ましい。
【0056】
（Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計含有量：５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂは銅母相中への固溶によって結晶粒の粗大化を抑制する作用を有する元素である。一方、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂを多く含む場合には、製造コストの増加や導電率の低下が懸念される。
このため、本実施形態においては、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計含有量を５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計含有量の下限は、０．５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、２．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがさらに好ましく、５．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。一方、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計含有量の上限は、４０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、３０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂは銅母相中への固溶によって結晶粒の粗大化を抑制する作用を有する元素である。一方、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂを多く含む場合には、製造コストの増加や導電率の低下が懸念される。
このため、本実施形態においては、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計含有量を５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計含有量の下限は、０．５ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、２．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがさらに好ましく、５．０ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。一方、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上の合計含有量の上限は、４０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、３０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【0057】
（Ｍｇ：１００ｍａｓｓｐｐｍ以下）
Ｍｇは、結晶粒の粒成長を抑制する効果がある元素である。一方、Ｍｇを多く含むと生産性に悪影響を及ぼすおそれがある。
このため、本実施形態においては、Ｍｇの含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｍｇの含有量の下限は、１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがさらに好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。一方、Ｍｇの含有量の上限は、９０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
Ｍｇは、結晶粒の粒成長を抑制する効果がある元素である。一方、Ｍｇを多く含むと生産性に悪影響を及ぼすおそれがある。
このため、本実施形態においては、Ｍｇの含有量を１００ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましい。
なお、Ｍｇの含有量の下限は、１ｍａｓｓｐｐｍ以上であることが好ましく、２ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがさらに好ましく、３ｍａｓｓｐｐｍ以上であることがより好ましい。一方、Ｍｇの含有量の上限は、９０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがさらに好ましく、８０ｍａｓｓｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【0058】
（その他の不可避不純物）
上述した含有量が特定された元素以外のその他の残部に含まれる不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
上述した含有量が特定された元素以外のその他の残部に含まれる不可避的不純物としては、Ａｌ，Ａｓ，Ｂ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃｄ，Ｃｒ，Ｓｃ，希土類元素，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｙ，Ｔｌ，Ｎ，Ｓｂ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｌｉ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、特性に影響を与えない範囲で含有されていてもよい。
ここで、これらの不可避不純物は、導電率を低下させるおそれがあることから、総量で０．０４ｍａｓｓ％以下とすることが好ましく、０．０３ｍａｓｓ％以下とすることがさらに好ましく、０．０２ｍａｓｓ％以下とすることがより好ましく、さらには０．０１ｍａｓｓ％以下とすることが好ましい。
また、これらの不可避不純物のそれぞれの含有量の上限は、３０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることが好ましく、２０ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがさらに好ましく、１５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることがより好ましい。
【0059】
次に、このような構成とされた本実施形態である純銅材の製造方法について、図２に示すフロー図を参照して説明する。
【0060】
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
まず、無酸素銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。ここで、銅溶湯は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解工程では、水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
まず、無酸素銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、各種元素の添加には、元素単体や母合金等を用いることができる。また、上述の元素を含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。ここで、銅溶湯は、純度が９９．９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる４ＮＣｕ、あるいは９９．９９９ｍａｓｓ％以上とされたいわゆる５ＮＣｕとすることが好ましい。
溶解工程では、水素濃度低減のため、Ｈ２Ｏの蒸気圧が低い不活性ガス雰囲気（例えばＡｒガス）による雰囲気溶解を行い、溶解時の保持時間は最小限に留めることが好ましい。そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法または半連続鋳造法を用いることが好ましい。
【0061】
（第１熱間圧延工程Ｓ０２）
得られた鋳塊に対して、ひずみを導入し、かつ形状を所定のサイズに変形させるために熱間加工を行う。ひずみの導入を行うことにより、結晶粒が粗大な状態で高いひずみを与えることができるため、材料の均質性を上げることが可能となる。
ここで、熱間圧延の温度を６５０℃以上の高温とし、圧延１パスでの平均リダクション（圧延１パスでの平均圧延率）を１５％以上とすることにより、高温でひずみを均一に導入することができ、高い均質性を有する組織を形成することが可能となる。ここでの総圧延率は、鋳造組織を壊すために、５０％以上とすることが好ましく、５５％以上とすることがさらに好ましく、６０％以上とすることがより好ましい。
得られた鋳塊に対して、ひずみを導入し、かつ形状を所定のサイズに変形させるために熱間加工を行う。ひずみの導入を行うことにより、結晶粒が粗大な状態で高いひずみを与えることができるため、材料の均質性を上げることが可能となる。
ここで、熱間圧延の温度を６５０℃以上の高温とし、圧延１パスでの平均リダクション（圧延１パスでの平均圧延率）を１５％以上とすることにより、高温でひずみを均一に導入することができ、高い均質性を有する組織を形成することが可能となる。ここでの総圧延率は、鋳造組織を壊すために、５０％以上とすることが好ましく、５５％以上とすることがさらに好ましく、６０％以上とすることがより好ましい。
【0062】
（第２熱間圧延工程Ｓ０３）
ひずみのさらなる均一化を実現するために、第１熱間圧延工程Ｓ０１によって得られた熱間圧延材を再度加熱し、第２熱間圧延工程Ｓ０２を実施する。
ここで、第２熱間圧延工程Ｓ０３においては、第１熱間圧延工程Ｓ０２と同等以上の６５０℃以上の高温条件とし、圧延１パスでの平均リダクション（圧延１パスでの平均圧延率）を１５％以上にすることにより、高い均質性を有する組織を形成することが可能となる。ここでの総圧延率は、鋳造組織を壊すために、５０％以上とすることが好ましく、５５％以上とすることがさらに好ましく、６０％以上とすることがより好ましい。
ひずみのさらなる均一化を実現するために、第１熱間圧延工程Ｓ０１によって得られた熱間圧延材を再度加熱し、第２熱間圧延工程Ｓ０２を実施する。
ここで、第２熱間圧延工程Ｓ０３においては、第１熱間圧延工程Ｓ０２と同等以上の６５０℃以上の高温条件とし、圧延１パスでの平均リダクション（圧延１パスでの平均圧延率）を１５％以上にすることにより、高い均質性を有する組織を形成することが可能となる。ここでの総圧延率は、鋳造組織を壊すために、５０％以上とすることが好ましく、５５％以上とすることがさらに好ましく、６０％以上とすることがより好ましい。
【0063】
（冷間圧延工程Ｓ０４）
次に、第２熱間加工工程Ｓ０３後の銅素材に対して冷間圧延を実施して所定の形状に加工する。
なお、この冷間圧延工程Ｓ０４における温度条件は特に限定はないが、－２００℃以上２００℃以下の範囲で行うことが好ましい。冷間圧延工程Ｓ０４では、材料全体に均一なひずみを導入するために、１パス当たり１５％以上の高いリダクション（圧延率）を有する圧延を行う必要がある。なお、冷間圧延工程Ｓ０４では、冷間での加工となるため、低いリダクションで加工を行うと、材料表面との摩擦力が強く働き、厚み方向の表面、またひずみの導入されやすい配向の結晶に優先的にひずみが導入されてしまい、組織の不均一が起きてしまう。そのため、圧縮の応力要素を増やすために、高いリダクションで圧延を行わなければならない。この高いリダクションでの圧延を複数回行うことにより、所定の形状にすることが必要となる。また、総加工率は、１５％以上が好ましく、５０％以上とすることがより好ましい。
次に、第２熱間加工工程Ｓ０３後の銅素材に対して冷間圧延を実施して所定の形状に加工する。
なお、この冷間圧延工程Ｓ０４における温度条件は特に限定はないが、－２００℃以上２００℃以下の範囲で行うことが好ましい。冷間圧延工程Ｓ０４では、材料全体に均一なひずみを導入するために、１パス当たり１５％以上の高いリダクション（圧延率）を有する圧延を行う必要がある。なお、冷間圧延工程Ｓ０４では、冷間での加工となるため、低いリダクションで加工を行うと、材料表面との摩擦力が強く働き、厚み方向の表面、またひずみの導入されやすい配向の結晶に優先的にひずみが導入されてしまい、組織の不均一が起きてしまう。そのため、圧縮の応力要素を増やすために、高いリダクションで圧延を行わなければならない。この高いリダクションでの圧延を複数回行うことにより、所定の形状にすることが必要となる。また、総加工率は、１５％以上が好ましく、５０％以上とすることがより好ましい。
【0064】
（熱処理工程Ｓ０５）
次に、冷間圧延工程Ｓ０４後の銅素材に対して熱処理を行う。ここで、熱処理方法は特に限定しないが、非酸化性または還元性の雰囲気中で行うのがよい。熱処理温度を７５０℃以上の高温とし、この温度で熱処理を１時間以下の短時間で行うことが好ましい。また、熱処理温度までの昇温速度を１００℃／分以上とすることが好ましい。
均一に導入されたひずみに対し、高温、短時間の条件で熱処理をすることにより、再結晶が各再結晶核から均一に同時に進行することとなる。なお、７５０℃未満の低温条件での熱処理や昇温速度が１００℃／分未満の熱処理の場合には、再結晶核の成長にバラつきが発生してしまい、結果として不均一な組織が形成されてしまう。
冷却方法は、特に限定しないが、水焼入など冷却速度が２００℃／ｍｉｎ以上となる方法が好ましい。
また、再結晶組織の均一化のために、冷間圧延工程Ｓ０４と熱処理工程Ｓ０５を２回以上繰り返して行っても良い。
次に、冷間圧延工程Ｓ０４後の銅素材に対して熱処理を行う。ここで、熱処理方法は特に限定しないが、非酸化性または還元性の雰囲気中で行うのがよい。熱処理温度を７５０℃以上の高温とし、この温度で熱処理を１時間以下の短時間で行うことが好ましい。また、熱処理温度までの昇温速度を１００℃／分以上とすることが好ましい。
均一に導入されたひずみに対し、高温、短時間の条件で熱処理をすることにより、再結晶が各再結晶核から均一に同時に進行することとなる。なお、７５０℃未満の低温条件での熱処理や昇温速度が１００℃／分未満の熱処理の場合には、再結晶核の成長にバラつきが発生してしまい、結果として不均一な組織が形成されてしまう。
冷却方法は、特に限定しないが、水焼入など冷却速度が２００℃／ｍｉｎ以上となる方法が好ましい。
また、再結晶組織の均一化のために、冷間圧延工程Ｓ０４と熱処理工程Ｓ０５を２回以上繰り返して行っても良い。
【0065】
（調質圧延工程Ｓ０６）
熱処理工程Ｓ０５後の銅素材に対して、材料強度を調整するために、調質圧延を行っても良い。低い材料強度を必要とする場合は、調質圧延を行わなくても良い。
圧延を行う場合は、圧延のひずみを均一に導入するため、圧延は１パスでひずみを導入しなくてはならない。２０％を超える圧延率で圧延を実施すると組織の不均一性を起こしてしまうため、圧延率は２０％以下とすることが好ましい。
なお、最終の厚みは特に限定しないが、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲内の厚みとすることが好適である。
熱処理工程Ｓ０５後の銅素材に対して、材料強度を調整するために、調質圧延を行っても良い。低い材料強度を必要とする場合は、調質圧延を行わなくても良い。
圧延を行う場合は、圧延のひずみを均一に導入するため、圧延は１パスでひずみを導入しなくてはならない。２０％を超える圧延率で圧延を実施すると組織の不均一性を起こしてしまうため、圧延率は２０％以下とすることが好ましい。
なお、最終の厚みは特に限定しないが、例えば０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下の範囲内の厚みとすることが好適である。
【0066】
上述の各工程により、本実施形態である純銅材（純銅板）が製出されることになる。
以上のような構成とされた本実施形態である純銅材によれば、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上９９．９９９ｍａｓｓ％以下の範囲内とされているので、導電性及び放熱性に特に優れており、大電流用途の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、本実施形態である純銅材においては、圧延面における平均結晶粒径が１０μｍ以上とされているので、熱処理時に再結晶が進行することを抑制でき、結晶粒の成長や組織の不均一化を抑えることが可能となる。
以上のような構成とされた本実施形態である純銅材によれば、Ｃｕの含有量が９９．９ｍａｓｓ％以上９９．９９９ｍａｓｓ％以下の範囲内とされているので、導電性及び放熱性に特に優れており、大電流用途の電子・電気機器用部品の素材として特に適している。
また、本実施形態である純銅材においては、圧延面における平均結晶粒径が１０μｍ以上とされているので、熱処理時に再結晶が進行することを抑制でき、結晶粒の成長や組織の不均一化を抑えることが可能となる。
【0067】
そして、本実施形態である純銅材においては、ＥＢＳＤ法により測定されるＬＯＳの平均値が２．００°以下とされていることから、結晶内のひずみ分布が均一化されており、熱処理後においても結晶粒径の変化が少なく、かつ、結晶粒径のバラつきが抑制されて均一で微細な組織を得ることが可能となる。
高い均質性を有する組織を得るための手段は、特定の方法に制限されないが、例えば、第１熱間圧延工程、第２熱間圧延工程及び冷間圧延工程の平均リダクション、熱処理工程の熱処理温度及び昇温速度を、上述するように制御することで可能となる。
高い均質性を有する組織を得るための手段は、特定の方法に制限されないが、例えば、第１熱間圧延工程、第２熱間圧延工程及び冷間圧延工程の平均リダクション、熱処理工程の熱処理温度及び昇温速度を、上述するように制御することで可能となる。
【0068】
ここで、本実施形態である純銅材において、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＯＳ（Ｇｒａｉｎ Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｓｐｒｅａｄ）の平均値が２．００°以下である場合には、結晶粒の中のひずみが局在化しておらず、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な組織を得ることが可能となる。
【0069】
また、本実施形態である純銅材において、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＫＡＭ（Ｋｅｒｎｅｌ Ａｖｅｒａｇｅ Ｍｉｓｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）値の標準偏差の値が０．７５°以下である場合には、結晶粒の中のひずみが局在化しておらず、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な組織を得ることが可能となる。
【0070】
さらに、本実施形態である純銅材において、ＥＢＳＤ法により１ｍｍ２以上の測定面積を測定間隔１μｍステップで測定して、データ解析ソフトＯＩＭにより解析されたＣＩ値が０．１以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなした場合のＧＮＤ（Ｇｅｏｍｅｔｒｉｃａｌｌｙ Ｎｅｃｅｓｓａｒｙ Ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｓ）の平均値が５．０×１０１４ｍ－２以下である場合には、局所的に蓄積されたＧＮ転位の量が少なく抑えられているので、熱処理後においても結晶粒径の変化がさらに少なく、かつ、さらに均一で微細な組織を得ることが可能となる。
【0071】
また、本実施形態である純銅材において、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素を合計量で３００ｍａｓｓｐｐｍ以下含む場合には、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａから選択される一種または二種以上の添加元素によって結晶粒の成長を抑制でき、材料強度や導電率に大きな影響を与えることなく、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
【0072】
さらに、本実施形態である純銅材において、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物を有し、この化合物の個数密度が１×１０－４個／μｍ２以上である場合には、この化合物のピン止め効果によって、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
【0073】
また、本実施形態である純銅材において、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物がＣｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上含む場合には、これらの化合物のピン止め効果によって、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
【0074】
さらに、本実施形態である純銅材において、Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅから選択される一種または二種以上を合計量で１０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含む場合には、熱間加工性を大きく低下させることなく、結晶粒界移動を抑制することができ、熱処理時における結晶粒の成長をさらに確実に抑制することが可能となる。
【0075】
また、本実施形態である純銅材において、Ｏの含有量が１００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている場合には、結晶粒の成長を促進する元素であるＯの含有量が十分に抑制されており、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。
【0076】
さらに、本実施形態である純銅材において、Ｐの含有量が３．００ｍａｓｓｐｐｍ以下とされている場合には、結晶粒の成長を促進するＯを無害化することができるとともに、結晶粒界に存在する結晶粒成長抑制元素の作用を阻害することを抑制することができる。
【0077】
また、本実施形態である純銅材において、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの合計含有量Ａと、Ｐ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏの合計含有量Ｂとの質量比Ａ／Ｂが１．０を超えている場合には、Ｃａ，Ｓｒ，ＢａがＰ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｏと化合物を形成することによって消費されることを抑制することができ、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａによる結晶粒成長抑制効果を確実に奏功せしめることが可能となる。
【0078】
さらに、本実施形態である純銅材において、Ａｇ，Ｆｅ，Ｐｂから選択される一種または二種以上を合計量で５０．０ｍａｓｓｐｐｍ以下含む場合には、銅の母相中にＡｇ，Ｆｅ，Ｐｂが固溶することにより、熱処理時における結晶粒の成長をさらに抑制することができる。
【0079】
また、本実施形態である純銅材において、Ｍｇを１００ｍａｓｓｐｐｍ以下含む場合には、Ｍｇによる結晶粒成長抑制効果によって、熱処理後の結晶粒の粗大化をさらに抑制することができる。
【0080】
本実施形態である絶縁基板１０においては、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面に接合された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面に接合された金属層１３と、を有しており、回路層１２および金属層１３となる銅板が本実施形態である純銅材で構成されているので、セラミックス基板１１との接合時における結晶粒の成長が抑制され、かつ結晶粒径のバラつきが抑制されて均一な結晶組織を有しており、安定して使用することができる。
【0081】
本実施形態である電子デバイス１においては、上述の絶縁基板１０と、この絶縁基板１０の回路層１２上に搭載された電子部品３とを有しているので、回路層１２および金属層１３となる銅板が均一な結晶組織を有しており、安定して使用することができる。
【0082】
以上、本発明の実施形態である純銅材について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的要件を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上述の実施形態では、純銅材の製造方法の一例について説明したが、純銅材の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
また、上述した製造方法は、圧延工程を有しており、本実施形態の純銅材は、純銅圧延材と言うこともできる。
例えば、上述の実施形態では、純銅材の製造方法の一例について説明したが、純銅材の製造方法は、実施形態に記載したものに限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
また、上述した製造方法は、圧延工程を有しており、本実施形態の純銅材は、純銅圧延材と言うこともできる。
【実施例】
【0083】
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
【0084】
帯溶融精製法により、Ｐ濃度を０．００１ｍａｓｓｐｐｍ以下に精製して、純度９９．９９９ｍａｓｓ％以上の純銅を得た。この純銅からなる原料を高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気の炉内において高周波誘導加熱により溶解した。
６Ｎ（純度９９．９９９９ｍａｓｓ％以上）の高純度銅と２Ｎ（純度９９ｍａｓｓ％以上）の元素を用いて、１ｍａｓｓ％の各種元素を含む母合金を作製した。得られた銅溶湯内に母合金を添加して、表１，２に示す成分組成に調製し、銅合金溶湯を得た。得られた銅合金溶湯をグラファイト鋳型に注湯して、鋳塊を製出した。
なお、鋳塊の大きさは、厚さ約１００ｍｍ×幅約１００ｍｍ×長さ約１５０～２００ｍｍとした。
６Ｎ（純度９９．９９９９ｍａｓｓ％以上）の高純度銅と２Ｎ（純度９９ｍａｓｓ％以上）の元素を用いて、１ｍａｓｓ％の各種元素を含む母合金を作製した。得られた銅溶湯内に母合金を添加して、表１，２に示す成分組成に調製し、銅合金溶湯を得た。得られた銅合金溶湯をグラファイト鋳型に注湯して、鋳塊を製出した。
なお、鋳塊の大きさは、厚さ約１００ｍｍ×幅約１００ｍｍ×長さ約１５０～２００ｍｍとした。
【0085】
得られた鋳塊に対して、Ａｒガス雰囲気中において、９００℃で４時間の加熱を行い、表３，４に示す最終パス温度条件を狙うため、大気中で待機させ、第１熱間圧延工程を実施した。なお、第１熱間圧延工程の最終パス温度を放射温度計で測定した。第１熱間圧延が終わった後に水冷を行った。
次に、Ａｒガス雰囲気中において、再度９００℃で４時間の加熱を行い、表３，４に示す最終パス温度条件を狙うため、大気中で待機させ、第２熱間圧延工程を実施した。なお、第２熱間圧延工程の最終パス温度を放射温度計で測定した。第２熱間圧延が終わった後にも水冷を行った。
次に、Ａｒガス雰囲気中において、再度９００℃で４時間の加熱を行い、表３，４に示す最終パス温度条件を狙うため、大気中で待機させ、第２熱間圧延工程を実施した。なお、第２熱間圧延工程の最終パス温度を放射温度計で測定した。第２熱間圧延が終わった後にも水冷を行った。
【0086】
次に、第１熱間圧延工程および第２熱間圧延工程で生成した酸化被膜を除去するために表面研削を実施し、所定の大きさに切断を行った。その後、適宜最終厚みになるように厚みを調整して切断を行った。
切断されたそれぞれの熱間圧延後の銅素材に対して、表３，４に記載された条件にて粗加工（冷間圧延）、および、熱処理を実施した。熱処理はソルトバスを用い、１００℃／ｍｉｎ以上の加熱速度（昇温速度）であることを確認した。その後、表３，４に記載された条件で調質圧延を行い、それぞれ、厚さ０．８ｍｍで幅が約１００ｍｍの特性評価用条材（純銅材）を製出した。
切断されたそれぞれの熱間圧延後の銅素材に対して、表３，４に記載された条件にて粗加工（冷間圧延）、および、熱処理を実施した。熱処理はソルトバスを用い、１００℃／ｍｉｎ以上の加熱速度（昇温速度）であることを確認した。その後、表３，４に記載された条件で調質圧延を行い、それぞれ、厚さ０．８ｍｍで幅が約１００ｍｍの特性評価用条材（純銅材）を製出した。
【0087】
そして、以下の項目について評価を実施した。
【0088】
（組成分析）
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｓ、Ｏの含有量は赤外線吸収法で測定し、その他の元素の含有量はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の二カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。
得られた鋳塊から測定試料を採取し、Ｓ、Ｏの含有量は赤外線吸収法で測定し、その他の元素の含有量はグロー放電質量分析装置（ＧＤ－ＭＳ）を用いて測定した。なお、測定は試料中央部と幅方向端部の二カ所で測定を行い、含有量の多い方をそのサンプルの含有量とした。
【0089】
（平均結晶粒径）
得られた特性評価用条材から２０ｍｍ×２０ｍｍのサンプルを切り出し、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、平均結晶粒径を測定した。電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件を以下に示す。
（電子顕微鏡の条件）
観察倍率又は測定視野の面積：４００μｍ×８００μｍ
加速電圧：２０ｋＶ
ワーキングディスタンス：２０ｍｍ
試料傾斜角度：７０°
（ＥＢＳＤ検出器の条件）
解析ソフト名：ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．８．６
ＣＩ値（信頼係数）：０．１よりも大きな測定点を解析に用いた。
粒界角度差：５°以上を粒界とみなした。
ミニマムグレインサイズ：２ｓｔｅｐ以上を結晶粒とみなした。
ステップサイズ：１μｍ
双晶の扱い：双晶を粒界とみなした。
圧延面を耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。その後、走査型電子顕微鏡を用いて、試料表面の測定範囲内の個々の測定点（ピクセル）に電子線を照射し、電子線後方散乱回折法による方位解析により、隣接する測定点間の方位差が５°以上である測定点間の境界を結晶粒界とした。隣接する測定点間の方位差が５°以上１５°未満である測定点間の境界を小角粒界とした。隣接する測定点間の方位差が１５°以上である測定点間の境界を大角粒界とした。この際、双晶境界も大角粒界とした。また、各サンプルで１００個以上の結晶粒が含まれるように測定範囲を調整した。得られた方位解析結果から大角粒界を用いて結晶粒界マップを作成した。ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法に準拠し、結晶粒界マップに対して、縦、横の方向に所定長さの線分を所定の間隔で５本ずつ引いた。完全に切られる結晶粒の数を数え、その切断長さの平均値を平均結晶粒径として算出した。
得られた特性評価用条材から２０ｍｍ×２０ｍｍのサンプルを切り出し、ＳＥＭ－ＥＢＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｐａｔｔｅｒｎｓ）測定装置によって、平均結晶粒径を測定した。電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件を以下に示す。
（電子顕微鏡の条件）
観察倍率又は測定視野の面積：４００μｍ×８００μｍ
加速電圧：２０ｋＶ
ワーキングディスタンス：２０ｍｍ
試料傾斜角度：７０°
（ＥＢＳＤ検出器の条件）
解析ソフト名：ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．８．６
ＣＩ値（信頼係数）：０．１よりも大きな測定点を解析に用いた。
粒界角度差：５°以上を粒界とみなした。
ミニマムグレインサイズ：２ｓｔｅｐ以上を結晶粒とみなした。
ステップサイズ：１μｍ
双晶の扱い：双晶を粒界とみなした。
圧延面を耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。その後、走査型電子顕微鏡を用いて、試料表面の測定範囲内の個々の測定点（ピクセル）に電子線を照射し、電子線後方散乱回折法による方位解析により、隣接する測定点間の方位差が５°以上である測定点間の境界を結晶粒界とした。隣接する測定点間の方位差が５°以上１５°未満である測定点間の境界を小角粒界とした。隣接する測定点間の方位差が１５°以上である測定点間の境界を大角粒界とした。この際、双晶境界も大角粒界とした。また、各サンプルで１００個以上の結晶粒が含まれるように測定範囲を調整した。得られた方位解析結果から大角粒界を用いて結晶粒界マップを作成した。ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法に準拠し、結晶粒界マップに対して、縦、横の方向に所定長さの線分を所定の間隔で５本ずつ引いた。完全に切られる結晶粒の数を数え、その切断長さの平均値を平均結晶粒径として算出した。
【0090】
（ＬＯＳの平均値）
特性評価用条材から２０ｍｍ×２０ｍｍのサンプルを切り出し、圧延面を耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．８．６）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ（Ｃｏｎｆｉｄｅｎｃｅ Ｉｎｄｅｘ）値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全ピクセルのＬＯＳ値を求めた。近接次数を１として、中心点と６つの隣接点からなる７つの点について、それぞれの２つの点間の方位差を求め、その平均値を求めてＬＯＳの値とした。測定領域でのＬＯＳの値の平均値（数平均）を求め、ＬＯＳの平均値として表５，６に記載した。
特性評価用条材から２０ｍｍ×２０ｍｍのサンプルを切り出し、圧延面を耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。ＥＢＳＤ測定装置（ＦＥＩ社製Ｑｕａｎｔａ ＦＥＧ ４５０，ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社） ＯＩＭ Ｄａｔａ Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ）と、解析ソフト（ＥＤＡＸ／ＴＳＬ社製（現 ＡＭＥＴＥＫ社）ＯＩＭ Ｄａｔａ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｖｅｒ．８．６）を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。測定結果をデータ解析ソフトＯＩＭにより解析して各測定点のＣＩ（Ｃｏｎｆｉｄｅｎｃｅ Ｉｎｄｅｘ）値を得た。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全ピクセルのＬＯＳ値を求めた。近接次数を１として、中心点と６つの隣接点からなる７つの点について、それぞれの２つの点間の方位差を求め、その平均値を求めてＬＯＳの値とした。測定領域でのＬＯＳの値の平均値（数平均）を求め、ＬＯＳの平均値として表５，６に記載した。
【0091】
（ＧＯＳの平均値）
ＬＯＳの評価と同様の試料および装置を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全結晶粒のＧＯＳ値を求めた。その合計値を結晶粒の個数（Ｎｕｍｂｅｒ）で割ってＧＯＳの平均値を求めた。
ＬＯＳの評価と同様の試料および装置を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全結晶粒のＧＯＳ値を求めた。その合計値を結晶粒の個数（Ｎｕｍｂｅｒ）で割ってＧＯＳの平均値を求めた。
【0092】
（ＫＡＭ値の標準偏差の値）
ＬＯＳの評価と同様の試料および装置を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。近接次数を１として、隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全ピクセルのＫＡＭ値を求めた。そしてＫＡＭ値の標準偏差の値を求めた。
ＬＯＳの評価と同様の試料および装置を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にて、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。近接次数を１として、隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全ピクセルのＫＡＭ値を求めた。そしてＫＡＭ値の標準偏差の値を求めた。
【0093】
（ＧＮＤの平均値）
ＬＯＳの評価と同様の試料および装置を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にてで、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全ピクセルのＧＮＤ値を求め、その平均値を求めた。なお、滑り系は｛１１１｝＜１１０＞であり、ＦＣＣ（１１１）面の＜１－１０＞方向に対し、バーガースベクトルの大きさとして０．２５５ｎｍを採用してＧＮ転位密度を算出した。また、誤差要因を低減させるため、ＧＮＤの値の上限を１．０×１０１６ｍ－２とし、それ以下の値の領域において平均値（数平均）を算出した。
ＬＯＳの評価と同様の試料および装置を用いて、電子線の加速電圧１５ｋＶ、１μｍの測定間隔のステップで１ｍｍ２以上の測定面積にてで、試料の圧延面（観察面）をＥＢＳＤ法により測定した。電子線の加速電圧以外の電子顕微鏡の条件及びＥＢＳＤ検出器の条件は、上述した平均結晶粒径の測定の際の条件と同様であった。ＣＩ値が０．１以下である測定点を除いて、データ解析ソフトＯＩＭにより各結晶粒の方位差の解析を行った。隣接するピクセル間の方位差が５°以上であるピクセル間の境界を結晶粒界とみなして解析し、全ピクセルのＧＮＤ値を求め、その平均値を求めた。なお、滑り系は｛１１１｝＜１１０＞であり、ＦＣＣ（１１１）面の＜１－１０＞方向に対し、バーガースベクトルの大きさとして０．２５５ｎｍを採用してＧＮ転位密度を算出した。また、誤差要因を低減させるため、ＧＮＤの値の上限を１．０×１０１６ｍ－２とし、それ以下の値の領域において平均値（数平均）を算出した。
【0094】
（化合物の個数密度）
特性評価用条材から測定試料を採取し、圧延面に対してＣＰ研磨を行った。ＦＥ－ＳＥＭ（電界放出型走査電子顕微鏡）を用い、２０００倍の視野（約２５００μｍ２／視野）で５０領域の観察を行った。５０領域での観察結果からＣａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度を算出した。
特性評価用条材から測定試料を採取し、圧延面に対してＣＰ研磨を行った。ＦＥ－ＳＥＭ（電界放出型走査電子顕微鏡）を用い、２０００倍の視野（約２５００μｍ２／視野）で５０領域の観察を行った。５０領域での観察結果からＣａ，Ｓｒ，Ｂａ及びＣｕの少なくとも一種以上を含む化合物の個数密度を算出した。
【0095】
（化合物の同定）
特性評価用条材からＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）法を用いて化合物を観察するためのサンプルを作製した。そのサンプルに対して、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：日本電子株式会社製、ＪＥＭ－２０１０Ｆ）を用いて粒子観察を行い、ＥＤＸ分析（エネルギー分散型Ｘ線分光法）を実施し、化合物がＣａ，Ｓｒ，ＢａとＣｕから選択される一種または二種以上の元素を含有する粒子であるかどうかを確認した。
また、観察された化合物についてＥＤＸ分析と電子線回折分析を実施し、化合物が、Ｃｕ５Ｃａ（空間群Ｐ６／ｍｍｍ（１９１））、Ｃｕ５Ｓｒ（空間群Ｐ６／ｍｍｍ（１９１））、Ｃｕ１３Ｂａ（Ｆｍ－３ｃ（２２６））から選択される一種または二種以上を含むかどうかを確認した。
ここで、図３Ａ、図３Ｂに、本発明例１１における化合物の観察結果を示す。観察された化合物がＣｕ５Ｃａを含むことが確認された。
表中の「化合物の有無」の欄においては、上述の観察の結果、Ｃｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含む化合物が観察された場合を「Ｂ」（present）、観察されなかった場合を「Ｄ」（absent）と表記した。
特性評価用条材からＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）法を用いて化合物を観察するためのサンプルを作製した。そのサンプルに対して、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：日本電子株式会社製、ＪＥＭ－２０１０Ｆ）を用いて粒子観察を行い、ＥＤＸ分析（エネルギー分散型Ｘ線分光法）を実施し、化合物がＣａ，Ｓｒ，ＢａとＣｕから選択される一種または二種以上の元素を含有する粒子であるかどうかを確認した。
また、観察された化合物についてＥＤＸ分析と電子線回折分析を実施し、化合物が、Ｃｕ５Ｃａ（空間群Ｐ６／ｍｍｍ（１９１））、Ｃｕ５Ｓｒ（空間群Ｐ６／ｍｍｍ（１９１））、Ｃｕ１３Ｂａ（Ｆｍ－３ｃ（２２６））から選択される一種または二種以上を含むかどうかを確認した。
ここで、図３Ａ、図３Ｂに、本発明例１１における化合物の観察結果を示す。観察された化合物がＣｕ５Ｃａを含むことが確認された。
表中の「化合物の有無」の欄においては、上述の観察の結果、Ｃｕ５Ｃａ，Ｃｕ５Ｓｒ，Ｃｕ１３Ｂａから選択される一種または二種以上を含む化合物が観察された場合を「Ｂ」（present）、観察されなかった場合を「Ｄ」（absent）と表記した。
【0096】
（加圧熱処理後の結晶粒径ｄａｖｅ）
上述の特性評価用条材から４０ｍｍ×４０ｍｍのサンプルを切り出した。セラミックス板（材質：Ｓｉ３Ｎ４、５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ０．３２ｍｍ）の両面にペースト状の活性銀ろう材（東京ブレイズ製ＴＢ－６０８Ｔ）を塗布した。上述のサンプル（純銅板）２枚の間にセラミックス板を挟み込み、加圧圧力０．５９ＭＰａの荷重をかけた状態で熱処理を行った。熱処理は以下の条件で行った。
８５０℃の炉に、積層した純銅板およびセラミックス板を投入し、材温が８５０℃になったことを熱電対にて確認してから６０分保持し、加熱が終わった後に常温になるまで炉冷（炉内で冷却）を行った。常温まで温度が低下した後に、純銅板の圧延面について平均結晶粒径ｄａｖｅを以下の方法で測定した。
上述の特性評価用条材から４０ｍｍ×４０ｍｍのサンプルを切り出した。セラミックス板（材質：Ｓｉ３Ｎ４、５０ｍｍ×５０ｍｍ×厚さ０．３２ｍｍ）の両面にペースト状の活性銀ろう材（東京ブレイズ製ＴＢ－６０８Ｔ）を塗布した。上述のサンプル（純銅板）２枚の間にセラミックス板を挟み込み、加圧圧力０．５９ＭＰａの荷重をかけた状態で熱処理を行った。熱処理は以下の条件で行った。
８５０℃の炉に、積層した純銅板およびセラミックス板を投入し、材温が８５０℃になったことを熱電対にて確認してから６０分保持し、加熱が終わった後に常温になるまで炉冷（炉内で冷却）を行った。常温まで温度が低下した後に、純銅板の圧延面について平均結晶粒径ｄａｖｅを以下の方法で測定した。
【0097】
まず、圧延面（セラミックス板と接していない面）を耐水研磨紙、ダイヤモンド砥粒を用いて機械研磨を行った。次いで、コロイダルシリカ溶液を用いて仕上げ研磨を行った。その後、エッチングを行い、圧延面（観察面）を光学顕微鏡で観察した。ＪＩＳ Ｈ ０５０１の切断法に準拠し、縦、横の方向に所定長さの線分を所定の間隔で５本ずつ引いた。完全に切られる結晶粒の数を数え、その切断長さの平均値を平均結晶粒径とした。平均結晶粒径が２００μｍ以下の場合を「Ａ」（excellent）とした。平均結晶粒径が２００μｍを超えて３００μｍ以下の場合を「Ｂ」（good）とした。平均結晶粒径が３００μｍを超えて５００μｍ以下の場合を「Ｃ」（fair）とした。平均結晶粒径が５００μｍを超える場合を「Ｄ」（poor）とした。
【0098】
（加圧熱処理後の粒径のばらつき）
上述のように、加圧熱処理を施した試験片４０ｍｍ×４０ｍｍの範囲内において、双晶を除き、最も粗大な結晶粒の長径と短径の平均値を最大結晶粒径ｄｍａｘとした。ここで、最も粗大な結晶粒に引いた線分のうち、粒界によって切断される線分の長さの最大値を長径とした。そして、長径に垂直な線分のうち、粒界によって切断される線分の長さの最大値を短径とした。この最大結晶粒径ｄｍａｘと上述の平均結晶粒径ｄａｖｅとの比ｄｍａｘ／ｄａｖｅが１５以下の場合を「Ｂ」（good）と評価し、ｄｍａｘ／ｄａｖｅが１５を超え２０以下の場合を「Ｃ」（fair）と評価し、ｄｍａｘ／ｄａｖｅが２０を超えた場合を「Ｄ」（poor）と評価した。
上述のように、加圧熱処理を施した試験片４０ｍｍ×４０ｍｍの範囲内において、双晶を除き、最も粗大な結晶粒の長径と短径の平均値を最大結晶粒径ｄｍａｘとした。ここで、最も粗大な結晶粒に引いた線分のうち、粒界によって切断される線分の長さの最大値を長径とした。そして、長径に垂直な線分のうち、粒界によって切断される線分の長さの最大値を短径とした。この最大結晶粒径ｄｍａｘと上述の平均結晶粒径ｄａｖｅとの比ｄｍａｘ／ｄａｖｅが１５以下の場合を「Ｂ」（good）と評価し、ｄｍａｘ／ｄａｖｅが１５を超え２０以下の場合を「Ｃ」（fair）と評価し、ｄｍａｘ／ｄａｖｅが２０を超えた場合を「Ｄ」（poor）と評価した。
【0099】
【表1】
【0100】
【表2】
【0101】
【表3】
【0102】
【表4】
【0103】
【表5】
【0104】
【表6】
【0105】
比較例１は、平均結晶粒径が８μｍと小さく、かつ、ＬＯＳの平均値が２．１０°とされており、加圧熱処理後に結晶粒が粗大化し、粒径のばらつきも大きくなった。
比較例２は、ＬＯＳの平均値が２．３０°とされており、加圧熱処理後に結晶粒が粗大化し、粒径のばらつきも大きくなった。
比較例３では、ＬＯＳの平均値が２．１６°とされており、加圧熱処理後の粒径のばらつきが大きくなった。
比較例２は、ＬＯＳの平均値が２．３０°とされており、加圧熱処理後に結晶粒が粗大化し、粒径のばらつきも大きくなった。
比較例３では、ＬＯＳの平均値が２．１６°とされており、加圧熱処理後の粒径のばらつきが大きくなった。
【0106】
これに対して、本発明例１～２７においては、平均結晶粒径が１０μｍ以上とされるとともに、ＬＯＳの平均値が２．００°以下とされており、加圧熱処理後の平均結晶粒径が小さく、かつ、粒径のばらつきも小さくなった。
以上のことから、本発明例によれば、加圧熱処理後においても、結晶粒の粗大化及び不均一化を抑制することができる純銅材を提供可能であることが確認された。
以上のことから、本発明例によれば、加圧熱処理後においても、結晶粒の粗大化及び不均一化を抑制することができる純銅材を提供可能であることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【0107】
本実施形態の純銅材は、ヒートシンクや厚銅回路等の電気・電子部品に好適に適用される。
【符号の説明】
【0108】
１ 電子デバイス
３ 電子部品
１０ 絶縁基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１３ 金属層
３ 電子部品
１０ 絶縁基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１３ 金属層
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
