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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-01
(45)【発行日】2024-03-11
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H04N 5/66 20060101AFI20240304BHJP
G02F 1/13 20060101ALI20240304BHJP
G02F 1/1368 20060101ALI20240304BHJP
G02F 1/133 20060101ALI20240304BHJP
G09G 3/20 20060101ALI20240304BHJP
G09G 3/34 20060101ALI20240304BHJP
G09G 3/36 20060101ALI20240304BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240304BHJP
【ＦＩ】
H04N5/66 B
G02F1/13 505
G02F1/1368
G02F1/133 535
G02F1/133 550
G02F1/133 580
G09G3/20 670L
G09G3/34 J
G09G3/20 612T
G09G3/36
G09G3/20 680G
G09F9/00 366G
G09F9/00 336F
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2020086151
(22)【出願日】2020-05-15
(65)【公開番号】P2021180460
(43)【公開日】2021-11-18
【審査請求日】2022-11-15
(73)【特許権者】
【識別番号】502356528
【氏名又は名称】株式会社ジャパンディスプレイ
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】高畑 昌志
【審査官】佐野 潤一
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１３－０５４５２０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－２３５３０８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１６－１３９０７７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－１９１６１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１１－１６０２８２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－１６５２６９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０４Ｎ ５／６６
Ｇ０２Ｆ １／１３
Ｇ０９Ｇ ３／００－５／００
Ｇ０９Ｆ ９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の画素が設けられた表示領域を有する表示パネルと、複数の温度センサと、
前記表示パネル及び前記複数の温度センサの動作を制御する制御ＩＣと、を備え、
前記複数の温度センサが配置される複数の温度検出領域は、前記表示領域と重なるよう設けられ、
前記制御ＩＣは、
前記表示パネルの動作を制御する表示制御部と、
前記温度センサの動作に係る処理を行う温度検出制御部と、
前記表示パネルを照明する光源部の動作を制御する光源制御部と、を含み、
前記複数の温度検出領域の各々と重なる部分領域単位で前記表示領域を制御可能に設けられ、
第１温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち１つ以上で検出された場合、所定の異常対応処理を行い、
前記表示パネルの信号線及び前記表示パネルの走査線の少なくとも一方ならびに前記複数の温度センサは、前記制御ＩＣに接続されており、
前記異常対応処理は、第１処理と、第２処理と、第３処理とのうち１つ以上を含み、
前記第１処理は、前記表示パネルの表示更新頻度を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低減させる処理であり、
前記第２処理は、前記制御ＩＣに含まれる少なくとも一部の機能の動作周波数を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低下させる処理であり、
前記第３処理は、前記表示パネルを照明する光の輝度を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低減させる処理であり、
前記温度検出制御部は、前記異常対応処理が行われていない場合の単位時間あたりの温度検出頻度に比して、前記異常対応処理が行われている場合の前記単位時間あたりの温度検出頻度を上げる
表示装置。
【請求項2】
前記第１温度よりも高い第２温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち１つ以上で検出された場合、前記異常対応処理は、第４処理と、第５処理と、第６処理とのうち１つ以上を含み、前記第４処理は、前記表示パネルの表示更新頻度を前記第１処理よりもさらに低減させる処理であり、
前記第５処理は、前記制御ＩＣに含まれる少なくとも一部の機能の動作周波数を前記第２処理よりもさらに低下させる処理であり、
前記第６処理は、前記表示パネルを照明する光の輝度を前記第３処理よりもさらに低減させる処理である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項3】
前記第３処理及び前記第６処理は、前記第１温度以上の温度が検出された温度検出領域と重なる前記部分領域単位で行われる請求項２に記載の表示装置。
【請求項4】
前記第１処理及び前記第４処理は、前記第１温度以上の温度が検出された温度検出領域と重なる前記部分領域に設けられている走査線を共有する前記部分領域単位で行われる請求項２又は３に記載の表示装置。
【請求項5】
複数の画素が設けられた表示領域を有する表示パネルと、
複数の温度センサと、
前記表示パネル及び前記複数の温度センサの動作を制御する制御ＩＣと、を備え、
前記複数の温度センサが配置される複数の温度検出領域は、前記表示領域と重なるよう設けられ、
前記制御ＩＣは、
前記表示パネルの動作を制御する表示制御部と、
前記温度センサの動作に係る処理を行う温度検出制御部と、
前記表示パネルを照明する光源部の動作を制御する光源制御部と、を含み、
前記複数の温度検出領域の各々と重なる部分領域単位で前記表示領域を制御可能に設けられ、
第１温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち１つ以上で検出された場合、所定の異常対応処理を行い、
前記表示パネルの信号線及び前記表示パネルの走査線の少なくとも一方ならびに前記複数の温度センサは、前記制御ＩＣに接続されており、
前記異常対応処理は、第１処理と、第２処理と、第３処理とのうち１つ以上を含み、
前記第１処理は、前記表示パネルの表示更新頻度を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低減させる処理であり、
前記第２処理は、前記制御ＩＣに含まれる少なくとも一部の機能の動作周波数を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低下させる処理であり、
前記第３処理は、前記表示パネルを照明する光の輝度を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低減させる処理であり、
前記第１温度よりも高い第２温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち１つ以上で検出された場合、前記異常対応処理は、第４処理と、第５処理と、第６処理とのうち１つ以上を含み、
前記第４処理は、前記表示パネルの表示更新頻度を前記第１処理よりもさらに低減させる処理であり、
前記第５処理は、前記制御ＩＣに含まれる少なくとも一部の機能の動作周波数を前記第２処理よりもさらに低下させる処理であり、
前記第６処理は、前記表示パネルを照明する光の輝度を前記第３処理よりもさらに低減させる処理であり、
前記第１処理及び前記第４処理は、前記第１温度以上の温度が検出された温度検出領域と重なる前記部分領域に設けられている走査線を共有する前記部分領域単位で行われる
表示装置。
【請求項6】
前記第３処理及び前記第６処理は、前記第１温度以上の温度が検出された温度検出領域と重なる前記部分領域単位で行われる
請求項５に記載の表示装置。
【請求項7】
前記温度検出制御部は、第１温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち１つの温度検出領域で検出された場合、前記表示パネルによる画像の表示が行われないブランキング期間と前記複数の画素に画素信号が書き込まれる書き込み期間に前記１つの温度検出領域における温度検出を行う請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項8】
複数の画素が設けられた表示領域を有する表示パネルと、
複数の温度センサと、
前記表示パネル及び前記複数の温度センサの動作を制御する制御ＩＣと、を備え、
前記複数の温度センサが配置される複数の温度検出領域は、前記表示領域と重なるよう設けられ、
前記制御ＩＣは、
前記表示パネルの動作を制御する表示制御部と、
前記温度センサの動作に係る処理を行う温度検出制御部と、
前記表示パネルを照明する光源部の動作を制御する光源制御部と、を含み、
前記複数の温度検出領域の各々と重なる部分領域単位で前記表示領域を制御可能に設けられ、
第１温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち１つ以上で検出された場合、所定の異常対応処理を行い、
前記表示パネルの信号線及び前記表示パネルの走査線の少なくとも一方ならびに前記複数の温度センサは、前記制御ＩＣに接続されており、
前記異常対応処理は、第１処理と、第２処理と、第３処理とのうち１つ以上を含み、
前記第１処理は、前記表示パネルの表示更新頻度を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低減させる処理であり、
前記第２処理は、前記制御ＩＣに含まれる少なくとも一部の機能の動作周波数を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低下させる処理であり、
前記第３処理は、前記表示パネルを照明する光の輝度を前記第１温度以上の温度が検出される前よりも低減させる処理であり、
前記温度検出制御部は、第１温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち１つの温度検出領域で検出された場合、前記表示パネルによる画像の表示が行われないブランキング期間と前記複数の画素に画素信号が書き込まれる書き込み期間に前記１つの温度検出領域における温度検出を行う
表示装置。
【請求項9】
前記温度検出制御部は、前記１つの温度検出領域における温度検出を１秒間あたり１回以上１２０回以下の回数行う請求項７又は８に記載の表示装置。
【請求項10】
前記温度検出制御部は、第１温度以上の温度が前記複数の温度検出領域のうち２つ以上の温度検出領域で検出された場合、前記表示パネルによる画像の表示が行われないブランキング期間に前記２つ以上の温度検出領域における温度検出を行う請求項１から９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項11】
前記温度検出制御部は、前記２つ以上の温度検出領域における温度検出を１秒間あたり１回以上６０回以下の回数行う請求項１０に記載の表示装置。
【請求項12】
前記第１温度は、摂氏５０度以上の温度である
請求項１から１１のいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
ガラス等の透光性を有する部材に対して画像を投影する所謂ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ：Ｈｅａｄ Ｕｐ Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１５－２１０３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献１の技術によると、太陽の光が光学系を介して表示装置に入射することがある。光学系により集光された太陽の光が表示装置に当たると、光が当たった場所が高温になって表示装置に悪影響を与えることがある。従って、温度上昇に対応可能とする仕組みが求められていた。
【0005】
また、単に温度検出機能を表示装置に追加した場合、表示出力機能に対応する回路と温度検出機能に対応する回路とが別個で設けられ、それぞれに配線が接続される。さらに、温度上昇に対応した表示制御を行うため、表示出力機能に対応する回路と温度検出機能に対応する回路との間での信号伝送経路も必要になる。温度上昇に対応した表示制御を外部の制御装置に依存して表示装置側における当該制御機能を省略したとしても、各回路からのフィードバックを当該制御装置に行う必要がある。当該制御機能を表示装置側に設けるならば、さらに当該制御機能を担う回路が必要になる。従って、いずれの場合においても、このような表示装置には、回路及び配線の増大による複雑化や配線基板の高コスト化が生じる。
【0006】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたもので、温度上昇に対応でき、配線の増加を抑制可能な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、表示装置は、複数の画素が設けられた表示領域を有する表示パネルと、複数の温度センサと、前記表示パネル及び前記複数の温度センサの動作を制御する制御ＩＣと、を備え、前記複数の温度センサが配置される複数の温度検出領域は、前記表示領域と重なるよう設けられ、前記制御ＩＣは、前記複数の温度検出領域の各々と重なる部分領域単位で前記表示領域を制御可能に設けられ、前記表示パネルの信号線及び前記表示パネルの走査線の少なくとも一方ならびに前記複数の温度センサは、前記制御ＩＣに接続されている。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
【0010】
図１は、ＨＵＤ装置１を模式的に説明する説明図である。ＨＵＤ装置１は、光源部６、拡散板９、表示パネル２、表示パネル２からの画像を拡大して投影板ＷＳへ投影する光学系ＲＭと、を備える。
【0011】
筐体４は、光源装置として機能する光源部６、光源部６からの光Ｌを光源として画像を出力する表示パネル２、表示パネル２と光源部６との間に設けられる拡散板９と、光学系ＲＭとを収容する。
【0012】
光源部６から発せられた光Ｌは、拡散板９により拡散されて表示パネル２を経ることで一部又は全部が透過し、画像の光となる。実施形態のＨＵＤ装置１では、ミラー部材ＲＭ１と、ミラー部材ＲＭ２とを含む光学系ＲＭは、表示パネル２を通った後の光Ｌを投影板ＷＳへ導いている。ミラー部材ＲＭ１は、平面鏡であり、ミラー部材ＲＭ２は、凹面鏡である。ミラー部材ＲＭ１は、凹面鏡であってもよい。また、ミラー部材ＲＭ２は、平明鏡であってもよい。光学系ＲＭはこれに限られず、光学系ＲＭが、ミラー部材の枚数は１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。
【0013】
光学系ＲＭを通過した画像の光は、投影板ＷＳにより反射されてユーザＨに到達することで、ユーザＨの視界内で画像ＶＩとして認識される。すなわち、実施形態のＨＵＤ装置１は、投影板ＷＳへ画像を投影する表示システムとして機能する。投影板ＷＳは、ユーザＨの視線上に位置する透光性を有する部材であればよい。投影板ＷＳは、例えば車両のフロントガラス、ウインドシールド、またはフロントガラスとは別体に設けられたコンバイナーと呼ばれる透光性の板部材である。
【0014】
図２は、実施形態のＨＵＤ装置１の主要構成を模式的に説明する説明図である。図３は、表示パネル２の画素を説明する説明図である。図４は、実施形態の第１温度検出用配線の配置を説明するための平面図である。図５は、実施形態の第２温度検出用配線の配置を説明するための平面図である。図６は、第１温度検出用配線と第２温度検出用配線とを重ね合わせた位置を説明するための平面図である。図７は、温度検出用電極の配置を説明するための平面図である。図８は、図５に示す表示パネル２の模式的なＶ－Ｖ’断面を示す断面図である。図９は、図４に示す表示パネル２の模式的なＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’断面を示す断面図である。図１０は、図５に示す表示パネル２の模式的なＸＩＶ－ＸＩＶ’断面を示す断面図である。
【0015】
実施形態の表示パネル２は、光Ｌを光源として画像を出力する透過型の液晶ディスプレイである。表示パネル２は、表示パネルとも呼ばれる。図２に示すように、表示パネル２の表示領域ＡＡには、画素ＶＰｉｘがマトリクス状に多数配置されている。以下、マトリクス状と記載した場合、第１方向Ｄｘと第２方向Ｄｙとの一方を行とし、他方を列とした行列方向に対応するマトリクス状をさす。
【0016】
図３に示す画素ＶＰｉｘは、複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘには、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶容量８ａがある。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図３に示す保持容量８ｂが形成される。
【0017】
第１基板１０（図８参照）には、図３に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、走査線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、図８に示す各画素電極ＰＥに画素信号を供給するための配線である。走査線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及び走査線ＧＣＬは、図８に示す第１基板１０の表面と平行な平面に延出する。
【0018】
図３に示すように、信号線ＳＧＬ及び走査線ＧＣＬに沿うように遮光層ＢＭが形成されている。なお、図３では、スイッチング素子Ｔｒの電気的な接続が示されているが、実際には遮光層ＢＭは、スイッチング素子Ｔｒにも重畳している。副画素ＳＰｉｘは、遮光層ＢＭで囲まれた開口を有しており、図３に示す各副画素ＳＰｉｘの開口に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢが１組として対応付けられる。そして、３色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素ＶＰｉｘが構成される。なお、カラーフィルタは、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
【0019】
図２に示すように、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹが配列している。第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹの両端子が引き出され、ＤＤＩＣ（Display Driver Integrated Circuit）１９の温度検出制御部１２０に電気的に接続されている。ＤＤＩＣ１９は、所謂１チップＩＣ（Integrated Circuit）としてパッケージングされた１つの回路である。
【0020】
次に、表示パネル２の構成例を詳細に説明する。図８に示すように、表示パネル２は、アレイ基板ＳＵＢ１と、対向基板ＳＵＢ２と、表示機能層としての液晶層ＬＣとを備える。対向基板ＳＵＢ２は、アレイ基板ＳＵＢ１の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層ＬＣはアレイ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２との間に設けられる。
【0021】
なお、実施形態において、対向基板ＳＵＢ２の第１基板１０の表面に垂直な方向において、第１基板１０から対向基板ＳＵＢ２の第２基板２０に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板２０から第１基板１０に向かう方向を「下側」とする。
【0022】
アレイ基板ＳＵＢ１は、第１基板１０と、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥと、偏光板ＰＬ１とを有する。第１基板１０には、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子Ｔｒや、走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図８では省略して示す）が設けられる。
【0023】
共通電極ＣＥは、第１基板１０の上側に設けられる。画素電極ＰＥは、絶縁層２４を介して共通電極ＣＥの上側に設けられる。画素電極ＰＥは、共通電極ＣＥとは異なる層に設けられ、平面視で、共通電極ＣＥと重畳して配置される。また、画素電極ＰＥは、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板ＰＬ１は、接着層６６を介して第１基板１０の下側に設けられる。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、実施形態では、画素電極ＰＥが共通電極ＣＥの上側に設けられる例について説明したが、共通電極ＣＥが画素電極ＰＥの上側に設けられていてもよい。
【0024】
また、第１基板１０には、ＤＤＩＣ１９と、フレキシブル基板７１が設けられる。フレキシブル基板７１は、制御装置１１０に接続される（図１１参照）。
【0025】
対向基板ＳＵＢ２は、第２基板２０と、第２基板２０の一方の面に形成された遮光層ＢＭと、第２基板２０の他方の面に設けられたシールド導電層５１と、温度検出用配線ＳＭと、保護層３８と、保護層３９と、偏光板ＰＬ２とを有する。図９及び図１０に示すように、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢも、遮光層ＢＭと同様に、第２基板２０の一方の面に形成される。
【0026】
図９、図１０に示すように、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹは、第２基板２０の上に複数配列されている。図８に示すように、第２基板２０にはフレキシブル基板７２が接続されている。第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹは、端子部３６を介して、フレキシブル基板７２に電気的に接続される。なお、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹの詳細な構成については後述する。
【0027】
保護層３８は、第１温度検出用配線ＳＭＸを保護するための絶縁層である。保護層３９は、第２温度検出用配線ＳＭＹを保護するための絶縁層である。保護層３８，３９は、アクリル系樹脂等の透光性の樹脂を用いることができる。保護層３９の上には、シールド導電層５１が形成されている。言い換えると、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹと、シールド導電層５１とは、第２基板３１の上方にあり、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹは、シールド導電層５１の下方に積層される。保護層３９は、シールド導電層５１と、第２温度検出用配線ＳＭＹとを電気的に絶縁している。保護層３８は、第２温度検出用配線ＳＭＹと、第１温度検出用配線ＳＭＸとを電気的に絶縁している。
【0028】
シールド導電層５１は、それぞれ透光性導電層であり、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ、有機導電膜などで形成される。シールド導電層５１は、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする酸化物層や、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）及び酸化スズ（ＳｎＯ２）を主成分とする酸化物層や、ＩＴＯを主材料としケイ素（Ｓｉ）を含有する透光性の導電層等を用いてもよい。図９及び図１０に示すように、シールド導電層５１の上に、偏光板ＰＬ２が設けられている。
【0029】
偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１は、第１基板１０の外面、あるいは、光源部６（図２参照）と対向する面に配置される。偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２は、第２基板２０の外面、あるいは、観察位置側の面に配置される。偏光板ＰＬ１の第１偏光軸及び偏光板ＰＬ２の第２偏光軸は、平面視においてクロスニコルの位置関係にある。なお、第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２は、位相差板などの他の光学層を含んでいてもよい。
【0030】
第１基板１０と第２基板２０とは所定の間隔を設けて配置される。第１基板１０と第２基板２０との間の空間は、シール部６９により封止される。第１基板１０、第２基板２０、及びシール部６９によって囲まれた空間に液晶層ＬＣが設けられる。液晶層ＬＣは、通過する光を電界の状態に応じて変調するものであり、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図８に示す液晶層ＬＣとアレイ基板ＳＵＢ１との間、及び液晶層ＬＣと対向基板ＳＵＢ２との間には、図示を省略した配向膜がそれぞれ配設される。実施形態では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に発生する横電界により、液晶層ＬＣが駆動される。
【0031】
第１基板１０の下側には、図１及び図２に示す光源部６が設けられる。光源部６からの光は、アレイ基板ＳＵＢ１を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示パネル２の表示領域ＡＡに画像が表示される。
【0032】
次に、図９に示すＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ’断面及び図１０に示すＸＩＶ－ＸＩＶ’断面について、詳細に説明する。図９及び図１０において、アレイ基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの透光性及び絶縁性を有する第１基板１０を基体としている。アレイ基板ＳＵＢ１は、第１基板１０の対向基板ＳＵＢ２と対向する側に、第１絶縁層１１、第２絶縁層１２、第３絶縁層１３、信号線ＳＧＬ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【0033】
第１基板１０上に、図９及び図１０の断面では現れないが、走査線ＧＣＬ及びスイッチング素子Ｔｒ（図３参照）のゲート電極が設けられ、図９及び図１０に示す第１絶縁層１１が走査線ＧＣＬ及びゲート電極を覆う。なお、第１絶縁層１１、走査線ＧＣＬ及びゲート電極の下に、さらにシリコン酸化物やシリコン窒化物などの透光性を有する無機系材料によって形成されている絶縁層があってもよい。
【0034】
第１絶縁層１１上には、図９及び図１０の断面では現れないが、スイッチング素子Ｔｒの半導体層が積層されている。半導体層は、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。
【0035】
図９及び図１０に示すように、第２絶縁層１２は、信号線ＳＧＬを覆っている。第２絶縁層１２は、例えばアクリル樹脂などの透光性を有する樹脂材料によって形成され、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。ただし、第２絶縁層１２については無機系材料によって形成されたものであってもよい。
【0036】
また、図９及び図１０の断面では現れないが、第２絶縁層１２上には、半導体層の一部を覆うスイッチング素子Ｔｒのソース電極と、半導体層の一部を覆うスイッチング素子Ｔｒのドレイン電極とが設けられている。ドレイン電極は、信号線ＳＧＬと同じ材料で形成されている。スイッチング素子Ｔｒ（図４参照）の半導体層の上には、第３絶縁層１３が設けられている。以上説明したスイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型であるが、トップゲート型であってもよい。
【0037】
共通電極ＣＥは、第２絶縁層１２の上に位置している。また、図９及び図１０において、共通電極ＣＥは、第３絶縁層１３を介して信号線ＳＧＬと対向している。第３絶縁層１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの透光性を有する無機系材料によって形成されている。
【0038】
共通電極ＣＥは、第３絶縁層１３によって覆われている。第３絶縁層１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などの透光性を有する無機系材料によって形成されている。
【0039】
画素電極ＰＥは、第３絶縁層１３の上に位置し、第３絶縁層１３を介して共通電極ＣＥと対向している。画素電極ＰＥ及び、共通電極ＣＥは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性を有する導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。第１配向膜ＡＬ１は、第３絶縁層１３も覆っている。
【0040】
対向基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの透光性及び絶縁性を有する第２基板２０を基体としている。対向基板ＳＵＢ２は、第２基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【0041】
図９及び図１０に示すように、遮光層ＢＭは、第２基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に位置している。そして、図９及び図１０に示すように、遮光層ＢＭは、画素電極ＰＥとそれぞれ対向する開口部ＡＰを規定している。遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料や、遮光性の金属材料によって形成されている。
【0042】
カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢのそれぞれは、第２基板２０のアレイ基板ＳＵＢ１と対向する側に位置し、それぞれの端部が遮光層ＢＭに重なっている。一例では、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、それぞれ青色、赤色、緑色に着色された樹脂材料によって形成されている。
【0043】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを覆っている。オーバーコート層ＯＣは、透光性を有する樹脂材料によって形成されている。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣを覆っている。第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、例えば、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【0044】
対向基板ＳＵＢ２は、遮光層ＢＭ、カラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢなどを備えている。遮光層ＢＭは、図３に示した走査線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ、スイッチング素子Ｔｒなどの配線部と対向する領域に配置されている。
【0045】
図９及び図１０において、対向基板ＳＵＢ２は、３色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢを備えていたが、青色、赤色、及び、緑色とは異なる他の色、例えば白色、透明、イエロー、マゼンタ、シアンなどのカラーフィルタを含む４色以上のカラーフィルタを備えていてもよい。また、これらのカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢは、アレイ基板ＳＵＢ１に備えられていてもよい。
【0046】
上述したアレイ基板ＳＵＢ１及び対向基板ＳＵＢ２は、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。液晶層ＬＣは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に封入されている。液晶層ＬＣは、誘電率異方性が負のネガ型液晶材料、あるいは、誘電率異方性が正のポジ型液晶材料によって構成されている。
【0047】
アレイ基板ＳＵＢ１が光源部６（図１参照）と対向し、対向基板ＳＵＢ２が表示面側に位置する。光源部６としては、種々の形態のものが適用可能であるが、一例としては、マトリクス状に配置された複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）が光源６１として設けられた構成が挙げられる。複数の光源６１は、少なくとも、後述する部分領域単位で点灯強度及び点灯タイミングを個別に制御可能に設けられる。複数の光源６１は、より細かい制御単位で点灯強度及び点灯タイミングを個別に制御可能に設けられてもよい。
【0048】
例えば、液晶層ＬＣがネガ型液晶材料である場合であって、液晶層ＬＣに電圧が印加されていない状態では、液晶分子ＬＭは、図４に示すＤｘ－Ｄｙ平面内において、その長軸が第１方向Ｄｘに沿う方向に初期配向している。一方、液晶層ＬＣに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電界が形成されたオン時において、液晶分子ＬＭは、電界の影響を受けてその配向状態が変化する。オン時において、入射した直線偏光は、その偏光状態が液晶層ＬＣを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態に応じて変化する。
【0049】
【0050】
まず、第１温度検出用配線ＳＭＸについて詳細に説明する。図４に示すように、第１温度検出用配線ＳＭＸは、複数の導電性細線３３と、第１連結配線３４ａと、第２連結配線３４ｂとを有している。複数の導電性細線３３の一端は、第１連結配線３４ａで電気的に接続されており、複数の導電性細線３３の他端は、第１連結配線３４ａで電気的に接続されている。
【0051】
導電性細線３３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。又は、導電性細線３３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上を含む合金の金属層で形成される。導電性細線３３は、例えば、ＡｌＮｄ、ＡｌＣｕ、ＡｌＳｉ、ＡｌＳｉＣｕなどのアルミニウム合金を用いることができる。また、導電性細線３３は、上述した金属材料又は上述した材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。
【0052】
図９及び図１０に示す導電性細線３３（第１温度検出用配線ＳＭＸ）の幅Ｗｓｍは、長手方向に直交する長さであり、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、さらに１μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることがより好ましい。幅Ｗｓｍが１０μｍ以下であると、遮光部層の幅Ｗｂｍよりも小さくできるため、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、幅Ｗｓｍが１μｍ以上であると、導電性細線３３（第１温度検出用配線ＳＭＸ）の形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。
【0053】
複数の第１連結配線３４ａには、それぞれ第１配線３７ａが接続される。また複数の第２連結配線３４ｂには、それぞれ第２配線３７ｂが接続される。つまり、実施形態において、第１温度検出用配線ＳＭＸの一端側に第１配線３７ａが接続され、他端側に第２配線３７ｂが接続される。第１配線３７ａは、周辺領域ＦＲに沿って設けられる。また、第２配線３７ｂは、周辺領域ＦＲに沿って設けられる。
【0054】
１つの第１温度検出用配線ＳＭＸに接続された第１配線３７ａと第２配線３７ｂとは、それぞれ別の端子部３６に接続される。つまり、第１温度検出用配線ＳＭＸの一端に接続された第１配線３７ａと、第１温度検出用配線ＳＭＸの他端である第２配線３７ｂとは、それぞれ端子部３６を介して、フレキシブル基板７２に引き出される。第１温度検出用配線ＳＭＸの第１配線３７ａと、第１温度検出用配線ＳＭＸの第２配線３７ｂとは、フレキシブル基板７２を介して、温度検出制御部１２０に電気的に接続されている。温度検出制御部１２０において、第１温度検出用配線ＳＭＸの一端に接続された第１配線３７ａと、第１温度検出用配線ＳＭＸの他端である第２配線３７ｂとの間で、温度変化に応じて変化する抵抗変化が検出される。抵抗変化は、定電流に対する電圧の変化としてアナログ的に検出可能である。当該アナログ的な電圧の変化は、後述するＡ／Ｄ変換でデジタルの信号に変換される。
【0055】
第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、導電性細線３３に用いられる金属材料、或いは合金等と同じ材料を用いることができる。また、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、良好な導電性を有する材料であればよく、導電性細線３３と異なる材料が用いられてもよい。
【0056】
複数の導電性細線３３の一端は、第１連結配線３４ａで連結されて電気的に接続される。複数の導電性細線３３の他端は、第２連結配線３４ｂで連結されて電気的に接続される。第１配線３７ａは、第１連結配線３４ａに電気的に接続され、第２配線３７ｂは、第２連結配線３４ｂに電気的に接続される。この構成により、第１温度検出用配線ＳＭＸは、所定の面積の範囲で、表示領域ＡＡの部分的な発熱状態を検出することができる。第１温度検出用配線ＳＭＸは、導電性細線３３の数に応じて、抵抗値が調整される。
【0057】
平面視において、導電性細線３３は、遮光層ＢＭと重なる位置に配置されている。図９に示すように、導電性細線３３は、遮光層ＢＭに沿って、第１方向に延びる。なお、導電性細線３３の平面形状は、直状の金属細線に限定されず、例えば、平面視で信号線ＳＧＬがジグザグ線状或いは、波線状である場合、導電性細線３３の平面形状は、信号線ＳＧＬの形状に沿って、ジグザグ線状或いは、波線状の構成であってもよい。
【0058】
図４に示すように、隣り合う第１温度検出用配線ＳＭＸの間のスリットＳＰの第２方向Ｄｙの幅は、隣り合う導電性細線３３の間隔と同じことが望ましい。これにより、導電性細線３３の間隔が面内で揃うので、意図しない回折光が抑制される。
【0059】
図９では、導電性細線３３に重なる遮光層ＢＭから導電性細線３３に重なる遮光層ＢＭまでの間には、導電性細線３３に重ならない遮光層ＢＭが８つある。第１配線３７ａ又は第２配線３７ｂに電気的に接続しないダミーの導電性細線を備え、ダミー導電性細線が、導電性細線３３に重ならない遮光層ＢＭに重畳するようにしてもよい。
【0060】
シールド導電層５１（図８参照）は、表示パネル２の製造時及び使用時における静電気抑制のために設けられる。シールド導電層５１を設けない場合、外部から静電気などの電磁ノイズが侵入すると、導電性細線３３がない領域があるため、電磁ノイズの抑制効果が十分でない可能性がある。
【0061】
シールド導電層５１は、第２基板２０のほぼ全面に形成され、表示領域ＡＡの全面及び周辺領域ＦＲに亘って設けられている。すなわち、シールド導電層５１は、第１方向Ｄｘ－第２方向Ｄｙ視点で導電性細線３３が設けられている部分では導電性細線３３と重畳する。また、シールド導電層５１は、第１方向Ｄｘ－第２方向Ｄｙ視点で導電性細線３３が設けられている部分では導電性細線３３と重畳しない。
【0062】
また、シールド導電層５１は、第２基板２０（図８参照）の端部まで配置されることが好ましい。さらに、シールド導電層５１は、周辺領域ＦＲから、導電テープ等により、電源やグラウンドなどの固定電位に電気的に接続されている。
【0063】
シールド導電層５１は、第１連結配線３４ａ、第２連結配線３４ｂ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと重畳する位置に設けられていることが好ましい。シールド導電層５１の平面視での面積は、導電性細線３３の合計の面積よりも大きい。
【0064】
次に、第２温度検出用配線ＳＭＹについて詳細に説明する。図５に示すように、第２温度検出用配線ＳＭＹは、複数の導電性細線３３と、第３連結配線３４ｃと、第４連結配線３４ｄとを有している。導電性細線３３は、第２方向Ｄｙに延びて、表示領域ＡＡに重なっている。複数の導電性細線３３の一端は、第３連結配線３４ｃで電気的に接続されており、複数の導電性細線３３の他端は、第４連結配線３４ｄで電気的に接続されている。
【0065】
図５に示すように、隣り合う第２温度検出用配線ＳＭＹの間のスリットＳＰＢの第１方向Ｄｘの幅は、隣り合う導電性細線３３の間隔と同じことが望ましい。これにより、導電性細線３３の間隔が面内で揃うので、意図しない回折光が抑制される。
【0066】
複数の第３連結配線３４ｃには、それぞれ第３配線３７ｃが接続される。また複数の第４連結配線３４ｄには、それぞれ第４配線３７ｄが接続される。つまり、実施形態において、第２温度検出用配線ＳＭＹの一端側に第３配線３７ｃが接続され、他端側に第４配線３７ｄが接続される。第３配線３７ｃは、周辺領域ＦＲに沿って設けられる。また、第４配線３７ｄは、周辺領域ＦＲに沿って設けられる。
【0067】
１つの第２温度検出用配線ＳＭＹに接続された第３配線３７ｃと第４配線３７ｄとは、それぞれ別の端子部３６に接続される。つまり、第２温度検出用配線ＳＭＹの一端に接続された第３配線３７ｃと、第２温度検出用配線ＳＭＹの他端である第４配線３７ｄとは、それぞれ端子部３６を介して、フレキシブル基板７２に引き出される。第２温度検出用配線ＳＭＹの第３配線３７ｃと、第２温度検出用配線ＳＭＹの第４配線３７ｄとは、フレキシブル基板７２を介して、温度検出制御部１２０に電気的に接続されている。温度検出制御部１２０において、第２温度検出用配線ＳＭＹの一端に接続された第３配線３７ｃと、第２温度検出用配線ＳＭＹの他端である第４配線３７ｄとの間で、温度変化に応じて変化する抵抗変化が検出される。
【0068】
第３配線３７ｃ及び第４配線３７ｄは、導電性細線３３に用いられる金属材料、或いは合金等と同じ材料を用いることができる。また、第３配線３７ｃ及び第４配線３７ｄは、良好な導電性を有する材料であればよく、導電性細線３３と異なる材料が用いられてもよい。
【0069】
複数の導電性細線３３の一端は、第３連結配線３４ｃで連結されて電気的に接続される。複数の導電性細線３３の他端は、第４連結配線３４ｄで連結されて電気的に接続される。第３配線３７ｃは、第３連結配線３４ｃに電気的に接続され、第４配線３７ｄは、第４連結配線３４ｄに電気的に接続される。この構成により、第２温度検出用配線ＳＭＹは、所定の面積の範囲で、表示領域ＡＡの部分的な発熱状態を検出することができる。第２温度検出用配線ＳＭＹは、導電性細線３３の数に応じて、抵抗値が調整される。
【0070】
図６に示すように、第１温度検出用配線ＳＭＸと、第２温度検出用配線ＳＭＹとを平面視で重ね合わせると、１つの第１温度検出用配線ＳＭＸと、１つの第２温度検出用配線ＳＭＹとが立体交差する温度検出領域ＳＭができる。温度検出領域ＳＭは、マトリクス状に配置される。この構成により、実施形態の表示パネル２では、表示領域ＡＡに集光される太陽光ＬＬの位置をより細かく把握できるようになる。このように、温度検出領域ＳＭを形成し、複数の温度センサとして機能する第１温度検出用配線ＳＭＸと第２温度検出用配線ＳＭＹとを含む構成は、温度検出部３０として機能する。
【0071】
図９及び図１０に示すように、保護層３８の上には、第２温度検出用配線ＳＭＹが形成されており、第２温度検出用配線ＳＭＹを保護層３９が覆う。保護層３８は、第１温度検出用配線ＳＭＸと、第２温度検出用配線ＳＭＹとを電気的に絶縁している。保護層３９は、保護層３８と同じ材料で形成され、シールド導電層５１と、温度検出用配線ＳＭとを電気的に絶縁している。
【0072】
図１０に示すように、第２温度検出用配線ＳＭＹは、走査線ＧＣＬ及び遮光層ＢＭと重なる位置に配置されている。図１０に示すように、第２温度検出用配線ＳＭＹ（導電性細線３３）は、遮光層ＢＭに沿って、第２方向Ｄｙに延びる。なお、図５に示す第２温度検出用配線ＳＭＹの導電性細線３３の平面形状は、直状の金属細線に限定されず、例えば、平面視で走査線ＧＣＬがジグザグ線状或いは、波線状である場合、導電性細線３３の平面形状は、走査線ＧＣＬの形状に沿って、ジグザグ線状或いは、波線状の構成であってもよい。
【0073】
以上説明したように、実施形態の表示パネル２は、表示領域ＡＡを有する基板と、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸと、複数の第２温度検出用配線ＳＭＹとを有している。第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹは、平面視で表示領域ＡＡに重なる位置に配置される導電性細線３３を有する。表示領域ＡＡ内には、遮光層ＢＭが第１方向Ｄｘに延びるように配置されている。第１温度検出用配線ＳＭＸの導電性細線３３は、遮光層ＢＭと重なる位置に配置され、遮光層ＢＭに沿って第１方向Ｄｘに延びる。第２温度検出用配線ＳＭＹの導電性細線３３は、遮光層ＢＭと重なる位置に配置され、遮光層ＢＭに沿って第２方向Ｄｙに延びる。この構成により、第１温度検出用配線ＳＭＸと第２温度検出用配線ＳＭＹとの組み合わせによる温度検出領域ＳＭは、副画素ＳＰｉｘの開口を遮ることがないので、表示領域の透過率を下げることなく、表示領域ＡＡの部分的な発熱状態を検出することができる。
【0074】
実施形態においては、第２基板２０上に、導電性細線３３が形成されている。そして、導電性細線３３の上に、保護層３８が形成されている。保護層３８は、絶縁性を有するアクリル系樹脂等の透光性の樹脂である。保護層３８の上には、シールド導電層５１が形成されている。言い換えると、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸと、複数の第２温度検出用配線ＳＭＹと、シールド導電層５１とは、第２基板２０の上方にあり、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸと、複数の第２温度検出用配線ＳＭＹとは、シールド導電層５１の下方に積層される。シールド導電層５１と、第２温度検出用配線ＳＭＹとは、保護層３９で絶縁されている。第２温度検出用配線ＳＭＹと、第１温度検出用配線ＳＭＸとは、保護層３８で絶縁されている。その結果、シールド導電層５１、第２温度検出用配線ＳＭＹ及び第１温度検出用配線ＳＭＸに、熱と光が同時に作用した場合、シールド導電層５１に、光による温度変化に応じた抵抗変化があっても、第２温度検出用配線ＳＭＹ及び第１温度検出用配線ＳＭＸにおける熱による温度に応じた抵抗変化に影響がない。
【0075】
シールド導電層５１は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯから選ばれる１種以上の材料で形成されている。
【0076】
導電性細線３３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の元素の金属層、これらの元素を含む合金の金属層のうち少なくとも２つ以上が積層された積層体であってもよい。あるいは、導電性細線３３は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の元素の金属層、これらの元素を含む合金の金属層、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする酸化物層や、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）及び酸化スズ（ＳｎＯ２）を主成分とする酸化物層のうち少なくとも２つ以上が積層された積層体であってもよい。導電性細線３３が積層体である場合は、下層よりも上層の光の反射が抑制された材料が選択される。これにより、上層の可視光反射率は、下層の可視光反射率よりも低く、上層は、下層と比べて黒色により近い。
【0077】
なお、温度検出部３０の具体的構成は、第１温度検出用配線ＳＭＸと第２温度検出用配線ＳＭＹとの組み合わせによるものに限定されない。例えば、図７に示すように、マトリクス状に配置された複数の温度検出用電極ＳＸを備える温度検出部３０Ａを上述の温度検出部３０に代えて設けてもよい。温度検出用電極ＳＸは、第１配線３７ｅと第２配線３７ｆの２つの配線を介して各温度検出用電極ＳＸに接続された第１配線３７ｅと第２配線３７ｆとは、それぞれ別の端子部３６に接続される。つまり、温度検出部３０Ａでは、各温度検出用電極ＳＸの温度変化に応じて変化する各温度検出用電極ＳＸの抵抗変化が個別に検出可能に設けられる。これによって、複数の温度検出用電極ＳＸの各々が上述の複数の温度検出領域ＳＭの各々と同等に機能する。なお、温度検出用電極ＳＸには、ＩＴＯ等の透光性を有する材料が用いられることが望ましい。また、第１配線３７ｅと第２配線３７ｆには、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと同じ材料を用いることができる。ここで、温度検出用電極ＳＸの具体的な形状は、板状又は薄膜状の電極に限定されない。例えば、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹのような細線状の金属又は化合物の層が、図７に示す温度検出用電極ＳＸのようにマトリクス状に配置されてもよい。また、当該細線の具体的な形状は第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹのものに限られず、例えばメッシュ状のように他の形状であってもよく、適宜変更可能である。また、第１方向Ｄｘに並ぶ第１温度検出用配線ＳＭＸの数、第２方向Ｄｙに並ぶ第２温度検出用配線ＳＭＹの数、マトリクス状に並ぶ温度検出用電極ＳＸの第１方向Ｄｘに並ぶ数及び第２方向Ｄｙに並ぶ数はそれぞれ２以上の任意の数であり、適宜変更可能である。また、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹ並びに温度検出用電極ＳＸの第１方向Ｄｘ－第２方向Ｄｙ平面視点での外形は矩形状に限られるものでなく、線状であってもよいし、三角形状であってもよいし、五角形以上の多角形上であってもよいし、楕円又は正円状であってもよいし、その他、表示領域ＡＡに重ねて配置可能なあらゆる形状を採用可能である。また、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹの組み合わせによる温度検出領域ＳＭの配置及び温度検出用電極ＳＸの配置は、表示領域ＡＡ全体をカバーする配置であってもよいし、表示領域ＡＡの一部をカバーする配置であってもよい。例えば、太陽光ＬＬの入射によって温度の上昇の可能性がある領域が表示領域ＡＡのうち一部に限定されるＨＵＤ装置１の設計である場合、当該一部をカバーするように第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹの組み合わせによる温度検出領域ＳＭの配置や温度検出用電極ＳＸの配置がなされればよい。
【0078】
図２に示す制御装置１１０は、例えば、マスタークロック、水平同期信号、垂直同期信号、画素信号、光源部６の駆動命令信号等をＤＤＩＣ１９に出力する。画素信号は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の個々の階調値を組み合わせた信号である。
【0079】
図２に示すように、表示パネル２は、ＤＤＩＣ１９を備えている。ＤＤＩＣ１９は、表示パネル２、光源部６及び温度検出部３０を制御する。
【0080】
図１１は、ＤＤＩＣ１９の構成例及びＤＤＩＣ１９に接続される入出力線の一例を示すブロック図である。図１１に示すように、ＤＤＩＣ１９は、例えば表示制御部１１１、光源制御部１１２及び温度検出制御部１２０としての機能が１つの回路としてパッケージングされた集積回路である。
【0081】
表示制御部１１１は、ゲートドライバとして、走査線ＧＣＬを順次選択する。表示制御部１１１は、選択された走査線ＧＣＬを介して、走査信号を副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。
【0082】
また、表示制御部１１１は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、ソースドライバとして、信号線ＳＧＬを介して画素信号を供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号に応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
【0083】
表示制御部１１１は、共通電極ドライバとして、共通電極ＣＥに対して共通電位を印加する。共通電位は、複数の副画素ＳＰｉｘに、共通に加えられる直流の電圧信号である。
【0084】
以上説明したように、表示制御部１１１は、ゲートドライバ、ソースドライバ、共通電極ドライバとして機能する。表示制御部１１１は、ゲートドライバ、ソースドライバ、共通電極ドライバをそれぞれ別に構成してもよい。また、ゲートドライバ、ソースドライバ、共通電極ドライバの少なくとも１つを、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いて第１基板１０の上に形成してもよい。
【0085】
光源制御部１１２は、表示制御部１１１と同期して、光源６１の動作を制御する。光源制御部１１２は、配線６５を介して光源６１と接続される。表示制御部１１１は、光源制御部１１２に制御された光源６１の発光量に基づいて複数の画素のうち一部又は全部の出力階調値を制御する機能を有する。
【0086】
温度検出制御部１２０は、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗をＡ／Ｄ変換し、温度検出信号を生成する。温度検出制御部１２０は、温度検出信号に基づいて、表示領域ＡＡの温度を検出する。温度の検出結果に応じた処理（異常対応処理）については後述する。
【0087】
ここで、図１１に示すように、表示パネルの信号線ＳＧＬ及び走査線ＧＣＬならびに複数の第１温度検出用配線ＳＭＸ及び複数の第２温度検出用配線ＳＭＹは、制御ＩＣ（ＤＤＩＣ１９）に接続されている。具体的には、信号線ＳＧＬ及び走査線ＧＣＬは、ＤＤＩＣ１９の表示制御部１１１に接続されている。また、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸ及び複数の第２温度検出用配線ＳＭＹは、フレキシブル基板７２を介してＤＤＩＣ１９の温度検出制御部１２０に接続されている。
【0088】
表示制御部１１１と、光源制御部１１２と、温度検出制御部１２０とは、インタフェース（Ｉ／Ｆ：InterFace）バス１１５を介してＤＤＩＣ１９の内部で信号を伝送可能に接続されている。また、Ｉ／Ｆバス１１５は、ホストＩ／Ｆ１１９と信号を伝送可能に接続されている。ホストＩ／Ｆ１１９は、フレキシブル基板７１を接続可能に設けられている。制御装置１１０から入力される各種の信号は、フレキシブル基板７１、ホストＩ／Ｆ１１９、Ｉ／Ｆバス１１５を介して表示制御部１１１等に伝送される。また、表示制御部１１１、光源制御部１１２及び温度検出制御部１２０のうち１つ以上から制御装置１１０に対してフィードバック信号が伝送される場合、Ｉ／Ｆバス１１５、ホストＩ／Ｆ１１９、フレキシブル基板７１を介して伝送される。
【0089】
また、ＤＤＩＣ１９は、処理部１１７を備える。処理部１１７は、例えば図１１に示すように、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random access memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）、レジスタを含む。処理部１１７は、これらの各種の構成に対応するよう実装された回路部を含む。なお、図示しないが、ＤＤＩＣ１９は、ＤＤＩＣ１９内の各部の動作タイミングを同期させるタイミングコントローラを含んでいてもよい。また、処理部１１７等の回路がタイミングコントローラの機能を含んでいてもよい。
【0090】
図１２は、表示領域ＡＡと、複数の温度検出領域ＳＭとの関係を示す模式図である。上述の第１温度検出用配線ＳＭＸと第２温度検出用配線ＳＭＹとの交差位置に対応する複数の温度検出領域ＳＭは、図１２に示すように、表示領域ＡＡと重なるようにマトリクス状に形成される。図１２では、第１方向Ｄｘに６つの温度検出領域ＳＭが並び、第２方向Ｄｙに４つの温度検出領域ＳＭが並ぶ計２４の温度検出領域ＳＭを例示しているが、これは模式的なものであって実際の温度検出領域ＳＭの数をこれに限定するものでない。第１方向Ｄｘに並ぶ温度検出領域ＳＭの数及び第２方向Ｄｙに並ぶ温度検出領域ＳＭの数は任意である。
【0091】
図１２に示すようにマトリクス状に形成される複数の温度検出領域ＳＭによって、それぞれ異なる温度検出領域ＳＭと重なる領域単位で表示領域ＡＡの温度を検出できる。従って、図１２に示す温度検出領域ＳＭの場合、第１方向Ｄｘに沿う座標ｘ１，ｘ２，ｘ３，ｘ４，ｘ５，ｘ６のいずれかと、第２方向Ｄｙに沿う座標ｙ１，ｙ２，ｙ３，ｙ４のいずれかとの組み合わせにより表される表示領域ＡＡの部分領域単位で個別に温度を検出できる。
【0092】
また、実施形態の表示制御部１１１は、複数の温度検出領域ＳＭの各々と重なる部分領域単位で表示領域ＡＡを制御可能に設けられる。具体的には、第１方向Ｄｘに沿う複数の部分領域は、それぞれ異なる信号線ＳＧＬと接続される。第２方向Ｄｙに沿う複数の部分領域は、信号線ＳＧＬを共有する。また、第２方向Ｄｙに沿う複数の部分領域は、それぞれ異なる走査線ＧＣＬと接続される。第１方向Ｄｘに沿う複数の部分領域は、走査線ＧＣＬを共有する。従って、表示制御部１１１は、走査線ＧＣＬに対する駆動信号の印加タイミングに応じてどの信号線ＳＧＬに画素信号を供給するかによってどの部分領域の表示出力内容を更新するかを制御可能に設けられる。
【0093】
図１３は、１つの温度検出用配線の温度に対する抵抗変化率を示す図である。図１３に示すように、基準温度の抵抗値に対する第１温度検出用配線ＳＭＸ、第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗変化率が、温度に応じて、例えば直線的に変化する。
【0094】
図１に示すように、ＨＵＤ装置１には、太陽ＳＵＮの相対位置によっては、太陽光ＬＬが筐体４の開口４Ｓに入射することがある。太陽光ＬＬは、光学系ＲＭに導かれ、かつ表示パネル２に近づくにつれて集光し、表示領域ＡＡの一部に当たることがある。集光された太陽の光は、表示パネル２を劣化させる可能性があるため、表示領域の部分的な発熱状態を検出することが望まれている。
【0095】
実施形態では、図１２で例示するように、平面視で表示領域ＡＡに重なる位置に、複数の温度検出領域ＳＭが並べられているので、温度上昇があった温度検出領域ＳＭがあれば、太陽光ＬＬが当たっている表示領域ＡＡの位置が把握できる。
【0096】
例えば、図１２に示す集光領域ＳＰ１に太陽光ＬＬが集光した場合、第１方向Ｄｘに沿う座標ｘ６と第２方向Ｄｙに沿う座標ｙ４との組み合わせで表される（ｘ６，ｙ４）の部分領域に対応する温度検出領域ＳＭに重なる第１温度検出用配線ＳＭＸと第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗が太陽光ＬＬによる温度上昇に対応した抵抗になる。また、図１２に示す集光領域ＳＰ１に太陽光ＬＬが集光した場合、（ｘ５，ｙ３），（ｘ５，ｙ４），（ｘ６，ｙ３），（ｘ６，ｙ４）の４つの部分領域に対応する温度検出領域ＳＭに重なる第１温度検出用配線ＳＭＸと第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗が太陽光ＬＬによる温度上昇に対応した抵抗になる。
【0097】
温度検出制御部１２０は、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹからの信号をＡ／Ｄ変換し、温度検出領域ＳＭ単位で温度検出信号を生成する。第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹからの信号は、例えば第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹに対する定電流に応じたアナログの電圧である。当該電圧は、抵抗変化に応じた変化を示すことから、温度に対応した電圧になる。係る電圧をＡ／Ｄ変換することで、温度に対応したデジタルの信号を得られる。従って、当該デジタルの信号は電圧値に変換可能な信号である。そして、当該電圧値は、温度に対応した抵抗変化を生じた第１温度検出用配線ＳＭＸ又は第２温度検出用配線ＳＭＹの温度を示す情報として機能する。温度検出信号は、第１温度検出用配線ＳＭＸの電圧と第２温度検出用配線ＳＭＹの電圧との組み合わせに基づいて温度検出領域ＳＭ単位で検出された温度を示す信号として機能する。
【0098】
図１４は、温度検出領域ＳＭ単位での温度検出信号が示す温度と、温度の閾値との関係の一例を示す模式的なグラフである。図１４に示すように、温度検出領域ＳＭ単位で生成された温度検出信号が示す温度は、図１２に示す第１方向Ｄｘの座標と第２方向Ｄｙとの組み合わせで示される各部分領域の温度として機能する。従って、係る温度を予め定められた閾値温度Ｔ１、第１温度Ｔ２、第２温度Ｔ３、第３温度Ｔ４のような温度の閾値と比較することで、各部分領域がこれらの温度の閾値に対してどのような温度にあるかを特定可能になる。従って、異常温度の基準として、例えば閾値温度Ｔ１、第１温度Ｔ２、第２温度Ｔ３、第３温度Ｔ４のいずれか１つを採用することで、各温度検出領域ＳＭで検出された温度と係る閾値が示す温度との比較に基づいて異常温度を検出できる。以下、異常温度が検出された部分領域という記載は、当該部分領域に重なる温度検出領域ＳＭで異常温度が検出された領域をさす。
【0099】
実施形態では、閾値温度Ｔ１が異常温度の閾値として採用される。具体的には、実施形態では、閾値温度Ｔ１が後述する異常対応処理を開始するトリガーとなる温度として採用される。
【0100】
図１４に示す例では、第３温度Ｔ４は、閾値温度Ｔ１、第１温度Ｔ２及び第２温度Ｔ３よりも高い温度である。また、第２温度Ｔ３は、閾値温度Ｔ１及び第１温度Ｔ２よりも高い温度である。また、第１温度Ｔ２は、閾値温度Ｔ１よりも高い温度である。閾値温度Ｔ１は、例えば摂氏５０度［℃］である。第１温度Ｔ２は、例えば摂氏６０度［℃］である。第２温度Ｔ３は、例えば摂氏８０度［℃］である。第３温度Ｔ４は、例えば摂氏１００度［℃］である。
【0101】
図１５は、温度検出及び温度検出に対応した処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、温度センサからの信号の入力が行われる（ステップＳ１）。具体的には、ステップＳ１の処理では、温度検出制御部１２０が第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗を検出する。すなわち、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗が信号として取り扱われる。
【0102】
次に、フィルタ処理が行われる（ステップＳ２）。具体的には、温度検出制御部１２０は、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹから伝送されるアナログの電気的信号としての抵抗に含まれるノイズ成分を取り除くためのフィルタ回路を有する。ステップＳ２の処理では、当該フィルタ回路が当該ノイズを当該電気的信号から取り除く。
【0103】
次に、信号の増幅が行われる（ステップＳ３）。具体的には、温度検出制御部１２０は、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹから伝送されるアナログの電気的信号としての抵抗を増幅するアンプを有する。ステップＳ３の処理では、当該アンプが電気的信号を増幅する。当該電気的信号は、ステップＳ２の処理によってノイズを取り除かれたアナログの電気的信号である。
【0104】
次に、Ａ／Ｄ変換が行われる（ステップＳ４）。具体的には、温度検出制御部１２０は、第１温度検出用配線ＳＭＸ及び第２温度検出用配線ＳＭＹから伝送されるアナログの電気的信号としての抵抗をデジタルの信号に変換するＡ／Ｄ変換回路を有する。ステップＳ４の処理では、当該Ａ／Ｄ変換回路がアナログの電気的信号をデジタルの信号に変換する。当該電気的信号は、ステップＳ３の処理によって増幅された電気的信号である。ステップＳ１からステップＳ４の処理は、第１温度検出用配線ＳＭＸの抵抗及び第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗の各々について個別に行われる。
【0105】
次に、信号の電圧変換が行われる（ステップＳ５）。具体的には、温度検出制御部１２０は、ステップＳ４の処理で得られたデジタルの信号が表す電圧値を特定する信号変換回路を有する。ステップＳ５の処理では、当該信号変換回路がデジタルの信号を電圧値に変換する。ステップＳ５の処理によって、第１温度検出用配線ＳＭＸの抵抗及び第２温度検出用配線ＳＭＹの抵抗の各々に対応する電圧値が特定される。
【0106】
次に、電圧の温度変換が行われる（ステップＳ６）。具体的には、温度検出制御部１２０は、ステップＳ６の処理で得られた第１温度検出用配線ＳＭＸの電圧値と第２温度検出用配線ＳＭＹの電圧値との組み合わせに基づいて温度検出領域ＳＭの温度を特定する信号変換回路を有する。ステップＳ６の処理では、当該信号変換回路が電圧値から温度を特定する。ステップＳ６の処理によって、上述の温度検出信号が生成される。
【0107】
なお、例えば集光領域ＳＰ１における集光によって（ｘ６，ｙ４）に対応する第１温度検出用配線ＳＭＸの電圧値及び第２温度検出用配線ＳＭＹの電圧値が相対的高温を示す電圧値になったとしても、座標ｘ６以外の第１温度検出用配線ＳＭＸの電圧値や座標ｙ４以外の第２温度検出用配線ＳＭＹの電圧値が低いことによって（ｘ６，ｙ４）以外の部分領域の温度が（ｘ６，ｙ４）の部分領域よりも低いことが特定可能である。
【0108】
次に、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出されたか判定する（ステップＳ７）。具体的には、温度検出制御部１２０は、ステップＳ６で生成された温度検出信号が示す温度と、異常温度が検出されたか否かを判定するための閾値（例えば、閾値温度Ｔ１）とを比較する（図１４参照）。実施形態では、例えば閾値温度Ｔ１以上の温度が検出された温度検出領域ＳＭがある場合、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出されたと判定する。一方、閾値温度Ｔ１以上の温度が検出された温度検出領域ＳＭがない場合、異常温度が検出されなかったと判定する。
【0109】
ステップＳ７の処理で異常温度が検出されたと判定された場合（ステップＳ７；Ｙｅｓ）、異常対応処理が行われる（ステップＳ８）。異常対応処理については、後述する。
【0110】
ステップＳ７の処理で異常温度が検出されなかったと判定された場合（ステップＳ７；Ｎｏ）、温度検出制御部１２０は、前回の検出で異常温度が検出されたと判定されていたかに応じた分岐処理を行う（ステップＳ９）。なお、図１３を参照して説明している処理の流れは、時間の経過に応じて複数回実施される処理の流れを示している。すなわち、「前回の処理」とは、当該ステップＳ９の分岐処理が行われる直前に実施されて完結した、図１３に示すような温度検出及び温度検出に対応した処理をさす。当該直前に実施されて完結した処理に含まれるステップＳ７の処理で異常温度が検出されたと判定された場合（ステップＳ７；Ｙｅｓ）、当該ステップＳ９の処理で前回の検出で異常温度が検出されたと判定されていたものとして扱われる（ステップＳ９；Ｙｅｓ）。この場合、異常対応処理が解除される（ステップＳ１０）。一方、当該直前に実施されて完結した処理に含まれるステップＳ７の処理で異常温度が検出されなかったと判定された場合（ステップＳ７；Ｎｏ）、当該ステップＳ９の処理で前回の検出で異常温度が検出されたと判定されていなかったものとして扱われる（ステップＳ９；Ｎｏ）。この場合、ステップＳ１０の処理は省略される。
【0111】
図１６は、異常対応処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、温度検出制御部１２０は、第１温度Ｔ２以上の温度が検出された部分領域があるか判定する（ステップＳ１１）。第１温度Ｔ２以上の温度が検出されなかったと判定された場合（ステップＳ１１；Ｎｏ）、実施形態では、閾値温度Ｔ１以上第１温度Ｔ２未満の温度が検出された部分領域があることになる。この場合、温度検出制御部１２０は、前回の温度を超えるかの判定を行う（ステップＳ１２）。具体的には、ステップＳ１２の処理では、閾値温度Ｔ１以上第１温度Ｔ２未満の温度が検出された部分領域において前回の処理で検出された温度＋α度［℃］の温度が検出されたかが判定される。以降、「前回の温度を超えるかの判定」とは、特筆しない限り「前回の処理で検出された温度＋α度［℃］以上の温度が検出されたかの判定」をさす。
【0112】
ステップＳ１２の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ１２；Ｙｅｓ）、表示制御部１１１が表示制御パターン１を適用する（ステップＳ１３）とともに、光源制御部１１２が光源制御パターン１を適用する（ステップＳ１４）。ステップＳ１３の処理とステップＳ１４の処理は同時に適用される。これらの処理後、異常対応処理は終了する。
【0113】
表示制御パターン１は、通常の表示制御パターンに比して表示制御部１１１の処理負荷がより小さい表示制御パターンである。具体的には、表示制御パターン１は、例えば３０［Ｈｚ］のリフレッシュレートによるフレーム画像更新制御であるが、これに限られるものでなく、定義の範囲内で適宜変更可能である。
【0114】
なお、通常の表示制御パターンは、閾値温度Ｔ１以上の温度が検出された部分領域がない場合の表示制御部１１１による表示領域ＡＡの表示制御パターンである。具体的には、通常の表示制御パターンは、例えば６０［Ｈｚ］又は１２０［Ｈｚ］のリフレッシュレートによるフレーム画像更新制御であるが、これに限られるものでなく、適宜変更可能である。
【0115】
光源制御パターン１は、通常の光源制御パターンに比して光源部６からの発熱がより小さい光源部６の動作制御パターンである。具体的には、光源制御パターン１は、例えば後述する光源点灯期間（例えば、期間Ｔ１３，Ｔ２３）に所定の周期で光源６１を点滅させる所謂ブリンク動作をさせる光源制御パターンであるが、これに限られるものでなく、定義の範囲内で適宜変更可能である。
【0116】
なお、通常の光源制御パターンとは、閾値温度Ｔ１以上の温度が検出された部分領域がない場合の光源制御部１１２による光源部６の動作制御パターンをさす。具体的には、通常の光源制御パターンとは、例えば光源点灯期間における光源６１の常時点灯をさすが、これに限られるものでなく、適宜変更可能である。
【0117】
一方、ステップＳ１２の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ１２；Ｎｏ）、異常対応処理は終了する。すなわち、閾値温度Ｔ１以上第１温度Ｔ２未満であって、前回の温度を超えていないと判定された場合、通常の表示制御パターン及び通常の光源制御パターンが適用される。
【0118】
実施形態では、αは、閾値温度Ｔ１、第１温度Ｔ２、第２温度Ｔ３、第３温度Ｔ４同士の温度の差の最小値よりも小さな値が設定される。具体的には、例えばα＝５であるが、これに限られるものでなく、αの具体的な値は適宜変更可能である。
【0119】
ステップＳ１１の処理で第１温度Ｔ２以上の温度が検出されたと判定された場合（ステップＳ１１；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、第２温度Ｔ３以上の温度が検出された部分領域があるか判定する（ステップＳ１５）。第２温度Ｔ３以上の温度が検出されなかったと判定された場合（ステップＳ１５；Ｎｏ）、実施形態では、第１温度Ｔ２以上第２温度Ｔ３未満の温度が検出された部分領域があることになる。この場合、温度検出制御部１２０は、第１温度Ｔ２以上第２温度Ｔ３未満の温度が検出された部分領域において前回の温度を超えるかの判定が行われる（ステップＳ１６）。
【0120】
ステップＳ１６の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ１６；Ｙｅｓ）、表示制御部１１１が表示制御パターン２を適用する（ステップＳ１７）とともに、光源制御部１１２が光源制御パターン２を適用する（ステップＳ１８）。ステップＳ１７の処理とステップＳ１８の処理は同時に適用される。これらの処理後、異常対応処理は終了する。
【0121】
表示制御パターン２は、表示制御パターン１に比して表示制御部１１１の処理負荷がより小さい表示制御パターンである。具体的には、表示制御パターン２は、表示制御パターン１に比してリフレッシュレートが小さい。表示制御パターン２は、例えば１０［Ｈｚ］のリフレッシュレートによるフレーム画像更新制御であるが、これに限られるものでなく、定義の範囲内で適宜変更可能である。
【0122】
光源制御パターン２は、光源制御パターン１に比して光源部６からの発熱がより小さい光源部６の動作制御パターンである。具体的には、光源制御パターン２は、例えば光源制御パターン１と同様に光源６１にブリンク動作をさせる光源制御パターンである。たたし、点滅による光源６１の点灯時間と消灯時間との割合の関係を比較した場合、光源制御パターン２は、光源制御パターン１に比して点灯時間がより短く、消灯時間がより長い。光源制御パターン２は、これに限られるものでなく、定義の範囲内で適宜変更可能である。
【0123】
一方、ステップＳ１６の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ１６；Ｎｏ）、異常対応処理は終了する。すなわち、この場合、前回の異常対応処理で適用された表示制御パターン及び光源制御パターンが維持される。
【0124】
ステップＳ１５の処理で第２温度Ｔ３以上の温度が検出されたと判定された場合（ステップＳ１５；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、第３温度Ｔ４以上の温度が検出された部分領域があるか判定する（ステップＳ１９）。第３温度Ｔ４以上の温度が検出されなかったと判定された場合（ステップＳ１９；Ｎｏ）、実施形態では、第２温度Ｔ３以上第３温度Ｔ４未満の温度が検出された部分領域があることになる。この場合、温度検出制御部１２０は、第２温度Ｔ３以上第３温度Ｔ４未満の温度が検出された部分領域において前回の温度を超えるかの判定が行われる（ステップＳ２０）。
【0125】
ステップＳ２０の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ２０；Ｙｅｓ）、表示制御部１１１が表示制御パターン３を適用する（ステップＳ２１）とともに、光源制御部１１２が光源制御パターン３を適用する（ステップＳ２２）。ステップＳ２１の処理とステップＳ２２の処理は同時に適用される。これらの処理後、異常対応処理は終了する。
【0126】
表示制御パターン３は、表示制御パターン２に比して表示制御部１１１の処理負荷がより小さい表示制御パターンである。具体的には、表示制御パターン３は、例えば表示領域ＡＡにおける表示出力をリセットし、リセット後のフレーム画像の更新を停止するものであるが、これに限られるものでなく、定義の範囲内で適宜変更可能である。例えば、表示制御パターン３は、表示制御パターン２に比してリフレッシュレートが小さい表示制御パターンとしてもよい。
【0127】
光源制御パターン３は、光源制御パターン２に比して光源部６からの発熱がより小さい光源部６の動作制御パターンである。具体的には、光源制御パターン３は、例えば光源６１を消灯するものであるが、これに限られるものでなく、定義の範囲内で適宜変更可能である。例えば、光源６１にブリンク動作をさせ、点滅による光源６１の点灯時間と消灯時間との割合の関係を比較した場合、光源制御パターン３は、光源制御パターン２に比して点灯時間がより短く、消灯時間がより長い動作とさせてもよい。
【0128】
一方、ステップＳ２０の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ２０；Ｎｏ）、異常対応処理は終了する。すなわち、この場合、前回の異常対応処理で適用された表示制御パターン及び光源制御パターンが維持される。
【0129】
ステップＳ１９の処理で第３温度Ｔ４以上の温度が検出されたと判定された場合（ステップＳ１９；Ｙｅｓ）、表示制御部１１１が表示制御パターン４を適用する（ステップＳ２３）とともに、光源制御部１１２が光源制御パターン４を適用する（ステップＳ２４）。ステップＳ２３の処理とステップＳ２４の処理は同時に適用される。これらの処理後、異常対応処理は終了する。
【0130】
表示制御パターン４は、表示制御パターン３と同等以上に表示制御部１１１の処理負荷を低減できる表示制御パターンである。光源制御パターン４は、光源制御パターン３と同等以上に光源部６からの発熱を低減できる光源制御パターンである。具体的には、表示制御パターン４は、例えば、表示制御パターンと同様に、表示領域ＡＡにおける表示出力をリセットし、リセット後のフレーム画像の更新を停止するものである。また、光源制御パターン４は、光源制御パターン３と同様に、例えば光源６１を消灯するものである。ただし、表示制御パターン４及び光源制御パターン４は、これに限られるものでなく、定義の範囲内で適宜変更可能である。例えば、表示制御パターン３及び光源制御パターン３では表示出力自体は継続されるものとし、表示制御パターン４及び光源制御パターン４で表示出力が停止されるようにしてもよい。
【0131】
このように、異常対応処理では、例えば、表示領域ＡＡに含まれる複数の部分領域のうち最高の温度が検出された部分領域に対応した表示制御及び光源制御が行われる。また、少なくとも第３温度Ｔ４になれば必ず通常の表示制御パターン及び通常の光源制御パターンとは異なる表示制御パターン及び光源制御パターンが適用される。
【0132】
なお、αを限りなく０に近い値にしてもよい。すなわち、前回の処理に比して温度上昇があった場合にステップＳ１２、ステップＳ１６、ステップＳ２０の判定がＹｅｓになるようにしてもよい。この場合、閾値温度Ｔ１以上第１温度Ｔ２未満、第１温度Ｔ２以上第２温度Ｔ３未満、第２温度Ｔ３以上第３温度Ｔ４未満、第３温度Ｔ４以上の各々の温度範囲に対応した表示制御パターン及び光源制御パターンが適用されるようになる。
【0133】
なお、異常対応処理の具体的内容はこれに限られるものでない。異常対応処理の具体的内容は、閾値温度Ｔ１以上の温度が検出された部分領域の数に応じたものであってもよい。以下、閾値温度Ｔ１以上の温度が検出された部分領域の数に応じた異常対応処理の例について、図１７及び図１８のフローチャートを参照して説明する。
【0134】
図１７は、異常温度が検出された部分領域の数に応じた表示制御に係る異常対応処理の分岐の流れの一例を示すフローチャートである。
【0135】
まず、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出された部分領域数はｎ以上であるか判定する（ステップＳ３１）。なお、ｎ及び後述するｍ，ｊは自然数である。また、ｎ＞ｍ＞ｊである。異常温度が検出された部分領域数がｎ以上であると判定された場合（ステップＳ３１；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、前回の温度を超えるかの判定を行う（ステップＳ３２）。ステップＳ３２の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ３２；Ｙｅｓ）、表示制御部１１１は、画質制御を適用する（ステップＳ３３）。画質制御が適用された場合、異常対応処理が行われない通常の階調数（例えば、２４ｂｉｔ）に比して低い階調数（例えば、８ｂｉｔ）での表示出力が行われるようになる。これによって、表示制御部１１１の処理負荷が低減され、表示制御部１１１からの発熱が抑制される。ステップＳ３３の処理後又はステップＳ３２の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ３２；Ｎｏ）、異常対応処理は終了する。
【0136】
ステップＳ３１の処理で異常温度が検出された部分領域数がｎ未満であると判定された場合（ステップＳ３１；Ｎｏ）、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出された部分領域数はｍ以上であるか判定する（ステップＳ３４）。異常温度が検出された部分領域数がｍ以上であると判定された場合（ステップＳ３４；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、前回の温度を超えるかの判定を行う（ステップＳ３５）。ステップＳ３５の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ３５；Ｙｅｓ）、表示制御部１１１は、低駆動周波数制御パターン１を適用する（ステップＳ３６）。低駆動周波数制御パターン１が適用された場合、異常対応処理が行われない通常のリフレッシュレート（例えば、６０［Ｈｚ］又は１２０［Ｈｚ］）に比して低い（例えば、１０［Ｈｚ］）リフレッシュレートが適用される。なお、リフレッシュレートの値はこれらに限られるものでなく、適宜変更可能である。これによって、表示制御部１１１の処理負荷が低減され、表示制御部１１１からの発熱が抑制される。ステップＳ３６の処理後又はステップＳ３５の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ３５；Ｎｏ）、異常対応処理は終了する。
【0137】
ステップＳ３４の処理で異常温度が検出された部分領域数がｍ未満であると判定された場合（ステップＳ３４；Ｎｏ）、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出された部分領域数はｊ以上であるか判定する（ステップＳ３７）。異常温度が検出された部分領域数がｊ以上であると判定された場合（ステップＳ３７；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、前回の温度を超えるかの判定を行う（ステップＳ３８）。ステップＳ３５の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ３８；Ｙｅｓ）、表示制御部１１１は、低駆動周波数制御パターン２を適用する（ステップＳ３９）。低駆動周波数制御パターン２が適用された場合、異常対応処理が行われない通常のリフレッシュレートに比して低いが、低駆動周波数制御パターン１よりは高い（例えば、３０［Ｈｚ］）リフレッシュレートが適用される。なお、リフレッシュレートの値はこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。これによって、表示制御部１１１の処理負荷が低減され、表示制御部１１１からの発熱が抑制される。ステップＳ３９の処理後、ステップＳ３８の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ３８；Ｎｏ）又はステップＳ３７の処理で異常温度が検出された部分領域数がｊ未満であると判定された場合（ステップＳ３７；Ｎｏ）、異常対応処理は終了する。
【0138】
なお、ステップＳ３６の処理又はステップＳ３９の処理によるリフレッシュレートの適用範囲は、表示領域ＡＡ全体であってもよいし、特定の部分領域に限定されてもよい。ここでいう特定の部分領域とは、異常温度が検出された温度検出領域ＳＭに対応する部分領域に対応する配置の走査線ＧＣＬを共有する複数の部分領域をさす。適用範囲が特定の部分領域である場合、特定の部分領域以外の部分領域がフレーム画像の更新に応じて画素信号の書き換えが行われる一方、特定の部分領域については画素信号の書き替えが行われない（走査線ＧＣＬに対する駆動信号の印加が省略される）期間が生じるようになる。
【0139】
なお、異常温度が検出された部分領域の数に応じた表示制御に係る異常対応処理は、上述の処理に限られるものでない。例えば、フレーム画像の一部又は全部の輝度を上昇させて画像のコントラストや明るさを調整する等の階調補正処理の一部又は全部を省略するような処理を異常対応処理として適用してもよい。
【0140】
図１８は、異常温度が検出された部分領域の数に応じた光源制御に係る異常対応処理の分岐の流れの一例を示すフローチャートである。
【0141】
まず、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出された部分領域数はｎ以上であるか判定する（ステップＳ４１）。異常温度が検出された部分領域数がｎ以上であると判定された場合（ステップＳ４１；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、前回の温度を超えるかの判定を行う（ステップＳ４２）。ステップＳ４２の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ４２；Ｙｅｓ）、光源制御部１１２は、光源部６による発光領域全域の発光強度の低減を適用する（ステップＳ４３）。発光領域全域の発光強度の低減とは、複数の光源６１の各々に流される電流を、異常対応処理が行われない場合の通常時の電流に比して小さくすることによる各光源６１の発光強度の低減をさす。
【0142】
ステップＳ４２の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ４２；Ｎｏ）、光源制御部１１２は、光源部６による発光領域全域のブリンク制御を適用する（ステップＳ４４）。発光領域全域のブリンク制御とは、例えば後述する光源点灯期間（例えば、期間Ｔ１３，Ｔ２３）に所定の周期で光源部６が備える複数の光源６１を点滅させる所謂ブリンク動作をさせる制御をさし、上述の光源制御パターン１又は光源制御パターン２と同様の仕組みである。
【0143】
なお、当該ブリンク制御で点滅する光源部６の点灯時間と消灯時間との関係は光源制御パターン１又は光源制御パターン２と同等であってもよいし、異なってもいてもよい。ステップＳ４３の処理又はステップＳ４４の処理によって、光源６１による発熱が抑制される。なお、ステップＳ４３の処理による各光源６１の発光強度の低減の度合いは、ステップＳ４４の処理による各光源６１の点滅に比してより光源６１による発熱が抑制される程度であることが望ましい。ステップＳ４３の処理後又はステップＳ４４の処理後、異常対応処理は終了する。
【0144】
ステップＳ４１の処理で異常温度が検出された部分領域数がｎ未満であると判定された場合（ステップＳ４１；Ｎｏ）、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出された部分領域数はｍ以上であるか判定する（ステップＳ４５）。異常温度が検出された部分領域数がｍ以上であると判定された場合（ステップＳ４５；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、前回の温度を超えるかの判定を行う（ステップＳ４６）。ステップＳ３５の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ４６；Ｙｅｓ）、光源制御部１１２は、前回の温度を超えると判定された温度上昇エリアに対応する部分領域の背面側に配置された光源６１を消灯する（ステップＳ４７）。一方、ステップＳ４６の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ４６；Ｎｏ）、光源制御部１１２は、異常温度が検出された部分領域に対応する配置の光源６１にブリンク制御を適用する（ステップＳ４８）。ステップＳ４７の処理後又はステップＳ４８の処理後、異常対応処理は終了する。
【0145】
ステップＳ４５の処理で異常温度が検出された部分領域数がｍ未満であると判定された場合（ステップＳ４５；Ｎｏ）、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出された部分領域数はｊ以上であるか判定する（ステップＳ４９）。異常温度が検出された部分領域数がｊ以上であると判定された場合（ステップＳ４９；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、前回の温度を超えるかの判定を行う（ステップＳ５０）。ステップＳ３５の処理で前回の温度を超えると判定された場合（ステップＳ５０；Ｙｅｓ）、光源制御部１１２は、前回の温度を超えると判定された温度上昇エリアに対応する部分領域の背面側に配置された光源６１を消灯する（ステップＳ５１）。一方、ステップＳ４６の処理で前回の温度を超えていないと判定された場合（ステップＳ５０；Ｎｏ）、光源制御部１１２は、異常温度が検出された部分領域に対応する配置の光源６１にブリンク制御を適用する（ステップＳ５２）。この場合、ステップＳ４８のブリンク制御より単位時間当たりの発光時間が短くなるようなブリンク制御をしてもよい。ステップＳ４３の処理後、ステップＳ４４の処理後又はステップＳ４９の処理で異常温度が検出された部分領域数がｊ未満であると判定された場合（ステップＳ４９；Ｎｏ）、異常対応処理は終了する。
【0146】
なお、異常温度が検出された部分領域の数に応じた光源制御に係る異常対応処理は、上述の処理に限られるものでない。例えば、各部分領域に複数の光源６１が配置されている場合、部分領域単位で点灯される光源６１の数を減らすような処理を異常対応処理として適用してもよい。これによって、光源部６全体で見た場合の発熱量や異常温度が検出された部分領域近傍での光源６１による発熱量をより低減できる。
【0147】
ｎ，ｍ，ｊの値は、例えばｎ＝２０，ｍ＝５，ｊ＝１であるが、これに限られるものでなく、ｎ＞ｍ＞ｊを満たす範囲内で適宜変更可能である。また、ｎ，ｍ，ｊのような自然数による部分領域の数の判定に代えて、表示領域ＡＡに含まれる部分領域の総数に対する割合での判定を行ってもよい。例えば、ステップＳ３１及びステップＳ４１における判定の内容を「異常温度が検出された部分領域の割合は８０％以上であるか」を判定する内容に置換してもよい。
【0148】
なお、ＨＵＤ装置１は、温度検出機能及び温度検出に基づいた異常対応処理の機能をＯＮ／ＯＦＦできるように設けられてもよい。係るＯＮ／ＯＦＦは、例えば制御装置１１０からの設定信号の入力に基づいて行われる。
【0149】
図１９は、温度検出機能のＯＮ／ＯＦＦ制御に係る処理の流れの一例を示すフローチャートである。まず、設定信号の入力が行われる（ステップＳ６１）。ＤＤＩＣ１９は、設定信号に応じたレジスタの設定を行う（ステップＳ６２）。具体的には、例えば処理部１１７のＣＰＵが設定信号を取得し、当該設定信号に含まれる各種の設定情報に対応した情報をレジスタに設定する。当該設定情報は、温度検出機能を利用するか否かを示す情報を含む。以下、単に「設定情報」と記載した場合、設定信号に含まれ、レジスタの設定に反映される設定情報をさす。
【0150】
ステップＳ６２の処理によるレジスタの設定が温度検出機能を利用する設定である場合（ステップＳ６３；Ｙｅｓ）、温度検出制御部１２０は、温度検出機能をＯＮにする（ステップＳ６４）。すなわち、上述の図１２から図１９を参照して説明した温度検出に関する各種の処理が行われる設定になる。一方、ステップＳ６２の処理によるレジスタの設定が温度検出機能を利用する設定でない場合（ステップＳ６３；Ｎｏ）、温度検出制御部１２０は、温度検出機能をＯＦＦにする（ステップＳ６５）。すなわち、上述の図１２から図１９を参照して説明した温度検出に関する各種の処理が行われない設定になる。
【0151】
設定情報は、ＨＵＤ装置１の動作に関する時間（例えば、連続動作時間等）を管理するタイマー情報を含んでいてもよい。その場合、図示しないＨＵＤ装置１のタイマー回路の動作及び当該タイマー回路により計上された時間に応じて動作する各種の動作に当該タイマー情報が反映される。タイマー回路は、ＤＤＩＣ１９の処理部１１７等、何らかの回路内に統合されていてもよいし、独立して設けられていてもよい。
【0152】
さらに、設定情報は、温度検出機能を利用する場合の温度の検出対象と検出タイミングと検出頻度との関係に関する情報を含んでいてもよい。
【0153】
図２０は、検出領域と、検出タイミングと、検出頻度との関係の一例を示す表である。図２０に示すように、検出領域の種別として、「１エリア」、「複数エリア」、「全エリア」が設けられる。「１エリア」は、複数の温度検出領域ＳＭのうち１つの温度検出領域ＳＭにおける温度検出が行われる場合をさす。「複数エリア」は、複数の温度検出領域ＳＭのうち全てでない２つ以上の温度検出領域ＳＭにおける温度検出が行われる場合をさす。「全エリア」は、複数の温度検出領域ＳＭの全ての温度検出領域ＳＭにおける温度検出が行われる場合をさす。
【0154】
また、図２０に示すように、検出タイミングの種別として、「ブランキング、書き込み」又は「ブランキング」が設けられる。「ブランキング、書き込み」は、後述するブランキング期間（例えば、期間Ｔ１１，Ｔ２１）と、書き込み期間（例えば、期間Ｔ１２，Ｔ２２）に温度検出が行われることを示す。また、「ブランキング」は、後述するブランキング期間に温度検出が行われることを示す。
【0155】
また、図２０に示すように、検出頻度の種別として、「１～１２０Ｈｚ」、「１～６０Ｈｚ」、「１～１０Ｈｚ」が設けられる。「１～１２０Ｈｚ」は、温度検出が１秒間に１回から１２０回の範囲内で行われることを示す。「１～６０Ｈｚ」は、温度検出が１秒間に１回から６０回の範囲内で行われることを示す。「１～１０Ｈｚ」は、温度検出が１秒間に１回から１０回の範囲内で行われることを示す。
【0156】
すなわち、図２０に示す例では、「１エリア」を検出対象とした温度検出は、ブランキング期間と書き込み期間とを利用して、１秒間に１回から１２０回の範囲内で行われるよう設定される。また、「複数エリア」を検出対象とした温度検出は、ブランキング期間を利用して、１秒間に１回から６０回の範囲内で行われるよう設定される。また、「全エリア」を検出対象とした温度検出は、ブランキング期間を利用して、１秒間に１回から１０回の範囲内で行われるよう設定される。
【0157】
温度検出制御部１２０は、図２０で例示するような情報に対応するレジスタの設定に応じて、異常温度が検出された部分領域における温度検出頻度を他の部分領域における温度検出頻度よりも高めるよう制御する。具体例を挙げると、全ての部分領域で異常温度が検出されない場合、温度検出制御部１２０は、例えばブランキング期間を利用して１秒間に１０回「全エリア」の温度検出を行う。ここで、ある１つの部分領域で異常温度が検出された場合、温度検出制御部１２０は、その後、ブランキング期間を利用して１秒間に１０回「全エリア」の温度検出を行うとともに、異常温度が検出された部分領域を「１エリア」とした温度検出を、ブランキング期間と書き込み期間とを利用して、１秒間に１２０回行う。ここで、「全エリア」は、「１エリア」を含む。従って、「１エリア」に限定された温度検出が１秒間に１１０回行われ、「１エリア」を含む「全エリア」の温度検出が１秒間に１０回行われる。また、全部でない複数の部分領域で異常温度が検出された場合、温度検出制御部１２０は、その後、ブランキング期間を利用して１秒間に１０回「全エリア」の温度検出を行うとともに、異常温度が検出された複数の部分領域を「複数エリア」とした温度検出を、ブランキング期間と書き込み期間とを利用して、１秒間に６０回行う。ここで、「全エリア」は、「複数エリア」を含む。従って、「複数エリア」に限定された温度検出が１秒間に５０回行われ、「１エリア」を含む「全エリア」の温度検出が１秒間に１０回行われる。
【0158】
このように、温度検出制御部１２０は、異常温度が検出された部分領域における温度検出の頻度をより高める。従って、より厳密な温度管理が求められる状況になっている当該部分領域に対して、温度に対応した制御装置１１０による表示制御や光源制御部１１２による光源制御をより迅速に行える。
【0159】
なお、実施形態では、「１エリア」の検出頻度は「複数エリア」及び「全エリア」の検出頻度以上であり、「複数エリア」の検出頻度は「全エリア」の検出頻度以上であるよう設定されるが、これに限られるものでなく、大小関係が逆転してもよい。
【0160】
【0161】
図２１は、フレーム期間Ｆに含まれる期間Ｔ１１，Ｔ２１、期間Ｔ１２，Ｔ２２及び期間Ｔ１３，Ｔ２３と温度検出タイミングとの関係の一例を示すタイムチャートである。図２１から図２５では、連続する２フレーム分のフレーム期間Ｆを例示している。フレーム期間Ｆは、１つのフレーム画像の表示に係る各種の処理が行われる期間である。図２１から図２５における「表示」欄が表示に関する処理内容の流れを示し、「温度検出」欄が温度検出に関する処理内容の流れを示す。
【0162】
まず、フレーム期間Ｆにおける表示に関する各種の処理内容について説明する。ここで説明する内容は、異常対応処理が行われない場合の通常の処理である。期間Ｔ１１，Ｔ２１には、各画素ＶＰｉｘのリセットが行われる。期間Ｔ１２，Ｔ２２には、リセット後の各画素ＶＰｉｘに対してフレーム画像の内容に対応した画素信号の書き込みが行われる。期間Ｔ１２，Ｔ２２における矢印Ｗは、画素信号の書き込みに伴う走査の進行を模式的に示している。ブランキング期間及び書き込み期間には、光源６１は消灯される。期間Ｔ１３，Ｔ２３には、光源６１が点灯してフレーム画像に対応する光が投影される。
【0163】
図２１では、毎フレームの期間Ｔ１１，Ｔ２１に同期したタイミング及び頻度で温度検出が行われる場合を例示している。図２１に示すような温度検出の例は、例えば表示出力のフレームレートが６０［Ｈｚ］である場合において、ブランキング期間を利用して、１秒間に６０回「複数エリア」を検出対象とした温度検出を行う場合の例である。図２１及び図２２では、座標ｙ１から座標ｙ４までの範囲に図示された「温度検出」の矩形によって、「複数エリア」（又は、「全エリア」）の温度検出が行われていることを示している。
【0164】
図２２は、フレーム期間に含まれるブランキング期間、書き込み期間及び光源点灯期間と温度検出タイミングとの関係の他の一例を示すタイムチャートである。図２２では、期間Ｔ１１に温度検出が行われ、期間Ｔ２１には温度検出が行われない場合を例示している。なお、図示を省略しているが、温度検出はフレーム期間Ｆ２回につき１回でなく、フレーム期間Ｆ３回以上につき１回であってもよい。すなわち、フレームレートよりも低い温度検出頻度であってもよい。図２２に示すような温度検出の例は、例えば表示出力のフレームレートが６０［Ｈｚ］である場合において、ブランキング期間を利用して、１秒間に１０回「全エリア」を検出対象とした温度検出を行う場合の例である。
【0165】
図２３は、フレーム期間に含まれるブランキング期間、書き込み期間及び光源点灯期間と温度検出タイミングとの関係の他の一例を示すタイムチャートである。図２３では、毎フレームの期間Ｔ１１，Ｔ２１に「複数エリア」（又は、「全エリア」）の温度検出が行われ、期間Ｔ１２，Ｔ２２に座標ｙ１の部分領域の温度検出が行われる場合を例示している。すなわち、温度検出の頻度は、フレームレート以上の温度検出頻度であってもよい。図２３に示すような温度検出の例は、例えば表示出力のフレームレートが６０［Ｈｚ］である場合において、ブランキング期間及び書き込み期間を利用して、１秒間に１２０回「１エリア」を検出対象とした温度検出を行う場合の例である。なお、図２３等では、期間Ｔ１２，Ｔ２２において座標ｙ１に図示された「温度検出」の矩形によって、座標ｙ１に含まれる「１エリア」の温度検出がさらに行われることを示している。なお、座標ｙ１から座標ｙ４までの範囲に図示された「温度検出」の矩形が示す「複数エリア」（又は、「全エリア」）の温度検出タイミングにも当該「１エリア」は含まれることから、当該「１エリア」に対応する部分領域の温度検出頻度は、他の部分領域よりも高くなる。図２２に示すような温度検出の例は、例えば表示出力のフレームレートが６０［Ｈｚ］である場合において、ブランキング期間及び書き込み期間を利用して、１秒間に１２０回「１エリア」を検出対象とした温度検出を行う場合の例である。
【0166】
なお、図２３等とは、図２３ならびに後述する図２４及び図２５をさす。また、図２３等では、異常対応処理によって座標ｙ１の走査線ＧＣＬによる走査が行われなくなっている場合を例示しているが、これは必ずしも「１エリア」の場合に当該「１エリア」に対応する部分領域と重なる走査線ＧＣＬが全く駆動されなくなることを意味しない。単に画素信号の更新頻度が低減するだけであってもよいし、図２１や図２２で例示したように通常の書き込みによる画素信号の更新が行われてもよい。
【0167】
図２４は、フレーム期間に含まれるブランキング期間、書き込み期間及び光源点灯期間と温度検出タイミングとの関係の他の一例を示すタイムチャートである。図２４に示すように、「１エリア」の温度検出は、２つ以上のエリアについて個別に行われてもよい。例えば、異常温度が検出された部分領域が座標ｙ１と座標ｙ２に１つずつある場合に、図２４に示すような温度検出パターンが適用される。図２４では、毎フレームの期間Ｔ１１，Ｔ２１に「複数エリア」（又は、「全エリア」）の温度検出が行われ、期間Ｔ１２，Ｔ２２に座標ｙ１及び座標ｙ２の部分領域の温度検出が逐次行われる場合を例示している。
【0168】
図２５は、フレーム期間に含まれるブランキング期間、書き込み期間及び光源点灯期間と温度検出タイミングとの関係の他の一例を示すタイムチャートである。「１エリア」の温度検出が２つ以上のエリアについて個別に行われる場合、それぞれの温度検出頻度は同一でなくてもよい。例えば図２５に示すように、期間Ｔ１２に座標ｙ１及び座標ｙ２の部分領域の温度検出が逐次行われ、期間Ｔ２２に座標ｙ２の部分領域の温度検出が行わるようにしてもよい。これによって、座標ｙ１の部分領域と座標ｙ２の部分領域とに「１エリア」の温度検出を適用しつつ、座標ｙ２の部分領域の温度検出頻度を座標ｙ１の部分領域の温度検出頻度よりも高めることができる。
【0169】
なお、期間Ｔ１１，Ｔ２１と、期間Ｔ１２，Ｔ２２と、期間Ｔ２３，Ｔ２３の各々の時間長は、フレーム期間Ｆの時間長と矛盾しない範囲内で、適宜設定される。係る設定のための情報は、設定情報に含まれていてもよいし、予めレジスタ以外の回路に設定されていてもよい。
【0170】
また、設定情報は、いずれの部分領域からも異常温度が所定時間以上継続して検出されない場合に、温度検出の頻度を通常時よりもさらに下げる情報を含んでいてもよい。例えば、通常時に１秒間に１０回の頻度で「全エリア」の温度検出を行う場合であって、異常温度が１５分以上継続して検出されないとき、１秒間に１０回未満（例えば、１回）の頻度で「全エリア」の温度検出を行うようにしてもよい。
【0171】
また、設定情報は、いずれの部分領域からも異常温度が検出された場合に、「全エリア」の温度検出の頻度を通常時よりも上げる情報を含んでいてもよい。例えば、通常時に１秒間に１回の頻度で「全エリア」の温度検出を行う場合であって、異常温度が検出されたとき、１秒間に２回以上（例えば、１０回、３０回等）の頻度で「全エリア」の温度検出を行うようにしてもよい。
【0172】
また、表示パネル２のフレームレートと、温度検出の頻度との関係が設定情報に含まれていてもよい。例えば、高速なフレームレートで画像が表示出力される場合に通常時の温度検出頻度を１秒間に１回とし、標準のフレームレートで画像が表示出力される場合に通常時の温度検出頻度を１秒間に１０回とし、低速なフレームレートで画像が表示出力される場合に通常時の温度検出頻度を１秒間に３０回とするような設定情報が採用されてもよい。高速なフレームレートとは、例えば１２０［Ｈｚ］である。標準のフレームレートとは、例えば６０［Ｈｚ］である。低速なフレームレートとは、例えば１０［Ｈｚ］である。これら例示した各種の数値はあくまで一例であってこれに限られるものでなく、数値の大小関係が同様になる範囲で適宜変更可能である。
【0173】
また、上述の異常対応処理における表示制御や光源制御に関する各種の数値情報は、設定情報に含まれていてもよいし、予めレジスタ以外の回路に設定されていてもよい。
【0174】
以上説明したように、実施形態によれば、ＨＵＤ装置１は、複数の画素ＶＰｉｘが設けられた表示領域ＡＡを有する表示パネル２と、複数の温度センサ（例えば、複数の第１温度検出用配線ＳＭＸ及び複数の第２温度検出用配線ＳＭＹ）と、表示パネル２及び温度検出部３０の動作を制御する制御ＩＣ（ＤＤＩＣ１９）とを備える。複数の温度センサが配置される複数の温度検出領域ＳＭは、表示領域ＡＡと重なるよう設けられる。制御ＩＣは、複数の温度検出領域ＳＭの各々と重なる部分領域単位で表示領域ＡＡを制御可能に設けられる。
【0175】
ここで、「部分領域単位で表示領域ＡＡを制御可能」とは、部分領域の輝度と部分領域の表示出力内容との少なくともいずれか一方を制御可能であることをさす。従って、温度検出部３０により温度上昇が検出された場合に温度上昇に対応した制御を部分領域単位でＡＡに反映できる。すなわち、ＨＵＤ装置１は、温度上昇に対応できる。
【0176】
そして、実施形態によれば、表示パネルの信号線ＳＧＬ及び走査線ＧＣＬならびに複数の第１温度検出用配線ＳＭＸ及び複数の第２温度検出用配線ＳＭＹは、制御ＩＣ（ＤＤＩＣ１９）に接続されている。これによって、表示に係る機能（例えば、表示制御部１１１及び光源制御部１１２）と温度検出に係る機能（温度検出制御部１２０）との連携のための信号伝送に係る配線や、当該連携のための回路が不要になる。従って、配線や他の回路の増加を抑制可能な表示装置を実現できる。
【0177】
また、制御ＩＣ（ＤＤＩＣ１９）は、表示パネル２の動作を制御する表示制御部１１１と、温度検出部３０の動作に係る処理を行う温度検出制御部１２０と、表示パネル２を照明する光源部６の動作を制御する光源制御部１１２とを含む。これによって、表示パネル２の動作制御と、温度検出部３０の動作制御と、光源部６の動作制御とを制御ＩＣで行える。従って、これらの動作制御の連携に係る複数の回路及び当該複数の回路同士を接続する配線が不要になる。
【0178】
また、制御ＩＣ（ＤＤＩＣ１９）は、第１温度Ｔ２以上の温度が複数の温度検出領域ＳＭのうち１つ以上で検出された場合、所定の異常対応処理を行う。異常対応処理は、第１処理と、第２処理と、第３処理とのうち１つ以上を含む。第１処理は、表示パネル２の表示更新頻度を第１温度Ｔ２以上の温度が検出される前よりも低減させる処理である。第２処理は、制御ＩＣに含まれる少なくとも一部の機能の動作周波数（例えば、表示パネル２のフレームレートと連動する表示制御部１１１の動作周波数）を第１温度以上の温度が検出される前よりも低下させる処理である。第３処理は、表示パネル２を照明する光の輝度を第１温度以上の温度が検出される前よりも低減させる処理である。第１処理及び第２処理によって、制御ＩＣの負荷が低減され、制御ＩＣからの発熱を抑制できる。また、第３処理によって、光源部６からの発熱を抑制できる。
【0179】
また、第１温度Ｔ２は、摂氏５０度以上の温度である。これによって、表示パネル２が正常に動作しなくなる可能性をゼロにできない摂氏５０度以上の温度に達した部分領域が生じた場合であっても、異常対応処理によって対応できる。
【0180】
また、第１温度Ｔ２よりも高い第２温度Ｔ３以上の温度が複数の温度検出領域ＳＭのうち１つ以上で検出された場合、異常対応処理は、第４処理と、第５処理と、第６処理とのうち１つ以上を含む。第４処理は、表示パネル２の表示更新頻度を第１処理よりもさらに低減させる（例えば、表示出力の停止を行う）処理である。第５処理は、制御ＩＣ（ＤＤＩＣ１９）に含まれる少なくとも一部の機能の動作周波数を第２処理よりもさらに低下させる処理（例えば、表示出力の停止に伴う表示制御部１１１の動作停止）である。第６処理は、表示パネル２を照明する光の輝度を第３処理よりもさらに低減させる（例えば、点灯させない）処理である。第４処理及び第５処理によって、制御ＩＣの負荷が低減され、制御ＩＣからの発熱を抑制できる。また、第６処理によって、光源部６からの発熱を抑制できる。
【0181】
また、第３処理及び第６処理は、第１温度Ｔ２の温度が検出された温度検出領域ＳＭと重なる部分領域単位で行われる。これによって、第１温度Ｔ２の温度が検出された温度検出領域ＳＭと重なる部分領域での発熱の抑制と、他の部分領域での通常の表示出力とを両立できる。
【0182】
また、第１処理及び第４処理は、第１温度以上の温度が検出された温度検出領域と重なる部分領域に設けられている走査線を共有する部分領域単位で行われる。これによって、異常温度が検出されて万全な動作が担保されない部分領域に関する動作の一部又は全部の省略による発熱の抑制と、他の部分領域での通常の表示出力とを両立できる。
【0183】
また、温度検出制御部１２０は、異常対応処理が行われていない場合の単位時間あたりの温度検出頻度に比して、異常対応処理が行われている場合の単位時間あたりの温度検出頻度を上げる。これによって、異常温度が検出された後の温度変化により迅速に対応した異常対応処理又は異常対応処理の解除を行える。
【0184】
また、温度検出制御部１２０は、第１温度Ｔ２以上の温度が複数の温度検出領域ＳＭのうち１つの温度検出領域で検出された場合、表示パネル２による画像の表示が行われないブランキング期間と複数の画素に画素信号が書き込まれる書き込み期間に当該１つの温度検出領域ＳＭにおける温度検出を行う。例えば、温度検出制御部１２０は、当該１つの温度検出領域ＳＭにおける温度検出を１秒間あたり１回以上１２０回以下の回数行う。これによって、当該１つの温度検出領域ＳＭにおける温度検出の頻度をより高めやすくなる。
【0185】
また、温度検出制御部１２０は、第１温度Ｔ２以上の温度が複数の温度検出領域ＳＭのうち２つ以上の温度検出領域ＳＭで検出された場合、表示パネルによる画像の表示が行われないブランキング期間に当該２つ以上の温度検出領域ＳＭにおける温度検出を行う。例えば、温度検出制御部１２０は、当該２つ以上の温度検出領域ＳＭにおける温度検出を１秒間あたり１回以上６０回以下の回数行う。これによって、書き込み期間及び光源点灯期間のように表示出力に係る動作制御が行われる期間とは別の期間に温度検出を行える。従って、温度検出と表示出力とを別期間で行える。
【0186】
なお、実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本開示から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【0187】
以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。
【0188】
例えば、表示パネル２は、液晶パネルを例示したが、有機ＥＬパネルであってもよい。発光素子ＬＥＤごとに異なる光を出射することで画像を表示するマイクロＬＥＤ（ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ）パネルであってもよい。発光素子ＬＥＤは、ＬＥＤは、平面視で、３μｍ以上、１００μｍ以下程度の大きさを有する。表示パネル２が有機ＥＬパネル又はマイクロＬＥＤパネルである場合、光源部６は省略される。また、表示パネル２が有機ＥＬパネルである場合、光源制御部１１２の制御対象は、有機ＥＬパネルの表示領域ＡＡ全体又は部分領域単位での発光輝度になる。また、表示パネル２がマイクロＬＥＤパネルである場合、光源制御部１１２の制御対象は、表示領域ＡＡ全体又は部分領域単位でのマイクロＬＥＤの発光輝度になる。
【0189】
また、温度検出部３０の構成は、実施形態のように表示パネル２に一体的に設けられる所謂インセル方式に限られない。第１温度検出用配線ＳＭＸ、第２温度検出用配線ＳＭＹが省略された表示専用の表示パネル２と、温度検出部３０として機能する第１温度検出用配線ＳＭＸ、第２温度検出用配線ＳＭＹが積層された温度センサパネルとが個別に設けられる所謂アウトセル方式であってもよい。アウトセル方式では、当該温度センサパネルが当該表示専用の表示パネル２の投影側に設けられる。
【0190】
また、「ある温度（例えば、第１温度Ｔ２）以上他の温度（例えば、第１温度Ｔ２）未満」という判定基準は、「ある温度を超え、かつ、他の温度以下」という判定基準であってもよい。温度と第１温度Ｔ２等の閾値との関係の詳細については適宜変更可能である。同様に、「～以上」については、「～を超える」としてもよい。また、「～未満」については、「～以下」としてもよい。すなわち、判定の矛盾が生じない範囲内で、「～以上」、「～を超える」、「～未満」、「～以下」を適宜変更してよい。
【0191】
また、温度検出領域ＳＭの配置は、マトリクス状に限られない。例えば、上述の第１温度検出用配線ＳＭＸ又は第２温度検出用配線ＳＭＹのいずれか一方のみが設けられ、係る一方が第１方向Ｄｘ又は第２方向Ｄｙのうち一方向に沿う複数の温度検出領域ＳＭとして機能するようにしてもよい。その場合、係る一方向に沿う複数の温度検出領域ＳＭに個別に重なるよう、複数の部分領域が表示領域ＡＡに設定される。
【0192】
また、信号線ＳＧＬと走査線ＧＣＬのうち一方は、ＤＤＩＣ１９に接続されていなくてもよい。
【0193】
信号線ＳＧＬがＤＤＩＣ１９に接続されない場合、走査線ＧＣＬがＤＤＩＣ１９の表示制御部１１１に接続される。当該表示制御部１１１は、走査線ＧＣＬに対する駆動信号の印加による画素信号の書き込み時における走査に係る機能を担う。信号線ＳＧＬは、ＤＤＩＣ１９とは別個に設けられたソースドライバに接続される。当該ソースドライバは、書き込み時において各副画素ＳＰｉｘに対する画素信号の入力に係る機能を担う。
【0194】
走査線ＧＣＬがＤＤＩＣ１９に接続されない場合、信号線ＳＧＬがＤＤＩＣ１９の表示制御部１１１に接続される。当該表示制御部１１１は、書き込み時において各副画素ＳＰｉｘに対する画素信号の入力に係る機能を担う。走査線ＧＣＬは、ＤＤＩＣ１９とは別個に設けられたゲートドライバに接続される。当該ゲートドライバは、走査線ＧＣＬに対する駆動信号の印加による画素信号の書き込み時における走査に係る機能を担う。
【0195】
また、上述の説明における第２処理及び第５処理の例として、表示制御部１１１の動作周波数を低減させる例が記載されているが、第２処理及び第５処理はこれに限られるものでない。例えば、表示パネル２のフレームレートを低下させる処理と連動して、ＤＤＩＣ１９に含まれる各種機能に対応した構成（例えば、表示制御部１１１、光源制御部１１２、温度検出制御部１２０）の全部の動作周波数を一律で下げるようにしてもよいし、一部を除いて他の機能に対応する部分の動作周波数を一律で下げるようにしてもよい。
【符号の説明】
【0196】
１ ＨＵＤ装置
２ 表示パネル
６ 光源部
１９ ＤＤＩＣ
３０ 温度センサ
６１ 光源
ＡＡ 表示領域
ＳＭＸ 第１温度検出用配線
ＳＭＹ 第２温度検出用配線
ＳＭ 温度検出領域
２ 表示パネル
６ 光源部
１９ ＤＤＩＣ
３０ 温度センサ
６１ 光源
ＡＡ 表示領域
ＳＭＸ 第１温度検出用配線
ＳＭＹ 第２温度検出用配線
ＳＭ 温度検出領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】