(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-05
(45)【発行日】2024-03-13
(54)【発明の名称】圧電デバイス
(51)【国際特許分類】
H03H 9/19 20060101AFI20240306BHJP
【FI】
H03H9/19 F
(21)【出願番号】P 2022133037
(22)【出願日】2022-08-24
(62)【分割の表示】P 2019049564の分割
【原出願日】2019-03-18
【審査請求日】2022-08-25
(73)【特許権者】
【識別番号】000232483
【氏名又は名称】日本電波工業株式会社
(72)【発明者】
【氏名】窪田 正積
(72)【発明者】
【氏名】松本 隆司
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 雄一
(72)【発明者】
【氏名】阿部 朋仁
【審査官】竹内 亨
(56)【参考文献】
【文献】特公昭35-006565(JP,B1)
【文献】特開昭52-140289(JP,A)
【文献】特開2007-088691(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H03H 9/00-9/76
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
水晶のX軸に沿う辺を長辺、水晶のZ′軸に沿う辺を短辺とする平面視長方形状のATカットの水晶片と、前記水晶片の表裏に設けられ
平面視四角形状の励振用電極と、を備える圧電デバイスにおいて、
前記ATカットの水晶片は、前記長辺が4mm、前記短辺が1.85mm、前記励振用電極の前記長辺に沿う寸法が1.4mm、前記励振用電極の前記短辺に沿う寸法が0.96mm、発振周波数が38.88MHzのものであり、
前記
水晶片の表裏の領域であって、対向する1対の
前記長辺に沿っていてかつ前記表裏の励振用電極の縁から
0.13~0.21mmの間隔Gをもって離れた領域に配置された導電性膜を備えることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項2】
前記表裏に設けられた導電性膜は、前記
水晶片の側面を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の圧電デバイス。
【請求項3】
前記導電性膜は、前記励振用電極と同じ材料から成る金属膜であることを特徴とする請求項1
又は2に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、厚みすべり振動で振動する圧電振動子に関する。
【背景技術】
【0002】
圧電デバイスに対する特性改善の要求は益々高まっている。例えば、高精度の温度補償型水晶発振器(TCXO)では、水晶振動子自体の周波数温度特性を測定してこの温度特性を高次の関数、例えば4次から7次等の関数で近似し、この近似式にしたがい周波数を補償して、TCXOからの出力の温度特性を限りなく平坦にしたいという要求がある。このような要求を満たすためには、水晶振動子自体の周波数温度特性に関する近似曲線は相関係数が1となるものが理想である。しかし、実際には、種々の温度で実際の周波数が近似曲線から外れる現象、いわゆる周波数ディップが生じる。
【0003】
周波数ディップを抑制するための技術として、例えば、この出願の出願人に係る特許文献1に開示された技術がある。具体的には、圧電片の第1主面に設けた第1引出電極及び第2主面に設けた第2引出電極各々に対し、この圧電片を挟んだ反対領域に、不要振動抑制電極を設けた技術である。
この技術によれば、この構造を用いない場合に比べ、周波数ディップの絶対値を抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1に開示された技術によれば、周波数ディップの絶対値の抑制はできる。しかし、周波数ディップが仕様を超えて問題となる大きさになる温度(以下、周波数ディップ発生温度と略称することもある)を変えることは、出来なかった。周波数ディップ発生温度を変えられる技術があれば、圧電デバイスの設計手法として有用である。
この出願はこのような点に鑑みなされたものであり、従って、この出願の目的は、周波数ディップ発生温度を制御できる新規な構造を有した圧電デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
この目的の達成を図るため、この出願の圧電デバイスによれば、圧電片と、この圧電片の表裏に設けた励振用電極と、を備える圧電デバイスにおいて、
前記圧電片の表裏の領域であって、前記表裏の励振用電極の縁から距離Gだけ離れた少なくとも一部領域上に、表裏で電気的に接続されている、導電性膜を具え、
前記距離Gは、周波数ディップが仕様を超えて問題となる大きさになる温度を調整する距離としてあることを特徴とする。
なお、導電性膜を圧電片の複数個所に設ける場合、ここで言う距離Gとは、各々の導電性膜ごとに同じ場合も、異なる場合もある。すなわち、周波数ディップ発生温度をどの辺りの温度に調整したいかに応じて、同じ距離になる場合もあれば、異なる距離になる場合もある。
【発明の効果】
【0007】
この出願の圧電デバイスによれば、周波数ディップ発生温度を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【
図1】(A)、(B)は、第1の実施形態の圧電デバイス10の説明図である。
【
図2】(A)、(B)、(C)は、第1の実施形態の圧電デバイス10の試作結果の説明図である。
【
図3】第1の実施形態の圧電デバイス10の試作結果の
図2に続く説明図である。
【
図4】他の実施形態の圧電デバイス50の説明図である。
【
図5】(A)はさらに他の実施形態の圧電デバイス60の説明図、(B)はさらに他の実施形態の圧電デバイス70の説明図である
【
図6】さらに他の実施形態の圧電デバイス80の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、図面を参照してこの出願の各発明の実施形態について説明する。なお、説明に用いる各図はこれら発明を理解できる程度に概略的に示してあるにすぎない。また、説明に用いる各図において、同様な構成成分については同一の番号を付して示し、その説明を省略する場合もある。また、以下の実施形態中で述べる形状、寸法、材質等はこの発明の範囲内の好適例に過ぎない。従って、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。
【0010】
1. 第1の実施形態の圧電デバイス
1-1.圧電デバイスの構造
図1は、第1の実施形態の圧電デバイス10の構造を説明する図である。特に
図1(A)は圧電デバイス10の平面図、
図1(B)は
図1(A)のP-P線に沿った断面図である。なお、
図1(A)では、
図1(B))に示した蓋部材21の図示を省略してある。
【0011】
この圧電デバイス10は、圧電片11と、第1励振用電極13aと、第1引出電極13bと、第2励振用電極13cと、第2引出電極13dと、導電性膜15と、容器17と、導電性接着剤19と、蓋部材21と、を具える。以下、これらの構成成分について詳述する。
【0012】
圧電片11は、厚みすべり振動が可能なもので、水晶片をはじめとする種々の圧電片である。典型的には、ATカット水晶片、又は、SCカットに代表される2回回転カットの水晶片である。この実施形態の場合、圧電片11は、平面形状が四角形状、具体的には長方形状のATカット水晶片としてある。より具体的には、圧電片11は、水晶のX軸方向に沿う辺を長辺、水晶のZ′軸に沿う辺を短辺とする、いわゆるXロングの水晶片としてある。ただし、いわゆるZ′ロングの水晶片を用いても良い。また、平面視で四角形状でない水晶片、例えば楕円形状とか円形状のものを用いても良いが、四角形状のものが好ましい。
【0013】
また、第1励振用電極13aを、圧電片11の一方の主面に設けてあり、第2励振用電極13cを、圧電片11の他方の主面に設けてある。第1励振用電極13aと、第2励振用電極13cとは、圧電片11を挟んで対向するよう設けてある。また、第1引出電極13bを、第1励振用電極13aの一部分から圧電片11の一方の短辺の側に、引き出してある。また、第2引出電極13dを、第2励振用電極13cの一部分から圧電片11の前記一方の短辺の側に、引き出してある。これら励振用電極及び引出電極は、任意好適な金属膜で構成できる。
【0014】
また、導電性膜15を、圧電片11の表裏の領域であって、第1励振用電極13a及び第2励振用電極13c各々の縁から距離Gだけ離れた少なくとも一部領域上に設けてある。この実施形態の場合は、圧電片11の短辺に沿った方向で、励振用電極13a,13c各々の両側の縁から距離G離れた位置に、導電性膜15を設けてある。
表裏に設けた導電性膜15は、圧電片11の側面を経て互いに電気的に接続してある。導電性膜15は典型的には金属膜であり、より典型的には、第1、第2励振用電極13a、13cと同じ材料の金属膜である。
【0015】
第1励振用電極13a、第2励振用電極13c及び導電性膜15は、同時に形成するのが良い。具体的には、第1励振用電極13a、第2励振用電極13c及び導電性膜15に対応する箇所が開口部とされたメッキ枠を用いて、スパッタ装置又は蒸着装置等の任意好適な成膜装置によって電極形成用の金属膜を圧電片11に付着させて、第1励振用電極13a、第2励振用電極13c及び導電性膜15を圧電片11上に同時に形成するのが良い。又は、圧電ウエハに対し、第1励振用電極13a、第2励振用電極13c及び導電性膜15を形成するための金属膜を付着させ、この金属膜を公知の成膜技術及びフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングして、第1励振用電極13a、第2励振用電極13c及び導電性膜15を同時に形成し、その後、圧電ウエハから各圧電片を個片化しても良い。
【0016】
第1励振用電極13a、第2励振用電極13c及び導電性膜15を同時に形成すると、そうしない場合に比べて、距離Gを安定に形成できるからである。すなわち、詳細は後述するが、周波数ディップ発生温度の調整に寄与する距離Gを、精度良く制御できるので、結果的に、周波数ディップ発生温度の調整を制御良く行うことができるからである。
【0017】
また、容器17は、この場合、凹部17aと、接続パッド17bと、外部端子17cとを具えるものである。例えば公知のセラミックパッケージである。
凹部17aは、圧電片11を収納する形状及び大きさとなっている。接続パッド17bは、圧電片11の1つの辺の両端付近で圧電片11を保持できるように、容器11の凹部11aの所定位置に設けてある。外部端子17cは、容器17の外側底面に設けてある。接続パッド17bと外部端子17cとは、容器17に設けた図示しないビア配線により電気的に接続してある。
圧電片11は、その1つの辺の両端付近でかつ第1、第2引出電極13b、13dの端部の位置で、導電性接着剤19によって、容器17の接続パッド17bに電気的・機械的に接続固定してある。すなわち、圧電片11は、片持ち支持構造で容器17に固定してある。そして、この容器17を蓋部材21によって封止してある。
【0018】
1-2.導電性膜15の効果
次に、導電性膜15の効果について、実験結果を参照しながら説明する。
圧電デバイス10では、図示しない発振回路及び第1及び第2励振用電極13a、13cによって、厚みすべり振動が励起される。この振動は、原理的には、圧電片11の励振用電極の領域内に閉じ込められて持続する。しかし、振動の一部が圧電片11の縁まで及ぶことが多く、このような場合に、励振用電極の縁から圧電片11の縁までの距離如何によっては、振動の不要な反射が生じて主振動の弊害になる不要振動が生じる。例えば、圧電片11の表裏に設けた励振用電極の位置が所定位置からずれて、励振用電極の縁から圧電片の縁までの距離が所定距離から変動する等が起きた場合に、不要振動が生じる。具体例としては、励振用電極形成時のメッキ枠の圧電片に対する位置ズレ、又は、圧電片自体の加工バラツキによる外形寸法や形状のバラツキ等によって、励振用電極の縁から圧電片の縁までの距離が所定距離から変動する等が起きて、不要振動は生じる。
【0019】
このような時、本発明では、第1及び第2励振用電極13a、13cの縁から距離Gだけ離して導電性膜15を設けてあるので、この導電性膜15が、不要振動の抑圧効果を示す。すなわち、励振用電極13a、13cと導電性膜15との間の距離Gを変えることによって、周波数ディップの発生温度を調整できる。
【0020】
上記した導電性膜15の効果の理解を深めるために、圧電デバイス10の試作結果によって、上記効果をさらに説明する。
図1を用いて説明した圧電デバイス10であって、各部の寸法を以下に説明する寸法とした試作をした。
図1(A)に示したように、圧電片11のX寸法Xs=4mm、圧電片11のZ′寸法Zs=1.85mm、第1及び第2励振用電極13a,13cのX寸法Xe=1.4mm、第1及び第2励振用電極13a,13cのZ′寸法Ze=0.96mm、発振周波数=38.88MHzの圧電デバイスを試作した。なお、励振用電極13a、13cは、圧電片11に対し、圧電片11の先端側に、aだけ具体的には、0.35mmだけ偏芯させた。なお、励振用電極13a、13cと導電性膜15との距離Gについては、G=0.13mm、G=0.21mm、及び、G=0.26mmの3水準とした。なお、3水準の圧電デバイスのサンプル数は、各々10個とした。
【0021】
次に、上記の3種類の圧電デバイス全部について、-40℃から105℃の範囲で、1℃ステップで周波数温度特性を各々測定した。さらに、それぞれの圧電デバイスの上記測定した温度特性について、最少二乗法により4次関数による近似式を求めた。さらに、それぞれの圧電デバイスについて、各測定温度毎の上記近似式上の周波数と実際の測定周波数との差Δfを求め、このΔfを発振周波数Fで除した数値Δf/F(以下、これを周波数ディップ(周波数Dip)という。単位:ppm)を求めた。
図2(A)、(B)、(C)は、横軸に温度をとり、縦軸に周波数ディップをとり、上記の3水準の試作品の周波数ディップをプロットした図である。ただし、図が煩雑になるのを防ぐために、図では、全ての試作品のプロット図は示しておらず、各水準ごとに、数個の試作品の周波数ディップをプロットしてある。
【0022】
また、周波数ディップが絶対値で0.4ppmを越えた最初の温度を、周波数ディップ発生温度と定義して、測定した30個の試作品の周波数ディップデータから、各試作品の周波数ディップ発生温度を抽出した。この抽出結果を下記の表1に示した。なお、判断基準値を0.4ppmとしたのは、あくまで一例である。
【表1】
【0023】
また、
図3に、横軸に距離Gをとり、縦軸に温度をとって、30個の試作品の周波数ディップ発生温度と距離Gとの関係を示した。
図2、
図3、表1から、距離Gと周波数ディップ発生温度との間には、相関があることが分かる。具体的には、距離G=0.13mmの試作品10個の周波数ディップ発生温度の平均値は82.6℃、距離G=0.21mmの試作品10個の周波数ディップ発生温度の平均値は49.2℃、距離G=0.26mmの試作品10個の周波数ディップ発生温度の平均値は30.3℃である。距離Gが小さくなるに従い、周波数ディップ発生温度は高温側に変化することが分かる。このことから、励振用電極13a、13cと導電性膜15との距離Gを変えることによって、周波数ディップ発生温度を調整できることが分かる。
【0024】
2. 他の実施形態
第1の実施形態では、導電性膜15は、励振用電極13a、13cに対し、水晶のZ′軸方向に沿う側に設けていた。従って、上記の場合は、水晶のZ′軸方向を伝搬した波の反射に起因する不要モードの抑制に特に有効である。しかし、圧電デバイスでは、水晶のX軸方向に沿って伝搬する波に起因する不要モードも生じる。従って、導電性膜15を設ける領域は、不要モードに応じて種々に変更できる。以下、いくつかの実施形態を示す。
【0025】
図4は、他の実地形態の圧電デバイス50を示した平面図である。この実施形態の圧電デバイス50の場合、周波数ディップ発生温度調整のための導電性膜15aを、圧電片11の先端側であって、励振用電極13a、13cから距離Gだけ離れた領域に設けてある。ただし、既に述べたことであるが、距離Gは、周波数ディップ発生温度をどの辺りに調整するかで設定される値であり、上記の第1の実施形態での値とは限らない(以下の他の実施形態の圧電デバイスにおいて同じ)。
【0026】
図5(A)は、さらに他の実地形態の圧電デバイス60を示した平面図である。この実施形態の圧電デバイス60の場合、周波数ディップ発生温度調整のための導電性膜15aを、圧電片11の先端側であって、励振用電極13a、13cから距離Gだけ離れた領域に、
図4同様に設けてあると共に、周波数ディップ発生温度調整のための導電性膜15bを、圧電片11の導電性接着剤による支持側であって、励振用電極13a、13cから距離Gだけ離れた領域に設けてある。
【0027】
図5(B)は、さらに他の実地形態の圧電デバイス70を示した平面図である。この実施形態の圧電デバイス70の場合、
図1に示した構造と、
図5(A)に示した構造とを合わせた構造により、導電性膜15,15a、15bを設けた例である。圧電片のZ′方向及びX方向それぞれの不要モード抑制に有効である。なお、既に述べたことであるが、導電性膜15,15a、15b間において、距離Gは同じ場合も、異なる場合もある。また、例えば、左右の導電性膜15間において、距離Gが異なる場合もあり得る(第1の実施形態においても同じ)。
【0028】
上述した各実施形態は、片持ち構造の圧電デバイスに本発明を適用した例であった。しかし、本発明は、
図6に示したように、圧電片を対向する2つの端で保持するいわゆる両持ち構造の圧電デバイスに対しても適用できる。その場合は、圧電片11の導電性接着剤19で支持していない2つの辺側に、励振用電極13a(13c)から距離G離れた領域に導電性膜15cを各々設ける。
【0029】
また、上述した各実施形態の説明に用いた各図では、導電性膜15の長さは、励振用電極の長さと同じとしていたが、設計に応じて、導電性膜15の長さは励振用電極の長さより短い場合(
図4の導電性膜15bの類)があっても良く、又、長い場合があっても良い。ただし、目的からして、導電性膜15の長さは、励振用電極の長さと同じか少し短い程度とするのが良い。また、導電性膜15は少なくとも励振用電極の辺の中央部分と対向するような配置が良い。励振用電極の中央付近が振動強度は一番強いから、振動の漏れも励振用電極の辺の中央付近が他の領域より強いと考えることができ、従って、この領域に導電性膜15を対向させるのが良いと考えられるからである。
【0030】
また、上述した各実施形態では、容器17は圧電片11を収容する凹部17aを持つ容器としていたが、圧電版11を載置する平板のベースと、圧電片11を包含する凹部を有したキャップ状の蓋部材とで容器を構成した圧電デバイスに対しても本発明は勿論適用できる。
【符号の説明】
【0031】
10:第1の実施形態の圧電デバイス、
13a:第1励振用電極、 13b:第1引出電極、
13c:第2励振用電極、 13d:第2引出電極、
15,15a、15b、15c:導電性膜(周波数ディップ発生温度調整用の膜)
17:容器、 17a凹部、
17b:接続パッド、 17c:外部端子、
19:導電性接着剤、 21:蓋部材、
50,60,70,80:他の実施形態の圧電デバイス