特許 7450294 半導体素子の絶縁性能試験装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-07

(45)【発行日】2024-03-15

(54)【発明の名称】半導体素子の絶縁性能試験装置

(51)【国際特許分類】

   G01R 31/26 20200101AFI20240308BHJP

【ＦＩ】

G01R31/26 H

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2022538133

(86)(22)【出願日】2022-06-17

(86)【国際出願番号】 JP2022024349

【審査請求日】2022-12-13

(73)【特許権者】

【識別番号】507076126

【氏名又は名称】株式会社ＩＦＧ

(74)【代理人】

【識別番号】100082429

【弁理士】

【氏名又は名称】森 義明

(74)【代理人】

【識別番号】110002295

【氏名又は名称】弁理士法人Ｍ＆Ｐａｒｔｎｅｒｓ

(72)【発明者】

【氏名】森 仁

(72)【発明者】

【氏名】八島 建樹

【審査官】小川 浩史

(56)【参考文献】

【文献】特開昭５０－１０８８８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】実開昭５５－７３８６７（ＪＰ，Ｕ）

【文献】特開２００１－１９６２０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許第６７５０４１６（ＵＳ，Ｂ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００４５７７０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】“多チャンネル恒温高電圧TDDB試験システム”，株式会社ＩＦＧ，2022年10月05日，https://web.archive.org/web/20221005120106/https://ifg.jp/products/tddb/

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｒ ３１／２６－３１／３１９３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

絶縁油１００が満たされた恒温槽３と、
前記恒温槽３内に配設され、被試験素子１である半導体素子と前記被試験素子１に接続された電流検出抵抗５６とが搭載された回路部２０を備え、前記被試験素子１が前記絶縁油１００に没する位置まで浸漬された試験基板１０と、
前記回路部２０を介して前記被試験素子１に高電圧を印加する高電圧発生装置６０と、
前記回路部２０に設けられ、前記回路部２０を断接する開閉機構部２１と、
１乃至複数の試験基板１０に設けられた複数の回路部２０の各電流検出抵抗５６の電圧波形をそれぞれモニタリングして該電圧波形を記憶し、該記憶した電圧波形の位置情報から絶縁破壊を生じた被試験素子１ａを特定する多チャンネル電圧波形モニタ７０とで構成されている半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて、
前記開閉機構部２１は、前記回路部２０に設けられ絶縁油１００に浸漬した第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを備えた固定側端子部３０と、該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂに対して接離して、該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを断接する移動側端子部４０とで構成されていることを特徴とする半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項2】

移動側端子部４０の頭部に設けられ、前記移動側端子部４０を第１・第２固定側端子部３０ａ・３０ｂから前記移動側端子部４０を離間させるためのキャッチ部分４１ｄが絶縁油１００の油面より上部に突出するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項3】

開閉機構部２１を操作して回路部２０を電気的に切断する回路部遮断機構部８０を更に備え、
前記回路部遮断機構部８０は、多チャンネル電圧波形モニタ７０にて検出された絶縁破壊された被試験素子１ａの位置情報に従い、該当する移動側端子部４０を移動させて該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを遮断するようになっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項4】

固定側端子部３０の第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂは筒状部材で構成され、
移動側端子部４０は、前記第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂに挿脱可能なピン状部材で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項5】

回路部遮断機構部８０は、
前記試験基板１０の配置領域をカバーする平面内を移動する平面移動部８１Ａと、
該平面移動部８１Ａに設けられ、垂直方向に移動する垂直方向移動部８１Ｂと、
前記垂直方向移動部８１Ｂに装着され、開閉機構部２１の移動側端子部４０を保持し、保持した状態で前記移動側端子部４０を移動させ、第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂから前記移動側端子部４０を離間させて第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂ間を遮断するエンドエフェクタ８６とで構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項6】

平面移動部８１Ａは、
試験基板１０の配置領域の１辺に沿って配置されたＸ方向レール８１ｘと、
該Ｘ方向レール８１ｘに沿って移動するＸ方向移動体８２ｘと、
前記Ｘ方向移動体８２ｘに搭載され、前記Ｘ方向レール８１ｘに直交して配置されたＹ方向レール８１ｙと、
該Ｙ方向レール８１ｙに沿って移動するＹ方向移動体８２ｙとで構成され、
垂直方向移動部８１Ｂは、
Ｙ方向移動体８２ｙに垂設された垂直方向レール８１ｚと、
該垂直方向レール８１ｚに沿って移動する垂直方向移動体８２ｚとで構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項7】

平面移動部８１Ａと垂直方向移動部８１Ｂは、３次元移動を可能とするロボットアーム８３で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項8】

回路部遮断機構部８０のエンドエフェクタ８６が電磁石８６ａで構成され、
前記エンドエフェクタ８６で保持される移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄが磁性体で構成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項9】

回路部遮断機構部８０のエンドエフェクタ８６が、移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄを吸着する吸盤８６ｂを備えていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項10】

回路部遮断機構部８０のエンドエフェクタ８６が、移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄを摘まむハサミ部材８６ｃを備えていることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【請求項11】

試験基板１０は、回路部２０が設置された本体部分１１ａと、その上端から上方に延出された延出部分１１ｂとを備え、
開閉機構部２１の移動側端子部４０には、前記延出部分１１ｂが挿入されるガイド溝４５と保持溝４６とが移動側端子部４０の下端から上方に向けて設けられ、
前記ガイド溝４５は、保持溝４６より長く、固定側端子部３０に移動側端子部４０が接する時に延出部分１１ｂが挿入されるように構成され、
保持溝４６は、固定側端子部３０に対して移動側端子部４０が離間状態を保つように延出部分１１ｂが挿入されるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体素子の絶縁性能試験装置の改良に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体素子は、電気安全の確保のため、市場に流通する前に、その絶縁性能を試験し、製品の信頼性を担保する必要がある。特に電圧を遮断するスイッチング素子（トランジスタ、サイリスタ等）や絶縁を保ちつつ信号だけを伝達する信号絶縁用半導体デバイス（フォトカプラ、デジタル・アイソレータ、絶縁アンプ等）では、絶縁性能の試験は非常に重要な項目となる。なお、本願の記載において「半導体素子」または「素子」とは、いわゆるディスクリートな半導体素子に加え、内部に半導体を組み込んだ集積回路素子である半導体デバイスも含む半導体を用いた電子部品を意味するものとする。

【0003】

絶縁性能試験としては、耐電圧試験、Ｖ－ｔ試験、昇圧試験、ＴＤＤＢ（Ｔｉｍｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）試験などがある。いずれも被試験素子の電極に電圧を印加し、素子が破壊する電圧や破壊するまでの時間を測定する試験である。特にＴＤＤＢ試験は、半導体素子の絶縁寿命を評価する試験であり、高信頼性を求められる半導体素子においては、必須の試験となりつつある。半導体素子の酸化膜に電圧を継続的にかけていると、時間が経つに連れて電気的絶縁のために必要とされる酸化膜の破壊が発生する。これを、より破壊が早く進む高電圧条件や高温条件で行うことにより加速化して試験を行うことで、数１０年単位となる製品の絶縁寿命を数日～数カ月で見積もることができるようになる。

【0004】

上記に示した絶縁性能試験は主に大気中にて実施されるが、高電圧用の半導体素子の絶縁評価など非常に高い電圧を用いた試験を実施する必要がある場合や、高電圧を用いて加速試験を実施する場合などは、アーク放電を防ぐため絶縁油中にて絶縁性能試験を実施することになる。特許文献１には、気中および油中双方にて絶縁性能試験を実施する装置が開示されている。
またこれらの絶縁性能試験は、多数の被試験素子に対して実施し、統計的な解析により絶縁性能の評価を実施する必要がある。評価の時間を短縮するためには、複数の被試験素子に対して同時に測定を実施する必要がある。特許文献２には、電流制限抵抗または電流ヒューズを用いた回路を形成し複数の被試験素子に対して並列に電圧を印加し同時に試験を実施することを可能とする方法が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】実登３０９２７０３

【文献】特開平０９－２１３７６０

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

油中での多数の半導体素子に対する並列絶縁性能試験では、多数の素子の内、１個でも故障が生じた場合の経過時間や印加電圧を測定するケースや、設定数或いは被試験素子の全てが破壊されるまでの経過時間や印加電圧を測定するケースなど様々な試験が行われる。後者の場合、破壊された被試験素子を取り除き、残りの被試験素子で試験が継続される。この破壊された被試験素子を取り除く作業は、試験を中断して作業者が油中から手で取り除き、その後、試験を再開するというもので、素子に付着した絶縁油による周囲環境や作業者の汚損や、素子除去作業による時間ロスを伴うものであった。

【0007】

作業効率を上げるために、作業者による手作業を廃止する必要がある。被試験素子毎にリレーのような開閉機構部を絶縁油槽外に設け、絶縁破壊した被試験素子の回路を自動でオン‐オフさせることも考えられるが、高電圧で使用されるリレーは一般にサイズが大きく高価であり、装置の大型化および高価格化を招く。加えて高電圧用導線は、厚い絶縁被覆をもっており複数の高電圧用導線の束をリレーまで導かねばならない。また、束となって配線された太い導線は、絶縁油中に配線されることになるので、容器サイズが過大となるだけでなく、絶縁油中に配線された太い導線が邪魔となって絶縁油の対流を阻害し、絶縁油の温度を均一に保つことができないというような問題がある。また、特許文献２に開示されているように電流ヒューズを用いて、絶縁が破壊された素子への電圧供給を遮断する方法は、低電圧の試験では有効であるが、数ｋＶ程度の高電圧となるとそのサイズが非常に大型となってしまい、リレーの場合と同様の理由により適用できない。

【0008】

本発明は、かかる従来例の問題に鑑みてなされたもので、第１に、被試験素子への高電圧をオンオフする開閉機構を絶縁油中に構成することにより、占有体積が大きくなる高電圧導線を省略し、容器サイズをコンパクトにすると共に絶縁油の対流を阻害しないようにし、第２に、開閉機構の一部を油面より上部に突出させ、その部分を保持し移動させることにより、絶縁油に接触することなく高電圧のオンオフを可能とし、第３に、絶縁破壊された被試験素子が搭載された回路部を自動で遮断することができるようにして試験の中断時間を最小限にとどめ、試験時間の短縮と作業労力の削減を可能にした半導体素子用絶縁性能試験装置を提供することをその目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

請求項１は、被試験素子１である半導体素子用絶縁性能試験装置Ａに関し（図１、図４）、
絶縁油１００が満たされた恒温槽３と、
前記恒温槽３内に配設され、被試験素子１である半導体素子と前記被試験素子１に接続された電流検出抵抗５６とが搭載された回路部２０を備え、前記被試験素子１が前記絶縁油１００に没する位置まで浸漬された試験基板１０と、
前記回路部２０を介して前記被試験素子１に高電圧を印加する高電圧発生装置６０と、
前記回路部２０に設けられ、前記回路部２０を断接（オン・オフ）する開閉機構部２１と、
１乃至複数の試験基板１０に設けられた複数の回路部２０の各電流検出抵抗５６の電圧波形をそれぞれモニタリングして該電圧波形を記憶し、該記憶した電圧波形の位置情報から絶縁破壊を生じた被試験素子１ａを特定する多チャンネル電圧波形モニタ７０とで構成されている半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて、
前記開閉機構部２１は、前記回路部２０に設けられ絶縁油１００に浸漬した第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを備えた固定側端子部３０と、該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂに対して接離して、該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを断接する移動側端子部４０とで構成されていることを特徴とする。

【0010】

請求項２は、請求項１に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（図２）、
移動側端子部４０の頭部に設けられ、前記移動側端子部４０を第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂから前記移動側端子部４０を離間させるための把持部となるキャッチ部分４１ｄが絶縁油１００の油面より上部に突出するようにもうけられていることを特徴とする。

【0011】

請求項３は、請求項１又は２に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（図４）、
開閉機構部２１を操作して回路部２０を電気的に切断する回路部遮断機構部８０を更に備え、
前記回路部遮断機構部８０は、多チャンネル電圧波形モニタ７０にて検出された破壊された被試験素子１ａの位置情報に従い、該当する移動側端子部４０を移動させて該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを遮断（オフ）するようになっていることを特徴とする。

【0012】

請求項４は、請求項１又は２に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（図４）、
固定側端子部３０の第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂは筒状部材で構成され、
移動側端子部４０は、前記第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂに挿脱可能なピン状部材で構成されていることを特徴とする。

【0013】

請求項５は、請求項３に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（図１、図５(ｃ)）、
回路部遮断機構部８０は、
前記試験基板１０の配置領域をカバーする平面内を移動する平面移動部８１Ａと、
該平面移動部８１Ａに設けられ、垂直方向に移動する垂直方向移動部８１Ｂと、
前記垂直方向移動部８１Ｂに装着され、開閉機構部２１の移動側端子部４０を保持し、保持した状態で前記移動側端子部４０を移動させ、第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂから前記移動側端子部４０を離間させて第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂ間を遮断（オフ）するエンドエフェクタ８６とで構成されていることを特徴とする。

【0014】

請求項６は、請求項５に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａ（３次元テーブル）において（図１）、
平面移動部８１Ａは、
試験基板１０の配置領域の１辺に沿って配置されたＸ方向レール８１ｘと、
該Ｘ方向レール８１ｘに沿って移動するＸ方向移動体８２ｘと、
前記Ｘ方向移動体８２ｘに搭載され、前記Ｘ方向レール８１ｘに直交して配置されたＹ方向レール８１ｙと、
該Ｙ方向レール８１ｙに沿って移動するＹ方向移動体８２ｙとで構成され、
垂直方向移動部８１Ｂは、
Ｙ方向移動体８２ｙに垂設されたＺ方向レール８１ｚと、
該Ｚ方向レール８１ｚに沿って移動する垂直（Ｚ）方向移動体８２ｚとで構成されていることを特徴とする。

【0015】

請求項７は、請求項５に記載の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａ（３次元ロボットアーム８３：図５(ｃ)）において、
平面移動部８１Ａと垂直方向移動部８１Ｂは、３次元移動を可能とするロボットアーム８３で構成されていることを特徴とする。

【0016】

請求項８は、請求項５の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（電磁石：図５(ａ)）、
回路部遮断機構部８０のエンドエフェクタ８６が電磁石８６ａで構成され、
前記エンドエフェクタ８６で保持される移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄが磁性体で構成されていることを特徴とする。

【0017】

請求項９は、請求項５の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（吸引力：図５(ｂ)）、
回路部遮断機構部８０のエンドエフェクタ８６が、移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄを吸着する吸盤８６ｂを備えていることを特徴とする。

【0018】

請求項１０は、請求項５の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（ハサミ部材：図５(ｃ)）、
回路部遮断機構部８０のエンドエフェクタ８６が、移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄを摘まむハサミ部材８６ｃを備えていることを特徴とする。

【0019】

請求項１１は、請求項１又は２記載の半導体素子用絶縁性能試験装置Ａにおいて（図３、図４）、
試験基板１０は、回路部２０が設置された本体部分１１ａと、その上端から上方に延出された延出部分１１ｂとを備え、
開閉機構部２１の移動側端子部４０には、前記延出部分１１ｂが挿入されるガイド溝４５と保持溝４６とが移動側端子部４０の下端から上方に向けて設けられ、
前記ガイド溝４５は、保持溝４６より長く、固定側端子部３０に移動側端子部４０が接する時に延出部分１１ｂが挿入されるように構成され、
保持溝４６は、固定側端子部３０に対して移動側端子部４０が離間状態を保つように延出部分１１ｂが挿入されるように構成されていることを特徴とする。

【発明の効果】

【0020】

本発明の開閉機構部２１は、第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを備えた固定側端子部３０と、該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂに対して接離して、該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを断接する移動側端子部４０とで構成され、これらが絶縁油１００に浸漬されているので、占有体積が大きくなる高電圧導線を省略し、容器サイズをコンパクトにすると共に絶縁油の対流を阻害しないし、簡単な構造で絶縁破壊された被試験素子１の回路部２０だけを遮断することが可能である。
そして、前記開閉機構部２１の移動側端子部４０を開閉操作するキャッチ部分が、絶縁油１００の油面より上部に突出しているので、絶縁油１００に接触せずに移動側端子部４０を移動させるだけで、被試験素子１を回路から遮断でき、移動側端子部４０の開閉操作に伴う絶縁油による装置周りの汚損が発生せず、さらに、素子への高電圧遮断のために必要な工程も大幅に削減することができる。

【0021】

さらに回路部遮断機構部８０を備えた構成では、多チャンネル電圧波形モニタ７０からの破壊素子の位置情報を受け、回路部遮断機構部８０が自動的に該当する移動側端子部４０を移動させて該第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを遮断（オフ）するため、試験の中断時間を最小限に抑えられ、かつ作業者を装置に常駐させる必要がなく、試験時間と作業労力の大幅な削減が可能となる。

【0022】

そして、開閉機構部２１が、絶縁油１００に浸漬した固定側端子部３０の第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂを筒状部材で構成し、移動側端子部４０を前記筒状の固定側端子部３０に挿脱可能なピン状部材で構成されており、高電圧の断接のための高電圧回路を絶縁油１００内で完結させているため、高電圧を印加するための太い導線を恒温槽３の内外に巡らせる必要がなく、加えて開閉機構部２１も高電圧部を油中に配置することで小型化することが可能となり、装置サイズをコンパクトにすることができる。

【図面の簡単な説明】

【0023】

【図1】本発明装置の実施形態の概略斜視図である。

【図2】図１に示す内部の結線構造の一部を示す部分拡大斜視図である。

【図3】（ａ）～（ｄ）図１に於ける移動側端子の挙動を示す斜視図である。

【図4】本発明の回路構成の主要部を示す拡大斜視図である。

【図5】（ａ）～（ｃ）本発明のエンドエフェクタの例を示す斜視図である。

【図6】本発明の概略ブロック回路図である。

【発明を実施するための形態】

【0024】

以下、本発明を図示した実施形態に基づいて説明する。なお、この実施形態は本発明に付いて、当業者の理解を容易にするためのものである。すなわち、本発明の明細書の全体に記載されている技術思想によってのみ限定されるものであり、本実施例のみに限定されるものでないことは理解されるべきである。

【0025】

図１、図２に示す本発明に係る半導体素子用絶縁性能試験装置Ａは、その一実施形態に係るもので、大略的には恒温槽３、試験基板１０、高電圧発生装置６０、多チャンネル電圧波形モニタ７０で構成されている。さらに回路部遮断機構部８０を備えることで、自動制御による素子への高電圧の遮断が可能となる。
試験基板１０には、被試験素子１が搭載される回路部２０が設けられている。本発明では、複数個の被試験素子１を一度に継続的に試験を行い、既に述べたように、各素子１が絶縁破壊する迄の電圧、時間や温度条件、設定された個数或いは被試験素子１の全数が絶縁破壊する迄の電圧、時間や温度条件を検査するので、被試験素子１の数だけ回路部２０が１乃至複数の試験基板１０に分けて設けられる。回路部２０が多く、１枚の試験基板１０に収容できない場合には、試験基板１０は複数枚に分かれる。

【0026】

被試験素子１に印加される電圧は数ｋＶ～数１０ｋＶという高電圧なので、回路部２０を構成する絶縁油１００外の気中通電部分には厚い絶縁被覆が必要となり太い導線が用いられる。そのため、試験基板１０に構成される回路部２０を断接（オン・オフ）する開閉機構部２１の高電圧部を、絶縁油１００中にて完結することにより気中配線を排し、装置サイズを抑えるためにシンプルな構造としなければならない。以下の説明では、複数の回路部２０を備えた試験基板１０が複数枚に分かれた場合を代表例として説明する（図１、図６）。

【0027】

本発明が適用される被試験素子１は、例えば、高電圧をスイッチングするトランジスタ、サイリスタ、ＭＯＳＦＥＴなどのディスクリート半導体や、フォトダイオードやトランス又はコンデンサを使用して、絶縁層越しにデータを、光学的、磁気的あるいは容量的に結合した絶縁方式の信号絶縁用半導体であるフォトカプラ、デジタル・アイソレータなどが挙げられる。半導体素子の絶縁は主に、酸化膜によるものであるが、ポリイミドや二酸化珪素によって高い絶縁を確保する場合もある。

【0028】

本発明装置Ａに用いられる恒温槽３は、絶縁油１００を貯める絶縁構造の容器に、温度計(図示せず)と連動したスイッチ(図示せず)やサーモスタット(図示せず)、熱源(図示せず)やクーラー(図示せず)が取り付けられた装置である。恒温槽３は、これらを自動的にオン‐オフすることで、容器内部の液温を設定温度に保つように制御できるようになっている。
絶縁油１００には、シリコーンオイルなどが用いられる。
絶縁構造の容器内部の絶縁油１００の液温を均一に保つようにするため、絶縁油１００を循環させる循環装置(図示せず)を取り付けてもよい。絶縁油１００の設定温度は変更可能である。

【0029】

容器内部に試験基板１０を一定間隔で配置するため、恒温槽３の絶縁構造の容器側壁上面に一定間隔で保持溝５が刻設されて、恒温槽３の底面に保持溝５が刻設された突起６が設けられている。１列に並んだ保持溝５は試験基板１０の数だけ用意される。
また、恒温槽３の一方の側壁内面に高電圧印加用の第１導体バー７が水平に設置され、他方の側壁内面に第２導体バー８が水平に設置されている。第１導体バー７は、高電圧発生装置６０に接続されており、第２導体バー８はアースされている。アースを符号９０で示す。
第１導体バー７及び第２導体バー８には、試験基板１０に設けられた回路部２０との導通を取るための導通孔７ｈ・８ｈが保持溝５に対応してそれぞれ穿設されている（図２）。

【0030】

試験基板１０は、基板本体１１と、ハンドル１３と、基板本体１１に設けられた回路部２０と、該回路部２０の一部を構成し、被試験素子１に対する高電圧印加回路をスイッチングする開閉機構部２１及び第１・第２導通ピン１４ａ・１４ｂとで構成されている（図２）。
基板本体１１は、略長方形板状の本体部分１１ａと、回路部２０の配置位置に対応して本体部分１１ａの上端から上方に延出された矩形の延出部分１１ｂとで構成されている。基板本体１１の材質は熱に強い、例えば、高Ｔｇガラスエポキシのような樹脂が使用されている。
本体部分１１ａの両側縁には、逆Ｌ形で、対称に配置されたハンドル１３が設けられており、その係止部分１３ｋが本体部分１１ａに対して外向きに設けられている。

【0031】

本発明では、多数個の被試験素子１を同時に絶縁破壊検査に供するので、１枚の試験基板１０に対して複数（例えば、６つ）の回路部２０が設けられ、且つ、このような試験基板１０が複数枚（例えば、８枚）用いられる。
試験基板１０については、図示しないが、被試験素子１の数が少ない場合には、複数の回路部２０を１枚の試験基板１０に並設するようにしてもよいし、１つの回路部２０を１枚の試験基板１０に設け、これを複数枚使用するようにしてもよい。
本実施例では、多数の被試験素子１を継続的に測定しなければならないため、１枚の試験基板１０に対して複数回路部２０を設け、これを複数枚使用するものとする。

【0032】

試験基板１０の回路部２０は、図６の破線で囲んだ部分で、基板本体１１に設けられた高電圧印加側導体５７ａと低電圧側導体５７ｂとの間に並列接続された回路で、開閉機構部２１、電流制限抵抗５４、ソケット５５、電流検出抵抗５６及びこれらを接続する導体とで構成されている。複数の回路部２０は高電圧印加側導体５７ａと低電圧側導体５７ｂとの間で並列接続されている。
高電圧印加側導体５７ａは、高電圧発生装置６０側の第１導通ピン１４ａから伸びる基板パターンである。低電圧側導体５７ｂは、アース９０側の第２導通ピン１４ｂから伸びる基板パターンである。
本実施例では、試験基板１０が複数枚にわたるので、各試験基板１０の回路部２０は、第１・第２導体バー７・８を介して並列接続される。
第１・第２導体バー７・８と、高電圧印加側導体５７ａ、低電圧側導体５７ｂの導通は、基板本体１１の側縁部分に設けられた第１・第２導通ピン１４ａ・１４ｂが第１・第２導体バー７・８の導通孔７ｈ・８ｈに挿通されることで行われる。

【0033】

被試験素子１がパッケージングされたＩＣの場合、ソケット５５を用いると被試験素子１の交換が容易となる。各回路部２０のソケット５５には、被試験素子１の端子がそれぞれ接続される第１端子５５ａと第２端子５５ｂとがある。高圧印加側の第１端子５５ａから高電圧印加側導体５７ａとの間の、図４で、破線で示された導体部分が高電圧印加側中継部５８ａ（第１端子５５ａ⇒接続導通部３１ｂ⇒鞘管３２ｂ⇒スイッチング部材４２ｂ⇒スイッチング部材４２ａ⇒鞘管３２ａ⇒接続導通部３１ａ⇒高電圧印加側導体５７ａ）であり、アース側の第２端子５５ｂから低電圧側導体５７ｂの間の破線で示された導体が低電圧側中継部５８ｂ（第２端子５５ｂ⇒低電圧側導体５７ｂ）である。被試験素子１がソケット５５を使用できない形状の場合や、ソケットが使用できない高い温度条件での試験を行う場合は、試験基板１０上に形成されたパターン上に直接はんだ付けするか、基板上に実装された専用のコネクタを用いて被試験素子１を回路部２０上に装填する。

【0034】

上記第１・第２導通ピン１４ａ・１４ｂは、第１導体バー７の導通孔７ｈ、第２導体バー８の導通孔８ｈに合わせて基板本体１１の側縁に下向きでそれぞれ取り付けられている。
高電圧側の第１導通ピン１４ａは、高電圧印加側導体５７ａの端部に接続され、低電圧側の第２導通ピン１４ｂは、低電圧側導体５７ｂの端部に接続されている。第１・第２導通ピン１４ａ・１４ｂは、太い銅製の棒状の部材で、導通孔７ｈ・８ｈの内径に合わせて挿脱可能に形成されている。第１・第２導通ピン１４ａ・１４ｂは、導通孔７ｈ・８ｈにそれぞれ挿入された時に導通が取れるように、導通孔７ｈ・８ｈ内に設けられた板バネ状の接触片（図示せず）で接触するようになっている。

【0035】

ソケット５５は、被試験素子１を搭載して絶縁性能試験をするための機器で、１つの回路部２０に１個設置されている。ソケット５５の一方の第１端子５５ａは高電圧印加側中継部５８ａを介して高電圧印加側導体５７ａに接続され、他の第２端子５５ｂは低電圧側中継部５８ｂを介して低電圧側導体５７ｂに接続される。ソケット５５の第１端子５５ａ・５５ｂは搭載された被試験素子１の端子（図示せず）にそれぞれ接続される。

【0036】

電流制限抵抗５４は、高電圧印加側中継部５８ａ（本実施例では、ソケット５５側の接続導通部３１ｂとソケット５５の第１端子５５ａとの間）に設置され、絶縁破壊時に被試験素子１に過大な電流が流れて高電圧発生装置６０が破損するのを防ぐ働きをする。
電流検出抵抗５６は、低電圧側中継部５８ｂ（本実施例では、ソケット５５の第２端子５５ｂと低電圧側導体５７ｂとの間）に設置され、絶縁破壊時に被試験素子１に電流が流れた時に電圧を発生させる。

【0037】

開閉機構部２１は、回路部２０毎に設けられており、被試験素子１が絶縁破壊された時、当該回路部２０だけを遮断して残りの被試験素子１の測定が再開できるようにするためのもので、本実施例では、高電圧印加側中継部５８ａの途中に設けられる。（図示していないが、勿論、低電圧側中継部５８ｂの途中に設けてもよい。）
本試験装置Ａは高電圧を扱うため、気中配線には絶縁被覆の厚い非常に太い導体が使われる。また、一般に高圧用の気中開閉機構（リレー）は非常に大型である。従って、装置サイズをコンパクト化するためには、開閉機構部２１を絶縁油中で完結し簡素な構造とする必要がある。

【0038】

図４に開閉機構部２１の一例を示す。開閉機構部２１は、固定側端子部３０と移動側端子部４０とに分かれる。
固定側端子部３０は、併設された第１・第２固定側端子部材３０ａ・３０ｂで構成されている。これらの端子部材は高い機械的強度と電気伝導性を有する必要があるため、金メッキ処理されたベリリウム銅にて製作する。
第１固定側端子部材３０ａは、基板本体１１に固定されたブロック状の接続導通部３１ａと、該接続導通部３１ａから上に伸びた筒状の部分が鞘管３２ａとで構成されている。そして、第１固定側端子部材３０ａは、高電圧印加側導体５７ａに接続されている。
第２固定側端子部材３０ｂは、本体部分１１ａを貫通してソケット５５の一方の印加側の第１端子５５ａに接続されているブロック状の接続導通部３１ｂと、該接続導通部３１ｂから上に伸びた筒状の部分が鞘管３２ｂとで構成されている。
鞘管３２ａ・３２ｂの内部には後述する移動側端子部４０のスイッチング部材４２ａ・４２ｂに軽く弾性接触して導通が取れるようにするため板バネ（図示せず）が設けられている。
第１、第２固定側端子部材３０ａおよび３０ｂは、気中放電をさけるためいずれも絶縁油１００中に浴している。

【0039】

移動側端子部４０は、樹脂製の端子本体４１と、該端子本体４１の下面から下方に垂設された金属製の２本のピン状のスイッチング部材４２ａ・４２ｂとで構成されている。
スイッチング部材４２ａ・４２ｂは、上記鞘管３２ａ・３２ｂの挿脱孔に挿脱可能な直径を有し、挿入時には鞘管３２ａ・３２ｂの内部の板バネ（図示せず）に軽く弾性接触するようになっている。
スイッチング部材４２ａ・４２ｂは、少なくとも第１、第２固定側端子部材３０ａおよび３０ｂと電気的に接続されている間は、絶縁油１００中に浴した状態となっている。

【0040】

端子本体４１は、上記基板本体１１の延出部分１１ｂに挿脱出来ると共に移動側端子部４０のスイッチング部材４２ａ・４２ｂが、固定側端子部３０の鞘管３２ａ・３２ｂから離脱した時に、離脱状態を保持できるような構造になっている。その一例を以下に示す。
端子本体４１は、中央部材４１ａとその両側に取り付けられた側面部材４１ｂ・４１ｃ及び端子本体４１と側面部材４１ｂ・４１ｃの上面をカバーするように取り付けられたキャッチ部分４１ｄとで構成される。中央部材４１ａおよび側面部材４１ｂ・４１ｃは、高電圧部位となるスイッチング部材４２ａ・４２ｂとキャッチ部分４１ｄを絶縁する役割があるため、耐熱性のある絶縁体で製作する必要がある。例えばＰＥＥＫ（ピーク材）のような樹脂やアルミナなどで製作する。上記の２本のスイッチング部材４２ａ・４２ｂは端子本体４１の中央部材４１ａの下面から下方に垂設されている。スイッチング部材４２ａ・４２ｂは、破線で示すように端子本体４１内で電気的に繋がっている。
キャッチ部分４１ｄは、絶縁油１００の油面より上部に突出しており、ここを保持することにより絶縁油１００に接触することなく移動側端子部４０全体を移動することができるようになっている。

【0041】

側面部材４１ｂ・４１ｃの内側面には下端から上端に向かってガイド溝４５と保持溝４６とが並べて設けられている。ガイド溝４５と保持溝４６とは側面部材４１ｂ・４１ｃの下端に開放している。保持溝４６は、側面部材４１ｂ・４１ｃの下端から上端まで伸びている。保持溝４６は、ガイド溝４５より丈が短い。
ガイド溝４５及び保持溝４６に内寸は、延出部分１１ｂの厚みより若干大きく、ガイド溝４５及び保持溝４６内に延出部分１１ｂの側辺がそれぞれ差し込まれるようになっている。

【0042】

キャッチ部分４１ｄは、後述する回路部遮断機構部８０のエンドエフェクタ８６に接離できる機能を具備しておれば足る。
エンドエフェクタ８６が、電磁石で構成されている場合（図５(ａ)）には、キャッチ部分４１ｄは鉄のような強磁性体のブロックが用いられる。以下、この場合を代表例として説明する。他の例については後述する。

【0043】

多チャンネル電圧波形モニタ７０は、電流検出抵抗５６に個別に接続した電圧波形検出センサ（図示せず）を備えている。
多チャンネル電圧波形モニタ７０は、試験中にいずれかの被試験素子１が絶縁破壊した時に発生する電流検出抵抗５６の電圧波形を検出する機能、検出した電圧波形を記憶する機能、電圧を記録した電圧波形検出センサを特定して多数の被試験素子１の中から絶縁破壊した被試験素子１の位置を特定する機能を持つ装置である。また、絶縁破壊の検出直後に回路部遮断機構部８０を作動させ、絶縁破壊した被試験素子１が搭載されている回路部２０を遮断するために開閉機構部２１を作動させる機能、必要に応じて遮断後に高電圧発生装置６０を再稼働させて検査を再開させる機能を併せ持つ場合もある。電圧波形検出センサは被試験素子１の数だけ用意されており、上記のように電流検出抵抗５６に接続され、被試験素子１の絶縁状態を連続的にモニタリングしている。

【0044】

高電圧発生装置６０は、交流又は直流で入力された電圧を、内部の電力変換回路を用いて交流又は直流の高電圧に変換する装置である。このような装置としては、例えば、トランスやＤＣ－ＤＣコンバーター、スイッチング電源のような機器が使用される。本発明で使用される高電圧発生装置は、一般的な電圧を検査に必要な高電圧（例えば、１０ｋｖ）に変換する。場合によっては、高電圧発生装置６０は、内部に電流検出回路および遮断回路を備え、被測定素子の絶縁が破壊され一定の電流が流れた場合に電流を即時遮断する機能を持つ。

【0045】

回路部遮断機構部８０は、必要に応じて設けられる。回路部遮断機構部８０を設けない場合は、図１の回路部遮断機構部８０が記載されていない場合で、作業者が絶縁破壊された被試験素子１の移動側端子部４０を固定側端子部３０から引き抜いて当該回路部２０を遮断することになる。
必要に応じて設けられた回路部遮断機構部８０には、例えば、３次元Ｘ－Ｙ－Ｚテーブルや３次元ロボットアームなどさまざまなものがある。
本実施形態では、回路部遮断機構部８０として３次元Ｘ－Ｙ－Ｚテーブルを例に取る。３次元Ｘ－Ｙ－Ｚテーブルで構成された回路部遮断機構部８０の可動部分は、平面移動部８１Ａと垂直方向移動部８１Ｂとで構成され、垂直方向移動部８１Ｂの垂直方向移動体８２ｚ（後述）にエンドエフェクタ８６が装着されている。
回路部遮断機構部８０の制御部（図示せず）は、多チャンネル電圧波形モニタ７０に接続され、多チャンネル電圧波形モニタ７０からの情報に従い、開閉機構部２１をハンドリングして絶縁破壊した被試験素子１の回路部２０を自動的に遮断する機能を有する。

【0046】

平面移動部８１Ａは、恒温槽３に吊り下げられた複数の試験基板１０の配置領域をカバーする平面内で移動する機能を有し、Ｘ方向レール８１ｘ、Ｘ方向移動体８２ｘ、Ｙ方向レール８１ｙ、Ｙ方向移動体８２ｙとで構成されている。
Ｘ方向レール８１ｘは、試験基板１０の配置領域をカバーする平面の一辺に沿ってＸ方向に配置されている。
Ｘ方向移動体８２ｘは、Ｘ方向レール８１ｘに沿って往復移動する。
Ｙ方向レール８１ｙは、Ｘ方向移動体８２ｘに取り付けられ、Ｘ方向レール８１ｘに対して直交するＹ方向に配置されている。
Ｙ方向移動体８２ｙは、Ｙ方向レール８１ｙに沿って往復移動する。

【0047】

垂直方向移動部８１Ｂは、Ｚ方向レール８１ｚと垂直（Ｚ）方向移動体８２ｚとで構成されている。
Ｚ方向レール８１ｚは、Ｙ方向移動体８２ｙに垂設され、垂直方向移動体８２ｚはＺ方向レール８１ｚに沿って上下方向に往復移動するように構成されている。
エンドエフェクタ８６は、移動側端子部４０を操作するための部分で垂直方向移動体８２ｚに装着されている。

【0048】

エンドエフェクタ８６としては、電磁石８６ａを利用するもの、吸盤８６ｂにて吸引を利用するもの、ハサミ部材８６ｃにて移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄを挟むものなど様々なものがあるが、本実施例では、電磁石８６ａを利用するものを例に取って説明する。

【0049】

エンドエフェクタ８６の内部には電磁石８６ａが内蔵されており、移動側端子部４０の移動時には電磁石８６ａが働いて、移動端子部４０の頭部にあるキャッチ部分４１ｄを保持し、移動側端子部４０の移動が終了すると通電が遮断され、保持が解除されるようになっている。
移動側端子部４０の頭部にあるキャッチ部分４１ｄは絶縁油１００の油面から上に出ているため、エンドエフェクタ８６は、絶縁油１００に接触することなく上記移動操作を実行できる。加えて、エンドエフェクタ８６の移動範囲は、キャッチ部分４１ｄが配置されている範囲内に限られるため、絶縁油１００による恒温槽３の外部周囲の絶縁油汚染を回避できる。

【0050】

次に本試験装置による被試験素子１の検査の流れを説明する。
恒温槽３には複数の試験基板１０が一定間隔で吊り下げられている。これら試験基板１０のハンドル１３の係止部分１３ｋと基板本体１１に下縁が恒温槽３の保持溝５に嵌め込まれて恒温槽３に一定間隔で固定されている。
試験基板１０の第１・第２導通ピン１４ａ・１４ｂは第１、第２導体バー７・８の導通孔７ｈ・８ｈに挿通され、この部分の導通が取られている。
また、各開閉機構部２１のスイッチング部材４２ａ・４２ｂは鞘管３２ａ・３２ｂに差し込まれ、この部分も導通が取られている。
各ソケット５５には被試験素子１が搭載されている。（本例では、ソケット５５を用いた構成について説明する。）
恒温槽３には、被試験素子１および鞘管３２ａ・３２ｂが絶縁油１００内に没する位置まで絶縁油１００が貯められている。絶縁油１００は設定温度に調整され、その結果全ての被試験素子１の温度は設定温度になっている。

【0051】

この状態で、高電圧発生装置６０にて、例えば、１０ｋＶというような高電圧を発生させる。第１導体バー７、試験基板１０の第１導通ピン１４ａ、高電圧印加側導体５７ａ、開閉機構部２１の一方の接続導通部３１ａ、一方の鞘管３２ａ、この鞘管３２ａに挿入された一方のスイッチング部材４２ａ、一方のスイッチング部材４２ａと短絡している他のスイッチング部材４２ｂ、この他のスイッチング部材４２ｂが挿入された他の鞘管３２ｂ、他方の接続導通部３１ｂ、ソケット５５の第１端子５５ａという経路を通って第１端子５５ａに接続された被試験素子１の一方の端子に高電圧が印加される。

【0052】

被試験素子１の一方の端子は、ソケット５５の第２端子５５ｂに接続しており、第２導通ピン１４ｂ、第２導体バー８を通ってアース９０に繋がる。これにより、ソケット５５に搭載された被試験素子１に高電圧が印加される。
高電圧が直流の場合は、被試験素子１に第１端子５５ａ側から高電圧が継続して印加される、交流の場合は、周波数に合わせて高電圧の印加方向が切り替わる。

【0053】

この状態で印加電圧や絶縁油１００の温度設定を維持、或いは必要に応じてこれらを変化させて試験を継続する。
検査途中でいずれかの被試験素子１がダメージを受けて絶縁が破壊されると、該被試験素子１に電流が流れ、電流検出抵抗５６に電圧が立つ。その時、該被試験素子１に流れる電流は、電流制限抵抗５４によって制限され、過大な電流が該被試験素子１に流れて高電圧発生装置６０にダメージを与えるのを阻止する。高電圧発生装置６０は、絶縁破壊により流れた電流が検出されたのち、直ちに通電を停止する。
多チャンネル電圧波形モニタ７０は、この瞬間的に発生した電圧波形を検出し、記憶する。

【0054】

続いて、多チャンネル電圧波形モニタ７０は、記憶した電圧波形の中から絶縁破壊により発生した電圧波形を検出したセンサを特定し、これによって絶縁破壊した被試験素子１ａの位置を特定する。絶縁破壊した被試験素子１ａの位置が特定されると、その位置情報を回路部遮断機構部８０に出力する。情報を受け取った回路部遮断機構部８０は、その水平移動部８１Ａを作動させ、垂直方向移動部８１Ｂを絶縁破壊した被試験素子１の直上まで移動させる。絶縁破壊した被試験素子１の直上で停止した垂直方向移動部８１Ｂは、エンドエフェクタ８６を搭載した垂直方向移動体８２ｚを降下させ、移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄにエンドエフェクタ８６が接触した処で停止させる。続いてエンドエフェクタ８６の電磁石８６ａに通電し、電磁石８６ａによりキャッチ部分４１ｄを磁着する。

【0055】

エンドエフェクタ８６がキャッチ部分４１ｄを磁着すると、垂直方向移動体８２ｚを上昇させ、移動側端子部４０のスイッチング部材４２ａ・４２ｂを固定側端子部３０の鞘管３２ａ・３２ｂから引き抜く。これにより絶縁破壊した被試験素子１が搭載されている回路部２０が遮断される。
そして、引き抜きが終了すると、移動側端子部４０と共に平面移動部８１Ａをわずかに移動させ、移動側端子部４０の保持溝４６が延出部分１１ｂに一致するように延出部分１１ｂの直上にて停止させる。続いて、垂直方向移動体８２ｚを垂直（Ｚ）方向に降下させ、移動側端子部４０の保持溝４６に延出部分１１ｂの両側辺を挿入する。これにより移動側端子部４０は、スイッチング部材４２ａ・４２ｂが固定側端子部３０の鞘管３２ａ・３２ｂから引き抜かれた状態で試験基板１０の延出部分１１ｂに保持される。

【0056】

この状態で移動側端子部４０が、試験基板１０の延出部分１１ｂに保持されると、エンドエフェクタ８６の電磁石８６ａへの通電が遮断され、磁力を消失する。そして、移動側端子部４０を延出部分１１ｂに残したままエンドエフェクタ８６と共に垂直方向移動体８２ｚが更に引き上げられる。このようにして、エンドエフェクタ８６を移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄから離間させる。垂直方向移動体８２ｚが上方に引き上げられると（或いは、引き上げつつ）、平面移動部８１Ａは出発地点であるホームポジションに戻る。

【0057】

上記のように垂直方向移動体８２ｚが上昇し、スイッチング部材４２ａ・４２ｂが固定側端子部３０の鞘管３２ａ・３２ｂから引き抜かれ、絶縁破壊した被試験素子１が搭載されている回路部２０の回路がオフに切り替わった時点で、試験を継続する必要がある場合は、高電圧発生装置６０に、再度、通電し、絶縁破壊試験を再開する。このような動作を繰り返して必要個数、或いは全数の絶縁性能試験を行う。なお、回路部遮断機構部８０を含まない装置構成として、移動側端子部４０の引き抜き作業は作業者が実施してもよい。その場合でも、絶縁油１００による汚損の防止や回路遮断工程の簡素化による作業負担が軽減される利点がある。

【0058】

上記回路部遮断機構部８０は、３次元Ｘ－Ｙ－Ｚテーブルを例に挙げたが当然これにとどまらず、３次元動作が可能なロボットアーム８３も使用可能である。
ロボットアーム８３には、シリアルリンク型やパラレルリンク型などがあり、シリアルリンク型には座標軸型や多関節型など様々な形式のものがある。ここでは多関節型ロボットアームを例に取って説明する。
回路部遮断機構部８０を構成する多関節型ロボットアームは、多関節をサーボモータで駆動する装置である。アームの先端にはエンドエフェクタ８６が取り付けられるようになっている。
多関節型ロボットアームでは、アームを繋ぐ関節部分のサーボモータを駆動して、上記３次元Ｘ－Ｙ－Ｚテーブルと同様の操作を行わせる。

【0059】

上記では、エンドエフェクタ８６として、電磁石８６ａを使用する例を示したが、例えば、吸盤８６ｂを装着し、移動側端子部４０を移動させる場合は、吸盤８６ｂによって移動側端子部４０のキャッチ部分４１ｄを吸着し、移動が終われば、吸盤８６ｂ内に大気を送り、キャッチ部分４１ｄから吸盤８６ｂを離脱させるようにしてもよい。

【0060】

エンドエフェクタ８６の更に他の例としては、ハサミ部材８６ｃを用いることも可能である。ハサミ部材８６ｃの場合は、キャッチ部分４１ｄを挟んで移動側端子部４０を移動させ、移動が終われば、ハサミ部材８６ｃを開いてキャッチ部分４１ｄからハサミ部材８６ｃを離脱させることになる。

【符号の説明】

【0061】

Ａ：半導体素子用絶縁性能試験装置、１：被試験素子、１ａ：絶縁破壊発生被試験素子、３：恒温槽、５：保持溝、６：突起、７：第１導体バー、７ｈ：導通孔、８：第２導体バー、８ｈ：導通孔、１０：試験基板、１１：基板本体、１１ａ：本体部分、１１ｂ：延出部分、１３：ハンドル、１３ｋ：係止部分、１４ａ：第１導通ピン、１４ｂ：第２導通ピン、２０：回路部、２１：開閉機構部、３０：固定側端子部、３０ａ：第１固定側端子部材、３０ｂ：第２固定側端子部材、３１ａ・３１ｂ：接続導通部、３２ａ・３２ｂ：鞘管、４０：移動側端子部、４１：端子本体、４１ａ：中央部材、４１ｂ・４１ｃ：側面部材、４１ｄ：キャッチ部分、４２ａ・４２ｂ：スイッチング部材、４５：ガイド溝、４６：保持溝、５４：電流制限抵抗、５５：ソケット、５５ａ：第１端子、５５ｂ：第２端子、５６：電流検出抵抗、５７ａ：高電圧印加側導体、５７ｂ：低電圧側導体、５８ａ：高電圧印加側中継部、５８ｂ：低電圧側中継部、６０：高電圧発生装置、７０：多チャンネル電圧波形モニタ、８０：回路部遮断機構部、８１Ａ：平面移動部、８１Ｂ：垂直方向移動部、８１ｘ：Ｘ方向レール、８１ｙ：Ｙ方向レール、８１ｚ：Ｚ方向レール、８２ｘ：Ｘ方向移動体、８２ｙ：Ｙ方向移動体、８２ｚ：垂直方向移動体、８３：３次元ロボットアーム、８６：エンドエフェクタ、８６ａ：電磁石、８６ｂ：吸盤、８６ｃ：ハサミ部材、９０：アース、１００：絶縁油

【要約】

半導体素子用絶縁性能試験装置Ａは、恒温槽３、恒温槽３に収納された被試験素子１が搭載された試験基板１０、被試験素子１に高電圧を印加する高電圧発生装置６０、回路部２０を断接する開閉機構部２１、被試験素子１に接続された電流検出抵抗５６をモニタリングして絶縁破壊発生被試験素子１ａを特定する多チャンネル電圧波形モニタ７０、多チャンネル電圧波形モニタ７０からの作動指令により回路部２０を電気的に切断する回路部遮断機構部８０とで構成されている。開閉機構部２１は固定側端子部３０と、固定側端子部３０に対して接離してこれを断接する移動側端子部４０とで構成されている。回路部遮断機構部８０は、移動側端子部４０を移動させて固定側端子部３０を遮断（オフ）する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】