特許 7451010 キャリア分解式光ホールシステム及び方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-08

(45)【発行日】2024-03-18

(54)【発明の名称】キャリア分解式光ホールシステム及び方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20240311BHJP

   H10N 52/01 20230101ALI20240311BHJP

   G01R 33/07 20060101ALI20240311BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 L

H10N52/01

G01R33/07

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2021556267

(86)(22)【出願日】2020-03-17

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-06-01

(86)【国際出願番号】 IB2020052428

(87)【国際公開番号】W WO2020208443

(87)【国際公開日】2020-10-15

【審査請求日】2022-08-24

(31)【優先権主張番号】16/382,937

(32)【優先日】2019-04-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】390009531

【氏名又は名称】インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

【氏名又は名称原語表記】ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ ＢＵＳＩＮＥＳＳ ＭＡＣＨＩＮＥＳ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

【住所又は居所原語表記】Ｎｅｗ Ｏｒｃｈａｒｄ Ｒｏａｄ， Ａｒｍｏｎｋ， Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ １０５０４， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ

(74)【代理人】

【識別番号】100112690

【弁理士】

【氏名又は名称】太佐 種一

(72)【発明者】

【氏名】グナワン、オキ

(72)【発明者】

【氏名】ジョウ、ワーン

【審査官】今井 聖和

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００９５１４７（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１２／０２２３７３３（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１４４４６６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】Oki Gunawan et al.，Carrier-Resolved Photo Hall Measurement in World-Record-Quality Perovskite and Kesterite Solar Absorbers，arXiv，米国，Cornell University，2018年，1802.07910，pp.1-13, Supplimentaly Materials pp.1-15

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

Ｈ１０Ｎ ５２／０１

Ｇ０１Ｒ ３３／０７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

測定チャンバと、
前記測定チャンバに結合された光学モジュールであって、
光源と、
前記光源からの光を変調し、前記光源からの変調光で被検試料を照射するように動作可能なフィルタであって、前記フィルタは、前記光源と前記被検試料との間の光路に沿って配置される、一定の回転下で単一高調波振動を生成するように動作可能な高調波変調器フィルタである、フィルタと
を含む光学モジュールと、
前記変調光に基づいて、前記被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを示す１つ又は複数のホール測定値を出力するホール測定モジュールと
を含む、測定システム。

【請求項2】

前記ホール測定モジュールに結合され、前記第１のキャリア移動度と前記第２のキャリア移動度と前記光キャリア密度とを示す出力を生成するように動作可能な機器モジュールをさらに含む、請求項１に記載の測定システム。

【請求項3】

前記機器モジュールは、前記ホール測定モジュールからの前記ホール測定値の質を判断するように動作可能なディープニューラルネットワークを含む、請求項２に記載の測定システム。

【請求項4】

前記機器モジュールは、前記ホール測定モジュールからの前記ホール測定値に基づいて前記変調光の強度の関数として導電率及びホール係数を求めるように動作可能である、請求項２又は請求項３のいずれかに記載の測定システム。

【請求項5】

前記機器モジュールは、前記ホール測定モジュールからの前記ホール測定値に基づいて前記変調光の振動の関数として導電率及びホール係数を求めるように動作可能である、請求項２又は請求項３のいずれかに記載の測定システム。

【請求項6】

測定チャンバ内に準備された被検試料を照射することと、
前記被検試料の照射を変調することであって、前記変調することは、前記照射の光強度を選択された光強度の周りで振動させることを含む、変調することと、
前記被検試料の前記変調された照射に基づいて、前記被検試料のホール測定値を測定することと、
前記ホール測定値及び前記変調された照射に基づいて、前記被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを求めることと
を含む、方法。

【請求項7】

前記被検試料の照射を変調することは、前記照射の強度を第１の強度から第２の強度に変調することを含む、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記ホール測定値を測定することは、前記被検試料の導電率及びホール係数を前記照射の強度の関数として測定することを含む、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記ホール測定値を測定することは、前記被検試料の導電率及びホール係数を前記光強度の振動の関数として測定することを含む、請求項６に記載の方法。

【請求項10】

前記第１のキャリア移動度と前記第２のキャリア移動度と前記光キャリア密度とを求めることは、
ディープニューラルネットワークによって、前記ホール測定値の質を分類することと、
前記ホール測定値の質の特定の尺度に基づいて、前記第１のキャリア移動度と前記第２のキャリア移動度と前記光キャリア密度とを計算することと
をさらに含む、請求項６から請求項９までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項11】

前記第１のキャリア移動度と前記第２のキャリア移動度と前記光キャリア密度とを求めることは、
前記ホール測定値から、導電率の変化に対するホール係数の変化の傾きを計算することと、
導電率の変化に対するホール係数の変化の前記傾きに基づいて、前記第１のキャリア移動度と前記第２のキャリア移動度と前記光キャリア密度とを計算することと
をさらに含む、請求項６から請求項９までのいずれか１項に記載の方法。

【請求項12】

コンピュータ可読ストレージ媒体上に格納され、デジタルコンピュータの内部メモリにロード可能なコンピュータ・プログラムであって、前記プログラムがコンピュータ上で実行されるとき、請求項６から請求項１１までのいずれか１項に記載の方法を実行するためのソフトウェアコード部分を含む、コンピュータ・プログラム。

【請求項13】

請求項１２に記載のコンピュータ・プログラムが格納されたコンピュータ可読ストレージ媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、ホール効果測定に関し、より具体的には、平行双極子線（parallel dipole line）ホールシステムを用いるものなど、ＡＣ場ホールシステムを使用したキャリア分解式（carrier-resolved）光ホールシステムに関する。

【背景技術】

【0002】

ホール効果測定は、電子材料及び電子デバイスの最も重要な測定方法の１つである。半導体における多数キャリア及び少数キャリアのタイプ、密度及び移動度などの特性は、光電子デバイス及び太陽電池などのデバイスの動作を支配するパラメータである。「古典的ホール（Ｃｌａｓｓｉｃ Ｈａｌｌ）」測定では、多数キャリアに関する情報しか得られない。少数キャリアを測定する方法は非常に困難で、不十分である。したがって、当技術分野では、前述の問題に対処する必要がある。

【発明の概要】

【0003】

以下では、本発明の１つ又は複数の実施形態の基本的な理解を提供するための概要を提示する。この概要は、鍵となる又は重要な要素を特定したり、又は特定の実施形態の範囲又はいずれかの特許請求の範囲を画定したりすることを意図したものではない。その唯一の目的は、後に提示されるより詳細な説明の前段階として、概念を簡略化して提示することである。

【0004】

第１の態様から見ると、本発明は、ホール測定を容易する装置であって、この装置は、測定チャンバと、測定チャンバに結合された光学モジュールであって、光源と、光源からの光を変調し、光源からの変調光で被検試料を照射するフィルタとを含む光学モジュールと、変調光に基づいて、被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを示す１つ又は複数のホール測定値を出力するホール測定モジュールとを含む、装置を提供する。

【0005】

さらなる態様から見ると、本発明は、測定チャンバ内に準備された被検試料を照射することと、被検試料の照射を変調することと、被検試料の変調された照射に基づいて、被検試料のホール測定値を測定することと、ホール測定値及び変調された照射に基づいて、被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを求めることとを含む、方法を提供する。

【0006】

さらなる態様から見ると、本発明は、ホール測定を容易にするためのコンピュータ・プログラム製品であって、処理回路によって読み取り可能なコンピュータ可読ストレージ媒体を含み、コンピュータ可読ストレージ媒体は、処理回路による実行のための、本発明のステップを実行するための命令を格納する、コンピュータ・プログラム製品を提供する。

【0007】

さらなる態様から見ると、本発明は、ホール測定を容易にするためのコンピュータ・プログラム製品であって、処理回路によって読み取り可能なコンピュータ可読ストレージ媒体を含み、コンピュータ可読ストレージ媒体は、処理回路による実行のための命令であって、測定チャンバ内に準備された被検試料を照射することと、被検試料の照射を変調することと、被検試料の変調された照射に基づいて、被検試料のホール測定値を測定することと、ホール測定値及び変調された照射に基づいて、被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを求めることとをプロセッサに行わせる命令を格納するコンピュータ可読ストレージ媒体を含む、コンピュータ・プログラム製品を提供する。

【0008】

さらなる態様から見ると、本発明は、コンピュータ可読媒体上に格納され、デジタルコンピュータの内部メモリにロード可能なコンピュータ・プログラムであって、プログラムがコンピュータ上で実行されるとき本発明のステップを実行するためのソフトウェアコード部分を含む、コンピュータ・プログラムを提供する。

【0009】

一実施形態によれば、測定システムが提供される。測定システムは、測定チャンバと、測定チャンバに結合された光学モジュールとを含むことができる。光学モジュールは、光源と、光源からの光を変調し、光源からの変調光で被検試料を照射するフィルタとをさらに含むことができる。本システムは、変調光に基づいて、被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを示す１つ又は複数のホール測定値を出力するホール測定モジュールをさらに含むことができる。

【0010】

別の実施形態によれば、方法が提供される。本方法は、測定チャンバ内に準備された被検試料を照射することを含むことができる。本方法は、被検試料の照射を変調することをさらに含むことができる。本方法は、被検試料の変調された照射に基づいて、被検試料のホール測定値を測定することを含むことができる。本方法は、ホール測定値及び変調された照射に基づいて、被検試料の第１のキャリア又は多数キャリアの移動度と、第２のキャリア又は少数キャリアの移動度とを求めることをさらに含むことができる。

【0011】

別の実施形態によれば、ホール測定を容易にするコンピュータ・プログラム製品が提供される。コンピュータ・プログラム製品は、具体化されたプログラム命令を有するコンピュータ可読ストレージ媒体を含むことができ、プログラム命令は、プロセッサによって実行可能である。プログラム命令は、測定チャンバ内に準備された被検試料を照射することと、被検試料の照射を変調することとをプロセッサに行わせることができる。プログラム命令はさらに、被検試料の変調された照射に基づいて、被検試料のホール測定値を測定することをプロセッサに行わせることができる。プログラム命令は、ホール測定値及び変調された照射に基づいて、被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを求めることをプロセッサに行わせることができる。

【図面の簡単な説明】

【0012】

ここで、例証に過ぎないが、以下の図に示される好ましい実施形態を参照して本発明を説明する。

【0013】

【図1】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的な、変調光で照射された異なる少数キャリア移動度を有する２つの試料の導電率（σ）とホール係数（Η）とのプロットを示す。

【図2】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態によるシステムの例示的かつ非限定的なブロック図を示す。

【図3A】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的なホールモジュールを示す。

【図3B】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的なホールモジュールを示す。

【図3C】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的なホールモジュールを示す。

【図4】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的なシステムを示す。

【図5】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的な、キャリア分解式光ホール測定のために被検試料を照射する光の変調を示す。

【図6】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、図２に示されたシステムによって得ることができる例示的かつ非限定的な光ホール測定解析結果を示す。

【図7】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、例示的かつ非限定的な光ホール測定のための方法を示す。

【図8】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、別の例示的かつ非限定的な光ホール測定のための方法を示す。

【図9】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、例示的かつ非限定的な光ホール測定を検証するための方法を示す。

【図10】本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、本明細書に記載される方法論の１つ又は複数を実行するための例示的かつ非限定的な例示的装置を示す。

【発明を実施するための形態】

【0014】

以下の詳細な説明は例証に過ぎず、実施形態、もしくは実施形態の用途もしくは使用、又はその両方を制限することを意図するものではない。さらに、前述の背景セクション又は概要セクション又は詳細な説明セクション内に提示されたいずれの明示的情報又は暗黙的情報にも制約されることを意図しない。

【0015】

ここで、図面を参照して、１つ又は複数の実施形態を説明し、図中、全体を通して同様の要素を指すために同様の参照番号を用いる。以下の説明において、１つ又は複数の実施形態のより完全な理解を与えるために、説明目的で、多数の特定の詳細が記述される。しかしながら、種々の場合において、１つ又は複数の実施形態は、これらの特定の詳細がなくても実施できることが明らかである。上記の概念を説明するために用いられる図示された例の間の寸法の相対的な差異にかかわらず、この説明で参照される図１－図１０は、縮尺通りに描かれることを意図しておらず、この点は当てにすべきではないことに留意すべきである。

【0016】

本明細書の実施形態は、ＡＣ電磁石などのＡＣ場ホールシステム、又は回転する平行双極子線（ＰＤＬ：parallel dipole line）磁石システムと、測定チャンバ又はクライオスタットシステムとを使用する、キャリア分解式光ホールシステム（carrier-resolved photo-Hall system）に関する。このシステムは、多数キャリア及び少数キャリア両方の、移動度、光キャリア密度、再結合寿命及び再結合係数などの様々な半導体パラメータを計算することができる。１つ又は複数の実施形態において、システムは、光ホールデータ解析技術を利用して、多数キャリア及び少数キャリアのタイプ、移動度及び密度、並びにキャリアの再結合寿命など、半導体材料の様々なパラメータを同時に求めることができる。

【0017】

半導体における多数キャリア及び少数キャリアのタイプ、密度及び移動度などの特性は、光電子デバイス及び太陽電池などのデバイスの動作を支配するパラメータである。これらのパラメータの測定は、以前は非常に困難で不十分であった。１つ又は複数の実施形態において、キャリア分解式光ホール技術を用いて、本システムは、被検試料の変調された照射下でこれらのパラメータを同時に測定し、再結合寿命、拡散長、及び再結合係数などのパラメータを求めることができる。

【0018】

さらに、１つ又は複数の実施形態において、ＡＣ場ホール測定技術を用いて、平行双極子線ホールシステムを用いてクリーンなホール信号を抽出することができる。本明細書でさらに説明するように、システムは、横方向の双極子の線形分布に等しい磁場を生成する横方向磁化を有する円筒形の磁石である、双極子線磁石を含むことができる。このシステムは、１つ又は複数のＰＤＬ磁石を使用して光ホール測定を行うことができる。

【0019】

図１は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、例示的かつ非限定的な、変調光で照射された異なる少数キャリア移動度を有する２つの試料の導電率（σ）とホール係数（Η）とのプロットを示す。図示されているように、曲線１０２及び曲線１０４は、多数キャリア移動度は同じだが、少数キャリア移動度は異なる、ｐ型材料の２つの試料を示し、したがって照射範囲（例えば、暗（dark）から明るい（bright）照射まで）にわたって異なるホール係数（Η）対導電率（σ）特性を示す。この現象により、１つ又は複数の実施形態の光ホール技術を、多数キャリア及び少数キャリア両方の特性を識別するキャリア分解式（carrier-resolved）とすることが可能になる。

【0020】

例えば、２つのｐ型半導体試料は、多数キャリアの密度（ρ_０）及び移動度（μ_Ｐ）を示すが、曲線１０２及び曲線１０４で示されるように少数キャリア移動度（μ_Ｎ）が異なる。一例として、暗い又は照射なしの状態で、両試料は、導電率（σ）及びホール係数（Η）が同じであれば同じ点から開始することができる。しかし、少数キャリア移動度の違いに起因して、これらの試料が特定の最大光キャリア密度Δｎ_ｍａｘまで照射されるとき、両試料は異なるσ－Η曲線（例えば曲線１０２対曲線１０４）を辿ることになる。この効果は、暗いときには同じ点から開始しても、照射下では全導電率に対する少数キャリアの役割が増大することに起因して生じる。１つ又は複数の実施形態において、σ－Η曲線の軌跡を用いて、少数キャリアに関する情報を判定し、計算する。例えば、曲線１０２又は１０４のいずれかに沿った任意の所与の点における傾き（ｄΗ／ｄσ）を用いて、多数キャリア及び少数キャリアの情報を判定又は計算することができる。

【0021】

照射下では、半導体材料内で光生成効果（photogeneration effect）が過剰の多数キャリア及び少数キャリアを生成する。これらのキャリアの輸送特性は、導電率σ＝ｅ（ｐμ_ｐ＋ｎμ_Ｎ）及びホール係数

【数1】

によって記述することができ、ここでｅは電子の電荷、ｐは全正孔キャリア密度、ｎは全電子密度、ｒはホール散乱因子、μ_Ｐは正孔移動度、μ_Ｎは電子移動度であり、β＝μ_Ｎ／μ_Ｐは少数キャリアと多数キャリアとの比である。全正孔密度は、ｐ＝ｐ_０＋Δｐとして表すことができ、ｎ＝ｎ_０＋Δｎである。一例において、ｎ型材料の場合、ｎ_０は小さいのでｎ＝Δｎである。したがって、１つ又は複数の実施形態において、σ、Ηの測定値及び傾きｄΗ／ｄσを用いて、光強度ごとにμ_Ｐ、μ_Ｎ、及びΔｎについて解くことができる。

【0022】

光ホール測定において、σ－Η曲線の任意の点におけるホール移動度の差は

【数2】

として表すことができ、ここでΔμ＝μ_Ｐ－μ_Ｎ＝Δμ_Ｈ／ｒは、正孔移動度と電子移動度との間の差である。多数キャリア及び少数キャリアについて解くと、ｐ型材料の場合は次式

【数3】

が得られ、Ｎ型材料の場合は、次式

【数4】

が得られる。そしてＰ型及びＮ型材料の両方について、

【数5】

である。

【0023】

したがって、１つ又は複数の実施形態において、このシステム及び方法によって、多数キャリア移動度μ_Ｍ及び少数キャリア移動度μ_ｍの両方を求めることができる。

【0024】

加えて、さらに後述するように、１つ又は複数の実施形態のシステム及び方法によって、光キャリア密度（Δｎ）、再結合寿命（τ）、多数キャリア拡散長（Ｌ_Ｄ，Ｍ）、並びに少数キャリア拡散長（Ｌ_Ｄ，ｍ）及び両極性拡散長（Ｌ_Ｄ，ａｍ）を求めることができるようになった。これらのパラメータは、暗から最大輝度までの様々な光強度設定Ｎにおける被検試料の光ホール測定値から得ることができる。

【0025】

例えば、様々な光照射変調において、以下の関係式に基づいて被吸収光子密度Ｇ_γを求めることができる。

【数6】

このとき試料に入射する光子束密度（Φ）は、次のように計算され、

【数7】

ここでαは吸収係数（／ｍ）、Ｒは試料の反射率、Ｉ_{ＰＤ，ＭＯＮ}はモニタ光検出器（ＰＤ，ＭＯＮ）電流、ｄは試料の厚さ、及びｋ_ＰＤは基準光検出器（ＰＤ，ＲＥＦ）とモニタ光検出器（ＰＤ，ＭＯＮ）との間の電流の比である。この比は、較正ステップで求めることができ、較正ステップでは、基準ＰＤは試料位置に配置されるシリコン光検出器であり、モニタＰＤと同時に測定される。ＱＥ_ＲＥＦは基準ＰＤの量子効率、Ａ_ＲＥＦは基準ＰＤの面積、λは動作波長である。被吸収光子密度は、モニタ光検出器で測定される光強度又は光電流（Ｉ_{ＰＤ－ＭＯＮ}）の関数として計算することができ、

【数8】

であり、ここでｋ_Ｇはその実験構成の光子密度定数である。

【数9】

【0026】

さらに、１つ又は複数の実施形態において、予め（例えば上記の式１－式３から）計算された光生成キャリア密度（Δｎ及びΔｐ）を考慮して、一連の派生的なパラメータ、例えば再結合寿命

【数10】

などを計算することができ、ここでＧは光キャリア生成率であり、量子効率が１の場合、被吸収光子密度Ｇ_γに等しいと仮定される。再結合寿命は、低い光強度又は一分子再結合レジメでは定数とすることができる。例えば、ｋ_１＝１／τの場合であり、ここでｋ_１は一分子再結合係数である。より高い光強度では、電荷トラップ効果、二分子再結合、及び非常に高い光強度におけるオージェ再結合に起因して、τは小さくなる傾向がある。したがって、１つ又は複数の実施形態において、多数キャリア又は少数キャリアの拡散長は、次式から求めることができ、

【数11】

ここで、Ｄはキャリア拡散係数であり、Ｔは温度である。正孔及び電子の光キャリア密度が暗平衡密度よりもはるかに高い（例えば、Δｎ～Δｐ＞＞ｐ_０）高注入レベルでは、この場合、両極性拡散長がより妥当であり、次式に従って計算することができる。

【数12】

【0027】

したがって、１つ又は複数の実施形態において、新規な光ホール技術は、多数キャリア及び少数キャリア両方の特性を抽出することができるので、キャリア分解式とみなすことができる。例えば、この技術は、多数／少数又は正孔／電子キャリアの移動度（μ_Ｐ、μ_Ｎ）、光キャリア密度（Δｎ）、再結合寿命（τ）、並びに正孔、電子及び両極性輸送の拡散長（Ｌ_Ｄ，Ｐ、Ｌ_Ｄ，Ｎ、Ｌ_Ｄ，ａｍ）を含むがこれらに限定されない７Ｎ個のパラメータを与えることができ、ここでＮは測定における光強度設定の数である。

【0028】

ここで、様々なシステム及び方法の非限定的な例を、図２－図１０を参照して説明する。

【0029】

図２は、本明細書に記載されている１つ又は複数の実施形態によるシステム２００の例示的かつ非限定的なブロック図を示す。図示するように、システム２００は、制御プログラム２０２と、データ及び信号解析モジュール２０４と、電子機器モジュール２０６と、ホールモジュール２０８と、測定チャンバ２１０と、光学モジュール２１２とを含むことができる。

【0030】

制御プログラム２０２は、電子機器モジュール２０６と、システム２００のデータ取得からデータ格納及び報告までにわたる全体的な動作とを制御することができる。例えば、制御プログラムは、ユーザと対話することができ、試料情報の入力を受け、データ及び信号解析モジュール２０４、電子機器モジュール２０６、ホールモジュール２０８、測定チャンバ２１０、及び光学モジュール２１２を制御することができる。

【0031】

データ及び信号解析プログラム２０４は、フーリエスペクトル解析及びロックイン検出などの信号処理及び計算を行うことができる。例えば、データ及び信号解析プログラム２０４は、磁気抵抗（ＭＲ）信号のフーリエスペクトル又はパワースペクトル密度の視覚化を生成、前処理、及び表示し、ロックイン検出を行い、光強度ごとにホール係数を計算することができる。１つ又は複数の実施形態において、プログラム２０４は、上述の式（１）－式（１３）によって示されるキャリア分解式光ホール技術及び計算を実装するための実行可能なプログラムコードを含むことができる。

【0032】

電子機器モジュール２０６は、ソース及び測定動作、スイッチマトリックス及びバッファリング、モータ制御、場のセンシング及びクライオスタット温度制御を行うための、一組の電子機器サブモジュールを含むことができる。

【0033】

ホールモジュール２０８は、磁石又は電磁石のシステムを含む。例えば、ホールモジュール２０８は、一組のモータ駆動式及び（複数の）自由回転式の双極子線磁石と、場センサと、試料ステージと、電気的相互接続とを含むことができる。ホールモジュールの異なる形態の様々な非限定的な例は、図３Ａ－図３Ｃを参照して説明される。

【0034】

測定チャンバ２１０は、試料測定が行われる密閉型の真空チャンバ、又は製造インライン試験システムの一部とすることができる。１つ又は複数の実施形態では、測定チャンバは、クライオスタットを含むことができる。モジュール２１０は、真空チャンバ、コールドステージ、冷却器エンジン、及び制御電子機器を含むことができる。

【0035】

光学モジュール２１２は、単色又は広帯域の光源、連続減光フィルタ（continuous neutral density filter)、高調波変調器フィルタホイール（harmonic modulator filter wheel）、光検出器、及びビームスプリッタなどの、試料に照射を提供するためのシステムをさらに含むことができる。光学モジュールは、単色光源として１つ又は複数のレーザを含むことができる。あるいは、光学モジュール２１２は、広帯域光源及びモノクロメータを光源として含むことができる。

【0036】

１つ又は複数の実施形態では、光学モジュール２１２は、モータによって制御される連続減光フィルタを通して光の経路を制御して、光を減衰させる。さらに、光学モジュール２１２は、付加的な光変調を加えて微調整（例えば、光強度の±５０％）を行う高調波変調器フィルタホイール（図示せず）を随意的に含むことができる。高調波変調器フィルタホイールは、一定の回転下で正弦波減衰を生成する。光学モジュール２１２は、測定チャンバ２１０内の被検試料に対するレンズ、ビームスプリッタ及びプリズム又はウェッジレンズをさらに含むことができる。

【0037】

図３Ａ－図３Ｃは、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的なホールモジュールを示す。図示されるように、ホールモジュールの様々な構成を実施形態において、例えばシステム２００において用いることができる。簡潔にするために、本明細書で説明される他の実施形態において用いられる同様の要素の反復的な説明は省略する。

【0038】

図３Ａは、ＡＣ磁場をもたらす、回転式平行双極子線磁石などの回転磁石を含むホールモジュール２０８Ａを示す。１つ又は２つの磁石が測定チャンバ２１０の内部にあり、外側の磁石が外部で回転して、チャンバ２１０の内部にある磁石アセンブリを駆動する。

【0039】

図３Ｂは、インライン式ホールモジュール２０８Ｂを示す。ホールモジュール２０８Ｂは、例えば製造ラインにインラインで設けられ、製造プロセスライン内でデバイスをインラインでホール測定することを可能にする。図示されるように、照射は（例えば、光学モジュール２１２から）製造ライン上に経路制御され、製造中に、例えばコンベヤベルト上での被検試料を照射する。回転式平行双極子線磁石などの回転磁石が、１つ又は複数の接触プローブを介してアクセスされるホール測定のためのＡＣ磁場をもたらす。１つ又は複数の実施形態において、インライン式ホールモジュール２０８Ｂは、製造プロセス中にデバイスのインライン光ホール測定をより速く又はより迅速に行うことを可能にする。

【0040】

図３Ｃは、ＡＣ磁場をもたらす電磁石を含むホールモジュール２０８Ｃを示す。図示するように、ホールモジュール２０８Ｃは、例えば、ＡＣ電源（図示せず）によって駆動されるＡＣ電磁石システム又はヘルムホルツコイルシステムを含むことができる。本実施形態では、光学モジュール２１２からの光は、ボアホールを通過して、クライオスタットなどの測定チャンバ内に保持された試料に照射される。

【0041】

図４は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的なシステムを示す。ここで、システム３００の各構成要素の詳細な説明を行う。簡潔にするために、本明細書で説明される他の実施形態において用いられる同様の要素の反復的な説明は省略する。したがって、図４は、システム２００のホールモジュール２０８と、測定モジュール２１０と、光学モジュール２１２との例示的な構成４００を示す。

【0042】

説明のために、図４に示す例では、ホールモジュール２０８及び測定チャンバ２１０は、例えば、図３Ａに示すホールモジュール２０８Ａのような構成の中に、モータ４０４及びギヤボックス４０６によって駆動される双極子線（ＤＬ：dipole line）磁石４０２を含むことができる。簡潔にするために、図３Ｂ－図３Ｃに示された実施形態など本明細書で説明される他の実施形態において用いられる同様の要素の反復的な説明は省略する。１つ又は複数の実施形態では、ＤＬ磁石４０２は、極（Ｎ極又はＳ極）が曲面の両側にある、均一な横方向磁化を有する円柱形とすることができる。

【0043】

ホールモジュール２０８において、ホールセンサ４０８をモータ駆動ＤＬ磁石４０２に隣接して位置決めして、磁石の位相又は回転角を監視することができる。ホールセンサ４０８は、磁場に応じてその出力電圧を変化させるデバイスとすることができる。

【0044】

１つ又は複数の自由回転ＤＬ磁石４１０を測定チャンバ２１０内に配置することができる。第１の自由回転ＤＬ磁石４１０は、モータ駆動ＤＬ磁石４０２に近接したチャンバ２１０の領域内に位置決めすることができる。例えば、モータ駆動ＤＬ磁石４０２は、チャンバ２１０の上部側に隣接させることができる。したがって、第１の自由回転ＤＬ磁石４１０は、チャンバ２１０の上部側に近接して、チャンバ２１０内に存在することができる。この構成により、モータ駆動ＤＬ磁石４０２及びその関連ハードウェア（ステッパモータ４０４及びギヤボックス４０６など）をチャンバ２１０の外部に配置することができる。１つ又は複数の実施形態において、この配置を用いて、チャンバ２１０内のスペースを節約し、モータ４０４及び他のハードウェアがチャンバ２１０内の低温環境に曝されることを防止することができる。

【0045】

随意的に、少なくとも１つの第２の自由回転ＤＬ磁石４１２をチャンバ２１０に含めることもできる。第２の自由回転ＤＬ磁石４１２を含めることで、被検試料に対する場の強度を高めることができる。図４に示すように、存在する場合、第２の自由回転ＤＬ磁石４１２は、チャンバ２１０内の第１の自由回転ＤＬ磁石４１０の反対側に（それらの間に試料などが位置決めされる状態で）、モータ駆動ＤＬ磁石４０２から遠位に配置することができる。

【0046】

図４にさらに示すように、モータ駆動ＤＬ磁石４０２は、チャンバ２１０の上部側に隣接させることができ、第２の自由回転ＤＬ磁石４１２は、チャンバ２１０の上部側から遠位に（すなわち、チャンバの底部側に隣接して）配置することができる。図４にさらに示されるように、モータ駆動ＤＬ磁石４０２の回転方向は、第１の自由回転ＤＬ磁石４１０の回転方向とは逆とすることができ、存在する場合には、第２の自由回転ＤＬ磁石４１２の回転方向と同じとすることができる。第１の自由回転ＤＬ磁石４１０の回転は、モータ駆動ＤＬ磁石４０２の回転に基づくものとすることができ、一方、第２の自由回転ＤＬ磁石４１２の回転は、第１の自由回転ＤＬ磁石４１２の回転に基づくものとすることができる。

【0047】

コールドステージ４１４を用いて、測定チャンバ２１０内の試料の温度を調節することができる。図４に示すように、コールドステージ４１４は、電子機器モジュール２０６によって調節することができる。

【0048】

試料ステージは、試料を、２つの向きのうちの一方、すなわち全磁場に対して垂直又は平行に取り付けることを可能にする。試料ステージ（図示せず）は、光ホール測定においては磁場に対して垂直な試料２０８、又は、光電磁（ＰＥＭ：Photo-Electro-Magnet）測定においては磁場に対して平行な試料２０８の解析のためのものである。試料が全磁場に対して垂直に取り付けられている場合（例えば、試料がｙ－ｚ平面上にある場合）はホール測定を行うことができる。試料が全磁場に対して平行に取り付けられている場合（例えば、試料がｘ－ｚ平面上にある場合）は、ＰＥＭ測定を行うことができる。異なる試料マウント又は可動／回転式マウントを用いて、試料をこれら２つの向きで取り付けることができる。

【0049】

図５は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的な、キャリア分解式光ホール測定のために被検試料を照射する光の変調を示す。一実施形態では、光学モジュール（光学モジュール２１２など）は、照射５０２によって図示されるように離散的な設定及び間隔で暗から明へと変化する光を与えるように制御される。ホール測定（σ，Η）は、このとき照射５０２下で提供されるこの離散的設定及び間隔で行うことができる。

【0050】

別の実施形態では、光は、照射５０４に従ってσ_０などのバイアス点の周りで変調される。σ_０におけるσ及びΗの初期測定が行われる。変調器フィルタホイールを光モジュール２１２（図５には示されていない）内で回転させて、バイアス点σ_０の周りで光強度をΔσだけ振動させる照射を与えることができる。上述の式（１）－式（１３）に従って、傾きを実験的に測定することができ、ｄΗ／ｄσ～ΔΗ／Δσとして、様々な少数キャリア及び多数キャリアの特性について解くことができる。本実施形態を用いると、例えば特定の光強度又は特定の条件下でホール測定を行いたい場合に、より迅速な測定を可能にすることができる。また、本実施形態では、照射及び測定の範囲が狭いので、長期的なドリフト誤差が発生しにくくなり得る。

【0051】

図６は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、図２に示されたシステムによって得ることができる例示的かつ非限定的な光ホール測定解析結果を示す。例えば、図示されるように、例示的かつ非限定的な表示として、ペロブスカイト６端子ホールバー試料について、データ＋信号解析プログラム２０４によって提供することができるホール測定解析結果が示される。具体的には、データ＋信号解析プログラム２０４は、ＡＣ場磁気抵抗データと、σ－Ηプロット解析と、移動度及びキャリア密度と、再結合寿命及び拡散長とを示す結果を出力することができる。表示のプロット及び構成は、例示的かつ非限定的な出力である。実施形態に従って、任意のタイプの結果表示を提供することができる。

【0052】

図７は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による、例示的かつ非限定的なホール測定のための方法７００を示す。本明細書で説明される他の実施形態において用いられる同様の要素の反復的な説明は省略する。

【0053】

７０２において、方法７００は、測定チャンバ２１０内に準備された被検試料を照射することを含むことができる。

【0054】

７０４において、方法７００は、被検試料の照射を変調することを含むことができる。

【0055】

７０６において、方法７００は、図５に示す変調された照射のような、変調された照射に基づいて、被検試料のホール測定値を測定することを含むことができる。１つ又は複数の実施形態では、試料を測定して、その導電率、ホール係数、及び導電率の変化に対するホール係数の変化の微分（又は傾き）を求める。これは、例えば、連続減光フィルタ４２６及びフィルタホイール４２８を用いて、ある光強度の範囲にわたってホール係数及び導電率を測定することによって行うことができる。あるいは、ある選択された光強度において導電率及びホール係数を測定することができ、次いでフィルタホイール４２８を回転させて、得られた測定値に基づいて微分（又は傾き）を得ることができる。

【0056】

７０８において、方法７００は、ホール測定値及び変調された照射に基づいて、被検試料の第１のキャリア移動度と第２のキャリア移動度と光キャリア密度とを求めることを含むことができる。一実施形態において、試料の光ホール測定値、キャリア移動度の差、及び後続の解の間の誤り率を考慮した反復プロセスに基づいて、第１の（又は多数）キャリア移動度及び第２の（又は少数）キャリア移動度を求めることができる。この反復プロセスを、環境１０００で動作するデータ＋信号解析プログラム２０４によって実行される機械学習アルゴリズムなどの様々な技術によって処理して、誤り率をモデル化し、試料の測定値に対する収束解を展開することができる。図９を参照して、１つ又は複数の実施形態による、収束解を展開するための例示的かつ非限定的なプロセスフローが提供される。

【0057】

図８は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的なホール測定のための方法８００を示す。例えば、方法８００は、制御プログラム２０２によって実装され、上述したようなホール測定の１つ又は複数の方法を提供することができる。本明細書で説明される他の実施形態において用いられる同様の要素の反復的な説明は省略する。

【0058】

８０２において、試料は、例えば測定チャンバ２１０内に取り付けられる。制御プログラム２０２は、測定チャンバ２１０に対して、磁石間隙ｇ、試料位置ｘ、及び試料サイズｓを測定するよう命令する。

【0059】

８０４において、試料上の最大磁場Ｂ_ｍａｘを求める。これは、例えば、試料を中心に置いた状態で、双極子線磁石間の間隙を測定することによって行われる。

【0060】

８０６において、暗ホール測定が行われる。例えば、制御プログラム２０２は、光学モジュール２１２に対して、試料の照射をオフにするよう命令することができ、それにより、試料を測定チャンバ２１０内で暗い又は低レベルの光条件に供することができる。

【0061】

８０８において、制御プログラム２０２は、測定チャンバ２１０内で試料の接触抵抗を測定する。

【0062】

８１０において、制御プログラム２０２は、測定チャンバ２１０内で試料のシート抵抗又は長手方向抵抗を測定する。

【0063】

８１２において、制御プログラム２０２は、ホールモジュール２０８に対して、例えば磁石４０２（図４に示す）を回転させることによって、ＡＣ磁場を生成するよう命令する。制御プログラム２０２は、次いで、試料の横方向の磁気抵抗（ＭＲ）を測定することができる。

【0064】

８１４において、制御プログラム２０２はデータ＋信号プログラム２０４と協働してＭＲ信号を処理する。例えば、データ＋信号プログラム２０４は、試料のバックグラウンド減算並びにフーリエ及びパワースペクトル密度解析を行うことができる。上述したように、解析及び結果の非限定的な例が図６を参照して示される。

【0065】

８１６において、制御プログラム２０２は、ロックイン検出を行い、測定値からホール係数Ｈを抽出する。一実施形態では、制御プログラム２０２は、試料から抽出された時系列の横方向磁気抵抗データ（Ｒ_ＸＹ）からホール係数を求める。

【0066】

８１８において、制御プログラム２０２は、多数キャリアのタイプ、タイプ移動度、及び密度を計算する。

【0067】

８２０において、制御プログラム２０２は、試料の光ホール測定を行う。１つ又は複数の実施形態では、制御プログラム２０２は、光学モジュール２１２に対して、例えばフィルタホイール４２８（図４に示す）を用いて、光強度を設定するよう命令する。さらに、制御プログラム２０２は、ＰＤモニタ４３４（図４に示す）を用いてこの光強度レベルを記録することができる。

【0068】

８２２において、制御プログラム２０２は、試料の接触抵抗を測定する。

【0069】

８２４において、制御プログラム２０２は、磁場Ｂ＝０における試料の長手方向抵抗を測定し、試料の導電率σを求める。

【0070】

８２６において、制御プログラム２０２は、ホールモジュール２０８に対して、測定チャンバ２１０に与えられるＡＣ磁気信号を変調するよう命令する。制御プログラム２０２は、次いで、ＡＣ磁気信号の結果生じる経時的な試料の横方向ＭＲ（Ｒ_ＸＹ）を測定する。

【0071】

８２８において、制御プログラム２０２とデータ＋信号プログラム２０４とが協働して、再びＭＲ信号を処理し、試料のバックグラウンド減算並びにフーリエ及びパワースペクトル密度解析を行う。

【0072】

８３０において、制御プログラム２０２は、ロックイン検出を行い、ホール信号を抽出して、試料のホール係数Ηを求める。

【0073】

８３２において、制御プログラム２０２は、照射を変調させる方法を選択する。上述したように、照射を変調させる非限定的な例を、図５を参照して説明した。制御プログラム２０２は、ユーザ入力、もしくは、制御プログラム２０２内の１つ又は複数の設定、又はその両方などの様々な基準に基づいて、照射を変調する方法を選択することができる。説明のために、８３２において、制御プログラム２０２は、方法Ｉ又はＩＩを選択することができる。制御プログラム２０２が方法Ｉを選択した場合、プロセス８００は８３８に進む。制御プログラム２０２が方法ＩＩを選択した場合、プロセス８００は８３４に進む。

【0074】

８３４において、制御プログラム２０２は、方法ＩＩを選択しており、光モジュール２１２に対して、高調波変調器フィルタホイール４２８（図４に示すように）を回転させるよう命令した。

【0075】

８３６において、制御プログラム２０２は、光学モジュール２１２によって与えられる照射の変調に基づいて、ΔΗ（ホール係数の変化）及びΔσ（導電率の変化）を測定する。

【0076】

その後、処理は８３８にフローする。８３８において、制御プログラム２０２は、例えば図５に図示された光変調に従って、別の光強度で繰り返すかどうかを判断する。制御プログラム２０２が別の光強度で繰り返すことを選択した場合、処理は８２０に戻るようにフローし、上述のように進む。制御プログラム２０２が繰り返さないことを選択した場合、処理は８４０にフローする。

【0077】

８４０において、制御プログラム２０２は、例えば吸収ＰＤ４５２及び吸収サブモジュール４４０（図４に示す）を用いて、試料の反射率、吸収及び透過を測定する。

【0078】

８４２において、制御プログラム２０２は、ＰＤ較正係数ｋ_ＰＤを測定する。較正係数は、測定チャンバ２１０内に試料として配置されたシリコンＰＤなどの基準ＰＤに基づいて求めることができる。

【0079】

８４４において、制御プログラム２０２とデータ＋信号解析プログラム２０４とが協働して、様々なデータ解析結果を出力する。上述したように、１つ又は複数の実施形態において、本明細書で説明したキャリア分解式光ホール技術によって、多数キャリア特性と少数キャリア特性の両方を抽出して測定することができる。さらに、再結合寿命、拡散長、再結合係数などのパラメータを求めることができる。上述したように、制御プログラム２０２もしくはデータ＋信号解析プログラム２０４又はその両方によって提供することができる例示的かつ非限定的な結果は、図６を参照して示される。

【0080】

図９は、本明細書に記載される１つ又は複数の実施形態による例示的かつ非限定的な、移動度が変化する光ホール測定のための方法９００を示す。一実施形態では、試料の光ホール測定値、キャリア移動度の差、及び後続の解の間の誤り率を考慮した反復プロセスに基づいて、第１の（例えば、多数）キャリア移動度及び第２の（例えば、少数）キャリア移動度を求めることができる。この反復プロセスを操作環境１０００によって処理して、後続の解の間の誤り率を計算し、測定値に対する収束解を得ることができる。

【0081】

例えば、方法９００は、環境１０００で動作する制御プログラム２０２及びデータ＋信号解析プログラム２０４によって実装され、収束解を得ることができる。収束解を検定して、キャリア移動度が一定であるかどうかを確認することができる。キャリア移動度が一定でない場合、データ＋信号解析プログラム２０４は、一般化された式を使用し、解が収束するまで反復計算を行うように構成することができる。方法９００について、例示的かつ非限定的なプロセスは説明しない。

【0082】

９０２において、制御プログラム２０２は、前述のように、導電率σ及びホール係数Ηを得る。

【0083】

９０４において、制御プログラム２０２は、データ＋信号解析プログラム２０４と協働して、Δμ（移動度の変化）及びΔｎ（光キャリア密度）のベースライン又は初期値を計算する。

【0084】

９０６において、制御プログラム２０２は、データ＋信号解析プログラム２０４と協働して、導電率（σ）に対して、キャリア移動度μ_Ｐ及びμ_Ｎ、並びに光キャリア密度Δｎについて解く。

【0085】

９０８において、制御プログラム２０２は、データ＋信号解析プログラム２０４と協働して次式を計算し、

【数13】

ここで

【数14】

である。

【0086】

９１０において、制御プログラム２０２は、データ＋信号解析プログラム２０４と協働して、反復して、新たなΔμ’を計算する。

【0087】

９１２において、制御プログラム２０２は、データ＋信号解析プログラム２０４と協働して、反復して、重み係数ｗに基づいて次のΔμ’を計算し、

【数15】

ここで、ｎは反復回数である。

【0088】

９１４において、制御プログラム２０２は、Δμ’についての解が収束しているかどうかを判定する。例えば、制御プログラム２０２は、以下の式を用いて収束を確認することができる。

【数16】

【0089】

Δμ’についての解が収束した場合、処理は９１６にフローする。収束していない場合、９０６で処理を繰り返す。

【0090】

９１６において、制御プログラム２０２は、データ＋信号解析プログラム２０４と協働して、キャリア移動度、光キャリア密度（Δｎ）及び被吸収光密度Ｇ_γについて、収束したとみなされる最終結果を報告する。システムは、ディープニューラルネットワークを組み込んで、様々な試料からの様々な光ホール測定シナリオを分類することができる。

【0091】

図１０並びに以下の説明は、開示される主題の種々の態様を実装できる適切な環境の一般的な説明を提供することが意図される。簡潔にするために、本明細書で説明される他の実施形態において用いられる同様の要素の反復的な説明は省略する。図１０は、本明細書に説明される１つ又は複数の実施形態を容易にすることができる例示的かつ非限定的な動作環境のブロック図を示す。簡潔にするために、本明細書で説明される他の実施形態において用いられる同様の要素の反復的な説明は省略する。ここで図１０を参照すると、本開示の種々の態様を実装するための好適な動作環境１０００は、コンピュータ１０１２を含むこともできる。コンピュータ１０１２は、処理ユニット１０１４、システム・メモリ１０１６及びシステム・バス１０１８を含むこともできる。システム・バス１０１８は、システム・メモリ１０１６を含むがこれに限定されないシステム・コンポーネントを処理ユニット１０１４に結合する。処理ユニット１０１４は、種々の利用可能なプロセッサのいずれかとすることができる。デュアルマイクロプロセッサ及び他のマルチプロセッサ・アーキテクチャを処理ユニット１０１４として用いることもできる。システム・バス１０１８は、業界標準アーキテクチャ（ＩＳＡ）、マイクロ・チャネル・アーキテクチャ（ＭＳＡ）、拡張ＩＳＡ（ＥＩＳＡ）、Ｉｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ Ｄｒｉｖｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（ＩＤＥ）、ＶＥＳＡ Ｌｏｃａｌ Ｂｕｓ（ＶＬＢ）、Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ（ＰＣＩ）、カード・バス、ユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｏｒｔ（ＡＧＰ）、Ｆｉｒｅｗｉｒｅ（ＩＥＥＥ１３９４）、及びＳｍａｌｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（ＳＣＳＩ）を含むがこれらに限定されない任意の種々の利用可能なバス・アーキテクチャを用いた、メモリ・バス又はメモリ・コントローラ、周辺バス又は外部バス、もしくは、ローカル・バス、又はそれらの組合せを含む、幾つかのタイプのバス構造のいずれかとすることができる。システム・メモリ１０１６は、揮発性メモリ１０２０及び不揮発性メモリ１０２２を含むこともできる。起動の際などにコンピュータ１０１０内の要素の間で情報を転送するための基本ルーチンを含む基本入力／出力システム（ＢＩＯＳ）が、不揮発性メモリ１０２２に格納される。限定ではなく例証として、不揮発性メモリ１０２２は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラム可能ＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、電気的プログラム可能ＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュ・メモリ、又は不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）（例えば、強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ））を含むことができる。揮発性メモリは、外部キャッシュ・メモリとして働くことができるランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）を含むことができる。限定ではなく例証として、ＲＡＭは、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、ダブル・データ・レートＳＤＲＡＭ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）、エンハンストＳＤＲＡＭ（ＥＳＤＲＡＭ）、Ｓｙｎｃｈｌｉｎｋ ＤＲＡＭ（ＳＬＤＲＡＭ）、ｄｉｒｅｃｔ Ｒａｍｂｕｓ ＲＡＭ（ＤＲＲＡＭ）、ｄｉｒｅｃｔ Ｒａｍｂｕｓ ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ（ＤＲＤＲＡＭ）、及びＲａｍｂｕｓ ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ（ＤＲＤＲＡＭ）のような多くの形で利用可能である。

【0092】

コンピュータ１０１２は、取り外し可能／取り外し不能な揮発性／不揮発性コンピュータ・ストレージ媒体を含むこともできる。図１０は、例えば、ディスク・ストレージ１０２４を示す。ディスク・ストレージ１０２４は、これらに限定されるものではないが、磁気ディスク・ドライブ、フロッピー・ディスク・ドライブ、テープ・ドライブ、Ｊａｚドライブ、Ｚｉｐドライブ、ＬＳ－１００ドライブ、フラッシュ・メモリ・カード、又はメモリ・スティックのようなデバイスを含むこともできる。ディスク・ストレージ１０２４は、ストレージ媒体を別々に含むこともでき、又はコンパクトディスクＲＯＭデバイス（ＣＤ－ＲＯＭ）、ＣＤ記録可能ドライブ（ＣＤ－Ｒドライブ）、ＣＤ書き換え可能ドライブ（ＣＤ－ＲＷドライブ）又はデジタル多目的ディスクＲＯＭドライブ（ＤＶＤ－ＲＯＭ）のような光ディスクデバイスを含むがこれらに限定されない他のストレージ媒体と組み合わせて含むこともできる。システム・バス１０１８へのディスク・ストレージ１０２４の接続を容易にするために、インタフェース１０２６のような取り外し可能又は取り外し不能なインタフェースが一般に用いられる。図１０は、ユーザと、好適な動作環境１０００内に記載される基本的なコンピュータ・リソースとの間の媒介として働くソフトウェアも示す。そうしたソフトウェアは、例えば、オペレーティング・システム１０２８を含むこともできる。オペレーティング・システム１０２８は、ディスク・ストレージ１０２４上に格納されることができ、コンピュータ１０１２のリソースを制御し、割り当てるように働く。システム・アプリケーション１０３０は、例えばシステム・メモリ１０１６内又はディスク・ストレージ１０２４上に格納された、プログラム・モジュール１０３２及びプログラム・データ１０３４を通じて、オペレーティング・システム１０２８によるリソースの管理を利用する。この開示は、種々のオペレーティング・システム、又はオペレーティング・システムの組み合わせで実装できることを認識されたい。ユーザは、入力デバイス１０３６を通じてコンピュータ１０１２にコマンド又は情報を入力する。入力デバイス１０３６は、これらに限定されるものではないが、マウス、トラックボール、スタイラス、タッチパッドのようなポインティング・デバイス、キーボード、マイクロフォン、ジョイスティック、ゲームパッド、衛星放送受信アンテナ、スキャナ、ＴＶチューナ・カード、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ウェブカメラ等を含む。これら及び他の入力デバイスは、インタフェース・ポート１０３８を介してシステム・バス１０１８を通じて処理ユニット１０１４に接続される。インタフェース・ポート１０３８は、例えば、シリアル・ポート、パラレル・ポート、ゲーム・ポート及びユニバーサル・シリアル・バス（ＵＳＢ）を含む。出力デバイス１０４０は、入力デバイス１０３６と同じタイプのポートのうちのいくつかを使用する。従って、例えば、ＵＳＢポートは、コンピュータ１０１２への入力を与えるため、及び、コンピュータ１０１２から出力情報を出力デバイス１０４０に与えるために用いることができる。出力アダプタ１０４２は、他の出力デバイス１０４０の中でもとりわけ、特別なアダプタを必要とする、モニタ、スピーカ及びプリンタのような幾つかの出力デバイス１０４０が存在することを示すために設けられる。出力アダプタ１０４２は、限定ではなく例示として、出力デバイス１０４０とシステム・バス１０１８との間の接続方法を提供するビデオ及び音声カードを含む。遠隔コンピュータ１０４４のような他のデバイスもしくはデバイスのシステム又はその両方が、入力及び出力の機能の両方を提供することに留意されたい。

【0093】

コンピュータ１０１２は、遠隔コンピュータ１０４４のような１つ又は複数の遠隔コンピュータへの論理接続を用いるネットワーク化環境で動作することができる。遠隔コンピュータ１０４４は、コンピュータ、サーバ、ルータ、ネットワークＰＣ、ワークステーション、マイクロプロセッサ・ベースの器具、ピア・デバイス、又は他の共通ネットワーク・ノード等とすることができ、一般的に、コンピュータ１０１２に関して記載される要素の多く又は全てを含むこともできる。簡潔にするために、メモリ・ストレージ・デバイス１０４６だけが、遠隔コンピュータ１０４４と共に示されている。遠隔コンピュータ１０４４は、ネットワーク・インタフェース１０４８を通じてコンピュータ１０１２に論理的に接続され、次に、通信接続１０５０を介して物理的に接続される。ネットワーク・インタフェース１０４８は、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）、広域ネットワーク（ＷＡＮ）、セルラー・ネットワーク等のような有線通信ネットワークもしくは無線通信ネットワーク又はその両方を含む。ＬＡＮ技術として、Ｆｉｂｅｒ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｄａｔａ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（ＦＤＤＩ）、Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｄａｔａ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（ＣＤＤＩ）、イーサネット、トークン・リング等が挙げられる。ＷＡＮ技術として、これらに限定されるものではないが、ポイント・ツー・ポイント・リンク、統合サービス・デジタル網（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｓｅｒｖｉｃｅ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋｓ：ＩＳＤＮ）及びその変形のような回路交換網、パケット交換網、及びデジタル加入者線（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ Ｌｉｎｅ：ＤＳＬ）が挙げられる。通信接続１０５０は、ネットワーク・インタフェース１０４８をシステム・バス１０１８に接続するために用いられるハードウェア／ソフトウェアを指す。通信接続１０５０は、図解を分かりやすくするためにコンピュータ１０１２内部に示されているが、これはコンピュータ１０１２の外部にあってもよい。ネットワーク・インタフェース１０４８への接続のためのハードウェア／ソフトウェアは、例示目的で、通常の電話級モデム、ケーブル・モデム及びＤＳＬモデムを含むモデム、ＩＳＤＮアダプタ、並びにイーサネット・カードのような内部及び外部技術を含むこともできる。

【0094】

説明を簡単にするために、方法もしくはコンピュータ実施方法又はその両方を一連の動作として示し、説明する。主題となるイノベーションは、示された動作もしくは動作の順序、又はその両方に限定されるものではなく、例えば、動作は、様々な順序で行われることもあり、もしくは同時に行われることもあり、又はその両方の場合もあり、本明細書において提示及び説明されていない他の動作と共に行われることもあることを理解及び認識されたい。さらに、開示された主題によるコンピュータ実施方法を実施するために必ずしも全ての示された動作が必要とされるわけではない。さらに、当業者であれば、コンピュータ実施方法は、状態図を介して相互に関連した一連の状態又はイベントとして代替的に表現することができることも理解及び認識するであろう。また、以下に開示される及び本明細書の全体を通して開示されるコンピュータ実施方法は、こうしたコンピュータ実施方法をコンピュータに移送及び転送するのを容易にするために、物品上に格納できることをさらに認識されたい。本明細書で用いられる場合、物品という用語は、あらゆるコンピュータ可読デバイス又はストレージ媒体からアクセス可能なコンピュータ・プログラムを含むことが意図される。

【0095】

本発明は、集積のあらゆる可能な技術的詳細レベルにおける、システム、方法、もしくはコンピュータ・プログラム製品又はその組み合わせとすることができる。コンピュータ・プログラム製品は、プロセッサに本発明の態様を実行させるためのコンピュータ可読プログラム命令をその上に有する１つ又は複数のコンピュータ可読ストレージ媒体を含むことができる。コンピュータ可読ストレージ媒体は、命令実行デバイスにより使用される命令を保持及び格納できる有形デバイスとすることができる。コンピュータ可読ストレージ媒体は、例えば、これらに限定されるものではないが、電子記憶装置、磁気記憶装置、光学記憶装置、電磁気記憶装置、半導体記憶装置、又は上記のいずれかの適切な組み合わせとすることができる。コンピュータ可読ストレージ媒体のより具体的な例の非網羅的なリストとして、以下のもの：すなわち、ポータブル・コンピュータ・ディスケット、ハードディスク、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、消去可能プログラム可能読み出し専用メモリ（ＥＰＲＯＭ又はフラッシュ・メモリ）、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）、ポータブル・コンパクト・ディスク読み出し専用メモリ（ＣＤ－ＲＯＭ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、メモリ・スティック、フロッピー・ディスク、パンチカードもしくは命令がそこに記録された溝内の隆起構造のような機械的にエンコードされたデバイス、及び上記のいずれかの適切な組み合わせが挙げられる。本明細書で使用される場合、コンピュータ可読ストレージ媒体は、電波、又は他の自由に伝搬する電磁波、導波管もしくは他の伝送媒体を通じて伝搬する電磁波（例えば、光ファイバケーブルを通る光パルス）、又はワイヤを通って送られる電気信号などの、一時的信号自体として解釈されない。

【0096】

本明細書で説明されるコンピュータ可読プログラム命令は、コンピュータ可読ストレージ媒体からそれぞれのコンピューティング／処理デバイスに、又は、例えばインターネット、ローカル・エリア・ネットワーク、広域ネットワーク、もしくは無線ネットワーク又はその組み合わせなどのネットワークを介して外部コンピュータ又は外部ストレージ・デバイスにダウンロードすることができる。ネットワークは、銅伝送ケーブル、光伝送ファイバ、無線伝送、ルータ、ファイアウォール、スイッチ、ゲートウェイ・コンピュータ、もしくはエッジサーバ又はその組み合わせを含むことができる。各コンピューティング／処理デバイスにおけるネットワーク・アダプタ・カード又はネットワーク・インタフェースは、ネットワークからコンピュータ可読プログラム命令を受け取り、それぞれのコンピューティング／処理デバイス内のコンピュータ可読ストレージ媒体内に格納するためにコンピュータ可読プログラム命令を転送する。本発明の動作を実行するためのコンピュータ可読プログラム命令は、アセンブラ命令、命令セットアーキテクチャ（ＩＳＡ）命令、マシン命令、マシン依存命令、マイクロコード、ファームウェア命令、状態設定データ、集積回路のための構成データ、又は、Ｓｍａｌｌｔａｌｋ、Ｃ＋＋などのオブジェクト指向プログラミング言語、及び、「Ｃ」プログラミング言語、Ｍａｔｌａｂ、Ｐｙｔｏｎもしくは類似のプログラミング言語などの通常の手続き型プログラミング言語を含む１つ又は複数のプログラミング言語の任意の組み合わせで記述されるソース・コード又はオブジェクト・コードとすることができる。コンピュータ可読プログラム命令は、完全にユーザのコンピュータ上で実行される場合もあり、一部がユーザのコンピュータ上で、独立型ソフトウェア・パッケージとして実行される場合もあり、一部がユーザのコンピュータ上で実行され、一部が遠隔コンピュータ上で実行される場合もあり、又は完全に遠隔コンピュータもしくはサーバ上で実行される場合もある。最後のシナリオにおいて、遠隔コンピュータは、ローカル・エリア・ネットワーク（ＬＡＮ）もしくは広域ネットワーク（ＷＡＮ）を含むいずれかのタイプのネットワークを通じてユーザのコンピュータに接続される場合もあり、又は外部コンピュータへの接続がなされる場合もある（例えば、インターネットサービスプロバイダを用いたインターネットを通じて）。幾つかの実施形態において、例えば、プログラム可能論理回路、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、又はプログラム可能論理アレイ（ＰＬＡ）を含む電子回路は、コンピュータ可読プログラム命令の状態情報を用いて、電子回路を個別化することによりコンピュータ可読プログラム命令を実行し、本発明の態様を実施することができる。

【0097】

本発明の態様は、本発明の実施形態による方法、装置（システム）及びコンピュータ・プログラム製品のフローチャート図もしくはブロック図又はその両方を参照して説明される。フローチャート図もしくはブロック図又はその両方の各ブロック、並びにフローチャート図もしくはブロック図又はその両方内のブロックの組み合わせは、コンピュータ可読プログラム命令によって実装できることが理解されるであろう。これらのコンピュータ可読プログラム命令を、汎用コンピュータ、専用コンピュータ、又は他のプログラム可能データ処理装置のプロセッサに与えてマシンを製造し、それにより、コンピュータ又は他のプログラム可能データ処理装置のプロセッサによって実行される命令が、フローチャートもしくはブロック図又はその両方の１つ又は複数のブロック内で指定された機能／動作を実施するための手段を作り出すようにすることができる。これらのコンピュータ・プログラム命令を、コンピュータ、他のプログラム可能データ処理装置、又は他のデバイスを特定の方式で機能させるように指示することができるコンピュータ可読媒体内に格納し、それにより、そのコンピュータ可読媒体内に格納された命令が、フローチャートもしくはブロック図又はその両方の１つ又は複数のブロックにおいて指定された機能／動作を実施する命令を含む製品を製造するようにすることもできる。コンピュータ・プログラム命令を、コンピュータ、他のプログラム可能データ処理装置、又は他のデバイス上にロードして、一連の動作ステップをコンピュータ、他のプログラム可能データ処理装置、又は他のデバイス上で行わせてコンピュータ実施のプロセスを生成し、それにより、コンピュータ又は他のプログラム可能装置上で実行される命令が、フローチャートもしくはブロック図又はその両方の１つ又は複数のブロックにおいて指定された機能／動作を実行するためのプロセスを提供するようにすることもできる。

【0098】

図面内のフローチャート及びブロック図は、本発明の種々の実施形態による、システム、方法、及びコンピュータ・プログラム製品の可能な実装の、アーキテクチャ、機能及び動作を示す。この点に関して、フローチャート内の各ブロックは、指定された論理機能を実装するための１つ又は複数の実行可能命令を含む、モジュール、セグメント、又はコードの一部を表すことができる。幾つかの代替的な実装において、ブロック内に示される機能は、図に示される順序とは異なる順序で生じることがある。例えば、連続して示される２つのブロックは、関与する機能に応じて、実際には実質的に同時に実行されることもあり、又はこれらのブロックはときとして逆順で実行されることもある。ブロック図もしくはフローチャート図又はその両方の各ブロック、及びブロック図もしくはフローチャート図又はその両方内のブロックの組み合わせは、指定された機能又は動作を実行する、又は専用のハードウェアとコンピュータ命令との組み合わせを実行する、専用ハードウェア・ベースのシステムによって実装できることにも留意されたい。

【0099】

本主題は、１つのコンピュータもしくは複数のコンピュータ又はその両方上で実行されるコンピュータ・プログラム製品のコンピュータ実行可能命令の一般的な文脈で上述されたが、当業者であれば、本開示は、他のプログラム・モジュールと組み合わせて実装する又は実装されることも可能であることを認識するであろう。一般に、プログラム・モジュールは、特定のタスクを実行するもしくは特定の抽象データ型を実装する又はその両方を行う、ルーチン、プログラム、コンポーネント、データ構造などを含むことができる。さらに、当業者であれば、本発明のコンピュータ実施方法は、シングルプロセッサ又はマルチプロセッサ・コンピュータ・システム、ミニ・コンピューティング・デバイス、メインフレーム・コンピュータ、並びにコンピュータ、手持ち式コンピューティング・デバイス（例えば、ＰＤＡ、電話）、マイクロプロセッサ・ベースの又はプログラム可能な民生用又は産業用電子機器等を含む、他のコンピュータ・システム構成で実施できることを認識するであろう。示される態様は、通信ネットワークを通じてリンクされる遠隔処理デバイスによってタスクが実行される分散型コンピューティング環境で実施することもできる。しかしながら、本開示の全てではないとしても一部の態様をスタンドアロン・コンピュータ上で実施することができる。分散型コンピューティング環境において、プログラム・モジュールは、ローカル及び遠隔両方のメモリ・ストレージ・デバイス内に配置することができる。

【0100】

本出願において用いられるとき、「コンポーネント」、「システム」、「プラットフォーム」、「インタフェース」等の用語は、コンピュータに関連するエンティティ、又は１つ又は複数の特定の機能を有する動作マシンに関連するエンティティを指す場合もあり、もしくはこれを含む場合もあり、又はその両方の場合もある。本明細書に開示されるエンティティは、ハードウェア、ハードウェアとソフトウェアとの組み合わせ、ソフトウェア、又は実行中のソフトウェアとすることができる。例えば、コンポーネントは、これらに限定されるものではないが、プロセッサ上で実行されているプロセス、プロセッサ、オブジェクト、実行ファイル、実行スレッド、プログラム、もしくはコンピュータ又はその組み合わせとすることができる。例証として、サーバ上で実行されているアプリケーション及びサーバの両方がコンポーネントであってもよい。１つ又は複数のコンポーネントは、プロセスもしくは実行スレッド又はその両方の中に常駐することができ、コンポーネントは、１つのコンピュータ上に局所化されること、もしくは２つ以上のコンポーネント間で分散されること又はその両方が可能である。別の例において、それぞれのコンポーネントは、種々のデータ構造がその上に格納された種々のコンピュータ可読媒体から実行することができる。コンポーネントは、１つ又は複数のデータ・パケットを有する信号（例えば、信号を介して、ローカル・システム、分散型システム内で、及び／又は他のシステムと共にインターネットなどのネットワークにわたって、別のコンポーネントと対話する１つのコンポーネントからのデータ）などに従って、ローカル・プロセスもしくは遠隔プロセス又その両方を介して通信することができる。別の例として、コンポーネントは、プロセッサによって実行されるソフトウェア又はファームウェア・アプリケーションによって動作する、電気回路もしくは電子回路によって動作する機械的部品によって与えられる特定の機能を有する装置とすることができる。こうした場合、プロセッサは、装置の内部にあっても又は外部にあってもよく、ソフトウェア又はファームウェア・アプリケーションの少なくとも一部を実行することができる。更に別の例として、コンポーネントは、機械的部品なしに電子コンポーネントを通じて特定の機能を提供する装置とすることができ、電子コンポーネントは、電子コンポーネントの機能を少なくとも部分的に与えるソフトウェア又はファームウェアを実行するためのプロセッサ又は他の手段を含むことができる。１つの態様において、コンポーネントは、例えば、クラウド・コンピューティング・システム内の仮想マシンを介して電子コンポーネントをエミュレートすることができる。

【0101】

さらに、用語「又は（or）」は、排他的「又は」ではなく包含的「又は」を意味するよう意図される。つまり、特に断らない限り、又は文脈から明らかな場合でない限り、「ＸはＡ又はＢを用いる」は、自然の包含的順列（natural inclusive permutation）のいずれかを意味するように意図される。つまり、ＸはＡを用いる、ＸはＢを用いる、又はＸはＡ及びＢの両方を用いる場合、「ＸはＡ又はＢを用いる」は、上記の例のいずれかにおいて満たされる。さらに、本明細書及び添付図面において使用される冠詞「１つ（「a」及び「an」）」は一般的に、特に断らない限り、又は文脈から単数の形態に向けることが明らかな場合でない限り、「１つ又は複数」を意味するように解釈すべきである。本明細書で用いられる場合、用語「例」もしくは「例示的」又はその両方は、例、事例、又は例証としての役割を果たすことを意味するために用いられる。誤解を避けるために、本明細書に開示される主題は、こうした例に限定されない。さらに、用語「例」もしくは「例示的」又はその両方として本明細書で説明されるいずれの態様又は設計も、他の態様又は設計と比べて好ましい又は有利であると解釈すべきものとは限らず、又は当業者に知られた同等の例示的構造及び技術を排除することを意味するものでもない。

【0102】

本明細書で用いられるとき、用語「プロセッサ」は、これらに限定されるものではないが、シングルコア・プロセッサ、ソフトウェア・マルチスレッド実行能力を有するシングルプロセッサ、マルチコア・プロセッサ、ソフトウェア・マルチスレッド実行能力を有するマルチコア・プロセッサ、ハードウェア・マルチスレッド技術を有するマルチコア・プロセッサ、並列プラットフォーム、及び分散型共有メモリを有する並列プラットフォームを含む、実質的にあらゆるコンピューティング処理ユニット又はデバイスを指すことがある。付加的に、プロセッサは、集積回路、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、デジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ（ＦＰＧＡ）、プログラム可能論理コントローラ（ＰＬＣ）、複合プログラム可能論理回路（complex programmable logic device、ＣＰＬＤ）、ディスクリート・ゲート又はトランジスタ論理、ディスクリート・ハードウェア・コンポーネント、又は本明細書で説明される機能を実施するように設計されたそれらの任意の組み合わせを指すこともある。さらに、プロセッサは、空間使用量を最適化するため又はユーザ機器の性能を高めるために、これらに限定されるものではないが、分子及び量子ドット・ベースのトランジスタン、スイッチ及びゲートのようなナノスケールのアーキテクチャを利用することができる。プロセッサはまた、コンピューティング処理ユニットの組み合わせとして実装することもできる。本開示において、「格納する（store）」、「ストレージ」、「データ・ストア」、「データ・ストレージ」、「データベース」、並びにコンポーネントの動作及び機能に関連した実質的にすべての他の情報ストレージ・コンポーネントなどの用語は、「メモリ・コンポーネント」、「メモリ」内に具体化されたエンティティ、又はメモリを含むコンポーネントを指すために用いられる。本明細書で説明されるメモリもしくはメモリ・コンポーネント又はその両方は、揮発性メモリもしくは不揮発性メモリのいずれかとすることができ、又は揮発性メモリ及び不揮発性メモリの両方を含むことができることを認識されたい。限定ではなく例証として、不揮発性メモリは、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、プログラム可能ＲＯＭ（ＰＲＯＭ）、電気的プログラム可能ＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ）、電気的消去可能ＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）、フラッシュ・メモリ、又は不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）（例えば、強誘電体ＲＡＭ（ＦｅＲＡＭ））を含むことができる。揮発性メモリは、ＲＡＭを含むことができ、これは例えば外部キャッシュ・メモリとして働くことができる。限定ではなく例証として、ＲＡＭは、シンクロナスＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）、ダブル・データ・レートＳＤＲＡＭ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）、エンハンストＳＤＲＡＭ（ＥＳＤＲＡＭ）、Ｓｙｎｃｈｌｉｎｋ ＤＲＡＭ（ＳＬＤＲＡＭ）、Ｄｉｒｅｃｔ Ｒａｍｂｕｓ ＲＡＭ（ＤＲＲＡＭ）、Ｄｉｒｅｃｔ Ｒａｍｂｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ（ＤＲＤＲＡＭ）、及びＲａｍｂｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ ＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）のような多くの形で利用可能である。さらに、システム又はコンピュータ実施方法の開示されたメモリ・コンポーネントは、これら及び他の何れかの好適なタイプのメモリを含むが、これらに限定されないことを意図する。

【0103】

上記で説明してきたことは、システム及びコンピュータ実施方法の単なる例を含むに過ぎない。もちろん、本開示を説明するためにコンポーネント又はコンピュータ実施方法のあらゆる考えられる組み合わせを説明することはできないが、当業者であれば、本開示の多くのさらなる組み合わせ及び並べ換えが可能であることを認識することができる。さらに、用語「含む（include）」、「有する（have）」、「持っている（possess）」等が詳細な説明、特許請求の範囲、及び添付図面に用いられる範囲で、そうした用語は、用語「備える（comprising）」が特許請求の範囲中で移行語として用いられるときに解釈されるように用語「備える（comprising）」と同様に包括的であることが意図されている。種々の実施形態の説明が例証のために提示されたが、網羅的であること又は開示される実施形態を制限することを意図するものではない。当業者には、説明される実施形態の範囲及び趣旨から逸脱することなく、多くの変更及び変形が明らかであろう。本明細書で用いられる用語は、実施形態の原理、実際の用途、又は市場で見出される技術に優る技術の改善を最もよく説明するために、又は、当業者が本明細書で開示される実施形態を理解することができるように、選択された。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】