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特許7452092レーザ加工装置、レーザ加工方法、およびレーザ加工装置の制御方法
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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-11
(45)【発行日】2024-03-19
(54)【発明の名称】レーザ加工装置、レーザ加工方法、およびレーザ加工装置の制御方法
(51)【国際特許分類】
   B23K 26/00 20140101AFI20240312BHJP
   B23K 26/064 20140101ALI20240312BHJP
   B23K 26/38 20140101ALI20240312BHJP
   B23K 26/351 20140101ALI20240312BHJP
【FI】
B23K26/00 N
B23K26/064 A
B23K26/38 A
B23K26/351
【請求項の数】 5
(21)【出願番号】P 2020031785
(22)【出願日】2020-02-27
(65)【公開番号】P2021133399
(43)【公開日】2021-09-13
【審査請求日】2022-10-19
(73)【特許権者】
【識別番号】000003609
【氏名又は名称】株式会社豊田中央研究所
(74)【代理人】
【識別番号】100160691
【弁理士】
【氏名又は名称】田邊 淳也
(74)【代理人】
【識別番号】100157277
【弁理士】
【氏名又は名称】板倉 幸恵
(74)【代理人】
【識別番号】100182718
【弁理士】
【氏名又は名称】木崎 誠司
(72)【発明者】
【氏名】加藤 元
(72)【発明者】
【氏名】大島 正
(72)【発明者】
【氏名】長谷川 和男
(72)【発明者】
【氏名】加藤 覚
【審査官】松田 長親
(56)【参考文献】
【文献】特開2011-245496(JP,A)
【文献】特開2005-238291(JP,A)
【文献】特開2007-014993(JP,A)
【文献】特開2003-101188(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
B23K 26/00-26/70
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
レーザ加工装置であって、
レーザ光を照射するレーザ発振部と、
被加工物に対するレーザ光の照射位置を走査する走査部と、
前記レーザ発振部から照射されるレーザ光のエネルギー密度およびビーム径を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記被加工物の所定箇所に対して、エネルギー密度とビーム径との第1の組み合わせで前記レーザ光を照射させ、
前記被加工物の前記所定箇所に対して、前記第1の組み合わせと比較して、前記レーザ光のエネルギー密度を高くし、かつ、前記レーザ光のビーム径を狭くした第2の組み合わせで前記レーザ光を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光と同時に照射させ、
前記第2の組み合わせのビーム径の範囲を前記第1の組み合わせのビーム径の範囲内に配置し
ーザ加工の走査方向に沿って、前記第2の組み合わせの前記レーザ光の光軸を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光の光軸の後方側に配置
前記被加工物は、金属箔と、前記金属箔の表面に形成された活物質層であって、切断に要するレーザ光のエネルギー密度が前記金属箔よりも小さい活物質層と、を含み、
前記制御部は、
前記第1の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記活物質層を切断可能、かつ、前記金属箔を切断不可能なエネルギー密度とし、
前記第2の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記金属箔を切断可能なエネルギー密度以上にする、レーザ加工装置。
【請求項2】
請求項1に記載のレーザ加工装置であって、
前記制御部は、前記第1の組み合わせにおいて、前記第2の組み合わせと比較して、前記レーザ光のビーム径を1.5倍以上とする、レーザ加工装置。
【請求項3】
請求項1または請求項2に記載のレーザ加工装置であって、さらに、
前記レーザ光のビーム径を変更するレーザ集光径調整部を備え、
前記制御部は、前記レーザ集光径調整部に前記レーザ光のビーム径を変更させる、レーザ加工装置。
【請求項4】
レーザ加工方法であって、
エネルギー密度とビーム径とが第1の組み合わせのレーザ光を照射する第1照射工程と、
被加工物の所定箇所に対して、前記第1の組み合わせの前記レーザ光の照射位置を走査する第1走査工程と、
前記第1の組み合わせと比較して、前記レーザ光のエネルギー密度を高くし、かつ、前記レーザ光のビーム径を狭くした第2の組み合わせの前記レーザ光を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光と同時に照射する第2照射工程と、
前記被加工物の前記所定箇所に対して、前記第2の組み合わせの前記レーザ光の照射位置を、前記第1走査工程と同時に走査する第2走査工程と、
を備え、
前記第2照射工程は、前記第2の組み合わせのビーム径の範囲を前記第1の組み合わせのビーム径の範囲内に配置し、
前記第2走査工程は、前記第1走査工程におけるレーザ加工の走査方向に沿って、前記第2の組み合わせの前記レーザ光の光軸を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光の光軸の後方側に配置
前記被加工物は、金属箔と、前記金属箔の表面に形成された活物質層であって、切断に要するレーザ光のエネルギー密度が前記金属箔よりも小さい活物質層と、を含み、
前記第1照射工程は、前記第1の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記活物質層を切断可能、かつ、前記金属箔を切断不可能なエネルギー密度とし、
前記第2照射工程は、前記第2の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記金属箔を切断可能なエネルギー密度以上にする、レーザ加工方法。
【請求項5】
レーザ光を照射するレーザ発振部と、被加工物に対するレーザ光の照射位置を走査する走査部と、を備えるレーザ加工装置の制御方法であって、
前記レーザ発振部が、エネルギー密度とビーム径とが第1の組み合わせのレーザ光を照射する第1照射工程と、
前記被加工物の所定箇所に対して、前記第1の組み合わせの前記レーザ光の照射位置を走査する第1走査工程と、
前記レーザ発振部が、前記第1の組み合わせと比較して、前記レーザ光のエネルギー密度を高くし、かつ、前記レーザ光のビーム径を狭くした第2の組み合わせの前記レーザ光を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光と同時に照射する第2照射工程と、
前記走査部が、前記被加工物の前記所定箇所に対して、前記第2の組み合わせの前記レーザ光の照射位置を、前記第1走査工程と同時に走査する第2走査工程と、
を備え、
前記第2照射工程は、前記第2の組み合わせのビーム径の範囲を前記第1の組み合わせのビーム径の範囲内に配置し、
前記第2走査工程は、前記第1走査工程におけるレーザ加工の走査方向に沿って、前記第2の組み合わせの前記レーザ光の光軸を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光の光軸の後方側に配置
前記被加工物は、金属箔と、前記金属箔の表面に形成された活物質層であって、切断に要するレーザ光のエネルギー密度が前記金属箔よりも小さい活物質層と、を含み、
前記第1照射工程は、前記第1の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記活物質層を切断可能、かつ、前記金属箔を切断不可能なエネルギー密度とし、
前記第2照射工程は、前記第2の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記金属箔を切断可能なエネルギー密度以上にする、レーザ加工装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、レーザ加工装置、レーザ加工方法、およびレーザ加工装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【0002】
レーザ加工により、多層の被加工物を切断加工する技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。特許文献1に記載された加工方法では、複数の樹脂層が積層された積層フィルムに対して、波長の異なる複数のレーザ光を走査させることにより、積層フィルムを切断している。特許文献2のレーザ加工方法では、1つのレーザ光が複数の分岐レーザ光に分岐し、積層体の異なる層がそれぞれの分岐レーザ光によって除去される。特許文献3に記載されたレーザ加工装置は、複数のレーザ発振源の各光束を集光して被加工物に複数の集光点を形成し、複数の集光点の少なくとも一部を重なるように制御している。特許文献4に記載されたレーザ加工装置は、2つのパルスレーザ光を使用して、被加工物に応じて2つのパルスレーザ光のずれ時間を制御している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開2019-98400号公報
【文献】特開2017-69243号公報
【文献】特開2017-170454号公報
【文献】特開2013-94845号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
特許文献1ないし特許文献4に記載された技術では、異なるレーザ光を空間的または時間的に変化させたり、被加工物に応じてレーザ光の波長を変化させることにより、加工品質の向上および被加工物に照射する総エネルギーが低減されている。しかしながら、異なるレーザ光を重畳する場合には、複数のレーザ光を用意しなければならず、コストが増加してしまう。また、レーザ光を複数の分岐レーザ光に変化させると、各分岐レーザ光のエネルギーが低下してしまい、レーザ発振源の特性を十分に活かすことができない。そのため、レーザ光のエネルギー効率を高めた上で、多層の被加工物の加工品質を向上させたいという要望がある。
【0005】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、レーザ光のエネルギー効率を高めた上で、レーザ光による多層の被加工物の加工品質を向上させる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。レーザ加工装置であって、レーザ光を照射するレーザ発振部と、被加工物に対するレーザ光の照射位置を走査する走査部と、前記レーザ発振部から照射されるレーザ光のエネルギー密度およびビーム径を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記被加工物の所定箇所に対して、エネルギー密度とビーム径との第1の組み合わせで前記レーザ光を照射させ、前記被加工物の前記所定箇所に対して、前記第1の組み合わせと比較して、前記レーザ光のエネルギー密度を高くし、かつ、前記レーザ光のビーム径を狭くした第2の組み合わせで前記レーザ光を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光と同時に照射させ、前記第2の組み合わせのビーム径の範囲を前記第1の組み合わせのビーム径の範囲内に配置し、レーザ加工の走査方向に沿って、前記第2の組み合わせの前記レーザ光の光軸を、前記第1の組み合わせの前記レーザ光の光軸の後方側に配置前記被加工物は、金属箔と、前記金属箔の表面に形成された活物質層であって、切断に要するレーザ光のエネルギー密度が前記金属箔よりも小さい活物質層と、を含み、前記制御部は、前記第1の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記活物質層を切断可能、かつ、前記金属箔を切断不可能なエネルギー密度とし、前記第2の組み合わせにおける前記レーザ光のエネルギー密度を、前記金属箔を切断可能なエネルギー密度以上にする、レーザ加工装置。そのほか、本発明は、以下の形態としても実現可能である。
【0007】
(1)本発明の一形態によれば、レーザ加工装置が提供される。このレーザ加工装置は、レーザ光を照射するレーザ発振部と、被加工物に対するレーザ光の照射位置を走査する走査部と、前記レーザ発振部から照射されるレーザ光のエネルギー密度およびビーム径を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記被加工物の所定箇所に対して、エネルギー密度とビーム径との第1の組み合わせで前記レーザ光を照射させたのち、前記被加工物の前記所定箇所に対して、前記第1の組み合わせとはエネルギー密度とビーム径との少なくとも一方が異なる第2の組み合わせで再び前記レーザ光を照射させる。
【0008】
この構成によれば、例えば、異なる材質の材料が積層された被加工物内の各積層体に対して、材質に応じて照射されるレーザ光のエネルギー密度およびビーム径が変化する。これにより、各積層体の材質に応じて最適な条件を有するレーザ光が、各積層体を加工する。その結果、被加工物に照射されるレーザ光のエネルギー量の総量の低減、すなわち、レーザ加工装置のエネルギー効率が向上する。さらに、被加工物の加工部分が最適な条件で加工されるため、被加工物における加工品質が向上する。
【0009】
(2)上記形態のレーザ加工装置において、前記制御部は、前記第1の組み合わせにおいて、前記第2の組み合わせと比較して、前記レーザ光のエネルギー密度を低くし、かつ、前記レーザ光のビーム径を広くしてもよい。
この構成によれば、被加工物が、例えば集電体のように、芯材の加工に必要なレーザ光のエネルギー密度が異なる場合に、同じレーザ発振源を用いてビーム径を変化させることにより、加工箇所に応じたレーザ光のエネルギー密度に変化させることができる。
【0010】
(3)上記形態のレーザ加工装置において、前記制御部は、前記第1の組み合わせにおいて、前記第2の組み合わせと比較して、前記レーザ光のビーム径を1.5倍以上としてもよい。
この構成によれば、被加工物が、例えば集電体のように、芯材の加工と芯材の表面を覆う材料の加工とに必要なレーザ光のエネルギー密度が異なる場合に、加工しやすい表面の材料を広く除去でき、加工品質が向上する。
【0011】
(4)上記形態のレーザ加工装置において、さらに、レーザ光のビーム径を変更するレーザ集光径調整部を備え、前記制御部は、前記レーザ集光径調整部にレーザ光のビーム径を変更させてもよい。
この構成では、レーザ集光径調整部がビーム径を変更することにより、レーザ光のビーム径を瞬時に変更できる。これにより、制御部は、レーザ発振源などを制御せずに、第1の組み合わせのレーザ光から、第2の組み合わせのレーザ光へと瞬時に切り替えることができる。
【0012】
(5)上記形態のレーザ加工装置において、前記被加工物は、金属箔と、前記金属箔の表面に形成された活物質層であって、切断に要するレーザ光のエネルギー密度が前記金属箔よりも小さい活物質層と、を含み、前記制御部は、前記第1の組み合わせにおけるレーザ光のエネルギー密度を、前記活物質層を切断可能、かつ、前記金属箔を切断不可能なエネルギー密度とし、前記第2の組み合わせにおけるレーザ光のエネルギー密度を、前記金属箔を切断可能なエネルギー密度以上にしてもよい。
この構成によれば、第1の組み合わせのレーザ光が照射された際に活物質層が除去されているため、金属箔の切断時に、活物質層の飛散活物質からプルームが発生しない。これにより、金属箔の切断時に、レーザ光がプルームに吸収されないため、被加工物に照射されるエネルギー量の効率を高めることができ、被加工物の切断品質が向上する。
【0013】
なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、レーザ加工装置、切断装置、積層体加工装置、積層体製造システム、レーザ加工方法、および、これら装置、システム、および方法を実行するためのコンピュータプログラム、このコンピュータプログラムを配布するためのサーバ装置、コンピュータプログラムを記憶した一時的でない記憶媒体等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
図1】本発明の実施形態としてのレーザ加工装置の概略ブロック図である。
図2】被加工物の概略断面図である。
図3】第1の組み合わせの第1レーザ光が照射されている場合の被加工物の概略断面図である。
図4】第2の組み合わせの第2レーザ光を照射するレーザ加工装置の概略ブロック図である。
図5】第2の組み合わせの第2レーザ光が照射されている場合の被加工物の概略断面図である。
図6】レーザ加工装置を用いたレーザ加工方法のフローチャートである。
図7】比較例のレーザ光が照射されている場合の被加工物の概略断面図である。
図8】被加工物を加工するために必要なエネルギー量の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0015】
<実施形態>
図1は、本発明の実施形態としてのレーザ加工装置10の概略ブロック図である。レーザ加工装置10は、レーザ発振源1から照射されたレーザ光LZを加工対象である被加工物OBに照射することにより、被加工物OBを任意の形状に切断する装置である。図1に示されるように、レーザ加工装置10は、レーザ光を照射するレーザ発振源(レーザ発振部)1と、レーザ発振源1から照射されたレーザ光を平行光に調整するレーザビーム径調整部2と、レーザビーム径調整部2により平行光に調整されたレーザ光のビーム径を変更可能なレーザ集光径調整部3と、レーザ集光径調整部3により調整されたレーザ光LZが被加工物OBに照射される照射位置を走査する走査部4と、レーザ発振源1とレーザ集光径調整部3と走査部4とを制御する制御部5と、を備えている。
【0016】
レーザ集光径調整部3が有する光学系は、内部のレンズ間距離を変化させることにより、入射する平行光のビーム径を変化させる。例えば、レーザ集光径調整部3は、レーザビーム径調整部2を介して入射する平行光のレーザ光の直径を小さくすることにより、走査部4が走査するレーザ光LZのビーム径を大きくする。制御部5は、レーザ発振源1を制御することにより、レーザ発振源1から照射されるレーザ光のエネルギー量を調整する。制御部5は、例えば、レーザ集光径調整部3が有する光学系をレーザ光の光軸から外すことにより、最もビーム径を絞れる平行ビーム径を走査部4へと入射させることもできる。
【0017】
なお、図1および図2以降に示されるX軸,Y軸,Z軸で構成される直交座標系CSは、それぞれ対応している直交座標系と同じである。本明細書では、被加工物OBにおけるZ軸に平行な方向を厚さ方向とも呼ぶ。
【0018】
図2は、被加工物OBの概略断面図である。図2には、被加工物OBである集電体が拡大された概略断面図が示されている。本実施形態の被加工物OBは、金属箔MFと、厚さ方向において金属箔MFの一方のZ軸正方向側の面に形成された上面活物質層AM1と、金属箔MFの他方の面に形成された下面活物質層AM2と、を備えている。本実施形態の被加工物OBにおける金属箔MFとして、例えば、アルミ箔や銅箔が用いられる。また、活物質層AM1,AM2の材料として、有機物、複合酸化物、およびグラファイトなどが用いられる。レーザ光で被加工物OBを切断する場合に、活物質層AM1,AM2の切断に要するレーザ光のエネルギー密度は、金属箔MFの切断に要するレーザ光のエネルギー密度よりも小さい。本実施形態の金属箔MFの厚さは、約10μmであり、活物質層AM1,AM2の厚さは、約40μmであるが、他の実施形態では異なる寸法であってもよい。
【0019】
本実施形態の制御部5は、レーザ光を照射する側に配置される活物質層AM1の切断時および金属箔MFの切断時において、レーザ光におけるエネルギー密度とビーム径との組み合わせを変化させている。具体的には、制御部5は、被加工物OBの上面活物質層AM1を除去する際に、被加工物OBの所定箇所に対して、第1エネルギー密度と第1ビーム径との第1の組み合わせを有する第1レーザ光LZ1を照射する。本実施形態の所定箇所は、被加工物OBを切断する位置である。
【0020】
図3は、第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1が照射されている場合の被加工物OBの概略断面図である。図3には、第1レーザ光LZ1の照射によって上面活物質層AM1が除去されている状態が拡大されて示されている。図3に示されるように、上面活物質層AM1の除去時には、飛散活物質からプルームPLが発生する。
【0021】
本実施形態では、第1レーザ光LZ1のビーム径が100μmであり、プルームPLは、第1レーザ光LZ1の照射点を中心として約500μmの領域に形成される。制御部5は、第1レーザ光LZ1の第1エネルギー密度を、上面活物質層AM1を除去可能、かつ、金属箔MFを切断不可能なエネルギー密度に制御している。プルームPLは、第1レーザ光LZ1を吸収し、レーザ光による被加工物OBの加工を妨げる性質を有している。
【0022】
図4は、第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2を照射するレーザ加工装置10の概略ブロック図である。図4に示されるように、制御部5は、上面活物質層AM1が除去された除去部P1に対して、第1の組み合わせとは異なる第2エネルギー密度と第2ビーム径との第2の組み合わせを有する第2レーザ光LZ2を切断箇所P2に照射する。制御部5は、レーザ集光径調整部3の光学系を制御することにより、第2エネルギー密度を第1エネルギー密度よりも高くすると共に、第2ビーム径を第1ビーム径よりも小さくする。
【0023】
本実施形態では、制御部5は、第1レーザ光LZ1の第2ビーム径が第2レーザ光LZ2のビーム径の1.5倍以上になるように制御する。なお、除去部P1の中心線上(第1レーザ光LZ1の光軸の軌跡)と、切断箇所P2の中心線上(第2レーザ光LZ2の光軸の軌跡)とは、同一である。本明細書における「同一」および「同じ」とは、全く同じではなく、公差等の誤差を含んでいる。
【0024】
図5は、第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2が照射されている場合の被加工物OBの概略断面図である。図5には、第2レーザ光LZ2の照射によって、上面活物質層AM1の除去後に、金属箔MFおよび下面活物質層AM2が切断されている状態が、拡大されて示されている。本実施形態では、第2レーザ光LZ2のビーム径は、20μmであり、第1レーザ光LZ1のビーム径の1/5倍である。第2レーザ光LZ2の第2エネルギー密度は、金属箔MFを切断可能なエネルギー密度であり、第1レーザ光LZ1のエネルギー密度よりも高い。そのため、第2レーザ光LZ2は、金属箔MFの切断と共に、下面活物質層AM2を除去する。
【0025】
第2レーザ光LZ2の光軸は、第1レーザ光LZ1の光軸と同じであり、かつ、第2レーザ光LZ2のビーム径の方が第1レーザ光LZ1よりも小さい。これにより、第2レーザ光LZ2が上面活物質層AM1に照射されないため、上面活物質層AM1がプルームPLとして発生せずに済む。なお、図5では、下面活物質層AM2の除去時に、金属箔MFに対してZ軸負方向側に発生するプルームの図示が省略されている。
【0026】
図6は、レーザ加工装置10を用いたレーザ加工方法のフローチャートである。図6に示されるように、レーザ加工方法では、初めに、加工対象である被加工物OBがレーザ加工可能な位置に配置される(ステップS1)。制御部5は、エネルギー密度およびビーム径が第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1をレーザ発振源1から照射させる第1照射工程を行う(ステップS2)。制御部5は、走査部4を制御することにより、被加工物OBの上面活物質層AM1を除去したい所定箇所に対して、第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1を照射し、照射位置を走査する第1走査工程を行う(ステップS3)。
【0027】
第1走査工程後に、制御部5は、エネルギー密度およびビーム径が第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2をレーザ発振源1から照射させる第2照射工程を行う(ステップS4)。制御部5は、走査部4を制御することにより、上面活物質層AM1が除去された被加工物OBの除去部P1に対して、第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2を照射し、照射位置を走査する第2走査工程を行う(ステップS5)。被加工物OBに対する第2レーザ光LZ2の照射により、被加工物OBが切断され、制御部5は、レーザ加工方法を終了する。
【0028】
図7は、比較例のレーザ光LZxが照射されている場合の被加工物OBの概略断面図である。比較例では、活物質層AM1,AM2および金属箔MFを1度のレーザ光で切断可能なエネルギー密度を有する比較例のレーザ光LZxが、被加工物OBに照射される。図7に拡大されて示されるように、上面活物質層AM1が除去されていない被加工物OBに比較例のレーザ光LZxが照射されると、プルームPLが発生する。プルームPLは、比較例のレーザ光LZxのエネルギー量を減衰させる。そのため、比較例のレーザ光LZxのエネルギー量は、金属箔MFを切断するためのエネルギー量に加え、プルームPLにより低減されるエネルギー量も必要とする。また、プルームPLによって被加工物OBの効率的な切断が妨げられると、金属箔MFを切断するために長時間レーザ光LZxが照射される。これにより、加工面に長時間熱が加わるため、酸化物の発生によって加工面が変質して切断品質が悪化する場合がある。
【0029】
図8は、被加工物OBを加工するために必要なエネルギー量の説明図である。図8には、上記実施形態の加工方法(図6)で被加工物OBを切断した実施例の場合と、比較例の加工方法で被加工物OBを切断した場合とにおいて、加工時に必要となる単位面積当たりに投入されたエネルギー量の平均が示されている。図8に示されるように、実施例のエネルギー量は、上面活物質層AM1除去時の第1レーザ光LZ1のエネルギー量と、金属箔MFの切断時の第2レーザ光LZ2のエネルギー量と、の合計である。
【0030】
一方で、比較例のエネルギー量は、図7に示される加工方法で、活物質層AM1,AM2および金属箔MFを同時に切断した場合のレーザ光LZxのエネルギー量である。図8に示されるように、本実施例の加工方法のエネルギー量は、金属箔MFの切断時に比較例の加工方法と異なり、除去された上面活物質層AM1に起因するプルームPLによって吸収されないため、約14%比較例のエネルギー量よりも低減されている。すなわち、本実施例の加工方法のエネルギー効率は、比較例の加工方法よりも向上している。
【0031】
以上説明したように、本実施形態のレーザ加工装置10では、制御部5は、被加工物OBの切断箇所に対して、第1エネルギー密度と第1ビーム径との第1の組み合わせを有する第1レーザ光LZ1を照射する。また、制御部5は、被加工物OBの切断箇所に対して、第2エネルギー密度と第2ビーム径との第2の組み合わせを有する第2レーザ光LZ2を照射する。すなわち、本実施形態のレーザ加工装置10は、例えば集電体のように異なる材質が積層された被加工物OB内の積層体の材質に応じてエネルギー密度とビーム径とを変化させる。これにより、レーザ光LZは、各積層体の加工時に発生するプルームPLなどの影響を受けずに、各積層体を加工できる。その結果、被加工物OBに照射されるエネルギー量の総量を低減、すなわち、エネルギー効率を高めることができる。さらに、被加工物OBの加工部分(例えば、切断部分)がプルームPLなどの影響を受けないため、加工品質が向上する。
【0032】
また、本実施形態の制御部5は、第1レーザ光LZ1のエネルギー密度を第2レーザ光LZ2のエネルギー密度よりも低くし、かつ、第1レーザ光LZ1のビーム径を第2レーザ光LZ2のビーム径よりも広くする。被加工物OBが、例えば集電体のように、芯材である金属箔MFの加工に必要なエネルギー密度が高い場合に、制御部5は、同じレーザ発振源1を用いてビーム径を変化させることで、エネルギー密度を変化させることができる。
【0033】
また、本実施形態の制御部5は、第1レーザ光LZ1のビーム径を、第2レーザ光LZ2のビーム径の5倍(>1.5倍)に設定している。そのため、被加工物OBが、例えば集電体のように、金属箔MFの切断と金属箔MFの表面を覆う活物質層AM1,AM2との切断に必要なレーザ光LZのエネルギー密度が異なる場合に、加工しやすい活物質層AM1,AM2を広く除去でき、被加工物OBの切断品質が向上する。
【0034】
また、本実施形態のレーザ加工装置10は、レーザ光LZのビーム径を変更できるレーザ集光径調整部3を備えている。そのため、制御部5は、レーザ集光径調整部3を制御することにより、レーザ光LZのビーム径を瞬時に変更できる。これにより、制御部5は、レーザ発振源1などを制御せずに、第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1から、第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2へと瞬時に切り替えることができる。
【0035】
また、本実施形態の被加工物OBは、金属箔MFと、切断に要するレーザ光LZのエネルギー密度が金属箔MFよりも低い活物質層AM1,AM2とを含んでいる。さらに、制御部5は、第1レーザ光LZ1のエネルギー密度を活物質層AM1,AM2を切断可能、かつ、金属箔MFを切断不可能なエネルギー密度にする。また、制御部5は、第2レーザ光LZ2のエネルギー密度を、金属箔MFを切断可能なエネルギー密度にする。そのため、第1レーザ光LZ1の照射時に上面活物質層AM1が除去されているため、金属箔MFの切断時に、上面活物質層AM1の飛散活物質からプルームPLが発生しない。これにより、金属箔MFの切断時に、レーザ光LZがプルームPLに吸収されないため、被加工物OBに照射されるエネルギー量の効率を高めることができ、被加工物OBの切断品質が向上する。
【0036】
<本実施形態の変形例>
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【0037】
上記実施形態では、被加工物OBの所定箇所に、第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1と、第1の組み合わせとは異なる第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2とを照射する加工装置10の一例について説明したが、加工装置10の各種構成は種々変形可能である。例えば、第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1のエネルギー密度の方が、第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2のエネルギー密度よりも高くてもよい。また、第2レーザ光LZ2のエネルギー密度が第1レーザ光LZ1よりも高く、かつ、第2レーザ光LZ2のビーム径が第1レーザ光LZ1よりも広くてもよい。また、第1レーザ光LZ1と第2レーザ光LZ2とのエネルギー密度が同じで、第2レーザ光LZ2のビーム径が第1レーザ光LZ1よりも広くてもよい。このように、第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1と、第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2とにおいて、エネルギー密度とビーム径との少なくとも一方が異なっていればよい。
【0038】
上記実施形態では、第1の組み合わせの第1レーザ光LZ1のビーム径は、第2の組み合わせの第2レーザ光LZ2のビーム径の5倍(>1.5倍)であったが、第1レーザ光LZ1と第2レーザ光LZ2とにおけるビーム径の比率は、5倍よりも大きくてもよいし、5倍よりも小さくてもよい。第1レーザ光LZ1のビーム径は、第2レーザ光LZ2のビーム径の1.5倍以上が好ましい。なお、レーザ光LZの強度をガウス関数とみなす場合、レーザ光LZのビーム径は、最大強度に対して(1/e2)の強度となる径として定義される。このビーム径と強度との関係が用いられ、活物質層AM1,AM2の材質および金属箔MFの材質に応じて、ビーム径と強度とが制御されてもよい。
【0039】
上記実施形態の制御部5は、レーザ集光径調整部3を制御することにより、被加工物OBに照射されるレーザ光LZのビーム径を変更させていたが、ビーム径およびエネルギー密度の制御方法については、種々変形可能である。例えば、制御部5は、被加工物OBに照射するレーザ光LZの焦点距離を変化させることにより、レーザ光LZのエネルギー密度およびビーム径を変更してもよい。
【0040】
また、加工装置10は、レーザ集光径調整部3を備えていなくてもよい。この場合に、制御部5は、レーザ発振源1と走査部4との少なくとも一方を制御することにより、レーザ光LZのエネルギー密度およびビーム径を制御してもよい。制御部5は、走査部4と一体で構成されていてもよい。この場合に、制御部5は、レーザ発振源1およびレーザ集光径調整部3を制御せずに、走査部4を制御することにより、レーザ光LZのエネルギー密度およびビーム径を変更してもよい。
【0041】
上記実施形態の被加工物OBである集電体は、被加工物の一例であり、レーザ加工装置10が加工する被加工物については、種々変形可能である。例えば、金属箔MFおよび活物質層AM1,AM2以外の材料も積層された集電体であってもよいし、集電体とは全く異なる2種以上の材料で構成された被加工物OBであってもよい。レーザ加工装置10は、異なる2つの条件である第1の組み合わせと第2の組み合わせとのレーザ光LZを照射することにより、種々の被加工物OBを加工できる。
【0042】
上記実施形態の加工装置10は、図6の第1走査工程(ステップS3)と第2走査工程(ステップS5)との2工程で行われる、いわゆる2パス(2 path)のレーザ光LZの切断加工であったが、1パスの工程で加工されてもよいし、3パス以上の工程で加工されてもよい。1パスの工程で加工する方法としては、例えばエネルギー密度分布制御が挙げられる。エネルギー密度分布制御では、制御部5は、第1レーザ光LZ1の内、第1レーザ光LZ1の走査方向に沿って後方側に、第2レーザ光LZ2が位置するように制御してもよい。
【0043】
以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。
【符号の説明】
【0044】
1…レーザ発振源(レーザ発振部)
2…レーザビーム径調整部
3…レーザ集光径調整部
4…走査部
5…制御部
10…レーザ加工装置
AM1…上面活物質層
AM2…下面活物質層
CS…直交座標系
LZ,LZx…レーザ光
LZ1…第1レーザ光
LZ2…第2レーザ光
MF…金属箔
OB…被加工物
P1…除去部
P2…切断箇所
PL…プルーム
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8