特許 7452487 電子部品の結露試験方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-11

(45)【発行日】2024-03-19

(54)【発明の名称】電子部品の結露試験方法

(51)【国際特許分類】

   G01N 17/00 20060101AFI20240312BHJP

   G01N 21/17 20060101ALI20240312BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20240312BHJP

【ＦＩ】

G01N17/00

G01N21/17 E

G01N21/17 A

G01R31/26 Z

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2021072031

(22)【出願日】2021-04-21

(65)【公開番号】P2022166668

(43)【公開日】2022-11-02

【審査請求日】2022-11-17

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100145713

【弁理士】

【氏名又は名称】加藤 竜太

(74)【代理人】

【識別番号】100165157

【弁理士】

【氏名又は名称】芝 哲央

(72)【発明者】

【氏名】小島 孝弘

(72)【発明者】

【氏名】三木 俊裕

【審査官】前田 敏行

(56)【参考文献】

【文献】特開平１０－０７８３８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１７０８７５（ＪＰ，Ａ）

【文献】再公表特許第２０１０／１２５７４８（ＪＰ，Ａ１）

【文献】特開２０１７－１３５２３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－２３０２９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２００８／０１８６０４３（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｎ １７／００

Ｇ０１Ｎ ２１／１７

Ｇ０１Ｒ ３１／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

積層セラミック電子部品の結露試験方法であって、
温度および湿度を調整可能な試験槽内に積層セラミック電子部品を配置する配置工程と、
前記積層セラミック電子部品の表面温度を露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させると共に、前記積層セラミック電子部品の表面に結露を生じさせる冷却工程と、
前記積層セラミック電子部品の表面温度を露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させると共に、前記積層セラミック電子部品の表面に付着した結露を乾燥除去する加熱工程と、
前記積層セラミック電子部品の表面の画像を取得する画像取得工程と、
前記取得した画像を評価する評価工程と、を備え、
前記冷却工程と、前記加熱工程とは、交互に繰り返し行われ、
前記画像取得工程は、冷却工程後の加熱工程における前記積層セラミック電子部品の表面温度が露点以上になった後であって、前記積層セラミック電子部品の表面温度が露点以下になる前に、表面から結露が除去された状態の前記積層セラミック電子部品の表面の画像を結露除去後画像として取得し、
前記評価工程は、前記結露除去後画像に基づき、前記積層セラミック電子部品の状態を評価し、
前記試験槽は、試料台を有し、
前記積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層および複数の内部導体層を含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有し、
前記積層セラミック電子部品は、基板に実装された状態で、前記試料台に載置され、
前記基板は、基板本体と、配線部材と、を有し、
前記基板本体は、前記基板本体に対向して配置される前記積層セラミック電子部品の第１の主面または第２の主面の面積の６倍以上３７０倍以下であり、
前記積層セラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に設けられた少なくとも２つの外部電極を有し、
前記評価工程は、前記少なくとも２つの外部電極の領域と、前記少なくとも２つ外部電極の間に位置するセラミック素体の表面の領域を判別し、前記結露除去後画像における、前記少なくとも２つ外部電極の間に位置する前記セラミック素体の表面の領域の画像情報に基づき、結露が除去された前記セラミック素体の表面の異常の発生有無を判定し、
前記画像取得工程はさらに、冷却工程において前記積層セラミック電子部品の表面温度が露点以下になった後であって、次の加熱工程において前記積層セラミック電子部品の表面温度が露点以上になる前に、表面に結露が生じている状態の積層セラミック電子部品の画像を結露画像として取得し、
前記評価工程は、前記結露画像における、前記セラミック素体の表面に付着している水滴の周縁部の位置と、前記結露除去後画像における結露が除去された前記セラミック素体の表面の異常部の位置と、に基づき、前記積層セラミック電子部品の状態を評価する、積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項2】

繰り返し交互に行われる前記冷却工程および前記加熱工程のうち、１回の冷却工程と１回の加熱工程のセットを１サイクルとしたとき、
前記画像取得工程はさらに、前記結露除去後画像の取得タイミングよりも少なくとも１サイクル以上前のタイミングで取得された、表面が結露していない状態の前記積層セラミック電子部品の画像を参照画像として取得し、
前記評価工程は、前記参照画像と、前記結露除去後画像との比較結果に基づき、前記積層セラミック電子部品の状態を評価する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項3】

画像が取得されたタイミングを示すタイミング情報と、画像とを紐づけて記憶する紐付け工程をさらに備え、
前記評価工程において、前記タイミング情報に基づき、取得された複数の画像の中から、前記結露除去後画像が識別される、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項4】

前記積層セラミック電子部品に電圧を印加する電圧印加工程と、
前記電圧印加工程において印加される電圧に基づいて得られる前記積層セラミック電子部品の電気特性情報を取得する電気特性情報取得工程をさらに備え、
前記評価工程は、前記電気特性情報と、前記結露除去後画像とに基づき、前記積層セラミック電子部品の状態を評価する、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項5】

前記試験槽内の空気は、２５℃以上３５℃以下の範囲内に設定された目標温度に近づくように制御され、かつ４８％ＲＨ以上６２％ＲＨ以下の範囲内に設定された目標湿度に近づくように制御される、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項6】

前記試験槽は、加熱冷却部を有し、
前記配置工程において、前記積層セラミック電子部品は前記加熱冷却部に配置される、請求項１～５のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項7】

前記加熱冷却部は、ペルチェ素子を有する、請求項６に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項8】

前記冷却工程において、前記加熱冷却部の温度が、露点よりも高い温度から０℃以上１２℃以下の範囲内の温度に下降するように制御される、請求項６または請求項７に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項9】

前記加熱工程において、前記加熱冷却部の温度が、露点よりも低い温度から４０℃以上５０℃以下の範囲内の温度に上昇するように制御される、請求項６～８のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項10】

前記冷却工程の期間は２分以上１０分以下であり、
前記加熱工程の期間は２分以上１０分以下である、請求項１～９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項11】

前記冷却工程および前記加熱工程はそれぞれ、４０回以上６０回以下実施される、請求項１～９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項12】

前記積層セラミック電子部品の種類またはサイズに関する情報を入力する入力工程をさらに含み、
前記冷却工程における、前記加熱冷却部による前記積層セラミック電子部品の冷却条件は、前記入力工程において入力された入力情報に基づき、調整される、請求項６～９のいずれか１項に記載の積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【請求項13】

積層セラミック電子部品の結露試験方法であって、
温度および湿度を調整可能な試験槽内に積層セラミック電子部品を配置する配置工程と、
前記積層セラミック電子部品の表面温度を露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させると共に、前記積層セラミック電子部品の表面に結露を生じさせる冷却工程と、
前記積層セラミック電子部品の表面温度を露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させると共に、前記積層セラミック電子部品の表面に付着した結露を乾燥除去する加熱工程と、
前記積層セラミック電子部品の表面の画像を取得する画像取得工程と、
前記取得した画像を評価する評価工程と、を備え、
前記試験槽内の空気は、２５℃以上３５℃以下の範囲内に設定された目標温度に近づくように制御され、かつ４８％ＲＨ以上６２％ＲＨ以下の範囲内に設定された目標湿度に近づくように制御され、
前記冷却工程と、前記加熱工程とは、交互に繰り返し行われ、
前記冷却工程において、前記試験槽内の前記積層セラミック電子部品が配置された加熱冷却部の温度が、露点よりも高い温度から０℃以上１２℃以下の温度に下降するように制御され、
前記加熱工程において、前記試験槽内の前記積層セラミック電子部品が配置された加熱冷却部の温度が、露点よりも低い温度から４０℃以上５０℃以下の温度に上昇するように制御され、
前記冷却工程の期間は２分以上１０分以下であり、
前記加熱工程の期間は２分以上１０分以下であり、
前記評価工程は、表面から結露が除去された状態の前記積層セラミック電子部品の表面の結露除去後画像または表面に結露が生じている状態の前記積層セラミック電子部品の結露画像に基づき、前記積層セラミック電子部品の状態を評価し、
前記試験槽は、試料台を有し、
前記積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層および複数の内部導体層を含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有し、
前記積層セラミック電子部品は、基板に実装された状態で、前記試料台に載置され、
前記基板は、基板本体と、配線部材と、を有し、
前記基板本体は、前記基板本体に対向して配置される前記積層セラミック電子部品の第１の主面または第２の主面の面積の６倍以上３７０倍以下であり、
前記積層セラミック電子部品は、セラミック素体と、セラミック素体に設けられた少なくとも２つの外部電極を有し、
前記評価工程は、前記少なくとも２つの外部電極の領域と、前記少なくとも２つ外部電極の間に位置するセラミック素体の表面の領域を判別し、前記結露除去後画像における、前記少なくとも２つ外部電極の間に位置する前記セラミック素体の表面の領域の画像情報に基づき、結露が除去された前記セラミック素体の表面の異常の発生有無を判定し、
前記画像取得工程はさらに、冷却工程において前記積層セラミック電子部品の表面温度が露点以下になった後であって、次の加熱工程において前記積層セラミック電子部品の表面温度が露点以上になる前に、表面に結露が生じている状態の積層セラミック電子部品の画像を結露画像として取得し、
前記評価工程は、前記結露画像における、前記セラミック素体の表面に付着している水滴の周縁部の位置と、前記結露除去後画像における結露が除去された前記セラミック素体の表面の異常部の位置と、に基づき、前記積層セラミック電子部品の状態を評価する、積層セラミック電子部品の結露試験方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電子部品の結露試験方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、電子部品の結露試験方法が知られている。例えば特許文献１には、試料を試験槽内の試料台に載せて冷却し、一定の温度を保持しつつ、温度および湿度を所定の条件に調整した空気を試験槽に供給し、供給された空気と試料の温度差により、試料の表面に結露を生じさせる試験方法が開示されている。この試験方法においては、表面に結露の生じた状態の試料について所定の特性を試験している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１５－２３０２９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１の試験方法によれば、結露挙動の再現性の高い結露試験を行うことができる。しかしながら、特許文献１の試験方法は、結露が繰り返し発生する状況下において生じる電子部品の状態を評価する試験方法ではなかった。

【0005】

本発明の目的は、結露が繰り返し発生する状況下において生じる電子部品の状態を評価することが可能な電子部品の結露試験方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る電子部品の結露試験方法は、温度および湿度を調整可能な試験槽内に電子部品を配置する配置工程と、前記電子部品の表面温度を露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させると共に、前記電子部品の表面に結露を生じさせる冷却工程と、前記電子部品の表面温度を露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させると共に、前記電子部品の表面に付着した結露を乾燥除去する加熱工程と、前記電子部品の表面の画像を取得する画像取得工程と、前記取得した画像を評価する評価工程と、を備え、前記冷却工程と、前記加熱工程とは、交互に繰り返し行われ、前記画像取得工程は、冷却工程後の加熱工程における電子部品の表面温度が露点以上になった後であって、電子部品の表面温度が露点以下になる前に、表面から結露が除去された状態の電子部品の表面の画像を結露除去後画像として取得し、前記評価工程は、前記結露除去後画像に基づき、前記電子部品の状態を評価する。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、結露が繰り返し発生する状況下において生じる電子部品の状態を評価することが可能な電子部品の結露試験方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本実施形態の結露試験装置の概要を示す模式的な図である。

【図2】上記実施系形態の結露試験装置によって試験される電子部品の外観斜視図である。

【図3】上記実施形態の結露試験装置の制御部のブロック図である。

【図4】上記実施形態の結露試験方法の流れを示すフローチャートである。

【図5】結露サイクル試験工程の流れを示すフローチャートである。

【図6】上記実施形態の結露サイクル試験工程における電子部品の表面温度の推移を概念的に示す図である。

【図7】冷却工程の時間と結露量との関係をプロットしたグラフである。

【図8A】結露サイクル試験中の電子部品の表面を撮像した画像を模式的に示す図である。

【図8B】結露サイクル試験中の電子部品の表面を撮像した画像を模式的に示す図である。

【図8C】結露サイクル試験中の電子部品の表面を撮像した画像を模式的に示す図である。

【図9】結露サイクル試験の試験結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、本開示の実施形態に係る結露試験方法について説明する。図１は、本実施形態の結露試験方法を実施するための結露試験装置の概要を模式的に示す図である。

【0010】

本実施形態の結露試験装置１は、試験装置本体１０と、撮像部としてのマイクロスコープ９０と、を有する。

【0011】

試験装置本体１０は、空気条件調整槽１１および試験槽１２を有する。また、試験装置本体１０は、外壁としての第１の壁２１および第２の壁２２と、隔壁２３と、を有する。空気条件調整槽１１および試験槽１２は、第１の壁２１および第２の壁２２によって囲まれた空間として形成されている。第１の壁２１および第２の壁２２はチャンバー壁を構成する。第１の壁２１および第２の壁２２は、外気と、空気条件調整槽１１および試験槽１２との間の空気の流通を遮断する。隔壁２３は、空気条件調整槽１１と試験槽１２とを仕切る部材である。隔壁２３は、空気条件調整槽１１と試験槽１２との間を連通する供給口２３Ａおよび循環口２３Ｂを有する。

【0012】

空気条件調整槽１１は、試験槽１２に送り込む空気の温度および湿度を所定の条件に調整するための槽である。空気条件調整槽１１は、第１の壁２１および隔壁２３によって囲まれている。

【0013】

空気条件調整槽１１内には、冷却器３１と、加熱器３２と、加湿器３３と、空気供給手段としての送風機３４と、が設けられている。冷却器３１と、加熱器３２と、加湿器３３は、空気条件調整槽１１内の空気の温度および湿度を所定の条件に調整する。送風機３４は、所定の温度および湿度に調整された空気を、供給口２３Ａを通じて試験槽１２内に供給する。この試験槽１２内に供給された空気は、循環口２３Ｂを通じて空気条件調整槽１１に戻る。このような空気の流れより、空気条件調整槽１１内で温度および湿度が調整された空気は循環する。

【0014】

試験槽１２は、試験対象となる電子部品２の結露試験を実施するための槽である。試験槽１２は、第２の壁２２および隔壁２３によって囲まれている。なお、第２の壁２２は、透明部材により構成されている。

【0015】

試験槽１２は、加熱冷却部としての試料台４０を有する。試料台４０には、試験対象となる電子部品２が配置される。本実施形態においては、試料台４０は、隔壁２３上に設けられている。試料台４０は、加熱冷却部本体４１と、伝熱シート４２を有する。

【0016】

加熱冷却部本体４１は、ペルチェ素子を有する。熱電変換素子としてのペルチェ素子に通電することで、加熱冷却部本体４１は、試験対象としての電子部品２を加熱および冷却する。例えば、ペルチェ素子に第１の極性の直流電流を流すことにより、試験対象としての電子部品２は冷却される。また、ペルチェ素子に第１の極性とは反対向きの第２の極性の電流を流すことにより、試験対象としての電子部品２は加熱される。

【0017】

伝熱シート４２は、加熱冷却部本体４１と、電子部品２との間に配置される。伝熱シート４２は、例えばシリコーンゴム等のゴムシートであってもよい。なお、伝熱シート４２には、窒化ホウ素や窒化アルミニウム等がフィラーとして配合されていてもよい。伝熱シート４２は、加熱冷却部本体４１と、電子部品２との間の伝熱性を高めるために配置される。より詳細には、電子部品２が実装されている後述の基板３と、伝熱シート４２とが接触することで、両者の間の伝熱性が高まり、その結果、加熱冷却部本体４１から電子部品２への伝熱性を高めることができる。

【0018】

試験対象としての電子部品２は、チップ型電子部品であってもよい。例えば図２に示されるような、略直方体形状、または略立方体形状のチップ状の積層セラミック電子部品であってもよい。本実施形態においては、電子部品２は、積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品である。図２に示すように、電子部品２は、セラミック素体２Ａと、少なくとも２つの外部電極２Ｂ、２Ｃと、を有する。

【0019】

より詳細には、本実施形態の電子部品２としての積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層および複数の内部導体層を含み、高さ方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を有する積層体としてのセラミック素体２Ａを有する。そして、本実施形態の積層セラミック電子部品は、少なくとも２つの外部電極として、セラミック素体２Ａの第１の端面ＬＳ１側に配置され、内部導体層に接続された第１の外部電極２Ｂと、セラミック素体２Ａの第２の端面ＬＳ２側に配置され、内部導体層に接続された第２の外部電極２Ｃと、を有する。

【0020】

セラミック素体２Ａと、第１の外部電極２Ｂおよび第２の外部電極２Ｃを含む積層セラミック電子部品の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．１ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよい。また、積層セラミック電子部品の高さ方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．０５ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよい。また、積層セラミック電子部品の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上１５ｍｍ以下であってもよい。すなわち、電子部品２の最大寸法は１５ｍｍ以下であってもよい。なお、より好ましくは、Ｌ寸法が０．４ｍｍ以上４ｍｍ以下、Ｔ寸法が０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下、Ｗ寸法が０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下であってもよい。すなわち、電子部品２の最大寸法は４ｍｍ以下であってもよい。ただし、電子部品２のサイズは、これらに限らない。

【0021】

試験対象としての電子部品２は、基板３に実装された状態で、試料台４０に載置される。すなわち、試料としての、基板３に実装された状態の電子部品２が、試料台４０の伝熱シート４２上に配置される。ただし、試験対象としての電子部品２は、基板３を介さずに試料台４０の伝熱シート４２上に配置されてもよい。

【0022】

基板３は、基板本体３Ａと、第１の配線部材３Ｂと、第２の配線部材３Ｃと、を有する。基板本体３Ａは、例えばガラスエポキシ樹脂等の絶縁部材により構成されている。第１の配線部材３Ｂおよび第２の配線部材３Ｃは、基板本体３Ａ上にプリントされている。第１の配線部材３Ｂおよび第２の配線部材３Ｃは、Ｃｕなどの金属により構成されている。電子部品２の第１の外部電極２Ｂおよび第２の外部電極２Ｃはそれぞれ、金属はんだ４により、基板３の第１の配線部材３Ｂおよび第２の配線部材に接続されている。なお、基板本体３Ａは、基板本体３Ａに対向して配置されるセラミック電子部品の第１の主面または第２の主面の面積の６倍以上であることが好ましい。より好ましくは２２倍以上である。なお、伝熱性を考慮すると、基板本体３Ａの面積は大きい方がよいが、基板本体３Ａは、基板本体３Ａに対向して配置されるセラミック電子部品の第１の主面または第２の主面の面積の、例えば３７０倍以下であってもよい。例えば、３６２００倍以下であってもよい。これにより、試験対象としての電子部品２が小型の積層セラミック電子部品であり、かつ基板本体３Ａが絶縁体であっても、結露サイクル試験中に、試験対象としての電子部品２に電圧を印加することを可能にしつつ、加熱冷却部本体４１から電子部品２への伝熱性を安定的に高めることができる。よって、高い再現性で効率的に結露を発生させることができる。また、結露サイクル試験のサイクル期間を短くすることができる。

【0023】

前述のとおり、空気条件調整槽１１内で温度および湿度の条件が調整された空気は、試験槽１２内に供給される。これにより、試験槽１２内の空気の温度および湿度は調整される。すなわち、このような構成により、試験槽１２内に配置された試験対象としての電子部品２の周囲の雰囲気温度および雰囲気湿度は調整される。

【0024】

撮像部としてのマイクロスコープ９０は、試料台４０に載置された電子部品２を撮像する。本実施形態のマイクロスコープ９０は、第２の壁２２の上部に配置されている。本実施形態のマイクロスコープ９０は、透明部材により構成されている第２の壁２２を通じて、電子部品２を撮像する。なお、本実施系形態のマイクロスコープ９０は、試験槽１２の外に配置されているが、マイクロスコープ９０は、試験槽１２の内部に配置されていてもよい。この場合は、第２の壁２２は、透明部材でなくてもよい。

【0025】

本実施形態の結露試験装置１は、さらに、不図示の電圧印加部と、制御部１００と、を有する。

【0026】

電圧印加部は、試料台４０に載置された電子部品２に電圧を印加する。具体的には、電圧印加部は、基板３の第１の配線部材３Ｂおよび第２の配線部材３Ｃと電気的に接続される。そして、電圧印加部は、第１の配線部材３Ｂと第２の配線部材３Ｃの間に電圧を印加することにより、電子部品２の第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃとの間に電圧を印加する。

【0027】

図３は、本実施形態の結露試験装置の制御部のブロック図である。制御部１００は、入力部１１０と、試験条件設定部１２０と、電圧制御部１３０と、空気温度調整部１４０と、湿度調整部１５０と、ペルチェ制御部１６０と、画像取得部１７０と、タイミング情報取得部１８０と、画像種識別部１９０と、画像評価部２００と、電気特性情報取得部２１０と、電気特性評価部２２０と、電子部品評価部２３０と、記憶部２４０と、を備える。

【0028】

入力部１１０は、キーボードやタッチパネル等により構成されている。オペレータは、入力部１１０を用いて、試験条件等の情報を入力する。入力部１１０は、上位システム等から送信された情報を入力する態様の入力部であってもよい。

【0029】

試験条件設定部１２０は、入力部１１０に入力された入力情報に基づき、結露サイクル試験に関する各種の試験条件を設定する。

【0030】

電圧制御部１３０は、試験条件設定部１２０により設定された条件に基づき、電子部品２に印加する印加電圧の大きさを制御する。

【0031】

空気温度調整部１４０は、空気条件調整槽１１内の空気の温度が目標温度となるように、空気条件調整槽１１内の冷却器３１および加熱器３２等を制御する。

【0032】

湿度調整部１５０は、空気条件調整槽１１内の空気の湿度が目標湿度となるように、空気条件調整槽１１内の加湿器３３等を制御する。

【0033】

ペルチェ制御部１６０は、試験条件設定部１２０により設定された条件に基づき、ペルチェ素子に電流を流し、試料台４０の温度を制御する。例えば、ペルチェ制御部１６０は、第１の極性の直流電流を、加熱冷却部本体４１のペルチェ素子に流す。これにより、試料台４０に載置された試験対象としての電子部品２は冷却される。また、ペルチェ制御部１６０は、冷却工程時とは反対向きの第２の極性の直流電流を、加熱冷却部本体４１のペルチェ素子に流す。これにより試料台４０に載置された試験対象としての電子部品２は加熱される。

【0034】

画像取得部１７０は、マイクロスコープ９０によって撮像された電子部品２の表面の画像を取得する。

【0035】

タイミング情報取得部１８０は、結露サイクル試験中、タイミング情報を取得する。画像が取得されたタイミングを示すタイミング情報と、そのタイミングの画像とは紐づけられて、記憶される。

【0036】

画像種識別部１９０は、タイミング情報に基づき、取得された複数の画像の中から、後述の結露除去後画像、結露画像、参照画像といった画像の種類を識別する。

【0037】

画像評価部２００は、画像取得部１７０が取得した画像の評価を行い、電子部品２の状態を評価することができる。例えば、画像評価部２００は、後述の評価工程における、画像に基づく各種の判定処理を行ってもよい。

【0038】

電気特性情報取得部２１０は、後述の電圧印加工程において印加される電圧に基づいて得られる電子部品２の電気特性情報を取得する。

【0039】

電気特性評価部２２０は、取得された電気特性情報に基づき、電子部品２の電気特性を評価する。

【0040】

電子部品評価部２３０は、画像と、電気特性情報とに基づき、電子部品２の状態を評価する。

【0041】

記憶部２４０は、試験条件設定部１２０によって設定された各種の試験条件や、画像取得部１７０によって取得された画像や、電気特性情報取得部２１０によって取得された電気特性情報等の、各種の情報を記憶する。記憶部２４０には、制御部１００の各種機能を実行するためのプログラムが記憶されていてもよい。

【0042】

次に、本実施形態の電子部品の結露試験方法について説明する。結露試験は、以下の手順で行われる。図４は、結露試験方法の流れを示すフローチャートである。

【0043】

電子部品の配置工程Ｓ１１において、電子部品２が、温度および湿度を調整可能な試験槽１２内に配置される。具体的には、電子部品２は、試験槽１２内の試料台４０に載置される。より詳細には、電子部品２は、基板３に実装された状態で、試料台４０の伝熱シート４２上に配置される。基板３の第１の配線部材３Ｂおよび第２の配線部材３Ｃは、電圧印加部と電気的に接続される。

【0044】

試験条件設定工程Ｓ１２において、試験条件が設定される。例えば、オペレータが、キーボードやタッチパネル等の入力部１１０に試験条件を入力する。試験条件設定部１２０は、入力部１１０に入力された入力情報に基づき、試験条件を設定する。試験条件設定部１２０は、例えば、後述する印加電圧、試験槽１２内の空気の目標温度および目標湿度、試料台４０の低温側設定温度、試料台４０の高温側設定温度、冷却工程の時間、加熱工程の時間、結露サイクル試験のサイクル数などの試験条件を設定する。なお、入力部１１０は、上位システム等から送信された情報を入力する態様の入力部であってもよい。なお、試験条件設定工程Ｓ１２は、配置工程Ｓ１１の前に行われてもよい。

【0045】

電圧印加工程Ｓ１３において、電圧印加部により、電子部品２に電圧が印加される。印加電圧は、例えば電子部品２の定格電圧であってもよい。印加電圧は、例えば４Ｖ以上４００Ｖ以下であってもよい。印加電圧の大きさは、試験条件設定部１２０によって設定された条件に基づき、電圧制御部１３０によって制御される。結露サイクル試験中、原則として、電子部品２に電圧は印加され続ける。電圧印加開始後、電気特性情報取得部２１０は、印加される電圧に基づいて得られる電子部品２の絶縁抵抗（ＩＲ）などの電気特性情報を取得する。なお、電圧の印加は、後述の結露サイクル試験工程Ｓ１５よりも前に開始されることが好ましい。ただし、結露サイクル試験工程Ｓ１５が開始された後に、電圧の印加が開始されてもよい。

【0046】

空気条件調整工程Ｓ１４において、空気温度調整部１４０が、空気条件調整槽１１内の空気の温度を調整する。具体的には、空気温度調整部１４０は、空気条件調整槽１１内の空気の温度が目標温度となるように、空気条件調整槽１１内の冷却器３１および加熱器３２を制御する。なお、空気温度を調整する上で、加湿器３３も制御対象に含めてもよい。例えば、空気条件調整槽１１には、不図示の温度センサが設けられていてもよい。空気温度調整部１４０は、設定された目標温度と、温度センサによる検知温度との比較結果に基づき、温度センサの検知温度が目標温度に近づくように、冷却器３１および加熱器３２等を制御する。この制御は、例えばフィードバック制御であってもよい。

【0047】

空気条件調整工程Ｓ１４において、湿度調整部１５０が、空気条件調整槽１１内の空気の湿度を調整する。具体的には、湿度調整部１５０は、空気条件調整槽１１内の空気の湿度が目標湿度となるように、空気条件調整槽１１内の加湿器３３を制御する。なお、湿度を調整する上で、冷却器３１および加熱器３２も制御対象に含めてもよい。例えば、空気条件調整槽１１には、不図示の湿度センサが設けられていてもよい。湿度調整部１５０は、設定された目標湿度と、湿度センサによる検知湿度との比較結果に基づき、湿度センサの検知湿度が目標湿度に近づくように、加湿器３３等を制御する。この制御は、例えばフィードバック制御であってもよい。

【0048】

空気条件調整工程Ｓ１４において、送風機３４が駆動することにより、空気条件調整槽１１内で所定の温度および湿度に調整された空気が、供給口２３Ａを通じて、試験槽１２内に送り込まれる。これにより、試験槽１２内の空気の温度および湿度が、目標温度および目標湿度となるように調整される。すなわち、試験槽１２の槽内の空気が、設定された目標温度および目標湿度に近づくように制御される。なお、送風機３４は、制御部１００によって制御される。送風機３４は、常に一定の回転数で回転するように制御されてもよい。あるいは、送風機３４は、制御部１００によって回転数等が制御されてもよい。

【0049】

このように、温度センサおよび湿度センサを空気条件調整槽１１内に設けて、この空気条件調整槽１１内に設けられた温度センサおよび湿度センサに基づき、空気条件調整槽１１内の空気の温度および湿度が、目標温度および目標湿度に近づくように制御されてもよい。この場合は、空気条件調整槽１１内で温度および湿度が調整された空気が試験槽１２に送り込まれることにより、試験槽１２内の空気の温度および湿度が、目標温度および目標湿度に近づくように制御される。

【0050】

あるいは、温度センサおよび湿度センサを試験槽１２内に設けて、この試験槽１２内に設けられた温度センサおよび湿度センサに基づき、試験槽１２内の空気の温度および湿度が、目標温度および目標湿度となるように制御されてもよい。この場合は、設定された目標温度と、試験槽１２内に設けられた温度センサの検知温度との比較結果に基づき、温度センサの検知温度が目標温度に近づくように、冷却器３１および加熱器３２等が制御される。また、設定された目標湿度と、試験槽１２内に設けられた湿度センサの検知湿度との比較結果に基づき、湿度センサの検知湿度が目標湿度に近づくように、加湿器３３等が制御される。

【0051】

なお、空気温度調整部１４０および湿度調整部１５０が一体的な機能ブロックとして構成されていてもよい。この場合は、温度センサおよび湿度センサの複合的な情報に基づいて、試験槽１２内の空気の温度および湿度が、目標温度および目標湿度となるように、冷却器３１、加熱器３２および加湿器３３が制御される。

【0052】

試験槽１２内の空気の温度は、２５℃以上３５℃以下であることが好ましい。すなわち、試験槽１２内の空気の目標温度は、２５℃以上３５℃以下の範囲内の温度に設定されることが好ましい。空気温度調整部１４０は、試験槽１２内の空気の温度が、この目標温度に近づくように、冷却器３１および加熱器３２等を制御する。

【0053】

試験槽１２内の空気の湿度は、４８％ＲＨ以上６２ＲＨ％以下であることが好ましい。すなわち、試験槽１２内の空気の目標湿度は、４８％ＲＨ以上６２ＲＨ％以下の範囲内の湿度に設定されることが好ましい。湿度調整部１５０は、試験槽１２内の空気の湿度が、この目標湿度に近づくように、加湿器３３等を制御する。なお、温度が３０℃、湿度が５０％の空気の露点は、１８．４℃となる。温度が３０℃、湿度が６０％の空気の露点は２１．４℃となる。

【0054】

空気条件調整工程Ｓ１４により、試験槽１２内の空気の温度および湿度が安定したのち、電子部品２に対する冷却工程および加熱工程が繰り返し行われる結露サイクル試験工程Ｓ１５が実施される。図５は、結露サイクル試験工程の流れを示すフローチャートである。

【0055】

結露サイクル試験工程Ｓ１５は、電子部品２の表面温度を露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させると共に、電子部品の表面に結露を生じさせる冷却工程Ｓ２１と、電子部品２の表面温度を露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させると共に、電子部品の表面に付着した結露を乾燥除去する加熱工程Ｓ２２と、を含む。結露サイクル試験工程Ｓ１５においては、冷却工程Ｓ２１と、加熱工程Ｓ２２とが、交互に繰り返し行われる。なお、繰り返し交互に行われる冷却工程Ｓ２１および加熱工程Ｓ２２のうち、１回の冷却工程Ｓ２１と１回の加熱工程Ｓ２２のセットを１サイクルと呼ぶ。

【0056】

冷却工程Ｓ２１において、ペルチェ制御部１６０は、第１の極性の直流電流を、加熱冷却部本体４１のペルチェ素子に流す。これにより、試料台４０に載置された試験対象としての電子部品２は冷却される。より具体的には、ペルチェ制御部１６０は、電子部品２の表面温度を、露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させるように、ペルチェ素子に通電を行う。これにより、電子部品２の表面には結露が生じる。

【0057】

最も温度が低下したタイミングにおける、加熱冷却部としての試料台４０の温度は、０℃以上１２℃以下であることが好ましい。すなわち、冷却工程Ｓ２１において、加熱冷却部としての試料台４０の温度が、露点よりも高い温度から０℃以上１２℃以下の範囲内の温度に下降するように、ペルチェ素子が制御されることが好ましい。なお、最も温度が低下したタイミングにおける試料台４０の温度は、露点温度Ｔｄよりも５℃以上低いことが好ましい。これにより、特に試験槽１２内の空気の温度が２５℃以上３５℃以下程度であって、かつ試験槽１２内の空気の湿度が４８％ＲＨ以上６２％ＲＨ以下程度である場合において、冷却工程Ｓ２１に要する時間および、その後の加熱工程Ｓ２２に要する時間を必要以上に長くすることなく、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に結露を生じさせることができる。なお、最も温度が低下したタイミングにおける試料台４０の目標温度は、試験条件設定工程Ｓ１２において、試料台４０の低温側設定温度として設定されてもよい。なお、試料台４０の低温側設定温度を０℃以上１２℃以下の範囲内のいずれの温度に設定するかは、電子部品２のサイズや種類に応じて設定されていてもよい。

【0058】

加熱工程Ｓ２２において、ペルチェ制御部１６０は、冷却工程時とは反対向きの第２の極性の直流電流を、加熱冷却部本体４１のペルチェ素子に流す。これにより試料台４０に載置された試験対象としての電子部品２は加熱される。より具体的には、ペルチェ制御部１６０は、電子部品２の表面温度を、露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させるように、ペルチェ素子に通電を行う。これにより、電子部品２の表面に付着した結露が乾燥除去される。

【0059】

最も温度が上昇したタイミングにおける、加熱冷却部としての試料台４０の温度は、４０℃以上５０℃以下であることが好ましい。すなわち、加熱工程Ｓ２２において、加熱冷却部としての試料台４０の温度が、露点よりも低い温度から４０℃以上５０℃以下の範囲内の温度に上昇するように、ペルチェ素子が制御されることが好ましい。なお、最も温度が上昇したタイミングにおける試料台４０の温度は、露点温度Ｔｄよりも１５℃以上高いことが好ましい。これにより、特に試験槽１２内の空気の温度が２５℃以上３５℃以下程度であって、かつ試験槽１２内の空気の湿度が４８％ＲＨ以上６２％ＲＨ以下程度である場合において、加熱工程Ｓ２２に要する時間および、その後の冷却工程Ｓ２１に要する時間を必要以上に長くすることなく、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に付着した結露を乾燥除去することができる。なお、最も温度が上昇したタイミングにおける試料台４０の目標温度は、試験条件設定工程Ｓ１２において、試料台４０の高温側設定温度として設定されてもよい。なお、試料台４０の高温側設定温度を４０℃以上５０℃以下の範囲内のいずれの温度に設定するかは、電子部品２のサイズや種類に応じて設定されていてもよい。

【0060】

ステップＳ２３において、予め設定されたサイクル数が終了したか否かを判定する。予め設定されたサイクル数が終了した場合、結露サイクル試験工程は終了する。予め設定されたサイクル数が終了していない場合は、冷却工程Ｓ２１に戻る。これにより、冷却工程Ｓ２１と、加熱工程Ｓ２２は、予め設定されたサイクル数が終了するまで、交互に繰り返し行われる。なお、冷却工程Ｓ２１と加熱工程Ｓ２２の順番は逆であってもよい。

【0061】

図６は、結露サイクル試験工程Ｓ１５における電子部品２の表面温度の推移を概念的に示す図である。図６の縦軸は電子部品２の表面温度Ｔであり、図６の横軸は時間ｔである。

【0062】

図６には、本実施形態の結露サイクル試験における、１サイクルの期間を示す期間Ｃが示されている。また、図６には、この１サイクル中における、冷却工程Ｓ２１の期間ＣＣと、加熱工程Ｓ２２の期間ＣＨが示されている。図６は、期間Ｃで示される１つのサイクルが、５０サイクル繰り返し行われている例である。

【0063】

なお、図６には、試験槽１２内の空気の露点温度Ｔｄが示されている。また、図６には、冷却工程Ｓ２１によって最も温度が低下したタイミングにおける電子部品２の表面温度Ｔとして、低温側温度ＴＬが示されている。ここで、低温側温度ＴＬは、試料台４０が低温側設定温度となったときの電子部品２の表面温度Ｔに対応する。また、図６には、加熱工程Ｓ２２によって最も温度が上昇したタイミングにおける電子部品２の表面温度Ｔとして、高温側温度ＴＨが示されている。ここで、高温側温度ＴＨは、試料台４０が高温側設定温度となったときの電子部品２の表面温度Ｔに対応する。

【0064】

期間ＣＣで示される冷却工程Ｓ２１においては、基本的には、加熱冷却部本体４１のペルチェ素子に、第１の極性の直流電流が流れている。なお、冷却工程Ｓ２１において、試料台４０の温度が低温側設定温度に到達すると、試料台４０のペルチェ素子は、この温度が維持されるように制御される。よって、電子部品２の表面温度Ｔも、試料台４０の低温側設定温度に対応する低温側温度ＴＬに維持されるように制御される。期間ＣＣで示される冷却工程Ｓ２１においては、電子部品２の表面温度を露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させる。これにより、試験槽１２内の空気中の水蒸気が凝縮し、電子部品２の表面に結露が生じる。

【0065】

期間ＣＨで示される加熱工程Ｓ２２においては、基本的には、加熱冷却部本体４１のペルチェ素子に、冷却工程時とは反対向きの第２の極性の直流電流が流れている。なお、加熱工程Ｓ２２において、試料台４０の温度が高温側設定温度に到達すると、試料台４０の加熱冷却部本体４１は、この温度が維持されるように制御される。よって、電子部品２の表面温度Ｔも、試料台４０の高温側設定温度に対応する高温側温度ＴＨに維持されるように制御される。期間ＣＨで示される加熱工程Ｓ２２においては、電子部品２の表面温度を露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させる。これにより、電子部品２の表面に付着した結露が乾燥除去される。

【0066】

ここで、１回の冷却工程Ｓ２１の期間ＣＣは、２分以上１０分以下であることが好ましい。また、１回の加熱工程Ｓ２２の期間ＣＨは、２分以上１０分以下であることが好ましい。これにより、特に、冷却工程Ｓ２１において、電子部品２の表面温度が０℃以上１２℃以下の温度となるようにペルチェ素子を制御し、かつ、加熱工程Ｓ２２において、電子部品２の表面温度が４０℃以上５０℃以下の温度となるようにペルチェ素子を制御する場合において、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に結露を生じさせると共に、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に付着した結露を乾燥除去することができる。また、サイクル回数が多い場合でも、短期間で結露サイクル試験を実施することができる。

【0067】

図７は、試験槽１２内に結露センサを配置し、冷却工程Ｓ２１の期間ＣＣに対応する冷却時間と結露量との関係をプロットしたグラフである。図７に示すように、結露量は、冷却時間の増加に伴って略線形に増加する。ここで、所定の範囲内の結露量の測定値を最小二乗法でフィッティングした場合、結露速度は、０．１４（μｇ／ｍｍ^２）／ｓｅｃとなった。本実施形態においては、ＪＡＳＯ Ｄ ０１４－４（自動車部品－電気・電子機器の環境条件及び機能確認試験－第４部：気候負荷）で発生する結露量を参考にして目標結露量を設定する。この場合、目標結露量は、２５μｇ／ｍｍ^２程度、あるいはそれ以上の量に設定されることが好ましい。したがって、上述の結露速度より、冷却工程Ｓ２１の期間ＣＣ、すなわち冷却時間は、１０分以下であってもよいことが理解できる。そして、上述の結露速度より、冷却工程Ｓ２１の期間ＣＣ、すなわち冷却時間は、３分以上であることが好ましい。あるいは、効率的かつ安定的に結露サイクル試験を実施するための目標結露量を１５μｇ／ｍｍ^２以上と設定した場合は、冷却工程Ｓ２１の期間ＣＣ、すなわち冷却時間は、２分以上であればよい。すなわち、冷却工程Ｓ２１の期間ＣＣは、２分以上１０分以下、あるいは３分以上１０分以下であることが好ましい。これにより、必要以上に長い時間をかけることなく、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に適正な量の結露を生じさせることができる。また、加熱工程Ｓ２２の期間ＣＨは、冷却期間と同様に２分以上１０分以下、あるいは３分以上１０分以下とすることで、必要以上に長い時間をかけることなく、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に付着した結露を乾燥除去することができる。すなわち、ＪＡＳＯ条件相当の結露量の結露サイクル試験等を、高速かつ高い再現性で得ることが可能となり、適切な結露サイクル試験を行うことが可能となる。

【0068】

ここで、冷却工程Ｓ２１および加熱工程Ｓ２２はそれぞれ、４０回以上６０回以下実施されることが好ましい。すなわち、繰り返し交互に行われる冷却工程Ｓ２１および加熱工程Ｓ２２のうち、１回の冷却工程Ｓ２１と１回の加熱工程Ｓ２２のセットを１サイクルとしたとき、実施されるサイクル数は、４０サイクル以上６０サイクル以下であることが好ましい。これにより、電子部品２の状態に応じた、結露サイクル試験による電子部品２の表面の異常の発生有無を、適切に評価することができる。

【0069】

画像取得工程において、画像取得部１７０が、マイクロスコープ９０によって撮像された電子部品２の表面の画像を取得する。

【0070】

画像取得部１７０は、少なくとも、冷却工程Ｓ２１後の加熱工程Ｓ２２における電子部品２の表面温度Ｔが露点温度Ｔｄ以上になった後であって、電子部品２の表面温度Ｔが露点温度Ｔｄ以下になる前に、表面から結露が除去された状態の電子部品２の表面の画像を、結露除去後画像３３０として取得する。これにより、冷却工程Ｓ２１において水滴が付着した状態になった後の電子部品２の表面を、水滴が付着していない状況下において撮像することができる。結露除去後画像は、例えば、電子部品２の表面温度Ｔが、高温側温度ＴＨに維持されているタイミングで取得された画像であってもよい。すなわち、図６に示される、ｔ１、ｔ２、ｔ４９、ｔ５０といったタイミングで取得された画像であってもよい。ただし、これに限らない。結露除去後画像の取得は、結露サイクル試験工程Ｓ１５の最中の複数のタイミングで行われてもよいし、結露サイクル試験工程Ｓ１５の後のタイミングで行われてもよい。

【0071】

なお、画像取得工程において、画像取得部１７０は、冷却工程Ｓ２１において電子部品２の表面温度Ｔが露点温度Ｔｄ以下になった後であって、次の加熱工程Ｓ２２において電子部品２の表面温度が露点温度Ｔｄ以上になる前に、表面に結露が生じている状態の電子部品２の画像を結露画像として取得してもよい。結露画像は、例えば、電子部品２の表面温度Ｔが、低温側温度ＴＬに維持されているタイミングで取得された画像であってもよい。すなわち、図６に示される、ｔ１ｃ、ｔ２ｃ、ｔ４９ｃ、ｔ５０ｃといったタイミングで取得された画像であってもよい。ただし、これに限らない。結露画像の取得は、結露サイクル試験工程Ｓ１５の最中の複数のタイミングで行われてもよい。

【0072】

なお、画像取得工程において、画像取得部１７０は、結露除去後画像の取得タイミングよりも少なくとも１サイクル以上前のタイミングで取得された、表面が結露していない状態の電子部品２の画像を参照画像として取得してもよい。参照画像は、例えば、電子部品２の表面温度Ｔが、高温側温度ＴＨに維持されているタイミングで取得された画像であってもよい。例えば、図６に示される、ｔ５０のタイミングで取得された画像を結露除去後画像としたとき、参照画像は、ｔ１、ｔ２、ｔ４９といったタイミングで取得された画像であってもよい。ただし、これに限らない。参照画像の取得は、結露サイクル試験工程Ｓ１５の最中の複数のタイミングで行われてもよいし、結露サイクル試験工程Ｓ１５の前のタイミングで行われてもよい。

【0073】

なお、タイミング情報取得部１８０が、結露サイクル試験中、時刻や、ｔ１、ｔ２、ｔ４９、ｔ５０といったタイミングを示すタイミング情報を取得してもよい。そして、制御部１００は、紐付け工程において、画像が取得されたタイミングを示すタイミング情報と、そのタイミングの画像とを紐づけて記憶してもよい。これにより、後述の評価工程において、画像種識別部１９０が、タイミング情報に基づき、取得された複数の画像の中から、結露除去後画像や参照画像を識別することができる。

【0074】

なお、タイミング情報取得部１８０が、結露サイクル試験中、時刻や、ｔ１ｃ、ｔ２ｃ、ｔ４９ｃ、ｔ５０ｃといったタイミングを示すタイミング情報を取得してもよい。そして、制御部１００は、紐付け工程において、画像が取得されたタイミングを示すタイミング情報と、そのタイミングの画像とを紐づけて記憶してもよい。これにより、後述の評価工程において、画像種識別部１９０が、タイミング情報に基づき、取得された複数の画像の中から、結露画像を識別することができる。すなわち、画像種識別部１９０は、タイミング情報に基づき、取得された複数の画像の中から、結露除去後画像と、結露画像とを分別して識別することができる。

【0075】

評価工程において、取得した画像の評価が行われる。例えば、画像評価部２００が、取得した画像の評価を行ってもよい。本実施形態においては、評価工程において、結露除去後画像に基づき、電子部品２の表面の状態が評価される。なお、評価工程は、結露サイクル試験中に行われてもよいし、結露サイクル試験後に行われてもよい。以下、電子部品２が、セラミック素体２Ａと、セラミック素体２Ａに設けられた少なくとも２つの外部電極２Ｂ、２Ｃを有する積層セラミック電子部品である場合について説明する。

【0076】

図８Ａ～図８Ｃは、結露サイクル試験中の電子部品２の表面を撮像した画像を模式的に示す図である。図８Ａ～図８Ｃの一番上の図は、参照画像３１０である。例えば図８Ａ～図８Ｃの一番上の図は、図６におけるタイミングｔ０で取得された画像である。

【0077】

図８Ａ～図８Ｃの真ん中の画像は、結露画像３２０である。結露画像３２０においては、複数の水滴Ｄが確認される。例えば、図８Ａにおける真ん中の画像は、図６におけるタイミングｔ２ｃで取得された画像である。例えば、図８Ｂにおける真ん中の画像は、図６におけるタイミングｔ４９ｃで取得された画像である。例えば、図８Ｃにおける真ん中の画像は、図６におけるタイミングｔ５０ｃで取得された画像である。

【0078】

図８Ａ～図８Ｃの一番下の画像は、結露除去後画像３３０である。例えば、図８Ａの一番下の図は、図６におけるタイミングｔ２で取得された画像である。例えば、図８Ｂの一番下の図は、図６におけるタイミングｔ４９で取得された画像である。例えば、図８Ｃの一番下の図は、図６におけるタイミングｔ５０で取得された画像である。

【0079】

本実施形態においては、評価工程において、電子部品２の２つの外部電極２Ｂ、２Ｃの領域と、２つ外部電極２Ｂ、２Ｃの間に位置するセラミック素体２Ａの表面の領域が判別される。そして、結露除去後画像３３０における、２つ外部電極２Ｂ、２Ｃの間に位置するセラミック素体２Ａの表面の領域の画像情報に基づき、結露が除去されたセラミック素体２Ａの表面の異常の発生有無が判定される。

【0080】

例えば、評価工程において、セラミック素体２Ａの表面の領域の色情報や輝度情報等の画像情報に基づき、セラミック素体２Ａの表面に、材質が変化している領域が形成されたか否かが判定される。通常、画像上において、セラミック素体２Ａの表面を構成するセラミック素材と、金属成分とは、異なる色調となる。よって、セラミック素体２Ａの表面上に、外部電極２Ｂ、２Ｃの金属成分が移動するエレクトロケミカルマイグレーション等の異常部が形成された場合は、セラミック素体２Ａの表面の色情報や輝度情報等の画像情報に基づき、その異常部の存在が判定される。

【0081】

例えば、図８Ａ、図８Ｂに示される結露除去後画像３３０の例では、２つ外部電極２Ｂ、２Ｃの間に位置するセラミック素体２Ａの表面の領域に、周囲と色調等の異なる異常部の存在は確認されない。よって、セラミック素体２Ａの表面に、マイグレーション等の異常が発生していないと判定される。

【0082】

一方、図８Ｃに示される結露除去後画像３３０の例においては、２つ外部電極２Ｂ、２Ｃの間に位置するセラミック素体２Ａの表面の領域に、周囲と色調等の異なる異常部Ｍの存在が確認される。異常部Ｍは、周囲の色調、すなわち、セラミック素体２Ａの表面の通常の色調とは異なる色調の領域として識別される。この場合、セラミック素体２Ａの表面に、マイグレーション等の異常が発生していると判定される。このように、結露除去後画像３３０の評価を行うことで、マイグレーションのようなセラミック素体２Ａの表面の素材自体の変化を直接的に判別することができる。

【0083】

なお、図８Ｂの結露画像３２０における結露の状態と、図８Ｃの結露画像３２０における結露の状態は類似している。このように、結露画像３２０の評価のみでは、電子部品２の状態の評価が難しい場合において、結露除去後画像３３０の評価を行うことで、電子部品２の状態の評価を適切に行うことができる。

【0084】

なお、画像取得工程において、画像取得部１７０が、結露除去後画像の取得タイミングよりも少なくとも１サイクル以上前のタイミングで取得された、表面が結露していない状態の電子部品２の画像を参照画像３１０として取得している場合は、評価工程において、参照画像３１０と、結露除去後画像３３０との比較結果に基づき、電子部品２の状態が評価されてもよい。

【0085】

例えば、画像評価部２００は、参照画像３１０と、結露除去後画像３３０とを比較する。このとき、結露除去後画像３３０における、セラミック素体２Ａの表面の領域中に、参照画像３１０に対して色調等の変化の大きい部分がある場合、その部分が異常部Ｍとして判定される。例えば、画像評価部２００が、参照画像３１０と、結露除去後画像３３０との差分画像を生成し、この差分画像に基づき、異常部Ｍの存在の有無を判定してもよい。

【0086】

例えば、図８Ｃに示される例においては、参照画像３１０と、結露除去後画像３３０との比較結果に基づき、色調の変化の大きい部分が抽出され、その部分が、マイグレーション等の生じている異常部Ｍとして判定される。一方、図８Ａ、図８Ｂに示される例においては、参照画像３１０と、結露除去後画像３３０との比較結果に基づき、色調の変化の大きい部分が抽出されない。よって、セラミック素体２Ａの表面に、マイグレーション等の異常は発生していないと判定される。このように、参照画像３１０と、結露除去後画像３３０を用いることにより、マイグレーションの発生有無の評価感度高めることができる。

【0087】

なお、画像取得工程において、画像取得部１７０が、冷却工程Ｓ２１において電子部品２の表面温度Ｔが露点温度Ｔｄ以下になった後であって、次の加熱工程Ｓ２２において電子部品２の表面温度が露点温度Ｔｄ以上になる前に、表面に結露が生じている状態の電子部品２の画像を結露画像３２０として取得している場合は、評価工程において、結露画像３２０における、セラミック素体の表面に付着している水滴の周縁部の位置と、結露除去後画像３３０における結露が除去されたセラミック素体２Ａの表面の異常部の位置とに基づき、電子部品の状態が評価されてもよい。

【0088】

発明者は、検討、実験の積み重ねにより、結露サイクル試験において、結露が除去されたセラミック素体２Ａの表面に生じるマイグレーション等の異常部Ｍは、表面に結露が生じている状態の電子部品２における、水滴の周縁部の位置と略一致した位置に生じやすいという知見を得た。よって、結露画像３２０における、セラミック素体２Ａの表面に付着している水滴の周縁部の位置と、結露除去後画像３３０における結露が除去されたセラミック素体２Ａの表面の異常部Ｍの位置とに基づき、電子部品２の評価を行う。これにより、より高い評価感度で、マイグレーション等の異常部の存在を判定することができる。

【0089】

例えば、結露画像３２０において、セラミック素体２Ａの表面に付着している水滴の周縁部の位置を認識した上で、結露除去後画像３３０において、同じ位置またはその近傍に、周囲と色調の異なる領域が存在するか否かが判定されてもよい。これにより、周囲と色調等の変化が小さい場合であっても、マイグレーション等の異常部の存在を判定することができる。

【0090】

例えば、図８Ｃに示される例においては、結露除去後画像３３０における結露が除去されたセラミック素体２Ａの表面の異常部Ｍの位置は、結露画像３２０における、セラミック素体２Ａの表面に付着している水滴の周縁部の一部の位置と略重なっている。より詳細には、結露除去後画像３３０における異常部Ｍの位置は、結露画像３２０における、水滴Ｄ１の周縁部と水滴Ｄ２の周縁部との間の部分の一部と略重なっている。

【0091】

よって、結露画像３２０における、セラミック素体２Ａの表面に付着している水滴の周縁部の位置を予め識別しておくことにより、結露除去後画像３３０において、より高い評価感度で、マイグレーション等の異常部の存在を判定することができる。あるいは、結露画像３２０における、セラミック素体２Ａの表面に付着している水滴の周縁部の位置と、結露除去後画像３３０における、セラミック素体２Ａの表面の色調等の異なる部分とを対比しながら評価を行うことにより、より高い評価感度で、マイグレーション等の異常部を識別することができる。

【0092】

なお、図８Ａの結露画像３２０においては、水滴Ｄは小さく、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴Ｄは存在していない。したがって、セラミック素体２Ａの表面の撥水性は確保されており、電子部品２の状態は良好である。図８Ｂの結露画像３２０においては、水滴Ｄが大きくなっている。ただし、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴Ｄはまだ存在していない。したがって、セラミック素体２Ａの表面の状態は、まだ異常な状態とはなっていない。図８Ｃの結露画像３２０においては、水滴が大きくなっており、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴が存在している。具体的には、水滴Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５は、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴にはなっていないものの、水滴Ｄ１は、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴となっている。したがって、セラミック素体２Ａの表面の撥水性は低下しており、電子部品２の状態は、良好ではない状態となっている。このように、評価工程において、結露画像３２０を用いて、セラミック素体２Ａの表面の撥水性等の電子部品２の状態を評価することも可能である。例えば、画像処理により、セラミック素体２Ａの表面に付着している水滴の周縁部の位置を検出し、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴Ｄが存在しているか否かを判定してもよい。このように、結露画像３２０に基づいて、セラミック素体２Ａの表面の撥水性等の電子部品２の状態を評価してもよい。

【0093】

ただし、結露除去後画像３３０を用いることで、電子部品２の状態をより高い感度で評価することが可能となる。

【0094】

電子部品２のセラミック素体２Ａの表面の撥水性が低下した場合、図８Ｃの結露画像３２０に示されるように、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴が発生する。電子部品２の第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃとの間に電圧が印加されている状況下において、このような水滴が発生すると、水滴を通じて、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃの間が通電する。そして、水滴を通じて、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃの間が通電すると、陽極となる側の外部電極の金属がイオン化して溶け出し、陰極となる側の外部電極に移動する。この移動したイオン化した金属は、陰極となる側の外部金属の近傍で再び金属となる。この金属が成長すると、最終的には、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃとの間が短絡する。結露除去後画像３３０を用いることで、このような金属成分の移動、すなわちエレクトロケミカルマイグレーションが発生している領域を直接的に判別することができる。よって、電子部品２の状態をより高い感度で評価することが可能となる。

【0095】

なお、結露除去後画像３３０による評価結果と、結露画像３２０による評価結果とに基づき、電子部品２の状態が評価されてもよい。これにより、より正確に電子部品２の状態を評価できる。具体的には、結露画像３２０に基づき、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴が発生したと判定され、かつ、結露除去後画像３３０に基づき、セラミック素体の表面に異常部が存在すると判定されたとき、電子部品２にマイグレーション等の異常が発生したと判定されてもよい。あるいは、結露画像３２０に基づき、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴が発生したと判定された場合、あるいは、結露除去後画像３３０に基づき、セラミック素体の表面に異常部が存在すると判定された場合、電子部品２の表面の状態が悪化したと判定されてもよい。

【0096】

なお、電気特性情報取得工程において、電気特性情報取得部２１０が、電圧印加工程Ｓ１３において印加される電圧に基づいて得られる電子部品の電気特性情報を取得している場合、電気特性評価部２２０は、取得された電気特性情報に基づき、電子部品２の電気特性を評価する。例えば、取得した電気特性情報として、電子部品２の絶縁抵抗が１分以上、１０^８Ω以下の値を示す場合、電気特性が劣化した可能性があると判断される。そして、電気特性情報と、結露除去後画像３３０とに基づき、電子部品の状態が評価されてもよい。例えば、電子部品２の絶縁抵抗が１分以上、１０^８Ω以下の値を示し、かつ結露除去後画像において、セラミック素体２Ａの表面の異常部の存在が確認されたとき、電子部品２にマイグレーション等の異常が発生したと判定されてもよい。これにより、より正確に電子部品２の状態を評価できる。なお、絶縁抵抗の良否を判定するための閾値は、電子部品２の種類またはサイズに応じて適切に設定されていることが好ましい。

【0097】

なお、結露除去後画像３３０と、結露画像３２０と、電気特性情報とに基づき、電子部品の状態が評価されてもよい。これにより、より正確に電子部品の状態を評価できる。例えば、結露画像３２０に基づき、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴が発生したと判定された場合、あるいは、電子部品２の絶縁抵抗が１分以上、１０^８Ω以下の値を示したとき、セラミック素体２Ａの表面の撥水性が低下したと判定される。そして、これに加えて、結露除去後画像３３０に基づき、セラミック素体２Ａの表面に異常部が存在すると判定されたとき、電子部品２にマイグレーション等の異常が発生したと判定されてもよい。

【0098】

なお、判定工程におけるこれらの処理は、例えば、制御部１００の画像評価部２００および電子部品評価部２３０によって行われる。ただし、一部の処理は、オペレータ等によって行われてもよい。

【0099】

なお、制御部１００は、ＡＩ（Artificial Intelligence）を用いて、電子部品の状態の評価を行ってもよい。例えば、制御部１００は、評価済みの電子部品の状態と、それに対応する画像とのセットを教師データとして用いて学習させて、学習済みモデルを構築する。そして、学習済みモデルに対して、新たに取得された画像が入力データとして入力されると、出力データとして、電子部品の状態が出力される。なお、制御部１００は、多層構造のニューラルネットワークを用いてディープラーニングを行うことにより、学習済みモデルを構築してもよい。ニューラルネットワークとしては、例えば、画像認識に適した畳み込みニューラルネットワークを用いることができる。

【0100】

入力データとしては、結露除去後画像、結露画像のうち、少なくとも１種の画像を用いる。好ましくは、少なくとも結露除去後画像を用いる。より好ましくは、結露除去後画像と、参照画像を用いる。あるいは、結露除去後画像と、結露画像を用いる。入力データとして、結露除去後画像と、結露画像と、参照画像を用いてもよい。各画像は、１枚であってもよいが、複数枚であってもよい。例えば、時系列で取得された、複数の結露除去後画像が入力されてもよい。また、時系列で取得された、複数の結露画像が入力されてもよい。時系列で取得された画像は、タイミング情報と紐づけられて入力されることが好ましい。結露画像は、動画像であってもよい。また、入力データとして、画像と共に、絶縁抵抗等の電気特性情報が入力されてもよい。この場合、時系列で取得された、電気特性情報が、タイミング情報と紐づけられて入力されることが好ましい。また、この場合は、教師データとして、画像に加えて電気特性情報も用いられる。

【0101】

出力データは、電子部品の表面の状態に関する情報であってもよい。例えば、セラミック素体２Ａの表面の異常の発生の有無の判定結果であってもよい。具体的には、セラミック素体２Ａの表面におけるマイグレーションの発生の有無の判定結果であってもよい。また、セラミック素体２Ａの撥水性の評価結果であってもよい。なお、教師データとして用いられる評価済みの電子部品の状態に関する情報についても、これらと同様の情報である。

【0102】

なお、電子部品２のサイズ等により、試料台４０の温度に対して、電子部品２の表面の温度の追従性が異なる。例えば、サイズの大きな電子部品２の場合は、試料台４０の温度に対する、電子部品２の表面の温度の追従性が低い。よって、冷却工程Ｓ２１における、試料台４０の低温側設定温度や、冷却工程Ｓ２１の期間といった、ペルチェ素子による電子部品２の冷却条件は、電子部品２の種類またはサイズに応じて調整されることが好ましい。具体的には、電子部品２のサイズが大きいほど、試料台４０の低温側設定温度を低くすることが好ましい。また、電子部品２のサイズが大きいほど、冷却工程Ｓ２１の期間を長くしてもよい。

【0103】

例えば、入力工程において、入力部１１０に、電子部品２の種類またはサイズの情報が入力される。この入力工程は、例えば、前述の試験条件設定工程Ｓ１２のタイミングで行われる。試験条件設定部１２０は、入力された電子部品２の種類またはサイズの情報に基づき、冷却工程Ｓ２１における、試料台４０の低温側設定温度や冷却工程Ｓ２１の期間といった、ペルチェ素子による電子部品２の冷却条件を設定する。これにより、電子部品２の種類またはサイズの情報を入力するのみで、ペルチェ素子による電子部品２の冷却条件が設定されるため、加熱冷却部としての試料台４０のペルチェ素子の冷却条件の設定が容易となる。

【0104】

図９は、実験例として、結露サイクル試験の試験結果を示す図である。この実験例は、本実施形態の結露サイクル試験の条件が、結露が繰り返し発生する状況下において生じる電子部品の状態を評価する上で、適切な条件であることを示している。

【0105】

本実験例においては、試験対象の電子部品として、積層セラミックコンデンサを用いた。積層セラミックコンデンサのセラミック素体の表面に撥水処理が行われていないサンプルＡと、撥水処理が行われているサンプルＢを用いて、本実施形態の結露サイクル試験の結果に差が生じるか否かを確認した。

【0106】

試験条件として、試験槽内の空気の目標温度は３０℃、目標湿度は６０ＲＨ％に設定した。加熱工程Ｓ２２における、試料台４０の高温側設定温度は４５℃に設定した。加熱工程Ｓ２２の期間、すなわち加熱時間は、１０分に設定した。冷却工程Ｓ２１における、試料台４０の低温側設定温度は５℃に設定した。冷却工程Ｓ２１の期間、すなわち冷却時間は、５分、８分、１０分の３つの条件に設定して実験を行った。

【0107】

なお、本試験に用いる電子部品は、Ｌ寸法が２ｍｍ、Ｗ寸法が１．２５ｍｍ、Ｔ寸法が１．２５ｍｍの略直方体のチップ状の積層セラミックコンデンサとした。セラミック素体の表面を構成するセラミック層の主成分は、ＢａＴｉＯ３である。外部電極は、下地電極層と、下地電極層上に施されためっき層により構成されており、めっき層は、セラミック素体側からＮｉめっき層、Ｓｎめっき層の２層構造で構成されている。

【0108】

本実験例においては、結露画像３２０に基づき、第１の外部電極２Ｂと第２の外部電極２Ｃを繋ぐような水滴が発生したと判定された場合、あるいは、結露除去後画像３３０に基づき、セラミック素体の表面に異常部が存在すると判定された場合に、電子部品２の表面の状態が悪化し、不良が発生したと判定した。

【0109】

図９に示されるように、冷却時間が５分の場合、８分の場合、１０分の場合のいずれの場合においても、撥水処理が行われていないサンプルＡと、撥水処理が行われているサンプルＢとで、結果に優位差が生じることが確認された。すなわち、撥水処理が行われているサンプルＢの方が、撥水処理が行われていないサンプルＡよりも不良が発生しにくい点について、高い再現性で確認することができた。また、サイクル数については概ね５回以上行うことにより、サンプルの状態の違いを、結露サイクル試験の結果の違いに反映させることができる。試験時間を考慮しつつ、より確実に、サンプルの状態の違いを、結露サイクル試験の結果の違いに反映させるために、サイクル数は４０サイクル以上６０サイクル以下とすることが好ましい。

【0110】

なお、制御部１００は、上述のように複数の機能ブロックにより構成されているが、各機能ブロックは必ずしも物理的に分かれている必要は無く、１つのＣＰＵが、複数の機能ブロックの機能を実現してもよい。また、制御部１００は、２つ以上に場所に分かれて配置されていてもよい。また、制御部１００は、その全部または一部が不図示のサーバに設けられていてもよい。なお、記憶部２４０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、または着脱可能なメモリカード等の記録媒体で構成される。記録媒体としては、一時的でない有形の媒体（non-transitory tangible media）が挙げられる。なお、制御部１００は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）、ＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）等の演算プロセッサを含んで構成される。制御部１００の各種機能は、例えば記憶部２４０に格納されたプログラム（アプリケーション）を実行することで実現される。プログラム（アプリケーション）は、ネットワークを介して提供されてもよいし、ＣＤ－ＲＯＭ（Compact Disc Read only memory）またはＤＶＤ（Digital Versatile Disc）等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体（computer readable storage medium）に記録されて提供されてもよい。なお、制御部１００の各機能は、ハードウェアとソフトウェアとの協働で実現されてもよいし、ハードウェア（電子回路）のみで実現されてもよい。

【0111】

なお、試験対象としての電子部品２は積層セラミックコンデンサに限らず、例えば、圧電部品、サーミスタ、インダクタ、抵抗等のチップ状の電子部品や、その他の電子部品であってもよい。

【0112】

本実施形態の電子部品の結露試験方法によれば、以下の効果を奏する。

【0113】

（１）本実施形態の電子部品２の結露試験方法は、温度および湿度を調整可能な試験槽１２内に電子部品２を配置する配置工程と、電子部品２の表面温度を露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させると共に、電子部品２の表面に結露を生じさせる冷却工程と、電子部品２の表面温度を露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させると共に、電子部品２の表面に付着した結露を乾燥除去する加熱工程と、電子部品２の表面の画像を取得する画像取得工程と、取得した画像を評価する評価工程と、を備え、冷却工程と、加熱工程とは、交互に繰り返し行われ、画像取得工程は、冷却工程後の加熱工程における電子部品２の表面温度が露点以上になった後であって、電子部品２の表面温度が露点以下になる前に、表面から結露が除去された状態の電子部品２の表面の画像を結露除去後画像として取得し、評価工程は、結露除去後画像に基づき、電子部品２の状態を評価する。これにより、結露が繰り返し発生する状況下において生じる電子部品２の状態を評価することが可能な電子部品２の結露試験方法を提供することができる。また、結露除去後画像に基づく評価を行うことで、マイグレーションのような電子部品２の表面の素材自体の変化を直接的に判別することができる。

【0114】

（２）本実施形態の電子部品２の結露試験方法において、電子部品２は、セラミック素体２Ａと、セラミック素体２Ａに設けられた少なくとも２つの外部電極２Ｂ、２Ｃを有し、評価工程は、少なくとも２つの外部電極２Ｂ、２Ｃの領域と、少なくとも２つ外部電極２Ｂ、２Ｃの間に位置するセラミック素体２Ａの表面の領域を判別し、結露除去後画像における、少なくとも２つ外部電極２Ｂ、２Ｃの間に位置するセラミック素体２Ａの表面の領域の画像情報に基づき、結露が除去されたセラミック素体２Ａの表面の異常の発生有無を判定する。このような電子部品２において、セラミック素体２Ａの表面において発生するマイグレーション等の異常の発生有無を適切に判定することができる。

【0115】

（３）本実施形態の電子部品２の結露試験方法において、画像取得工程はさらに、冷却工程において電子部品２の表面温度が露点以下になった後であって、次の加熱工程において電子部品２の表面温度が露点以上になる前に、表面に結露が生じている状態の電子部品２の画像を結露画像として取得し、評価工程は、結露画像における、セラミック素体２Ａの表面に付着している水滴の周縁部の位置と、結露除去後画像における結露が除去されたセラミック素体２Ａの表面の異常部の位置と、に基づき、電子部品２の状態を評価する。これにより、より高い評価感度で、マイグレーション等の異常部の存在を判定することができる。

【0116】

（４）本実施形態の電子部品２の結露試験方法において、繰り返し交互に行われる冷却工程および加熱工程のうち、１回の冷却工程と１回の加熱工程のセットを１サイクルとしたとき、画像取得工程はさらに、結露除去後画像の取得タイミングよりも少なくとも１サイクル以上前のタイミングで取得された、表面が結露していない状態の電子部品２の画像を参照画像として取得し、評価工程は、参照画像と、結露除去後画像との比較結果に基づき、電子部品２の状態を評価する。これにより、より高い評価感度で、マイグレーション等の異常部の存在を判定することができる。

【0117】

（５）本実施形態の電子部品２の結露試験方法は、画像が取得されたタイミングを示すタイミング情報と、画像とを紐づけて記憶する紐付け工程をさらに備え、評価工程において、タイミング情報に基づき、取得された複数の画像の中から、結露除去後画像が識別される。これにより、適切に結露除去後画像を識別することができる。

【0118】

（６）本実施形態の電子部品２の結露試験方法は、電子部品２に電圧を印加する電圧印加工程と、電圧印加工程において印加される電圧に基づいて得られる電子部品２の電気特性情報を取得する電気特性情報取得工程をさらに備え、評価工程は、電気特性情報と、結露除去後画像とに基づき、電子部品２の状態を評価する。これにより、より正確に電子部品２の状態を評価できる。

【0119】

（７）本実施形態の電子部品２の結露試験方法において、試験槽１２内の空気は、２５℃以上３５℃以下の範囲内に設定された目標温度に近づくように制御され、かつ４８％ＲＨ以上６２％ＲＨ以下の範囲内に設定された目標湿度に近づくように制御される。これにより、適切に結露サイクル試験を実施することができる。

【0120】

（８）本実施形態の電子部品２の結露試験方法において、試験槽１２は、加熱冷却部としての試料台４０を有し、配置工程において、電子部品２は試料台４０に配置される。これにより、適切に結露サイクル試験を実施することができる。

【0121】

（９）本実施形態の電子部品２の結露試験方法において、加熱冷却部としての試料台４０は、ペルチェ素子を有する。これにより、適切に結露サイクル試験を実施することができる。

【0122】

（１０）本実施形態の電子部品２の結露試験方法の冷却工程において、加熱冷却部としての試料台４０の温度が、露点よりも高い温度から０℃以上１２℃以下の範囲内の温度に下降するように制御される。これにより、冷却工程に要する時間および、その後の加熱工程に要する時間を必要以上に長くすることなく、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に結露を生じさせることができる。

【0123】

（１１）本実施形態の電子部品２の結露試験方法の加熱工程において、加熱冷却部としての試料台４０の温度が、露点よりも低い温度から４０℃以上５０℃以下の範囲内の温度に上昇するように制御される。これにより、加熱工程に要する時間および、その後の冷却工程に要する時間を必要以上に長くすることなく、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に付着した結露を乾燥除去することができる。

【0124】

（１２）本実施形態の電子部品２の結露試験方法は、冷却工程の期間は２分以上１０分以下であり、加熱工程の期間は２分以上１０分以下である。これにより、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に結露を生じさせると共に、効率的かつ安定的に電子部品２の表面に付着した結露を乾燥除去することができる。また、サイクル回数が多い場合でも、短期間で結露サイクル試験を実施することができる。

【0125】

（１３）本実施形態の電子部品２の結露試験方法において、冷却工程および加熱工程はそれぞれ、４０回以上６０回以下実施される。これにより、電子部品２を適切に評価することができる。

【0126】

（１４）本実施形態の電子部品２の結露試験方法は、電子部品２の種類またはサイズに関する情報を入力する入力工程をさらに含み、冷却工程における、加熱冷却部としての試料台による電子部品２の冷却条件は、入力工程において入力された入力情報に基づき、調整される。これにより、電子部品２の種類またはサイズの情報を入力するのみで、電子部品２の冷却条件が設定されるため、加熱冷却部としての試料台４０の冷却条件の設定が容易となる。

【0127】

（１５）本実施形態の電子部品２の結露試験方法は、温度および湿度を調整可能な試験槽１２内に電子部品２を配置する配置工程と、電子部品２の表面温度を露点よりも高い温度から露点よりも低い温度に低下させると共に、電子部品２の表面に結露を生じさせる冷却工程と、電子部品２の表面温度を露点よりも低い温度から露点よりも高い温度に上昇させると共に、電子部品２の表面に付着した結露を乾燥除去する加熱工程と、電子部品２の表面の画像を取得する画像取得工程と、取得した画像を評価する評価工程と、を備え、試験槽１２内の空気は、２５℃以上３５℃以下の範囲内に設定された目標温度に近づくように制御され、かつ４８％ＲＨ以上６２％ＲＨ以下の範囲内に設定された目標湿度に近づくように制御され、冷却工程と、加熱工程とは、交互に繰り返し行われ、冷却工程において、試験槽１２内の電子部品２が配置された加熱冷却部としての試料台４０の温度が、露点よりも高い温度から０℃以上１２℃以下の温度に下降するように制御され、加熱工程において、試験槽１２内の電子部品２が配置された加熱冷却部としての試料台４０の温度が、露点よりも低い温度から４０℃以上５０℃以下の温度に上昇するように制御され、冷却工程の期間は２分以上１０分以下であり、加熱工程の期間は２分以上１０分以下であり、評価工程は、表面から結露が除去された状態の電子部品２の表面の結露除去後画像または表面に結露が生じている状態の電子部品２の結露画像に基づき、電子部品２の状態を評価する。このような結露サイクル試験条件により、電子部品２の状態の評価を適切に行うことができる。

【0128】

本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

【符号の説明】

【0129】

１ 結露試験装置
２ 電子部品
２Ａ セラミック素体
２Ｂ 第１の外部電極
２Ｃ 第２の外部電極
３ 基板
３Ａ 基板本体
３Ｂ 第１の配線部材
３Ｃ 第２の配線部材
１０ 試験装置本体
１１ 空気条件調整槽
１２ 試験槽
２１ 第１の壁
２２ 第２の壁
２３ 隔壁
２３Ａ 供給口
２３Ｂ 循環口
３１ 冷却器
３２ 加熱器
３３ 加湿器
３４ 送風機
４０ 試料台（加熱冷却部）
４１ 加熱冷却部本体
４２ 伝熱シート
９０ マイクロスコープ
１００ 制御部
１１０ 入力部
１２０ 試験条件設定部
１３０ 電圧制御部
１４０ 空気温度調整部
１５０ 湿度調整部
１６０ ペルチェ制御部
１７０ 画像取得部
１８０ タイミング情報取得部
１９０ 画像種識別部
２００ 画像評価部
２１０ 電気特性情報取得部
２２０ 電気特性評価部
２３０ 電子部品評価部
２４０ 記憶部
３１０ 参照画像
３２０ 結露画像
３３０ 結露除去後画像
Ｄ 水滴

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図9】