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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-12
(45)【発行日】2024-03-21
(54)【発明の名称】検索装置
(51)【国際特許分類】
G06F 30/31 20200101AFI20240313BHJP
G06F 16/906 20190101ALI20240313BHJP
G06F 111/12 20200101ALN20240313BHJP
G06F 119/20 20200101ALN20240313BHJP
【ＦＩ】
G06F30/31
G06F16/906
G06F111:12
G06F119:20
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2021519027
(86)(22)【出願日】2020-04-30
(86)【国際出願番号】 IB2020054055
(87)【国際公開番号】W WO2020229927
(87)【国際公開日】2020-11-19
【審査請求日】2023-04-17
(31)【優先権主張番号】P 2019092100
(32)【優先日】2019-05-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000153878
【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所
(72)【発明者】
【氏名】郷戸 宏充
(72)【発明者】
【氏名】福留 貴浩
(72)【発明者】
【氏名】岡本 悟
【審査官】松浦 功
(56)【参考文献】
【文献】特開２０００－２００２９８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００４－０３０１２２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０４－２３９９７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－２８００００（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－１２８３８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第８４３４０３７（ＵＳ，Ｂ２）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０６Ｆ ３０／００ －３０／３９８
Ｇ０６Ｆ １６／００ －１６／９５８
Ｇ０６Ｆ ３／０４８ － ３／０４８９２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
表示部と、
第１の回路図情報を第１のグラフに変換する機能を有する処理部と、
前記第１のグラフと、データベースに登録された第２の回路図情報に基づく第２のグラフとの類似度を計算する演算手段と、
を有し、
前記表示部は、前記第１の回路図情報に対応する回路図と、前記回路図に対応する前記第１のグラフとを並べて表示する機能を有し、
前記表示部は、前記表示部に表示された前記回路図が有する複数の素子のうち、いずれか一の素子にユーザーがタッチしたとき、前記表示部に表示された前記第１のグラフの、前記一の素子に対応するノード及びエッジを、ユーザーが視覚により確認できる機能を有する検索装置。
【請求項2】
請求項１において、
前記表示部は、前記類似度を表示する機能を有する検索装置。
【請求項3】
請求項１または請求項２において、
前記第１の回路図情報には、トランジスタのチャネルに用いられる半導体材料の情報が含まれており、
前記第１のグラフには、前記情報が反映されている検索装置。
【請求項4】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記表示部は、前記第１の回路図情報を入力する機能を有する検索装置。
【請求項5】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の回路図情報は、前記回路図を説明するテキストである検索装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の一態様は、検索方法、検索装置、および検索システムに関する。特に、回路図、および回路図に関する文章の検索方法、検索装置、および検索システムに関する。
【背景技術】
【0002】
情報処理の分野で、グラフと呼ばれるデータ構造が提案されている。グラフは頂点（ノード）と辺（エッジ）の集合からなり、例えば、コミュニティにおける人と人との繋がりや、交通網など、ネットワーク構造を表現する手段に用いられる（特許文献１）。
【0003】
グラフを理論的に解析する方法はこれまでにも数多く提案されている。例えば、非特許文献１には、グラフ同士の類似度を計算する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１６－１１９０８２号公報
【非特許文献】
【0005】
【文献】Ｎｉｎｏ Ｓｈｅｒｖａｓｈｉｄｚｅ，ｅｔ ａｌ．，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｃｈｉｎｅ Ｌｅａｒｎｉｎｇ Ｒｅｓｅａｒｃｈ １２，ｐｐ．２５３９－２５６１，２０１１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
コンピューターやサーバーなどに保存された図面、または文書に記載された図面、または図面を説明する文章（テキスト情報ともいう）を検索したいという需要は多い。ここで文書の例として、特許公報、および論文などがある。また図面の例として、電子回路図などの回路図がある。しかし、現在普及している一般的な図面検索の方法は、回路素子の接続情報まで考慮することができない。そのため、機械は検索クエリを用いた検索方法等ではネットワークの回路図を見つけることができず、結局、人間が目視で探すことになる。
【0007】
本発明の一態様は、回路図の検索方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図の検索装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図の検索システムを提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図を説明する文章の検索方法を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図を説明する文章の検索装置を提供することを課題の一とする。また、本発明の一態様は、回路図を説明する文章の検索システムを提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様は、端末に第１の回路図情報を入力する手段と、第２の回路図情報が登録されたデータベースと、入力された第１の回路図情報を第１のグラフに変換する手段と、第１のグラフと、第２の回路図情報に基づく第２のグラフとの類似度を計算する演算手段と、類似度を端末に表示する手段と、を有する検索システムである。
【0009】
上記において、検索システムは、端末とネットワークを介して接続するサーバーを有し、データベースは、サーバーに保存されることが好ましい。
【0010】
上記において、第１の回路図情報は、回路図を構成する回路素子であることが好ましい。
【0011】
上記において、第１の回路図情報は、回路図を説明するテキストであることが好ましい。
【0012】
また、本発明の一態様は、端末に入力された第１の回路図情報を第１のグラフに変換する工程と、第１のグラフと、データベースに登録された第２のグラフとの類似度を計算する工程と、類似度を端末に表示する工程と、を有する検索方法である。
【0013】
上記において、第１の回路図情報は、回路図を構成する回路素子であることが好ましい。
【0014】
上記において、第１の回路図情報は、回路図を説明するテキストであることが好ましい。
【発明の効果】
【0015】
本発明の一態様により、回路図の検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図の検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図の検索システムを提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図を説明する文章の検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図を説明する文章の検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図を説明する文章の検索システムを提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
図１Ａ１乃至図１Ｆ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図２Ａ１乃至図２Ｆ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図３Ａ１乃至図３Ｇ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図４Ａ、および図４Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図５Ａ、および図５Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図６Ａ、および図６Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図７Ａ、および図７Ｂは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。
図８Ａは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。図８Ｂ、および図８Ｃは、本発明の一態様の回路図の一例である。
図９は、本発明の一態様の端末を説明する模式図である。
図１０は、本発明の一態様の回路図検索に用いられるネットワークを説明する模式図である。
図１１Ａ１乃至図１１Ｅ２は、本発明の一態様のグラフどうしの類似度の計算方法を説明する図である。
図１２は、本発明の一態様を説明するフローチャートである。
図１３は、本発明の一態様を説明するフローチャートである。
図１４Ａ、および図１４Ｂは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。
図１５は、本発明の一実施例を説明する図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｄは、本発明の一実施例を説明する図である。
図２Ａ１乃至図２Ｆ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図３Ａ１乃至図３Ｇ２は、回路素子、または該回路素子に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図４Ａ、および図４Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図５Ａ、および図５Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図６Ａ、および図６Ｂは、回路図、または該回路図に対応するグラフを示し、本発明の一態様を説明する図である。
図７Ａ、および図７Ｂは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。
図８Ａは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。図８Ｂ、および図８Ｃは、本発明の一態様の回路図の一例である。
図９は、本発明の一態様の端末を説明する模式図である。
図１０は、本発明の一態様の回路図検索に用いられるネットワークを説明する模式図である。
図１１Ａ１乃至図１１Ｅ２は、本発明の一態様のグラフどうしの類似度の計算方法を説明する図である。
図１２は、本発明の一態様を説明するフローチャートである。
図１３は、本発明の一態様を説明するフローチャートである。
図１４Ａ、および図１４Ｂは、本発明の一態様の回路図検索に用いられる端末の操作方法を説明する模式図である。
図１５は、本発明の一実施例を説明する図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｄは、本発明の一実施例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である検索システムについて説明を行う。本実施の形態の検索システムでは、回路図や回路図を説明する文章の検索を行うことができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である検索システムについて説明を行う。本実施の形態の検索システムでは、回路図や回路図を説明する文章の検索を行うことができる。
【0018】
なお、本明細書においてグラフとは、頂点（ノード）と辺（エッジ）からなるデータ構造であり、各データ間の繋がりを表したものである。グラフにはエッジの向きを考慮した有向グラフと、エッジの向きを考慮しない無向グラフが存在するが、本明細書は特に断りがない限り、無向グラフを扱うことにする。
【0019】
図１Ａ１はＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ａ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ａ２のグラフは、１つのノードＮ、２つのノードＮｓｄ、および１つのノードＮｇから構成されている。ノードＮｇはゲートを表し、ノードＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＮｇ、およびＮｓｄは、それぞれノードＮに接続されている。
【0020】
本明細書において、黒丸で図示されたノードを「素子ノード」と呼び、素子の中心を表すことにする。また、白丸で図示されたノードを「端子ノード」と呼び、素子の端子を表すことにする。例えば、図１Ａ２において、ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、およびＮｓｄは端子ノードである。通常、１つの素子ノードに複数の端子ノードが接続される。
【0021】
図１Ｂ１はＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｂ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｂ２のグラフは、１つのノードＰ、２つのノードＰｓｄ、および１つのノードＰｇから構成されている。ノードＰｇはゲートを表し、ノードＰｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＰは素子ノードであり、ノードＰｇ、およびＰｓｄは、それぞれノードＰに接続された端子ノードである。
【0022】
図１Ｃ１はＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｃ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｃ１に示すＮＭＯＳトランジスタは、ソース／ドレインが区別されている場合に用いられる（矢印が記載されている方がソース）。図１Ｃ２のグラフは、１つのノードＮ、１つのノードＮｇ、１つのノードＮｓ、および１つのノードＮｄから構成されている。ノードＮｇはゲートを表し、ノードＮｓはソースを表し、ノードＮｄはドレインを表している。ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、Ｎｓ、およびＮｄは、それぞれノードＮに接続された端子ノードである。
【0023】
図１Ｄ１はＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｄ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｄ１に示すＰＭＯＳトランジスタは、ソース／ドレインが区別されている場合に用いられる（矢印が記載されている方がソース）。図１Ｄ２のグラフは、１つのノードＰ、１つのノードＰｇ、１つのノードＰｓ、および１つのノードＰｄから構成されている。ノードＰｇはゲートを表し、ノードＰｓはソースを表し、ノードＰｄはドレインを表している。ノードＰは素子ノードであり、ノードＰｇ、Ｐｓ、およびＰｄは、それぞれノードＰに接続された端子ノードである。
【0024】
図１Ｅ１は２つのゲート電極を持つＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｅ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｅ２のグラフは、１つのノードＮ、２つのノードＮｓｄ、１つのノードＮｇ、および１つのノードＮｂｇから構成されている。ノードＮｇは第１のゲート（フロントゲートともいう）を表し、ノードＮｂｇは第２のゲート（バックゲートともいう）を表し、ノードＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、Ｎｂｇ、およびＮｓｄは、それぞれノードＮに接続された端子ノードである。
【0025】
その他、図示しないが、２つのゲート電極をもつＰＭＯＳトランジスタのグラフも、同様に定義できる。
【0026】
図１Ｆ１は基板電位を印加できるＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図１Ｆ２はそれに対応するグラフを示している。図１Ｆ２のグラフは、１つのノードＮ、２つのノードＮｓｄ、１つのノードＮｇ、および１つのノードＮｓｕｂから構成されている。ノードＮｇはゲートを表し、ノードＮｓｕｂは電位を印加できる基板を表し、ノードＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＮは素子ノードであり、ノードＮｇ、Ｎｓｕｂ、およびＮｓｄは、それぞれノードＮに接続された端子ノードである。
【0027】
その他、図示しないが、基板電位を印加できるＰＭＯＳトランジスタのグラフも、同様に定義できる。
【0028】
また、ＭＯＳトランジスタのチャネルに用いられる半導体材料の情報を回路図、およびグラフに含めることができる。
【0029】
図２Ａ１は、チャネルとしてシリコンを用いたＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ａ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ａ２のグラフは、１つのノードＳＮ、２つのノードＳＮｓｄ、および１つのノードＳＮｇから構成されている。ノードＳＮｇはゲートを表し、ノードＳＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＳＮは素子ノードであり、ノードＳＮｇ、およびＳＮｓｄはそれぞれノードＳＮに接続された端子ノードである。
【0030】
図２Ｂ１は、チャネルとしてシリコンを用いたＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｂ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｂ２のグラフは、１つのノードＳＰ、２つのノードＳＰｓｄ、および１つのノードＳＰｇから構成されている。ノードＳＰｇはゲートを表し、ノードＳＰｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＳＰは素子ノードであり、ノードＳＰｇおよびＳＰｓｄはそれぞれノードＳＰに接続された端子ノードである。
【0031】
また、トランジスタの半導体材料として、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＯＳ）を用いることができる。特にチャネル形成領域にＯＳを用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さく、好ましい。このようなトランジスタは、表示装置、投影装置、照明装置、電気光学装置、蓄電装置、記憶装置、半導体回路、撮像装置、および電子機器などの半導体装置に用いることができる。表示装置の具体例として、液晶表示装置、および発光表示装置などが挙げられる。また、半導体回路の具体例として、ＣＰＵ、メモリなどのＬＳＩ、およびそれらの一、または複数を搭載したＩＣチップなどが挙げられる。チャネル形成領域にＯＳを用いたトランジスタは、非導通状態において極めてリーク電流が小さいため、低消費電力の半導体装置を提供できる。
【0032】
ＯＳとして、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一を含む酸化物を用いることができる。例えば、ＯＳとして、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等の金属酸化物を用いるとよい。特に、インジウムおよび亜鉛に加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウムまたはスズなどが含まれていることが好ましい。また、ＯＳとして、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物を用いてもよい。
【0033】
また、ＯＳは結晶構造を有することが好ましい。結晶構造を有するＯＳとして、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、およびｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）などがある。
【0034】
ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ－ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。
【0035】
ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合がある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。
【0036】
また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ）層と表すこともできる。
【0037】
ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶性の高い金属酸化物である。一方、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な結晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、金属酸化物の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（ＶＯ：ｏｘｙｇｅｎ ｖａｃａｎｃｙともいう。）など）の少ない金属酸化物ともいえる。したがって、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する金属酸化物は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する金属酸化物は熱に強く、信頼性が高い。
【0038】
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
【0039】
なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する金属酸化物の一種である、インジウム－ガリウム－亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例えば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。
【0040】
また、ＯＳは、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、または非晶質酸化物半導体でもよい。
【0041】
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する金属酸化物である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。
【0042】
ＯＳは、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様のＯＳは、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
【0043】
図２Ｃ１は、チャネルとしてＯＳを用いたＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｃ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｃ２のグラフは、１つのノードＯＮ、２つのノードＯＮｓｄ、および１つのノードＯＮｇから構成されている。ノードＯＮｇはゲートを表し、ノードＯＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＯＮは素子ノードであり、ノードＯＮｇおよびＯＮｓｄはそれぞれノードＯＮに接続された端子ノードである。
【0044】
図２Ｄ１は、チャネルとしてＯＳを用いたＰＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｄ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｄ２のグラフは、１つのノードＯＰ、２つのノードＯＰｓｄ、および１つのノードＯＰｇから構成されている。ノードＯＰｇはゲートを表し、ノードＯＰｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＯＰは素子ノードであり、ノードＯＰｇおよびＯＰｓｄはそれぞれノードＯＰに接続された端子ノードである。
【0045】
図２Ｅ１は、チャネルとしてＯＳを用い、２つのゲート電極を持つＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｅ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｅ２のグラフは、１つのノードＯＮ、２つのノードＯＮｓｄ、１つのノードＯＮｇ、および１つのノードＯＮｂｇから構成されている。ノードＯＮｇは第１のゲート（フロントゲートともいう）を表し、ノードＯＮｂｇは第２のゲート（バックゲートともいう）を表し、ノードＯＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＯＮは素子ノードであり、ノードＯＮｇ、ＯＮｂｇ、およびＯＮｓｄは、それぞれノードＯＮに接続された端子ノードである。
【0046】
図２Ｆ１はチャネルとしてシリコンを用い、基板電位を印加できるＮＭＯＳトランジスタの回路記号を示し、図２Ｆ２はそれに対応するグラフを示している。図２Ｆ２のグラフは、１つのノードＳＮ、２つのノードＳＮｓｄ、１つのノードＳＮｇ、および１つのノードＳＮｓｕｂから構成されている。ノードＳＮｇはゲートを表し、ノードＳＮｓｕｂは電位を印加できる基板を表し、ノードＳＮｓｄはソースまたはドレインを表している。ノードＳＮは素子ノードであり、ノードＳＮｇ、ＳＮｓｕｂ、およびＳＮｓｄは、それぞれノードＳＮに接続された端子ノードである。
【0047】
図３Ａ１はＮＰＮ型のバイポーラトランジスタの回路記号を示し、図３Ａ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ａ２のグラフは、１つのノードＮＢ、１つのノードＮＢｂ、１つのノードＮＢｅ、および１つのノードＮＢｃから構成されている。ノードＮＢｂはベースを表し、ノードＮＢｅはエミッタを表し、ノードＮＢｃはコレクタを表している。ノードＮＢは素子ノードであり、ノードＮＢｂ、ＮＢｅ、およびＮＢｃは、それぞれノードＮＢに接続された端子ノードである。
【0048】
図３Ｂ１はＰＮＰ型のバイポーラトランジスタの回路記号を示し、図３Ｂ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｂ２のグラフは、１つのノードＰＢ、１つのノードＰＢｂ、１つのノードＰＢｅ、および１つのノードＰＢｃから構成されている。ノードＰＢｂはベースを表し、ノードＰＢｅはエミッタを表し、ノードＰＢｃはコレクタを表している。ノードＰＢは素子ノードであり、ノードＰＢｂ、ＰＢｅ、およびＰＢｃは、それぞれノードＰＢに接続された端子ノードである。
【0049】
図３Ｃ１は容量の回路記号を示し、図３Ｃ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｃ２のグラフは、１つのノードＣ、および２つのノードＣｔから構成されている。ノードＣは素子ノードであり、ノードＣｔは、ノードＣに接続された端子ノードである。
【0050】
図３Ｄ１は抵抗の回路記号を示し、図３Ｄ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｄ２のグラフは、１つのノードＲ、および２つのノードＲｔから構成されている。ノードＲは素子ノードであり、ノードＲｔは、ノードＲに接続された端子ノードである。
【0051】
図３Ｅ１はインダクタの回路記号を示し、図３Ｅ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｅ２のグラフは、１つのノードＬ、および２つのノードＬｔから構成されている。ノードＬは素子ノードであり、ノードＬｔは、ノードＬに接続された端子ノードである。
【0052】
図３Ｆ１はダイオードの回路記号を示し、図３Ｆ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｆ２のグラフは、１つのノードＤ、１つのノードＤａ、および１つのノードＤｃから構成されている。ノードＤａは陽極を表し、ノードＤｃは陰極を表している。ノードＤは素子ノードであり、ノードＤａ、およびＤｃは、ノードＤに接続された端子ノードである。
【0053】
図３Ｇ１は発光ダイオードの回路記号を示し、図３Ｇ２はそれに対応するグラフを示している。図３Ｇ２のグラフは、１つのノードＬＥ、１つのノードＬＥａ、および１つのノードＬＥｃから構成されている。ノードＬＥａは陽極を表し、ノードＬＥｃは陰極を表している。ノードＬＥは素子ノードであり、ノードＬＥａ、およびＬＥｃは、ノードＬＥに接続された端子ノードである。
【0054】
以上、上述のように、回路素子を表すグラフは、「素子ノード」と「端子ノード」で定義することができる。素子ノードの数は１つであり、端子ノードの数は素子が有する端子の数だけ存在する。図１Ａ１乃至図３Ｇ２に示されていない他の回路記号も、同様の考え方でグラフを定義することができる。
【0055】
図４Ａは、ＣＭＯＳトランジスタで構成されたＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）の回路図を示し、図４Ｂは、それに対応するグラフを示している。なお、図４Ｂのグラフは、見やすさのため、一部のエッジを曲線で表している。
【0056】
図４ＡのＳＲＡＭは、４つのＮＭＯＳトランジスタと、２つのＰＭＯＳトランジスタと、配線ＷＬと、２つの配線ＢＬと、電源線（Ｖｄｄ）と、ＧＮＤで構成されている。なお、２つの配線ＢＬのうち、一方は他方の反転信号が入力される。
【0057】
図４Ｂのグラフは、図１Ａ２、および図１Ｂ２に示したグラフと、配線ＷＬや配線ＢＬなど、各配線を表す端子ノードで構成されている。各端子ノードは、等電位な全ての端子ノードとエッジを共有する。なお、図４Ｂのグラフにおいて、配線ＷＬおよび配線ＢＬなどの配線は、必要に応じて設ければよく、不要なら省略してもよい。
【0058】
【0059】
図５Ａの画素回路は、３つのＮＭＯＳトランジスタと、１つの容量と、１つの発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）と、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、モニター線ＭＬ、陽極ＡＮＬ、陰極ＣＴＬからなる。なお、３つのＮＭＯＳトランジスタは、それぞれ第１のゲートと第２のゲートを持つ。
【0060】
図５Ｂのグラフは、図１Ｅ２、図３Ｃ２、および図３Ｇ２に示したグラフと、走査線ＧＬや信号線ＳＬなど、各配線を表す端子ノードで構成されている。また、図４Ｂと同様に、各端子ノードは、等電位な全ての端子ノードとエッジを共有する。なお、図５Ｂのグラフにおいて、走査線ＧＬ、信号線ＳＬおよびモニター線ＭＬなどの配線は、必要に応じて設ければよく、不要なら省略してもよい。
【0061】
図６Ａは、ＯＳトランジスタを用いたメモリセルの回路図である。当該メモリセルは、ＯＳトランジスタのオフ電流が低いことを利用した不揮発性メモリで、ＮＯＳＲＡＭ（登録商標、Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ＲＡＭ）と呼ばれる。
【0062】
図６ＡのＮＯＳＲＡＭは、１つのバックゲートをもつＯＳトランジスタと、２つのＳｉ－ＰＭＯＳトランジスタと、容量Ｃと、配線ＢＬと、配線ＳＬと、配線ＷＷＬと、配線ＲＷＬと、配線ＷＣＬと、配線ＢＧで構成されている。
【0063】
図６Ｂのグラフは、図２Ｂ２、図２Ｅ２および図３Ｃ２に示したグラフと、配線ＢＬや配線ＳＬなど、各配線を表す端子ノードで構成されている。また、図４Ｂおよび図５Ｂと同様に、各端子ノードは、等電位な全ての端子ノードとエッジを共有する。なお、図６Ｂのグラフにおいて、配線ＢＬ、配線ＳＬ、配線ＷＷＬ、配線ＲＷＬ、配線ＷＣＬおよび配線ＢＧなどの配線は、必要に応じて設ければよく、不要なら省略してもよい。
【0064】
このように、同一回路内に、ＯＳトランジスタとＳｉトランジスタが混在する場合でも、それぞれのトランジスタをグラフで区別することで、回路の特徴をグラフで表すことができる。
【0065】
なお、回路図をグラフで表す際、必ずしも全ての配線をグラフ化する必要は無い。例えば、回路の特徴を示す配線のみグラフ化すればよい。図４Ｂにおいて、配線ＷＬ、配線ＢＬ、電源線Ｖｄｄ、およびＧＮＤのすべてをグラフで表す必要は無い。これらの一部のみグラフで表してもよいし、これらをグラフで表さなくてもよい。図５Ｂにおいて、走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、モニター線ＭＬ、陽極ＡＮＬ、および陰極ＣＴＬのすべてをグラフで表す必要は無い。これらの一部のみグラフで表してもよいし、これらをグラフで表さなくてもよい。図６Ｂにおいて、配線ＢＬ、配線ＳＬ、配線ＷＷＬ、配線ＲＷＬ、配線ＷＣＬ、および配線ＢＧのすべてをグラフで表す必要は無い。これらの一部のみグラフで表してもよいし、これらをグラフで表さなくてもよい。
【0066】
以上、回路図をグラフで表現する方法について説明を行った。次に、上述のグラフを用いた、本発明の一態様である、検索装置、および検索システムについて説明を行う。
【0067】
図７Ａ、図７Ｂ、および図８Ａに示す端末１０は、データベースに登録された回路図から、ユーザーが入力した回路図に近いものを検索し、結果を表示する機能を有する検索装置の一例である。また、図９は端末１０の構成の一例を示すブロック図である。図９に示すように、端末１０は表示部１０１、入力部１０３、処理部１０５、演算部１０７、記憶部１０９、および外部接続回路１１１を有する。表示部１０１は、タッチパネルディスプレイであることが好ましい。なお、演算部１０７が、処理部１０５の機能を兼ねてもよい。また、図８Ｂ、および図８Ｃに、端末１０の表示部１０１に表示される回路図の例を示す。
【0068】
上記データベースには、回路図情報として、複数の回路図と、それぞれの回路図に対応したグラフが予め登録されている。また、上記データベースには、該回路図を説明する文章が登録されていてもよい。上記データベースは、端末１０が内蔵する記憶部１０９に保存されていてもよいし、端末１０に接続された外部記憶装置に保存されていてもよい。また、上記データベースは、図１０に示すように、端末１０とネットワークを介して接続されているサーバー５０に保存されていてもよい。端末１０は、外部接続回路１１１を用いて、ネットワークに接続することができる。
【0069】
ここで、ネットワークには、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）や、インターネットが含まれる。また、上記ネットワークは、有線、および無線のいずれか一方、または両方による通信を用いることができる。また、上記ネットワークにおいて無線通信を用いる場合、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）などの近距離通信手段の他に、第３世代移動通信システム（３Ｇ）に準拠した通信手段、ＬＴＥ（３．９Ｇと呼ぶ場合もある）に準拠した通信手段、第４世代移動通信システム（４Ｇ）に準拠した通信手段、または第５世代移動通信システム（５Ｇ）に準拠した通信手段などの様々な通信手段を用いることができる。
【0070】
なお、端末１０としてタブレット型のコンピューターの例を示すが、本実施の形態はこれに限らない。図１０では、端末３０として、デスクトップ型のコンピューター、および端末４０として、ラップトップ型のコンピューターを用いる例を示す。端末３０は、本体３０１と、表示部３０２と、入力部３０３と、を有する。端末４０は、本体４０１と、表示部４０２と、入力部４０３と、を有する。端末３０、および端末４０は、それぞれ端末１０の処理部１０５、演算部１０７、記憶部１０９、および外部接続回路１１１と対応する処理部、演算部、記憶部、および外部接続回路を有することが好ましい。サーバー５０は、ラック５０１と、複数のラックマウント型の計算機５０２と、を有する。計算機５０２に設けられた記憶装置にデータベースが保存される。端末３０、および端末４０は、端末１０と同様の機能を有し、サーバー５０にネットワークを介して接続される。端末１０、端末３０、および端末４０は、サーバー５０の計算機５０２に保存されたデータベースにアクセスすることができる。
【0071】
図７Ａ、図７Ｂは、ユーザーが端末１０に検索したい回路図を入力する例を示している。端末１０の表示部１０１に、領域１１と領域１２が表示され、ユーザーは領域１１に検索したい回路図を作成する。領域１１と領域１２の上下にそれぞれ領域１３、および領域１４が配置される。領域１３、および領域１４には、回路図を構成する回路素子が配置される。端末１０には、タッチパネルディスプレイ、キーボード、およびマウスなどの入力手段が設けられており、ユーザーは、各回路素子を領域１１へドラッグ＆ドロップすることで、所望の回路図を作成することができる（図７Ａ）。
【0072】
ユーザーが領域１１に回路図を入力し終えると、端末１０、またはネットワークを介して端末１０と接続されたサーバー５０に内蔵された処理部１０５により、領域１１に入力された回路図に相当するグラフが作成される。なお、グラフの作成は、演算部１０７で行われてもよい。作成されたグラフは、領域１２に表示される。また、ユーザーが領域１１の回路素子のどれか１つをタッチすると、領域１２において、ユーザーがタッチした素子に対応するグラフのノードとエッジの色が変わる（図７Ｂ）。これによって、ユーザーは自分が作成した回路図と、端末１０が生成したグラフの対応関係を確認することができる。
【0073】
なお、端末１０は回路図の代わりに、ネットリストを入力データとして扱うことができる。ネットリストは回路素子の接続情報が記載されたテキストファイルである。端末１０は、ネットリストをグラフに変換することができる。
【0074】
また、端末１０は、グラフを直接入力データとして扱うこともできる。
【0075】
また、端末１０は、回路図が描かれた画像データを入力データとして扱うことができる。端末１０は、画像データから回路素子の接続情報を読み取り、グラフを生成することができる。
【0076】
次に、領域１２に表示されたグラフと、データベースに登録されているグラフとの類似度を計算する。グラフどうしの類似度の計算には、ラベルヒストグラムカーネル法、ランダムウォークカーネル法、ＷＬ（Ｗｅｉｓｆｅｉｌｅｒ－Ｌｅｈｍａｎ）カーネル法、ＧＮＮ（Ｇｒａｐｈ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、等を用いればよい。特にＷＬカーネル法を用いた方法は精度が高く、計算時間も短いため好ましい。
【0077】
＜ＷＬカーネルの説明＞
ここで、グラフどうしの類似度を計算する手法の一つである、ＷＬカーネルの方法について、単純な回路を用いて説明を行う。
ここで、グラフどうしの類似度を計算する手法の一つである、ＷＬカーネルの方法について、単純な回路を用いて説明を行う。
【0078】
図１１Ａ１に示す回路Ｇは、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタを直列に接続した回路である。また、図１１Ａ２に示す回路Ｇ′は、ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタを並列に接続した回路である。以下、これら２つの回路の類似度を計算する方法を説明する。
【0079】
まず、回路ＧおよびＧ′を、上述した方法を用いてグラフで表す。図１１Ｂ１は回路Ｇをグラフで表したものであり、図１１Ｂ２は回路Ｇ′をグラフで表したものである。これらグラフを構成するノードは、ノードの種類ごとにラベル（数字）が割りあてられている。図１１Ｂ１、図１１Ｂ２では、括弧内の数字が上記ラベルに相当する。
【0080】
次に、それぞれの回路内のラベルの数をカウントし、それぞれの回路の特徴ベクトルを生成する。式１のφ（Ｇ）は回路Ｇの特徴ベクトルを表し、式２のφ（Ｇ′）は回路Ｇ′の特徴ベクトルを表している。
【0081】
φ（Ｇ ）＝（１、１、２、１、１、２） （式１）
【0082】
φ（Ｇ′）＝（１、１、２、１、１、２） （式２）
【0083】
例えば、式１の右辺は、左から順に、ラベル「１」が１つ、ラベル「２」が１つ、ラベル「３」が２つ、ラベル「４」が１つ、ラベル「５」が１つ、ラベル「６」が２つ、という意味を表している。式２も同様である。
【0084】
次に、隣接ノードのラベルを数える（図１１Ｃ１、図１１Ｃ２）。例えば、図１１Ｃ１における「１．２３３」は、ラベル「１」の隣接ノードは、ラベル「２」が１つ、ラベル「３」が２つという意味である。他のノードも同様である。
【0085】
【0086】
次に、図１１Ｄ１および図１１Ｄ２で割りあてたラベルを、回路ＧおよびＧ′に振りなおす（図１１Ｅ１、図１１Ｅ２参照）。なお、この図１１Ｃ１、図１１Ｄ１、図１１Ｅ１（または、図１１Ｃ２、図１１Ｄ２、図１１Ｅ２）に示す一連の作業をリラベリングと呼ぶ。
【0087】
次に、リラベリングを行った回路ＧおよびＧ′のラベルの数をカウントし、それぞれの回路の特徴ベクトルを再び求める。式３は回路Ｇの特徴ベクトルを表し、式４は回路Ｇ′の特徴ベクトルを表している。
【0088】
φ（Ｇ ）＝（１、１、２、１、１、２、１、１、１、１、１、１、１、１） （式３）
【0089】
φ（Ｇ′）＝（１、１、２、１、１、２、１、１、０、２、１、１、０、２） （式４）
【0090】
例えば、式３の右辺において、左から順に、始めの６項は式（１）と同じであるが、その後に続く８項は、リラベリングによって追加されたものである。式４も同様である。
【0091】
以下、上記リラベリングの作業を、ある一定数繰り返すことで、グラフの特徴をより正確に表した特徴ベクトルφ（Ｇ）およびφ（Ｇ′）が得られる。最後に、以下の式５で表されるＫＷＬ（ガウスカーネル、またはＲＢＦカーネルと呼ぶ）を計算することで、回路Ｇと回路Ｇ′の類似度が計算される。
【0092】
【数1】
【0093】
以上が、ＷＬカーネルの方法を用いたグラフ同士の類似度の計算方法である。
【0094】
上記類似度の計算は、端末１０に内蔵されたＣＰＵまたはＧＰＵなどの演算部１０７で行ってもよいし、ネットワークを介して端末１０と接続されたサーバー５０に内蔵されたＣＰＵまたはＧＰＵなどの演算手段で行ってもよい。
【0095】
図８Ａは、端末１０の表示部１０１に検索結果を表示させた例を示している。表示部１０１における領域１６にはユーザーが入力した検索クエリの回路図が表示され、領域１８には検索結果の一覧が表示される。領域１８における数値１９は類似度を示している。領域１８に表示される回路図のうち、どれか１つをユーザーがタッチすると、その拡大図が領域１７に表示される。こうして、ユーザーは検索結果を確認することができる。
【0096】
例えば、図８Ｂ、および図８Ｃに示す２つの回路図は、ともにＳＲＡＭを表したものであり、回路としては等価である。しかし、検索システムが、回路の接続情報を理解できない場合は、これら２つの回路を異なる図面として認識してしまう。一方、上記方法を用いれば、図８Ｂ、および図８Ｃは、同じグラフに置き換えられるため、本発明の検索システムはこの２つを同じ回路図と認識することができる。
【0097】
また、領域１８には、表示された回路図を説明する文章を併せて表示することができる。ユーザーは、得られた類似度を参照しながら、入力したテキスト情報と、端末１０に表示された回路図や文章を比較することができる。
【0098】
図１２は、本発明の回路図、および回路図を説明する文章の検索方法の一態様を説明するフローチャートである。
【0099】
まず、端末１０に回路図情報を入力する（Ｓ１０１）。ユーザーは、入力部１０３を用いて端末１０に回路素子を入力する。また、複数の回路素子を用いて、回路図を作成できる。ここで、入力された回路素子、および作成された回路図を回路図情報とする。
【0100】
次に、処理部１０５にて、入力された回路図情報からグラフを生成する（Ｓ１０２）。ここで、生成されたグラフを、便宜上第１のグラフとする。処理部１０５には、入力された回路図情報を一時保存する第２の記憶部、および第１のグラフを生成するための第２の演算部を有していることが好ましい。一方、入力された回路図情報は、記憶部１０９に一時保存されてもよい。また、第１のグラフの生成を演算部１０７で行ってもよい。
【0101】
次に、演算部１０７にて、第１のグラフと、データベースに登録されている複数のグラフとの類似度を計算する（Ｓ１０３）。ここで、データベースに登録されているグラフを、便宜上第２のグラフとする。演算部１０７では、処理部１０５、または記憶部１０９に保存された第１のグラフと、第２のグラフとの類似度を、ラベルヒストグラムカーネル法、ランダムウォークカーネル法、ＷＬカーネル法、ＧＮＮ等を用いて計算する。複数の第２のグラフに対してそれぞれ類似度を求める。類似度が大きい程、当該第２のグラフは、第１のグラフに類似したグラフであるといえる。
【0102】
データベースが、端末１０とネットワークを介して接続されているサーバー５０に保存されていている場合、端末１０は、外部接続回路１１１を用いて、ネットワークに接続し、データベースにアクセスすることができる。
【0103】
また、上記計算をサーバー５０にて行ってもよい。この場合、第１のグラフのデータを、外部接続回路１１１、およびネットワークを介してサーバー５０に送信し、サーバー５０にて第１のグラフと第２のグラフの類似度を計算する。計算結果は、ネットワーク、および外部接続回路１１１を介して端末１０に送信される。
【0104】
次に、計算結果、すなわち検索結果を表示部１０１に表示する（Ｓ１０４）。計算結果として、類似度を大きいものから順に表示することができる。また、類似度の表示と同時に、当該類似度に対応するグラフ、回路図、および回路図を説明する文章の一、または複数を表示してもよい。また、ある類似度の範囲内で、回路図、および回路図を説明する文章の作成日の早い順、または遅い順に計算結果を表示してもよい。
【0105】
ユーザーは、計算結果を基に、データベースに登録された複数の回路図から、所望の回路図、または所望の回路図に類似した回路図を検索することができる。
【0106】
以上、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索システムを提供することが可能になる。
【0107】
本実施の形態に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態、および実施例に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0108】
（実施の形態２）
本実施の形態では、図１３、および図１４を用いて、先の実施の形態とは異なる、本発明の一態様である検索システムについて説明を行う。本実施の形態の検索システムでは、回路図を説明する文章や回路図の検索を行うことができる。
本実施の形態では、図１３、および図１４を用いて、先の実施の形態とは異なる、本発明の一態様である検索システムについて説明を行う。本実施の形態の検索システムでは、回路図を説明する文章や回路図の検索を行うことができる。
【0109】
本実施の形態では、テキスト情報をグラフ化し、データベースに登録されたグラフ情報と比較し、類似度を算出する。テキスト情報には、回路図の情報、すなわち回路素子、およびその接続関係を文字で表した情報が含まれている。テキスト情報の具体例として、論文、特許明細書などの文章が含まれる。特に、特許明細書においては、発明を実施するための形態、実施例、特許請求の範囲に記載の請求項等がテキスト情報となる。
【0110】
テキスト情報は、検索クエリとして、端末１０に入力される（図１３、Ｓ２０１）。例えば、図１４Ａに示すように、端末１０の表示部１０１の領域１５にキーボードなどを表示させ、テキスト情報を入力することができる。入力されたテキスト情報は、領域１１に表示される。また、ユーザーが用意した文章の電子データをコピーし、ペーストすることでテキスト情報を入力してもよい。
【0111】
端末１０、または端末１０とネットワークを介して接続されているサーバー５０は、端末１０に入力されたテキスト情報から回路素子を抽出する。次に、該回路素子の名称から素子ノードを特定する（Ｓ２０２）。回路素子の抽出、および素子ノードの特定を端末１０で行う場合、これらの処理は、処理部１０５で行うことができる。
【0112】
ここで、回路素子とは、トランジスタ、容量、抵抗、インダクタ、ダイオード、および発光ダイオードなどを示す。
【0113】
次に、端末１０、またはサーバー５０は、該回路素子が有する端子ノードを特定する（Ｓ２０３）。該端子ノードの特定は、端末１０に入力されたテキスト情報、または端末１０、またはサーバー５０が有するデータベースに登録された情報に基づき実施できる。
【0114】
次に、端末１０に入力されたテキスト情報から端子ノードの接続関係を特定する（Ｓ２０４）。
【0115】
以下に例文を示す。端末１０に、「トランジスタと、容量を有し、前記トランジスタのゲートは、前記容量の第１端子と接続する。」というテキスト情報が入力された場合、端末１０、またはサーバー５０は、素子ノードとして、トランジスタ、および容量を特定する。端末１０、またはサーバー５０が有するデータベースには、トランジスタはゲート、ソース、およびドレインにそれぞれ対応する端子を有するという情報、および容量は２つの端子を有するという情報が登録されている。そのため、端末１０、またはサーバー５０は、トランジスタの素子ノードに対して少なくとも３の端子ノード、容量の素子ノードに対して２の端子ノードを特定する。
【0116】
次に、前記トランジスタのゲートは、前記容量の第１の端子と接続するというテキスト情報から、トランジスタのゲートに対応する端子ノードと、容量の端子ノードの一方が接続するという接続関係を特定できる。
【0117】
以上の方法により、端末１０、またはサーバー５０により、テキスト情報から、素子ノード、端子ノード、および各端子ノードの接続関係を特定する。
【0118】
次に、得られた素子ノード、端子ノード、および各端子ノードの接続関係から、回路図情報をグラフ化し、第１のグラフを作成する（Ｓ２０５）。得られた第１のグラフは、図１４Ｂに示すように、表示部１０１の領域１２に表示させることができる。
【0119】
回路図情報のグラフ化が完了したら、先の実施の形態と同様に第１のグラフと、データベースに保存された第２のグラフとの類似度を計算し（Ｓ２０６）、計算結果を端末１０に表示することができる（Ｓ２０７）。
【0120】
また、データベースには、グラフデータ、該グラフデータに対応する文章、および該グラフデータに対応する回路図が登録されていてもよい。上記のようにグラフの類似度を求め、類似度を端末１０に表示する際、類似度に対応する文章、および回路図の一方、または両方も併せて表示してもよい。グラフの類似度、文章、および回路図の表示方法については、ユーザーが適宜選択できる。
【0121】
すなわち、ユーザーは、テキスト情報を入力することで、それに類似した文章や、回路図を検索することができる。
【0122】
ユーザーは、得られた類似度を参照しながら、入力したテキスト情報と、端末１０に表示された文章や回路図を比較することができる。
【0123】
以上、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索方法を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索装置を提供することが可能になる。また、本発明の一態様により、回路図、および回路図を説明する文章を検索することが可能な検索システムを提供することが可能になる。
【0124】
本実施の形態に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態、および実施例に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例】
【0125】
本実施例では、実施の形態１で説明した方法を用いて、実際に回路図の類似度を計算した例を説明する。具体的には、回路図をグラフで表し、ＷＬ（Ｗｅｉｓｆｅｉｌｅｒ－Ｌｅｈｍａｎ）カーネルの方法を用いてグラフ同士の類似度を計算した。
【0126】
＜類似度の計算例＞
図１５は、クエリとして入力した回路図Ｇと、比較対象の回路図Ｇ′の類似度（ＫＷＬ）を、上述のＷＬカーネルの方法を用いて計算した例である。すなわち、図１５は、回路図１１０１と、回路図１１０２、回路図１１０３、および回路図１１０４それぞれとの比較を行っている。
図１５は、クエリとして入力した回路図Ｇと、比較対象の回路図Ｇ′の類似度（ＫＷＬ）を、上述のＷＬカーネルの方法を用いて計算した例である。すなわち、図１５は、回路図１１０１と、回路図１１０２、回路図１１０３、および回路図１１０４それぞれとの比較を行っている。
【0127】
回路図１１０１は、ＣＭＯＳインバータをループ状に接続した回路図である。回路図１１０２は、ＣＭＯＳインバータを２つ直列に接続した回路図である。回路図１１０３はＳＲＡＭの回路図である。回路図１１０４は、ＮＡＮＤゲートの回路図である。
【0128】
図１６Ａ乃至図１６Ｄは、図１５に示す回路図を、それぞれグラフで表したものである。図１６Ａは回路図１１０１のグラフを示し、図１６Ｂは回路図１１０２のグラフを示し、図１６Ｃは回路図１１０３のグラフを示し、図１６Ｄは回路図１１０４のグラフを示している。
【0129】
再び、図１５に説明を戻す。図１５に示すＫＷＬは式５で表されるガウスカーネルであり、２つの回路図の類似度を表している。ＫＷＬの値が１に近いほど、２つの回路図は類似していることを表している。なお、ＫＷＬの計算において、式５のγを０．００１とし、イタレーションの回数（リラベリングの回数）を３とした。
【0130】
上記リラベリングの計算、およびＫＷＬの計算は、端末１０で計算を行ってもよいし、サーバーで行ってもよい。
【0131】
図１５の結果をみると、回路図１１０１との類似度は、回路図１１０２が最も高く、回路図１１０４、回路図１１０３の順に続いていることがわかる。このように、回路図をグラフで表すことで、回路図どうしの類似度を計算できることが確認された。
【0132】
本実施例に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態、および実施例に示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【符号の説明】
【0133】
１０：端末、１１：領域、１２：領域、１３：領域、１４：領域、１５：領域、１６：領域、１７：領域、１８：領域、１９：数値、３０：端末、４０：端末、５０：サーバー、１０１：表示部、１０３：入力部、１０５：処理部、１０７：演算部、１０９：記憶部、１１１：外部接続回路、３０１：本体、３０２：表示部、３０３：入力部、４０１：本体、４０２：表示部、４０３：入力部、５０１：ラック、５０２：計算機、１１０１：回路図、１１０２：回路図、１１０３：回路図、１１０４：回路図
【図1A1】
【図1A2】
【図1B1】
【図1B2】
【図1C1】
【図1C2】
【図1D1】
【図1D2】
【図1E1】
【図1E2】
【図1F1】
【図1F2】
【図2A1】
【図2A2】
【図2B1】
【図2B2】
【図2C1】
【図2C2】
【図2D1】
【図2D2】
【図2E1】
【図2E2】
【図2F1】
【図2F2】
【図3A1】
【図3A2】
【図3B1】
【図3B2】
【図3C1】
【図3C2】
【図3D1】
【図3D2】
【図3E1】
【図3E2】
【図3F1】
【図3F2】
【図3G1】
【図3G2】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8A】
【図8B】
【図8C】
【図9】
【図10】
【図11A1】
【図11A2】
【図11B1】
【図11B2】
【図11C1】
【図11C2】
【図11D1】
【図11D2】
【図11E1】
【図11E2】
【図12】
【図13】
【図14A】
【図14B】
【図15】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】