(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-12
(45)【発行日】2024-03-21
(54)【発明の名称】基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/10 20060101AFI20240313BHJP
【FI】
H05K3/10 D
(21)【出願番号】P 2022169624
(22)【出願日】2022-10-24
【審査請求日】2022-10-24
(31)【優先権主張番号】10-2021-0147103
(32)【優先日】2021-10-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】598123150
【氏名又は名称】セメス株式会社
【氏名又は名称原語表記】SEMES CO., LTD.
【住所又は居所原語表記】77,4sandan 5-gil,Jiksan-eup,Seobuk-gu,Cheonan-si,Chungcheongnam-do,331-814 Republic of Korea
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】IBC一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】イ,ドン ユン
【審査官】ゆずりは 広行
(56)【参考文献】
【文献】特開2006-210393(JP,A)
【文献】特開2010-232472(JP,A)
【文献】特開2014-183243(JP,A)
【文献】特開2007-105623(JP,A)
【文献】特開2018-147977(JP,A)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H05K 3/10
B05C 5/00
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1方向に延びて、基板を前記第1方向に移動させるステージであって、前記ステージはエアーフローティングシステムを備えたステージと、
前記ステージ上に、前記第1方向と交差する第2方向に延びるガントリと、
前記ガントリに設けられ、前記第2方向に移動可能なヘッドモジュールと、
前記ヘッドモジュール内に設けられ、前記基板と前記ステージの間の離隔距離を測定する変位センサを含み、
前記ヘッドモジュールは前記基板に向かってインクを吐出するノズルユニットを含み、
前記ステージと前記ノズルユニットの間の高さと、前記ステージと前記変位センサの間の高さは同じであり、
第1位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出
すると同時に、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第1離隔距離を測定し、
前記第1位置と異なる第2位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出
すると同時に、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第2離隔距離を測定する、基板処理装置。
【請求項2】
前記第1離隔距離と前記第2離隔距離の差が既に設定された値を超えると、前記ステージのメンテナンス作業を行う、請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記ステージの一側に設けられて前記基板を把持するグリッパをさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記変位センサは前記グリッパの平坦度を測定する、請求項
3に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第1位置と前記第2位置は前記第2方向に離隔した、請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第1離隔距離と前記第2離隔距離をリアルタイムでモニタリングできる制御モジュールをさらに含む、請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記ステージは第1領域と前記第1領域の間の第2領域を含み、
前記第1位置と前記第2位置は前記ステージの前記第2領域と重なる、請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記第1領域は前記基板に向かってエアーを噴射する領域であり、
前記第2領域は前記基板に向かってエアーを噴射し、前記基板と前記ステージの間のエアーを吸い込む領域である、請求項
7に記載の基板処理装置。
【請求項9】
第1方向に延びて、基板を前記第1方向に移動させるステージであって、前記ステージはエアーフローティングシステムを備えたステージと、
前記ステージの一側に設けられて前記基板を把持するグリッパと、
前記ステージ上に、前記第1方向と交差する第2方向に延びるガントリと、
前記ガントリに設けられ、前記第2方向に移動可能なヘッドモジュールと、
前記ヘッドモジュール内に設けられ、前記基板と前記ステージの間の離隔距離を測定する変位センサを含み、
前記ヘッドモジュールは前記基板に向かってインクを吐出するノズルユニットを含み、
前記ステージと前記ノズルユニットの間の高さと、前記ステージと前記変位センサの間の高さは同じであり、
第1位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出
すると同時に、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第1離隔距離を測定し、
前記第1位置と異なる第2位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出
すると同時に、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第2離隔距離を測定し、
前記第1および第2位置と異なる第3位置で前記変位センサは前記グリッパの平坦度を測定する、基板処理装置。
【請求項10】
前記第1位置と前記第2位置は前記第2方向に離隔した、請求項
9に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記第1離隔距離と前記第2離隔距離をリアルタイムでモニタリングできる制御モジュールをさらに含む、請求項
9に記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記ステージは第1領域と前記第1領域の間の第2領域を含み、
前記第1位置と前記第2位置は前記ステージの前記第2領域と重なる、請求項
9に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記第1領域は前記基板に向かってエアーを噴射する領域であり、
前記第2領域は前記基板に向かってエアーを噴射し、前記基板と前記ステージの間のエアーを吸い込む領域である、請求項
12に記載の基板処理装置。
【請求項14】
第1方向に延びて、基板を前記第1方向に移動させるステージを提供し、
前記ステージ上に、前記第1方向と交差する第2方向に移動可能なヘッドモジュールを提供し、
第1位置で、
前記ヘッドモジュールにより前記基板にインクを吐出すると同時に、前記ヘッドモジュール内に設けられた変位センサにより前記基板と前記ステージの間の第1離隔距離を測定し、
前記第1位置と異なる第2位置で
、前記ヘッドモジュールにより前記基板にインクを吐出すると同時に、前記変位センサにより前記基板と前記ステージの間の第2離隔距離を測定し、
前記第1離隔距離と前記第2離隔距離の差をモニタリングすることを含
み、
前記ヘッドモジュールは前記基板に向かってインクを吐出するノズルユニットを含み、
前記ステージと前記ノズルユニットの間の高さと、前記ステージと前記変位センサの間の高さは同じである、基板処理方法。
【請求項15】
前記第1離隔距離と前記第2離隔距離の差が既に設定された値を超えると、前記ステージのメンテナンス作業を行うことをさらに含む、請求項
14に記載の基板処理方法。
【請求項16】
前記第1位置および前記第2位置と異なる第3位置で、前記変位センサにより前記基板と前記ステージの間の第3離隔距離を測定することをさらに含む、請求項
14に記載の基板処理方法。
【請求項17】
前記第1離隔距離、前記第2離隔距離、および前記第3離隔距離の差をモニタリングすることをさらに含む、請求項
16に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理装置およびそれを用いた基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、電子回路部品または液晶ディスプレイパネルのような平板ディスプレイ(FPD:Flat Panel Display)を製造するためには、フォトレジスト(PR:photoresist)液または銅(Cu)、銀(Ag)、アルミニウム(Al)などのような金属ペースト(paste)を使用してグラス表面またはプリント回路基板(PCB)上に電極(electrodes)またはドット(dots)などのような一定のパターン(patterns)を形成しなければならない。
【0003】
基板に一定のパターンを形成するための方法としては2個のロールを用いてオフセット印刷方式で一定のパターンを直接パターニングする方式またはインク液滴を吐出する方式が用いられる。ここで、インク液滴を基板に吐出するインクジェットプリンティングシステムは一般的なインクジェットプリンタと類似するものであり、ノズルを用いて基板に一定のパターンを直接パターニングする方式を用いる。
【0004】
インクジェットプリンティングシステムは基板を一定の方向に移動させながら、基板上にインク液滴を吐出する。所望する位置にインク液滴を吐出するためには基板の浮上量が一定でなければならない。基板の浮上量が一定でない場合、所望する位置に正確にインク液滴が吐出されないこともある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明が解決しようとする技術的課題は、効率性および生産性が向上した基板処理装置を提供することにある。
【0006】
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、効率性および生産性が向上した基板処理方法を提供することにある。
【0007】
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の課題は以下の記載から通常の技術者に明確に理解されることができる。
【課題を解決するための手段】
【0008】
前記技術的課題を達成するための本発明の一面(aspect)による基板処理装置は、第1方向に延びて、基板を前記第1方向に移動させるステージであって、前記ステージはエアーフローティングシステムを備えたステージと、前記ステージ上に、前記第1方向と交差する第2方向に延びるガントリと、前記ガントリに設けられ、前記第2方向に移動可能なヘッドモジュールと、前記ヘッドモジュール内に設けられ、前記基板と前記ステージの間の離隔距離を測定する変位センサを含み、第1位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出し、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第1離隔距離を測定し、前記第1位置と異なる第2位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出し、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第2離隔距離を測定する。
【0009】
いくつかの実施形態で、前記第1離隔距離と前記第2離隔距離の差が既に設定された値を超えると、前記ステージのメンテナンス作業を行う。
【0010】
いくつかの実施形態で、前記ヘッドモジュールは前記基板に向かって前記インクを吐出するノズルユニットを含み、前記ステージと前記ノズルユニットの間の高さと、前記ステージと前記変位センサの間の高さは同一である。
【0011】
前記基板処理装置は、前記ステージの一側に設けられて前記基板を把持するグリッパをさらに含む。
【0012】
いくつかの実施形態で、前記変位センサは前記グリッパの平坦度を測定する。
【0013】
いくつかの実施形態で、前記第1位置と前記第2位置は前記第2方向に離隔する。
前記基板処理装置は、前記第1離隔距離と前記第2離隔距離をリアルタイムでモニタリングできる制御モジュールをさらに含む。
【0014】
いくつかの実施形態で、前記ステージは第1領域と前記第1領域の間の第2領域を含み、前記第1位置と前記第2位置は前記ステージの前記第2領域と重なる。
【0015】
いくつかの実施形態で、前記第1領域は前記基板に向かってエアーを噴射する領域であり、前記第2領域は前記基板に向かってエアーを噴射し、前記基板と前記ステージの間のエアーを吸い込む領域である。
【0016】
前記技術的課題を達成するための本発明の他の面(aspect)による基板処理装置は、第1方向に延びて、基板を前記第1方向に移動させるステージであって、前記ステージはエアーフローティングシステムを備えたステージと、前記ステージの一側に設けられて前記基板を把持するグリッパと、前記ステージ上に、前記第1方向と交差する第2方向に延びるガントリと、前記ガントリに設けられ、前記第2方向に移動可能なヘッドモジュールと、前記ヘッドモジュール内に設けられ、前記基板と前記ステージの間の離隔距離を測定する変位センサを含み、第1位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出し、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第1離隔距離を測定し、前記第1位置と異なる第2位置で、前記ヘッドモジュールが前記基板にインクを吐出し、前記変位センサは前記基板と前記ステージの間の第2離隔距離を測定し、前記第1および第2位置と異なる第3位置で前記変位センサは前記グリッパの平坦度を測定する。
【0017】
いくつかの実施形態で、前記第1位置と前記第2位置は前記第2方向に離隔する。
【0018】
前記基板処理装置は前記第1離隔距離と前記第2離隔距離をリアルタイムでモニタリングできる制御モジュールをさらに含む。
【0019】
いくつかの実施形態で、前記ステージは第1領域と前記第1領域の間の第2領域を含み、前記第1位置と前記第2位置は前記ステージの前記第2領域と重なる。
【0020】
いくつかの実施形態で、前記第1領域は前記基板に向かってエアーを噴射する領域であり、前記第2領域は前記基板に向かってエアーを噴射し、前記基板と前記ステージの間のエアーを吸い込む領域である。
【0021】
いくつかの実施形態で、前記ヘッドモジュールは前記基板に向かって前記インクを吐出するノズルユニットを含み、前記ステージと前記ノズルユニットの間の高さと、前記ステージと前記変位センサの間の高さは同一である。
【0022】
前記技術的課題を達成するための本発明の一面(aspect)による基板処理方法は、第1方向に延びて、基板を前記第1方向に移動させるステージを提供し、前記ステージ上に、前記第1方向と交差する第2方向に移動可能なヘッドモジュールを提供し、第1位置で、前記ヘッドモジュール内に設けられた変位センサにより前記基板と前記ステージの間の第1離隔距離を測定し、前記第1位置と異なる第2位置で前記変位センサにより前記基板と前記ステージの間の第2離隔距離を測定し、前記第1離隔距離と前記第2離隔距離の差をモニタリングすることを含む。
【0023】
前記基板処理方法は、前記第1離隔距離と前記第2離隔距離の差が既に設定された値を超えると、前記ステージのメンテナンス作業を行うことをさらに含む。
【0024】
前記基板処理方法は、前記第1位置および前記第2位置と異なる第3位置で、前記変位センサにより前記基板と前記ステージの間の第3離隔距離を測定することをさらに含む。
前記基板処理方法は、前記第1離隔距離、前記第2離隔距離、および前記第3離隔距離の差をモニタリングすることをさらに含む。
【0025】
いくつかの実施形態で、前記ヘッドモジュールは前記基板に向かってインクを吐出するノズルユニットを含み、
前記ステージと前記ノズルユニットの間の高さと、前記ステージと前記変位センサの間の高さは同一である。
【0026】
その他実施形態の具体的な内容は発明の説明および図面に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【
図1】本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。
【
図2】
図1のステージを説明するための例示的な図である。
【
図3】
図2のA-A線、およびB-B線に沿って切断した断面図である。
【
図4】いくつかの実施形態による基板処理装置を第2方向に切断した例示的な断面図である。
【
図5】いくつかの実施形態による基板処理装置を第2方向に切断した例示的な断面図である。
【
図6】いくつかの実施形態による基板処理装置を第1方向に切断した例示的な断面図である。
【
図7】いくつかの実施形態による基板処理方法を説明するための例示的なフローチャートである。
【
図8】いくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法を説明するための図である。
【
図9】いくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法を説明するための図である。
【
図10】いくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法を説明するための図である。
【
図11】いくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法を説明するための図である。
【
図12】いくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法を説明するための図である。
【
図13】いくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【0028】
以下、添付する図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述している実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下に開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現することができ、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を指すものとする。
【0029】
素子(elements)または層が他の素子または層「上(on)」「の上(on)」と称される場合は他の素子または層の真上だけでなく中間に他の層または他の素子が介在する場合をすべて含む。反面、素子が「直接上(directly on)」または「真上」と称される場合は中間に他の素子または層を介在しない場合を示す。
【0030】
空間的に相対的な用語である「下(below)」、「下(beneath)」、「下部(lower)」、「上(above)」、「上部(upper)」などは図面に示されているように一つの素子または構成要素と他の素子または構成要素との相関関係を容易に記述するために使用される。空間的に相対的な用語は図面に示されている方向に加えて使用時または動作時の素子の互いに異なる方向を含む用語として理解されなければならない。例えば、図面に示されている素子をひっくり返す場合、他の素子の「下(below)」または「下(beneath)」と記述された素子は他の素子の「上(above)」に置かれ得る。したがって、例示的な用語の「下」は下と上の方向をすべて含むことができる。素子は他の方向に配向されてもよく、そのため空間的に相対的な用語は配向によって解釈されることができる。
【0031】
第1、第2などが多様な素子、構成要素および/またはセクションを叙述するために使われるが、これらの素子、構成要素および/またはセクションはこれらの用語によって制限されないのはもちろんである。これらの用語は単に一つの素子、構成要素またはセクションを他の素子、構成要素またはセクションと区別するために使用する。したがって、以下で言及される第1素子、第1構成要素または第1セクションは本発明の技術的思想内で第2素子、第2構成要素または第2セクションであり得るのはもちろんである。
【0032】
本明細書で使用された用語は実施形態を説明するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。本明細書で、単数形は文面で特記しない限り、複数形も含む。明細書で使用される「含む(comprises)」および/または「含む(comprising)」は言及された構成要素、段階、動作および/または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作および/または素子の存在または追加を排除しない。
【0033】
他に定義のない限り、本明細書で使用されるすべての用語(技術的および科学的用語を含む)は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に共通して理解される意味で使用される。また、一般的に使用される辞典に定義されている用語は明白に特に定義されていない限り理想的にまたは過度に解釈されない。
【0034】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明し、添付図面を参照して説明するにあたり図面符号に関係なく同一であるかまたは対応する構成要素は同じ参照番号を付与し、これに係る重複する説明は省略する。
【0035】
以下では、
図1ないし
図6を参照して、いくつかの実施形態による基板処理装置を説明する。いくつかの実施形態による基板処理装置はインクジェットプリンティングシステムであり得る。
【0036】
図1は本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を概略的に示す平面図である。
図2は
図1のステージを説明するための例示的な図である。
図3は
図2のA-A線、およびB-B線に沿って切断した断面図である。
【0037】
まず
図1を参照すると、いくつかの実施形態による基板処理装置はステージ110、ガントリ200、ヘッドモジュール300、グリッパ400、移送レール500および制御モジュール600を含み得る。
【0038】
ステージ110は基板150を支持して移動させるための領域である。ステージ110で基板150を移動する方法は特定方式に限定されない。本明細書ではグリッパ400が基板150を把持して移動させる基板処理装置が示されているが、これに限定されるものではない。例えば、基板150はロールトゥロール方式で移動するプレートによって移動することもできる。
【0039】
ステージ110は第1方向Xに延びる。例えば、ステージ110は第2方向Yに延びる短辺と、第1方向Xに延びる長辺を含み得る。本明細書で、第1方向Xおよび第2方向Yは互いに交差する方向であり得る。第3方向Zは第1方向Xおよび第2方向Yと交差する方向であり得る。例えば、第1方向X、第2方向Yおよび第3方向Zは実質的に互いに垂直であり得る。
【0040】
ステージ110上で、基板150は第1方向Xに沿って移動する。ここで、基板150はディスプレイ装置で使用される透明基板(例えば、ガラス基板)であり得る。例えば、基板150は量産用ガラス(glass)基板であり得る。
【0041】
図2および
図3を参照すると、ステージ110は第1領域Iと第2領域IIを含み得る。第2領域IIは第1領域Iの間に介在する。すなわち、第1領域Iはステージ110の縁領域に配置され、第2領域IIはステージ110の中央領域に配置される。
【0042】
例えば、ステージ110はエアーフローティングシステム(air floating system)を備えることができる。すなわち、ステージ110は第1領域Iと第2領域IIを含むエアーフローティングシステムであり得る。ステージ110の第1領域Iと第2領域IIは連続的であり得る。ただし、本発明の技術的思想はこれに制限されるものではない。また、本明細書で第2領域IIは第1領域Iの間に介在する場合を示しているが、これに限定されるものではなく、第2領域IIと第1領域Iはそれぞれステージ110の一側および他側に配置されることもできる。
【0043】
ステージ110の第1領域Iは第3方向Zにエアーを噴射する領域であり得る。ステージ110の第1領域Iは第1領域I上のエアーを吸い込まない領域であり得る。第1領域Iは基板150がステージにローディングされるか搬出される領域であり得る。第1領域Iはプリンティング工程が行われない領域であり得る。プリンティング工程は基板150にインクを吐出する工程であり得る。例えば、第1領域Iはヘッドモジュール300が基板150に向かってインクを吐出しない領域であり得る。
【0044】
ステージ110の第2領域IIは第3方向Zにエアー(air)を噴射しながら、第2領域II上のエアーを吸い込む領域であり得る。例えば、ステージ110の第2領域IIは基板150に向かってエアーを噴射しながら、基板150とステージ110の間のエアーを吸い込む領域であり得る。また、第2領域IIはプリンティング工程が行われる領域であり得る。第2領域IIはヘッドモジュール300が基板150に向かってインクを吐出する領域であり得る。
【0045】
いくつかの実施形態で、ステージ110は複数の孔110Hを含み得る。孔110Hはエアーを噴射する孔であり得、エアーを吸い込む孔でもあり得る。例えば、ステージ110の第1領域Iにはエアーを噴射する孔のみ配置されることができる。ステージ110の第2領域IIにはエアーを噴射する孔とエアーを吸い込む孔が交互に配置されることができる。
【0046】
図3で、ステージ110の孔110Hは第1孔110H_1および第2孔110H_2を含み得る。第1孔110H_1はエアーを噴射する孔であり得る。第2孔110H_2はエアーを吸い込む孔であり得る。
【0047】
ステージ110の第2領域IIは上にエアーを噴射する第1孔110H_1とエアーを吸い込む第2孔110H_2を含み得る。第1孔110H_1と第2孔110H_2は交互に配列される場合を示したが、これに限定されない。ステージ110の第1領域Iは上にエアーを噴射する第1孔110H_1のみ含み得る。
【0048】
再び
図1を参照すると、移送レール500はステージ110の一側に配置される。移送レール500は第1方向Xに長く延びる。移送レール500は基板150を第1方向Xに沿って移動させることができるレールである。例えば、グリッパ400は基板150の一側を把持し、移送レール500に沿って移動することができる。グリッパ400が基板150を把持しているので、グリッパ400が移送レール500に沿って第1方向Xに移動すると、基板150が移送レール500に沿って第1方向Xに移動することができる。
【0049】
グリッパ400は基板150の一側に配置され、基板150を把持する。グリッパ400は移送レール500と結合されて第1方向Xに移動する。グリッパ400は基板150を把持して基板150を移送させる。グリッパ400は基板150を吸着して固定する。基板150はグリッパ400に吸着する吸着部分150aを含み得る。前記吸着部分150aは基板150の一側であり得る。例えば、基板150が第1方向Xに延びる長辺と、第2方向Yに延びる短辺を含む場合、吸着部分150aは基板150の長辺の一つであり得る。すなわち、グリッパ400は基板150の長辺の一つを吸着して固定することができる。
【0050】
ガントリ200はステージ110上にステージ110を横切るように配置される。ガントリ200は例えば、第2方向Yに長く延びる。ガントリ200はステージ110の第2領域II上に配置される。
【0051】
ヘッドモジュール300はガントリ200に設けられ、ガントリ200に沿って移動する。ヘッドモジュール300は第2方向Yに移動できるが、これに限定されない。
【0052】
いくつかの実施形態で、図面に示していないが、ヘッドモジュール300が第2方向Yに移動するときは、基板150とヘッドモジュール300の間の第3方向Zへの高さが低くなる。すなわち、ヘッドモジュール300が待期状態であるときの基板150とヘッドモジュール300の間の第3方向Zへの高さは、ヘッドモジュール300が移動状態であるときの基板150とヘッドモジュール300の間の第3方向Zへの高さより大きくてもよい。ヘッドモジュール300が移動状態であるとき、基板150とヘッドモジュール300の間が近づくにつれ、ヘッドモジュール300のノズルユニット(
図4の320)は基板150に向かってインクを正確に吐出することができる。
【0053】
制御モジュール600は基板150とステージ110の離隔した距離をリアルタイムでモニタリングする。制御モジュール600はグリッパ400の平坦度をリアルタイムでモニタリングする。制御モジュール600は前記離隔した距離と前記平坦度をモニタリングしてステージ110およびグリッパ400のメンテナンス作業を行うかどうかを決定する。
【0054】
図4および
図5はいくつかの実施形態による基板処理装置を第2方向に切断した例示的な断面図である。
図6はいくつかの実施形態による基板処理装置を第1方向に切断した例示的な断面図である。
【0055】
以下では
図4ないし
図6を参照して、いくつかの実施形態による基板処理装置と基板処理装置の例示的な動作方法についてより詳細に説明する。
【0056】
図4ないし
図6を参照すると、ヘッドモジュール300は本体310、ノズルユニット320、および変位センサ330を含み得る。本体310はガントリ200に連結される部分であり得る。本体310はガントリ200に固定される。本体310はノズルユニット320と変位センサ330を固定することもできる。ノズルユニット320は基板150に向かってインクを吐出する部分であり得る。変位センサ330は基板150の浮上量を測定するセンサであり得る。
【0057】
いくつかの実施形態で、ノズルユニット320は多数のノズルを含み得る。ヘッドモジュール300によって吐出されるインクは例えば、QD(Quantum Dot)インクであり得るが、これに限定されない。ノズルユニット320の多数のノズルは、基板150に多数のインク液滴を吐出することができる(図面符号325を参照)。
【0058】
いくつかの実施形態で、変位センサ330は基板150の浮上量を測定することができる(図面符号335を参照)。基板150の浮上量とは基板150のステージ110との第3方向Zへの離隔距離dを意味する。変位センサ330は基板150の浮上量を測定して制御モジュール600に伝送する。制御モジュール600は基板150の浮上量をリアルタイムでモニタリングする。制御モジュール600は基板150の浮上量をモニタリングしていくつかの実施形態による基板処理装置のメンテナンス作業を行うかどうかを決めることができる。
【0059】
例えば、第1位置で基板150の浮上量を測定し、第2位置で基板150の浮上量を測定して、前記浮上量の差をモニタリングすることができる。前記浮上量の差が既に設定された値を超える場合、基板処理装置はステージ110のメンテナンス作業を行う。
【0060】
より詳細には、エアーフローティングシステムを備えるステージ110は精密浮上領域を含み得る。例えば、ヘッドモジュール300が基板150に向かってインクを吐出する領域が精密浮上領域(例えば、
図2の第2領域)であり得る。前記精密浮上領域では基板150の浮上量が一定である場合のみインクが精密に吐出されることができる。変位センサ330が基板150の浮上量をリアルタイムで測定して制御モジュール600に伝送し、制御モジュール600は前記浮上量をリアルタイムでモニタリングする。リアルタイムでモニタリングした結果、基板150の浮上量が一定でない場合、基板処理装置はメンテナンス作業を行う。
【0061】
いくつかの実施形態で、ノズルユニット320が基板150にインクを吐出することと、変位センサ330が基板150の浮上量を測定することは同時に行われることができる。また、基板150から変位センサ330の間の第3方向Zへの距離は、基板150からヘッドモジュール300の間の第3方向Zへの距離または基板150からノズルユニット320の間の第3方向Zへの距離と同一であり得る。そのため、基板150にインクを吐出する条件と、基板150の浮上量を測定する条件は同一であり得る。
【0062】
いくつかの実施形態で、変位センサ330はグリッパ400の平坦度を測定することができる。グリッパ400の平坦度を測定することは、グリッパ400が把持している基板150の平坦度を測定することであり得るが、これに限定されるものではない。
【0063】
図4で、変位センサ330が基板150と第3方向Zに重なる位置にあるとき、変位センサ330は基板150とステージ110の間の離隔距離dを測定する。
【0064】
図5で、変位センサ330が吸着部分150aと第3方向Zに重なる位置にあるとき、変位センサ330はグリッパ400の平坦度を測定する。
【0065】
図6で、変位センサ330が基板150とステージ110の間の離隔距離dを測定する間、基板150は第1方向Xに移動する(図面符号151参照)。すなわち、基板150が第1方向Xに移動しながら、基板150とステージ110の間の離隔距離dが第1方向Xに沿って連続して測定されることができる。
【0066】
以下では、
図7ないし
図13を参照して、いくつかの実施形態による基板処理方法を説明する。
【0067】
図7はいくつかの実施形態による基板処理方法を説明するための例示的なフローチャートである。
図8ないし
図13はいくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法を説明するための図である。
【0068】
図7を参照すると、いくつかの実施形態による基板処理方法は、ステージに基板をローディングすること(S100)と、第1位置で基板とステージの間の第1離隔距離を測定すること(S200)と、ヘッドモジュールを第2位置に移動すること(S300)と、第2位置で基板とステージの間の第2離隔距離を測定すること(S400)と、第1離隔距離と第2離隔距離の差をモニタリングすること(S500)を含み得る。
【0069】
図7および
図8を参照すると、基板150はステージ110にローディングされる(S100)。
【0070】
基板150はステージ110の第1領域Iにローディングされる。基板150は第1方向Xに移動しながらローディングされる(図面符号151を参照)。基板150が完全にローディングされる前にはグリッパ400は基板150を把持しない。基板150が完全にローディングされるとグリッパ400は基板150を把持し、基板150を整列する。図面に示していないが、基板150はアラインマークを含み得る。前記アラインマークを用いて基板150を整列する。基板150を整列することは基板150が第1方向Xおよび第2方向Yが延びる平面と並んで整列することを含み得、基板150の長辺が延びる方向が第1方向Xと並んで整列することを含み得る。
【0071】
図9を参照すると、基板150は第1領域Iで第2領域IIに移動する(図面符号151参照)。
【0072】
基板150は第1方向Xに移動して第2領域IIに移動する。具体的には、グリッパ400が基板150の吸着部分150aを把持する。次に、グリッパ400は移送レール500に沿って第1方向Xに移動する。グリッパ400が基板150を把持しているので、グリッパ400が移動すると基板150が移動することができる。
【0073】
図10はいくつかの実施形態による基板を示す平面図である。
【0074】
図10を参照すると、基板150は第1位置ないし第4位置P1,P2,P3,P4を含み得る。第2位置ないし第4位置P2,P3,P4は変位センサ(
図4の330)が基板150の浮上量を測定するときの第2方向Yへの位置を意味する。第1位置P1は変位センサ(
図4の330)がグリッパ400の平坦度を測定するときの第2方向Yへの位置を意味する。以下では、いくつかの実施形態による基板処理装置の動作方法についてより詳細に説明する。
【0075】
図10および
図11を参照すると、ヘッドモジュール300は第1位置P1に移動する。
【0076】
ヘッドモジュール300が第1位置P1に移動することはヘッドモジュール300の変位センサ330が第1位置P1と第3方向Zに重なる位置に移動することであり得る。第1位置P1は基板150の吸着部分150aと第1方向Xに重なる。第1位置P1は基板150の吸着部分150a上で第1方向Xに延びる。
【0077】
次に、変位センサ330はグリッパ400の平坦度を測定する(図面符号335を参照)。基板150が第1方向Xに移動する間変位センサ330はグリッパ400の平坦度を連続して測定する。
【0078】
変位センサ330がグリッパ400の平坦度を測定する間ノズルユニット320は基板150にインクを吐出する(図面符号325を参照)。すなわち、ノズルユニット320が基板150にインクを吐出することと、変位センサ330がグリッパ400の平坦度を測定することは同時に行われることができる。
【0079】
図10および
図12を参照すると、ヘッドモジュール300は第2位置P2に移動する(図面符号301を参照)。第2位置P2はヘッドモジュール300の変位センサ330と第3方向Zに重なる。第2位置P2は基板150上で、第1方向Xに延びる。
【0080】
変位センサ330は第2位置P2で基板150とステージ110の間の第1離隔距離d1を測定する(
図7のS200)。第1離隔距離d1は基板150とステージ110の間の第3方向Zに離隔した距離を意味する。第1離隔距離d1は第2位置P2での基板150の浮上量であり得る。
【0081】
第2位置P2で、変位センサ330がグリッパ400の平坦度を測定(図面符号335を参照)する間ノズルユニット320は基板150にインクを吐出する(図面符号325を参照)。すなわち、ノズルユニット320が基板150にインクを吐出することと、変位センサ330が基板150の浮上量を測定することは同時に行われることができる。
【0082】
図10および
図13を参照すると、ヘッドモジュール300は第3位置P3に移動する(
図7のS300)。
【0083】
すなわち、ヘッドモジュール300は第2位置P2から第3位置P3に第2方向Yに移動する(図面符号301を参照)。第3位置P3はヘッドモジュール300の変位センサ330と第3方向Zに重なる。第3位置P3は基板150上で、第1方向Xに延びる。
【0084】
変位センサ330は第3位置P3で基板150とステージ110の間の第2離隔距離d2を測定する(
図7のS400)。第2離隔距離d2は基板150とステージ110の間の第3方向Zに離隔した距離を意味する。第2離隔距離d2は第3位置P3での基板150の浮上量であり得る。
【0085】
第3位置P3で、変位センサ330がグリッパ400の平坦度を測定(図面符号335を参照)する間ノズルユニット320は基板150にインクを吐出する(図面符号325を参照)。すなわち、ノズルユニット320が基板150にインクを吐出することと、変位センサ330が基板150の浮上量を測定することは同時に行われることができる。
【0086】
図面に示していないが、ヘッドモジュール300は第4位置P4に移動することができる。ヘッドモジュール300は第2方向Yに移動することができる(図面符号301を参照)。第4位置P4で、変位センサ330は基板150とステージ110の間の第3離隔距離を測定することができる。本明細書では第2位置ないし第4位置P2,P3,P4で基板150とステージ110の間の離隔距離を測定したが、本発明の技術的思想はこれに制限されるものではない。
【0087】
次に、制御モジュール(
図1の600)は第1離隔距離d1と第2離隔距離d2の差をモニタリングする(
図7のS500)。仮に、第1離隔距離d1と第2離隔距離d2の差が0に近いと、基板150の浮上量は一定であると判断する。しかし、第1離隔距離d1と第2離隔距離d2の差が発生すると、基板150の浮上量は一定でないと判断する。基板150の浮上量が一定でない場合、プリンティング工程の効率および正確度が落ちるので、この場合は基板処理装置のメンテナンスを行わなければならない。
【0088】
いくつかの実施形態による基板処理装置は、第1離隔距離d1と第2離隔距離d2の差が既に設定された値を超えると、ステージ110のメンテナンス作業を行うことができる。本発明のいくつかの実施形態による基板処理装置を用いると、基板150の浮上量をリアルタイムでモニタリングして効率性と信頼性が向上した基板処理装置と、それを用いた基板処理方法を提供することができる。
【0089】
いくつかの実施形態で、変位センサ330がn個の位置でn個の離隔距離を測定すると、制御モジュール600はそれぞれのn個の離隔距離の差をモニタリングすることができる。測定された離隔距離の個数が多いほど基板150の浮上量が一定であるか否かを判断するときの正確度が上がる。
【0090】
以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明がその技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【0091】
110 ステージ
150 基板
200 ガントリ
300 ヘッドモジュール
310 本体
320 ノズルユニット
330 変位センサ
400 グリッパ
500 移送レール
600 制御モジュール