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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-14
(45)【発行日】2024-03-25
(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/306 20060101AFI20240315BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20240315BHJP
【ＦＩ】
H01L21/306 J
H01L21/304 642A
H01L21/304 642F
H01L21/304 648
【請求項の数】
10
(21)【出願番号】P 2020064008
(22)【出願日】2020-03-31
(65)【公開番号】P2021163861
(43)【公開日】2021-10-11
【審査請求日】2022-12-19
(73)【特許権者】
【識別番号】000207551
【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス
(74)【代理人】
【識別番号】100168583
【弁理士】
【氏名又は名称】前井 宏之
(72)【発明者】
【氏名】杉岡 真治
(72)【発明者】
【氏名】内田 博章
(72)【発明者】
【氏名】武知 圭
(72)【発明者】
【氏名】高橋 朋宏
【審査官】小▲高▼ 孔頌
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－１７４２５７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０５０３４９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１０－０８２５５８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－０８４９０３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－０５８０７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／００８０９３７（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／３０６
Ｈ０１Ｌ ２１／３０４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する基板処理方法であって、前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、
前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、
前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、
前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程と
を含み、
前記処理液を押し出す前記工程は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行され、
前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている期間に、前記気泡供給部材の前記内部への前記処理液の導入を開始する、基板処理方法。
【請求項2】
前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給され、前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項3】
前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている前記期間に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する、請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項4】
処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する基板処理方法であって、
前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、
前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、
前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、
前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程と
を含み、
前記処理液を押し出す前記工程は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行され、
前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給され、
前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、基板処理方法。
【請求項5】
処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する基板処理方法であって、
前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、
前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、
前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、
前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記気泡供給部材に気体供給配管から気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程と
を含み、
前記処理液を押し出す前記工程は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行され、
前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された前記気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給され、
前記気泡供給部材から前記処理液を押し出す前記工程では、前記気泡供給部材に前記気体供給配管から供給される前記気体の流量は、前記複数の気泡を供給する前記工程での前記気体の流量よりも多い、基板処理方法。
【請求項6】
処理液を貯留する処理槽と、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する気泡供給部材と、
前記気泡供給部材に、前記気泡を発生させるための気体を供給して、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を供給させる気体供給部と、
前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する処理液導入部と
を備え、
前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通し、
前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す処理を実行し、
前記処理液を押し出す前記処理は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行され、
前記処理液導入部は、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている期間に、前記気泡供給部材の前記内部への前記処理液の導入を開始する、基板処理装置。
【請求項7】
前記処理液導入部は、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている前記期間に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含み、前記気体供給部は、
前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させ、
前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する気泡供給部材と、
前記気泡供給部材に、前記気泡を発生させるための気体を供給して、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を供給させる気体供給部と、
前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する処理液導入部と
を備え、
前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通し、
前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す処理を実行し、
前記処理液を押し出す前記処理は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行され、
前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含み、
前記処理液導入部は、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を含み、
前記気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させ、
前記処理液導入部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む、基板処理装置。
【請求項10】
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する気泡供給部材と、
前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含み、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を前記気泡供給部材に供給させる気体供給部と、
前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する処理液導入部と
を備え、
前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通し、
前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記気泡供給部材に前記気体供給配管から気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す処理を実行し、
前記処理液を押し出す前記処理は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行され、
前記処理液を押し出す前記処理を実行する場合の前記気体の流量は、前記複数の気泡を発生させる場合の前記気体の流量よりも多い、基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体装置及び液晶表示装置などの電子部品に用いられる基板は、基板処理装置によって処理されることが知られている。基板は、処理槽内の処理液に浸漬することによって基板の処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【0003】
近年における半導体基板上に形成される素子の微細化や三次元化に伴い、基板の処理を均一化する要請が高まっている。例えば、三次元構造を有するＮＡＮＤ素子は、立体的な凹凸構造を有する積層構造を有している。素子パターンの凹凸構造の凹部に処理液が滞留した場合には、凹部内の液置換が不十分となる。そのため、凹部を含む基板全体に対して充分に液置換を促す手段として、処理槽に浸漬した基板の下方に気泡発生器（気泡供給部材）を配置し、気泡発生器から気泡を発生させて処理槽内の液置換を促進するという技術がある。
【0004】
特許文献１には、こうした気泡発生器の適用例が記載されている。特許文献１の基板処理装置では、燐酸水溶液を貯留した処理槽に基板を浸漬し基板を処理する際に、処理槽において浸漬した基板の下方に配置した気泡発生器から気泡を発生させる。気泡発生器は、筒状であり、多数の吐出口（多数の気泡供給孔）を有する。気泡発生器の一端には、気泡発生器に混合気体を供給する気体供給配管が接続されている。そして、気泡発生器は、混合気体を各吐出口から燐酸水溶液中に吹き出すことによって、混合気体の気泡を燐酸水溶液中に発生させる。
【0005】
発生した気泡は、処理槽内に載置された複数の基板と基板との間の間隙を上昇しつつ、燐酸水溶液を攪拌する。この攪拌により、基板上に形成された素子パターン周囲の液置換が促進される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０１８－５６２５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
基板を燐酸処理した結果、燐酸を含む処理液に溶出した成分は、基板や気泡発生器に析出する可能性がある。
【0008】
溶出成分が気泡発生器の吐出口に析出沈着した場合には、いわゆる目詰まり（ｃｌｏｇｇｉｎｇ）となり、供給される気泡の粒形、分布が変動する可能性がある。溶出成分が気泡発生器の内部に析出沈着した場合、または析出沈着まではしないとしても高い濃度で滞留した場合には、気泡発生器からの気泡の供給開始時に、処理槽内部に溶出成分の濃度の高い処理液を局所的に供給してしまい、基板処理の均一性に影響を及ぼす可能性がある。
【0009】
近年の三次元構造を有するＮＡＮＤ素子などのパターンを備えた半導体基板などについては、基板処理の品質要求が一層厳格化しており、気泡発生器における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制する必要がある。
【0010】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、気泡供給部材における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の一局面によれば、基板処理方法では、処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する。基板処理方法は、前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程とを含む。前記処理液を押し出す前記工程は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行される。前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている期間に、前記気泡供給部材の前記内部への前記処理液の導入を開始する。
【0012】
本発明の基板処理方法において、前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給されることが好ましい。前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込むことが好ましい。
【0013】
本発明の基板処理方法において、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する前記工程では、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている前記期間に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入することが好ましい。
【0014】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する。基板処理方法は、前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程とを含む。前記処理液を押し出す前記工程は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行される。前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給される。前記気泡供給部材に前記処理液を導入する前記工程では、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む。
【0017】
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、処理槽に貯留された処理液に、基板を浸漬して、前記基板を前記処理液によって処理する。基板処理方法は、前記処理槽に貯留された前記処理液に、前記基板を浸漬する工程と、前記処理槽に配置された気泡供給部材の内部に連通する複数の気泡供給孔から、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて複数の気泡を供給する工程と、前記基板への前記複数の気泡の供給を停止した後に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入する工程と、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入した後に、前記気泡供給部材に気体供給配管から気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す工程とを含む。前記処理液を押し出す前記工程は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行される。前記複数の気泡を供給する前記工程では、前記気泡供給部材に接続された前記気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡が供給される。前記気泡供給部材から前記処理液を押し出す前記工程では、前記気泡供給部材に前記気体供給配管から供給される前記気体の流量は、前記複数の気泡を供給する前記工程での前記気体の流量よりも多い。
【0018】
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、気泡供給部材と、気体供給部と、処理液導入部とを備える。処理槽は、処理液を貯留する。基板保持部は、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する。気泡供給部材は、複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する。気体供給部は、前記気泡供給部材に、前記気泡を発生させるための気体を供給して、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を供給させる。処理液導入部は、前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する。前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通する。前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す処理を実行する。前記処理液を押し出す前記処理は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行される。前記処理液導入部は、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている期間に、前記気泡供給部材の前記内部への前記処理液の導入を開始する。
本発明の基板処理装置において、前記処理液導入部は、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている前記期間に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入することが好ましい。
本発明の基板処理装置において、前記処理液導入部は、前記基板への前記複数の気泡の供給の停止後であって、前記基板が前記処理液に浸漬されている前記期間に、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を導入することが好ましい。
【0019】
本発明の基板処理装置において、前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含むことが好ましい。前記気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させることが好ましい。気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給を停止した後に、前記気体供給配管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込むことが好ましい。
【0020】
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、気泡供給部材と、気体供給部と、処理液導入部とを備える。処理槽は、処理液を貯留する。基板保持部は、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する。気泡供給部材は、複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する。気体供給部は、前記気泡供給部材に、前記気泡を発生させるための気体を供給して、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を供給させる。処理液導入部は、前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する。前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通する。前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す処理を実行する。前記処理液を押し出す前記処理は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行される。前記気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含む。前記処理液導入部は、前記気体供給配管よりも下流側において前記気泡供給部材と接続される処理液導入用管を含む。前記気体供給部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に前記気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記複数の気泡供給孔から前記複数の気泡を供給させる。前記処理液導入部は、前記気体供給配管から前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記処理液導入用管を開放することで、前記複数の気泡供給孔を通して前記処理槽から前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液を引き込む。
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、気泡供給部材と、気体供給部と、処理液導入部とを備える。処理槽は、処理液を貯留する。基板保持部は、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する。気泡供給部材は、複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する。気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含み、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を前記気泡供給部材に供給させる。処理液導入部は、前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する。前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通する。前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記気泡供給部材に前記気体供給配管から気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す処理を実行する。前記処理液を押し出す前記処理は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行される。前記処理液を押し出す前記処理を実行する場合の前記気体の流量は、前記複数の気泡を発生させる場合の前記気体の流量よりも多い。
本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、気泡供給部材と、気体供給部と、処理液導入部とを備える。処理槽は、処理液を貯留する。基板保持部は、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記処理液に前記基板を浸漬する。気泡供給部材は、複数の気泡供給孔を有し、前記処理槽の内部に配置されて、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡供給孔から複数の気泡を供給する。気体供給部は、前記気泡供給部材に接続される気体供給配管を含み、前記気体供給配管から前記気泡供給部材に気体を供給することで、前記処理液に浸漬された前記基板に向けて前記複数の気泡を前記気泡供給部材に供給させる。処理液導入部は、前記気泡供給部材への前記気体の供給が停止された後に、前記気泡供給部材の内部に前記処理液を導入する。前記複数の気泡供給孔は、前記気泡供給部材の前記内部に連通する。前記気体供給部は、前記気泡供給部材の前記内部に前記処理液が導入された後に、前記気泡供給部材に前記気体供給配管から気体を供給することで、前記気泡供給部材の前記内部から前記処理液を押し出す処理を実行する。前記処理液を押し出す前記処理は、前記処理液に浸漬された前記基板を前記処理槽から引き上げた後であって、新たな基板を前記処理液に浸漬する前に実行される。前記処理液を押し出す前記処理を実行する場合の前記気体の流量は、前記複数の気泡を発生させる場合の前記気体の流量よりも多い。
【発明の効果】
【0021】
本発明によれば、気泡供給部材における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。
【図2】（ａ）は、実施形態１に係る基板が処理液に浸漬される前の状態を示す図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板が処理液に浸漬された状態を示す図である。
【図3】実施形態１に係る気泡供給部材、気体供給部、処理液導入部、及び、排気部を示す模式的平面図である。
【図4】実施形態１に係る基板処理装置が基板処理を実行している状態を示す図である。
【図5】実施形態１に係る基板処理装置が処理液導入処理を実行している状態を示す図である。
【図6】実施形態１に係る基板処理装置が処理液押出処理を実行している状態を示す図である。
【図7】実施形態１に係る基板処理装置が基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。
【図8】実施形態１に係る基板処理方法の第１例を示すフローチャートである。
【図9】実施形態１に係る基板処理方法の第２例を示すフローチャートである。
【図10】本発明の実施形態２に係る基板処理装置の気泡供給部材、気体供給部、処理液導入部、及び、排気部を示す模式的平面図である。
【図11】実施形態２に係る基板処理装置が基板処理を実行している状態を示す図である。
【図12】実施形態２に係る基板処理装置が処理液導入処理を実行している状態を示す図である。
【図13】実施形態２に係る基板処理装置が処理液押出処理を実行している状態を示す図である。
【図14】実施形態２に係る基板処理装置が基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。また、「平面視」は、鉛直上方から対象物を見ることを示す。
【0024】
【0025】
図１は、基板処理装置１００を示す模式的断面図である。基板処理装置１００は、処理液ＬＱによって複数の基板Ｗを一括して処理する。なお、基板処理装置１００は、処理液ＬＱによって１枚の基板Ｗを処理することもできる。処理液ＬＱにより、複数の基板Ｗには、エッチング処理、表面処理、特性付与、処理膜形成、膜の少なくとも一部の除去及び洗浄のうちの少なくとも１つが行われる。処理液ＬＱは、例えば、薬液である。
【0026】
基板Ｗは、薄い板状である。典型的には、基板Ｗは、薄い略円板状である。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板及び太陽電池用基板などを含む。
【0027】
例えば、基板処理装置１００は、シリコン基板からなる基板Ｗのパターン形成側の表面に対して、シリコン酸化膜（酸化膜）及びシリコン窒化膜（窒化膜）のエッチング処理を施す。このようなエッチング処理では、基板Ｗの表面から酸化膜及び窒化膜を選択的に除去する。例えば、処理液ＬＱとして燐酸（Ｈ3ＰＯ4）の水溶液（以下、「燐酸液」と記載する。）が用いられると、基板Ｗの表面から窒化膜が除去される。なお、基板Ｗを処理できる限りにおいては、処理液ＬＱの種類は特に限定されない。
【0028】
図１に示すように、基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、少なくとも１つの循環処理液供給部材１３０と、循環部１４０と、処理液供給部１５０と、水供給部１６０と、排液部１７０と、少なくとも１つの気泡供給部材１８０と、気体供給部２００と、制御装置ＣＮＴとを備える。実施形態１では、基板処理装置１００は、複数の循環処理液供給部材１３０と、複数の気泡供給部材１８０とを備えている。図１の例では、基板処理装置１００は、２つの循環処理液供給部材１３０と、４つの気泡供給部材１８０とを備える。
【0029】
処理槽１１０は、処理液ＬＱを貯留する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、基板Ｗを浸漬する。実施形態１では、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０に処理液ＬＱを供給する。循環部１４０は、処理槽１１０に貯留されている処理液ＬＱを循環させて、処理液ＬＱを循環処理液供給部材１３０の各々に供給する。処理液供給部１５０は、処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。水供給部１６０は、水を処理槽１１０に供給する。排液部１７０は、処理槽１１０の処理液ＬＱを排出する。気泡供給部材１８０は、処理液ＬＱ中に複数の気泡（多数の気泡）を発生し、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡（多数の気泡）を供給する。気泡供給部材１８０は、例えば、バブラーである。気体供給部２００は、複数の気泡供給部材１８０に対して、気泡を発生させるための気体を供給する。制御装置ＣＮＴは、基板処理装置１００の各構成を制御する。例えば、制御装置ＣＮＴは、基板保持部１２０、循環部１４０、処理液供給部１５０、水供給部１６０、排液部１７０、及び、気体供給部２００を制御する。
【0030】
具体的には、処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外側面に設けられる。外槽１１４の上縁の高さは、内槽１１２の上縁の高さよりも高い。
【0031】
処理槽１１０は、蓋１１６をさらに有する。蓋１１６は、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の上部開口を塞ぐことができる。
【0032】
蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上部開口のうちの一方側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上部開口のうちの他方側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａ及び開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の上部開口を覆うことにより、処理槽１１０の内槽１１２を塞ぐことができる。
【0033】
基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されている処理液ＬＱに浸漬される。
【0034】
基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１の例では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。
【0035】
基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図２（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図２（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。したがって、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬される。これにより、複数の基板Ｗに対して処理が施される。
【0036】
複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２に処理液ＬＱを供給する。複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０の内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、略筒形状を有する。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、例えば、管である。
【0037】
具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐを有する。図１では、１つの循環処理液供給部材１３０に対して１つの処理液吐出孔Ｐだけが表れている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々は、複数の処理液吐出孔Ｐから処理液ＬＱを内槽１１２に供給する。
【0038】
循環部１４０は、配管１４１と、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に配管１４１の上流から下流に向かって配置される。
【0039】
配管１４１は、処理槽１１０から排出された処理液ＬＱを再び処理槽１１０に導く。配管１４１の下流端に、複数の循環処理液供給部材１３０が接続される。
【0040】
ポンプ１４２は、配管１４１から複数の循環処理液供給部材１３０に処理液ＬＱを送る。従って、循環処理液供給部材１３０は、配管１４１から供給された処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。ヒーター１４３は、配管１４１を流れる処理液ＬＱを加熱する。ヒーター１４３により、処理液ＬＱの温度が調整される。フィルター１４４は、配管１４１を流れる処理液ＬＱをろ過する。
【0041】
調整バルブ１４５は、配管１４１の開度を調節して、複数の循環処理液供給部材１３０に供給される処理液ＬＱの流量を調整する。具体的には、調整バルブ１４５は、弁座が内部に設けられたバルブボディ（図示しない）と、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータ（図示しない）とを含む。バルブ１４６は配管１４１を開閉する。
【0042】
処理液供給部１５０は、ノズル１５２と、配管１５４と、バルブ１５６とを含む。ノズル１５２は処理液ＬＱを内槽１１２に吐出する。ノズル１５２は、配管１５４に接続される。配管１５４には、処理液供給源からの処理液ＬＱが供給される。配管１５４には、バルブ１５６が配置される。
【0043】
バルブ１５６が開かれると、ノズル１５２から吐出された処理液ＬＱが、内槽１１２内に供給される。そして、内槽１１２の上縁から処理液ＬＱが溢れると、溢れた処理液ＬＱは、外槽１１４によって受け止められ、回収される。
【0044】
水供給部１６０は、ノズル１６２と、配管１６４と、バルブ１６６とを含む。ノズル１６２は、水を外槽１１４に吐出する。ノズル１６２は、配管１６４に接続される。配管１６４に供給される水は、ＤＩＷ（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水及び希釈濃度（例えば、１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかを採用することができる。配管１６４には、水供給源からの水が供給される。配管１６４には、バルブ１６６が配置される。バルブ１６６が開かれると、ノズル１６２から吐出された水が、外槽１１４内に供給される。
【0045】
排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１１０の内槽１１２の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されている処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出された処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。
【0046】
複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０の内部に配置される。詳細には、複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０の内部において、処理槽１１０の底部に配置される。具体的には、複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０の内槽１１２に配置される。詳細には、複数の気泡供給部材１８０は、内槽１１２の内部において、内槽１１２の底部に配置される。複数の気泡供給部材１８０は、内槽１１２の底部に固定される。複数の気泡供給部材１８０は、内槽１１２の底部に接触していてもよいし、内槽１１２の底部に対して離隔していてもよい。
【0047】
複数の気泡供給部材１８０の各々は、略筒形状を有する。気泡供給部材１８０の各々は、例えば、管である。気泡供給部材１８０の材質は、例えば、石英、又は、合成樹脂である。合成樹脂は、例えば、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、又は、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）である。
【0048】
具体的には、複数の気泡供給部材１８０の各々は、流路ＦＷを有する。流路ＦＷには気体が流れる。気泡供給部材１８０の流路ＦＷは、「気泡供給部材の内部」の一例に相当する。流路ＦＷは、気泡供給部材１８０の内部に気泡供給部材１８０の長手方向に沿って形成される。流路ＦＷは、一端が開口し、気体供給配管２０１に連通する。流路ＦＷの他端は閉じた構造となっている。なお、流路ＦＷの他端は、流路ＦＷの端部での液残りや液滞留を抑制するために、開口した状態に形成してもよい。
【0049】
また、複数の気泡供給部材１８０の各々は、流路ＦＷに連通する複数の気泡供給孔Ｇをさらに有する。図１では、１つの気泡供給部材１８０に対して１つの気泡供給孔Ｇだけが表れている。気泡供給孔Ｇの孔径は、例えば、数十μｍ～数百μｍのオーダーである。例えば、気泡供給孔Ｇの孔径は、０．２ｍｍである。
【0050】
複数の気泡供給部材１８０の各々は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて、複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡を供給する。詳細には、複数の気泡供給部材１８０の各々は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）に貯留された処理液ＬＱに複数の気泡供給孔Ｇから気体を吹き出すことで、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱ中に複数の気泡（多数の気泡）を発生し、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡（多数の気泡）を供給する。
【0051】
なお、気泡供給部材１８０が気泡を供給できる限りにおいては、気泡供給部材１８０の構成は特に限定されない。例えば、気泡供給部材１８０は、略円筒形状を有する多孔質部材によって構成されていてもよい。また、例えば、気泡供給部材１８０は、略筒形状を有する部材に多孔質部材を固定して構成されていてもよい。
【0052】
気体供給部２００は、複数の気泡供給部材１８０の各々に、気泡を発生するための気体を供給して、複数の気泡供給部材１８０の各々に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給させる。気体供給部２００は、気体供給配管２０１と、気体供給機構２０２とを含む。気体供給配管２０１及び気体供給機構２０２は後述する。気体供給部２００が気泡供給部材１８０に供給する気体は、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素、又は、アルゴンである。従って、この例では、気泡供給部材１８０が供給する気泡は、不活性ガスの気泡である。
【0053】
制御装置ＣＮＴは、昇降ユニット１２６、バルブ１４６、調整バルブ１４５、ヒーター１４３、ポンプ１４２、バルブ１５６、バルブ１６６、バルブ１７０ｂ、及び、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）を制御する。
【0054】
制御装置ＣＮＴは、例えば、コンピューターである。詳細には、制御装置ＣＮＴは、プロセッサーと、記憶装置とを含む。プロセッサーは、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を含む。記憶装置は、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。記憶装置は、例えば、主記憶装置と、補助記憶装置とを含む。主記憶装置は、例えば、半導体メモリーを含む。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリー、ソリッドステートドライブ、及び／又は、ハードディスクドライブを含む。
【0055】
次に、図２を参照して、基板Ｗを処理槽１１０に浸漬する前及び後の基板処理装置１００を説明する。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理装置１００の模式的斜視図である。なお、図２では、図面が過度に複雑になることを避けるために、図１に示した蓋１１６及び処理槽１１０内の処理液ＬＱを省略して示している。
【0056】
図２（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１（Ｙ方向）に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１は、水平方向に略平行である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２に略平行である。第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１に略直交し、水平方向に略平行である。
【0057】
図２（ａ）では、基板保持部１２０は、処理槽１１０の内槽１１２の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、複数の基板Ｗが処理槽１１０に投入される。
【0058】
図２（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が処理槽１１０にまで下降すると、複数の基板Ｗは、処理槽１１０内の処理液ＬＱに浸漬する。なお、図２には図示していないが、図１に示したように、内槽１１２の上部開口は蓋１１６によって塞がれる。
【0059】
次に、図３を参照して、気泡供給部材１８０及び気体供給部２００を説明する。図３は、循環処理液供給部材１３０及び気泡供給部材１８０を示す模式的平面図である。図３に示すように、循環処理液供給部材１３０及び気泡供給部材１８０は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの一方は、２つの気泡供給部材１８０の間に配置される。また、平面視において、２つの循環処理液供給部材１３０のうちの他方は、他の２つの気泡供給部材１８０の間に配置される。さらに、平面視において、４つの気泡供給部材１８０のうち、真ん中の２つの気泡供給部材１８０は、第２方向Ｄ２に対向している。
【0060】
具体的には、複数の循環処理液供給部材１３０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２に間隔をあけて配置される。循環処理液供給部材１３０は、第１方向Ｄ１に延びている。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、複数の処理液吐出孔Ｐは、第１方向Ｄ１に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の循環処理液供給部材１３０の各々において、各処理液吐出孔Ｐは、循環処理液供給部材１３０の上面部に設けられる。そして、各処理液吐出孔Ｐは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて処理液ＬＱを吐出する。
【0061】
複数の気泡供給部材１８０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２に間隔をあけて配置される。気泡供給部材１８０は、第１方向Ｄ１に延びている。複数の気泡供給部材１８０の各々において、複数の気泡供給孔Ｇは、第１方向Ｄ１に間隔をあけて略一直線上に配置される。複数の気泡供給部材１８０の各々において、各気泡供給孔Ｇは、気泡供給部材１８０の上面部に設けられる。そして、各気泡供給孔Ｇは、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の底部において上方に向けて気泡を供給する。なお、気泡供給孔Ｇから気泡を供給できる限りにおいては、気泡供給孔Ｇの位置は特に限定されない。また、複数の気泡供給部材１８０において、複数の気泡供給孔Ｇは、等間隔に配置されていてもよいし、不当間隔に配置されていてもよい。
【0062】
複数の気泡供給部材１８０の各々は、第１端部１８０ａと、第２端部１８０ｂとを有する。第１端部１８０ａは、第１方向Ｄ１における気泡供給部材１８０の両端部のうちの一方端部である。第２端部１８０ｂは、第１方向Ｄ１における気泡供給部材１８０の両端部のうちの他方端部である。
【0063】
第１端部１８０ａには、気体供給配管２０１が接続される。第１端部１８０ａは、気体供給配管２０１が接続されている部分を除き、閉塞されている。第２端部１８０ｂは閉塞されている。
【0064】
引き続き図３を参照して、気体供給部２００を説明する。気体供給部２００の気体供給配管２０１は、各気泡供給部材１８０に接続される。具体的には、気体供給配管２０１の下流端が、各気泡供給部材１８０に接続される。図３では、気体供給配管２０１の論理的構成が示されている。従って、気体供給配管２０１と各気泡供給部材１８０との接続形態は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に気体が供給できる限りにおいては、特に限定されない。なお、図３が気体供給配管２０１の物理的構成を示していてもよい。
【0065】
例えば、気体供給配管２０１は、共通配管２０１ａと、配管２０１ｂとを含む。共通配管２０１ａは、第２方向Ｄ２に沿って延びる。共通配管２０１ａは、各気泡供給部材１８０の第１端部１８０ａに接続される。配管２０１ｂは、共通配管２０１ａに接続される。この例では、気体は、配管２０１ｂから共通配管２０１ａを通って、各気泡供給部材１８０に供給される。なお、図３では、図面を見易くするために、共通配管２０１ａを第１端部１８０ａから離して図示している。
【0066】
気体供給配管２０１は、気体供給源ＴＫＡに接続される。具体的には、気体供給配管２０１の上流端が気体供給源ＴＫＡに接続される。気体供給源ＴＫＡは、気体供給配管２０１に気体を供給する。
【0067】
気体供給部２００の気体供給機構２０２は、気体供給配管２０１を通して各気泡供給部材１８０に気体を供給する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱ中に気泡を供給する。
【0068】
具体的には、気体供給機構２０２は、第１供給機構２１０と、第２供給機構２２０とを含む。また、気体供給部２００は配管２０３を含む。
【0069】
第１供給機構２１０は、気体供給源ＴＫＡから供給される気体を、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に供給する。
【0070】
具体的には、第１供給機構２１０は、バルブ２１１と、フィルター２１３と、ヒーター２１５と、流量計２１７と、調整バルブ２１９とを含む。バルブ２１１、フィルター２１３、ヒーター２１５、流量計２１７、及び、調整バルブ２１９は、この順番に気体供給配管２０１の下流から上流に向かって、気体供給配管２０１に配置される。
【0071】
調整バルブ２１９は、気体供給配管２０１の開度を調節して、各気泡供給部材１８０に供給される気体の流量を調整する。調整バルブ２１９の構成は、調整バルブ１４５の構成と同様である。流量計２１７は、気体供給配管２０１を流れる気体の流量を計測する。調整バルブ２１９は、流量計２１７に計測結果に基づいて気体の流量を調整する。なお、例えば、調整バルブ２１９及び流量計２１７に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。
【0072】
ヒーター２１５は、気体供給配管２０１を加熱する。フィルター２１３は、気体供給配管２０１を流れる気体から異物を除去する。バルブ２１１は、気体供給配管２０１を開閉する。つまり、バルブ２１１は、気体供給配管２０１からの気泡供給部材１８０に対する気体の供給と供給停止とを切り替える。
【0073】
第２供給機構２２０は、気体供給源ＴＫＡから供給される気体を、配管２０３及び気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に供給する。第２供給機構２２０は、第１供給機構２１０が各気泡供給部材１８０に気体を供給する期間と異なる期間において、各気泡供給部材１８０に気体を供給する。
【0074】
第２供給機構２２０が供給する気体の流量は、第１供給機構２１０が供給する気体の流量よりも多い。「流量」は、例えば、単位時間当たりに単位面積を通過する流量を示す。
【0075】
第２供給機構２２０は、バルブ２２１と、フィルター２２３と、流量計２２７と、調整バルブ２２９とを含む。バルブ２２１、フィルター２２３、流量計２２７、及び、調整バルブ２２９は、この順番に配管２０３の下流から上流に向かって、配管２０３に配置される。配管２０３の上流端と下流端とは、気体供給配管２０１に接続される。具体的には、配管２０３の上流端は、第１供給機構２１０の上流端（具体的には調整バルブ２１９の上流側）に接続される。従って、気体供給源ＴＫＡから配管２０３に気体が供給される。配管２０３の下流端は、第１供給機構２１０の下流端（具体的にはバルブ２１１の下流側）に接続される。
【0076】
調整バルブ２２９は、配管２０３の開度を調節して、各気泡供給部材１８０に供給される気体の流量を調整する。調整バルブ２２９の構成は、調整バルブ１４５の構成と同様である。流量計２２７は、配管２０３を流れる気体の流量を計測する。調整バルブ２２９は、流量計２２７に計測結果に基づいて気体の流量を調整する。なお、例えば、調整バルブ２２９及び流量計２２７に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。
【0077】
フィルター２２３は、配管２０３を流れる気体から異物を除去する。バルブ２２１は、配管２０３を開閉する。つまり、バルブ２２１は、配管２０３及び気体供給配管２０１からの気泡供給部材１８０に対する気体の供給と供給停止とを切り替える。
【0078】
基板処理装置１００は、排気部２５０をさらに備える。排気部２５０は、気体供給配管２０１の気体を外部に排気する。具体的には、排気部２５０は、排気管２５１と、バルブ２５２とを含む。排気管２５１は気体供給配管２０１に接続される。具体的には、排気管２５１の上流端が、バルブ２１１の位置よりも上流の位置で気体供給配管２０１に接続される。バルブ２５２は、排気管２５１を開閉する。つまり、バルブ２５２は、気体の排気と排気停止とを切り替える。
【0079】
基板処理装置１００は、処理液導入部３００をさらに備える。処理液導入部３００は、気体供給部２００から各気泡供給部材１８０への気体の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入する。処理液導入部３００は、導入用配管３０１と、導入用バルブ３０３とを含む。導入用配管３０１は、「処理液導入用管」の一例に相当する。
【0080】
導入用配管３０１は、気体供給配管２０１に接続される。具体的には、導入用配管３０１の一端が、気体供給機構２０２の位置よりも下流の位置で気体供給配管２０１に接続される。また、導入用配管３０１と気体供給配管２０１との接続位置は、気体供給配管２０１の下流端よりも上流の位置である。各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入できる限りにおいては、導入用配管３０１と気体供給配管２０１との接続位置は特に限定されない。導入用配管３０１は槽ＴＫＢに接続される。具体的には、導入用配管３０１の他方端が槽ＴＫＢに接続される。
【0081】
導入用バルブ３０３は、導入用配管３０１を開閉する。導入用バルブ３０３は、導入用配管３０１を開放することで、気体供給配管２０１を開放して、各気泡供給部材１８０へ処理液ＬＱを導入する。詳細は後述する。
【0082】
次に、図４～図７を参照して、基板処理装置１００の動作を説明する。図４～図７では、バルブ２１１、２２１、２５２、３０３のうち、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。また、図面の簡略化のために、１つの気泡供給部材１８０を図示している。
【0083】
図４は、基板処理装置１００が基板処理を実行している状態を示す図である。基板処理とは、処理液ＬＱによって基板Ｗを処理することである。
【0084】
図４に示すように、処理槽１１０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。そして、排気部２５０、処理液導入部３００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0085】
すなわち、基板処理の実行中では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を閉じて導入用配管３０１を閉塞し、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞している。第２供給機構２２０がバルブ２２１を閉じることで、第２供給機構２２０からの気体の供給は停止される。また、基板処理の実行中では、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて気体供給配管２０１を開放している。従って、第１供給機構２１０から気体供給配管２０１を通って気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、複数の基板Ｗに向けて、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。
【0086】
以上、図４を参照して説明したように、実施形態１によれば、基板処理の実行中において、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に気体を供給することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱ及び複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給させる。
【0087】
具体的には、基板処理の実行中において、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱに気体を吹き出すことで、複数の気泡供給孔Ｇから処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗに向けて複数の気泡を供給する。よって、多数の気泡によって、各基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。
【0088】
具体的には、気泡が処理液ＬＱ中を浮上する際に、気泡は基板Ｗの表面に接触する。この場合、気泡は、基板Ｗの表面に接触している処理液ＬＱを押し出しながら基板Ｗの表面を上方に向けて移動する。気泡が通過した後には、気泡の周囲に存在していた新鮮な処理液ＬＱが気泡の存在していた場所へ進入することで基板Ｗの表面に接触する。従って、気泡により基板Ｗの表面の周囲の処理液ＬＱを攪拌できるので、基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに置換できる。従って、基板Ｗの表面に、凹部を含むパターンが形成されている場合に、パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置まで処理液ＬＱによって効果的に処理できる。
【0089】
例えば、基板Ｗの凹部を含むパターンが、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを交互に積層して形成されており、パターンのアスペクト比（凹部の幅に対する深さの比率）が高い場合に、処理液ＬＱとして燐酸液を使用して、基板Ｗを処理する場合がある。この場合に、気泡によって、基板Ｗの表面に接触する燐酸液を新鮮な燐酸液に置換すると、拡散現象により、凹部内の燐酸水溶液が新鮮な燐酸水溶液に置換される。その結果、パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置まで燐酸液によって効果的にエッチングできる。
【0090】
図５は、基板処理装置１００が処理液導入処理を実行している状態を示す図である。処理液導入処理とは、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する処理のことである。「気泡供給部材１８０の流路ＦＷ」は、「気泡供給部材の内部」の一例に相当する。
【0091】
図５に示すように、基板処理装置１００は、基板処理が完了すると、複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬された状態又は複数の基板Ｗが処理液ＬＱから引き上げられた状態において、処理液導入処理を実行する。処理液導入処理では、排気部２５０、処理液導入部３００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0092】
すなわち、処理液導入処理では、第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じるとともに、第２供給機構２２０がバルブ２２１を閉じて、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給を停止する。また、処理液導入処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して気体を排気する。さらに、処理液導入処理では、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を開けて導入用配管３０１を開放する。従って、導入用配管３０１に接続される気体供給配管２０１もまた、気体供給機構２０２よりも下流の位置で開放される。具体的には、気体供給配管２０１は、気体供給機構２０２よりも下流の位置で上方に向けて開放される。
【0093】
その結果、複数の気泡供給部材１８０の各々において、処理槽１１０内の処理液ＬＱの液圧によって、処理槽１１０内の処理液ＬＱが、複数の気泡供給孔Ｇから気泡供給部材１８０の流路ＦＷに引き込まれる。つまり、基板処理の完了後に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに、処理液ＬＱが導入される。例えば、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが充填される。なお、各気泡供給部材１８０に引き込まれた処理液ＬＱは、気体供給配管２０１内において、処理槽１１０における処理液ＬＱの液面と略同じ位置まで、上昇する。
【0094】
以上、図５を参照して説明したように、実施形態１によれば、処理液導入部３００は、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する。従って、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇに、処理液ＬＱの成分が析出して、各気泡供給孔Ｇの孔径が小さくなることを抑制できる。例えば、処理液ＬＱが燐酸液である場合、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇに、燐酸が析出して、各気泡供給孔Ｇの孔径が小さくなることを抑制できる。また、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが導入されるため、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷが乾燥することを抑制できる。
【0095】
特に、実施形態１では、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止した後に、つまり、各気泡供給部材１８０からの複数の気泡の供給を停止した後に、気体供給配管２０１を開放することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０から各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを引き込む。従って、簡素な構成によって、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを容易に導入できる。
【0096】
処理液ＬＱの引き込みは、処理槽１１０内に未だ複数の基板Ｗが浸漬されている間において行っても、処理槽１１０内から複数の基板Ｗが引き上げられた後において行ってもよいが、次の理由により処理槽１１０内に未だ複数の基板Ｗが浸漬されている間において開始することが好ましい。本願の発明者の研究によると流路ＦＷに処理液ＬＱを引き込むことで溶出成分の析出が抑制される効果があるが、下記（１）、（２）に示す可能性がある。
【0097】
（１）流路ＦＷが乾燥した状態が長く続くと溶出成分の固着が進み、流路ＦＷに固着した溶出成分の除去が困難となる。
（２）流路ＦＷに処理液ＬＱを引き込む時間が短すぎると溶出成分の析出を抑制する効果が確認されない。
（２）流路ＦＷに処理液ＬＱを引き込む時間が短すぎると溶出成分の析出を抑制する効果が確認されない。
【0098】
上記（２）については、例えば、流路ＦＷへ処理液ＬＱを１０分以上引き込むことにより溶出成分の析出を抑制する効果が確認されている。
【0099】
従って、好適には、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止した後に、つまり、各気泡供給部材１８０からの複数の気泡の供給を停止した後において、未だ複数の基板Ｗが処理槽１１０から引き上げられていない段階で、気体供給配管２０１を開放して流路ＦＷへの処理液ＬＱの引き込みを開始することが好ましい。できるだけ早いタイミングで処理液ＬＱを引き込むことにより、処理時間の短縮を図るとともに、気泡供給孔Ｇや流路ＦＷが乾燥し処理液ＬＱの溶出成分が析出することを抑制できる。
【0100】
なお、例えば、図５に示す処理液導入処理において、処理槽１１０からではなく、図１に示す循環部１４０の配管１４１から処理液ＬＱを抽出して、抽出した処理液ＬＱを各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに導入してもよい。
【0101】
図６は、基板処理装置１００が処理液押出処理を実行している状態を示す図である。処理液押出処理とは、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す処理のことである。
【0102】
図６に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱから引き上げた状態において、処理液導入処理が完了した後、かつ、新たな基板処理の開始前に、処理液押出処理を実行する。処理液押出処理では、排気部２５０、処理液導入部３００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0103】
すなわち、処理液押出処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を閉じて導入用配管３０１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じる。第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じることで、第１供給機構２１０からの気体の供給は停止される。また、処理液押出処理では、第２供給機構２２０はバルブ２２１を開いて配管２０３を開放する。第２供給機構２２０がバルブ２２１を開くことで、第２供給機構２２０から、配管２０３及び気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して、処理槽１１０に押し出される。
【0104】
以上、図６を参照して説明したように、実施形態１によれば、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが導入された後に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗを処理槽１１０から引き上げた後であって、新たな複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す。気体供給配管２０１から気泡供給部材１８０への気体の供給開始時では、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに存在する処理液ＬＱが気泡供給孔Ｇから処理槽１１０に向かって吹き出される。
【0105】
新たな基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出すことで、気泡供給部材１８０における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができる。具体的には、気泡供給孔Ｇの目詰まりや、流路ＦＷ内部の溶出成分の固着を抑止できる。また、流路ＦＷに引き込まれた処理液ＬＱは、新しく処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱと比べると、処理液濃度差や、溶出成分の濃度差がある。従って、流路ＦＷに滞留する処理液ＬＱを新しい基板Ｗにそのまま供給すると、処理品質に影響を及ぼす可能性がある。そこで、実施形態１では、新たな基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出すことで、流路ＦＷに引き込まれた処理液ＬＱが処理品質に影響を及ぼすことを回避できる。例えば、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理の均一性が低下することを抑制できる。
【0106】
実施形態１では、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入した後に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗを処理槽１１０から引き上げられた後であって、新たな複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０に気体供給配管２０１から気体を供給することで、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す。従って、基板処理の実行中に気泡を発生するための気体供給配管２０１を利用して、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを容易に押し出すことができる。つまり、処理液ＬＱを押し出すための専用部材を設けることが要求されず、基板処理装置１００の製造コストを低減できる。
【0107】
また、実施形態１では、処理液導入処理において第２供給機構２２０が各気泡供給部材１８０に気体を供給するときの気体の流量は、基板処理において第１供給機構２１０が各気泡供給部材１８０に気体を供給するときの気体の流量よりも多い。従って、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを効果的に押し出すことができる。
【0108】
図７は、基板処理装置１００が基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。基板浸漬処理とは、複数の基板Ｗを処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに浸漬する処理のことである。
【0109】
図７に示すように、基板処理装置１００は、処理液押出処理の完了後において、基板浸漬処理を実行する。基板浸漬処理では、排気部２５０、処理液導入部３００、気体供給部２００、及び、基板保持部１２０（図１）は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0110】
すなわち、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部３００は導入用バルブ３０３を閉じて導入用配管３０１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じ、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞する。従って、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に対して、気体は供給されない。その結果、各気泡供給部材１８０は、処理液ＬＱ中に気泡を供給しない。そして、各気泡供給部材１８０が処理液ＬＱ中に気泡を供給していない状態において、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する。一方、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して排気する。排気管２５１からの排気は、図示しない液受けバットに向けて行われる。
【0111】
次に、図１及び図８を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法の第１例を説明する。図８は、実施形態１に係る基板処理方法の第１例を示すフローチャートである。図８に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１２を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。そして、基板処理方法は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列された複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理液ＬＱによって処理する。
【0112】
【0113】
次に、工程Ｓ２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０への気体の供給を開始する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから複数の基板Ｗに向けて複数の気泡の供給を開始する。
【0114】
次に、工程Ｓ３において、制御装置ＣＮＴは第１時間が経過したか否かを判定する。第１時間は、複数の基板Ｗを処理するために予め設定された時間である。
【0115】
工程Ｓ３で第１時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ３に進み、第１時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ３を繰り返す。
【0116】
一方、工程Ｓ３で第１時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ４に進む。
【0117】
工程Ｓ４において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇからの複数の気泡の供給を停止する。
【0118】
次に、工程Ｓ５において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を開放して気体供給配管２０１を開放することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を開始する。
【0119】
次に、工程Ｓ６において、制御装置ＣＮＴは第２時間が経過したか否かを判定する。第２時間は第１時間よりも短い。第２時間は、各気泡供給部材１８０へ処理液ＬＱを導入するための時間として、予め定められた時間である。
【0120】
工程Ｓ６で第２時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ６に進み、第２時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ６を繰り返す。
【0121】
一方、工程Ｓ６で第２時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ７に進む。
【0122】
工程Ｓ７において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を閉塞して気体供給配管２０１を閉塞することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を停止する。ただし、この場合、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷには、処理液ＬＱが残留したままである。
【0123】
次に、工程Ｓ８において、制御装置ＣＮＴの制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０から複数の基板Ｗを引き上げる。
【0124】
次に、工程Ｓ９において、制御装置ＣＮＴは、新たな複数の基板Ｗに対する前処理タイミングが到来したか否かを判定する。前処理は、処理液ＬＱに新たな基板Ｗを浸漬する前に実行される処理を示す。
【0125】
工程Ｓ９で前処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ９に進み、前処理タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ９を繰り返す。
【0126】
一方、工程Ｓ９で前処理タイミングが到来したと判定された場合、処理は工程Ｓ１０に進む。
【0127】
工程Ｓ１０において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを開始する。
【0128】
次に、工程Ｓ１１において、制御装置ＣＮＴは第３時間が経過したか否かを判定する。第３時間は、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すための時間として、予め定められた時間である。第３時間は第２時間よりも短い。
【0129】
工程Ｓ１１で第３時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ１１に進み、第３時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ１１を繰り返す。
【0130】
一方、工程Ｓ１１で第３時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ１２に進む。
【0131】
工程Ｓ１２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを停止する。
【0132】
工程Ｓ１２の後、処理は、工程Ｓ１に進み、新たな複数の基板Ｗに対して、工程Ｓ１～工程Ｓ１２が実行される。
【0133】
以上、図８を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法の第１例よれば、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給の停止後であって、複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬されている期間に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する工程Ｓ５が実行されて、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する。従って、本処理を実行するための本処理期間において各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入できるため、各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入する期間を本処理期間の後に別途設定する場合と比較して、複数の基板Ｗを処理するためのスループットを向上できる。
【0134】
なお、制御装置ＣＮＴは、レシピ情報に従って基板処理装置１００を制御している。レシピ情報は、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。そして、レシピ情報には、複数の基板Ｗから構成されるロットごとに、前処理を実行するための前処理期間、本処理を実行するための本処理期間、及び、後処理を実行するための後処理期間が設定されている。本処理は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して、複数の基板Ｗを処理することを示す。後処理は、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理が完了して処理槽１１０から基板Ｗが引き上げられた後に実行される処理を示す。
【0135】
次に、図１及び図９を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理方法の第２例を説明する。図９は、実施形態１に係る基板処理方法の第２例を示すフローチャートである。図９に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ３２を含む。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。そして、基板処理方法は、処理槽１１０に貯留された処理液ＬＱに、間隔をあけて整列された複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理液ＬＱによって処理する。
【0136】
【0137】
次に、工程Ｓ２２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０への気体の供給を開始する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇから複数の基板Ｗに向けて複数の気泡の供給を開始する。
【0138】
次に、工程Ｓ２３において、制御装置ＣＮＴは第１時間が経過したか否かを判定する。
【0139】
工程Ｓ２３で第１時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ２３に進み、第１時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ２３を繰り返す。
【0140】
一方、工程Ｓ２３で第１時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ２４に進む。
【0141】
工程Ｓ２４において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の気泡供給孔Ｇからの複数の気泡の供給を停止する。
【0142】
次に、工程Ｓ２５において、制御装置ＣＮＴの制御によって、基板保持部１２０は、処理槽１１０から複数の基板Ｗを引き上げる。
【0143】
次に、工程Ｓ２６において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を開放して気体供給配管２０１を開放することで各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を開始する。
【0144】
次に、工程Ｓ２７において、制御装置ＣＮＴは第２時間が経過したか否かを判定する。
【0145】
工程Ｓ２７で第２時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ２７に進み、第２時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ２７を繰り返す。
【0146】
一方、工程Ｓ２７で第２時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ２８に進む。
【0147】
工程Ｓ２８において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部３００は、導入用配管３０１を閉塞して気体供給配管２０１を閉塞することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を停止する。ただし、この場合、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷには、処理液ＬＱが残留したままである。
【0148】
次に、工程Ｓ２９において、制御装置ＣＮＴは、新たな複数の基板Ｗに対する前処理タイミングが到来したか否かを判定する。
【0149】
工程Ｓ２９で前処理タイミングが到来していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ２９に進み、前処理タイミングが到来したと判定されるまで工程Ｓ２９を繰り返す。
【0150】
一方、工程Ｓ２９で前処理タイミングが到来したと判定された場合、処理は工程Ｓ３０に進む。
【0151】
工程Ｓ３０において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを開始する。
【0152】
次に、工程Ｓ３１において、制御装置ＣＮＴは第３時間が経過したか否かを判定する。
【0153】
工程Ｓ３１で第３時間が経過していないと判定された場合、処理は、工程Ｓ３１に進み、第３時間が経過したと判定されるまで工程Ｓ３１を繰り返す。
【0154】
一方、工程Ｓ３１で第３時間が経過したと判定された場合、処理は工程Ｓ３２に進む。
【0155】
工程Ｓ３２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを停止する。
【0156】
工程Ｓ３２の後、処理は、工程Ｓ２１に進み、新たな複数の基板Ｗに対して、工程Ｓ２１～工程Ｓ３２が実行される。
【0157】
以上、図９を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法の第２例よれば、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給の停止後であって、複数の基板Ｗが処理槽１１０から引き上げられた後に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する工程Ｓ２６が実行されて、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入する。従って、この場合は、後処理として、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱを導入できる。
【0158】
（変形例）
図４～図７を参照して、本発明の実施形態１の変形例に係る基板処理装置１００を説明する。変形例に係る基板処理装置１００では、気体供給機構２０２は、第２供給機構２２０を有していない。従って、変形例において、図６に示す処理液押出処理においては、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて、気体供給配管２０１を開放する。その結果、第１供給機構２１０から、気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。よって、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して、処理槽１１０に押し出される。
図４～図７を参照して、本発明の実施形態１の変形例に係る基板処理装置１００を説明する。変形例に係る基板処理装置１００では、気体供給機構２０２は、第２供給機構２２０を有していない。従って、変形例において、図６に示す処理液押出処理においては、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて、気体供給配管２０１を開放する。その結果、第１供給機構２１０から、気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。よって、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して、処理槽１１０に押し出される。
【0159】
変形例によれば、処理液押出処理と基板処理との双方において、第１供給機構２１０から各気泡供給部材１８０に気体を供給するため、基板処理装置１００は第２供給機構２２０を有していない。従って、基板処理装置１００の製造コストを低減できる。
【0160】
（実施形態２）
図１０～図１４を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを説明する。実施形態２に係る基板処理装置１００Ａが、処理液導入部３００に代えて処理液導入部４００を備える点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。実施形態２に係る基板処理装置１００Ａの全体構成は、図１を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の全体構成と同様である。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
図１０～図１４を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを説明する。実施形態２に係る基板処理装置１００Ａが、処理液導入部３００に代えて処理液導入部４００を備える点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。実施形態２に係る基板処理装置１００Ａの全体構成は、図１を参照して説明した実施形態１に係る基板処理装置１００の全体構成と同様である。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。
【0161】
まず、図１０を参照して、実施形態２に係る基板処理装置１００Ａを説明する。図１０は、実施形態２に係る基板処理装置１００Ａの気泡供給部材１８０、気体供給部２００、処理液導入部４００、及び、排気部２５０を示す模式的平面図である。
【0162】
図１０に示すように、基板処理装置１００Ａは処理液導入部４００を備える。処理液導入部４００は、気体供給部２００から各気泡供給部材１８０への気体の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０に処理液ＬＱを導入する。処理液導入部４００は、導入用配管４０１と、複数の導入用バルブ４０３とを含む。導入用配管４０１は、「処理液導入用管」の一例に相当する。
【0163】
導入用配管４０１は、気体供給配管２０１よりも下流側において各気泡供給部材１８０に接続される。具体的には、導入用配管４０１の一端が、各気泡供給部材１８０の第２端部１８０ｂに接続される。第２端部１８０ｂは、導入用配管４０１が接続されている部分を除き、閉塞されている。一方、導入用配管４０１の他端が、槽ＴＫＣに接続される。
【0164】
図１０では、導入用配管４０１の論理的構成が示されている。従って、導入用配管４０１と各気泡供給部材１８０との接続形態は、各気泡供給部材１８０へ処理液ＬＱを導入できる限りにおいては、特に限定されない。なお、図１０が導入用配管４０１の物理的構成を示していてもよい。
【0165】
例えば、導入用配管４０１は、複数の気泡供給部材１８０のそれぞれに対応して複数の配管４０１ａを含む。複数の配管４０１ａの一端は、それぞれ、複数の気泡供給部材１８０の第２端部１８０ｂに接続される。複数の配管４０１ａに対して、それぞれ、複数の導入用バルブ４０３が配置される。複数の導入用バルブ４０３の各々は、対応する配管４０１ａを開閉する。
【0166】
次に、図１１～図１４を参照して、基板処理装置１００Ａの動作を説明する。図１１～図１４では、バルブ２１１、２２１、２５２、４０３のうち、開いているバルブを白色で示し、閉じているバルブを黒色で示している。また、図面の簡略化のために、１つの気泡供給部材１８０を図示している。
【0167】
図１１は、基板処理装置１００Ａが基板処理を実行している状態を示す図である。図１１に示すように、処理槽１１０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。そして、排気部２５０、処理液導入部４００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0168】
すなわち、基板処理の実行中では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部４００は導入用バルブ４０３を閉じて導入用配管４０１を閉塞し、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞している。また、基板処理の実行中では、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて気体供給配管２０１を開放している。従って、第１供給機構２１０から気体供給配管２０１を通って気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、複数の基板Ｗに向けて、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡が供給される。
【0169】
以上、図４を参照して説明したように、実施形態２によれば、基板処理の実行中において、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に気体を供給することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇから複数の気泡を供給させる。従って、多数の気泡によって、各基板Ｗの表面に接触する処理液ＬＱを新鮮な処理液ＬＱに効果的に置換できる。その他、実施形態２では、気泡の供給によって、実施形態１の基板処理と同様の効果を有する。
【0170】
図１２は、基板処理装置１００Ａが処理液導入処理を実行している状態を示す図である。図１２に示すように、基板処理装置１００Ａは、基板処理が完了すると、複数の基板Ｗが処理液ＬＱに浸漬された状態又は複数の基板Ｗが処理液ＬＱから引き上げられた状態において、処理液導入処理を実行する。処理液導入処理では、排気部２５０、処理液導入部４００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0171】
すなわち、処理液導入処理では、第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じるとともに、第２供給機構２２０がバルブ２２１を閉じて、各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止する。その結果、各気泡供給部材１８０は、複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給を停止する。また、処理液導入処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して気体を排気する。さらに、処理液導入処理では、処理液導入部４００は導入用バルブ４０３を開けて導入用配管４０１を開放する。
【0172】
その結果、複数の気泡供給部材１８０の各々において、処理槽１１０内の処理液ＬＱの液圧によって、処理槽１１０内の処理液ＬＱが、複数の気泡供給孔Ｇから気泡供給部材１８０の流路ＦＷに引き込まれる。つまり、基板処理の完了後に、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに、処理液ＬＱが導入される。例えば、気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが充填される。なお、各気泡供給部材１８０に引き込まれた処理液ＬＱは、導入用配管４０１において、処理槽１１０における処理液ＬＱの液面と略同じ位置まで、上昇する。
【0173】
以上、図１２を参照して説明したように、実施形態２によれば、処理液導入部４００は、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗへの複数の気泡の供給が停止された後に、各気泡供給部材１８０の内部に処理液ＬＱを導入する。従って、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇに、処理液ＬＱの成分が析出して、各気泡供給孔Ｇの孔径が小さくなることを抑制できる。その他、実施形態２では、処理液導入処理によって、実施形態１と同様の効果を有する。
【0174】
特に、実施形態２では、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止した後に、つまり、各気泡供給部材１８０からの複数の気泡の供給を停止した後に、気体供給配管２０１よりも下流側において気泡供給部材１８０と接続される導入用配管４０１を開放することで、各気泡供給部材１８０の複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０から各気泡供給部材１８０の内部に処理液ＬＱを引き込む。従って、簡素な構成によって、各気泡供給部材１８０の内部に処理液ＬＱを容易に導入できる。
【0175】
なお、例えば、図１２に示す処理液導入処理において、処理槽１１０からではなく、図１に示す循環部１４０の配管１４１から処理液ＬＱを抽出して、抽出した処理液ＬＱを各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに導入してもよい。
【0176】
図１３は、基板処理装置１００Ａが処理液押出処理を実行している状態を示す図である。図１３に示すように、基板処理装置１００Ａは、複数の基板Ｗを処理液ＬＱから引き上げた状態において、処理液導入処理が完了した後、かつ、新たな基板処理の開始前に、処理液押出処理を実行する。処理液押出処理では、排気部２５０、処理液導入部４００、及び、気体供給部２００は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0177】
すなわち、処理液押出処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じる。第１供給機構２１０がバルブ２１１を閉じることで、第１供給機構２１０からの気体の供給は停止される。また、処理液押出処理では、処理液導入部３００は導入用バルブ４０３を開いて導入用配管４０１を開放する。加えて、処理液押出処理では、第２供給機構２２０はバルブ２２１を開いて配管２０３を開放する。第２供給機構２２０がバルブ２２１を開くことで、第２供給機構２２０から、配管２０３及び気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。その結果、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０に押し出されるとともに、各気泡供給部材１８０から導入用配管４０１に押し出される。導入用配管４０１に押し出された処理液ＬＱは、例えば、槽ＴＫＣに貯留される。
【0178】
以上、図１３を参照して説明したように、実施形態２によれば、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷに処理液ＬＱが導入された後に、処理液ＬＱに浸漬された複数の基板Ｗを処理槽１１０から引き上げた後であって、新たな複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する前に、各気泡供給部材１８０の流路ＦＷから処理液ＬＱを押し出す。よって、気泡供給部材１８０における溶出成分の沈着や溶出成分の滞留を抑制することができて、例えば、処理液ＬＱによる基板Ｗの処理の均一性を向上できる。その他、実施形態２によれば、処理液押出処理によって、実施形態１と同様の効果を有する。
【0179】
図１４は、基板処理装置１００Ａが基板浸漬処理を実行している状態を示す図である。図１４に示すように、基板処理装置１００Ａは、処理液押出処理の完了後において、基板浸漬処理を実行する。基板浸漬処理では、排気部２５０、処理液導入部４００、気体供給部２００、及び、基板保持部１２０（図２）は、制御装置ＣＮＴによって制御されて、下記のように動作する。
【0180】
すなわち、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を閉じて排気管２５１を閉塞し、処理液導入部４００は導入用バルブ４０３を閉じて導入用配管４０１を閉塞し、第１供給機構２１０はバルブ２１１を閉じ、第２供給機構２２０はバルブ２２１を閉じて配管２０３を閉塞する。従って、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０に対して、気体は供給されない。その結果、各気泡供給部材１８０は、処理液ＬＱ中に気泡を供給しない。そして、各気泡供給部材１８０が処理液ＬＱ中に気泡を供給していない状態において、基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを処理液ＬＱに浸漬する。一方、基板浸漬処理では、排気部２５０はバルブ２５２を開けて、排気管２５１を通して気体を排気する。基板処理装置１００Ａの構成においては、排気管２５１は、図示しない排液冷却タンクに接続する。
【0181】
【0182】
ただし、実施形態２において、図８及び図９に示すフローチャートでは、工程Ｓ５及び工程Ｓ２６において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は、導入用配管４０１を開放することで各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を開始する。また、工程Ｓ７及び工程Ｓ２８において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は、導入用配管４０１を閉塞することで、各気泡供給部材１８０への処理液ＬＱの導入を停止する。
【0183】
また、工程Ｓ１０及び工程Ｓ３０において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は導入用配管４０１を開放するとともに、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１を通して、各気泡供給部材１８０に気体を供給して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを開始する。また、工程Ｓ１２及び工程Ｓ３２において、制御装置ＣＮＴの制御によって、処理液導入部４００は導入用配管４０１を閉塞するとともに、気体供給部２００（具体的には気体供給機構２０２）は、気体供給配管２０１から各気泡供給部材１８０への気体の供給を停止して、各気泡供給部材１８０から処理液ＬＱを押し出すことを停止する。
【0184】
（変形例）
図１１～図１４を参照して、本発明の実施形態２の変形例に係る基板処理装置１００Ａを説明する。変形例に係る基板処理装置１００Ａでは、気体供給機構２０２は、第２供給機構２２０を有していない。従って、変形例において、図１３に示す処理液押出処理においては、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて、気体供給配管２０１を開放する。その結果、第１供給機構２１０から、気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。よって、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０に押し出されるとともに、導入用配管４０１に押し出される。
図１１～図１４を参照して、本発明の実施形態２の変形例に係る基板処理装置１００Ａを説明する。変形例に係る基板処理装置１００Ａでは、気体供給機構２０２は、第２供給機構２２０を有していない。従って、変形例において、図１３に示す処理液押出処理においては、第１供給機構２１０はバルブ２１１を開いて、気体供給配管２０１を開放する。その結果、第１供給機構２１０から、気体供給配管２０１を通って、気体が各気泡供給部材１８０に供給される。よって、処理液ＬＱが、気体によって、各気泡供給部材１８０から複数の気泡供給孔Ｇを通して処理槽１１０に押し出されるとともに、導入用配管４０１に押し出される。
【0185】
変形例によれば、処理液押出処理と基板処理との双方において、第１供給機構２１０から各気泡供給部材１８０に気体を供給するため、基板処理装置１００Ａは第２供給機構２２０を有していない。従って、基板処理装置１００Ａの製造コストを低減できる。
【0186】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
【0187】
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【0188】
本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。
【符号の説明】
【0189】
１００、１００Ａ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１２０ 基板保持部
１８０ 気泡供給部材
２０１ 気体供給配管
３０１、４０１ 導入用配管（処理液導入用管）
Ｇ 気泡供給孔
Ｗ 基板
１１０ 処理槽
１２０ 基板保持部
１８０ 気泡供給部材
２０１ 気体供給配管
３０１、４０１ 導入用配管（処理液導入用管）
Ｇ 気泡供給孔
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】