特許 7455536 保持装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-15

(45)【発行日】2024-03-26

(54)【発明の名称】保持装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240318BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20240318BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/68 R

H02N13/00 D

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2019166051

(22)【出願日】2019-09-12

(65)【公開番号】P2020077849

(43)【公開日】2020-05-21

【審査請求日】2022-07-14

(31)【優先権主張番号】P 2018173287

(32)【優先日】2018-09-18

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000004547

【氏名又は名称】日本特殊陶業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001911

【氏名又は名称】弁理士法人アルファ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】三輪 要

【審査官】鈴木 孝章

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－２２２２３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１５７８５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２３８６８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１７－１８３３２９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０２Ｎ １３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の方向に略直交する第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、
前記セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極と、
前記セラミックス部材の内部における、前記チャック電極より前記第１の表面から離間した位置に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、
第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置され、内部に冷媒流路が形成されたベース部材と、
前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置されて前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、
を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、
前記セラミックス部材のうちの前記第１の表面側の一部分になる第１のセラミックス部分と、前記第１のセラミックス部分の内部に配置された前記チャック電極と、を含む第１の構造体を準備する第１の準備工程と、
前記セラミックス部材のうちの前記第２の表面側の一部分になる第２のセラミックス部分と、前記第２のセラミックス部分における前記第２の表面とは反対側に位置する第４の表面に露出するように配置された前記ヒータ電極と、を含む第２の構造体を準備する第２の準備工程と、
前記第２の準備工程の後、前記接合部により、前記第２の構造体を構成する前記第２のセラミックス部分と前記ベース部材とを接合する第１の接合工程と、
前記第１の接合工程の後、前記冷媒流路への冷媒の供給と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面の温度分布を測定する測定工程と、
前記温度分布の測定結果に基づき、前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面に露出した前記ヒータ電極の一部分を研削することによって前記ヒータ電極の発熱量を調整する調整工程と、
前記第２の構造体を構成する前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面側に、前記第１の構造体を構成する前記第１のセラミックス部分を接合することにより、前記第２のセラミックス部分と前記第１のセラミックス部分とを含む前記セラミックス部材を作製する第２の接合工程と、
を備える、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。

【請求項2】

請求項１に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
前記調整工程の後、前記第２の接合工程の前に、前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面上に、溶射により、前記ヒータ電極を覆うセラミックス層を形成する溶射工程を備え、
前記第２の接合工程は、前記第２の構造体を構成する前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面上に形成された前記セラミックス層に、前記第１の構造体を構成する前記第１のセラミックス部分を接合することにより、前記第２のセラミックス部分と前記セラミックス層と前記第１のセラミックス部分とを含む前記セラミックス部材を作製する工程である、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。

【請求項3】

請求項２に記載の保持装置の製造方法において、さらに、
前記溶射工程の後、前記第２の接合工程の前に、前記セラミックス層における前記第４の表面側に位置する表面とは反対側の表面を研磨する研磨工程を備える、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。

【請求項4】

請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の保持装置の製造方法において、
前記セラミックス部材は、前記第１の方向視で略円形であり、
前記保持装置は、複数の前記ヒータ電極を備え、
前記複数のヒータ電極のそれぞれは、前記セラミックス部材を、前記第１の方向視で、前記セラミックス部材の外周線と同心の少なくとも１つの円形の仮想分割線で複数のセグメントに仮想的に分割したときの各前記セグメント内に配置されている、
ことを特徴とする保持装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書に開示される技術は、対象物を保持する保持装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば半導体素子を製造する際にウェハを保持する保持装置として、静電チャックが用いられる。静電チャックは、セラミックス部材と、例えば金属製のベース部材と、セラミックス部材とベース部材とを接合する接合部と、セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極とを備えており、チャック電極に電圧が印加されることにより発生する静電引力を利用して、セラミックス部材の表面（以下、「吸着面」という。）にウェハを吸着して保持する。

【0003】

静電チャックの吸着面に保持されたウェハの温度が所望の温度にならないと、ウェハに対する各処理（成膜、エッチング等）の精度が低下するおそれがあるため、静電チャックにはウェハの温度分布を制御する性能が求められる。そのため、セラミックス部材の内部に配置されたヒータ電極による加熱や、ベース部材に形成された冷媒流路への冷媒供給による冷却を行うことにより、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御）が行われる（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１８－１２０９０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

セラミックス部材の内部に配置されるヒータ電極は、例えば、セラミックスグリーンシート上に導電性材料を含むメタライズペースト（メタライズインク）を印刷し、該メタライズペーストをセラミックスグリーンシートと共に焼成することにより形成される。そのため、形成されるヒータ電極に、形状（厚さや幅）のばらつきが発生するおそれがある。ヒータ電極に形状のばらつきが発生すると、ヒータ電極に抵抗のばらつき、すなわち発熱量のばらつきが発生し、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御性（ひいては、吸着面に保持されたウェハの温度分布の制御性）が低下するおそれがある。なお、セラミックス部材の吸着面の温度分布の制御性の低下は、ヒータ電極の形状のばらつきに限らず、セラミックス部材やベース部材、接合部の構成に起因しても生じ得る。

【0006】

また、このような課題は、静電チャックに限らず、セラミックス部材とベース部材と接合部とを備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する保持装置一般に共通の課題である。

【0007】

本明細書では、上述した課題を解決することが可能な技術を開示する。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本明細書に開示される技術は、例えば、以下の形態として実現することが可能である。

【0009】

（１）本明細書に開示される保持装置の製造方法は、第１の方向に略直交する第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、前記セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極と、前記セラミックス部材の内部における、前記チャック電極より前記第１の表面から離間した位置に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置され、内部に冷媒流路が形成されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置されて前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置の製造方法において、前記セラミックス部材のうちの前記第１の表面側の一部分になる第１のセラミックス部分と、前記第１のセラミックス部分の内部に配置された前記チャック電極と、を含む第１の構造体を準備する第１の準備工程と、前記セラミックス部材のうちの前記第２の表面側の一部分になる第２のセラミックス部分と、前記第２のセラミックス部分における前記第２の表面とは反対側に位置する第４の表面に露出するように配置された前記ヒータ電極と、を含む第２の構造体を準備する第２の準備工程と、前記接合部により、前記第２の構造体を構成する前記第２のセラミックス部分と前記ベース部材とを接合する第１の接合工程と、前記冷媒流路への冷媒の供給と、前記ヒータ電極への給電と、を行いつつ、前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面の温度分布を測定する測定工程と、前記温度分布の測定結果に基づき、前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面に露出した前記ヒータ電極の一部分を研削することによって前記ヒータ電極の発熱量を調整する調整工程と、前記第２の構造体を構成する前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面側に、前記第１の構造体を構成する前記第１のセラミックス部分を接合することにより、前記第２のセラミックス部分と前記第１のセラミックス部分とを含む前記セラミックス部材を作製する第２の接合工程と、を備える。

【0010】

本保持装置の製造方法では、セラミックス部材のうちの第２の表面側の一部分になる第２のセラミックス部分と、第２のセラミックス部分における第２の表面とは反対側に位置する第４の表面に露出するように配置されたヒータ電極と、を含む第２の構造体に、ベース部材が接合された状態で、冷媒流路への冷媒の供給とヒータ電極への給電とを行いつつ、第２のセラミックス部分の第４の表面の温度分布が測定される。また、本保持装置の製造方法では、第４の表面の温度分布の測定結果に基づき、第２のセラミックス部分の第４の表面に露出したヒータ電極の一部分を研削することによってヒータ電極の発熱量が調整された後、第２のセラミックス部分の第４の表面側に、セラミックス部材のうちの第１の表面側の一部分になる第１のセラミックス部分と、第１のセラミックス部分の内部に配置されたチャック電極と、を含む第１の構造体が接合される。すなわち、本保持装置の製造方法では、保持装置のうち、ヒータ電極よりベース部材側の部分を作製した後、実際の使用時と同様の条件で第２のセラミックス部分の第４の表面の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極の発熱量の調整を行うことができる。従って、本保持装置の製造方法では、例えばヒータ電極の形状のばらつきに起因するヒータ電極の発熱量のばらつきを補正することができ、その結果、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性（ひいては、第１の表面に保持された対象物の温度分布の制御性）の低下を抑制することができる。

【0011】

（２）上記保持装置の製造方法において、さらに、前記調整工程の後、前記第２の接合工程の前に、前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面上に、溶射により、前記ヒータ電極を覆うセラミックス層を形成する溶射工程を備え、前記第２の接合工程は、前記第２の構造体を構成する前記第２のセラミックス部分の前記第４の表面上に形成された前記セラミックス層に、前記第１の構造体を構成する前記第１のセラミックス部分を接合することにより、前記第２のセラミックス部分と前記セラミックス層と前記第１のセラミックス部分とを含む前記セラミックス部材を作製する工程である構成としてもよい。本保持装置の製造方法では、第２のセラミックス部分の第４の表面にセラミックス層を形成せず、第２のセラミックス部分の第４の表面に直接的に第１の構造体を構成する第１のセラミックス部分を接合する形態と比較して、セラミックス部材の熱伝導率のばらつきを抑制することができる。従って、本保持装置の製造方法によれば、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性の低下を効果的に抑制することができる。

【0012】

（３）上記保持装置の製造方法において、さらに、前記溶射工程の後、前記第２の接合工程の前に、前記セラミックス層における前記第４の表面側に位置する表面とは反対側の表面を研磨する研磨工程を備える構成としてもよい。本保持装置の製造方法では、セラミックス層の厚さのばらつきを抑制することができ、その結果、セラミックス部材の厚さのばらつきを効果的に抑制して、セラミックス部材の熱伝導率のばらつきを効果的に抑制することができる。従って、本保持装置の製造方法によれば、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性の低下を極めて効果的に抑制することができる。

【0013】

（４）上記保持装置の製造方法において、前記セラミックス部材は、前記第１の方向視で略円形であり、前記保持装置は、複数の前記ヒータ電極を備え、前記複数のヒータ電極のそれぞれは、前記セラミックス部材を、前記第１の方向視で、前記セラミックス部材の外周線と同心の少なくとも１つの円形の仮想分割線で複数のセグメントに仮想的に分割したときの各前記セグメント内に配置されている構成としてもよい。すなわち、本保持装置の製造方法では、各セグメントが、さらに、セラミックス部材の外周線の周方向に沿って複数に分割されてはいない。本保持装置の製造方法のようにセラミックス部材を、第１の方向視で、セラミックス部材の外周線と同心の少なくとも１つの円形の仮想分割線で複数のセグメントに仮想的に分割した形態では、各セグメントを、さらに、セラミックス部材の外周線の周方向に沿って複数に分割した形態と比較して、各セグメントに配置されたヒータ電極における発熱量のばらつきを、他のヒータ電極の発熱量を制御することによって補正することが難しく、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性が低下しやすい。本保持装置の製造方法では、そのような、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性が低下しやすいセグメントの形態を採用した場合においても、例えば各ヒータ電極の形状のばらつきに起因する各ヒータ電極の発熱量のばらつきを補正することができ、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性の低下を抑制することができる。

【0014】

（５）本明細書に開示される保持装置は、第１の方向に略直交する第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、を有するセラミックス部材と、前記セラミックス部材の内部に配置されたチャック電極と、前記セラミックス部材の内部における、前記チャック電極より前記第１の表面から離間した位置に配置され、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極と、第３の表面を有し、前記第３の表面が前記セラミックス部材の前記第２の表面側に位置するように配置され、内部に冷媒流路が形成されたベース部材と、前記セラミックス部材の前記第２の表面と前記ベース部材の前記第３の表面との間に配置されて前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接合部と、を備え、前記セラミックス部材の前記第１の表面上に対象物を保持する保持装置において、前記セラミックス部材は、前記第１の表面側の一部分である第１のセラミックス部分であって、内部に前記チャック電極が配置された第１のセラミックス部分と、前記第２の表面側の一部分である第２のセラミックス部分であって、前記第２のセラミックス部分における前記第２の表面とは反対側の第４の表面に前記ヒータ電極が配置された第２のセラミックス部分と、前記第１のセラミックス部分と前記第２のセラミックス部分とを接合する第２の接合部と、を含み、前記ヒータ電極に給電し、かつ、前記冷媒流路に冷媒を供給し、前記ヒータ電極の温度と前記冷媒の温度との差が５０℃以上であるときに、前記第１の表面における温度の最大値と最小値との差は、３．５℃以下である。本保持装置によれば、セラミックス部材の第１の表面の各位置での温度差が極めて小さいため、セラミックス部材の第１の表面の温度分布の制御性の低下を効果的に抑制することができる。

【0015】

（６）上記保持装置において、さらに、前記チャック電極への給電のための少なくとも１つの給電端子を備え、前記少なくとも１つの給電端子は、（１）前記第１の方向視で、前記第１の表面の中心から、前記第１の表面の直径の５％以内の位置に配置されている、という第１の条件と、（２）前記第１のセラミックス部分における前記第１の表面とは反対側の表面より前記第１の表面に近い側に位置する第１の端子部分と、前記第１の端子部分より前記第１の表面から遠い側に位置し、前記第１の端子部分に着脱可能に取り付けられた第２の端子部分と、を有する、という第２の条件と、の少なくとも一方を満たす構成としてもよい。本保持装置では、第１の方向視での第１の表面の中心近傍部以外の位置にはチャック電極への給電のための給電端子が存在しないため、あるいは、存在していても第１のセラミックス部分における第１の表面とは反対側の表面より第１の表面に近い側に位置する部分を残して、残りの部分を取り外すことができるため、第２の接合部における中心近傍部以外の部分を容易に切断することができ、これにより容易に第１のセラミックス部分を取り外して交換することができる。

【0016】

なお、本明細書に開示される技術は、種々の形態で実現することが可能であり、例えば、保持装置、静電チャック、それらの製造方法等の形態で実現することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図である。

【図2】第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。

【図3】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。

【図4】第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。

【図5】第１実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。

【図6】第１実施形態における静電チャック１００の製造方法の概要を示す説明図である。

【図7】第１実施形態における静電チャック１００の製造方法の概要を示す説明図である。

【図8】第２実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。

【図9】第２実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。

【図10】第３実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。

【図11】第３実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の流れを示すフローチャートである。

【図12】第３実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

Ａ．第１実施形態：
Ａ－１．静電チャック１００の構成：
図１は、第１実施形態における静電チャック１００の外観構成を概略的に示す斜視図であり、図２は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図であり、図３および図４は、第１実施形態における静電チャック１００のＸＹ断面構成を概略的に示す説明図である。図３には、図２のＩＩＩ－ＩＩＩの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されており、図４には、図２のＩＶ－ＩＶの位置における静電チャック１００のＸＹ断面構成が示されている。各図には、方向を特定するための互いに直交するＸＹＺ軸が示されている。本明細書では、便宜的に、Ｚ軸正方向を上方向といい、Ｚ軸負方向を下方向というものとするが、静電チャック１００は実際にはそのような向きとは異なる向きで設置されてもよい。また、本明細書では、Ｚ軸方向に直交する方向を、面方向という。

【0019】

静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが、後述する接合部３０を挟んで上記配列方向に対向するように配置される。すなわち、ベース部材２０は、ベース部材２０の上面Ｓ３がセラミックス部材１０の下面Ｓ２側に位置するように配置される。ベース部材２０の上面Ｓ３は、特許請求の範囲における第３の表面に相当する。

【0020】

セラミックス部材１０は、上述した配列方向（Ｚ軸方向）に略直交する略円形平面状の上面（以下、「吸着面」という。）Ｓ１と、吸着面Ｓ１とは反対側の下面Ｓ２とを有する略円板状部材である。本実施形態では、セラミックス部材１０は、外周の全周にわたって面方向に突出する鍔部１０９を有している。以下、セラミックス部材１０のうちの鍔部１０９を除く部分を、本体部１０８という。セラミックス部材１０の本体部１０８の直径は例えば５０ｍｍ～５００ｍｍ程度（通常は２００ｍｍ～３５０ｍｍ程度）であり、セラミックス部材１０の厚さは例えば１ｍｍ～１０ｍｍ程度である。セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１は、特許請求の範囲における第１の表面に相当し、セラミックス部材１０の下面Ｓ２は、特許請求の範囲における第２の表面に相当し、Ｚ軸方向は、特許請求の範囲における第１の方向に相当する。

【0021】

図２に示すように、本実施形態では、セラミックス部材１０は、上側セラミックス部分１０１と、下側セラミックス部分１０２と、中間部分１０３とから構成されている。上側セラミックス部分１０１は、セラミックス部材１０のうちの吸着面Ｓ１側の一部分、より詳細には吸着面Ｓ１を含む一部分である。鍔部１０９は、上側セラミックス部分１０１に形成されている。下側セラミックス部分１０２は、セラミックス部材１０のうちの下面Ｓ２側の一部分、より詳細には下面Ｓ２を含む一部分である。上側セラミックス部分１０１および下側セラミックス部分１０２は、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。後述するように、上側セラミックス部分１０１および下側セラミックス部分１０２は、焼成を行うことにより形成された焼成体である。上側セラミックス部分１０１は、特許請求の範囲における第１のセラミックス部分に相当し、下側セラミックス部分１０２は、特許請求の範囲における第２のセラミックス部分に相当する。

【0022】

また、セラミックス部材１０の中間部分１０３は、上側セラミックス部分１０１と下側セラミックス部分１０２との間に配置された部分である。中間部分１０３は、上側セラミックス部分１０１側（上側）に位置する中間接合部１０４と、下側セラミックス部分１０２側（下側）に位置する中間セラミックス部分１０５とから構成されている。中間セラミックス部分１０５は、セラミックス（例えば、アルミナや窒化アルミニウム等）により形成されている。後述するように、中間セラミックス部分１０５は、セラミックス溶射を行うことにより形成された溶射層である。中間セラミックス部分１０５は、特許請求の範囲におけるセラミックス層に相当する。また、中間接合部１０４は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。中間接合部１０４は、セラミックス粉末等のフィラーを含んでいてもよい。中間接合部１０４は、上側セラミックス部分１０１と、中間セラミックス部分１０５が形成された下側セラミックス部分１０２とを接合する。中間接合部１０４は、特許請求の範囲における第２の接合部に相当する。なお、セラミックス部材１０は、樹脂接着材を含む中間接合部１０４を含んでいるが、セラミックス部材１０の大部分はセラミックスにより形成されているため、本明細書では便宜上、「セラミックス」部材１０と呼ぶものとする。

【0023】

図２に示すように、セラミックス部材１０の内部には、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されたチャック電極４０が配置されている。Ｚ軸方向視でのチャック電極４０の形状は、例えば略円形である。チャック電極４０に電源（図示しない）から電圧が印加されると、静電引力が発生し、この静電引力によってウェハＷがセラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に吸着固定される。本実施形態では、チャック電極４０は、セラミックス部材１０を構成する上側セラミックス部分１０１の内部に配置されている。

【0024】

また、セラミックス部材１０の内部には、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）のための複数のヒータ電極５０と、各ヒータ電極５０への給電のための構成（ドライバ電極６０等）とが配置されている。これらの構成については、後に詳述する。

【0025】

ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０の本体部１０８と同径の、または、セラミックス部材１０の本体部１０８より径が大きい円形平面の板状部材であり、例えば金属（アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されている。ベース部材２０の直径は例えば２２０ｍｍ～５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ～３５０ｍｍ）であり、ベース部材２０の厚さは例えば２０ｍｍ～４０ｍｍ程度である。

【0026】

ベース部材２０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接合部３０によって、セラミックス部材１０に接合されている。接合部３０は、例えばシリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の接着材により構成されている。接合部３０は、セラミックス粉末等のフィラーを含んでいてもよい。接合部３０を構成する材料の少なくとも一部は、中間接合部１０４を構成する材料の少なくとも一部と同一であることが好ましい。接合部３０の厚さは、例えば０．１ｍｍ～１ｍｍ程度である。

【0027】

ベース部材２０の内部には冷媒流路２１が形成されている。冷媒流路２１に冷媒（例えば、フッ素系不活性液体や水等）が流されると、ベース部材２０が冷却され、接合部３０を介したベース部材２０とセラミックス部材１０との間の伝熱（熱引き）によりセラミックス部材１０が冷却され、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷが冷却される。これにより、ウェハＷの温度分布の制御が実現される。

【0028】

また、静電チャック１００は、中間部分１０３、下側セラミックス部分１０２および接合部３０の積層体の外周を取り囲むように形成された略円環状のＯリング９０を備える。Ｏリング９０は、例えばゴム等の絶縁体により形成されている。Ｏリング９０は、上側セラミックス部分１０１に形成された鍔部１０９の下面とベース部材２０の上面Ｓ３とに密着しており、接合部３０や中間接合部１０４がプラズマ等に晒されて劣化することを防止する。

【0029】

Ａ－２．ヒータ電極５０等の構成：
次に、ヒータ電極５０およびヒータ電極５０への給電のための構成について詳述する。上述したように、静電チャック１００は、複数のヒータ電極５０（より具体的には、３つのヒータ電極５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）を備える（図３参照）。本実施形態では、複数のヒータ電極５０は、セラミックス部材１０を構成する下側セラミックス部分１０２の上面（セラミックス部材１０の下面Ｓ２とは反対側の表面）Ｓ４に配置されている。すなわち、複数のヒータ電極５０は、チャック電極４０より吸着面Ｓ１から離間した位置に配置されている。なお、実際には、下側セラミックス部分１０２の上面Ｓ４上には、中間セラミックス部分１０５が位置しており、複数のヒータ電極５０は、中間セラミックス部分１０５に覆われている。下側セラミックス部分１０２の上面Ｓ４は、特許請求の範囲における第４の表面に相当する。

【0030】

図３に示すように、本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の本体部１０８が、面方向に並ぶ３つのセグメントＺ（Ｚａ，Ｚｂ，Ｚｃ）に仮想的に分割されている。より具体的には、セラミックス部材１０の本体部１０８が、Ｚ軸方向視で、本体部１０８の外周線と同心の２つの円形の仮想分割線ＶＬ（ＶＬ１，ＶＬ２）によって、３つのセグメントＺに仮想的に分割されている。Ｚ軸方向視での各セグメントＺの形状は、略円形または略円環形である。

【0031】

複数のヒータ電極５０のそれぞれは、セラミックス部材１０の本体部１０８に設定された複数のセグメントＺのうちの１つに配置されている。具体的には、３つのヒータ電極５０の内、１つのヒータ電極５０Ａは、３つのセグメントＺのうちの最も外周側に位置するセグメントＺａに配置されており、他の１つのヒータ電極５０Ｃは、３つのセグメントＺのうちの最も中心に近い側に位置するセグメントＺｃに配置されており、残り１つのヒータ電極５０Ｂは、セグメントＺａとセグメントＺｃとに挟まれたセグメントＺｂに配置されている。

【0032】

各ヒータ電極５０は、Ｚ軸方向視で線状の抵抗発熱体であるヒータライン部５１と、ヒータライン部５１の両端部に接続されたヒータパッド部５２とを有する。ヒータ電極５０を構成するヒータライン部５１およびヒータパッド部５２は、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。本実施形態では、Ｚ軸方向視でのヒータライン部５１の形状は、略円形または略螺旋状とされている。

【0033】

また、静電チャック１００は、各ヒータ電極５０への給電のための構成を備えている。具体的には、静電チャック１００は、複数のドライバ電極６０（より具体的には、６つのドライバ電極６０）を備える（図４参照）。各ドライバ電極６０は、面方向に平行な所定の形状の導体パターンであり、導電性材料（例えば、タングステン、モリブデン、白金等）により形成されている。本実施形態では、複数のドライバ電極６０は、セラミックス部材１０を構成する下側セラミックス部分１０２の内部に配置されている。また、複数のドライバ電極６０は、Ｚ軸方向において互いに同一の位置に配置されている。なお、ドライバ電極６０は、下記の（１）および（２）の少なくとも一方を満たすという点で、ヒータ電極５０と相違する。
（１）ドライバ電極６０の電流が流れる方向に対して垂直方向の断面積は、ヒータ電極５０の同様な断面積の５倍以上である。
（２）ヒータ電極５０における、ドライバ電極６０につながる一方のビアから他方のビアまでの間の抵抗は、ドライバ電極６０における、ヒータ電極５０につながるビアから給電端子７４につながるビアまでの間の抵抗の５倍以上である。

【0034】

図４に示すように、本実施形態では、静電チャック１００が備える６つのドライバ電極６０が、それぞれ一対のドライバ電極６０から構成された３つのドライバ電極対６００（６００Ａ，６００Ｂ，６００Ｃ）を構成している。３つのドライバ電極対６００は、３つのヒータ電極５０（５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ）に対応している。図２～図４に示すように、１つのドライバ電極対６００（例えば、ドライバ電極対６００Ａ）を構成する一対のドライバ電極６０の一方は、導電性材料により形成されたヒータ側ビア７１を介して、対応するヒータ電極５０（例えば、ヒータ電極５０Ａ）の一方のヒータパッド部５２と電気的に接続されている。また、該ドライバ電極対６００（例えば、ドライバ電極対６００Ａ）を構成する一対のドライバ電極６０の他方は、ヒータ側ビア７１を介して、対応するヒータ電極５０（例えば、ヒータ電極５０Ａ）の他方のヒータパッド部５２と電気的に接続されている。

【0035】

また、図２に示すように、静電チャック１００には、ベース部材２０の下面Ｓ７からセラミックス部材１０の内部に至る複数の端子用孔１１０が形成されている。各端子用孔１１０は、ベース部材２０を上下方向に貫通する貫通孔２２と、接合部３０を上下方向に貫通する貫通孔３２と、セラミックス部材１０の下面Ｓ２側に形成された凹部１３とが、互いに連通することにより構成された一体の孔である。

【0036】

各端子用孔１１０には、導電性材料により形成された略柱状の部材である給電端子７４が収容されている。また、各端子用孔１１０を構成するセラミックス部材１０の凹部１３の底面には、導電性材料により形成された給電電極（電極パッド）７３が配置されている。給電端子７４の上端部分は、例えばろう付け等により給電電極７３に接合されている。

【0037】

また、図２および図４に示すように、各ドライバ電極対６００を構成する一対のドライバ電極６０の一方は、該ドライバ電極６０からセラミックス部材１０の下面Ｓ２側に延びる給電側ビア７２を介して、１つの給電電極７３に電気的に接続されており、該一対のドライバ電極６０の他方は、他の給電側ビア７２を介して、他の１つの給電電極７３に電気的に接続されている。

【0038】

各給電端子７４は、電源（図示せず）に接続されている。電源からの電圧は、給電端子７４、給電電極７３、給電側ビア７２、ドライバ電極６０およびヒータ側ビア７１を介して、各ヒータ電極５０に印加される。各ヒータ電極５０に電圧が印加されると、各ヒータ電極５０が発熱してセラミックス部材１０が加熱され、これにより、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御（すなわち、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御）が実現される。

【0039】

なお、本実施形態の静電チャック１００では、各ヒータ電極５０に給電し、かつ、冷媒流路２１に冷媒を供給し、ヒータ電極５０の温度と冷媒の温度との差が５０℃以上であるときに、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１における温度の最大値と最小値との差は、３．５℃以下となっている。すなわち、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の各位置での温度差が、極めて小さくなっている。このような構成は、例えば、以下に説明する本実施形態の静電チャック１００の製造方法に従い静電チャック１００を製造することにより実現することができる。なお、ヒータ電極および吸着面Ｓ１の各位置での温度は、例えばＩＲカメラ等の温度測定装置を用いて測定することができる。

【0040】

Ａ－３．静電チャック１００の製造方法：
次に、第１実施形態における静電チャック１００の製造方法について説明する。図５は、第１実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。また、図６および図７は、第１実施形態における静電チャック１００の製造方法の概要を示す説明図である。

【0041】

はじめに、上側セラミックス部分１０１ａと、上側セラミックス部分１０１ａの内部に配置されたチャック電極４０と、を含む上側セラミックス構造体１１を作製する（Ｓ１１０、図６のＡ欄参照）。ここで、上側セラミックス部分１０１ａは、製造完了後の静電チャック１００における上側セラミックス部分１０１になる構造体である。上側セラミックス部分１０１ａは、上側セラミックス部分１０１と完全に同一物であってもよいし、上側セラミックス部分１０１ａに対する種々の加工が行われた結果、上側セラミックス部分１０１になるとしてもよい。Ｓ１１０の工程は、特許請求の範囲における第１の準備工程に相当し、上側セラミックス構造体１１は第１の構造体に相当する。

【0042】

上側セラミックス構造体１１の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、チャック電極４０等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビアの形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。作製されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、上側セラミックス構造体１１を得る。なお、必要により、上側セラミックス構造体１１の反り修正や表面の研磨加工等を行ってもよい。

【0043】

また、下側セラミックス部分１０２ａと、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に露出するように配置されたヒータ電極５０と、を含む下側セラミックス構造体１２を作製する（Ｓ１２０、図６のＢ欄参照）。ここで、下側セラミックス部分１０２ａは、製造完了後の静電チャック１００における下側セラミックス部分１０２になる構造体である。下側セラミックス部分１０２ａは、下側セラミックス部分１０２と完全に同一物であってもよいし、下側セラミックス部分１０２ａに対する種々の加工が行われた結果、下側セラミックス部分１０２になるとしてもよい。本実施形態では、下側セラミックス構造体１２は、さらに、ドライバ電極６０、給電電極７３および各種ビア７１，７２を含む。Ｓ１２０の工程は、特許請求の範囲における第２の準備工程に相当し、下側セラミックス構造体１２は第２の構造体に相当する。

【0044】

下側セラミックス構造体１２の作製方法は、例えば以下の通りである。まず、セラミックスグリーンシートを複数枚作製し、所定のセラミックスグリーンシートに所定の加工を行う。所定の加工としては、例えば、ヒータ電極５０やドライバ電極６０、給電電極７３等の形成のためのメタライズペーストの印刷、各種ビアの形成のための孔空けおよびメタライズペーストの充填等が挙げられる。これらのセラミックスグリーンシートを積層して熱圧着し、切断等の加工を行うことにより、セラミックスグリーンシートの積層体を作製する。作製されたセラミックスグリーンシートの積層体を焼成することにより、下側セラミックス構造体１２を得る。なお、必要により、下側セラミックス構造体１２の反り修正や表面（ただし、ヒータ電極５０が露出した上面Ｓ４を除く）の研磨加工等を行ってもよい。

【0045】

次に、下側セラミックス構造体１２に形成された給電電極７３に、給電端子７４を、例えばろう付けにより接合する（Ｓ１３０、図６のＣ欄参照）。なお、給電端子７４を給電電極７３に接合する前に、給電電極７３の表面にメッキ処理（例えば、ニッケルメッキ）を行ってもよい。

【0046】

次に、下側セラミックス構造体１２を構成する下側セラミックス部分１０２ａとベース部材２０とを、接合部３０により接合する（Ｓ１４０、図６のＣ欄参照）。より詳細には、例えばベース部材２０の上面Ｓ３に、例えばシリコーン系樹脂を含む接着剤（ペースト状接着剤またはシート状接着剤）を配置し、該接着剤の上に下側セラミックス部分１０２ａを含む下側セラミックス構造体１２を配置し、該接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、下側セラミックス構造体１２を構成する下側セラミックス部分１０２ａとベース部材２０とを接合する接合部３０を形成する。Ｓ１４０の工程は、特許請求の範囲における第１の接合工程に相当する。

【0047】

次に、ベース部材２０の冷媒流路２１への冷媒の供給と、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に露出するように配置された各ヒータ電極５０への給電とを行いつつ、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４の温度分布を測定する（Ｓ１５０）。温度分布の測定は、例えば、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４における複数の測定点の温度を測定することにより行われる。Ｓ１５０の工程は、特許請求の範囲における測定工程に相当する。

【0048】

次に、Ｓ１５０の温度分布の測定結果に基づき、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に露出するように配置されたヒータ電極５０の一部分を研削することによって、ヒータ電極５０の発熱量を調整する（Ｓ１６０、図７のＡ欄参照）。ヒータ電極５０の一部分を研削すると、ヒータ電極５０の該部分の断面積が小さくなることによって電気抵抗が大きくなり、ヒータ電極５０の該部分の発熱量が増加する。そのため、例えば、ヒータ電極５０のうち、Ｓ１５０の温度分布の測定結果において比較的低温であった部分を研削することにより、該部分の温度を高温側に補正することができる。Ｓ１６０の工程は、特許請求の範囲における調整工程に相当する。

【0049】

なお、ヒータ電極５０の研削は、例えば、研削する部分以外の部分にマスクＭＡを配置し、ショットブラスト装置ＢＤにより、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に向けてブラスト材ＢＭを投射することにより行われる。ヒータ電極５０の各部分に対して行うショットブラストの回数を異ならせることにより、ヒータ電極５０の各部分の研削量を異ならせることができる。また、ヒータ電極５０の研削は、例えば、マシニング装置による研磨によっても実現することができる。また、ヒータ電極５０の研削によるヒータ電極５０の発熱量の調整を行った後、再度、Ｓ１５０の工程と同様に下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４の温度分布を測定し、ヒータ電極５０の発熱量の調整結果の確認や、ヒータ電極５０の再度の研削の実行要否の判断等を行ってもよい。また、ヒータ電極５０の発熱量の調整の有無は、例えば、ヒータ電極５０の抵抗値の変化の有無やＩＲカメラによる画像の変化の有無により確認することができる。

【0050】

次に、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４上に、溶射により、ヒータ電極５０を覆う中間セラミックス部分１０５を形成する（Ｓ１７０、図７のＢ欄参照）。なお、Ｓ１７０の工程の際には、ベース部材２０の冷媒流路２１への冷媒の供給を行ってもよい。Ｓ１７０の工程は、特許請求の範囲における溶射工程に相当する。

【0051】

次に、中間セラミックス部分１０５の上面Ｓ５（中間セラミックス部分１０５における、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４側に位置する表面とは反対側の表面）を研磨する（Ｓ１８０）。Ｓ１８０の工程は、特許請求の範囲における研磨工程に相当する。

【0052】

次に、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４側に（より詳細には、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４上に形成された中間セラミックス部分１０５上に）、Ｓ１１０で作製された上側セラミックス構造体１１を構成する上側セラミックス部分１０１ａを、中間接合部１０４によって接合する（Ｓ１９０、図７のＣ欄参照）。より詳細には、例えば中間セラミックス部分１０５の上面Ｓ５に、例えばシリコーン系樹脂を含む接着剤（ペースト状接着剤またはシート状接着剤）を配置し、該接着剤の上に上側セラミックス部分１０１ａを配置し、該接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、中間セラミックス部分１０５と上側セラミックス部分１０１ａとを接合する中間接合部１０４を形成する。Ｓ１９０の工程により、下側セラミックス部分１０２ａと中間部分１０３（中間セラミックス部分１０５および中間接合部１０４）と上側セラミックス部分１０１ａとを含むセラミックス部材１０が作製される。なお、Ｓ１９０の工程の後に、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の研磨等の加工を行ってもよい。Ｓ１９０の工程は、特許請求の範囲における第２の接合工程に相当する。

【0053】

次に、中間部分１０３（中間セラミックス部分１０５および中間接合部１０４）、下側セラミックス部分１０２ａおよび接合部３０の積層体の外周を取り囲むように、Ｏリング９０を取り付ける（Ｓ２００、図７のＣ欄参照）。主として以上の工程により、上述した構成の静電チャック１００が製造される。

【0054】

Ａ－４．本実施形態の効果：
以上説明したように、本実施形態の静電チャック１００は、セラミックス部材１０と、ベース部材２０と、接合部３０とを備える。セラミックス部材１０は、Ｚ軸方向に略直交する吸着面Ｓ１と、吸着面Ｓ１とは反対側の下面Ｓ２とを有する。ベース部材２０は、上面Ｓ３を有し、上面Ｓ３がセラミックス部材１０の下面Ｓ２側に位置するように配置される。ベース部材２０の内部には、冷媒流路２１が形成されている。接合部３０は、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置され、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合する。セラミックス部材１０の内部には、チャック電極４０が配置されている。また、セラミックス部材１０の内部における、チャック電極４０より吸着面Ｓ１から離間した位置には、抵抗発熱体により形成されたヒータ電極５０が配置されている。

【0055】

また、本実施形態の静電チャック１００の製造方法は、セラミックス部材１０のうちの吸着面Ｓ１側の一部分になる上側セラミックス部分１０１ａと、上側セラミックス部分１０１ａの内部に配置されたチャック電極４０と、を含む上側セラミックス構造体１１を準備する工程（第１の準備工程、Ｓ１１０）と、セラミックス部材１０のうちの下面Ｓ２側の一部分になる下側セラミックス部分１０２ａと、下側セラミックス部分１０２ａにおける下面Ｓ２とは反対側に位置する上面Ｓ４に露出するように配置されたヒータ電極５０と、を含む下側セラミックス構造体１２を準備する工程（第２の準備工程、Ｓ１２０）と、接合部３０により、下側セラミックス構造体１２を構成する下側セラミックス部分１０２ａとベース部材２０とを接合する工程（第１の接合工程、Ｓ１４０）と、冷媒流路２１への冷媒の供給とヒータ電極５０への給電とを行いつつ、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４の温度分布を測定する工程（測定工程、Ｓ１５０）と、Ｓ１５０の温度分布の測定結果に基づき、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に露出したヒータ電極５０の一部分を研削することによってヒータ電極５０の発熱量を調整する工程（調整工程、Ｓ１６０）と、下側セラミックス構造体１２を構成する下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４側に、上側セラミックス構造体１１を構成する上側セラミックス部分１０１ａを接合することにより、下側セラミックス部分１０２ａと上側セラミックス部分１０１ａとを含むセラミックス部材１０を作製する工程（第２の接合工程、Ｓ１９０）とを備える。

【0056】

このように、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、セラミックス部材１０のうちの下面Ｓ２側の一部分になる下側セラミックス部分１０２ａと、下側セラミックス部分１０２ａにおける下面Ｓ２とは反対側に位置する上面Ｓ４に露出するように配置されたヒータ電極５０と、を含む下側セラミックス構造体１２に、ベース部材２０が接合された状態で、冷媒流路２１への冷媒の供給とヒータ電極５０への給電とを行いつつ、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４の温度分布が測定される。また、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、Ｓ１５０の温度分布の測定結果に基づき、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に露出したヒータ電極５０の一部分を研削することによってヒータ電極５０の発熱量が調整された後、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４側に、セラミックス部材１０のうちの吸着面Ｓ１側の一部分になる上側セラミックス部分１０１ａと、上側セラミックス部分１０１ａの内部に配置されたチャック電極４０と、を含む上側セラミックス構造体１１が接合される。すなわち、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、静電チャック１００のうち、ヒータ電極５０よりベース部材２０側（下側）の部分を作製した後、実際の使用時と同様の条件で下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極５０の発熱量の調整を行うことができる。従って、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、例えばヒータ電極５０の形状のばらつきに起因するヒータ電極５０の発熱量のばらつきを補正することができ、その結果、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性）の低下を抑制することができる。なお、本明細書において、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が高いとは、吸着面Ｓ１全体の温度分布が均一に近いことと、セグメントＺ毎に吸着面Ｓ１の温度分布が均一に近いこととの少なくとも一方の意味を含む。

【0057】

また、本実施形態の静電チャック１００の製造方法は、さらに、Ｓ１６０の調整工程の後、Ｓ１９０の第２の接合工程の前に、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４上に、溶射により、ヒータ電極５０を覆う中間セラミックス部分１０５を形成する工程（溶射工程、Ｓ１７０）を備え、Ｓ１９０の第２の接合工程は、下側セラミックス構造体１２を構成する下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４上に形成された中間セラミックス部分１０５に、上側セラミックス構造体１１を構成する上側セラミックス部分１０１ａを接合することにより、下側セラミックス部分１０２ａと中間セラミックス部分１０５と上側セラミックス部分１０１ａとを含むセラミックス部材１０を作製する工程である。そのため、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に中間セラミックス部分１０５を形成せず、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に直接的に上側セラミックス構造体１１を構成する上側セラミックス部分１０１ａを接合する形態と比較して、セラミックス部材１０の熱伝導率のばらつきを抑制することができる。より詳細には、Ｓ１６０の調整工程において、ヒータ電極５０の一部分を研削する際には、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４自体が研削されることがあり、その結果、下側セラミックス部分１０２ａの厚さのばらつき（すなわち、セラミックス部材１０の厚さのばらつき）が発生してセラミックス部材１０の熱伝導率のばらつきが発生することがある。しかしながら、Ｓ１７０の溶射工程を行うことにより、下側セラミックス部分１０２ａの厚さのばらつき（すなわち、セラミックス部材１０の厚さのばらつき）を抑制することができ、その結果、セラミックス部材１０の熱伝導率のばらつきを抑制することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００の製造方法によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性の低下を効果的に抑制することができる。

【0058】

また、本実施形態の静電チャック１００の製造方法は、さらに、Ｓ１７０の溶射工程の後、Ｓ１９０の第２の接合工程の前に、中間セラミックス部分１０５の上面Ｓ５（下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４側に位置する表面とは反対側の表面）を研磨する工程（研磨工程、Ｓ１８０）を備える。そのため、本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、中間セラミックス部分１０５の厚さのばらつきを抑制することができ、その結果、セラミックス部材１０の厚さのばらつきを効果的に抑制して、セラミックス部材１０の熱伝導率のばらつきを効果的に抑制することができる。従って、本実施形態の静電チャック１００の製造方法によれば、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性の低下を極めて効果的に抑制することができる。

【0059】

また、本実施形態の静電チャック１００の製造方法において、セラミックス部材１０の本体部１０８はＺ軸方向視で略円形であり、静電チャック１００は複数のヒータ電極５０を備え、複数のヒータ電極５０のそれぞれは、セラミックス部材１０の本体部１０８を、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の本体部１０８の外周線と同心の少なくとも１つの円形の仮想分割線ＶＬで複数のセグメントＺに仮想的に分割したときの各セグメントＺ内に配置されている。すなわち、本実施形態では、各セグメントＺが、さらに、セラミックス部材１０の本体部１０８の外周線の周方向に沿って複数に分割されてはいない。本実施形態のようにセラミックス部材１０の本体部１０８を、Ｚ軸方向視で、セラミックス部材１０の本体部１０８の外周線と同心の少なくとも１つの円形の仮想分割線ＶＬで複数のセグメントＺに仮想的に分割した形態では、各セグメントＺを、さらに、セラミックス部材１０の本体部１０８の外周線の周方向に沿って複数に分割した形態と比較して、各セグメントＺに配置されたヒータ電極５０における発熱量のばらつきを、他のヒータ電極５０の発熱量を制御することによって補正することが難しく、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が低下しやすい。本実施形態の静電チャック１００の製造方法では、そのような、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性が低下しやすいセグメントＺの形態を採用した場合においても、例えば各ヒータ電極５０の形状のばらつきに起因する各ヒータ電極５０の発熱量のばらつきを補正することができ、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性の低下を抑制することができる。

【0060】

また、本実施形態の静電チャック１００において、セラミックス部材１０は、吸着面Ｓ１側の一部分である上側セラミックス部分１０１であって、内部にチャック電極４０が配置された上側セラミックス部分１０１と、下面Ｓ２側の一部分である下側セラミックス部分１０２であって、下側セラミックス部分１０２における下面Ｓ２とは反対側の上面Ｓ４にヒータ電極５０が配置された下側セラミックス部分１０２と、上側セラミックス部分１０１と下側セラミックス部分１０２とを接合する中間接合部１０４と、を含み、ヒータ電極５０に給電し、かつ、冷媒流路２１に冷媒を供給し、ヒータ電極５０の温度と冷媒の温度との差が５０℃以上であるときに、吸着面Ｓ１における温度の最大値と最小値との差は、３．５℃以下である。本実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の各位置での温度差が極めて小さいため、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性の低下を効果的に抑制することができる。

【0061】

Ｂ．第２実施形態：
図８は、第２実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。以下では、第２実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。

【0062】

図８に示すように、第２実施形態の静電チャック１００は、セラミックス部材１０の中間部分１０３の構成が、第１実施形態の静電チャック１００の構成と異なる。より詳細には、第２実施形態の静電チャック１００では、セラミックス部材１０の中間部分１０３が、中間接合部１０４により構成されており、第１実施形態の静電チャック１００における中間セラミックス部分１０５を含んでいない。すなわち、第２実施形態の静電チャック１００では、下側セラミックス部分１０２が、中間セラミックス部分１０５を介さずに、上側セラミックス部分１０１と直接的に中間接合部１０４によって接合されている。

【0063】

図９は、第２実施形態における静電チャック１００の製造方法を示すフローチャートである。第２実施形態の静電チャック１００の製造方法におけるＳ１１０からＳ１６０までの工程は、第１実施形態の静電チャック１００の製造方法におけるＳ１１０からＳ１６０までの工程と同一である。第２実施形態の静電チャック１００の製造方法では、Ｓ１６０の調整工程の後、下側セラミックス構造体１２を構成する下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４側に、上側セラミックス構造体１１を構成する上側セラミックス部分１０１ａを、中間接合部１０４によって接合する（Ｓ１９２）。より詳細には、例えば下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に、ヒータ電極５０を覆うように例えばシリコーン系樹脂を含む接着剤（ペースト状接着剤またはシート状接着剤）を配置し、該接着剤の上に上側セラミックス構造体１１を構成する上側セラミックス部分１０１ａを配置し、該接着剤を硬化させる硬化処理を行うことにより、下側セラミックス部分１０２ａと上側セラミックス部分１０１ａとを接合する中間接合部１０４を形成する。Ｓ１９２の工程により、下側セラミックス部分１０２ａと上側セラミックス部分１０１ａとを含むセラミックス部材１０が作製される。Ｓ１９２の工程は、特許請求の範囲における第２の接合工程に相当する。その後は、第１実施形態の静電チャック１００の製造方法と同様に、Ｓ２０００の工程が実行される。

【0064】

以上説明したように、第２実施形態の静電チャック１００の製造方法では、第１実施形態の静電チャック１００の製造方法と同様に、セラミックス部材１０のうちの下面Ｓ２側の一部分になる下側セラミックス部分１０２ａと、下側セラミックス部分１０２ａにおける下面Ｓ２とは反対側に位置する上面Ｓ４に露出するように配置されたヒータ電極５０と、を含む下側セラミックス構造体１２に、ベース部材２０が接合された状態で、冷媒流路２１への冷媒の供給とヒータ電極５０への給電とを行いつつ、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４の温度分布が測定される。また、Ｓ１５０の温度分布の測定結果に基づき、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４に露出したヒータ電極５０の一部分を研削することによってヒータ電極５０の発熱量が調整された後、下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４側に、セラミックス部材１０のうちの吸着面Ｓ１側の一部分になる上側セラミックス部分１０１ａと、上側セラミックス部分１０１ａの内部に配置されたチャック電極４０と、を含む上側セラミックス構造体１１が接合される。すなわち、静電チャック１００のうち、ヒータ電極５０よりベース部材２０側（下側）の部分を作製した後、実際の使用時と同様の条件で下側セラミックス部分１０２ａの上面Ｓ４の温度分布の測定を行い、該温度分布の測定結果に基づきヒータ電極５０の発熱量の調整を行うことができる。従って、第２実施形態の静電チャック１００の製造方法では、第１実施形態の静電チャック１００の製造方法と同様に、例えばヒータ電極５０の形状のばらつきに起因するヒータ電極５０の発熱量のばらつきを補正することができ、その結果、セラミックス部材１０の吸着面Ｓ１の温度分布の制御性（ひいては、吸着面Ｓ１に保持されたウェハＷの温度分布の制御性）の低下を抑制することができる。

【0065】

Ｃ．第３実施形態：
図１０は、第３実施形態における静電チャック１００のＸＺ断面構成を概略的に示す説明図である。以下では、第３実施形態の静電チャック１００の構成の内、上述した第１実施形態の静電チャック１００の構成と同一の構成については、同一の符号を付すことによってその説明を適宜省略する。

【0066】

図１０に示すように、第３実施形態の静電チャック１００は、面方向に並ぶ複数のチャック電極４０を備える。また、第３実施形態の静電チャック１００は、各チャック電極４０への給電のための給電端子（第１の給電端子４４および第２の給電端子４５）を備える。なお、上述した他の実施形態の静電チャック１００も、図示は省略しているが、静電チャック１００はチャック電極４０への給電のための給電端子を備えている。

【0067】

各給電端子４４，４５は、端子用孔１２０に収容されている。端子用孔１２０は、ベース部材２０の下面Ｓ７からセラミックス部材１０を構成する上側セラミックス部分１０１の内部に至るようにＺ軸方向に略平行に延びる孔である。各端子用孔１２０の底面（上面）には、ビア４２を介してチャック電極４０に電気的に接続された給電電極（電極パッド）４３が配置されている。各給電端子４４，４５の上端部分は、例えばろう付け等により給電電極４３に接合されている。

【0068】

ここで、第１の給電端子４４は、Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１の中心の近傍に配置されている。より詳細には、第１の給電端子４４は、Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１の中心から、吸着面Ｓ１の直径の５％以内の位置（例えば、Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１の中心を中心とした円であって、吸着面Ｓ１の直径の５％以内の長さを有する直径の円の内側領域）に配置されている。この第１の給電端子４４は、例えば、金属等により形成された３つの部分（上から順に上側部分４４ａ、中間部分４４ｂ、下側部分４４ｃ）から構成されている。上側部分４４ａおよび下側部分４４ｃは、柱状の部分である。上側部分４４ａの上端は、給電電極４３に接合されている。中間部分４４ｂは、例えば撚り線から構成され、上側部分４４ａおよび下側部分４４ｃを連結している。中間部分４４ｂと上側部分４４ａおよび下側部分４４ｃとは、それぞれ例えばかしめにより接合されている。

【0069】

また、第２の給電端子４５は、Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１の中心の近傍以外（周縁部）に配置されている。より詳細には、第２の給電端子４５は、Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１の中心からの距離が、吸着面Ｓ１の直径の５％超の位置に配置されている。この第２の給電端子４５は、例えば、金属等により形成された３つの部分（上から順に上側部分４５ａ、中間部分４５ｂ、下側部分４５ｃ）から構成されている。上側部分４５ａの上端は、給電電極４３に接合されている。また、上側部分４５ａは、その全体が、上側セラミックス部分１０１における吸着面Ｓ１とは反対側の表面（以下、「下面Ｓ８」という。）より吸着面Ｓ１に近い側（すなわち、上側）に位置している。上側部分４５ａの下面には、雌ネジが形成された凹部が形成されている。下側部分４５ｃは、柱状の部分であり、下側部分４５ｃの上端には凹部が形成されている。中間部分４５ｂは、上側部分４５ａおよび下側部分４５ｃを連結する部分である。中間部分４５ｂの上端部は、雄ネジが形成されており、上述した上側部分４５ａの雌ネジが形成された凹部に螺号している。また、中間部分４５ｂの下端部は、例えば板バネ状になっており、上述した下側部分４５ｃの凹部に嵌合している。

【0070】

このように、第３実施形態の静電チャック１００では、各給電端子４４，４５は、
（１）Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１の中心から、吸着面Ｓ１の直径の５％以内の位置に配置されている、という第１の条件（第１の給電端子４４はこの条件を満たす）と、
（２）上側セラミックス部分１０１における吸着面Ｓ１とは反対側の表面（下面Ｓ８）より吸着面Ｓ１に近い側（上側）に位置する第１の端子部分（例えば、第２の給電端子４５の上側部分４５ａ）と、該第１の端子部分より吸着面Ｓ１から遠い側（下側）に位置し、該第１の端子部分に着脱可能に取り付けられた第２の端子部分（例えば、第２の給電端子４５の中間部分４５ｂ）と、を有する、という第２の条件（第２の給電端子４５はこの条件を満たす）と、
の少なくとも一方を満たしている。

【0071】

次に、第３実施形態の静電チャック１００の再生・製造方法について説明する。静電チャック１００が繰り返し使用されると、例えば、吸着面Ｓ１に、ウェハＷの洗浄液残滓等の汚染物質が付着したり、微細な凹凸が形成されたりして、ウェハＷを吸着する吸着力が低下したり、吸着面Ｓ１とウェハＷとの間の密着性が低下して不活性ガスが漏洩したりする場合がある。そのような場合には、例えば吸着面Ｓ１の研削等を行って性能を回復させることも可能であるが、これを繰り返すと、吸着面Ｓ１とチャック電極４０との間の厚さが規定の厚さに満たなくなることがある。例えば、このような場合には、セラミックス部材１０における吸着面Ｓ１を含む部分、すなわち上側セラミックス部分１０１を交換することにより、静電チャック１００を再生して製造する処理が実行される。

【0072】

図１１は、第３実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の流れを示すフローチャートである。また、図１２は、第３実施形態における静電チャック１００を再生して製造する方法の概要を示す説明図である。

【0073】

はじめに、チャック電極４０への給電のための給電端子４４，４５のうち、周縁部に配置された第２の給電端子４５の一部分、具体的には中間部分４５ｂおよび下側部分４５ｃを取り外す（Ｓ３１０）。上述したように、第２の給電端子４５の上側部分４５ａと中間部分４５ｂとは、螺号により接合されているため、該螺号を緩めて外すことにより、中間部分４５ｂおよび下側部分４５ｃのみを容易に取り外すことができる。また、Ｏリング９０も取り外す。

【0074】

図１２のＡ欄には、静電チャック１００からＯリング９０と、第２の給電端子４５の中間部分４５ｂおよび下側部分４５ｃとが取り外された状態が示されている。上述したように、第２の給電端子４５の上側部分４５ａは、その全体が、上側セラミックス部分１０１の下面Ｓ８より上側に位置しているため、第２の給電端子４５の中間部分４５ｂおよび下側部分４５ｃが取り外された状態では、第２の給電端子４５用の端子用孔１２０における上側セラミックス部分１０１の下面Ｓ８より下側の部分には何の部材も配置されておらず、空間となっている。

【0075】

次に、中間接合部１０４を切断する（Ｓ３２０）。より詳細には、静電チャック１００を図示しない回転台上に載置して回転させながら、例えば糸鋸Ｔといった所定の工具を用いて、中間接合部１０４を切断する。図１２のＢ欄には、糸鋸Ｔにより中間接合部１０４を切断している様子が示されている。このとき、チャック電極４０への給電のための給電端子４４，４５のうち、周縁部に配置された第２の給電端子４５については、中間部分４５ｂおよび下側部分４５ｃが取り外されているため、第２の給電端子４５が中間接合部１０４の切断の支障になることはない。一方、中心近傍に配置された第１の給電端子４４については、中間接合部１０４の切断の支障となる。そのため、中間接合部１０４は、中心近傍を残して容易に切断される。

【0076】

次に、上側セラミックス部分１０１を取り外す（Ｓ３３０）。上述したＳ３２０において、中間接合部１０４は、中心近傍を残して切断されているため、あとは中心近傍に位置する第１の給電端子４４および中心近傍に残された中間接合部１０４を、所定の工具を用いて切断等することにより、上側セラミックス部分１０１を容易に取り外すことができる。

【0077】

次に、新たに作製した上側セラミックス部分１０１を、新たに形成する中間接合部１０４によって接合する（Ｓ３４０）。次に、上側セラミックス部分１０１に第１の給電端子４４および第２の給電端子４５を取り付ける（Ｓ３５０）。なお、第２の給電端子４５については、新たに作製した上側セラミックス部分１０１に上側部分４５ａが接合済みである場合には、第２の給電端子４５の残りの部分、すなわち、中間部分４５ｂおよび下側部分４５ｃを取り付ける。また、新たに作製した上側セラミックス部分１０１に上側部分４５ａが接合済みではない場合には、第２の給電端子４５の給電電極４３への接合（例えば、ろう付け）を行う。

【0078】

最後に、Ｏリング９０を取り付ける（Ｓ３６０）。以上の工程により、静電チャック１００が、再生・製造される。

【0079】

以上説明したように、第３実施形態の静電チャック１００は、チャック電極４０への給電のための給電端子４４，４５を備える。各給電端子４４，４５は、
（１）Ｚ軸方向視で、吸着面Ｓ１の中心から、吸着面Ｓ１の直径の５％以内の位置に配置されている、という第１の条件と、
（２）上側セラミックス部分１０１における吸着面Ｓ１とは反対側の表面（下面Ｓ８）より吸着面Ｓ１に近い側（上側）に位置する第１の端子部分（例えば、第２の給電端子４５の上側部分４５ａ）と、該第１の端子部分より吸着面Ｓ１から遠い側（下側）に位置し、該第１の端子部分に着脱可能に取り付けられた第２の端子部分（例えば、第２の給電端子４５の中間部分４５ｂ）と、を有する、という第２の条件と、
の少なくとも一方を満たしている。そのため、第３実施形態の静電チャック１００では、Ｚ軸方向視での吸着面Ｓ１の中心近傍部以外の位置にはチャック電極４０への給電のための給電端子が存在しないため、あるいは、存在していても上側セラミックス部分１０１の下面Ｓ８より上側に位置する部分を残して、残りの部分を取り外すことができるため、中間接合部１０４における中心近傍部以外の部分を容易に切断することができ、これにより容易に上側セラミックス部分１０１を取り外して交換することができる。

【0080】

Ｄ．変形例：
本明細書で開示される技術は、上述の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の形態に変形することができ、例えば次のような変形も可能である。

【0081】

上記実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態におけるヒータ電極５０の個数や、各ヒータ電極５０の形状、セラミックス部材１０における各ヒータ電極５０の配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記実施形態の静電チャック１００は、３つのヒータ電極５０を備えるが、静電チャック１００が備えるヒータ電極５０の個数は、２つ以下であってもよいし、４つ以上であってもよい。同様に、上記実施形態におけるセグメントＺの個数や、各セグメントＺの形状、セラミックス部材１０における各セグメントＺの配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。なお、上記実施形態における静電チャック１００の製造方法は、セグメントＺの個数が比較的少ない（例えば、セグメントＺの個数が１０個以下程度の）形態に好適である。また、セラミックス部材１０にセグメントＺが設定されていなくてもよい。

【0082】

また、上記実施形態におけるドライバ電極６０の個数や、各ドライバ電極６０の形状、セラミックス部材１０における各ドライバ電極６０の配置は、あくまで一例であり、種々変形可能である。また、上記実施形態において、静電チャック１００がドライバ電極６０を備えないとしてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、単数のビアにより構成されてもよいし、複数のビアのグループにより構成されてもよい。また、上記実施形態において、各ビアは、ビア部分のみからなる単層構成であってもよいし、複数層構成（例えば、ビア部分とパッド部分とビア部分とが積層された構成）であってもよい。また、上記実施形態において、静電チャック１００がＯリング９０を備えないとしてもよい。また、上記実施形態において、セラミックス部材１０が鍔部１０９を有さないとしてもよい。

【0083】

また、上記実施形態では、セラミックス部材１０の内部に１つのチャック電極４０が設けられた単極方式が採用されているが、セラミックス部材１０の内部に一対のチャック電極４０が設けられた双極方式が採用されてもよい。また、上記実施形態の静電チャック１００における各部材を形成する材料は、あくまで例示であり、各部材が他の材料により形成されてもよい。また、上記実施形態において、上側セラミックス部分１０１と下側セラミックス部分１０２とは、互いに同じ種類のセラミックス材料により形成されていてもよいし、互いに異なる種類のセラミックス材料により形成されていてもよい。

【0084】

また、上記実施形態における静電チャック１００の製造方法は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記第１実施形態における静電チャック１００の製造方法では、中間セラミックス部分１０５の研磨工程（Ｓ１８０）が行われるが、この工程を省略してもよい。また、上記実施形態では、セラミックスグリーンの積層体を焼成することにより上側セラミックス部分１０１ａおよび下側セラミックス部分１０２ａが作製されるが、上側セラミックス部分１０１ａおよび下側セラミックス部分１０２ａの少なくとも一方が他の方法（例えば、ホットプレス焼成）により作製されるとしてもよい。

【0085】

また、上記第３実施形態における静電チャック１００の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記第３実施形態の静電チャック１００は、チャック電極４０への給電のための給電端子として、中心近傍に位置する１つの第１の給電端子４４と周縁部に位置する１つの第２の給電端子４５を備えているが、静電チャック１００がこれらのうちの一方を備えていないとしてもよいし、静電チャック１００がこれら以外のチャック電極４０への給電用の給電端子を備えていてもよい。また、上記第３実施形態における第１の給電端子４４や第２の給電端子４５の構成は、あくまで一例であり、種々変形可能である。例えば、上記第３実施形態では、第２の給電端子４５が、３つの部分（上側部分４５ａ、中間部分４５ｂ、下側部分４５ｃ）から構成されているが、第２の給電端子４５は、上側セラミックス部分１０１における吸着面Ｓ１とは反対側の表面（下面Ｓ８）より吸着面Ｓ１に近い側に位置する第１の端子部分と、該第１の端子部分より吸着面Ｓ１から遠い側に位置し、該第１の端子部分に着脱可能に取り付けられた第２の端子部分とを有する限りにおいて、２つの部分から構成されていてもよいし、４つ以上の部分から構成されていてもよい。また、例えば、上記第３実施形態において、第１の給電端子４４は、３つの部分（上側部分４４ａ、中間部分４４ｂ、下側部分４４ｃ）から構成されているが、第１の給電端子４４は、２つ以下の部分から構成されていてもよいし、４つ以上の部分から構成されていてもよい。また、上記第３実施形態では、第２の給電端子４５の上側部分４５ａと中間部分４５ｂとの接合形態が、螺号であるとしているが、着脱可能な接合形態であれば他の接合形態（例えば、嵌合）であってもよい。

【0086】

また、本発明は、セラミックス部材１０とベース部材２０とを備え、静電引力を利用してウェハＷを保持する静電チャック１００に限らず、セラミックス部材と、ベース部材と、セラミックス部材とベース部材とを接合する接合部と、セラミックス部材の内部に配置されたヒータ電極およびチャック電極とを備え、セラミックス部材の表面上に対象物を保持する他の保持装置にも同様に適用可能である。

【符号の説明】

【0087】

１０：セラミックス部材 １１：上側セラミックス構造体 １２：下側セラミックス構造体 １３：凹部 ２０：ベース部材 ２１：冷媒流路 ２２：貫通孔 ３０：接合部 ３２：貫通孔 ４０：チャック電極 ４２：ビア ４３：給電電極 ４４：第１の給電端子 ４４ａ：上側部分 ４４ｂ：中間部分 ４４ｃ：下側部分 ４５：第２の給電端子 ４５ａ：上側部分 ４５ｂ：中間部分 ４５ｃ：下側部分 ５０：ヒータ電極 ５１：ヒータライン部 ５２：ヒータパッド部 ６０：ドライバ電極 ７１：ヒータ側ビア ７２：給電側ビア ７３：給電電極 ７４：給電端子 ９０：Ｏリング １００：静電チャック １０１，１０１ａ：上側セラミックス部分 １０２，１０２ａ：下側セラミックス部分 １０３：中間部分 １０４：中間接合部 １０５：中間セラミックス部分 １０８：本体部 １０９：鍔部 １１０：端子用孔 ６００：ドライバ電極対 ＢＤ：ショットブラスト装置 ＢＭ：ブラスト材 ＭＡ：マスク Ｓ１：吸着面 Ｓ２：下面 Ｓ３：上面 Ｓ４：上面 Ｓ５：上面 Ｓ７：下面 Ｓ８：下面 ＶＬ：仮想分割線 Ｗ：ウェハ Ｚ：セグメント

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】