特許 7456066 カセット筐体、プローバー、サーバーラックおよびストレージシステム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-15

(45)【発行日】2024-03-26

(54)【発明の名称】カセット筐体、プローバー、サーバーラックおよびストレージシステム

(51)【国際特許分類】

   G06F 12/00 20060101AFI20240318BHJP

【ＦＩ】

G06F12/00 550K

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2023508202

(86)(22)【出願日】2021-03-23

(86)【国際出願番号】 JP2021011858

(87)【国際公開番号】W WO2022201285

(87)【国際公開日】2022-09-29

【審査請求日】2023-03-23

(73)【特許権者】

【識別番号】318010018

【氏名又は名称】キオクシア株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001737

【氏名又は名称】弁理士法人スズエ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】人見 達郎

(72)【発明者】

【氏名】吉水 康人

(72)【発明者】

【氏名】井上 新

(72)【発明者】

【氏名】堂前 宏之

(72)【発明者】

【氏名】早坂 一人

(72)【発明者】

【氏名】佐貫 朋也

【審査官】後藤 彰

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－１９４８８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１７１２４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２１／０９５２５２（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｆ １２／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の不揮発性メモリチップを含む半導体ウェハを格納する格納部と、
前記半導体ウェハに設けられているパッド電極と接触するように構成されたプローブを有するプローブカードと、
前記格納部に格納された前記半導体ウェハ、または、前記プローブカード、の一方または両方を冷却または昇温するための熱媒液を収容する収容部と、
を具備するカセット筐体。

【請求項2】

前記収容部は、前記格納部に格納された前記半導体ウェハと対向する前記プローブカードの第１面の裏面の第２面上のプリント基板が前記熱媒液に浸されるように構成されている、請求項１に記載のカセット筐体。

【請求項3】

前記収容部は、前記格納部に格納された前記半導体ウェハと対向する前記プローブカードの面に設けられている前記プローブと、前記半導体ウェハの前記プローブカードと対向する面に設けられているパッド電極と、が前記熱媒液に浸されるように構成されている、請求項１に記載のカセット筐体。

【請求項4】

前記収容部は、前記格納部に格納されている前記半導体ウェハが前記熱媒液に浸されるように構成されている、請求項１に記載のカセット筐体。

【請求項5】

前記熱媒液は、フルオロカーボンを含む、請求項１に記載のカセット筐体。

【請求項6】

前記プローブカードは、前記格納部に格納された前記半導体ウェハと対向する面に設けられ、前記半導体ウェハと物理的に接触し、かつ、前記半導体ウェハと電気的に接続されないように構成された、絶縁部材を有する、請求項１に記載のカセット筐体。

【請求項7】

前記絶縁部材は、ピン、突起または面の形状を有する請求項６に記載のカセット筐体。

【請求項8】

前記絶縁部材は、前記カセット筐体に与えられる衝撃の前記半導体ウェハへの伝搬を低減し、かつ、前記半導体ウェハを前記カセット筐体内で固定させるクッションとして設けられる、請求項６に記載のカセット筐体。

【請求項9】

複数の不揮発性メモリチップを含む半導体ウェハと、前記半導体ウェハに設けられているパッド電極と接触するように構成されたプローブを有するプローブカードが配置されているカセット筐体と、を一体化または分離する着脱機構と、
前記着脱機構によって前記半導体ウェハが装着された前記カセット筐体を、冷却または昇温するための熱媒液を収容する第１収容部と、
を具備するプローバー。

【請求項10】

前記第１収容部に前記熱媒液を注入または排出する流体機械をさらに具備する、請求項９に記載のプローバー。

【請求項11】

前記熱媒液を、前記カセット筐体内に設けられている前記熱媒液を収容する第２収容部に、注入または排出する流体機械をさらに具備する、請求項９に記載のプローバー。

【請求項12】

前記流体機械は、前記第２収容部を介して前記カセット筐体内に前記熱媒液を循環させる、請求項１１に記載のプローバー。

【請求項13】

プロセッサと、
前記プロセッサからデータの書き込みまたは読み出しが要求される複数の不揮発性メモリチップを含む記憶装置と、前記記憶装置が実装された筐体と、を含む筐体付き記憶装置を、格納する第１格納部と、
前記第１格納部に格納されている前記筐体付き記憶装置に設けられている、前記記憶装置を冷却または昇温するための熱媒液を収容する第１収容部に、前記熱媒液を注入または排出する第１流体機械と、
を具備するサーバーラック。

【請求項14】

前記記憶装置は半導体ウェハであり、
前記筐体は、前記半導体ウェハに設けられているパッド電極と接触させるように構成されたプローブを有するプローブカードが配置されているカセット筐体であり、
前記第１流体機械は、前記半導体ウェハまたは前記プローブカードの一方または両方を冷却または昇温するための前記熱媒液を、前記第１収容部に注入または排出する、請求項１３に記載のサーバーラック。

【請求項15】

前記熱媒液を収容する第２収容部をさらに具備する、請求項１４に記載のサーバーラック。

【請求項16】

プローバーと、
請求項１５に記載のサーバーラックと、
を具備し、
前記プローバーは、
前記半導体ウェハと前記カセット筐体とを一体化または分離する着脱機構と、
前記熱媒液を収容する第３収容部と、を含む、
ストレージシステム。

【請求項17】

プローバーと、
請求項１４に記載のサーバーラックと、
を具備し、
前記プローバーは、
前記半導体ウェハと前記カセット筐体とを一体化または分離する着脱機構と、
前記熱媒液を、前記第１収容部に注入または排出する第２流体機械と、を含む、
ストレージシステム。

【請求項18】

前記熱媒液を収容する第２収容部をさらに具備する、請求項１３に記載のサーバーラック。

【請求項19】

プローバーと、
請求項１８に記載のサーバーラックと、
を具備し、
前記プローバーは、
前記記憶装置と前記筐体とを一体化または分離する着脱機構と、
前記熱媒液を収容する第３収容部と、を含む、
ストレージシステム。

【請求項20】

プローバーと、
請求項１３に記載のサーバーラックと、
を具備し、
前記プローバーは、
前記記憶装置と前記筐体とを一体化または分離する着脱機構と、
前記熱媒液を、前記第１収容部に注入または排出する第２流体機械と、を含む、
ストレージシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、カセット筐体、プローバー、サーバーラックおよびストレージシステムに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体チップが形成された半導体ウェハと、半導体チップを検査する検査装置との間で電気信号を中継する検査治具として、プローブカードが利用されている。半導体ウェハには、パッド電極も形成されている。プローブカードは、プローブカード基板と、プローブとを含む。

【0003】

プローブカードは、プローバーによって、半導体ウェハと電気的に接続する。より詳細には、プローバーは、半導体ウェハのパッド電極と、プローブカードのプローブとを接触させる。これにより、半導体ウェハの半導体チップとプローブカードのプローブカード基板とが電気的に接続する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０２０－１８８０７６号公報

【文献】米国特許第１０６６３５１１号明細書

【文献】米国特許第７９７５７５９号明細書

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

実施形態の１つは、複数の不揮発性メモリチップを含む半導体ウェハに関する温度調整を行うことができるカセット筐体、プローバー、サーバーラックおよびストレージシステムを提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

実施形態によれば、カセット筐体は、格納部と、プローブカードと、収容部と、を具備する。格納部は、複数の不揮発性メモリチップを含む半導体ウェハを格納する。プローブカードは、半導体ウェハに設けられているパッド電極と接触するように構成されたプローブを有する。収容部は、格納部に格納された半導体ウェハ、または、プローブカード、の一方または両方を冷却または昇温するための熱媒液を収容する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係るストレージシステムの一構成例を示すブロック図である。

【図2】第１実施形態に係るストレージシステムのカセット筐体およびプローバーの温度調整機構を示す概略図である。

【図3】第１実施形態に係るストレージシステムのサーバーラックの温度調整機構を示す概略図である。

【図4】第１実施形態に係るストレージシステムのカセット筐体内でプローブカード基板を冷却液に浸す例を示す概略図である。

【図5】第１実施形態に係るストレージシステムのカセット筐体内でプローブカードのプローブとウェハのパッド電極とを熱媒液に浸す例を示す概略図である。

【図6】第１実施形態に係るストレージシステムのカセット筐体内でウェハを熱媒液に浸す例を示す概略図である。

【図7】第２実施形態に係るストレージシステムのウェハが格納されているカセット筐体を熱媒液で冷却または昇温する一例を示す概略図である。

【図8】第２実施形態に係るストレージシステムが備える温度調整機構を示す概略図である。

【図9】第３実施形態に係るストレージシステムが備える温度調整機構を示す概略図である。

【図10】第３実施形態に係るストレージシステムが備える温度調整機構の一変形例を示す概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。

【0009】

（第１実施形態）
まず、第１実施形態について説明する。第１実施形態は、半導体ウェハをダイシングせずに用いる大容量のストレージシステムである。また、第１実施形態は、複数の半導体ウェハを入れ替え可能である。

【0010】

図１は、第１実施形態に係るストレージシステム１の一構成例を示すブロック図である。ストレージシステム１は、ストレージとして複数の半導体ウェハ（ウェハ）１００を含む。ストレージシステム１は、複数のウェハ１００の中から所定数のウェハ１００を選択する。ストレージシステム１は、選択した所定数のウェハ１００を使用する。ウェハ１００は、複数のＮＡＮＤ型のフラッシュメモリチップ（ＮＡＮＤチップ）を含む。また、ストレージシステム１は、複数のカセット筐体２００を含む。カセット筐体２００は、プローブカード２１０を内蔵する。カセット筐体２００はウェハ１００を格納する。

【0011】

ストレージシステム１は、ウェハストッカー１０と、カセットストッカー２０と、プローバー（カセッター）３０と、カセット搬送機４０と、サーバーラック５０とを有する。

【0012】

ウェハストッカー１０は、ウェハ１００を保管する装置である。ウェハストッカー１０は、複数のウェハ１００を保管する。

【0013】

カセットストッカー２０は、カセット筐体２００を保管する装置である。カセットストッカー２０は、複数のカセット筐体２００を保管する。カセットストッカー２０に保管される複数のカセット筐体２００は、ウェハ１００が格納されているカセット筐体２００と、ウェハ１００が格納されていないカセット筐体２００とが混在し得る。

【0014】

プローバー３０は、ウェハ１００のパッド電極１０１とプローブカード２１０のプローブ２１１とを接触させる装置である。

【0015】

カセット搬送機４０は、カセット筐体２００を搬送する装置である。カセット搬送機４０は、カセット筐体２００を、カセットストッカー２０からサーバーラック５０へ搬送する。また、カセット搬送機４０は、サーバーラック５０からカセットストッカー２０へカセット筐体２００を搬送する。また、カセット搬送機４０は、プローバー３０からサーバーラック５０へカセット筐体２００を搬送する。また、カセット搬送機４０は、サーバーラック５０からプローバー３０へカセット筐体２００を搬送する。

【0016】

サーバーラック５０は、ホストコンピュータ５１を格納する装置である。サーバーラック５０に格納されるホストコンピュータ５１の数は１つであってもよいし、複数であってもよい。

【0017】

ホストコンピュータ５１は、たとえばファイルサーバである。ホストコンピュータ５１は、プロセッサ５２と、格納部５３とを有する。

【0018】

プロセッサ５２は、プログラムを実行する装置である。プロセッサ５２は、カセット筐体２００内のウェハ１００へのデータの書き込み処理またはウェハ１００からのデータの読み出し処理を実行する。

【0019】

格納部５３は、カセット筐体２００を格納する装置である。格納部５３には、ウェハ１００が格納されているカセット筐体２００が格納される。格納部５３に格納されるカセット筐体２００の数は１つであってもよいし、複数であってもよい。

【0020】

次に、プローバー３０の内部構成について説明する。プローバー３０は、着脱機構３１を有する。着脱機構３１は、ウェハ１００とカセット筐体２００とを一体化または分離する装置である。プローバー３０において、着脱機構３１によってウェハ１００がカセット筐体２００に格納されると、ウェハ１００のパッド電極とカセット筐体２００内のプローブカードのプローブとが接触する。これにより、ウェハ１００のＮＡＮＤチップとプローブカードのプローブカード基板とが電気的に接続する。

【0021】

次に、サーバーラック５０に格納されているカセット筐体２００内のウェハ１００と、カセットストッカー２０に格納されているカセット筐体２００内のウェハ１００またはウェハストッカー１０に格納されているウェハ１００との入れ替えについて説明する。

【0022】

ホストコンピュータ５１のプロセッサ５２がデータの書き込みまたは読み出しを行おうとしているウェハ１００が、カセット筐体２００に格納された状態でサーバーラック５０に存在する場合、ストレージシステム１は、ウェハ１００の入れ替えを行う必要がない。

【0023】

プロセッサ５２がデータの書き込みまたは読み出しを行おうとしているウェハ１００がサーバーラック５０に存在しない場合、ストレージシステム１は、サーバーラック５０に格納されているカセット筐体２００内のウェハ１００と、カセットストッカー２０に格納されているカセット筐体２００内のウェハ１００またはウェハストッカー１０に格納されているウェハ１００との入れ替えを行う。

【0024】

たとえば、プロセッサ５２がデータを書き込もうとしているウェハ１００が、カセット筐体２００に格納された状態でカセットストッカー２０に存在する場合、ストレージシステム１は、サーバーラック５０とカセットストッカー２０との間で、カセット筐体２００の入れ替えを行う。サーバーラック５０から外されるカセット筐体２００は、たとえば、サーバーラック５０内で最も長い期間プロセッサ５２からアクセスされていないウェハ１００を格納するカセット筐体２００である。

【0025】

たとえば、プロセッサ５２がデータを書き込もうとしているウェハ１００が、ウェハストッカー１０に存在する場合、ストレージシステム１は、プローバー３０で、プロセッサ５２がデータを書き込もうとしているウェハ１００をカセット筐体２００に格納する。また、ストレージシステム１は、たとえば、サーバーラック５０内で最も長い期間プロセッサ５２からアクセスされていないウェハ１００を格納するカセット筐体２００をサーバーラック５０から外す。ストレージシステム１は、サーバーラック５０から外したカセット筐体２００をカセットストッカー２０に移動させる。また、ストレージシステム１は、プローバー３０でウェハ１００が格納されたカセット筐体２００をプローバー３０からサーバーラック５０に移動させる。

【0026】

次に、温度調整機構について説明する。温度調整機構は、ウェハ１００を冷却または昇温する機構である。温度調整機構は、カセット筐体２００、プローバー３０およびサーバーラック５０に備えられる。図２は、カセット筐体２００およびプローバー３０の温度調整機構を示す概略図である。

【0027】

まず、カセット筐体２００の温度調整機構について説明する。カセット筐体２００は、上面ケーシング２０１と、下面ケーシング２０２とを有する。上面ケーシング２０１は、ウェハ１００の上面側を覆う部材である。上面ケーシング２０１には、プローブカード２０１が配置されている。下面ケーシング２０２は、ウェハ１００の下面側を覆う部材である。下面ケーシング２０２の内壁部には、格納部２０３が設けられている。

【0028】

上面ケーシング２０１と下面ケーシング２０２とが嵌合されることで、収容部２０４が形成される。収容部２０４には冷却または昇温のための熱媒液３００が収容される。熱媒液３００は、例えば、フルオロカーボンを基にしたハイドロフルオロエーテルである。また、熱媒液３００は、液体窒素であってもよい。

【0029】

収容部２０４は、熱媒液３００の注入口と排出口とを有する。カセット筐体２００がプローバー３０またはサーバーラック５０に格納されていない状態では、熱媒液３００の注入口と排出口とは閉鎖される。カセット筐体２００がプローバー３０またはサーバーラック５０に格納されると、熱媒液３００の注入口と排出口とが開放される。

【0030】

次に、プローバー３０の温度調整機構について説明する。プローバー３０は、給水管３１Ａと、排水管３１Ｂと、ポンプ（流体機械）３２とを有する。給水管３１Ａは、カセット筐体２００外からカセット筐体２００内への熱媒液３００の輸送に用いられるたとえば中空円筒状の部材である。排水管３１Ｂは、カセット筐体２００内からカセット筐体２００外への熱媒液３００の輸送に用いられるたとえば中空円筒状の部材である。ポンプ３２は、給水管３１Ａおよび排水管３１Ｂの一端から他端へ熱媒液３００を輸送する装置である。

【0031】

プローバー３０は、着脱機構３１によってウェハ１００をカセット筐体２００に格納する場合、ポンプ３２によって給水管３１Ａからカセット筐体２００内へ熱媒液３００を注入する。プローバー３０は、着脱機構３１によってウェハ１００をカセット筐体２００から外す場合、ポンプ３２によって排水管３１Ｂからカセット筐体２００内の熱媒液３００を排出する。プローバー３０は、カセット筐体２００内に熱媒液３００を循環させる。

【0032】

次に、サーバーラック５０の温度調整機構について説明する。図３は、サーバーラック５０の温度調整機構を示す概略図である。図３には、カセット筐体２００の温度調整機構が併せて示されている。サーバーラック５０は、給水管５４Ａと、排水管５４Ｂと、ポンプ５５とを有する。給水管５４Ａは、たとえば、中空円筒状の部材である。給水管５４Ａは、カセット筐体２００外からカセット筐体２００内への熱媒液３００の注入に用いられる。排水管５４Ｂは、たとえば、中空円筒状の部材である。排水管５４Ｂは、カセット筐体２００内からカセット筐体２００外への熱媒液３００の排出に用いられる。ポンプ３２は、給水管５４Ａおよび排水管５４Ｂの一端から他端へ熱媒液３００を輸送する装置である。サーバーラック５０は、カセット筐体２００内へ熱媒液３００を注入する。また、サーバーラック５０は、カセット筐体２００内から熱媒液３００を排出する。これにより、サーバーラック５０は、カセット筐体２００内に熱媒液３００を循環させる。

【0033】

サーバーラック５０には、熱媒液３００が入っていないカセット筐体２００がカセット搬送機４０によって運ばれてきてもよい。この場合、カセットストッカー２０で保管されていたカセット筐体２００がカセット搬送機４０によってサーバーラック５０に運ばれてきたとき、カセット筐体２００内に熱媒液３００が満たされる。また、サーバーラック５０は、サーバーラック５０からカセット筐体２００が外されるとき、カセット筐体２００内のすべての熱媒液３００を排出してもよい。ウェハ１００が格納されているカセット筐体２００は、熱媒液３００が入っている状態で、カセットストッカー２０で保管されてもよい。あるいは、ウェハ１００が格納されているカセット筐体２００は、熱媒液３００が入っていない状態で、カセットストッカー２０で保管されてもよい。

【0034】

続いて、熱媒液３００によるカセット筐体２００内の冷却例をいくつか説明する。

【0035】

＜第１例＞
図４は、カセット筐体２００内においてプローブカードのプローブカード基板２１０を熱媒液３００に浸す第１例を示している。プローブカードは、プローブカード基板２１０と、プローブ２１１とを含む。

【0036】

この第１例においては、収容部２０４が、プローブカード基板２１２が熱媒液３００に浸されるように形成される。第１例では、プローブカード基板２１２上のデバイスを、熱媒液３００によって冷却または昇温することができる。

【0037】

＜第２例＞
図５は、カセット筐体２００内においてプローブカードのプローブ２１１とウェハ１００のパッド電極１０１とを熱媒液３００に浸す第２例を示している。

【0038】

この第２例においては、上面ケーシング２０１と下面ケーシング２０２とが嵌合されることで、収容部２０４が、プローブ２１１とパッド電極１０１とが熱媒液３００に浸されるように形成される。第２例では、プローブカード２１０のプローブ２１１とウェハ１００のパッド電極１０１とを、熱媒液３００によって冷却または昇温することができる。

【0039】

なお、図５に第２例として示す温度調整機構と、図４に第１例として示す温度調整機構とを組み合わせてもよい。

【0040】

＜第３例＞
図６は、カセット筐体２００内においてウェハ１００を熱媒液３００に浸す第３例を示している。

【0041】

この第３例においては、上面ケーシング２０１と下面ケーシング２０２とが嵌合されることで、熱媒液３００の収容部２０４が、ウェハ１００が熱媒液３００に浸されるように形成される。第３例では、ウェハ１００を熱媒液３００によって冷却することができる。より詳しくは、ウェハ１００に形成されたＮＡＮＤチップを、熱媒液３００によって冷却または昇温することができる。

【0042】

なお、図６に第３例として示す温度調整機構と、図４に第１例として示す温度調整機構または図５に第２例として示す温度調整機構の一方または両方とを組み合わせてもよい。

【0043】

以上のように、第１実施形態のストレージシステム１は、カセット筐体２００内に熱媒液を循環させる独自の温度調整機構を有する。これにより、第１実施形態のストレージシステム１は、複数のＮＡＮＤチップを含むウェハ１００に関する温度調整を行うことができる。

【0044】

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。

【0045】

第２実施形態も、第１実施形態と同様、半導体ウェハをダイシングせずに用いる大容量のストレージシステムである。第１実施形態と同一の構成要素については同一の符号を使用する。また、第１実施形態と同一の構成要素に関する説明については省略する。

【0046】

図７は、第２実施形態に係るストレージシステム１のウェハ１００が格納されているカセット筐体２００を熱媒液３００で冷却または昇温する一例を示す概略図である。図７には、ウェハ１００が格納されているカセット筐体２００が、プローバー３０に格納されている状態が示されている。

【0047】

第１実施形態のストレージシステム１は、カセット筐体２００内に熱媒液３００を循環させた。これに対して、第２実施形態のストレージシステム１は、プローバー３０やサーバーラック５０においてカセット筐体２００自体を熱媒液３００に浸す。これにより、第２実施形態のストレージシステム１は、カセット筐体２００全体を冷却または昇温する。そのために、プローバー３０は、収容部３３を有する。収容部３３は、熱媒液３００を収容する装置である。収容部３３は、カセット筐体２００を密閉するように設けられる。サーバーラック５０は、収容部５６を有する。収容部５６は、熱媒液３００を収容する装置である。収容部５６は、カセット筐体２００を密閉するように設けられる。

【0048】

図８は、第２実施形態に係るストレージシステム１の温度調整機構を示す概略図である。図８では、カセット筐体２００がプローバー３０に格納されている。

【0049】

第１実施形態においては、プローバー３０は、給水管３１Ａと、排水管３１Ｂと、ポンプ３２とによって、カセット筐体２００内へ熱媒液３００を注入する。また、プローバー３０は、カセット筐体２００内から熱媒液３００を排出する。これにより、プローバー３０は、カセット筐体２００内に熱媒液３００を循環させる。これに対して、第２実施形態においては、プローバー３０は、給水管３１Ａと、排水管３１Ｂと、ポンプ３２とによって、収容部３３内へ熱媒液３００を注入する。また、プローバー３０は、収容部３３内から熱媒液３００を排出する。これにより、プローバー３０は、プローバー３０内に熱媒液３００を循環させる。より詳しくは、プローバー３０は、カセット筐体２００の周囲に熱媒液３００を循環させる。サーバーラック５０は、収容部５６へ熱媒液３００を注入する。また、サーバーラック５０は、収容部５６から熱媒液３００を排出する。これにより、サーバーラック５０は、サーバーラック５０内に熱媒液３００を循環させる。より詳しくは、サーバーラック５０は、カセット筐体２００の周囲に熱媒液３００を循環させる。

【0050】

プローバー３０でカセット筐体２００を冷却する例としては、たとえば、サーバーラック５０から外されて運ばれてきたカセット筐体２００を冷却する場合が挙げられる。サーバーラック５０から外されたカセット筐体２００内のウェハ１００は、カセット筐体２００に格納された状態でカセットストッカー２０にて保管される。あるいは、サーバーラック５０から外されたカセット筐体２００内のウェハ１００は、カセット筐体２００から外された状態でウェハストッカー１０にて保管される。カセット筐体２００がサーバーラック５０からプローバー３０へ運ばれてきたとき、カセット筐体２００内のウェハ１００は、サーバーラック５０内で温度が上昇している可能性がある。プローバー３０は、サーバーラック５０内で温度が上昇したウェハ１００を、ウェハストッカー１０へ移動させる前に、たとえば低温で保管されている他のウェハ１００へ影響を与えないよう、カセット筐体２００ごと冷却する。

【0051】

サーバーラック５０でのカセット筐体２００の冷却は、たとえばプローブカード基板２１２上のデバイスの発熱によるウェハ１００の温度上昇を抑えるために行われる。

【0052】

以上のように、第２実施形態のストレージシステム１は、カセット筐体２００の周囲に熱媒液を循環させる独自の温度調整機構を有する。これにより、第２実施形態のストレージシステム１は、複数のＮＡＮＤチップを含むウェハ１００に関する温度調整を行うことができる。

【0053】

（第３実施形態）
次に、第３実施形態について説明する。

【0054】

第３実施形態も、第１実施形態および第２実施形態と同様、半導体ウェハをダイシングせずに用いる大容量のストレージシステムである。第１実施形態や第２実施形態と同一の構成要素については同一の符号を使用する。また、第１実施形態や第２実施形態と同一の構成要素に関する説明については省略する。

【0055】

図９は、第３実施形態に係るストレージシステム１の温度調整機構を示す概略図である。

【0056】

第１実施形態や第２実施形態のストレージシステム１は、熱媒液による冷却または昇温を行う。これに対して、第３実施形態のストレージシステム１は、絶縁部材２１３をウェハ１００に接触させる。これにより、第３実施形態のストレージシステム１は、熱伝導による冷却または昇温を行う。絶縁部材２１３は、カセット筐体２００に格納されているウェハ１００と対向する、カセット筐体２００に配置されるプローブカード２１０のプローブ２１１が設けられる面に設けられる。プローブカード２１０のプローブ２１１が設けられる面は、上面ケーシング２０１の内壁部から露出する。

【0057】

プローバー３０がウェハ１００をカセット筐体２００に格納する際、上面ケーシング２０１と下面ケーシング２０２とが嵌合されると、絶縁部材２１２は、ウェハ１００に物理的に接触する。しかし、絶縁部材２１３は、ウェハ１００に電気的に接続されない。絶縁部材２１３は、たとえば、ピン、突起または面の形状を有する。

【0058】

ウェハ１００に電気的に接続されない絶縁部材２１２を媒介する熱伝導によって、第３実施形態のストレージシステム１は、複数のＮＡＮＤチップを含むウェハ１００に関する温度調整を行うことができる。

【0059】

また、図１０は、第３実施形態における温度調整機構の一変形例を示す概略図である。

【0060】

図１０は、図９の絶縁部材２１３を、たとえば搬送中のカセット筐体２００に与えられる衝撃のウェハ１００への伝搬を低減するクッション２１４として設けた例を示している。また、クッション２１４は、ウェハ１００をカセット筐体２００内で固定させる。図１０（Ａ）は、上面ケーシング２０１と下面ケーシング２０２とが嵌合される前のクッション２１４の状態を示している。図１０（Ｂ）は、上面ケーシング２０１と下面ケーシング２０２とが嵌合された後のクッション２１４の状態を示している。

【0061】

プローバー３０がウェハ１００をカセット筐体２００に格納する際、図１０（Ｂ）に示すように、上面ケーシング２０１と下面ケーシング２０２とが嵌合されると、絶縁体であるクッション２１４は、ウェハ１００に物理的に接触する。しかし、クッション２１４は、ウェハ１００に電気的に接続されない。本変形例においても、ウェハ１００に電気的に接続されないクッション２１３を媒介する熱伝導によって、複数のＮＡＮＤチップを含むウェハ１００に関する温度調整を行うことができる。

【0062】

以上のように、第３実施形態のストレージシステム１は、カセット筐体２００内で絶縁体２１２をウェハ１００に接触させる。つまり、第３実施形態のストレージシステム１は、熱伝導による冷却または昇温を行う独自の温度調整機構を有する。これにより、第３実施形態のストレージシステム１は、複数のＮＡＮＤチップを含むウェハ１００に関する温度調整を行うことができる。

【0063】

実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。

【符号の説明】

【0064】

１…ストレージシステム
１０…ウェハストッカー
２０…カセットストッカー
３０…プローバー（カセッター）
３１…着脱機構
３１Ａ…給水管
３１Ｂ…排水管
３２…ポンプ
３３…収容部
４０…カセット搬送機
５０…サーバーラック
５１…ホストコンピュータ
５２…プロセッサ
５３…格納部
５４Ａ…給水管
５４Ｂ…排水管
５５…ポンプ
５６…収容部
１００…ウェハ
１０１…パッド電極
２００…カセット筐体
２０１…上面ケーシング
２０２…下面ケーシング
２０３…格納部
２０４…収容部
２１０…プローブカード
２１１…プローブ
２１２…プローブカード基板
２１３…絶縁部材
２１４…クッション
３００…熱媒液

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】