特許 7456394 真空ポンプ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-18

(45)【発行日】2024-03-27

(54)【発明の名称】真空ポンプ

(51)【国際特許分類】

   F04D 19/04 20060101AFI20240319BHJP

【ＦＩ】

F04D19/04 D

F04D19/04 E

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2021009077

(22)【出願日】2021-01-22

(65)【公開番号】P2022113004

(43)【公開日】2022-08-03

【審査請求日】2023-05-02

(73)【特許権者】

【識別番号】000001993

【氏名又は名称】株式会社島津製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100121382

【弁理士】

【氏名又は名称】山下 託嗣

(72)【発明者】

【氏名】小亀 正人

【審査官】大瀬 円

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－００２８５６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１１－１９３７９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－２７５５７８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｆ０４Ｄ １９／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数段の回転翼およびロータ円筒部が形成されたロータと、
複数段の固定翼、および、前記ロータ円筒部と所定のギャップを介して配置されたステータ円筒部が形成されたステータと、
前記ステータ円筒部を、生成物堆積を抑制する温度に加熱する第１ の加熱部と、
前記ロータおよび前記ステータが収容される筐体に設けられ、前記ロータおよび前記ステータにより排気されたガスを前記筐体の外部へ排出する排気管と、
前記排気管を、生成物堆積を抑制する温度に加熱する第２ の加熱部と、
前記筐体内に配置され、前記ロータ円筒部と前記ステータ円筒部とのギャップから排気されたガスが流入する流入口、および流入したガスを前記排気管へ流出する流出口を有し、生成物堆積を抑制する温度に加熱されるガス通路容器と、を備え、
前記排気管のガス流入側端部が、前記ガス通路容器の前記流出口に隙間を介して挿入されており、
前記排気管は、前記流出口に隙間を介して挿入される前記ガス流入側端部に加えて、前記ガス流入側端部と並設されて筐体内側に突出する凸部とを備え、
前記ガス通路容器の壁部の一部が、前記ガス流入側端部と前記凸部との間に隙間を介して配置される、真空ポンプ。

【請求項2】

請求項１に記載の真空ポンプにおいて、
前記流出口は前記ガス通路容器の外周壁に形成された孔であって、
前記排気管のガス流入側端部は、前記孔の壁面との間に隙間が形成されるように挿入されている、真空ポンプ。

【請求項3】

請求項１または２に記載の真空ポンプにおいて、
前記ガス通路容器はリング状の容器であり、
前記流入口は、前記ロータ円筒部および前記ステータ円筒部のガス排出領域の全域に亘って対向するリング状の開口である、真空ポンプ。

【請求項4】

請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記ガス通路容器は、前記第１の加熱部により加熱される、真空ポンプ。

【請求項5】

請求項４に記載の真空ポンプにおいて、
前記ガス通路容器は前記ステータ円筒部に固定され、前記ステータ円筒部を介して前記第１の加熱部により加熱される、真空ポンプ。

【請求項6】

請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の真空ポンプにおいて、
前記ガス通路容器の周囲空間にパージガスを導入するパージガス導入部をさらに備え、
前記周囲空間に導入されたガスにより、前記ロータ円筒部と前記ステータ円筒部とのギャップから排気されたガスが前記ガス通路容器の周囲に漏れないようにする、真空ポンプ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、真空ポンプに関する。

【背景技術】

【0002】

ターボ分子ポンプは種々の半導体製造装置の排気ポンプとして使用されるが、エッチングプロセス等において排気を行うと、反応生成物がポンプ内部に堆積する。半導体製造装置には、一般にターボポンプ部とネジ溝ポンプ部とを備えるターボ分子ポンプが用いられるが、反応生成物は低真空側ほど堆積しやすいので、ネジ溝ポンプ部のステータ側を高温に加熱する構造が採用される場合が多い。しかしながら、ステータ加熱によりネジ溝ポンプ部における生成物堆積は低減されるが、ネジ溝ポンプ部よりも下流側の排気ガス通路に生成物が堆積するという問題があった。

【0003】

例えば、特許文献１に記載の発明では、下流側の排気ガス通路の一部である排気管への生成物堆積を抑制するために、ステータに固定されたパイプを排気ポートの内部に挿入する構成が採用されている。排気ガスはパイプを通ってポンプ外へ排出されるので、排気ポート内周面への生成物堆積が防止される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】特開２０１６－１７６３３９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかしながら、ネジ溝ポンプ部で排気されたガスは、ネジ溝ポンプ部の下流側流路に排出されてからパイプに流入する構成となっている。そのため、そのパイプとネジ溝ポンプ部との間の下流側流路の内周面に生成物が堆積するという問題がある。すなわち、特許文献１に記載の真空ポンプでは、排気ポート内周面への生成物堆積が防止されるが、ネジ溝ポンプ部から排気ポートに連なる排気通路（ネジ溝ポンプ部よりも下流側の流路）の内周面には生成物堆積が堆積する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の態様による真空ポンプは、複数段の回転翼およびロータ円筒部が形成されたロータと、複数段の固定翼、および、前記ロータ円筒部と所定のギャップを介して配置されたステータ円筒部が形成されたステータと、前記ステータ円筒部を、生成物堆積を抑制する温度に加熱する第１の加熱部と、前記ロータおよび前記ステータが収容される筐体に設けられ、前記ロータおよび前記ステータにより排気されたガスを前記筐体の外部へ排出する排気管と、前記排気管を、生成物堆積を抑制する温度に加熱する第２の加熱部と、前記筐体内に配置され、前記ロータ円筒部と前記ステータ円筒部とのギャップから排気されたガスが流入する流入口、および流入したガスを前記排気管へ流出する流出口を有し、生成物堆積を抑制する温度に加熱されるガス通路容器と、を備え、前記排気管のガス流入側端部が、前記ガス通路容器の前記流出口に隙間を介して挿入されている。

【発明の効果】

【0007】

本発明によれば、排気機能部から排気管に至るガス通路を形成する部材の表面への生成物堆積を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は本発明に係る真空ポンプの実施の形態を示す図であり、ターボ分子ポンプの断面を示す。

【図2】図２は、ガス通路容器の平面図である。

【図3】図３は、排気ポートの断面図である。

【図4】図４は、図３のＡ矢視図である。

【図5】図５は、ガス通路容器が配置された領域におけるガスの流れを説明する軸方向断面図である。

【図6】図６は、図５のＣ１－Ｃ１断面図である。

【図7】図７は、比較例を示す軸方向断面図である。

【図8】図８は、図７のＣ１－Ｃ１断面図である。

【図9】図９は、変形例１～３を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図を参照して本発明を実施するための形態について説明する。図１は本発明に係る真空ポンプの実施の形態を示す図であり、ターボ分子ポンプの断面を示す。ターボ分子ポンプ１は、複数段の回転翼１２およびロータ円筒部１３が形成されたロータ１０と、複数段の固定翼２１およびステータ円筒部２２が形成されたステータとを備える。第１ポンプケーシング２３の内側には、複数段の回転翼１２に対応して複数段の固定翼２１が積層されるように配置されている。複数段の回転翼１２と複数段の固定翼２１とにより、ターボポンプ部が構成される。ポンプ軸方向に積層された複数段の固定翼２１は、それぞれスペーサ２９を介して第２ポンプケーシング２０上に配置されている。回転翼１２および固定翼２１の各々には、周方向に配置された複数のタービン翼が形成されている。第１ポンプケーシング２３は第２ポンプケーシング２０にボルトで固定され、第２ポンプケーシング２０は図示しない固定手段でベース３０に固定されている。

【0010】

ロータ円筒部１３の外周側には、円筒形状のステータ円筒部２２が所定のギャップを介して配置されている。ステータ円筒部２２は、熱伝導率の小さな断熱部材２４を介して第２ポンプケーシング２０上に載置され、ボルト２５により第２ポンプケーシング２０にボルト固定されている。ロータ円筒部１３の外周面またはステータ円筒部２２の内周面のいずれか一方にはネジ溝が形成されており、ロータ円筒部１３とステータ円筒部２２とでネジ溝ポンプ部を構成している。

【0011】

ステータ円筒部２２の下端には、ベース３０および第２ポンプケーシング２０に生成物が堆積するのを防止するためのガス通路容器４０がボルト固定されている。第２ポンプケーシング２０に設けられた排気ポート４１のケーシング側端部（図示右側の端部）は、ガス通路容器４０に挿入されている。回転翼１２と固定翼２１とで構成されるターボポンプ部、および、ロータ円筒部１３とステータ円筒部２２とで構成されるネジ溝ポンプ部により排気されたガスは、ガス通路容器４０に流入した後、排気ポート４１から排出される。

【0012】

ロータ１０にはロータシャフト１１が固定され、そのロータシャフト１１はラジアル磁気軸受ＭＢ１，ＭＢ２およびアキシャル磁気軸受ＭＢ３により磁気浮上支持され、モータＭによって回転駆動される。磁気軸受ＭＢ１～ＭＢ３が非動作時には、ロータシャフト１１はメカニカルベアリング３５ａ，３５ｂによって支持される。なお、本実施の形態では、第２ポンプケーシング２０とベース３０とが別体であるが、第２ポンプケーシング２０とベース３０とが一体に形成されるような構成であっても良い。

【0013】

モータＭや磁気軸受Ｍ１～Ｍ３などの電気部品が設けられているベース３０には、排気するプロセスガスが入り込むことによる腐食等の悪影響を防止するために、不活性ガス等のパージガスをベース３０内へ導入するためのパージガス導入部４２が設けられている。ベース３０内へ導入されたパージガスは、図示上側のメカニカルベアリング３５ａの隙間を通って、ベース３０とロータ１０との隙間を通ってネジ溝ポンプ部の排気側へ至り、排気ポート４１からポンプ外へと排出される。

【0014】

本実施の形態では、第２ポンプケーシング２０およびベース３０と、ステータ円筒部２２と、排気ポート４１とは、それぞれ異なる温度に制御される。第２ポンプケーシング２０およびベース３０は、第２ポンプケーシング２０に設けられたヒータＨ１と、ベース３０に設けられた冷却パイプ４３とにより温度Ｔ１に制御される。ステータ円筒部２２にはヒータＨ２を備える加熱部２８が設けられ、温度Ｔ２に制御される。排気ポート４１は、ヒータＨ３により温度Ｔ３に制御される。

【0015】

排気されるプロセスガスの通路に面したステータ円筒部２２の温度Ｔ２および排気ポート４１の温度Ｔ３は、生成物堆積を抑制するために比較的高温に制御される。温度Ｔ２，Ｔ３は、プロセスガスの蒸気圧と温度との関係、高速回転するロータ円筒部１３のクリープ歪み等を考慮して設定される。プロセスガスの蒸気圧と温度との関係から、圧力の高い（低真空）領域に配置される部品ほどより高温にする必要がある。そのため、Ｔ３＞Ｔ２のように設定される。

【0016】

一方、排気ガスの通路に面していないベース３０および第２ポンプケーシング２０の温度Ｔ１は、ステータ円筒部２２および排気ポート４１の温度Ｔ２，Ｔ３よりも低い温度に制御される。特に、ベース３０にはモータＭや磁気軸受ＭＢ１～ＭＢ３等の電気部品が設けられているので、温度Ｔ１をむやみに高くすることはできず、電気部品自体の発熱およびヒータ加熱の影響による電気部品の過剰な温度上昇を抑えるために、冷媒が流れる冷却パイプ４３が設けられている。

【0017】

ステータ円筒部２２を加熱する加熱部２８は、第２ポンプケーシング２０を外周側から内周側に貫通するように設けられている。第２ポンプケーシング２０の内部空間に挿入された加熱部２８の先端は、ステータ円筒部２２の外周面に熱的に接触している。加熱部２８の後端はベース３０の外部に露出しており、加熱部２８とベース３０との隙間はＯリング２７により封止されている。

【0018】

図２は、ステータ円筒部２２の下端に取り付けられるガス通路容器４０を示す図であり、ステータ側から見た平面図である。ガス通路容器４０はリング状の容器であって、ステータ円筒部２２に固定される外周壁４０２と、内周壁４０３と、底面壁４０４とを有する。外周壁４０２には、座ぐり穴４０６ａを有するボルト穴４０６が複数形成されている。このボルト穴４０６を利用して、ガス通路容器４０の外周壁４０２がステータ円筒部２２の下端面に固定される。

【0019】

ガス通路容器４０のステータ円筒部２２と対向する天井領域（外周壁４０２と内周壁４０３との間の領域）は、ネジ溝ポンプ部（ロータ円筒部１３およびステータ円筒部２２）で排気されたガスが流入する円環状の開口（以下では、流入口と呼ぶことにする。）４０１となっている。外周壁４０２には、排気ポート４１（図１参照）が対向する位置に、トンネル状の通路である流出孔４０５が形成されている。流入口４０１からガス通路容器４０内に流入したガスは、流出孔４０５から排気ポート４１へ排出され、さらに、排気ポート４１からポンプ外へと排出される。

【0020】

図３、４は、排気ポート４１の形状を説明する図であり、図３は排気ポート４１の断面図、図４は図３のＡ矢視図である。なお、図４では、ステータ円筒部２２、および排気ポート４１の先端部分が挿入されるガス通路容器４０を二点鎖線で示した。排気ポート４１は、排気ポート４１を第２ポンプケーシング２０に固定するためのフランジ４１０を備えている。排気ポート４１は、フランジ４１０の図示右側のポンプ内に挿入される第１管部４１１と、フランジ４１０の図示左側のポンプ外に露出する第２管部４１２とを有する。第２管部４１２には、図１に示すようにヒータＨ３が装着される。第１管部４１１の先端には、ガス通路容器４０の流出孔４０５内に挿入される挿入部４１４が設けられている。

【0021】

図４のＡ矢視図から分かるように、挿入部４１４は、フランジ４１０から突出するように形成された円管４１４Ａの、ハッチングを施した部分Ｈ１，Ｈ２を削除して残った部分である。なお、削除部分Ｈ１はステータ円筒部２２と干渉する部分であり、削除部分Ｈ２はガス通路容器４０の底面壁４０４と干渉する部分である。挿入部４１４は、外周壁４０２に形成された流出孔４０５の壁部との間に僅かな隙間を空けて挿入されている。挿入部４１４の図示下側には凸部４１５が形成されている。この凸部４１５は、流出孔４０５の底部、すなわち、底面壁４０４の下側に隙間を空けて配置される。

【0022】

図５、６は、ガス通路容器４０および排気ポート４１におけるガスの流れを説明する図である。図５は、図１の場合と同様の軸方向断面を示したものであり、図６は、図５のＣ１－Ｃ１断面図である。図５において、実線矢印は排気ガスＧの流れを示し、破線矢印はパージガスＰＧの流れを示す。ガス通路容器４０は温度Ｔ２に制御されるステータ円筒部２２に固定されているので、ステータ円筒部２２とほぼ同一の温度となっている。なお、ガス通路容器４０をステータ円筒部２２に固定して加熱する代わりに、加熱部２８をステータ円筒部２２とガス通路容器４０の両方に接触させるような構成とし、加熱部２８によりガス通路容器４０を直接加熱するようにしても良い。また、ガス通路容器４０がステータ円筒部２２とほぼ同一の温度となるように、加熱部２８とは異なる別の加熱部によりガス通路容器４０を加熱するようにしても良い。

【0023】

ガス通路容器４０は、ネジ溝ポンプ部から排出されたガスの流れに対して、ベース３０および第２ポンプケーシング２０の面が露出しないようにするために設けられたものである。流出孔４０５には、排気ポート４１のポンプ側先端（第１管部４１１の挿入部４１４）が挿入されている。そのため、ネジ溝ポンプ部（ロータ円筒部１３およびステータ円筒部２２）から排出された排気ガスＧは、流入口４０１からガス通路容器４０内に流入し、ベース３０および第２ポンプケーシング２０に触れることなくガス通路容器４０内を通って、流出孔４０５に挿入された挿入部４１４から第１管部４１１に流れ込む。

【0024】

排気ポート４１とステータ円筒部２２とは別々のヒータにより異なる温度Ｔ３，Ｔ２（＜Ｔ３）に制御される。そのため、図５，６の領域Ｂ１、Ｂ２においては、排気ポート４１の第１管部４１１および挿入部４１４とステータ円筒部２２およびガス通路容器４０との間には、互いが接触しないように僅かな隙間が形成されている。そのような構成とすることで、温度の異なる排気ポート４１とステータ円筒部２２との間の熱移動が防止され、排気ポート４１とステータ円筒部２２とを異なる目標温度Ｔ３，Ｔ２に制御する際の制御安定性が向上する。

【0025】

第１管部４１１とガス通路容器４０との接続部分では、互いに接触しないように第１管部４１１の挿入部４１４が、外周壁４０２にトンネル状に形成された流出孔４０５内に僅かな隙間を空けて挿入されている。そのため、挿入部４１４と流出孔４０５との隙間空間の、ガスに対するコンダクタンスを小さくすることができ、隙間から漏れる排気ガスＧの量を小さく抑えることができる。例えば、隙間寸法をｇ、挿入部４１４の挿入量をＬとし、Ｌ＝α・ｇとした場合、αの大きさを概略２以上に設定することで、ガス漏れ量を十分小さくすることができる（例えば、α＝２、ｇ＝１に設定されている）。領域Ｂ２においては、ガス通路容器４０の底面壁４０４の図示下側に凸部４１５が配置され、挿入部４１４および凸部４１５と底面壁４０４との間の隙間がラビリンスのような構造となっており、ガス通路容器４０の周囲領域への排気ガスＧの漏れをさらに小さくすることができる。

【0026】

このように、本実施の形態では、ガス通路容器４０を設け、ガス通路容器４０のトンネル状の流出孔４０５に第１管部４１１の挿入部４１４を挿入する構造としたので、挿入部分の隙間を介したガスの漏れを十分小さくすることができる。その結果、ベース３０および第２ポンプケーシング２０の内周面への排気ガスＧの接触が極力抑えられ、それらの内周面への生成物堆積を小さく抑えることができる。

【0027】

さらに、パージガス導入部４２からベース３０内に導入されたパージガスＰＧが、破線矢印のようにロータ円筒部１３とベース３０との隙間を下方に流れ、ネジ溝ポンプ部の排気側に配置されたガス通路容器４０の周囲領域に充満する。そのパージガスＰＧは、ガス通路容器４０の内周壁４０３とロータ円筒部１３との隙間、領域Ｂ１、Ｂ２の隙間を通ってガス通路容器４０内に入り込み、排気ポート４１を通ってポンプ外へ排出される。そのため、領域Ｂ１、Ｂ２の隙間からガス通路容器４０の外部へ排気ガスＧが漏出するのを、隙間から流入するパージガスＰＧによって阻止することができ、ベース３０および第２ポンプケーシング２０の内周面に生成物が堆積するのをより効果的に防止することができる。

【0028】

図７，８は、比較例として、第１管部４１１の先端をガス通路容器４０内に挿入しない場合の一例を示したものである。図７は図５と同様の軸方向断面図であり、図８は図７のＣ１－Ｃ１断面図である。比較例の場合、第１管部４１１がガス通路容器４０に挿入されておらず、領域Ｂ３における第１管部４１１とガス通路容器４０との隙間が比較的大きいので、排気ガスが隙間からベース３０および第２ポンプケーシング２０へ漏れやすい。そのため、それらの内周面に生成物が堆積する。特に冷却パイプ４３によって冷却されているベース３０の、隙間に近接した面Ｒに生成物が堆積しやすい。また、図５の場合と同様にパージガスＰＧをネジ溝ポンプ部の排気側に導入しても、隙間が大きいため、排気ポート４１に流れ込むパージガスＰＧによる漏れ阻止効果が低くなり、隙間付近の内周面に生成物が堆積しやすい。

【0029】

実施の形態では、ベース３０のモータ配置空間に導入されたパージガスＰＧが、ネジ溝ポンプ部の排気側に回り込むような構造としているが、パージガス供給構成はこれに限定されず、例えば、パージガスＰＧをネジ溝ポンプ部の排気側に直接導入するような構成としても良い。

【0030】

（変形例）
図９は、流出孔４０５の変形例を示す図である。図９（ａ）に示す変形例１では、外周壁４０２に断面形状が円形の流出孔４０５を形成し、排気ポート４１の第１管部４１１の先端部分を挿入するようにした。第１管部４１１の挿入量が上述したＬであり、第１管部４１１と流出孔４０５とのギャップ寸法が上述のｇである。

【0031】

図９（ｂ）に示す変形例２では、薄い外周壁４０２から外周側に突出するように、トンネル状の流出孔４０５が形成された挿入部４０７を形成するようにした。外周壁４０２を薄くすることで、ガス通路容器４０の重量を軽くすることができる。もちろん、挿入部４０７を外周壁４０２の内周側に突出するように形成しても良い。

【0032】

図９（ｃ）に示す変形例では、トンネル状ではない流出孔４０５とした場合を示す。薄い外周壁４０２に流出孔４０５を形成し、その流出孔４０５に、排気ポート４１の第１管部４１１を、その先端が容器内に突出するように挿入する。変形例３の場合、変形例１，２のように流出孔４０５がトンネル状でない場合に比べてガスの漏れ量が大きくなるが、挿入構造であるため、図７，８の比較例の場合に比べてガス漏れ量を低減することができる。

【0033】

上述した例示的な実施の形態および変形例は、以下の態様の具体例であることが当業者により理解される。

【0034】

［１］一態様に係る真空ポンプは、複数段の回転翼およびロータ円筒部が形成されたロータと、複数段の固定翼、および、前記ロータ円筒部と所定のギャップを介して配置されたステータ円筒部が形成されたステータと、前記ステータ円筒部を、生成物堆積を抑制する温度に加熱する第１の加熱部と、前記ロータおよび前記ステータが収容される筐体に設けられ、前記ロータおよび前記ステータにより排気されたガスを前記筐体の外部へ排出する排気管と、前記排気管を、生成物堆積を抑制する温度に加熱する第２の加熱部と、前記筐体内に配置され、前記ロータ円筒部と前記ステータ円筒部とのギャップから排気されたガスが流入する流入口、および流入したガスを前記排気管へ流出する流出口を有し、生成物堆積を抑制する温度に加熱されるガス通路容器と、を備え、前記排気管のガス流入側端部が、前記ガス通路容器の前記流出口に隙間を介して挿入されている。
特に、ロータ円筒部１３とステータ円筒部２２とのギャップからガスが排出される領域は低真空となることから、ベース３０や第２ポンプケーシング２０の内周面へ生成物堆積が生じやすいが、加熱されたガス通路容器を設けることにより、ベース３０や第２ポンプケーシング２０の内周面へ生成物堆積を抑制することができる。例えば、図５に示すように、第１管部４１１の先端の挿入部４１４が、ガス通路容器４０の流出孔４０５に挿入されている。このような挿入構造とすることにより、挿入部４１４と流出孔４０５の隙間からの排気ガスの漏出が低減され、ベース３０や第２ポンプケーシング２０の内周面への生成物堆積を抑制することができる。

【0035】

［２］上記［１］に記載の真空ポンプにおいて、前記流出口はトンネル状の孔であって、 前記排気管のガス流入側端部は、前記トンネル状の孔の壁面との間に隙間が形成されるように挿入されている。
例えば、図５、６に示すように、流出孔４０５は、肉厚な外周壁４０２を貫通するように形成されたトンネル状の孔である。そのため、隙間空間は、ギャップ寸法ｇに比べて長さ寸法Ｌが大きいので、ガスに対するコンダクタンスを大きくでき、隙間を介したガス漏れをより低減することができる。

【0036】

［３］上記［１］または［２］に記載の真空ポンプにおいて、前記ガス通路容器はリング状の容器であり、前記流入口は、前記ロータ円筒部および前記ステータ円筒部のガス排出領域の全域に亘って対向するリング状の開口である。ガス通路容器をリング状の容器とすることで、ガス通路容器は、排気機能部の下流側のリング状の空間の全域に亘って配置されることになる。

【0037】

［４］上記［１］から［３］までのいずれかに記載の真空ポンプにおいて、前記ガス通路容器は、前記第１の加熱部により加熱される 、真空ポンプ。

【0038】

［５］上記［４］に記載の真空ポンプにおいて、前記ガス通路容器は前記ステータ円筒部に固定され、前記ステータ円筒部を介して前記第１の加熱部により加熱される。
例えば、図５に示すように、ガス通路容器４０をステータ円筒部２２に固定し加熱部２８により直接的または間接的に加熱することで、ガス通路容器４０専用の加熱部を別に用意する必要がない。

【0039】

［６］上記［１］から［５］までのいずれかに記載の真空ポンプにおいて、前記ガス通路容器の周囲空間にパージガスを導入するパージガス導入部をさらに備え、前記周囲空間に導入されたガスにより、前記ロータ円筒部と前記ステータ円筒部とのギャップから排気されたガスが前記ガス通路容器の周囲に漏れないようにする。
例えば、図５に示すように、ガス通路容器４０の周囲空間にパージガスＰＧを導入することで、パージガスＰＧが、ガス通路容器４０に近接する部材（ロータ円筒部１３、挿入部４１４、ステータ円筒部２２等）との隙間からガス通路容器４０に流れ込むため、隙間から周囲空間への排気ガス（プロセスガス）の漏出を低減することができる。その結果、ベース３０や第２ポンプケーシング２０の内周面への生成物堆積をさらに抑制することができる。

【0040】

［７］上記［１］から［６］までのいずれかに記載の真空ポンプにおいて、前記排気管は、前記流出口に隙間を介して挿入される前記ガス流入側端部に加えて、前記ガス流入側端部と並設されて筐体内側に突出する凸部とを備え、前記ガス通路容器の壁部の一部が、前記ガス流入側端部と前記凸部との間に隙間を介して配置される。
例えば、図５に示すように、ガス通路容器４０の底面壁４０４の図示下側に凸部４１５が配置され、挿入部４１４および凸部４１５と底面壁４０４との間の隙間がラビリンスのような構造とすることで、ガス通路容器４０の周囲領域への排気ガスＧの漏れをさらに小さくすることができる。

【0041】

上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。例えば、上述した実施の形態では、ターボ分子ポンプを例に説明したが、ステータとロータ円筒部とで構成されるネジ溝ポンプのみを有する真空ポンプにも、本発明は適用できる。

【符号の説明】

【0042】

１…ターボ分子ポンプ、１０…ロータ、１３…ロータ円筒部、２０…第２ポンプケーシング、２２…ステータ円筒部、２８…加熱部、３０…ベース、４０…ガス通路容器、４１…排気ポート、４２…パージガス導入部、４０１…流入口、４０２…外周壁、４０５…流出孔、４１４…挿入部、Ｈ１～Ｈ３…ヒータ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】