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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-19
(45)【発行日】2024-03-28
(54)【発明の名称】電磁波吸収フィルム、電磁波吸収シート
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20240321BHJP
B32B 7/025 20190101ALI20240321BHJP
H01Q 17/00 20060101ALI20240321BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 M
B32B7/025
H01Q17/00
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021503480
(86)(22)【出願日】2020-02-06
(86)【国際出願番号】 JP2020004578
(87)【国際公開番号】W WO2020179349
(87)【国際公開日】2020-09-10
【審査請求日】2022-11-14
(31)【優先権主張番号】P 2019037839
(32)【優先日】2019-03-01
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2019094552
(32)【優先日】2019-05-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000102980
【氏名又は名称】リンテック株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100161207
【弁理士】
【氏名又は名称】西澤 和純
(74)【代理人】
【識別番号】100126882
【弁理士】
【氏名又は名称】五十嵐 光永
(74)【代理人】
【識別番号】100153763
【弁理士】
【氏名又は名称】加藤 広之
(72)【発明者】
【氏名】松下 大雅
【審査官】鹿野 博司
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０１１１３６５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】特開２００９－１７０８８７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－３１７９４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０５２１４４３２（ＵＳ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２４０１５９（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ ９／００
Ｂ３２Ｂ ７／０２５
Ｈ０１Ｑ １７／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
平板状である基材と、前記基材上に形成された第１の電磁波吸収パターンと、前記基材上に形成された第２の電磁波吸収パターンと、前記基材上に形成された第３の電磁波吸収パターンとを有し、前記第１の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第１の単位が配列された第１の配列を複数有し、
前記第２の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第２の単位が配列された第２の配列を複数有し、
前記第３の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第３の単位が配列された第３の配列を複数有し、
前記第１の配列と前記第２の配列と前記第３の配列とが互いに隣り合うように前記基材上に配置され、
前記第１の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が２０～１１０ＧＨｚの範囲で極大値を示す周波数が、Ａ［ＧＨｚ］であり、
前記第２の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下式（１）を満たすＢ［ＧＨｚ］であり、
前記第３の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下式（２）を満たすＣ［ＧＨｚ］である、電磁波吸収フィルム。
１．０３７×Ａ≦Ｂ≦１．３０×Ａ ・・・式（１）
０．６０×Ａ≦Ｃ≦０．９６３×Ａ ・・・式（２）
【請求項2】
前記Ａが５０～１１０［ＧＨｚ］である、請求項１に記載の電磁波吸収フィルム。
【請求項3】
前記Ａが６０～１００［ＧＨｚ］である、請求項１に記載の電磁波吸収フィルム。
【請求項4】
請求項１～３のいずれか一項に記載の電磁波吸収フィルムと、前記電磁波吸収フィルムの一方の表面に設けられているスペーサーフィルムと、
を有する、電磁波吸収シート。
【請求項5】
前記スペーサーフィルムが、発泡シートである、請求項４に記載の電磁波吸収シート。
【請求項6】
前記スペーサーフィルムの表面に設けられている反射フィルムをさらに有する、請求項４又は５に記載の電磁波吸収シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電磁波吸収フィルム、電磁波吸収シートに関する。
本願は、２０１９年３月１日に日本に出願された特願２０１９－０３７８３９号、及び、２０１９年５月２０日に日本に出願された特願２０１９－０９４５５２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、２０１９年３月１日に日本に出願された特願２０１９－０３７８３９号、及び、２０１９年５月２０日に日本に出願された特願２０１９－０９４５５２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【0002】
所定の周波数の電磁波を選択的に吸収する電磁波吸収フィルムが知られている（例えば、特許文献１等）。特許文献１には第１の周波数選択遮蔽層と第２の周波数選択遮蔽層とを備える電磁波吸収体が記載されている。特許文献１に記載の電磁波吸収体においては、第１及び第２の周波数選択遮蔽層に形成されたＦＳＳ（Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ Ｓｕｒｆａｃｅ）素子の細線パターンによって、各層が所定の周波数の電磁波を吸収し、全体として２つの異なる周波数の電磁波を選択的に遮蔽する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特許第５１６２４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかし、特許文献１に記載の電磁波吸収体にあっては、電磁波吸収体の周囲環境に配置される部材の誘電率、周囲環境の温度の影響を受けやすいという問題がある。例えば、周囲環境に配置される部材の誘電率の影響により、波長短縮現象が起き、電磁波吸収体の吸収周波数が変化してしまう場合がある。
特許文献１に記載の電磁波吸収体は、第１及び第２の周波数選択遮蔽層の各層のそれぞれによって所定の周波数の電磁波を選択的に吸収する。そのため、吸収対象となる電磁波の周波数が周囲環境の部材の影響を受けて、所定の周波数から変化すると、特許文献１に記載の電磁波吸収体は、設計時に吸収対象として予定していた周波数の電磁波を充分に吸収できないおそれがある。
特許文献１に記載の電磁波吸収体は、第１及び第２の周波数選択遮蔽層の各層のそれぞれによって所定の周波数の電磁波を選択的に吸収する。そのため、吸収対象となる電磁波の周波数が周囲環境の部材の影響を受けて、所定の周波数から変化すると、特許文献１に記載の電磁波吸収体は、設計時に吸収対象として予定していた周波数の電磁波を充分に吸収できないおそれがある。
【0005】
本発明の一態様は、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は下記の態様を有する。
［１］ 平板状である基材と、前記基材上に形成された第１の電磁波吸収パターンと、前記基材上に形成された第２の電磁波吸収パターンと、前記基材上に形成された第３の電磁波吸収パターンとを有し、
前記第１の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が２０～１１０ＧＨｚの範囲で極大値を示す周波数が、Ａ［ＧＨｚ］であり、
前記第２の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下式（１）を満たすＢ［ＧＨｚ］であり、
前記第３の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下式（２）を満たすＣ［ＧＨｚ］である、電磁波吸収フィルム。
１．０３７×Ａ≦Ｂ≦１．３０×Ａ ・・・式（１）
０．６０×Ａ≦Ｃ≦０．９６３×Ａ ・・・式（２）
［２］ 前記Ａが５０～１１０［ＧＨｚ］である、［１］の電磁波吸収フィルム。
［３］ 前記Ａが６０～１００［ＧＨｚ］である、［１］の電磁波吸収フィルム。
［４］ 前記第１の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第１の単位が配列された第１の配列を複数有し、前記第２の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第２の単位が配列された第２の配列を複数有し、前記第３の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第３の単位が配列された第３の配列を複数有し、前記第１の配列と前記第２の配列と前記第３の配列とが互いに隣り合うように前記基材上に配置されている、［１］～［３］のいずれかの電磁波吸収フィルム。
［５］ ［１］～［４］のいずれかの電磁波吸収フィルムと、前記電磁波吸収フィルムの一方の表面に設けられているスペーサーフィルムと、を有する、電磁波吸収シート。
［６］ 前記スペーサーフィルムが、発泡シートである、［５］の電磁波吸収シート。
［７］ 前記スペーサーフィルムの表面に設けられている反射フィルムをさらに有する、［５］又は［６］の電磁波吸収シート。
［１］ 平板状である基材と、前記基材上に形成された第１の電磁波吸収パターンと、前記基材上に形成された第２の電磁波吸収パターンと、前記基材上に形成された第３の電磁波吸収パターンとを有し、
前記第１の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が２０～１１０ＧＨｚの範囲で極大値を示す周波数が、Ａ［ＧＨｚ］であり、
前記第２の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下式（１）を満たすＢ［ＧＨｚ］であり、
前記第３の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数が、下式（２）を満たすＣ［ＧＨｚ］である、電磁波吸収フィルム。
１．０３７×Ａ≦Ｂ≦１．３０×Ａ ・・・式（１）
０．６０×Ａ≦Ｃ≦０．９６３×Ａ ・・・式（２）
［２］ 前記Ａが５０～１１０［ＧＨｚ］である、［１］の電磁波吸収フィルム。
［３］ 前記Ａが６０～１００［ＧＨｚ］である、［１］の電磁波吸収フィルム。
［４］ 前記第１の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第１の単位が配列された第１の配列を複数有し、前記第２の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第２の単位が配列された第２の配列を複数有し、前記第３の電磁波吸収パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の第３の単位が配列された第３の配列を複数有し、前記第１の配列と前記第２の配列と前記第３の配列とが互いに隣り合うように前記基材上に配置されている、［１］～［３］のいずれかの電磁波吸収フィルム。
［５］ ［１］～［４］のいずれかの電磁波吸収フィルムと、前記電磁波吸収フィルムの一方の表面に設けられているスペーサーフィルムと、を有する、電磁波吸収シート。
［６］ 前記スペーサーフィルムが、発泡シートである、［５］の電磁波吸収シート。
［７］ 前記スペーサーフィルムの表面に設けられている反射フィルムをさらに有する、［５］又は［６］の電磁波吸収シート。
【発明の効果】
【0007】
本発明の一態様によれば、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】本発明の電磁波吸収フィルムの一例を示す上面図である。
【図9】本発明の電磁波吸収シートの一例を示す断面図である。
【図10】実施例１の電磁波吸収フィルムの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図11】実施例２の電磁波吸収フィルムの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図12】実施例３の電磁波吸収フィルムの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図13】実施例４の電磁波吸収シートの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図14】実施例５の電磁波吸収シートの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図15】比較例１の電磁波吸収フィルムの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図16】比較例２の電磁波吸収シートの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図17】比較例３の電磁波吸収フィルムの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【図18】比較例４の電磁波吸収フィルムの電磁波の測定結果から推測される吸収スペクトルの予測図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本明細書において「電磁波吸収パターン」とは、幾何学的な図形である単位の集合体であり、ある周波数の電磁波を選択的に吸収する物体を意味する。「電磁波吸収パターン」はいわゆるアンテナと同様の機能を有するともいえる。
本明細書において「ミリ波領域の電磁波」とは、波長が１～１５［ｍｍ］の電磁波を意味する。「ミリ波領域の電磁波」とは、周波数が２０～３００［ＧＨｚ］である電磁波ともいえる。
本明細書において数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
本明細書において「ミリ波領域の電磁波」とは、波長が１～１５［ｍｍ］の電磁波を意味する。「ミリ波領域の電磁波」とは、周波数が２０～３００［ＧＨｚ］である電磁波ともいえる。
本明細書において数値範囲を示す「～」は、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含むことを意味する。
【0010】
＜電磁波吸収フィルム＞
以下、本発明を適用した一実施形態例について説明する。以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じ値であるとは限らない。
以下、本発明を適用した一実施形態例について説明する。以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じ値であるとは限らない。
【0011】
図１は、本発明の電磁波吸収フィルムの一例を示す上面図である。図１に示すように、電磁波吸収フィルム１０は、平板状である基材２０と、基材２０上に形成された第１の電磁波吸収パターン１と、基材２０上に形成された第２の電磁波吸収パターン２と、基材２０上に形成された第３の電磁波吸収パターン３とを有する。第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３は、基材２０の表面に形成されている。
【0012】
（第１の電磁波吸収パターン）
図２は、第１の電磁波吸収パターン１を示す上面図である。
図２に示すように第１の電磁波吸収パターン１は、複数の第１の単位ｕ１で構成されている。第１の単位ｕ１のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第１の電磁波吸収パターン１は、幾何学的な図形である第１の単位ｕ１の集合体であるともいえる。
第１の単位ｕ１は、それぞれが一つのアンテナとして機能する。第１の電磁波吸収パターン１は、例えば、ＦＳＳ素子の細線パターンでもよい。
図２は、第１の電磁波吸収パターン１を示す上面図である。
図２に示すように第１の電磁波吸収パターン１は、複数の第１の単位ｕ１で構成されている。第１の単位ｕ１のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第１の電磁波吸収パターン１は、幾何学的な図形である第１の単位ｕ１の集合体であるともいえる。
第１の単位ｕ１は、それぞれが一つのアンテナとして機能する。第１の電磁波吸収パターン１は、例えば、ＦＳＳ素子の細線パターンでもよい。
【0013】
第１の電磁波吸収パターン１においては、複数の第１の単位ｕ１が図２中の両矢印Ｐで示す方向に沿って配列された第１の配列Ｒ１が複数形成されている。第１の電磁波吸収パターン１は複数の第１の配列Ｒ１を有するともいえる。第１の電磁波吸収パターン１は、複数の第１の配列Ｒ１を両矢印Ｐで示す方向に沿って、所定の間隔で基材２０上に形成することで構成できる。
複数の第１の配列Ｒ１同士の間隔は特に制限されない。第１の配列Ｒ１同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
複数の第１の配列Ｒ１同士の間隔は特に制限されない。第１の配列Ｒ１同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
【0014】
図３は、第１の単位ｕ１を示す上面図である。
図３は第１の電磁波吸収パターン１を構成する第１の単位ｕ１を示す上面図である。
図３に示すように、第１の単位ｕ１の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第１の単位ｕ１は、１つの十字部分Ｓ１と、４つの端部Ｔ１とを有する。十字部分Ｓ１は、図３中のｘ軸方向に平行な直線部分とｙ軸方向に平行な直線部分とで構成される。ｘ軸方向に平行な直線部分の両端とｙ軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部Ｔ１が接している。
図３は第１の電磁波吸収パターン１を構成する第１の単位ｕ１を示す上面図である。
図３に示すように、第１の単位ｕ１の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第１の単位ｕ１は、１つの十字部分Ｓ１と、４つの端部Ｔ１とを有する。十字部分Ｓ１は、図３中のｘ軸方向に平行な直線部分とｙ軸方向に平行な直線部分とで構成される。ｘ軸方向に平行な直線部分の両端とｙ軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部Ｔ１が接している。
【0015】
第１の単位ｕ１のｘ軸方向の長さＬ１、４つの端部Ｔ１のそれぞれのｘ軸方向の長さＷ１をそれぞれ調整することで、一つのアンテナとして機能する第１の単位ｕ１による電磁波の吸収特性を調節できる。ｙ軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
【0016】
ただし、第１の単位の形状は十字状に限定されない。第１の単位の形状は、第１の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、Ａ［ＧＨｚ］となる態様であれば、特に限定されない。例えば、第１の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、Ｈ字状、Ｙ字状、Ｖ字状等が挙げられる。
【0017】
電磁波吸収フィルム１０においては、複数の第１の単位ｕ１の形状は互いに同一である。ただし、複数の第１の単位ｕ１の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第１の単位の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。
【0018】
第１の電磁波吸収パターン１は、周波数がＡ［ＧＨｚ］である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値Ａ［ＧＨｚ］は、第１の電磁波吸収パターン１によって吸収される電磁波の吸収量が２０～１１０ＧＨｚの範囲で極大値を示すときの周波数の値である。
第１の電磁波吸収パターン１によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値Ａ［ＧＨｚ］は、例えば、下記の方法Ｘ、方法Ｙによって特定できる。
第１の電磁波吸収パターン１によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値Ａ［ＧＨｚ］は、例えば、下記の方法Ｘ、方法Ｙによって特定できる。
【0019】
方法Ｘ：周波数を２０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させながら電磁波を後述の標準フィルムに照射し、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をＡ［ＧＨｚ］とする。
方法Ｙ：基材と前記基材上に形成された複数の電磁波吸収パターンを有する電磁波吸収フィルムから、単一の電磁波吸収パターンのみが残るように、基材から電磁波吸収パターンを除去する。次いで、単一の電磁波吸収パターンのみを有するフィルムに、周波数を２０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させながら電磁波を照射し、当該フィルムの電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をＡ［ＧＨｚ］とする。
方法Ｙ：基材と前記基材上に形成された複数の電磁波吸収パターンを有する電磁波吸収フィルムから、単一の電磁波吸収パターンのみが残るように、基材から電磁波吸収パターンを除去する。次いで、単一の電磁波吸収パターンのみを有するフィルムに、周波数を２０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させながら電磁波を照射し、当該フィルムの電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をＡ［ＧＨｚ］とする。
【0020】
標準フィルムは、平板状である標準基材と標準基材に形成された標準パターンとを有する。
標準基材の詳細は、基材２０と同内容とすることができる。そのため、標準基材の詳細は、後述の基材２０の説明において詳細に説明する。
標準基材の詳細は、基材２０と同内容とすることができる。そのため、標準基材の詳細は、後述の基材２０の説明において詳細に説明する。
【0021】
標準パターンは、形状が互いに同一の図形である複数の標準単位のみからなる。標準フィルムにおいては、形状が同一である１種類の図形のみからなる標準パターンが標準基材に形成されているともいえる。標準パターンは通常のＦＳＳ素子の細線パターンによって形成できる。通常、標準パターンは、第１の電磁波吸収パターン１と同一の電磁波吸収パターンである。
標準パターンにおいては、複数の標準単位の形状は、互いに同一の図形であれば特に限定されない。標準単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、十字状、Ｈ字状、Ｙ字状、Ｖ字状等が挙げられる。通常、標準単位の形状は第１の単位ｕ１と同一である。
標準パターンにおいては、複数の標準単位の形状は、互いに同一の図形であれば特に限定されない。標準単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、十字状、Ｈ字状、Ｙ字状、Ｖ字状等が挙げられる。通常、標準単位の形状は第１の単位ｕ１と同一である。
【0022】
標準フィルムにおいて複数の標準単位は、図形の端部同士の間隔が１［ｍｍ］となるように標準基材上に配置されている。例えば、標準単位の図形が十字形状である場合、十字の交差部分が図形の中心であり、図形の端部は十字を構成する２つの直線部分の方向のそれぞれに沿って中心から最も距離が離れている部分である。
【0023】
標準パターンを構成する標準単位の材質は、２０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させながら電磁波を標準フィルムに照射したときに、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量が最大値をとり得る態様であれば、特に限定されない。
標準単位の材質の詳細は、第１の単位と同内容とすることができる。
標準単位の材質の詳細は、第１の単位と同内容とすることができる。
【0024】
標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量は、下式（３）で算出できる。
吸収量＝入力信号－反射特性（Ｓ１１）－透過特性（Ｓ２１） ・・・式（３）
入力信号は、標準フィルムに電磁波を照射した際の照射源における電磁波の強度の指標である。
反射特性（Ｓ１１）は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムによって反射される電磁波の強度の指標である。反射特性（Ｓ１１）は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
透過特性（Ｓ２１）は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムを透過する電磁波の強度の指標である。透過特性（Ｓ２１）は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
吸収量＝入力信号－反射特性（Ｓ１１）－透過特性（Ｓ２１） ・・・式（３）
入力信号は、標準フィルムに電磁波を照射した際の照射源における電磁波の強度の指標である。
反射特性（Ｓ１１）は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムによって反射される電磁波の強度の指標である。反射特性（Ｓ１１）は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
透過特性（Ｓ２１）は、照射源から標準フィルムに電磁波を照射した際に標準フィルムを透過する電磁波の強度の指標である。透過特性（Ｓ２１）は、例えば、ベクトルネットワークアナライザを用いてフリースペース法によって測定できる。
【0025】
周波数Ａ［ＧＨｚ］は例えば、下記の方法で特定できる。
まず、周波数を２０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させながら電磁波を標準フィルムに照射し、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量を上式（３）で算出する。
次いで、横軸に変化させた周波数をプロットし、縦軸に上式（３）で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に１つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をＡ［ＧＨｚ］とすることができる。
まず、周波数を２０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させながら電磁波を標準フィルムに照射し、標準フィルムによって吸収される電磁波の吸収量を上式（３）で算出する。
次いで、横軸に変化させた周波数をプロットし、縦軸に上式（３）で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に１つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をＡ［ＧＨｚ］とすることができる。
【0026】
方法Ｘにおいて、あらかじめ周波数Ａの数値を予測できる場合には、標準フィルムに照射する電磁波の周波数を、２０～１１０［ＧＨｚ］よりも狭い範囲内で変化させてもよい。例えば、標準フィルムに照射する電磁波の周波数を、５０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させてもよい。
【0027】
第１の電磁波吸収パターン１は、上述の方法Ｘによって特定される周波数がＡ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。
本発明の電磁波吸収フィルムにおいては、周波数の値Ａは、５０～１１０［ＧＨｚ］が好ましく、６０～１００［ＧＨｚ］がより好ましく、６５～９５［ＧＨｚ］がさらに好ましく、７０～９０［ＧＨｚ］が特に好ましい。周波数の値Ａが前記数値範囲内であると、電磁吸収フィルムがミリ波領域の電磁波を吸収でき、自動車用部品、道路周辺部材、建築外壁関連材、窓、通信機器、電波望遠鏡等に適用しやすくなる。
本発明の電磁波吸収フィルムにおいては、周波数の値Ａは、５０～１１０［ＧＨｚ］が好ましく、６０～１００［ＧＨｚ］がより好ましく、６５～９５［ＧＨｚ］がさらに好ましく、７０～９０［ＧＨｚ］が特に好ましい。周波数の値Ａが前記数値範囲内であると、電磁吸収フィルムがミリ波領域の電磁波を吸収でき、自動車用部品、道路周辺部材、建築外壁関連材、窓、通信機器、電波望遠鏡等に適用しやすくなる。
【0028】
方法Ｙにおいては、方法Ｘと同様に、フィルムの電磁波の吸収量を測定できる。すなわち、周波数を２０～１１０［ＧＨｚ］の範囲内で変化させながら電磁波をフィルムに照射し、フィルムによって吸収される電磁波の吸収量を上式（３）で算出する。
次いで、横軸に周波数をプロットし、縦軸に上式（３）で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に１つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をＡ［ＧＨｚ］とすることができる。
次いで、横軸に周波数をプロットし、縦軸に上式（３）で算出される吸収量をプロットした吸収スペクトル図を作成する。通常、この吸収スペクトル図において、吸収量が最大値となる周波数の値が横軸に１つ存在する。そのためプロット図には、電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。このように、電磁波の吸収量が最大値をとるときの電磁波の周波数をＡ［ＧＨｚ］とすることができる。
【0029】
第１の単位ｕ１の材質は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
第１の単位の材質としては、例えば、金属の細線、導電性薄膜、導電性ペーストの定着物が挙げられる。
金属の材質としては、銅、アルミニウム、タングステン、鉄、モリブデン、ニッケル、チタン、銀、金又はこれらの金属を２種以上含む合金（例えば、ステンレス鋼、炭素鋼等の鋼鉄、真鍮、りん青銅、ジルコニウム銅合金、ベリリウム銅、鉄ニッケル、ニクロム、ニッケルチタン、カンタル、ハステロイ、レニウムタングステン等）が挙げられる。
導電性薄膜の材質としては、金属粒子、カーボンナノ粒子、カーボンファイバー等が挙げられる。
第１の単位の材質としては、例えば、金属の細線、導電性薄膜、導電性ペーストの定着物が挙げられる。
金属の材質としては、銅、アルミニウム、タングステン、鉄、モリブデン、ニッケル、チタン、銀、金又はこれらの金属を２種以上含む合金（例えば、ステンレス鋼、炭素鋼等の鋼鉄、真鍮、りん青銅、ジルコニウム銅合金、ベリリウム銅、鉄ニッケル、ニクロム、ニッケルチタン、カンタル、ハステロイ、レニウムタングステン等）が挙げられる。
導電性薄膜の材質としては、金属粒子、カーボンナノ粒子、カーボンファイバー等が挙げられる。
【0030】
第１の単位ｕ１である図形の端部同士の間隔は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
例えば、第１の単位ｕ１である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを設計しやすくなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第１の単位ｕ１である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
例えば、第１の単位ｕ１である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを設計しやすくなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第１の単位ｕ１である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
【0031】
（第２の電磁波吸収パターン）
図４は、第２の電磁波吸収パターン２を示す上面図である。
図４に示すように、第２の電磁波吸収パターン２は、複数の第２の単位ｕ２で構成される。第２の単位ｕ２のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第２の電磁波吸収パターン２は、幾何学的な図形である第２の単位ｕ２の集合体であるともいえる。
第２の単位ｕ２は、それぞれが一つのアンテナとして機能する。第２の電磁波吸収パターン２は、例えば、ＦＳＳ素子の細線パターンでもよい。
図４は、第２の電磁波吸収パターン２を示す上面図である。
図４に示すように、第２の電磁波吸収パターン２は、複数の第２の単位ｕ２で構成される。第２の単位ｕ２のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第２の電磁波吸収パターン２は、幾何学的な図形である第２の単位ｕ２の集合体であるともいえる。
第２の単位ｕ２は、それぞれが一つのアンテナとして機能する。第２の電磁波吸収パターン２は、例えば、ＦＳＳ素子の細線パターンでもよい。
【0032】
第２の電磁波吸収パターン２においては、複数の第２の単位ｕ２が図４中の両矢印Ｐで示す方向に沿って配列された第２の配列Ｒ２が形成されている。第２の電磁波吸収パターン２は複数の第２の配列Ｒ２を有するともいえる。第２の電磁波吸収パターン２は、第２の配列Ｒ２を両矢印Ｐで示す方向に沿って、所定の間隔で基材２０上に形成することで構成できる。
複数の第２の配列Ｒ２同士の間隔は特に制限されない。第２の配列Ｒ２同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
複数の第２の配列Ｒ２同士の間隔は特に制限されない。第２の配列Ｒ２同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
【0033】
図５は、第２の単位ｕ２を示す上面図である。
図５に示すように、第２の単位ｕ２の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第２の単位ｕ２は、１つの十字部分Ｓ２と、４つの端部Ｔ２とを有する。十字部分Ｓ２は、図５中のｘ軸方向に平行な直線部分とｙ軸方向に平行な直線部分とで構成される。ｘ軸方向に平行な直線部分の両端とｙ軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部Ｔ２が接している。
図５に示すように、第２の単位ｕ２の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第２の単位ｕ２は、１つの十字部分Ｓ２と、４つの端部Ｔ２とを有する。十字部分Ｓ２は、図５中のｘ軸方向に平行な直線部分とｙ軸方向に平行な直線部分とで構成される。ｘ軸方向に平行な直線部分の両端とｙ軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部Ｔ２が接している。
【0034】
電磁波吸収フィルム１０においては、第２の単位ｕ２のｘ軸方向の長さＬ２は、第１の単位ｕ１のｘ軸方向の長さＬ１より短い。加えて、４つの端部Ｔ２のそれぞれのｘ軸方向又はｙ軸方向の長さＷ２は、第１の単位ｕ１の４つの端部Ｔ１のそれぞれの長さＷ１より短い。
第２の単位ｕ２のｘ軸方向の長さＬ２、４つの端部Ｔ２のそれぞれのｘ軸方向の長さＷ２をそれぞれ調整することで、一つのアンテナとして機能する第２の単位ｕ２による電磁波の吸収特性を調節できる。ｙ軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
第２の単位ｕ２のｘ軸方向の長さＬ２、４つの端部Ｔ２のそれぞれのｘ軸方向の長さＷ２をそれぞれ調整することで、一つのアンテナとして機能する第２の単位ｕ２による電磁波の吸収特性を調節できる。ｙ軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
【0035】
電磁波吸収フィルム１０においては、複数の第２の単位ｕ２の形状は互いに同一である。ただし、複数の第２の単位ｕ２の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第２の単位の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。
【0036】
第２の電磁波吸収パターン２は、周波数が下式（１）を満たすＢ［ＧＨｚ］である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値Ｂ［ＧＨｚ］は、第２の電磁波吸収パターン２によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示すときの周波数の値である。周波数の値Ｂ［ＧＨｚ］は、下式（１）を満たす。
１．０３７×Ａ≦Ｂ≦１．３０×Ａ ・・・式（１）
１．０３７×Ａ≦Ｂ≦１．３０×Ａ ・・・式（１）
【0037】
式（１）に示すように、第２の電磁波吸収パターン２は、周波数が１．０３７×Ａ～１．３０×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。第２の電磁波吸収パターン２は、周波数が１．１７×Ａ～１．３０×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収することが好ましい。
第２の電磁波吸収パターン２が１．０３７×Ａ［ＧＨｚ］以上の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より高周波数の周波数帯で第２の電磁波吸収パターン２による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なりあう。その結果、第１の電磁波吸収パターン１を単独で有するフィルムと比較して、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯がＡ［ＧＨｚ］より高周波数側の周波数帯に拡張される。
第２の電磁波吸収パターン２が１．３０×Ａ［ＧＨｚ］以下の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より高周波数の周波数帯で第２の電磁波吸収パターン２による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
以上より、第２の電磁波吸収パターン２は周波数が１．０３７×Ａ～１．３０×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収するため、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が高周波数側の周波数帯に拡張される。
第２の電磁波吸収パターン２が１．０３７×Ａ［ＧＨｚ］以上の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より高周波数の周波数帯で第２の電磁波吸収パターン２による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なりあう。その結果、第１の電磁波吸収パターン１を単独で有するフィルムと比較して、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯がＡ［ＧＨｚ］より高周波数側の周波数帯に拡張される。
第２の電磁波吸収パターン２が１．３０×Ａ［ＧＨｚ］以下の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より高周波数の周波数帯で第２の電磁波吸収パターン２による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
以上より、第２の電磁波吸収パターン２は周波数が１．０３７×Ａ～１．３０×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収するため、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が高周波数側の周波数帯に拡張される。
【0038】
ただし、第２の単位の形状は十字状に限定されない。第２の単位の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。例えば、第２の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、Ｈ字状、Ｙ字状、Ｖ字状等が挙げられる。
【0039】
第２の電磁波吸収パターン２を構成する第２の単位の材質は、Ｂ［ＧＨｚ］の電磁波を吸収できる態様であれば、特に限定されず、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
第２の単位の材質としては、第１の単位ｕ１の材質について説明した内容と同内容である。
第２の単位の材質としては、第１の単位ｕ１の材質について説明した内容と同内容である。
【0040】
第２の単位ｕ２である図形の端部同士の間隔は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
例えば、第２の単位ｕ２である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを設計しやすくなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第２の単位ｕ２である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
例えば、第２の単位ｕ２である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを設計しやすくなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第２の単位ｕ２である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
【0041】
（第３の電磁波吸収パターン）
図６は、第３の電磁波吸収パターン３を示す上面図である。
図６に示すように第３の電磁波吸収パターン３は、複数の第３の単位ｕ３で構成される。第３の単位ｕ３のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第３の電磁波吸収パターン３は、幾何学的な図形である第３の単位ｕ３の集合体であるともいえる。
第３の単位ｕ３は、それぞれが一つのアンテナとして機能する。第３の電磁波吸収パターン３は、例えば、ＦＳＳ素子の細線パターンでもよい。
図６は、第３の電磁波吸収パターン３を示す上面図である。
図６に示すように第３の電磁波吸収パターン３は、複数の第３の単位ｕ３で構成される。第３の単位ｕ３のそれぞれは、幾何学的な図形である。すなわち、第３の電磁波吸収パターン３は、幾何学的な図形である第３の単位ｕ３の集合体であるともいえる。
第３の単位ｕ３は、それぞれが一つのアンテナとして機能する。第３の電磁波吸収パターン３は、例えば、ＦＳＳ素子の細線パターンでもよい。
【0042】
第３の電磁波吸収パターン３においては、複数の第３の単位ｕ３が図６中の両矢印Ｐで示す方向に沿って配列された第３の配列Ｒ３が形成されている。第３の電磁波吸収パターン３は複数の第３の配列Ｒ３を有するともいえる。第３の電磁波吸収パターン３は、第３の配列Ｒ３を両矢印Ｐで示す方向に沿って、所定の間隔で基材２０上に形成することで構成できる。
複数の第３の配列Ｒ３同士の間隔は特に制限されない。第３の配列Ｒ３同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
複数の第３の配列Ｒ３同士の間隔は特に制限されない。第３の配列Ｒ３同士の間隔は、規則的でも不規則的でもよい。
【0043】
図７は、第３の単位ｕ３を示す上面図である。
図７に示すように、第３の単位ｕ３の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第３の単位ｕ３は、１つの十字部分Ｓ３と、４つの端部Ｔ３とを有する。十字部分Ｓ３は、図７中のｘ軸方向に平行な直線部分とｙ軸方向に平行な直線部分とで構成される。ｘ軸方向に平行な直線部分の両端とｙ軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部Ｔ３が接している。
図７に示すように、第３の単位ｕ３の形状は上下左右対称の十字状である。具体的に第３の単位ｕ３は、１つの十字部分Ｓ３と、４つの端部Ｔ３とを有する。十字部分Ｓ３は、図７中のｘ軸方向に平行な直線部分とｙ軸方向に平行な直線部分とで構成される。ｘ軸方向に平行な直線部分の両端とｙ軸方向に平行な直線部分の両端のそれぞれに、各直線部分と直交するように直線状の各端部Ｔ３が接している。
【0044】
電磁波吸収フィルム１０においては、第３の単位ｕ３のｘ軸方向の長さＬ３は、第１の単位ｕ１のｘ軸方向の長さＬ１より長い。加えて、４つの端部Ｔ３のそれぞれのｘ軸方向又はｙ軸方向の長さＷ３は、第１の単位ｕ１の４つの端部Ｔ１のそれぞれの長さＷ１より長い。
第３の単位ｕ３のｘ軸方向の長さＬ３、４つの端部Ｔ３のそれぞれのｘ軸方向の長さＷ３をそれぞれ調整することで、一つのアンテナとして機能する第３の単位ｕ３による電磁波の吸収特性を調節できる。ｙ軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
第３の単位ｕ３のｘ軸方向の長さＬ３、４つの端部Ｔ３のそれぞれのｘ軸方向の長さＷ３をそれぞれ調整することで、一つのアンテナとして機能する第３の単位ｕ３による電磁波の吸収特性を調節できる。ｙ軸方向も同様にして、電磁波の吸収特性を調節できる。
【0045】
電磁波吸収フィルム１０においては、複数の第３の単位ｕ３の形状は互いに同一である。ただし、複数の第３の単位ｕ３の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。本発明の他の例においては、複数の第３の単位の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、互いに同一でもよく、異なってもよい。
【0046】
第３の電磁波吸収パターン３は、周波数が下式（２）を満たすＣ［ＧＨｚ］である電磁波を選択的に吸収する。周波数の値Ｃ［ＧＨｚ］は、第３の電磁波吸収パターン３によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示すときの周波数の値である。周波数の値Ｃ［ＧＨｚ］は、下式（２）を満たす。
０．６０×Ａ≦Ｃ≦０．９６３×Ａ ・・・式（２）
０．６０×Ａ≦Ｃ≦０．９６３×Ａ ・・・式（２）
【0047】
式（２）に示すように、第３の電磁波吸収パターン３は、周波数が０．６０×Ａ～０．９６３×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。第３の電磁波吸収パターン３は、周波数が０．６０×Ａ～０．８３×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収することが好ましい。
第３の電磁波吸収パターン３が０．６０×Ａ［ＧＨｚ］以上の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より低周波数の周波数帯で第３の電磁波吸収パターン３による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
第３の電磁波吸収パターン３が０．９６３×Ａ［ＧＨｚ］以下の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より低周波数の周波数帯で第３の電磁波吸収パターン３による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なりあう。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯が第１の電磁波吸収パターン１を単独で有するフィルムと比較して、Ａ［ＧＨｚ］より低周波数側の周波数帯に拡張される。
以上より、第３の電磁波吸収パターン３は周波数が０．６０×Ａ～０．９６３×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収するため、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が低周波数側の周波数帯に拡張される。
第３の電磁波吸収パターン３が０．６０×Ａ［ＧＨｚ］以上の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より低周波数の周波数帯で第３の電磁波吸収パターン３による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとの周波数の差が少なくなる。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成される。
第３の電磁波吸収パターン３が０．９６３×Ａ［ＧＨｚ］以下の周波数の電磁波を吸収するため、Ａ［ＧＨｚ］より低周波数の周波数帯で第３の電磁波吸収パターン３による電磁波の吸収量のピークと第１の電磁波吸収パターン１による電磁波の吸収量のピークとが充分に重なりあう。その結果、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯が第１の電磁波吸収パターン１を単独で有するフィルムと比較して、Ａ［ＧＨｚ］より低周波数側の周波数帯に拡張される。
以上より、第３の電磁波吸収パターン３は周波数が０．６０×Ａ～０．９６３×Ａ［ＧＨｚ］である電磁波を吸収するため、電磁波吸収フィルム全体で吸収される電磁波の吸収量が低周波数側の周波数帯に拡張される。
【0048】
ただし、第３の単位ｕ３の形状は十字状に限定されない。第３の単位ｕ３の形状は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。例えば、第３の単位である図形の形状としては、円形状、環状、直線状、方形状、多角形状、Ｈ字状、Ｙ字状、Ｖ字状等が挙げられる。
【0049】
第３の電磁波吸収パターン３を構成する第３の単位ｕ３の材質は、Ｃ［ＧＨｚ］の電磁波を吸収できる態様であれば、特に限定されず、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
第３の単位ｕ３の材質としては、第１の単位ｕ１の材質について説明した内容と同内容である。
第３の単位ｕ３の材質としては、第１の単位ｕ１の材質について説明した内容と同内容である。
【0050】
第３の単位ｕ３である図形の端部同士の間隔は、本発明の効果が得られる範囲内であれば、特に限定されない。
例えば、第３の単位ｕ３である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを設計しやすくなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第３の単位ｕ３である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
例えば、第３の単位ｕ３である図形の端部同士の間隔は、全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。ただし、周囲環境の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを設計しやすくなり、吸収される電磁波の周波数帯の精度が製造時に向上することから、第３の単位ｕ３である図形の端部同士の間隔は、互いに同一であることが好ましい。
【0051】
図１に示す電磁波吸収フィルム１０においては、第１の配列Ｒ１と第２の配列Ｒ２と第３の配列Ｒ３とが互いに隣り合うように両矢印Ｐで示す方向に沿って配列されている。このように、第１の配列Ｒ１と第２の配列Ｒ２と第３の配列Ｒ３とが互いに隣り合うように基材２０に配置されているため、第１の電磁波吸収パターン１が選択的に吸収する電磁波のピーク位置の周波数の値Ａ［ＧＨｚ］を基準として、第２の電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数帯と、第３の電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数帯の両方が重なりあう。その結果、電磁波吸収フィルム１０全体で吸収される電磁波の吸収域が、ピーク位置の周波数の値Ａ［ＧＨｚ］を基準として、高周波数側と低周波数側との両方に拡張されやすくなる。
【0052】
図１にそれぞれ示す、第１の単位ｕ１と第２の単位ｕ２との間隔ｄ１、第２の単位ｕ２と第３の単位ｕ３との間隔ｄ２、第３の単位ｕ３と第１の単位ｕ１との間隔ｄ３は、互いに同一でもよく、異なってもよい。
間隔ｄ１は、例えば、０．２～４［ｍｍ］でもよく、０．３～２［ｍｍ］でもよく、０．５～１［ｍｍ］でもよい。
間隔ｄ２は、例えば、０．２～４［ｍｍ］でもよく、０．３～２［ｍｍ］でもよく、０．５～１［ｍｍ］でもよい。
間隔ｄ３は、例えば、０．２～４［ｍｍ］でもよく、０．３～２［ｍｍ］でもよく、０．５～１［ｍｍ］でもよい。
間隔ｄ１、間隔ｄ２、間隔ｄ３がそれぞれ前記数値範囲内であると、電磁波吸収フィルム１０全体で吸収される電磁波の吸収域が、ピーク位置の周波数の値Ａ［ＧＨｚ］を基準としてさらに拡張されやすくなる。
間隔ｄ１は、例えば、０．２～４［ｍｍ］でもよく、０．３～２［ｍｍ］でもよく、０．５～１［ｍｍ］でもよい。
間隔ｄ２は、例えば、０．２～４［ｍｍ］でもよく、０．３～２［ｍｍ］でもよく、０．５～１［ｍｍ］でもよい。
間隔ｄ３は、例えば、０．２～４［ｍｍ］でもよく、０．３～２［ｍｍ］でもよく、０．５～１［ｍｍ］でもよい。
間隔ｄ１、間隔ｄ２、間隔ｄ３がそれぞれ前記数値範囲内であると、電磁波吸収フィルム１０全体で吸収される電磁波の吸収域が、ピーク位置の周波数の値Ａ［ＧＨｚ］を基準としてさらに拡張されやすくなる。
【0053】
電磁波吸収フィルム１０においては、第１の単位ｕ１、第２の単位ｕ２、第３の単位ｕ３の形状は互いに同一である。ただし、第１の単位ｕ１、第２の単位ｕ２、第３の単位ｕ３の形状は互いに同一の図形でなくてもよい。すなわち、本発明の他の例においては、第１の単位ｕ１、第２の単位ｕ２、第３の単位ｕ３の形状は、互いに同一でもよく、異なってもよい。
【0054】
電磁波吸収フィルム１０は、複数の第２の電磁波吸収パターンを有してもよい。例えば、電磁波吸収フィルム１０は、第２の電磁波吸収パターン２に加えて、下記の電磁波吸収パターン２ａ、電磁波吸収パターン２ｂをさらに有してもよい。
・電磁波吸収パターン２ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（４）を満たすＤ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン２ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（５）を満たすＥ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
１．０３７×Ａ≦Ｄ＜１．０９×Ａ ・・・式（４）
１．０９×Ａ≦Ｅ＜１．１７×Ａ ・・・式（５）
式（４）、式（５）中、Ａは上述の方法Ｘ又は方法Ｙで特定される周波数［ＧＨｚ］である。
・電磁波吸収パターン２ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（４）を満たすＤ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン２ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（５）を満たすＥ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
１．０３７×Ａ≦Ｄ＜１．０９×Ａ ・・・式（４）
１．０９×Ａ≦Ｅ＜１．１７×Ａ ・・・式（５）
式（４）、式（５）中、Ａは上述の方法Ｘ又は方法Ｙで特定される周波数［ＧＨｚ］である。
【0055】
電磁波吸収フィルム１０が、第２の電磁波吸収パターン２に加えて、電磁波吸収パターン２ａと電磁波吸収パターン２ｂとをさらに有する場合、第２の電磁波吸収パターン２によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値は、１．１７×Ａ～１．３０×Ａ［ＧＨｚ］が好ましい。この場合、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯の高周波数側への拡張効果がさらに顕著であり、本発明の効果がさらに顕著に得られる。
【0056】
電磁波吸収フィルム１０は、複数の第３の電磁波吸収パターンを有してもよい。例えば、電磁波吸収フィルム１０は、第３の電磁波吸収パターン３に加えて、下記の電磁波吸収パターン３ａと電磁波吸収パターン３ｂとをさらに有してもよい。
・電磁波吸収パターン３ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（６）を満たすＦ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン３ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（７）を満たすＧ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
０．９１×Ａ＜Ｆ≦０．９６３×Ａ ・・・式（６）
０．８３×Ａ＜Ｇ≦０．９１×Ａ ・・・式（７）
式（６）、式（７）中、Ａは上述の方法Ｘ又は方法Ｙで特定される周波数［ＧＨｚ］である。
・電磁波吸収パターン３ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（６）を満たすＦ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン３ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が下式（７）を満たすＧ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
０．９１×Ａ＜Ｆ≦０．９６３×Ａ ・・・式（６）
０．８３×Ａ＜Ｇ≦０．９１×Ａ ・・・式（７）
式（６）、式（７）中、Ａは上述の方法Ｘ又は方法Ｙで特定される周波数［ＧＨｚ］である。
【0057】
電磁波吸収フィルム１０が、第３の電磁波吸収パターン３に加えて、電磁波吸収パターン３ａ、電磁波吸収パターン３ｂをさらに有する場合、第３の電磁波吸収パターン３によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値は、０．６０×Ａ～０．８３×Ａ［ＧＨｚ］が好ましい。この場合、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯の低周波数側への拡張効果がさらに顕著であり、本発明の効果がさらに顕著に得られる。
【0058】
図８は、図１の電磁波吸収フィルム１０のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ断面図である。
基材２０は、互いに対向する２つの面２０ａ，２０ｂを有する。そして、基材２０の一方の面２０ａに、第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２、第３の電磁波吸収パターン３が形成されている。図８に示すように、基材２０の一方の面２０ａに、複数の第１の単位ｕ１、複数の第２の単位ｕ２、複数の第３の単位ｕ３がそれぞれ設けられている。
基材２０は、互いに対向する２つの面２０ａ，２０ｂを有する。そして、基材２０の一方の面２０ａに、第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２、第３の電磁波吸収パターン３が形成されている。図８に示すように、基材２０の一方の面２０ａに、複数の第１の単位ｕ１、複数の第２の単位ｕ２、複数の第３の単位ｕ３がそれぞれ設けられている。
【0059】
基材２０は、平板状であり、かつ、一方の面２０ａに第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３を形成できる形態であれば、特に限定されない。基材２０は単層構造でも多層構造でもよい。
【0060】
基材２０の厚さＫは、例えば、５～５００［μｍ］でもよく、１５～２００［μｍ］でもよく、２５～１００［μｍ］でもよい。
第１の電磁波吸収パターン１の厚さＨ１、第２の電磁波吸収パターン２の厚さＨ２、第３の電磁波吸収パターン３の厚さＨ３は特に限定されない。厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３は所望する特性に応じて任意に変更可能である。また、厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３は互いに同一でもよく、異なっていてもよい。
厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３は、例えば、１～１００［μｍ］でもよく、５～５０［μｍ］でもよく、１０～３０［μｍ］でもよい。厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３のそれぞれが厚いほど、電磁波吸収性がよくなる一方、製造コストが高くなる。この点を考慮して、厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３のそれぞれを設定してもよい。
第１の電磁波吸収パターン１の厚さＨ１、第２の電磁波吸収パターン２の厚さＨ２、第３の電磁波吸収パターン３の厚さＨ３は特に限定されない。厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３は所望する特性に応じて任意に変更可能である。また、厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３は互いに同一でもよく、異なっていてもよい。
厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３は、例えば、１～１００［μｍ］でもよく、５～５０［μｍ］でもよく、１０～３０［μｍ］でもよい。厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３のそれぞれが厚いほど、電磁波吸収性がよくなる一方、製造コストが高くなる。この点を考慮して、厚さＨ１、厚さＨ２、厚さＨ３のそれぞれを設定してもよい。
【0061】
基材２０の材料は、電磁波吸収フィルムの用途に応じて適宜選択できる。例えば、電磁波吸収フィルムの透明性の具備を目的として、基材２０を透明な材料で構成してもよい。他にも、電磁波吸収フィルムの曲面に対する追従性の具備を目的として、基材２０を柔軟性のある材料で構成してもよい。電磁波吸収フィルムの透明性、三次元成形性の向上を目的として、基材２０の表面を平滑にしてもよい。
【0062】
例えば、基材２０は樹脂で構成できる。樹脂は、熱可塑性樹脂でも熱硬化性樹脂でもよい。ただし、電磁波吸収フィルム１０の三次元成形性を考慮する場合、基材２０は熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂が挙げられる。
ポリオレフィン樹脂の具体例としては、ポリプロピレン、ポリエチレン等が挙げられる。ポリエステル樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂が挙げられる。
ポリオレフィン樹脂の具体例としては、ポリプロピレン、ポリエチレン等が挙げられる。ポリエステル樹脂の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。
【0063】
熱硬化性樹脂として、例えば、エポキシ樹脂組成物、ウレタン反応により硬化する樹脂組成物、ラジカル重合反応により硬化する樹脂組成物を用いることができる。これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
エポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂と硬化剤とを含む組成物である。エポキシ樹脂の具体例としては、多官能系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
硬化剤の具体例としては、アミン化合物、フェノール系硬化剤等が挙げられる。
ウレタン反応により硬化する樹脂組成物としては、例えば、（メタ）アクリルポリオールとポリイソシアネート化合物とを含む樹脂組成物が挙げられる。
エポキシ樹脂組成物はエポキシ樹脂と硬化剤とを含む組成物である。エポキシ樹脂の具体例としては、多官能系エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等が挙げられる。
硬化剤の具体例としては、アミン化合物、フェノール系硬化剤等が挙げられる。
ウレタン反応により硬化する樹脂組成物としては、例えば、（メタ）アクリルポリオールとポリイソシアネート化合物とを含む樹脂組成物が挙げられる。
【0064】
ラジカル重合反応により硬化する樹脂組成物としては、例えば、側鎖にラジカル重合性基を有する（メタ）アクリル樹脂、不飽和ポリエステル等が挙げられる。
（メタ）アクリル樹脂としては、反応性基を有するビニル単量体の重合体と、ビニル単量体由来の反応性基と反応し得る基を有し、かつ、ラジカル重合性基を有する単量体とを反応させて得られる樹脂；エポキシ樹脂の末端に（メタ）アクリル酸等を反応させた（メタ）アクリル基を有するエポキシアクリレートが挙げられる。
反応性基を有するビニル単量体の具体例としては、例えば、ヒドロキシ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等のアクリル系単量体が挙げられる。
ビニル単量体由来の反応性基と反応し得る基を有し、かつ、ラジカル重合性基を有する単量体の具体例としては、（メタ）アクリル酸、イソシアナート基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
不飽和ポリエステルとしては、不飽和基を有するカルボン酸（フマル酸等）をジオールと縮合した不飽和ポリエステルが挙げられる。
基材２０は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意成分を含んでもよい。任意成分の例としては、例えば、無機充填材、着色剤、硬化剤、老化防止剤、光安定剤、難燃剤、導電剤、帯電防止剤、可塑剤等が挙げられる。
（メタ）アクリル樹脂としては、反応性基を有するビニル単量体の重合体と、ビニル単量体由来の反応性基と反応し得る基を有し、かつ、ラジカル重合性基を有する単量体とを反応させて得られる樹脂；エポキシ樹脂の末端に（メタ）アクリル酸等を反応させた（メタ）アクリル基を有するエポキシアクリレートが挙げられる。
反応性基を有するビニル単量体の具体例としては、例えば、ヒドロキシ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等のアクリル系単量体が挙げられる。
ビニル単量体由来の反応性基と反応し得る基を有し、かつ、ラジカル重合性基を有する単量体の具体例としては、（メタ）アクリル酸、イソシアナート基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
不飽和ポリエステルとしては、不飽和基を有するカルボン酸（フマル酸等）をジオールと縮合した不飽和ポリエステルが挙げられる。
基材２０は、本発明の効果を損なわない範囲で、任意成分を含んでもよい。任意成分の例としては、例えば、無機充填材、着色剤、硬化剤、老化防止剤、光安定剤、難燃剤、導電剤、帯電防止剤、可塑剤等が挙げられる。
【0065】
無機充填材としては、金属粒子、金属酸化物粒子、金属水酸化物粒子、金属窒化物系粒子等が挙げられる。より具体的には、銀粒子、銅粒子、アルミニウム粒子、ニッケル粒子、酸化亜鉛粒子、酸化アルミニウム粒子、窒化アルミニウム粒子、酸化ケイ素粒子、酸化マグネシウム粒子、窒化アルミニウム粒子、チタン粒子、窒化ホウ素粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、ダイヤモンド粒子、グラファイト粒子、カーボンナノチューブ粒子、金属ケイ素粒子、カーボンファイバー粒子、フラーレン粒子、ガラス粒子等が挙げられる。
着色剤の具体例としては、無機顔料、有機顔料、染料等が挙げられる。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
着色剤の具体例としては、無機顔料、有機顔料、染料等が挙げられる。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【0066】
電磁波吸収フィルム１０の電磁波の吸収性能のさらなる改良を考慮して、基材２０の厚さ、誘電率、電気伝導率、透磁率は適宜設定可能である。
吸収対象となる電磁波の電気的特性を考慮する場合、基材２０は高誘電率の層であってもよい。基材２０が高誘電率の層であると、電磁波吸収フィルム１０の厚さを相対的に薄くできる。
吸収対象となる電磁波の電気的特性を考慮する場合、基材２０は高誘電率の層であってもよい。基材２０が高誘電率の層であると、電磁波吸収フィルム１０の厚さを相対的に薄くできる。
【0067】
電磁波吸収フィルム１０を種々の物品の表面に適用することを目的として、基材２０の一方の面２０ｂを接着性としてもよい。基材２０の一方の面２０ｂを接着性とする場合には、面２０ｂを覆う剥離フィルムを設けてもよい。剥離フィルムは電磁波吸収フィルム１０の使用時には除去される。剥離フィルムが接着面を覆うことで、流通時の取扱性がよくなる。
例えば、基材２０の一方の面２０ｂが接着剤を含む接着層である多層構造を採用することで、基材２０の一方の面２０ｂを接着性とすることができる。
例えば、基材２０の一方の面２０ｂが接着剤を含む接着層である多層構造を採用することで、基材２０の一方の面２０ｂを接着性とすることができる。
【0068】
接着剤としては、熱により接着するヒートシールタイプの接着剤；湿潤させて貼付性を発現させる接着剤；圧力により接着する感圧性接着剤（粘着剤）等が挙げられる。これらの中でも、簡便さの観点から、粘着剤（感圧性接着剤）が好ましい。
粘着剤の具体例としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤及びゴム系粘着剤からなる群から選ばれる少なくともいずれかが好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましい。
粘着剤の具体例としては、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等が挙げられる。これらの中でも、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤及びゴム系粘着剤からなる群から選ばれる少なくともいずれかが好ましく、アクリル系粘着剤がより好ましい。
【0069】
アクリル系粘着剤としては、例えば、下記のアクリル系重合体が挙げられる。
・直鎖のアルキル基又は分岐鎖のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体（１）（すなわち、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを単量体として重合することで得られる重合体）。
・環状構造を有する（メタ）アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体（２）（すなわち、環状構造を有する（メタ）アクリレートを少なくとも重合することで得られる重合体）。
アクリル系重合体は単独重合体でも共重合体でもよい。アクリル系重合体が共重合体である場合、共重合の形態は特に限定されない。アクリル系共重合体は、ブロック共重合体でもランダム共重合体でもグラフト共重合体でもよい。
・直鎖のアルキル基又は分岐鎖のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体（１）（すなわち、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを単量体として重合することで得られる重合体）。
・環状構造を有する（メタ）アクリレートに由来する構成単位を含むアクリル系重合体（２）（すなわち、環状構造を有する（メタ）アクリレートを少なくとも重合することで得られる重合体）。
アクリル系重合体は単独重合体でも共重合体でもよい。アクリル系重合体が共重合体である場合、共重合の形態は特に限定されない。アクリル系共重合体は、ブロック共重合体でもランダム共重合体でもグラフト共重合体でもよい。
【0070】
アクリル系粘着剤としては、下記のアクリル系共重合体（Ｑ）が好ましい。
・アクリル系共重合体（Ｑ）：炭素数１～２０の鎖状アルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート（以下、「単量体成分（ｑ１’）」と記載する。）に由来する構成単位（ｑ１）と官能基含有モノマー（以下、「単量体成分（ｑ２’）」と記載する。）に由来する構成単位（ｑ２）とを含む共重合体。
アクリル系共重合体（Ｑ）は、構成単位（ｑ１）及び構成単位（ｑ２）以外のその他の構成単位（ｑ３）をさらに含んでもよい。構成単位（ｑ３）は、単量体成分（ｑ１’）及び単量体成分（ｑ２’）以外の他の単量体成分（ｑ３’）に由来する構成単位である。
・アクリル系共重合体（Ｑ）：炭素数１～２０の鎖状アルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート（以下、「単量体成分（ｑ１’）」と記載する。）に由来する構成単位（ｑ１）と官能基含有モノマー（以下、「単量体成分（ｑ２’）」と記載する。）に由来する構成単位（ｑ２）とを含む共重合体。
アクリル系共重合体（Ｑ）は、構成単位（ｑ１）及び構成単位（ｑ２）以外のその他の構成単位（ｑ３）をさらに含んでもよい。構成単位（ｑ３）は、単量体成分（ｑ１’）及び単量体成分（ｑ２’）以外の他の単量体成分（ｑ３’）に由来する構成単位である。
【0071】
単量体成分（ｑ１’）が有する鎖状アルキル基の炭素数としては、粘着特性の向上の観点から、１～１２が好ましく、４～８がより好ましく、４～６がさらに好ましい。単量体成分（ｑ１’）の具体例としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、ブチル（メタ）アクリレート及び２－エチルヘキシル（メタ）アクリレートが好ましく、ブチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【0072】
単量体成分（ｑ２’）としては、例えば、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、シアノ基含有モノマー、ケト基含有モノマー、アルコキシシリル基含有モノマー等が挙げられる。これらの中でも、ヒドロキシ基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましい。
ヒドロキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。
カルボキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等が挙げられ、（メタ）アクリル酸が好ましい。
エポキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
アミノ基含有モノマーの具体例としては、例えばジアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
シアノ基含有モノマーの具体例としては、例えばアクリロニトリル等が挙げられる。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
ヒドロキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートが好ましい。
カルボキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等が挙げられ、（メタ）アクリル酸が好ましい。
エポキシ基含有モノマーの具体例としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
アミノ基含有モノマーの具体例としては、例えばジアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
シアノ基含有モノマーの具体例としては、例えばアクリロニトリル等が挙げられる。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【0073】
単量体成分（ｑ３’）としては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレート、アクリロイルモルフォリン等の環状構造を有する（メタ）アクリレート；酢酸ビニル；スチレン等が挙げられる。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【0074】
構成単位（ｑ１）の含有量は、アクリル系共重合体（Ｑ）の全構成単位１００質量％に対して、５０～９９．５質量％が好ましく、５５質量％～９９質量％がより好ましく、６０～９７質量％がさらに好ましく、６５～９５質量％が特に好ましい。
構成単位（ｑ２）の含有量は、アクリル系共重合体（Ｑ）の全構成単位１００質量％に対して、０．１～５０質量％が好ましく、０．５～４０質量％がより好ましく、１．０～３０質量％がさらに好ましく、１．５～２０質量％が特に好ましい。
構成単位（ｑ３）の含有量は、アクリル系共重合体（Ｑ）の全構成単位１００質量％に対して、０～４０質量％が好ましく、０～３０質量％がより好ましく、０～２５質量％がさらに好ましく、０～２０質量％が特に好ましい。
構成単位（ｑ２）の含有量は、アクリル系共重合体（Ｑ）の全構成単位１００質量％に対して、０．１～５０質量％が好ましく、０．５～４０質量％がより好ましく、１．０～３０質量％がさらに好ましく、１．５～２０質量％が特に好ましい。
構成単位（ｑ３）の含有量は、アクリル系共重合体（Ｑ）の全構成単位１００質量％に対して、０～４０質量％が好ましく、０～３０質量％がより好ましく、０～２５質量％がさらに好ましく、０～２０質量％が特に好ましい。
【0075】
アクリル系共重合体は架橋剤により架橋されていてもよい。架橋剤としては、例えば、エポキシ系架橋剤、イソシアネート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、金属キレート系架橋剤等が挙げられる。アクリル系共重合体を架橋する場合には、単量体成分（ｑ２’）に由来する官能基を、架橋剤と反応する架橋点として利用できる。
【0076】
耐衝撃性の向上等を目的として、接着層は紫外線、可視エネルギー線、赤外線、電子線等のエネルギー線で硬化する材質で構成してもよい。この場合、接着層はエネルギー線硬化性の成分を含む。
エネルギー線硬化性の成分としては、例えばエネルギー線が紫外線である場合には、一分子中に紫外線重合性の官能基を２つ以上有する化合物等が挙げられる。一分子中に紫外線重合性の官能基を２つ以上有する化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、エポキシ変性（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
エネルギー線硬化性の成分としては、例えばエネルギー線が紫外線である場合には、一分子中に紫外線重合性の官能基を２つ以上有する化合物等が挙げられる。一分子中に紫外線重合性の官能基を２つ以上有する化合物の具体例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエンジメトキシジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、オリゴエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマー、エポキシ変性（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【0077】
接着層がエネルギー線硬化性である場合、光重合開始剤の併用が好ましい。光重合開始剤により、硬化速度が高くなる。
光重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサントン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、２－クロロアンスラキノン、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、２－ベンゾチアゾール－Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバメート、オリゴ｛２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－プロペニル）フェニル］プロパノン｝等が挙げられる。
光重合開始剤の具体例としては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサントン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、２－クロロアンスラキノン、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、２－ベンゾチアゾール－Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバメート、オリゴ｛２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－プロペニル）フェニル］プロパノン｝等が挙げられる。
【0078】
電磁波吸収フィルム１０は、例えば、下記の方法によって製造できる。
まず、基材２０を準備する。次いで、基材２０の一方の面２０ａに第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３を形成する。
ここで、第１の電磁波吸収パターン１を形成する際には、第１の電磁波吸収パターン１によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＡ［ＧＨｚ］となるように形成する。
第２の電磁波吸収パターン２を形成する際には、第２の電磁波吸収パターン２によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＢ［ＧＨｚ］となるように形成する。
第３の電磁波吸収パターン３を形成する際には、第３の電磁波吸収パターン３によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＣ［ＧＨｚ］となるように形成する。
第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３を形成する順序は特に限定されない。第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３は、同一の工程内で形成してもよく、それぞれ別々の工程で形成してもよい。
まず、基材２０を準備する。次いで、基材２０の一方の面２０ａに第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３を形成する。
ここで、第１の電磁波吸収パターン１を形成する際には、第１の電磁波吸収パターン１によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＡ［ＧＨｚ］となるように形成する。
第２の電磁波吸収パターン２を形成する際には、第２の電磁波吸収パターン２によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＢ［ＧＨｚ］となるように形成する。
第３の電磁波吸収パターン３を形成する際には、第３の電磁波吸収パターン３によって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＣ［ＧＨｚ］となるように形成する。
第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３を形成する順序は特に限定されない。第１の電磁波吸収パターン１、第２の電磁波吸収パターン２及び第３の電磁波吸収パターン３は、同一の工程内で形成してもよく、それぞれ別々の工程で形成してもよい。
【0079】
各電磁波吸収パターンの形成方法は、所定の周波数を形成できる態様であれば特に限定されない。各電磁波吸収パターンの形成方法の例としては、例えば、下記の方法がある。
・導電性ペーストを用いて基材２０の一方の面２０ａに各電磁波吸収パターンを印刷する印刷方法。
・基材２０の一方の面２０ａに各電磁波吸収パターンを現像する現像方法。
・スパッタ法、真空蒸着又は金属箔の積層によって基材２０の一方の面２０ａに金属薄膜を設け、フォトリソグラフィによって金属薄膜のパターンを基材２０の一方の面２０ａに形成する方法。
・金属ワイヤーを基材２０の一方の面２０ａに配置する方法。
・導電性ペーストを用いて基材２０の一方の面２０ａに各電磁波吸収パターンを印刷する印刷方法。
・基材２０の一方の面２０ａに各電磁波吸収パターンを現像する現像方法。
・スパッタ法、真空蒸着又は金属箔の積層によって基材２０の一方の面２０ａに金属薄膜を設け、フォトリソグラフィによって金属薄膜のパターンを基材２０の一方の面２０ａに形成する方法。
・金属ワイヤーを基材２０の一方の面２０ａに配置する方法。
【0080】
印刷方法では、基材２０の一方の面２０ａに各電磁波吸収パターンを印刷して図形である各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３を形成する。印刷方法は特に限定されない。例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の方法が挙げられる。
印刷に使用する導電性ペーストとしては、例えば、金属粒子、カーボンナノ粒子及びカーボンファイバーからなる群より選ばれる少なくとも１種以上とバインダー樹脂成分とを含むペースト状の組成物が挙げられる。金属粒子としては、銅、銀、ニッケル、アルミニウム等の金属の粒子が挙げられる。バインダー樹脂成分としては、例えば、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、アミノ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。ただし、金属粒子及びバインダー樹脂成分はこれらの例示に限定されない。
導電性ペーストは、さらにカーボンブラック等の黒色顔料を含んでもよい。導電性ペーストが黒色顔料をさらに含むと、印刷された電磁波吸収パターンを構成する金属粉末の金属光沢を抑え、外光の反射を抑制できる。
印刷に使用する導電性ペーストとしては、例えば、金属粒子、カーボンナノ粒子及びカーボンファイバーからなる群より選ばれる少なくとも１種以上とバインダー樹脂成分とを含むペースト状の組成物が挙げられる。金属粒子としては、銅、銀、ニッケル、アルミニウム等の金属の粒子が挙げられる。バインダー樹脂成分としては、例えば、ポリエステル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、アミノ樹脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。ただし、金属粒子及びバインダー樹脂成分はこれらの例示に限定されない。
導電性ペーストは、さらにカーボンブラック等の黒色顔料を含んでもよい。導電性ペーストが黒色顔料をさらに含むと、印刷された電磁波吸収パターンを構成する金属粉末の金属光沢を抑え、外光の反射を抑制できる。
【0081】
現像方法では、基材２０の一方の面２０ａに電磁波吸収パターンを現像して図形である各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３を形成する。
現像方法としては、露光マスクに覆われず、露光された部分に現像物が発現するネガ型の現像方法と露光マスクに覆われ、未露光の部分には現像物が発現するポジ型の現像方法がある。すなわち、ネガ型の現像方法では、露光マスクと反対の形に現像物として各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３が形成される。一方、ポジ型の現像方法では、露光マスクと同じ形に現像物として各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３が形成される。現像物に用いる金属としては通常、銀が使用される。
現像方法としては、露光マスクに覆われず、露光された部分に現像物が発現するネガ型の現像方法と露光マスクに覆われ、未露光の部分には現像物が発現するポジ型の現像方法がある。すなわち、ネガ型の現像方法では、露光マスクと反対の形に現像物として各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３が形成される。一方、ポジ型の現像方法では、露光マスクと同じ形に現像物として各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３が形成される。現像物に用いる金属としては通常、銀が使用される。
【0082】
フォトリソグラフィによる電磁波吸収パターンの形成方法の一例としては、例えば、下記の方法がある。
まず、基材２０の表面にレジストを塗布し、熱処理した後、レジストから溶媒を除去する。次に、レジストに所望のパターンを露光し、レジストパターンを現像してレジストパターンからなる層を形成する。次に、基材とレジストパターンからなる層の上に、全面にわたって蒸着膜を形成し、レジスト剥離剤を用いてレジストパターンからなる層とその上に乗っている蒸着膜とを同時に除去する。これにより、基材の表面に電磁波吸収パターンを形成できる。
その他の一例として、基材２０上に金属薄膜を設け、金属薄膜の表面の一部にレジストを塗布し、熱処理する。次に、エッチング処理によりレジストが塗布されていない部分の金属薄膜を除去する。その後、必要に応じレジストを除去し、電磁波吸収パターンを形成する。各電磁波吸収パターンを構成する各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３の表面には、図示略の金属メッキ層をさらに設けてもよい。
まず、基材２０の表面にレジストを塗布し、熱処理した後、レジストから溶媒を除去する。次に、レジストに所望のパターンを露光し、レジストパターンを現像してレジストパターンからなる層を形成する。次に、基材とレジストパターンからなる層の上に、全面にわたって蒸着膜を形成し、レジスト剥離剤を用いてレジストパターンからなる層とその上に乗っている蒸着膜とを同時に除去する。これにより、基材の表面に電磁波吸収パターンを形成できる。
その他の一例として、基材２０上に金属薄膜を設け、金属薄膜の表面の一部にレジストを塗布し、熱処理する。次に、エッチング処理によりレジストが塗布されていない部分の金属薄膜を除去する。その後、必要に応じレジストを除去し、電磁波吸収パターンを形成する。各電磁波吸収パターンを構成する各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３の表面には、図示略の金属メッキ層をさらに設けてもよい。
【0083】
金属ワイヤーを構成する金属の具体例としては、各単位ｕ１，ｕ２，ｕ３の材質として上述した金属と同様の金属が挙げられる。加えて、金属ワイヤーは錫、亜鉛、銀、ニッケル、クロム、ニッケルクロム合金、はんだ等でめっきされてもよく、炭素材料、ポリマー等により表面が被覆されていてもよい。金属ワイヤーの表面を被覆する炭素材料としては、カーボンブラック、活性炭、ハードカーボン、ソフトカーボン、メソポーラスカーボン、カーボンファイバー等の非晶質炭素；グラファイト；フラーレン；グラフェン；カーボンナノチューブ等が挙げられる。
【0084】
（作用効果）
以上説明したように、本発明の電磁波吸収フィルムにあっては、吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＡ［ＧＨｚ］である第１の電磁波吸収パターンと、吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＢ［ＧＨｚ］である第２の電磁波吸収パターンと、吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＣ［ＧＨｚ］である第３の電磁波吸収パターンとを有する。そして、第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンが同一の平板状の基材に形成されている。
そのため、各電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波が互いに充分に重なり合い、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯が広くなる。その結果、電磁波吸収フィルムの吸収特性が周囲環境の部材の影響を受けて、所定の周波数から変化し得る場合であっても、変化後の周波数が電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な周波数帯の範囲内におさまる確率が従来と比較して飛躍的に高くなる。
このように、本発明の電磁波吸収フィルムは周囲環境に配置されている部材、周囲環境の温度等の周囲環境の影響を受けにくく、設計時に吸収対象として予定していた周波数の電磁波を充分に吸収できる。
以上説明したように、本発明の電磁波吸収フィルムにあっては、吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＡ［ＧＨｚ］である第１の電磁波吸収パターンと、吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＢ［ＧＨｚ］である第２の電磁波吸収パターンと、吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値がＣ［ＧＨｚ］である第３の電磁波吸収パターンとを有する。そして、第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンが同一の平板状の基材に形成されている。
そのため、各電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波が互いに充分に重なり合い、電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な電磁波の周波数帯が広くなる。その結果、電磁波吸収フィルムの吸収特性が周囲環境の部材の影響を受けて、所定の周波数から変化し得る場合であっても、変化後の周波数が電磁波吸収フィルム全体で吸収可能な周波数帯の範囲内におさまる確率が従来と比較して飛躍的に高くなる。
このように、本発明の電磁波吸収フィルムは周囲環境に配置されている部材、周囲環境の温度等の周囲環境の影響を受けにくく、設計時に吸収対象として予定していた周波数の電磁波を充分に吸収できる。
【0085】
＜電磁波吸収シート＞
以下、本発明の電磁波吸収シートについて説明する。
図９は、本発明の電磁波吸収シートの一例を示す断面図である。
図９に示すように、電磁波吸収シート５０は、本発明の電磁波吸収フィルム１０とスペーサーフィルム３０と反射フィルム４０とを有する。
以下、本発明の電磁波吸収シートについて説明する。
図９は、本発明の電磁波吸収シートの一例を示す断面図である。
図９に示すように、電磁波吸収シート５０は、本発明の電磁波吸収フィルム１０とスペーサーフィルム３０と反射フィルム４０とを有する。
【0086】
（スペーサーフィルム）
スペーサーフィルム３０は、電磁波吸収フィルム１０が有する基材２０の一方の面２０ｂに設けられている。
スペーサーフィルム３０は２つの面３０ａ，３０ｂを有する。スペーサーフィルム３０の一方の面３０ａは、基材２０の一方の面２０ｂと接している。スペーサーフィルム３０の一方の面３０ｂには、反射フィルム４０が設けられている。
スペーサーフィルム３０は、単層構造でも多層構造でもよい。
スペーサーフィルム３０は、電磁波吸収フィルム１０が有する基材２０の一方の面２０ｂに設けられている。
スペーサーフィルム３０は２つの面３０ａ，３０ｂを有する。スペーサーフィルム３０の一方の面３０ａは、基材２０の一方の面２０ｂと接している。スペーサーフィルム３０の一方の面３０ｂには、反射フィルム４０が設けられている。
スペーサーフィルム３０は、単層構造でも多層構造でもよい。
【0087】
スペーサーフィルム３０の材料は、電磁波吸収フィルムの用途に応じて適宜選択できる。例えば、電磁波吸収フィルムの透明性の具備を目的として、スペーサーフィルム３０を透明な材料で構成してもよい。他にも、電磁波吸収フィルムの曲面に対する追従性の具備を目的として、スペーサーフィルム３０を柔軟性のある材料で構成してもよい。
柔軟性のある材料としては、プラスチックフィルム、ゴム、紙、布、不織布、発泡シート、ゴムシート等が挙げられる。これらの中でも、電磁波吸収シート５０の曲面に対する追従性の点から、発泡シートが好ましい。
プラスチックフィルムを構成する樹脂の具体例としては、例えば、上述の基材２０について説明した熱可塑性樹脂と同様のものを用いることができる。
発泡シートとしては、例えば、前記プラスチックフィルムを構成する樹脂を発泡させ、シート状に形成した発泡シートを用いることができる。発泡シートの具体例としては、ポリエチレンフォーム、ポリプロピレンフォーム、ポリウレタンフォーム等が挙げられる。
柔軟性のある材料としては、プラスチックフィルム、ゴム、紙、布、不織布、発泡シート、ゴムシート等が挙げられる。これらの中でも、電磁波吸収シート５０の曲面に対する追従性の点から、発泡シートが好ましい。
プラスチックフィルムを構成する樹脂の具体例としては、例えば、上述の基材２０について説明した熱可塑性樹脂と同様のものを用いることができる。
発泡シートとしては、例えば、前記プラスチックフィルムを構成する樹脂を発泡させ、シート状に形成した発泡シートを用いることができる。発泡シートの具体例としては、ポリエチレンフォーム、ポリプロピレンフォーム、ポリウレタンフォーム等が挙げられる。
【0088】
スペーサーフィルム３０による波長短縮効果を考慮する場合、スペーサーフィルム３０の厚さは、吸収対象となる電磁波の波長及びスペーサーフィルム３０の比誘電率に合わせて適宜変更される。
スペーサーフィルム３０による波長短縮効果を考慮する場合、スペーサーフィルム３０のｚ軸方向の厚みは、下式（８）を満たすことが好ましい。
（スペーサーフィルム３０のｚ軸方向の厚み）＝（λ）×（１／４）／（ε）１／２ ・・・式（８）
式（８）中、λは飛来する電磁波の波長であり、εはスペーサーフィルム３０の比誘電率である。
スペーサーフィルム３０による波長短縮効果を考慮する場合、スペーサーフィルム３０のｚ軸方向の厚みは、下式（８）を満たすことが好ましい。
（スペーサーフィルム３０のｚ軸方向の厚み）＝（λ）×（１／４）／（ε）１／２ ・・・式（８）
式（８）中、λは飛来する電磁波の波長であり、εはスペーサーフィルム３０の比誘電率である。
【0089】
スペーサーフィルム３０のｚ軸方向の厚みと波長λとの関係が式（８）を満たす場合、電磁波吸収シート５０はいわゆるλ／４構造となる。これにより、電磁波吸収シート５０による電磁波の吸収量の極大値がさらに高くなる。
スペーサーフィルム３０の厚さは、吸収対象となる電磁波の波長λに応じて適宜設定できる。スペーサーフィルム３０の厚さは、例えば、２５～５０００［μｍ］でもよく、５０～４５００［μｍ］でもよく、１００～４０００［μｍ］でもよい。
スペーサーフィルム３０は高誘電率の材質で構成してもよい。スペーサーフィルム３０が高誘電率の層であると、スペーサーフィルム３０の厚さを相対的に薄くできる。
スペーサーフィルム３０の誘電率を考慮する場合、スペーサーフィルム３０はチタン酸バリウム、酸化チタン、チタン酸ストロンチウムからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含むことが好ましい。
スペーサーフィルム３０の厚さは、吸収対象となる電磁波の波長λに応じて適宜設定できる。スペーサーフィルム３０の厚さは、例えば、２５～５０００［μｍ］でもよく、５０～４５００［μｍ］でもよく、１００～４０００［μｍ］でもよい。
スペーサーフィルム３０は高誘電率の材質で構成してもよい。スペーサーフィルム３０が高誘電率の層であると、スペーサーフィルム３０の厚さを相対的に薄くできる。
スペーサーフィルム３０の誘電率を考慮する場合、スペーサーフィルム３０はチタン酸バリウム、酸化チタン、チタン酸ストロンチウムからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含むことが好ましい。
【0090】
スペーサーフィルム３０は、プラスチックフィルム、発泡シート、ゴムシートからなる群から選ばれる少なくとも１種以上を含むことが好ましく、これらの中でも発泡シートを含むことがより好ましい。スペーサーフィルム３０は、プラスチックフィルム、発泡シート、ゴムシートからなる群から選ばれる少なくとも１種以上であると、電磁波吸収シート５０の曲面に対する追従性が向上する。
スペーサーフィルム３０は、単一のシートからなる単層構造でも、複数のシートの積層物である多層構造でもよい。スペーサーフィルム３０を構成するシートの材質及び構造は、電磁波吸収シートの用途に応じて適宜選択できる。
スペーサーフィルム３０は、単一のシートからなる単層構造でも、複数のシートの積層物である多層構造でもよい。スペーサーフィルム３０を構成するシートの材質及び構造は、電磁波吸収シートの用途に応じて適宜選択できる。
【0091】
スペーサーフィルム３０の２つの面３０ａ、３０ｂは、接着性であることが好ましい。これにより、２つの面３０ａ、３０ｂのそれぞれに、電磁波吸収フィルム１０及び反射フィルム４０を貼り合わせることができる。例えば、２つの面３０ａ、３０ｂが接着剤を含む接着層である多層構造を採用することで、２つの面３０ａ、３０ｂを接着性とすることができる。
接着層の詳細及び好ましい態様については、基材２０における接着層について説明した内容と同内容とすることができる。
接着層の詳細及び好ましい態様については、基材２０における接着層について説明した内容と同内容とすることができる。
【0092】
（反射フィルム）
反射フィルム４０はスペーサーフィルム３０の一方の面３０ｂに設けられている。
反射フィルム４０は２つの面４０ａ，４０ｂを有する。反射フィルム４０の一方の面４０ａは、反射フィルム４０の一方の面４０ｂと接している。
反射フィルム４０は、電磁波吸収フィルム１０の表面に飛来し、電磁波吸収フィルム１０を透過した電磁波を反射できる形態であれば、特に限定されない。電磁波吸収シート５０に飛来する電磁波のうち、一部は電磁波吸収フィルム１０で反射されるか、電磁波吸収フィルム１０に吸収される。一方で、電磁波吸収フィルム１０で反射も吸収もされなかった電磁波は、電磁波吸収フィルム１０を透過する。電磁波吸収フィルム１０を透過した電磁波は、反射フィルム４０で電磁波吸収フィルム１０に向けて反射される。
例えば、２つの面４０ａ，４０ｂの面方向において反射フィルム４０が導電性を具備する形態であれば、電磁波吸収フィルム１０を透過した電磁波を反射できる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムに銅箔等の金属箔を貼り合わせたものを反射フィルム４０として使用してもよい。金属箔の代わりに、ＩＴＯ等の当面導電膜、金属ワイヤー等で形成されたメッシュシートを使用してもよい。
反射フィルム４０はスペーサーフィルム３０の一方の面３０ｂに設けられている。
反射フィルム４０は２つの面４０ａ，４０ｂを有する。反射フィルム４０の一方の面４０ａは、反射フィルム４０の一方の面４０ｂと接している。
反射フィルム４０は、電磁波吸収フィルム１０の表面に飛来し、電磁波吸収フィルム１０を透過した電磁波を反射できる形態であれば、特に限定されない。電磁波吸収シート５０に飛来する電磁波のうち、一部は電磁波吸収フィルム１０で反射されるか、電磁波吸収フィルム１０に吸収される。一方で、電磁波吸収フィルム１０で反射も吸収もされなかった電磁波は、電磁波吸収フィルム１０を透過する。電磁波吸収フィルム１０を透過した電磁波は、反射フィルム４０で電磁波吸収フィルム１０に向けて反射される。
例えば、２つの面４０ａ，４０ｂの面方向において反射フィルム４０が導電性を具備する形態であれば、電磁波吸収フィルム１０を透過した電磁波を反射できる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムに銅箔等の金属箔を貼り合わせたものを反射フィルム４０として使用してもよい。金属箔の代わりに、ＩＴＯ等の当面導電膜、金属ワイヤー等で形成されたメッシュシートを使用してもよい。
【0093】
反射フィルム４０の反射特性を考慮して反射フィルム４０の一方の面４０ｂの表面に金属ワイヤー、導電性糸、金属ワイヤー及び導電性糸を含む撚糸、導電性薄膜を設けてもよい。導電性薄膜は、例えば、スクリーン印刷、グラビア印刷、インクジェット方式等の印刷方法；スパッタ法又は真空蒸着；フォトリソグラフィによって面４０ｂに設けることができる。
【0094】
スペーサーフィルム３０を金属等の導電性を具備する物体に貼り付ける場合には、金属等の導電性を具備する物体が反射フィルム４０の役割を果たすため、反射フィルム４０は省略できる。
【0095】
以上説明した本発明の電磁波吸収シート５０にあっては、本発明の電磁波吸収フィルム１０を有するため、周囲環境に配置されている部材、周囲環境の温度等の周囲環境の影響を受けにくく、周波数が変化した後の電磁波でも充分に吸収できる。
加えて、電磁波吸収シート５０はスペーサーフィルム３０と反射フィルム４０とをさらに有するため、電磁波吸収フィルム１０の表面に飛来し、電磁波吸収フィルム１０透過した電磁波を反射フィルム４０で効果的に反射できる。その後、反射フィルム４０で反射した電磁波が、電磁波吸収フィルム１０で再度、吸収又は反射されるため、電磁波吸収シート５０全体で電磁波の吸収量が高くなる。
加えて、電磁波吸収シート５０はスペーサーフィルム３０と反射フィルム４０とをさらに有するため、電磁波吸収フィルム１０の表面に飛来し、電磁波吸収フィルム１０透過した電磁波を反射フィルム４０で効果的に反射できる。その後、反射フィルム４０で反射した電磁波が、電磁波吸収フィルム１０で再度、吸収又は反射されるため、電磁波吸収シート５０全体で電磁波の吸収量が高くなる。
【実施例】
【0096】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の記載によっては限定されない。
【0097】
＜測定方法＞
（吸収率のピーク値）
作製した電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートについて、フリースペース型Ｓパラメータ法によってベクトルネットワークアナライザ（キーサイト社製「Ｎ５２９０Ａ」）を用いて、電磁波の反射特性（Ｓ１１）及び透過特性（Ｓ２１）を測定した。次に、下式（９）により吸収率を算出し、吸収率の波形から極大値を示す周波数の値を求め、吸収率のピーク値とした。本実施例及び比較例においては、５０～１１０［ＧＨｚ］の帯域で反射特性（Ｓ１１）及び透過特性（Ｓ２１）を測定した。
吸収率［％］＝１００－反射率（Ｓ１１）－透過率（Ｓ２１） ・・・式（９）
（吸収率のピーク値）
作製した電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートについて、フリースペース型Ｓパラメータ法によってベクトルネットワークアナライザ（キーサイト社製「Ｎ５２９０Ａ」）を用いて、電磁波の反射特性（Ｓ１１）及び透過特性（Ｓ２１）を測定した。次に、下式（９）により吸収率を算出し、吸収率の波形から極大値を示す周波数の値を求め、吸収率のピーク値とした。本実施例及び比較例においては、５０～１１０［ＧＨｚ］の帯域で反射特性（Ｓ１１）及び透過特性（Ｓ２１）を測定した。
吸収率［％］＝１００－反射率（Ｓ１１）－透過率（Ｓ２１） ・・・式（９）
【0098】
（吸収量のピーク幅）
作製した電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートについて、フリースペース型Ｓパラメータ法によってベクトルネットワークアナライザ（キーサイト社製「Ｎ５２９０Ａ」）を用いて、５０～１１０ＧＨｚの帯域で電磁波の反射特性（Ｓ１１）及び透過特性（Ｓ２１）を測定し、式（９）により吸収率を算出した。次に、横軸に周波数をプロットし、縦軸に算出した吸収率をプロットした吸収スペクトル図を作成した。
この吸収スペクトル図において、吸収率が最大値となるピークの半値幅を吸収量のピーク幅とした。すなわち、当該ピークにおいて、ピークの縦軸方向の高さが最大値の５０％となるときの、ピークの横軸方向の幅（半値幅）を、吸収量のピーク幅とした。
作製した電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートについて、フリースペース型Ｓパラメータ法によってベクトルネットワークアナライザ（キーサイト社製「Ｎ５２９０Ａ」）を用いて、５０～１１０ＧＨｚの帯域で電磁波の反射特性（Ｓ１１）及び透過特性（Ｓ２１）を測定し、式（９）により吸収率を算出した。次に、横軸に周波数をプロットし、縦軸に算出した吸収率をプロットした吸収スペクトル図を作成した。
この吸収スペクトル図において、吸収率が最大値となるピークの半値幅を吸収量のピーク幅とした。すなわち、当該ピークにおいて、ピークの縦軸方向の高さが最大値の５０％となるときの、ピークの横軸方向の幅（半値幅）を、吸収量のピーク幅とした。
【0099】
＜実施例１＞
ポリエチレンテレフタレートを含み、厚みが５０［μｍ］であるＰＥＴフィルム上に、第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンを形成し、図１に示すような実施例１の電磁波吸収フィルムを作製した。図１に示す各パターンの間隔ｄ１，ｄ２，ｄ３は，すべて１［ｍｍ］とした。
第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンの形状は、図３，５，７にそれぞれ示す十字状とした。第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンの厚みは、いずれも１８［μｍ］とした。また、第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンの材質として、いずれも銅を使用した。
ポリエチレンテレフタレートを含み、厚みが５０［μｍ］であるＰＥＴフィルム上に、第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンを形成し、図１に示すような実施例１の電磁波吸収フィルムを作製した。図１に示す各パターンの間隔ｄ１，ｄ２，ｄ３は，すべて１［ｍｍ］とした。
第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンの形状は、図３，５，７にそれぞれ示す十字状とした。第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンの厚みは、いずれも１８［μｍ］とした。また、第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンの材質として、いずれも銅を使用した。
【0100】
ここで、表１に示すように図３に示すＬ１は１．３［ｍｍ］とし、図５に示すＬ２は１．２［ｍｍ］とし、図７に示すＬ３は１．４［ｍｍ］とした。この場合、表２に示すように、第１の単位ｕ１で構成される第１の電磁波吸収パターンは、周波数Ａが７９［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。すなわち、第１の電磁波吸収パターンによる電磁波の吸収量のピークは、７９［ＧＨｚ］の周波数帯に位置する。
また、第２の単位ｕ２で構成される第２の電磁波吸収パターンは、周波数Ｂが８６［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。すなわち、第２の電磁波吸収パターンによる電磁波の吸収量のピークは、８６［ＧＨｚ］の周波数帯に位置する。
そして、第３の単位ｕ３で構成される第３の電磁波吸収パターンは、周波数Ｃが７６［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。すなわち、第３の電磁波吸収パターンによる電磁波の吸収量のピークは、７６［ＧＨｚ］の周波数帯に位置する。
実施例１では、以上の３種類の電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
なお、各電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数は、上述の方法Ｘによって測定した。
また、第２の単位ｕ２で構成される第２の電磁波吸収パターンは、周波数Ｂが８６［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。すなわち、第２の電磁波吸収パターンによる電磁波の吸収量のピークは、８６［ＧＨｚ］の周波数帯に位置する。
そして、第３の単位ｕ３で構成される第３の電磁波吸収パターンは、周波数Ｃが７６［ＧＨｚ］である電磁波を吸収する。すなわち、第３の電磁波吸収パターンによる電磁波の吸収量のピークは、７６［ＧＨｚ］の周波数帯に位置する。
実施例１では、以上の３種類の電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
なお、各電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数は、上述の方法Ｘによって測定した。
【0101】
＜実施例２＞
Ｌ２、Ｌ３の長さを表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の電磁波吸収フィルムを作製した。
この場合、各電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数Ａ、Ｂ、Ｃは、表２に示す通りとなる。
実施例２では、表２に示す周波数Ａ、Ｂ、Ｃの３種類の電磁波を選択的に吸収する各電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
Ｌ２、Ｌ３の長さを表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の電磁波吸収フィルムを作製した。
この場合、各電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数Ａ、Ｂ、Ｃは、表２に示す通りとなる。
実施例２では、表２に示す周波数Ａ、Ｂ、Ｃの３種類の電磁波を選択的に吸収する各電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
【0102】
＜実施例３＞
第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンに加えて、下記の電磁波吸収パターン２ａ、電磁波吸収パターン２ｂ、電磁波吸収パターン３ａ、電磁波吸収パターン３ｂをＰＥＴフィルム上に形成し、さらにＬ２、Ｌ３の長さを表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして実施例３の電磁波吸収フィルムを作製した。
・電磁波吸収パターン２ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（４）を満たすＤ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン２ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（５）を満たすＥ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン３ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（６）を満たすＦ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン３ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（７）を満たすＧ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
１．０３７×Ａ≦Ｄ＜１．０９×Ａ ・・・式（４）
１．０９×Ａ≦Ｅ＜１．１７×Ａ ・・・式（５）
０．９１×Ａ＜Ｆ≦０．９６３×Ａ ・・・式（６）
０．８３×Ａ＜Ｇ≦０．９１×Ａ ・・・式（７）
第１の電磁波吸収パターン、第２の電磁波吸収パターン及び第３の電磁波吸収パターンに加えて、下記の電磁波吸収パターン２ａ、電磁波吸収パターン２ｂ、電磁波吸収パターン３ａ、電磁波吸収パターン３ｂをＰＥＴフィルム上に形成し、さらにＬ２、Ｌ３の長さを表１に示すように変更した以外は実施例１と同様にして実施例３の電磁波吸収フィルムを作製した。
・電磁波吸収パターン２ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（４）を満たすＤ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン２ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（５）を満たすＥ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン３ａ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（６）を満たすＦ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
・電磁波吸収パターン３ｂ：吸収される電磁波の吸収量が極大値を示す周波数の値が、下式（７）を満たすＧ［ＧＨｚ］である電磁波吸収パターン。
１．０３７×Ａ≦Ｄ＜１．０９×Ａ ・・・式（４）
１．０９×Ａ≦Ｅ＜１．１７×Ａ ・・・式（５）
０．９１×Ａ＜Ｆ≦０．９６３×Ａ ・・・式（６）
０．８３×Ａ＜Ｇ≦０．９１×Ａ ・・・式（７）
【0103】
ここで、電磁波吸収パターン２ａは、第２の単位ｕ２ａで構成した。同様に、電磁波吸収パターン２ｂ、電磁波吸収パターン３ａ、電磁波吸収パターン３ｂのそれぞれは、第２の単位ｕ２ｂ、第３の単位ｕ３ａ、第３の単位ｕ３ｂでそれぞれ構成した。
第２の単位ｕ２ａ、第２の単位ｕ２ｂ、第３の単位ｕ３ａ、第３の単位ｕ３ｂの形状はいずれも、第１の単位ｕ１と同様の十字状とした。
第２の単位ｕ２ａのｘ軸方向の長さＬ４、第２の単位ｕ２ｂのｘ軸方向の長さＬ５、第３の単位ｕ３ａのｘ軸方向の長さＬ６、第３の単位ｕ３ｂのｘ軸方向の長さＬ７のそれぞれは、表１に示す値とした。そして、各電磁波吸収パターンの間隔はすべて１［ｍｍ］とした。
この場合、各電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数は、表２に示す通りとなる。このように、実施例３では、表２に示す７種類の周波数を選択的に吸収する電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
第２の単位ｕ２ａ、第２の単位ｕ２ｂ、第３の単位ｕ３ａ、第３の単位ｕ３ｂの形状はいずれも、第１の単位ｕ１と同様の十字状とした。
第２の単位ｕ２ａのｘ軸方向の長さＬ４、第２の単位ｕ２ｂのｘ軸方向の長さＬ５、第３の単位ｕ３ａのｘ軸方向の長さＬ６、第３の単位ｕ３ｂのｘ軸方向の長さＬ７のそれぞれは、表１に示す値とした。そして、各電磁波吸収パターンの間隔はすべて１［ｍｍ］とした。
この場合、各電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数は、表２に示す通りとなる。このように、実施例３では、表２に示す７種類の周波数を選択的に吸収する電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
【0104】
＜実施例４＞
実施例２で作製した電磁波吸収フィルムの裏面に、厚みが２．２［ｍｍ］であるアクリル板をスペーサーフィルムとして設けた。さらに、アクリルフィルムの表面に厚みが１８［μｍ］である銅箔を設け、スペーサーフィルムと反射フィルムとを有する電磁波吸収シートを作製した。ここで、実施例４の電磁波吸収シートはいわゆるλ／４構造を有するように作製した。
実施例２で作製した電磁波吸収フィルムの裏面に、厚みが２．２［ｍｍ］であるアクリル板をスペーサーフィルムとして設けた。さらに、アクリルフィルムの表面に厚みが１８［μｍ］である銅箔を設け、スペーサーフィルムと反射フィルムとを有する電磁波吸収シートを作製した。ここで、実施例４の電磁波吸収シートはいわゆるλ／４構造を有するように作製した。
【0105】
＜実施例５＞
実施例２で作製した電磁波吸収フィルムの裏面に、厚みが０．７１［ｍｍ］であるポリエチレンフォームを心材とする両面テープ（リンテック社製「タックライナー ＴＬ－５４－０６」）の４枚を貼り合わせて、厚みが２．８４［ｍｍ］である多層構造のスペーサーフィルムを設けた。さらに、アクリルフィルムの表面に厚みが１８［μｍ］である銅箔を設け、スペーサーフィルムと反射フィルムとを有する電磁波吸収シートを作製した。ここで、実施例５の電磁波吸収シートはいわゆるλ／４構造を有するように作製した。
実施例２で作製した電磁波吸収フィルムの裏面に、厚みが０．７１［ｍｍ］であるポリエチレンフォームを心材とする両面テープ（リンテック社製「タックライナー ＴＬ－５４－０６」）の４枚を貼り合わせて、厚みが２．８４［ｍｍ］である多層構造のスペーサーフィルムを設けた。さらに、アクリルフィルムの表面に厚みが１８［μｍ］である銅箔を設け、スペーサーフィルムと反射フィルムとを有する電磁波吸収シートを作製した。ここで、実施例５の電磁波吸収シートはいわゆるλ／４構造を有するように作製した。
【0106】
＜比較例１＞
第１の電磁波吸収パターンを構成する第１の単位ｕ１のみを１［ｍｍ］間隔でＰＥＴフィルムに設けた以外は、実施例１と同様にして比較例１の電磁波吸収フィルムを作製した。
第１の電磁波吸収パターンを構成する第１の単位ｕ１のみを１［ｍｍ］間隔でＰＥＴフィルムに設けた以外は、実施例１と同様にして比較例１の電磁波吸収フィルムを作製した。
【0107】
＜比較例２＞
比較例１で作製した電磁波吸収フィルムの裏面に、厚みが２．２［ｍｍ］であるアクリルフィルムをスペーサーフィルムとして設けた。さらに、アクリルフィルムの表面に厚みが１８［μｍ］である銅箔を設け、スペーサーフィルムと反射フィルムとを有する電磁波吸収シートを作製した。ここで、比較例２の電磁波吸収シートはいわゆるλ／４構造を有するように作製した。
比較例１で作製した電磁波吸収フィルムの裏面に、厚みが２．２［ｍｍ］であるアクリルフィルムをスペーサーフィルムとして設けた。さらに、アクリルフィルムの表面に厚みが１８［μｍ］である銅箔を設け、スペーサーフィルムと反射フィルムとを有する電磁波吸収シートを作製した。ここで、比較例２の電磁波吸収シートはいわゆるλ／４構造を有するように作製した。
【0108】
＜比較例３、比較例４＞
Ｌ２、Ｌ３の長さを表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例３、比較例４の電磁波吸収フィルムを作製した。
この場合、各電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数は、表２に示す通りとなる。
比較例３、比較例４では、表２に示す３種類の周波数を選択的に吸収する電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
Ｌ２、Ｌ３の長さを表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、比較例３、比較例４の電磁波吸収フィルムを作製した。
この場合、各電磁波吸収パターンが選択的に吸収する電磁波の周波数は、表２に示す通りとなる。
比較例３、比較例４では、表２に示す３種類の周波数を選択的に吸収する電磁波吸収パターンが基材に形成された電磁波吸収フィルムを作製した。
【0109】
【表1】
【0110】
【表2】
【0111】
表２に示す各周波数に基づいて、各例における各電磁波吸収パターンの吸収量が極大値を示す周波数をＡ［ＧＨｚ］で除し、Ａを用いた数式によって表記した。結果を表３に示す。
【0112】
【表3】
【0113】
各例で作製した電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートについて、上述の測定方法にしたがって、電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートの全体の吸収率の極大値を示す「吸収量のピークの周波数」、極大値における「吸収率のピーク値」、「吸収量のピーク幅」をそれぞれ測定した。結果を表４に示す。
【0114】
【表4】
【0115】
実施例１～５では、第１の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の極大値を示す周波数Ａ［ＧＨｚ］に対して、第２の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の極大値を示す周波数Ｂ［ＧＨｚ］、第３の電磁波吸収パターンによって吸収される電磁波の極大値を示す周波数Ｃ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲内である。この場合、表４に示すように、電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シート全体で吸収される電磁波の吸収率が極大値となるときの、吸収量のピーク幅は、いずれも比較例１～３より高い値であった。この結果から、電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シート全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークの幅が、低周波数側及び高周波数側の両方の周波数帯に拡張されたことを確認した。
【0116】
表２、３に示すように実施例３の電磁波吸収フィルムにおいては、７種類の周波数を選択的に吸収する電磁波吸収パターンが基材に形成されている。表４に結果を示すように実施例３では、実施例１、２と比較して吸収量のピーク幅の値が大きく、電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シート全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークの幅の拡張効果が顕著であった。
実施例４、５の電磁波吸収シートは、実施例２の電磁波吸収フィルムとスペーサーフィルムと反射フィルムとを有する。この場合、表４に示すように、実施例２と比較して電磁波の吸収率のピーク値が飛躍的に高くなった。
実施例４、５の電磁波吸収シートは、実施例２の電磁波吸収フィルムとスペーサーフィルムと反射フィルムとを有する。この場合、表４に示すように、実施例２と比較して電磁波の吸収率のピーク値が飛躍的に高くなった。
【0117】
表４に示すように、比較１、２では実施例１～５と比較して吸収量のピーク幅が小さく、吸収ピークの幅の拡張が確認できなかった。比較例１、２の電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートは、周囲環境に配置される部材の影響を受けやすく、周波数が変化した後の電磁波の吸収が不充分であると考えられる。
比較例３では、Ｂ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の下限値未満であり、Ｃ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の上限値超である。この場合、第１の電磁波吸収パターンのピークと第２の電磁波吸収パターンのピークの距離、第１の電磁波吸収パターンのピークと第３の電磁波吸収パターンのピークの距離がいずれも小さく、ピーク幅の拡張が確認できなかった。
比較例４では、Ｂ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の上限値超であり、Ｃ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の下限値未満である。この場合、第１の電磁波吸収パターンのピークと第２の電磁波吸収パターンのピークの距離、第１の電磁波吸収パターンのピークと第３の電磁波吸収パターンのピークの距離がいずれも大きく、単一のピークが形成されなかった。
比較例３では、Ｂ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の下限値未満であり、Ｃ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の上限値超である。この場合、第１の電磁波吸収パターンのピークと第２の電磁波吸収パターンのピークの距離、第１の電磁波吸収パターンのピークと第３の電磁波吸収パターンのピークの距離がいずれも小さく、ピーク幅の拡張が確認できなかった。
比較例４では、Ｂ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の上限値超であり、Ｃ［ＧＨｚ］が本発明で規定する範囲の下限値未満である。この場合、第１の電磁波吸収パターンのピークと第２の電磁波吸収パターンのピークの距離、第１の電磁波吸収パターンのピークと第３の電磁波吸収パターンのピークの距離がいずれも大きく、単一のピークが形成されなかった。
【0118】
図１０～１４は、本実施例の測定結果から推測される電磁波の吸収スペクトルの予測図である。図１０～１４に示すように実施例１～５では、電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シート全体で吸収される電磁波の吸収量が極大値となる単一のピークが形成されると考えられる。
図１５～１８は、各比較例の測定結果から予想される電磁波の吸収スペクトルの予測図である。
図１５～１７に示すように比較例１～３では、形成される単一ピークの幅が狭く、ピークの幅の拡張が認められないと考えられる。図１８に示すように、比較例４では、単一のピークが形成されないと考えられる。
図１５～１８は、各比較例の測定結果から予想される電磁波の吸収スペクトルの予測図である。
図１５～１７に示すように比較例１～３では、形成される単一ピークの幅が狭く、ピークの幅の拡張が認められないと考えられる。図１８に示すように、比較例４では、単一のピークが形成されないと考えられる。
【0119】
以上の実施例の結果から、電磁波吸収フィルム又は電磁波吸収シートで吸収可能な電磁波の周波数帯が広くなることを確認した。本発明によれば、周囲環境に配置されている部材の影響を受けにくい電磁波吸収フィルムを提供できると期待される。
【産業上の利用可能性】
【0120】
本発明の電磁波吸収フィルム、電磁波吸収シートは、自動車用部品、道路周辺部材、建築外壁関連材、窓、通信機器、電波望遠鏡等に用いることができる。
【符号の説明】
【0121】
１ 第１の電磁波吸収パターン
２ 第２の電磁波吸収パターン
３ 第３の電磁波吸収パターン
１０ 電磁波吸収フィルム
２０ 基材
３０ スペーサーフィルム
４０ 反射フィルム
５０ 電磁波吸収シート
２ 第２の電磁波吸収パターン
３ 第３の電磁波吸収パターン
１０ 電磁波吸収フィルム
２０ 基材
３０ スペーサーフィルム
４０ 反射フィルム
５０ 電磁波吸収シート
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】