特許 7458332出願番号 特願 2021-5297
半導体発光装置
出願人 株式会社東芝（識別番号 3078）
2026年 特許公開件数ランキング 8位 1,396件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8位 1,119件（※）
出願人 東芝デバイス＆ストレージ株式会社（識別番号 317011920）
2026年 特許公開件数ランキング 27965位 301件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 8348位 167件（※）
公報発行日 2024年3月29
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7458332 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
半導体発光装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
発光効率を向上させた半導体発光装置を提供する。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
半導体発光装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた発光層と、を備える。前記発光層は、前記半導体基板から前記発光層に向かう第１方向に交互に積層された量子井戸層と障壁層とを含む。前記量子井戸層は、前記半導体基板の格子定数よりも大きい格子定数を有する第１半導体混晶を含み、前記第１方向の第１層厚を有し、前記第１方向における前記第１半導体混晶の格子間隔と前記基板の前記格子定数と・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
半導体発光装置を示す模式断面図である。
【図2】
ＧａＡｓ系直接遷移型化合物半導体材料の格子定数とエネルギーバンドギャップとの関係を示すグラフである。
【図3】
発光層のＴＥＭ像および格子間隔を表したチャートである。
【図4】
発光層のＸ線回折スペクトルである。
【図5】
発光層の障壁層厚とＸ線回折ピーク位置の関係を示すグラフである。
【図6】
半導体発光装置のエピタキシャル成長層に含まれる酸素濃度を示すグラフである。
【図7】
半導体発光装置の構造を示す模式断面図である。
【図8】
半導体発光装置の光出力と障壁層厚との関係を示すグラフである。
【図9】
実施形態の変形例に係る発光層を示す模式断面図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１…半導体発光装置、 １０１…ＧａＡｓ基板、 １０２…ｎ形クラッド層、 １０３、２０３…発光層、 １０３ａ、２０３ａ…量子井戸層、 １０３ｂ、２０３ｂ…障壁層、 １０４…ｐ形クラッド層、 １０５…ｐ形コンタクト層、 １１０…メサ型発光体、 ６０１…ｎ側電極、 ６０２…ｐ側電極
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