特許 7458505 プローブカード用多層配線基板及びプローブカード

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-21

(45)【発行日】2024-03-29

(54)【発明の名称】プローブカード用多層配線基板及びプローブカード

(51)【国際特許分類】

   G01R 1/073 20060101AFI20240322BHJP

【ＦＩ】

G01R1/073 E

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2022563290

(86)(22)【出願日】2020-11-17

(86)【国際出願番号】 JP2020042859

(87)【国際公開番号】W WO2022107225

(87)【国際公開日】2022-05-27

【審査請求日】2022-12-16

(73)【特許権者】

【識別番号】000232405

【氏名又は名称】日本電子材料株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004196

【氏名又は名称】弁理士法人ナビジョン国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】阿部 智

(72)【発明者】

【氏名】藤本 哲生

(72)【発明者】

【氏名】原田 勇介

(72)【発明者】

【氏名】堀 真也

【審査官】島田 保

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／１９１７２６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１４－０８９０８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－３３０９９５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０１Ｒ １／０６－１／０７３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

プローブカードの外部端子及びプローブ間の配線経路上に設けられ、ベース絶縁膜が上面に形成されたプローブカード用多層配線基板において、
前記ベース絶縁膜上に形成された薄膜からなり、一対の接続電極が接続された薄膜抵抗体と、
前記ベース絶縁膜を介して前記薄膜抵抗体と対向するように埋設され、前記ベース絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなる埋設ヒートシンクと、を備え、
前記埋設ヒートシンクは、前記薄膜抵抗体の形成領域外に延伸され、かつ、前記ベース絶縁膜で被覆されない放熱部を有することを特徴とするプローブカード用多層配線基板。

【請求項2】

前記薄膜抵抗体に対応する領域に形成され、前記薄膜抵抗体を覆うとともに前記ベース絶縁膜の一部を露出するように形成されたカバー絶縁膜を更に備え、
前記埋設ヒートシンクの前記放熱部は、前記カバー絶縁膜の形成領域外に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項3】

前記放熱部と前記放熱部に隣接する前記ベース絶縁膜上の所定領域とに堆積され、前記ベース絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなる露出ヒートシンクを備え、
前記露出ヒートシンクの前記所定領域が、前記放熱部を介して前記埋設ヒートシンクに接続されることを特徴とする請求項２に記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項4】

前記カバー絶縁膜を介して前記薄膜抵抗体と対向するように形成された保護膜を備えたことを特徴とする請求項３に記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項5】

前記露出ヒートシンクが、前記放熱部上と、前記カバー絶縁膜上と、前記放熱部及び前記カバー絶縁膜にそれぞれ隣接する前記ベース絶縁膜の前記所定領域上とに堆積され、前記カバー絶縁膜上において前記薄膜抵抗体と対向する領域である保護領域を有し、
前記保護領域が、前記所定領域上を通って前記埋設ヒートシンクに接続されることを特徴とする請求項３に記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項6】

前記一対の接続電極が、前記薄膜抵抗体の第１方向の両端に設けられ、
前記放熱部が、前記薄膜抵抗体からみて前記第１方向と交差する第２方向に形成されることを特徴とする請求項１～５のいずれかに記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項7】

２以上の前記薄膜抵抗体が、前記第２方向に互いに離間して整列配置され、
前記埋設ヒートシンクが、前記第２方向に延び、前記２以上の薄膜抵抗体とそれぞれ対向するように埋設されることを特徴とする請求項６に記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項8】

前記ベース絶縁膜が、絶縁性樹脂材料からなることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項9】

前記露出ヒートシンクが、金属材料からなることを特徴とする請求項３～５のいずれかに記載のプローブカード用多層配線基板。

【請求項10】

請求項１～９のいずれかに記載の前記プローブカード用多層配線基板上に前記プローブを配設したことを特徴とするプローブカード。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、プローブカード用多層配線基板及びプローブカードに係り、更に詳しくは、プローブカードの外部端子及びプローブ間の配線経路上に設けられ、薄膜抵抗体を備えるプローブカード用多層配線基板の改良に関する。

【背景技術】

【0002】

プローブカードは、半導体ウエハに形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する際に使用される検査装置であり、半導体ウエハ上の電極パッドにそれぞれ接触させる多数のプローブが多層配線基板上に設けられている。半導体デバイスの電気的特性検査は、プローブ及び多層配線基板を介して、テスト信号の入出力を行うテスター装置と、半導体デバイスとを導通させることにより行われる。

【0003】

多層配線基板の配線回路上には、インピーダンスマッチング、電力制御などを行うための抵抗素子としての薄膜抵抗体が設けられている。薄膜抵抗体は、上下の絶縁層に挟まれるように配置され、薄膜抵抗体には、ニッケル・クロム（Ｎｉ－Ｃｒ）合金などの金属材料が用いられ、絶縁層には、ポリイミド合成樹脂などの樹脂材料が用いられる。このような薄膜抵抗体は、ヒートサイクル試験などによる環境温度の変化や、検査時における薄膜抵抗体自身の発熱により劣化するという問題があった。

【0004】

一般に、樹脂材料の線膨張係数は、金属材料の線膨張係数よりも大きい。このため、例えば、ヒートサイクル試験で使用した場合に、絶縁膜との線膨張係数の差に起因する熱応力によって薄膜抵抗体が劣化するという問題があった。例えば、薄膜抵抗体に皺が発生し、抵抗値が変動するという問題があった。また、薄膜抵抗体は、熱伝導率の低い樹脂材料からなる絶縁層に挟まれていることから、検査時に発生する熱が、外部に放出されることなく絶縁層間に籠り、薄膜抵抗体が劣化するという問題があった。例えば、薄膜抵抗体が溶断するという問題があった。

【0005】

そこで、プローブカード用多層配線基板において、熱応力による薄膜抵抗体の劣化を抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。図１１は、従来のプローブカード用多層配線基板６Ａの要部を模式的に示した説明図である。図示した多層配線基板６Ａは、第１～第３絶縁層６１１～６１３が順に積層され、第２絶縁層６１２上に薄膜抵抗体６００が形成されるとともに、薄膜抵抗体６００の直下に、第２絶縁層６１２を介在させて、熱伸縮抑制層６０１が形成される。金属材料からなる熱伸縮抑制層６０１の線膨張係数は、樹脂材料からなる絶縁層６１１～６１３の線膨張係数よりも小さく、このような熱伸縮抑制層６０１を設けることにより、絶縁層６１１～６１３との線膨張率の差によって薄膜抵抗体６００に生じる熱応力を抑制することができる。

【0006】

しかし、熱伸縮抑制層６０１は、第１絶縁層６１１及び第２絶縁層６１２間に埋設されているため、熱伸縮抑制層６０１により薄膜抵抗体６００の放熱が促進されることは期待できない。つまり、検査時の薄膜抵抗体６００において発生する熱には対処することができない。このため、熱応力による劣化防止の効果は限定的であり、また、薄膜抵抗体６００の溶断等を防止することはできないという問題があった。

【0007】

そこで、検査時の発熱に起因する薄膜抵抗体６００の溶断等を防止する方法が提案されている（例えば、特許文献２）。図１２は、従来のプローブカード用多層配線基板６Ｂの要部を模式的に示した説明図である。図示した多層配線基板６Ｂでは、薄膜抵抗体６００の直下に、第２絶縁膜６１２を介在させて台座部６０２が形成されるとともに、薄膜抵抗体６００の直上に、第３絶縁膜６１３を介在させて放熱部６０３が形成される。また、台座部６０２及び放熱部６０３が接続部６０４により接続される。

【0008】

台座部６０２、放熱部６０３及び接続部６０４は、いずれも金属材料からなり、樹脂材料からなる絶縁層６１１～６１３に比べて、線膨張係数が小さく、熱伝導率が高い。つまり、台座部６０２は、熱伸縮抑制層６０１に相当し、熱応力による薄膜抵抗体６００の劣化を防止する効果を有する。また、薄膜抵抗体６００において発生した熱は、台座部６０２及び接続部６０４を通って、放熱部６０３から雰囲気中に放熱することができるため、薄膜抵抗６００の溶断等を抑制することが期待できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【文献】特開２０１４－０８９０８９号公報

【文献】特開２０１７－２０１２６３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

上述した従来の多層配線基板６Ｂでは、台座部６０２及び放熱部６０３を接続するために、第２絶縁層６１２及び第３絶縁層６１３を貫通する接続部６０４を設ける必要があり、構造が複雑になるという問題があった。

【0011】

また、第３絶縁層６１３は厚く形成されることから、このような接続部６０４を形成することは容易ではないという問題もあった。絶縁層６１１～６１３は、上方に形成される層ほど、大きな凹凸を有する面上に形成しなければならず、当該凹凸に対するカバレッジを確保するためにより厚く形成する必要がある。特に、薄膜抵抗体６００上には、一対の電極（不図示）と、薄膜抵抗体６００の実効長を規定する絶縁層（不図示）とが相互に重複するように形成されている。このため、第３絶縁層６１３は、大きな凹凸を有する面上に形成されており、第１及び第２絶縁層６１１，６１２に比べて厚く形成する必要がある。このような事情から、薄膜抵抗体６００の熱は、第３絶縁層６１３を介して放熱部６０３に伝わるよりも、第２絶縁層６１２を介して台座部６０２に伝わりやすく、台座部６０２の熱を放熱部６０３に伝える接続部６０４が必要になる。同じ理由により、第２絶縁層６１２及び第３絶縁層６１３を貫通するビア配線である接続部６０４を形成することには困難が伴うという問題があった。例えば、空洞を生じさせることなく、貫通孔内に金属材料を充填するのが困難であるという問題があった。

【0012】

つまり、薄膜抵抗体の劣化を防止しようとすれば、プローブカード用多層配線基板の構造が複雑化し、その製造がより困難になり、製造コストの増大、信頼性の低下などを招くという問題があった。

【0013】

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、薄膜抵抗体の劣化を防止することができるプローブカード用多層配線基板を提供することを目的とする。また、信頼性の高いプローブカード用多層配線基板を安価に提供することを目的とする。さらに、このような多層配線基板を備えたプローブカードを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0014】

本発明の第１の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、プローブカードの外部端子及びプローブ間の配線経路上に設けられ、ベース絶縁膜が上面に形成されたプローブカード用多層配線基板において、前記ベース絶縁膜上に形成された薄膜からなり、一対の接続電極が接続された薄膜抵抗体と、前記ベース絶縁膜を介して前記薄膜抵抗体と対向するように埋設され、前記ベース絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなる埋設ヒートシンクと、を備え、前記埋設ヒートシンクが、前記薄膜抵抗体の形成領域外に延伸され、かつ、前記ベース絶縁膜で被覆されない放熱部を有するように構成される。

【0015】

このような構成を採用することにより、薄膜抵抗体で発生した熱は、ベース絶縁膜を介して埋設ヒートシンクに伝わり、さらにベース絶縁膜で被覆されない埋設ヒートシンクの放熱部を介して外部に放出される。このため、埋設ヒートシンクに熱が籠らず、薄膜抵抗体の放熱を行うことができ、薄膜抵抗体の劣化を防止することができる。

【0016】

本発明の第２の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記薄膜抵抗体に対応する領域に形成され、前記薄膜抵抗体を覆うとともに前記ベース絶縁膜の一部を露出するように形成されたカバー絶縁膜を更に備え、前記埋設ヒートシンクの前記放熱部は、前記カバー絶縁膜の形成領域外に形成されているように構成される。

【0017】

このような構成を採用することにより、カバー絶縁膜は、薄膜抵抗体に対応する領域に形成され、埋設ヒートシンクの放熱部は、カバー絶縁膜の形成領域外に形成される。このため、カバー絶縁膜を貫通する貫通孔を形成する必要がなく、簡単な構造からなり、容易に製造することができる。従って、製造コストを抑制しつつ、信頼性を向上させることができる。

【0018】

本発明の第３の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記放熱部と前記放熱部に隣接する前記ベース絶縁膜上の所定領域とに同時に堆積され、前記ベース絶縁膜よりも熱伝導率が高い材料からなる露出ヒートシンクを備え、前記露出ヒートシンクの前記所定領域が、前記放熱部を介して前記埋設ヒートシンクに接続されるように構成される。

【0019】

このような構成を採用することにより、放熱部よりも大きな表面積を有する露出ヒートシンクを介して、埋設ヒートシンクの熱を外部に効率的に放出することができる。また、所定領域及び放熱部のステップ差は、ベース絶縁膜の厚さに相当することから、露出ヒートシンクを形成する際、所定領域と放熱部間のステップカバレッジを容易に確保することができる。

【0020】

本発明の第４の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記露出ヒートシンクが、前記接続電極と同時に形成されるように構成される。

【0021】

このような構成を採用することにより、接続電極及び露出ヒートシンクが同一の製造工程において形成され、製造工程を複雑化することなく、露出ヒートシンクを形成することができる。

【0022】

本発明の第５の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記カバー絶縁膜を介して薄膜抵抗体と対向するように形成された保護膜を備え、前記露出ヒートシンクが、前記保護膜と同時に形成されるように構成される。

【0023】

このような構成を採用することにより、保護膜及び露出ヒートシンクが同一の製造工程において形成され、製造工程を複雑化することなく、露出ヒートシンクを形成することができる。また、保護膜を備えることにより、例えば、カバー絶縁膜の熱伸縮を抑制し、あるいは、薄膜抵抗体をレーザー光から保護することができる。

【0024】

本発明の第６の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記露出ヒートシンクが、前記放熱部上と、前記カバー絶縁膜上と、前記放熱部及び前記カバー絶縁膜にそれぞれ隣接する前記ベース絶縁膜の前記所定領域上とに同時に堆積され、前記カバー絶縁膜上において前記薄膜抵抗体と対向する領域である保護領域を有し、前記保護領域が、前記所定領域上を通って前記埋設ヒートシンクに接続されるように構成される。

【0025】

このような構成を採用することにより、さらに大きな表面積を有する露出ヒートシンクを介して、埋設ヒートシンクの熱を外部にさらに効率的に放出することができる。また、放熱部及び所定領域間にベース絶縁膜の厚さに相当するステップ差が形成され、さらに所定領域及びカバー絶縁膜間にカバー絶縁膜の厚さに相当するステップ差が形成されることから、ベース絶縁膜及びカバー絶縁膜を貫通するビア配線を形成する場合に比べて、露出ヒートシンクを容易に形成することができる。また、露出ヒートシンクが保護領域を有することにより、例えば、カバー絶縁膜の熱伸縮を抑制し、あるいは、薄膜抵抗体をレーザー光から保護することができる。

【0026】

本発明の第７の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記一対の接続電極が、前記薄膜抵抗体の第１方向の両端に設けられ、前記放熱部が、前記薄膜抵抗体からみて前記第１方向と交差する第２方向に形成される。

【0027】

本発明の第８の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、２以上の前記薄膜抵抗体が、第２方向に互いに離間して整列配置され、前記埋設ヒートシンクが、前記第２方向に延び、前記２以上の薄膜抵抗体とそれぞれ対向するように埋設される。

【0028】

このような構成を採用することにより、２以上の薄膜抵抗体について埋設ヒートシンクを共用化することができ、薄膜抵抗体ごとに放熱部を設ける必要がなくなる。このため、薄膜抵抗体及び接続電極を高密度で配置することが可能になり、プローブを狭ピッチで配置することが可能になる。

【0029】

本発明の第９の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記ベース絶縁膜が絶縁性樹脂材料からなる。

【0030】

本発明の第１０の実施態様によるプローブカード用多層配線基板は、上記構成に加えて、前記露出ヒートシンクが、めっき法により形成される金属材料からなる。

【0031】

本発明の第１１の実施態様によるプローブカードは、前記プローブカード用多層配線基板上に前記プローブを立設して構成される。

【発明の効果】

【0032】

本発明によれば、薄膜抵抗体の劣化を防止することができるプローブカード用多層配線基板を提供することができる。また、信頼性の高いプローブカード用多層配線基板を安価に提供することができる。さらに、このような多層配線基板を備えたプローブカードを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】本発明の実施の形態１によるプローブカード１００の概略構成の一例を示した図である。

【図2】図１のＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。

【図3】図１のＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。

【図4】図１のＳＴ基板１５の製造方法の一例を模式的に示した図である。

【図5】図１のＳＴ基板１５の製造方法の一例を模式的に示した図である。

【図6】図１のＳＴ基板１５の製造方法の一例を模式的に示した図である。

【図7】図１のＳＴ基板１５の要部の他の構成例を示した図である。

【図8】本発明の実施の形態２によるＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。

【図9】本発明の実施の形態３によるＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。

【図10】本発明の実施の形態４によるＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。

【図11】従来のプローブカード用多層配線基板６Ａの要部を模式的に示した説明図である。

【図12】従来のプローブカード用多層配線基板６Ｂの要部を模式的に示した説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

実施の形態１．
（１）プローブカード１００
図１は、本発明の実施の形態１によるプローブカード１００の概略構成の一例を示した図であり、プローブカード１００と、ウエハプローバーの可動ステージ２１に載置され、プローブカード１００と対向して配置された半導体ウエハ２０とが示されている。

【0035】

プローブカード１００は、検査対象物の電気的特性を検査する際、検査対象物に対する電気的接続を行う検査装置である。検査対象物としての半導体ウエハ２０上には、多数の電極パッド２２が形成されており、プローブカード１００の下面には、各電極パッド２２に接触させる多数のプローブ１７が当該電極パッド２２に対応するように配設されている。図示したプローブカード１００は、メイン基板１２、補強板１３、接続基板１４、ＳＴ（スペーストランスフォーマ）基板１５、支持部材１６及び２以上のプローブ１７により構成される。

【0036】

メイン基板１２は、ウエハプローバーに着脱可能に取り付けられる配線基板であり、例えば、円板状のガラスエポキシ基板が用いられる。メイン基板１２は、略水平に配置され、その上面の中央部には、補強板１３が取り付けられている。補強板１３は、メイン基板１２の歪みを抑制するための補強部材であり、例えば、ステンレス鋼からなる金属ブロックが用いられる。メイン基板１２の上面の外周縁部には、テスター（不図示）の信号端子が接続される２以上の外部端子１２０が設けられ、メイン基板１２の下面の中央部に設けられた接続端子１２１と接続されている。

【0037】

接続基板１４は、メイン基板１２及びＳＴ基板１５間に配置され、メイン基板１２の配線及びＳＴ基板１５の配線を導通させる基板間の接続手段であり、例えば、多数のポゴピン１４０を備えている。ポゴピン１４０は、接続基板１４を上下方向に貫通する伸縮自在のプランジャーピンであり、メイン基板１２の接続端子１２１と、ＳＴ基板１５の接続端子１５０とを導通させる。

【0038】

ＳＴ基板１５は、電極ピッチを変換する多層配線基板であり、メイン基板１２の下面側に配置される。ＳＴ基板１５の上面は、接続端子１５０が設けられ、ＳＴ基板１５の下面には２以上のプローブ用電極パッド１５１が設けられている。プローブ用電極パッド１５１は、プローブ１７が接続される電極であり、プローブ１７に対応するピッチで配設される。また、プローブ用電極パッド１５１は、ＳＴ基板１５内の配線回路を介して、より広ピッチで配設された接続端子１５０に導通し、さらにポゴピン１４０及び接続端子１２１を介して、更に広ピッチで配設されたメイン基板１２の外部端子１２０に導通する。

【0039】

ＳＴ基板１５は、セラミック基板１５２及び積層構造体１５３により構成される。セラミックは、ガラスエポキシなどに比べて歪みが生じにくいため、セラミック基板１５２を用いることにより、ＳＴ基板１５の歪みを抑制することができる。また、セラミック基板１５２は、単一のセラミック板であってもよいが、２以上のセラミック板を貼り合わせた積層板を用いることにより、さらに歪みの発生を抑制することができる。

【0040】

積層構造体１５３は、セラミック基板１５２の下面に２以上の絶縁層を積層して形成される。各絶縁層には、例えば、ポリイミドを主成分とする合成樹脂が用いられる。隣接する絶縁層の層間には配線パターンが形成され、配線パターン同士は、絶縁層を貫通するビア配線を介して接続され、接続端子１５０と、プローブ用電極パッド１５１とを導通させる配線回路を構成する。

【0041】

支持部材１６は、プローブ１７をガイドする１又は２以上のガイド板１６０，１６１と、ガイド板１６０，１６１をＳＴ基板１５に固定するスペーサ１６２により構成される。ガイド板１６０，１６１には、プローブ１７を挿通するための多数の貫通孔（不図示）が形成され、プローブ１７の先端が上下動可能に支持されている。

【0042】

プローブ１７は、細長い形状を有する垂直型プローブであり、導電性材料からなる。プローブ１７の上端は、プローブ用電極パッド１５１に接触するように配置されている。また、プローブ１７の下端は、プローブカード１００に半導体ウエハ２０を近づけることにより、半導体ウエハ２０上の電極パッド２２に接触する。

【0043】

（２）ＳＴ基板１５
図２及び図３は、図１のＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。これらの図では、図１のＳＴ基板１５の上下を反転させた様子が示されている。このため、ＳＴ基板１５に関する以下の説明では、図１における下方を上方として説明する。また、これらの図には、ＳＴ基板１５を構成する積層構造体１５３の上面側の一部のみが示され、より下方に位置する積層構造体１５３のその他の部分及びセラミック基板１５２は省略している。また、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、いずれもＳＴ基板１５の主面に平行な方向であって互いに直交する。なお、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２は、互いに交差する方向であれば直交していなくてもよい。

【0044】

図２（ａ）は、ＳＴ基板１５を平面視したときの各構成要素のレイアウトを示した平面レイアウト図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）におけるＡ－Ａ切断線により切断したときの断面を示す断面図（Ａ－Ａ断面図）である。Ａ－Ａ切断線は、第１方向Ｄ１に延び、薄膜抵抗体３０及び一対の接続電極３３を通る直線である。以下では、主に図２（ｂ）を参照しながら説明する。

【0045】

絶縁膜４０は、ＳＴ基板１５の全面に形成されるのに対し、絶縁膜４１～４３は、薄膜抵抗体３０に対応する領域に形成される。これらの絶縁膜４０～４３は、いずれも絶縁性材料からなる層であり、例えば、ポリイミドを主成分とする合成樹脂を塗布して熱硬化した後、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングすることにより形成される。なお、絶縁膜４０～４３には、他の絶縁性材料を用いることもでき、また、互いに異なる絶縁性材料を用いることもできる。

【0046】

薄膜抵抗体３０は、ベース絶縁膜４１上に薄膜として形成された抵抗素子であり、所定の抵抗率を有する導電性金属材料、例えば、ニッケル・クロム（Ｎｉ－Ｃｒ）合金が用いられ、絶縁膜４０～４３よりも線膨張係数が低く、熱伝導率が高い。薄膜抵抗体３０は、第１方向Ｄ１を長手方向とする細長い領域に形成され、長手方向の両端付近には一対の接続電極３３が形成される。

【0047】

埋設ヒートシンク３１は、ベース絶縁膜４１を介して薄膜抵抗体３０と対向するように配置された放熱部材であり、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属材料が用いられ、絶縁膜４０～４３よりも線膨張係数が低く、熱伝導率が高い。埋設ヒートシンク３１は、積層構造体１５３を構成する下層絶縁膜４０に埋設される。下層絶縁膜４０の上面には凹部が形成され、埋設ヒートシンク３１は、下層絶縁膜４０から上面を露出させた状態で当該凹部内に形成される。

【0048】

一対の配線電極３２は、ＳＴ基板１５内の配線回路の一部であり、低抵抗の導電性金属材料、例えば、銅（Ｃｕ）が用いられる。配線電極３２は、埋設ヒートシンク３１から離間して、下層絶縁膜４０に埋設される。つまり、埋設ヒートシンク３１と同様、配線電極３２は、下層絶縁膜４０の凹部内に下層絶縁膜４０から上面を露出させた状態で形成され、下層絶縁膜４０を介在させて埋設ヒートシンク３１から分離されている。また、配線電極３２は、図示しない配線パターン又はビア配線を介して、接続端子１５０と導通する。

【0049】

一対の接続電極３３は、薄膜抵抗体３０の両端を一対の配線電極３２にそれぞれ接続する接続手段であり、低抵抗の導電性金属材料、例えば、銅（Ｃｕ）が用いられる。接続電極３３は、第１方向Ｄ１に延びる形状を有し、一端側が薄膜抵抗体３０上に形成され、他端側が配線電極３２上に形成され、ベース絶縁膜４１上及び下層絶縁膜４０上を通って、薄膜抵抗体３０及び配線電極３２を導通させる。

【0050】

保護膜３４は、薄膜抵抗体３０に生じる熱応力を抑止し、あるいは、薄膜抵抗体３０をレーザー光から保護するための薄膜であり、薄膜抵抗体３０と対向するようにカバー絶縁膜４３上に形成される。保護膜３４は、カバー絶縁膜４３よりも熱膨張係数が低く、かつ良好な光反射特性を有する金属材料、例えば、金（Ａｕ）やニッケル（Ｎｉ）が用いられ、薄膜抵抗体３０に対応する領域に形成され、薄膜抵抗体３０を概ね覆っている。このような保護膜３４を設けることにより、カバー絶縁膜４３の熱伸縮を抑制し、熱応力による薄膜抵抗体３０の劣化を抑制することができる。また、プローブ用電極パッド１５１に対しプローブ１７を接合するためにレーザー光を照射する場合には、照射したレーザー光により薄膜抵抗体３０が損傷するのを防止することができる。

【0051】

ベース絶縁膜４１は、薄膜抵抗体３０の直下及びその周辺領域において埋設ヒートシンク３１を覆うように形成され、薄膜抵抗体３０及び接続電極３３から埋設ヒートシンク３１を絶縁する。

【0052】

分離絶縁膜４２は、薄膜抵抗体３０の実効長を規定する絶縁膜であり、薄膜抵抗体３０上に形成される。分離絶縁膜４２は、薄膜抵抗体３０の長手方向の中央付近を横断するように第２方向Ｄ２に沿って延び、一対の接続電極３３は、その一端が分離絶縁膜４２上に乗り上げ、分離絶縁膜４２上において互いに離間されるように配置される。このため、分離絶縁膜４２の第１方向Ｄ１の幅が薄膜抵抗体３０の実効長となり、薄膜抵抗体３０の抵抗値は、分離絶縁膜４２の形状により規定される。

【0053】

カバー絶縁膜４３は、薄膜抵抗体３０を覆う絶縁膜であり、薄膜抵抗体３０に対応する領域、例えば、薄膜抵抗体３０の形成領域及びその周辺領域に形成される。カバー絶縁膜４３は、接続電極３３、ベース絶縁膜４１及び分離絶縁膜４２上に形成され、接続電極３３は、その一部がカバー絶縁膜４３によって覆われ、その他の領域は、カバー絶縁膜４３から露出し、プローブ用電極パッド１５１として利用することができる。薄膜抵抗体３０及び分離絶縁膜４２は、カバー絶縁膜４３により完全に覆われている。

【0054】

図３（ａ）は、図２（ａ）と同一の平面レイアウトを９０°回転させて示した平面レイアウト図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるＢ１－Ｂ１切断線により切断したときの断面を示す断面図（Ｂ１－Ｂ１断面図）である。Ｂ１－Ｂ１切断線は、第２方向Ｄ２に延び、薄膜抵抗体３０及び露出ヒートシンク３５を通る直線である。

【0055】

放熱部５０は、ベース絶縁膜４１で被覆されていない埋設ヒートシンク３１の領域である。埋設ヒートシンク３１は、薄膜抵抗体３０と対向するとともに、薄膜抵抗体３０の形成領域外において第２方向Ｄ２に延び、薄膜抵抗体３０から離間した放熱部５０においてベース絶縁膜４１から露出する。

【0056】

露出領域５１は、カバー絶縁膜４３によって被覆されていないベース絶縁膜４１の領域である。ベース絶縁膜４１は、埋設ヒートシンク３１に対応して形成され、薄膜抵抗体３０と対向するとともに、薄膜抵抗体３０の形成領域外において第２方向Ｄ２に延び、薄膜抵抗体３０から離間した露出領域５１においてカバー絶縁膜４３から露出する。

【0057】

つまり、ベース絶縁膜４１は、カバー絶縁膜４３の縁部と交差するように第２方向Ｄ２に延び、カバー絶縁膜４３の形成領域の外側に露出領域５１が形成される。また、埋設ヒートシンク３１は、さらにベース絶縁膜４１の縁部とも交差するように第２方向Ｄ２に延び、ベース絶縁膜４１の形成領域の外側に放熱部５０が形成される。このため、放熱部５０は、カバー絶縁膜４３から離間して形成され、露出領域５１は、カバー絶縁膜４３及び放熱部５０のそれぞれに隣接する領域となる。放熱部５０及び露出領域５１の境界には段差が形成され、その高さはベース絶縁膜４１の厚さに相当する。また、放熱部５０は、露出領域５１とは反対側において下層絶縁膜４０の上面と隣接し、その境界は、露出領域５１との段差よりも小さな段差が形成され、あるいは、段差が形成されず平坦になっている。

【0058】

露出ヒートシンク３５は、埋設ヒートシンク３１に接続された放熱部材であり、絶縁膜４０～４３よりも高い熱伝導率を有する材料、例えば、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属材料を用いることができる。露出ヒートシンク３５は、放熱部５０上に形成されるとともに、放熱部５０に隣接する露出領域５１上及び下層絶縁膜４０上にも形成される。つまり、露出ヒートシンク３５は、放熱部５０を含み、放熱部５０よりも広い領域に形成される。このため、放熱部５０よりも表面積の広い放熱面を確保することができ、露出ヒートシンク３５を設けない場合に比べて、より高い放熱効率を確保することができる。また、放熱部５０の外縁には、段差が形成されないか、あるいは、小さな段差しか形成されないため、ステップカバレッジを確保しつつ、放熱部５０よりも大きな面積を有する露出ヒートシンク３５を容易に形成することができる。放熱部５０をカバー絶縁膜４３の形成領域外に設けることにより、熱源である薄膜抵抗体３０から十分に離間して配置することができるので、放熱効率を向上させることができる。さらに、露出ヒートシンク３５は、接続電極３３又は保護膜３４と同時に形成することができるため、製造工程を複雑化することなく、形成することができる。

【0059】

（３）製造方法
図４～図６は、図１のＳＴ基板１５の製造方法の一例を模式的に示した図である。図中の（ａ１）～（ａ１１）は、製造工程における図２（ａ）のＡ－Ａ切断線による断面を示した図であり、図中の（ｂ１）～（ｂ１１）は、製造工程における図３（ａ）のＢ１－Ｂ１切断線による断面を示した図であり、いずれも製造工程における状態が時系列で示されている。

【0060】

（ａ１）及び（ｂ１）には、下層絶縁膜４０の上面に凹部３１ｈ，３２ｈが形成された状態が示されている。凹部３１ｈ，３２ｈは、下層絶縁膜４０の形成後にフォトリソグラフィ技術を利用して形成される。凹部３１ｈは、埋設ヒートシンク３１に対応する溝部であり、凹部３２ｈは、配線電極３２に対応する溝部であり、互いに分離された溝部として形成される。

【0061】

（ａ２）及び（ｂ２）には、下層絶縁膜４０上に配線材料、例えば、銅（Ｃｕ）を堆積させた後、表面を研磨して平坦にした状態が示されている。凹部３１ｈ及び３２ｈ内には配線材料３０１が埋め込まれ、埋設ヒートシンク３１及び配線電極３２が同時に形成される。埋設ヒートシンク３１及び配線電極３２の上面は、下層絶縁膜４０の上面と一致し、下層絶縁膜４０から露出する。

【0062】

（ａ３）及び（ｂ３）には、ベース絶縁膜４１が形成された状態が示されている。ベース絶縁膜４１は、基板全面に形成された後、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングされる。ベース絶縁膜４１は、薄膜抵抗体３０及び接続電極３３に対応する領域では、埋設ヒートシンク３１を覆うように形成される一方、薄膜抵抗体３０から第２方向Ｄ２に離間した放熱部５０上には形成されず、埋設ヒートシンク３１を露出させる。

【0063】

（ａ４）及び（ｂ４）には、抵抗用薄膜３０２及びフォトレジスト５０１が形成された状態が示され、（ａ５）及び（ｂ５）には、薄膜抵抗体３０が形成された状態が示されている。薄膜抵抗体３０は、フォトレジスト５０１を用いて抵抗用薄膜３０２をパターニングすることにより得られる。抵抗用薄膜３０２は、基板全面に形成される薄膜であり、例えば、ニッケル・クロム（Ｎｉ－Ｃｒ）合金を堆積させて形成される。また、薄膜抵抗体３０上にはフォトレジスト５０１が形成され、薄膜抵抗体３０の形成領域外を開口させるようにパターニングされる。その後、エッチング処理を行って露出している抵抗用薄膜３０２を除去し、さらにフォトレジスト５０１を除去すれば、ベース絶縁膜４１上に薄膜抵抗体３０が形成される。

【0064】

（ａ６）及び（ｂ６）には、分離絶縁膜４２が形成された状態が示されている。分離絶縁膜４２は、基板全面に形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングされる。分離絶縁膜４２は、薄膜抵抗体３０を横断するように第２方向Ｄ２に延び、薄膜抵抗体３０の第１方向Ｄ１の両端を残すように形成される。

【0065】

（ａ７）及び（ｂ７）には、シード膜５１１及びフォトレジスト５０２が形成された状態が示されている。シード膜５１１は、接続電極３３及び露出ヒートシンク３５をめっき法により形成するための下地膜であり、例えば、チタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）の薄膜がスパッタリング法により基板全面に形成される。シード膜５１１上にはフォトレジスト５０２が形成され、接続電極３３及び露出ヒートシンク３５の形成領域を開口させるようにパターニングされる。

【0066】

（ａ８）及び（ｂ８）には、接続電極３３及び露出ヒートシンク３５が形成された状態が示されている。接続電極３３及び露出ヒートシンク３５は、フォトレジスト５０２の開口内に例えば、銅（Ｃｕ）を堆積させた後、フォトレジスト５０２及びシード膜５１１を除去することにより形成される。つまり、露出ヒートシンク３５は、接続電極３３と同一の工程において同時に形成され、工程数を増大させることなく、露出ヒートシンク３５を形成することができる。

【0067】

（ａ９）及び（ｂ９）には、カバー絶縁膜４３が形成された状態が示されている。カバー絶縁膜４３は、基板全面に形成した後、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングされる。カバー絶縁膜４３は、薄膜抵抗体３０を覆うように形成される。

【0068】

（ａ１０）及び（ｂ１０）には、シード膜５１２及びフォトレジスト５０３が形成された状態が示されている。シード膜５１２は、保護膜３４をめっき法により形成するための下地膜であり、例えば、チタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）の薄膜がスパッタリング法により形成される。シード膜５１２上にはフォトレジスト５０３が形成され、保護膜３４の形成領域を開口させるようにパターニングされる。

【0069】

（ａ１１）及び（ｂ１１）には、保護膜３４が形成された状態が示されている。保護膜３４は、フォトレジスト５０３の開口内に例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）などを堆積させた後、フォトレジスト５０３及びシード膜５１２を除去することにより形成される。

【0070】

ベース絶縁膜４１は、平坦化された下層絶縁膜４０上に形成されるため、比較的薄い層、例えば厚さ５μｍの層として形成される。一方、分離絶縁膜４２は、例えば厚さ１０～１５μｍに形成され、接続電極３３は、例えば厚さ１０μｍに形成される。しかも、接続電極３３は、ベース絶縁膜４１、薄膜抵抗体３０、分離絶縁膜４２と重複して形成されるため、接続電極３３の形成後の基板上面には大きな凹凸が形成されている。従って、その上に形成されるカバー絶縁膜４３は、カバレッジを確保するために、比較的厚い層として形成され、例えば厚さ２０μｍ以上になる。このため、従来技術のようにカバー絶縁膜４３に貫通孔を形成しようとすれば、製造コストが増大し、あるいは、信頼性が低下する。これに対し、埋設ヒートシンク３１をカバー絶縁膜４３の形成領域外に引き出し、ベース絶縁膜４１に被覆されていない放熱部５０を設けることにより、製造工程を簡略化することができる。

【0071】

なお、ここでは、露出ヒートシンク３５が接続電極３３と同時に形成される場合の例について説明したが、露出ヒートシンク３５が保護膜３４と同一工程において同時に形成されるようにすることもできる。

【0072】

（４）変形例
図７は、図１のＳＴ基板１５の要部の他の構成例を示した図である。図７（ａ）は、ＳＴ基板１５を平面視したときの各構成要素のレイアウトを示した平面レイアウト図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるＢ２－Ｂ２切断線により切断したときの断面を示す断面図（Ｂ２－Ｂ２断面図）である。Ｂ２－Ｂ２切断線は、薄膜抵抗体３０を通って第２方向Ｄ２に延びる直線である。なお、Ａ－Ａ切断面は、図２（ｂ）と同一であるため、重複する説明は省略する。

【0073】

図３に示したＳＴ基板１５と比較すれば、露出ヒートシンク３５を備えておらず、埋設ヒートシンク３１の放熱部５０が雰囲気に晒され、露出ヒートシンク３５を介することなく、埋設ヒートシンク３１の熱が、放熱部５０から雰囲気へ直接的に排熱される点で異なる。

【0074】

実施の形態２．
実施の形態１では、露出ヒートシンク３５及び保護膜３４が互いに離間して形成されたＳＴ基板１５について説明した。これに対し、本実施の形態では、露出ヒートシンク３５の一部が保護膜３４として機能するＳＴ基板１５について説明する。

【0075】

図８は、本発明の実施の形態２によるＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。図８（ａ）は、ＳＴ基板１５を平面視したときの各構成要素のレイアウトを示した平面レイアウト図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるＢ３－Ｂ３切断線により切断したときの断面を示す断面図（Ｂ３－Ｂ３断面図）である。Ｂ３－Ｂ３切断線は、薄膜抵抗体３０を通って第２方向Ｄ２に延びる直線である。なお、Ａ－Ａ切断面は、図２（ｂ）と同一であるため、重複する説明は省略する。

【0076】

図３（実施の形態１）に示したＳＴ基板１５と比較すれば、露出ヒートシンク３５が保護膜３４の領域まで延び、薄膜抵抗体３０と対向する保護領域５２を有し、当該保護領域５２が薄膜抵抗体３０を熱応力又はレーザー光から保護している点で異なる。つまり、保護膜３４を一体化した露出ヒートシンク３５を備え、図３のＳＴ基板１５よりも、さらに広い表面積を有する点で異なる。

【0077】

露出ヒートシンク３５は、薄膜抵抗体３０の放熱手段として機能するとともに、薄膜抵抗体３０の保護手段としても機能する。このため、絶縁膜４０～４３よりも低い熱膨張係数及び高い熱伝導率を有し、かつ、良好な光反射特性を有する金属材料、例えば、金（Ａｕ）やニッケル（Ｎｉ）が用いられ、保護膜３４と同様の工程により形成される。

【0078】

露出ヒートシンク３５は、放熱部５０上、露出領域５１上及び下層絶縁膜４０上に形成されるとともに、カバー絶縁膜４３上にも形成され、カバー絶縁膜４３を介して、薄膜抵抗体３０と対向する保護領域５２を有する。保護領域５２は、薄膜抵抗体３０を概ね覆うように形成され、カバー絶縁膜４３の熱伸縮を抑制することにより薄膜抵抗体３０を熱応力から保護し、あるいは、プローブ用電極パッド１５１に対しプローブ１７を接合するために照射するレーザー光から薄膜抵抗体３０を保護する。

【0079】

露出ヒートシンク３５は、放熱部５０を含み、放熱部５０よりも広い領域に形成される。特に、カバー絶縁膜４３上にまで延びることにより、図３（実施の形態１）に示した露出ヒートシンク３５と比較しても、より広い領域に形成することができる。このため、広い表面積を有する放熱面を確保することができ、より高い放熱効率を確保することができる。

【0080】

また、露出領域５１は、放熱部５０及びカバー絶縁膜４３のそれぞれと隣接する。このため、放熱部５０及び露出領域５１の境界には段差が形成され、その高さはベース絶縁膜４１の厚さに相当し、露出領域５１及びカバー絶縁膜４３の境界にも段差が形成され、その高さはカバー絶縁膜４３の厚さに相当する。このため、図１２の第２絶縁膜６１２及び第３絶縁膜６１３に相当するベース絶縁膜４１及びカバー絶縁膜４３をともに貫通するビア配線を形成しなければならない従来技術に比べて、ステップカバレッジを確保しつつ、大きな面積を有する露出ヒートシンク３５を容易に形成することができる。さらに、保護膜３４に代えて、保護領域５２を有する露出ヒートシンクを備えていることから、保護膜３４を有するＳＴ基板１５と比較して、製造工程を複雑化することなく、製造することができる。

【0081】

実施の形態３．
上記実施の形態では、薄膜抵抗体３０ごとに、埋設ヒートシンク３１、放熱部５０及び露出ヒートシンク３５を設ける場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、２以上の薄膜抵抗体３０ａ～３０ｃが、埋設ヒートシンク３１、放熱部５０及び露出ヒートシンク３５を共用する場合について説明する。

【0082】

図９は、本発明の実施の形態３によるＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。図９（ａ）は、ＳＴ基板１５を平面視したときの各構成要素のレイアウトを示した平面レイアウト図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）におけるＢ４－Ｂ４切断線により切断したときの断面を示す断面図（Ｂ４－Ｂ４断面図）である。Ｂ４－Ｂ４切断線は、薄膜抵抗体３０を通って第２方向Ｄ２に延びる直線である。なお、Ａ－Ａ切断面は、図２（ｂ）と同一であるため、重複する説明は省略する。

【0083】

図８（実施の形態２）に示したＳＴ基板１５と比較すれば、２以上の薄膜抵抗体３０ａ～３０ｃに対し、共通の埋設ヒートシンク３１、放熱部５０及び露出ヒートシンク３５が設けられている点で異なる。

【0084】

２以上の薄膜抵抗体３０ａ～３０ｃは、等間隔で第２方向Ｄ２に整列配置されている。２以上の薄膜抵抗体３０ａ～３０ｃには、それぞれが対応する一対の配線電極３２ａ～３２ｃ及び一対の接続電極３３ａ～３３ｃが設けられる一方、共通の絶縁膜４１～４３、埋設ヒートシンク３１、露出ヒートシンク３５及び放熱部５０が設けられる。

【0085】

つまり、２以上の薄膜抵抗体３０ａ～３０ｃは、共通のベース絶縁膜４１上に形成され、当該ベース絶縁膜４１を介して、共通の埋設ヒートシンク３１と対向する。また、２以上の薄膜抵抗体３０上には、共通の分離絶縁膜４２が形成され、さらに共通のカバー絶縁膜４３が形成されている。また、共通の放熱部５０及び露出領域５１が、一端側の薄膜抵抗体３０ａの外側に形成され、当該放熱部５０を介して、共通の露出ヒートシンク３５が埋設ヒートシンク３１に接続される。当該露出ヒートシンク３５は、２以上の薄膜抵抗体３０ａ～３０ｃのそれぞれと対向する。

【0086】

２以上の薄膜抵抗体３０ａ～３０ｃについて、埋設ヒートシンク３１を共用化することにより、放熱部５０も共用化することができる。このため、薄膜抵抗体３０ごとに放熱部５０を設ける必要がなく、薄膜抵抗体３０及び接続電極３３を高密度で配置することが可能になり、プローブ用電極パッド１５１を狭ピッチで配置することが可能になる。

【0087】

実施の形態４．
上記実施の形態では、薄膜抵抗体３０の一方の側方に放熱部５０及び露出ヒートシンク３５が形成される場合の例について説明した。これに対し、本実施の形態では、薄膜抵抗体３０の両側に放熱部５０及び露出ヒートシンク３５がそれぞれ形成される場合について説明する。

【0088】

図１０は、本発明の実施の形態４によるＳＴ基板１５の要部の一構成例を示した図である。図１０（ａ）は、ＳＴ基板１５を平面視したときの各構成要素のレイアウトを示した平面レイアウト図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）におけるＢ５－Ｂ５切断線により切断したときの断面を示す断面図（Ｂ５－Ｂ５断面図）である。Ｂ５－Ｂ５切断線は、薄膜抵抗体３０を通って第２方向Ｄ２に延びる直線である。なお、Ａ－Ａ切断面は、図２（ｂ）と同一であるため、重複する説明は省略する。

【0089】

埋設ヒートシンク３１は、薄膜抵抗体３０から第２方向Ｄ２の両方向に延び、薄膜抵抗体３０の両側に一対の放熱部５０及び一対の露出ヒートシンク３５が配置されている。露出ヒートシンク３５は、対応する放熱部５０を介して共通の埋設ヒートシンク３１に接続されている。このため、２つの露出ヒートシンク３５を用いて薄膜抵抗体３０の放熱を行うことができ、雰囲気と接触する放熱面の面積をさらに増大させ、放熱効率をさらに向上させることができる。

【0090】

なお、図７（実施の形態１）、図８（実施の形態２）及び図９（実施の形態３）に示したＳＴ基板１５についても、本実施の形態の場合と同様にして、薄膜抵抗体３０の両側に一対の放熱部５０を形成することができる。

【符号の説明】

【0091】

１２ メイン基板
１２０ 外部端子
１２１ 接続端子
１３ 補強板
１４ 接続基板
１４０ ポゴピン
１５ ＳＴ基板
１５０ 接続端子
１５１ プローブ用電極パッド
１５２ セラミック基板
１５３ 積層構造体
１６ 支持部材
１７ プローブ
２０ 半導体ウエハ
２１ 可動ステージ
２２ 電極パッド
３０，３０ａ～３０ｃ 薄膜抵抗体
３１ 埋設ヒートシンク
３２，３２ａ～３２ｃ 配線電極
３３，３３ａ～３３ｃ 接続電極
３４ 保護膜
３５ 露出ヒートシンク
４０ 下層絶縁膜
４１ ベース絶縁膜
４２ 分離絶縁膜
４３ カバー絶縁膜
５０ 放熱部
５１ 露出領域
５２ 保護領域
１００ プローブカード

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】