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特許7459358垂直型LED画素パッケージのコモンカソード構造
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-03-22
(45)【発行日】2024-04-01
(54)【発明の名称】垂直型LED画素パッケージのコモンカソード構造
(51)【国際特許分類】
   H01L 33/62 20100101AFI20240325BHJP
   G09F 9/33 20060101ALI20240325BHJP
【FI】
H01L33/62
G09F9/33
【請求項の数】 12
(21)【出願番号】P 2023121718
(22)【出願日】2023-07-26
【審査請求日】2023-07-26
(73)【特許権者】
【識別番号】511207730
【氏名又は名称】聯嘉光電股▲ふん▼有限公司
(74)【代理人】
【識別番号】110002262
【氏名又は名称】TRY国際弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】陳 復邦
(72)【発明者】
【氏名】潘 昶宏
(72)【発明者】
【氏名】蔡 増光
(72)【発明者】
【氏名】黄 國欣
【審査官】下村 一石
(56)【参考文献】
【文献】特開2022-149786(JP,A)
【文献】特開2019-192731(JP,A)
【文献】国際公開第2019/150825(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
H01L 33/00-33/64
G09F 9/33
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
パッケージングキャリアであって、複数のアノードと、1つのコモンカソードとを備え、且つ前記複数のアノード、前記コモンカソードは、それぞれ、前記パッケージングキャリアを貫通しているパッケージングキャリアと、
複数の垂直型発光ダイオードチップであって、前記パッケージングキャリアに設けられ、且つ前記複数の垂直型発光ダイオードチップは、それぞれ、導電性キャリアと、前記導電性キャリアに固定される垂直型発光ダイオード構造と、前記垂直型発光ダイオード構造の上方に電気的に接続されるN電極と、前記導電性キャリアの下方に電気的に接続されるP電極とを含み、前記複数のアノードは、それぞれ、前記複数の垂直型発光ダイオードチップの前記P電極に対応し且つ電気的に接続される複数の垂直型発光ダイオードチップと、
導電性柱体であって、前記パッケージングキャリアに設けられ且つ前記コモンカソードに電気的に接続され、前記複数の垂直型発光ダイオードチップの前記N電極は、前記導電性柱体の上接触面と共通の平面を備える導電性柱体と、
絶縁隔離支持体であって、前記パッケージングキャリアに設けられ且つ前記導電性柱体と前記複数の垂直型発光ダイオードチップとの間に充填され、且つ前記共通の平面と面一になるよう満たし、また、前記絶縁隔離支持体は前記複数の垂直型発光ダイオードチップの側壁を覆う絶縁隔離支持体と、
前記複数の垂直型発光ダイオードチップのN電極、前記導電性柱体及び前記絶縁隔離支持体に形成され且つ前記導電性柱体と前記複数の垂直型発光ダイオードチップのN電極とを導通させるカソードコモン金属薄膜層とを含むことを特徴とする垂直型発光ダイオード画素パッケージのコモンカソード構造。
【請求項2】
前記絶縁隔離支持体は、黒い材料であることを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項3】
前記絶縁隔離支持体の上方に黒色絶縁物質をスクリーン印刷することにより前記カソードコモン金属薄膜層、前記N電極及び前記導電性柱体が覆われ、前記複数の垂直型発光ダイオードチップの出射領域が露出することを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項4】
前記絶縁隔離支持体は、黒い材料であり、且つ前記絶縁隔離支持体の上方に黒色絶縁物質をスクリーン印刷することにより前記カソードコモン金属薄膜層、前記N電極及び前記導電性柱体が覆われ、前記複数の垂直型発光ダイオードチップの出射領域が露出することを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項5】
前記複数の垂直型発光ダイオードチップは3つであり且つ平面視では長方形であり、前記導電性柱体も平面視では長方形であり、前記3つの垂直型発光ダイオードチップは、それぞれ、対応して赤色光、緑色光、青色光を発し、前記3つの垂直型発光ダイオードチップは並置され且つ長い辺が近接し、前記導電性柱体の長い辺は前記3つの垂直型発光ダイオードチップの短い辺に近接することを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項6】
前記複数の垂直型発光ダイオードチップは3つであり且つ平面視では長方形であり、前記導電性柱体も平面視では長方形であり、前記3つの垂直型発光ダイオードチップは、それぞれ、対応して赤色光、緑色光、青色光を発し、前記3つの垂直型発光ダイオードチップは前記導電性柱体と並置され且つ長い辺が近接することを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項7】
前記複数の垂直型発光ダイオードチップは3つであり且つ平面視では長方形であり、前記導電性柱体も平面視では長方形であり、前記3つの垂直型発光ダイオードチップは、それぞれ、対応して赤色光、緑色光、青色光を発し、前記3つの垂直型発光ダイオードチップが前記導電性柱体と2×2の長方形になるよう配置されることを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項8】
前記導電性柱体、前記カソードコモン金属薄膜層は複数であり、且つ複数の前記導電性柱体と複数の前記カソードコモン金属薄膜層は一対一で配置され、且つ、それぞれ、それぞれ赤色光、緑色光、青色光を発する3つの前記垂直型発光ダイオードチップと組み合わせて画素が形成され、前記パッケージングキャリアには複数の前記画素が配置されることを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項9】
前記パッケージングキャリアは長方形であり、且つ面積は0.04平方ミリメートル~1.96平方ミリメートルであることを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項10】
前記カソードコモン金属薄膜層は、スクリーン印刷、ディスペンシング、蒸着のいずれかの方法で作製されることを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項11】
前記カソードコモン金属薄膜層の厚さは、少なくとも3マイクロメートルであることを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【請求項12】
前記絶縁隔離支持体は、ディスペンシング、スプレー塗装、真空注入のいずれかの方法で作製されることを特徴とする請求項1に記載のコモンカソード構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、垂直型発光ダイオードチップを用いるパッケージ部品構造に関し、特に、垂直型LED画素パッケージのコモンカソード構造に関する。
【背景技術】
【0002】
LEDチップは、外観、電極の配置、半導体層の電流方向から、主に、1.水平型(horizontal)、2.垂直型(vertical)、3.フリップチップ型(flip-chip)の3つの形態に分けられる。
【0003】
水平型LEDチップと垂直型LEDチップは最も単純なチップ形態であり、しかしながらその電極とパッケージングキャリアとの電気的接続では、いずれもワイヤーボンディング工程を行わなければならない。図1A図1Bが参照されるとおり、垂直型LEDのワイヤーボンディング構造の平面模式図及びワイヤーボンディング構造の側面断面模式図であり、それはパッケージングキャリア1を備え、パッケージングキャリア1には青色LEDチップ2と、緑色LEDチップ3と、赤色LEDチップ4が設けられ、青色LEDチップ2、緑色LEDチップ3及び赤色LEDチップ4のN電極5は、それぞれ、金属ボンディングワイヤー6でコモンカソードパッド(pad)7に電気的に接続され、当該構造は工程効率が低く、ワイヤーボンディング工程でウェハーが壊れるという信頼性の問題がある。
【0004】
上記のワイヤーボンディングに関する問題を避けるために、現在、LEDディスプレイでは、主に、ワイヤーボンディングが不要なフリップチップ型LEDチップが使用されている。
【0005】
フリップチップ型LEDチップとパッケージングキャリアとの電気的接続工程では、P電極及びN電極がいずれも底部接着の導電方式を採用しているため、発光面の上方でワイヤーボンディングによって電極を接続させる必要がなく、チップの下方の底部のN電極とP電極(P/N electrode)が電極パッドによってパッケージングキャリアに導電可能に接着されるのは、ワイヤーボンディング工程の欠点を避けることができる。
【0006】
より狭いピッチのLEDディスプレイ(例えば、画素ピッチは0.75mm未満)では、画素のパッケージにはより小型の赤色、緑色又は青色発光ダイオードチップ(例えば、チップは125μm×125μm未満)が必要であり、この時に小型のフリップチップ型LEDチップには底部短絡のリスクが生じやすい。チップの底部においてN電極とP電極が同時にパッケージングキャリアと導電可能に接着されるように配置され、一般に導電性はんだペーストで作製されるため、チップサイズがますます小さくなり、フリップチップ型LEDチップ底部の同一平面のP電極とN電極がますます近くなり、精密金属の接着工程で導電性物質の拡散によりすぐに短絡し又は長期にわたり信頼性が失われることがよくある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
これに鑑みて、本発明の主な目的は、垂直型LED画素パッケージのコモンカソード構造を開示することであり、垂直型発光ダイオードチップがパッケージングキャリアに電気的に接続され、金属ボンディングワイヤーが不要となるため、現在主流となっている小型のフリップチップ型LEDチップはパッケージング工程で、チップと同一平面の電極のピッチが近すぎるため短絡しやすいという欠点を避けることができ、高信頼性で高いコントラストと高画質のミニLEDディスプレイ(MiniLED Dipslay)の量産に役立つ。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明は、パッケージングキャリアと、複数の垂直型発光ダイオードチップと、導電性柱体と、絶縁隔離支持体と、カソードコモン金属薄膜層とを含む垂直型発光ダイオード画素パッケージのコモンカソード構造である。
【0009】
当該パッケージングキャリアは、複数のアノードと、1つのコモンカソードとを備え、且つ当該複数のアノード、当該コモンカソードは、それぞれ、当該パッケージングキャリアを貫通している。当該複数の垂直型発光ダイオードチップは当該パッケージングキャリアに設けられ、且つ当該複数の垂直型発光ダイオードチップは、それぞれ、導電性キャリアと、垂直型発光ダイオード構造と、N電極と、P電極とを含み、当該垂直型発光ダイオード構造は当該導電性キャリアに固定され、当該N電極は当該垂直型発光ダイオード構造の上方に電気的に接続され、当該P電極は当該導電性キャリアの下方に電気的に接続され、当該複数のアノードは、それぞれ、当該複数の垂直型発光ダイオードチップのP電極に対応し且つ電気的に接続される。
【0010】
当該導電性柱体は、当該パッケージングキャリアに設けられ且つ当該コモンカソードに電気的に接続され、当該複数の垂直型発光ダイオードチップのN電極は、当該導電性柱体の上接触面と共通の平面を備える。
【0011】
当該絶縁隔離支持体は、当該パッケージングキャリアに設けられ且つ当該導電性柱体と当該複数の垂直型発光ダイオードチップとの間に充填され、且つ当該共通の平面と面一になるよう満たし、また、当該絶縁隔離支持体は当該複数の垂直型発光ダイオードチップの側壁を覆う。当該カソードコモン金属薄膜層は当該複数の垂直型発光ダイオードチップのN電極、当該導電性柱体及び当該絶縁隔離支持体に形成され、且つ当該カソードコモン金属薄膜層は当該導電性柱体と当該複数の垂直型発光ダイオードチップのN電極とを導通させる。
【発明の効果】
【0012】
これにより、本発明は、カソードコモン金属薄膜層及び導電性柱体を設けることにより複数のN電極をパッケージングキャリアのコモンカソードに電気的に接続させることができ、複数のP電極は、それぞれ、パッケージングキャリアの複数のアノードに電気的に接続され、複数のアノードとコモンカソードは同一平面上にあり、本発明は、コモンカソードの設計を備え、赤色、緑色及び青色の垂直型発光ダイオードチップが単一の画素を構成する時に、単一の画素内の赤色、緑色、青色の各垂直型発光ダイオードチップの独立的な回路によって、各垂直型発光ダイオードチップの発光強度を制御することで、フルカラー画素という要件を満たすことができ、LEDディスプレイに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
図1A図1Aは、従来の垂直型LEDのワイヤーボンディング構造の平面模式図である。
図1B図1Bは、従来の垂直型LEDのワイヤーボンディング構造の側面断面模式図である。
図2A図2Aは、本発明の垂直型発光ダイオードチップの構造の断面模式図である。
図2B図2Bは、本発明の垂直型発光ダイオードチップの平面構造模式図である。
図3A図3Aは、本発明の構造の平面模式図である。
図3B図3Bは、本発明の構造の断面模式図である。
図4図4は、本発明の表面構造の黒化の模式図である。
図5A図5Aは、本発明の作製プロセスの断面構造図である。
図5B図5Bは、本発明の作製プロセスの断面構造図である。
図5C図5Cは、本発明の作製プロセスの断面構造図である。
図5D図5Dは、本発明の作製プロセスの断面構造図である。
図6A図6Aは、本発明の作製模式図その1である。
図6B図6Bは、本発明の作製模式図その2である。
図7図7は、本発明の垂直型発光ダイオードチップと導電性柱体の相対的位置の模式図である。
図8図8は、本発明の垂直型発光ダイオードチップと導電性柱体の相対的位置の模式図である。
図9図9は、本発明の垂直型発光ダイオードチップと導電性柱体の相対的位置の模式図である。
図10図10は、本発明の垂直型発光ダイオードチップと導電性柱体の相対的位置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明の特徴、目的及び効果が一層知られ、認められるように、好ましい実施例を挙げ、図面を添えて次のとおりに説明する。
図2A及び図2Bが参照されるとおり、本発明の垂直型発光ダイオードチップ10の構造の断面模式図及び平面構造模式図である。一実施例では、本発明の垂直型発光ダイオードチップ10は、導電性キャリア11と、垂直型発光ダイオード構造12と、N電極13と、P電極14とを含み、垂直型発光ダイオード構造12は導電性キャリア11に固定され、N電極13は垂直型発光ダイオード構造12の上方に電気的に接続され、P電極14は導電性キャリア11の下方に電気的に接続され、一実施例では、導電性キャリア11は、順に積層される代替基板111と、接着層112とを含み、代替基板111の材質は高い熱伝導性を有し且つ導電性を有し、例えば、シリコン基板などである。垂直型発光ダイオード構造12は、順に積層される構造金属層121と、導電性反射層122と、P型半導体層123と、発光層124と、N型半導体層125とを含む。接着層112が構造金属層121に接着され、これにより垂直型発光ダイオード構造12は導電性キャリア11に固定され、N電極13はオーミック接触でN型半導体層125に電気的に接続され、P電極14は代替基板111に電気的に接続されて、P型半導体層123と導通される。これにより、N電極13及びP電極14に電圧を印加すると、P型半導体層123とN型半導体層125との間に電圧差が生じて、発光層124を発光させることができる。発光層124で使用されるエピタキシャル材料を変えると、発光層124は、赤色光、緑色光又は青色光を発することができる。好ましくは、本発明の垂直型発光ダイオードチップ10のN電極13は、垂直型発光ダイオードチップ10の側縁に配置される。
【0015】
また図3A及び図3Bが参照されるとおり、本発明は、複数の垂直型発光ダイオードチップ10と、導電性柱体20と、絶縁隔離支持体30と、カソードコモン金属薄膜層40と、パッケージングキャリア50とを含む垂直型発光ダイオード画素パッケージのコモンカソード構造である。
【0016】
パッケージングキャリア50は、複数のアノード51と、1つのコモンカソード52とを備え、且つ複数のアノード51、コモンカソード52は、それぞれ、パッケージングキャリア50を貫通している。複数の垂直型発光ダイオードチップ10はパッケージングキャリア50に設けられ、且つ複数のアノード51は、それぞれ、複数の垂直型発光ダイオードチップ10のP電極14に対応し且つ電気的に接続される。一実施例では、パッケージングキャリア50は長方形であり、且つ面積は0.04mm~1.96mm(平方ミリメートル)であり、正方形である場合は、辺の長さは0.20mm×0.20mm~1.4mm×1.4mm(ミリメートル)である。
【0017】
導電性柱体20は、パッケージングキャリア50に設けられ且つコモンカソード52に電気的に接続され、複数の垂直型発光ダイオードチップ10のN電極13は、導電性柱体20の上接触面21と共通の平面211を備える。導電性柱体20としてスズ、銅、金、アルミニウムなどの材質を使用することが好ましく、N型半導体、P型半導体、又はITOなどの高導電性半導体物質を使用してもよい。
【0018】
絶縁隔離支持体30は、パッケージングキャリア50に設けられ且つ導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10との間に充填され、共通の平面211と面一になるよう満たし(図3B参照)、また、絶縁隔離支持体30は複数の垂直型発光ダイオードチップ10の側壁101を覆う。好ましくは、絶縁隔離支持体30が導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10を取り囲んで構造体31が形成され、全体の構造強度が向上する。絶縁隔離支持体30の材料は、エポキシ樹脂(epoxy)、シリコン(silicon)などから選ばれてもよい。
【0019】
カソードコモン金属薄膜層40は、複数の垂直型発光ダイオードチップ10のN電極13、導電性柱体20及び絶縁隔離支持体30に形成され、且つ導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10のN電極13とを導通させ、一実施例では、カソードコモン金属薄膜層40は、スクリーン印刷、ディスペンシング、蒸着のいずれかの方法で作製され、且つカソードコモン金属薄膜層40の厚さは、少なくとも3マイクロメートルである。そのうち、スクリーン印刷は、導電性コロイドを印刷することであり、導電性コロイドはコロイドと高導電性金属の混合材料であり、高導電性金属は、例えば、スズ、銅、銀、金などである。
【0020】
また図3A及び図4が参照されるとおり、一実施例では、絶縁隔離支持体30では黒い材料が使用される。一実施例では、絶縁隔離支持体30の上方に黒色絶縁物質60をスクリーン印刷することによりカソードコモン金属薄膜層40、N電極13及び導電性柱体20が覆われ、且つ複数の垂直型発光ダイオードチップ10の出射領域102が露出する。より明瞭に言えば、黒色絶縁物質60によって覆われていないのは複数の垂直型発光ダイオードチップ10の出射領域102だけであり、これにより、不要な金属反射を避けて、コントラストを高めることができる。一実施例では、絶縁隔離支持体30で黒い材料を使用することと黒色絶縁物質60をスクリーン印刷することが共に実施されてもよく、これによって最良のコントラストを得ることができる。
【0021】
また図5A図5Dが参照されるとおり、工程をみると、一実施例では、最初に複数の垂直型発光ダイオードチップ10及び導電性柱体20をパッケージングキャリア50に固定し、複数のアノード51を複数のP電極14に対応して電気的に接続させ、コモンカソード52を導電性柱体20に電気的に接続させる。次に、図5Bに示されるとおり、絶縁隔離支持体30を導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10との間に充填させ、共通の平面211と面一になるよう満たし、絶縁隔離支持体30は、ディスペンシング、スプレー塗装、真空注入のいずれかの方法で作製される。次に、図5Cに示されるとおり、複数の垂直型発光ダイオードチップ10、導電性柱体20及び絶縁隔離支持体30にカソードコモン金属薄膜層40を形成させ、且つカソードコモン金属薄膜層40によって導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10のN電極13とを導通させる。最後に、図5Dに示されるとおり、カソードコモン金属薄膜層40、N電極13、導電性柱体20及び絶縁隔離支持体30の上方に黒色絶縁物質60をスクリーン印刷し、且つ出射領域102を露出させる。
【0022】
また図6A及び図6Bが併せて参照されるとおり、一実施例では、本発明に記載の構造は、量産のニーズに応じて、複数組の複数の垂直型発光ダイオードチップ10及び導電性柱体20を先に大きめのパッケージングキャリア50Aに設けてもよく、大きめのパッケージングキャリア50Aは複数のパッケージングキャリア50の集合体であり、黒色絶縁物質60のスクリーン印刷工程を完了した(図5D参照)後、切断線53に沿って大きめのパッケージングキャリア50Aを切断すれば複数のパッケージングキャリア50に分割することができる。
【0023】
また図7が参照されるとおり、一実施例では、パッケージングキャリア50上の複数の垂直型発光ダイオードチップ10は3つであり且つ平面視では長方形であり、導電性柱体20も平面視では長方形であり、3つの垂直型発光ダイオードチップ10は、それぞれ、対応して赤色光、緑色光、青色光を発し、3つの垂直型発光ダイオードチップ10は並置され且つ長い辺が近接し、導電性柱体20の長い辺は3つの垂直型発光ダイオードチップ10の短い辺に近接し、また、カソードコモン金属薄膜層40は導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10とを導通させる。
【0024】
また図8が参照されるとおり、一実施例では、パッケージングキャリア50上の複数の垂直型発光ダイオードチップ10は3つであり且つ平面視では長方形であり、導電性柱体20も平面視では長方形であり、3つの垂直型発光ダイオードチップ10は、それぞれ、対応して赤色光、緑色光、青色光を発し、3つの垂直型発光ダイオードチップ10は導電性柱体20と並置され且つ長い辺が近接し、また、カソードコモン金属薄膜層40は導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10とを導通させる。
【0025】
また図9が参照されるとおり、一実施例では、パッケージングキャリア50上の複数の垂直型発光ダイオードチップ10は3つであり且つ平面視では長方形であり、導電性柱体20も平面視では長方形であり、3つの垂直型発光ダイオードチップ10は、それぞれ、対応して赤色光、緑色光、青色光を発し、3つの垂直型発光ダイオードチップ10が導電性柱体20と2×2の長方形になるよう配置され、また、カソードコモン金属薄膜層40は導電性柱体20と複数の垂直型発光ダイオードチップ10とを導通させる。
【0026】
また図10が参照されるとおり、後の工程を簡素化し、後の工程による量産のスピードを上げるために、実際には、複数の画素70を同一の画素キャリア50Bに設けてもよい。より詳しく言えば、画素キャリア50Bは複数のパッケージングキャリア50の組み合わせであり、且つ分割されていない。一実施例では、導電性柱体20、カソードコモン金属薄膜層40は複数であり、且つ複数の導電性柱体20と複数のカソードコモン金属薄膜層40は一対一で配置され、且つ、それぞれ、3つの垂直型発光ダイオードチップ10(それぞれ、赤色光、緑色光、青色光を発する)と組み合わせて画素70が形成され、複数の画素70は、同一の画素キャリア50Bに設けられる。
【0027】
上記から分かるように、本発明は、少なくとも次の特徴を有する。
1.本発明は、カソードコモン金属薄膜層及び導電性柱体を設けることにより複数のN電極をパッケージングキャリアのコモンカソードに電気的に接続させることができ、複数のP電極は、それぞれ、パッケージングキャリアの複数のアノードに電気的に接続され、複数のアノードとコモンカソードは同一平面上にあり、主流のSMT(Surface Mount Technology, 表面実装)対応パッケージング技術の要件を満たすことができる。
【0028】
2.本発明は、コモンカソードの設計を備え、赤色、緑色及び青色の垂直型発光ダイオードチップが単一の画素を構成する時に、単一の画素内の赤色、緑色、青色の各垂直型発光ダイオードチップの独立的な回路によって、各垂直型発光ダイオードチップの発光強度を制御することで、フルカラー画素という要件を満たすことができ、LEDディスプレイに用いることができる。
【0029】
3.本発明の垂直型発光ダイオードチップは垂直型LEDチップであるため、従来のフリップチップ型LEDチップの短絡という信頼性の問題が避けられ、また、本発明ではワイヤーボンディング工程を行わず表面の黒化処理と組み合わせることができるため、高画質と高いコントラストのミニLEDディスプレイ(MiniLED Dipslay)の量産のニーズを満たすことができる。
【0030】
4.本発明の構造では、複数組の複数の垂直型発光ダイオードチップ及び導電性柱体を先に大きめのパッケージングキャリアに設け、黒色絶縁物質の印刷工程を完了してから、切断してもよく、キャリア1つと画素1つとキャリア1つと画素複数から二択できるため、量産と後の工程の簡素化のニーズを満たすことができる。
【符号の説明】
【0031】
1 パッケージングキャリア
2 青色LEDチップ
3 緑色LEDチップ
4 赤色LEDチップ
5 N電極
6 金属ボンディングワイヤー
7 コモンカソードパッド
10 垂直型発光ダイオードチップ
101 側壁
102 出射領域
11 導電性キャリア
111 代替基板
112 接着層
12 垂直型発光ダイオード構造
121 構造金属層
122 電性反射層
123 P型半導体層
124 発光層
125 N型半導体層
13 N電極
14 P電極
20 導電性柱体
21 上接触面
211 共通の平面
30 絶縁隔離支持体
31 構造体
40 カソードコモン金属薄膜層
50 パッケージングキャリア
50A パッケージングキャリア
51 アノード
52 コモンカソード
53 切断線
60 黒色絶縁物質
70 画素
【要約】      (修正有)
【課題】垂直型LED画素パッケージのコモンカソード構造を提供する。
【解決手段】パッケージングキャリアと、複数の垂直型発光ダイオードチップ10と、導電性柱体20と、絶縁隔離支持体30と、カソードコモン金属薄膜層40とを含む垂直型LED画素パッケージのコモンカソード構造であって、パッケージングキャリアの上方に複数の垂直型発光ダイオードチップが設けられ、パッケージングキャリアは、その本体を貫通している複数のアノード51及び1つのコモンカソード52を下方の電極の外部接点として備え、複数のアノードは、複数の垂直型発光ダイオードチップのP電極14に対応し電気的に接続され、導電性柱体はコモンカソード及び複数の垂直型発光ダイオードチップのN電極13に電気的に接続され、カソードコモン金属薄膜層は複数の垂直型発光ダイオードチップ、導電性柱体及び絶縁隔離支持体に形成され導電性柱体と複数のN電極とを導通させる。
【選択図】図3B
図1A
図1B
図2A
図2B
図3A
図3B
図4
図5A
図5B
図5C
図5D
図6A
図6B
図7
図8
図9
図10