特許 7459578 ソレノイドバルブの駆動回路

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-25

(45)【発行日】2024-04-02

(54)【発明の名称】ソレノイドバルブの駆動回路

(51)【国際特許分類】

   H01F 7/18 20060101AFI20240326BHJP

   F16K 31/06 20060101ALI20240326BHJP

【ＦＩ】

H01F7/18 L

F16K31/06 310A

【請求項の数】 2

(21)【出願番号】P 2020045312

(22)【出願日】2020-03-16

(65)【公開番号】P2021150315

(43)【公開日】2021-09-27

【審査請求日】2022-12-14

(73)【特許権者】

【識別番号】000000011

【氏名又は名称】株式会社アイシン

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】杉山 浩之

【審査官】井上 健一

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－０４４６６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－１１０５９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】韓国公開特許第１０－２００７－００７２６９６（ＫＲ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２１０１３５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１６３６２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６０－２２７５１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１９２６９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０８０８６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／００６９９６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００６－１３５２４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２５５４６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１５２１６０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０１－１４７８１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】実開平０１－１４６５０４（ＪＰ，Ｕ）

【文献】実開昭５２－１５９６０８（ＪＰ，Ｕ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ ７／１８

Ｆ１６Ｋ ３１／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

直流電源からの電力の供給を受けてソレノイドバルブの電磁部の通電制御を行なうソレノイドバルブの駆動回路であって、
前記直流電源と前記電磁部とを接続する電力ラインに前記直流電源側から順に配置される第１接続点、第２接続点、スイッチング素子と、
前記第２接続点に接続されるカソードを有するダイオードと、
を備え、
前記第１接続点は、他の電気回路に接続されており、
更に、前記電力ラインの前記第１接続点と前記第２接続点との間に設置され、前記第２接続点側から前記第１接続点側への通電を遮断可能な遮断回路を備え、
前記遮断回路は、前記第１接続点側に接続されたソースと、前記第２接続点側に接続されたドレインと、ゲートとを有するＰチャネル型の電界効果トランジスタと、第１抵抗素子と第２抵抗素子とを有し、
前記第１抵抗素子の一方は、前記ソースと前記第１接続点との間で前記電力ラインに接続されており、
前記第１抵抗素子の他方は、前記ゲートと前記第２抵抗素子の一方とに接続されており、
前記第２抵抗素子の他方は、接地されている、
ソレノイドバルブの駆動回路。

【請求項2】

請求項１記載のソレノイドバルブの駆動回路であって、
前記遮断回路は、コンデンサを更に有し、
前記コンデンサの一方は、接地されており、
前記コンデンサの他方は、前記第１抵抗素子の前記他方と前記ゲートと前記第２抵抗素子の前記一方とに接続されている、
ソレノイドバルブの駆動回路。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、ソレノイドバルブの駆動回路に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、この種のソレノイドバルブの駆動回路としては、直流電源とソレノイドバルブの電磁部とに直列に接続されたスイッチング素子と、電磁部およびスイッチング素子に並列に接続されたダイオードとを有するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このソレノイドバルブの駆動回路では、スイッチング素子のスイッチングにより、ソレノイドバルブの電磁部の通電制御を行なう。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００７－２７４６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

直流電源からみてソレノイドバルブの駆動回路と他の電気回路とが並列に接続されている場合、ソレノイドバルブの電磁部の通電中に直流電源からソレノイドバルブの駆動回路に電力が供給されなくなると、電磁部に電流が流れ続けようとして電磁部の直流電源側の電位が負に低下する。これに伴って、他の電気回路側からソレノイドバルブの駆動回路側に電流が流れようとし、他の電気回路（スイッチング素子など）に不適切な影響を及ぼす可能性がある。

【0005】

本開示のソレノイドバルブの駆動回路は、直流電源からみてこの駆動回路とは並列に接続された他の電気回路に不適切な影響を及ぼすのを抑制することを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示のソレノイドバルブの駆動回路は、上述の主目的を達成するために以下の手段を採った。

【0007】

本開示のソレノイドバルブの駆動回路は、
直流電源からの電力の供給を受けてソレノイドバルブの電磁部の通電制御を行なうソレノイドバルブの駆動回路であって、
前記直流電源と前記電磁部とを接続する電力ラインに前記直流電源側から順に配置される第１接続点、第２接続点、スイッチング素子と、
前記第２接続点に接続されるカソードを有するダイオードと、
を備え、
前記第１接続点は、他の電気回路に接続されており、
更に、前記電力ラインの前記第１接続点と前記第２接続点との間に設置され、前記第２接続点側から前記第１接続点側への通電を遮断可能な遮断回路を備える、
ことを要旨とする。

【0008】

本開示のソレノイドバルブの駆動回路では、直流電源と電磁部とを接続する電力ラインに直流電源側から順に配置される第１接続点、第２接続点、スイッチング素子と、第２接続点に接続されるカソードを有するダイオードとを備える。そして、第１接続点は、他の電気回路に接続されている。さらに、電力ラインの第１接続点と第２接続点との間に設置され、第２接続点側から第１接続点側への通電を遮断可能な遮断回路を備える。これにより、電磁部の通電中に直流電源からソレノイドバルブの駆動回路に電力が供給されなくなったときに、遮断回路により第２接続点側（電磁部側）から第１接続点側（他の電気回路側）への通電を遮断することができるから、他の電気回路に電流が流れるのを抑制し、他の電気回路に不適切な影響を及ぼすのを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示のソレノイドバルブＳＬの駆動回路３０を有する駆動装置１０の概略構成図である。

【図2】第１比較形態の駆動装置１０Ｂの概略構成図である。

【図3】第２比較形態の駆動装置１０Ｃの概略構成図である。

【図4】ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭの通電中に直流電源１２から駆動回路３０などに電力が供給されなくなったときのＦＥＴ４２のソースおよびゲートの電位Ｖｓ１，Ｖｇ１，Ｖｓ２，Ｖｇ２の様子の一例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

次に、図面を参照しながら、本開示の発明を実施するための形態について説明する。

【0011】

図１は、本開示のソレノイドバルブＳＬの駆動回路３０を有する駆動装置１０の概略構成図である。本開示の駆動装置１０は、動力伝達装置を介して駆動源からの動力を駆動輪に連結されたドライブシャフトに伝達する車両に搭載され、図示するように、直流電源１２と、ソレノイドバルブＳＬおよびそれ以外の各負荷ＬＤ［ｉ］（ｉ：各負荷に対応する変数）と、電子制御ユニット（ＥＣＵ）２０とを備える。ここで、動力伝達装置としては、例えば、有段変速機や、前後進切替機構および無段変速機、デュアルクラッチトランスミッション、ハイブリッドトランスミッションなどを挙げることができる。動力伝達装置には、油圧制御装置により作動油が供給される。油圧制御装置は、複数の油路が形成されたバルブボディや、レギュレータバルブ、調圧バルブ、切替バルブ、ソレノイドバルブＳＬを含む複数のソレノイドバルブを有する。

【0012】

直流電源１２は、例えば１２Ｖの定格電圧を有する鉛蓄電池やリチウムイオン二次電池として構成されている。この直流電源１２の正極端子は、コネクタ１３を介して電力ライン１４に接続されており、直流電源１２の負極端子は、接地されている（金属製のケースなどの電力ライン（電力ライン１４とは異なる電力ライン）に接続されている）。電力ライン１４は、直流電源１２と電磁部ＥＭとを接続し、この電力ライン１４には、スイッチ１５が設けられている。このスイッチ１５は、イグニッションスイッチ（スタートスイッチ）に連動してオンオフする。

【0013】

電子制御ユニット２０は、ソレノイドバルブＳＬの駆動回路３０と、各負荷ＬＤ［ｉ］の駆動回路ＤＣ［ｉ］と、マイクロコンピュータ（以下、「マイコン」という）５０とを備える。ここで、駆動回路３０は、電力ライン１４におけるスイッチ１５よりも電磁部ＥＭ側の接続点Ｐ１と電磁部ＥＭとの間に設けられ、各駆動回路ＤＣ［ｉ］は、電力ライン１４の接続点Ｐ１に接続されている。したがって、駆動回路３０および各駆動回路ＤＣ［ｉ］は、直流電源１２からみて互いに並列に接続されている。ここで、本開示の「他の電気回路」、即ち、接続点Ｐ１に接続されている電気回路としては、各駆動回路ＤＣ［ｉ］や、図示しない電源生成回路や回転センサ回路、通信回路などが該当する。

【0014】

ソレノイドバルブＳＬとしては、例えば、オンオフソレノイドバルブやリニアソレノイドバルブなどを挙げることができる。このソレノイドバルブＳＬは、電磁部（ソレノイド部）ＥＭと、電磁部ＥＭにより軸方向に移動させられる可動部品であるプランジャおよびスプール（何れも図示省略）とを有する。電磁部ＥＭの一方の端子は、接地されており、電磁部ＥＭの他方の端子は、電力ライン１４（駆動回路３０）に接続されている。

【0015】

駆動回路３０は、スイッチング素子３２を有するスイッチング回路３１と、ダイオード３４と、遮断回路４０とを備える。スイッチング回路３１としては、例えば、過熱や過電流などに対する保護回路を内蔵するＩＣ（Integrated Circuit）であるＩＰＤ（Intelligent Power Device）や、保護回路を有しない一般的なＩＣなどを挙げることができる。スイッチング素子３２は、ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭに直列に接続されている。

【0016】

ダイオード３４は、スイッチング回路３１（スイッチング素子３２）およびソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭに並列に接続されている。具体的には、ダイオード３４のアノードは、接地されており、ダイオード３４のカソードは、電力ライン１２のスイッチング素子３２と接続点Ｐ１との間の接続点Ｐ２に接続されている。

【0017】

遮断回路４０は、電力ライン１４の接続点Ｐ１と接続点Ｐ２との間に設けられ、Ｐチャネル型のＦＥＴ（Field effect transistor）４２と、抵抗素子４４，４６と、コンデンサ４８とを備える。ＦＥＴ４２は、ゲート－ソース間およびゲート－ドレイン間に寄生容量Ｃｇｓ，Ｃｇｄ（図示省略）を有する。ＦＥＴ４２のソースは、接続点Ｐ１に接続されており、ドレインは、接続点Ｐ２に接続されている。抵抗素子４４の一方の端子は、ＦＥＴ４２のソースと接続点Ｐ１との間で電力ライン１４に接続されており、抵抗素子４４の他方の端子は、ＦＥＴ４２のゲートと抵抗素子４６の一方の端子とに接続されている。抵抗素子４６の他方の端子は、接地されている。コンデンサ４８の一方の端子は、接地されており、コンデンサ４８の他方の端子は、抵抗素子４４の他方の端子とＦＥＴ４２のゲートと抵抗素子４６の一方の端子とに接続されている。コンデンサ４８の容量は、ＦＥＴ４２の寄生容量Ｃｇｓ，Ｃｇｄに比して十分に大きい値に設定されている。

【0018】

この遮断回路４０では、抵抗素子４４および抵抗素子４６は、ＦＥＴ４２のソースと接地とに対して直列に接続されているから、直流電源１２から駆動回路３０に電力が供給されているときには、ＦＥＴ４２のソースの電位Ｖｓとゲートの電位Ｖｇとの関係は、抵抗素子４４，４６の抵抗比に応じて定まる。

【0019】

負荷ＬＤ［ｉ］としては、ソレノイドバルブＳＬと同様のソレノイドバルブや、各種補機などを挙げることができる。各駆動回路ＤＣ［ｉ］としては、例えば、スイッチング回路３１と同様のスイッチング回路を挙げることができる。

【0020】

マイコン５０は、ＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭ、入出力ポートを有し、直流電源１２から図示しない電力ラインを介して電力の供給を受けて作動する。マイコン５０には、各種センサからの信号が入力ポートを介して入力される。各種センサとしては、例えば、ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭに流れる電流を検出する電流センサ（図示省略）や、直流電源１２の電圧を検出する電圧センサ（図示省略）などを挙げることができる。マイコン５０からは、各種制御対象への制御信号が出力ポートを介して出力される。各種制御対象としては、例えば、スイッチング回路３１のスイッチング素子３２や、駆動回路ＤＣ［ｉ］などを挙げることができる。

【0021】

したがって、駆動装置１０では、直流電源１２と電磁部ＥＭとを接続する電力ライン１４には、直流電源１２側から順に、スイッチ１５、接続点Ｐ１、遮断回路４０、接続点Ｐ２、スイッチング回路３１のスイッチング素子３２が配置されており、接続点Ｐ１には、各負荷ＬＤ［ｉ］の駆動回路ＤＣ［ｉ］などが接続されており、接続点Ｐ２には、ダイオード３４のカソードが接続されている。

【0022】

こうして構成された駆動装置１０では、マイコン５０は、運転者のアクセル操作量や動力伝達装置の状態などに基づいてソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭの目標電流Ｉｅｍ＊を設定し、電磁部ＥＭの電流Ｉｅｍが目標電流Ｉｅｍ＊となるようにスイッチング素子３２の目標デューティＤ＊を設定し、設定した目標デュ－ティＤ＊を用いてスイッチング素子３２をスイッチング制御する。このようにして、電磁部ＥＭの通電制御が行なわれる。また、マイコン５０は、アクセル操作量や動力伝達装置の状態などに基づいて負荷ＬＤ［ｉ］の目標状態（目標電流や目標電圧）を設定し、負荷ＬＤ［ｉ］の状態（電流や電圧）が目標状態となるように駆動回路ＤＣ［ｉ］を駆動制御する。

【0023】

次に、駆動装置１０の動作、特に、ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭの通電中に直流電源１２から駆動回路３０や各駆動回路ＤＣ［ｉ］などに電力が供給されなくなったときの動作について説明する。直流電源１２から駆動回路３０などに電力が供給されなくなる要因としては、例えば、イグニッションスイッチのオフに伴うスイッチ１５のオフ、車両の振動などによる直流電源１２と電力ライン１４との接続不良、電力ライン１４のコネクタ１３と接続点Ｐ１との間の部分の断線などを挙げることができる。

【0024】

図２は、第１比較形態の駆動装置１０Ｂの概略構成図であり、図３は、第２比較形態の駆動装置１０Ｃの概略構成図である。第１比較形態の駆動装置１０Ｂは、電子制御ユニット２０の駆動回路３０が電子制御ユニット２０Ｂの駆動回路３０Ｂに置き換えられた点で、実施形態の駆動装置１０とは異なる。駆動回路３０Ｂは、遮断回路４０を有しない（接続点Ｐ１と接続点Ｐ２とが直接に接続された）点で、駆動回路３０とは異なる。第２比較形態の駆動装置１０Ｃは、電子制御ユニット２０の駆動回路３０の遮断回路４０が電子制御ユニット２０Ｃの駆動回路３０Ｃの遮断回路４０Ｃに置き換えられた点で、実施形態の駆動装置１０とは異なる。遮断回路４０Ｃは、コンデンサ４８を有しない点で、遮断回路４０とは異なる。

【0025】

実施形態や第１比較形態、第２比較形態において、ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭの通電中に直流電源１２から駆動回路３０，３０Ｂ，３０Ｃなどに電力が供給されなくなると、電磁部ＥＭに生じる起電力（誘導起電力）により、ダイオード３４、スイッチング素子３２、電磁部ＥＭ、接地の回路で電流が流れ続けようとし、接続点Ｐ２の電位が負に低下する。このとき、マイコン５０によりスイッチング素子３２をオフにしても、電磁部ＥＭに生じる起電力がスイッチング素子３２の耐電圧よりも大きいと、上述の回路で電流が流れ続けようとする。

【0026】

第１比較形態では、遮断回路４０，４０Ｃを有しない（接続点Ｐ１と接続点Ｐ２とが直接に接続されている）から、各駆動回路ＤＣ［ｉ］側から接続点Ｐ１を介して接続点Ｐ２側に電流が流れようとする。このため、各駆動回路ＤＣ［ｉ］のスイッチング素子などに誤動作が生じて継続する可能性がある。これに対して、実施形態や第２比較形態では、遮断回路４０，４０Ｃを設けることにより、直流電源１２から駆動回路３０などに電力が供給されなくなってＦＥＴ４２のソースおよびゲートの電位Ｖｓ，Ｖｇが低下して両者間の電圧Ｖｇｓが閾値未満に至ると、ＦＥＴ４２がオフになり、接続点Ｐ１と接続点Ｐ２とが電気的に遮断される。これにより、各駆動回路ＤＣ［ｉ］側から接続点Ｐ１を介して接続点Ｐ２側に電流が流れるのを抑制する（流れてもそれが継続するのを抑制する）ことができる。この結果、駆動回路ＤＣ［ｉ］などに不適切な影響を及ぼすのを抑制することができる。

【0027】

図４は、実施形態や第２比較形態の駆動装置１０，１０Ｃにおいて、ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭの通電中に直流電源１２から駆動回路３０などに電力が供給されなくなったときのＦＥＴ４２のソースおよびゲートの電位Ｖｓ１，Ｖｇ１，Ｖｓ２，Ｖｇ２の様子の一例を示す説明図である。図中、実線は、実施形態のＦＥＴ４２のソースおよびゲートの電位Ｖｓ１，Ｖｇ１の様子を示し、破線は、第２比較形態のＦＥＴ４２のソースおよびゲートの電位Ｖｓ２，Ｖｇ２の様子を示す。

【0028】

実施形態や第２比較形態において、ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭの通電中に直流電源１２から駆動回路３０などに電力が供給されなくなると（時刻ｔ１）、ＦＥＴ４２のソースおよびゲートの電位Ｖｓ１，Ｖｇ１，Ｖｓ２，Ｖｇ２が低下する。このとき、ＦＥＴ４２のソースの電位Ｖｓ１，Ｖｓ２は、実施形態および第２比較形態で同様に低下する。また、第２比較形態では、遮断回路４０Ｃがコンデンサ４８を有しないから、ＦＥＴ４２のゲート－ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄの影響により、ＦＥＴ４２のゲート電位Ｖｇ２が比較的迅速に低下する（単位時間当たりの低下量が大きい）。そして、ＦＥＴ４２のソースおよびゲートの電位Ｖｓ２，Ｖｇ２が十分に低下して（負になって）両者間の電圧Ｖｇｓが閾値未満に至ると（時刻ｔ３）、ＦＥＴ４２がオフになり、接続点Ｐ１と接続点Ｐ２とが電気的に遮断される。これに対して、実施形態では、遮断回路４０が寄生容量Ｃｇｄよりも十分に容量の大きいコンデンサ４８を有するから、第２比較形態に比して、ＦＥＴ４２のゲート電位Ｖｇ１が緩やかに低下する（単位時間当たりの低下量が小さい）。このため、ＦＥＴ４２のソース－ゲート間の電圧Ｖｇｓが第２比較形態に比して早いタイミングで閾値未満になり（時刻ｔ２）、ＦＥＴ４２がオフになり、接続点Ｐ１と接続点Ｐ２とが電気的に遮断される。この結果、実施形態では、第２比較形態に比して、駆動回路ＤＣ［ｉ］などに不適切な影響を及ぼすのをより十分に抑制することができる。

【0029】

実施形態では、ＦＥＴ４２と抵抗素子４４，４６とコンデンサ４８とを有する遮断回路４０を備える駆動回路３０を用いるものとした。しかし、ＦＥＴ４２と抵抗素子４４，４６とを有する（コンデンサ４８を有しない）第２比較形態の遮断回路４０Ｃを備える駆動回路３０Ｃを用いるものとしてもよい。この場合でも、ソレノイドバルブＳＬの電磁部ＥＭの通電中に直流電源１２から駆動回路３０などに電力が供給されなくなったときに、遮断回路４０，４０Ｃを有しない第１比較形態の駆動回路３０Ｂを用いる場合に比して、駆動回路ＤＣ［ｉ］などに不適切な影響を及ぼすのを抑制することができる。

【0030】

実施形態では、ソレノイドバルブＳＬの駆動回路３０は、ＦＥＴ４２と抵抗素子４４，４６とコンデンサ４８とを有する遮断回路４０を備えるものとした。しかし、遮断回路４０の構成は、これに限定されるものではなく、電力ライン１４の接続点Ｐ１と接続点Ｐ２との間に設けられ、接続点Ｐ２側から接続点Ｐ１側への通電を遮断可能なものであればよい。

【0031】

以上説明したように、本開示のソレノイドバルブの駆動回路は、直流電源（１２）からの電力の供給を受けてソレノイドバルブ（ＳＬ）の電磁部（ＥＭ）の通電制御を行なうソレノイドバルブ（ＳＬ）の駆動回路（３０）であって、前記直流電源（１２）と前記電磁部（ＥＭ）とを接続する電力ライン（１４）に前記直流電源（１２）側から順に配置される第１接続点（Ｐ１）、第２接続点（Ｐ２）、スイッチング素子（３２）と、前記第２接続点（Ｐ２）に接続されるカソードを有するダイオード（３４）と、を備え、前記第１接続点（Ｐ１）は、他の電気回路（ＤＣ［ｉ］）に接続されており、更に、前記電力ライン（１４）の前記第１接続点（Ｐ１）と前記第２接続点（Ｐ２）との間に設置され、前記第２接続点（Ｐ２）側から前記第１接続点（Ｐ１）側への通電を遮断可能な遮断回路（４０，４０Ｃ）を備えることを要旨とする。

【0032】

本開示のソレノイドバルブの駆動回路では、直流電源と電磁部とを接続する電力ラインに直流電源側から順に配置される第１接続点、第２接続点、スイッチング素子と、第２接続点に接続されるカソードを有するダイオードとを備える。そして、第１接続点は、他の電気回路に接続されている。さらに、電力ラインの第１接続点と第２接続点との間に設置され、第２接続点側から第１接続点側への通電を遮断可能な遮断回路を備える。これにより、電磁部の通電中に直流電源からソレノイドバルブの駆動回路に電力が供給されなくなったときに、遮断回路により第２接続点側（電磁部側）から第１接続点側（他の電気回路側）への通電を遮断することができるから、他の電気回路に電流が流れるのを抑制し、他の電気回路に不適切な影響を及ぼすのを抑制することができる。

【0033】

本開示のソレノイドバルブの駆動回路において、前記遮断回路（４０，４０Ｃ）は、前記第１接続点（Ｐ１）側に接続されたソースと、前記第２接続点（Ｐ２）側に接続されたドレインと、ゲートとを有するＰチャネル型の電界効果トランジスタと、第１抵抗素子（４４）と第２抵抗素子（４６）とを有し、前記第１抵抗素子（４４）の一方は、前記ソースと前記第１接続点（Ｐ１）との間で前記電力ライン（１４）に接続されており、前記第１抵抗素子（４４）の他方は、前記ゲートと前記第２抵抗素子（４６）の一方とに接続されており、前記第２抵抗素子（４６）の他方は、接地されているものとしてもよい。こうすれば、電界効果トランジスタのソースとゲートとの間の電圧が閾値未満に低下したときに、第２接続点側から第１接続点側への通電を遮断することができる。

【0034】

この場合、前記遮断回路（４０）は、コンデンサ（４８）を更に有し、前記コンデンサ（４８）の一方は、接地されており、前記コンデンサ（４８）の他方は、前記第１抵抗素子（４４）の前記他方と前記ゲートと前記第２抵抗素子（４６）の前記一方とに接続されているものとしてもよい。こうすれば、他の電気回路に不適切な影響を及ぼすのをより十分に抑制することができる。

【0035】

以上、本開示を実施するための形態について説明したが、本開示はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。

【産業上の利用可能性】

【0036】

本開示は、ソレノイドバルブの駆動回路の製造産業などに利用可能である。

【符号の説明】

【0037】

１０，１０Ｂ，１０Ｃ 駆動装置、１２ 直流電源、１３ コネクタ、１４ 電力ライン、１５ スイッチ、２０，２０Ｂ，２０Ｃ 電子制御ユニット、３０，３０Ｂ，３０Ｃ 駆動回路、３１ スイッチング回路、３２ スイッチング素子、３４ ダイオード、４０，４０Ｃ 遮断回路、４２ ＦＥＴ、４４，４６ 抵抗素子、４８ コンデンサ、５０ マイコン、Ｐ１，Ｐ２ 接続点。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】