特許 7459812 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-03-25

(45)【発行日】2024-04-02

(54)【発明の名称】積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01G 4/30 20060101AFI20240326BHJP

【ＦＩ】

H01G4/30 513

H01G4/30 201F

H01G4/30 311E

H01G4/30 517

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2021009932

(22)【出願日】2021-01-25

(65)【公開番号】P2022113598

(43)【公開日】2022-08-04

【審査請求日】2022-08-04

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100158207

【弁理士】

【氏名又は名称】河本 尚志

(72)【発明者】

【氏名】大西 浩介

【審査官】鈴木 駿平

(56)【参考文献】

【文献】特開２０００－３４０４４９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－０４４０６６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｇ ４／００－４／２２４

Ｈ０１Ｇ ４／２５５－４／４０

Ｈ０１Ｇ １３／００－１３／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有し、前記高さ方向に複数の誘電体層が積層された容量素子と、
前記複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、前記容量素子の内部に位置し、前記第１の端面に露出した第１の内部電極と、
前記複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、前記容量素子の内部に位置し、前記第２の端面に露出した第２の内部電極と、
前記第１の端面上に配置され、前記第１の内部電極と電気的に接続された第１の外部電極と、
前記第２の端面上に配置され、前記第２の内部電極と電気的に接続された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、それぞれ、金属成分とセラミック成分とを有する下地電極層と、前記下地電極層上に配置されたＣｕめっき電極層と、前記Ｃｕめっき電極層上に配置されたＮｉめっき電極層と、前記Ｎｉめっき電極層上に配置されたＳｎめっき電極層と、を有し、
前記容量素子の前記第１の端面および前記第２の端面に、それぞれ、凹部が形成され、前記凹部内に、前記下地電極層および前記Ｃｕめっき電極層が入り込んでいる、
積層セラミックコンデンサ。

【請求項2】

高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有し、前記高さ方向に複数の誘電体層が積層された容量素子と、
前記複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、前記容量素子の内部に位置し、前記第１の端面に露出した第１の内部電極と、
前記複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、前記容量素子の内部に位置し、前記第２の端面に露出した第２の内部電極と、
前記第１の端面上に配置され、前記第１の内部電極と電気的に接続された第１の外部電極と、
前記第２の端面上に配置され、前記第２の内部電極と電気的に接続された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、それぞれ、金属成分とセラミック成分とを有する下地電極層と、前記下地電極層上に配置されたＣｕめっき電極層と、前記Ｃｕめっき電極層上に配置されたＮｉめっき電極層と、前記Ｎｉめっき電極層上に配置されたＳｎめっき電極層と、を有し、
前記容量素子の前記第１の端面および前記第２の端面に、それぞれ、凹部が形成され、前記凹部内に、前記下地電極層が入り込み、
前記第１の端面に形成された前記凹部に入り込んだ前記下地電極層と、少なくとも１つの前記第１の内部電極とが電気的に接続され、
前記第２の端面に形成された前記凹部に入り込んだ前記下地電極層と、少なくとも１つの前記第２の内部電極とが電気的に接続された、
積層セラミックコンデンサ。

【請求項3】

前記第１の外部電極を取り除いた前記第１の端面、または、前記第２の外部電極を取り除いた前記第２の端面を見たとき、
前記凹部は、幅と、前記幅よりも長い長さとを有し、
前記凹部の前記長さの方向と、前記第１の端面に露出した前記第１の内部電極が延びる方向、または、前記第２の端面に露出した前記第２の内部電極が延びる方向とが、同じ方向である、
請求項１または２に記載された積層セラミックコンデンサ。

【請求項4】

前記第１の側面および前記第２の側面と平行な前記容量素子の断面を見たとき、
前記凹部の深さの方向と、前記第１の内部電極および前記第２の内部電極の延びる方向とが、同じ方向である、
請求項１ないし３のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。

【請求項5】

前記第１の側面および前記第２の側面と平行な前記容量素子の断面を見たとき、
前記凹部の深さが、
当該凹部が形成された位置における、前記第１の端面または前記第２の端面を基準にした、前記下地電極層の厚みよりも大きい、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。

【請求項6】

前記第１の端面上に配置された前記第１の外部電極、および、前記第２の端面上に配置された前記第２の外部電極が、それぞれ、前記第１の主面および前記第２の主面にそれぞれ延びる、折返し部を有し、
前記第１の側面および前記第２の側面と平行な前記容量素子の断面を見たとき、
前記凹部の深さが、
前記折返し部の長さよりも小さい、
請求項１ないし５のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。

【請求項7】

前記第１の側面および前記第２の側面と平行な前記容量素子の断面を見たとき、
前記第１の端面に形成された前記凹部に入り込んだ前記下地電極層と、最も前記第１の主面の近くに配置された前記第１の内部電極、および／または、最も前記第２の主面の近くに配置された前記第１の内部電極とが電気的に接続され、
前記第２の端面に形成された前記凹部に入り込んだ前記下地電極層と、最も前記第１の主面の近くに配置された前記第２の内部電極、および／または、最も前記第２の主面の近くに配置された前記第２の内部電極とが電気的に接続された、
請求項１ないし６のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。

【請求項8】

前記下地電極層の前記金属成分が、Ｎｉを主成分とする、
請求項１ないし７のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。

【請求項9】

前記複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、前記容量素子の内部に位置し、前記第１の側面、および／または、前記第２の側面に露出した第３の内部電極と、
前記第１の側面上、および／または、前記第２の側面上に配置され、前記第３の内部電極と接続された第３の外部電極とを、更に有し、
３端子型コンデンサが構成された、
請求項１ないし８のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。

【請求項10】

請求項１ないし９のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれた複数のセラミックグリーンシートの主面に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有する未焼成容量素子を作製する工程と、
前記未焼成容量素子の前記第１の端面および前記第２の端面を切削し、それぞれに未焼成凹部を形成する工程と、
前記未焼成凹部を含む、前記第１の端面および前記第２の端面に、それぞれ、外部電極の下地電極層を形成するための導電性ペーストを塗布する工程と、
前記未焼成容量素子を焼成し、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有し、内部に、複数の誘電体層と、複数の第１の内部電極と、複数の第２の内部電極とが積層され、前記第１の端面および前記第２の端面にそれぞれ凹部が形成され、前記凹部を含む前記第１の端面に第１の外部電極の前記下地電極層が形成され、前記凹部を含む前記第２の端面に第２の外部電極の前記下地電極層が形成された、容量素子を作製する工程と、
前記下地電極層の上に、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、
前記Ｃｕめっき電極層の上に、Ｎｉめっき電極層を形成する工程と、
前記Ｎｉめっき電極層の上に、Ｓｎめっき電極層を形成する工程と、を備えた、
積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項11】

請求項１ないし９のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれたセラミックグリーンシートの主面上の任意に選ばれた領域に、剥離剤を所望の形状に塗布する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれた複数のセラミックグリーンシートの主面、および／または、塗布された前記剥離剤上に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有する未焼成容量素子を作製する工程と、
前記未焼成容量素子に振動を加え、前記剥離剤が塗布された部分において、積層された前記セラミックグリーンシートと前記セラミックグリーンシートとを部分的に剥離させ、前記第１の端面および前記第２の端面に、それぞれ未焼成凹部を形成する工程と、
前記未焼成凹部を含む、前記第１の端面および前記第２の端面に、それぞれ、外部電極の下地電極層を形成するための導電性ペーストを塗布する工程と、
前記未焼成容量素子を焼成し、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有し、内部に、複数の誘電体層と、複数の第１の内部電極と、複数の第２の内部電極とが積層され、前記第１の端面および前記第２の端面にそれぞれ凹部が形成され、前記凹部を含む前記第１の端面に第１の外部電極の前記下地電極層が形成され、前記凹部を含む前記第２の端面に第２の外部電極の前記下地電極層が形成された、容量素子を作製する工程と、
前記下地電極層の上に、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、
前記Ｃｕめっき電極層の上に、Ｎｉめっき電極層を形成する工程と、
前記Ｎｉめっき電極層の上に、Ｓｎめっき電極層を形成する工程と、を備えた、
積層セラミックコンデンサの製造方法。

【請求項12】

請求項１ないし９のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれた複数のセラミックグリーンシートの主面上に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれたセラミックグリーンシートの主面、および／または、塗布された前記導電性ペースト上の任意に選ばれた領域に、剥離剤を所望の形状に塗布する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有する未焼成容量素子を作製する工程と、
前記未焼成容量素子に振動を加え、前記剥離剤が塗布された部分において、積層された前記セラミックグリーンシートと前記セラミックグリーンシートとを部分的に剥離させ、前記第１の端面および前記第２の端面に、それぞれ未焼成凹部を形成する工程と、
前記未焼成凹部を含む、前記第１の端面および前記第２の端面に、それぞれ、外部電極の下地電極層を形成するための導電性ペーストを塗布する工程と、
前記未焼成容量素子を焼成し、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有し、内部に、複数の誘電体層と、複数の第１の内部電極と、複数の第２の内部電極とが積層され、前記第１の端面および前記第２の端面にそれぞれ凹部が形成され、前記凹部を含む前記第１の端面に第１の外部電極の前記下地電極層が形成され、前記凹部を含む前記第２の端面に第２の外部電極の前記下地電極層が形成された、容量素子を作製する工程と、
前記下地電極層の上に、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、
前記Ｃｕめっき電極層の上に、Ｎｉめっき電極層を形成する工程と、
前記Ｎｉめっき電極層の上に、Ｓｎめっき電極層を形成する工程と、を備えた、
積層セラミックコンデンサの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、更に詳しくは、耐湿性の向上をはかった積層セラミックコンデンサに関する。

【0002】

また、本発明は、本発明の積層セラミックコンデンサを製造するのに適した積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

【背景技術】

【0003】

一般的な積層セラミックコンデンサは、セラミックからなる複数の誘電体層と複数の内部電極とが積層された容量素子を備え、容量素子の表面に外部電極が形成されている。内部電極は、容量素子の端面や側面に引出されて、外部電極と電気的に接続されている。

【0004】

外部電極は、たとえば、導電性ペーストを塗布し、焼成して形成された下地電極層と、下地電極層の表面に形成されためっき電極層とで構成される。めっき電極層は、必要に応じて、複数の層で構成される場合がある。

【0005】

たとえば、特許文献１（特開２０１７-１６８４８８号公報）には、Ｎｉなどを主成分とする下地電極層と、下地電極層の表面に形成されたＣｕめっき電極層と、Ｃｕめっき電極層の表面に形成されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層の表面に形成されたＳｎめっき電極層とで構成された外部電極を備えた積層セラミックコンデンサが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１７-１６８４８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

上述した従来の積層セラミックコンデンサは、主に、外部電極の下地電極層とＣｕめっき電極層とで耐湿性を維持している。すなわち、内部電極に向って浸入してくる水分を、下地電極層とＣｕめっき電極層とで防いでいる。

【0008】

しかしながら、下地電極層を、容量素子の端面に、たとえばディップによって導電性ペーストを塗布し、その導電性ペーストを焼成して形成した場合、容量素子の端面において、下地電極層の厚みが不均一になるという問題があった。すなわち、端面の中央部の下地電極層の厚みは大きいが、端面の外周近傍の下地電極層の厚みが小さくなるという問題があった。

【0009】

そして、下地電極層の厚みが小さい部分の耐湿性が低くなってしまい、その部分から水分が内部電極に浸入し、積層セラミックコンデンサのＩＲ（絶縁抵抗）が低下してしまうという問題があった。以下に、図面を使って説明する。

【0010】

図１２に、従来の積層セラミックコンデンサ１０００を示す。ただし、図１２は、積層セラミックコンデンサ１０００の側面と平行な断面を示す断面図である。なお、図１２は、本件出願人が作成したものであり、特許文献１に記載されたものではない。

【0011】

積層セラミックコンデンサ１０００は、容量素子１０１を備えている。容量素子１０１は、セラミックからなる誘電体層１０１ａと、第１の内部電極１０２と、第２の内部電極１０３とが積層されたものからなる。第１の内部電極１０２が容量素子１０１の一方の端面に引き出され、第２の内部電極１０３が容量素子の他方の端面に引き出されている。なお、図１２の断面図は、第１の内部電極１０２が引き出された、容量素子１０１の一方の端面側を示している。

【0012】

容量素子１０１の両端面に、それぞれ、外部電極１０４が形成されている。容量素子１０１の一方の端面に形成された外部電極１０４は、第１の内部電極１０２と電気的に接続されている。容量素子１０１の他方の端面に形成された外部電極１０４は、第２の内部電極１０３と電気的に接続されている。

【0013】

外部電極１０４は、導電性ペーストを塗布し、焼成して形成した、Ｎｉなどを主成分とする下地電極層１０８と、下地電極層１０８の上に形成されたＣｕめっき電極層１０９と、Ｃｕめっき電極層１０９の上に形成されたＮｉめっき電極層１１０と、Ｎｉめっき電極層１１０の上に形成されたＳｎめっき電極層１１１とで構成されている。

【0014】

図１２から分かるように、下地電極層１０８は、端面の中央部の厚みＭは大きいが、端面の外周近傍の厚みＮが小さい。上述したとおり、積層セラミックコンデンサ１０００は、主に、下地電極層１０８とＣｕめっき電極層１０９とで耐湿性を維持しているが、下地電極層１０８の端面の外周近傍の厚みＮが小さい部分から内部に水分が浸入してしまうという問題があった。そして、ＩＲが低下してしまうという問題があった。

【課題を解決するための手段】

【0015】

本発明は上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有し、高さ方向に複数の誘電体層が積層された容量素子と、複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、容量素子の内部に位置し、第１の端面に露出した第１の内部電極と、複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、容量素子の内部に位置し、第２の端面に露出した第２の内部電極と、第１の端面上に配置され、第１の内部電極と電気的に接続された第１の外部電極と、第２の端面上に配置され、第２の内部電極と電気的に接続された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、第１の外部電極および第２の外部電極は、それぞれ、金属成分とセラミック成分とを有する下地電極層と、下地電極層上に配置されたＣｕめっき電極層と、Ｃｕめっき電極層上に配置されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層上に配置されたＳｎめっき電極層と、を有し、容量素子の第１の端面および第２の端面に、それぞれ、凹部が形成され、凹部内に、下地電極層およびＣｕめっき電極層が入り込んでいるものとする。
また、本発明の別の実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面とを有し、高さ方向に複数の誘電体層が積層された容量素子と、複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、容量素子の内部に位置し、第１の端面に露出した第１の内部電極と、複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、容量素子の内部に位置し、第２の端面に露出した第２の内部電極と、第１の端面上に配置され、第１の内部電極と電気的に接続された第１の外部電極と、第２の端面上に配置され、第２の内部電極と電気的に接続された第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、第１の外部電極および第２の外部電極は、それぞれ、金属成分とセラミック成分とを有する下地電極層と、下地電極層上に配置されたＣｕめっき電極層と、Ｃｕめっき電極層上に配置されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層上に配置されたＳｎめっき電極層と、を有し、容量素子の第１の端面および第２の端面に、それぞれ、凹部が形成され、凹部内に、下地電極層が入り込み、第１の端面に形成された凹部に入り込んだ下地電極層と、少なくとも１つの第１の内部電極とが電気的に接続され、第２の端面に形成された凹部に入り込んだ下地電極層と、少なくとも１つの第２の内部電極とが電気的に接続されたものとする。

【0016】

また、本発明の本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれた複数のセラミックグリーンシートの主面に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有する未焼成容量素子を作製する工程と、未焼成容量素子の第１の端面および第２の端面を切削し、それぞれに未焼成凹部を形成する工程と、未焼成凹部を含む、第１の端面および第２の端面に、それぞれ、外部電極の下地電極層を形成するための導電性ペーストを塗布する工程と、未焼成容量素子を焼成し、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有し、内部に、複数の誘電体層と、複数の第１の内部電極と、複数の第２の内部電極とが積層され、第１の端面および第２の端面にそれぞれ凹部が形成され、凹部を含む第１の端面に第１の外部電極の下地電極層が形成され、凹部を含む第２の端面に第２の外部電極の下地電極層が形成された、容量素子を作製する工程と、下地電極層の上に、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、Ｃｕめっき電極層の上に、Ｎｉめっき電極層を形成する工程と、Ｎｉめっき電極層の上に、Ｓｎめっき電極層を形成する工程と、を備えたものとする。

【0017】

また、本発明の本発明の別の実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、前記複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれたセラミックグリーンシートの主面上の任意に選ばれた領域に、剥離剤を所望の形状に塗布する工程と、複数のセラミックグリーンシートから任意に選ばれた複数のセラミックグリーンシートの主面、および／または、塗布された剥離剤上に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有する未焼成容量素子を作製する工程と、未焼成容量素子に振動を加え、剥離剤が塗布された部分において、積層されたセラミックグリーンシートとセラミックグリーンシートとを部分的に剥離させ、第１の端面および第２の端面に、それぞれ未焼成凹部を形成する工程と、未焼成凹部を含む、第１の端面および第２の端面に、それぞれ、外部電極の下地電極層を形成するための導電性ペーストを塗布する工程と、未焼成容量素子を焼成し、第１の主面および第２の主面と、第１の側面および第２の側面と、第１の端面および第２の端面とを有し、内部に、複数の誘電体層と、複数の第１の内部電極と、複数の第２の内部電極とが積層され、第１の端面および第２の端面にそれぞれ凹部が形成され、凹部を含む第１の端面に第１の外部電極の下地電極層が形成され、凹部を含む第２の端面に第２の外部電極の下地電極層が形成された、容量素子を作製する工程と、下地電極層の上に、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、Ｃｕめっき電極層の上に、Ｎｉめっき電極層を形成する工程と、Ｎｉめっき電極層の上に、Ｓｎめっき電極層を形成する工程と、を備えたものとする。

【0018】

なお、上記別の実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法において、セラミックグリーンシートの主面上に剥離剤を塗布する工程と、セラミックグリーンシートの主面上に導電性ペーストを塗布する工程とは、順番を入れ替えてもよい。

【発明の効果】

【0019】

本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、容量素子の端面に凹部が形成され、凹部内に外部電極の下地電極層が入り込んでいるため、その部分で下地電極層の厚みが大きくなっており、優れた耐湿性を備えている。そのため、本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、大きなＩＲを備えている。

【0020】

また、本発明の一実施態様または別の実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、本発明の積層セラミックコンデンサを容易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】図１（Ａ）は、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の平面図である。図１（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ１００の側面図である。図１（Ｃ）は、積層セラミックコンデンサ１００の正面図である。

【図2】積層セラミックコンデンサ１００の断面図である。

【図3】積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。

【図4】積層セラミックコンデンサ１００の分解正面図である。

【図5】図５（Ａ）～（Ｃ）は、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例を示す断面図である。

【図6】図６（Ｄ）～（Ｆ）は、図５（Ｃ）の続きであり、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例を示す断面図である。

【図7】第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００の要部断面図である。

【図8】図８（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、積層セラミックコンデンサ２００の製造方法の一例を示す断面図である。

【図9】第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ３００の要部断面図である。

【図10】図１０（Ａ）は、第４実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ４００の平面図である。図１０（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ４００の側面図である。

【図11】積層セラミックコンデンサ４００の断面図である。

【図12】従来の積層セラミックコンデンサ１０００の要部断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

【0023】

［第１実施形態］
図１（Ａ）～（Ｃ）、図２、図３、図４に、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を示す。ただし、図１（Ａ）は、積層セラミックコンデンサ１００の平面図である。図１（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ１００の側面図である。図１（Ｃ）は、積層セラミックコンデンサ１００の正面図である。図２は積層セラミックコンデンサ１００の断面図であり、図１（Ａ）、（Ｃ）の一点鎖線矢印で示すＸ-Ｘ部分を示している。図３は、積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。図４は、第１の外部電極４（第２の外部電極５）を取り除いた、積層セラミックコンデンサ１００の分解正面図である。

【0024】

なお、これらの図面においては、積層セラミックコンデンサ１００の容量素子１の一方の端面を示した図を正面図、一方の主面を示した図を平面図、一方の側面を示した図を側面図としている。また、各図には、積層セラミックコンデンサ１００（容量素子１）の高さ方向Ｔ、長さ方向Ｌ、幅方向Ｗを示しており、以下の説明において、これらの方向に言及する場合がある。

【0025】

積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状からなる容量素子１を備えている。容量素子１は、高さ方向Ｔにおいて相対する第１の主面１Ａ、第２の主面１Ｂと、高さ方向Ｔに直交する幅方向Ｗにおいて相対する第１の側面１Ｃ、第２の側面１Ｄと、高さ方向Ｔおよび幅方向Ｗの両方に直交する長さ方向Ｌにおいて相対する第１の端面１Ｅ、第２の端面１Ｆと、を有している。

【0026】

積層セラミックコンデンサ１００の寸法は任意である。ただし、高さ方向Ｔの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ～２．５ｍｍ程度とすることができる。幅方向Ｗの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ～２．５ｍｍ程度とすることができる。長さ方向Ｌの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ～３．２ｍｍ程度とすることができる。

【0027】

容量素子１は、複数の誘電体層１ａと、複数の第１の内部電極２と、複数の第２の内部電極３とが積層されたものからなる。誘電体層１ａ、第１の内部電極２、第２の内部電極３は、容量素子１の高さ方向Ｔに積層されている。

【0028】

容量素子１（誘電体層１ａ）の材質は任意であるが、たとえば、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体セラミックスを使用することができる。ただし、ＢａＴｉＯ_３に代えて、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３など、他の材質を主成分とする誘電体セラミックスを使用してもよい。

【0029】

誘電体層１ａの厚みは任意であるが、たとえば、第１の内部電極２、第２の内部電極３が形成された容量形成の実効領域において、０．３μｍ～２．０μｍ程度とすることができる。

【0030】

誘電体層１ａの層数は任意であるが、たとえば、第１の内部電極２、第２の内部電極３が形成された容量形成の実効領域において、１層～６０００層程度とすることができる。

【0031】

容量素子１の上下両側に、第１の内部電極２、第２の内部電極３が形成されず、誘電体層１ａのみで構成された外層（保護層）が設けられている。外層の厚みは任意であるが、たとえば、５μｍ～１５０μｍ程度とすることができる。なお、外層領域の誘電体層１ａの厚みは、第１の内部電極２、第２の内部電極３が形成されている容量形成の実効領域の誘電体層１ａの厚みよりも大きくしてもよい（ただし、図１（Ｂ）、図２、図３、図４においては、外層領域と実効領域とにおいて誘電体層１ａの厚みを同じ厚みに示している）。また、外層領域の誘電体層１ａの材質は、実効領域の誘電体層１ａの材質と異なっていてもよい。

【0032】

図２から分かるように、第１の内部電極２は、容量素子１の長さ方向Ｌに伸び、容量素子１の第１の端面１Ｅに引出されている。第２の内部電極３は、容量素子１の長さ方向Ｌに伸び、容量素子１の第２の端面１Ｆに引出されている。なお、第１の内部電極２と第２の内部電極３とは、原則として交互に積層されている。

【0033】

第１の内部電極２、第２の内部電極３の主成分（金属成分）の材質は任意であるが、本実施形態においては、Ｎｉを使用した。ただし、Ｎｉに代えて、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなど、他の金属を使用してもよい。また、ＮｉやＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどは、他の金属との合金であってもよい。第１の内部電極２、第２の内部電極３は、金属成分の外に、セラミックなどの他の成分を含んでいてもよい。

【0034】

第１の内部電極２、第２の内部電極３の厚みは任意であるが、たとえば、０．３μｍ～１．５μｍ程度とすることができる。

【0035】

容量素子１の第１の端面１Ｅに、第１の外部電極４が形成されている。第２の端面１Ｆに、第２の外部電極５が形成されている。

【0036】

第１の外部電極４は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の第１の端面１Ｅから、第１の主面１Ａ、第２の主面１Ｂ、第１の側面１Ｃ、第２の側面１Ｄに延出され、折返し部４ａが形成されている。

【0037】

第２の外部電極５は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の第２の端面１Ｆから、第１の主面１Ａ、第２の主面１Ｂ、第１の側面１Ｃ、第２の側面１Ｄに延出され、折返し部５ａが形成されている。

【0038】

積層セラミックコンデンサ１００は、容量素子１の第１の端面１Ｅに引出された第１の内部電極２が、第１の外部電極４と電気的に接続されている。容量素子１の第２の端面１Ｆに引出された第２の内部電極３が、第２の外部電極５と電気的に接続されている。

【0039】

第１の外部電極４、第２の外部電極５は、同一の多層構造を有している。具体的には、第１の外部電極４、第２の外部電極５は、図２、図３に示すように、それぞれ、容量素子１の表面に形成された下地電極層８と、下地電極層８の上に形成されたＣｕめっき電極層９と、Ｃｕめっき電極層９の上に形成されＮｉめっき電極層１０と、Ｎｉめっき電極層１０の上に形成されたＳｎめっき電極層１１とを有している。

【0040】

下地電極層８は、第１の外部電極４、第２の外部電極５のベースとなる部分である。下地電極層８は、耐湿性を向上させる機能も果たしている。Ｃｕめっき電極層９は、主に耐湿性を向上させる機能を果たしている。Ｎｉめっき電極層１０は、主に、はんだ耐熱性を向上させるとともに、接合性を向上させる機能を果たしている。Ｓｎめっき電極層１１は、主にはんだ付け性を向上させる機能を果たしている。

【0041】

下地電極層８は、金属成分とセラミック成分とを有している。本実施形態においては、Ｎｉを、金属成分の主成分にしている。ただし、下地電極層８の金属成分の主成分の材質は任意であり、Ｎｉに代えて、たとえば、Ｃｕ、Ａｇなどを主成分にしていてもよい。また、ＮｉやＣｕ、Ａｇなどは、他の金属との合金であってもよい。また、下地電極層８のセラミック成分の主成分も任意である。ただし、たとえば、容量素子１（誘電体層１ａ）の材質と同じものを使用することができる。

【0042】

下地電極層８の厚みは任意であるが、たとえば、第１の端面１Ｅや第２の端面１Ｆの中央部の厚みの大きい領域で、２μｍ～１５０μｍ程度とすることができる。

【0043】

Ｃｕめっき電極層９の厚みは任意であるが、たとえば、２μｍ～２０μｍ程度とすることができる。

【0044】

Ｎｉめっき電極層１０の厚みは任意であるが、たとえば、２μｍ～７μｍ程度とすることができる。

【0045】

Ｓｎめっき電極層１１の厚みは任意であるが、たとえば、１μｍ～８μｍ程度とすることができる。

【0046】

積層セラミックコンデンサ１００は、第１の端面１Ｅに凹部６が形成され、第２の端面１Ｆに凹部７が形成されている。本実施形態においては、第１の端面１Ｅに２つの凹部６が形成され、第２の端面１Ｆに２つの凹部７が形成されているが、凹部６、７の個数は任意であり、それぞれ増減させてもよい。

【0047】

図４に示すように、本実施形態においては、凹部６、７が、幅Ｆ_Ｗと、幅Ｆ_Ｗよりも長い長さＦ_Ｌとを有している。なお、図４は、第１の端面１Ｅに形成された凹部６を示しているが、第２の端面１Ｆに形成された凹部７も同様の形状をしている。凹部６、７の、幅Ｆ_Ｗ、および、長さＦ_Ｌの大きさは任意であり、自由に設定することができる。

【0048】

図４から分かるように、第１の端面１Ｅに形成された凹部６の長さＦ_Ｌの方向が、第１の端面１Ｅに露出した第１の内部電極２が延びる方向と、同じ方向である。同様に、第２の端面１Ｆに形成された凹部７の長さＦ_Ｌの方向が、第２の端面１Ｆに露出した第２の内部電極３が延びる方向と、同じ方向である。ただし、凹部６、７の長さＦ_Ｌの方向は任意であり、自由に設定することができる。

【0049】

図２、図３から分かるように、凹部６、７の深さＦ_Ｄの方向は、第１の内部電極２および第２の内部電極３が延びる方向と、同じ方向である。

【0050】

図２、図３から分かるように、凹部６に、第１の外部電極４の下地電極層８の部分８ａと、Ｃｕめっき電極層９の部分９ａとが入り込んでいる。同様に、凹部７に、第１の外部電極４の下地電極層８の部分８ａと、Ｃｕめっき電極層９の部分９ａとが入り込んでいる。

【0051】

凹部６に入り込んだ、第１の外部電極４の下地電極層８の部分８ａが、第１の内部電極２と電気的に接続されている。同様に、凹部７に入り込んだ、第２の外部電極５の下地電極層８の部分８ａが、第２の内部電極３と電気的に接続されている。

【0052】

凹部６、７は、その部分において、第１の外部電極４および第２の外部電極５の下地電極層８（あるいは下地電極層８およびＣｕめっき電極層９）の厚みを大きくして、耐湿性を向上させるために形成されたものである。すなわち、凹部６、７に入り込んだ下地電極層８の部分８ａの深さも、下地電極層８の厚みに加えることにより、下地電極層８の実質的な厚みが大きくなる。したがって、凹部６、７は、容量素子１の第１の端面１Ｅおよび第２の端面１Ｆにおいて、下地電極層８の厚みが小さくなりやすい、外周近傍に設けることが好ましい。

【0053】

なお、凹部６に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、第１の内部電極２とは、必ずしも電気的に接続される必要はない。ただし、凹部６に入り込んだ下地電極層８の部分８ａは、第２の内部電極３と電気的に絶縁される必要がある。同様に、凹部７に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、第２の内部電極３とは、必ずしも電気的に接続される必要はない。ただし、凹部７に入り込んだ下地電極層８の部分８ａは、第１の内部電極２と電気的に絶縁される必要がある。

【0054】

図２から分かるように、本実施形態においては、凹部６に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、最も第１の主面１Ａ側に配置された第１の内部電極２、および、最も第２の主面１Ｂ側に配置された第１の内部電極２とが、それぞれ電気的に接続されている。同様に、凹部７に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、最も第１の主面１Ａ側に配置された第２の内部電極３、および、最も第２の主面１Ｂ側に配置された第２の内部電極３とが、それぞれ電気的に接続されている。これらの領域は、下地電極層８の厚みが小さくなりやすいので、凹部６、７を形成し、下地電極層８の実質的な厚みを大きくして、耐湿性を向上させているのである。

【0055】

本実施形態においては、凹部６に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、１つの第１の内部電極２とが電気的に接続されているが、これに代えて、凹部６に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、複数の第１の内部電極２とを電気的に接続させてもよい。同様に、凹部７に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、１つの第２の内部電極３とが電気的に接続されているが、これに代えて、凹部７に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、複数の第２の内部電極３とを電気的に接続させてもよい。

【0056】

凹部６、７の深さＦ_Ｄの大きさは任意であり、自由に設定することができる。ただし、図３に示すように、凹部６、７の深さＦ_Ｄは、その部分における、第１の端面１Ｅまたは第２の端面１Ｆを基準とした、下地電極層８の厚みＰよりも大きいことが好ましい。この場合には、良好に耐湿性を向上させることができるからである。また、凹部６、７の深さＦ_Ｄは、第１の外部電極４、第２の外部電極５の折返し部４ａ、５ａの長さＱよりも小さいことが好ましい。凹部６、７の深さＦ_Ｄを大きくし過ぎると、短絡防止のために、第１の内部電極２、第２の内部電極３の長さを短くしなければならず、積層セラミックコンデンサ１００の容量が小さくなってしまう虞があるからである。

【0057】

本実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、耐湿性が向上しており、ＩＲが大きくなっている。

【0058】

（積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例）
第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００は、たとえば、図５（Ａ）～図６（Ｆ）に示す製造方法で製造することができる。

【0059】

まず、図５（Ａ）に示す、未焼成容量素子５１を作製する。未焼成容量素子５１は、複数のセラミックグリーンシート１１ａと、第１の内部電極２を形成するための複数の導電性ペースト１２と、第２の内部電極３を形成するための複数の導電性ペースト１３とが積層され、加圧され、一体化されたものからなる。

【0060】

図示は省略するが、まず、誘電体セラミックスの粉末、バインダー樹脂、溶剤などを用意し、これらを湿式混合してセラミックスラリーを作製する。

【0061】

次に、キャリアフィルム上に、セラミックスラリーをダイコータ、グラビアコーター、マイクログラビアコーターなどを用いてシート状に塗布し、乾燥させて、セラミックグリーンシートを作製する。

【0062】

次に、所定のセラミックグリーンシートの主面に、第１の内部電極２、第２の内部電極３を形成するために、予め用意した導電性ペースト１２、１３を所望のパターン形状に塗布（たとえば印刷）する。なお、外層となるセラミックグリーンシートには、導電性ペーストは塗布しない。なお、導電性ペーストには、たとえば、溶剤、バインダー樹脂、金属粉末（たとえばＮｉ粉末）などを混合したものを使用することができる。

【0063】

次に、セラミックグリーンシートを所定の順番に積層し、加熱圧着して一体化させ、図５（Ａ）に示す未焼成容量素子５１を作製する。なお、一般的な製造ラインにおいては、多数個の積層セラミックコンデンサ１００を高い生産性で製造するために、マザーセラミックグリーンシートを作製し、それらに導電性ペースト１２、１３を塗布し、マザーセラミックグリーンシートを積層し、加圧し、一体化させてマザー未焼成容量素子を作製し、そのマザー未焼成容量素子を個々に分割して未焼成容量素子５１を作製する場合が多い。

【0064】

次に、必要に応じて、図５（Ｂ）に示すように、未焼成容量素子５１をバレル研磨にかけ、未焼成容量素子５１の角部や稜線部に丸みＲを形成する。

【0065】

次に、図５（Ｃ）に示すように、未焼成容量素子５１の両端面をブレードなどで部分的に切削し、凹部６、７を形成するための未焼成凹部１６、１７を形成する。なお、切削に使用する手段はブレードには限られず、レーザー光の照射など、別の手段であってもよい。

【0066】

次に、図６（Ｄ）に示すように、未焼成容量素子５１の両端面に、たとえばディップによって、下地電極層８を形成するための導電性ペースト１８を塗布する。なお、導電性ペーストには、たとえば、溶剤、バインダー樹脂、金属粉末（たとえばＮｉ粉末）、セラミック粉末などを混合したものを使用することができる。図６（Ｄ）に示すように、導電性ペースト１８は、未焼成凹部１６、１７の内壁や底部にも塗布される。

【0067】

次に、未焼成容量素子５１を、所定のプロファイルで焼成して、図６（Ｅ）に示す容量素子１を完成させる。このとき、セラミックグリーンシート１１ａが焼成されて誘電体層１ａになり、セラミックグリーンシート１１ａの主面に塗布された導電性ペースト１２、１３が同時に焼成されて第１の内部電極２、第２の内部電極３になり、未焼成容量素子５１の端面に塗布された導電性ペースト１８が同時に焼成されて下地電極層８になる。また、未焼成凹部１６、１７が凹部６、７になり、凹部６、７の内壁や底部には、下地電極層８の部分８ａが形成される。なお、下地電極層８の部分８ａは、凹部６、７の内部を埋めきってもよい。

【0068】

次に、図６（Ｆ）に示すように、下地電極層８の上にＣｕめっき電極層９を形成し、Ｃｕめっき電極層９の上にＮｉめっき電極層１０を形成し、Ｎｉめっき電極層１０の上にＳｎめっき電極層１１を形成し、積層セラミックコンデンサ１００を完成させる。下地電極層８の部分８ａの内部には、Ｃｕめっき電極層９の部分９ａが形成される。

【0069】

（実験１）
本発明の有効性を確認するために、次の実験１をおこなった。

【0070】

実施例として、上述した積層セラミックコンデンサ１００を、２０個、作製した。また、比較例として、積層セラミックコンデンサ１００から凹部６、７を省略した従来の積層セラミックコンデンサを、２０個、作製した。なお、作製した積層セラミックコンデンサは、全て、必要なＩＲの大きさを備えていた。

【0071】

次に、温度１２５℃、湿度９５％の環境下において、７２時間の間、実施例および比較例の各積層セラミックコンデンサに、３．２Ｖの電圧を印加した。

【0072】

７２時間経過後、各積層セラミックコンデンサのＩＲを測定し、基準となる大きさを上回ったものを「良」とし、基準となる大きさを下回ったものを「不良」とした。実施例の不良率は０％であった。比較例の不良率は１０％であった。

【0073】

以上より、本発明の有効性が確認された。

【0074】

［第２実施形態］
図７に、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を示す。ただし、積層セラミックコンデンサ２００の要部断面図である。

【0075】

第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、上述した第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００では、凹部６、７を、それぞれ、ある１層の誘電体層１ａと、その上下に積層された誘電体層１ａの一部部分とに亘って形成した。積層セラミックコンデンサ２００は、これを変更し、凹部２６、２７を、隣接する２層の誘電体層１ａの境界領域に形成した。そして、凹部２６、２７の内部に、下地電極層８の部分８ｂと、Ｃｕめっき電極層９の部分９ｂとを形成した。積層セラミックコンデンサ２００の他の構成は、積層セラミックコンデンサ１００と同じにした。

【0076】

（積層セラミックコンデンサ２００の製造方法の一例）
第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、たとえば、図８（Ａ）、（Ｂ）に示す製造方法で製造することができる。

【0077】

まず、図示しないが、第１実施形態の製造方法で示したのと同じ方法で、セラミックグリーンシート１１ａを作製する。

【0078】

次に、所定のセラミックグリーンシート１１ａの上側主面または下側主面の凹部２６、２７を形成しようとする領域に、剥離剤２０を塗布する。剥離剤２０の材質は任意であり、振動を与えることによって、セラミックグリーンシート１１ａどうしを部分的に剥離させることができるものであればよい。

【0079】

次に、所定のセラミックグリーンシート１１ａの主面に、第１の内部電極２、第２の内部電極３を形成するために、予め用意した導電性ペースト１２、１３を所望のパターン形状に塗布する。なお、セラミックグリーンシート１１aの主面上に剥離剤２０を塗布する工程と、セラミックグリーンシート１１aの主面上に導電性ペースト１２、１３を塗布する工程とは、順番を入れ替えてもよい。

【0080】

次に、図８（Ａ）に示すように、セラミックグリーンシート１１ａを所定の順番に積層し、加熱圧着して一体化させ、未焼成容量素子５１を作製する。

【0081】

次に、図８（Ｂ）に示すように、未焼成容量素子５１をバレル研磨にかけ、未焼成容量素子５１の角部や稜線部に丸みＲを形成するとともに、バレル研磨の振動によって剥離剤２０を塗布した部分のセラミックグリーンシート１１ａどうしを部分的に剥離させ、未焼成凹部５６、５７を形成する。なお、このとき、振動によって、未焼成凹部５６、５７の内部の導電性ペースト１２、１３も除去される。

【0082】

次に、図示しないが、第１実施形態の製造方法と同じ方法で、未焼成容量素子５１の両端面に、たとえばディップによって、下地電極層８を形成するための導電性ペースト１８を塗布する。

【0083】

次に、未焼成容量素子５１を、所定のプロファイルで焼成して、容量素子１を完成させる。このとき、セラミックグリーンシート１１ａが焼成されて誘電体層１ａになり、セラミックグリーンシート１１ａの主面に塗布された導電性ペースト１２、１３が同時に焼成されて第１の内部電極２、第２の内部電極３になり、未焼成容量素子５１の端面に塗布された導電性ペースト１８が同時に焼成されて下地電極層８になる。そして、未焼成凹部５６、５７が凹部２６、２７になり、凹部２６、２７の内壁や底部には、下地電極層８の部分８ｂが形成される。

【0084】

次に、下地電極層８の上にＣｕめっき電極層９を形成し、Ｃｕめっき電極層９の上にＮｉめっき電極層１０を形成し、Ｎｉめっき電極層１０の上にＳｎめっき電極層を形成し、積層セラミックコンデンサ２００を完成させる。下地電極層８の部分８ｂの内部には、Ｃｕめっき電極層９の部分９ｂが形成される。

【0085】

第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００も、第１の外部電極４、第２の外部電極５の凹部２６、２７を形成した部分の耐湿性が向上しており、ＩＲが大きくなっている。

【0086】

［第３実施形態］
図９に、第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ３００を示す。ただし、図９は、積層セラミックコンデンサ３００の要部断面図である。なお、図９は、容量素子１の第１の端面１Ｅに形成した凹部３６と、第１の外部電極４とを示しているが、容量素子１の第２の端面１Ｆにも、同様に、凹部３７と、第２の外部電極５とが形成されている。

【0087】

第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ３００も、上述した第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００では、凹部６（凹部７）の内部に形成された下地電極層８の部分８ａが、１つの第１の内部電極２（第２の内部電極３）と電気的に接続されていたが、積層セラミックコンデンサ３００はこれを変更し、凹部３６（凹部３７）の内部に形成された下地電極層８の部分８ｃを、複数の第１の内部電極２（第２の内部電極３）と電気的に接続させた。なお、下地電極層８の部分８ｃの内部には、Ｃｕめっき電極層９の部分９ｃが形成されている。積層セラミックコンデンサ３００の他の構成は、積層セラミックコンデンサ１００と同じにした。

【0088】

第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ３００も、第１の外部電極４、第２の外部電極５の凹部３６、３７を形成した部分の耐湿性が向上しており、ＩＲが大きくなっている。

【0089】

［第４実施形態］
図１０（Ａ）、（Ｂ）、図１１に、第４実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ４００を示す。ただし、図１０（Ａ）は、積層セラミックコンデンサ４００の平面図である。図１０（Ｂ）は、積層セラミックコンデンサ４００の側面図である。図１１は、積層セラミックコンデンサ４００の断面図であり、図１０（Ａ）の一点鎖線矢印で示すＹ-Ｙ部分を示している。

【0090】

第１実施形態～第３実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００、２００、３００は、それぞれ、１対の外部電極である、第１の外部電極４と第２の外部電極５とを備えた積層セラミックコンデンサであった。第４実施形態の積層セラミックコンデンサ４００は、第１の外部電極４、第２の外部電極５の他に、更に第３の外部電極４０ａ、４０ｂを形成することによって、３端子型コンデンサを構成している。

【0091】

積層セラミックコンデンサ１００、２００、３００では、容量素子１の内部に、第１の内部電極２と、第２の内部電極３とが、交互に積層されていた。第４実施形態の積層セラミックコンデンサ４００は、これに代えて、容量素子１の内部に、第３の内部電極４４と、第１の内部電極２と、第２の内部電極３とを、この順番に繰り返して積層している。

【0092】

各第３の内部電極４４は、容量素子１の第１の側面１Ｃと第２の側面１Ｄとの両側面に引き出されている。そして、第１の側面１Ｃに引き出された第３の内部電極４４が、第３の外部電極４０ａに接続され、第２の側面１Ｄに引き出された第３の内部電極４４が、第３の外部電極４０ｂに接続されている。なお、第３の外部電極４０ａと第３の外部電極４０ｂとは、容量素子１の第１の主面１Ａおよび／または第２の主面１Ｂを経由して、相互に電気的に接続されてもよい。

【0093】

積層セラミックコンデンサ４００は、容量素子１の第１の側面１Ｃに２つの凹部４６が形成され、第２の側面１Ｄに２つの凹部４７が形成されている。

【0094】

第３の外部電極４０ａ、４０ｂは、第１の外部電極４、第２の外部電極５と同様に、下地電極層８、Ｃｕめっき電極層９と、Ｎｉめっき電極層１０と、Ｓｎめっき電極層１１とが積層された構造からなる。そして、凹部４６、４７に、下地電極層８の部分８ｄと、Ｃｕめっき電極層９の部分９ｄとが入り込んでいる。そして、最上に積層された第３の内部電極４４および最下に積層された第３の内部電極４４が、それぞれ、凹部４６の内部に入り込んだ下地電極層８の部分８ａと、凹部４７の内部に入り込んだ下地電極層８の部分８ａとに、それぞれ電気的に接続されている。積層セラミックコンデンサ４００の他の構成は、第１実施形態の積層セラミックコンデンサ１００と同じにした。

【0095】

積層セラミックコンデンサ４００は、３端子型コンデンサとして使用することができる。すなわち、積層セラミックコンデンサ４００は、回路において電源ラインまたは信号ラインを途中で分断し、分断した一方に第１の外部電極４を接続し、分断した他方に第２の外部電極５を接続し、かつ、第３の外部電極４０ａ、４０ｂをグランドに接続することによって、３端子型コンデンサとして使用することができる。

【0096】

第４実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ４００も、第３の外部電極４０ａ、４０ｂの凹部４６、４７を形成した部分の耐湿性が向上しており、ＩＲが大きくなっている。

【0097】

以上、第１実施形態～第４実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００、２００、３００、４００について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。

【0098】

たとえば、積層セラミックコンデンサ１００、２００、３００、４００では、下地電極層８の金属成分の主成分にＮｉを使用したが、金属成分の主成分の種類は任意であり、Ｎｉに代えて、たとえば、Ｃｕ、Ａｇなどを使用してもよい。

【0099】

また、容量素子１に形成する凹部６、７等の延びる方向（長さの方向）も任意であり、各実施形態で示した方向から変更してもよい。また、容量素子１に形成する凹部６、７等の個数も任意であり、各実施形態で示した個数から増減させてもよい。

【0100】

本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。

【0101】

この積層セラミックコンデンサにおいて、凹部内に、下地電極層およびＣｕめっき電極層が入り込んでいることも好ましい。この場合には、凹部内に入り込んだ、下地電極層およびＣｕめっき電極層によって、耐湿性を向上させることができる

【0102】

また、第１の端面に形成された凹部に入り込んだ下地電極層と、少なくとも１つの第１の内部電極とが電気的に接続され、第２の端面に形成された凹部に入り込んだ下地電極層と、少なくとも１つの第２の内部電極とが電気的に接続されることも好ましい。この場合には、当該第１の内部電極や、当該第２の内部電極に、外部から水分が浸入することが抑制される。

【0103】

第１の外部電極を取り除いた第１の端面、または、第２の外部電極を取り除いた第２の端面を見たとき、凹部は、幅と、幅よりも長い長さとを有し、凹部の長さの方向と、第１の端面に露出した第１の内部電極が延びる方向、または、第２の端面に露出した第２の内部電極が延びる方向とが、同じ方向であることも好ましい。この場合には、当該凹部において、第１の内部電極と第１の外部電極との電気的な接続、または、第２の内部電極と第２の外部電極との電気的な接続が、良好におこなわれる。

【0104】

第１の側面および第２の側面と平行な容量素子の断面を見たとき、凹部の深さの方向と、第１の内部電極および第２の内部電極の延びる方向とが、同じ方向であることも好ましい。この場合には、当該凹部において、第１の内部電極と第１の外部電極との電気的な接続、または、第２の内部電極と第２の外部電極との電気的な接続が、良好におこなわれる。

【0105】

第１の側面および第２の側面と平行な容量素子の断面を見たとき、凹部の深さが、当該凹部が形成された位置における、第１の端面または第２の端面を基準にした、下地電極層の厚みよりも大きいことも好ましい。この場合には、良好に耐湿性を向上させることができる。

【0106】

第１の端面上に配置された第１の外部電極、および、第２の端面上に配置された第２の外部電極が、それぞれ、第１の主面および第２の主面にそれぞれ延びる、折返し部を有し、第１の側面および第２の側面と平行な容量素子の断面を見たとき、凹部の深さが、折返し部の長さよりも小さいことも好ましい。凹部の深さを大きくし過ぎると、短絡防止のために、第１の内部電極、第２の内部電極の長さを短くしなければならず、積層セラミックコンデンサの容量が小さくなってしまう虞があるからである。

【0107】

第１の側面および第２の側面と平行な容量素子の断面を見たとき、第１の端面に形成された凹部に入り込んだ下地電極層と、最も第１の主面の近くに配置された第１の内部電極、および／または、最も第２の主面の近くに配置された第１の内部電極とが電気的に接続され、第２の端面に形成された凹部に入り込んだ下地電極層と、最も第１の主面の近くに配置された第２の内部電極、および／または、最も第２の主面の近くに配置された第２の内部電極とが電気的に接続されることも好ましい。この場合には、耐湿性が低くなってしまいがちな領域の耐湿性を向上させることができる。

【0108】

下地電極層の金属成分が、Ｎｉを主成分とすることも好ましい。この場合には、容量素子や内部電極の焼成と同時に、下地電極層を焼成することが可能になり、生産性が向上する。

【0109】

複数の誘電体層から任意に選ばれた複数の誘電体層上に配置され、容量素子の内部に位置し、第１の側面、および／または、第２の側面に露出した第３の内部電極と、第１の側面上、および／または、第２の側面上に配置され、第３の内部電極と接続された第３の外部電極とを、更に有し、３端子型コンデンサが構成されることも好ましい。この場合には、耐湿性が高く、ＩＲの大きい、３端子型の積層セラミックコンデンサを得ることができる。

【符号の説明】

【0110】

１・・・容量素子
１Ａ・・・第１の主面
１Ｂ・・・第２の主面
１Ｃ・・・第１の側面
１Ｄ・・・第２の側面
１Ｅ・・・第１の端面
１Ｆ・・・第２の端面
１ａ・・・誘電体層
２・・・第１の内部電極
３・・・第２の内部電極
４・・・第１の外部電極
４ａ・・・折返し部
５・・・第２の外部電極
５ａ・・・折返し部
６、７、２６、２７、３６、３７、４６、４７・・・凹部
８・・・下地電極層
９・・・Ｃｕめっき層
１０・・・Ｎｉめっき層
１１・・・Ｓｎめっき層
４０ａ、４０ｂ・・・第３の外部電極
４４・・・第３の内部電極

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】